CZ293364B6 - Kondenzátor s nízkými elektrickými svody a způsob jeho výroby - Google Patents
Kondenzátor s nízkými elektrickými svody a způsob jeho výroby Download PDFInfo
- Publication number
- CZ293364B6 CZ293364B6 CZ19993897A CZ389799A CZ293364B6 CZ 293364 B6 CZ293364 B6 CZ 293364B6 CZ 19993897 A CZ19993897 A CZ 19993897A CZ 389799 A CZ389799 A CZ 389799A CZ 293364 B6 CZ293364 B6 CZ 293364B6
- Authority
- CZ
- Czechia
- Prior art keywords
- ppm
- base material
- nitrogen
- oxygen
- weight
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 59
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 219
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 126
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 107
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 93
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 92
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 96
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 55
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 55
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 26
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- -1 magnesium nitride Chemical class 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 8
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 4
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000002386 leaching Methods 0.000 description 3
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N Sodium Chemical compound [Na] KEAYESYHFKHZAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOPYZMJAIPBUGX-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[Mn+4] Chemical group [O-2].[O-2].[Mn+4] GOPYZMJAIPBUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000027734 detection of oxygen Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000000887 hydrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N manganese(2+);dinitrate Chemical compound [Mn+2].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O MIVBAHRSNUNMPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000002028 premature Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012085 test solution Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/004—Details
- H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
- H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
- H01G9/052—Sintered electrodes
- H01G9/0525—Powder therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Kondenzátor s nízkými elektrickými svody obsahuje základní materiál, mající BET menší, než 0,6 m.sup.2.n./g, a mající průměrnou velikost aglomerované částice 425 .mi.m, základní materiál dále obsahuje 500 ppm až 7000 ppm hmotnostních dusíku a 700 ppm až 3000 ppm hmotnostních kyslíku, přičemž elektrický svod předmětného kondenzátoru je pro napětí pro anodickou oxidaci od 150 V do 400 V a specifický náboj od 5100 do 18 000 .mi.FV/g alespoň o 36 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku. Způsob výroby kondenzátoru spočívá v tom, že základní materiál reaguje s takovým množstvím dusíku, postačujícím vytvořit alespoň 500 až 700 ppm hmotnostních dusíku v základním materiálu, a základní materiál reaguje s takovým množstvím kyslíku, postačujícím vytvořit alespoň 700 až 3000 ppm hmotnostních kyslíku v základním materiálu, načež se z tohoto základního materiálu vytvářejí pelety, které se sintrují při teplotách od 1400 .degree.C do 1800 .degree.C, sintrované pelety se vystavují působení napětí pro anodickou oxidaci o velikosti 100 V nebo vyšší, načež se z uvedených anodicky oxidovaných pelet vytvářejí kondenzátory a stanovuje se specifický náboj až do hodnoty 25 000 .mi.FV/g a rovněž zdokonalené elektrické svodové charakteristiky.ŕ
Description
Oblast techniky
Vynález se týká kondenzátoru s nízkými elektrickými svody, jakož i způsobu jeho výroby ze základního materiálu, obsahujícího kovový prášek alespoň jednoho kovu, vybraného ze skupiny V-B periodické tabulky prvků.
Dosavadní stav techniky
Pracovní charakteristiky kondenzátorů nebo elektrod, vytvořených z kvalitních prášků pro jejich výrobu, jsou vyjádřeny pomocí specifického náboje a svodového elektrického proudu. Specifický 15 náboj, normálně vyjádřený v pFV/g, je měřítkem elektrické kapacity kondenzátoru a je obvykle úměrný ploše povrchu prášku, např. ve formě sintrované a anodicky okysličené pelety. Elektrický svod obvykle vyjádřený v jednotkách nA/pFV nebo 10~JpA/pFV je měřítkem, jak dobře kondenzátor drží specifický náboj. Kondenzátory se zlepšenými elektrickými svodovými charakteristikami jsou pokládány za spolehlivější.
Je velmi dobře znám, že pracovní charakteristiky hotových kondenzátorů jsou ovlivněny chemickými a fyzikálními charakteristikami prášku použitého k výrobě kondenzátoru. Základní prášky, mající větší obsah kyslíku než 3000 ppm hmotnostních, mají sklon vytvářet krystalické čáry jako praskliny v dielektrické vrstvě během sintrování a anodické oxidace. Praskliny 25 umožňují průchod elektrického proudu dielektrikem a vytvářejí oblasti, jež vykazují zvýšené elektrické svody a předčasné poruchy. Pravděpodobnost výskytu prasklin se zvyšuje u vysoce spolehlivých kondenzátorů, kde se užívá pro anodickou oxidaci napětí vyšších, než 100 V.
Za účelem zlepšení pracovních charakteristik hotových kondenzátorů byly činěny různé pokusy 30 s působením malých množství modifikujících látek na základní materiál prášků. Byla použita řada přísad nebo „legovacích látek“, zahrnují dusík, křemík, fosfor, bór, uhlík a síru.
Jeden z takovýchto prvních pokusů je popsán v patentovém spise US 4 154 609, který popisuje přidání anorganického maziva, jako je nitrid boru, k tantalovému kovovému prášku před vlastním 35 sintrováním při teplotě 1600 °C. Pro sintrování je zde uváděn teplotní rozsah od 1550 °C do 1580 °C. Elektrické zkoušení sintrovaných a anodicky oxidovaných pelet prokázalo snížení hodnot průměrných elektrických svodů od 0,15 do 0,26nA/pFV. To představuje snížení elektrických svodů zhruba od 4 % do 38 % s ohledem na nedotované provedení. Dosažená průměrná hodnota specifického náboje byla od 7050 do 7635 pFV/g.
Podle patentového spisu US 4 544 403 byl základní tantalový materiál dotován alespoň dvěma přísadami, vybranými ze skupiny uhlík, síra a dusík. Byla užita množství do 1632 ppm hmotnostních z kombinovaných dopantů.
Prášek byl aglomerován tepelným zpracováním a drcen na částice o velikosti 500 pm (35 mesh). Sintrované anody vykazovaly snížení průměrných hodnot elektrických svodů v rozsahu od 24 do 28 % při použití napětí 100 V pro anodickou oxidaci. Hodnoty průměrného specifického náboje byly v rozsahu od 9564 do asi 20 237 pFV/g při použití stejného napětí pro anodickou oxidaci. Rovněž v tomto patentovém spise bylo uvedeno průměrné snížení elektrických svodů asi o 24 až 50 42 % a rozsah specifického náboje byl od 6004 do 19 717 pFV/g, přičemž napětí pro anodickou oxidaci bylo 200 V.
Třebaže je zde patrné snížení elektrického svodu a zvýšení specifického náboje, není zde žádné naznačení účinku, vyplývajícího z dotování dusíkem a kyslíkem, na elektrický svod, nebo účinku takovéhoto dotování na elektrické charakteristiky pro napětí vyšší, než 100 V.
V japonském patentovém spise JP 53(1978) - 49 254 je popsán způsob vytváření vrstvy z nitridu tantalu. U jednoho provedení je tantovalový prášek vystaven působení plynného čpavku a směsi dusíku nebo čpavku s inertním plynem jako je argon. Alternativně může být tantalový prášek vystaven působení solné lázně, sestávající zNaCN, NaCO3 a KC1. Prášek je potom lisován do tvaru anod a sintrován.
V japonském patentovém spise JP 63(1988)-86.509 je uveden postup pro snížení elektrického svodu. Tantalový prášek zde byl slisován do tvaru anody a sintrovaný byl pak vystaven působení čpavkové atmosféry při teplotě 1100 °C. Zreagovaný kyslík byl držen pod 3000 ppm. Není zde však žádný popis významu dotování jak kyslíkem, tak dusíkem v kritickém rozsahu, chráněném předloženým vynálezem.
Pouze okrajová zlepšení elektrických svodů byla pozorována u kondenzátorů, používaných v aplikacích, kde je požadována vysoká spolehlivost. Tyto spolehlivé kondenzátory jsou typicky anodicky oxidovány při napětích nad 200 V a pracují v rozsahu specifických nábojů od 5000 do 24 000 pFV/g, spíše však od 5000 do 15 000 pFV/g.
Jedním z cílů předloženého vynálezu je proto snížení elektrického svodu elektrického kondenzátoru v pevné fázi při formovacích napětích 100 V a vyšších, zatímco specifický náboj je udržován okolo 5000 pFV/g.
Dalším účelem předloženého vynálezu je snížení smrštění během sintrování a tím ochránění povrchových ploch a s tím rovněž spojené úrovně specifického náboje.
Vyvinutí vysoce spolehlivých kondenzátorů s elektrodami v pevné fázi, majících specifický náboj od 5000 pFV/g a vyšší a elektrický svod vylepšený alespoň o 28 %, s elektrodami anodicky okysličenými při formovacím napětí od 100 V výše a majících podobnou kapacitu, by vytvořil významný pokrok v oboru výroby jakostních prášků pro kondenzátoiy a příslušných výrobků.
Podstata vynálezu
V souladu s předmětem tohoto vynálezu byl tedy vyvinut kondenzátor s nízkými elektrickými svody, který obsahuje základní materiál, mající specifický povrch měřený metodou BET menší, než 0,6 m2/g, a mající průměrnou velikost aglomerované částice 425 pm, základní materiál dále obsahuje 500 ppm až 7000 ppm hmotnostních dusíku a 700 ppm až 3000 ppm hmotnostních kyslíku, přičemž elektrický svod předmětného kondenzátorů je pro napětí pro anodickou oxidaci od 150 V do 400 V a specifický náboj od 5100 do 18 000 pFV/g alespoň o 36 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
Prášek má s výhodou hodnotou BET v rozmezí od 0,25 m2/g do 0,55 m2/g.
V souladu s dalším aspektem předmětu tohoto vynálezu byl rovněž vyvinut kondenzátor s nízkými charakteristikami elektrických svodů, který je opatřen sintrovanou anodou, vyrobenou ze základního tantalového materiálu, slisovaného do pelety a sintrovaného při teplotách v rozmezí od 1400 °C do 1800 °C, přičemž základní materiál obsahuje od 500 ppm do 7000 ppm hmotnostních dusíku, a od 700 ppm do 3000 ppm hmotnostních kyslíku, uvedená sintrovaná anoda je na svém povrchu opatřena anodickou oxidací vytvořenou vrstvou oxidu tantaličného, na
-2CZ 293364 B6 které je uložena vrstva oxidu hořečnatého, ke které pak přiléhá vrstva grafitu, která je v elektrickém kontaktu s vnějším pouzdrem, opatřeným vodivými kontakty.
Základním materiálem je s výhodou tantal, který byl vybrán ze skupiny, obsahující hrudkovitý, vločkovitý, vláknitý a šupinkovitý prášek.
Základní materiál s výhodou obsahuje 1400 ppm až 2600 ppm hmotnostních dusíku a 950 ppm až 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
Elektrický svod kondenzátoru pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V je nižší, než 52 % až 99 % elektrického svodu u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
Kondenzátor podle tohoto vynálezu s výhodou vykazuje specifický náboj v rozmezí od 5500 do 13 200 pFV/g pro sintrovací teploty v rozmezí od 1400 °C do 1700 °C.
V souladu s dalším aspektem předmětu tohoto vynálezu byl dále rovněž vyvinut způsob výroby kondenzátoru s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, obsahujícího kovový prášek alespoň jednoho kovu, vybraného ze skupiny V-B periodické tabulky prvků, v souladu s nímž základní materiál reaguje s takovým množstvím dusíku, postačujícím vytvořit alespoň 500 až 700 ppm hmotnostních dusíku v základním materiálu, a základní materiál reaguje s takovým množstvím kyslíku, postačujícím vytvořit alespoň 700 až 3000 ppm hmotnostních kyslíku v základním materiálu, načež se z tohoto základního materiálu vytvářejí pelety, které se sintrují při teplotách od 1400 °C do 1800°C, sintrované pelety se vystavují působení napětí pro anodickou oxidaci o velikosti 100 V nebo vyšší, načež se z uvedených anodicky oxidovaných pelet vytvářejí kondenzátory a stanovuje se specifický náboj až do hodnoty 25 000 pFV/g a rovněž zdokonalené elektrické svodové charakteristiky.
Základní materiál s výhodou obsahuje alespoň tantalový kovový prášek.
Základní materiál s výhodou obsahuje hrudkovitý, vločkovitý, vláknitý a šupinkovitý prášek.
Základní materiál se s výhodou aglomeruje při teplotě mezi 1200 °C až 1600 °C.
Základní materiál se s výhodou aglomeruje při teplotě mezi 1400 °C až 1500 °C.
Aglomerovaný základní materiál se přeměňuje na prášek, mající částice o velikosti 425 pm.
Dusík reaguje s výhodou v plynné formě.
Dusík reaguje s výhodou ve formě plynného čpavku.
Dusík reaguje s výhodou ve formě nitridu hořečnatého.
Dusík a kyslík reagují s výhodou ve stejné operaci.
Obsah kyslíku v základním materiálu se vymezuje řídicími prostředky.
Řídicí prostředky s výhodou zajišťují přidávání kyseliny fluorovodíkové do základního materiálu.
Řídicí prostředky s výhodou zajišťují přidávání getrovacího materiálu, majícího vyšší afinitu ke kyslíku, než tantal.
Getrovacím materiálem je s výhodou hořčík.
-3CZ 293364 B6
Elektrický svod je alespoň o 28 % nižší, než elektrický svod u kondenzátorů, vytvořených ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
Množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 4400 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 1100 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
Elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 100 do 200 V a specifický náboj od 9400 do 24 100 pFV/g je zhruba o 30 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 85 ppm dusíku.
Množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 4400 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
Elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci 150 do 400 V a specifický náboj od 5100 do 18 100 pFV/g je zhruba o 36% nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
Množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 2600 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
Elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V a specifický náboj od 5500 do 13 200 pFV/g je zhruba o 52 % až 99 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
V souladu s ještě dalším aspektem předmětu tohoto vynálezu byl dále rovněž vyvinut způsob výroby kondenzátorů s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, obsahujícího alespoň kovový tantalový prášek, v souladu s nímž se základní materiál vystavuje teplotám v rozmezí od 1200 °C do 1600 °C pro vytváření aglomerátu ze základního materiálu, tento aglomerovaný základní materiál reaguje s množstvím dusíku, postačujícím pro vytvoření 1400 ppm až 4400 ppm hmotnostních dusíku v uvedeném materiálu, aglomerovaný materiál dále reaguje s množstvím kyslíku, postačujícím pro vytvoření alespoň 700 ppm až 3000 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném materiálu, načež s kyslíkem, obsaženým ve zreagovaném materiálu, reaguje redukční kov pro vytváření kysličníku kovu, přičemž se reguluje množství kysličníku kovu na úroveň v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném materiálu, načež se ze zreagovaného materiálu vytvářejí pelety a tyto pelety se sintrují při teplotách v rozmezí od 1400 °C do 1800 °C, a sintrované pelety se vystavují působení napětí pro anodickou oxidaci v rozmezí od 150 V do 400 V, a nakonec se z těchto anodicky oxidovaných pelet, majících specifický náboj v rozmezí od 5100 do 18 000pFV/g, a jejichž elektrický svod je více než o 36 % nižší, než u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, vytvářejí kondenzátory.
Dusík reaguje s výhodou v plynné formě.
Dusík reaguje výhodou ve formě plynného čpavku.
Dusík reaguje s výhodou ve formě nitridu hořečnatého.
Redukčním kovem je s výhodou hořčík.
Množství reagujícího dusík je v rozmezí od 1400 ppm do 2600 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
Elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V a specifický náboj od 5500 do 13 200pFV/g je zhruba o 52% až 99% nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
-4CZ 293364 B6
V souladu s ještě dalším aspektem předmětu tohoto vynálezu byl dále rovněž vyvinut způsob výroby kondenzátorů s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, obsahujícího alespoň kovový tantalový prášek, v souladu s nímž se základní materiál vystavuje teplotám v rozmezí od 1400 °C do 1500 °C pro vytváření aglomerátu ze základního materiálu, tento aglomerát se přeměňuje na prášek, mající částice o velikosti 425 pm, tento prášek se nechá reagovat s nitridem hořečnatým a s kovo\ým hořčíkem pro vytváření 1850 ppm až 2550 ppm hmotnostních dusíku v uvedeném prášku, kovový hořčík reaguje s kyslíkem v uvedeném prášku pro vytváření složky oxidu hořečnatého, jehož množství se snižuje až na hladinu v rozmezí od 2050 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném prášku, načež se z tohoto deoxidovaného prášku od 1550 °C do 1650 °C, tyto sintrované pelety se podrobují anodické oxidaci při napětích v rozmezí od 150 V do 200 V, načež se z těchto anodizovaných pelet, majících specifický náboj v rozmezí od 9800 pFV/g do 15 300 pFV/g, jejichž elektrický svod je alespoň o 75 % až 84 % nižší, než u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku, vytvářejí kondenzátory.
Přehled obrázků na výkresech
Vynález bude v dalším podrobněji objasněn na příkladech jeho konkrétního provedení, jejichž popis bude podán s přihlédnutím k přiloženým obrázkům výkresů, kde;
obr. 1 znázorňuje synergický účinek, vyplývající z reakce základního tantalového materiálu společně s dusíkem a kyslíkem. Tento účinek je srovnán s případem, kdy základní materiál reaguje s kyslíkem a dusíkem odděleně, procentuální snížení elektrických svodů je znázorněno v závislosti na velikosti formovacích napětí.
Spodní křivka na obr. 1 byla sestrojena z podkladů, získaných hodnocením elektrod anodicky okysličených při napětích 100 V a 200 V, a byla připravena podle příkladu 1 a 3, a 2 a 4, které jsou diskutovány níže. Procentuální snížení elektrického svodu bylo vypočítáno s použitím průměrného svodu z příkladů 3 a 4, dosaženého při použití sintrovacích teplot od asi 1400 °C do 1700 °C a odečtením hodnoty od průměrného svodu kontrolních vzorků 1 a 2. Procentuální snížení průměrného elektrického svodu je přibližně 35 % při provádění anodické oxidace při 100 V, 55 % při 150 V, 60 % při 200 V a přes 80 % při 400 V.
Střední křivka na obr. 1 byla připravena z elektrod anodicky okysličených při napětích 100,150,200 a 400 V. Hodnoty pro srovnání byly získány z elektrod, připravených podle příkladů 9 a 8,2 a 1, 4 a 3, 12 a 11, a 14 a 13.
Obr. 2 a obr. 3 zobrazují zlepšení specifického náboje pro rozsah sintrovacích teplot asi od 1400 °C do 1600 °C. Základní tantalové materiály byly dotovány kyslíkem a dusíkem podle postupu z příkladu 1-4 a 8-10 a testovány z hlediska specifického náboje. Výsledky byly srovnány s výsledky, získanými u kontrolních vzorků, připravených podle kroků z příkladu 1,3 a 8. Při aplikaci anodického okysličení při 100 V, bylo dosaženo specifického náboje v rozsahu od 1000 do 1800 pFV/g ve srovnání s anodami, připravenými bez dotování dusíkem a kyslíkem. Zlepšení od asi 400 do 600 pFV/g bylo dosaženo při anodické oxidaci při 150 V.
Obr. 4 znázorňuje snižování elektrického svodu v závislosti na zvyšujícím se obsahu dusíku. Anody byly sintrovány při 1475 °C a 1525 °C a anodicky okysličovány při 150 Voltech. Stupeň vlivu obsahu dusíku na elektrický svod začíná mizet při asi 7000 ppm hmotnostních.
-5CZ 293364 B6
Příklady provedení vynálezu
Podle jednoho provedení předmětu tohoto vynálezu je kondenzátorový prášek vyráběn ze základního materiálu, který obsahuje alespoň jeden prášek z kovu, vybraného ze skupiny V-B periodické tabulky prvků. Pro jednoduchost bude dále uváděn odkaz na kovový tantal. Protože chemické a fyzikální vlastnosti tantalu a niobu jsou známy, nebude problémem pro pracovníky v daném oboru techniky nahradit tyto kovy jinými.
Základní materiály, použité u způsobu podle tohoto vynálezu, jsou typicky připravovány chemickou redukcí fluoridové soli draslíku a tantalu kovovým sodíkem, následovanou zpracováním pomocí kyseliny, propráním vodou a sušením.
Vysušený základní tantalový materiál v tomto stádiu je nazýván peckovitým práškem. U alternativního způsobu jsou základní materiály vyráběny z ingotů tantalu hydratací ingotu a drcením ingotu na prášek požadované velikosti. Prášek je pak dále odplyněn ve vakuu, aby se odstranil vodík. Prášek, který se takto získá, je nazýván základní prášek.
Základní peckovitý prášek a základní střípkovitý prášek mohou být dále mlety, aby se zvýšila jejich povrchová plocha rozlámáním na plátky nebo plátkovitý prášek. Základní materiál bude dále definován tak, aby zahrnoval výše uvedené peckovité, střípkovité a plátkovité tvary a dále i vláknité prášky.
Základní materiály, použité u jednoho provedení podle tohoto vynálezu, byly aglomerovány tepelným zpracováním ve vakuu, nebo v prostředí inertního plynu. Byly použity teplotní rozsahy od 1200 °C do 1600 °C, výhodně rozsah od 1400 °C do 1500 °C. Tepelné zpracování je možno opakovat, aby bylo dosaženo požadovaného stupně aglomerace. Zkušení pracovníci v oboru jistě určí tepelné podmínky a ohřívací časy potřebné k dosažení požadované úrovně aglomerace toho kterého prášku.
Po aglomeraci byla provedena redukce velikosti zrn prášku na sítě o velikosti ok menší, než 425 pm (40 mesh).
U předmětu tohoto vynálezu jsou předpokládány různé tradiční metody pro zmenšení velikosti, včetně čelisťového drcení.
Do rozsahu předmětu tohoto vynálezu rovněž náleží příprava elektrod z prášků, které nebyly aglomerovány tepelným zpracováním.
Bylo zjištěno, že kondenzátory, vyrobené ze zpracovávaného prášku ze základního materiálu, který reagoval s kyslíkem a dusíkem, vykazovaly zlepšení elektrické svodové charakteristiky.
Přestože jsou předpokládány rozsahy zhruba od 500 do 7000 ppm hmotnostních dusíku a asi od 700 do 3000 ppm hmotnostních kyslíku, je výhodné použít rozsah od 1400 do 4500 ppm hmotnostních dusíku a od 1100 do 2900 ppm hmotnostních kyslíku. Při napětí 200 V pro anodickou oxidaci jsou výhodné rozsahy od 1400 do 2600 ppm hmotnostních dusíku a od 950 do 2900 ppm hmotnostních kyslíku. Tam, kde množství kyslíku a dusíku je pod nebo nad uvedenými rozsahy, se nedosáhne požadovaného snížení úrovně elektrického svodu a zvýšení specifického náboje.
Je rovněž předpokládáno, že dusík a kyslík mohou být přidány k základnímu materiálu v různých fázích postupu. Například dotanty mohou být přidávány během kteréhokoliv tepelného cyklu, potom co prášek je slisován do pelet, avšak před tím, než jsou pelety anodicky okysličeny. Například dále diskutovaný plynný dusík byl s výhodou přidáván po aglomeraci. Při alternativním prováděním způsobu byl kyslík přidáván k základnímu materiálu po přidání dusíku, nebo současně s ním.
-6CZ 293364 B6
Zatímco teplota, požadovaná při použití dusíku, aby tento reagoval a difundoval do kovového tantalu, závisí na fyzikálním stavu a použité sloučenině, významná reakce mezi plynným dusíkem a kovovým tantalem nastává při teplotě okolo 400 °C.
Ačkoliv základní materiály podle tohoto vynálezu získávají kyslík po každém teplotním cyklu v důsledku povrchové reakce se vzduchem podle okolních podmínek, kyslík byl odstraňován deoxidací pomocí řídicích prostředků, tak, jako například aktivním prvkem nebo sloučeninou, majícími vyšší afinitu kyslíku, než tantal. Různé řídicí prostředky jsou známy v daném oboru technicky, včetně užití getrů. Je výhodné k dotovanému základnímu materiálu přidávat takové kovy, jako je hořčík nebo vápník, a to při teplotách asi od 600 °C do 1100 °C, přičemž toto se děje ve vakuu nebo v atmosféře inertního plynu. Je výhodné použít teplot, které jsou rovny teplotě tavení getrovacích materiálů, nebo vyšších. Po deoxidaci byl tantalový prášek chlazen a hořčík a oxid hořečnatý byly vyluhovány z prášku kyselinami,načež byl prášek proprán vodou a sušen.
U jiné varianty vynálezu byl dusík přidáván k základnímu materiálu v deoxidačním cyklu. V příkladech 6 a 7, diskutovaných podrobněji dále, reagovalo asi od 1850 do 2550 ppm hmotnostních dusíku se základním materiálem jako nitrid hořečnatý. V reakci, která následovala, nitrid hořečnatý vyměnil dusík za kyslík ze sloučeniny tantalu jak je uvedeno následovně:
TaOx + y(Mg3N2) -> TaNz + x(MgO)
Pracovníci z oboru vědí, že hodnoty x, y a z budou záviset na úrovni kyslíku a dusíku, přítomného v tantalovém základním materiálu. Podle příkladů 6 a 7, poté co je prášek zbaven oxidu hořečnatého, zůstává v materiálu asi od 2050 do 2900 ppm hmotnostních kyslíku. Při použití napětí pro anodickou oxidaci od 150 V do 200 V, bylo dosaženo snížení elektrického svodu od 75 do 84 % a rozsahu specifického náboje od 9800 do 15 350. Potřebná množství jak kyslíku tak dusíku reagovala se základním materiálem současně.
Při použití alespoň stechiometrického množství hořčíku a vhodných teplot a časů, které jsou pro pracovníky z oboru zřejmé, může být kyslík z mřížky kovové tantalu zcela odstraněn. Je-li tantal vystaven působení prostředí s obsahem kyslíku (například vzduchu), velice rychle vytvoří povrchovou vrstvu oxidu. Za těchto okolností je tedy obsah kyslíku v prášku kovového tantalu úměrný velikosti plochy povrchu.
U jiného provedení vynálezu byl obsah kyslíku řízen změnou množství kyseliny fluorovodíkové (HF), použité při loužicím procesu. Kyselina fluorovodíková rozpouští zoxidovaný povrch tantalu, čímž zmenšuje povrchovou plochu tantalu a tudíž s tím i spojený obsah kyslíku. U dalšího provedení byl obsah kyslíku upravován změnami teploty a času během sušení na vzduchu po toužení v kyselině a oplachování ve vodě.
Nitridovaný a okysličený tantalový materiál, mající specifický prvek měřený metodou BET menší, než 0,6 ητ/g, výhodně pak od 0,25 do 0,55 nr/g, byl lisován a hodnocen po stránce elektrických svodů podle postupů určených dále. Tyto postupy jsou obecně známy a uvedeny v patentových spisech US 4 441 927 a US 4 722 756. Obdobné metody pro provádění fyzikálních, chemických a elektrických analýz jsou v daném oboru techniky známé.
Zpracování elektrod bylo potom dokončeno v kondenzátorech formováním dielektrické vrstvy z oxidu tantaličného na povrchu sintrovaných anod. Vrstva oxidu tantaličného je vytvořena anodickou oxidací tantalových anod kyselinou fosforečnou. Mohou být také použity ostatní naředěné kyselé roztoky, známé v oboru, včetně vodného roztoku kyseliny sírové a roztoku kyseliny dusičné.
Po sušení jsou elektrody ponořeny do roztoku dusičnanu manganatého. Roztok nasákne do elektrod, kde je potom zahřát na potřebnou teplotu, aby se rozložil na oxid manganičitý. Oxid manganičitý vytvoří jednotlivou vrstvu, přiléhající na vrstvu oxidu tantaličného. Vrstva oxidu manganičitého působí jako katoda. Na vrstvě oxidu manganičitého je pak uložena vrstva grafitu, a to předtím, než se připojí přívodní vodiče k elektrodám, a tak se vytvoří hotový kondenzátor.
Je zřejmé, a nevyvrací to žádná z teorií, že synergický účinek reagujících množství dusíku a kyslíku se základním materiálem způsobuje vytvoření stabilnější dielektrické vrstvy oxidu tantaličného. Obecně je požadováno amorfní dielektrikum z oxidu kysličníku tantalu. Při procesu anodické oxidace se může krystalický oxid tantaličná tvořit v důsledku přítomnosti nečistot, jako jsou železo, chrom, nikl, zirkon nebo dusík. Aby byl minimalizován růst krystalického oxidu tantaličného kolem nečistot během anodické oxidace, je potřebné vhodné množství amorfního oxidu nebo nitridu tantalu. To je zejména důležité při vysokých formovacích napětích, protože elektrické pole, vzniklé při vysokých napětích zvyšuje růst krystalů. Krystalická struktura vykazuje vyšší elektrickou vodivost, a proto výsledkem je vyšší proudový svod.
Se zvyšujícím se obsahem kyslíku v prášku (například přes 3500 ppm hmotnostních), má tento kyslík tendenci vytvářet krystalický oxid tantalu po lisování, sintrování a chlazení. Krystal oxidu tantalu, vytvořený před anodickou oxidací, působí jako nečistoty, které slouží jako zárodečná centra pro vyváření krystalických formací oxidu tantalu během sintrování. Existuje zde tudíž optimální koncentrace kyslíku v prášku. Optimální hladina je obecně v rozsahu od 700 do 3000 ppm hmotnostních, což částečně závisí na dosažitelné velikosti povrchové plochy a podmínkách pro sintrování a formování.
Chování a účinky dusíku při sintrování a anodické oxidaci tantalového materiálu jsou podobné, jako u kyslíku, až na skutečnost, že rozpustnost dusíku je asi dvakrát vyšší, než kyslíku v tantalu za stejné dané teploty. Z tohoto důvodu vyšší obsah dusíku v prášku způsobuje nižší elektrický svod kondenzátoru. Dále při normálních provozních teplotách kondenzátoru (asi do 100 °C) dusík jako nitrid tantalu, mající vyšší hustotu a nižší pohyblivost vtantalové základní látce, má tendenci omezovat pohyb kyslíku s ohledem na dielektrickou vrstvu. To brání vytváření suboxidů, které by měly vyšší elektrické svody, než vrstva amorfního oxidu tantaličného.
Kysličník tantalu je odolnější vůči sintrování, než kovový tantal v normálním teplotním rozsahu. Vyšší obsah kyslíku vtantalovém prášku ochraňuje povrchovou plochu během sintrování, výsledkem čehož je vyšší kapacita. Přidávání dusíku do tantalového prášku má podobné účinky v tom, že povrchová plocha je chráněna sintrování a tím se zvýší specifický náboj.
Bylo zjištěno, že reagování omezeného množství kyslíku a dusíku se základním tantalovým materiálem způsobuje synergický účinek, který zlepšuje jak elektrické svodové charakteristiky, tak zvyšuje specifický náboj hotového kondenzátoru, a to na hodnoty nedosažitelné pro případ, když jsou oba dotanty přidávány každý samostatně.
S ohledem na údaje v tabulkách 1 až 3 a na obr. 1 je zřejmé, že při anodické oxidaci napětím v rozsahu od 100 V do 200 V, kdy se základním tantalovým materiálem reagovalo od 1400 do 4400 ppm hmotnostních dusíku a od 1100 do 2900 ppm hmotnostních kyslíku, bylo dosaženo specifického náboje v rozsahu mezi asi 9400 a 24 100 pFV/g. Procentuální snížení elektrického svodu bylo vypočítáno srovnáním zprůměrovaných hodnot svodů, dosažených v rozsahu sintrovacích teplot zhruba od 1400 °C do 1700 °C. Bylo provedeno srovnání kontrolního příkladu 8 s příklady 9 a 10 pro anodickou oxidaci při 100 V a 150 V, kontrolního příkladu 1 s příkladem 2 a kontrolního příkladu 3 s příklady 4 až 7 pro 200 V.
Při rozsahu napětí od 150 do 400 V, použitém pro anodickou oxidaci, bylo dosaženo zlepšení elektrického svodu větší než 36%, při specifickém náboji asi 5100 až asi 18 000pFV/g. Se základním tantalovým materiálem reagovala množství od 1400 do 4450 ppm hmotnostních dusíku a od 950 do 2900 ppm hmotnostních kyslíku, procentuální snížení elektrických svodů
-8CZ 293364 B6 bylo počítáno způsobem zmíněným výše na základě srovnání kontrolního příkladu 8 s příklady 9 a 10, při 150 V při anodické oxidaci, kontrolní příklady 11 a 13 byly srovnávány s příklady 12 a 14 při 400 V pro anodickou oxidaci.
Následující příklady jsou předkládány, aby dále osvětlily vynález a demonstrovaly zlepšení předchozího způsobu pro výrobu hodnotného prášku pro výrobu elektrod kondenzátorů. Je zřejmé, že uvedené příklady jsou pro určeny ilustrativní účely a nikoliv pro omezení rozsahu vynálezu.
Příklad 1
Přes 230 kg základního hrudkovitého prášku bylo ve vakuu vystaveno teplotě 1500 °C a drceno na hrubost 425 pm (400 mesh), což je dále v následujících příkladech označováno jako HTA. 27 kg HTA prášku bylo potom smíseno s 0,4 kg hořčíku. Směs byla dána do retorty a byl znemožněn přístup atmosféry. Utěsněná retorta byla poté vývěvou vyčerpána, vyhřátá a udržována na teplotě 900 °C po dobu 3 hodin a následně ochlazena na okolní teplotu. Prášek, vyjmutý z retorty, byl vyluhován kyselinou dusičnou a opláchnut vodou, aby byl odstraněn zbytkový hořčík a oxid hořečnatý před tím, než se prášek suší na vzduchu při teplotě 100 °C po dobu 6 hodin. Prášek byl dále sušen při teplotě 180 °C po dobu 8 hodin.
Vzorek tohoto prášku byl měřen pro zjištění povrchové plochy pomocí metody BET, a kyslík a dusík postupem dále diskutovaným. Výsledky jsou uvedeny v tabulce 1.
Způsob určování kapacity a elektrických svodů (A) Výroba pelet:
Prášek byl stlačen běžným tlakem pro lisování pelet bez pomoci pojiv. Typická hustota po slisování byla 5 a 7 g/cm3 při použití prášku o hmotnosti 16 mg až 100 mg a o průměru částic 1,25 mm až 2,5 mm.
(B) Sintrování ve vakuu
Slisované pelety byly sintrovány pod vysokým vakuem, méně než 0,00133 Pa, po dobu 30 minut (1800 s) při teplotě asi od 1400 °C do 1800 °C.
(C) Anodická oxidace
Sintrované pelety byly anodicky oxidovány ve formovací lázni při 90+/-2 °C při stejnoměrném napětí mezi 100 až 400 V. Elektrolytem byl 0,1% kyselina fosforečná.
Napěťový rozsah pro anodickou oxidaci byl řízen po 1 V za minutu. Po dosažení požadovaného napětí pro oxidaci (výhodné buď 100, 150,200, nebo 400 V) byla anoda držena na tomto napětí po dobu tří hodin. Potom byla anoda opláchnuta a sušena.
(D) Podmínky pro zkoušení
Anody po anodické oxidaci, oplachu a sušení byly nejdříve zkoušeny pro zjištění elektrických svodů. Byl zde použit test, využívající 10 % kyseliny fosforečné. Anody byly ponořeny do zkušebního roztoku až po vrchní plochu, načež bylo přiváděno napětí, rovnající se 70 % konečného formovacího napětí, (tzn. 70 V, jestliže anodická oxidace se provádí při 100 V) a drženo na této hodnotě po dobu od 10 s až dvou minut, po které byly měřeny elektrické svody.
-9CZ 293364 B6
Po ukončení měření elektrických svodů byl měřen specifický náboj na anodě, přičemž byl použit zkušební můstek.
Analýza pro zjištění kyslíku a dusíku
Analýzy pro zjištění kyslíku a dusíku byl prováděny pomocí analyzátoru O2 a N2, založeného na technice fúze inertního plynu.
Povrchová plocha BET
Celková povrchová plocha tantalu byla měřena pomocí analyzátoru povrchové plochy pórů. BET (Brauner-Emmet-Teller) označuje povrchovou plochu, získanou měřicím způsobem, při kterém je do měření zahrnuta povrchová plocha a rovněž vnitřní povrchová plocha, kterou přispívají svojí přítomností póry v materiálu.
Tabulka 1
| Příklad | Příklad | Příklad | Příklad | Příklad | Příklad | Přiklad | |
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | |
| Kyslík, ppm | 2150 | 2095 | 1360 | 1105 | 2220 | 2095 | 2860 |
| Dusík, ppm | 45 | 1510 | 55 | 1665 | 1440 | 1860 | 2540 |
| BET, m2/g | 0,35 | 0,34 | 0,35 | 0,34 | 0,36 | ||
| KAPACITA 150 V anodická oxidace | |||||||
| 1550 °C sintr | 13 700 | 14 080 | 12 950 | 13 660 | 15 380 | 15 020 | 15 290 |
| 1600 °C sintr | 11 900 | 12 295 | 11 435 | 11 665 | 13 700 | 13 130 | 13 590 |
| 1650 °C sintr | 10 460 | 11 120 | 10 940 | 11240 | |||
| 200 V anodická oxidace | |||||||
| 1550 °C sintr | 11 703 | 12 016 | 11 215 | 11 860 | 13 190 | 12 650 | 13 050 |
| 1600 °C sintr | 10 200 | 10 740 | 9 970 | 10 542 | 12 020 | 11 530 | 11 880 |
| 1650 °C sintr | 9490 | 10410 | 9850 | 10130 | |||
| Proudový svod 150 V anodická oxidace | |||||||
| 1550 °C sintr | 0,60 | 0,38 | 1,23 | 0,68 | 0,48 | 0,50 | 0,41 |
| 1600 °C sintr | 0,37 | 0,26 | 1,01 | 0,52 | 0,31 | 0,37 | 0,23 |
| 1650 °C sintr | 0,21 | 0,24 | 0,24 | 0,19 | |||
| 200 V anodická oxidace | |||||||
| 1550 °C sintr | 3,43 | 1,92 | 7,74 | 3,89 | 2,23 | 2,20 | 1,85 |
| 1600 °C sintr | 1,95 | 1,09 | 5,56 | 2,56 | 1,32 | 1,49 | 0,77 |
| 1650 °C sintr | 0,66 | 0,74 | 0,71 | 0,58 |
Příklad 2 kg tepelně zpracovaného hrudkovitého prášku (HTA) stejné šarže, jako v příkladu 1, bylo deoxidováno užitím stejného postupu, jaký je popsán v příkladu 1, kromě toho, že během chladicího procesu bylo do retorty při teplotě 400 °C zavedeno určité množství dusíku. Po ukončení přidávání byly retorta a prášek nadále ochlazovány. Prášek byl vyluhován, sušen a hodnocen postupem podle příkladu 1.
Příklad 3
Základní prášek z příkladu 1 byl tepelně zpracován při teplotě 1500 °C a deoxidován.
Příklad 4
Základní prášek z příkladu 1 byl tepelně zpracován, deoxidován, načež reagoval s dusíkem shodně s postupem z příkladu 2. Potom byl využit postup pro loužení v kyselině, oplach ve vodě a sušení podle příkladu 3.
-10CZ 293364 B6
Příklad 5 kg základního hrudkovitého prášku bylo tepelně zpracováno při teplotě 1500 °C a rozdrceno na částice o průměrné velikosti 425 pm (40 mesh). Prášek byl potom smíchán s 0,8 kg hořčíku a vsazen do těsněné retorty. Retorta pak byla mechanickou vývěvou vyčerpána a vyhřátá na reakční teplotu, tak jak je to popsáno v příkladu 1. po reakci, když byl prášek chlazen při teplotě 500 °C, bylo do retorty s práškem zavedeno 1500 ppm hmotnostních plynného dusíku. Retorta s práškem pak byly dochlazeny na okolní teplotu. Studený prášek byl loužen v kyselině, oplachován vodou a sušen stejným postupem, jaký byl užit v příkladu 1.
Příklad 6
300 g tepelně zpracovaného prášku ze šarže, popsané v příkladu 1, bylo smícháno s 3,2 g nitridu hořečnatého a 2,2 g hořčíku. Smíchaný prášek byl uložen v tantalové vaničce a v této umístěn do retorty a deoxidován. Deoxidovaný prášek byl potom loužen a sušen podle postupu, popsaného v příkladu 1.
Příklad 7
300 g tepelně zpracovaného prášku ze šarže, popsané v příkladu 1, bylo smícháno se 5,4 g nitridu hořečnatého a 0,6 g hořčíku. Smíšený prášek byl umístěn v tantalové vaničce, a byla vsazena do retorty a provedena deoxidace. Prášek byl poté vyjmut a podroben loužení a sušení, přičemž byl použit stejný postup, jaký je popsán v příkladu 1.
Příklad 8
Prášek s velkou povrchovou plochou, mající průměrnou velikosti průměru částic okolo 1 pm, byl tepelně zpracován při teplotě 1400 °C a poté drcen na 425 pm (40 mesh). Zhruba 2,3 kg tepelně zpracovaného prášku bylo smícháno s 30 g hořčíku. Smíšený prášek v tantalové vaničce byl uzavřen do retorty. Utěsněná retorta byla odčerpána mechanickou vývěvou, vyhřátá na 950 °C po dobu 3hodin a potom ochlazena na okolní teplotu. Prášek byl vyjmut z retorty, vyluhován, proplachován vodou a sušen, způsobem výše popsaným, aby se odstranily zbytky hořčíku a oxidu hořečnatého.
Příklad 9
Prášek o stejné povrchové ploše, jako byl použit v příkladu 8, byl tepelně zpracován, deoxidován, vyluhován a sušen podle postupu z příkladu 8. Zhruba 2,3 kg vysušeného základního tantalového materiálu bylo vloženo do retorty a ohřáto na teplotu 500 °C. Během ochlazení pak bylo do retorty zavedeno asi 3,5 g plynného dusíku.
Příklad 10
Prášek o stejné povrchové ploše byl tepelně zpracován, deoxidován, vyluhován a sušen, jak je popsáno v příkladu 8. Zhruba 2,3 kg vysušeného základního tantalového materiálu bylo vloženo do retorty a zahřáto na 500 °C. Během chladicího procesu bylo do retorty zavedeno asi 13 g plynného dusíku.
Výsledky příkladů 8 až 10 jsou uvedeny v tabulce 2.
-11 CZ 293364 B6
Tabulka 2
| Příklad | Příklad | Příklad | |
| 8 | 9 | 10 | |
| Kyslík, ppm | 2440 | 1922 | 1900 |
| Dusík, ppm | 85 | 2572 | 4365 |
| BET, m2/g | 0,53 | 0,44 | 0,44 |
| KAPACITA 100 V anodická oxidace | |||
| 1425 °C sintr | 23 090 | 24 100 | 23 950 |
| 1475 °C sintr | 21 285 | 22 255 | 22 265 |
| 1525 °C sintr | 17 651 | 19381 | 19510 |
| 150 V anodická oxidace | |||
| 1425 °C sintr | B.D. | 17 930 | 17510 |
| 1475 °C sintr | 16 160 | 17 835 | 17 790 |
| 1525 °C sintr | 14 195 | 15 745 | 15 985 |
| Proudový svod 100 V anodická oxidace | |||
| 1425 °C sintr | 1,28 | 0,53 | 0,90 |
| 1475 °C sintr | 0,50 | 0,33 | 0,33 |
| 1525 °C sintr | 0,29 | 0,22 | 0,22 |
| 150 V anodická oxidace | |||
| 1425 °C sintr | B.D. | 6,08 | 5,85 |
| 1475 °C sintr | 7,07 | 2,84 | 2,16 |
| 1525 °C sintr | 3,61 | 1,28 | 0,77 |
Poznámka: Zkratka „B.D.“ označuje poruchu dielektrika předtím, než bylo dosaženo napětí 150 V při anodické oxidaci. Za těchto podmínek kapacita a svody nemohou být měřeny.
Příklad 11
Vločkovitý prášek byl mlet na šupinkovitý prášek mechanickými prostředky po dobu dvou hodin. Namleté šupinky byly vyluhovány v kyselině, oplachovány vodou, aby se odstranily povrchové nečistoty, a následně sušeny. Vysušené šupinky byly potom hydrydovány a rozemlety na menší kousky. Rozemletý prášek byl potom dvakrát tepelně zpracován. První krok tepelného zpracování byl proveden při teplotě 1375 °C po dobu 30 minut ve vakuu ve vakuové indukční peci. Pak byl prášek drcen a tříděn, aby měl velikost menší, než 425 gm (40 mesh). Potom byl opět ve vakuové indukční peci po dobu třiceti minut udržován na teplotě 1 475 °C. Takto dvakráte tepelně zpracovaný prášek byl opět drcen a tříděn na 425 gm (40 mesh).
Tepelně zpracovaný šupinkovitý prášek byl potom deoxidován, vyluhován v kyselině, proplachován vodou a vysušen za použití způsobu, popsaného v příkladu 1.
Asi 16 mg vzorku základního tantalového materiálu bylo potom slisováno do pelety s hustotou 7,0g/ml a sintrováno po dobu 30minut při teplotě 1700°C. Pelety byly potom anodicky oxidován při 400 V a byl měřen jejich specifický náboj a elektrický svod při 70 % napětí pro anodickou oxidaci, tj. při 280 V. Výsledky z příkladu 11 až 14 jsou uvedeny v tabulce 3.
Příklad 12
Dvakrát tepelně zpracovaný prášek, popsaný v příkladu 11, byl deoxidován, nitridován, vyluhován v kyselině, proplachován vodou, vysušen a proměřován s využitím postupu z příkladu 11.
- 12CZ 293364 B6
Příklad 13
Dvakrát tepelně zpracovaný prášek, popsaný v příkladu 11, byl deoxidován stejným postupem, jaký byl použit v příkladu 11, kromě toho, že prášek byl sušen dvakrát při teplotě 185 °C po dobu 6 hodin.
Příklad 14
Dvakrát tepelně zpracovaný prášek, popsaný v příkladu 11, byl deoxidován a nitridován postupem podle příkladu 12, kromě toho, že prášek byl sušen dvakrát při teplotě 185 °C po dobu 6 hodin.
Tabulka 3
| Příklad 11 | Příklad 12 | Příklad 13 | Příklad 14 | |
| Kyslík, ppm | 979 | 976 | 1151 | 1333 |
| Dusík, ppm | 109 | 1852 | 140 | 1906 |
| BET, m2/g | 0,27 | 0,29 | 0,27 | 0,29 |
| Kapacita [pFV/g] 400 V anodická oxidace | ||||
| 1700 °C sintr | 5207 | 5533 | 5186 | 5622 |
| Proudový svod [nA/pFV] 400 V | anodická oxidace | |||
| 1700 °C sintr | 0,98 | 0,34 | 25,09 | 0,34 |
PATENTOVÉ NÁROKY
Claims (36)
- PATENTOVÉ NÁROKY1. Kondenzátor snízkými elektrickými svody, vyznačující se tím, že obsahuje základní materiál, mající specifický povrch měření metodou BET menší, než 0,6 m2/g, a mající průměrnou velikost aglomerované částice 425 pm, základní materiál dále obsahuje 500 ppm až 7000 ppm hmotnostních dusíku a 700 ppm až 3000 ppm hmotnostních kyslíku, přičemž elektrický svod předmětného kondenzátoru je pro napětí pro anodickou oxidaci od 150 V do 400 V a specifický náboj od 5100 do 18 000pFV/g alespoň o 36 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 1400 ppm dusíku.
- 2. Kondenzátor podle nároku 1, vyznačující se tím, že prášek má hodnotu BET v rozmezí od 0,25 m2/g do 0,55 m2/g.
- 3. Kondenzátor s nízkými charakteristikami elektrických svodů, vyznačující se tím, že je opatřen sintrovanou anodou, vyrobenou ze základního tantalového materiálu, slisovaného do pelety a sintrovaného při teplotách v rozmezí od 1400 °C do 1800 °C, přičemž základní materiál obsahuje od 500 ppm do 7000 ppm hmotnostních dusíku, a od 700 ppm do 3000 ppm hmotnostních kyslíku, uvedená sintrovaná anoda je na svém povrchu opatřena anodickou oxidací vytvořenou vrstvou oxidu tantaličného, na které je uložena vrstva oxidu horečnatého, ke které pak přiléhá vrstva grafitu, která je v elektrickém kontaktu s vnějším pouzdrem, opatřeným vodivými kontakty. 4
- 4. Kondenzátor podle nároku 3, vyznačující se tím, že základním materiálem je tantal, který byl vybrán ze skupiny, obsahující hrudkovitý, vločkovitý, vláknitý a šupinkovitý prášek.-13CZ 293364 B6
- 5. Kondenzátor podle nároku 3 nebo 4, vyznačující se tím, že základní materiál obsahuje 1400 ppm až 2600 ppm hmotnostních dusíku a 950 ppm až 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
- 6. Kondenzátor podle nároku 5, vyznačující se tím, že elektrický svod kondenzátoru pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V je nižší, než 52 % až 99 % elektrického svodu u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.ío
- 7. Kondenzátor podle nároku 5 nebo 6, vy z n ač u j í cí se t í m , že vykazuje specifický náboj v rozmezí od 5500 do 13 000pFV/g pro sintrovací teploty v rozmezí od 1400 °C do 1700 °C.
- 8. Způsob výroby kondenzátoru s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, 15 obsahujícího kovový prášek alespoň jednoho kovu, vybraného ze skupiny V-B periodické tabulky prvků, vyznačující se tím, že základní materiál reaguje s takovým množstvím dusíku, postačujícím vytvořit alespoň 500 až 700 ppm hmotnostních dusíku v základním materiálu, a základní materiál reaguje s takovým množstvím kyslíku, postačujícím vytvořit alespoň 700 až 3000 ppm hmotnostních kyslíku v základním materiálu, načež se z tohoto 20 základního materiálu vytvářejí pelety, které se sintrují při teplotách od 1400 °C do 1800 °C, sintrované pelety se vystavují působení napětí pro anodickou oxidaci o velikosti 100 V nebo vyšší, načež se z uvedených anodicky oxidovaných pelet vytvářejí kondenzátory a stanovuje se specifický náboj až do hodnoty 25 000 pFV/g a rovněž zdokonalené elektrické svodové charakteristiky.
- 9. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že základní materiál obsahuje alespoň tantalový kovový prášek.
- 10. Způsob podle nároku 9, vy zn a č u j í c í se tí m , že základní materiál obsahuje 30 hrudkovitý, vločkovitý, vláknitý a šupinkovitý prášek.
- 11. Způsob podle nároku 10, vyznačující se tím, že základní materiál se aglomeruje při teplotě mezi 1200 °C až 1600 °C.35
- 12. Způsob podle nároku 11, vyznačující se tím, že základní materiál se aglomeruje při teplotě mezi 1400 °C až 1500 °C.
- 13. Způsob podle nároku 11,vyznačující se tím, že aglomerovaný základní materiál se přeměňuje na prášek, mající částice o velikosti 425 pm.
- 14. Způsob podle nároku 10, vyznačující se tím, že dusík reaguje v plynné formě.
- 15. Způsob podle nároku 10, vyznačující se tím, že dusík reaguje ve formě plynného čpavku.
- 16. Způsob podle nároku 10, vyznačující se tím, že dusík reaguje ve formě nitridu hořečnatého.
- 17. Způsob podle nároku 10, vyznaču j ící se tí m, že dusík a kyslík reagují ve stejné 50 operaci.
- 18. Způsob podle nároku 10, vyznačující se tím, že obsah kyslíku v základním materiálu se vymezuje řídicími prostředky.-14CZ 293364 B6
- 19. Způsob podle nároku 18, vyznačující se tím, že řídicí prostředky zajišťují přidávání kyseliny fluorovodíkové do základního materiálu.
- 20. Způsob podle nároku 18, vyznačující se tím, že řídicí prostředky zajišťují přidávání getrovacího materiálu, majícího vyšší afinitu ke kyslíku, než tantal.
- 21. Způsob podle nároku 20, v y z n a č u j í c í se tí m , že getrovacím, materiálem je hořčík.
- 22. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že elektrický svod je alespoň o 28 % nižší, než elektrický svod u kondenzátorů, vytvořených ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
- 23. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 4400 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 1100 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
- 24. Způsob podle nároku 23, vyznačující se tím, že elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 100 do 200 V a specifický náboj od 9400 do 24 100 pFV/g je o 30 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 85 ppm dusíku.
- 25. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 4400 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
- 26. Způsob podle nároku 25, vyznačující se tím, že elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci 150 do 400 V a specifický náboj od 5100 do 18 100 pFV/g je zhruba o 36 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
- 27. Způsob podle nároku 8, vyznačující se tím, že množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 2600 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
- 28. Způsob podle nároku 27, vyzn ač u j í cí se tí m , že elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V a specifický náboj od 5500 do 13 200 pFV/g je o 52 % až 99 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
- 29. Způsob výroby kondenzátorů s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, obsahujícího alespoň kovový tantalový prášek, vyznačující se tím, že základní materiál se vystavuje teplotám v rozmezí od 1200 °C do 1600 °C pro vytváření aglomerátu ze základního materiálu, tento aglomerovaný základní materiál reaguje s množstvím dusíku, postačujícím pro vytvoření 1400 ppm až 4400 ppm hmotnostních dusíku v uvedeném materiálu, aglomerovaný materiál dále reaguje s množstvím kyslíku, postačujícím pro vytvoření alespoň 700 ppm až 3000 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném materiálu, načež s kyslíkem, obsaženým ve zreagovaném materiálu, reaguje redukční kov pro vytváření kysličníku kovu, přičemž se reguluje množství kysličníku kovu na úroveň v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném materiálu, načež se ze zreagovaného materiálu vytvářejí pelety a tyto pelety se sintrují při teplotách v rozmezí od 1400 °C do 1800 °C. a sintrované pelety se vystavují působením napětí pro anodickou oxidaci v rozmezí od 150 V do 400 V, a nakonec se z těchto anodicky oxidovaných pelet, majících specifický náboj v rozmezí od 5100 do 18 000pFV/g, a jejichž elektrický svod je více než o 36% nižší, než u kondenzátorů, vytvořeného ze základního materiálu, vytvářejí kondenzátoiy.-15CZ 293364 B6
- 30. Způsob podle nároku 29, vy zn ač u j í c í se t í m , že dusík reaguje v plynné formě.
- 31. Způsob podle nároku 29, v y z n a č u j í c í se t i m, že dusík reaguje ve formě plynného čpavku.
- 32. Způsob podle nároku 29, vyznač u j ící se t í m , že dusík reaguje ve formě nitridu hořečnatého.
- 33. Způsob podle nároku 29, v y z n a č u j í c í se t í m , že redukčním kovem je hořčík.
- 34. Způsob podle nároku 29, v y z n a č u j í c i se t í m , že množství reagujícího dusíku je v rozmezí od 1400 ppm do 2600 ppm hmotnostních dusíku, a množství kyslíku je v rozmezí od 950 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku.
- 35. Způsob podle nároku 34, vyznačující se tím, že elektrický svod pro napětí pro anodickou oxidaci od 200 do 400 V a specifický náboj od 5500 do 13 200pFV/g je zhruba o 52 % až 99 % nižší, než je elektrický svod u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku.
- 36. Způsob výroby kondenzátorů s nízkými elektrickými svody ze základního materiálu, obsahujícího alespoň kovový tantalový prášek, vyznačující se tím, že základní materiál se vystavuje teplotám v rozmezí od 1400 °C do 1500 °C pro vytváření aglomerátu ze základního materiálu, tento aglomerát se přeměňuje na prášek, mající částice o velikosti 425 pm, tento prášek se nechá reagovat s nitridem hořečnatým a s kovovým hořčíkem pro vytváření 1850 ppm až 2550 ppm hmotnostních dusíku v uvedeném prášku, kovový hořčík reaguje s kyslíkem v uvedeném prášku pro vytváření složky oxidu hořečnatého, jehož množství se snižuje až na hladinu v rozmezí od 2050 ppm do 2900 ppm hmotnostních kyslíku v uvedeném prášku, načež se z tohoto deoxidovaného prášku vytvářejí pelety, které se sintrují při teplotách v rozmezí od 1550 °C do 1650 °C, tyto sintrované pelety se podrobují anodické oxidaci při napětích v rozmezí od 150 V do 200 V, načež se z těchto anodizovaných pelet, majících specifický náboj v rozmezí od 9800 pFV/g do 15 300 pFV/g, jejich elektrický svod je alespoň o 75 % až 84 % nižší, než u kondenzátoru, vytvořeného ze základního materiálu, obsahujícího méně, než 140 ppm dusíku, vytvářejí kondenzátory.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/052,876 US5448447A (en) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CZ293364B6 true CZ293364B6 (cs) | 2004-04-14 |
Family
ID=21980485
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19943159A CZ292006B6 (cs) | 1993-04-26 | 1994-04-15 | Způsob výroby tantalového prášku a tantalový prášek |
| CZ19993897A CZ293364B6 (cs) | 1993-04-26 | 1994-04-15 | Kondenzátor s nízkými elektrickými svody a způsob jeho výroby |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CZ19943159A CZ292006B6 (cs) | 1993-04-26 | 1994-04-15 | Způsob výroby tantalového prášku a tantalový prášek |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5448447A (cs) |
| EP (1) | EP0647349B1 (cs) |
| JP (1) | JP3174341B2 (cs) |
| KR (1) | KR100293304B1 (cs) |
| CN (2) | CN1046878C (cs) |
| AT (1) | ATE146299T1 (cs) |
| AU (1) | AU6706194A (cs) |
| CZ (2) | CZ292006B6 (cs) |
| DE (1) | DE69401112T2 (cs) |
| HK (1) | HK59697A (cs) |
| RU (1) | RU2154871C2 (cs) |
| SG (1) | SG52629A1 (cs) |
| TW (1) | TW439076B (cs) |
| UA (1) | UA41325C2 (cs) |
| WO (1) | WO1994025971A1 (cs) |
Families Citing this family (108)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5580367A (en) * | 1987-11-30 | 1996-12-03 | Cabot Corporation | Flaked tantalum powder and method of using same flaked tantalum powder |
| DE69516556T2 (de) * | 1994-01-26 | 2000-09-07 | H.C. Starck, Inc. | Verfahren zum Nitrieren von Tantalpulver |
| US20030145682A1 (en) * | 1994-08-01 | 2003-08-07 | Kroftt-Brakston International, Inc. | Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt |
| US7435282B2 (en) | 1994-08-01 | 2008-10-14 | International Titanium Powder, Llc | Elemental material and alloy |
| US7445658B2 (en) | 1994-08-01 | 2008-11-04 | Uchicago Argonne, Llc | Titanium and titanium alloys |
| US20030061907A1 (en) * | 1994-08-01 | 2003-04-03 | Kroftt-Brakston International, Inc. | Gel of elemental material or alloy and liquid metal and salt |
| JPH0897096A (ja) * | 1994-09-28 | 1996-04-12 | Sutaruku Buitetsuku Kk | タンタル粉末及びそれを用いた電解コンデンサ |
| US6165623A (en) † | 1996-11-07 | 2000-12-26 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US5869196A (en) * | 1996-12-20 | 1999-02-09 | Composite Material Technology, Inc. | Constrained filament electrolytic anode and process of fabrication |
| US5825611A (en) * | 1997-01-29 | 1998-10-20 | Vishay Sprague, Inc. | Doped sintered tantalum pellets with nitrogen in a capacitor |
| CN1088761C (zh) | 1997-02-19 | 2002-08-07 | H.C.施塔克公司 | 钽粉及其制造方法和由其制成的烧结阳极 |
| JP3254163B2 (ja) | 1997-02-28 | 2002-02-04 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ |
| US6051044A (en) * | 1998-05-04 | 2000-04-18 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| EP1144147B8 (en) * | 1998-05-06 | 2012-04-04 | H.C. Starck GmbH | METHOD FOR PRODUCING METAL POWDERS BY REDUCTION OF THE OXIDES, Nb AND Nb-Ta POWDERS AND CAPACITOR ANODE OBTAINED THEREWITH |
| JP3196832B2 (ja) | 1998-05-15 | 2001-08-06 | 日本電気株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| US6576038B1 (en) * | 1998-05-22 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Method to agglomerate metal particles and metal particles having improved properties |
| DE69938056T2 (de) * | 1998-08-05 | 2009-01-15 | Showa Denko K.K. | Niob-sinter für kondensator und verfahren zu seiner herstellung |
| US6322912B1 (en) * | 1998-09-16 | 2001-11-27 | Cabot Corporation | Electrolytic capacitor anode of valve metal oxide |
| US6416730B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-07-09 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides |
| US6462934B2 (en) | 1998-09-16 | 2002-10-08 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| US6391275B1 (en) | 1998-09-16 | 2002-05-21 | Cabot Corporation | Methods to partially reduce a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
| CA2360789C (en) | 1998-12-15 | 2008-03-18 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium capacitor and method of manufacture thereof |
| US6515846B1 (en) * | 1999-02-08 | 2003-02-04 | H.C. Starck, Inc. | Capacitor substrates made of refractory metal nitrides |
| TW460883B (en) * | 1999-02-16 | 2001-10-21 | Showa Denko Kk | Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor |
| AU2571200A (en) * | 1999-02-16 | 2000-09-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body,and method for manufacturing the capacitor |
| WO2000056486A1 (en) | 1999-03-19 | 2000-09-28 | Cabot Corporation | Making niobium and other metal powders by milling |
| US6558447B1 (en) * | 1999-05-05 | 2003-05-06 | H.C. Starck, Inc. | Metal powders produced by the reduction of the oxides with gaseous magnesium |
| US6375704B1 (en) | 1999-05-12 | 2002-04-23 | Cabot Corporation | High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes |
| TW479262B (en) | 1999-06-09 | 2002-03-11 | Showa Denko Kk | Electrode material for capacitor and capacitor using the same |
| US6960237B2 (en) | 1999-07-15 | 2005-11-01 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using the same |
| US6600646B1 (en) * | 1999-08-11 | 2003-07-29 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder, sintered body thereof and capacitor using same |
| US6660057B1 (en) | 1999-10-01 | 2003-12-09 | Showa Denko K.K. | Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body |
| JP3585791B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2004-11-04 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | 固体電解コンデンサ用陽極体の製造方法及びその製造方法に用いられる連続焼結装置 |
| US6423110B1 (en) | 1999-12-08 | 2002-07-23 | Showa Denko K.K. | Powder composition for capacitor and sintered body using the composition, and capacitor using the sintered body |
| US6432161B1 (en) * | 2000-02-08 | 2002-08-13 | Cabot Supermetals K.K. | Nitrogen-containing metal powder, production process thereof, and porous sintered body and solid electrolytic capacitor using the metal powder |
| JP4049964B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2008-02-20 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 窒素含有金属粉末およびその製造方法ならびにそれを用いた多孔質焼結体および固体電解コンデンサー |
| BR0108905A (pt) | 2000-03-01 | 2003-03-18 | Cabot Corp | Metais nitrificados para válvula e processos para fabricação dos mesmos |
| US6576099B2 (en) | 2000-03-23 | 2003-06-10 | Cabot Corporation | Oxygen reduced niobium oxides |
| US6540810B2 (en) | 2000-04-21 | 2003-04-01 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Niobium powder for capacitor, sintered body using the powder and capacitor using the same |
| WO2001081029A1 (fr) * | 2000-04-24 | 2001-11-01 | Showa Denko K.K. | Niobium en poudre, briquette frittee a base de niobium en poudre et condensateur |
| DE10030387A1 (de) * | 2000-06-21 | 2002-01-03 | Starck H C Gmbh Co Kg | Kondensatorpulver |
| US6652619B2 (en) * | 2000-08-10 | 2003-11-25 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same |
| EP2221840B1 (en) † | 2000-08-10 | 2013-10-09 | Showa Denko K.K. | Niobium powder, sintered body and capacitor using the body |
| JP2002093666A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-03-29 | Showa Denko Kk | ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ |
| US6554884B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-04-29 | H.C. Starck, Inc. | Tantalum and tantalum nitride powder mixtures for electrolytic capacitors substrates |
| JP2004513514A (ja) | 2000-11-06 | 2004-04-30 | キャボット コーポレイション | 酸素を低減した改質バルブ金属酸化物 |
| US6447570B1 (en) * | 2000-11-30 | 2002-09-10 | Vishay Sprague, Inc. | Sintered Tantalum and Niobium capacitor pellets doped with Nitrogen, and method of making the same |
| KR100812687B1 (ko) * | 2000-11-30 | 2008-03-13 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터 |
| AU2002218511A1 (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-11 | Showa Denko K K | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body |
| JP4521849B2 (ja) * | 2000-12-01 | 2010-08-11 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ用ニオブ粉と該ニオブ粉を用いた焼結体および該焼結体を用いたコンデンサ |
| JP4187953B2 (ja) | 2001-08-15 | 2008-11-26 | キャボットスーパーメタル株式会社 | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
| US7621977B2 (en) | 2001-10-09 | 2009-11-24 | Cristal Us, Inc. | System and method of producing metals and alloys |
| JP3965300B2 (ja) * | 2002-01-18 | 2007-08-29 | Ｎｅｃトーキン株式会社 | Ｎｂ固体電解コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2004076063A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ |
| CA2497999A1 (en) | 2002-09-07 | 2004-03-18 | International Titanium Powder, Llc. | Process for separating ti from a ti slurry |
| US7655214B2 (en) * | 2003-02-26 | 2010-02-02 | Cabot Corporation | Phase formation of oxygen reduced valve metal oxides and granulation methods |
| US7445679B2 (en) * | 2003-05-16 | 2008-11-04 | Cabot Corporation | Controlled oxygen addition for metal material |
| CN101676217A (zh) | 2003-05-19 | 2010-03-24 | 卡伯特公司 | 生产铌金属氧化物的方法和氧还原的铌氧化物 |
| CN101579743B (zh) * | 2003-06-10 | 2014-11-26 | 卡伯特公司 | 钽粉及其制造方法 |
| US7811355B2 (en) * | 2003-11-10 | 2010-10-12 | Showa Denko K.K. | Niobium powder for capacitor, niobium sintered body and capacitor |
| US7803235B2 (en) * | 2004-01-08 | 2010-09-28 | Cabot Corporation | Passivation of tantalum and other metal powders using oxygen |
| DE102004002109A1 (de) * | 2004-01-14 | 2005-08-11 | Deutsche Telekom Ag | Behandlung von Kristallen zur Vermeidung lichtinduzierter Änderungen des Brechungsindex |
| CN101010160A (zh) * | 2004-06-28 | 2007-08-01 | 卡伯特公司 | 高电容钽片及其制备方法 |
| US20080011124A1 (en) * | 2004-09-08 | 2008-01-17 | H.C. Starck Gmbh & Co. Kg | Deoxidation of Valve Metal Powders |
| US7431751B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-10-07 | H.C. Starck Inc. | Magnesium removal from magnesium reduced metal powders |
| US7099143B1 (en) | 2005-05-24 | 2006-08-29 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitors |
| US20070017319A1 (en) | 2005-07-21 | 2007-01-25 | International Titanium Powder, Llc. | Titanium alloy |
| CA2623544A1 (en) | 2005-10-06 | 2007-04-19 | International Titanium Powder, Llc | Titanium or titanium alloy with titanium boride dispersion |
| US8257463B2 (en) * | 2006-01-23 | 2012-09-04 | Avx Corporation | Capacitor anode formed from flake powder |
| US7511943B2 (en) | 2006-03-09 | 2009-03-31 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a cathode coating |
| US7480130B2 (en) | 2006-03-09 | 2009-01-20 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor |
| GB2450669B (en) | 2006-05-05 | 2012-03-21 | Cabot Corp | Tantalam powder and methods of manufacturing same |
| GB0622463D0 (en) * | 2006-11-10 | 2006-12-20 | Avx Ltd | Powder modification in the manufacture of solid state capacitor anodes |
| US7753989B2 (en) | 2006-12-22 | 2010-07-13 | Cristal Us, Inc. | Direct passivation of metal powder |
| US7460356B2 (en) | 2007-03-20 | 2008-12-02 | Avx Corporation | Neutral electrolyte for a wet electrolytic capacitor |
| US7554792B2 (en) | 2007-03-20 | 2009-06-30 | Avx Corporation | Cathode coating for a wet electrolytic capacitor |
| US7649730B2 (en) | 2007-03-20 | 2010-01-19 | Avx Corporation | Wet electrolytic capacitor containing a plurality of thin powder-formed anodes |
| US9127333B2 (en) | 2007-04-25 | 2015-09-08 | Lance Jacobsen | Liquid injection of VCL4 into superheated TiCL4 for the production of Ti-V alloy powder |
| US7837743B2 (en) * | 2007-09-24 | 2010-11-23 | Medtronic, Inc. | Tantalum anodes for high voltage capacitors employed by implantable medical devices and fabrication thereof |
| WO2009052007A1 (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Hi-Temp Specialty Metals, Inc. | Method for the production of tantalum powder using reclaimed scrap as source material |
| BRPI0802018B1 (pt) | 2008-04-30 | 2019-01-29 | Univ Minas Gerais | processo de síntese de nanotubos de carbono sobre o clínquer de cimento e compósito nanoestruturado |
| DE102008026304A1 (de) * | 2008-06-02 | 2009-12-03 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit niedrigem Leckstrom |
| US20100085685A1 (en) * | 2008-10-06 | 2010-04-08 | Avx Corporation | Capacitor Anode Formed From a Powder Containing Coarse Agglomerates and Fine Agglomerates |
| US8430944B2 (en) * | 2008-12-22 | 2013-04-30 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Fine particle recovery methods for valve metal powders |
| JP2009275289A (ja) * | 2009-07-10 | 2009-11-26 | Cabot Supermetal Kk | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
| US8619410B2 (en) * | 2010-06-23 | 2013-12-31 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor for use in high voltage applications |
| RU2446499C1 (ru) * | 2010-11-01 | 2012-03-27 | Открытое акционерное общество "Элеконд" (ОАО "Элеконд") | Способ изготовления анодов объемно-пористых электролитических конденсаторов |
| US8687347B2 (en) | 2011-01-12 | 2014-04-01 | Avx Corporation | Planar anode for use in a wet electrolytic capacitor |
| DE102013101443A1 (de) * | 2012-03-01 | 2013-09-05 | Avx Corporation | Ultrahigh voltage solid electrolytic capacitor |
| CN102773478A (zh) * | 2012-07-10 | 2012-11-14 | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司 | 一种提高钽块机械强度的烧结方法 |
| US9548163B2 (en) | 2012-07-19 | 2017-01-17 | Avx Corporation | Solid electrolytic capacitor with improved performance at high voltages |
| JP2013136841A (ja) * | 2013-01-30 | 2013-07-11 | Cabot Supermetal Kk | 窒素含有金属粉末の製造方法 |
| US9633796B2 (en) | 2013-09-06 | 2017-04-25 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| USRE48439E1 (en) | 2013-09-06 | 2021-02-16 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| US9312075B1 (en) * | 2013-09-06 | 2016-04-12 | Greatbatch Ltd. | High voltage tantalum anode and method of manufacture |
| HUE062413T2 (hu) | 2013-12-20 | 2023-10-28 | Fisher & Paykel Healthcare Ltd | Párásító rendszer csatlakozásai |
| WO2015093154A1 (ja) * | 2013-12-20 | 2015-06-25 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体、及び電解コンデンサ |
| MX2019000450A (es) * | 2016-07-13 | 2019-09-23 | Ningxia Orient Tantalum Ind Co Ltd | Polvo de tantalio escamoso y metodo de preparacion del mismo. |
| EP3895832B1 (en) | 2016-08-12 | 2022-12-28 | COMPOSITE MATERIALS TECHNOLOGY, Inc. | Electrolytic capacitor and method for improved electrolytic capacitor anodes |
| WO2018045339A1 (en) | 2016-09-01 | 2018-03-08 | Composite Materials Technology, Inc. | Nano-scale/nanostructured si coating on valve metal substrate for lib anodes |
| US20180144874A1 (en) | 2016-10-21 | 2018-05-24 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Tantalum Powder, Anode, And Capacitor Including Same, And Manufacturing Methods Thereof |
| CN111819016A (zh) | 2018-03-05 | 2020-10-23 | 全球先进金属美国股份有限公司 | 球形钽粉末、含其的产品以及其制造方法 |
| KR102389784B1 (ko) | 2018-03-05 | 2022-04-22 | 글로벌 어드밴스드 메탈스 유에스에이, 아이엔씨. | 구형 분말을 함유하는 애노드 및 커패시터 |
| EP3870382A1 (en) | 2018-12-12 | 2021-09-01 | Global Advanced Metals USA, Inc. | Spherical niobium alloy powder, products containing the same, and methods of making the same |
| CN110760884A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-02-07 | 南通冠达粉末冶金有限公司 | 一种粉末冶金辅助材料的制备工艺 |
| US11450486B2 (en) * | 2020-04-03 | 2022-09-20 | Greatbatch Ltd. | Electrolytic capacitor having a tantalum anode |
| US12119186B2 (en) | 2020-04-03 | 2024-10-15 | Greatbatch Ltd. | Electrolytic capacitor having an anode formed from a tantalum powder with a relatively low specific charge |
| RU2740582C1 (ru) * | 2020-07-21 | 2021-01-15 | федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет" | Способ изготовления анодов танталового конденсатора |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3427132A (en) * | 1967-04-12 | 1969-02-11 | Nat Res Corp | Tantalum nitride powder and method for its preparation |
| FR2218633B1 (cs) * | 1973-02-19 | 1977-07-22 | Lignes Telegraph Telephon | |
| US3825802A (en) * | 1973-03-12 | 1974-07-23 | Western Electric Co | Solid capacitor |
| DE2610224C2 (de) * | 1976-03-11 | 1983-01-05 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung von porösen Anodenkörpern durch Pressen und Sintern von Pulvern aus Ventilmetallen |
| JPS5349254A (en) * | 1976-10-15 | 1978-05-04 | Fujitsu Ltd | Method of manufacturing tantalum nitride electrolytic capacitor |
| DE3130392C2 (de) * | 1981-07-31 | 1985-10-17 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur Herstellung reiner agglomerierter Ventilmetallpulver für Elektrolytkondensatoren, deren Verwendung und Verfahren zur Herstellung von Sinteranoden |
| US4423004A (en) * | 1983-03-24 | 1983-12-27 | Sprague Electric Company | Treatment of tantalum powder |
| US4544403A (en) * | 1984-11-30 | 1985-10-01 | Fansteel Inc. | High charge, low leakage tantalum powders |
| JPS6386509A (ja) * | 1986-09-30 | 1988-04-16 | 松下電器産業株式会社 | タンタル多孔質焼結体 |
-
1993
- 1993-04-26 US US08/052,876 patent/US5448447A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-04-15 UA UA94129225A patent/UA41325C2/uk unknown
- 1994-04-15 SG SG1996007012A patent/SG52629A1/en unknown
- 1994-04-15 CN CN94190233A patent/CN1046878C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-15 KR KR1019940704722A patent/KR100293304B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1994-04-15 CN CNB991051386A patent/CN1143333C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-15 CZ CZ19943159A patent/CZ292006B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-04-15 WO PCT/US1994/004207 patent/WO1994025971A1/en active IP Right Grant
- 1994-04-15 RU RU94046324/09A patent/RU2154871C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1994-04-15 AU AU67061/94A patent/AU6706194A/en not_active Abandoned
- 1994-04-15 JP JP52434394A patent/JP3174341B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-04-15 EP EP94914812A patent/EP0647349B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-15 AT AT94914812T patent/ATE146299T1/de not_active IP Right Cessation
- 1994-04-15 DE DE69401112T patent/DE69401112T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1994-04-15 CZ CZ19993897A patent/CZ293364B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1994-04-21 TW TW083103559A patent/TW439076B/zh not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-05-08 HK HK59697A patent/HK59697A/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK59697A (en) | 1997-05-16 |
| CN1108036A (zh) | 1995-09-06 |
| DE69401112D1 (de) | 1997-01-23 |
| UA41325C2 (uk) | 2001-09-17 |
| CZ315994A3 (en) | 1995-12-13 |
| RU2154871C2 (ru) | 2000-08-20 |
| CN1143333C (zh) | 2004-03-24 |
| ATE146299T1 (de) | 1996-12-15 |
| EP0647349B1 (en) | 1996-12-11 |
| US5448447A (en) | 1995-09-05 |
| CN1046878C (zh) | 1999-12-01 |
| SG52629A1 (en) | 1998-09-28 |
| AU6706194A (en) | 1994-11-21 |
| RU94046324A (ru) | 1996-10-27 |
| CZ292006B6 (cs) | 2003-07-16 |
| TW439076B (en) | 2001-06-07 |
| KR100293304B1 (ko) | 2001-10-24 |
| CN1236177A (zh) | 1999-11-24 |
| JP3174341B2 (ja) | 2001-06-11 |
| JPH07508618A (ja) | 1995-09-21 |
| EP0647349A1 (en) | 1995-04-12 |
| WO1994025971A1 (en) | 1994-11-10 |
| DE69401112T2 (de) | 1997-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CZ293364B6 (cs) | Kondenzátor s nízkými elektrickými svody a způsob jeho výroby | |
| KR100850386B1 (ko) | 전해 커패시터 기판용의 탄탈과 질화탄탈 분말의 혼합물 및 상기 분말 혼합물을 이용한 캐패시터, 및 그의 제조방법 | |
| KR100915729B1 (ko) | 커패시터 분말 | |
| US5234491A (en) | Method of producing high surface area, low metal impurity | |
| CZ300132B6 (cs) | Zpusob výroby tantalových a/nebo niobových práškus velkým specifickým povrchem | |
| AU2010212675B2 (en) | A method for producing metal powders | |
| CZ20004099A3 (en) | Nitrided niobium powder and niobium electrolytic capacitor | |
| US4356028A (en) | In situ phosphorus addition to tantalum | |
| EP0528974B1 (en) | Method of producing high surface area low metal impurity tantalum powder | |
| EP1275124B1 (en) | Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body | |
| AU2005281918A1 (en) | Deoxidisation of valve metal powders | |
| EP1281460B1 (en) | Niobium powder, sintered compact thereof and capacitor | |
| US7323017B2 (en) | Nitrided valve metal material and method of making same | |
| EP2866237A1 (en) | Capacitor element | |
| EP1529583A1 (en) | Niobium powder, anode for solid electrolytic capacitor and solid electrolytic capacitor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MK4A | Patent expired |
Effective date: 20140415 |