CN107275336B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置。该显示装置包括穿过显示层的贯穿部分。显示装置包括在基底上方并且沿第一方向延伸的多条扫描线、沿第二方向延伸的多条数据线以及连接到扫描线和数据线的多个像素。数据线包括通过贯穿部分断开的第一数据线和第二数据线以及沿第一方向与贯穿部分隔开的第三数据线。第一数据线与第三数据线电连接。

Description

显示装置
在2016年3月31日提交且题为“Display Device”的第10-2016-0039328号韩国专利申请通过引用被全部包含于此。
技术领域
在此描述的一个或更多个实施例涉及一种显示装置。
背景技术
为了使显示装置更加便于使用，将它们设计为薄且轻的。显示装置根据例如其意向应用或者为了满足一定的审美目标还具有各种形状。
发明内容
根据一个或更多个实施例，一种显示装置包括：基底；显示层，在基底上，显示层包括沿第一方向延伸的多条扫描线、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的多条数据线以及连接到多条扫描线和多条数据线的多个像素；以及贯穿部分，穿过基底和显示层，其中，多条数据线包括通过贯穿部分断开的第一数据线和第二数据线以及沿第一方向与贯穿部分隔开的第三数据线，其中，第一数据线与第三数据线电连接。
第一数据线和第二数据线可以在第二方向上彼此隔开，并且贯穿部分位于第一数据线与第二数据线之间。基底可以包括具有显示层的显示区域和围绕显示区域的非显示区域。显示装置可以包括将第一数据线连接到第三数据线的数据连接线。数据连接线可以与第一数据线和第三数据线一体地形成，并且可以包括与第一数据线和第三数据线相同的材料。数据连接线可以在非显示区域中弯曲。
非显示区域的至少局部区域可以相对于显示区域弯曲。显示装置可以包括位于数据连接线与第一数据线和第三数据线之间的绝缘层，数据连接线可以通过穿过绝缘层的接触孔连接到第一数据线和第三数据线。数据连接线可以位于显示区域中。
多条数据线可以包括沿第一方向与贯穿部分隔开的第四数据线，第三数据线可以位于贯穿部分与第四数据线之间，第四数据线可以向着基底的边缘延伸。显示装置可以包括金属层，以诱导第四数据线的延伸部分与金属层之间的寄生电容。
多个像素可以包括：第一像素，连接到第一数据线；第二像素，连接到第二数据线；以及第三像素，连接到第三数据线，并且位于设置有第一像素的行中，其中，第一像素的数据信号与第三像素的数据信号相等。
显示装置可以包括位于连接到第一像素的扫描线与连接到第三像素的扫描线之间的绝缘层。第一像素和第三像素中的每个可以包括薄膜晶体管(TFT)，TFT包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，第一像素的TFT的栅电极和第三像素的TFT的栅电极可以包括相同的材料。
第一像素的扫描信号可以独立于第三像素的扫描信号。显示装置可以包括连接到多条数据线的数据驱动器，第二数据线可以比第一数据线接近于数据驱动器。多个像素中的每个可以包括具有薄膜晶体管(TFT)和存储电容器的像素电路以及连接到像素电路的显示元件。显示元件可以包括有机发光二极管(OLED)。贯穿部分的外边缘可以由多个像素至少部分地围绕。贯穿部分可以向着基底的边缘延伸。
附图说明
通过参照附图对示例性实施例进行详细地描述，特征对于本领域技术人员将变得明显，其中：
图1示出了显示装置的实施例；
图2示出了像素的实施例；
图3示出了沿图1中的剖面线III-III截取的视图；
图4示出了沿图1中的剖面线IV-IV截取的视图；
图5示出了显示装置的另一实施例；
图6示出了图5中显示装置的另一视图；
图7示出了包括图5中的贯穿部分的放大的区域；
图8示出了不同像素的像素电路的实施例；
图9示出了沿图8中的剖面线IXa-IXa和IXb-IXb截取的视图；
图10示出了不同像素的像素电路的另一实施例；
图11示出了沿图10中的剖面线XI-XI截取的视图；
图12和图13示出了显示装置的另一实施例；
图14和图15示出了显示装置的另一实施例；以及
图16和图17示出了其它类型的显示装置。
具体实施方式
现将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例，然而，它们可以以不同的形式实施，并且不应被解释为受限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的，并且将把示例性实施例充分地传达给本领域技术人员。实施例可以被组合以形成附加的实施例。
在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一个层或基底“上”时，该层或元件可直接在所述另一层或基底上，或者还可以存在中间层。此外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下方”时，该层可直接位于下方，或者还可以存在一个或更多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在/位于”两层“之间”时，该层可是位于所述两层之间的唯一的层，或者还可以存在一个或更多个中间层。同样的参考标记始终表示同样的元件。
当元件被称作“连接到”或“结合到”另一个元件时，该元件可直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者可以在有一个或更多个中间元件置于其间的情况下间接地连接到或间接地结合到所述另一元件。另外，除非有不同的公开，否则当元件被称作“包括/包含”组件时，这表示所述元件可以进一步包括另一组件，而不是排除另一组件。
图1示出了显示装置1的实施例，图2示出了在显示装置1中的像素的等效电路的实施例，图3和图4分别是沿图1中的线III-III和IV-IV截取的剖视图。
参照图1，显示装置1包括基底100、在基底100上方的显示单元(显示层)200和穿过显示单元200的贯穿部分TH。基底100包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA提供图像，显示单元200在显示区域DA上方。
显示单元200包括沿第一方向延伸的扫描线SL、沿与第一方向交叉的第二方向延伸的数据线DL以及分别位于扫描线SL与数据线DL的交叉区域处的像素PX。显示单元200基于从多个像素PX中的每个像素PX的发光器件发射的光来输出预定的图像。显示单元200的像素PX限定显示区域DA。
参照图2，用于每个像素PX的等效电路的典型的实施例包括构成显示元件的结合到有机发光二极管(OLED)的像素电路PC。
像素电路PC包括开关薄膜晶体管(TFT)Ts、驱动TFT Td和存储电容器Cst。开关TFTTs连接到扫描线SL和数据线DL，并且根据从扫描线SL输入的开关电压将数据电压从数据线DL传输到驱动TFT Td。
存储电容器Cst连接到开关TFT Ts和驱动电源线PL，并且存储与从开关TFT Ts传输的电压和供应到驱动电源线PL的电压ELVDD之间的差对应的电压。
驱动TFT Td连接到驱动电源线PL和存储电容器Cst，并且响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制驱动电流从驱动电源线PL流经OLED。OLED可以通过利用驱动电流来发射具有预定亮度的光。
图2示出了在显示装置1中的像素PX的等效电路的仅一个示例。TFT的数量和/或电容器的数量可以在其它实施例中不同。例如，根据分辨率，为了传输除了用于驱动TFT Td和开关TFT Ts的信号之外的信号(例如，补偿信号或初始化信号)而可以包括一个或更多个TFT。
再参照图1，贯穿部分TH位于显示区域DA内部。贯穿部分TH的外边缘可以被像素PX完全地围绕。在一个实施例中，贯穿部分TH可以是在厚度方向上穿过形成基底100和显示单元200的层的孔。摄像机、传感器、扬声器、麦克风等可以安装在贯穿部分TH中。可选地，贯穿部分TH可以是用于针对显示装置1的功能的单独的构件或者可以添加新功能的单独的构件的空间。在图1中，贯穿部分TH是矩形的。在另一实施例中，贯穿部分TH可以具有不同的形状(包括但不限于多边形、三角形、圆形或椭圆形)。另外，贯穿部分TH的数量和位置可以在其它实施例中不同。
非显示区域NDA不提供图像，并且包括围绕显示区域DA的外边缘的第一子非显示区域NDA1和围绕贯穿部分TH的外边缘的第二子非显示区域NDA2。
用于将预定信号传输到显示区域DA的每个像素PX的驱动器(诸如扫描驱动器和/或数据驱动器)可以在第一子非显示区域NDA1中。第二子非显示区域NDA2可以位于贯穿部分TH与显示区域DA之间。
参照图3，显示单元200在基底100上方，包封层300覆盖显示单元200。基底100可以包括诸如玻璃、金属或有机材料的材料。根据实施例，基底100可以包括例如聚酰亚胺(PI)的柔性材料。
显示单元200包括像素电路层和器件层。像素电路层包括上述驱动TFT Td和开关TFT Ts、存储电容器Cst以及布线。器件层包括OLED。另外，多个绝缘层可以位于这些层之间。根据堆叠顺序来描述显示单元200的所述层。
缓冲层201可以减少或阻止异物、湿气或外部空气从基底100下面渗透，并且可以在基底100上方提供平坦化表面。缓冲层201可以包括诸如氧化物层(例如SiOX)或氮化物层(例如SiNX)的无机材料、有机材料或者有机无机复合材料。在一个实施例中，缓冲层201可以包括无机材料和有机材料的单层或多层结构。
驱动TFT Td包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。开关TFT Ts包括半导体层A2、栅电极G2、源电极S2和漏电极D2。在图3中，示出了其中驱动TFT Td和开关TFT Ts的栅电极G1和栅电极G2位于半导体层A1和半导体层A2上方的顶栅型TFT。在另一实施例中，驱动TFT Td和开关TFT Ts可以是底栅型TFT。
在实施例中，半导体层A1和半导体层A2可以包括例如非晶硅，或者包括多晶硅。在另一实施例中，半导体层A1和半导体层A2可以包括In、Ga、Sn、Zr、V、Hf、Cd、Ge、Cr、Ti和Zn中的至少一种的氧化物。半导体层A1和半导体层A2可以包括沟道区以及掺杂有杂质的源区和漏区。
栅极绝缘层203可以在半导体层A1和半导体层A2上方，并且可以覆盖半导体层A1和半导体层A2。栅极绝缘层203可以包括例如氧化物或氮化物的无机材料。例如，栅极绝缘层203可以包括例如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
栅电极G1和栅电极G2可以包括具有低电阻的金属材料。例如，栅电极G1和栅电极G2可以包括Mo、Al、Cu、Ti等，并且可以包括单层或多层。
根据实施例，驱动TFT Td的栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一电极CE1。
第一层间绝缘层205可以在第一电极CE1上方，并且可以覆盖第一电极CE1。例如，第一层间绝缘层205可以包括例如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
第二电极CE2可以在第一层间绝缘层205上方且可以与第一电极CE1叠置，并且第一层间绝缘层205位于其间。第二电极CE2可以包括具有Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且包括这些材料的单层或多层。
第二层间绝缘层207可以在第二电极CE2上方，并且可以与第二电极CE2叠置。例如，第二层间绝缘层207可以包括例如SiOx、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2、ZnO2等。
源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以通过接触孔分别接触半导体层A1和半导体层A2的源区和漏区。源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括具有优异导电性的材料。例如，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括具有Mo、Al、Cu、Ti等的导电材料，并且可以包括这些材料的单层或多层。在实施例中，源电极S1和S2以及漏电极D1和D2可以包括Ti/Al/Ti的多层结构。
平坦化层209覆盖源电极S1和S2以及漏电极D1和D2。平坦化层209可以包括有机材料的单层或多层。例如，平坦化层209可以包括诸如聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有苯酚类基团、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物的聚合物衍生物或者它们的混合物。另外，在一个实施例中，平坦化层209可以包括无机绝缘层和有机绝缘层的复合堆叠层。
像素电极221可以通过平坦化层209的通孔连接到驱动TFT Td。像素电极221可以通过像素限定层212的开口暴露。像素限定层212可以覆盖像素电极221的边缘。在实施例中，像素电极221可以包括反射电极，例如，可以包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或它们的化合物。
中间层222包括在像素电极221的由像素限定层212暴露的部分上方的有机发射层。有机发射层可以是低分子有机材料或聚合物有机材料。中间层222还可以选择性地包括例如空穴传输层(HTL)、空穴注入层(HIL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层。
对电极223可以是透明电极或半透明电极。例如，对电极223可以包括具有小的逸出功并且包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg和它们的化合物的金属薄膜。在一个实施例中，对电极223可以包括诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、锌氧化物(ZnO)、In2O3、铟镓氧化物(IGO)或铝锌氧化物(AZO)的透明导电氧化物(TCO)。在一个实施例中，对电极223可以具有其中上述透明导电氧化物堆叠在金属薄膜上方的多层结构。在实施例中，对电极223可以包括具有Ag和Mg的薄膜金属层。
包封层300通过覆盖显示单元200来防止外部湿气和氧气渗透到显示单元200中。包封层300可以是包括无机层310和330以及有机层320的多层。包封层300的有机层320以及无机层310和330可以交替地堆叠。在图3中，包封层300包括两个无机层310和330以及一个有机层320。在一个实施例中，包封层300还可以包括多个交替地设置的附加无机层和有机层。层堆叠的次数可以在不同实施例中改变。
无机层310和330可以包括SiNx、AlN、ZrN、TiN、HfN、TaN、SiOx、Al2O3、TiO2、SnO2、CeO2和SiON中的至少一种。无机层310和330可以使用例如化学气相沉积(CVD)工艺来形成。
有机层320可以包括丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、尿烷类树脂、纤维素类树脂和二萘嵌苯类树脂中的至少一种。在实施例中，可以通过沉积液态单体并且随后使用高温或诸如紫外射线的光来固化液态单体来形成有机层320。
为了防止液态单体流向基底100的端部并且防止有机层320的边尾(edge tail)形成，坝状部D可以设置在第一子非显示区域NDA1中。坝状部D可以包括例如与平坦化层209和/或像素限定层212相同的材料。
无机层310和330可以具有比有机层320大的面积。因此，无机层310和330可以彼此接触，因此更有效地防止外部氧气或湿气的渗透。
参照图4，其中显示单元200位于基底100的显示区域DA中并且包封层300覆盖显示单元200的结构可以与在图3中的堆叠结构基本相同。
贯穿部分TH可以与基底100的第二子非显示区域NDA2对应。坝状部D可以位于贯穿部分TH与显示单元200的像素PX之间。坝状部D如上所述可以防止有机层320的边尾形成。无机层310和330可以比有机层320进一步向贯穿部分TH延伸并且可以在与贯穿部分TH相邻的区域中彼此接触。
图5示出了显示装置1A的另一实施例，图6示出了显示装置1A的另一视图。参照图5，显示单元200位于显示装置1A的显示区域DA中。另外，穿过基底100和显示单元200的贯穿部分TH在显示区域DA内部。非显示区域NDA包括第一子非显示区域NDA1和围绕如上所述的贯穿部分TH的第二子非显示区域NDA2。
第一扫描驱动器至第四扫描驱动器20a、20b、20c和20d以及数据驱动器30在第一子非显示区域NDA1中。连接到第一扫描驱动器至第四扫描驱动器20a、20b、20c和20d的扫描线SLa、SLb、SLc和SLd以及连接到数据驱动器30的数据线DL在显示区域DA中连接到像素PX。
像素PX中的一些通过扫描线SLa从第一扫描驱动器20a接收扫描信号。像素PX中的一些通过扫描线SLb从第二扫描驱动器20b接收扫描信号。像素PX中的一些从第三扫描驱动器20c接收扫描信号。像素PX中的剩余一部分可以从第四扫描驱动器20d接收扫描信号。
第一扫描驱动器至第四扫描驱动器20a、20b、20c和20d可以在显示单元200的各侧处。例如，第一扫描驱动器20a和第二扫描驱动器20b可以在第一子非显示区域NDA1中彼此隔开，并且显示单元200位于其间。第三扫描驱动器20c和第四扫描驱动器20d可以在第一子非显示区域NDA1中彼此隔开，并且显示单元200位于其间。
数据驱动器30具有安装在结合到基底100的焊盘部分中的集成电路(IC)芯片形状。数据驱动器30通过对应的数据线DL将数据信号提供到像素PX。
控制器40可以将来自源的图像信号转换为用于输入数据驱动器30中的图像数据信号DR、DG和DB。另外，控制器40可以接收同步信号和时钟信号并且产生分别用于控制第一扫描驱动器至第四扫描驱动器20a、20b、20c和20d的控制信号SCS1、SCS2、SCS3和SCS4。
数据线DL从数据驱动器30沿第二方向延伸。数据线DL中的一些因贯穿部分TH而断开。在一个实施例中，与贯穿部分TH叠置的一些数据线DL因贯穿部分TH而断开。例如，在图5的平面图中，在贯穿部分TH上方的数据线DL1(第一数据线)与在贯穿部分TH下方的数据线DL2(第二数据线)断开。相反，与贯穿部分TH隔开的一些数据线DL沿第二方向未断开地延伸穿过显示区域DA。
第二数据线DL2连接到数据驱动器30并且将预定的数据信号传输到与第二数据线DL2连接的相关像素PX。相反，第一数据线DL1通过数据连接线DCL连接到与贯穿部分TH在第一方向上隔开的数据线DL3(第三数据线)。数据连接线DCL位于第一子非显示区域NDA1的一部分(一个区域)中。第一子非显示区域NDA1的数据连接线DCL位于其中的所述一个区域可以相对于显示区域DA弯曲。
参照图6，当基底100包括柔性材料时，基底100的与数据连接线DCL对应的所述一个区域可以相对于基底100的显示区域DA弯曲。
图7示出了图5中贯穿部分TH的放大的区域。参照图7，数据线DL沿第二方向延伸，并且包括因贯穿部分TH而断开的第一数据线DL1和第二数据线DL2以及与贯穿部分TH在第一方向上隔开并且穿过显示区域DA的第三数据线DL3。
第一数据线DL1在平面图中位于远离数据驱动器30(例如，见图5)的一部分(例如，在贯穿部分TH上方的部分)处并且贯穿部分TH位于所述一部分与数据驱动器30之间。第一数据线DL1通过数据连接线DCL连接到第三数据线DL3。因为通过数据驱动器30产生的数据信号沿着第三数据线DL3、数据连接线DCL和第一数据线DL1移动，所以连接到第一数据线DL1的像素PX1(例如，第一像素)接收与连接到第三数据线DL3的像素PX3(例如，第三像素)相同的数据信号。
数据连接线DCL从第一子非显示区域NDA1弯曲。例如，数据连接线DCL可以与第一数据线DL1和第三数据线DL3一体地形成，并且可以包括例如与第一数据线DL1和第三数据线DL3的材料相同的材料。在另一实施例中，数据连接线DCL可以位于与第一数据线DL1和第三数据线DL3不同的层中，并且可以分别通过接触孔电连接到第一数据线DL1和第三数据线DL3。
第二数据线DL2连接到数据驱动器30并且从数据驱动器30直接接收数据信号。由数据驱动器30产生的信号通过第二数据线DL2被提供到连接到第二数据线DL2的像素PX2(例如，第二像素)。
施加到第一像素PX1的数据信号可以与施加到第二像素PX2的数据信号不同，并且可以与施加到第三像素PX3的数据信号相同。如果在同一行中的第一像素PX1和第三像素PX3通过同一扫描线接收同一扫描信号，则不能独立地控制第一像素PX1和第三像素PX3，因此，难于形成各种图像。为了防止这样的问题，在同一行中的第一像素PX1和第三像素PX3可以连接到不同的扫描线并且独立地开启/关闭。
第一像素PX1中的一些通过经由扫描线SLc的来自第三扫描驱动器20c的扫描信号来开启/关闭。第一像素PX1中剩余的一些通过经由扫描线SLd的来自第四扫描驱动器20d的扫描信号来开启/关闭。
第二像素PX2中的一些通过经由扫描线SLa的来自第一扫描驱动器20a的扫描信号来开启/关闭。第二像素PX2中剩余的一些通过经由扫描线SLb的来自第二扫描驱动器20b的扫描信号来开启/关闭。
第三像素PX3中的一些通过经由扫描线SLa的来自第一扫描驱动器20a的扫描信号来开启/关闭。第三像素PX3中剩余的一些通过经由扫描线SLb的来自第二扫描驱动器20b的扫描信号来开启/关闭。
如上所述，第一像素PX1和第三像素PX3通过不同的扫描线接收不同的扫描信号。因此，即使第一像素PX1接收与第三像素PX3相同的数据信号，第一像素PX1和第三像素PX3也可以单独地发射光。
根据实施例，可以按从第一扫描驱动器20a至第三扫描驱动器20c的顺序以及按从第二扫描驱动器20b至第四扫描驱动器20d的顺序提供扫描信号。例如，施加到在右侧(相对于穿过贯穿部分TH的中心的虚拟线)的像素的扫描信号可以按20a1、……、20aj、20aj+1、20aj+2、20c3、20c2和20c1的顺序来提供。施加到在左侧(相对于穿过贯穿部分TH的中心的虚拟线)的像素的扫描信号可以按20b1、……、20bj、20bj+1、20bj+2、20d3、20d2和20d1的顺序来提供。
在以上实施例中，延时发生在施加到第三像素PX3的扫描信号与施加到第一像素PX1的扫描信号之间。为了解决该延时，信号在另一实施例中可以根据扫描线的布置顺序来施加。例如，施加到在右侧(相对于穿过贯穿部分TH的中心的虚拟线)的像素的扫描信号可以按20a1、……、20aj、20c1、20aj+1、20c2、20aj+2和20c3的顺序来提供。施加到在左侧(相对于穿过贯穿部分TH的中心的虚线)的像素的扫描信号可以按20b1、……、20bj、20d1、20bj+1、20d2、20bj+2和20d3的顺序来提供。
图8示出了在显示装置中包括第一像素和第三像素的像素电路的一部分的实施例，图9是沿图8中线IXa-IXa和IXb-IXb截取的剖视图。为了便于描述，图8仅示出了在第一像素PX1和第三像素PX3的像素电路之中连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管。
参照图8和图9，第一像素PX1的薄膜晶体管TFTa连接到扫描线SLc和第一数据线DL1，第三像素PX3的薄膜晶体管TFTb连接到扫描线SLa和第三数据线DL3。
第一像素PX1的薄膜晶体管TFTa包括半导体层Aa、栅电极Ga、源电极Sa和漏电极Da。第三像素PX3的薄膜晶体管TFTb包括半导体层Ab、栅电极Gb、源电极Sb和漏电极Db。薄膜晶体管TFTa和TFTb的半导体层Aa和Ab在同一层中包括相同的材料。栅电极Ga和Gb在同一层中包括相同的材料。源电极Sa和Sb以及漏电极Da和Db在同一层中包括相同的材料。
第一数据线DL1和第三数据线DL3在同一层中包括相同的材料。第一数据线DL1和第三数据线DL3通过与第一数据线DL1和第三数据线DL3一体地形成的数据连接线DCL彼此电连接。数据连接线DCL可以包括与在第一数据线DL1和第三数据线DL3中相同的材料。
连接到第一像素PX1的扫描线SLc和连接到第三像素PX3的扫描线SLa在不同的层中，并且绝缘层(例如，第一层间绝缘层205)位于连接到第一像素PX1的扫描线SLc和连接到第三像素PX3的扫描线SLa之间。例如，第一像素PX1的扫描线SLc通过穿过第一层间绝缘层205的接触孔CNT电连接到薄膜晶体管TFTa的栅电极Ga。第三像素PX3的扫描线SLa的一部分可以用作第三像素PX3的薄膜晶体管TFTb的栅电极Gb。
图10示出了在显示装置中包括第一像素和第三像素的像素电路的一部分的另一实施例，图11是沿图10的线XI-XI截取的剖视图。为了便于描述，图10仅示出了在第一像素PX1和第三像素PX3的像素电路中连接到扫描线和数据线的薄膜晶体管。第一像素PX1和第三像素PX3的薄膜晶体管TFTa和TFTb、扫描线SLa和SLc以及第一数据线DL1和第三数据线DL3可以与在图8和图9中的相同。
参照图10和图11，第一数据线DL1和第三数据线DL3在同一层中包括相同的材料。然而，数据连接线DCL设置在与设置有第一数据线DL1和第三数据线DL3的层不同的层中。数据连接线DCL在与设置有第一数据线DL1和第三数据线DL3的层不同的层中，并且绝缘层(例如，第三层间绝缘层208)位于数据连接线DCL与第一数据线DL1和第三数据线DL3之间。数据连接线DCL通过穿过第三层间绝缘层208的接触孔CNT接触第一数据线DL1和第三数据线DL3。
数据连接线DCL可以在显示区域DA中。因为第一子非显示区域NDA1不需要由数据连接线DCL占据的空间，所以可以减小第一子非显示区域NDA1的面积。
图12和图13示出显示装置1B和1C的附加的实施例。参照如12和图13，与图5中的显示装置1A相似，显示装置1B和1C中的每个包括通过贯穿部分TH断开的第一数据线DL1和第二数据线DL2以及沿第一方向与贯穿部分TH隔开的第三数据线DL3。
显示装置1B和1C还包括沿第一方向与贯穿部分TH隔开的第四数据线DL4。第四数据线DL4在贯穿部分TH的相对侧处，并且第三数据线DL3位于第四数据线DL4与贯穿部分TH之间。与第三数据线DL3不同，第四数据线DL4不电连接到另一条数据线。
因为第三数据线DL3通过数据连接线DCL连接到第一数据线DL1，所以发生数据线之间的RC不平衡。为了解决这样的问题，如在图12中，第四数据线DL4的一个端部DL4-a可以穿过显示单元200在显示单元200外侧延伸。因为第四数据线DL4的一个端部DL4-a向着基底100的边缘延伸以按预定的长度位于第一子非显示区域NDA1上，所以第四数据线DL4的电阻增大。因此，可以解决数据线之间的RC不平衡。
在另一实施例中，如图13中所示，第四数据线DL4的一个端部DL4-a可以在第一子非显示区域NDA1上方延伸预定的长度并且与金属层400叠置。金属层400与第四数据线DL4的一个端部DL4-a叠置。预定电压(例如，电力ELVSS)施加到金属层400并且诱导寄生电容。在第四数据线DL4与金属层400之间诱导的寄生电容可以解决RC不平衡。
图14和图15示出了显示装置1D和1E的附加实施例。参照图14，除了贯穿部分TH与显示单元200之间的关系之外，显示装置1D包括与图1至图4中的显示装置1的结构相同的结构。显示装置1D的显示单元200可以部分地围绕贯穿部分TH。
参照图15，除了贯穿部分TH与显示单元200之间的关系之外，显示装置1E包括与图1至图4中的显示装置1的结构相同的结构。显示装置1E的显示单元200可以部分地围绕贯穿部分TH。在平面图中，贯穿部分TH可以延伸到基底100的边缘。例如，基底100可以通过与贯穿部分TH对应的区域而被图案化。
如图14和图15中所示，数据线DL从数据驱动器30沿第二方向延伸，数据线DL中的一些通过贯穿部分TH断开。在图14的平面图中，在贯穿部分TH上方的第一数据线DL1与在贯穿部分TH下方的第二数据线DL2断开。
第二数据线DL2连接到数据驱动器30并且将预定的数据信号传输到与第二数据线DL2连接的相关的像素PX。相反，第一数据线DL1通过数据连接线DCL连接到沿第一方向与贯穿部分TH隔开的第三数据线DL3。
连接到第二数据线DL2和第三数据线DL3的像素PX接收来自与第一扫描驱动器20a连接的扫描线SLa的扫描信号。连接到第一数据线DL1的像素PX接收来自与第二扫描驱动器20b连接的扫描线SLb的扫描信号。对于每个像素的数据线DL与扫描线SLa和SLb之间的连接关系可以与参照图8至图11所描述的相同。
图16和图17示出了显示装置的另一实施例。参照图16，通过贯穿部分TH断开的第一数据线DL1’可以利用穿过第一子非显示区域NDA1的数据连接线DCL’连接到第二数据线DL2’。
数据连接线DCL’可以穿过第一子非显示区域NDA1连接第一数据线DL1’和第二数据线DL2’。在这种情况下，如图16中所示，第一子非显示区域NDA1的面积增加。此外，用于扫描驱动器和数据驱动器的布置空间减少。因此，在数据连接线DCL’、扫描线和其它数据线之中发生叠置。
在另一对比示例中，通过贯穿部分TH断开的第一数据线DL1’可以使用穿过第二子非显示区域NDA2的数据连接线DCL’连接到第二数据线DL2’。
参照图17，数据连接线DCL’可以穿过第二子非显示区域NDA2来连接第一数据线DL1’和第二数据线DL2’。在这种情况下，如图17中所示，为了确保用于绕道贯穿部分TH的边缘的数据连接线DCL’的空间，第二子非显示区域NDA2的面积增加。
然而，根据实施例，通过贯穿部分TH断开的第一数据线DL1电连接到第三数据线DL3。在这种情况下，数据连接线DCL仅在第一子非显示区域NDA1的一部分中或者在显示区域DA中。因此，可以减小由死区(dead area)(例如，在显示装置中的第一子非显示区域NDA1或第二子非显示区域NDA2)占据的面积。
在此已经公开示例实施例，虽然采用具体术语，但仅以普通的和描述性的含义来而不是出于限制的目的来使用和解释这些术语。在一些情况下，如本领域技术人员将清楚的是，自提交本申请之时起，除非另有表示，否则结合具体实施例所述的特征、特性和/或元件可以单独地使用或者与结合其它实施例所述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离在权利要求中阐述的实施例的精神和范围的情况下可以做出形式上和细节上的各种改变。

Claims (19)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
基底；
显示层，在所述基底上，所述显示层包括沿第一方向延伸的多条扫描线、沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸的多条数据线以及连接到所述多条扫描线和所述多条数据线的多个像素；以及
贯穿部分，穿过所述基底和所述显示层，
其中，所述多条数据线包括通过所述贯穿部分断开的第一数据线和第二数据线以及沿所述第一方向与所述贯穿部分隔开的第三数据线，其中，所述第一数据线与所述第三数据线电连接，
其中，所述多个像素包括第一像素至第三像素，所述第一数据线连接到所述第一像素，所述第二数据线连接到第二像素，所述第一像素和所述第二像素沿与所述第二方向平行的方向同轴布置，所述第三数据线连接到所述第三像素，并且所述第三像素和所述第一像素沿与所述第一方向平行的方向同轴布置。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一数据线和所述第二数据线在所述第二方向上彼此隔开，并且所述贯穿部分位于所述第一数据线与所述第二数据线之间。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基底包括：
显示区域，包括所述显示层；以及
非显示区域，围绕所述显示区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述非显示区域的至少局部区域相对于所述显示区域弯曲。
5.根据权利要求3所述的显示装置，所述显示装置还包括：
数据连接线，将所述第一数据线连接到所述第三数据线。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述数据连接线与所述第一数据线和所述第三数据线一体地形成，并且包括与所述第一数据线和所述第三数据线相同的材料。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述数据连接线在所述非显示区域中弯曲。
8.根据权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，位于所述数据连接线与所述第一数据线和所述第三数据线之间，其中，所述数据连接线通过穿过所述绝缘层的接触孔连接到所述第一数据线和所述第三数据线。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述数据连接线位于所述显示区域中。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多条数据线包括沿所述第一方向与所述贯穿部分隔开的第四数据线，其中，所述第三数据线位于所述贯穿部分与所述第四数据线之间，其中，所述第四数据线向着所述基底的边缘延伸。
11.根据权利要求10所述的显示装置，所述显示装置还包括：
金属层，诱导所述第四数据线的延伸部分与所述金属层之间的寄生电容。
12.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
绝缘层，位于连接到所述第一像素的扫描线与连接到所述第三像素的扫描线之间。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，
所述第一像素和所述第三像素中的每个包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括半导体层、栅电极、源电极和漏电极，
所述第一像素的所述薄膜晶体管的所述栅电极和所述第三像素的所述薄膜晶体管的所述栅电极包括相同的材料。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素的扫描信号独立于所述第三像素的扫描信号。
15.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
数据驱动器，连接到所述多条数据线，
所述第二数据线比所述第一数据线接近于所述数据驱动器。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个像素中的每个包括：
像素电路，包括薄膜晶体管和存储电容器；以及
显示元件，连接到所述像素电路。
17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述显示元件包括有机发光二极管。
18.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯穿部分的外边缘由所述多个像素至少部分地围绕。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述贯穿部分向着所述基底的边缘延伸。
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