TW202410157A - 雙通道噴淋頭組件 - Google Patents

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普拉哈洛德 顏加爾
迪力提曼蘇哈 卡許葉
帕思 史瓦普
薩蒂什 拉達克里希南
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美商應用材料股份有限公司
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描述了雙通道噴淋頭組件。在一些實施例中，包括噴淋頭上板和噴淋頭下板的雙通道噴淋頭組件能夠沿著分離的通道輸送相互不相容的前體，該等前體在晶圓上方的處理區區中混合。雙通道噴淋頭組件提供至少兩個分離的氣體路徑。在一些實施例中，孔洞設計和孔洞分佈經配置以用於最小噴射效應和用於快速沖洗的氣室容積。本文描述的雙通道噴淋頭組件相較於單通道噴淋頭、螺旋雙通道噴淋頭、或接合雙通道噴淋頭可具有減低的沖洗時間。

Description

雙通道噴淋頭組件
本揭示案的實施例一般相關於用於處理腔室的噴淋頭。更具體地，本揭示案的實施例係具有相互隔離的氣室的雙通道噴淋頭組件以用於在輸送期間分離不相容的氣體。
半導體製造中使用的許多沉積處理使用不相容的氣體。不相容的氣體包含相互反應的物質。例如，化學氣相沉積(CVD)和原子層沉積(ALD)處理使用不相容的氣體來沉積膜。 CVD處理在基板表面上方的處理腔室中混合不相容的氣體。在一個簡單的範例中，不相容的氣體之間的化學反應會導致物質沉積在基板表面上。常見的不相容的氣體包括但不限於氧化劑和還原劑。
為了發生受控的反應，不相容的氣體必須保持在氣體管線和噴淋頭中的分離的氣體流中，以防止與處理腔室部件發生間隙反應。該領域的當前狀態的設計包括釬焊平行板(昂貴且難以製造)或螺旋通道設計(沖洗時間長且均勻性可調性差)。氣體輸送的均勻性、防止孔洞下方的微觀非均勻性及改善循環時間是本設計解決的一些額外問題。
因此，本領域需要能夠均勻輸送不相容的氣體、防止孔洞下方的微觀非均勻性並改善循環時間的噴淋頭。
本揭示案的一個或更多個實施例係雙通道噴淋頭組件。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件包括：一熱基底，該熱基底具有界定該熱基底的一厚度的一後表面及一前表面，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第一氣體通道，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第二氣體通道。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件包括：一噴淋頭上板，該噴淋頭上板具有界定該噴淋頭上板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭上板的該後表面的一部分與該熱基底的該前表面的一部分間隔一距離以形成一上氣室。該熱基底的該至少一個第一氣體通道在形成該上氣室的該部分處在該熱基底的該前表面中具有一孔隙。雙通道噴淋頭組件包括：該噴淋頭上板的該後表面的一外周邊區域，與該熱基底的該前表面的一外周邊區域接觸。該熱基底的該至少一個第二氣體通道具有與該至少一個第二氣體通道對齊的一孔隙以通過該噴淋頭上板的該厚度至在該噴淋頭上板的該前表面中形成的一孔隙。該噴淋頭上板的該前表面具有從該噴淋頭上板的該前表面延伸的複數個間隔開的氣體凸台(boss)，該等氣體凸台之每一者具有一氣體凸台外周邊壁及一氣體凸台前表面。該噴淋頭上板具有從該後表面延伸至該氣體凸台前表面中的孔隙的複數個第一氣體通道。雙通道噴淋頭組件包括：一噴淋頭下板，該噴淋頭下板具有界定該噴淋頭下板的一厚度的一後表面及一前表面。該噴淋頭下板的該後表面的一部分與該噴淋頭上板的該前表面的一部分間隔一距離以形成一下氣室。雙通道噴淋頭組件包括：該噴淋頭下板的該後表面的一外周邊區域，與該噴淋頭上板的該前表面的一外周邊區域接觸，及複數個下開口延伸穿過該噴淋頭下板的該厚度。該複數個下開口與該噴淋頭上板的該複數個間隔開的氣體凸台對齊，該複數個下開口之每一者具有一下開口壁，該下開口壁經調整大小以提供該氣體凸台外周邊壁及該下開口壁之間的一間隙，以允許來自該下氣室的一氣體流動通過該噴淋頭下板的該厚度。
本揭示案的額外實施例係雙通道噴淋頭組件。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件包括：一熱基底，該熱基底具有界定該熱基底的一厚度的一後表面及一前表面，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第一氣體通道，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第二氣體通道。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件包括：一噴淋頭上板，該噴淋頭上板具有界定該噴淋頭上板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭上板的該後表面的一部分與該熱基底的該前表面的一部分間隔一距離以形成一上氣室。該熱基底的該至少一個第一氣體通道在形成該上氣室的該部分處在該熱基底的該前表面中具有一孔隙。雙通道噴淋頭組件包括：該噴淋頭上板的該後表面的一外周邊區域，與該熱基底的該前表面的一外周邊區域接觸。該熱基底的該至少一個第二氣體通道具有與該至少一個第二氣體通道對齊的一孔隙以通過該噴淋頭上板的該厚度至在該噴淋頭上板的該前表面中形成的一孔隙。該噴淋頭上板的該前表面具有從該噴淋頭上板的該前表面延伸的複數個間隔開的氣體凸台，該等氣體凸台之每一者具有一氣體凸台外周邊壁及一氣體凸台前表面。該噴淋頭上板具有從該後表面延伸至該氣體凸台前表面中的孔隙的複數個第一氣體通道。雙通道噴淋頭組件包括：一噴淋頭下板，該噴淋頭下板具有界定該噴淋頭下板的一厚度的一後表面及一前表面。該噴淋頭下板的該後表面的一部分與該噴淋頭上板的該前表面的一部分間隔一距離以形成一下氣室。雙通道噴淋頭組件包括：該噴淋頭下板的該後表面的一外周邊區域，與該噴淋頭上板的該前表面的一外周邊區域接觸，及複數個下開口延伸穿過該噴淋頭下板的該厚度。該複數個下開口與該噴淋頭上板的該複數個間隔開的氣體凸台對齊，該複數個下開口之每一者具有一下開口壁，該下開口壁經調整大小以提供該氣體凸台外周邊壁及該下開口壁之間的一間隙，以允許來自該下氣室的一氣體流動通過該噴淋頭下板的該厚度。雙通道噴淋頭組件包括：繞著該熱基底的一外環。該外環具有一內直徑表面及一下表面。該內直徑表面與該熱基底的一外直徑表面間隔一距離以形成一排放氣室。
在描述本揭示案的幾個示例性實施例之前，應理解本揭示案不限於以下描述中闡述的結構或處理步驟的細節。本揭示案能夠具有其他實施例且能夠以各種方式實踐或實行。
如在本說明書和所附請求項中所使用的，術語「基板」是指處理作用於其上的表面或表面的一部分。發明所屬技術領域具有通常知識者還將理解，除非上下文另有明確說明，提及基板也可僅指基板的一部分。另外，提及在基板上沉積可指以下兩者：裸基板和具有沉積或形成在其上的一個或更多個膜或特徵的基板。
如本文所使用，「基板」是指在製造處理期間在其上執行膜處理的基板上形成的任何基板或材料表面。例如，可在其上執行處理的基板表面包括材料，例如矽、氧化矽、應變矽、絕緣體上矽(SOI)、碳摻雜氧化矽、非晶矽、摻雜矽、鍺、砷化鎵、玻璃、藍寶石，及任何其他材料，例如金屬、金屬氮化物、金屬合金，和其他導電材料，取決於應用。基板包括但不限於半導體晶圓。基板可暴露於預處理的處理以拋光、蝕刻、還原、氧化、羥基化、退火、UV固化、電子束固化及/或烘烤基板表面。除了直接在基板本身的表面上進行膜處理之外，在本揭示案中，所揭露的任何膜處理步驟也可在基板上形成的底層上執行，如下文更詳細地揭露的，且術語「基板表面」意在包括如上下文所指示的底層。因此，例如，在膜/層或部分膜/層已沉積到基板表面上的情況下，新沉積的膜/層的暴露表面成為基板表面。
如在本說明書和所附請求項中所使用的，例如「上方」和「下方」之類的關係術語的使用不應被視為將本揭示案的範圍限制為空間中的物理定向。據此，關係術語的使用不應限於由重力指定的方向。
該領域的當前狀態的設計包括釬焊平行板(昂貴且難以製造)或螺旋通道設計(沖洗時間長且均勻性可調性差)。本文所述的雙通道噴淋頭組件的實施例利用特定尺寸的多級圓錐形(或直形)孔洞，將其最佳化以最小化噴射，同時保持易於製造。最佳化凸台的大小、形狀和分佈以最小化死區/流動再循環，並實現更快的用於劑量和沖洗的循環時間。
本揭示案的實施例提供雙通道噴淋頭組件，能夠沿著在晶圓上方的處理區中混合的分離的通道輸送相互不相容的前體。在一些實施例中，孔洞設計和孔洞分佈經配置以用於最小噴射效應和用於快速沖洗的氣室容積。一些實施例具有凸台，該等凸台具有在凸台之間或作為圍繞凸台的環形空間的孔洞以用於在晶圓上方均勻地輸送和混合氣體。
本揭示案的一個或更多個實施例提供雙通道噴淋頭組件，具有有效的氣體分離、高徑向及/或方位角均勻性、更快的沖洗效率因及晶圓生產量、氣體輸送和沖洗到晶圓邊緣、更低的製造成本及/或改善翻新成本。一些實施例在氣室中的氣體流動相對於孔洞(ΔP)具有低壓降。一些實施例限制前體擴散以最小化腔室零件上的沉積以降低產品擁有成本。
雙通道噴淋頭組件的一些實施例包括噴淋頭，具有帶有個別的ALD閥的兩個中心饋送。在一些實施例中，上氣室具有直接在處理空間中穿過凸台開口鑽出的孔洞。凸台接合至底部面板，有效地密封了下氣室。下氣室在凸台之間鑽有孔洞。
本揭示案提供了與單基板處理腔室或多基板(也稱為批次)處理腔室一起使用的雙通道噴淋頭組件。圖1圖示了雙通道噴淋頭組件10的示意性橫截面視圖。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10包括具有後表面110和前表面120的熱基底100。後表面110和前表面120界定熱基底100的厚度T TB。在一些實施例中，熱基底100的厚度T TB在從100 mm到500 mm的範圍中。
圖2圖示了圖1的區域II的放大視圖。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10包括繞著熱基底100的外環400。外環400具有內直徑表面410和下表面420。參照圖1和圖2，在一些實施例中，內直徑表面410與熱基底100的外直徑表面450間隔一距離D EP以形成排放氣室500。在一些實施例中，熱基底100的外直徑表面450相鄰於排放氣室500的內壁475。在一些實施例中，排放氣室500連接至真空源或與真空源流體連通。
參考圖1和3至5，熱基底100具有延伸穿過熱基底100的厚度T TB到前表面120的至少一個第一氣體通道130，和延伸穿過熱基底100的厚度T TB到前表面120的至少一個第二氣體通道140。
在一些實施例中，至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140之每一者界定分離的氣體路徑。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10使得相互不相容的前體能夠沿著分離的通道(亦即，至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140)輸送，該等前體在晶圓上方的處理區中混合。在圖1所圖示的實施例中，雙通道噴淋頭組件10在左側上具有至少一個第一氣體通道130且在右側上具有至少一個第二氣體通道140。發明所屬技術領域具有通常知識者將認識到，至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140的特定佈置僅是示例性的且不應被視為限制本揭示案的範圍。
在一些實施例中，至少一個第一氣體通道130或至少一個第二氣體通道140之其中一者或更多者是具角度的。在一些實施例中，至少一個第一氣體通道130或至少一個第二氣體通道140之其中一者或更多者具有在從0度到45度的範圍中的角度。在一些實施例中，至少一個第一氣體通道130或至少一個第二氣體通道140之其中一者或更多者具有在從5度到40度的範圍中、在從10度到35度的範圍中，或在15度到30度的範圍中的角度。至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140可界定發明所屬技術領域具有通常知識者已知的任何合適的形狀。參考圖1、3至5和6B，至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140具有橢圓形、眼形、淚珠形、或圓形橫截面。
該領域的當前狀態的設計包括釬焊平行板(昂貴且難以製造)或螺旋通道設計(沖洗時間長且均勻性可調性差)。本揭示案的實施例有利地提供具有噴淋頭上板200和噴淋頭下板300的雙通道噴淋頭組件10。發明人驚奇地發現，具有噴淋頭上板200和噴淋頭下板300的雙通道噴淋頭組件10相較於單通道噴淋頭、螺旋雙通道噴淋頭、或接合雙通道噴淋頭之每一者具有減低的沖洗時間。
參見圖7A至7B和8A至8B，在一些實施例中，噴淋頭上板200和噴淋頭下板300之每一者個別裝設到熱基底100。噴淋頭上板200具有複數個裝設孔294，且噴淋頭下板300具有複數個裝設孔394。噴淋頭上板200和噴淋頭下板300可藉由任何合適構件裝設到熱基底100。在一些實施例中，複數個螺栓被用於將噴淋頭上板200和噴淋頭下板300之每一者裝設到熱基底100。複數個螺栓延伸穿過噴淋頭上板200中的複數個裝設孔294至熱基底100，以形成裝設連接。在一些實施例中，複數個裝設孔294是具角度的。複數個螺栓延伸穿過噴淋頭下板300中的複數個裝設孔394至熱基底100，以形成裝設連接。在一些實施例中，複數個螺栓延伸穿過噴淋頭下板300中的具角度的複數個裝設孔394至熱基底100，以形成裝設連接。在一些實施例中，用於將噴淋頭上板200裝設到熱基底100的複數個螺栓包括12個螺栓。在一些實施例中，用於將噴淋頭下板300裝設到熱基底100的複數個螺栓包括12個螺栓。
參照圖1和3至5，噴淋頭上板200具有後表面210和前表面220。後表面210和前表面220界定了噴淋頭上板200的厚度T SHUP。在一些實施例中，噴淋頭上板200的厚度T SHUP在從6 mm至20 mm的範圍中。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10包括噴淋頭上板200的後表面210的一部分，其與熱基底100的前表面120的一部分間隔一距離以形成上氣室50。熱基底100的至少一個第一氣體通道130在形成上氣室50的部分處在熱基底100的前表面120中具有孔隙135。在一些實施例中，形成上氣室50的距離小於或等於20 mm。在一些實施例中，熱基底100具有傾斜的前面105且形成上氣室50的距離朝著熱基底100的中心115增加。
再次參考圖1和2，在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10包括與熱基底100的前表面120的外周邊區域150接觸的噴淋頭上板200的後表面210的外周邊區域250。在一些實施例中，有複數個O形環165經配置以密封熱基底100的前表面中的孔隙135和熱基底100的前表面120中的孔隙145。
熱基底100的至少一個第二氣體通道140具有與至少一個第二氣體通道240對齊的孔隙145以通過噴淋頭上板200的厚度T SHUP至在噴淋頭上板200的前表面220中形成的孔隙245。
圖3圖示了圖1的區域III的放大視圖。圖4圖示了噴淋頭上板200的示意視圖。在一些實施例中，噴淋頭上板200的後表面210具有至少一個第一氣體通道230和至少一個第二氣體通道240。在一些實施例中，至少一個第一氣體通道230和至少一個第二氣體通道240從後表面210延伸到前表面220。在一些實施例中，至少一個第一氣體通道230和至少一個第二氣體通道240與熱基底100的至少一個第一氣體通道130與至少一個第二氣體通道140接觸。至少一個第一氣體通道230可為直的或具角度的。在一些實施例中，在至少一個第一氣體通道230具角度時，至少一個第一氣體通道230具有小於或等於45度的角度。不打算受限於任何特定的操作理論，具有小於或等於45度的角度的至少一個第一氣體通道230被設計成防止在熱基底100的中心115處的直接流動衝擊。
雙通道噴淋頭組件10的實施例提供至少兩個分離的氣體路徑(亦即，氣體路徑A和氣體路徑B)。如本文所使用，「氣體路徑A」是指由氣體流經熱基底100的至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140，並繼續流經至噴淋頭上板200的至少一個第一氣體通道230和至少一個第二氣體通道240而形成的路徑。如本文所使用，「氣體路徑B」是指由氣體流經熱基底100的至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140，以通過至上氣室50而形成的路徑。在一些實施例中，第一氣體沿著氣體路徑A流動且第二氣體沿著氣體路徑B流動。在一些實施例中，第一氣體和第二氣體是不相容的。發明所屬技術領域具有通常知識者將認識到，使第一氣體沿著氣體路徑A流動且第二氣體沿著氣體路徑B流動的特定佈置僅是示例性的且不應被視為限制本揭示案的範圍。在一些實施例中，第一氣體沿著氣體路徑B流動且第二氣體沿著氣體路徑A流動。
在一些實施例中，通過熱基底100的至少一個第一氣體通道130的氣體流動將通過噴淋頭上板200的至少一個第一氣體通道230到噴淋頭上板200的前表面220(亦即，氣體路徑A)。在一些實施例中，通過熱基底100的至少一個第二氣體通道140的氣體流動將通過噴淋頭上板200的至少一個第二氣體通道240到噴淋頭上板200的前表面220(亦即，氣體路徑A)。
在圖3圖示的實施例中，噴淋頭上板200的前表面220具有從噴淋頭上板200的前表面220延伸的複數個間隔開的氣體凸台270。在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270之每一者具有氣體凸台外周邊壁275和氣體凸台前表面280。在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270在噴淋頭上板200的前表面220內交錯(staggered)。可將複數個間隔開的氣體凸台270在噴淋頭上板200的前表面220內的設計和佈置最佳化，以獲得上氣室50中最低的氣體流動再循環和最低的剪切應力。可將複數個間隔開的氣體凸台270在噴淋頭上板200的前表面220內的設計和佈置最佳化，以獲得下氣室60中最低的氣體流動再循環和最低的剪切應力。將凸台的設計和佈置最佳化以用於氣室中最低的流動再循環及最低的剪切和最快的氣體排放。選擇每一氣體凸台外周邊壁275中的複數個間隔開的氣體凸台270的方位角位置以最佳化經配置以防止在熱基底100的中心115處的主導流動模式(例如，氣體路徑A或氣體路徑B)的佈置。方位角位置也用於在基板表面上產生均勻的流動分佈。
在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270不接合到噴淋頭上板200或噴淋頭下板300之任一者。在圖6B圖示的實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270之其中至少一者具有與至少一個第一氣體通道130或至少一個第二氣體通道140之其中一者或更多者相同的形狀。在圖6B圖示的實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270之其中至少一者具有橢圓形、眼形、淚珠形、或圓形橫截面。具有橢圓形、眼形、淚珠形、或圓柱形。在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270具有在從50到1000個凸台的範圍中。在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270之其中至少一者具有在從2 mm到8 mm的範圍中的直徑，包括在從2.5 mm到7.5 mm的範圍中，在從3 mm到7 mm的範圍中，或在從3.5 mm至6.5 mm的範圍中。
在一些實施例中，噴淋頭上板200具有上延伸凸台260，上延伸凸台260具有第二開口265，第二開口265在上延伸凸台260的後表面262中具有孔隙268。在一些實施例中，上延伸凸台260經配置以保持噴淋頭上板200的後表面210的部分與形成上氣室50的熱基底100的前表面120的部分間隔一距離。
在一些實施例中，流經至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140的氣體的一部分通過至上氣室50(亦即，氣體路徑B)。在一些實施例中，上氣室50中的氣體流經噴淋頭上板200的後表面210到噴淋頭上板200的前表面220。在這樣的實施例中，氣體流經複數個間隔開的氣體凸台270之每一者。在這樣的實施例中，氣體流經氣體凸台前表面280中的孔隙282。在一些實施例中，流經氣體凸台前表面280中的孔隙282的氣體繼續流到雙通道噴淋頭組件10下方的處理區域。
在一些實施例中，噴淋頭上板200具有從後表面210延伸到氣體凸台前表面280中的孔隙282的複數個第一氣體通道205。在一些實施例中，上氣室50中的氣體流經噴淋頭上板200的後表面210通過複數個第一氣體通道205至噴淋頭上板200的前表面220。在這樣的實施例中，氣體從複數個第一氣體通道205流經複數個間隔開的氣體凸台270之每一者。在這樣的實施例中，氣體流經氣體凸台前表面280中的孔隙282。在一些實施例中，流經氣體凸台前表面280中的孔隙282的氣體繼續流至雙通道噴淋頭組件10下方的處理區域。
噴淋頭下板300具有後表面310和前表面320。後表面310和前表面320界定了噴淋頭下板300的厚度T SHLP。在一些實施例中，噴淋頭下板300的厚度T SHLP在從6 mm到20 mm的範圍中。在一些實施例中，雙通道噴淋頭組件10包括噴淋頭下板300的後表面310的一部分，該部分與噴淋頭上板200的前表面220的一部分間隔一距離以形成下氣室60。在一些實施例中，形成下氣室60的距離小於或等於20 mm。
雙通道噴淋頭組件10包括與噴淋頭上板200的前表面220的外周邊區域255接觸的噴淋頭下板300的後表面310的外周邊區域350。再次參照圖1和2，在一些實施例中，噴淋頭下板300的後表面310的外周邊區域350與外環400的下表面420接觸。
雙通道噴淋頭組件10包括延伸穿過噴淋頭下板300的厚度T SHLP的複數個下開口340。在一些實施例中，複數個下開口340與噴淋頭下板200的複數個間隔開的氣體凸台270對齊。參照圖8A和8B，在一些實施例中，複數個下開口340是從噴淋頭下板300的前表面320向外延伸到噴淋頭下板300的後表面310的具角度的開口。在一些實施例中，界定從噴淋頭下板300的前表面320向外延伸到噴淋頭下板300的後表面310的複數個下開口340的具角度的開口具有小於或等於45度的角度。在一些實施例中，界定複數個下開口340的具角度的開口與噴淋頭上板200的複數個間隔開的氣體凸台270對齊。
在一些實施例中，流經熱基底100的至少一個第一氣體通道130和至少一個第二氣體通道140，繼續流經噴淋頭上板200的至少一個第一氣體通道230和至少一個第二氣體通道240的氣體繼續流經噴淋頭下板300。在一些實施例中，複數個下開口340之每一者具有下開口壁345，下開口壁345經調整大小以在氣體凸台外周邊壁275和下開口壁345之間提供間隙342，以允許來自下氣室60的由複數個箭頭900指示的氣體流動通過噴淋頭下板300的厚度T SHLP。不打算受限於任何特定的操作理論，氣體凸台外周邊壁275和下開口壁345之間的間隙342控制下氣室60的流動均勻性。在一些實施例中，氣體凸台外周邊壁275和下開口壁345之間的間隙342在從0.1 mm到3 mm的範圍中。
圖7A至8B圖示了噴淋頭上板200和噴淋頭下板300的示意視圖。在一些實施例中，孔洞設計和孔洞分佈經配置以用於最小噴射效應且上氣室50和下氣室60容積用於快速沖洗。一些實施例具有間隔開的氣體凸台270，在間隔開的氣體凸台270之間或作為繞著間隔開的氣體凸台270的環形空間的孔洞用於在晶圓上方均勻輸送和混合氣體。
在一些實施例中，噴淋頭上板200和噴淋頭下板300之每一者包括複數個孔洞295、395。複數個孔洞295延伸穿過噴淋頭上板200的厚度T SHUP。複數個孔洞395延伸穿過噴淋頭下板300的厚度T SHLP。在一些實施例中，複數個孔295、395等於複數個間隔開的氣體凸台270的數量。在一些實施例中，複數個孔洞295、395之每一者與複數個間隔開的氣體凸台270之每一者對齊。在一些實施例中，複數個間隔開的氣體凸台270具有在從50到1000個凸台的範圍中，且複數個孔洞295、395在從50到1000個孔洞的範圍中。複數個孔洞295、395的直徑可變化。在一些實施例中，複數個孔洞295、395之每一孔洞的直徑相同。在一些實施例中，複數個孔洞295、395中的一個或更多個孔洞具有不同的直徑。在一些實施例中，複數個孔洞295、395之每一孔洞的直徑在從2 mm到8 mm的範圍中，包括在從2.5 mm到7.5 mm的範圍中，在從3 mm到7 mm的範圍中，或在從3.5 mm至6.5 mm的範圍中。
參照圖7B和8B，在一些實施例中，噴淋頭上板200包括從噴淋頭上板200的外周邊面290向外延伸的複數個間隔開的突片292。在一些實施例中，噴淋頭下板300包括複數個凹陷392，該複數個凹陷392經調整大小及塑形以與複數個間隔開的突片292互補。複數個間隔開的突片292和複數個凹陷392可包括發明所屬技術領域具有通常知識者已知的任何合適的大小或形狀。
本說明書通篇對「一個實施例」、「某些實施例」、「各種實施例」、「一個或更多個實施例」或「一實施例」的參照是指結合實施例描述的特定特徵、結構、材料或特性被包含於本揭示案的至少一個實施例中。因此，本說明書通篇在各處出現的用語例如「在一個或更多個實施例中」、「在某些實施例中」、「在各種實施例中」、「在一個實施例中」或「在一實施例中」不一定是指與本揭示案相同的實施例。此外，可在一個或更多個實施例中以任何合適的方式組合特定特徵、結構、材料或特性。
儘管本文揭示案提供了參考特定實施例的描述，應理解，這些實施例僅是說明本揭示案的原理和應用。對於發明所屬技術領域具有通常知識者來說顯而易見的是，在不脫離本揭示案的精神和範圍的情況下可對本揭示案進行各種修改和變化。因此，本揭示案旨在包括在所附請求項及其等同物的範圍內的修改和變化。
10:雙通道噴淋頭組件 50:上氣室 60:下氣室 100:熱基底 105:前面 110:後表面 115:中心 120:前表面 130:第一氣體通道 135:孔隙 140:第二氣體通道 145:孔隙 150:外周邊區域 165:O形環 200:噴淋頭上板 205:第一氣體通道 210:後表面 220:前表面 230:第一氣體通道 240:第二氣體通道 245:孔隙 250:外周邊區域 255:外周邊區域 260:上延伸凸台 262:後表面 265:第二開口 268:孔隙 270:氣體凸台 275:氣體凸台外周邊壁 280:氣體凸台前表面 282:孔隙 290:外周邊面 292:突片 294:裝設孔 295:孔洞 300:噴淋頭下板 310:後表面 320:前表面 340:下開口 342:間隙 345:下開口壁 350:外周邊區域 392:凹陷 394:裝設孔 395:孔洞 400:外環 410:內直徑表面 420:下表面 450:外直徑表面 475:內壁 500:排放氣室 900:箭頭 T TB:厚度 T SHUP:厚度 T SHLP:厚度 D EP:距離
為了能夠詳細理解本揭示案的上述特徵的方式，以上簡要概括的本揭示案的更具體的描述可藉由參考實施例來獲得，其中的一些描述在附圖中。然而，應注意附圖僅圖示了本揭示案的典型實施例且因此不應被視為限制其範圍，因為本揭示案可承認其他等效的實施例。
圖1圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的雙通道噴淋頭組件的示意性橫截面視圖；
圖2圖示了圖1的區域II的放大視圖;
圖3圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的圖1的區域III的放大視圖；
圖4圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的噴淋頭上板的示意視圖；
圖5圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的圖1的區域III的放大視圖；
圖6A圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的氣體通道的放大頂部視圖；
圖6B圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的氣體凸台的放大視圖；
圖7A圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的噴淋頭上板的示意頂部視圖；
圖7B圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的噴淋頭上板的示意部分頂部視圖；
圖8A圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的噴淋頭下板的示意底部視圖；及
圖8B圖示了根據本揭示案的一個或更多個實施例的噴淋頭下板的示意部分底部視圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
10:雙通道噴淋頭組件
50:上氣室
100:熱基底
105:前面
110:後表面
115:中心
120:前表面
130:第一氣體通道
135:孔隙
140:第二氣體通道
145:孔隙
150:外周邊區域
200:噴淋頭上板
210:後表面
220:前表面
250:外周邊區域
255:外周邊區域
300:噴淋頭下板
350:外周邊區域
400:外環
500:排放氣室
TTB:厚度
TSHUP:厚度
TSHLP:厚度
DEP:距離

Claims (20)

  1. 一種雙通道噴淋頭組件，包括： 一熱基底，該熱基底具有界定該熱基底的一厚度的一後表面及一前表面，延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第一氣體通道，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第二氣體通道； 一噴淋頭上板，該噴淋頭上板具有界定該噴淋頭上板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭上板的該後表面的一部分與該熱基底的該前表面的一部分間隔一距離以形成一上氣室，該熱基底的該至少一個第一氣體通道在形成該上氣室的該部分處在該熱基底的該前表面中具有一孔隙，該噴淋頭上板的該後表面的一外周邊區域與該熱基底的該前表面的一外周邊區域接觸，該熱基底的該至少一個第二氣體通道具有與該至少一個第二氣體通道對齊的一孔隙以通過該噴淋頭上板的該厚度至在該噴淋頭上板的該前表面中形成的一孔隙，該噴淋頭上板的該前表面具有從該噴淋頭上板的該前表面延伸的複數個間隔開的氣體凸台(boss)，該等氣體凸台之每一者具有一氣體凸台外周邊壁及一氣體凸台前表面，該噴淋頭上板具有從該後表面延伸至該氣體凸台前表面中的孔隙的複數個第一氣體通道；及 一噴淋頭下板，該噴淋頭下板具有界定該噴淋頭下板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭下板的該後表面的一部分與該噴淋頭上板的該前表面的一部分間隔一距離以形成一下氣室，該噴淋頭下板的該後表面的一外周邊區域與該噴淋頭上板的該前表面的一外周邊區域接觸，複數個下開口延伸穿過該噴淋頭下板的該厚度，該複數個下開口與該噴淋頭上板的該複數個間隔開的氣體凸台對齊，該複數個下開口之每一者具有一下開口壁，該下開口壁經調整大小以提供該氣體凸台外周邊壁及該下開口壁之間的一間隙，以允許來自該下氣室的一氣體流動通過該噴淋頭下板的該厚度。
  2. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭上板及該噴淋頭下板之每一者個別被裝設至該熱基底。
  3. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中形成該上氣室或該下氣室之其中一者或更多者的該距離小於或等於20 mm。
  4. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該至少一個第一氣體通道或該至少一個第二氣體通道之其中一者或更多者具有小於或等於45度的角度。
  5. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭下板具有從該噴淋頭下板的該前表面向外延伸至該噴淋頭下板的該後表面的具角度的開口。
  6. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，進一步包括：一外環，該外環繞著該熱基底具有一內直徑表面及一下表面，該內直徑表面與該熱基底的一外直徑表面間隔一距離以形成一排放氣室。
  7. 如請求項6所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭下板的該後表面的該外周邊區域與該外環的該下表面接觸。
  8. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭上板具有一上延伸凸台，該上延伸凸台具有一第二開口，該第二開口在該上延伸凸台的一後表面中具有一孔隙。
  9. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該複數個間隔開的氣體凸台在該噴淋頭上板的該前表面內交錯(staggered)。
  10. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該複數個間隔開的氣體凸台沒有接合至該噴淋頭上板或該噴淋頭下板之任一者。
  11. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該至少一個第一氣體通道及該至少一個第二氣體通道具有一橢圓形、眼形、一淚珠形、或一圓形橫截面。
  12. 如請求項10所述之雙通道噴淋頭組件，其中該複數個間隔開的氣體凸台之其中至少一者具有一橢圓形、一眼形、一淚珠形、或一圓柱形。
  13. 如請求項10所述之雙通道噴淋頭組件，其中該複數個間隔開的氣體凸台在從50至1000個凸台的一範圍中。
  14. 如請求項13所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭上板及該噴淋頭下板之每一者包括延伸穿過該噴淋頭上板的該厚度及該噴淋頭下板的該厚度的複數個孔洞，且該複數個間隔開的氣體凸台之每一者與該複數個孔洞對齊。
  15. 如請求項10所述之雙通道噴淋頭組件，其中該複數個間隔開的氣體凸台之其中至少一者具有從2 mm至8 mm的一範圍中的一直徑。
  16. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中具有該噴淋頭上板及該噴淋頭下板的該雙通道噴淋頭組件相較於一單通道噴淋頭、一螺旋雙通道噴淋頭、或一接合雙通道噴淋頭之每一者具有一減低的沖洗時間。
  17. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該氣體凸台外周邊壁及該下開口壁之間的該間隙在從0.1 mm至3 mm的一範圍中。
  18. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該熱基底具有一傾斜前面且形成該上氣室的該距離朝著該熱基底的一中心增加。
  19. 如請求項1所述之雙通道噴淋頭組件，其中該噴淋頭上板包括從該噴淋頭上板的一外周邊面向外延伸的複數個間隔開的突片，且該噴淋頭下板包括複數個凹陷，該複數個凹陷經調整大小及塑形以與該複數個間隔開的突片互補。
  20. 一種雙通道噴淋頭組件，包括： 一熱基底，該熱基底具有界定該熱基底的一厚度的一後表面及一前表面，延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第一氣體通道，及延伸穿過該熱基底的該厚度至該前表面的至少一個第二氣體通道； 一噴淋頭上板，該噴淋頭上板具有界定該噴淋頭上板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭上板的該後表面的一部分與該熱基底的該前表面的一部分間隔一距離以形成一上氣室，該熱基底的該至少一個第一氣體通道在形成該上氣室的該部分處在該熱基底的該前表面中具有一孔隙，該噴淋頭上板的該後表面的一外周邊區域與該熱基底的該前表面的一外周邊區域接觸，該熱基底的該至少一個第二氣體通道具有與該至少一個第二氣體通道對齊的一孔隙以通過該噴淋頭上板的該厚度至在該噴淋頭上板的該前表面中形成的一孔隙，該噴淋頭上板的該前表面具有從該噴淋頭上板的該前表面延伸的複數個間隔開的氣體凸台，該等氣體凸台之每一者具有一氣體凸台外周邊壁及一氣體凸台前表面，該噴淋頭上板具有從該後表面延伸至該氣體凸台前表面中的孔隙的複數個第一氣體通道； 一噴淋頭下板，該噴淋頭下板具有界定該噴淋頭下板的一厚度的一後表面及一前表面，該噴淋頭下板的該後表面的一部分與該噴淋頭上板的該前表面的一部分間隔一距離以形成一下氣室，該噴淋頭下板的該後表面的一外周邊區域與該噴淋頭上板的該前表面的一外周邊區域接觸，複數個下開口延伸穿過該噴淋頭下板的該厚度，該複數個下開口與該噴淋頭上板的該複數個間隔開的氣體凸台對齊，該複數個下開口之每一者具有一下開口壁，該下開口壁經調整大小以提供該氣體凸台外周邊壁及該下開口壁之間的一間隙，以允許來自該下氣室的一氣體流動通過該噴淋頭下板的該厚度；及 一外環，該外環繞著該熱基底具有一內直徑表面及一下表面，該內直徑表面與該熱基底的一外直徑表面間隔一距離以形成一排放氣室。
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