JP4178519B2 - 固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末および焼結体の製造方法 - Google Patents
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- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims description 62
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims description 17
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 title claims description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 61
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 45
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 29
- PEQFPKIXNHTCSJ-UHFFFAOYSA-N alumane;niobium Chemical compound [AlH3].[Nb] PEQFPKIXNHTCSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 25
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 10
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 8
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N niobium pentoxide Inorganic materials O=[Nb](=O)O[Nb](=O)=O ZKATWMILCYLAPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 3
- -1 aluminum alkoxide Chemical class 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 3
- PPOCFSJSVCAFQQ-UHFFFAOYSA-N 4,7,7-trimethylbicyclo[2.2.1]heptan-3-one Chemical compound C1CC2(C)C(=O)CC1C2(C)C.C1CC2(C)C(=O)CC1C2(C)C PPOCFSJSVCAFQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007133 aluminothermic reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical group N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydrothieno[2,3-b][1,4]dioxine Chemical compound O1CCOC2=C1C=CS2 YMMGRPLNZPTZBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 208000031872 Body Remains Diseases 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 description 1
- RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N astatine atom Chemical compound [At] RYXHOMYVWAEKHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 238000005188 flotation Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002655 kraft paper Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);yttrium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 150000003481 tantalum Chemical class 0.000 description 1
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- Powder Metallurgy (AREA)
Description
しかし、タンタル鉱石は、地球的にその存在量が希少であり、産出する場所が限られている。このため、タンタルは供給が不安定となりやすく、価格の高騰を招きやすい。また、大容量化するためには粉末をさらに微細化して表面積を稼ぐ必要があるが、微細化すると焼結体の強度が低下するとともに焼結体細孔径の確保が困難になる。細孔経が小さくなると陰極材料の含浸が困難となり、所定のコンデンサ性能を発現できない。そのため資源としての埋蔵量がタンタルの10倍以上と豊富で、比誘電率が大きい五酸化ニオブ誘電体皮膜を誘電体隔膜として用いる、ニオブ金属粉末、酸化ニオブ粉末を陽極材料とするコンデンサの提案がなされている。
また、ニオブ表面を合金化する方法として、アルミニウムアルコキシド等をコーティング後加熱により内部拡散させ合金化する方法(特表2003−514378)が提案されてが、この方法はアルコキシドを加水分解後、できた表面の酸化アルミニウムをゲッター金属により還元するなど複雑な工程を経る欠点がある。また、この酸化物の内部拡散した酸素は還元されにくく、ニオブの伝導度を低下させやすいので、コンデンサとして等価直列抵抗(ESR)が増加しやすい。また、この酸素は化成の際に誘電体酸化被膜に欠陥を生じやすくする。
しかし、ATR法を用いて作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末は酸素を数at.%程度固溶しており、このため、このままでは、その焼結体は化成の際に誘電体酸化被膜に欠陥を生じやすく、電解コンデンサ用材料として適していない。
ATR法で作製したアルミニウム含有ニオブ粉末に、アルミニウム粉末を混合し、非酸化性雰囲気の中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末の製造方法を提供するものである。
また、ATR法で作製したアルミニウム含有ニオブ粉末に、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤を混合し、非酸化性雰囲気の中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末の製造方法を提供するものである。
また、ATR法で作製したアルミニウム含有ニオブ粉末の焼結体を、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤中に分散配置し、非酸化性雰囲気の中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金燒結体の製造方法を提供するものである。
ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末にアルミニウム粉末を混合し、加熱することにより、または
ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末にアルミニウム拡散剤を混合し、加熱することにより、または
ATR法で作製された粉末の焼結体をアルミニウム拡散剤中に分散配置し、加熱することにより、固溶酸素濃度が十分小さいニオブ−アルミニウム合金粉末あるいは焼結体を製造することができる。
この材料を使用することにより、耐電圧の向上と、もれ電流の低減が実現できる。アルミニウムを含有するニオブ粉末のコンデンサ用材料を安価で安定的に供給ができる。また、酸化行程がないので焼結体の伝導度の低下を招かないで製造することができる。
本発明に用いるATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末は、平均粒径が1μmから100μm程度の破砕粉末である。ニオブ−アルミニウム合金粉末としては、少量のボロン、マグネシウム、シリコン、リン、チタン、銅、ジルコニウム、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステンなどを含んだものも可能である。
本発明に用いるアルミニウム粉末は、1μmから200μm程度の、好ましくは平均粒径が5μmから100μm程度で4N以上の純度のもの、あるいはこの純度のアルミニウムに少量のボロン、マグネシウム、シリコン、リン、チタン、銅、ジルコニウム、モリブデン、ハフニウム、タンタル、タングステンを含有させたものを用いる。
ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末とアルミニウム粉末とを重量比で30対1から1対2の間の量比で混合する。混合にはV型混合器などを用いることができる。10分間以上の混合後、混合粉末を気密容器に移し、容器下部からアルゴンガスを流通させる。数分間のアルゴンガス置換後電気炉内にセットし、アルゴンガスを流しながら昇温する。流すガスは不活性ガスが望ましく、特にアルゴンガスが良好である。加熱雰囲気として高真空を使用するとさらによい。400℃から900℃の加熱処理をすることによりこのニオブ−アルミニウム合金粉末上にアルミニウムが付着する。 アルミニウム粉末表面には酸化物皮膜が形成しているため望ましくは550℃以上の加熱を必要とする。加熱は1時間程度行う。アルゴンガスを流しながら、室温付近まで冷却し、粉末を取り出す。この粉末をふっ酸以外の酸、またはアルカリで処理することにより残存しているアルミニウム粉末とニオブ−アルミニウム合金粉末表面のアルミニウムをアルミニウム酸化物と共にニオブ−アルミニウム合金粉末から分離する。比重差による分離も可能である。又、表面に付着しているアルミニウム酸化物皮膜等をボールミル等の手法により除去することが望ましい。
次に、ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末に、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤を混合し、加熱することにより、ニオブの固容酸素を減少させる製造方法として、以下の方法が挙げられる。
ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末にアルミニウム拡散剤としてアルミニウム粉末とハロゲン化アンモニウム粉末と焼結防止剤(アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末等)を混合して加熱する。ハロゲン化アルミニウム粉末も混合してもよい。
ハロゲンは塩素、臭素、ヨウ素、またはアスタチンの何れかまたは混成のものを使用し、特に安価な塩化アンモニウム粉末を使用する。塩化アルミニウムをそのまま供給することも可能であるが、取り扱いが容易でないので下記の反応式で間接的に塩化アルミニウムを発生させ、拡散処理することが可能である。(sは固体、gは気体、xは数字を意味する)
Al(s)+3NH4Cl(s)=AlCl3(g)+3NH3(g)+3/2H2(g)------------(1)
3Nb(s)+AlCl3(g)+3/2H2(g)=Nb3Al(s)+3HCl(g)-------------(2)
塩化アンモニウム(NH4Cl)は、338℃以上で塩化水素(HCl)とアンモニアガス(NH3)とに乖離し、発生したHClはAlと反応して塩化アルミニウムガス(AlClx)と水素(H2)とを生成する。AlClxはニオブ−アルミニウム合金粒子表面に吸着したあと、塩化物(Clx)がH2および/またはNH3によって引き抜かれ、この合金粉末表面に活性なAl層が形成される。Al層は不活性雰囲気で400℃以上の加熱処理することにより一部は合金粒子内部へと拡散するが、アルミニウムはニオブよりも酸素親和力が大きいのでニオブに固溶している酸素を吸い取る。加熱は1時間程度以上が望ましい。アルゴンガスを流しながら、室温付近まで冷却し、粉末を取り出す。この粉末をふっ酸以外の酸、またはアルカリで処理することにより残存しているアルミニウムをアルミニウム酸化物と共にニオブ−アルミニウム合金粉末から分離する。表面に形成された酸化アルミニウム皮膜はボールミル等の手段により除去することも可能である。次に目的の粉末とアルミニウム酸化物や焼結防止剤とは比重差分離装置で分離する。
次に上記二方法により製造された原料粉末は、リード線の一端を埋め込んで、乾式プレスまたはスラリー成型法により所定の寸法のペレットを形成し、真空燒結し、コンデンサ用焼結体を得る。
次に、ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉焼結体を、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤中に分散配置し、加熱してニオブの固溶酸素を減少させる第三方法の製造方法は、ATR法で作製されたニオブ−アルミニウム合金粉末を乾式プレスまたはスラリー成型法により所定の寸法のペレットを形成し、真空燒結する。リード線はペレットを成形する前に埋め込んでもよいし、ニオブの固容酸素を減少させた後、溶接等で接続してもよい。その燒結体を前記のアルミニウム拡散剤中に充填配置し、アルゴンガスを供給しながら昇温し、400℃から700℃の温度で加熱保持し、冷却する。その後、高真空中で徐々に温度を上げ1200℃から1400℃程度の温度に1時間程度保つことにより固溶酸素濃度を減少させる。次に、振動フルイ等の分離装置を用いることにより拡散処理した焼結体を拡散剤と分離し、この焼結体をふっ酸以外の酸、またはアルカリで処理することにより表面に残存しているアルミニウムをアルミニウム酸化物と共にニオブ−アルミニウム合金焼結体から分離し、コンデンサ用焼結体とする。
その後、この原料粉末にカンファー(樟脳)を2重量%添加、混合し、プレス成型用粉末とした。粉末重量64mgを採取し、プレス成型した。成型密度は2.82g/cm3であった。成型体を脱バインダー等の昇温工程を経て、1430℃で20分間、真空焼結を行い、冷却し、ニオブ焼結体とした。焼結体の密度は3.23g/cm3となった。収縮率は約13%であった。また、焼結体の表面の平均合金組成は15at.% Alであった。この焼結体の酸素濃度は3000ppmに減少していた。
次に、0.1mol/lのリン酸水溶液を50℃に加熱し、電流密度20mA/gで60Vまで定電流化成し、その後、60Vで2時間定電圧化成を行った。誘電体皮膜はニオブとアルミニウムの複合酸化物であり、誘電体皮膜には高倍率でのSEM観察でも、結晶化に伴う花びら状の欠陥は認められなかった。
誘電体皮膜の上に、陽極の対極として、固体電解質層を従来工法で作成した。固体電解質層としては導電性高分子層を形成した。本製作においてはエチレンジオキシチオフェンを含浸し、化学重合することにより、細孔内部から化成体の表面まで導電性高分子層を形成したのち、さらに従来工法と同様にグラファイトペースト、銀ペーストからなる陰極層を形成した。陰極層形成の素子に従来工法により、実装のために金属製端子を溶接・接着等で接合し、さらにトランスファモールドによって樹脂外装を行い、固体電解コンデンサを得た。印加電圧16V、連続印加1分後の漏れ電流値は平均で0.3μAであった。コンデンサの等価直列抵抗(ESR)は純ニオブ粉末を用いたコンデンサと差が認められなかった。
この焼結体を50℃の0.1mol/lのリン酸水溶液中で陽極酸化することにより、誘電体皮膜を形成した。誘電体皮膜形成の条件は電流密度20mA/gで60Vまで昇圧し、60Vで2時間の定電圧化成を行った。誘電体皮膜に欠陥は認められず、また化成体の色調に斑はなく、均一な干渉色を示した。固体電解質層としては、従来工法により導電性高分子層を形成した。その上にはクラファイト層、銀ペースト層を形成し、コンデンサ素子とした。この素子に従来工法と同じ、溶接、および接着で陽極および陰極端子を接合し、外部を樹脂モールドし、本発明の固体電解コンデンサを得た。樹脂モールド直後、印加電圧16Vで1分後のもれ電流を測定したところ平均で0.5μAであった。本発明の陽極材料で良好な固体電解コンデンサを得ることが確認された。
この焼結体を0.1mol/l、50℃のリン酸水溶液中で、電流密度20mA/gの定電流化成を、その後60Vで2時間定電圧化成を行うことにより、五酸化ニオブとアルミナの複合誘電体皮膜を有する化成体を作成した。誘電体の膜厚は190nmであった。誘電体被膜はニオブとアルミニウムの複合酸化物あるいはアルミニウム酸化物がナノ分散した酸化物である。
誘電体皮膜の上に、陽極の対極として、固体電解質層を従来工法で作成した。固体電解質層としては二酸化マンガン層を形成した。さらに従来工法と同様にグラファイトペースト、銀ペーストからなる陰極層を形成した。陰極層形成の素子に従来工法により、実装のために金属製端子を溶接・接着等で接合し、さらに耐湿性能向上とハンドリング性能向上のためにトランスファモールドによって樹脂外装を行い、固体電解コンデンサを得た。もれ電流は定格電圧6V印加1分値で0.4μAと良好な性能を示した。また−50℃から125℃のヒートサキクルを500回繰り返しても、ESR、もれ電流、容量に変化はなかった。
Claims (3)
- アルミノサーミック法を使用する還元法により作成したアルミニウム含有ニオブ粉末とアルミニウム粉末を混合し、非酸化性雰囲気中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末の製造方法。
- アルミノサーミック法を使用する還元法により作成したアルミニウム含有ニオブ粉末に、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤を混合し、非酸化性雰囲気中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末の製造方法。
- アルミノサーミック法を使用する還元法により作成したアルミニウム含有ニオブ粉末の焼結体を、アルミニウム粉末を含むアルミニウム拡散剤中に分散配置し、非酸化性雰囲気中で加熱する固体電解コンデンサ用のニオブ合金焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004091841A JP4178519B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末および焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004091841A JP4178519B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末および焼結体の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005272983A JP2005272983A (ja) | 2005-10-06 |
JP4178519B2 true JP4178519B2 (ja) | 2008-11-12 |
Family
ID=35172961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004091841A Expired - Fee Related JP4178519B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 固体電解コンデンサ用のニオブ合金粉末および焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4178519B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014104178A1 (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6035013B2 (ja) * | 2011-08-30 | 2016-11-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電極の作製方法 |
JP2013054878A (ja) | 2011-09-02 | 2013-03-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電極の作製方法および蓄電装置 |
US9384904B2 (en) | 2012-04-06 | 2016-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Negative electrode for power storage device, method for forming the same, and power storage device |
JP6216154B2 (ja) | 2012-06-01 | 2017-10-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 蓄電装置用負極及び蓄電装置 |
WO2014073461A1 (en) | 2012-11-07 | 2014-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrode for power storage device, power storage device, and manufacturing method of electrode for power storage device |
NO337267B1 (no) * | 2014-02-10 | 2016-02-29 | Elkem As | Fremgangsmåte for fremstilling av aluminiumoksidpartikler |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004091841A patent/JP4178519B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014104178A1 (ja) | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 昭和電工株式会社 | ニオブコンデンサ陽極用化成体及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005272983A (ja) | 2005-10-06 |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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