WO2013190887A1 - タングステンコンデンサの陽極体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
従って、本発明の課題は、タングステン焼結体を陽極体とする電解コンデンサ(タングステンコンデンサ)における上記LC特性の問題を改善できる陽極体を提供することにある。
[1]リン元素を15~3000質量ppm含むタングステン焼結体からなるコンデンサの陽極体。
[2]さらに陽極体中にケイ素元素を7質量%以下含む前項1に記載の陽極体。
[3]ケイ素元素がケイ化タングステンとして含まれる前項2に記載の陽極体。
[4]陽極体中の酸素元素の含有量が8質量%以下である前項1~3のいずれかに記載の陽極体。
[5]陽極体中の窒素元素の含有量が0.5質量%以下である前項1~4のいずれかに記載の陽極体。
[6]陽極体中のホウ素元素の含有量が0.1質量%以下である前項1~5のいずれかに記載の陽極体。
[7]リン、ケイ素、ホウ素、酸素及び窒素以外の陽極体中の各種不純物元素の含有量がそれぞれ0.1質量%以下である前項1~6のいずれかに記載の陽極体。
[8]陽極体中に含まれるケイ素、窒素、ホウ素、酸素、リン、タンタル及びニオブ以外の不純物元素量が、各々1000質量ppm以下である前項1~7のいずれかに記載のコンデンサの陽極体。
[9]タングステン粉の成形体を焼結するコンデンサの陽極体の製造方法において、前記粉にリン源を混合して成形体を作製し、焼成により陽極体にリン元素を15~3000質量ppm含有させることを特徴とするリン元素を含有するコンデンサの陽極体の製造方法。
[10]前記リン源が、リン単体、リン酸、リン酸塩、及び有機リン化合物から選択される前項9に記載のコンデンサの陽極体の製造方法。
[11]前記タングステン粉が、ケイ素、窒素、酸素、及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む前項9または10に記載のコンデンサの陽極体の製造方法。
[12]前項1~8のいずれかに記載の陽極体、または前項9~11のいずれかに記載の製造方法により得られた陽極体を有するコンデンサ素子。
[13]前項12に記載のコンデンサ素子を有するコンデンサ。
陽極体に含まれるリン元素の量が15質量ppm未満であると作製したコンデンサ素子の放置特性が改善されにくい。焼結体に含まれるリン元素の量が3000質量ppmを超えると、コンデンサ素子の初期LCが小さくなりにくい。
陽極体中でのリン元素の含有量が上記の範囲内となるように、(1)及び(2)の方法の任意の時期に小分けして含有させることも可能である。(1)の方法は、リン元素の収率が良く、タングステン粉に混合したリン源量にほぼ相当するリン元素を有する陽極体が得られ、陽極体中のリン元素量を調整しやすいので好ましい。
本発明で使用するタングステン粉としては市販されているものを用いてもよい。
また、一層好ましい粒径の小さいタングステン粉は、例えば、三酸化タングステン粉を水素雰囲気下で粉砕して得ることができ、またタングステン酸及びその塩(タングステン酸アンモニウム等)やハロゲン化タングステンを水素やナトリウム等の還元剤を使用し、還元条件を適宜選択することによって得ることができる。また、タングステン含有鉱物から直接または複数の工程を得て、還元条件を選択することによっても得ることができる。
窒素元素を含有させるには、タングステン粉の場合と同様の条件で、焼結体材料または焼結体に対して行ってもよい。このように、窒素を含ませる時期に限定は無いが、好ましくは、工程の早い段階で窒素元素を含ませておくとよい。これにより、粉体を空気中で取り扱う際、必要以上の酸化を防ぐことができる。
酸素含有量を上記範囲にする方法としては、例えば、減圧高温炉を用いて前述のようにケイ素元素及び/または窒素元素含ませる操作を行なった際、減圧高温炉からの取り出し時に、酸素を含有した窒素ガスを投入する。この時、減圧高温炉からの取り出し温度が280℃未満であると窒素よりも酸素が優先して取り込まれる。徐々にガスを投入することにより所定の酸素元素含有量にすることができる。前もってタングステン粉を所定の酸素元素含有量にしておくことにより、該粉を使用して後々のコンデンサの陽極体を作製する工程中での不規則な過度の酸化劣化を緩和することができる。酸素含有量が前記範囲内であれば、作製した電解コンデンサのLC特性をより良好に保つことができる。この工程で窒素を導入しない場合には、窒素ガスの代わりにアルゴンやヘリウムガス等の不活性ガスを使用してもよい。
より良好なLC特性を得るために、陽極体中の不純物元素の含有量は、ケイ素、窒素、ホウ素、酸素、タンタル及びニオブ以外の各種元素量が各1000質量ppm以下となるように抑えることが好ましい。
このような造粒粉は、ふるいで分級して粒径を揃えることができる。体積平均粒径(以下、特に断りに無い限り「平均粒径」と言う。)が好ましくは50~200μm、より好ましくは100~200μmの範囲であれば、成形機のホッパーから金型にスムーズに流れるために好都合である。
このような造粒粉を得る場合、例えば、前記1次粒子径を調整して、造粒粉の比表面積(BET法による)が、好ましくは0.2~20m2/g、より好ましくは1.5~20m2/gになるようにすると、電解コンデンサの容量をより大きくすることができ好ましい。
本発明の実施例及び比較例において平均粒径測定及び元素分析は以下の方法を用いた。
粒径は、マイクロトラック社製HRA9320-X100を用い、粒度分布をレーザー回折散乱法で測定し、その累積体積%が、50体積%に相当する粒径値(D50;μm)を平均粒径とした。
元素量は、ICPS-8000E(島津製作所製)を用いICP発光分析で測定した。
市販の平均粒径0.6μmのタングステン粉を過硫酸アンモニウムと共に水中で撹拌酸化して粉表層に酸化層を形成した後に1規定の水酸化ナトリウム水溶液に浸漬させて酸化層を除去して得た平均粒径0.4μmのタングステン粉に表1に示したリン化合物を混合し、125℃減圧下に溶媒の水を除いた後に1450℃で30分真空加熱した。室温に取り出し塊状物をハンマーミルで解砕して平均粒径95μm(26~136μm)の造粒粉を得た。
造粒粉を精研製TAP2型成形器で成形した。0.29mmφのタンタル線を植立させ陽極リードとした。この成形体を1530℃で20分真空焼結し、大きさ1.0×1.5×4.4mm(1.0×1.5mm面にリード線が植立)の焼結体(陽極体)を各例500個得た。リード線を除いた陽極体の質量は、61±3mgであった。陽極体中のリン元素濃度を表1に併記した。
焼結体を、化成液(3質量%の過硫酸カリウム水溶液)中で、焼結体のリード線を陽極に、別途設けた電極を陰極として、50℃、13V6時間化成した。水洗、エタノール洗浄、190℃30分乾燥してリード線の一部と焼結体に誘電体層を形成した。
引き続き、半導体層上のリード線が植立している面を除いてカーボン層及び銀ペーストの固化による銀層を順次積層し、固体電解コンデンサ素子を各例128個作製した。
なお、実施例6~9と比較例5の陽極体中には、リン以外に窒素元素が40~751質量ppm(実施例6:40質量ppm、実施例7:81質量ppm、実施例8:375質量ppm、実施例9:593質量ppm、比較例5:751質量ppm)含まれていた。
実施例3でリン酸と同時にホウ酸を加えた以外は実施例3と同様にしてタングステン造粒粉を作製し、その後実施例3と同様にして固体電解コンデンサ素子を作製した。タングステン造粒粉には、リン以外にホウ素が529質量ppm含まれていた。
実施例3でハンマーミルで解砕物を室温から取り出す以前の室温への降温途中の60℃の時に、酸素濃度を2000体積ppmに調整混合したアルゴンガスを投入して塊状物を酸化させた後に室温へ降温した以外は実施例3と同様にしてタングステン造粒粉を作製し、その後実施例3と同様にして固体電解コンデンサ素子を作製した。タングステン造粒粉には、リン以外に酸素が3600質量ppm含まれていた。また、ICP発光分析により、タングステン、リン、酸素以外の不純物金属元素の濃度は、各々1000質量ppm以下であることを確認した。
実施例3でリン酸を加えて得たタングステン粉80質量部に参考例1及び参考例2のタンタル粉20質量%を良く混合してタングステンとタンタルの組成物粉を作製し、実施例1と同様にして各固体電解コンデンサ素子を作製し、放置特性を測定した。
それぞれ実施例4及び比較例1でタングステン粉の代わりにフッ化タンタル酸カリウムをナトリウム還元して得た平均粒径0.4μmのタンタル粉を使用し、仮焼温度を1240℃、焼結温度を1360℃として粉のみの陽極体質量を40±2mgとした以外はそれぞれ実施例4及び比較例1と同様にしてタンタル固体電解コンデンサ素子を各例128個作製した。
さらに、リンを混合したタングステン粉にタンタル粉を混合して造粒粉とし陽極体を作製した場合(実施例12~13)、該陽極体を使用した固体電解コンデンサ素子の放置特性は、LC値の上昇が1.1~1.2倍に抑えられることがわかる。
Claims (13)
- リン元素を15~3000質量ppm含むタングステン焼結体からなるコンデンサの陽極体。
- さらに陽極体中にケイ素元素を7質量%以下含む請求項1に記載の陽極体。
- ケイ素元素がケイ化タングステンとして含まれる請求項2に記載の陽極体。
- 陽極体中の酸素元素の含有量が8質量%以下である請求項1~3のいずれかに記載の陽極体。
- 陽極体中の窒素元素の含有量が0.5質量%以下である請求項1~4のいずれかに記載の陽極体。
- 陽極体中のホウ素元素の含有量が0.1質量%以下である請求項1~5のいずれかに記載の陽極体。
- リン、ケイ素、ホウ素、酸素及び窒素以外の陽極体中の各種不純物元素の含有量がそれぞれ0.1質量%以下である請求項1~6のいずれかに記載の陽極体。
- 陽極体中に含まれるケイ素、窒素、ホウ素、酸素、リン、タンタル及びニオブ以外の不純物元素量が、各々1000質量ppm以下である請求項1~7のいずれかに記載のコンデンサの陽極体。
- タングステン粉の成形体を焼結するコンデンサの陽極体の製造方法において、前記粉にリン源を混合して成形体を作製し、焼成により陽極体にリン元素を15~3000質量ppm含有させることを特徴とするリン元素を含有するコンデンサの陽極体の製造方法。
- 前記リン源が、リン単体、リン酸、リン酸塩、及び有機リン化合物から選択される請求項9に記載のコンデンサの陽極体の製造方法。
- 前記タングステン粉が、ケイ素、窒素、酸素、及びホウ素からなる群より選ばれる少なくとも1種の元素を含む請求項9または10に記載のコンデンサの陽極体の製造方法。
- 請求項1~8のいずれかに記載の陽極体、または請求項9~11のいずれかに記載の製造方法により得られた陽極体を有するコンデンサ素子。
- 請求項12に記載のコンデンサ素子を有するコンデンサ。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
WO2014203816A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ陽極体およびその製造方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116060A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-12 | Japan Energy Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH11256322A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Hitachi Metals Ltd | 金属シリサイドターゲット材 |
JP2004076063A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ |
JP2004349658A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサ |
WO2012086272A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
WO2013058018A1 (ja) * | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 昭和電工株式会社 | コンデンサの陽極体の製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3825802A (en) * | 1973-03-12 | 1974-07-23 | Western Electric Co | Solid capacitor |
US4009007A (en) * | 1975-07-14 | 1977-02-22 | Fansteel Inc. | Tantalum powder and method of making the same |
DE3140248C2 (de) * | 1981-10-09 | 1986-06-19 | Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verwendung von dotiertem Ventilmetallpulver für die Herstellung von Elektrolytkondensatoranoden |
JPS60149706A (ja) * | 1984-01-18 | 1985-08-07 | Showa Kiyabotsuto Suupaa Metal Kk | タンタル粉末の製造方法 |
US4957541A (en) * | 1988-11-01 | 1990-09-18 | Nrc, Inc. | Capacitor grade tantalum powder |
JP2003272959A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-26 | Sanyo Electric Co Ltd | コンデンサ |
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH116060A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-12 | Japan Energy Corp | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JPH11256322A (ja) * | 1998-03-10 | 1999-09-21 | Hitachi Metals Ltd | 金属シリサイドターゲット材 |
JP2004349658A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-12-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 電解コンデンサ |
JP2004076063A (ja) * | 2002-08-13 | 2004-03-11 | Kawatetsu Mining Co Ltd | ニオブ合金粉末、固体電解コンデンサ用アノード及び固体電解コンデンサ |
WO2012086272A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | 昭和電工株式会社 | タングステン粉、コンデンサの陽極体及び電解コンデンサ |
WO2013058018A1 (ja) * | 2011-10-18 | 2013-04-25 | 昭和電工株式会社 | コンデンサの陽極体の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014203816A1 (ja) * | 2013-06-18 | 2014-12-24 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ陽極体およびその製造方法 |
JP5698882B1 (ja) * | 2013-06-18 | 2015-04-08 | 昭和電工株式会社 | コンデンサ陽極体およびその製造方法 |
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