TWI741066B - 用於排出沈積抑制氣體之噴淋板結構 - Google Patents

用於排出沈積抑制氣體之噴淋板結構 Download PDF

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Abstract

本發明揭示一種經調適以安裝於一電漿沈積裝置中之噴淋板，該電漿沈積裝置包含一氣體入口、一噴淋頭、一反應腔室及一排出管道，該噴淋板經調適以附接至該噴淋頭且具有：一前表面，其經調適以面向該氣體入口；及一後表面，其與該前表面相對，其中該噴淋板具有各自從該前表面延伸至該後表面之多個通孔，且其中該噴淋板進一步具有從該噴淋板之該前表面側延伸至該排出管道之至少一個通孔。

Description

用於排出沈積抑制氣體之噴淋板結構
本發明大體上係關於一種用於一半導體製程中之電漿沈積裝置，特定言之係關於一種提供在該裝置中之噴淋板結構。
電漿增強CVD (PECVD)及電漿增強ALD (PEALD)程序通常用於將膜沈積在一基板(諸如一半導體晶圓)之一圖案化表面上。通常藉由將一前驅體氣體或氣體混合物引入至裝納一基板之一腔室中而完成彼等程序。通常經由定位於腔室之頂部周圍之一噴淋板向下引導前驅體氣體或氣體混合物。 接著，藉由從耦合至反應腔室之一或多個RF源將射頻(RF)功率施加至腔室而使提供在腔室中之前驅體氣體或氣體混合物通電或激發成一電漿。經激發氣體或氣體混合物反應以在定位於一溫度控制基板支撐件上之基板之一表面上形成一材料層。透過一排出系統從腔室泵抽反應期間所產生之副產物(例如，沈積抑制氣體)。 圖1展示具有界定一氣體進口空間之一噴淋板結構2及一屏蔽板3之一習知噴淋頭1之一概述。噴淋板結構2及屏蔽板3使用一螺釘5彼此固定。一O形環4附接在噴淋板結構2與屏蔽板3之間。氣體進口空間中之前驅體氣體或氣體混合物經由噴淋板結構之若干洞引入至腔室中。 已包含於本發明中之先前技術之任何論述僅出於提供本發明之一背景內容之目的，且其不應被視為承認任何或全部論述形成先前技術之部分或在創作本發明時在此項技術中已知。
近年來，已藉由改良噴淋板之結構而提出用於在一圖案化表面上沈積一膜之方法。對於在圖案化表面上更均勻地形成一膜之需求日益增長。然而，使用一習知噴淋頭形成一膜可為困難的。一個原因係殘留在噴淋板結構與屏蔽板之間(例如，氣體進口空間之兩端及O形環4周圍之區域)之副產物之一問題，此對膜在一基板之表面上之均勻沈積造成一負面影響。因此，能夠將此等副產物排出至噴淋頭及腔室外部之噴淋頭之開發變得重要以幫助增加形成於基板之表面上之膜之均勻性。 在一態樣中，本發明之一實施例提供一種經調適以安裝於一電漿沈積裝置中之噴淋板，該電漿沈積裝置包括一氣體入口、一噴淋頭、一基座、一反應腔室及一排出管道，該噴淋板經調適以附接至噴淋頭且包括：一前表面，其經調適以面向氣體入口；及一後表面，其與該前表面相對，且該噴淋板具有各自從前表面延伸至後表面之多個通孔，且該噴淋板進一步具有從該噴淋板之前表面側延伸至排出管道之至少一個通孔。 在一些實施例中，噴淋板在該噴淋板之前表面側上進一步具有一階狀區段，前表面被階狀區段周邊(例如，圓周)包圍且至少一個通孔從階狀區段延伸至排出管道。在一些實施例中，噴淋板具有從前表面延伸至排出管道之至少一個通孔。 出於概述本發明之態樣及達成之優於相關技術之一或多個優勢之目的，在本發明中描述本發明之特定目標及優勢。當然，應瞭解，不一定全部或任何此等目標或優勢可根據本發明之任何特定實施例來達成。因此，舉例而言，熟習此項技術者將辨識，可以達成或最佳化如本文中教示之一個優勢或優勢群組而不一定達成如本文中可能教示或建議之一或多個其他目標或優勢之一方式體現或實行本發明。將從以下詳細描述變得明白本發明之進一步態樣、特徵及優勢。 在參考隨附圖式考量以下描述及隨附發明申請專利範圍後將變得更明白本文中揭示之系統及/或方法之此等及其他目標、特徵及特性，以及結構之相關元件之操作方法及功能及部件之組合及製造之經濟性，其等之全部形成此說明書之一部分，其中相同元件符號指定各種圖中之對應部件。然而，應清楚地理解，圖式僅出於圖解說明及描述之目的且非意欲作為本發明之限制之一定義。如在說明書中及在發明申請專利範圍中使用，「一(a、an)」及「該」之單數形式包含複數個參照物，除非上下文另有明確規定。
本發明包含(但不限於)以下實施例： 作為一程序之一實例，電漿增強ALD (PEALD)程序經說明以更好地理解何時且如何使用噴淋板來沈積膜。毋庸置疑，噴淋板可替代地或額外地用於一PECVD程序中。然而，本發明之實施例不限於僅用於PEALD及PECVD程序中。 如上文中說明，噴淋板可用於PECVD及PEALD程序中。在PEALD程序中，將一基板或工件放置在一反應腔室中且經受交替重複的表面反應。藉由重複一自限制ALD循環而形成薄SiN膜。期望地，為了形成SiN膜，各ALD循環包括至少兩個相異階段。從反應空間提供且移除一反應物可被視為一階段。在一第一階段中，包括矽之一第一反應物經提供且在基板表面上形成不超過約一個單層。此反應物在本文中亦被稱為「矽前驅體」、「含矽前驅體」、「含鹵素矽前驅體」或「矽反應物」且可為(舉例而言) H2 SiI2 、(SiI2 )(NH2 )2 、(SiI2 )(NHMe)2 、(SiI2 )(NHEt)2 、(SiI2 )(NHi Pr)2 、(SiI2 )(NHt Bu)2 、(SiI2 )(NMe2 )2 、(SiI2 )(NMeEt)2 、(SiI2 )(NMei Pr)2 、(SiI2 )(NMet Bu)2 、(SiI2 )(NEt2 )2 、(SiI2 )(NEti Pr)2 、(SiI2 )(NEtt Bu)2 、(SiI2 )(Ni Pr2 )2 、(SiI2 )(Ni Prt Bu)2 及(SiI2 )(Nt Bu)2 。 在一第二階段中，包括一反應性物種之一第二反應物經提供且可將吸附矽轉換成氮化矽。第二反應物可包括一氮前驅體。反應性物種可包括一經激發物種。來自惰性氣體之此等反應性物種不一定對沈積膜貢獻材料，但在一些情況中可促進膜生長以及有助於電漿之形成及點火。在一些實施例中，用於形成一電漿之一氣體可貫穿沈積程序不斷地流動但僅間歇地活化。 可添加額外階段且可視需要移除階段以調整最終膜之組合物。可在諸如Ar或He之一載體氣體之幫助下提供一或多個反應物。在一載體氣體之幫助下提供矽前驅體及第二反應物。兩個階段可重疊或組合。舉例而言，可以部分或完全重疊之脈衝同時提供矽前驅體及第二反應物。另外，儘管被稱為第一階段及第二階段，及第一反應物及第二反應物，然而階段之順序可變動，且一ALD循環可以階段之任一者開始。即，除非另有指定，否則反應物可依任何順序提供，且程序可以任何反應物開始。 接著，下文詳細說明電漿沈積裝置之構形。 作為電漿沈積裝置之一實例，圖2展示一PEALD裝置之一實施例之一示意圖。如上所述，噴淋板可額外地或替代地用於一PECVD程序中，或用於除一PEALD或PECVD程序以外之一完全不同程序中。如圖2中展示，PEALD裝置100包括：一真空(反應)腔室10；一噴淋頭11，其經提供在真空腔室10之頂部處且與該真空腔室10隔離；一基座50，其經提供在真空腔室10內部、實質上平行於噴淋頭11；及RF電源7及8，其等連接至附接至噴淋頭11之一氣體管道。真空腔室10在其側部分處具有帶一排出閥49之一開口且包括連接至一排出泵(未展示)之一排出管道34 (排出口)。此外，真空腔室10接地。真空腔室10在一內側壁上亦具有帶一閘閥(未展示)以供基板轉移之一開口。 噴淋頭11具有一中空結構，且一上管狀部分包括連接至一氣體管線(未展示)之一氣體入口32 (氣體進口空間)。此外，在噴淋頭11之底面處，可移除地附接有一噴淋板結構12 (噴淋板)。在噴淋板結構12中，形成如圖3、圖5及圖7中圖解說明之許多氣體出口通孔21 (洞或孔)，使得從至少部分藉由噴淋板結構12及一屏蔽板13界定之氣體入口32引入之一源氣體之一射流從通孔朝向基座50發射。藉由可移除地附接噴淋板結構12，維護變得較容易且可削減零件替換相關成本。基座50在該基座50之下端處附接至一加熱器51。基座50經安置為實質上平行於噴淋板結構12且固持放置在其上表面上之一基板(一基板) 16。 在圖2中，噴淋板結構12及屏蔽板13使用一螺釘5彼此固定，且一O形環14附接在噴淋板結構12與屏蔽板13之間。在一項實施例中，噴淋板12在噴淋板結構12之前表面側上亦具有一階狀區段18，且一前表面區域20 (一前表面)被階狀區段18周邊(例如，圓周)包圍且至少一個通孔22 (期望地複數個通孔(洞))從階狀區段18之表面延伸至排出管道34以使副產物氣體在此方向上穿過其中。圖8展示噴淋板結構12之一頂部透視圖之示意性圖解，其中描繪噴淋板結構12之複數個氣體出口通孔21、複數個通孔22、階狀區段18及前表面區域20。 在沈積程序期間形成且洩漏至氣體入口之末端周圍及O形環14周圍之區域之副產物氣體(有時稱為一「微洩漏」)對於沈積在一基板之表面上之膜之厚度之均勻性具有一負面影響。然而，如圖2中，藉由從階狀區段18之表面至排出管道34額外地形成至少一個通孔22，可直接從O形環14周圍之區域將此問題副產物氣體有效地發射至排出管道34，O形環14經定位在階狀區段18之頂部上。在一項實施例中，為排出此副產物氣體，從噴淋板12之階狀區段18之邊緣至該噴淋板12之後側上之排出管道34形成至少一個通孔。在一項實施例中，至少一個通孔22可經形成為從階狀區段18之側壁之表面延伸至排出管道且在使副產物氣體穿過其中方面亦有效。 在一項實施例中，從階狀區段之表面延伸至排出管道之至少一個通孔可相對於垂直於該階狀區段之表面之方向傾斜。在一項實施例中，至少一個通孔可從噴淋板之前表面延伸至排出管道。從噴淋板之前表面延伸至排出管道之至少一個通孔可相對於垂直於該噴淋板之前表面之方向傾斜。 在一項實施例中，噴淋板可具有從前表面之邊緣或在該前表面之邊緣向內5毫米內之位置處延伸之至少一個通孔。在另一實施例中，噴淋板具有從該噴淋板之前表面之邊緣周圍延伸至排出氣體之至少一個通孔。 在一項實施例中，噴淋板可替代地或額外地具有從前表面之邊緣或自噴淋板之前表面之邊緣向內5毫米內之位置延伸至其後表面以將副產物氣體從噴淋板之前表面側間接地傳遞至排出管道之至少一個通孔。在另一實施例中，噴淋板具有從該噴淋板之前表面之邊緣周圍延伸至其後表面以將副產物氣體從該噴淋板之前表面側間接地傳遞至排出管道之至少一個通孔。 在一項實施例中，至少一個通孔從噴淋板之前表面之邊緣周圍延伸至其後表面之方向實質上與各自從前表面延伸至後表面之多個通孔之方向相同。在另一實施例中，從噴淋板之前表面之邊緣周圍延伸至其後表面之至少一個通孔相對於垂直於該噴淋板之前表面之方向傾斜。 將參考非意欲限制本發明之特定實例來詳細說明本發明之實施例。特定實例中應用之數值可經修改達至少±50%之範圍，其中可包含或排除範圍之端點。實例 現將參考以下實例說明本發明之一實施例，其非意欲限制本發明之範疇。實例 1 具有從階狀區段之表面延伸至排出管道之複數個通孔之噴淋板。 在圖3中展示具有一屏蔽板(噴淋頭)之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。噴淋頭11具有部分界定一氣體進口空間之一噴淋板結構12及一屏蔽板13。噴淋板結構12及屏蔽板13使用一螺釘5固定。一O形環14附接在噴淋板結構12與屏蔽板13之間。噴淋板12在該噴淋板12之前表面側上具有一階狀區段18，且一前表面區域20 (一前表面)被階狀區段18周邊包圍。至少一個通孔22從階狀區段18之表面延伸至排出管道以使副產物氣體在此方向上穿過其中。 通孔22之構形 通孔之數目：96 直徑：1 mm 長度：33.88 mm 通孔相對於垂直於噴淋板之前表面之方向之傾斜角：51.5° 通孔之位置：階狀區段之邊緣 氣體進口空間中之一前驅體氣體或氣體混合物經由噴淋板結構之若干通孔(洞) 21引入至腔室中。在沈積程序期間形成且洩漏至氣體入口之末端周圍及O形環14周圍之區域之副產物氣體(有時稱為一「微洩漏」)對於沈積在一基板之表面上之膜之厚度之均勻性具有負面影響。 發現可藉由將此副產物氣體從O形環14周圍之區域排出至排出管道34而實質上避免或減小此問題。為排出此副產物氣體，從噴淋板12之階狀區段18之邊緣至該噴淋板12之後側上之排出管道34形成若干通孔22 (舉例而言，96個通孔)。發現從階狀區段18之側壁之表面延伸至排出管道之至少一個通孔22在使副產物氣體穿過其中方面亦有效。 在圖4中展示實驗結果。圖4展示形成於一基板之表面上之膜之各位置之厚度比之一圖。灰階之變動展示膜之厚度之變動。所得圖展示相對於膜之平均厚度之各點處之膜之一厚度，範圍從膜之平均厚度之-3.0%至膜之平均厚度之+3.0%。在膜之49個位置處量測膜之厚度且基於此等量測計算平均厚度。 從此圖，膜厚度之一標準偏差值在此實例中經計算為1.0 [1西格瑪%]，其中平均膜厚度為27.6 [nm]。標準偏差值變得越低，膜均勻性變得越好。出於比較之目的，在如圖1中描述之一習知噴淋板中，膜厚度之標準偏差值在相同條件下經計算為28.1 [1西格瑪%]，惟此實例中採用之通孔22除外。發現若膜厚度之標準偏差值係15.0 [1西格瑪%]或更小，則可推斷相較於一習知膜沈積方法，膜展現有利的膜沈積品質(膜厚度均勻性)。發現若膜厚度之標準偏差值係10.0 [1西格瑪%]或更小，則可推斷膜展現更有利的膜沈積品質。實例 2 具有從前表面之邊緣延伸至排出管道之複數個通孔之噴淋板。 在圖5中展示具有一屏蔽板(噴淋頭)之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。噴淋頭11具有界定一氣體進口空間之一噴淋板結構12及一屏蔽板13。噴淋板結構12及屏蔽板13使用一螺釘5固定。一O形環14附接在噴淋板結構12與屏蔽板13之間。噴淋板12在該噴淋板12之前表面側上具有一階狀區段18，且一前表面區域20 (一前表面)被階狀區段18周邊包圍。至少一個通孔23從噴淋板結構12之前表面20之邊緣延伸至排出管道以使副產物氣體在此方向上穿過其中。 通孔23之構形 通孔之數目：96 直徑：1 mm 長度：31.93 mm 通孔相對於垂直於噴淋板之前表面之方向之傾斜角：47.5° 通孔之位置：噴淋板之前表面之邊緣 氣體進口空間中之一前驅體氣體或氣體混合物經由噴淋板結構之若干通孔(洞) 21引入至腔室中。在沈積程序期間形成且洩漏至氣體入口之末端周圍及O形環14周圍之區域之副產物氣體(有時稱為一「微洩漏」)對於沈積在一基板之表面上之膜之厚度之均勻性具有一負面影響。 發現可藉由將此副產物氣體從彼等區域排出至排出管道34而實質上避免或減小此問題。為排出此副產物氣體，從噴淋板12之前表面20之邊緣至該噴淋板12之後側30上之排出管道形成若干通孔23 (例如，96個通孔)。 儘管未展示，然而獲得此實例之一實驗結果。亦以形成於基板之表面上之膜之各位置之厚度比之一圖之形式導出結果。 從所得圖(未展示)，膜厚度之一標準偏差值在此實例中經計算為5 [1西格瑪%]，其中平均膜厚度為25 [nm]。亦發現具有從其邊緣向內2毫米內之前表面之位置延伸之通孔之噴淋板12展現膜厚度之一類似標準偏差值。如同上文，標準偏差值變得越低，膜均勻性變得越好。出於比較之目的，在如圖1中描述之一習知噴淋板中，膜厚度之標準偏差值在相同條件下經計算為28.1 [1西格瑪%]，惟此實例中採用之通孔23除外。發現若膜厚度之標準偏差值係15.0 [1西格瑪%]或更小，則可推斷相較於一習知膜沈積方法，膜展現有利的膜沈積品質(膜厚度均勻性)。發現若膜厚度之標準偏差值係10.0 [1西格瑪%]或更小，則可推斷膜展現更有利的膜沈積品質。實例 3 具有從噴淋板之前表面之邊緣延伸至其後表面之複數個通孔之噴淋板。 在圖6中展示具有一屏蔽板(噴淋頭)之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。噴淋頭11具有界定一氣體進口空間之一噴淋板結構12及一屏蔽板13。噴淋板結構12及屏蔽板13使用一螺釘5固定。一O形環14附接在噴淋板結構12與屏蔽板13之間。噴淋板12在該噴淋板12之前表面側上具有一階狀區段18，且一前表面區域20 (一前表面)被一階狀區段18周邊包圍。至少一個通孔24從噴淋板12之前表面20之邊緣延伸至該噴淋板12之後表面30。 通孔24之構形 通孔之數目：102 直徑：1 mm 長度：25 mm 通孔之位置：噴淋板之前表面之邊緣 氣體進口空間中之一前驅體氣體或氣體混合物經由噴淋板結構之若干通孔(洞) 21引入至腔室中。在沈積程序期間形成且洩漏至氣體入口之末端周圍及O形環14周圍之區域之副產物氣體(有時稱為一「微洩漏」)對於沈積在一基板之表面上之膜之厚度之均勻性具有負面影響。 發現可藉由將此副產物氣體從彼等區域間接地排出至排出管道34而實質上避免或減小(儘管在一較小程度上)此問題。為排出此副產物氣體，從噴淋板12之前表面20之邊緣至該噴淋板12之後表面30形成若干通孔24 (例如，102個通孔)。在此實例中，儘管在從噴淋板12之前表面20之邊緣直接排出至排出管道34時，排出效果更顯著，然而發現副產物氣體亦可穿過反應腔室10排出至排出管道34 (間接排出)。 在圖7中展示此實例之實驗結果。圖7展示形成於一基板之表面上之膜之各位置之厚度比之一圖。灰階之變動展示膜之厚度之變動。所得圖展示相對於膜之平均厚度之各點處之膜之一厚度，範圍從膜之平均厚度之 -3.0%至膜之平均厚度之+3.0%。在膜之49個位置處量測膜之厚度且基於此等量測計算平均厚度。 從此圖，膜厚度之標準偏差值在此實例中經計算為13.7 [1西格瑪%]，其中平均膜厚度為31.2 [nm]。亦發現具有從自其邊緣向內2毫米內之前表面之位置延伸之通孔之噴淋板12展現膜厚度之一類似標準偏差值。如同上文，標準偏差變得越低，膜均勻性變得越好。出於比較之目的，在如圖1中描述之一習知噴淋板中，膜厚度之標準偏差值在相同條件下經計算為28.1 [1西格瑪%]，惟此實例中採用之通孔24除外。發現若膜厚度之標準偏差值係15.0 [1西格瑪%]或更小，則可推斷相較於一習知膜沈積方法，膜展現有利的膜沈積品質(膜厚度均勻性)。 關於本文中使用實質上任何複數及/或單數術語，熟習此項技術者可如適合於上下文般從複數轉化為單數及/或從單數轉化為複數。 儘管已基於目前視為最實際且較佳實施方案之內容而出於圖解說明之目的詳細描述本發明之(若干)系統及/或方法，然而應瞭解，此細節僅用於該目的且本發明不限於揭示之實施方案，而正相反，本發明意欲涵蓋在隨附發明申請專利範圍之精神及範疇內之修改及等效配置。舉例而言，應瞭解，本發明預期(在可能的程度上)任何實施方案之一或多個特徵可與任何其他實施方案之一或多個特徵組合。
1‧‧‧噴淋頭2‧‧‧噴淋板結構3‧‧‧屏蔽板4‧‧‧O形環5‧‧‧螺釘7‧‧‧射頻(RF)電源8‧‧‧射頻(RF)電源10‧‧‧真空(反應)腔室11‧‧‧噴淋頭12‧‧‧噴淋板結構13‧‧‧屏蔽板14‧‧‧O形環16‧‧‧基板18‧‧‧階狀區段20‧‧‧前表面區域21‧‧‧氣體出口通孔22‧‧‧通孔23‧‧‧通孔24‧‧‧通孔30‧‧‧後側/後表面32‧‧‧氣體入口34‧‧‧排出管道49‧‧‧排出閥50‧‧‧基座51‧‧‧加熱器100‧‧‧電漿增強ALD(PEALD)裝置
現將參考意欲圖解說明而非限制本發明之較佳實施例之圖式描述本發明之此等及其他特徵。圖式出於闡釋性目的而過度簡化且不一定按比例繪製。 圖1係具有一噴淋板結構及一屏蔽板之一習知噴淋頭之一示意圖。 圖2係根據一實施例之展示一基本結構之一PEALD裝置之一示意圖。 圖3係在階狀區段處具有複數個通孔之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。 圖4係在實例1之情況中形成於一基板之表面上之膜之各位置之厚度比之一圖。 圖5係在階狀區段處具有複數個通孔之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。 圖6係在階狀區段處具有複數個通孔之一噴淋板結構之一實施例之一示意圖。 圖7係在實例3之情況中形成於一基板之表面上之膜之各位置之厚度比之一圖。 圖8係前側上之一噴淋板之一透視圖之一示意圖。
5‧‧‧螺釘
7‧‧‧射頻(RF)電源
8‧‧‧射頻(RF)電源
10‧‧‧真空(反應)腔室
11‧‧‧噴淋頭
12‧‧‧噴淋板結構
13‧‧‧屏蔽板
14‧‧‧O形環
16‧‧‧基板
18‧‧‧階狀區段
20‧‧‧前表面區域
21‧‧‧氣體出口通孔
22‧‧‧通孔
32‧‧‧氣體入口
34‧‧‧排出管道
49‧‧‧排出閥
50‧‧‧基座
51‧‧‧加熱器
100‧‧‧電漿增強ALD(PEALD)裝置

Claims (19)

  1. 一種經調適以安裝在一電漿沈積裝置中之噴淋板(shower plate)，該電漿沈積裝置包括一氣體入口、一噴淋頭、一工件支撐件、一反應腔室及一排出管道(exhaust duct)，該噴淋板經調適以附接至該噴淋頭且包括：一前表面，其經調適以面向該氣體入口；及一後表面，其與該前表面相對，其中該噴淋板具有各自從該前表面延伸至該後表面以使氣體在此方向上穿過其中之多個通孔，且其中該噴淋板進一步具有從該噴淋板之該前表面側延伸至該排出管道以使副產物(by-product)氣體在此方向上穿過其中之至少一個通孔，其中該噴淋板在該噴淋板之該前表面側上進一步具有一階狀區段(stepped section)，該前表面被該階狀區段周邊(peripherally)包圍，該階狀區段具有與該前表面之間成一角度而延伸之一第一表面及在該第一表面上方且與該第一表面之間成一非垂直角度而延伸之一第二表面，且，該至少一個通孔從該階狀區段之該第二表面延伸至該排出管道，且其中在該第二表面處之該至少一個通孔係高於在該前表面處之該多個通孔。
  2. 如請求項1之噴淋板，其中從該階狀區段之該表面延伸至該排出管道之該至少一個通孔相對於垂直於該階狀區段之該表面之一方向傾斜。
  3. 如請求項2之噴淋板，其中該至少一個通孔相對於該噴淋板之該前表 面之傾斜角介於0°與90°之間。
  4. 如請求項1之噴淋板，其中該噴淋板具有從該噴淋板之該前表面延伸至該排出管道之該至少一個通孔。
  5. 如請求項4之噴淋板，其中從該噴淋板之該前表面延伸至該排出管道之該至少一個通孔相對於垂直於該噴淋板之該前表面之方向傾斜。
  6. 如請求項5之噴淋板，其中該至少一個通孔相對於該噴淋板之該前表面之該傾斜角介於0°與90°之間。
  7. 如請求項4之噴淋板，其中該噴淋板具有從該前表面之一邊緣或在自該前表面之該邊緣向內2毫米內之一位置處延伸之該至少一個通孔。
  8. 如請求項4之噴淋板，其中該噴淋板具有從該噴淋板之該前表面之一邊緣周圍延伸至排出氣體之該至少一個通孔。
  9. 如請求項1之噴淋板，其中該噴淋板具有從該噴淋板之該前表面側延伸至該排出管道之複數個通孔，該複數個通孔實質上在周邊均勻分佈。
  10. 如請求項1之噴淋板，其中該噴淋板具有從該噴淋板之該前表面側延伸至該排出管道之在90個至120個之範圍中之通孔。
  11. 如請求項1之噴淋板，其中該噴淋板進一步具有從該前表面之一邊緣或自該噴淋板之該前表面之該邊緣向內2毫米內之一位置延伸至其該後表面以將副產物氣體從該噴淋板之該前表面側間接地傳遞至該排出管道之至少一個通孔。
  12. 如請求項1之噴淋板，其中該噴淋板進一步具有從該噴淋板之該前表面之一邊緣周圍延伸至其該後表面以將副產物氣體從該噴淋板之該前表面側間接地傳遞至該排出管道之至少一個通孔。
  13. 如請求項12之噴淋板，其中該至少一個通孔從該噴淋板之該前表面之該邊緣周圍延伸至其該後表面之方向實質上與各自從該前表面延伸至該後表面之該多個通孔之方向相同。
  14. 如請求項12之噴淋板，其中從該噴淋板之該前表面之該邊緣周圍延伸至其該後表面之該至少一個通孔相對於垂直於該噴淋板之該前表面之一方向傾斜。
  15. 如請求項14之噴淋板，其中該至少一個通孔相對於該噴淋板之該前表面之該傾斜角介於0°與90°之間。
  16. 一種基板處理裝置，其包括如請求項1之噴淋板。
  17. 一種處理裝置，其包括： 一氣體入口；一噴淋頭；一工件支撐件；一反應腔室；一排出管道；及一噴淋板，其附接至該噴淋頭，該噴淋板包括：一前表面，其經調適以面向該氣體入口，及一後表面，其與該前表面相對，其中該噴淋板具有各自從該前表面延伸至該後表面以使氣體在此方向上穿過其中之多個氣體供應通孔，且其中該噴淋板進一步具有從該噴淋板之該前表面側延伸至該排出管道以使副產物氣體從該等氣體供應通孔之一或多者在此方向上穿過其中之至少一個氣體排出通孔，該至少一個氣體排出通孔在該排出管道之一口(port)之下游之一位置處連接至該排出管道中。
  18. 如請求項17之處理裝置，其中該噴淋板在該噴淋板之該前表面側上進一步具有一階狀區段，該前表面被該階狀區段周邊包圍且該至少一個氣體排出通孔從該階狀區段之一表面延伸至該排出管道。
  19. 如請求項17之處理裝置，其中該處理裝置經構形以將一材料沈積於一工件上。
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