JP2018138691A - 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造 - Google Patents

成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造 Download PDF

Info

Publication number
JP2018138691A
JP2018138691A JP2017109552A JP2017109552A JP2018138691A JP 2018138691 A JP2018138691 A JP 2018138691A JP 2017109552 A JP2017109552 A JP 2017109552A JP 2017109552 A JP2017109552 A JP 2017109552A JP 2018138691 A JP2018138691 A JP 2018138691A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
shower plate
front surface
shower
exhaust duct
extending
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017109552A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7062378B2 (ja
Inventor
令子 山田
Reiko Yamada
令子 山田
川原　潤
Jun Kawahara
潤 川原
佐藤　和男
Kazuo Sato
和男 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASM IP Holding BV
Original Assignee
ASM IP Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASM IP Holding BV filed Critical ASM IP Holding BV
Publication of JP2018138691A publication Critical patent/JP2018138691A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7062378B2 publication Critical patent/JP7062378B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B16/00—Spray booths
    • B05B16/60—Ventilation arrangements specially adapted therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32633—Baffles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H01L21/0228—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition deposition by cyclic CVD, e.g. ALD, ALE, pulsed CVD

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】シャワープレートとシールドプレート間に残存する副産物をチャンバーの外に排出できるシャワープレートの提供。【解決手段】シャワープレート１２とシールドプレート１３からなるシャワーヘッド１１において、シャワープレート１２は前表面側に段部１８を有し、前表面領域２０（前表面）は周方向で段部１８に取り囲まれており、副産物ガスを通過させるために、少なくとも１つの開口部２２が段部１８の表面から排気ダクトまで延びているシャワープレート１２。【選択図】図３

Description

発明の詳細な説明
本願発明は、半導体製造処理で用いられるプラズマ成膜装置に一般的に関連し、特に、当該装置に提供されるシャワープレート構造に関するものである。
プラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）及びプラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）処理は、一般的に、半導体ウェハのような基板のパターン表面に膜を形成するために用いられる。これらの処理では、典型的に、基板を収容するチャンバにプリカーサガス又は混合ガスを導入することによってなされる。プリカーサガス又は混合ガスは、通常、チャンバ内上部付近に設置されたシャワープレートを介して下方向に方向付けられる。
チャンバ内に導入されるプリカーサガス又は混合ガスは、次に、チャンバと接続されている一つ又は複数の高周波パワー源（ＲＦパワー源）から当該チャンバに加えられる高周波パワー（ＲＦパワー）により、活性化又は励起されてプラズマ状態にされる。プラズマ状態に励起されたガス又は混合ガスは化学反応を起こして、温度制御された基板支持部に配置されている基板の表面に物質層を形成する。この化学反応の間に生成される副産物（例えば、成膜抑制ガス）は、排気システムを通って当該チャンバから吸い出される。
図1は、ガス入口空間を画定するシャワープレート構造２及びシールドプレート３を備えた従来のシャワーヘッド１の外観を示している。シャワープレート構造２とシールドプレート３は互いにネジ５で固定されている。Ｏリング（オーリング）４は、シャワープレート構造２及びシールドプレート３の間に取り付けられている。ガス入口空間内のプリカーサガス又は混合ガスは、シャワープレート構造の多数の開口部を経由してチャンバに導入される。
本開示に含まれている背景技術の議論は、本願発明の背景を提供する目的のためだけのものであって、「上記議論の一部又は全部が先行技術の一部を成している」ことを自認したもの、或いは「上記議論の一部又は全部が、本願発明の時点で、周知であった」ことを自認したもの、と解釈されてはならない。
近年、シャワープレート構造の改良により、パターン表面上の成膜方法が提案されている。パターン表面上に膜を均一に形成する要求は益々強まっているが、従来型のシャワーヘッドを用いた成膜ではこの要求に応えることは困難である。その理由の一つは、シャワープレート構造とシールドプレートとの間（例えば、ガス入口空間の両端部及びＯリング（オーリング）４の周囲領域）に残存する副産物の問題であり、この残存副産物は基板表面上の均一な成膜に悪影響を及ぼす。かくして、基板表面上の均一な膜形成の向上に資するために、このような残存副産物をシャワーヘッドとチャンバの外に排出することができるシャワーヘッドの開発が重要になってきている。
本願発明の一実施形態では、ガス入口ポートと、シャワーヘッドと、加工物支持部と、反応チャンバと、排気ダクトとを備えるプラズマ成膜装置に組み込むように適合されたシャワープレートであって、前記シャワープレートは、前記シャワーヘッドに取り付けられるように適合され、該シャワープレートは、前記ガス入口ポートと対向する前表面と、前記前表面とは反対側にある後表面とを、有し、前記シャワープレートは、ガスを通過させるため、前記前表面から前記後表面へ延びる複数の開口部を備え、前記シャワープレートは、さらに、副産物ガスを通過させるため、該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで延びる少なくとも一つの開口部を備える。
本願発明の一実施形態では、シャワーヘッドは、シャワープレートの前表面側に段部を有し、当該前表面はその周囲（例えば、周方向）を段部（段差部ともいう）により取り囲まれており、少なくとも１つの開口部が当該段部から排気ダクトに延びている。本願発明の一実施形態では、当該シワープレートは、その前表面から当該排気ダクトまで延びる少なくとも１つのの開口部を備える。
本願発明の態様及び本願発明により達成される関連技術に対する優位性を要約する目的で、本開示は本願発明の対象物及び優位性を説明している。当然ながら、「これらの対象物及び優位性は、必ずしも本願発明の特定の実施例に従ってのみ達成可能であるという訳ではない」と理解するべきものである。かくして、例えば、当業者は、「本願発明は、本書面で教示されている一つの優位性又は一群の優位性を達成するような又は最適化するような態様で実施又は実行され得る。その際に、本書面で教示された又は示唆された一つ又は複数の他の目的又は他の優位性を達成することを必須としない」ことを認識するであろう。本願発明のさらなる態様・特徴・優位性は以下の詳細説明の中で明らかになるであろう。
本書面で開示されているシステムと方法の他の目的・特徴・特性、並びに操作方法及び構造上の関連要素の機能と部品の組合せ及び製造上の経済性は、添付図面を参照しつつ下記説明と付属の請求項を考慮することによって、より明確になるであろう。これらの図面は、全て本出願の一部を成しており、そこでは、数字番号は、参照と同様に、種々の形状の対応部品を指定している。しかし、「上記図面は図示及び説明のためだけのものであって、本願発明の範囲を画定することを意図するものではない」ことは明示的に理解されるべきである。本仕様書及び請求項で使用されている如く、不定冠詞及び定冠詞の付いた指示物は、文脈上明らかに他の意味がある場合を除き、それぞれ複数形の指示物を含むものとする。
本願発明の上記及びその他の特徴を、好ましい実施形態の設計図を参照して、説明する。但し、これらの実施形態は本願発明を実例説明するためであって、本願発明をこれらの実施形態に限定するためではない。上記設計図は、実例説明の目的上過度に単純化されており、必ずしも一定の縮尺で示されたものではない。
図１は、シャワープレート構造とシールドプレートを備えた従来型シャワーヘッドの概略図である。 図２は、一実施形態による基本構造を示すプラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）装置の概略図である。 図３は、段部に複数の開口部を有するシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。 図４は、第１例の場合の基板表面に形成された膜の各場所における厚さの比を示す図である。 図５は、段部に複数の開口部を有するシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。 図６は、段部に複数の開口部を有するシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。 図７は、第３例の場合の基板表面に形成された膜の各場所における厚さの比を示す図である。 図８は、前側シャワープレートの斜視図の概略図である。
本願発明は、下記の実施形態を含むが、それらの実施形態に限定されない。
処理の一例として、膜を形成させるためにシャワープレートがいつどのように使用されるかをより良く理解できるよう、プラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）処理が説明される。勿論のことながら、シャワープレートは、プラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）処理において、代替的に又は追加的に使用することが可能である。しかし、本願発明の実施形態は、プラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）処理及びプラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）処理における使用に限定されない。
上記説明の如く、シャワープレートはプラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）処理及びプラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）処理において使用可能である。プラズマエンハンストＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）処理においては、基板又は加工物は反応チャンバ内に置かれ、交互に繰り返して表面反応に晒される。シリコン窒化膜は自己制御式ＡＬＤサイクルの繰り返しにより形成される。シリコン窒化膜の形成には、それぞれのＡＬＤサイクルが少なくとも二つの異なるフェーズを含むことが望ましい。
反応物質の反応スペースへの導入とそこからの除去は一つのフェーズであると考えることが可能である。一つのフェーズにおいて、シリコンを含む反応物質が導入されて、それが基板表面に僅かに大体一つの単分子層を形成する。この反応物質は、本実施例中、「シリコンプリカーサ」、「シリコン含有プリカーサ」、「ハロゲン含有シリコンプリカーサ」、「シリコン反応物質」と称され、化学記号で示せば、例えば、H2SiI2、(SiI2)(NH2)2、(SiI2)(NHMe)2 、(SiI2)(NHEt)2、(SiI2)(NHiPr)2、(SiI2)(NHtBu)2、(SiI2)(NMe2)2、(SiI2)(NMeEt)2、(SiI2)(NMeiPr)2、(SiI2)(NMetBu)2、(SiI2)(NEt2)2、(SiI2)(NEtiPr)2、(SiI2)(NEttBu)2、(SiI2)(NiPr2)2、(SiI2)(NiPrtBu)2及び(SiI2)(NtBu)2である。
上記とは別のフェーズに於いて、反応種を含む別の反応物質が導入され、それが吸着されたシリコンを窒化シリコンに転換する。この反応物質は窒素プリカーサを含むことが可能である。この反応種は励起種を含むことが可能である。希ガスからの反応種は必ずしも成膜に大きく寄与するという訳ではないが、ある状況では膜の成長に寄与し、且つプラズマの生成と点火を助ける働きをする。いくつかの実施形態では、プラズマを生成するために使われるガスは上記膜形成中、定常的に流れるが、活性化されるのは断続的にのみである。
膜の最終的組成を調整するために望ましければ、それに応じてフェーズを追加することもフェーズを取り除くことも可能である。キャリア・ガス（例えば、アルゴン又はヘリウム）の助けを借りて、少なくとも１つの反応物質を導入することも可能である。シリコンプリカーサと上記の別の反応物質はキャリア・ガスの助けを借りて、導入される。上記二つのフェーズを重ねることも可能であるし、又は二つのフェーズを組み合わせることが可能である。例えば、シリコンプリカーサと上記の別の反応物質は、部分的に又は完全に重なるパルスで同時に導入することが可能である。さらに、第一のフェーズと第二のフェーズ、第一の反応物質と第二の反応物質と称しているが、これらのフェーズの順序は変更可能であり、ＡＬＤサイクルは任意のフェーズから始める事が可能である。要するに、特に指定されない限り、反応物質は任意の順序で導入可能であり、上記処理は任意の反応物質で始める事が可能である。
次に、プラズマ成膜装置の構成の詳細を説明する。
プラズマ成膜装置の例として、図２は、ＰＥＡＬＤ装置の一実施形態の概略図を示している。既に述べたように、シャワープレートは、プラズマエンハンストＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）処理に於いて追加的に又は代替的に使うことが出来、或いは、ＰＥＡＬＤやＰＥＣＶＤとは全く別の処理において使用することができる。図２に示すように、ＰＥＡＬＤ装置１００は、真空チャンバ（反応室）１０、真空チャンバ１０の上部に設けられ且つ真空チャンバそのものからは絶縁されているシャワーヘッド１１、真空チャンバ１０の内部に設けられ且つシャワーヘッドと略平行なサセプタ５０、及び、シャワーヘッド１１に取り付けられたガスダクトに連結されたＲＦパワー源７及び８から成っている。
真空チャンバ１０は、その側面部分に排気弁４９を備えた隙間を有し、排気ポンプ（図示せず。）に連結した排気ダクト３４（排気ポート）を含む。さらに、真空チャンバ１０は接地されており、その内側側壁に基板を送るための仕切弁（図示せず。）を備えた隙間を有する。
シャワーヘッド１１は中空構造であって、その上方管状部は、ガス管（図示せず。）に連結されたガス導入口３２（図示せず。）を含む。さらに、シャワーヘッドの底面に、シャワープレート構造１２（シャワープレート）が着脱可能に取り付けられている。シャワープレート構造１２内には、図３、図５、図７に示するように、多くのガス開口部（穴ないし孔）が設けられており、それにより、ガス導入口３２から導入される原料ガス噴流がこれらの排出孔からサセプタ５０に向かって放出される。ガス導入口３２は、少なくとも部分的にシャワープレート構造１２とシールドプレート１３により画定されている。シャワープレート構造１２を着脱可能に取り付けることにより、維持管理がより容易になり、部品交換等の費用も削減可能となる。サセプタ５０は、その下端部のヒータ５１に取り付けられている。サセプタ５０は、シャワープレート構造１２と略平行に配置され、その上部表面に置かれる基板１６を保持する。
図２に示すように、シャワープレート構造１２とシールドプレート１３は互いにネジ５で固定されており、これら二つの間にはＯリング（オーリング）１４が取り付けられている。一実施形態では、シャワーヘッド１２はさらにその前表面側に段部１８を有し、前表面領域２０は周囲を（周方向に）段部１８によって囲まれており、副産物ガスを排気ダクトの方向に通過させるための少なくとも１つの穴２２（複数の穴であることが望ましい。）が当該段部１８の表面から排気ダクト３４に向けて延びている。図８はシャワープレート構造１２の上部斜視図の概略図であり、このシャワープレート構造内部の複数の排気孔２１、複数の開口部２２、段部１８及び前表面領域２０が描写されている。
成膜処理中に発生し、ガス導入口の先端の周囲及びＯリングの周囲に漏れ出す（マイクロリークとも呼ばれる）副産物ガスは、基板表面に堆積する膜の厚みの均一性に悪影響を与える。しかしながら、図２に示すように、追加的に少なくとも１つの開口部２２を段部１８の表面から排気ダクト３４まで形成することにより、問題となる副産物ガスを、段部１８の上部に位置するＯリングの周囲の領域から直接排気ダクト３４に効率的に排出することが可能となる。一実施形態では、かかる副産物ガスを排出するために、シャワープレート１２の段部１８の縁部からシャワープレート１２の後側にある排気ダクト３４までの少なくとも１つの開口部を形成する。一実施形態では、段部１８の側壁表面から排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部２２を形成する。この開口部は副産物ガスを通過させるのに効率的である。
一実施形態では、段部の表面から排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部は、段部表面と垂直な方向に対して傾斜していても良い。他の実施形態では、少なくとも１つの開口部は、シャワープレートの前表面から排気ダクトまで延びていても良い。シャワープレート前表面から排気ダクトまで延びる開口部は、シャワープレートの前表面と垂直な方向に対して傾斜していてもよい。
一実施形態では、シャワープレートには、その前表面の縁部から延びる少なくとも１つの開口部、又は、その縁部の内側５ｍｍ以内の場所から延びる少なくとも１つの開口部を設けることが出来る。他の実施形態では、シャワープレートには、シャワープレートの前表面の縁部付近から排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部を設けることが出来る。
一実施形態では、シャワープレートには、代替的に又は追加的に、その前表面の縁部からその後表面まで延びる少なくとも１つの開口部、又はその縁部の内側５ｍｍ以内の場所からその後表面まで延びる少なくとも１つの開口部を設けることができる。この開口部は、副産物ガスをシャワープレートの前表面側から排気ダクトまで間接的に通過させるためのものである。これとは別の実施形態では、上記シャワープレートには、その前表面の縁部付近からその後表面まで延びる少なくとも１つの開口部を設けることができる。この開口部は、副産物ガスをシャワープレートの前表面側から排気ダクトまで間接的に通過させるためのものである。
一実施形態では、シャワープレートの前表面の縁部付近からその後表面まで延びる開口部の方向は、前表面から後表面までそれぞれ延びている複数の開口部の方向と実質的に同一である。別の実施形態では、シャワープレートの前表面の縁部付近からその後表面まで延びる少なくとも１つの開口部は、前表面と垂直な方向に対して傾斜していてもよい。
本願発明の複数の実施形態を、特定の例を参照して詳細に説明する。但し、これらの例は本願発明を限定するものではない。特定の例の中で使用されている数値は、プラス・マイナス５０パーセント以上（上限点と下限点の数字含めても含めなくてもよい）の範囲内で修正可能である。
本願発明の一実施形態を下記の複数の例を参照して説明する。但し、これらの例は本願発明の範囲を限定するものではない。
第１例
段部から排気ダクトまで延びる複数の開口部を備えたシャワープレート
図３は、シールドプレート（シャワーヘッド）を備えたシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。シャワーヘッド１１はシャワープレート構造１２とシールドプレート１３を含み、これらはガス導入空間を部分的に画定している。シャワープレート構造１２及びシールドプレート１３は互いにネジ５で固定されており、これらの間には、Ｏリング１４が取り付けられている。シャワープレート１２は、その前表面側に段部１８を有し、前表面領域２０（前表面）は、周方向で段部１８に取り囲まれている。副産物ガスを通過させるために、少なくとも１つの開口部２２が段部１８の表面から排気ダクトまで延びている。
開口部２２の構成
開口部の数：９６個
直径：１ｍｍ
長さ：３３．８８ｍｍ
シャワープレートの前表面と垂直な方向に対する開口部の傾斜角度：５１．５度
開口部の位置：段部の縁部
ガス導入スペース内のプリカーサガス又は混合ガスは、シャワープレートの複数の開口部２１を経由して反応チャンバ内に導入される。成膜処理中に生成され、ガス導入口の先端部付近及びＯリング１４付近に漏れ出す副産物ガス（マイクロリークとも呼ばれる）は、基板表面上に形成される膜の厚さの均一性に悪影響を及ぼす。
この副産物ガスをＯリング１４付近の領域から排気ダクト３４まで排気することにより、この問題を実質的に回避すること又は実質的に減少させることが可能であることが見出された。この副産物ガスを排気するために、シャワープレート１２の段部１８の縁部からシャワープレート後側の排気ダクト３４まで延びる複数の開口部２２（例えば、９６個の開口部）を設ける。また、段部１８の側壁表面から排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部２２も副産物ガスを通過させるのに効果的であることが見出された。
図４はこれらの試験結果を示している。図４は基板表面に形成された膜のそれぞれの場所における厚み比を示したものである。灰色の諧調（グレースケール）で表された変化は厚み比の変化を示している。この試験結果の図では、各場所に於ける膜の厚みをその平均値との関係で示しており、平均値からのかい離はプラス・マイナス３％の範囲内にある。膜の厚みは、４９か所で測定されており、これらの測定値に基づき厚みの平均値が算出されている。
この結果から、膜の厚みの標準偏差の数値は、この例では１．０（１シグマ％）であり、膜の厚みの平均値は２７．６ｎｍである。この標準偏差の数値が小さくなればなるほど、膜の厚みの均一性は高まる。比較の目的のため、図１に示す従来型のシャワープレートでは、同一条件の下で（但し、本例で採用されている開口部２２を除く）、膜の厚みの標準偏差の数値は２８．１（１シグマ％）と計算されている。膜の厚みの標準偏差の数値が１５．０（１シグマ％）又はそれより小さい場合、従来の成膜方法による膜と比較して、好ましい膜の質（即ち、薄膜の均一性）を表していると結論付けることが出来ることが見出された。膜の厚みの標準偏差の数値が１０．０（１シグマ％）又はそれより小さい場合は、より一層好ましい膜の質（即ち、薄膜の均一性）を表していると結論付けることができることが見出された。
第２例
前表面の縁部から排気ダクトまで延びる複数の開口部を有するシャワープレート
図５は、シールドプレート（シャワーヘッド）を備えたシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。シャワーヘッド１１はシャワープレート構造１２とシールドプレート１３を含み、これらはガス導入空間を部分的に画定している。シャワープレート構造１２及びシールドプレート１３は互いにネジ５で固定されており、これらの間には、Ｏリング１４が取り付けられている。シャワープレート１２は、その前表面側に段部１８を有し、前表面領域２０（前表面）は、周方向で段部１８に取り囲まれている。副産物ガスを通過させるために、少なくとも１つの開口部２３がシャワープレート構造１２の前表面２０の縁部から排気ダクトまで延びている。
開口部２３の構成
開口部の数：９６個
直径：１ｍｍ
長さ：３１．９３ｍｍ
シャワープレートの前表面と垂直な方向に対する開口部の傾斜角度：４７．５度
開口部の位置：シャワープレートの前表面の縁部
ガス導入スペース内のプリカーサガス又は混合ガスは、シャワープレートの複数の開口部２１を経由して反応チャンバ内に導入される。成膜処理中に生成され、ガス導入口の先端部付近及びＯリング１４付近に漏れ出す副産物ガス（マイクロリークとも呼ばれる）は、基板表面上に形成される膜の厚さの均一性に悪影響を及ぼす。
この副産物ガスをこれらの領域から排気ダクト３４まで排気することにより、この問題を実質的に回避すること又は実質的に減少させることが可能であることが見出された。この副産物ガスを排気するために、複数の開口部２３（例えば、９６個の開口部）をシャワープレート１２の前表面２０の縁部から後表面３０まで形成する。
図示されてはいないが、本例の試験結果は得られており、その結果は基板表面に形成された膜の各位置における厚さ比の図として得られている。
試験結果から、膜の厚みの標準偏差の数値は５．０（１シグマ％）、厚みの平均値は２５ｎｍと計算される。縁部から２ｍｍ以内で内側の前表面の場所から延びる複数の開口部を有するシャワープレート１２は、上記と同様の標準偏差の数値を示すことが見出された。上述と同様に、この標準偏差の数値が小さくなればなるほど、薄膜の厚みの均一性は高くなる。比較の目的のため、図１に示す従来型のシャワープレートでは、同一条件の下で（但し、本例で採用されている開口部２２を除く）、膜の厚みの標準偏差の数値は２８．１（１シグマ％）と計算されている。膜の厚みの標準偏差の数値が１５．０（１シグマ％）又はそれより小さい場合、従来の成膜方法による膜と比較して、好ましい膜の質（即ち、薄膜の均一性）を表していると結論付けることが出来ることが見出された。膜の厚みの標準偏差の数値が１０．０（１シグマ％）又はそれより小さい場合は、より一層好ましい膜の質（即ち、薄膜の均一性）を表していると結論付けることができることが見出された。
第３例
前表面の縁部から後表面まで延びる複数の開口部を有するシャワープレート
図６は、シールドプレート（シャワーヘッド）を備えたシャワープレート構造の一実施形態の概略図である。シャワーヘッド１１はシャワープレート構造１２とシールドプレート１３を含み、これらはガス導入空間を部分的に画定している。シャワープレート構造１２及びシールドプレート１３は互いにネジ５で固定されており、これらの間には、Ｏリング１４が取り付けられている。シャワープレート１２は、その前表面側に段部１８を有し、前表面領域２０（前表面）は、周方向で段部１８に取り囲まれている。副産物ガスを通過させるために、少なくとも１つの開口部２４がシャワープレート１２の前表面２０の縁部からシャワープレート１２の後表面３０まで延びている。
開口部２４の構成
開口部の数：１０２個
直径：１ｍｍ
長さ：２５ｍｍ
開口部の位置：シャワープレートの前表面の縁部
ガス導入スペース内のプリカーサガス又は混合ガスは、シャワープレートの複数の開口部２１を経由して反応チャンバ内に導入される。成膜処理中に生成され、ガス導入口の先端部付近及びＯリング１４付近に漏れ出す副産物ガス（マイクロリークとも呼ばれる）は、基板表面上に形成される膜の厚さの均一性に悪影響を及ぼす。
この副産物ガスをこれらの領域から排気ダクト３４まで排気することにより、この問題を実質的に回避すること又は実質的に減少させることが可能であることが見出された。この副産物ガスを排気するために、複数の開口部２４（例えば、１０２個の開口部）をシャワープレート１２の前表面２０の縁部から後表面３０まで形成する。シャワープレート１２の前表面の縁部から排気ダクト３４まで直接排気する場合にこの排気効果はより顕著であるが、本例に示すように、副産物ガスは反応チャンバ１０を経由して排気ダクト３４に排気することも可能であることが見出された（間接排気）。
図７はこれらの試験結果を示している。図７は基板表面に形成された膜のそれぞれの場所における厚み比を示したものである。灰色の諧調（グレースケール）で表された変化は厚み比の変化を示している。この試験結果の図では、各場所に於ける膜の厚みをその平均値との関係で示しており、平均値からのかい離はプラス・マイナス３％の範囲内にある。膜の厚みは、４９か所で測定されており、これらの測定値に基づき厚みの平均値が算出されている。
この結果から、膜の厚みの標準偏差の数値は、この例では１３．７（１シグマ％）であり、膜の厚みの平均値は３１．２ｎｍである。この標準偏差の数値が小さくなればなるほど、膜の厚みの均一性は高まる。縁部から２ｍｍ内側の前表面の場所から延びる複数の開口部を有するシャワープレート１２は、上記と同様の標準偏差の数値を示すことが見出された。上述と同様に、この標準偏差の数値が小さくなればなるほど、薄膜の厚みの均一性は高くなる。比較の目的のため、図１に示す従来型のシャワープレートでは、同一条件の下で（但し、本例で採用されている開口部２４を除く）、膜の厚みの標準偏差の数値は２８．１（１シグマ％）と計算されている。膜の厚みの標準偏差の数値が１５．０（１シグマ％）又はそれより小さい場合、従来の成膜方法による膜と比較して、好ましい膜の質（即ち、薄膜の均一性）を表していると結論付けることが出来ることが見出された。
本書面に於ける単数形又は複数形の用語の使用に関して、当業者は文脈上相応しいように単数形から複数形に読み直し、又はその逆に読み直すことが出来る。
本開示のシステム及び方法の詳細な説明は一例を示す目的のためであって、現時点で最も実用的且つ好ましい実施例に基づくものであるが、かかる詳細はあくまで例を提示する目的のためであるから、本開示が開示された本実施例に限定されるものではなく、その逆に、本付属の請求項の精神と範囲内にある修正及び等価的配列を含むことが意図されていると理解されるべきである。例えば、本開示は、可能な限り、任意の実施例の特徴又は諸特徴を他の実施例の特徴又は諸特徴と組み合わせることが可能であると理解されるべきである。

Claims (20)

  1. ガス入口ポートと、シャワーヘッドと、加工物支持部と、反応チャンバと、排気ダクトとを備えるプラズマ成膜装置に組み込むように適合されたシャワープレートであって、
    前記シャワープレートは、前記シャワーヘッドに取り付けられるように適合され、該シャワープレートは、
    前記ガス入口ポートと対向する前表面と、
    前記前表面とは反対側にある後表面と、を有し、
    前記シャワープレートは、ガスを通過させるため、前記前表面から前記後表面へ延びる複数の開口部を備え、
    前記シャワープレートは、さらに、副産物ガスを通過させるため、該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部を備える、シャワープレート。
  2. 前記シャワープレートは、さらに、該シャワープレートの前記前表面側に段部を備え、前記前表面は周囲を前記段部に取り囲まれており、少なくとも１つの開口部が前記段部の表面から前記排気ダクトまで延びる、請求項１に記載のシャワープレート。
  3. 前記段部の前記表面から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部は、前記段部の前記表面と垂直な方向に対して傾斜している、請求項２に記載のシャワープレート。
  4. 前記シャワープレートの前記前表面に対する少なくとも１つの開口部の傾斜角が、０−９０度の範囲にある、請求項３に記載のシャワープレート。
  5. 前記シャワープレートは、前記シャワープレートの前記前表面から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部を備える、請求項１に記載のシャワープレート。
  6. 前記シャワープレートの前記前表面から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部は、前記シャワープレートの前記前表面と垂直な方向に対して傾斜している、請求項５に記載のシャワープレート。
  7. 前記シャワープレートの前記前表面に対する少なくとも１つの開口部の傾斜角が、０−９０度の範囲にある、請求項６に記載のシャワープレート。
  8. 前記シャワープレートは、該シャワープレートの前記前表面の縁部又は該前表面の該縁部から内側に２ｍｍ以内の場所から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部を備える、請求項５に記載のシャワープレート。
  9. 前記シャワープレートは、該シャワープレートの前記前表面の縁部付近から前記排気ダクトまで延びる少なくとも１つの開口部を備える、請求項５に記載のシャワープレート。
  10. 前記シャワープレートは、該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで延びる複数の開口部を備え、該複数の開口部は周囲に実質的に均一に配置されている、請求項１に記載のシャワープレート。
  11. 前記シャワープレートは、該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで延びる９０から１２０の範囲の数の開口部を備える、請求項１に記載のシャワープレート。
  12. 前記シャワープレートは、さらに、副産物ガスを該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで間接的に通過させるために、前記シャワープレートの前記前表面の縁部又は該縁部から内側に２ｍｍ以内の場所から該シャワープレートの後表面まで延びる少なくとも一つの開口部を備える、請求項１に記載のシャワープレート。
  13. 前記シャワープレートは、さらに、副産物ガスを該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで間接的に通過させるために、前記シャワープレートの前記前表面の縁部付近から該シャワープレートの後表面まで延びる少なくとも一つの開口部を備える、請求項１に記載のシャワープレート。
  14. 前記シャワープレートの前記前表面の縁部付近から該シャワープレートの後表面まで延びる少なくとも１つの開口部の方向は、それぞれが前記前表面から前記後表面まで延びる前記複数の開口部の方向と実質的に同一である、請求項１３に記載のシャワープレート。
  15. 前記シャワープレートの前記前表面の縁部付近から該シャワープレートの前記後表面まで延びる少なくとも１つの開口部は、前記シャワープレートの前表面と垂直な方向から傾斜している、請求項１５に記載のシャワープレート。
  16. 前記シャワープレートの前記前表面に対する少なくとも１つの開口部の傾斜角が、０−９０度の範囲にある、請求項１５に記載のシャワープレート。
  17. 請求項１に記載のシャワープレートを備える、基板処理装置。
  18. ガス入口ポートと、
    シャワーヘッドと、
    加工物支持部と、
    反応チャンバと、
    排気ダクトと、
    該シャワーヘッドに取り付けられるシャワープレートと、を備える処理装置であって、該シャワープレートは、
    前記ガス入口ポートと対向するよう適合された前表面と、
    前記前表面とは反対側にある後表面と、有し、
    前記シャワープレートは、ガスを通過させるため、前記前表面から前記後表面へ延びる複数の開口部を備え、
    前記シャワープレートは、さらに、副産物ガスを通過させるため、該シャワープレートの前記前表面側から前記排気ダクトまで延びる少なくとも一つの開口部を備える、処理装置。
  19. 前記シャワープレートは、さらに、該シャワープレートの前記前表面側に段部を有し、前記前表面は前記段部により周囲を取り囲まれており、前記少なくとも１つの開口部は、前記段部の表面から前記排気ダクトまで延びている、請求項１８に記載の処理装置。
  20. 前記処理装置が加工物上に物質を堆積させるように構成された、請求項１８に記載の処理装置。
JP2017109552A 2016-12-15 2017-06-01 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造 Active JP7062378B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/380,557 2016-12-15
US15/380,557 US10801106B2 (en) 2016-12-15 2016-12-15 Shower plate structure for exhausting deposition inhibiting gas

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018138691A true JP2018138691A (ja) 2018-09-06
JP7062378B2 JP7062378B2 (ja) 2022-05-06

Family

ID=62556838

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017109552A Active JP7062378B2 (ja) 2016-12-15 2017-06-01 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10801106B2 (ja)
JP (1) JP7062378B2 (ja)
KR (1) KR102403103B1 (ja)
CN (1) CN108220919B (ja)
TW (1) TWI741066B (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107363A1 (ja) 2017-11-29 2019-06-06 三井化学株式会社 環状オレフィン系共重合体、環状オレフィン系共重合体組成物、成形体および医療用容器
JP2022534893A (ja) * 2019-05-28 2022-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側ポンピングを用いた熱処理チャンバのリッド

Families Citing this family (166)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
WO2020023409A1 (en) * 2018-07-24 2020-01-30 Applied Materials, Inc. Optically transparent pedestal for fluidly supporting a substrate
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
DE102018130859A1 (de) 2018-12-04 2020-06-04 Aixtron Se CVD-Reaktor mit einem von einer Schirmplatten-Anordnung abgedeckten Gaseinlassorgan
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD931978S1 (en) * 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
CN117916846A (zh) * 2021-08-25 2024-04-19 应用材料公司 夹式双通道喷淋头
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166734A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
JP2016039356A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 ピーエスケー・インコーポレーテッド バッフル及びこれを含む基板処理装置
JP2016065272A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050103265A1 (en) * 2003-11-19 2005-05-19 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation Gas distribution showerhead featuring exhaust apertures
JP4698251B2 (ja) * 2004-02-24 2011-06-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け
US7273526B2 (en) * 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US8221582B2 (en) 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
IT1396495B1 (it) 2009-02-24 2012-12-14 Nikles Tec Italia Srl Dispositivo di erogazione di un getto d'acqua areato
US8402918B2 (en) 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
KR101234594B1 (ko) * 2011-07-25 2013-02-19 피에스케이 주식회사 배플 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
USD665055S1 (en) 2012-01-24 2012-08-07 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
US10714315B2 (en) * 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR101375742B1 (ko) * 2012-12-18 2014-03-19 주식회사 유진테크 기판처리장치
US9824881B2 (en) 2013-03-14 2017-11-21 Asm Ip Holding B.V. Si precursors for deposition of SiN at low temperatures
JP5917477B2 (ja) * 2013-11-29 2016-05-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム
USD724701S1 (en) 2014-02-04 2015-03-17 ASM IP Holding, B.V. Shower plate
USD732145S1 (en) 2014-02-04 2015-06-16 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD732644S1 (en) 2014-02-04 2015-06-23 Asm Ip Holding B.V. Top plate
USD720838S1 (en) 2014-02-04 2015-01-06 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD733257S1 (en) 2014-02-14 2015-06-30 Hansgrohe Se Overhead shower
US9493933B2 (en) 2014-08-07 2016-11-15 Brasscraft Manufacturing Company Pedestal strainer for a sink drain
USD751176S1 (en) 2014-08-07 2016-03-08 Hansgrohe Se Overhead shower
JP5775633B1 (ja) * 2014-09-29 2015-09-09 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および記録媒体
TWD177995S (zh) 2015-11-18 2016-09-01 ＡＳＭ知識產權私人控股有&#x9 用於半導體製造設備之氣體供應板
TWD178425S (zh) 2016-01-08 2016-09-21 ＡＳＭ知識產權私人控股有&#x9 用於半導體製造設備的電極板
USD794753S1 (en) 2016-04-08 2017-08-15 Applied Materials, Inc. Showerhead for a semiconductor processing chamber
USD793526S1 (en) 2016-04-08 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Showerhead for a semiconductor processing chamber
USD785766S1 (en) 2016-06-15 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Shower plate

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05166734A (ja) * 1991-12-13 1993-07-02 Mitsubishi Electric Corp 化学気相成長方法ならびにそのための化学気相成長処理システムおよび化学気相成長装置
JP2016039356A (ja) * 2014-08-06 2016-03-22 ピーエスケー・インコーポレーテッド バッフル及びこれを含む基板処理装置
JP2016065272A (ja) * 2014-09-24 2016-04-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラムおよび記録媒体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019107363A1 (ja) 2017-11-29 2019-06-06 三井化学株式会社 環状オレフィン系共重合体、環状オレフィン系共重合体組成物、成形体および医療用容器
JP2022534893A (ja) * 2019-05-28 2022-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側ポンピングを用いた熱処理チャンバのリッド
JP7401560B2 (ja) 2019-05-28 2023-12-19 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 裏側ポンピングを用いた熱処理チャンバのリッド

Also Published As

Publication number Publication date
CN108220919A (zh) 2018-06-29
CN108220919B (zh) 2021-04-20
TW201833372A (zh) 2018-09-16
KR102403103B1 (ko) 2022-05-27
JP7062378B2 (ja) 2022-05-06
TWI741066B (zh) 2021-10-01
KR20180069686A (ko) 2018-06-25
US10801106B2 (en) 2020-10-13
US20180171472A1 (en) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2018138691A (ja) 成膜抑制ガス排気のためのシャワープレート構造
JP7023665B2 (ja) 基板処理装置、基板の処理方法
CN110016655B (zh) 用于供应载气和干燥气体的喷淋板结构
KR102501472B1 (ko) 기판 처리 방법
TWI702308B (zh) 以間歇性再生電漿並利用原子層沉積矽氧化物表面塗層使自由基再結合最小化
US9976215B2 (en) Semiconductor film formation apparatus and process
KR102598660B1 (ko) 기판 에지들에서 이면 증착을 감소시키고 두께 변화들을 완화하기 위한 시스템들 및 방법들
JP2005113268A (ja) 上流下流排気機構を備えた薄膜形成装置及び方法
TWI694484B (zh) 基板處理裝置及方法
KR101624605B1 (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
JP2003045864A (ja) 基板処理装置
CN114258436A (zh) 空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿
TWI668323B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及基板保持構件
JP2012169409A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR100791677B1 (ko) 반도체 소자 제조를 위한 고밀도 플라즈마 화학기상증착장치
JP7278456B2 (ja) プラズマ処理装置
US20190194803A1 (en) Susceptor cleaning method
KR20130085905A (ko) Ｃｖｄ 균일 흡출/펌핑 안내 구조
KR101596329B1 (ko) Vhf를 이용한 pe-ald 장치 및 방법
CN112802737A (zh) 基片处理方法和基片处理装置
TW202104650A (zh) 在處理腔室內的電漿緻密化
KR102538276B1 (ko) Pe-cvd 장치 및 방법
KR20030027505A (ko) 배기 구조가 개선된 반도체 처리장치
KR101925581B1 (ko) 챔버 세정 방법
KR20210058709A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200403

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210316

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210510

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20211005

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211228

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220420

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7062378

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150