JP2010062580A - ニオブ粉、ニオブ焼結体、該焼結体を用いたコンデンサおよびそのコンデンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】弁作用金属であるニオブ粉中に、一酸化ニオブ結晶および一窒化二ニオブ結晶の少なくとも1種を含有するコンデンサ用ニオブ焼結体を使用し、ニオブ焼結体中の一酸化ニオブ結晶および/または一窒化二ニオブ結晶の含有量は、それぞれ0.1〜20質量%であり、誘電体を、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質またはセラミック化合物とする。
【選択図】なし
Description
1)鉄、ニッケル、コバルト、シリコン、ナトリウム、カリウムおよびマグネシウムの各々の含有量が100質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ粉。
2)鉄、ニッケル、コバルト、シリコン、ナトリウム、カリウムおよびマグネシウムの含有量の総和が350質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ粉。
3)鉄、ニッケル、コバルト、シリコン、ナトリウム、カリウムおよびマグネシウムの各々の含有量が100質量ppm以下であり、かつ鉄、ニッケル、コバルト、シリコン、ナトリウム、カリウムおよびマグネシウムの含有量の総和が350質量ppm以下であることを特徴とするコンデンサ用ニオブ粉。
4)ニオブ窒化物、ニオブ炭化物、ニオブホウ化物の少なくとも1つを含む前記1乃至3のいずれかに記載のコンデンサ用ニオブ粉。
5)前記1乃至4のいずれかに記載のニオブ粉を用いたコンデンサ用ニオブ焼結体。
6)一酸化ニオブ結晶および一窒化二ニオブ結晶の少なくとも1種を含有することを特徴とするコンデンサ用ニオブ焼結体。
7)一酸化ニオブ結晶を0.1〜20質量%含有する前記6記載のコンデンサ用ニオブ焼結体。
8)一窒化二ニオブ結晶を0.1〜20質量%含有する前記6記載のコンデンサ用ニオブ焼結体。
9)前記5乃至8のいずれかに記載のニオブ焼結体からなる電極および対向する電極と、両電極との間に介在する誘電体とから構成されるコンデンサ。
10)誘電体が、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質またはセラミック化合物である前記9に記載のコンデンサ。
11)誘電体が、ニオブ焼結体の化成により表面に形成された酸化ニオブである前記10に記載のコンデンサ。
12)前記5乃至8のいずれかに記載のニオブ焼結体(第一の電極)の表面に誘電体を形成した後、前記誘電体上に対向する第二の電極を設けることを特徴とするコンデンサの製造方法。
13)誘電体が、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質またはセラミック化合物である前記12に記載のコンデンサの製造方法。
14)誘電体が、ニオブ焼結体の化成により表面に形成された酸化ニオブである前記13に記載のコンデンサの製造方法。
すなわち、ニオブ焼結体はタンタル焼結体に比較して誘電体酸化皮膜の安定性に劣るが、この理由の一つとして、誘電体酸化皮膜の組成とニオブ焼結体の組成が異なるために、高温での熱ひずみにより誘電体酸化皮膜の劣化が加速されると考えられる。しかし、ニオブ焼結体中に、一酸化ニオブ結晶および/または一窒化二ニオブ結晶が含まれると熱ひずみが緩和されるために高温におけるコンデンサの特性が改良されるものと推定される。
例えば、ハロゲン化ニオブのマグネシウムやナトリウムによる還元、フッ化ニオブカリウムのナトリウム還元、フッ化ニオブカリウムのニッケル陰極上への融解塩(NaCl+KCl)電解、金属ニオブインゴットへの水素導入等の後に粉砕することによって得られたニオブ粉を用いることができる。
洗浄方法としては、前記した試薬中で、不純物の含有量が所定量以下になるまでの時間、ニオブ粉を撹拌して抜き出す方法を採用してもよい。
このような化合物としては、窒素、炭素、ホウ素の結合物であるニオブ窒化物、ニオブ炭化物、ニオブホウ化物が挙げられる。これらはいずれか1種を含有しても良く、またこれらの2種、3種の組み合わせで含有してもよい。
前述した、焼結体を一方の電極(第一の電極)とし、その表面に誘電体を介在させて誘電体上に対向する第二の電極を設けたコンデンサを製造することができる。
で示される繰り返し単位を2以上含む重合体にドーパントをドープした電導性高分子を主成分とした有機半導体が挙げられる。
導電体層としては、例えば、導電ペーストの固化、メッキ、金属蒸着、耐熱性の導電樹脂フィルムの形成等により形成することができる。導電ペーストとしては、銀ペースト、銅ペースト、アルミペースト、カーボンペースト、ニッケルペースト等が好ましいが、これらは1種を用いても2種以上を用いてもよい。2種以上を用いる場合、混合してもよく、または別々の層として重ねてもよい。導電ペーストを適用した後、空気中に放置するか、または加熱して固化せしめる。メッキとしては、ニッケルメッキ、銅メッキ、銀メッキ、アルミメッキ等が挙げられる。また蒸着金属としては、アルミニウム、ニッケル、銅、銀等が挙げられる。
さらに、ニオブ焼結体に一酸化ニオブ結晶および/または一窒化二ニオブ結晶を含有させることにより、高温特性にも優れたコンデンサを得ることができる。
なお、下記の試験例において、ニオブ粉中に含有される不純物元素の質量は、原始吸光分析により求めた。
また、ニオブ焼結体中の一酸化ニオブ結晶および/または一窒化二ニオブ結晶の結晶量は、焼結前の混合粉末に混合された各結晶の質量および焼結前の混合粉末と得られた焼結体の粉砕粉をそれぞれX線回折測定した時の2θ回折強度の比を用いて算出した。
ニッケルるつぼ中に、80℃で充分に真空乾燥させた5塩化ニオブとマグネシウムを投入し、アルゴン雰囲気中800℃で40時間還元反応を行なった。冷却後、塩化マグネシウムを取り除くために還元物を水洗した後、硫酸で洗浄後、再度、水洗真空乾燥した。さらに、乾燥物120gをシリカアルミナボールが入ったアルミナポットに入れ、ボールミル粉砕し、ニオブ粉とした(平均粒径5μm)。この段階のニオブ粉の20gを試験例1とした。残り100gをフッ酸と硝酸の1:1混合液中に浸漬し撹拌した。撹拌中に1時間おきに20gずつ抜き出し、それらを洗浄水がpH7になるまで十分に水洗した後、真空乾燥することにより試験例2〜6のニオブ粉各20gを得た。
各試験例のニオブ粉から、大きさ3mm×4mm×1.8mmの成形体を50個作製した。引き続き、その成形体を、5×10-5Torrの真空下にて、最高温度1200℃で30分放置して、焼結体とした。これらの焼結体を0.1%りん酸水溶液中で電解化成(20V)して表面に誘電体酸化皮膜を形成した。次に、硝酸マンガン水溶液に浸漬後、220℃での加熱を繰り返すことにより、誘電体酸化皮膜上に、他方の対向する電極層として二酸化マンガン層を形成した。引き続き、その上に、カーボン層及び銀ペースト層を順次に積層し、次に、リードフレームに載せた後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを50個作製した。評価結果を表2に示した。
ニッケルるつぼ中に、80℃で充分に真空乾燥したフッ化ニオブカリウムとナトリウムを投入し、アルゴン雰囲気中1000℃で20時間還元反応を行なった。冷却後、フッ化カリウムおよびフッ化ナトリウムを取り除くために還元物を水洗した後、硫酸で洗浄後、再度水洗し、真空乾燥した。さらに、乾燥物120gをシリカアルミナボールが入ったアルミナポットに入れ、ボールミル粉砕し、ニオブ粉とした(平均粒径4μm)。この段階のニオブ粉の20gを試験例10とした。残り100gを硝酸と過酸化水素水の3:2混合液中に浸漬し撹拌した。撹拌中に1時間おきに20gづつ抜き出し、それらを洗浄水のPHが7になるまで十分に水洗した後、真空乾燥することにより試験例11〜15のニオブ粉各20gを得た。
その後、各試験例のニオブ粉から、試験例1と同様にしてコンデンサを50個作製した。評価結果を表2に示した。
試験例10と同様な方法で得たニオブ粉20gをアルミナ磁製ボートに入れ、そのボートをSUS304管中に仕込んで、窒素雰囲気中に400℃3時間放置して、窒素量約2500質量ppmの一部窒化されたニオブ粉とした。これを試験例16のニオブ粉とした。試験例10と同様な方法で得たニオブ粉20gを炭素るつぼに入れ、モリブデン炉中で減圧下(約5×10-5Torr)に1500℃30分放置した。さらに室温に冷却後、ボルテックミルを用いて粉砕し、炭素量約1000質量ppmの一部炭化されたニオブ粉とした。これを、試験例17のニオブ粉とした。試験例17と同様の方法で得たニオブ粉20gを、さらに、試験例16と同様な方法で窒化させて、炭素量約1000質量ppm、窒化量約2000質量ppmの一部炭化および一部窒化されたニオブ粉とした。これを試験例18とした。このようにして得た試験例16〜18のニオブ粉を、試験例15と同様に洗浄後、それぞれコンデンサを作製した。評価結果を表2に示した。
ニオブ粉20gを入れた炭素るつぼの代わりにホウ素ペレット1gを入れた白金るつぼを使用し、さらに1500℃での放置を1000℃での放置にした以外は試験例17と同様の操作を行い、ホウ素量約850質量ppmの一部ホウ化されたニオブ粉を得た。
SUS304製の反応器に60mmφのニオブインゴットを投入し、一度真空(約6×10-4Torr)にして脱気した後800℃に温度上昇させた。続いて水素を導入した後、350℃に昇温し50時間水素を導入し続けた。冷却後、水素化されたニオブ塊を鉄製ボールを入れたSUS304製のポットに入れ粉砕した。更にこの粉砕物を前述したSUS304製の反応器に入れ、再度、前述した条件で水素化した。次に、鉄製の湿式粉砕機(商品名「アトライタ」,三井鉱山株式会社製)に、この水素化物と水とジルコニアボールとを入れ、湿式粉砕した。その後、硫酸洗浄と水洗浄を行なった後、真空乾燥してニオブ粉(平均粒径3μm)約100gを得た。この段階のニオブ粉を試験例20とした。さらに、試験例20と同様に処理したニオブ粉をフッ酸と硝酸の1:1の混合液中で撹拌した。撹拌中に1時間おきに20gずつ抜き出し、それらを洗浄水がpH7になるまで十分に水洗した後、真空乾燥することにより試験例21〜24のニオブ粉各20gを得た。その後、各試験例のニオブ粉から、試験例1と同様にしてコンデンサを50個作製した。評価結果を表2に示した。
表2の試験例1、2と試験例3〜9の比較、試験例10、11、12と試験例11〜18の比較、および試験例20、21と試験例22〜24の比較により、不純物元素の含有量の総和が350質量ppm以下とすると、比漏れ電流値が不良品の確率を低くすることができることが分かる。
ニオブインゴットを水素化した後、粉砕し、脱水素して得られた粒径4μmのニオブ粉末(表面は約1.5質量%の自然酸化物で覆われている)に、一酸化ニオブ結晶(平均粒径2μm)を2質量%混合した。この混合粉末を0.1gとり、ニオブリードと同時に成形して、大きさ3mm×4mm×1.8mmの成形体を得た。引き続きこの成形体を5×10-5Torrの真空下で、昇温速度10℃/分で昇温し、最高温度1100℃で30分放置後、Arガスを投入しながら降温速度平均80℃/分で降温させ焼結体とした。このニオブ焼結体を200本用意し、全数を0.1%りん酸水溶液中で電解化成(20V)して表面に誘電体酸化皮膜を形成した。次に50本ずつ4組に分け、誘電体酸化皮膜上に、表3に示す他方の電極(第二の電極)層を形成後、カーボンペースト、銀ペーストをこの順に積層し、リードフレームに接続後、全体をエポキシ樹脂で封止して、チップ型コンデンサを製造した。一方この焼結体の一酸化ニオブ結晶の量は、2.6質量%であった。評価結果を表4に示した。
試験例25と同様のニオブ粉末を、窒素雰囲気中に400℃3時間放置し、窒素量約2500質量ppmからなる一部窒化されたニオブ粉末にした。さらに、この粉末に一窒化二ニオブ結晶(平均結晶粒径0.8μm)を0.5質量%混合した。この混合物を用いて、試験例25と同様に、コンデンサを製造した。一方、この焼結体中の一酸化ニオブ結晶および一窒化二ニオブ結晶の量は各0.5質量%、0.7質量%であった。評価結果を表4に示した。
ニオブインゴットを水素化した後、粉砕し、脱水素して得られた平均粒径5.5μmのニオブ粉末(表面は約0.8質量%の自然酸化物で覆われている)を、窒素雰囲気中に800℃3時間放置し、窒素量約15000質量ppmからなる一部窒化されたニオブ粉末にした。さらに、この粉末に一窒化二ニオブ結晶(平均結晶粒径0.2μm)を5質量%混合した。この混合物を用いて、試験例25と同様に、コンデンサを製造した。一方、この焼結体中の一窒化二ニオブ結晶の量は6.3質量%であった。評価結果を表4に示した。
試験例25と同様のニオブ粉末を、炭素るつぼに入れ減圧下1500℃で30分放置し、室温に戻して取り出した後、ボルテックミルで粉砕し、炭素量約1000質量ppmの一部炭化されたニオブ粉末とした。さらにこの粉末に、試験例25で使用した一酸化ニオブ結晶を7質量%混合した。この混合物を試験例25と同様に成形した後、この成形体を6×10-5Torrの真空下で、昇温速度4℃/分で昇温し、最高温度1200℃で1時間放置後、ガスを入れ替えることなく室温まで10時間かけて戻すことによりニオブ焼結体とした。このニオブ焼結体を、試験例25と同様にして、コンデンサを製造した。一方、この焼結体中の一酸化ニオブ結晶の量は8.3質量%であった。評価結果を表4に示す。
試験例31の一部炭化されたニオブ粉末を、試験例29と同様な窒化方法を用いて、炭素量約1000質量ppm、窒素量約2500質量ppmの一部炭化および一部窒化されたニオブ粉末を得た。さらに、このニオブ粉末に、一窒化二ニオブ粉末0.1質量%を混合した。この混合物を用いて、試験例31と同様にして、コンデンサを製造した。一方、この焼結体中の一酸化ニオブ結晶および一窒化二ニオブ結晶は各々1.3質量%、0.35質量%であった。評価結果を表4に示す。
混合する一酸化ニオブ結晶を20質量%にした以外は、試験例25と同様にして、コンデンサを製造した。焼結体中の一酸化ニオブ結晶の含有量は、20.5質量%であった。評価結果を表4に示す。
混合する一窒化二ニオブ結晶を20質量%にした以外は、試験例30と同様にして、コンデンサを形成した。焼結体中の一酸化ニオブ結晶の含有量は、21.3質量%であった。評価結果を表4に示した。
Claims (9)
- 一酸化ニオブ結晶および一窒化二ニオブ結晶の少なくとも1種を含有することを特徴とするコンデンサ用ニオブ焼結体。
- 一酸化ニオブ結晶を0.1〜20質量%含有する請求項1記載のコンデンサ用ニオブ焼結体。
- 一窒化二ニオブ結晶を0.1〜20質量%含有する請求項1記載のコンデンサ用ニオブ焼結体。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載のニオブ焼結体からなる電極および対向する電極と、両電極との間に介在する誘電体とから構成されるコンデンサ。
- 誘電体が、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質またはセラミック化合物である請求項4に記載のコンデンサ。
- 誘電体が、ニオブ焼結体の化成により表面に形成された酸化ニオブである請求項5に記載のコンデンサ。
- 請求項1乃至3のいずれかに記載のニオブ焼結体(第一の電極)の表面に誘電体を形成した後、前記誘電体上に対向する第二の電極を設けることを特徴とするコンデンサの製造方法。
- 誘電体が、酸化タンタル、酸化ニオブ、高分子物質またはセラミック化合物である請求項7に記載のコンデンサの製造方法。
- 誘電体が、ニオブ焼結体の化成により表面に形成された酸化ニオブである請求項8に記載のコンデンサの製造方法。
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