CN106817546B - 固态摄像设备以及摄像系统 - Google Patents

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Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018082295A (ja) 2016-11-16 2018-05-24 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
JP6552478B2 (ja) 2016-12-28 2019-07-31 キヤノン株式会社 固体撮像装置
US10652531B2 (en) 2017-01-25 2020-05-12 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state imaging device, imaging system, and movable object
JP6889571B2 (ja) 2017-02-24 2021-06-18 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP2021176154A (ja) * 2018-07-18 2021-11-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子および測距モジュール
US11463644B2 (en) 2018-08-31 2022-10-04 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device, imaging system, and drive method of imaging device
US11013105B2 (en) 2018-09-12 2021-05-18 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup unit and image pickup apparatus
JP7299711B2 (ja) 2019-01-30 2023-06-28 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法
JP7286389B2 (ja) * 2019-04-15 2023-06-05 キヤノン株式会社 無線通信装置、無線通信システムおよび通信方法
JP6986046B2 (ja) 2019-05-30 2021-12-22 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器
JP7345301B2 (ja) 2019-07-18 2023-09-15 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器
JP7374639B2 (ja) 2019-07-19 2023-11-07 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7303682B2 (ja) 2019-07-19 2023-07-05 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像システム
JP7504623B2 (ja) 2020-02-28 2024-06-24 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP7171649B2 (ja) 2020-05-15 2022-11-15 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP7474123B2 (ja) * 2020-06-15 2024-04-24 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム及び移動体
US11736813B2 (en) 2020-07-27 2023-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and equipment
JP7765186B2 (ja) 2021-02-04 2025-11-06 キヤノン株式会社 光電変換装置、電子機器および基板
JP7678676B2 (ja) * 2021-02-04 2025-05-16 キヤノン株式会社 光電変換装置
US11688755B2 (en) 2021-03-18 2023-06-27 Canon Kabushiki Kaisha Photoelectric conversion device, substrate, and equipment comprising a circuit to determine an internal temperature of the photoelectric conversion device based on a current following in a resistive element
JP2022144242A (ja) 2021-03-18 2022-10-03 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび移動体
JP7706916B2 (ja) 2021-04-01 2025-07-14 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP7755407B2 (ja) 2021-08-04 2025-10-16 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP7419309B2 (ja) 2021-09-08 2024-01-22 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP7580362B2 (ja) 2021-11-12 2024-11-11 キヤノン株式会社 光電変換装置及び機器
JP7373542B2 (ja) 2021-12-06 2023-11-02 キヤノン株式会社 光電変換装置および機器
JP7414791B2 (ja) 2021-12-07 2024-01-16 キヤノン株式会社 光電変換装置、機器
JP2023099394A (ja) 2022-01-01 2023-07-13 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システム、および機器
JP2023111095A (ja) 2022-01-31 2023-08-10 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法
JP2023125844A (ja) 2022-02-28 2023-09-07 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび移動体
JP2024011562A (ja) 2022-07-15 2024-01-25 キヤノン株式会社 光電変換装置、システム
JP2024035622A (ja) 2022-09-02 2024-03-14 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび光電変換方法
JP2024035624A (ja) 2022-09-02 2024-03-14 キヤノン株式会社 光電変換装置、光電変換システムおよび光電変換方法
JP2024116757A (ja) 2023-02-16 2024-08-28 キヤノン株式会社 光電変換装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701436A (zh) * 2003-01-27 2005-11-23 松下电器产业株式会社 半导体装置
JP2008172108A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Nikon Corp 固体撮像素子
CN102110700A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 索尼公司 半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置
JP2013090233A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Sony Corp 撮像素子およびカメラシステム

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH022676A (ja) * 1988-06-17 1990-01-08 Konica Corp イメージセンサ
JP3437489B2 (ja) * 1999-05-14 2003-08-18 シャープ株式会社 信号線駆動回路および画像表示装置
JP2002343953A (ja) * 2001-05-11 2002-11-29 Canon Inc 半導体装置および光電変換装置
JP4144892B2 (ja) 2006-08-28 2008-09-03 キヤノン株式会社 光電変換装置及び撮像装置
US20090073297A1 (en) * 2007-09-17 2009-03-19 Micron Technology, Inc. Twisted input pair of first gain stage for high signal integrity in cmos image sensor
JP5004775B2 (ja) 2007-12-04 2012-08-22 キヤノン株式会社 撮像装置及び撮像システム
WO2009116177A1 (ja) * 2008-03-21 2009-09-24 株式会社島津製作所 光マトリックスデバイス
JP5521745B2 (ja) * 2010-04-28 2014-06-18 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
JP2011238856A (ja) 2010-05-12 2011-11-24 Canon Inc 光電変換装置
JP2012147183A (ja) 2011-01-11 2012-08-02 Canon Inc 光電変換装置
JP6045136B2 (ja) 2011-01-31 2016-12-14 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP2013093553A (ja) 2011-10-04 2013-05-16 Canon Inc 光電変換装置及びその製造方法、並びに光電変換システム
JP6080447B2 (ja) 2011-12-01 2017-02-15 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP5956755B2 (ja) * 2012-01-06 2016-07-27 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP2014175553A (ja) 2013-03-11 2014-09-22 Canon Inc 固体撮像装置およびカメラ
JP2014216349A (ja) 2013-04-22 2014-11-17 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP6223055B2 (ja) 2013-08-12 2017-11-01 キヤノン株式会社 光電変換装置
JP6245997B2 (ja) 2014-01-16 2017-12-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP6246004B2 (ja) 2014-01-30 2017-12-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6057931B2 (ja) 2014-02-10 2017-01-11 キヤノン株式会社 光電変換装置及びそれを用いた撮像システム
JP6412328B2 (ja) 2014-04-01 2018-10-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
JP2016144151A (ja) 2015-02-04 2016-08-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置の駆動方法、固体撮像装置およびカメラ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1701436A (zh) * 2003-01-27 2005-11-23 松下电器产业株式会社 半导体装置
JP2008172108A (ja) * 2007-01-12 2008-07-24 Nikon Corp 固体撮像素子
CN102110700A (zh) * 2009-12-25 2011-06-29 索尼公司 半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置
JP2013090233A (ja) * 2011-10-20 2013-05-13 Sony Corp 撮像素子およびカメラシステム

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017103514A (ja) 2017-06-08
US20170155862A1 (en) 2017-06-01
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CN106817546A (zh) 2017-06-09
JP6619631B2 (ja) 2019-12-11

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