JP2004076063A - ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ - Google Patents

ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ Download PDF

Info

Publication number
JP2004076063A
JP2004076063A JP2002235820A JP2002235820A JP2004076063A JP 2004076063 A JP2004076063 A JP 2004076063A JP 2002235820 A JP2002235820 A JP 2002235820A JP 2002235820 A JP2002235820 A JP 2002235820A JP 2004076063 A JP2004076063 A JP 2004076063A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mass
alloy powder
niobium
solid electrolytic
electrolytic capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002235820A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Kirihara
桐原 理
Nobuyuki Sato
佐藤 信之
Osamu Ebato
江波戸 修
Kan Saito
斉藤 敢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JFE Mineral Co Ltd
Original Assignee
Kawatetsu Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kawatetsu Mining Co Ltd filed Critical Kawatetsu Mining Co Ltd
Priority to JP2002235820A priority Critical patent/JP2004076063A/ja
Priority to KR1020057002405A priority patent/KR20050036967A/ko
Priority to PCT/JP2003/010126 priority patent/WO2004016374A1/ja
Priority to US10/523,448 priority patent/US7054142B2/en
Priority to EP03788057A priority patent/EP1547706A4/en
Priority to CNA038188422A priority patent/CN1675013A/zh
Priority to TW092122085A priority patent/TW592850B/zh
Publication of JP2004076063A publication Critical patent/JP2004076063A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C1/00Making non-ferrous alloys
    • C22C1/04Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
    • C22C1/045Alloys based on refractory metals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/20Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
    • B22F9/22Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds using gaseous reductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C27/00Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
    • C22C27/02Alloys based on vanadium, niobium, or tantalum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/042Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by the material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004Details
    • H01G9/04Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H01G9/052Sintered electrodes
    • H01G9/0525Powder therefor

Abstract

【課題】焼結挙動の温度依存性を改善しつつ、酸化皮膜の熟安定性を高め、漏れ電流が少なくかつ高容量の固体電解コンデンサを作るためのニオブ合金粉末を提供する。
【解決手段】ニオブ合金粉末は、それぞれ0.002〜20質量%のモリブデン、クロム、タングステン、0.002〜5質量%のリン、ホウ素のうちいずれか一種以上を含有し、さらに水素:0.005〜0.10質量%を含有し、残部が実質的にニオブからなり、粉体の比表面積が1〜20m/g、累積細孔容積が0.2ml/g以上、累積細孔容積の全体に対する1μm以下の直径を有する細孔の容積の累積が10%以上、10μm以下の直径を有する細孔の容積が40%以上とする。
【選択図】    図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニオブ合金粉末、そのニオブ合金粉末を用いて形成した固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサに関するもあである。
【0002】
【従来の技術】
従来、電解コンデンサにはタンタル粉末が用いられてきたが、生産量が少なく、価格が安定しないなどの問題を持っていた。近年、埋蔵量も多く安価なニオブを電解コンデンサの陽極に用いようとする動きが加速している。
【0003】
静電容量の大きい電解コンデンサを製造するためにニオブ粉末の粒子径を小さくすると、ニオブ焼結体を製造するとき焼結挙動が変化する。具体的には焼結時の収縮の温度依存性が大きくなると共に、焼結体内の空孔が小さくなってしまう。このことによって、コンデンサを製造する場合に焼成炉の温度分布による製品の静電容量の偏差を生ずるとともに、陰極に用いる導電性樹脂等の充填が困難となる。従って、一次粒子径が小さく、かつ、焼結挙動の温度依存性が小さいニオブ粉末が必要となる。さらにニオブ粉末を用いたコンデンサは、タンタル粉末を用いたコンデンサに比べ、漏れ電流が大きく、かつ、高温下での特性劣化が大きいと言う問題がある。
【0004】
タンタル粉末に窒素、珪素、リン、ホウ素等を添加した焼結フィルム形成金属エレクトロードからなる固体電解コンデンサがある。(例えば、特許文献1参照。)また、タンタル粉末にリン、イオウ、珪素、ホウ素、窒素等を添加して焼結速度を抑える技術がある(例えば、特許文献2参照。)。
【0005】
これらの技術では、対象としている粒子は比較的大きく、高静電容量を目指した粒子径の小さいニオブ粉末に対しては、これらの技術をそのまま適用することはできない。
【0006】
【特許文献1】
米国特許3825802号公報(コラム2、13行〜19行)
【0007】
【特許文献2】
米国特許4544403号公報(コラム2、51行〜61行)
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、ニオブコンデンサにおける上記問題を解決し、焼結挙動の温度依存性を改善しつつ、酸化皮膜の熱安定性を高め、漏れ電流が少なくかつ高静電容量のコンデンサを作るためのニオブ合金粉末を提供する。またこのニオブ合金粉末を用いた固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサを提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明は、
モリブデン:0.002〜20質量%
クロム:0.002〜20質量%
タングステン:0.002〜20質量%
リン:0.002〜5質量%
ホウ素:0.002〜5質量%
のいずれか一種以上を含有し、さらに
水素:0.005〜0.10質量%
を含有し、残部が実質的にニオブからなり、粉体の比表面積が1〜20m/gであり、水銀圧入法による測定で、0.2ml/g以上の累積細孔容積を有し、累積細孔容積の全体に対して1μm以下の直径を有する細孔の容積の累積が10%以上、10μm以下の直径を有する細孔の容積が40%以上を占めていることを特徴とするニオブ合金粉末である。
【0010】
本発明では、モリブデン、クロム、タングステンを0.002〜20質量%、リン、ホウ素を0.002〜5質量%のいずれか一種以上を含有し、さらに水素:0.005〜0.10質量%を含有させることによって、焼結時の温度依存性が改善され、固体電解コンデンサ製造に適したニオブ合金粉末となる。また、これらの元素を添加したニオブ合金粉末では漏れ電流の値が低下する効果が得られる。モリブデン、クロム、タングステン、リン、ホウ素の各成分の範囲は、上記下限を外れると焼結時の温度依存性を抑制する効果が得られず、上記上限を超えると漏れ電流が増加しコンデンサの性能が劣化するので、上記のように規定した。また水素を適量に制御したニオブ合金粉末は、プレス成形性が改善され、プレス後の二次粒子の境界が見えなくなり、成型体エッジの欠けが発生しなくなる。よって、水素を添加しないニオブ合金粉末に比べ成形性を改善することができ、好適である。
【0011】
粉体の比表面積は、1〜20m/gが好ましく、1m/g未満では静電容量が小さなコンデンサしか製造できず、20m/gを超えると一次粒子が細かくなりすぎ、コンデンサとして用いる場合の耐圧が確保できない。このため実用的なコンデンサとはならないので限定される。また、細孔容積が0.2ml/gであったり、累積細孔容積の全体に対して1μm以下の細孔容積の累積が10%未満であったり、10μm以下の細孔容積が40%未満の場合には、焼結が進みやすくなり、表面積が小さくなる、すなわちコンデンサの静電容量が小さくなるという問題があり、さらに、焼結が進むことにより、細孔がさらに小さくなりコンデンサの陰極形成時に導電性樹脂等を充填することができなくなるという問題が生じる。なお細孔容積の測定は水銀圧入法を用いる。
【0012】
上記ニオブ合金粉末において、さらに、窒素:0.005〜1質量%を含有させると、化成処理で生成したニオブ酸化物中の酸素の移動を妨げることで、長期安定性、耐熱性が向上するので好適である。
【0013】
また、上記ニオブ合金粉末は、凝集した二次粒子の平均粒子径が10〜200μmであると、微細粒子であっても成形性を維持することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下本発明の実施の形態を説明する。
【0015】
本発明のニオブ合金粉末の製造はCVD装置等で行うことができる。原料としてクロム、モリブデン、タングステン、リン、ホウ素の各々の化合物等を適宜塩化ニオブ中に混合し、水素ガスを用いて還元することにより、ニオブ合金粉末を製造した。
【0016】
粒子径及び空孔径はCVD装置で反応させるときの原料の滞留時間、温度等やその後の熱処理条件をコントロールすることで適当な径に制御することができる。粉体の比表面積は、1〜20m/gが好ましく、1m/g未満では容量が小さなコンデンサしか製造できず、20m/gを超えると一次粒子が細かくなりすぎコンデンサとして用いる場合の耐圧が確保できないため1〜20m/gとする。また、累積細孔容積が0.2ml/g以上、累積細孔容積の全体に対して1μm以下の直径を有する細孔の容積の累計が10%以上、10μm以下の直径を有する細孔容積が40%以上になるようにする。こうすることによって、焼結が進みやくなり表面積が小さくなってコンデンサの静電容量が小さくなる問題や、コンデンサの陰極形成時に導電性樹脂等が充填できなくなる問題を防止することができる。なお細孔容積の測定は水銀圧入法を用いる。モリブデン、タングステン、クロム、リン、ホウ素の分析は、フッ化水素酸および硝酸または硫酸を加え、水浴上で加熱分解しICP分析装置で分析を行う。
【0017】
【実施例】
以下に実施例をあげて本発明の具体例を説明する。
【0018】
ニオブ原料として五塩化ニオブを使用し、水素還元によってニオブ合金粉末を作成した。その際に、ニオブ原料中にモリブデン、タングステン等の塩化物を添加し、成分を変化させた。このニオブ合金粉末を用いてペレットを作成し、以下の方法で固体電解コンデンサを製作し、静電容量、漏れ電流を測定した。
【0019】
0.1gのニオブ合金粉末に陽極に用いるφ0.3μmのニオブ線材を埋め込み、嵩密度3000kg/mにプレス成型してペレット作成した。作成したペレットは、炉内圧1×10−3Paの雰囲気中で、1100〜1400℃で焼成した。そのペレットを0.8質量%のリン酸水溶液に浸漬させ、20Vの電圧を4時間印加し、化成皮膜を生成させた。その後40質量%の硫酸溶液中でニオブコンデンサの静電容量及び漏れ電流の測定を行った。漏れ電流は、14V印加時の5分後の値、静電容量は1.5Vのバイアスをかけた状態での120Hzの値を測定し、CV値で評価した。表1にこれらの結果をまとめて示した。
【0020】
さらに上記のようにして化成処理を行ったサンプルE―1〜E−5、C―1〜C−5に他方の電極材料としてポリピロールを焼結体内部に充填し、さらにカーボンペースト銀ペーストを積層した後、リードフレームに搭載後エポキシ樹脂で封入しコンデンサを作成した。このコンデンサの静電容量も1.5Vのバイアスをかけた状態での120Hzの値を測定した。図1に実施例及び比較例の静電容量(μF)の測定値の分布を示した。図中E1〜E5は実施例、C1〜C5は比較例である。
【0021】
【表1】
Figure 2004076063
【0022】
ペレットの焼成前後の形状変化より計算したシュリンゲージ(収縮)は、空孔径を制御することにより改善された。さらに、モリブデン、タングステン、クロム、リン、ホウ素含有量が所定の範囲内では、シュリンケージの温度依存性が小さくなり、静電容量が大きく、かつ、漏れ電流が改善された。それ以上添加した領域では漏れ電流の値が悪くなった。またこれらのペレットを用いて製作したコンデンサの静電容量を調べると、本発明の範囲を外れたサンプルでは、静電容量が不十分なものの発生確率が50%であった。これはペレット焼成時の収縮により空孔が融着するかまたは小さくなり、ポリピロールの充填がうまく行えなかったためと考えられる。
【0023】
【発明の効果】
本発明によれば、固体電解コンデンサに用いるニオブ合金粉末の比表面積と細孔分布を一定範囲内に調整すること、及び特定の成分を加えることにより、固体電解コンデンサを焼結する時の温度依存性を低減することができると共に、コンデンサの漏れ電流を低減することができる。従って、このようなニオブ合金粉末を用いて、高静電容量を有し漏れ電流の小さい固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサを製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例及び比較例の静電容量の測定値の分布を示すグラフである。

Claims (5)

  1. モリブデン:0.002〜20質量%
    クロム:0.002〜20質量%
    タングステン:0.002〜20質量%
    リン:0.002〜5質量%
    ホウ素:0.002〜5質量%
    のいずれか一種以上を含有し、さらに
    水素:0.005〜0.10質量%
    を含有し、残部が実質的にニオブからなり、粉体の比表面積が1〜20m/gであり、水銀圧入法による測定で、0.2ml/g以上の累積細孔容積を有し、累積細孔容積の全体に対して1μm以下の直径を有する細孔の容積の累積が10%以上、10μm以下の直径を有する細孔の容積が40%以上を占めていることを特徴とするニオブ合金粉末。
  2. さらに、
    窒素:0.005〜1質量%
    を含有することを特徴とする請求項1記載のニオブ合金粉末。
  3. 凝集した二次粒子の平均粒子径が10〜200μmであることを特徴とする請求項1又は2記載のニオブ合金粉末。
  4. 請求項1〜3の何れかに記載のニオブ合金粉末を原料とする焼結体であることを特徴とする固体電解コンデンサ用アノード。
  5. 請求項1〜3の何れかに記載のニオブ合金粉末を原料とする焼結体をコンデンサ内部にアノードとして形成してなることを特徴とする固体電解コンデンサ。
JP2002235820A 2002-08-13 2002-08-13 ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ Pending JP2004076063A (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002235820A JP2004076063A (ja) 2002-08-13 2002-08-13 ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
KR1020057002405A KR20050036967A (ko) 2002-08-13 2003-08-08 니오븀합금분말, 고체전해콘덴서용 아노드 및 고체전해콘덴서
PCT/JP2003/010126 WO2004016374A1 (ja) 2002-08-13 2003-08-08 ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
US10/523,448 US7054142B2 (en) 2002-08-13 2003-08-08 Niobium alloy powder, anode for solid electrolytic capacitor and solid electrolytic capacitor
EP03788057A EP1547706A4 (en) 2002-08-13 2003-08-08 NIOBIUM ALLOY POWDER, ANODE FOR SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR AND SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR
CNA038188422A CN1675013A (zh) 2002-08-13 2003-08-08 铌合金粉末、固体电解电容器用阳极以及固体电解电容器
TW092122085A TW592850B (en) 2002-08-13 2003-08-12 Niobium alloy powder, anode for solid electrolytic capacitors made therefrom and solid electrolytic capacitor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002235820A JP2004076063A (ja) 2002-08-13 2002-08-13 ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2004076063A true JP2004076063A (ja) 2004-03-11

Family

ID=31884389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002235820A Pending JP2004076063A (ja) 2002-08-13 2002-08-13 ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7054142B2 (ja)
EP (1) EP1547706A4 (ja)
JP (1) JP2004076063A (ja)
KR (1) KR20050036967A (ja)
CN (1) CN1675013A (ja)
TW (1) TW592850B (ja)
WO (1) WO2004016374A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190887A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 昭和電工株式会社 タングステンコンデンサの陽極体及びその製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007046899B3 (de) * 2007-09-28 2009-02-12 W.C. Heraeus Gmbh Stromdurchführung durch Keramikbrenner in Halogen-Metalldampflampen
EP2770517A4 (en) * 2011-10-18 2015-09-30 Showa Denko Kk METHOD FOR MANUFACTURING ANODE OF A CAPACITOR
JP5752270B2 (ja) * 2011-12-19 2015-07-22 昭和電工株式会社 タングステンコンデンサの陽極及びその製造方法
US9546837B1 (en) 2015-10-09 2017-01-17 Bh5773 Ltd Advanced gun barrel

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3825802A (en) 1973-03-12 1974-07-23 Western Electric Co Solid capacitor
US4544403A (en) 1984-11-30 1985-10-01 Fansteel Inc. High charge, low leakage tantalum powders
JP2944211B2 (ja) 1990-06-06 1999-08-30 キャボット コーポレイション タンタルまたはニオブ基合金
US5448447A (en) * 1993-04-26 1995-09-05 Cabot Corporation Process for making an improved tantalum powder and high capacitance low leakage electrode made therefrom
US6416730B1 (en) * 1998-09-16 2002-07-09 Cabot Corporation Methods to partially reduce a niobium metal oxide oxygen reduced niobium oxides
US6375704B1 (en) * 1999-05-12 2002-04-23 Cabot Corporation High capacitance niobium powders and electrolytic capacitor anodes
AU2001239946B2 (en) * 2000-03-01 2004-12-16 Cabot Corporation Nitrided valve metals and processes for making the same
JP3718412B2 (ja) 2000-06-01 2005-11-24 キャボットスーパーメタル株式会社 ニオブまたはタンタル粉末およびその製造方法
EP2221839B2 (en) * 2000-08-10 2017-05-24 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body and capacitor using the body
US6652619B2 (en) * 2000-08-10 2003-11-25 Showa Denko K.K. Niobium powder, sintered body thereof, and capacitor using the same
JP2002134367A (ja) 2000-10-24 2002-05-10 Dainippon Ink & Chem Inc タンタル金属粉の多孔質成形体、タンタル電解コンデンサ用陽極素子及びこれを用いたタンタル電解コンデンサ、並びにタンタル電解コンデンサ用陽極素子の製造方法。

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013190887A1 (ja) * 2012-06-22 2013-12-27 昭和電工株式会社 タングステンコンデンサの陽極体及びその製造方法
JP5613863B2 (ja) * 2012-06-22 2014-10-29 昭和電工株式会社 タングステンコンデンサの陽極体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004016374A1 (ja) 2004-02-26
KR20050036967A (ko) 2005-04-20
US20050280977A1 (en) 2005-12-22
US7054142B2 (en) 2006-05-30
EP1547706A4 (en) 2007-04-18
EP1547706A1 (en) 2005-06-29
TW592850B (en) 2004-06-21
CN1675013A (zh) 2005-09-28
TW200406271A (en) 2004-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
AU2010219327C1 (en) Method for the production of valve metal powders
CN1236177A (zh) 电容器级钽粉、由其得到的电容器及其在制造电容器阳极中的应用
US6521013B1 (en) Niobium sintered body for capacitor and replace with process for producing same
JP5698882B1 (ja) コンデンサ陽極体およびその製造方法
US11393638B2 (en) Ti—Zr alloy powder and anode containing the same
JP2004076063A (ja) ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
US7208027B2 (en) Niobium powder for capacitor, sintered body thereof and capacitor using the sintered body
KR100812687B1 (ko) 커패시터용 니오브 분말, 그 소결체 및 소결체를 이용한커패시터
CN105849837B (zh) 钨电容器用阳极体
TWI266661B (en) Niobium powder and solid electrolytic capacitor
US9478360B2 (en) Tungsten capacitor anode and process for production thereof
JP2003342603A (ja) ニオブ粉末及び固体電解コンデンサ
JP4884108B2 (ja) 電解コンデンサ
JP2004035989A (ja) ニオブ粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ
JP2001307963A (ja) コンデンサ用ニオブ粉、それを用いた焼結体及びそれを用いたコンデンサ
JP2009182020A (ja) 固体電解コンデンサ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040902

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060322

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20060711