CN1060233C - 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法 - Google Patents

生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1060233C
CN1060233C CN95105487A CN95105487A CN1060233C CN 1060233 C CN1060233 C CN 1060233C CN 95105487 A CN95105487 A CN 95105487A CN 95105487 A CN95105487 A CN 95105487A CN 1060233 C CN1060233 C CN 1060233C
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
column part
gas
air feed
substrate support
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN95105487A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1122849A (zh
Inventor
石住隆司
兼岩进治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of CN1122849A publication Critical patent/CN1122849A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1060233C publication Critical patent/CN1060233C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45587—Mechanical means for changing the gas flow
    • C23C16/45591—Fixed means, e.g. wings, baffles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/301—AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C23C16/303—Nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
    • C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
    • C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
    • C23C16/45548—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction
    • C23C16/45551—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus having arrangements for gas injection at different locations of the reactor for each ALD half-reaction for relative movement of the substrate and the gas injectors or half-reaction reactor compartments
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides
    • C30B29/406—Gallium nitride

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

提供了一种可用来大批量生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法。生长室(1)有一个圆柱部分(1b)和一个封闭圆柱部分(1b)进气端的端板(1a)。端板(1a)上分别有一个阳、阴离子材料供气口(2)、(3)而排气装置位于圆柱部分(1b)的出气侧。在圆柱部分(1b)中有一个带有衬底固定表面(20)的衬底支架(5)。气体分离元件(6)使圆柱部分(1b)分开各材料气体独立的供于其中。驱动装置(7)使衬底支架(5)绕圆柱部分(1b)的中心线旋转，于是阳离子材料和阴离子材料气体交替地供向衬底(4)的表面。

Description

生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法
本发明涉及到一种用来生长化合物半导体材料的气相生长设备和气相生长方法，确切地说是一种用来在衬底上可控性良好地生长用于光发射器件和高频器件的化合物半导体层的气相生长设备和气相生长方法。
用来生产多种器件的金属有机气相外延方法(以下称之为MOVPE)是公知的一种化合物半导体材料生长方法。为了改善器件的性能，人们认为生产工艺中需要达到原子层数量级的可控性，因而提出了原子层外延(以下称之为ALE)生长方法。
图13示意地示出了一种用MOVPE或ALE方法生长GaAs的气相生长设备。此设备有一个接近圆柱状的反应管101、一个用来向反应管101供应Ga材料气体三甲基镓(TMG)的供料管102、一个用来向反应管101供应As材料气体砷烷的供料管103、以及一个用来向反应管101供应驱气用的氢气的供料管108。供料管102、103和108穿入反应管101的端表面101a，并沿反应管101的圆柱部分101b轴向的大约中央部位开口。沿反应管101的轴向的大致中央处提供了一个衬底架105，而衬底架105用从反应管101另一端面101c伸出的长臂107来支持。无论在MOVPE方法还是在ALE方法情况下，GaAs衬底104都安放在衬底架105上，而TMG和砷烷分法情况下，GaAs衬底104都安放在衬底架105上，而TMG和砷烷分别经由供料管102和103来供应，从而在GaAs衬底104上生长出GaAS。未经反应的气体等等经由圆柱部分101b另一端面101c侧面上的排气管110被排出。MOVPE法同ALE法之间的主要区别在于供气的时刻不同。MOVPE法中TMG和砷烷是同时供应的。
与此相反，ALE法中气体供应时刻是用开关控制阀(未示出)的方法来交替地供应TMG和砷烷的。而且ALE法中，在TMG和砷烷供应周期之间有一如图14A、14B和14C所示的氢气驱气周期，用以防止TMG和砷烷相互混合。在氢气驱气期间，氢气经由供料管108送入反应管101，从而驱赶反应管101内部的气体。
ALE法的特征是利用下列现象：在TMG供应期间，当TMG或其分解物覆盖GaAs衬底104表面的比值变成1之后，就抑制了进一步的沉积(由适当选取诸如衬底温度之类的生长条件而达到的所谓自限制机理)。在TMG供应期间之后的砷烷供应期间内，在GaAs衬底104上就形成了一个GaAs单原子层。重复形成单原子层就可获得具有原子层单位平整度的生长层。当形成异质界面时，界面的突变性可控制在原子层单位的范围内。制造各种器件时所要求的半导体层的厚度在几十到几μm的范围内，相当于几十到几万个原子层。因此，在试图用ALE法来生长各种器件的半导体层时，对于每一生长层，材料气体的交替供应需要重复几十到几万次。然而，由于气体供应周期间的转换是由开关控制阀来执行的，就要求极频繁地开关控制阀。因此，倘若考虑到控制阀的寿命，则采用ALE法生产(特别是大规模生产)器件是不现实的。
本发明的目的是提供一种可将阳离子材料气体(如TMG)和阴离子材料气体(如砷烷)交替地供应到衬底上而无须执行控制阀如此频繁开关的气相生长设备和气相生长方法，从而可大批量生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。
为了达到上述目的，本发明提供了一种气相生长设备，借助于交替地供应阳离子材料气体和阴离子材料气体并使之反应，用以在生长室中保持于规定温度的衬底表面上生长化合物半导体层，其中的生长室有一个沿进气侧到出气侧的方向延伸的圆柱部分以及一个封闭圆柱部分进气端的端板，端板在其特定部位有一个向圆柱部分供应阳离子材料气体的供气口和一个向圆柱部分供应阴离子材料气体的供气口，还包含用来从圆柱部分的出气侧排出其中的气体的排气装置、一个位于圆柱部分的进气侧和出气侧之间并带有一个衬底固定表面的衬底支架、借助于使从材料供气口到衬底支架表面延伸的气流路径分开的方法使各材料气体独立地供向衬底固定表面而形成多个材料供气区域的气体分离装置、以及用来使衬底固定表面上放有衬底的衬底支架绕圆柱部分的中心线旋转的驱动装置。
根据本发明的气相生长设备。化合物半导体层的生长方式如下：衬底安置在衬底支架的衬底固定表面的特定部位，衬底被保持在适于生长的特定温度下。在上述条件下，从位于生长室端板处的材料气体供气口向圆柱部分供应阳离子材料气体和阴离子材料气体。供入的各种材料气体由气体分离装置彼此分离开来，并从材料气体供气口到达衬底支架的衬底固定表面而不互相混合。因而在衬底支架表面上形成各材料气体独立地供于其上的多个材料气体供气区域。此时使衬底支架绕圆柱部分的中心线旋转。因此，阳离子材料气体和阴离子材料气体被交替地供向置于衬底固定表面上的衬底表面上。用上述方法，化合物半导体层就在衬底表面上以原子层为单位生长起来。未被反应的气体等由出气侧的排气装置排出。各材料气体的气流路径就这样由气体分离装置彼此分离开来，从而阳离子材料气体和阴离子材料气体就可借助于旋转衬底支架而交替地供向衬底的表面。因此，同常规情况不同，为了转换供气周期就不需频繁地开关控制阀，这就消除了对控制阀寿命受损的担忧。这就可大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底架的衬底固定表面垂直于圆柱部分的中心线，为圆形结构，且衬底固定表面的中心位于圆柱部分的中心线上。
在上述设备中，对于衬底架的整个圆周，衬底架同圆柱部分的内壁之间隙恒定。因而对衬底架的整个圆周来说，排气的阻力相同。因此，即使衬底架旋转，对各材料气体的流速也没有影响。因此可生长可控性良好的化合物半导体层。
根据一个实施例的气相生长设备，气体分离装置至少由一个隔板组成，此隔板所在的平面包括了圆柱部分的中心线且从多个材料气体供气口之间通过。
利用上述结构，各材料气体的气流路径就简单有效地彼此分离开来。
根据一个实施例的气相生长设备，各隔板从圆柱部分的中心线径向延伸到圆柱部分的内壁，且彼此相交一定的角度，此角度根据材料气体供向衬底的时间长度来确定。
在这种情况下，借助于增加衬底支架的转速(恒定速度)，使形成化合物半导体层所需的材料气体供气周期都定于必需的最小长度。因此可增加产率。而且，由于要求驱动装置以恒定速率旋转衬底架，故可简化旋转控制。
根据一个实施例的气相生长设备，在端板处各材料气体供气口之间提供了一个分离气体供气口，用来供应具有在衬底表面上对生长反应没有贡献的特性的分离气体。气体分离装置包含由从分离气体供气口延伸到衬底固定表面的层状分离气流。
此时在圆柱部分内不用提供任何额外的元件就可将各材料气体的气流路径彼此分隔开来，从而可简化维修。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底支架的衬底固定表面的结构相当于中心线同圆柱部分中心线重合的截头锥体的外侧面。
此时比之衬底固定表面同圆柱部分中心线垂直的情况，可增大衬底固定表面的面积。当采用上述设计时，可在衬底固定表面上放置大量衬底，从而可提高产率。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底支架的衬底固定表面的结构相当于中心线同圆柱部分中心线重合的棱柱形管的内侧面。
利用上述结构，比之衬底固定表面垂直于圆柱部分中心线的情况，可增大衬底固定表面的面积。当采用上述结构时，可在衬底固定表面上安置大量衬底，从而可提高产率。
本发明提供了一种气相生长方法，它包含下列步骤：把衬底固定在衬底支架的衬底固定表面上，此衬底支架位于生长室圆柱部分进气侧到出气侧之间，生长室则带有沿进气侧到出气侧方向延伸的圆柱部分以及一个封闭圆柱部分进气端的端板；将衬底保持在特定的温度下；形成各材料气体供气区域，其中，借助于从进气侧经由多个材料气体供气口将阳离子材料气体和阴离子材料气体供入圆柱部分，同时借助于气体分离装置防止各材料气体在圆柱部分内相互混合并将材料气体排出圆柱部分之外，从而使各材料气体独立地供向衬底固定表面的各相应部位；以及使衬底支架绕圆柱部分的中心线旋转。
根据一个实施例的气相生长方法，气体分离装置至少由一个位于包括圆柱部分中心线且从多个材料供气口之间通过的平面内的隔板组成，当衬底通过隔板所在的平面时，提高衬底支架的转速，而当衬底位于各材料供气区域时，降低或暂时停止衬底支架的转速。
利用上述设计，可基本消除阳离子材料气体供向衬底一部分表面而阴离子材料气体供向衬底的其余部分表面这样的过渡期，从而可得到具有极好的界面突变性的原子层生长。
根据一个实施例的气相生长方法，衬底支架绕圆柱部分中心线旋转的速率根据多个材料气体供向衬底的时间长度而改变。例如，当衬底通过要求短时间供气的材料气体供气区时，衬底支架的转速被增加。当衬底通过要求长时间供气的材料气体供气区时，则降低衬底支架的转速。利用上述设计，用以形成化合物半导体层的材料气体供气周期被设定为必需的最小长度。因此增大了产率。
根据一个实施例的气相生长方法，准备了二种或更多种的至少一个阳离子材料气体和阴离子材料气体，且此二种或更多种的材料气体经由不同的材料气体供气口被供入圆柱部分，从而在衬底支架转一圈时生长二个或更多个原子层。
此时就生长成具有各种组分的化合物半导体层。
从下列的详细描述和附图(仅以说明的方式给出，对本发明并不起限制作用)，可更充分地理解本发明，在这些附图中；
图1示意地示出了根据本发明第一实施例的气相生长设备的结构；
图2A是一平面图，解释了利用图1所示的气相生长设备所执行的气相生长方法；
图2B和2C解释了图2A气相生长方法；
图3A和3B平面图解释了经修改的图2A气相生长方法；
图3C和3D解释了图3A和3B的气相生长方法；图4示出了根据本发明第二实施例的气相生长设备的结构；
图5A平面图解释了利用图4所示气相生长设备所执行的气相生长方法；
图5B、5C和5D解释了图5A的气相生长方法；
图6示出了根据本发明第三实施例的气相生长设备的结构；
图7A平面图解释了利用图6所示气相生长设备所执行的气相生长方法；
图7B、7C和7D解释了图7A的气相生长方法；
图8A平面图解释了利用图4所示气相生长设备所执行的另一个气相生长方法；
图8B、8C、8D、8E、8F和8G解释了图8A的气相生长方法；
图9A平面图解释了利用图6所示气相生长设备经修改后所执行的气相生长方法；
图9B、9C、9D和9E解释了图9A的气相生长方法；
图10A平面图解释了利用图6所示气相生长设备所执行的另一个气相生长方法；
图10B、10C和10D解释了图10A的气相生长方法；
图11示出了根据本发明第四最佳实施例的气相生长设备的结构；
图12示出了根据本发明第五最佳实施例的气相生长设备的结构；
图13示出了常规气相生长设备；以及
图14A、14B和14C解释了利用常规气相生长设备所执行的气相生长方法。
参照附图基于几个实施例来详细描述本发明的气相生长设备和气相生长方法。
图1示出了根据本发明第一实施例的气相生长设备的结构。气相生长设备有一个近似圆柱形的生长室1。生长室1有一个沿垂直方向延伸的圆柱部分1b、一个用作封闭圆柱部分1b进气端的端板的盖部1a，以及一个用来封闭圆柱部分1b出气端的底部1c。在盖部1a处对称于盖部1a中心的位置上有一个用来向生长室1供应阳离子材料气体的供气口2和一个向生长室1供应阴离子材料气体的供气口3。生长室1的下面有一个垂直的圆柱形支持管9，其直径小于圆柱部分1b，它支持着生长室1。生长室1通过底部1c中心处的开口，用支持管9连接，而支持管9同其周面上的排气管10连接。留在生长室1圆柱部分1b中的气体被用作排气装置的真空泵(未示出)经由支持管9和排气管10排出。在支持管9内有用作驱动装置的一个驱动轴7和一个驱动马达(未绘出)。
在圆柱部分1b的大约中间处，有一个盘状衬底支架5水平地即垂直于圆柱部分的中心线放置。衬底支架5的上表面20面对盖部1a上的材料供气口2和3，用作衬底固定表面，在生长时其上置有衬底4。衬底支架5的中心位于圆柱部分1b的中心线上，衬底支架5的外径定为小于圆柱部分1b的内径尺寸。因此，对整个周边可使衬底支架5同圆柱部分1b内壁之间的间隙恒定。因而对整个衬底支架5的周边来说，在生长时可得到恒定的排气阻力。即使旋转衬底支架5，也不会影响各材料气体的流速。因此用下述方法可以良好可控地在衬底4上生长化合物半导体层。
衬底支架5由从下部支持管9中的驱动马达伸出的驱动轴7支持。驱动轴7的轴心同圆柱部分1b的中心线重合，驱动轴7的顶端连接于衬底支架5下表面的中央。在生长阶段，由驱动马达经由驱动轴7使衬底支架5绕圆柱部分中心线旋转。衬底支架5中有一内建加热器(来示出)用来电加热，从而在生长时使衬底固定表面20的整个表面均匀地保持在特定的温度下。
在圆柱部分1b内，有一个用作气体分离装置的隔板6。隔板6所在的平面包括有圆柱部分1b的中心线且从材料供气口2和3之间通过，从而使圆柱部分1b的内部分隔为二个分别对应于材料供气口2和3的区域。隔板6被做成同盖板1a、圆柱部分1b和底部1c的内壁相接触。在上述平面与衬底支架5和驱动轴7相交的部位，隔板6沿元件5和7的形状切除一部分，使元件5和7可以无摩擦地转动。隔板6在生长时使从材料供气口2和3到衬底固定表面20的材料气体气流路径彼此分隔开来，从而形成二个各材料气体独立供向衬底固定表面20的材料供气区。由于隔板6只是一块板，故材料气体的气流路径可简单而有效地彼此分离开来。
利用上述的气相生长设备，在GaAs衬底4上可生长GaAs化合物半导体层。
衬底4置于衬底支架5的衬底固定表面20的中心与边缘之间处。由衬底支架5的内建加热器将衬底保持在指定的温度(400-550℃)下。在上述的条件下，通过材料供气口2和3将用作阳离子材料气体的三甲基镓(TMG)和用作阴离子材料气体的砷烷供入圆柱部分1b。需要指出的是，TMG的流量定为20 SCCM，砷烷的流量定为200 SCCM，且TMG和砷烷各由流量为5 SLM的氢气加速。同时，用真空泵经由出气侧的支持管9和排气管10，排出圆柱部分1b中的气体，从而在生长室1内部达到20乇的压力。结果在圆柱部分1b中就产生高速气流。
经由材料供气口2和3供入圆柱部分1b的TMG和砷烷被隔板6彼此分隔，再到达衬底支架5的衬底固定表面20而不相互混合。于是，如图2A所示，在衬底固定表面20上就形成了TMG和砷烷独立地供于其上的二个材料供气区(一个TMG供气区和一个砷烷供气区)21和22。在上述情况下，衬底支架5借助于驱动马达而绕圆柱部分的中心线旋转。因此，TMG和砷烷以图2B和2C所示的方式而交替地供向置于衬底固定表面20上的衬底4的表面。换言之，形成了一个由TMG供气和砷烷供气二个周期组成的供气循环。设衬底支架的转速为每分钟6转(恒定速率)，则GaAs衬底4同TMG和砷烷各接触5秒。通过上述工序，每转一圈可在衬底4表面上生长一个GaAs单原子层(厚度约为2．8)。
如上所述，此气相生长设备中由于各材料气体的气流路径被隔板6彼此分隔开来，借助于旋转衬底支架5就可将阳离子材料气体和阴离子材料气体交替地供向衬底4的表面。同常规方法不同，上述设计免除了为材料气供给周期之间转换而频繁开关控制阀的要求，从而消除了对控制阀损坏的担忧。而且利用此气相生长设备执行原子层生长时的控制因素是生长室压力、衬底温度、气体流量以及衬底支架的旋转速率，这些因素都很易控制。
因此，可以大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。利用上述设计，可生产具有极好平整度和界面突变性的光发射器件和高频器件。
而且，由于圆柱部分1b内的气体被真空泵快速地排出，在圆柱部分1b内就不会产生对流。再者，由于衬底支架5和圆柱部分1b内壁之间的间隙在整个周边都做成恒定，即使当衬底支架5旋转时，也不会对TMG和砷烷的流速产生影响。因此，如上所述，可以良好可控地在衬底4上生长GaAs层。
要指出的是，当用三甲基铝(TMA)来取代TMG用作阴离子材料气体时，在转一圈中可生长二个原子层(厚度约为5．7)。
而且，虽然衬底支架5的旋转速率定为恒定值，但本发明不限于此。例如，也可以在衬底4刚好通过隔板6下方时，使衬底支架5的转速升高，而在衬底4位于隔板6正下方之外的位置时，使衬底支架5的转速降低或暂时停止转动。利用上述设计，可基本消除TMG供向衬底4的部分表面而砷烷供向其余部分表面这样的过渡期。因此，可得到界面突变性极好的原子层生长。
如所知，在GaAs衬底4上形成一个TMG单原子沉积层需要数秒的时间。但通过同砷烷的反应，在短于上述的时同内就足以生长GaAs单原子层。在上述情况下，被认为砷烷供气周期定得比所需的长。
因此，如图3A所示，可根据TMG和砷烷各自供向衬底4的时间长度来改变衬底支架5的转速。例如，把衬底4通过砷烷供气区22时的转速设定得大于衬底4通过TMG供气区21时的转速。利用上述设计，可如图3C所示那样，把形成GaAs层的TMG供气周期和砷烷供气周期各自都定为必需的最短时间。因而可提高产率。
而且，用图3B所示方法，可以使衬底支架5的转速恒定，使隔板6′从中心线径向伸至圆柱部分1b的内壁成一确定的角度，并根据TMG和砷烷各自供向衬底4的时间长度来确定角度。此时，借助于增加衬底支架5的转速(恒定速率)的设定值，形成GaAs层的TMG供气周期和砷烷供气周期可用图3C和3D所示的方式各自设定为必需的最小长度。因此，可提高产率。而且，由于衬底支架可以恒速旋转，旋转的控制就可容易地执行。
图4示出了根据本发明第二实施例的气相生长设备的结构。要指出的是，与图1所示元件相同者用相同的参考号表示，此处不再描述。
本气相生长设备采用了一种具有对衬底4表面上的生长反应不作贡献的特性的分离气体来取代图1所示气相生长设备中的隔板6。详细地说，在生长室1的有一些通过材料供气口2和3之间排成直线的分离气体供气口8、8和8，用来供应分离气体。在生长期间，形成从分离气体供气口8、8和8延伸至衬底固定表面20的层状分离气体流。
利用上述气相生长设备，以同前述实施例相同的方式在GaAs衬底4上生长了化合物半导体GaAs层。三甲基镓(TMG)用作阳离子材料气体，砷烷用作阴离子材料气体，而氢气用作分离分体。生长条件同前一实施例相同，即衬底温度为400-550℃、生长室1内压力为20乇、TMG流量为20 SCCM、砷烷流量为200 SCCM、而且TMG和砷烷被流量为5 SLM的氢气加速。分离用的氢气在各进气口的流量定为10 SLM。衬底支架5的转速为每分钟6转(恒定速率)。
通过材料供气口2和3供入圆柱部分1b的TMG和砷烷被层状氢气流彼此分隔开来，然后到达衬底支架5的衬底固定表面20而不相互混合。因此，如图5A所示，在衬底固定表面20上的TMG供气区31和砷烷供气区32被由氢气形成的分离区33彼此分隔开来。在上述情况下，衬底支架5绕图4所示圆柱部分1b的中心线而旋转。因此，如图5B、5C和5D所示，形成了一个由一个TMG供气周期、一个氢气分离周期、一个砷烷供气周期以及一个氢气分离周期总共四个周期所组成的供气循环。利用上述的设计，在每转一圈的时间内，可在衬底4的表面上生长一个GaAs单原子层。
在此气相生长设备中，在圆柱部分1b内不用提供任何额外的元件就可将各材料气体气流路径彼此分离开来，致使获得可简化设备维护的优点。
要指出的是分离气体不限于氢气，只要求气体具有对衬底表面上的生长反应不作贡献的特性。例如，当采用诸如氩气或氦气之类的惰性气体时，也能产生同样的效果。
图8A-8G示出了一个利用图4所示气相生长设备在蓝宝石衬底4A和4B上生长化合物半导体GaN层的例子。三甲基镓用作阳离子材料气体，氨用作阴离子材料气体，而氢气用作分离气体。
如图8A所示，衬底4A和4B置于衬底支架5的衬底固定表面20的中心和边缘之间与中心对称的地方，衬底温度保持500℃。TMG和氨经由图4所示的材料供气口2和3被供入圆柱部分1b。TMG的流量定为20 SCCM，并利用流量为5 SLM的氢气来执行加速。氨气的流量定为5 SLM。要指出的是，此时不流通分离气体。生长室1内部的压力借助于调整真空泵的排气量而定为760乇。衬底支架5的旋转速率定为每分钟2000转左右。由于不流通分离气体，TMG同氨气在衬底4A和4B上相互混合，从而以正常MOVPE模式生长一个GaN缓冲层。衬底支架5的转速之所以被提高到每分钟2000转这样的高值，是为了确保生长层厚度的均匀性。
接着在GaN缓冲层上生长GaN原子层。详细地说，将衬底温度提高并保持在800-1000℃范围内。在TMG和氨气流速保持不变的情况下，使氢气在各进气口以10 SLM的流量流经分离气体供气口8、8和8。借助于调节真空泵的排气量，使生长室1中的压力定为200乇。然后将衬底支架5的转速定为每分钟10转左右。
经由材料供气口2和3供入圆柱部分1b的TMG和氨被层状氢气流彼此分隔开来，然后到达衬底支架5的衬底固定表面20而不彼此混合。因此，以图8A所示的方式，在衬底固定表面20上由氢气形成的分离区53把TMG供气区51和氨供气区52彼此分隔开来。在上述情况下，衬底支架5绕图4所示的圆柱部分的中心线旋转。因此，如图8B-8D所示，对于衬底4A就形成了一个由一个TMG供气周期、一个氢气分离周期、一个氨供气周期以及一个氢气分离周期总共4个周期组成的供气循环。换言之，如图8E-8G所示，对于衬底4B，形成了一个由一个氨供气周期、一个氢气分离周期、一个TMG供气周期以及一个氢气分离周期总共4个周期组成的供气循但在衬底4A和4B上都以原子层的模式生长了GaN层。实际上，在每一圈转动中可以生长一个GaN单原子层(厚度约为2．6)。
要指出的是，衬底的数目当然不限于2，只要衬底固定表面20上装得下，任何数目的衬底都可以。
图6示出了根据本发明第三实施例的气相生长设备的结构。要指出的是，与图1和图4所示相同的那些元件都标以相同的参考号而且此处不再加以描述。
此气相生长设备同时采用隔板6A和6B以及分离气体来作为分离装置。详细地说，在生长室1的盖部1a处，提供了一个排成直线通过材料供气口2和3之间的分离气体供气口8和8，用来供应分离气体。另一方面，在圆柱部分1b内部提供了隔板6A和6B。隔板6A和6B在圆柱部分1b的中心线彼此相交，从而把圆柱部分1b的内部分成对应于材料供气口2和3以及分离气体供气口8和8的四个区域。隔板6A和6B间的交角根据各材料气体供向衬底4的时间长度来设定。在生长期间，隔板6A和6B使从材料供气口2和3以及分离气体供气口8和8延伸到衬底固定表面20的各个材料气体和氢气的气流路径分隔开来。由于隔板6A和6B以及分离气体被同时使用，各材料气体的气流路径可更可靠地彼此分隔开来。
在GaAs衬底4上来生长一个化合物半导体硒化锌层。一组二乙基锌(DEZ)用作阳离子材料气体，一组硒化氢用作阴离子材料气体，而二组氢用作分离气体。生长条件为衬底温度200-300℃、生长室内部压力10乇、DEZ流量10 SCCM、硒化氢流量200 SCCM、而且用流量各为3 SLM的氢气将DEE和硒化氢加速。分离用的氢气的流量在各进气口为5 SLM。衬底支架5的转速为每分钟10转(恒的流量在各进气口为5 SLM。衬底支架5的转速为每分钟10转(恒定速率)。
如图6和7A所示，经由材料供气口2和3以及分离气体供气口8和8供入到圆柱部分1b的DEZ、硒化氢和二组氢气，被隔板6A和6B彼此分隔开来，然后到达衬底支架5的衬底固定表面20而不相互混合。在此例中，如图7A所示，在衬底固定表面20上沿周边方向相继形成了一个DEZ供气区41、一个氢分离区42、一个硒化氢供气区43以及一个氢分离区44。在上述情况下，衬底支架5绕图6所示的圆柱部分中心线旋转。因此，如图7B、7C和7D所示，形成了一个由一个DEZ供气周期、一个氢分离周期、一个硒化氢供气周期以及一个氢分离周期总共四个周期组成的供气循环。利用上述设计，在每一圈旋转中，可在衬底4的表面上生长一个硒化锌单原子层(厚度约为2．8)。
要指出的是，隔板的数目不限于2。可使用三个或三个以上的隔板使其彼此在圆柱部分1b的中心线以规定的角度相交。当采用上述设计时，借助于对隔板所分隔的每个区域提供一个材料气体或分离气体的供气系统，就可以增加材料气体和分离气体的供气系统的数目。因此，各种类型的化合物半导体层都可以在衬底上生长。
图9A、9B、9C、9D和9E示出了利用隔板数目增为3而其它部件相似于图3所示情况的气相生长设备，在GaAs衬底上生长化合物半导体Ga0．5In0．5P层的一个例子。
此处所用的气相生长设备以图9A所示的方式同时采用了隔板6A、6B和6C作为气体分离装置以及二组氢气作为分离气体。隔板6A、6B和6C在图6所示的圆柱部分中心线处彼此以规定的角度相交。隔板6A、6B和6C彼此相交的角度根据材料气体供向衬底4的时间长度来设定。使用了三种四组材料气体。详细地说，一组TMG和一组三甲基铟(TMI)用作阳离子材料气体。使用二组磷烷作为阴离子材料气体。生长条件为衬底温度300-500℃、生长室1内部压力为20乇、TMG流量为10 SCCM、TMI流量为10 SCCM、磷烷流量在每区为100 SCCM、而且用流量各为3 SLM的氢气对TMG、TMI和磷烷进行加速。分离用的氢气的流量为3 SLM。衬底支架5的转速为每分钟3转(恒定速率)。
经由材料供气口供入圆柱部分1b的TMG、TMI、二组磷烷以及二组氢气被隔板6A、6B和6C彼此分隔开来，然后到达衬底支架5的衬底固定表面20而不彼此混合。在此例中，以图9A所示的方式，在衬底固定表面20上沿周边方向相继形成了一个TMG供气区61、一个磷烷供气区62、一个氢分离区63、一个TMI供气区64、一个磷烷供气区65以及一个氢分离区66。在上述情况下，衬底支架绕图6所示圆柱部分的中心线旋转。因此以图9B、9C、9D和9E所示的方式形成了一个由一个TMG供气周期、一个磷烷供气周期、一个氢气分离周期、一个TMI供气周期、一个磷烷供气周期以及一个氢气分离周期总共6个周期组成的供气循环。
利用上述设计，在每一圈转动中可在衬底4的表面上生长一对(GaP)1(InP)1的超晶格结构(厚度约为5．6)。上述超晶格结构的叠层形成了Ga0．5In0．5P层。
图10A、10B、10C和10D示出了利用图6所示气相生长设备在GaAs衬底4上生长化合物半导体Ga0．5In0．5P层的一个例子。
以图10A所示的方法，采用TMG和TMI(称之为(TMG+TMI))作为要同时供入一组的阳离子材料气体，而一组磷烷用作阴离子材料气体。采用二组氢气作为分离气体。生长条件为衬底温度300-500℃、生长室1内部压力20乇、TMG流量5 SCCM、TMI流量10 SCCM、磷烷流量200 SCCM、且用流量各为3 SLM的氢气加速TMG、TMI和磷烷。分离用的氢气的流量为3 SLM。衬底支架5的转速为每分钟3转(恒定速率)。
在此例子中，在衬底固定表面20上沿周边方向相继形成了一个(TMG+TMI)供气区71、一个氢分离区72、一个磷烷供气区73以及一个氢分离区74。在上述情况下，衬底支架5绕图6所示圆柱部分1b的中心线旋转。因此，如图10B、10C和10D所示，形成了一个由一个(TMG+TMI)供气周期、一个氢分离周期、一个磷烷供气周期以及一个氢分离周期总共四个周期所组成的供气循环。
利用上述设计，在每一圈转动中，可在衬底4的表面上生长一个Ga0．5In0．5P单原子层(厚度约为2．8)。
虽然在前述各个例子中，衬底上生长的化合物半导体层都有一个一种类型的组分，但借助于改变生长工艺过程中的材料气体的类型，化合物半导体可以有各种类型的组分。而且，为了使要生长的化合物半导体层有一定的导电率，可以使用含有杂质元素的材料气体。
虽然在上述各例中采用有机金属化合物作为阳离子材料气体，但也可以使用不是有机金属化合物的材料气体，例如卤族化合物。
虽然在图1、4和6所示的各个气相生长设备中，生长室1都有沿垂直方向延伸的圆柱部分1b，但本发明不限于此。使圆柱部分沿水平方向放置并沿水平方向通以材料气体和分离气体，这也是可以的。
衬底支架5可以是圆柱部分1b绕有线圈的高频加热型而不是内建加热器型。
图11示出了根据本发明第四最佳实施例的气相生长设备的结构。要指出的是，与图1所示相同的元件标以相同的参考号，且此处不再加以描述。
在这一气相生长设备中，在圆柱部分1b大约中间的部位提供了一个中心线同圆柱部分1b的中心线重合的截头圆锥形的衬底支架15。衬底支架15的外侧面30具有棱锥结构(带有多角形的横截面)而不是圆锥结构。外侧面30的相邻脊线之间的每个分段的小表面都有一定的平整度以便可以将衬底4附于其上并在生长期间用作其上置有衬底4的衬底固定表面。在这种衬底支架15情况下，比之水平放置衬底固定表面的情况，可扩大衬底固定表面30的面积。因此可在衬底固定表面30上放置许多衬底4、4、…，从而改进产率。
在本例子中，衬底支架15的下边缘为圆形，其外径定得比圆柱部分1b的内径小。衬底支架15的中心线同圆柱部分1b的中心线重合，因此下边缘同圆柱部分内壁之间的间隙在整个周边都恒定。因而对于衬底支架15的整个周边，排气阻力都相同。即使旋转衬底支架15，也不影响各材料气体的流速。因此，可在衬底4上可控制良好地生长化合物半导体层。
而且，在圆柱部分1b内提供了沿衬底支架15和驱动轴7的形状切去了一部的隔板1b作为气体分离装置。隔板所在的平面包有圆柱部分1b的中心线并从材料供气口2和3之间通过，从而把圆柱部分1b的内部分隔成分别对应于材料供气口2和3的二个区域。由于各材料气体的气流路径被隔板1b彼此分隔开来，借助于旋转衬底支架15就可使阳离子材料气体和阴离子材料气体交替地供向衬底4的表面。因此可以大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。利用上述设计、可以生产具有极好的平整度和界面突变性的光发射器件和高频器件。
图12示出了根据本发明第五最佳实施例的气相生长设备的结构。要指出的是，同图1所示相同的元件标以相同的参考号且此处不再加以描述。
在此气相生长设备中，在圆柱部分1b内提供了一个中心线同圆柱部分1b中心线相重合的近于圆柱形的衬底支架25。衬底支架25由从下部的支持管9中的驱动马达伸出来的驱动轴7和从驱动轴7的周边伸向衬底支架25的下端的臂元件(未绘出)来支持。衬底支架25的内表面40为棱锥形状(有一个多角形的横截面)而不是圆柱结构。在内表面40的相邻谷线之间的分段小表面具有一定平整度以便衬底4可以贴于其上并在生长期间用作其上安置衬底4的衬底固定表面。在衬底支架25的情况下，比之衬底固定表面水平放置的情况，可增大衬底固定表面40的面积。因此可在衬底固定表面40上放置许多衬底4、4、…，从而改进产率。
此时，衬底支架25具有近似圆柱形的结构。因此，即使生长期间衬底支架25旋转，对各材料气体的流速也没有影响。因而可在衬底4上可控性良好地生长化合物半导体层。
而且，在圆柱部分1b内提供了一个具有近似T形形状的隔板2b作为气体分离装置。隔板26所在的平面包含有圆柱部分1b的中心线并从材料供气口2和3之间通过，从而把圆柱部分1b的内部分隔成分别对应于材料供气口2和3的二个区域。由于材料气体的气流路径被隔板26彼此分隔开来，借助于旋转衬底支架25就可使阳离子材料气体和阴离子材料气体交替地供向衬底4的表面。因此，可大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。利用上述设计，可生产具有极好的平整度和界面突变性的光发射器件和高频器件。
如从上述描述中可见，在本发明的气相生长设备中，各材料气体的气流路径被气体分离装置彼此分隔开来，因而借助于旋转衬底支架，可将阳离子材料气体和阴离子材料气体交替地供向衬底的表面。利用上述设计，与常规情况不同，就不必为了材料气供给周期之间的转换而频繁地开关控制阀，从而消除了对控制阀损害的担忧。而且可以大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底支架的衬底固定表面垂直于圆柱部分的中心线并具有圆形结构，且衬底固定表面的中心处于圆柱部分的中心线上。利用上述设计，对衬底支架的整个周边，使衬底支架同圆柱部分内壁之间的间隙做到恒定。因此，对衬底支架的整个周边，排气的阻力也恒定。因而，即使旋转衬底支架，也不影响各材料气体的流速，而且可以可控性良好地生长化合物半导体层。
根据一个实施例的气相生长设备，气体分离装置至少由一个位于包含圆柱部分中心线并从多个材料供气口之间通过的平面内的隔板组成。利用上述设计，可以简单而有效地把各材料气体的气流路径彼此分隔开来。
根据一个实施例的气相生长设备，各隔板从圆柱部分的中心线径向延伸到圆柱部分的内壁并彼此以规定的角度相交，而此角度根据各材料气体供向衬底的时间长度来设定。因此，借助于提高衬底支架旋转速率(恒定速率)的设定值，可以将用来形成化合物半导体层的各材料供气周期设定为必需的最小时间长度。因而可提高产率。而且，由于只要求驱动装置以恒定的速率来旋转衬底支架，故旋转控制可简单地执行。
根据一个实施例的气相生长设备，在端板处多个材料供气口之间提供了一个用来供应具有对衬底表面上的生长反应不作贡献的特性的分离气体的分离气体供气口。气体分离装置由一个从分离气体供气口延伸到衬底固定表面的层状分离气体流所组成。因此，在圆柱部分内不用提供任何额外的元件就可以把各材料气体的气流路径彼此分隔开来，从而可简化维护。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底支架的衬底固定表面有一个相当于中心线同圆柱部分中心线重合的截头棱锥的外侧面的结构。利用上述的设计，比之衬底固定表面垂直于圆柱部分中心线的情况，可以扩大衬底固定表面的面积。因此在衬底固定表面上可放置许多衬底，从而提高了产率。
根据一个实施例的气相生长设备，衬底支架的衬底固定表面有一个相当于中心线同圆柱部分中心线重合的棱柱形管的内侧表面的结构。利用上述设计，比之衬底固定表面垂直于圆柱部分中心线的情况，可增大衬底固定表面的面积。因此，在衬底固定表面上可安置许多衬底，从而提高产率。
本发明还提供了一种气相生长方法，它包含下列步骤：将衬底固定在生长室圆柱部分进、出气侧之间的衬底支架的衬底固定表面上，此生长室有沿进气口到出气口方向延伸的圆柱部分和一个封闭圆柱部分进气端的端板；将衬底保持在规定的温度下；借助于经由多个材料供气口将阳离子材料气体和阴离子材料气体从进气侧供入圆柱部分，同时用气体分离装置防止各材料气体在圆柱部分内相互混合，并将材料气体排出圆柱部分，从而形成各材料气体独立供向衬底固定表面相应部分的各材料供气区；以及使衬底支架绕圆柱部分的中心线旋转。
根据本发明的气相生长方法，借助于旋转衬底支架同时用分离装置防止各材料气体混合，可以将阳离子材料气体和阴离子材料气体交替地供向衬底的表面，而且可大批量地生长具有原子层单位平整度和界面突变性的化合物半导体层。而且，上述设计还免去了频繁开关控制阀的必要。
根据一个实施例的气相生长方法，当衬底通过隔板所在的平面时，衬底支架的转速被提高，而当衬底位于各材料供气区时，衬底支架的转速被降低或暂时停止转动。利用上述设计，可基本消除阳离子材料气体供向一部分衬底表面而阴离子材料气体供向衬底表面的其余部分这样的过渡期。因此，可得到具有极好界面突变性的原子层生长。
根据一个实施例的气相生长方法，衬底支架绕圆柱部分中心线旋转的速率根据各材料气体供向衬底的时间长度来改变。例如，当衬底通过要求供气时间短的材料气体供气区时，衬底支架的转速被提高。当衬底通过要求供气时间长的材料气体供气区时，衬底支架的转速被降低。利用上述设计，用来形成化合物半导体层的各材料供气周期可设定为必需的最小长度。因此可提高产率。
根据一个实施例的气相生长方法，准备了二种或更多种至少一种阳离子材料气体和阴离子材料气体，并通过不同的材料供气口将二种或更多种的材料气体供入圆柱部分，从而在衬底支架转一圈时，生长二个或更多个原子层。因此，可生长具有各种类型组分的化合物半导体层。
本发明业已描述完毕，但显然可做各种改变。此类改变不能被认为偏离了本发明的构思与范围，而正如本领域熟练人员清楚的那样，所有这些修改都被认为包括在下列权利要求的范围之内。

Claims (4)

1．一种借助于交替供应阳离子材料气体和阴离子材料气体并使这些气体进行反应而在生长室(1)中保持在规定温度下的衬底(4)的表面上生长化合物半导体层的气相生长设备，其中：
生长室(1)有一个沿进气侧到出气侧方向延伸的圆柱部分(1b)和一个封闭圆柱部分(1b)进气端部的端板(1a)，
端板(1a)在其规定部位有一用来向圆柱部分(1b)供应阳离子材料气体的材料供气口(2)和一个用来向圆柱部分(1b)供应阴离子材料气体的材料供气口(3)，而且还包含。
用来从圆柱部分(1b)的出气侧排出圆柱部分(1b)内的气体的排气装置(10)，
一个位于圆柱部分(1b)进、出气侧之间并带有一个衬底固定表面(20，30，40)的衬底支架(5，15，25)，
形成多个材料供气区的气体分离装置(6，16，26)，通过将从供气口(2，3)延伸到衬底固定表面(20)的材料气体气流路径分离开来使各材料气体独立地供向衬底固定表面(20)，以及
用来使衬底固定表面(20)上置有衬底(4)的衬底支架(5，15，25)绕圆柱部分(1b)的中心线旋转的驱动装置；
气体分离装置至少包含一个位于包有圆柱部分(1b)的中心线并从多个材料供气口(2，3)之间通过的平面内的隔板(6，6′，6A，6B，16，26)，以及
其中的各个隔板(6A，6B)从圆柱部分(1b)的中心线径向延伸到圆柱部分(1b)的内壁并且以规定的角度相互相交，而且
此角度根据材料气体供向衬底(4)的时间长度来设定。
2．一种气相生长方法，它包含下列步骤：
将衬底(4)固定在位于生长室(1)圆柱部分(1b)进出气侧之间的衬底支架(5，15，25)的衬底固定表面(20，30，40)上，该生长室(1)有沿进气侧到出气侧方向延伸的圆柱部分(1b)和一个封闭圆柱部分(1b)的进气端部的端板(1a)，
将衬底保持在规定的温度下，
借助于经由多个材料供气口(2，3)从进气侧向圆柱部分(1b)供应阳离子材料气体和阴离子材料气体而同时用气体分离装置(6，16，26)防止各材料气体在圆柱部分(1b)内相互混合并将材料气体排出圆柱部分(1b)，来形成各材料气体独立地供向衬底固定表面(20，30，40)的相应部位的多个材料供气区，以及
使衬底支架(5，15，25)绕圆柱部分(1b)的中心线以可变速度旋转。
其中，衬底温度为200℃-1000℃，压力10-200乇，采用Ⅲ族元素材料，Ⅴ族元素材料，Ⅱ族元素材料以及Ⅵ族元素材料作为阳极材料和阴极材料。
3．权利要求2所述的气相生长方法，其中的气体分离装置(6)至少由一个位于包有圆柱部分(1b)的中心线并从多个材料供气口(2，3)之间通过的平面内的隔板(6)所组成，而且
当衬底(4)通过隔板所在的平面时，衬底架(5)的转速被提高，而当衬底(4)位于各个材料供气区时，衬底支架(5)的转速被降低或暂时停止转动。
4．权利要求2所述的气相生长方法，其中衬底支架(5)绕圆柱部分(1b)中心线转动的速率根据各材料气体供向衬底(4)的时间长度而改变。
CN95105487A 1994-05-20 1995-05-19 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法 Expired - Fee Related CN1060233C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP106760/1994 1994-05-20
JP106760/94 1994-05-20
JP10676094A JP3181171B2 (ja) 1994-05-20 1994-05-20 気相成長装置および気相成長方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1122849A CN1122849A (zh) 1996-05-22
CN1060233C true CN1060233C (zh) 2001-01-03

Family

ID=14441872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95105487A Expired - Fee Related CN1060233C (zh) 1994-05-20 1995-05-19 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5730802A (zh)
EP (2) EP0964083B1 (zh)
JP (1) JP3181171B2 (zh)
KR (1) KR0173013B1 (zh)
CN (1) CN1060233C (zh)
DE (2) DE69533268T2 (zh)
TW (1) TW265458B (zh)

Families Citing this family (395)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6190457B1 (en) * 1996-03-22 2001-02-20 Nippon Sanso Corporation CVD system and CVD process
US6342277B1 (en) 1996-08-16 2002-01-29 Licensee For Microelectronics: Asm America, Inc. Sequential chemical vapor deposition
US5807792A (en) * 1996-12-18 1998-09-15 Siemens Aktiengesellschaft Uniform distribution of reactants in a device layer
US6671223B2 (en) * 1996-12-20 2003-12-30 Westerngeco, L.L.C. Control devices for controlling the position of a marine seismic streamer
US5888886A (en) * 1997-06-30 1999-03-30 Sdl, Inc. Method of doping gan layers p-type for device fabrication
ATE259432T1 (de) * 1999-05-13 2004-02-15 Emf Ireland Ltd Verfahren und vorrichtung zum epitaktischem wachsen eines materials auf einem substrat
NL1014734C2 (nl) * 2000-03-23 2001-09-25 Huga Optotech Inc Werkwijze voor het vormen van groep III-nitride toplagen door epitaxiale groei op een monokristalsubstraat door gebruikmaking van afwisselende toevoegingen van reactanten (EGAS), producten die daarvan gemaakt zijn en een inrichting daarvoor.
US6620723B1 (en) * 2000-06-27 2003-09-16 Applied Materials, Inc. Formation of boride barrier layers using chemisorption techniques
US7964505B2 (en) * 2005-01-19 2011-06-21 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition of tungsten materials
US7101795B1 (en) * 2000-06-28 2006-09-05 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing refractory metal layers employing sequential deposition techniques to form a nucleation layer
US7732327B2 (en) 2000-06-28 2010-06-08 Applied Materials, Inc. Vapor deposition of tungsten materials
US6551929B1 (en) 2000-06-28 2003-04-22 Applied Materials, Inc. Bifurcated deposition process for depositing refractory metal layers employing atomic layer deposition and chemical vapor deposition techniques
US7405158B2 (en) * 2000-06-28 2008-07-29 Applied Materials, Inc. Methods for depositing tungsten layers employing atomic layer deposition techniques
KR100458982B1 (ko) * 2000-08-09 2004-12-03 주성엔지니어링(주) 회전형 가스분사기를 가지는 반도체소자 제조장치 및 이를이용한 박막증착방법
JP4511006B2 (ja) * 2000-09-01 2010-07-28 独立行政法人理化学研究所 半導体の不純物ドーピング方法
US6998579B2 (en) 2000-12-29 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US6825447B2 (en) * 2000-12-29 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for uniform substrate heating and contaminate collection
US20020083897A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Applied Materials, Inc. Full glass substrate deposition in plasma enhanced chemical vapor deposition
US6765178B2 (en) 2000-12-29 2004-07-20 Applied Materials, Inc. Chamber for uniform substrate heating
US20020127336A1 (en) * 2001-01-16 2002-09-12 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6811814B2 (en) 2001-01-16 2004-11-02 Applied Materials, Inc. Method for growing thin films by catalytic enhancement
US6951804B2 (en) * 2001-02-02 2005-10-04 Applied Materials, Inc. Formation of a tantalum-nitride layer
US6878206B2 (en) * 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6660126B2 (en) 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
US6734020B2 (en) 2001-03-07 2004-05-11 Applied Materials, Inc. Valve control system for atomic layer deposition chamber
US6849545B2 (en) 2001-06-20 2005-02-01 Applied Materials, Inc. System and method to form a composite film stack utilizing sequential deposition techniques
US20070009658A1 (en) * 2001-07-13 2007-01-11 Yoo Jong H Pulse nucleation enhanced nucleation technique for improved step coverage and better gap fill for WCVD process
US7211144B2 (en) * 2001-07-13 2007-05-01 Applied Materials, Inc. Pulsed nucleation deposition of tungsten layers
US9051641B2 (en) 2001-07-25 2015-06-09 Applied Materials, Inc. Cobalt deposition on barrier surfaces
US20090004850A1 (en) 2001-07-25 2009-01-01 Seshadri Ganguli Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications
US20030029715A1 (en) * 2001-07-25 2003-02-13 Applied Materials, Inc. An Apparatus For Annealing Substrates In Physical Vapor Deposition Systems
US20080268635A1 (en) * 2001-07-25 2008-10-30 Sang-Ho Yu Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in copper contact applications
WO2003030224A2 (en) 2001-07-25 2003-04-10 Applied Materials, Inc. Barrier formation using novel sputter-deposition method
US8110489B2 (en) * 2001-07-25 2012-02-07 Applied Materials, Inc. Process for forming cobalt-containing materials
US7085616B2 (en) * 2001-07-27 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Atomic layer deposition apparatus
DE10141084A1 (de) * 2001-08-22 2002-11-28 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zur Abscheidung von dünnen Schichten auf einem Stubstrat und entsprechendes Verfahren
US6718126B2 (en) * 2001-09-14 2004-04-06 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for vaporizing solid precursor for CVD or atomic layer deposition
US7049226B2 (en) * 2001-09-26 2006-05-23 Applied Materials, Inc. Integration of ALD tantalum nitride for copper metallization
US20030059538A1 (en) * 2001-09-26 2003-03-27 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US6936906B2 (en) 2001-09-26 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Integration of barrier layer and seed layer
US7780785B2 (en) 2001-10-26 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus for atomic layer deposition
US6916398B2 (en) 2001-10-26 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Gas delivery apparatus and method for atomic layer deposition
KR100782529B1 (ko) * 2001-11-08 2007-12-06 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 증착 장치
US6729824B2 (en) 2001-12-14 2004-05-04 Applied Materials, Inc. Dual robot processing system
CN1643179B (zh) * 2002-01-17 2010-05-26 松德沃技术公司 Ald装置和方法
US7175713B2 (en) * 2002-01-25 2007-02-13 Applied Materials, Inc. Apparatus for cyclical deposition of thin films
US6911391B2 (en) * 2002-01-26 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Integration of titanium and titanium nitride layers
US6866746B2 (en) * 2002-01-26 2005-03-15 Applied Materials, Inc. Clamshell and small volume chamber with fixed substrate support
US6998014B2 (en) * 2002-01-26 2006-02-14 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for plasma assisted deposition
US6827978B2 (en) * 2002-02-11 2004-12-07 Applied Materials, Inc. Deposition of tungsten films
US6833161B2 (en) * 2002-02-26 2004-12-21 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of tungsten nitride for metal oxide gate electrode
US6972267B2 (en) 2002-03-04 2005-12-06 Applied Materials, Inc. Sequential deposition of tantalum nitride using a tantalum-containing precursor and a nitrogen-containing precursor
US6800134B2 (en) * 2002-03-26 2004-10-05 Micron Technology, Inc. Chemical vapor deposition methods and atomic layer deposition methods
US7439191B2 (en) * 2002-04-05 2008-10-21 Applied Materials, Inc. Deposition of silicon layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6720027B2 (en) 2002-04-08 2004-04-13 Applied Materials, Inc. Cyclical deposition of a variable content titanium silicon nitride layer
US6846516B2 (en) * 2002-04-08 2005-01-25 Applied Materials, Inc. Multiple precursor cyclical deposition system
US6875271B2 (en) 2002-04-09 2005-04-05 Applied Materials, Inc. Simultaneous cyclical deposition in different processing regions
US20030194825A1 (en) * 2002-04-10 2003-10-16 Kam Law Deposition of gate metallization for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US6869838B2 (en) * 2002-04-09 2005-03-22 Applied Materials, Inc. Deposition of passivation layers for active matrix liquid crystal display (AMLCD) applications
US7279432B2 (en) 2002-04-16 2007-10-09 Applied Materials, Inc. System and method for forming an integrated barrier layer
JP4158139B2 (ja) * 2002-04-30 2008-10-01 スズキ株式会社 薄膜の製造方法およびその装置
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US6915592B2 (en) * 2002-07-29 2005-07-12 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for generating gas to a processing chamber
KR100483208B1 (ko) * 2002-08-02 2005-04-15 주성엔지니어링(주) 원자층증착방법용 박막증착장치의 밸브 시스템
US6821563B2 (en) 2002-10-02 2004-11-23 Applied Materials, Inc. Gas distribution system for cyclical layer deposition
US20040065255A1 (en) * 2002-10-02 2004-04-08 Applied Materials, Inc. Cyclical layer deposition system
US20040069227A1 (en) * 2002-10-09 2004-04-15 Applied Materials, Inc. Processing chamber configured for uniform gas flow
US6905737B2 (en) * 2002-10-11 2005-06-14 Applied Materials, Inc. Method of delivering activated species for rapid cyclical deposition
EP1420080A3 (en) * 2002-11-14 2005-11-09 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for hybrid chemical deposition processes
US7262133B2 (en) 2003-01-07 2007-08-28 Applied Materials, Inc. Enhancement of copper line reliability using thin ALD tan film to cap the copper line
JP4528489B2 (ja) 2003-01-27 2010-08-18 独立行政法人理化学研究所 ｐ型半導体を用いた紫外発光素子
US20040177813A1 (en) 2003-03-12 2004-09-16 Applied Materials, Inc. Substrate support lift mechanism
US7342984B1 (en) 2003-04-03 2008-03-11 Zilog, Inc. Counting clock cycles over the duration of a first character and using a remainder value to determine when to sample a bit of a second character
US20040198069A1 (en) 2003-04-04 2004-10-07 Applied Materials, Inc. Method for hafnium nitride deposition
KR20060079144A (ko) * 2003-06-18 2006-07-05 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 배리어 물질의 원자층 증착
US20050095859A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Precursor delivery system with rate control
US20050252449A1 (en) * 2004-05-12 2005-11-17 Nguyen Son T Control of gas flow and delivery to suppress the formation of particles in an MOCVD/ALD system
US8119210B2 (en) * 2004-05-21 2012-02-21 Applied Materials, Inc. Formation of a silicon oxynitride layer on a high-k dielectric material
US20060153995A1 (en) * 2004-05-21 2006-07-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating a dielectric stack
US20060019033A1 (en) * 2004-05-21 2006-01-26 Applied Materials, Inc. Plasma treatment of hafnium-containing materials
US8323754B2 (en) * 2004-05-21 2012-12-04 Applied Materials, Inc. Stabilization of high-k dielectric materials
JP4502198B2 (ja) * 2004-10-21 2010-07-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 エッチング装置およびエッチング方法
US8159428B2 (en) * 2005-02-23 2012-04-17 Pixtronix, Inc. Display methods and apparatus
US20070049043A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Applied Materials, Inc. Nitrogen profile engineering in HI-K nitridation for device performance enhancement and reliability improvement
US7402534B2 (en) * 2005-08-26 2008-07-22 Applied Materials, Inc. Pretreatment processes within a batch ALD reactor
US20070065578A1 (en) * 2005-09-21 2007-03-22 Applied Materials, Inc. Treatment processes for a batch ALD reactor
US7464917B2 (en) * 2005-10-07 2008-12-16 Appiled Materials, Inc. Ampoule splash guard apparatus
WO2007142690A2 (en) * 2005-11-04 2007-12-13 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
DE102005055468A1 (de) * 2005-11-22 2007-05-24 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
US20070218702A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Asm Japan K.K. Semiconductor-processing apparatus with rotating susceptor
US20070215036A1 (en) * 2006-03-15 2007-09-20 Hyung-Sang Park Method and apparatus of time and space co-divided atomic layer deposition
US7798096B2 (en) 2006-05-05 2010-09-21 Applied Materials, Inc. Plasma, UV and ion/neutral assisted ALD or CVD in a batch tool
US8187679B2 (en) * 2006-07-29 2012-05-29 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
US7601648B2 (en) 2006-07-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method for fabricating an integrated gate dielectric layer for field effect transistors
KR20080027009A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 에이에스엠지니텍코리아 주식회사 원자층 증착 장치 및 그를 이용한 다층막 증착 방법
US7775508B2 (en) * 2006-10-31 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Ampoule for liquid draw and vapor draw with a continuous level sensor
US7799377B2 (en) * 2006-12-07 2010-09-21 Electronics And Telecommunications Research Institute Organic/inorganic thin film deposition method
US20080206987A1 (en) * 2007-01-29 2008-08-28 Gelatos Avgerinos V Process for tungsten nitride deposition by a temperature controlled lid assembly
US8043432B2 (en) * 2007-02-12 2011-10-25 Tokyo Electron Limited Atomic layer deposition systems and methods
WO2008117750A1 (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Tokuyama Corporation Ｐ型iii族窒化物半導体およびiii族窒化物半導体素子
US20080241384A1 (en) * 2007-04-02 2008-10-02 Asm Genitech Korea Ltd. Lateral flow deposition apparatus and method of depositing film by using the apparatus
KR100905278B1 (ko) * 2007-07-19 2009-06-29 주식회사 아이피에스 박막증착장치, 박막증착방법 및 반도체 소자의 갭-필 방법
US20090035946A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Asm International N.V. In situ deposition of different metal-containing films using cyclopentadienyl metal precursors
EP2042619A3 (de) * 2007-09-28 2010-06-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Beschichtungsvorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
DE102008010041A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Schichtabscheidevorrichtung und Verfahren zu deren Betrieb
US8282735B2 (en) * 2007-11-27 2012-10-09 Asm Genitech Korea Ltd. Atomic layer deposition apparatus
US8273178B2 (en) * 2008-02-28 2012-09-25 Asm Genitech Korea Ltd. Thin film deposition apparatus and method of maintaining the same
US8383525B2 (en) * 2008-04-25 2013-02-26 Asm America, Inc. Plasma-enhanced deposition process for forming a metal oxide thin film and related structures
KR101436564B1 (ko) * 2008-05-07 2014-09-02 한국에이에스엠지니텍 주식회사 비정질 실리콘 박막 형성 방법
JP5195676B2 (ja) * 2008-08-29 2013-05-08 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5253932B2 (ja) * 2008-09-04 2013-07-31 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
US8146896B2 (en) * 2008-10-31 2012-04-03 Applied Materials, Inc. Chemical precursor ampoule for vapor deposition processes
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
JP5500876B2 (ja) 2009-06-08 2014-05-21 キヤノン株式会社 光電変換装置の製造方法
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5392069B2 (ja) * 2009-12-25 2014-01-22 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US8637123B2 (en) * 2009-12-29 2014-01-28 Lotus Applied Technology, Llc Oxygen radical generation for radical-enhanced thin film deposition
JP5369304B2 (ja) * 2010-09-30 2013-12-18 ソイテック 原子層堆積によって半導体材料を形成するためのシステム及び方法
US8133806B1 (en) 2010-09-30 2012-03-13 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Systems and methods for forming semiconductor materials by atomic layer deposition
US8143147B1 (en) * 2011-02-10 2012-03-27 Intermolecular, Inc. Methods and systems for forming thin films
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
EP2872668B1 (en) * 2012-07-13 2018-09-19 Gallium Enterprises Pty Ltd Apparatus and method for film formation
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
CN103074674B (zh) * 2013-01-10 2015-05-13 中国科学院半导体研究所 用于金属有机化学气相沉积设备的反应室进气装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10781533B2 (en) * 2015-07-31 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Batch processing chamber
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) * 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
TWI619840B (zh) * 2017-06-30 2018-04-01 國立交通大學 化學氣相沈積裝置
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI838458B (zh) 2019-02-20 2024-04-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於3d nand應用中之插塞填充沉積之設備及方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3785853A (en) * 1972-05-24 1974-01-15 Unicorp Inc Continuous deposition reactor
SE393967B (sv) * 1974-11-29 1977-05-31 Sateko Oy Forfarande och for utforande av stroleggning mellan lagren i ett virkespaket
GB1526694A (en) * 1977-02-17 1978-09-27 G Nii P I Redkometallich Promy Device for epitaxial growing of semiconductor periodic structures from gas phase
FI57975C (fi) * 1979-02-28 1980-11-10 Lohja Ab Oy Foerfarande och anordning vid uppbyggande av tunna foereningshinnor
DE2943634C2 (de) * 1979-10-29 1983-09-29 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Epitaxiereaktor
US4480585A (en) * 1983-06-23 1984-11-06 Energy Conversion Devices, Inc. External isolation module
JPS6090894A (ja) * 1983-10-20 1985-05-22 Fujitsu Ltd 気相成長装置
GB8421162D0 (en) * 1984-08-21 1984-09-26 British Telecomm Growth of semi-conductors
JPS6226811A (ja) * 1985-07-26 1987-02-04 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
US4986214A (en) * 1986-12-16 1991-01-22 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Thin film forming apparatus
DE3707672A1 (de) * 1987-03-10 1988-09-22 Sitesa Sa Epitaxieanlage
US5108779A (en) * 1988-05-26 1992-04-28 General Electric Company Diamond crystal growth process
US5225366A (en) * 1990-06-22 1993-07-06 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Apparatus for and a method of growing thin films of elemental semiconductors
US5338362A (en) * 1992-08-29 1994-08-16 Tokyo Electron Limited Apparatus for processing semiconductor wafer comprising continuously rotating wafer table and plural chamber compartments

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.OF CRYSTAL GROUTH V01.77 1986.1.1 M.A.Tisch1er Gronth and character:gation of compound semianductors by ctomic layer ep :tayy *

Also Published As

Publication number Publication date
EP0964083A3 (en) 2002-01-30
JP3181171B2 (ja) 2001-07-03
DE69533268T2 (de) 2005-08-25
KR950032726A (ko) 1995-12-22
DE69533268D1 (de) 2004-08-19
CN1122849A (zh) 1996-05-22
US5730802A (en) 1998-03-24
TW265458B (zh) 1995-12-11
EP0964083B1 (en) 2004-07-14
EP0683249B1 (en) 2000-03-29
EP0683249A1 (en) 1995-11-22
JPH07321045A (ja) 1995-12-08
EP0964083A2 (en) 1999-12-15
DE69515926T2 (de) 2000-08-17
DE69515926D1 (de) 2000-05-04
KR0173013B1 (ko) 1999-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1060233C (zh) 生长具有原子层单位平整度和界面突变的化合物半导体层的气相生长设备和方法
CN1308483C (zh) 薄膜形成装置
CN1265441C (zh) 具有间隙控制器的晶片处理设备的喷头
US6306216B1 (en) Apparatus for deposition of thin films on wafers through atomic layer epitaxial process
CN101036215A (zh) 化学气相沉积反应器
CN103140602B (zh) Cvd反应器的排气装置
JP4546700B2 (ja) 結晶基板上に結晶層をガス相から堆積させる装置
CN1238881C (zh) 用于处理半导体晶片的气体分布系统和方法
TW201704523A (zh) 用於半導體外延成長的注射器
US20070266932A1 (en) Vapor phase growth apparatus and method for vapor phase growth
CN101076878A (zh) 薄膜沉积设备及方法
CN1774525A (zh) 用于原子层淀积的气体输送装置
CN1780936A (zh) 利用其之一被预处理的两处理气体来沉积半导体层的方法和设备
CN1584110A (zh) 薄膜制造装置以及制造方法
KR20080113159A (ko) 동적 조절가능한 플라즈마 소오스 동력 공급기를 갖춘플라즈마 반응로
CN1891850A (zh) 真空蒸镀装置和电光装置的制造方法
CN1788334A (zh) 成膜装置
KR20090012289A (ko) 동적 조절가능한 플라즈마 소오스 동력 공급기를 갖춘플라즈마 반응로
CN106605287B (zh) 用于epi腔室的注射插件
CN111052308A (zh) 气相生长装置及气相生长方法
TW201137159A (en) Metal-organic chemical vapor deposition apparatus
CN1584109A (zh) 喷头、薄膜制造装置以及制造方法
US20230265580A1 (en) Vapor phase growth system and method of producing epitaxial wafer
CN112321856A (zh) 成膜装置和成膜方法
JP6257437B2 (ja) 結晶成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20010103

Termination date: 20140519