CN1046878C - 一种电容器级钽粉的制造方法 - Google Patents

一种电容器级钽粉的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1046878C
CN1046878C CN94190233A CN94190233A CN1046878C CN 1046878 C CN1046878 C CN 1046878C CN 94190233 A CN94190233 A CN 94190233A CN 94190233 A CN94190233 A CN 94190233A CN 1046878 C CN1046878 C CN 1046878C
Authority
CN
China
Prior art keywords
nitrogen
tantalum
oxygen
powder
amount
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CN94190233A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1108036A (zh
Inventor
张洪举
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Cabot Corp
Original Assignee
Cabot Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cabot Corp filed Critical Cabot Corp
Publication of CN1108036A publication Critical patent/CN1108036A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1046878C publication Critical patent/CN1046878C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052—Sintered electrodes
    • H01G9/0525—Powder therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C1/00—Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045—Alloys based on refractory metals

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

一种制造电容器级钽粉的方法，所述方法包括由至少含有钽金属粉末的基体材料与500～7000ppm氮量和700～3000ppm氧量反应而制备的。与由未掺杂的电容器级钽粉制成的电容器相比，在100伏或100伏以上阳极氧化处理的阳极漏电流降低至少28%。对于烧结温度为1400～1800℃的比电荷可高达25000μFV/g。

Description

一种电容器级钽粉的制造方法
本发明涉及一种制造电容器级钽粉的方法。
众所周知，钽电解电容器的性能可受到用于制造该电容器的钽粉的化学和物理特性的影响。含氧量高于300ppm(重量)的钽基体粉在烧结与阳极氧化时常常会在介电膜中生成像裂纹的结晶体，这种裂纹可使电流通过介电膜，产生具有过大漏电流和过早损坏的部分。对于阳极氧化处理电压为100伏或100伏以上的高可靠性电容器，这种裂纹生成的可能性增加。
曾作过各种努力通过少量的改性剂与钽基体材料粉反应以改进所制成的钽电解电容器的性能。曾使用许多添加剂或“掺杂剂”，其中包括氮、硅、磷、硼、碳和硫。
US 4154609便是作出这种努力的一个例子，该专利公开了在1600℃烧结之前，往钽金属粉中添加诸如氮化硼之类的无机润滑剂。公开的烧结温度范围为1550～1850℃。烧结和阳极氧化处理颗粒的电试验，得到平均漏电值的降低为0.15～0.26nA/μFA。这表明，与未掺杂的对照相比漏电流降低达4～38％。平均比电荷值也可达到7050～7035μFV/g。
在US 4544403中，钽基材料掺杂至少两种选自于碳、硫和氮中的添加剂。可使用的量以重量计高达1632ppm组合掺杂剂。因热处理使钽粉聚结，可破碎到粒度约-35目。烧结的阳极在阳极氧化处理电压为100伏时平均漏电流值降低达24～28％。对于相同的阳极氧化处理电压，公开的平均比电荷值为9564～约20237μFV/g。对于阳极氧化处理电压为200伏来说，还公开了平均漏流电降低约24～42％，比电荷为6004～19771μFV/g。
尽管漏电流降低和比电荷明显增加，但没有指出用氮和氧掺杂对漏电流的影响，或者这种掺杂对阳极氧化处理电压在100伏以上时电特性的影响。此外，对于阳极氧化处理电压在200伏以上来说，漏电流降低的百分率是相当低的，由此认为所使用的掺杂剂的作用是改变介电物质，而不是减少形成期间的介电缺陷。
在日本公开特许53(1978)-49254中，公开了一种形成均匀氮化钽膜的方法。在一实施方案中，使钽粉受到氨气和氮或氨与诸如氩之类的惰性气体的混合物的处理。另外一种方法是可以使钽粉末受到由NaCN、Na2CO3、BaCl2和KCl组成的盐浴的处理。然后将其粉末压成阳极并烧结。
在日本公开特许63(1988)-86509中，公开了一种降低漏电流的方法。将压制成阳极并烧结的钽粉受到在温度1100℃的氨气氛处理。反应的氧保持在3000ppm以下。然而，未公开在本发明所要求保护的关键范围内的用氧与氮两者掺杂的意义。
曾注意到，高可靠性的电容器漏电流改进只是免强够格的。一般，这种稳定的电容器在电压200伏以上阳极氧化处理，并且在比电荷为5000～24000μFV/g，更好地为5000～15000μFV/g下使用。
因此，本发明的一个目的是提供一种电容器级钽粉的制造方法和制成的钽粉，用该钽粉制成的钽电解电容器在赋能电压为100伏或1000伏以上时能降低固体电解电容器的漏电流，同时保持比电荷在5000μFV/g以上，并能降低阳极体烧结时的收缩率，因此保持表面积以及与此相关的高水平比电荷。
一种高可靠性固体电极钽电容器其比电荷为5000μFV/g或5000μFV/g以上，在赋能电压100伏或100伏以上阳极氧化处理的、具有相近电容量的电极，其漏电改善至少为28％，研制出这种电容器用的电容器级钽粉将是很大的进步。
所以，本发明包括钽基体材料制作低漏电流电容器级钽粉的方法。钽基体材料与氮和氧反应，其氮量要足以在该材料中形成以重量计至少500～7000ppm的氮而其氧量要足以形成以重量计至少700～3000ppm的氧。
电极制备是通过由氮化和氧化的钽粉制成电容器阳极体，再将电容器阳极体于温度1400～1800℃下烧结而成。然后将烧结的电容器阳极体进行电压为100伏或100伏以上的阳极氧化处理，并制成电容器。由这些阳极氧化处理过的钽电容器阳极体制得的电容器，其比电荷值提高，在约100伏或100伏以上电压阳极氧极氧化处理时漏电流降低，与未掺杂的基体材料制作的电极相比，比电荷值最高达约25000μFV/g，漏电降低达28％或28％以上。
通过下面说明与非限制性附图将更容易理解本发明：
图1说明将钽基体材料与氧和氮分开反应相比，其钽基体材料与氧和氮一起反应的协同作用。说明在形成电压范围内漏电降低的百分数。
图1中下面曲线是根据在电压150伏和200伏进行阳极氧化处理的电极测定所得到的数据而绘制的，并按照下面讨论的实施例1和3，以及2和4绘制的。通过在约1400～1700℃烧结范围内实施例3和4所取的平均漏电流值，再从对照实施例1和2的平均漏电流值减去上述值而计算出漏电流降低百分数。然后计算对照的平均漏电流降低百分数。在100伏阳极氧化处理，其降低为约35％，在150伏为55％，200伏为60％，400伏超过80％。
图1中中间曲线是根据在100、150、200和400伏阳极氧化处理的电极绘制的。对比数据是根据实施例9和8、2和1、4和3、12和11，以及14和13所制得的电极而得以的数据。
图2和3说明在烧结温度为1400～1600℃范围内比电荷的改进。钽基体材料按照实施例1～4和8～10的方法分别掺杂氧和氮，并且作了比电荷试验将其结果与根据实施例1、3和8的步骤制得的对照样所得到的结果进行比较。在100伏阳极氧化处理时，与未用氮和氧掺杂所制得的阳极相比，比电荷增加达1000～1800μFV/g。阳极氧化处理电压达1500伏时，比电荷提高约400～600μFV/g。
图4说明随着氮含量增加而漏电降低的情况。该阳极在1475℃和1525℃烧结，并于150伏阳极氧化处理。氮对漏电流的影响程度于约7000ppm开始达到平衡。
根据本发明的一个实施方案，低漏电流电解电容器的电容器极钽粉是由含有钽金属粉末的基体材料制成的。
本发明方法中使用的钽基体材料一般是通过用金属钠化学还原氟化钾钽，接着用酸处理、用水洗涤和干燥而制得的。在这个阶段的干燥钽基体材料称之基体粒状粉末。在另一方法中，由钽锭制备基体材料，通过将其钽锭氢化，并将锭破碎到所要求粒度的粉末。该粉末进一步在真空中脱气以除去氢。得到的粉末称之基体屑。还可将基体颗粒和基体屑破碎成片状形态或片状粉末而再磨细，以便提高其表面积。为方便起见，基体材料在下面将定义包括上面提到的颗粒、屑和片状形状，还将包括纤维状粉末。
本发明一个实施方案中使用的钽基体材料，在真空或惰性气体环境条件下因热处理而使其聚结。使用的温度范围为1200～1600℃，优选为1400～1500℃。热处理过程可以重复进行，以便使其材料达到所要求的聚结度。本技术领域的技术人员都知道为达到所选定粉末所要求的聚结度所必需的热处理条件与加热时间。
在聚结之后，基体材料的粒度降低到小于40目。各种常用的用于减小粒度的方法本发明都可考虑，包括轧碎的使用。
由未经过降结热处理的粉末制备电极也是在本发明的范围之内。
本发明人曾发现，通过氮和氧与基体材料反应，由已处理过的钽粉生产电容器证明漏电特性得到改善。当本发明考虑使用约500～7000ppm(以重量计)氮和约700～3000ppm(以重量计)氧时，1400～4500ppm氮和1100～2900ppm氧则是优选的。在阳极氧化处理电压高于200伏时，1400～2600ppm氮和950～2900ppm氧是优选的。若氮与氧的量低于或高于上述值时，则不能达到所要求的漏电流降低量，以及所要求比电荷的增加量。
本发明还考虑到，可以在工艺过程中不同地方加入氮和氧于钽基体材料中。例如，在将粉末压制成钽电解电容器阳极体之后，但在对其钽电解电容器阳极体进行阳极氧化处理之前的任何加热循环都可以加入掺杂剂。在下面讨论的实施例中，最好在聚结后加入气态氮。在另一实施方案中，在加氮之后或加氮同时将氧加到钽基体材料中。
氮与钽金属反应和扩散到钽金属里所要求的温度取决于所采用的物理状态和化合物，氮气与钽金属在400℃以上发生有效反应。
在另一实施方式中，使用氮气时，发生有效反应所需要的温度在300℃以上。
尽管在环境条件下由于与空气的表面反应，在每个加热循环之后本发明基体材料中的氧都增加为控制含氧量可用诸如对氧的亲合力高于钽的亲合力的活性元素或化合物之类的控制方法进行去氧化作用而除去氧。在本技术领域中已知各种控制方法，包括使用吸气剂。将诸如镁和/或钙之类的优选金属在温度约600℃至1000℃之间加到被掺杂的基体物料中，同时经受真空或惰性气体环境。在吸气剂的熔点或其熔点以上的温度是优选的。一旦脱氧，然后立即将钽粉末冷却，用酸从其粉沫浸出镁和氧化镁，用水洗涤并干燥。
在另一实施方式中，在脱氧循环中将氮加到钽基体材料中。在下面详细讨论的实施例6和7中，约1850～2550ppm氮以氮化镁形式与基体材料反应。在接着的反应中，氮化镁的氮与钽中含的氧交换，其交换情况如下：
本技术领域技术人员知道，X、Y和Z的值取决于在钽基体材料中氧和氮的量。根据实施例6和7，在钽粉纯化除去氧化镁后仍有约2050～2900ppm氧(以重量计)。阳极氧化处理电压为150～200伏时，漏电流降低达75～84％，而比电荷为9800～15300μFV/g。按同样步骤所要求量的氧和氮与钽基体反应。
若使用至少化学计算量的镁，采用本技术领域技术人员熟知的适宜温度和停留时间，则可以完全除去钽金属晶格中的氧。钽在与氧环境(如空气)接触时很快生成氧化钽表面层。因此，在这种情况下钽金属粉中氧含量与其表面积成正比。
在另一实施方式中，还可通过在浸出过程中使用不同量的氢氟酸(HF)控制氧含量。HF溶解钽表面氧化物，因而降低钽表面积及其相关的氧含量。在另一个实施方式中，通过在酸和水浸出之后，在空气中干燥时改变时间和温度可以调节氧含量。
用BET法测得的比表面积小于0.6m2/g，优选为0.25～0.55m2/g的氮化与氧化钽材料，压制成钽电解电容器阳极体，烧结并按照下面同样方法评价漏电特性。这些方法一般都熟知并引用于US 4441927和4722756中，现在转让予本受让人Cabot公司。
用于进行物理、化学和电子分析的其它方法，在本技术领域是熟知的。
然后，通过在烧结阳极表面形成五氧化二钽介电层而将电极制成电容器。由于钽金属与磷酸阳极接触的阳极氧化作用而形成五氧化物层。本技术领域里已知的其它稀酸溶液都可使用，其中包括硫酸、硝酸溶液。
在干燥后，将电极浸在硝酸锰溶液中，然后将浸渍电极加热到足以将硝酸锰分解成二氧化锰的温度。二氧化锰构成紧邻五氧化二钽层的均匀层。二氧化锰层作为阴极。在将引线端子连到电极以构成产品电容器之前，在靠近二氧化锰层涂一层石墨。
当不希望受任何特定理论的限制时，则认为氮和氧与钽基体材料反应的协同作用导致形成比较稳定的五氧化二钽介电层。通常，所要求的钽氧化物介电层是无定形的。在阳极氧化处理过程中，因诸如Fe、Cr、Ni、Zr和C之类杂质的存在，可以形成结晶的五氧化二钽。需要适量的无定形钽氧化物或氮化物是需要的，以便在阳极氧化处理过程中在杂质位点附近的结晶钽氧化物生长减至最小。这在用高赋能电压(如100伏或100伏以上)时是特别重要的，因为在高电压产生的电场促进晶体生长。晶体结构具有较高的导电性，因此造成高漏电流。
由于钽粉中氧含量过高(例如3500ppm以上)，在压制、烧结和冷却后氧易于生成结晶氧化钽。在阳极氧化处理之前生成的氧化钽晶体像杂质一样起作用，在烧结时该杂质可作为氧化钽晶体形成的位点。因此，在粉末中有最佳的氧浓度。最佳量一般为700～3000ppm，这部分取决于有效表面积和烧结与形成条件。
在烧结与阳极氧化处理钽金属过程中，氮的行为和影响与氧相似，除了在给定温度下氮在钽中的溶解度高约二倍于氧以外。因此，钽粉末中较高的氮含量可导致电容器的漏电流降低。此外，在正常的电容器应用温度(室温至100℃)下，呈氮化钽的氮，由于在钽基体中具有较高密度和较低移动性，因此易于限制氮相对于介电层的移动。这可以防止生成低价氧化物，这种氧化物的漏电流高于无定形的五氧化二钽层。
在正常温度范围里，氧化钽比钽金属更耐烧结。钽粉中较高氧含量在烧结时保持表面积，并导致电容量较高。将氮加到钽粉中有类似的影响，即烧结时保持表面积，并且比电荷增加。
虽然氮和氧分别掺杂有优点，本发明人发现，一定范围的氧和氮与钽基体材料反应导致协同效应，这种效应改进了漏电特性，并将已制成的电容器的比电荷提高到只添加任一种掺杂剂所不能达到的水平。
参看下面表1～3的数据和图1，如果1400～4400ppm氮和1100～2900ppm(按重量计)氧与钽基体材料反应，则在阳极氧化处理电压为100伏至200伏时漏电改进高于30％，比电荷也达到约9400～24100μFV/g。漏电降低百分数是根据烧结温度为约1400℃至1700℃时比较平均漏电值而计算出来的。特别是，比较了阳极氧化处理电压为100伏和150伏的对照例8与实施例9和10，对照例1与实施例2,200伏的对照例3与实施例4～7。
对于对阳极氧化处理电压为150～400伏，漏电流可降低36％以上，而比电荷为约5100～18000μFV/g。1400～4450ppm(重量)氮和950～2900ppm(重量)氧与钽基体材料反应。根据在150伏阳极氧化处理时比较对照例8与实施例9和10而以上面讨论的方式计算漏电降低百分数。将在400伏阳极氧化处理的对照例11和13与实施例12和14进行比较。
在另一实施方式中，约1400～2600ppm(重量)氮与950～2900ppm(重量)氧与钽基体材料反应。在阳极氧化处理水平为约200～400伏时，漏电降低达到约52～99％，比电荷为5500～13200μFV/g。按照上面讨论的方法，计算出200伏和400伏阳极氧化处理水平时电极漏电降低百分数。
提供下述实施例以便进一步理解本发明，并证明对制造电容器级钽粉的以往方法的改进。本技术领域的技术人员将认识到，这些实施例是用于说明而不是用于限制本发明的范围。
实施例1
226.8kg(500磅)基体粒状粉末在1500℃真空下热处理，并破碎到-40目(在下面的实施例中称之HTA)。然后将27.2kg(60磅)HTA粉末与408.2g(0.9磅)镁混合。其混合物置于甑中，并与空气隔离。密封的甑用真空泵抽真空，加热达到900℃保持3小时，再冷却到室温。从甑中取出的粉末用硝酸浸出，并用水洗涤以除去残留的镁和氧化镁，然后在100℃空气干燥6小时。这种粉末继续在180℃干燥8小时。
这种粉末样品用BET法测量其表面积，用下面讨论的方法测量氧和氮，其结果列于表1。
电容量、漏电的测量方法
(A)钽电解电容器阳极体
不用粘结剂用工业制粒机压制粉末。一般，用粉末重量16mg至100mg，直径为1.25mm至2.5mm，压制的密度是5和7g/cc。
(B)真空烧结
已致密的钽电解电容器阳极体在温度为1400～1800℃下于低于10-3乇(0.00133帕斯卡)高真空中烧结30分钟(1800秒)。
(C)阳极氧化处理
在90+/-2℃的赋能浴中于100～400伏直流电(DC)对已烧结的颗粒进行阳极氧化处理。电解质是0.1％磷酸。
阳极氧化处理速度控制在每分钟1伏。在达到所要要求的阳极氧化处理电压(优选的是100、150、200或400伏)后，将阳极于该电压下保持三小时，然后洗涤并干燥该阳极。
(D)试验条件
在阳极氧化处理、洗涤与干燥后，首先测试该阳极的漏电情况。使用10％磷酸试验溶液，将阳极浸入试验溶液直到阳极顶端，加的电压为最终赋能电压的70％(即若在100伏阳极氧化处理为70伏)，时间为10秒至2分钟，此后测量漏电流。
在漏电流测定后，使用1611B型通用无线电电容测试桥(General RadioCapacitance Test Bridge)测量阳极的比电荷。
氧与氮的分布
用Leco Tc-30 O2和N2分析仪分析氧和氮，该分析仪是惰性气体熔合技术。
BET表面积
用Numinco orr表面积孔积积分析仪(由Numec公司生产)测量钽的总表面积。用这种方法得到的BET(Braunauer-Emmet-Teller)表面积包括外表面积和因存在孔的所有的内表面积。
表1
         实施例1 实施例2 实施例3 实施例4 实施例5 实施例6 实施例7氧，ppm       2150    2095    1360    1105    2220    2095    2860氮，ppm       45      1510    55      1665    1440    1860    2540BET,m2/g     0.35    0.34            0.35    0.34            0.36电容量150V阳极氧化处理1550℃烧结    13700   14080   12950   13660   15380   15020   152901600℃烧结    11900   12295   11435   11665   13700   13130   135901650℃烧结    10460                   11120   10940   11240200V阳极氧化处理1550℃烧结    11700   12016   11215   11860   13190   12650   130501600℃烧结    10200   10740   9970    10542   12020   11530   118801650℃烧结            9490                    10410   9850    10130漏电流150V阳极氧化处理1550℃烧结    0.60    0.38    1.23    0.68    0.48    0.50    0.411600℃烧结    0.37    0.26    1.01    0.52    0.31    0.37    0.231650℃烧结            0.21                    0.24    0.24    0.19200V阳极氧化处理1550℃烧结    3.43    1.92    7.74    3.89    2.23    2.20    1.851600℃烧结    1.95    1.09    5.56    2.56    1.32    1.49    0.771650℃烧结            0.66                    0.74    0.71    0.58实施例2
由实施例1中同一批量的24.9kg(55磅)热处理钽颗粒粉末(HTA)，采用实施例1中所述的相同方法进行脱氧处理，只是除了在冷却过程中于400℃温度下将一定量氮通入甑中之外。在加完后，将甑和粉末继续冷却。
按照实施例1的方法，浸取、干燥与测试该粉末。
实施例3
对实施例1的钽基体粉末于1500℃热处理和脱氧处理。
实施例4
对实施例1的钽基体粉末按照实施例2的方法进行热处理、脱氧和与氮反应。采用实施例3所使用的酸浸取、水洗涤和干燥的方法。
实施例5
54.5kg(120磅)基体颗粒于1500℃热处理，并破碎到平均粒度为-40目。然后将粉末与0.816千克(1.8磅)镁混合并密封于甑中。再用机械泵将甑抽真空并加热到实施例1中所述的反应温度。在反应后，当粉末冷却到500℃时将1500ppm(重量)氮气引入到粉末甑中，然后将粉末和甑冷却到室温。已冷却的粉末用实施例1中使用的相同方法进行酸浸取、水洗涤与干燥。
实施例6
将由实施例1所述批量得到的300克热处理粉末与3.2克氮化镁和2.2克镁混合。把已混合的钽粉放到钽金属盘中，再入到甑中，并脱氧处理。然后根据实施例1中所述方法浸取已脱氧处理的粉末并干燥。
实施例7
将由实施例1所述批量得到的300克热处理粉末与5.4克氮化镁和0.6克镁混合。把已混合的钽粉放到钽金属盘中，它再放到甑中，并脱氧处理。取出粉末，采用实施例1中所述相同方法进行浸取与干燥。
实施例8
将具有平均粒度为约1μ的高表面积粉末于1400℃热处理，并粉碎到-40目。将约2.27kg(5磅)热处理的钽粉与30克镁混合。把混合的钽粉放入钽盘中，再将它密封在甑中。用机械泵对已密封的甑抽真空，加热高达950℃保持3小时，然后冷却到室温，再从甑中取出钽粉，按照上面所述方法浸取、洗涤与干燥，以除去残留的镁和氧化镁。
实施例9
按照实施例8方法，对实施例8中所用的相同高表面积粉末进行热处理，脱氧、浸取以及干燥。在甑中装入约2.27kg(5磅)已干燥的钽基体材料，并加热到温度为500℃。在冷却过程中将约3.5克氮气通入甑中。
实施例10
按照实施例8中所述方法对同样高表面积粉末进行热处理、脱氧、浸取和干燥。
将约2.27kg(5磅)已干燥钽基体材料装入甑中，并加热到500℃。在冷却过程中将约13克氮气通入甑中。
实施例8～10的结果列于下表2中。
                表2
            实施例8    实施例9    实施例10氧，ppm          2440       1922       1900氮，ppm          85         2572       4365BET,m2/g        0.53       0.44       0.44电容量100V阳极氧化处理1425℃烧结       23090      24100      239501475℃烧结       21285      22255      222651525℃烧结       17651      19381      19510150V阳极氧化处理1425℃烧结       B.D.       17930      175101475℃烧结       16160      17835      177901525℃烧结       14195      15745      15985漏电流100V阳极氧化处理1425℃烧结       1.28       0.53       0.901475℃烧结       0.50       0.33       0.331525℃烧结       0.29       0.22       0.22150V阳极氧化处理1425℃烧结       B.D.       6.08       5.851475℃烧结       7.07       2.84       2.161525℃烧结       3.61       1.28       0.77
注：“B.D.”定义为在达到阳极氧化处理电压为150伏之前阳极电介质的失效点或击穿点。在这种条件下不能测量电容量与漏电流。
实施例11
用机械方法在2小时内将粉屑研磨成片状粉末，已研磨的钽小片用酸浸取、水洗涤以除去表面杂质，接着干燥。然后将已干燥的片氢化处理并研磨成更小的片。已研磨的钽粉再热处理两次。第一个热处理步骤是在真空感应(Ⅵ)炉中真空下于1375℃进行热处理30分钟。再将钽粉破碎，筛分至小于-40目，然后在Ⅵ炉中于1475℃真空下又热处理30分钟，两次热处理的钽粉再经破碎并筛分到-40目。
然后，采用实施例1中所述方法对热处理片状钽粉脱氧处理、酸浸取、水洗涤和干燥。
将约16mg钽基体材料样品压制成密度为7.0克/毫升的钽电容器阳极体，并在1700℃烧结达30分钟，再在400伏对其钽电容器阳极体进行阳极氧化处理，测定在70％阳极氧化处理电压(即280V)处的比电荷与漏电流。实施例11～14的结果列于下表3。
实施例12
采用实施例11的方法，对实施例11中所述的两次热处理钽粉进行脱氧处理、氮化处理、酸浸取、水洗涤、干燥并测试。
实施例13
除了已干燥的钽粉在185℃进行第二次干燥达6小时外，其它均采用实施例11中使用的相同方法对二次热处理的钽粉(实施例11中所述的)脱氧处理。
实施例14
除了已干燥的钽粉在185℃进行第二次干燥达6小时外，其它均采用实施例12中所述方法对实施例11中所述的二次加热处理的钽粉脱氧处理和氮化处理。
表3
       实施例11    实施例12    实施例13    实施例14氧，ppm      979         976         1151        1333氮，ppm      109         1852        140         1906BET,m2/g    0.27        0.29        0.27        0.29电容量(μF-V/g)400V阳极氧化处理1700℃烧结   5207        5533        5186        5622漏电(μA/μF-V)400V阳极氧化处理1700℃烧结   0.98        0.34        25.09       0.34

Claims (16)

1．一种制造电容器级钽粉的方法，该方法包括如下步骤：
将氮与至少含有钽粉的基体材料反应，从而在所述材料中形成至少500～7000ppm(重量)的氮含量，和
将氧与所述至少含有钽粉的基体材料反应，从而在所述材料中形成至少700～3000ppm(重量)的氧含量。
2．根据权利要求1所述的方法，其中所述基体材料包含球状、屑、纤维和片状粉末。
3．根据权利要求2所述的方法，其中所述基体材料在温度约1200～1600℃下聚结。
4．根据权利要求3所述的方法，其中所述基体材料在温度约1400～1500℃下聚结。
5．根据权利要求3所述的方法，其中将所述的已聚结材料的粒度减小到粒度为-40目的粉末。
6．根据权利要求2所述的方法，其中所述氮量是以氮气引入反应的。
7．根据权利要求2所述的方法，其中所述氮量是以氨气引入反应的。
8．根据权利要求2所述的方法，其中所述氮量是以氮化镁引入反应的。
9．根据权利要求2所述的方法，其中所述氮量和氧在同一步骤中加入的。
10．根据权利要求2所述的方法，其中为所述基体材料中所述氧含量是通过控制方法加以限制。
11．根据权利要求10所述的方法，其中所述控制方法包括将一定量氢氟酸加到所述基体材料中。
12．根据权利要求10所述的方法，其中所述控制方法包括一种对氧的亲合力高于钽的吸气剂。
13．根据权利要求12所述的方法，其中所述的吸气剂是镁。
14．根据权利要求1所述的方法，其中所述反应的氮量是1400～4400ppm(重量)氮，所述氧量是1100～2900ppm。
15．根据权利要求1所述的方法，其中所述反应的氮量是1400～4400ppm(重量)氮，所述氧量是950～2900ppm(重量)氧。
16．根据权利要求1所述的方法，其中所述反应的氮量是1400～2600ppm(重量)氮，所述氧是是950～2900ppm(重量)氧。
CN94190233A 1993-04-26 1994-04-15 一种电容器级钽粉的制造方法 Expired - Lifetime CN1046878C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/052,876 1993-04-26
US08/052,876 US5448447A (en) 1993-04-26 1993-04-26 Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB991051386A Division CN1143333C (zh) 1993-04-26 1994-04-15 电容器级钽粉、由其得到的电容器及其在制造电容器阳极中的应用

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1108036A CN1108036A (zh) 1995-09-06
CN1046878C true CN1046878C (zh) 1999-12-01

Family

ID=21980485

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN94190233A Expired - Lifetime CN1046878C (zh) 1993-04-26 1994-04-15 一种电容器级钽粉的制造方法
CNB991051386A Expired - Lifetime CN1143333C (zh) 1993-04-26 1994-04-15 电容器级钽粉、由其得到的电容器及其在制造电容器阳极中的应用

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB991051386A Expired - Lifetime CN1143333C (zh) 1993-04-26 1994-04-15 电容器级钽粉、由其得到的电容器及其在制造电容器阳极中的应用

Country Status (15)

Country Link
US (1) US5448447A (zh)
EP (1) EP0647349B1 (zh)
JP (1) JP3174341B2 (zh)
KR (1) KR100293304B1 (zh)
CN (2) CN1046878C (zh)
AT (1) ATE146299T1 (zh)
AU (1) AU6706194A (zh)
CZ (2) CZ292006B6 (zh)
DE (1) DE69401112T2 (zh)
HK (1) HK59697A (zh)
RU (1) RU2154871C2 (zh)
SG (1) SG52629A1 (zh)
TW (1) TW439076B (zh)
UA (1) UA41325C2 (zh)
WO (1) WO1994025971A1 (zh)

Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5580367A (en) * 1987-11-30 1996-12-03 Cabot Corporation Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder
DE69516556T2 (de) * 1994-01-26 2000-09-07 Starck H C Inc Verfahren zum Nitrieren von Tantalpulver
US20030145682A1 (en) * 1994-08-01 2003-08-07 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
US7435282B2 (en) 1994-08-01 2008-10-14 International Titanium Powder, Llc Elemental material and alloy
US7445658B2 (en) 1994-08-01 2008-11-04 Uchicago Argonne, Llc Titanium and titanium alloys
US20030061907A1 (en) * 1994-08-01 2003-04-03 Kroftt-Brakston International, Inc. Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt
JPH0897096A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sutaruku Buitetsuku Kk タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ
US6165623A (en) 1996-11-07 2000-12-26 Cabot Corporation Niobium powders and niobium electrolytic capacitors
US5869196A (en) * 1996-12-20 1999-02-09 Composite Material Technology, Inc. Constrained filament electrolytic anode and process of fabrication
US5825611A (en) * 1997-01-29 1998-10-20 Vishay Sprague, Inc. Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor
CZ302792B6 (cs) 1997-02-19 2011-11-09 H.C. Starck Gmbh. Práškový tantal, zpusob jeho výroby a z nej získatelné anody a kondenzátory
JP3254163B2 (ja) 1997-02-28 2002-02-04 昭和電工株式会社 コンデンサ
US6051044A (en) * 1998-05-04 2000-04-18 Cabot Corporation Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors
BRPI9911008B1 (pt) * 1998-05-06 2018-09-25 Starck H C Gmbh processo para a produção de capacitor de pós de metal, pó de nióbio, anodo de capacitor, pó de liga para uso na fabricação de capacitores eletrolíticos, processo para a fabricação de pó de liga
JP3196832B2 (ja) 1998-05-15 2001-08-06 日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US6576038B1 (en) * 1998-05-22 2003-06-10 Cabot Corporation Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties
ATE385037T1 (de) * 1998-08-05 2008-02-15 Showa Denko Kk Niob-sinter für kondensator und verfahren zu seiner herstellung
US6462934B2 (en) 1998-09-16 2002-10-08 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6322912B1 (en) * 1998-09-16 2001-11-27 Cabot Corporation Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide
US6416730B1 (en) 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6391275B1 (en) 1998-09-16 2002-05-21 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
US6529367B1 (en) 1998-12-15 2003-03-04 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium capacitor and method of manufacture thereof
US6515846B1 (en) * 1999-02-08 2003-02-04 H.C. Starck, Inc. Capacitor substrates made of refractory metal nitrides
TW460883B (en) * 1999-02-16 2001-10-21 Showa Denko Kk Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor
WO2000049633A1 (fr) * 1999-02-16 2000-08-24 Showa Denko K.K. Poudre de niobium, element fritte a base de niobium, condensateur renfermant cet element et procede de fabrication de ce condensateur
US6402066B1 (en) 1999-03-19 2002-06-11 Cabot Corporation Method of making niobium and other metal powders
US6558447B1 (en) * 1999-05-05 2003-05-06 H.C. Starck, Inc. Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
TW479262B (en) 1999-06-09 2002-03-11 Showa Denko Kk Electrode material for capacitor and capacitor using the same
US6960237B2 (en) 1999-07-15 2005-11-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same
US6600646B1 (en) * 1999-08-11 2003-07-29 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same
US6660057B1 (en) * 1999-10-01 2003-12-09 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body
JP3585791B2 (ja) * 1999-11-04 2004-11-04 Ｎｅｃトーキン株式会社 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置
US6423110B1 (en) 1999-12-08 2002-07-23 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body
JP4049964B2 (ja) * 2000-02-08 2008-02-20 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー
US6432161B1 (en) * 2000-02-08 2002-08-13 Cabot Supermetals K.K. Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder
IL151549A0 (en) 2000-03-01 2003-04-10 Cabot Corp Nitrided valve metals and processes for making the same
US6576099B2 (en) 2000-03-23 2003-06-10 Cabot Corporation Oxygen reduced niobium oxides
US6540810B2 (en) 2000-04-21 2003-04-01 Showa Denko Kabushiki Kaisha Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same
EP1281460B1 (en) 2000-04-24 2008-03-12 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered compact thereof and capacitor
DE10030387A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-03 Starck H C Gmbh Co Kg Kondensatorpulver
US6652619B2 (en) * 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
EP1324359B2 (en) † 2000-08-10 2017-10-04 Showa Denko K.K. Niobium powder, sinter thereof, and capacitor employing the same
JP2002093666A (ja) * 2000-09-20 2002-03-29 Showa Denko Kk ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
US6554884B1 (en) * 2000-10-24 2003-04-29 H.C. Starck, Inc. Tantalum and tantalum nitride powder mixtures for electrolytic capacitors substrates
CN100477041C (zh) * 2000-11-06 2009-04-08 卡伯特公司 改性氧还原电子管金属氧化物
US6447570B1 (en) * 2000-11-30 2002-09-10 Vishay Sprague, Inc. Sintered Tantalum and Niobium capacitor pellets doped with Nitrogen, and method of making the same
AU2002224129A1 (en) * 2000-11-30 2002-06-11 Showa Denko K K Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
KR100812689B1 (ko) * 2000-12-01 2008-03-13 쇼와 덴코 가부시키가이샤 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터
JP4521849B2 (ja) * 2000-12-01 2010-08-11 昭和電工株式会社 コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ
JP4187953B2 (ja) * 2001-08-15 2008-11-26 キャボットスーパーメタル株式会社 窒素含有金属粉末の製造方法
US7621977B2 (en) 2001-10-09 2009-11-24 Cristal Us, Inc. System and method of producing metals and alloys
JP3965300B2 (ja) * 2002-01-18 2007-08-29 Ｎｅｃトーキン株式会社 Ｎｂ固体電解コンデンサおよびその製造方法
JP2004076063A (ja) * 2002-08-13 2004-03-11 Kawatetsu Mining Co Ltd ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
WO2004022800A1 (en) 2002-09-07 2004-03-18 International Titanium Powder, Llc. Process for separating ti from a ti slurry
US7655214B2 (en) * 2003-02-26 2010-02-02 Cabot Corporation Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods
US7445679B2 (en) * 2003-05-16 2008-11-04 Cabot Corporation Controlled oxygen addition for metal material
US7515397B2 (en) * 2003-05-19 2009-04-07 Cabot Corporation Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides
CN100528417C (zh) * 2003-06-10 2009-08-19 卡伯特公司 钽粉及其制造方法
ATE554490T1 (de) * 2003-11-10 2012-05-15 Showa Denko Kk Niobpulver für einen kondensator, niob- gesinterter körper und kondensator
US7803235B2 (en) * 2004-01-08 2010-09-28 Cabot Corporation Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen
DE102004002109A1 (de) * 2004-01-14 2005-08-11 Deutsche Telekom Ag Behandlung von Kristallen zur Vermeidung lichtinduzierter Änderungen des Brechungsindex
JP2008504692A (ja) * 2004-06-28 2008-02-14 キャボット　コーポレイション 高キャパシタンスのタンタルフレークス及びその生産方法
US20080011124A1 (en) * 2004-09-08 2008-01-17 H.C. Starck Gmbh & Co. Kg Deoxidation of Valve Metal Powders
US7431751B2 (en) * 2004-09-29 2008-10-07 H.C. Starck Inc. Magnesium removal from magnesium reduced metal powders
US7099143B1 (en) 2005-05-24 2006-08-29 Avx Corporation Wet electrolytic capacitors
US20070017319A1 (en) 2005-07-21 2007-01-25 International Titanium Powder, Llc. Titanium alloy
JP2009511739A (ja) 2005-10-06 2009-03-19 インターナショナル・タイテイニアム・パウダー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー ホウ化チタン
US8257463B2 (en) * 2006-01-23 2012-09-04 Avx Corporation Capacitor anode formed from flake powder
US7511943B2 (en) 2006-03-09 2009-03-31 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating
US7480130B2 (en) 2006-03-09 2009-01-20 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor
GB2450669B (en) * 2006-05-05 2012-03-21 Cabot Corp Tantalam powder and methods of manufacturing same
GB0622463D0 (en) * 2006-11-10 2006-12-20 Avx Ltd Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes
US7753989B2 (en) 2006-12-22 2010-07-13 Cristal Us, Inc. Direct passivation of metal powder
US7554792B2 (en) 2007-03-20 2009-06-30 Avx Corporation Cathode coating for a wet electrolytic capacitor
US7460356B2 (en) 2007-03-20 2008-12-02 Avx Corporation Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor
US7649730B2 (en) 2007-03-20 2010-01-19 Avx Corporation Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes
US9127333B2 (en) 2007-04-25 2015-09-08 Lance Jacobsen Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder
US7837743B2 (en) * 2007-09-24 2010-11-23 Medtronic, Inc. Tantalum anodes for high voltage capacitors employed by implantable medical devices and fabrication thereof
EP2214853A4 (en) * 2007-10-15 2013-05-22 Hi Temp Specialty Metals Inc PROCESS FOR PREPARING TANTALUM POWDER USING RECYCLED AGENTS AS AN EXISTING MATERIAL
BRPI0802018B1 (pt) 2008-04-30 2019-01-29 Univ Minas Gerais processo de síntese de nanotubos de carbono sobre o clínquer de cimento e compósito nanoestruturado
DE102008026304A1 (de) * 2008-06-02 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom
US20100085685A1 (en) * 2008-10-06 2010-04-08 Avx Corporation Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates
US8430944B2 (en) * 2008-12-22 2013-04-30 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Fine particle recovery methods for valve metal powders
JP2009275289A (ja) * 2009-07-10 2009-11-26 Cabot Supermetal Kk 窒素含有金属粉末の製造方法
US8619410B2 (en) * 2010-06-23 2013-12-31 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications
RU2446499C1 (ru) * 2010-11-01 2012-03-27 Открытое акционерное общество "Элеконд" (ОАО "Элеконд") Способ изготовления анодов объемно-пористых электролитических конденсаторов
US8687347B2 (en) 2011-01-12 2014-04-01 Avx Corporation Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor
DE102013101443A1 (de) * 2012-03-01 2013-09-05 Avx Corporation Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor
CN102773478A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 一种提高钽块机械强度的烧结方法
US9548163B2 (en) 2012-07-19 2017-01-17 Avx Corporation Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages
JP2013136841A (ja) * 2013-01-30 2013-07-11 Cabot Supermetal Kk 窒素含有金属粉末の製造方法
US9633796B2 (en) 2013-09-06 2017-04-25 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
US9312075B1 (en) * 2013-09-06 2016-04-12 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
USRE48439E1 (en) 2013-09-06 2021-02-16 Greatbatch Ltd. High voltage tantalum anode and method of manufacture
US20160322169A1 (en) * 2013-12-20 2016-11-03 Showa Denko K.K. Tungsten powder, anode body for capacitors, and electrolytic capacitor
RU2661736C1 (ru) 2013-12-20 2018-07-19 Фишер Энд Пейкел Хелткэа Лимитед Соединения системы увлажнения
JP6977021B2 (ja) * 2016-07-13 2021-12-08 ニンシア オリエント タンタル インダストリー カンパニー、 リミテッド 薄片状タンタル粉末およびその調製方法
EP3496884B1 (en) 2016-08-12 2021-06-16 COMPOSITE MATERIALS TECHNOLOGY, Inc. Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes
CN109562950B (zh) 2016-09-01 2020-05-19 复合材料技术公司 用于LIB阳极的阀金属基底上的纳米级/纳米结构Si涂层
US20180144874A1 (en) 2016-10-21 2018-05-24 Global Advanced Metals, Usa, Inc. Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof
EP3746240A2 (en) 2018-03-05 2020-12-09 Global Advanced Metals USA, Inc. Spherical tantalum powder, products containing the same, and methods of making the same
KR102389784B1 (ko) 2018-03-05 2022-04-22 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터
CA3120873A1 (en) 2018-12-12 2020-06-18 Craig M. Sungail Spherical niobium alloy powder, products containing the same, and methods of making the same
CN110760884A (zh) * 2019-11-06 2020-02-07 南通冠达粉末冶金有限公司 一种粉末冶金辅助材料的制备工艺
US11450486B2 (en) * 2020-04-03 2022-09-20 Greatbatch Ltd. Electrolytic capacitor having a tantalum anode
RU2740582C1 (ru) * 2020-07-21 2021-01-15 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" Способ изготовления анодов танталового конденсатора

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423004A (en) * 1983-03-24 1983-12-27 Sprague Electric Company Treatment of tantalum powder
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3427132A (en) * 1967-04-12 1969-02-11 Nat Res Corp Tantalum nitride powder and method for its preparation
FR2218633B1 (zh) * 1973-02-19 1977-07-22 Lignes Telegraph Telephon
US3825802A (en) * 1973-03-12 1974-07-23 Western Electric Co Solid capacitor
DE2610224C2 (de) * 1976-03-11 1983-01-05 Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung von porösen Anodenkörpern durch Pressen und Sintern von Pulvern aus Ventilmetallen
JPS5349254A (en) * 1976-10-15 1978-05-04 Fujitsu Ltd Method of manufacturing tantalum nitride electrolytic capacitor
DE3130392C2 (de) * 1981-07-31 1985-10-17 Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden
JPS6386509A (ja) * 1986-09-30 1988-04-16 松下電器産業株式会社 タンタル多孔質焼結体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4423004A (en) * 1983-03-24 1983-12-27 Sprague Electric Company Treatment of tantalum powder
US4544403A (en) * 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders

Also Published As

Publication number Publication date
CN1108036A (zh) 1995-09-06
EP0647349B1 (en) 1996-12-11
HK59697A (en) 1997-05-16
JPH07508618A (ja) 1995-09-21
CZ292006B6 (cs) 2003-07-16
US5448447A (en) 1995-09-05
JP3174341B2 (ja) 2001-06-11
AU6706194A (en) 1994-11-21
CZ293364B6 (cs) 2004-04-14
CN1236177A (zh) 1999-11-24
UA41325C2 (uk) 2001-09-17
DE69401112D1 (de) 1997-01-23
TW439076B (en) 2001-06-07
RU2154871C2 (ru) 2000-08-20
ATE146299T1 (de) 1996-12-15
DE69401112T2 (de) 1997-04-03
KR100293304B1 (ko) 2001-10-24
WO1994025971A1 (en) 1994-11-10
SG52629A1 (en) 1998-09-28
CZ315994A3 (en) 1995-12-13
CN1143333C (zh) 2004-03-24
EP0647349A1 (en) 1995-04-12
RU94046324A (ru) 1996-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1046878C (zh) 一种电容器级钽粉的制造方法
CN1320104A (zh) 部分还原某些金属氧化物的方法和脱氧金属氧化物
JP3817742B2 (ja) タンタル粉体、その製造方法、及びそれから得ることができる焼結したアノード
CN1265919C (zh) 含氮金属粉末及其制造方法和采用该粉末的多孔质烧结体及固体电解电容器
CN1320103A (zh) 部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物
CN1576234A (zh) 制造低氧化铌的方法
CN1309513C (zh) 一种粉末混合物及其制造电解电容器的用途和方法
JP2010062580A (ja) ニオブ粉、ニオブ焼結体、該焼結体を用いたコンデンサおよびそのコンデンサの製造方法
CN1180101C (zh) 含氮的钽或铌粉末的制备和固体电解质电容器
IL161076A (en) Process for preparing tantalum powder and/or niobium powder having high specific surface area
CN1437753A (zh) 电容器粉末
CN1437517A (zh) 铌或钽粉末及其制造方法以及固体电解电容器
JP2005503661A (ja) 酸化ニオブの製造方法
CN1196552C (zh) 用于电解电容器的钽烧结体的制造方法
EP0528974B1 (en) Method of producing high surface area low metal impurity tantalum powder
CN1180447C (zh) 铌粉、铌粉烧结体、使用了该烧结体的电容器及其制作方法
CN101052488A (zh) 阀金属粉末的脱氧
JP2024515196A (ja) アルカリ土類金属で酸化タンタルを還元することによってコンデンサ用タンタル粉末を製造する方法
JP4178519B2 (ja) 固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末および焼結体の製造方法
US7481864B2 (en) Conversion of Ta2O5 to Ta metal
KR100220881B1 (ko) 고 표면적 저 금속 불순물의 탄탈륨 분말의 제조 방법
JP2004076063A (ja) ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
TWI266661B (en) Niobium powder and solid electrolytic capacitor
JP2003342603A (ja) ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ
EP1529583A1 (en) Niobium powder, anode for solid electrolytic capacitor and solid electrolytic capacitor

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CX01 Expiry of patent term

Expiration termination date: 20140415

Granted publication date: 19991201