KR20090104664A - 패널 및 구동 제어 방법 - Google Patents

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KR20090104664A
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테츠로 야마모토
카츠히데 우치노
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소니 가부시끼 가이샤
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Abstract

본 발명의 패널은 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량을 구비하는 화소 회로를 행렬형상으로 배치하는 패널로서, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로에 소정의 전원 전압을 공급하는 전원 공급 수단과, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부와 상기 전원 공급 수단을 접속하는 전원선을 구비하고, 상기 전원 공급 수단은 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행한다.
Figure P1020090019630
패널, 구동 제어

Description

패널 및 구동 제어 방법{PANEL AND DRIVING CONTROLLING METHOD}
본 발명은 패널 및 구동 제어 방법에 관한 것으로, 특히, 저비용화를 실현할 수 있도록 하는 패널 및 구동 제어 방법에 관한 것이다.
근래에 발광 소자로서 유기 EL(Electro Luminescent) 디바이스를 이용한 평면 자발광형의 패널(EL 패널)의 개발이 왕성하게 이루어지고 있다. 유기 EL 디바이스는 유기 박막에 전계를 걸면 발광하는 현상을 이용한 디바이스이다. 유기 EL 디바이스는 인가 전압이 10V 이하에서 구동하기 때문에 저소비전력이다. 또한 유기 EL 디바이스는 스스로 광을 발하는 자발 광소자이기 때문에, 조명 부재를 필요로 하지 않아 경량화 및 박형화가 용이하다. 또한 유기 EL 디바이스의 응답 속도는 수μs 정도로 매우 고속이기 때문에, 동화 표시시의 잔상이 발생하지 않는다.
유기 EL 디바이스를 화소에 이용한 평면 자발광형의 패널 중에서도, 특히 구동 소자로서 박막 트랜지스터를 각 화소에 집적 형성한 액티브 매트릭스형의 패널의 개발이 왕성하다. 액티브 매트릭스형 평면 자발광 패널은 예를 들면 일본국 특허공개공보 2003-255856호 공보, 일본국 특허공개공보 2003-271095호 공보, 일본국 특허공개공보 2004-133240호 공보, 일본국 특허공개공보 2004-029791호 공보, 및 일본국 특허공개공보 2004-093682호 공보에 기재되어 있다.
그러나, 선행하여 보급되어 있는 액정 디스플레이(LCD : Liquid Crystal Display)와 비교하면, 유기 EL 디바이스를 화소에 이용한 평면 자발광형의 패널에 관해서는 더한층의 저비용화가 요청되고 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 상황을 감안하여 이루어진 것이고, 저비용화를 실현할 수 있도록 하는 것이다.
본 발명의 한 측면의 패널은 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량을 구비하는 화소 회로를 행렬형상으로 배치하는 패널로서, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로에 소정의 전원 전압을 공급하는 전원 공급 수단과, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부와 상기 전원 공급 수단을 접속하는 전원선을 구비하고, 상기 전원 공급 수단은 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행한다.
보다 양호하게는 상기 화소 회로의 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 또는 오프 하는 주사 제어 수단을 또한 마련하고, 상기 주사 제어 수단이 상기 화소 회로의 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 또는 오프 함으로써, 상기 발광 소자의 발광 기 간이 제어된다.
본 발명의 한 측면의 구동 제어 방법은 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량을 구비하는 화소 회로를 행렬형상으로 배치하는 패널의 구동 제어 방법으로서, 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 상기 화소 회로의 전부와 접속되어 있는 공통의 전원선을 통하여, 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행하는 스텝을 포함한다.
본 발명의 한 측면에서는 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 화소 회로의 전부와 접속되어 있는 공통의 전원선을 통하여, 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어가 행하여진다.
본 발명의 EL 패널 및 구동 제어 방법에 의해 저비용화가 실현된다.
또한, 본 발명의 EL 패널 및 구동 제어 방법에 의해 발광 소자를 보다 긴 수명으로 할 수 있다.
이하에 본 발명의 실시의 형태를 설명하기 이전에, 본 발명의 구성 요건과, 명세서 또는 도면에 기재된 실시의 형태와의 대응 관계를 예시하면 다음과 같이 된 다. 이 기재는 본 발명을 서포트하는 실시의 형태가, 명세서 또는 도면에 기재되어 있는 것을 확인하기 위한 것이다. 따라서, 명세서 또는 도면중에는 기재되어 있지만, 본 발명의 구성 요건에 대응한 실시의 형태로서, 여기에는 기재되어 있지 않은 실시의 형태가 있었다고 하더라도, 그 것은 그 실시의 형태가, 그 구성 요건에 대응하는 것이 아닌 것을 의미하는 것이 아니다. 역으로, 실시의 형태가 구성 요건에 대응하는 것으로서 여기에 기재되어 있다고 하여도, 그 것은 그 실시의 형태가, 그 구성 요건 이외의 구성 요건에는 대응하지 않는 것을 의미하는 것도 아니다.
본 발명의 한 측면의 패널은 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자(예를 들면, 도 5의 발광 소자(34))와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터(예를 들면, 도 5의 샘플링용 트랜지스터(31))와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터(예를 들면, 도 5의 구동용 트랜지스터(32))와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량(예를 들면, 도 5의 보존용량(33))을 구비하는 화소 회로(예를 들면, 도 5의 화소(101c))를 행렬형상으로 배치하는 패널(예를 들면, 도 16의 EL 패널(200))로서, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로에 소정의 전원 전압을 공급하는 전원 공급 수단(예를 들면, 도 16의 전원 공급부(211))와, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부와 상기 전원 공급 수단을 접속하는 전원선(예를 들면, 도 16의 전원선(DSL212))을 구비하고, 상기 전원 공급 수단은 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시의 형태에 관해 설명한다.
먼저, 본 발명의 이해를 용이하게 하고, 또한, 배경을 명확하게 하기 위해, 유기 EL 디바이스를 이용한 패널(이하, EL 패널이라고 칭하다)의 기본이 되는 구성과 동작에 관해도 1 내지 도 15를 참조하여 설명한다.
도 1은 기본이 되는 EL 패널의 구성례를 도시하는 블록도이다.
도 1의 EL 패널(100)은 N×M개의 화소(화소 회로)(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))가 행렬형상으로 배치되어 있는 화소 어레이부(102)와, 이것을 구동하는 구동부인 수평 셀렉터(HSEL)(103), 라이트 스캐너(WSCN)(104), 및 전원 스캐너(DSCN)(105)에 의해 구성되어 있다.
또한, EL 패널(100)은 M개의 주사선(WSL10-1 내지 10-M), M개의 전원선(DSL10-1 내지 10-M), 및 N개의 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N)도 갖는다.
또한, 이하에서, 주사선(WSL10-1 내지 10-M), 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N), 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M)), 또는 전원선(DSL10-1 내지 10-M)의 각각을 특히 구별할 필요가 없는 경우, 단지, 주사선(WSL10), 영상 신호선(DTL10), 화소(101), 또는 전원선(DSL10)이라고 칭한다.
화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))중의 제 1행째의 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, 1))는 주사선(WSL10-1)으로 라이트 스캐너(104)와, 전원선(DSL10-1)으로 전원 스캐너(105)와 각각 접속되어 있다. 또한, 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))중의 제 M행째의 화소(101-(1, M) 내지 101-(N, M))는 주사선(WSL10-M)으로 라이트 스캐너(104)와, 전원선(DSL10-M)으로 전원 스캐너(105)와 각각 접속되어 있다. 화 소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))의 행방향으로 나열하는 그 밖의 화소(101)에 대해서도 마찬가지이다.
또한, 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))중의 제 1열째의 화소(101-(1, 1) 내지 101-(1, M))는 영상 신호선(DTL10-1)으로 수평 셀렉터(103)와 접속되어 있다. 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))중의 제 N열째의 화소(101-(N, 1) 내지 101-(N, M))는 영상 신호선(DTL10-N)으로 수평 셀렉터(103)와 접속되어 있다. 화소(101-(1, 1) 내지 101-(N, M))의 열방향에 나열하는 그 밖의 화소(101)에 대해서도 마찬가지이다.
라이트 스캐너(104)는 주사선(WSL10-1 내지 10-M)에 수평 주기(1H)에서 순차 제어 신호를 공급하여 화소(101)를 행 단위로 선순차(線順次) 주사한다. 전원 스캐너(105)는 선순차 주사에 맞추어서 전원선(DSL10-1 내지 10-M)에 제 1 전위(후술하는 Vcc) 또는 제 2 전위(후술하는 Vss)의 전원 전압을 공급한다. 수평 셀렉터(103)는 선순차 주사에 맞추어서 각 수평 기간 내(1H)에서 영상 신호가 되는 신호 전위(Vsig)와 기준 전위(Vofs)를 전환하여 열형상의 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-M)에 공급한다.
도 1과 같이 구성되는 EL 패널(100)에, 소스 드라이버 및 게이트 드라이버로 이루어지는 드라이버 IC(Integrated Circuit)가 부가됨에 의해 패널 모듈이 구성되고, 또한, 패널 모듈에, 전원 회로, 화상 LSI(Large Scale Integration) 등을 부가한 것이 표시 장치가 된다. EL 패널(100)을 포함하는 표시 장치는 예를 들면, 휴대 전화기, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 텔레비전 수상기, 프린터 등의 표 시부로서 사용할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시한 EL 패널(100)에 포함되는 N×M개의 화소(101)중의 하나의 화소(101)를 확대함에 의해, 화소(101)의 상세한 구성을 도시한 블록도이다.
또한, 도 2에서 화소(101)와 접속되어 있는 주사선(WSL10), 영상 신호선(DTL10), 및 전원선(DSL10)은 도 1로부터 분명한 바와 같이, 화소((101-(n, m))(n=1, 2, …, N, m=1, 2, …, M)에 대해, 주사선(WSL10-(n, m)), 영상 신호선(DTL10-(n, m)), 및 전원선(DSL10-(n, m))이 된다.
도 2에 도시하는 화소(101)의 구성은 종래로부터 이용되고 있는 구성이고, 이 구성을 갖는 화소(101)를 화소(101a)라고 부르기로 한다.
도 2에 있어서, 화소(101a)는 샘플링용 트랜지스터(21), 구동용 트랜지스터(22), 보존용량(23), 및 유기 EL 소자인 발광 소자(24)를 포함한다. 여기서, 샘플링용 트랜지스터(21)는 N채널형 트랜지스터이고, 구동용 트랜지스터(22)는 P채널형 트랜지스터이다. 샘플링용 트랜지스터(21)의 게이트는 주사선(WSL10)에 접속하고, 샘플링용 트랜지스터(21)의 드레인이 영상 신호선(DTL10)에 접속하고, 소스가 구동용 트랜지스터(22)의 게이트(g)에 접속하고 있다.
구동용 트랜지스터(22)의 소스(s)는 전원선(DSL10)과 접속되고, 드레인(d)은 발광 소자(24)의 애노드와 접속되어 있다. 보존용량(23)은 구동용 트랜지스터(22)의 소스(s)와 게이트(g)의 사이에 접속되어 있다. 또한, 발광 소자(24)의 캐소드는 접지되어 있다.
유기 EL 소자는 전류 발광 소자이기 때문에, 발광 소자(24)에 흐르는 전류치 를 컨트롤함으로써, 발색의 계조를 얻을 수 있다. 도 2의 화소(101a)에서는 구동용 트랜지스터(22)의 게이트 인가 전압을 변화시킴으로써, 발광 소자(24)에 흐르는 전류치를 컨트롤하고 있다.
보다 구체적으로는 구동용 트랜지스터(22)의 소스(s)는 전원선(DSL10)에 접속되어 있고, 항상 포화 영역에서 동작하도록 설계되어 있기 때문에, 구동용 트랜지스터(22)는 다음 식(1)으로 표시되는 전류치(Ids)를 흘리는 정전류원으로서 기능한다.
[수식 1]
Figure 112009014071118-PAT00001
식(1)에서, μ는 이동도를 나타내고, W는 게이트 폭을 나타내고, L은 게이트 길이를 나타내고, Cox는 단위 면적당의 게이트 산화막 용량을 나타낸다. 또한, Vgs는 구동용 트랜지스터(22)의 게이트(g)와 소스(s) 사이의 전압(게이트 소스 사이 전압)이고, Vth는 구동용 트랜지스터(22)의 임계치 전압이다. 또한, 포화 영역이란, (Vgs-Vth<Vds)의 조건을 충족시킨 상태를 말한다(Vds는 구동용 트랜지스터(22)의 소스(s)와 드레인(d) 사이의 전압).
도 2의 화소(101a)에서는 경시열화에 의해 유기 EL 소자의 I-V 특성은 도 3에 도시하는 바와 같이 변화하고, 구동용 트랜지스터(22)의 드레인 전압은 변화하지만, 구동용 트랜지스터(22)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)을 일정하게 유지함으로써, 발광 소자(24)에는 일정량의 전류(Ids)가 흐른다. 즉, 전류(Ids)와, 유기 EL 소자의 발광 휘도는 비례 관계에 있기 때문에, 휘도 자체는 경시열화에 의해서도 거의 변화하지 않는다.
그러나, P채널형 트랜지스터는 저온 폴리실리콘보다도 염가로 작성할 수 있는 어모퍼스 실리콘으로 작성할 수가 없기 때문에, 보다 염가로 화소 회로를 구성하려고 하는 경우에는 N채널형 트랜지스터로 구성하는 편이 바람직하다.
따라서, 도 4의 화소(101b)로 도시하는 바와 같이, P채널형인 구동용 트랜지스터(22)를 N채널형의 구동용 트랜지스터(25)로 대체하는 것이 고려된다.
즉, 도 4의 화소(101b)는 도 3에 도시한 화소(101a)의 구성중, P채널형의 구동용 트랜지스터(22)를 N채널형의 구동용 트랜지스터(25)로 대체한 구성을 나타내고 있다.
도 4의 화소(101b)의 구성에서는 구동용 트랜지스터(25)의 소스(s)가 발광 소자(24)에 접속되어 버리기 때문에, 유기 EL 소자의 경시 변화와 함께 구동용 트랜지스터(25)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)이 변화하여 버린다. 이로써, 발광 소자(24)에 흐르는 전류가 변화하고, 발광 휘도는 변화하여 버린다. 또한, 화소(101b)마다 구동용 트랜지스터의 임계치 전압(Vth) 및 이동도(μ)는 다르기 때문에, 식(1)에 응하여 전류치(Ids)에 편차가 생기고, 발광 휘도도 화소마다 다른 것이 된다.
따라서, 유기 EL 소자의 경시열화, 구동용 트랜지스터의 특성 편차를 방지하고, 또한, 화소(101)를 구성하는 소자 수가 적은 회로로서, 후술하는 본 발명을 적용한 EL 패널에도 채용하는 도 5에 도시하는 화소(101c)의 구성이, 본 출원인에 의 해 제안되어 있다.
도 5의 화소(101c)는 샘플링용 트랜지스터(31), 구동용 트랜지스터(32), 보존용량(33), 및 발광 소자(34)를 갖는다. 샘플링용 트랜지스터(31)의 게이트는 주사선(WSL10)과 접속되고, 샘플링용 트랜지스터(31)의 드레인은 영상 신호선(DTL10)과 접속됨과 함께, 소스가 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)와 접속되어 있다.
구동용 트랜지스터(32)의 소스(s) 및 드레인(d)의 한쪽은 발광 소자(34)의 애노드에 접속되고, 다른쪽이 전원선(DSL10)에 접속된다. 보존용량(33)은 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)와 발광 소자(34)의 애노드의 사이에 접속되어 있다. 또한, 발광 소자(34)의 캐소드는 소정의 전위(Vcat)에 설정되어 있는 배선(35)에 접속되어 있다.
이상과 같이 구성되는 화소(101c)에서, 샘플링용 트랜지스터(31)가, 주사선(WSL10)으로부터 공급된 제어 신호에 응하여 온(도통) 하면, 보존용량(33)은 영상 신호선(DTL10)을 통하여 수평 셀렉터(103)로부터 공급된 전하를 축적하여 보존한다. 구동용 트랜지스터(32)는 제 1 전위(Vcc)에 있는 전원선(DSL10)으로부터 전류의 공급을 받고, 보존용량(33)에 보존된 신호 전위(Vsig)에 응하여 구동 전류(Ids)를 발광 소자(34)에 흘린다. 발광 소자(34)에 소정의 구동 전류(Ids)가 흐름에 의해, 화소(101c)가 발광한다.
화소(101c)는 임계치 보정 기능을 갖는다. 임계치 보정 기능이란, 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압을 보존용량(33)에 보존시키는 기능이고, 이로써, EL 패널(100)의 화소마다의 편차의 원인이 되는 구동용 트랜지 스터(32)의 임계치 전압(Vth)의 영향을 캔슬할 수 있다.
또한, 화소(101c)는 상술한 임계치 보정 기능에 더하여, 이동도 보정 기능도 갖는다. 이동도 보정 기능이란, 보존용량(33)에 신호 전위(Vsig)를 보존할 때, 구동용 트랜지스터(32)의 이동도(μ)에 대한 보정을 신호 전위(Vsig)에 가하는 기능이다.
또한, 화소(101c)는 부트 스트랩 기능도 구비하고 있다. 부트 스트랩 기능이란, 구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs)의 변동에 게이트 전위(Vg)를 연동시키는 기능이고, 이로써, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)와 소스(s) 사이의 전압(Vgs)을 일정하게 유지할 수 있다.
또한, 임계치 보정 기능, 이동도 보정 기능, 및 부트 스트랩 기능에 관해서는 후술하는 도 10, 도 14, 및 도 15 등에서도 설명한다.
이하에서는 단지 화소(101)라 하는 경우라도, 화소(101)는 도 5에 도시한 화소(101c)의 구성을 갖고 있는 것으로 한다.
도 6은 화소(101)의 동작을 설명하는 타이밍 차트이다.
특히, 도 6은 동일한 시간축(도면 횡방향)에 대한 주사선(WSL10), 전원선(DSL10), 및 영상 신호선(DTL10)의 전위 변화와, 그것에 대응하는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg) 및 소스 전위(Vs)의 변화를 나타내고 있다.
도 6에서, 시각(t1)까지의 기간은 전(preceding)의 수평 기간(1H)의 발광이 이루어지고 있는 발광 기간(T1)이다.
발광 기간(T1)이 종료된 시각(t1)부터 시각(t4)까지는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg) 및 소스 전위(Vs)를 초기화함으로써 임계전압 보정 동작의 준비를 행하는 임계치 보정 준비 기간(T2)이다.
임계치 보정 준비 기간(T2)에서는 시각(t1)에서, 전원 스캐너(105)가, 전원선(DSL10)의 전위를 고전위인 Vcc로부터 저전위인 Vss로 전환하고, 시각(t2)에서, 수평 셀렉터(103)가, 영상 신호선(DTL10)의 전위를 신호 전위(Vsig)로부터 기준 전위(Vofs)로 전환한다. 다음에, 시각(t3)에서, 라이트 스캐너(104)가, 주사선(WSL10)의 전위를 고전위로 전환하고, 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 시킨다. 이로써, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg)가 기준 전위(Vofs)에 리셋되고, 또한, 소스 전위(Vs)가 영상 신호선(DTL10)의 저전위(Vss)에 리셋된다.
시각(t4)부터 시각(t5)까지는 임계치 보정 동작을 행하는 임계치 보정 기간(T3)이다. 임계치 보정 기간(T3)에서는 시각(t4)에서, 전원 스캐너(105)에 의해, 전원선(DSL10)의 전위가 고전위(Vcc)로 전환되고, 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압이, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)와 소스(s) 사이에 접속된 보존용량(33)에 기록된다.
시각(t5)부터 시각(t7)까지의 기록+이동도 보정 준비 기간(T4)에서는 주사선(WSL10)의 전위가 고전위로부터 저전위로 일단 전환됨과 함께, 시각(t7) 전의 시 각(t6)에서, 수평 셀렉터(103)가, 영상 신호선(DTL10)의 전위를 기준 전위(Vofs)로부터 계조에 응한 신호 전위(Vsig)로 전환된다.
그리고, 시각(t7)부터 시각(t8)까지의 기록+이동도 보정 기간(T5)에서, 영상 신호의 기록과 이동도 보정 동작이 행하여진다. 즉, 시각(t7)부터 시각(t8)까지의 사이, 주사선(WSL10)의 전위가 고전위로 설정되고, 이로써, 영상 신호의 신호 전위(Vsig)가 임계치 전압(Vth)에 더해지는 형태로 보존용량(33)에 기록됨과 함께, 이동도 보정용의 전압(+△Vμ)이 보존용량(33)에 보존된 전압으로부터 공제된다.
기록+이동도 보정 기간(T5) 종료 후의 시각(t8)에서, 주사선(WSL10)의 전위가 저전위로 설정되고, 그 이후, 발광 기간(T6)으로서, 신호 전압(Vsig)에 응한 발광 휘도로 발광 소자(34)가 발광한다. 신호 전압(Vsig)은 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압과 이동도 보정용의 전압(+△Vμ)에 의해 조정되어 있기 때문에, 발광 소자(34)의 발광 휘도는 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)의 편차의 영향을 받는 일이 없다.
또한, 발광 기간(T6)의 최초에서 부트 스트랩 동작이 행하여지고, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)=Vsig+Vth-△Vμ을 일정하게 유지한 채로, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg) 및 소스 전위(Vs)가 상승한다.
또한, 시각(t8)부터 소정 시간 경과 후의 시각(t9)에서, 영상 신호선(DTL10)의 전위가, 신호 전위(Vsig)로부터 기준 전위(Vofs)로 떨어진다. 도 6에서, 시 각(t2)부터 시각(t9)까지의 기간은 수평 기간(1H)에 상당한다.
이상과 같이 하여, 화소(101)로서 화소(101c)의 구성을 갖는 EL 패널(100)에서는 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ)의 편차의 영향을 받는 일이 없이, 발광 소자(34)를 발광시킬 수 있다.
이하, 도 7 내지 도 15를 참조하여, 화소(101)(101c)의 동작에 관해 더욱 상세히 설명한다.
도 7은 발광 기간(T1)의 화소(101)의 상태를 도시하고 있다.
발광 기간(T1)에서는 샘플링용 트랜지스터(31)가 오프(주사선(WSL10)의 전위가 저전위), 또한 전원선(DSL10)의 전위가 고전위(Vcc)가 되어 있고, 구동용 트랜지스터(32)가 구동 전류(Ids)를 발광 소자(34)에 공급하고 있다. 이 때 구동용 트랜지스터(32)는 포화 영역에서 동작하도록 설정되어 있기 때문에, 발광 소자(34)에 흐르는 구동 전류(Ids)는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)에 응하여 식(1)로 표시되는 값을 취한다.
그리고, 임계치 보정 준비 기간(T2)의 최초의 시각(t1)에서, 도 8에 도시하는 바와 같이, 전원 스캐너(105)는 전원선(DSL10)의 전위를 고전위(Vcc)(제 1 전위)로부터 저전위(Vss)(제 2 전위)로 전환한다. 이 때 전원선(DSL10)의 전위(Vss)가 발광 소자(34)의 임계치 전압(Vthel)과 캐소드 전위(Vcat)의 합보다도 작으면(Vss<Vthel+Vcat)발광 소자(34)는 소광하고, 구동용 트랜지스터(32)의 전원선(DSL10)과 접속된 측이 소스(s)가 된다. 또한, 발광 소자(34)의 애노드는 전 위(Vss)로 충전된다.
다음에, 도 9에 도시하는 바와 같이, 시각(t2)에서, 수평 셀렉터(103)가 영상 신호선(DTL10)의 전위를 기준 전위(Vofs)로 한 후, 시각(t3)에서, 라이트 스캐너(104)가, 주사선(WSL10)의 전위를 고전위로 전환함에 의해, 샘플링용 트랜지스터(31)를 온에 한다. 이로써, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg)는 Vofs가 되고, 게이트 소스 사이 전압(Vgs)은 Vofs-Vss라는 값을 취한다. 여기서, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)인 (Vofs-Vss)는 다음의 임계치 보정 기간(T3)에서 임계치 보정 동작을 행하기 위해, 임계치 전압(Vth)보다도 클(Vofs-Vss>Vth) 필요가 있다. 역으로 말하면, (Vofs-Vss>Vth)의 조건을 충족시키도록, 전위(Vofs 및 Vss)가 설정된다.
그리고, 임계치 보정 기간(T3)의 최초의 시각(t4)에서, 도 10에 도시하는 바와 같이, 전원 스캐너(105)가 전원선(DSL10)의 전위를 저전위(Vss)로부터 고전위(Vcc)로 전환하면, 구동용 트랜지스터(32)의 발광 소자(34)의 애노드와 접속되어 있는 측이 소스(s)가 되고, 도 10에서 1점쇄선으로 도시되는 바와 같이 전류가 흐른다.
여기서, 발광 소자(34)는 등가적으로 다이오드(34A)와 기생 용량을 Cel로 하는 보존용량(34B)으로 나타낼 수 있고, 발광 소자(34)의 리크 전류가 구동용 트랜지스터(32)에 흐르는 전류보다도 매우 작다(Vel≤Vcat+Vthel를 충족시킨다)는 조건하에서는 구동용 트랜지스터(32)에 흐르는 전류는 보존용량(33과 34B)을 충전하기 위해 사용된다. 발광 소자(34)의 애노드 전위(Vel)(구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs))는 도 11에 도시되는 바와 같이, 구동용 트랜지스터(32)를 흐르는 전류에 응하여 상승한다. 소정 시간 경과 후, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)이 Vth라는 값을 취한다. 또한, 이 때의 발광 소자(34)의 애노드 전위(Vel)는 (Vofs-Vth)이다. 여기서, 발광 소자(34)의 애노드 전위(Vel)는 발광 소자(34)의 임계치 전압(Vthel)과 캐소드 전위(Vcat)의 합 이하로 되어 있다(Vel=(Vofs-Vth)≤(Vcat+Vthel)).
그 후, 시각(t5)에서, 도 12에 도시되는 바와 같이, 주사선(WSL10)의 전위가 고전위로부터 저전위로 전환되고, 샘플링용 트랜지스터(31)가 오프 하여 임계치 보정 동작(임계치 보정 기간(T3))이 완료된다.
계속되는 기록+이동도 보정 준비 기간(T4)의 시각(t6)에서, 수평 셀렉터(103)에 의해, 영상 신호선(DTL10)의 전위가, 기준 전위(Vofs)로부터, 계조에 응한 신호 전위(Vsig)로 전환된(도 12) 후, 기록+이동도 보정 기간(T5)에 들어가고, 도 13에 도시되는 바와 같이, 시각(t7)에서, 주사선(WSL10)의 전위가 고전위로 설정됨으로써 샘플링용 트랜지스터(31)가 온 하여, 영상 신호의 기록과 이동도 보정 동작이 행하여진다. 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg)는 샘플링용 트랜지스터(31)가 온 하고 있기 때문에 신호 전위(Vsig)가 되지만, 샘플링용 트랜지스터(31)에는 전원선(DSL10)으로부터의 전류가 흐르기 때문에, 구동용 트랜지스 터(32)의 소스 전위(Vs)는 시간과 함께 상승하여 간다.
구동용 트랜지스터(32)의 임계치 보정 동작은 이미 완료되어 있다. 따라서, 식(1)의 우변의 임계치 보정의 항, 즉 (Vsig-Vofs)2의 항의 영향은 없어지기 때문에, 구동용 트랜지스터(32)가 흘리는 전류(Ids)는 이동도(μ)를 반영한 것이 된다. 구체적으로는 도 14에 도시되는 바와 같이, 이동도(μ)가 큰 경우에는 구동용 트랜지스터(32)가 흘리는 전류(Ids)는 커지고, 소스 전위(Vs)의 상승도 빠르다. 한편, 이동도(μ)가 작은 경우에는 구동용 트랜지스터(32)가 흘리는 전류(Ids)는 작아지고, 소스 전위(Vs)의 상승은 늦어진다. 환언하면, 일정 시간 경과 시점에서는 이동도(μ)가 큰 경우에는 구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs)의 상승량(△Vμ)(전위 보정치)은 커지고, 이동도(μ)가 작은 경우에는 구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs)의 상승량(△Vμ)(전위 보정치)은 작아진다. 이로써, 각 화소(101)의 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)의 편차가, 이동도(μ)를 반영하여 작아지고, 일정 시간 경과 후의 각 화소(101)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)어, 이동도(μ)의 편차를 완전히 보정한 전압이 된다.
시각(t8)에서, 주사선(WSL10)의 전위가 저전위로 설정됨으로써 샘플링용 트랜지스터(31)가 오프 하여, 기록+이동도 보정 기간(T5)이 종료되고, 발광 기간(T6)이 된다(도 15).
발광 기간(T6)에서는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)은 일정하기 때문에, 구동용 트랜지스터(32)는 일정 전류(Ids')를 발광 소자(34)에 공급하고, 발광 소자(34)의 애노드 전위(Vel)는 발광 소자(34)에 일정 전류(Ids')라는 전류가 흐르는 전압(Vx)까지 상승하고, 발광 소자(34)는 발광한다. 구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs)가 상승하면, 보존용량(33)의 부트 스트랩 기능에 의해, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg)도 연동하여 상승한다.
화소(101c)를 채용한 화소(101)에서도, 발광 소자(34)는 발광 시간이 길어지면, I-V 특성은 변화한다. 그 때문에, 도 15에 도시되는 B점의 전위도 시간과 함께 변화한다. 그러나, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)은 일정치로 유지되어 있기 때문에, 발광 소자(34)에 흐르는 전류는 변화하지 않는다. 따라서 발광 소자의 I-V 특성이 경시열화하여도, 일정 전류(Ids')가 계속 흐르기 때문에, 발광 소자(34)의 휘도가 변화하는 일은 없다.
이상과 같이, 화소(101)(101c)를 구비하는 도 5의 EL 패널(100)에서는 임계치 보정 기능 및 이동도 보정 기능에 의해 화소(101)마다의 임계치 전압(Vth) 및 이동도(μ)의 상위(difference)를 보정할 수 있다. 또한, 발광 소자(34)의 경시변동(열화)도 보정할 수 있다.
이로써, 도 5의 EL 패널(100)을 이용한 표시 장치에서는 고품위의 화질을 얻는 것이 가능하다.
그러나, 도 5의 EL 패널(100)의 구성을 액정 디스플레이(LCD)의 구성과 비교하면, 액정 디스플레이에는 전원선(DSL10)에 상당하는 제어선이 없고, EL 패널(100)은 제어선의 수가 많다고 할 수 있다.
따라서, 보다 구성을 간소화하고, 보다 저비용화를 도모한 EL 패널로서, 도 16의 EL 패널(200)이 도시된다.
특히, 도 16은 본 발명을 적용한 EL 패널의 한 실시의 형태의 구성례를 도시하는 블록도이다. 또한, 도 16에서, 도 1과 대응하는 부분에 관해서는 동일한 부호를 붙이고 있어 그 설명을 적절히 생략한다.
도 16에 있어서, 도 1의 EL 패널(100)에서는 각 행의 화소(101)에 대해 개별적으로 마련되어 있던 전원선(DSL10-1 내지 10-M)에 대신하여, EL 패널(200)에서는 모든 화소(101)에 대해 공통의 전원선(DSL212)이 마련되어 있고, 제 1 전위로서의 고전위(Vcc) 또는 제 2 전위로서의 저전위(Vss)의 전원 전압이, 전원 공급부(211)로부터 전원선(DSL212)을 통하여, 모든 화소(101)에 일률적으로 공급된다. 즉, 전원 공급부(211)는 화소 어레이부(102)의 모든 화소(101)에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행한다.
간략히 말해, EL 패널(200)의 전원 공급부(211) 및 전원선(212) 이외의 구성은 도 1의 EL 패널(100)과 마찬가지이다. 단, 화소 어레이부(102)의 각 화소(101)는 도 5에 도시한 화소(101c)의 구성을 갖고 있다.
다음에, 도 17을 참조하여, EL 패널(200)에서 채용되는 제 1의 구동 제어 방식에 관해 설명한다. 도 17은 전원선(DSL212)을 통하여 전원 공급부(211)로부터 모든 화소(101)에 전원 전압이 공급되는 타이밍과, 각 행의 화소(101)의 발광 타이밍을 나타내고 있다.
도 17에서, 시각(t21)부터 시각(t34)까지의 기간이 1매의 영상을 표시하기 위 한 단위 시간(이하, 1필드 기간(1F)이라고 한다)이고, 그 중의 시각(t21)부터 시각(t25)까지의 기간이 수직 블랭킹 기간(이하, V-블랭킹 기간이라고 한다)이다. 또한, 시각(t25)부터 시각(t34)까지의 기간은 전 화소(101)에 대해 선순차로 주사를 행하는 선순차 주사 기간이다.
우선, V-블랭킹 기간의 시각(t21)에서, 전원 공급부(211)는 전원선(DSL212)에 공급하는 전위를 고전위(Vcc)로부터 저전위(Vss)로 전환하다. 또한, 시각(t21)에서는 주사선(WSL10-1 내지 10-M)의 각 전위 및 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N)의 각 전위는 저전위측에 설정되어 있다.
그리고, 시각(t22)에서, 라이트 스캐너(104)가, 공급하는 전위를 주사선(WSL10-1 내지 10-M)에 대해 동시에 고전위로 전환한다. 이로써, 도 9를 참조하여 설명한 바와 같이, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 전위(Vg)는 Vofs가 되고, 소스 전위(Vs)는 Vss가 된다. 그 결과, 게이트 소스 사이 전압(Vgs)이 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)보다도 큰 Vofs-Vss(>Vth)라는 값을 취하게 되고, 임계치 보정을 행하기 전의 임계치 보정 준비 동작이 행하여지고 있다. 따라서 시각(t22)부터 시각(t23)까지는 임계치 보정 준비 기간이다.
임계치 보정의 준비가 완료되면, 시각(t23)에서, 전원 공급부(211)가 전원선(DSL212)에 공급하는 전위를 저전위(Vss)로부터 고전위(Vcc)로 전환함에 의해, 전 화소(101)에서 동시에 임계치 보정 동작이 시작된다. 즉, 도 10을 참조하여 설 명한 바와 같이, 발광 소자(34)의 애노드 전위(Vel)(구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위)가, 구동용 트랜지스터(32)를 흐르는 전류에 응하여 상승하고, 소정 시간 후에는 (Vofs-Vth)와 동등하게 된다. 시각(t24)에서는 주사선(WSL10-1 내지 10-M) 각각에 공급하는 전위가, 라이트 스캐너(104)에 의해, 일제히 저전위로 전환되고, 임계치 보정 동작이 종료된다.
그리고, 시각(t25)부터, 화소(101)에 대해 선순차로 영상 신호를 기록하는 선순차 주사 기간이 시작한다.
즉, 시각(t25)부터 시각(t30)까지의 기간, 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N) 각각의 전위가 계조에 응한 신호 전위(Vsig)로 설정되고, 그 사이에, 라이트 스캐너(104)는 주사선(WSL10-1 내지 10-M)에 대해 순번대로(선순차로), 공급하는 전위를 Ts시간만큼 고전위로 전환한다. Ts시간만큼 고전위로 전환된 행의 화소(101)의 발광 소자(34)는 발광한다.
또한, 주사선(WSL10)의 전위가 고전위로 설정되는 동안은 도 13을 참조하여 설명한 바와 같이, 구동용 트랜지스터(32)의 소스 전위(Vs)도 상승하여 가기 때문에, 영상 신호의 기록과 함께 이동도 보정도 행하여지고 있다.
M행째의 주사선(WSL10-M)에 대한 고전위의 전원 전압의 공급이 종료되면, 시각(t30)에서, 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N) 각각의 전위가 일제히 기준 전위(Vofs)로 전환된다.
그리고, 기준 전위(Vofs)가 영상 신호선(DTL10-1 내지 10-N) 각각에 대해 공 급되고 있는 상태에서, 시각(t31)부터, 라이트 스캐너(104)는 주사선(WSL10-1 내지 10-M)에 대해 순번대로(선순차로), Ts시간만큼 고전위로 전환한다. Ts시간만큼 고전위로 전환된 행의 화소(101)에서는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)에 기준 전위(Vofs)가 공급되게 되고, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)이 임계치 전압(Vth) 이하가 되어, 발광 소자(34)가 소광한다. 여기서, 발광 소자(34)를 소광시키기 위해서는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)에 공급하는 전위는 반드시 기준 전위(Vofs)일 필요는 없고, 발광 소자(34)의 캐소드 전위(Vcat)와 발광 소자(34)의 임계치 전압(Vthel), 및 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)의 합(Vcat+Vthel+Vth) 이하이면 좋지만, 임계치 보정의 기준 전위(Vofs)와 동일하게 함으로써, 제어를 간단하게 할 수 있다.
기본 제어 방식에서는 기준 전위(Vofs)가 영상 신호선(DTL10)에 공급되고 있는 상태에서 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 함으로써 발광 소자(34)를 소광시키고, 각 행의 발광 기간을 제어하고 있다. 따라서 발광 기간은 신호 전위(Vsig)가 영상 신호선(DTL10)에 공급되고 있는 상태에서의 샘플링용 트랜지스터(31)의 오프로부터, 기준 전위(Vofs)가 영상 신호선(DTL10)에 공급되고 있는 상태에서의 샘플링용 트랜지스터(31)의 온까지이다. 또한, 발광 기간은 각 행에서 동일하게 할 필요가 있기 때문에, 최종행의 M행째의 영상 신호의 기록은 1필드 기간 종료시부터 발광 기간만큼 전에 행하여질 필요가 있다.
이상과 같이, 전원 라인인 전원선(DSL212)을 전 화소 공통으로 하여, V-블랭 킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작과 임계치 보정 동작을 전 화소에서 동시에또는 일제히 행함에 의해, EL 패널(200)의 회로를 간소화하고, 전원 제어를 용이하게 하는 것이 가능해지기 때문에, 패널 전체의 비용을 저감시키는 것이 가능해진다.
또한, V-블랭킹 기간 내에 임계치 보정 준비 동작과 임계치 보정 동작을 행하기 때문에, 발광 기간을 길게 확보할 수 있고, 발광 소자의 장수명화에 공헌한다.
도 18은 EL 패널(200)에 의한 제 2의 구동 제어 방식을 도시하는 타이밍 차트이다.
임계치 보정 동작을 복수회로 분할하여 실행하면, 임계치 보정이 완료되기까지의 시간, 즉, 구동용 트랜지스터(32)의 게이트 소스 사이 전압(Vgs)이 Vth가 되기까지의 시간이 짧아지는 것이 밝혀져 있다. 따라서, 도 18에 도시되는 제 2의 구동 제어 방식에서는 임계치 보정 동작이 2회로 분할하여 실행되고 있다.
구체적으로, 도 17에서는 시각(t23)부터 시각(t24)까지의 1회의 기간에서, 임계치 보정 동작이 행하여지고 있지만, 도 18에서는 도 17의 시각(t23)에 대응하는 시각(t43)부터, 도 17의 시각(t24)에 대응하는 시각(t46)까지중, 시각(t44)부터 시각(t45)의 기간, 일단, 주사선(WSL10-1 내지 10-M)의 전위가 일제히 저전위로 전환되어 있다.
이로써, 임계치 보정은 시각(t43)부터 시각(t44)까지의 기간과, 시각(t45)부터 시각(t46)까지의 기간의 2회로 분할하여 실행되고 있다.
따라서 제 2의 구동 제어 방식에 의하면, 상술한 제 1의 구동 제어 방식보다도 임계치 보정에 걸리는 시간을 단축하고, 발광 기간을 길게 할 수 있다.
또한, 임계치 보정은 2회로 한하지 않고, 3회 이상으로 분할하여 실행하여도 물론 좋다.
도 18의 시각(t41)부터 시각(t47)까지의 V-블랭킹 기간을 제외한 기간은 도 17과 마찬가지이기 때문에, 그 설명은 생략한다.
도 17 및 도 18을 참조하여 설명한 예에서는 최종 행인 M행째의 화소(101)의 발광이 시작될 때까지는 그 이전에 먼저 발광하고 있는 다른 행의 화소(101)의 발광이 사라지는 일은 없었지만, 각 행의 발광 기간을 단축하고, 최종 행인 M행째의 화소(101)의 발광이 시작되기 전에, 그 이전에 먼저 발광하고 있는 다른 행의 화소(101)를 소광시키고 싶은 경우도 생각된다. 그와 같은 경우에는 EL 패널(200)은 도 19에 도시하는 바와 같이, 구동 제어할 수 있다.
즉, 도 19는 EL 패널(200)에 의한 제 3의 구동 제어 방식을 도시하는 타이밍 차트이다.
도 19에서, 시각(t61)부터 시각(t65)까지의 V-블랭킹 기간중의 동작은 도 17을 참조하여 설명한 V-블랭킹 기간의 동작과 마찬가지이기 때문에, 그 설명은 생략한다.
선순차 주사 기간에서는 신호 전위(Vsig)로 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 함으로써 화소(101)를 발광시키고, 기준 전위(Vofs)로 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 함으로써 화소(101)를 소광시키는 것은 제 1 및 제 2의 구동 제어 방식과 마찬가지이다. 그러나, 제 1 및 제 2의 구동 제어 방식에서는 최종행의 화소(101)를 발광시킬 때까지는 영상 신호선(DTL10)의 전위가 기준 전위(Vofs)가 되지 않기 때문에, 최종행의 화소(101)의 발광이 시작될 때까지는 그 이전에 먼저 발광하고 있는 다른 행의 화소(101)를 소광시킬 수가 없었다.
따라서, 제 3의 구동 제어 방식에서는 수평 셀렉터(103)가 영상 신호선(DTL10)에 공급하는 전위를 신호 전위(Vsig)와 기준 전위(Vofs)로 짧은 주기에서 교대로 전환하는 제어를 행한다. 그리고, 라이트 스캐너(104)는 소정의 행의 화소(101)를 발광시키는 경우에는 영상 신호선(DTL10)의 전위가 신호 전위(Vsig)로 되어 있을 때에 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 시키고, 소정의 행의 화소(101)를 소광시키는 경우에는 기준 전위(Vofs)로 되어 있을 때에 샘플링용 트랜지스터(31)를 온 시키도록 제어한다. 또한, 라이트 스캐너(104)는 각 행의 화소의 발광 기간이 동일하게 되도록 소광 타이밍을 제어한다.
선순차 주사 기간에서의, 그 밖의 제어, 예를 들면, 발광 소자(34)를 소광시키기 위해서는 구동용 트랜지스터(32)의 게이트(g)에 공급하는 전위는 반드시 기준 전위(Vofs)일 필요는 없고, 발광 소자(34)의 캐소드 전위(Vcat)와 발광 소자(34)의 임계치 전압(Vthel), 및 구동용 트랜지스터(32)의 임계치 전압(Vth)의 합(Vcat+Vthel+Vth) 이하이면 좋지만, 임계치 보정의 기준 전위(Vofs)로 함으로써 제어를 간단하게 하고 있는 점, 최종행의 M행째의 영상 신호 기록은 1필드 기간 종 료시부터 발광 기간만큼 전에 행하여질 필요가 있는 점 등은 도 17에서의 경우와 마찬가지이다.
이상과 같이, 도 16의 EL 패널(200)에 의하면, 전원 라인인 전원선(DSL212)을 전 화소 공통으로 함에 의해, EL 패널(200)의 회로를 간소화하고, 전원 제어를 용이하게 하는 것이 가능해지기 때문에, 패널 전체의 비용을 저감시키는(패널의 저비용화를 실현하는) 것이 가능해진다.
또한, V-블랭킹 기간 내에 임계치 보정 준비 동작과 임계치 보정 동작을 행하기 때문에, 발광 기간을 길게 확보할 수 있고, 발광 소자의 장수명화에 공헌한다. 그리고, 임계치 보정 동작을 복수회로 분할한 경우에는 임계치 보정이 보다 빨리 완료되기 때문에, 더욱 발광 기간을 길게 확보할 수 있다.
본 발명의 실시의 형태는 상술한 실시의 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지의 변경이 가능하다.
도 1은 기본이 되는 EL 패널의 구성례를 도시하는 블록도.
도 2는 종래의 화소의 구성례를 도시한 블록도.
도 3은 유기 EL 소자의 I-V 특성을 도시하는 도면.
도 4는 종래의 화소의 구성례를 도시한 블록도.
도 5는 본 발명을 적용한 EL 패널에 채용하는 화소의 구성례를 도시하는 블록도.
도 6은 도 5의 화소의 동작을 설명하는 타이밍 차트.
도 7은 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 8은 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 9는 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 10은 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 11은 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 12는 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 13은 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 14는 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 15는 도 6의 화소의 동작에 관해 상세히 설명하는 도면.
도 16은 본 발명을 적용한 EL 패널의 한 실시의 형태의 구성례를 도시하는 블록도.
도 17은 도 16의 EL 패널에 의한 제 1의 구동 제어 방식을 설명하는 타이밍 차트.
도 18은 도 16의 EL 패널에 의한 제 2의 구동 제어 방식을 설명하는 타이밍 차트.
도 19는 도 16의 EL 패널에 의한 제 3의 구동 제어 방식을 설명하는 타이밍 차트.

Claims (6)

  1. 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량을 구비하는 화소 회로를 행렬형상으로 배치하는 패널로서,
    행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로에 소정의 전원 전압을 공급하는 전원 공급 수단과,
    행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부와 상기 전원 공급 수단을 접속하는 전원선을 구비하고,
    상기 전원 공급 수단은 수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행하는 것을 특징으로 하는 패널.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화소 회로의 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 또는 오프 하는 주사 제어 수단을 또한 구비하고,
    상기 주사 제어 수단이 상기 화소 회로의 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 또는 오프 함으로써, 상기 발광 소자의 발광 기간이 제어되는 것을 특징으로 하는 패 널.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 주사 제어 수단이 상기 발광 소자를 소광시키기 위해 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 할 때 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 상기 발광 소자의 캐소드 전위, 발광 소자의 임계치 전압, 및 구동용 트랜지스터의 임계치 전압의 합 이하인 것을 특징으로 하는 패널.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 주사 제어 수단이 상기 발광 소자를 소광시키기 위해 상기 샘플링용 트랜지스터를 온 할 때 상기 구동용 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 임계치 보정을 위한 기준 전위와 동일한 것을 특징으로 하는 패널.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 임계치 보정 동작은 복수회로 분할하여 실행되는 것을 특징으로 하는 패널.
  6. 구동 전류에 응하여 발광하는 발광 소자와, 영상 신호를 샘플링하는 샘플링용 트랜지스터와, 상기 구동 전류를 상기 발광 소자에 공급하는 구동용 트랜지스터와, 소정의 전위를 보존하는 보존용량을 구비하는 화소 회로를 행렬형상으로 배치 하는 패널의 구동 제어 방법으로서,
    수직 블랭킹 기간 내에, 임계치 보정 준비 동작 및 임계치 보정 동작을 행렬형상으로 배치된 상기 화소 회로의 전부에 대해 동시에 행하기 위해, 상기 화소 회로의 전부와 접속되어 있는 공통의 전원선을 통하여, 상기 화소 회로의 전부에 대해 동일한 전원 전압 제어를 행하는 스텝을 포함하는 것을 특징으로 하는 구동 제어 방법.
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