JP5293364B2 - 表示装置および駆動制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、表示装置および駆動制御方法に関し、特に、移動度補正にかかる時間を短縮することができるようにする表示装置および駆動制御方法に関する。
発光素子として有機EL(ELectro Luminescence)素子を用いた平面自発光型のパネル(ELパネル)の開発が近年盛んになっている。有機EL素子は、ダイオード特性を有し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した素子である。有機EL素子は、印加電圧が10V以下で駆動するため低消費電力であり、自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易であるという特長を有する。また、有機EL素子の応答速度は数μs程度と非常に高速であるので、ELパネルでは動画表示時の残像が発生しないという利点がある。
ELパネルの中でも、とりわけ駆動素子として薄膜トランジスタ(TFT)を各画素に集積形成したアクティブマトリクス型のパネルの開発が盛んである。アクティブマトリクス型ELパネルは、例えば、特許文献1乃至5に記載されている。
ところで、一般的に、有機EL素子のI−V特性(電流−電圧特性)は、時間が経過すると劣化(いわゆる、経時劣化)することが知られている。有機EL素子を電流駆動する駆動トランジスタとして特にNチャネル型のTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性が経時劣化すると、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsが変化する。駆動トランジスタのソース電極側は有機EL素子に接続されているので、この駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Vgsの変化により、有機EL素子の発光輝度が変化する。
このことについてより具体的に説明する。駆動トランジスタのソース電極側に有機EL素子が接続されている場合、駆動トランジスタのソース電位は、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点で決まる。そして、有機EL素子のI−V特性が劣化すると、駆動トランジスタと有機EL素子の動作点が変動してしまうために、駆動トランジスタのゲート電極に同じ電圧を印加したとしても駆動トランジスタのソース電位が変化する。これにより、駆動トランジスタのソース−ゲート間電圧Vgsが変化するために、駆動トランジスタに流れる電流値が変化する。その結果、有機EL素子に流れる電流値も変化するために、有機EL素子の発光輝度が変化することになる。
また、特にポリシリコンTFTを用いた画素回路では、有機EL素子のI−V特性の経時劣化に加えて、駆動トランジスタのトランジスタ特性が経時的に変化したり、製造プロセスのばらつきによってトランジスタ特性が画素ごとに異なったりする。すなわち、画素個々に駆動トランジスタのトランジスタ特性にばらつきがある。トランジスタ特性としては、駆動トランジスタの閾値電圧Vthや、駆動トランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度μ(以下、単に、「駆動トランジスタの移動度μ」と称する)等が挙げられる。
駆動トランジスタのトランジスタ特性が画素ごとに異なると、画素ごとに駆動トランジスタに流れる電流値にばらつきが生じるために、駆動トランジスタのゲート電極に画素間で同じ電圧を印加しても、有機EL素子の発光輝度に画素間でばらつきが生じる。その結果、画面のユニフォーミティ(均一性)が損なわれる。
そこで、有機EL素子のI−V特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化等の影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に維持するために、各種の補正(補償)機能を画素回路に持たせたものがある(例えば、特許文献6参照)。
補正機能としては、有機EL素子の特性変動に対する補償機能、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正機能、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正機能などが挙げられる。以下、駆動トランジスタの閾値電圧Vthの変動に対する補正を「閾値補正」と呼び、駆動トランジスタの移動度μの変動に対する補正を「移動度補正」と呼ぶこととする。
このように、画素回路の各々に、各種の補正機能を持たせることで、有機EL素子のI−V特性の経時劣化や、駆動トランジスタのトランジスタ特性の経時変化の影響を受けることなく、有機EL素子の発光輝度を一定に保つことができる。その結果、表示装置の表示品質を向上できる。
特開2003−255856号公報 特開2003−271095号公報 特開2004−133240号公報 特開2004−029791号公報 特開2004−093682号公報 特開2006−133542号公報
ところで、移動度補正は、駆動トランジスタのソース電位の上昇量が移動度μに応じて異なることを利用して補正を行うものである。より詳しくは、移動度μが高い駆動トランジスタのソース電位の上昇量は大きく、移動度μが低い駆動トランジスタのソース電位の上昇量は小さくなる。従って、移動度補正を行う時間を所定の時間に調整することにより、各画素の駆動トランジスタの移動度μのばらつきを補正することができる。
しかしながら、逆に言うと、各画素の回路定数が一定である場合、この移動度補正に必要な時間は、必然的に決定され、短縮することはできない。従って、1画素の駆動にかかる時間を短縮することができず、高速駆動が難しかった。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、移動度補正にかかる時間を短縮することができるようにするものである。
本発明の一側面の表示装置は、画素が行列状に複数配置されている画素アレイ部と、行方向の前記画素に共通に配線され、前記画素の行数と同数の配線数を有する電源線と、各行の前記画素に前記電源線を介して、所定の電源電位を供給する電源供給部とを備え、前記画素は、ダイオード特性を有し、駆動電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートとソースの間の電圧を設定するように接続され、所定の電位を保持する蓄積容量と、前記蓄積容量の低電位側の一端と列方向に隣接する隣接画素の前記電源線との間に接続され、所定の電位を保持する補助容量とを少なくとも有し、前記電源供給部は、前記画素の移動度補正中に、前記補助容量が接続されている前記隣接画素の前記電源線の電源電位を一時的に上昇させる。
本発明の一側面の駆動制御方法は、画素が行列状に複数配置されている画素アレイ部と、行方向の前記画素に共通に配線され、前記画素の行数と同数の配線数を有する電源線と、各行の前記画素に前記電源線を介して、所定の電源電位を供給する電源供給部とを備え、前記画素は、ダイオード特性を有し、駆動電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートとソースの間の電圧を設定するように接続され、所定の電位を保持する蓄積容量と、前記蓄積容量の低電位側の一端と列方向に隣接する隣接画素の前記電源線との間に接続され、所定の電位を保持する補助容量とを少なくとも有する表示装置の、前記電源供給部が、前記画素の移動度補正中に、前記補助容量が接続されている前記隣接画素の前記電源線の電源電位を一時的に上昇させる。
本発明の一側面においては、移動度補正中の画素の補助容量が接続されている、列方向に隣接する隣接画素の電源線の電源電位が一時的に上昇される。
本発明の一側面によれば、移動度補正にかかる時間を短縮することができる。
本発明の基本となる表示装置の構成例を示すブロック図である。 図1のELパネルの各画素の色の配列を示す図である。 図1の画素の等価回路の構成を示したブロック図である。 図1の画素の動作を説明するタイミングチャートである。 書き込み+移動度補正期間の決定方法について説明する図である。 書き込み+移動度補正期間の決定方法について説明する図である。 本発明を適用した表示装置の一実施の形態の構成例を示すブロック図である。 図7の画素の等価回路の構成を示したブロック図である。 図7の画素の動作を説明するタイミングチャートである。 本発明の効果を示す図である。
[本発明の基本となる表示装置の形態]
最初に、本発明の理解を容易にし、且つ、背景を明らかにするため、本発明の基本となる表示装置の構成と動作について図1乃至図4を参照して説明する。
図1は、本発明の基本となる表示装置の構成例を示すブロック図である。
図1の表示装置1は、例えば、テレビジョン受像機などであり、入力された映像信号に対応する映像をELパネル10に表示する。ELパネル10は、自発光素子としての有機EL(ELectro Luminescent) 素子を用いたパネルである。ELパネル10は、ソースドライバおよびゲートドライバとからなるドライバIC(Integrated Circuit)を含むパネルモジュールとして表示装置1に組み込まれている。また、表示装置1は、図示せぬ電源回路、画像LSI(Large Scale Integration)なども有している。なお、表示装置1のELパネル10は、携帯電話機、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、プリンタ等の表示部としても利用することができる。
ELパネル10は、複数の画素21を有する画素アレイ部11、水平セレクタ(HSEL)12、ライトスキャナ(WSCN)13、および電源スキャナ(DSCN)14を含むように構成されている。
画素アレイ部11には、N×M個(N,Mは相互に独立した1以上の整数値)の画素21−(1,1)乃至21−(N,M)が行列状に配置されて構成されている。なお、図1では、紙面の制約上、画素21−(1,1)乃至21−(N,M)の一部のみが示されている。
また、ELパネル10は、M本の走査線WSL−1乃至M、M本の電源線DSL−1乃至M、およびN本の映像信号線DTL−1乃至Nも有する。
なお、以下において、走査線WSL−1乃至Mそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、走査線WSLと称する。また、映像信号線DTL−1乃至Nそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、映像信号線DTLと称する。画素21−(1,1)乃至21−(N,M)および電源線DSL−1乃至Mについても同様に、画素21および電源線DSLと称する。
水平セレクタ12、ライトスキャナ13、および電源スキャナ14は、画素アレイ部11を駆動する駆動部として動作する。
画素21−(1,1)乃至21−(N,M)のうちの第1行目の画素21−(1,1)乃至21−(N,1)は、走査線WSL−1でライトスキャナ13と、電源線DSL−1で電源スキャナ14とそれぞれ接続されている。また、画素21−(1,1)乃至21−(N,M)のうちの第M行目の画素21−(1,M)乃至21−(N,M)は、走査線WSL−Mでライトスキャナ13と、電源線DSL−Mで電源スキャナ14とそれぞれ接続されている。即ち、1本の走査線WSLおよび電源線DSLは、行方向の画素21に共通に配線されている。画素21−(1,1)乃至21−(N,M)の行方向に並ぶその他の画素21についても同様の接続となっている。
また、画素21−(1,1)乃至21−(N,M)のうちの第1列目の画素21−(1,1)乃至21−(1,M)は、映像信号線DTL−1で水平セレクタ12と接続されている。画素21−(1,1)乃至21−(N,M)のうちの第N列目の画素21−(N,1)乃至21−(N,M)は、映像信号線DTL−Nで水平セレクタ12と接続されている。即ち、1本の映像信号線DTLは、列方向の画素21に共通に配線されている。画素21−(1,1)乃至21−(N,M)の列方向に並ぶその他の画素21についても同様である。
ライトスキャナ13は、走査線WSL−1乃至Mに水平周期(1F)で順次選択制御信号を供給して画素21を行単位で線順次走査する。電源スキャナ14は、線順次走査に合わせて電源線DSL−1乃至Mに第1高電位Vcc1または低電位Vss(図4)の電源電位を供給する。水平セレクタ12は、線順次走査に合わせて各水平期間内(1F)で映像信号に対応する信号電位Vsigと基準電位Vofs(図4)とを切換えて列状の映像信号線DTL−1乃至Mに供給する。
[ELパネル10の画素21の配列構成]
図2は、ELパネル10の各画素21が発光する色の配列を示している。
なお、図2では、走査線WSLおよび電源線DSLが画素21の下側から接続されている点が図1と異なる。走査線WSL、電源線DSL、および映像信号線DTLが画素21とどの側面から接続されるかは、配線レイアウトに応じて適宜変更することができる。水平セレクタ12、ライトスキャナ13、および電源スキャナ14の画素アレイ部11に対する配置についても同様に、適宜変更することができる。
画素アレイ部11の各画素21は、赤(R)、緑(G)、または青(B)のいずれかの色を発光する。そして、各色は、例えば、行方向には赤、緑、青の順となり、列方向には同一の色となるように配列されている。従って、各画素21は、いわゆる副画素(サブピクセル)に相当し、行方向(図面左右方向)に並ぶ赤、緑、および青の3つの画素21で表示単位としての1画素が構成される。なお、ELパネル10の色の配列が図2に示した配列に限定されるものではない。
[ELパネル10の画素21の詳細回路構成]
図3は、ELパネル10に含まれるN×M個の画素21のうちの1つの画素21を拡大することにより、画素21の等価回路(画素回路)の構成を示したブロック図である。
なお、図3の画素21が、画素21−(n,m)(n=1,2,・・・,N,m=1,2,・・・,M)であるとすると、走査線WSL、映像信号線DTL、および電源線DSLのそれぞれは、次のようになる。即ち、図3の走査線WSL、映像信号線DTL、および電源線DSLは、画素21−(n,m)に対応する走査線WSL−n、映像信号線DTL−n、および電源線DSL−mとなる。
図3の画素21は、サンプリング用トランジスタ31、駆動用トランジスタ32、蓄積容量33、発光素子34、および補助容量35を有する。また、図3では、発光素子34が有する容量成分も、発光素子容量34Bとして示してある。ここで、蓄積容量33、発光素子容量34B、および補助容量35の容量値は、それぞれ、Cs,Coled、およびCsubである。
サンプリング用トランジスタ31のゲートは、走査線WSLと接続され、サンプリング用トランジスタ31のドレインは、映像信号線DTLと接続される。また、サンプリング用トランジスタ31のソースは、駆動用トランジスタ32のゲートと接続されている。
駆動用トランジスタ32のソース及びドレインの一方は、発光素子34のアノードに接続され、他方が、電源線DSLに接続される。蓄積容量33は、駆動用トランジスタ32のゲートと発光素子34のアノードに接続されている。また、発光素子34のカソードは所定の電位Vcatに設定されている配線36に接続されている。この電位VcatはGNDレベルであり、従って、配線36は接地配線である。
補助容量35は、発光素子34の容量成分、即ち発光素子容量34Bを補うために設けられ、発光素子34と並列に接続されている。即ち、補助容量35の一方の電極は、発光素子34のアノード側に接続され、他方の電極は、発光素子34のカソード側と接続される。このように補助容量35を設け、所定の電位を保持させることにより、駆動用トランジスタ32の入力ゲインを向上させることができる。ここで、駆動用トランジスタ32の入力ゲインとは、図4を参照して後述する書き込み+移動度補正期間T5における駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgの上昇量に対するソース電位Vsの上昇量の比率である。
サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、いずれもNチャネル型トランジスタである。よって、サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、低温ポリシリコンよりも安価に作成できるアモルファスシリコンで作成することができる。これにより、画素回路の製造コストをより安価にすることができる。勿論、サンプリング用トランジスタ31および駆動用トランジスタ32は、低温ポリシリコンや単結晶シリコンで作成しても構わない。
発光素子34は、有機EL素子で構成される。有機EL素子はダイオード特性を有する電流発光素子である。よって、発光素子34は、供給される電流値Idsに応じた階調の発光を行う。
以上のように構成される画素21において、サンプリング用トランジスタ31が、走査線WSLからの選択制御信号に応じてオン(導通)し、映像信号線DTLを介して階調に応じた信号電位Vsigの映像信号をサンプリングする。蓄積容量33は、映像信号線DTLを介して水平セレクタ12から供給された電荷を蓄積して保持する。駆動用トランジスタ32は、第1高電位Vcc1にある電源線DSLから電流の供給を受け、蓄積容量33に保持された信号電位Vsigに応じて駆動電流Idsを発光素子34に流す(供給する)。発光素子34に所定の駆動電流Idsが流れることにより、画素21が発光する。
画素21は、閾値補正機能を有する。閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthに相当する電圧を蓄積容量33に保持させる機能である。閾値補正機能を発揮させることで、ELパネル10の画素毎のばらつきの原因となる駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthの影響をキャンセルすることができる。
また、画素21は、上述した閾値補正機能に加え、移動度補正機能も有する。移動度補正機能とは、蓄積容量33に信号電位Vsigを保持する際、駆動用トランジスタ32の移動度μに対する補正を信号電位Vsigに加える機能である。
さらに、画素21は、ブートストラップ機能も備えている。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsの変動にゲート電位Vgを連動させる機能である。ブートストラップ機能の発揮により、駆動用トランジスタ32のゲートとソース間電圧Vgsを一定に維持することが出来る。
[ELパネル10の画素21の動作の説明]
図4は、画素21の動作を説明するタイミングチャートである。
図4は、同一の時間軸(図面横方向)に対する走査線WSL、電源線DSL、および映像信号線DTLの電位変化と、それに対応する駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsの変化を示している。
図4において、時刻t1までの期間は、前の水平期間(1F)の発光がなされている発光期間T1である。
発光期間T1が終了した時刻t1から時刻t3までは、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsを初期化することで閾値電圧補正動作の準備を行う閾値補正準備期間T2である。
閾値補正準備期間T2では、時刻t1において、電源スキャナ14が、電源線DSLの電位を第1高電位Vcc1から低電位Vssに切換える。ここで、発光素子34の閾値電圧をVthelとする。このとき、低電位Vssを、Vss<Vthel+Vcatとすると、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsが低電位Vssにほぼ等しくなるために、発光素子34は逆バイアス状態となって消光する。
次に、時刻t2において、ライトスキャナ13が、走査線WSLの電位を高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ31をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgが基準電位Vofsにリセットされる。駆動用トランジスタ32のソース電位Vsは、時刻t1から時刻t2にかけて、映像信号線DTLの低電位Vssにリセットされる。
このとき、駆動用トランジスタ32のゲート−ソース間電圧Vgsは、(Vofs−Vss)となる。ここで、(Vofs−Vss)が駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthよりも大きくないと、次の閾値補正処理を行うことができない。そのため、(Vofs−Vss)>Vthの関係を満たすように、基準電位Vofsおよび低電位Vssが設定されている。
時刻t3から時刻t4までは、閾値補正動作を行う閾値補正期間T3である。閾値補正期間T3では、時刻t3において、電源スキャナ14により、電源線DSLの電位が第1高電位Vcc1に切換えられ、閾値電圧Vthに相当する電圧が、駆動用トランジスタ32のゲートとソースとの間に接続された蓄積容量33に書き込まれる。即ち、電源線DSLの電位が第1高電位Vcc1に切換えられることにより駆動用トランジスタ32のソース電位Vsが上昇し、閾値補正期間T3の時刻t4までに、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsが、閾値電圧Vthに等しくなる。
なお、閾値補正期間T3では、発光素子34がカットオフ状態となるようにカソード電位Vcatが設定されているため、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsは蓄積容量33側に流れ、発光素子34側には流れない。
時刻t4から時刻t6までの書き込み+移動度補正準備期間T4では、走査線WSLの電位が高電位から低電位に一旦切換えられる。このとき、サンプリング用トランジスタ31がオフされるため、駆動用トランジスタ32のゲートがフローティング状態となる。しかし、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsが、閾値電圧Vthに等しいため、駆動用トランジスタ32はカットオフ状態にある。従って、駆動用トランジスタ32にドレイン−ソース間電流Idsは流れない。
そして、時刻t4から時刻t6の間の時刻t5において、水平セレクタ12が、映像信号線DTLの電位を基準電位Vofsから階調に応じた信号電位Vsigに切換える。
その後、時刻t6から時刻t7までの書き込み+移動度補正期間T5において、映像信号の書き込みと移動度補正動作が同時に行われる。即ち、時刻t6から時刻t7までの間、走査線WSLの電位が高電位に設定され、これにより、階調に応じた信号電位Vsigが閾値電圧Vthに足し込まれる形で蓄積容量33に書き込まれる。また、移動度補正用の電圧ΔVaが蓄積容量33に保持された電圧から差し引かれる。
ここで、書き込み+移動度補正期間T5終了後の時刻t7における駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧VgsをVaとすると、Va=(Vsig+Vth−ΔVa)である。
書き込み+移動度補正期間T5終了後の時刻t7において、走査線WSLの電位が低電位に戻される。これにより、駆動用トランジスタ32のゲートは、映像信号線DTLから切り離されるため、フローティング状態となる。駆動用トランジスタ32のゲートがフローティング状態にあるときは、駆動用トランジスタ32のゲート−ソース間に蓄積容量33が接続されていることにより、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsの変動に連動してゲート電位Vgも変動する。このように、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgが、ソース電位Vsの変動に連動して変動する動作が、蓄積容量33によるブートストラップ動作である。
時刻t7以降、駆動用トランジスタ32のゲートがフローティング状態になり、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsが駆動電流として発光素子34に流れ始めることにより、駆動電流Idsに応じて発光素子34のアノード電位が上昇する。また、ブートストラップ動作により、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgも同様に上昇する。即ち、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Va=(Vsig+Vth−ΔVa)を一定に維持したまま、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsが上昇する。そして、発光素子34のアノード電位が(Vthel+Vcat)を超えたとき、発光素子34が発光を開始する。
書き込み+移動度補正期間T5終了後の時刻t7時点で、閾値電圧Vthと移動度μの補正が終了しているため、発光素子34の発光輝度は駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けることがない。即ち、発光素子34は、駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けずに、信号電位Vsigに応じた各画素同一の発光輝度で発光する。
そして、時刻t7から所定時間経過後の時刻t8において、映像信号線DTLの電位が、信号電位Vsigから基準電位Vofsに落とされる。
以上のようにして、ELパネル10の各画素21では、駆動用トランジスタ32の閾値電圧Vthや移動度μのばらつきの影響を受けることがなく、発光素子34を発光させることができる。従って、ELパネル10を用いた表示装置1では、高品位な画質を得ることができる。
[書き込み+移動度補正期間T5の決定方法]
ここで、図5および図6を参照して、書き込み+移動度補正期間T5の決定方法について説明する。
図5の曲線51は、書き込み+移動度補正期間T5内の経過時刻tと駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsとの関係を示している。なお、以下では、曲線51を、電流曲線51と称する。
書き込み+移動度補正期間T5では、ELパネル10は、信号電位Vsigの書き込みと移動度補正を同時に行っている。
信号電位Vsigの映像信号の書き込み動作は、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgを信号電位Vsigまで上昇させる。従って、映像信号の書き込み動作のみによる駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsは、拡大する方向に変化する。
一方、移動度補正のみによる駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsの変化は、書き込み+移動度補正期間T5の最初の時刻t16からの経過時刻tを変数とする次式(1)で表すことができる。
Figure 0005293364
式(1)において、βは、駆動用トランジスタ32に固定の係数であり、移動度μ、ゲート幅W、ゲート長L、単位面積あたりのゲート酸化膜容量Coxを用いて、次式(2)で表される。
Figure 0005293364
なお、式(1)におけるVgs(0)は、t=0としたときの駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsを表す。
従って、式(1)によれば、移動度補正動作は、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsを低下させる。
以上より、書き込み+移動度補正期間T5における駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsは、時刻taまでは、信号電位Vsigの書き込みによる上昇と、移動度補正による低下とが相殺され、全体としては緩やかに上昇する。これに対応して、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsも、電流曲線51で示されるように、時刻taまでは時刻tに応じて上昇する。
そして、信号電位Vsigの書き込みによる駆動用トランジスタ32のゲート電位Vgの上昇が終了する時刻ta以降、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsは、移動度補正によるソース電位Vsの上昇のみが作用するため、徐々に小さくなる。これに対応して、電流曲線51で示されるように、ドレイン−ソース間電流Idsも、時刻ta以降は時刻tに応じて下降する。
ここで、駆動用トランジスタ32の移動度μが異なる場合、図5の電流曲線51は、図6に示すように変化する。
即ち、図6は、駆動用トランジスタ32の移動度μの違いに応じた、電流曲線51の変化を示す図である。
電流曲線51aは、移動度μが大である駆動用トランジスタ32の電流曲線を示している。また、電流曲線51cは、移動度μが小である駆動用トランジスタ32の電流曲線を示している。電流曲線51bは、ELパネル10の各画素21の平均的な移動度μを有する駆動用トランジスタ32の電流曲線を示している。
移動度μが大である場合の電流曲線51aは、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsの上昇も下降も急峻となる。
一方、移動度μが小である場合の電流曲線51cは、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsの上昇も下降も緩やかとなる。
そして、駆動用トランジスタ32の移動度μが異なっても、書き込み+移動度補正期間T5の開始時刻から、所定時間経過後(図6では、T1時間経過後)に、電流曲線51a乃至51cが重なる点52が存在する。即ち、書き込み+移動度補正期間T5の開始時刻からT1時間経過後に、駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsが一致する点52が存在する。この駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsが一致する点52となるT1時間が、書き込み+移動度補正期間T5に決定される。これにより、各画素21を構成する駆動用トランジスタ32の移動度μにばらつきがあっても、同一の駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsで、同一の駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsを流すことができる。即ち、各画素21を構成する駆動用トランジスタ32の移動度μを補正することができる。
しかしながら、換言すれば、画素21の回路定数が一定である場合、電流曲線51a乃至51cが重なる点52までのT1時間は、変化しない。従って、1画素の駆動にかかる時間を短縮することができず、高速駆動が難しかった。
[本発明を適用した表示装置の構成]
そこで、上述した図1の表示装置1を基本として、移動度補正時間を短縮し、高速駆動を可能した表示装置について、以下に説明する。
即ち、図7は、本発明を適用した表示装置の一実施の形態を示すブロック図である。
図7の表示装置100は、図1のELパネル10を改善したELパネル101を有する表示装置である。表示装置100は、図1のELパネル10に代えて、ELパネル101が設けられている以外は、図1で説明した表示装置1と同様の構成を有する。
ELパネル101において、表示装置1と対応する部分については同一の符号を付してあり、その説明については適宜省略し、ELパネル10と異なる部分についてのみ説明する。
ELパネル101は、複数の画素121を有する画素アレイ部111、水平セレクタ12、ライトスキャナ13、および電源スキャナ114を含むように構成されている。
画素アレイ部111は、ELパネル10と同様に、N×M個の画素121−(1,1)乃至121−(N,M)が行列状に配置されて構成されている。なお、上述の例と同様に、画素121−(1,1)乃至121−(N,M)を特に区別する必要がない場合には、単に画素121と称する。
図7のELパネル101では、図8を参照して後述するが、画素121と電源スキャナ114との電源線DSLの接続が、図1のELパネル10と異なる。そのため、電源スキャナ114も、図1の電源スキャナ14とは異なる駆動を行う。
次に、画素121と電源スキャナ114との電源線DSLの接続、および、電源スキャナ114の駆動について、図8を参照して説明する。
[ELパネル101の詳細構成例]
図8は、ELパネル101の詳細な構成例を示すブロック図である。
図8では、ELパネル101に含まれるN×M個の画素121のうち、列方向に並ぶ2つの画素121の等価回路であって、画素121−(N,M−1)と画素121−(N,M)の構成を示している。なお、図示しないその他の画素121も、この画素121−(N,M−1)と画素121−(N,M)と同様の構成を有している。
画素121−(N,M)は、サンプリング用トランジスタ31、駆動用トランジスタ32、蓄積容量33、発光素子34、発光素子容量34B、および補助容量35Aを有している。
画素121−(N,M)の線順次走査の順番で前段(1行前)の画素121−(N,M−1)も、サンプリング用トランジスタ31、駆動用トランジスタ32、蓄積容量33、発光素子34、発光素子容量34B、および補助容量35Aを有している。
従って、ELパネル101の画素121の構成要素自体は、図3を参照して説明したELパネル10の画素21と同様である。ただし、補助容量35Aの一方の電極の接続先が図3を参照して説明したELパネル10の画素21とは異なる。
即ち、画素21では、同じ画素内のカソード側と接続されていた補助容量35Aの一方の電極が、画素121−(N,M)では、その前段の画素121−(N,M−1)の電源線DSL−(M−1)と接続されている。画素121−(N,M−1)の補助容量35Aも同様に、発光素子34のアノードと接続されている側と反対の電極は、図示せぬ画素121−(N,M−2)の電源線DSL−(M−2)と接続されている。
電源スキャナ114は、画素121−(N,M)の水平期間(1F)に、電源線DSL−Mの電源電位だけでなく、補助容量35Aの一方の電極が接続されている画素121−(N,M−1)の電源線DSL−(M−1)の電源電位も、所定期間、変更する。また、電源スキャナ114は、画素121−(N,M−1)の水平期間に、電源線DSL−(M−1)の電源電位だけでなく、画素121−(N,M−2)の電源線DSL−(M−2)の電源電位も、所定期間、変更する。
[ELパネル101の画素121の動作の説明]
図8に示した2つの画素121−(N,M−1)と画素121−(N,M)のうちの画素121−(N,M)を例に、画素121の動作について、図9を参照して説明する。
図9では、図4と同様の、画素121−(N,M)と接続された走査線WSL−M、電源線DSL−M、および映像信号線DTL−M、並びに、駆動用トランジスタ32のゲート電位Vg及びソース電位Vsに加えて、電源線DSL−(M−1)の電位も示している。
時刻t11から時刻t16まで動作は、図4の時刻t1から時刻t6まで動作と同様であるので、その説明は省略する。
書き込み+移動度補正期間T5として、時刻t16において、ライトスキャナ13が、走査線WSL−Mの電位を高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ31をオンさせる。これにより、映像信号の書き込みと移動度補正が同時に開始される。即ち、階調に対応する信号電位Vsigが閾値電圧Vthに足し込まれる形で蓄積容量33に書き込まれる。また、移動度補正用の電圧△Vが蓄積容量33に保持された電圧から差し引かれる。
同時に開始された映像信号の書き込みと移動度補正のうち、映像信号の書き込みが終了したとき以降の時刻t17において、電源スキャナ14が、電源線DSL−(M−1)の電位を、第1高電位Vcc1から△Vdsだけ高い第2高電位Vcc2に設定する(上昇させる)。
電源線DSL−(M−1)の電位が、第1高電位Vcc1より△Vdsだけ高い第2高電位Vcc2に設定されると、電源線DSL−(M−1)に接続されている補助容量35に電荷が蓄積され、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsが上昇する。これにより、移動度補正動作による駆動用トランジスタ32のソース電位Vsの上昇が、補助容量35によってアシストされる。
駆動用トランジスタ32のソース電位Vsの上昇が補助容量35によってアシストされた結果、駆動用トランジスタ32のゲート‐ソース間電圧Vgsが、図4と同じVa=(Vsig+Vth−ΔVa)となるまでの時間が短縮される。
即ち、時刻t17において電源線DSL−(M−1)の電位を第2高電位Vcc2に設定することにより、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsが△V2だけ上昇したとする。そして、図1のELパネル10における駆動制御では、駆動用トランジスタ32のソース電位Vsが△V2だけ上昇するのに△Tx時間かかっていたとすれば、この△Tx時間だけ、書き込み+移動度補正期間T5を短縮することができる。
その後、時刻t17から△T時間経過後の時刻t18において、電源スキャナ14が、電源線DSL−(M−1)の電位を、再び第1高電位Vcc1に戻す。
移動度補正終了後の時刻t18以降の動作は、図4の時刻t7以降の動作と同様である。
[電源線DSL−(M−1)の電位を△Vds上昇させた効果]
図10は、書き込み+移動度補正期間T5に、電源線DSL−(M−1)の電位を第1高電位Vcc1より△Vdsだけ高い第2高電位Vcc2に設定した際の効果を示す図である。
ELパネル101においては、書き込み+移動度補正期間T5内の経過時刻tと駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsとの関係は、駆動用トランジスタ32の移動度μの違いに応じて、電流曲線61a乃至61cのようになる。
電流曲線61aが移動度大である場合、電流曲線61cが移動度小である場合の電流曲線を示していることは、図6と同様である。
電流曲線61a乃至61cでは、時刻ta以降の曲線の傾きが電流曲線51より急峻となっている。即ち、補助容量35のアシストにより、信号電位Vsigの書き込み終了時以降の駆動用トランジスタ32のドレイン−ソース間電流Idsの減少率が、大きくなっている。
そして、書き込み+移動度補正期間T5の開始時刻から、曲線61a乃至61cが重なる点62までのT2時間は、表示装置1のELパネル10におけるT1時間よりも△Txだけ短縮されている。この曲線61a乃至61cが重なる点62までのT2時間が、上述したように書き込み+移動度補正期間T5に設定されるから、ELパネル101における書き込み+移動度補正期間T5は、ELパネル10における書き込み+移動度補正期間T5よりも短くなる。
即ち、表示装置100のELパネル101によれば、移動度補正にかかる時間を短縮することができる。また、移動度補正にかかる時間を短縮することにより、高速駆動が可能となる。
本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
上述した例では、画素121の補助容量35Aの一方の電極が、同列で前段の画素121の電源線DSLと接続されるようになされていたが、同列で後段(線順次走査の順番で1行後)の画素121の電源線DSLと接続されるようにしてよもよい。即ち、補助容量35Aの、発光素子34のアノードと接続されている側と反対の電極は、列方向に隣接する画素121の電源線DSLと接続されればよい。
また、画素121は、図8に示したように、2個のトランジスタと2個のキャパシタからなる画素回路(以下、2Tr/2C画素回路と称する)で構成されていたが、その他の回路構成を採用することもできる。
その他の画素121の回路構成として、例えば、次のような回路構成を採用できる。即ち、2Tr/2C画素回路に、第1乃至第3のトランジスタを加えた、5個のトランジスタと2個のキャパシタの構成(以下、5Tr/2C画素回路とも称する)を採用することもできる。5Tr/2C画素回路を採用した画素121では、水平セレクタ12から映像信号線DTLを介してサンプリング用トランジスタ31に供給される信号電位がVsig固定となる。その結果、サンプリング用トランジスタ31は駆動用トランジスタ32への信号電位Vsigの供給をスイッチングする機能としてのみ動作する。また、電源線DSLを介して駆動用トランジスタ32に供給される電位が、第1高電位Vcc1と第2高電位Vcc2となる。そして、追加された第1のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への第1高電位Vcc1の供給をスイッチングする。第2のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への低電位Vssの供給をスイッチングする。また、第3のトランジスタは、駆動用トランジスタ32への基準電位Vofsの供給をスイッチングする。
また、その他の画素121の回路構成としては、2Tr/2C画素回路と5Tr/2C画素回路の中間的な回路構成を採用することもできる。即ち、4個のトランジスタと2個のキャパシタからなる構成(4Tr/2C画素回路)や、3個のトランジスタと1個のキャパシタからなる構成(3Tr/2C画素回路)を採用することもできる。4Tr/2C画素回路としては、例えば、5Tr/2C画素回路の第3のトランジスタを省略し、水平セレクタ12からサンプリング用トランジスタ31に供給する信号電位をVsigとVofsでパルス化するなどの構成を取ることができる。
31 サンプリング用トランジスタ, 32 駆動用トランジスタ, 33 蓄積容量, 34 発光素子, 35A 補助容量,100 表示装置, 101 ELパネル, 111 画素アレイ部, 114,114A 電源スキャナ, 121−(1,1)乃至121−(N,M) 画素, DSL−1乃至M 電源線

Claims (5)

  1. 画素が行列状に複数配置されている画素アレイ部と、
    行方向の前記画素に共通に配線され、前記画素の行数と同数の配線数を有する電源線と、
    各行の前記画素に前記電源線を介して、所定の電源電位を供給する電源供給部と
    を備え、
    前記画素は、
    ダイオード特性を有し、駆動電流に応じて発光する発光素子と、
    映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、
    前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動用トランジスタと、
    前記駆動用トランジスタのゲートとソースの間の電圧を設定するように接続され、所定の電位を保持する蓄積容量と、
    前記蓄積容量の低電位側の一端と列方向に隣接する隣接画素の前記電源線との間に接続され、所定の電位を保持する補助容量と
    を少なくとも有し、
    前記電源供給部は、前記画素の移動度補正中に、前記補助容量が接続されている前記隣接画素の前記電源線の電源電位を一時的に上昇させる
    表示装置。
  2. 前記電源供給部は、前記蓄積容量への映像信号の信号電位の書き込み動作と、移動度補正動作を同時に開始する
    請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記電源供給部は、前記蓄積容量への映像信号の信号電位の書き込み終了後の移動度補正中に、前記補助容量が接続されている前記隣接画素の前記電源線の電源電位を一時的に上昇させる
    請求項2に記載の表示装置。
  4. 列方向に隣接する隣接画素は、線順次走査の順番で前段の前記画素である
    請求項3に記載の表示装置。
  5. 画素が行列状に複数配置されている画素アレイ部と、行方向の前記画素に共通に配線され、前記画素の行数と同数の配線数を有する電源線と、各行の前記画素に前記電源線を介して、所定の電源電位を供給する電源供給部とを備え、前記画素は、ダイオード特性を有し、駆動電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記駆動電流を前記発光素子に供給する駆動用トランジスタと、前記駆動用トランジスタのゲートとソースの間の電圧を設定するように接続され、所定の電位を保持する蓄積容量と、前記蓄積容量の低電位側の一端と列方向に隣接する隣接画素の前記電源線との間に接続され、所定の電位を保持する補助容量とを少なくとも有する表示装置の、
    前記電源供給部が、前記画素の移動度補正中に、前記補助容量が接続されている前記隣接画素の前記電源線の電源電位を一時的に上昇させる
    駆動制御方法。
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