CN101866618A - 显示装置和驱动控制方法 - Google Patents

Abstract

在此公开了显示装置和驱动控制方法。所述显示装置包括：像素阵列部分，其包括以行和列布置的多个像素；与像素的行数相等数量的电源线，每一条所述电源线公共地布线于行方向上并列的那些所述像素；以及电源提供部分，其适配于通过电源线将预定电源电位提供到各行中的像素。

Description

显示装置和驱动控制方法

技术领域

本发明涉及显示装置和驱动控制方法，更具体地，涉及执行迁移率校正的显示装置和驱动控制方法。

背景技术

近些年来，已经并且正积极地开发将有机电致发光(EL)元件用作发光元件的平面自发光型面板。有机EL元件具有二极管特性并利用了这样的现象：如果将电场施加给有机薄膜，那么有机薄膜发光。由于有机EL元件是功耗低(因为其受到小于或等于10V的施加电压的驱动)且自身发光的自发光元件，因此有机EL元件具有不需要照明组件且重量和厚度容易降低的特性。进一步，由于有机EL元件的响应速度为大约几μs那么高，因此EL元件具有不会出现动态图像显示时的余像(after-image)的优点。

在各种EL面板之中，正积极地开发如下这样的有源矩阵型面板：在该面板中，在每一个像素中以集成状态形成作为驱动元件的薄膜晶体管(TFT)。例如，在日本专利特开No.2003-255856、2003-271095、2004-133240、2004-029791和2004-093682中公开了有源矩阵EL面板。

顺便提及，众所周知的是：有机EL元件的电流-电压特性(即，I-V特性)随着时间经过而恶化，或换言之，经受依赖于时间的恶化。尤其是将N沟道TFT用作用于电流驱动有机EL元件的驱动晶体管的像素电路中，如果有机EL元件的I-V特性经受依赖于时间的恶化，那么驱动晶体管的栅源电压Vgs变化。由于驱动晶体管的源极电极侧与有机EL元件连接，因此有机EL元件的发光亮度根据驱动晶体管的栅源电压Vgs的变化而变化。

更具体地对其进行描述。在有机EL元件与驱动晶体管的源极电极侧连接的情况下，驱动晶体管的源极电位依赖于驱动晶体管和有机EL元件的工作点。然后，如果有机EL元件的I-V特性恶化，那么由于驱动晶体管和有机EL元件的工作点变化，因此即使将相同电压施加到驱动晶体管的栅极电极，驱动晶体管的源极电位也会变化。这使得驱动晶体管的栅源电压Vgs变化，从而流入驱动晶体管的电流的值变化。结果，流入有机EL元件的电流的值也变化，从而有机EL元件的发光亮度变化。

进一步，尤其在使用多晶TFT的像素电路中，除了有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化之外，驱动晶体管的晶体管特性也随着时间经过而变化，或者晶体管特性由于制造工艺的漂移而在不同像素当中不一致。具体地，各个像素指示驱动晶体管的晶体管特性的漂移。晶体管特性可以是驱动晶体管的阈值电压Vth、形成驱动晶体管的沟道的半导体薄膜的迁移率μ等。注意，在下文中，将如上所述的这种迁移率μ简称为“驱动晶体管的迁移率μ”。

如果驱动晶体管的晶体管特性在不同像素之中不一致，那么在各个像素之中出现流入驱动晶体管的电流的值的漂移。因此，即使在各像素之中将相等的电压施加到驱动晶体管的栅极电极，在各像素之中仍出现有机EL元件的发光亮度的漂移。结果，屏幕图像的均匀性丢失或恶化。

因此，已经提出了如下这样的像素电路：其配备有各种校正或补偿功能以便保持有机EL元件的发光亮度固定，而不受到有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化、驱动晶体管的晶体管特性的依赖于时间的变化等影响。例如，日本专利特开No.2006-133542中公开了所述类型的像素电路。

校正功能可以是对于有机EL元件的特性变化的补偿功能、防止驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的校正功能、防止驱动晶体管的迁移率μ的变化的校正功能或类似的功能。在下面的描述中，防止驱动晶体管的阈值电压Vth的变化的校正被称为“阈值校正”，防止驱动晶体管的迁移率μ的变化的校正被称为“迁移率校正”。

在以这种方式向每一个像素电路提供各种校正功能的情况下，可以将有机EL元件的发光亮度保持固定，而不受到有机EL元件的I-V特性的依赖于时间的恶化或驱动晶体管的晶体管特性的依赖于时间的变化的影响。结果，可以提高显示装置的显示质量。

发明内容

顺便提及，利用如下事实来执行迁移率校正：驱动晶体管的源极电位的升高量依赖于迁移率μ而变化。更具体地，具有高迁移率μ的驱动晶体管的源极电位的升高量大，而具有低迁移率μ的另一驱动晶体管的源极电位的升高量小。于是，通过将执行迁移率校正的时间段调整到预定时间段，可以补偿各个像素中驱动晶体管的迁移率μ的漂移。

然而，反过来讲，在每一个像素的电路常数固定的情况下，不可避免地确定迁移率校正所需的时间段，并且不能缩短该时间段。于是，不能减小驱动一个像素所需的时间段，并且高速驱动是困难的。

因此，期望提供可以减小迁移率校正所需时间段的显示装置和驱动控制方法。

根据本发明的实施例，提供了一种显示装置，包括：像素阵列部分，其包括以行和列布置的多个像素；与像素的行数相等数量的电源线，每一条所述电源线公共地布线于行方向上并列的那些所述像素；以及电源提供部分，其适配于通过所述电源线将预定电源电位提供到各行中的所述像素；每一个所述像素包括：发光元件，其具有二极管特性，并且适配于响应于驱动电流而发光；采样晶体管，其适配于对图像信号进行采样；驱动晶体管，其适配于将驱动电流提供到所述发光元件；累积电容器，其连接在所述发光元件的阳极与所述驱动晶体管的栅极之间，并且适配于保持预定电位；以及辅助电容器，其连接在所述发光元件的阳极与位于该像素在列方向上相邻的相邻像素的电源线之间，并且适配于保持预定电位；在像素的迁移率校正期间，所述电源提供部分暂时地将与所述辅助电容器连接的、相邻像素的电源线的电源电位升高。

根据本发明的另一实施例，提供了一种用于显示装置的驱动控制方法，所述显示装置包括：像素阵列部分，其包括以行和列布置的多个像素；与像素的行数相等数量的电源线，每一条所述电源线公共地布线于行方向上并列的那些所述像素；以及电源提供部分，其适配于通过所述电源线将预定电源电位提供到各行上的各像素，并且其中，每一个所述像素包括：发光元件，其具有二极管特性，并且适配于响应于驱动电流而发光；采样晶体管，其适配于对图像信号进行采样；驱动晶体管，其适配于将驱动电流提供到所述发光元件；累积电容器，其连接在所述发光元件的阳极与所述驱动晶体管的栅极之间，并且适配于保持预定电位；以及辅助电容器，其连接在所述发光元件的阳极与位于该像素在列方向上相邻的相邻像素的电源线之间，并且适配于保持预定电位，所述驱动控制方法包括电源提供部分所执行的步骤：在像素的迁移率校正期间，暂时地将与所述辅助电容器连接的、相邻像素的电源线的电源电位升高。

在所述显示装置和用于所述显示装置的驱动控制方法中，暂时地提高与像素的辅助电容器连接的、位于在迁移率校正期间与该像素在列方向上相邻的相邻像素的电源线的电源电位。

利用所述显示装置和用于所述显示装置的驱动控制方法，可以减小迁移率校正所需的时间。

附图说明

图1是示出本发明所基于的显示装置的配置的示例的框图；

图2是图示图1所示EL面板的像素的颜色阵列的框图；

图3是示出图1所示像素的等效电路的配置的框图；

图4是图示图1所示像素的操作的时序图；

图5和图6是图示写+迁移率校正时段的确定方法的曲线图；

图7是示出应用了本发明的显示装置的配置的示例的框图；

图8是示出图7所示像素的等效电路的配置的框图；

图9是图示图7所示像素的操作的时序图；以及

图10是图示本发明的效果的曲线图。

具体实施方式

[本发明所基于的显示装置的模式]

首先，为了便于本发明的理解并使得本发明的背景技术清楚，参照图1到图4描述本发明所基于的显示装置的配置和操作。

图1示出本发明所基于的显示装置的配置的示例。

参照图1，所示的显示装置1例如是电视接收机，其在EL面板10上显示与输入到其的图像信号对应的图像。EL面板10使用有机EL(electroluminescence，电致发光)元件作为自发光元件。EL面板10作为包括驱动器IC(integrated circuit，集成电路)(其包括源极驱动器和栅极驱动器)的面板模块而并入在显示装置1中。显示装置1进一步包括电源电路、图像LSI(Large Scale Integration，大规模集成)等(未示出)。注意，也可以利用显示装置1的EL面板10作为便携式电视机、数码相机、数码摄像机、打印机等的显示部分。

EL面板10包括具有多个像素21的像素阵列部分11、水平选择器(HSEL)12、写扫描器(WSCN)13和电源扫描器(DSCN)14。

在像素阵列部分11中，以阵列方式布置N×M(N和M是高于1且彼此独立的整数值)个像素21-(1，1)～21-(N，M)。注意，由于图示的限制，图1中仅示出了像素21-(1，1)～21-(N，M)中的一些。

EL面板10进一步包括M条扫描线WSL-1～WSL-M、M条电源线DSL-1～DSL-M以及N条图像信号线DTL-1～DTL-N。

注意，在下面的描述中，在无需具体区分扫描线WSL-1～WSL-M的情况下，将其均简称为扫描线WSL。进一步，在无需具体区分图像信号线DTL-1～DTL-N的情况下，将其均简称为图像信号线DTL。进一步，在无需具体区分像素21-(1，1)～21-(N，M)和电源线DSL-1～DSL-M的情况下，分别将其均简称为像素21和电源线DSL。

水平选择器12、写扫描器13和电源扫描器14作为用于驱动像素阵列部分11的驱动部分而工作。

通过扫描线WSL-1和电源线DSL-1，分别将像素21-(1，1)～21-(N，M)之中第一行的像素21-(1，1)～21-(N，1)连接至写扫描器13和电源扫描器14。进一步，通过扫描线WSL-M和电源线DSL-M，分别将像素21-(1，1)～21-(N，M)之中第M行的像素21-(1，M)～21-(N，M)连接至写扫描器13和电源扫描器14。具体地，一条扫描线WSL和一条电源线DSL公共布线至行方向上所并列的各像素。此外，像素21-(1，1)～21-(N，M)中行方向上所并列的其他像素21以类似的连接方案连接。

进一步，通过图像信号线DTL-1将像素21-(1，1)～21-(N，M)之中第一列的像素21-(1，1)～21-(1，M)与水平选择器12连接。通过图像信号线DTL-N将像素21-(1，1)～21-(N，M)之中第N列的像素21-(N，1)～21-(N，M)与水平选择器12连接。具体地，一条图像信号线DTL公共布线到列方向上所并列的各像素。此外，像素21-(1，1)～21-(N，M)中列方向上所并列的其他像素21以类似的连接方案连接。

写扫描器13在水平时段(1F)中将序列控制信号提供到扫描线WSL-1～WSL-M，以便以行为单位线顺序地扫描像素21。与线顺序扫描同步地，电源扫描器14将第一高电位Vcc1或低电位Vss(图4所示)的电源电位提供到电源线DSL-1～DSL-M。水平选择器12与线顺序扫描同步地，在每一个水平时段(1F)内，将与图像信号对应的信号电位Vsig和基准电位Vofs(图4所示)可切换地提供到图像信号线DTL-1～DTL-M。

[EL面板10的像素21的阵列配置]

图2示出发射自EL面板10的像素21的光的颜色的阵列。

注意，图2与图1的不同之处在于：从下侧示出与像素21连接的扫描线WSL和电源线DSL。将扫描线WSL、电源线DSL和图像信号线DTL与像素21的哪一侧连接可以根据布线版图而适当地改变。类似地，也可以适当地改变水平选择器12、写扫描器13和电源扫描器14相对于像素阵列部分11的排列。

像素阵列部分11的每一个像素21均发射红(R)、绿(G)和蓝(B)这些原色中的一种原色的光。排列颜色以便(例如)在行方向上依次排列红、绿和蓝，但在列方向上，在同一列中出现同样的颜色。于是，像素21与所谓的子像素对应，并且由行方向上(即，在图2中向左和向右的方向上)所并列的红、绿和蓝的三个像素21形成作为显示单元的一个像素。注意，EL面板10的颜色阵列不限于图2所示的特定阵列。

[EL面板10的像素21的详细电路配置]

图3示出EL面板10中所包括的N×M个像素21之一的像素电路的等效电路的配置。

注意，如果图3所示的像素21是像素21-(n，m)(n＝1，2，...，N，且m＝1，2，...，M)，那么扫描线WSL、图像信号线DTL和电源线DSL为如下的那样。具体地，扫描线WSL、图像信号线DTL和电源线DSL分别是与像素21-(n，m)对应的扫描线WSL-n、图像信号线DTL-n和电源线DSL-m。

图3所示的像素21包括采样晶体管31、驱动晶体管32、累积电容器33、发光元件34和辅助电容器35。进一步，在图3中，还示出了发光元件34具有的电容组件作为发光元件电容器34B。这里，累积电容器33、发光元件电容器34B和辅助电容器35分别具有电容值Cs、Coled和Csub。

采样晶体管31在其栅极与扫描线WSL连接，并且在其漏极与图像信号线DTL连接。进一步，采样晶体管31在其源极与驱动晶体管32的栅极连接。

驱动晶体管32在其源极和漏极之一与发光元件34的阳极连接，并且在其源极和漏极中的另一个与电源线DSL连接。累积电容器33连接在驱动晶体管32的栅极与发光元件34的阳极之间。进一步，发光元件34在其阴极与设置到预定电位Vcat的布线36连接。电位Vcat是参考地(GND)电平，于是，布线36是参考地线。

辅助电容器35被提供用于补充发光元件34的电容组件(即，发光元件电容器34B)，并且其与发光元件34并联连接。具体地，辅助电容器35在其电极之一与发光元件34的阳极侧连接，并且在其另一个电极与发光元件34的阴极侧连接。在辅助电容器35以这种方式被提供并保持预定电位的情况下，可以提高驱动晶体管32的输入增益。这里，驱动晶体管32的输入增益是在下文中参照图4所述的写+迁移率校正时段T₅内，驱动晶体管32的源极电位Vs的升高量相对于栅极电位Vg的升高量之比。

采样晶体管31和驱动晶体管32是N沟道晶体管。因此，可以由非晶硅(其可以以比低温多晶硅更低的成本来生产)形成采样晶体管31和驱动晶体管32。从而，可以以降低的成本生产像素电路。自然地，采样晶体管31和驱动晶体管32可以另外由低温多晶硅或单晶硅形成。

发光元件34由有机EL元件形成。有机EL元件是具有二极管特性的电流驱动发光元件。因此，发光元件34发射依赖于向其提供的电流值Ids的灰度级(gradation)的光。

在以如上所述这种方式配置的像素21中，响应于来自扫描线WSL的选择控制信号将采样晶体管31开启或使其导通，并且采样晶体管31通过图像信号线DTL对相应于灰度级的信号电位Vsig的图像信号进行采样。累积电容器33累积并保持通过图像信号线DTL从水平选择器12向其提供的电荷。向驱动晶体管32提供来自具有第一高电位Vcc1的电源线DSL的电流，并且驱动晶体管32响应于累积电容器33中所保持的信号电位Vsig而将驱动电流Ids提供到发光元件34。预定的驱动电流Ids流入发光元件34，并且像素21发光。

像素21具有阈值校正功能。阈值校正功能是使得累积电容器33保持驱动晶体管32的阈值电压Vth所对应的电压的功能。在呈现阈值校正功能的情况下，可以消除对于EL面板10的每一个像素引起漂移的、驱动晶体管32的阈值电压Vth的影响。

除了上述阈值校正功能之外，像素21还具有迁移率校正功能。迁移率校正功能是当在累积电容器33中保持信号电位Vsig时对驱动晶体管32的迁移率μ应用校正的功能。

此外，像素21具有自举功能。自举功能是使得驱动晶体管32的栅极电位Vg与源极电位Vs的变化互锁的功能。在呈现自举功能的情况下，驱动晶体管32的栅极和源极之间的电压Vgs可以保持固定。

[EL面板10的像素21的操作]

图4图示了像素21的操作。

具体地，图4图示了扫描线WSL、电源线DSL和图像信号线DTL相对于同一时间轴(其在图4的水平方向上延伸)的电压变化以及驱动晶体管32的栅极电位Vg和源极电位Vs的对应变化。

参照图4，直至时间t₁的时段是持续前一水平时段(1H)中的发光的发光时段T₁。

从发光时段T₁结束的时间t₁到时间t₂的时段是阈值校正准备时段T₃，在该阈值校正准备时段T₃内，将驱动晶体管32的栅极电位Vg和源极电位Vs初始化，以便为阈值电压校正操作做准备。

在阈值电压校正操作时段T₂内，在时间t₁，电源扫描器14将电源线DSL的电位从第一高电位Vcc1切换为低电位Vss。这里，用Vthel表示发光元件34的阈值电压。此时，如果设置低电位Vss以便满足Vss＜Vthel+Vcat，那么由于驱动晶体管32的源极电位Vs变为基本上等于低电位Vss，因此发光元件34被置于反向偏置状态，并且停止发光。

然后在时间t₂，写扫描器13将扫描线WSL的电位切换到高电位以导通采样晶体管31。从而，将驱动晶体管32的栅极电位Vg复位到基准电位Vofs。在从时间t₁到时间t₂的时间段上，将驱动晶体管32的源极电位Vs复位到图像信号线DTL的低电位Vss。

此时，驱动晶体管32的栅源电压Vgs变为Vofs-Vss。这里，如果Vofs-Vss不大于驱动晶体管32的阈值电压Vth，那么不能执行下一阈值校正处理。因此，将基准电位Vofs和低电位Vss设置为满足关系Vofs-Vss＞Vth。

从时间t₃到时间t₄的时段是执行阈值校正操作的阈值校正时段T₃。在阈值校正时段T₃内，在时间t3，电源扫描器14将电源线DSL的电位切换到第一高电位Vcc1，并且将对应于阈值电压Vth的电压写入到连接在驱动晶体管32的栅极和源极之间的累积电容器33。具体地，在阈值校正时段T₃内的时间t₄之前，随着电源线DSL的电位切换到第一高电位Vcc1，驱动晶体管32的源极电位Vs升高，并且驱动晶体管32的栅源电压Vgs变为等于阈值电压Vth。

注意，由于设置电位Vcat使得在阈值校正时段T₃内将发光元件34置入截止状态，因此驱动晶体管32的漏源电流Ids流向累积电容器33侧，而不流向发光元件34侧。

在从时间t₄到时间t₆的写+迁移率校正准备时段T₄内，扫描线WSL的电位从高电位切换到低电位。此时，由于采样晶体管31截止，因此将驱动晶体管32的栅极置入浮空状态。然而，由于驱动晶体管32的栅源电压Vgs等于阈值电压Vth，因此驱动晶体管32处于截止状态。于是，漏源电流Ids不流向驱动晶体管32。

然后，在时间t₄之后时间t₆之前的时间t₅，水平选择器12将图像信号线DTL的电位从基准电位Vofs切换到对应于灰度级的信号电位Vsig。

其后，在从时间t₆到时间t₇的写+迁移率校正时段T₅内，同时执行图像信号的写入和迁移率校正操作。具体地，在从时间t₆到时间t₇的时段内，将扫描线WSL的电位设置到高电位。从而，将对应于灰度级的信号电位Vsig以添加到阈值电压Vth的形式写入累积电容器33。进一步，从累积电容器33中所保持的电压中减去用于迁移率校正的电压ΔVa。

这里，关于写+迁移率校正时段T₅之后的时间t₇的作为Va的驱动晶体管32的栅源电压Vgs，Va最终为Vsig+Vth-ΔVa。

在写+迁移率校正时段T₅结束之后的时间t₇，扫描线WSL的电位变回低电位。从而，驱动晶体管32的栅极与图像信号线DTL断开，从而置入浮空状态。当驱动晶体管32的栅极处于浮空状态时，由于累积电容器33连接在驱动晶体管32的栅极与源极之间，因此栅极电位Vg也以与驱动晶体管32的源极电位Vs的变化互锁的关系而变化。以与源极电位Vs的变化互锁的关系而变化的驱动晶体管32的栅极电位Vg的操作是累积电容器33的自举操作。

在时间t₇之后，随着将驱动晶体管32的栅极置入浮空状态并且驱动晶体管32的漏源电流Ids开始作为驱动电流而流向发光元件34，发光元件34的阳极电位响应于驱动电流Ids而升高。此外，驱动晶体管32的栅极电位Vg由于自举操作而类似地升高。具体地，在驱动晶体管的栅源电压Va(其等于Vsig+Vth-ΔVa)保持固定的同时，驱动晶体管32的栅极电位Vg和源极电位Vs升高。然后，当发光元件34的阳极电位超过Vthel+Vcat时，发光元件34开始发光。

在写+迁移率校正时段T₅结束之后的时间点t₇，已经完成阈值电压Vth和迁移率μ的校正，因此，要从发光元件34发射的光的亮度不受驱动晶体管32的阈值电压Vth或迁移率μ的漂移的影响。具体地，发光元件34响应于信号电位Vsig以各像素之中相等的光亮度发光，而不受驱动晶体管32的阈值电压Vth或迁移率μ的漂移的影响。

然后，在时间t₇之后经过预定时间段之后的时间t₈，图像信号线DTL的电位从信号电位Vsig下降到基准电位Vofs。

在EL面板10的每一个像素21中，可以以如上所述的那样的方式驱动发光元件34以发光而不受驱动晶体管32的阈值电压Vth或迁移率μ的影响。于是，通过使用EL面板10的显示装置1，可以获得高质量的显示图像。

[写+迁移率校正时段T₅的确定方法]

这里，参照图5和图6描述写+迁移率校正时段T₅的确定方法。

图5示出如下的曲线51：该曲线51指示写+迁移率校正时段T₅内的经过时间t与驱动晶体管32的漏源电流Ids之间的关系。注意，在下文中将曲线51称为电流曲线51。

在写+迁移率校正时段T₅内，EL面板10同时执行信号电位Vsig的写入和迁移率校正。

信号电位Vsig的图像信号的写入操作将驱动晶体管32的栅极电位Vg升高到信号电位Vsig。于是，图像信号写入操作的驱动晶体管32的栅源电压Vgs以增大的方向变化。

另一方面，可以通过使用自从写+迁移率校正时段T₅开始的时间t₁₆起的经过时间t作为变量的下列表达式(1)表示驱动晶体管32的栅源电压Vgs仅由于迁移率校正的变化。

$\mathrm{Vgs}\left(t\right)=\mathrm{Vth}+\frac{1}{\frac{1}{\mathrm{Vgs}\left(0\right)-\mathrm{Vth}}+\frac{\mathrm{\β}\·t}{2\mathrm{Cs}}}...\left(1\right)$

其中，β是关于驱动晶体管32固定的常数，并且通过使用迁移率μ、栅宽W、栅长L和每单位面积的栅氧薄膜电容Cox的下列表达式(2)表示：

$\mathrm{\β}=\frac{W}{L}\·\mathrm{\μ}\·\mathrm{Cox}...\left(2\right)$

注意，以上表达式(1)中的Vgs(0)表示驱动晶体管32在经过时间t为t＝0的情况下的栅源电压Vgs。

于是，根据表达式(1)，迁移率校正操作降低了驱动晶体管32的栅源电压Vgs。

于是，驱动晶体管32在写+迁移率校正时段T₅内的栅源电压Vgs总体上逐渐升高直到时间t_a，这是因为其由于信号电位Vsig的写入的升高和其由于迁移率校正的下降在某种程度上互相抵消。在对应关系中，如电流曲线51所示，驱动晶体管32的漏源电流Ids也响应于直到时间t_a为止的时间t而升高。

然后，在驱动晶体管32的栅极电位Vg由于信号电位Vsig写入的升高结束的时间t_a之后，因为仅有栅源电压Vgs由于迁移率校正的升高起作用，因而驱动晶体管32的栅源电压Vgs逐渐降低。在对应关系中，如电流曲线51所示，漏源电流Ids也响应于时间t_a之后的时间t而降低。

这里，在驱动晶体管32的迁移率μ不同的情况下，如图6中所看到的那样，图5的电流曲线51是不同的。

具体地，图6图示电流曲线51响应于驱动晶体管32的不同迁移率μ的变化。

电流曲线51a表示驱动晶体管32在迁移率μ较高的情况下的电流曲线。另一条电流曲线51c表示驱动晶体管32在迁移率μ较低的情况下的电流曲线。再一条电流曲线51b指示具有EL面板10的各像素21之中的平均迁移率μ的驱动晶体管32的电流曲线。

在迁移率μ较高的电流曲线51a中，不仅漏源电流Ids的升高而且其降低都呈现了陡峭的坡度。

另一方面，在迁移率μ较低的电流曲线51c中，不仅驱动晶体管32的漏源电流Ids的升高而且其降低都呈现了缓和的坡度。

然后，即使驱动晶体管32的迁移率μ不同，在写+迁移率校正时段T₅开始的时间点后经过预定时间段之后(在图6中，经过时间段T₁之后)的时间点处，也存在着电流曲线51a～51c彼此重叠的点52。换言之，在写+迁移率校正时段T₅开始的时间点后经过时间段T₁之后的点52，驱动晶体管32的漏源电流Ids呈现一致性。提供驱动晶体管32的漏源电流Ids呈现一致性的点52的时间段T₁被确定为写+迁移率校正时段T₅。从而，即使驱动晶体管32的迁移率μ在各像素21之间具有漂移，也可以提供相等的驱动晶体管32的漏源电流Ids。换言之，可以校正组成每一个像素21的驱动晶体管32的迁移率μ。

然而，换言之，在像素21的电路常数固定的情况下，直至电流曲线51a～51c彼此重叠的点52的时间段T₁不变化。于是，不能减小用于驱动一个像素的时间，这使得难以实现高速驱动。

[应用了本发明实施例的显示装置的配置]

基于图1所示的上述显示装置，在下文中，针对实现缩短迁移率校正时间段与高速驱动的显示装置进行描述。

图7图示根据本发明的实施例的显示装置。

参照图7，所示的显示装置100包括作为图1所示EL面板10的改进的EL面板101。显示装置100具有与上文中参照图1所述的显示装置1的配置类似的配置，除了其包括EL面板101(其代替图1所示的EL面板10)之外。

用类似的参考字符表示EL面板101中与显示装置1的元件类似的元件，并且这里省略其重复描述以避免冗余，而下面仅描述与EL面板10的元件不同的元件。

EL面板101包括具有多个像素121的像素阵列部分111、水平选择器12、写扫描器13和电源扫描器114。

与EL面板10中类似，像素阵列部分111包括以矩阵排列的N×M个像素121-(1，1)～121-(N，M)。注意，在无需具体彼此区分像素121-(1，1)～121-(N，M)的情况下，如上文所述示例中那样，将其类似地均简称为像素121。

在图7所示的EL面板101中，如在下文中参照图8所述的那样，电源线DSL与像素121和电源扫描器114的连接与图1所示EL面板10中的连接不同。因此，电源扫描器114也以不同于图1所示的电源扫描器14的方式执行驱动。

现在，参照图8描述电源线DSL与像素121和电源扫描器114的连接以及电源扫描器114的驱动。

[EL面板101的详细配置的示例]

图8示出EL面板101的详细配置的示例。

具体地，图8示出了从EL面板101中包括的N×M个像素121之中在列方向上并列的两个像素121的等效电路，并且示出了像素121-(N，M-1)和121-(N，M)的配置。注意，未示出的其他像素121也具有与像素121-(N，M-1)和121-(N，M)的配置类似的配置。

像素121-(N，M)包括采样晶体管31、驱动晶体管32、累积电容器33、发光元件34、发光元件电容器34B和辅助电容器35A。

此外，线顺序扫描中在像素121-(N，M)前一级(即，一行距离之前)的像素121-(N，M-1)包括采样晶体管31、驱动晶体管32、累积电容器33、发光元件34、发光元件电容器34B和辅助电容器35A。

于是，EL面板101的像素121的组件与上文中参照图3所述的EL面板10的像素21的那些组件类似。然而，辅助电容器35A的电极之一的连接目的地与上文中参照图3所述的EL面板10的像素21的连接目的地不同。

具体地，虽然在像素21中，辅助电容器35A的电极之一与同一像素中的阴极侧连接，但是在像素121-(N，M)中，辅助电容器35A的电极之一与对于前一级的像素121-(N，M-1)的电源线DSL-(M-1)连接。此外，像素121-(N，M-1)的辅助电容器35A在其连接到发光元件34的阳极的对向侧的电极处与未示出的对于像素121-(N，M-2)的电源线DSL-(M-2)连接。

在针对像素121-(N，M)的水平时段(1F)内，电源扫描器114不仅改变电源线DSL-M的电源电位，而且还在预定时间段内改变对于与辅助电容器35A的一个电极连接的像素121-(N，M-1)的电源线DSL-(M-1)的电源电位。进一步，在针对像素121-(N，M-1)的水平时段，电源扫描器114不仅改变对于电源线DSL-M的电源电位，而且还在预定时间段内改变对于像素121-(N，M-2)的电源线DSL-(M-2)的电源电位。

[EL面板101的像素121的操作]

参照图9，以来自图8所示的两个像素121-(N，M)和121-(N，M-1)之中的像素121-(N，M)作为示例，描述像素121的操作。

图9除了图示连接到像素121-(N，M)的扫描线WSL-M、电源线DSL-M和图像信号线DTL-M的电位以及驱动晶体管32的栅极电位Vg和源极电位Vs(与图4中图示的那些类似)之外，还图示了电源线DSL-(M-1)的电位。

从时间t₁₁到时间t₁₆的操作与图4中图示的从时间t₁到时间t₆的操作类似。因此，在此省略操作的重复描述以避免冗余。

作为写+迁移率校正时段T₅，在时间t₁₆，写扫描器13将扫描线WSL-M的电位切换到高电位以导通采样晶体管31。从而，同时开始图像信号的写入和迁移率校正。具体地，将与灰度级对应的信号电位Vsig以添加到阈值电压Vth的形式写入到累积电容器33。同时，从累积电容器33中所保持的电压中减去用于迁移率校正的电压ΔV。

在晚于从同时开始的图像信号的写入和迁移率校正之中的图像信号的写入结束之后的一时间点的时间t1，电源扫描器14将电源线DSL-(M-1)的电位设置或升高到第二高电位Vcc2(其比第一高电位Vcc1高ΔVds)。

在将电源线DSL-(M-1)的电位设置到第二高电位Vcc2(其比第一高电位Vcc1高ΔVds)之后，电荷累积到与电源线DSL-(M-1)连接的辅助电容器35中，并且驱动晶体管32的源极电位Vs升高。从而，由辅助电容器35来协助迁移率校正操作对于驱动晶体管32的源极电位Vs的升高。

随着辅助电容器35协助驱动晶体管32的源极电位Vs的升高，缩短了直到驱动晶体管32的栅源电压Vgs变为等于Va＝Vsig+Vth-ΔVa时为止的时间段(与图4的情况下相同)。

具体地，假设通过在时间t₁₇将电源线DSL-(M-1)的电位设置到第二高电位Vcc2，驱动晶体管32的源极电位Vs升高了ΔV₂。然后，如果假设通过图1所示的EL面板10中的驱动控制，对于驱动晶体管32的源极电位Vs升高ΔV₂来说需要时间段ΔTx，那么写+迁移率校正时段T₅可以缩短时间段ΔTx。

其后，在从时间t₁₇经过时间段ΔT之后的时间t₁₈，电源扫描器14将电源线DSL-(M-1)的电位变回第一高电位Vcc1。

迁移率校正结束之后的时间t₁₈之后的操作与图4中时间t₇之后的操作类似。

[电源线DSL-(M-1)的电位升高ΔVds所实现的效果]

图10图示了当在写+迁移率校正时段T₅内将电源线DSL-(M-1)的电位设置到第二高电位Vcc2(其比第一高电位Vcc1高ΔVds)时所实现的效果。

在EL面板101中，取决于各驱动晶体管32当中迁移率μ的差异，写+迁移率校正时段T₅内的经过时间t与驱动晶体管32的漏源电流Ids之间的关系如图10中的电流曲线61a～61c所示的那样。

与图6中类似地，电流曲线61a指示迁移率较高情况下的电流变化，而电流曲线61c指示迁移率较低情况下的电流变化。

电流曲线61a～61c在晚于时间t_a的部分具有比电流曲线51更陡的坡度。具体地，通过辅助电容器35的协助，驱动晶体管32的漏源电流Ids在晚于信号电位Vsig写入结束的时间点的下降率增大。

然后，从开始写+迁移率校正时段T₅的时间点到电流曲线61a～61c彼此重叠的点62的时间段T₂比显示装置1的EL面板10的情况下的时间段T₁减小了ΔTx。由于将直至电流曲线61a～61c彼此重叠的点62的该时间段T₂设置为如上所述的写+迁移率校正时段T₅，因此EL面板101中的写+迁移率校正时段T₅短于EL面板10中的写+迁移率校正时段T₅。

换言之，利用显示装置100的EL面板101，可以减小迁移率校正所需的时间。进一步，由于减小了迁移率校正所需的时间，因此可以期望更高速驱动。

本发明不限于上文中所述的实施例，在不脱离本发明主题的情况下可以进行各种修改。

尽管在上述示例中，像素121的辅助电容器35A的电极之一与对于同一列中且在前一级的另一像素121的电源线DSL连接，但是其也可以另外地与对于同一列中且在后一级(即，以线顺序扫描的次序晚了一行距离的轮次中)的像素121的电源线DSL连接。具体地，辅助电容器35A与发光元件34的阳极连接的对向侧的辅助电容器35A的电极可以与对于在列方向上相邻的像素121的电源线DSL连接。

进一步，尽管如上文中参照图8所述的那样，像素121由包括两个晶体管和两个电容器的像素电路形成，但是其可以以某些其他电路配置形成。注意，在下文中将该此素电路称为2Tr/2C像素电路。

进一步，作为像素121的不同电路配置，例如，可以采用下面的电路配置。具体地，可以采用除了2Tr/2C像素电路之外，还包括第一到第三晶体管(即，五个晶体管和两个电容器)的配置。在下文中将刚描述的配置称为5Tr/2C像素电路。在像素121采用5Tr/2C像素电路的情况下，要从水平选择器12通过图像信号线DTL提供到采样晶体管31的信号电位被固定到信号电位Vsig。结果，采样晶体管31仅用以切换对于驱动晶体管32的信号电位Vsig的供应。进一步，要通过电源线DSL提供到驱动晶体管32的电位是第一高电位Vcc1和第二电位Vcc2。进一步，新近添加的第一晶体管切换对于驱动晶体管32的第一高电位Vcc1的供应。第二晶体管切换对于驱动晶体管32的低电位Vss的供应。进一步，第三晶体管切换对于驱动晶体管32的基准电位Vofs的供应。

进一步，作为像素121的另一不同的电路配置，可以采用介于2Tr/2C像素电路和5Tr/2C像素电路之间的中间配置。具体地，可以采用包括四个晶体管和两个电容器的配置(即，4Tr/2C像素电路)或包括三个晶体管和一个电容器的配置(即，3Tr/2C像素电路)。可以配置4Tr/2C像素电路，使得例如省略5Tr/2C像素电路的第三晶体管，并且使用信号电位Vsig和基准电位Vofs将要从水平选择器12提供到采样晶体管31的信号电位形成为脉冲信号。

本发明包含与2009年4月15日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP 2009-098815中公开的主题有关的主题，将其全部内容通过引用的方式合并在此。

本领域的技术人员应该理解，取决于设计要求和其他因素，可以出现各种修改、组合、部分组合和变更，只要其落在所附权利要求及其等价物的范围内即可。

Claims (5)

1.一种显示装置，包括：

像素阵列部分，其包括以行和列布置的多个像素；

与像素的行数相等数量的电源线，每一条所述电源线公共地布线于行方向上并列的那些所述像素；以及

电源提供部分，其适配于通过所述电源线将预定电源电位提供到各行中的所述像素；

每一个所述像素包括

发光元件，其具有二极管特性，并且适配于响应于驱动电流而发光，

采样晶体管，其适配于对图像信号进行采样，

驱动晶体管，其适配于将驱动电流提供到所述发光元件，

累积电容器，其连接在所述发光元件的阳极与所述驱动晶体管的栅极之间，并且适配于保持预定电位，以及

辅助电容器，其连接在所述发光元件的阳极与位于该像素在列方向上相邻的相邻像素的电源线之间，并且适配于保持预定电位；

在像素的迁移率校正期间，所述电源提供部分暂时地将与所述辅助电容器连接的、相邻像素的电源线的电源电位升高。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述电源提供部分同时开始图像信号的信号电位到所述累积电容器的写入操作以及迁移率校正操作。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在图像信号的信号电位到所述累积电容器的写入结束之后的迁移率校正期间，所述电源提供部分暂时地将与所述辅助电容器连接的、相邻像素的电源线的电源电位升高。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，位于该像素在列方向上相邻的相邻像素是位于线顺序扫描次序的前一级的像素。

5.一种用于显示装置的驱动控制方法，所述显示装置包括：像素阵列部分，其包括以行和列布置的多个像素；与像素的行数相等数量的电源线，每一条所述电源线公共地布线于行方向上并列的那些所述像素；以及电源提供部分，其适配于通过所述电源线将预定电源电位提供到各行上的各像素，并且其中，每一个所述像素包括：发光元件，其具有二极管特性，并且适配于响应于驱动电流而发光；采样晶体管，其适配于对图像信号进行采样；驱动晶体管，其适配于将驱动电流提供到所述发光元件；累积电容器，其连接在所述发光元件的阳极与所述驱动晶体管的栅极之间，并且适配于保持预定电位；以及辅助电容器，其连接在所述发光元件的阳极与位于该像素在列方向上相邻的相邻像素的电源线之间，并且适配于保持预定电位，所述驱动控制方法包括：

由电源提供部分执行的步骤：在像素的迁移率校正期间，暂时地将与所述辅助电容器连接的、相邻像素的电源线的电源电位升高。

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