CN103363983A - 用于机械振幅驱动的mems设备自动增益控制回路 - Google Patents

用于机械振幅驱动的mems设备自动增益控制回路 Download PDF

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Abstract

本发明是用于机械振幅驱动的MEMS设备自动增益控制回路。本申请公开了用于数字自动增益控制的设备和方法，用于驱动MEMS装置，例如检测质量。在实例中，设备可包括：驱动器，被配置为振荡MEMS装置的检测质量；电荷-电压(C2V)转换器，被配置为提供所述检测质量的振荡信息；模拟-数字转换器(ADC)，被配置为提供所述振荡信息的数字表示；以及数字自动增益控制电路，被配置为利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较提供振荡幅度误差信息，以及利用所述振荡幅度误差信息的放大表示提供数字驱动指令信号。

Description

用于机械振幅驱动的MEMS设备自动增益控制回路
技术领域
本申请涉及微机电系统(MEMS)，特别是用于MEMS装置的自动增益控制。
发明内容
除其他内容外，本申请提供了用于数字自动增益控制的设备和方法，用于驱动MEMS装置，例如检测质量(proofmass)。在实例中，设备可包括：驱动器，被配置为振荡MEMS装置的检测质量；电荷-电压(C2V)转换器，被配置为提供所述检测质量的振荡信息；模拟-数字转换器(ADC)，被配置为提供所述振荡信息的数字表示；以及数字自动增益控制电路，被配置为利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较提供振荡幅度误差信息，以及利用所述振荡幅度误差信息的放大表示提供数字驱动指令信号。
本申请还公开了一种方法，包括：利用驱动器振荡MEMS陀螺仪的检测质量；利用电荷-电压转换器接收所述检测质量的振荡信息；利用模拟-数字转换器提供所述振荡信息的数字表示；利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较以及数字自动增益电路，提供振荡幅度误差信息；以及利用所述振荡幅度误差信息以及所述数字自动增益控制电路，提供数字驱动指令信号。
该部分意在提供本专利申请主题的概述，而非提供本发明的排他的或穷尽的解释。以下包含具体实施方式，以有关本专利申请的进一步信息。
附图说明
在附图(其不一定按比例绘制)中，相同的附图标记可在不同的视图中描述相同的部件。具有不同字母后缀的相同附图标记可表示不同例子的相似部件。附图以示例而非限制的方式大体示出了本申请中所论述的各个实施例。
图1示出了连接至MEMS陀螺仪的模拟控制电路；
图2大体示出了MEMS陀螺仪系统实例的方框图；
图3大体示出了包括数字自动增益控制(AGC)电路实例的MEMS控制电路实例。
具体实施方式
MEMS陀螺仪利用振动检测质量的偏移(deflection)提供动作检测和测量信号。所述偏移由所述振动检测质量(例如，陀螺仪的检测质量)的运动和产生的科里奥利力(Coriolis force)的组合引起。MEMS陀螺仪的稳健性可取决于检测质量振荡的稳定性。本发明人已认识到自动增益控制(AGC)设备和方法，用以驱动检测质量在检测质量的谐振频率下以稳定的振幅振荡。在一些实例中，AGC回路可通过驱动电极调节泵入MEMS陀螺仪的静电力，如此，可观察到所述陀螺仪的检测质量的机械振荡幅度并将其保持在可编程目标值。在一些实例中，AGC回路可包括如此结构：可实现以极低噪声感应检测质量的振荡且回路操作的处理可在无噪声的、数字环境中完成。
图1示出了连接至MEMS陀螺仪102的模拟控制电路104。MEMS陀螺仪102可包括驱动电极(gdp，gdn)和驱动感应电极(gp，gn)，用于将模拟控制电路104连接至MEMS陀螺仪102。模拟控制电路104可利用驱动器电路107驱动MEMS陀螺仪的检测质量振荡，该驱动器电路107连接至MEMS陀螺仪102的驱动电极(gdp，gdn)。通过MEMS陀螺仪的驱动感应电极(gp，gn)和模拟控制电路104的驱动感应电荷-电压(C2V)转换器105，模拟控制电路104可接收检测质量位置信息。移相器106可向模拟控制电路104的占空比发生器140提供检测质量的相位移动位置信息，以生成用于驱动器电路107的指令信号。在一些实例中，移相器106可以向MEMS陀螺仪102的检测质量的持续振荡提供相位移动。模拟峰值检测器141也可接收检测质量位置信息并可提供检测质量振荡的振幅信息。模拟比较器142可将该振幅信息与所期望的振幅参考(AREF)进行比较，并可提供包括振幅误差信息或振荡幅值误差信息的振幅误差信号。在一些实例中，模拟比较器142可包括增益调整以缩放振幅误差信号。模拟控制电路104的反馈回路143可利用回路补偿模块144进一步补偿振幅误差信息以辅助占空比发生器140生成用于驱动器电路107的控制信号。响应于控制信号，驱动器电路107可驱动MEMS陀螺仪102的检测质量在谐振频率以稳定振荡幅度进行振荡。
图2大体示出了包括数字自动增益控制(AGC)电路201实例的MEMS陀螺仪系统200的方框图。该MEMS陀螺仪系统200可包括MEMS陀螺仪202和MEMS控制电路204，其中，MEMS陀螺仪202包括检测质量203，例如悬挂检测质量。在一些实例中，MEMS控制电路204可包括：感应电荷-电压(C2V)转换器205、移相电路206、驱动电路207以及AGC电路201。AGC电路201可向驱动电路207提供指令信号以驱动MEMS陀螺仪202的检测质量203在该检测质量的谐振频率下进行振荡。在一些实例中，检测质量203可具有约20kHz的谐振频率。应该理解，检测质量203可具有有别于约20kHz之外的其他谐振频率，而不背离本主题的范围。驱动感应C2V205可被连接至MEMS陀螺仪202的检测质量203的驱动感应电极(gp，gn)。驱动感应电极(gp，gn)可提供指示检测质量203的实际振荡的差分容性电荷信号。差分电容性电荷信号可被用开向驱动电路207提供相位和振幅反馈。应该理解，检测质量可包括单独感应信号，以提供非差分容性电荷信号，而不背离本主题的范围。在一些实例中，驱动电路207可提供功率控制信号以振动MEMS陀螺仪的检测质量。在一些实例中，驱动电路207可向一个或多个检测质量驱动电极(gdp，gdn)提供功率控制信号以使检测质量在谐振频率下振动。在一些实例中，驱动电路207可向一个或多个检测质量驱动电极(gdp，gdn)提供功率控制信号以利用静电激励振动检测质量。在一些实例中，在检测质量203振动时，驱动感应C2V转换器205可提供该检测质量203的电容性感应位置信息。在实例中，移相电路206可向驱动感应C2V转换器205的输出引入90度的相移，以确保检测质量203的振荡(或振动)。相应的，驱动电路207可从移相电路206接收相位移动输出，以驱动检测质量203。在一些实例中，可通过MEMS陀螺仪系统200的回路实现360度的相移以确保检测质量203的振荡。在实例中，驱动感应C2V转换器205可提供90度的相移，移相电路206可引入90度的相移，并且驱动电路可提供反相以确保检测质量203的振荡。在一些实例中，AGC电路201可利用驱动感应C2V205的输出来监测和控制检测质量振荡的振幅。
图3大体示出了包括数字AGC电路301实例的MEMS控制电路304实例。在一些实例中，MEMS控制电路304可被连接至MEMS装置(未示出)，例如MEMS陀螺仪。在一些实例中，MEMS陀螺仪可包括检测质量、驱动电极、驱动感应电极和感应电极(未示出)。在一些实例中，MEMS控制电路304可包括模拟部分311和数字AGC电路301。在一些实例中，模拟部分311可包括：驱动感应C2V转换器305、输入模拟-数字转换器(ADC)312、输出数字-模拟转化器(DAC)313、驱动电路307、以及连接在驱动电路307和驱动感应C2V转化器305之间的移相电路306。
在一些实例中，驱动感应C2V转换器305可从MEMS陀螺仪的驱动感应电极接收电容性信号并提供表示该电容性信号的电压信号。该电压信号可被用来向驱动电路307提供检测质量的位置信息，如相位和振幅的反馈。在一些实例中，驱动电路307可提供功率信号以振动MEMS陀螺仪的检测质量。在一些实例中，驱动电路307可使检测质量在谐振频率下振动。在一些实例中，驱动电路可提供功率信号以利用静电激励使检测质量振动。在一些实例中，在检测质量振动时，驱动感应C2V转换器305可提供检测质量的电容性感应位置信息。在一些实例中，移相电路306可向驱动感应C2V转换器305提供90度的相移以确保检测质量的振荡(或振动)。相应地，驱动电路307可从移相电路306接收相位移动输出以驱动检测质量。在这样的实例中，移相电路306可相对于检测质量的动作提供90度的相移以向驱动电路307提供所需的180度的相移来确保检测质量的振荡。在一些实例中，数字AGC电路301可利用驱动感应C2V305的输出监测和控制检测质量振荡的振幅。
在一些实例中，MEMS控制电路304的数字AGC301可包括：输入部分316、输出部分317以及控制部分318。
在一些实例中，输入部分316可包括驱动感应ADC312和多种滤波器319、320，以提供数字化的驱动感应信号。在实例中，驱动感应ADC312可包括带通delta-sigma ADC。应该理解，也可以使用其他类型的ADC转换器，而不会脱离本主题的范围。在一些实例中，带通sigma-delta ADC可提供简单的驱动感应信号的数字转换，同时降低1/f的噪声。在一些实例中，输入部分316可包括sinc5滤波器319和带通滤波器320；sinc5滤波器319用来对驱动感应ADC312的单比特数据流输出进行下采样以及提供驱动感应ADC312的单比特数据流输出的多比特表示；带通滤波器320用来移除带通滤波输入信号中的大部分带外噪声。在实例中，sinc5滤波器319可工作于约972kHz数据率下，接收单比特数据流。在实例中，相比于sinc5滤波器319，带通滤波器320可工作于较低的数据率下。在一些实例中，带通滤波器320的数据率大约为sinc5滤波器319的八分之一。在一些实例中，带通滤波器320具有约500Hz的带宽。在一些实例中，输入部分316可包括数字振幅检测器321，用来检测带通滤波器320的输出信号的振荡幅度的表示。在一些实例中，数字振幅检测器321可包括绝对值(|x|)振幅检测器。在实例中，数字振幅检测器321可包括x2数字振幅检测器，其不受采样瞬间(例如，定时抖动)中非理想情况的影响，从而减少相位噪声。
在一些实例中，控制部分318可接收目标振幅设定点(目标)，并可包括：求和节点322、平均滤波器323、增益乘法器324、以及启动控制逻辑325。在一些实例中，控制部分318可包括设定点乘法器326，目标振幅设定点(目标)由该设定点乘法器326进行缩放，以与输入部分316的数字振幅检测器321的输出进行求和。在一些实例中，求和节点322可提供表示数字振幅检测器321的输出与目标振幅设定点(目标)之间的差值的误差信号(例如，相位误差信号或者振荡幅度误差信号)。在一些实例中，平均滤波器323可被用来滤除误差信号中的高频噪声。在一些实例中，平均滤波器323可包括有限脉冲响应(FIR)滤波器，该FIR滤波器可滤波、或平均、或平滑给定数量的采样或采样期间的误差信号。在一些实例中，平均滤波器323可包括对平均滤波器323的输出进行缩放的比特位移模块327。在一些实例中，误差信号可被倍增或放大某一增益(dig.gain)倍以为检测质量驱动电路307提供指令信号。在一些实例中，控制部分318可不包括积分误差增益模块(未示出)以便以较简单的方式实现。在控制部分318不包括积分增益模块的那些实例中，可避免将需要数百微秒到秒以确定其最终值的低频对。
在一些实例中，启动控制逻辑325在启动期间，例如当误差信号相当大时，被用来驱动检测质量。在一些实例中，启动控制逻辑325可包括将指令信号与AGC使能阈值(ST)进行比较的比较器328。在实例中，当指令信号超过AGC阈值(ST)时，比较器328提供控制信号(start_en)使驱动电路307利用预定驱动信号(例如，预定驱动信号波形)驱动检测质量。在实例中，驱动电路307可接收启动控制逻辑325的控制信号(start_up)，从而利用预定驱动信号驱动检测质量。在一些实例中，预定驱动信号可包括预定频率下的方波波形。在一些实例中，移相电路306可向驱动电路307提供一个或多个模版波形，例如用于AGC使能振幅控制的正弦波形和用于启动模式控制的方波波形。当指令信号缩减以至其不超过AGC使能阈值(ST)时，启动控制逻辑325的控制信号(start_en)转变至第二态。在一些实例中，当控制信号(start_en)处于第二态时，驱动电路响应于指令信号驱动检测质量。在一些实例中，当启动信号(start_en)处于第二态时，驱动电路307以正弦波形驱动检测质量。在一些实例中，指令信号中没有积分误差增益成分可避免可在系统快速转换时出现的开关(bang-bang)振荡行为，并且可实现响应于指令信号的启动模式类型驱动控制与AGC振幅驱动控制模式之间的转换。
在一些实例中，输出部分317可将指令信号分为使用粗调增益级的粗调增益输出信号(粗调增益)和使用微调增益级的微调增益输出信号(微调增益)。微调增益级可包括数字限幅器329、一个或多个数字上采样器330、331、以及驱动数字-模拟转换器(DAC)，例如sigma-delta(∑Δ)DAC313；该微调增益级用以提供指令信号变化的基本单元。在一些实例中，粗调增益级可包括：低通滤波器332，用来接收受限指令信号；以及增益控制计数器333，其可在截断的、经滤波的指令信号过冲或下冲微调增益寄存器时增加和减小。在一些实例中，粗调增益级可包括反馈或校正回路334以在粗调增益输出有变化后增加/减小非受限指令信号某一预定值，如此，在一粗调增益变化后，截断的指令信号不会留在最大或最小转换边缘。在一些实例中，相比微调增益输出，粗调增益输出(粗调增益)可以较慢的速率更新。在一些实例中，驱动电路307可接收粗调增益输出(粗调增益)和微调增益输出，以及响应于收到的粗调和微调增益输出信号调整连接至检测质量的驱动信号。
在各个实例中，数字AGC电路301可在单个集成电路上实现。在一些实例中，数字AGC电路301可在单个集成电路上实现并且可包括一个或多个Δ∑ADC和∑ΔDAC。在实例中，通过运行数字环境中的输入级、输出级和控制级，数字AGC电路301可降低输出增益信号中的噪声。
附加注释
在实例1中，设备可包括：驱动器，被配置为振荡MEMS陀螺仪的检测质量；电荷-电压(C2V)转换器，被配置为从MEMS陀螺仪接收感应信号以及提供所述检测质量的振荡信息；模拟-数字转换器(ADC)，被配置为接收所述检测质量的所述振荡信息以及提供所述振荡信息的数字表示；和，数字自动增益控制电路，被配置为接收所述振荡信息的所述数字表示，利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较提供振荡幅度误差信息，以及利用所述振荡幅度误差信息的放大表示提供数字驱动指令信号。
在实例2中，实例1中的所述ADC可选地被配置为利用单比特数据流提供所述感应信号的所述数字表示。
在实例3中，实例1-2中任一个或多个所述的数字自动增益控制电路可选地包括：下采样模块，其用于接收所述单比特数据，以及利用第一多比特数据流提供所述感应信号的第二数字表示。
在实例4中，实例1-3中任一个或多个所述的数字自动增益控制电路可选地包括：带通滤波器，被配置为接收所述第一多比特数据流，以及利用第二多比特数据流提供所述感应信号的第三数字表示。
在实例5中，实例1-4中任一个或多个所述的数字自动增益控制电路可选地包括：振幅检测器，被配置为对所述感应信号的所述第三数字表示进行平方运算，以提供所述感应信号的振幅信息。
在实例6中，实例1-5中任一个或多个所述的数字自动增益控制电路可选地包括：数字比较器，被配置为接收振幅信息和所述目标信息，以及提供所述振荡幅度误差信息。
在实例7中，实例1-6中任一个或多个所述的数字自动增益控制电路可选地包括：有限脉冲响应滤波器，被配置为对多个采样期间的所述振荡幅度误差信息求平均，以提供平滑误差信号。
在实例8中，实例1-7中任一个或多个所述的ADC可选地包括带通delta-sigma ADC。
在实例9中，实例1-8中任一个或多个所述的设备可选地包括数字-模拟转换器，被配置为接收所述数字驱动指令信号的至少一部分以及向所述驱动器提供模拟指令信号。
实例10，实例1-9中任一个或多个所述的所述数字自动增益控制电路可选地包括输出级。所述输出级包括：微调增益寄存器，被配置为提供所述数字驱动指令信号的变化的基本单元；低通滤波器；以及粗调增益计数器，被配置为增加所述微调增益寄存器的过冲和减小所述微调增益寄存器的下冲，以及提供所述振荡幅度误差信息的所述放大的校正。
实例11，一种方法，可包括：利用驱动器振荡MEMS陀螺仪的检测质量；利用电荷-电压转换器接收所述检测质量的振荡信息；利用模拟-数字转换器提供所述振荡信息的数字表示；利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较以及数字自动增益电路，提供振荡幅度误差信息；以及利用所述振荡幅度误差信息以及所述数字自动增益控制电路，提供数字驱动指令信号。
实例12，实例1-11中任一个或多个所述的提供数字表示可选地包括：利用单比特数据流提供所述振荡信息的数字表示。
实例13，实例1-12中任一个或多个所述的方法可选地包括：对所述单比特数据流进行下采样，以利用多比特数据流提供所述振荡信息的第二数字表示。
实例14，实例1-13中任一个或多个所述的方法可选地包括：利用带通滤波器处理所述第一多比特数据流，以提供所述振荡信息的第三数字表示。
实例15，实例1-14中任一个或多个所述的方法可选地包括：在所述数字自动增益控制电路的振幅检测器处接收所述振荡信息的所述第三数字表示；以及利用所述振幅检测器提供所述振荡信息的振幅信息。
实例16，实例1-15中任一个或多个所述的方法可选地包括：利用所述数字自动增益控制电路的数字比较器，将所述振幅信息与所述目标信息进行比较，以提供所述振荡幅度误差信息。
实例17，实例1-16中任一个或多个所述的方法可选地包括：利用有限脉冲响应滤波器，对预定数量的采样中的所述振荡幅度误差信息求平均，以提供平滑误差信号。
实例18，实例1-17中任一个或多个所述的方法可选地包括：利用数字-模拟转换器将所述数字驱动指令信号转换为模拟驱动指令信号；以及在所述驱动器处接收所述模拟指令信号。
实例19，实例1-18中任一个或多个所述的方法可选地包括：在所述数字自动增益控制电路的输出级处接收所述振荡幅度误差信息的放大表示；利用数字限幅器以及一个或多个数字上采样器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示，以提供所述数字驱动指令信号的微调部分；以及利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示，以提供所述数字驱动指令信号的粗调部分。
实例20，实例1-18中任一个或多个所述的利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示可选地包括：在所述低通滤波器过冲时，增加所述增益控制计数器的值；以及在所述低通滤波器下冲时，减小所述增益控制计数器的值。
实例21，实例1-20中任一个或多个所述的利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示可选地包括：在所述增益控制计数器的值发生变化时，反馈所述振荡幅度误差信息的所述放大表示的校正。
上述具体实施方式包括对附图的参考，附图形成具体实施方式的一部分。附图以举例说明的方式示出了本发明能够用以实践的具体实施例。于此，这些实施例也称为“实例”。这些实例可包括除那些示出的或描述的元件之外的元件。然而，本发明人也考虑了仅包括示出的或描述的元件的实例。而且，本发明人还考虑了所示出的或描述的元件的组合或置换的实例，或有关在此示出或描述的特定实例(或其一个或多个方面)或其他实例(或其一个或多个方面)。
本申请所涉及到的所有出版物、专利以及专利文件全部作为本发明的参考内容，尽管它们是分别加以参考的。如果本申请与参考文件之间存在使用差别，则参考文件的使用应视为本申请使用的补充；若二者之间存在不可调和的差异，则以本申请的使用为准。
在本申请中，与专利文件通常使用的一样，术语“一”或“某一”表示包括一个或两个以上，不同于“至少一个”或“一个或更多”的其它例子或用法。在本申请中，除非另外指明，否则使用术语“或”指无排他性的或者是，“A或B”包括：“A但不是B”、“B但不是A”以及“A和B”。在所附的权利要求中，术语“包含”和“在其中”等同于各个术语“包括”和“其中”的通俗英语而使用。而且，在下述权利要求中，术语“包含”和“包括”是开放性的，即，包括除了权利要求中这样的术语之后所列出的那些要素以外的要素的系统、装置、物品或步骤，依然视为落在该项权利要求的范围之内。而且，在下述权利要求中，术语“第一”、“第二”和“第三”等仅仅用作标识，并非对其对象有数量要求。
本文所述的方法示例至少部分可以是机器或计算机执行的。一些示例可包括计算机可读介质或机器可读介质，其被编码有可操作为将电子装置配置为执行如上述示例中所述的方法的指令。这些方法的实现可包括代码，例如微代码，汇编语言代码，高级语言代码等。该代码可包括用于执行各种方法的计算机可读指令。所述代码可构成计算机程序产品的部分。此外，所述代码可例如在执行期间或其它时间被有形地存储在一个或多个易失或非易失性有形计算机可读介质上。这些有形计算机可读介质的示例包括但不限于，硬盘、移动磁盘、移动光盘(例如，压缩光盘和数字视频光盘)，磁带，存储卡或棒，随机存取存储器(RAM)，只读存储器(ROM)等。
以上实施方式旨在解释说明而非限制。在其它实施例中，以上实施方式的示例(或其一个或多个方面)可以相互结合使用。例如，本领域普通技术人员通过回顾以上实施方式可以使用其他实施例。摘要被提供以符合37C.F.R.§1.72(b)，从而使得读者能够快速确定技术发明的类型。应当理解的是，该摘要将不用于解释或限制权利要求的范围或意义。而且，在以上的具体实施方式中，各种特征可组合在一起以简化本发明。这不应理解为未要求的公开特征对任何权利要求来说是必不可少的。相反，创造性的主题可以以比特定公开实施例的所有特征更少的特征而存在。因而，下述的权利要求以每个权利要求作为单独实施例的方式并入具体实施方式中。本发明的范围应当参照所附的权利要求以及与这些权利要求的所属相当的整个范围来确定。

Claims (21)

1.一种设备，包括：
驱动器，被配置为振荡MEMS陀螺仪的检测质量；
电荷-电压(C2V)转换器，被配置为从MEMS陀螺仪接收感应信号以及提供所述检测质量的振荡信息；
模拟-数字转换器(ADC)，被配置为接收所述检测质量的所述振荡信息以及提供所述振荡信息的数字表示；以及
数字自动增益控制电路，被配置为接收所述振荡信息的所述数字表示，利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较提供振荡幅度误差信息，以及利用所述振荡幅度误差信息的放大表示提供数字驱动指令示信号。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述ADC被配置为利用单比特数据流提供所述感应信号的所述数字表示。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括：
下采样模块，其用于接收所述单比特数据，以及利用第一多比特数据流提供所述感应信号的第二数字表示。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括：
带通滤波器，被配置为接收所述第一多比特数据流，以及利用第二多比特数据流提供所述感应信号的第三数字表示。
5.根据权利要求4所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括：
振幅检测器，被配置为对所述感应信号的所述第三数字表示进行平方运算，以提供所述感应信号的振幅信息。
6.根据权利要求4所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括：
数字比较器，被配置为接收振幅信息和所述目标信息，以及提供所述振荡幅度误差信息。
7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括：
有限脉冲响应滤波器，被配置为对多个采样期间的所述振荡幅度误差信息求平均，以提供平滑误差信号。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述ADC包括带通delta-sigma ADC。
9.根据权利要求1所述的设备，包括数字-模拟转换器，被配置为接收所述数字驱动指令信号的至少一部分以及向所述驱动器提供模拟指令信号。
10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述数字自动增益控制电路包括输出级，所述输出级包括：
微调增益寄存器，被配置为提供所述数字驱动指令信号的变化的基本单元；
低通滤波器；以及
粗调增益计数器，被配置为增加所述微调增益寄存器的过冲和减小所述微调增益寄存器的下冲，以及提供所述振荡幅度误差信息的所述放大表示的校正。
11.一种方法，包括：
利用驱动器振荡MEMS陀螺仪的检测质量；
利用电荷-电压转换器接收所述检测质量的振荡信息；
利用模拟-数字转换器提供所述振荡信息的数字表示；
利用所述振荡信息与目标振幅信息的比较以及数字自动增益电路，提供振荡幅度误差信息；以及
利用所述振荡幅度误差信息以及所述数字自动增益控制电路，提供数字驱动指令信号。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，提供数字表示包括：利用单比特数据流提供所述振荡信息的数字表示。
13.根据权利要求12所述的方法，包括：对所述单比特数据流进行下采样，以利用多比特数据流提供所述振荡信息的第二数字表示。
14.根据权利要求13所述的方法，包括利用带通滤波器处理所述第一多比特数据流，以提供所述振荡信息的第三数字表示。
15.根据权利要求14所述的方法，包括：
在所述数字自动增益控制电路的振幅检测器处接收所述振荡信息的所述第三数字表示；以及
利用所述振幅检测器提供所述振荡信息的振幅信息。
16.根据权利要求15所述的方法，包括：
利用所述数字自动增益控制电路的数字比较器，将所述振幅信息与所述目标信息进行比较，以提供所述振荡幅度误差信息。
17.根据权利要求16所述的方法，包括：
利用有限脉冲响应滤波器，对预定数量的采样中的所述振荡幅度误差信息求平均，以提供平滑误差信号。
18.根据权利要求11所述的方法，包括：
利用数字-模拟转换器将所述数字驱动指令信号转换为模拟驱动指令信号；以及
在所述驱动器处接收所述模拟指令信号。
19.根据权利要求11所述的方法，包括：
在所述数字自动增益控制电路的输出级处接收所述振荡幅度误差信息的放大表示；
利用数字限幅器以及一个或多个数字上采样器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示，以提供所述数字驱动指令信号的微调部分；以及
利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示，以提供所述数字驱动指令信号的粗调部分。
20.根据权利要求19所述的方法，其中，利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示包括：
在所述低通滤波器过冲时，增加所述增益控制计数器的值；以及
在所述低通滤波器下冲时，减小所述增益控制计数器的值。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，利用低通滤波器和增益控制计数器，处理所述振荡幅度误差信息的所述放大表示包括：
在所述增益控制计数器的值发生变化时，反馈所述振荡幅度误差信息的所述放大表示的校正。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
US8813564B2 (en) 2010-09-18 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9095072B2 (en) 2010-09-18 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-die MEMS package
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
US9246018B2 (en) 2010-09-18 2016-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
CN105333886A (zh) * 2014-06-26 2016-02-17 无锡华润上华半导体有限公司 校正陀螺仪传感器驱动幅度的方法和系统
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
US9425328B2 (en) 2012-09-12 2016-08-23 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US9444404B2 (en) 2012-04-05 2016-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device front-end charge amplifier
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US9618361B2 (en) 2012-04-05 2017-04-11 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US9644963B2 (en) 2013-03-15 2017-05-09 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation
CN106662445A (zh) * 2014-07-07 2017-05-10 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 用于最小化旋转速率传感器的比例因子误差的控制装置和方法
CN107132763A (zh) * 2017-05-11 2017-09-05 北方电子研究院安徽有限公司 一种mems陀螺仪闭环驱动用自动增益控制电路
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor
US10060757B2 (en) 2012-04-05 2018-08-28 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature shift cancellation
US10065851B2 (en) 2010-09-20 2018-09-04 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
CN109540176A (zh) * 2018-12-24 2019-03-29 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种硅微陀螺Sigma Delta检测闭环控制系统结构及参数整定方法
CN110687520A (zh) * 2018-07-06 2020-01-14 英飞凌科技股份有限公司 Mems振荡结构不对称和周期性抖动的检测和补偿
CN111327326A (zh) * 2020-04-24 2020-06-23 无锡思泰迪半导体有限公司 一种模数转换器信号幅度校正方法
CN113067965A (zh) * 2019-12-27 2021-07-02 三星电机株式会社 控制器集成电路及包括其的致动器和相机模块

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104390637A (zh) * 2014-11-18 2015-03-04 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 一种小型化耐高过载数字式mems陀螺仪传感器
US10200794B2 (en) * 2014-12-31 2019-02-05 Invensense, Inc. Ultrasonic operation of a digital microphone
US10444014B1 (en) * 2015-09-01 2019-10-15 Hrl Laboratories, Llc High dynamic range gyroscope
US10277821B2 (en) * 2016-04-19 2019-04-30 Semiconductor Components Industries, Llc Methods and apparatus for optical image stabilization
US10365104B2 (en) * 2016-05-11 2019-07-30 Murata Manufacturing Co., Ltd. Digital controller for a MEMS gyroscope
US10749472B2 (en) 2017-02-11 2020-08-18 Mumec, Inc. Frequency-converting super-regenerative transceiver
US20180335458A1 (en) * 2017-05-18 2018-11-22 Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Capacitance sensor
KR101910420B1 (ko) 2017-05-25 2018-10-22 다믈멀티미디어주식회사 자이로스코프 시스템의 구동장치
IT201700103058A1 (it) * 2017-09-14 2019-03-14 St Microelectronics Srl Circuito e metodo di azionamento per un giroscopio mems e relativo giroscopio mems
US11466986B2 (en) * 2017-12-14 2022-10-11 Invensense, Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) gyroscope sense frequency tracking
JP7127577B2 (ja) * 2019-02-26 2022-08-30 株式会社デンソー 物理量検出装置
US11162790B2 (en) * 2019-06-26 2021-11-02 Stmicroelectronics, Inc. MEMS gyroscope start-up process and circuit
US11255670B2 (en) 2019-06-26 2022-02-22 Stmicroelectronics, Inc. MEMS gyroscope self-test using a technique for deflection of the sensing mobile mass
US11320452B2 (en) 2019-06-26 2022-05-03 Stmicroelectronics, Inc. MEMS accelerometer self-test using an active mobile mass deflection technique
US11175138B2 (en) 2019-06-26 2021-11-16 Stmicroelectronics, Inc. MEMS gyroscope control circuit
CN111780736B (zh) * 2020-05-28 2022-03-08 深迪半导体(绍兴)有限公司 微机械结构驱动幅度校正系统及方法
CN112146637B (zh) * 2020-08-24 2022-10-28 南京理工大学 一种微机电陀螺的全角模式电路增益误差自补偿系统
TWI797602B (zh) * 2021-04-29 2023-04-01 財團法人工業技術研究院 具校正功能的微機電感測裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101520327A (zh) * 2008-02-29 2009-09-02 精工爱普生株式会社 物理量测定装置以及电子设备
CN102109345A (zh) * 2010-12-13 2011-06-29 谢元平 微机械陀螺数字信号处理方法与装置
US20110179868A1 (en) * 2009-02-10 2011-07-28 Panasonic Corporation Physical quantity sensor system and physical quantity sensor device
CN203719664U (zh) * 2012-04-05 2014-07-16 快捷半导体(苏州)有限公司 用于数字自动增益控制的设备

Family Cites Families (333)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3231729A (en) 1961-03-31 1966-01-25 Systems Inc Comp Dynamic storage analog computer
US4511848A (en) 1983-06-15 1985-04-16 Watson Industries, Inc. Synchronous AM demodulator with quadrature signal cancellation
US5354695A (en) 1992-04-08 1994-10-11 Leedy Glenn J Membrane dielectric isolation IC fabrication
US4896156A (en) 1988-10-03 1990-01-23 General Electric Company Switched-capacitance coupling networks for differential-input amplifiers, not requiring balanced input signals
TW520072U (en) 1991-07-08 2003-02-01 Samsung Electronics Co Ltd A semiconductor device having a multi-layer metal contact
DK195991A (da) 1991-12-04 1993-06-05 Jeppe Forchhammer Modificerede & supplerende anordninger for sikring/overvaagning af genstande
DE69206770T2 (de) 1991-12-19 1996-07-11 Motorola Inc Dreiachsiger Beschleunigungsmesser
US5491604A (en) 1992-12-11 1996-02-13 The Regents Of The University Of California Q-controlled microresonators and tunable electronic filters using such resonators
FR2700003B1 (fr) 1992-12-28 1995-02-10 Commissariat Energie Atomique Procédé de fabrication d'un capteur de pression utilisant la technologie silicium sur isolant et capteur obtenu.
EP0662214A1 (de) 1993-07-24 1995-07-12 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kapazitive drucksensoren mit hoher linearität
US5426970A (en) 1993-08-02 1995-06-27 New Sd, Inc. Rotation rate sensor with built in test circuit
US5481914A (en) 1994-03-28 1996-01-09 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Electronics for coriolis force and other sensors
US5703292A (en) 1994-03-28 1997-12-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor having an off-frequency drive scheme and a sense bias generator utilizing tuned circuits
US5765046A (en) 1994-08-31 1998-06-09 Nikon Corporation Piezoelectric vibration angular velocity meter and camera using the same
JPH0989927A (ja) 1995-09-28 1997-04-04 Zexel Corp 多軸加速度センサ
SE9500729L (sv) 1995-02-27 1996-08-28 Gert Andersson Anordning för mätning av vinkelhastighet i enkristallint material samt förfarande för framställning av sådan
US5656778A (en) 1995-04-24 1997-08-12 Kearfott Guidance And Navigation Corporation Micromachined acceleration and coriolis sensor
US5659195A (en) 1995-06-08 1997-08-19 The Regents Of The University Of California CMOS integrated microsensor with a precision measurement circuit
US5760465A (en) 1996-02-01 1998-06-02 International Business Machines Corporation Electronic package with strain relief means
JP3125675B2 (ja) 1996-03-29 2001-01-22 三菱電機株式会社 容量型センサインターフェース回路
JPH09318649A (ja) 1996-05-30 1997-12-12 Texas Instr Japan Ltd 複合センサ
US5992233A (en) 1996-05-31 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Micromachined Z-axis vibratory rate gyroscope
JPH10239347A (ja) 1997-02-28 1998-09-11 Japan Aviation Electron Ind Ltd 運動センサ
EP0871213A3 (en) 1997-03-27 1999-03-03 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing vias having variable sidewall profile
JP3050161B2 (ja) 1997-04-18 2000-06-12 日本電気株式会社 半導体装置及びその製造方法
CN1206110A (zh) 1997-07-14 1999-01-27 利顿系统有限公司 惯性传感器的信号处理系统
KR100326878B1 (ko) 1997-08-05 2002-05-09 니시무로 타이죠 증폭회로
JP3753209B2 (ja) 1997-08-27 2006-03-08 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JPH11352143A (ja) 1998-04-06 1999-12-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 加速度センサ
US6253612B1 (en) 1998-06-05 2001-07-03 Integrated Micro Instruments, Inc. Generation of mechanical oscillation applicable to vibratory rate gyroscopes
JP3882972B2 (ja) 1998-06-18 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP3882973B2 (ja) 1998-06-22 2007-02-21 アイシン精機株式会社 角速度センサ
JP2000046560A (ja) 1998-07-31 2000-02-18 Aisin Seiki Co Ltd 角速度センサ
US6236096B1 (en) 1998-10-06 2001-05-22 National Science Council Of Republic Of China Structure of a three-electrode capacitive pressure sensor
US6351996B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Maxim Integrated Products, Inc. Hermetic packaging for semiconductor pressure sensors
JP3363862B2 (ja) 1999-01-22 2003-01-08 キヤノン株式会社 ジャイロ、それを備えたカメラ、レンズ及び自動車
DE19910415B4 (de) 1999-03-10 2010-12-09 Robert Bosch Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Abstimmen eines ersten Oszillators mit einem zweiten Oszillator
EP1055910B1 (en) 1999-05-28 2009-01-28 Alps Electric Co., Ltd. Driving apparatus of piezoelectric vibrator
US7051590B1 (en) 1999-06-15 2006-05-30 Analog Devices Imi, Inc. Structure for attenuation or cancellation of quadrature error
US6516651B1 (en) 1999-07-22 2003-02-11 Analog Devices, Inc. Coriolis effect transducer
US6522762B1 (en) 1999-09-07 2003-02-18 Microtronic A/S Silicon-based sensor system
US6230566B1 (en) 1999-10-01 2001-05-15 The Regents Of The University Of California Micromachined low frequency rocking accelerometer with capacitive pickoff
US6301965B1 (en) 1999-12-14 2001-10-16 Sandia Corporation Microelectromechanical accelerometer with resonance-cancelling control circuit including an idle state
IT1314296B1 (it) 1999-12-21 2002-12-09 St Microelectronics Srl Struttura resistiva integrata su un substrato semiconduttore
US6629448B1 (en) 2000-02-25 2003-10-07 Seagate Technology Llc In-situ testing of a MEMS accelerometer in a disc storage system
US6370937B2 (en) 2000-03-17 2002-04-16 Microsensors, Inc. Method of canceling quadrature error in an angular rate sensor
JP4729801B2 (ja) 2000-03-17 2011-07-20 アイシン精機株式会社 振動子駆動装置及び振動子駆動装置を備えた角速度センサ
US6390905B1 (en) 2000-03-31 2002-05-21 Speedfam-Ipec Corporation Workpiece carrier with adjustable pressure zones and barriers
AU2001253093A1 (en) 2000-04-04 2001-10-15 Rosemount Aerospace Inc. Three axis accelerometer
US6366468B1 (en) 2000-04-28 2002-04-02 Hewlett-Packard Company Self-aligned common carrier
US6214644B1 (en) 2000-06-30 2001-04-10 Amkor Technology, Inc. Flip-chip micromachine package fabrication method
US6988408B2 (en) 2000-07-13 2006-01-24 Dong-Il Cho Surface/bulk micromachined single-crystalline silicon micro-gyroscope
US7523537B1 (en) 2000-07-13 2009-04-28 Custom Sensors & Technologies, Inc. Method of manufacturing a tuning fork with reduced quadrature errror and symmetrical mass balancing
US7083997B2 (en) 2000-08-03 2006-08-01 Analog Devices, Inc. Bonded wafer optical MEMS process
US6553835B1 (en) 2000-09-15 2003-04-29 Bei Technologies, Inc. Inertial rate sensor and method with improved clocking
US6501282B1 (en) 2000-09-29 2002-12-31 Rockwell Automation Technologies, Inc. Highly sensitive capacitance comparison circuit
US7166910B2 (en) 2000-11-28 2007-01-23 Knowles Electronics Llc Miniature silicon condenser microphone
DE10059775C2 (de) 2000-12-01 2003-11-27 Hahn Schickard Ges Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von analogen Ausgangssignalen von kapazitiven Sensoren
FR2819064B1 (fr) 2000-12-29 2003-04-04 St Microelectronics Sa Regulateur de tension a stabilite amelioree
WO2002087083A1 (en) 2001-04-18 2002-10-31 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Digital method and system for determining the instantaneous phase and amplitude of a vibratory accelerometer and other sensors
SG106612A1 (en) 2001-05-29 2004-10-29 Sony Electronics Singapore Pte A force sensing device
US6504385B2 (en) 2001-05-31 2003-01-07 Hewlett-Pakcard Company Three-axis motion sensor
US6513380B2 (en) 2001-06-19 2003-02-04 Microsensors, Inc. MEMS sensor with single central anchor and motion-limiting connection geometry
US6683692B2 (en) 2001-06-21 2004-01-27 Honeywell International Dither system for motion sensors
US20030033850A1 (en) 2001-08-09 2003-02-20 Challoner A. Dorian Cloverleaf microgyroscope with electrostatic alignment and tuning
US6937479B2 (en) 2001-08-21 2005-08-30 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Sensor isolation system
US6598475B2 (en) 2001-09-20 2003-07-29 Honeywell International Inc. Micromechanical inertial sensor having increased pickoff resonance damping
EP1472507B1 (en) 2002-02-06 2011-05-11 Analog Devices, Inc. Micromachined gyroscope
US6714070B1 (en) 2002-02-07 2004-03-30 Bei Technologies, Inc. Differential charge amplifier with built-in testing for rotation rate sensor
US6785117B2 (en) 2002-03-15 2004-08-31 Denso Corporation Capacitive device
US6725719B2 (en) 2002-04-17 2004-04-27 Milli Sensor Systems And Actuators, Inc. MEMS-integrated inertial measurement units on a common substrate
US6854315B2 (en) 2002-04-22 2005-02-15 Northrop Grumman Corporation Quadrature compensation technique for vibrating gyroscopes
US7217588B2 (en) 2005-01-05 2007-05-15 Sharp Laboratories Of America, Inc. Integrated MEMS packaging
CN1659810B (zh) 2002-04-29 2012-04-25 三星电子株式会社 直接连接信号传送系统
US6701786B2 (en) 2002-04-29 2004-03-09 L-3 Communications Corporation Closed loop analog gyro rate sensor
US6992399B2 (en) 2002-05-24 2006-01-31 Northrop Grumman Corporation Die connected with integrated circuit component for electrical signal passing therebetween
US6915215B2 (en) * 2002-06-25 2005-07-05 The Boeing Company Integrated low power digital gyro control electronics
US6781231B2 (en) 2002-09-10 2004-08-24 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with environmental and interference shield
US6737742B2 (en) 2002-09-11 2004-05-18 International Business Machines Corporation Stacked package for integrated circuits
US7477529B2 (en) 2002-11-01 2009-01-13 Honeywell International Inc. High-voltage power supply
US7187735B2 (en) 2003-01-28 2007-03-06 Raytheon Company Mixed technology MEMS/SiGe BiCMOS digitalized analog front end with direct RF sampling
EP1594800B1 (en) 2003-02-11 2007-01-24 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing an electronic device and electronic device
US20040231420A1 (en) 2003-02-24 2004-11-25 Huikai Xie Integrated monolithic tri-axial micromachined accelerometer
JP4336946B2 (ja) 2003-03-20 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 回転角速度の測定方法および装置
US7119511B2 (en) 2003-04-11 2006-10-10 International Business Machines Corporation Servo system for a two-dimensional micro-electromechanical system (MEMS)-based scanner and method therefor
DE10317159B4 (de) 2003-04-14 2007-10-11 Litef Gmbh Verfahren zur Kompensation eines Nullpunktfehlers in einem Corioliskreisel
US6848304B2 (en) 2003-04-28 2005-02-01 Analog Devices, Inc. Six degree-of-freedom micro-machined multi-sensor
US7005193B2 (en) 2003-04-29 2006-02-28 Motorola, Inc. Method of adding mass to MEMS structures
JP4123044B2 (ja) 2003-05-13 2008-07-23 ソニー株式会社 マイクロマシンおよびその製造方法
JP2005024310A (ja) 2003-06-30 2005-01-27 Kyocera Kinseki Corp 慣性センサ
US6845670B1 (en) 2003-07-08 2005-01-25 Freescale Semiconductor, Inc. Single proof mass, 3 axis MEMS transducer
GB0322236D0 (en) 2003-09-23 2003-10-22 Qinetiq Ltd Resonant magnetometer device
JP2005123591A (ja) 2003-09-25 2005-05-12 Rohm Co Ltd 半導体装置及びこれを実装した電子機器
JP4433747B2 (ja) 2003-09-29 2010-03-17 株式会社村田製作所 角速度検出装置
US7627441B2 (en) 2003-09-30 2009-12-01 Rosemount Inc. Process device with vibration based diagnostics
JP4645013B2 (ja) 2003-10-03 2011-03-09 パナソニック株式会社 加速度センサ及びそれを用いた複合センサ
EP1692457A4 (en) 2003-12-11 2007-09-26 Proteus Biomedical Inc IMPLANT PRESSURE SENSORS
DE10360962B4 (de) 2003-12-23 2007-05-31 Litef Gmbh Verfahren zur Quadraturbias-Kompensation in einem Corioliskreisel sowie dafür geeigneter Corioliskreisel
US7173402B2 (en) 2004-02-25 2007-02-06 O2 Micro, Inc. Low dropout voltage regulator
WO2005086532A2 (en) 2004-03-01 2005-09-15 Tessera, Inc. Packaged acoustic and electromagnetic transducer chips
US6912082B1 (en) 2004-03-11 2005-06-28 Palo Alto Research Center Incorporated Integrated driver electronics for MEMS device using high voltage thin film transistors
JP3875240B2 (ja) 2004-03-31 2007-01-31 株式会社東芝 電子部品の製造方法
TWI255341B (en) 2004-06-10 2006-05-21 Chung Shan Inst Of Science Miniature accelerator
JP4412477B2 (ja) 2004-06-11 2010-02-10 株式会社デンソー 振動型角速度センサ
CN100368773C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的单路谐波提取方法及提取装置
CN100368772C (zh) 2004-06-29 2008-02-13 东南大学 电容式微陀螺敏感信号的双路谐波提取方法及提取装置
US7301212B1 (en) 2004-07-30 2007-11-27 National Semiconductor Corporation MEMS microphone
EP1624285B1 (en) 2004-08-03 2014-07-23 STMicroelectronics Srl Resonant micro-electro-mechanical system and gyroscope
US7266349B2 (en) 2004-08-06 2007-09-04 Broadcom Corporation Multi-mode crystal oscillator
US7929714B2 (en) 2004-08-11 2011-04-19 Qualcomm Incorporated Integrated audio codec with silicon audio transducer
US7421898B2 (en) 2004-08-16 2008-09-09 The Regents Of The University Of California Torsional nonresonant z-axis micromachined gyroscope with non-resonant actuation to measure the angular rotation of an object
JP4139800B2 (ja) 2004-08-24 2008-08-27 松下電器産業株式会社 Ａｇｃ回路
US7170187B2 (en) 2004-08-31 2007-01-30 International Business Machines Corporation Low stress conductive polymer bump
CN101044684B (zh) 2004-09-17 2012-11-14 美国亚德诺半导体公司 使用斩波稳定的多位连续时间前端∑-△adc
JP4353087B2 (ja) 2004-12-01 2009-10-28 株式会社デンソー 回転振動型角速度センサ
JP4969822B2 (ja) 2004-12-06 2012-07-04 株式会社デンソー センサ装置
US7358151B2 (en) 2004-12-21 2008-04-15 Sony Corporation Microelectromechanical system microphone fabrication including signal processing circuitry on common substrate
US20060169041A1 (en) 2005-02-02 2006-08-03 Madni Asad M Combined gyroscope and 2-axis accelerometer
DE102005008512B4 (de) 2005-02-24 2016-06-23 Epcos Ag Elektrisches Modul mit einem MEMS-Mikrofon
US7481109B2 (en) 2005-03-04 2009-01-27 Custom Sensors & Technologies, Inc. Inertial measurement system and method with bias cancellation
US20060207327A1 (en) 2005-03-16 2006-09-21 Zarabadi Seyed R Linear accelerometer
US7442570B2 (en) 2005-03-18 2008-10-28 Invensence Inc. Method of fabrication of a AL/GE bonding in a wafer packaging environment and a product produced therefrom
US7213458B2 (en) 2005-03-22 2007-05-08 Honeywell International Inc. Quadrature reduction in MEMS gyro devices using quad steering voltages
US7231824B2 (en) 2005-03-22 2007-06-19 Honeywell International Inc. Use of electrodes to cancel lift effects in inertial sensors
JP4453587B2 (ja) 2005-03-24 2010-04-21 株式会社デンソー 加速度センサ
EP1715580B1 (en) 2005-03-31 2018-11-28 STMicroelectronics Srl Device for controlling the resonance frequency of a MEMS resonator
US20070071268A1 (en) 2005-08-16 2007-03-29 Analog Devices, Inc. Packaged microphone with electrically coupled lid
US7885423B2 (en) 2005-04-25 2011-02-08 Analog Devices, Inc. Support apparatus for microphone diaphragm
US7449355B2 (en) 2005-04-27 2008-11-11 Robert Bosch Gmbh Anti-stiction technique for electromechanical systems and electromechanical device employing same
JP4885211B2 (ja) 2005-05-18 2012-02-29 コロ テクノロジーズ インコーポレイテッド 微細電子機械変換器
CN101180516B (zh) 2005-05-24 2011-09-14 独立行政法人宇宙航空研究开发机构 陀螺仪
US7339384B2 (en) 2005-06-02 2008-03-04 Georgia Tech Research Corporation System and method for sensing capacitance change of a capacitive sensor
CN101213461B (zh) 2005-06-03 2013-01-02 辛纳普蒂克斯公司 使用sigma-delta测量技术检测电容的方法和系统
US7240552B2 (en) 2005-06-06 2007-07-10 Bei Technologies, Inc. Torsional rate sensor with momentum balance and mode decoupling
JP2007024864A (ja) 2005-06-16 2007-02-01 Mitsubishi Electric Corp 振動ジャイロ
FI119299B (fi) 2005-06-17 2008-09-30 Vti Technologies Oy Menetelmä kapasitiivisen kiihtyvyysanturin valmistamiseksi ja kapasitiivinen kiihtyvyysanturi
WO2006134580A2 (en) 2005-06-17 2006-12-21 Kolo Technologies, Inc. Micro-electro-mechanical transducer having an insulation extension
US7202552B2 (en) 2005-07-15 2007-04-10 Silicon Matrix Pte. Ltd. MEMS package using flexible substrates, and method thereof
JP4740678B2 (ja) 2005-07-27 2011-08-03 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置
US7565839B2 (en) 2005-08-08 2009-07-28 Northrop Grumman Guidance And Electronics Company, Inc. Bias and quadrature reduction in class II coriolis vibratory gyros
EP1915320A1 (en) 2005-08-11 2008-04-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method for manufacturing a microelectronic package comprising a silicon mems microphone
US20070220973A1 (en) 2005-08-12 2007-09-27 Cenk Acar Multi-axis micromachined accelerometer and rate sensor
US7284430B2 (en) 2005-08-15 2007-10-23 The Regents Of The University Of California Robust micromachined gyroscopes with two degrees of freedom sense-mode oscillator
US20070040231A1 (en) 2005-08-16 2007-02-22 Harney Kieran P Partially etched leadframe packages having different top and bottom topologies
US7932182B2 (en) 2005-08-19 2011-04-26 Honeywell International Inc. Creating novel structures using deep trenching of oriented silicon substrates
US8130979B2 (en) 2005-08-23 2012-03-06 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US7622782B2 (en) 2005-08-24 2009-11-24 General Electric Company Pressure sensors and methods of making the same
WO2007038310A1 (en) 2005-09-23 2007-04-05 California Institute Of Technology A mm-WAVE FULLY INTEGRATED PHASED ARRAY RECEIVER AND TRANSMITTER WITH ON CHIP ANTENNAS
US8027143B2 (en) 2005-10-14 2011-09-27 Epcos Ag MEMS tunable device
CA2626678A1 (en) 2005-10-18 2007-04-26 Tursiop Technologies, Llc Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging
US7679364B2 (en) 2005-10-18 2010-03-16 Tursiop Technologies Llc Method and apparatus for high-gain magnetic resonance imaging
JP2007114078A (ja) 2005-10-21 2007-05-10 Sony Corp Ｍｅｍｓセンサの駆動装置およびその駆動方法、並びにｍｅｍｓを用いたアクティブセンサ
US7258011B2 (en) 2005-11-21 2007-08-21 Invensense Inc. Multiple axis accelerometer
US20070114643A1 (en) 2005-11-22 2007-05-24 Honeywell International Inc. Mems flip-chip packaging
US7518493B2 (en) 2005-12-01 2009-04-14 Lv Sensors, Inc. Integrated tire pressure sensor system
US7539003B2 (en) 2005-12-01 2009-05-26 Lv Sensors, Inc. Capacitive micro-electro-mechanical sensors with single crystal silicon electrodes
EP1793497B1 (en) 2005-12-02 2011-04-27 STMicroelectronics Srl Device and method for reading a capacitive sensor, in particular of a micro-electromechanical type
US8113050B2 (en) 2006-01-25 2012-02-14 The Regents Of The University Of California Robust six degree-of-freedom micromachined gyroscope with anti-phase drive scheme and method of operation of the same
US7290435B2 (en) 2006-02-06 2007-11-06 Invensense Inc. Method and apparatus for electronic cancellation of quadrature error
GB2454603B (en) 2006-02-24 2010-05-05 Wolfson Microelectronics Plc Mems device
US7436054B2 (en) 2006-03-03 2008-10-14 Silicon Matrix, Pte. Ltd. MEMS microphone with a stacked PCB package and method of producing the same
CN100451547C (zh) 2006-03-09 2009-01-14 上海交通大学 双定子电磁悬浮转子微转动陀螺
EP1832841B1 (en) 2006-03-10 2015-12-30 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion
US7589390B2 (en) 2006-03-10 2009-09-15 Teledyne Technologies, Incorporated Shielded through-via
JP2009530603A (ja) 2006-03-13 2009-08-27 イシャイ センソールス エル ティー デー． 二軸振動ジャイロスコープ
FR2898683B1 (fr) 2006-03-14 2008-05-23 Commissariat Energie Atomique Accelerometre triaxial a membrane
GB0605576D0 (en) 2006-03-20 2006-04-26 Oligon Ltd MEMS device
JP2007292499A (ja) 2006-04-21 2007-11-08 Sony Corp モーションセンサ及びその製造方法
US7726188B2 (en) 2006-04-24 2010-06-01 Millisensor Systems + Actuators Scale factor measurement for mems gyroscopes and accelerometers
US7561277B2 (en) 2006-05-19 2009-07-14 New Jersey Institute Of Technology MEMS fiber optic microphone
JP4310325B2 (ja) 2006-05-24 2009-08-05 日立金属株式会社 角速度センサ
US7444869B2 (en) 2006-06-29 2008-11-04 Honeywell International Inc. Force rebalancing and parametric amplification of MEMS inertial sensors
US7454967B2 (en) 2006-07-10 2008-11-25 Lv Sensors, Inc. Signal conditioning methods and circuits for a capacitive sensing integrated tire pressure sensor
US7538705B2 (en) 2006-07-25 2009-05-26 Microchip Technology Incorporated Offset cancellation and reduced source induced 1/f noise of voltage reference by using bit stream from over-sampling analog-to-digital converter
TWI301823B (en) 2006-08-29 2008-10-11 Ind Tech Res Inst Package structure and packaging method of mems microphone
JP5294228B2 (ja) 2006-09-27 2013-09-18 シチズンホールディングス株式会社 物理量センサ
CN101568805B (zh) 2006-09-28 2011-05-04 麦德托尼克公司 低功率传感器系统的电容接口电路
KR100831405B1 (ko) 2006-10-02 2008-05-21 (주) 파이오닉스 웨이퍼 본딩 패키징 방법
US7675162B2 (en) 2006-10-03 2010-03-09 Innovative Micro Technology Interconnect structure using through wafer vias and method of fabrication
US20080083958A1 (en) 2006-10-05 2008-04-10 Wen-Chieh Wei Micro-electromechanical system package
DE102006048381A1 (de) 2006-10-12 2008-04-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Sensor zur Erfassung von Beschleunigungen
US7461552B2 (en) 2006-10-23 2008-12-09 Custom Sensors & Technologies, Inc. Dual axis rate sensor
US7982570B2 (en) 2006-11-07 2011-07-19 General Electric Company High performance low volume inductor and method of making same
CN1948906B (zh) 2006-11-10 2011-03-23 北京大学 一种电容式全解耦水平轴微机械陀螺
US8201449B2 (en) 2006-11-14 2012-06-19 Panasonic Corporation Sensor
US7403756B1 (en) 2006-11-22 2008-07-22 Rockwell Collins, Inc. Highly-integrated MEMS-based miniaturized transceiver
US8026771B2 (en) 2006-11-27 2011-09-27 Seiko Epson Corporation Driver device, physical quantity measuring device, and electronic instrument
TWI315295B (en) 2006-12-29 2009-10-01 Advanced Semiconductor Eng Mems microphone module and method thereof
US7550828B2 (en) 2007-01-03 2009-06-23 Stats Chippac, Inc. Leadframe package for MEMS microphone assembly
US8047075B2 (en) 2007-06-21 2011-11-01 Invensense, Inc. Vertically integrated 3-axis MEMS accelerometer with electronics
US8250921B2 (en) 2007-07-06 2012-08-28 Invensense, Inc. Integrated motion processing unit (MPU) with MEMS inertial sensing and embedded digital electronics
CN101589468A (zh) 2007-01-17 2009-11-25 Nxp股份有限公司 具有通过衬底的通路孔的系统级封装
JP4924370B2 (ja) * 2007-01-26 2012-04-25 パナソニック株式会社 Σδ型ａｄ変換器およびそれを用いた角速度センサ
CN101239697B (zh) 2007-02-06 2013-02-13 万长风 垂直集成微电子机械结构、实现方法及其系统
US7859113B2 (en) 2007-02-27 2010-12-28 International Business Machines Corporation Structure including via having refractory metal collar at copper wire and dielectric layer liner-less interface and related method
US7950281B2 (en) 2007-02-28 2011-05-31 Infineon Technologies Ag Sensor and method for sensing linear acceleration and angular velocity
US7544531B1 (en) 2007-03-13 2009-06-09 Sitime Inc. Ground strap for suppressing stiction during MEMS fabrication
JP2008256438A (ja) 2007-04-03 2008-10-23 Sony Corp 慣性センサ及び電気・電子機器
US20080251866A1 (en) 2007-04-10 2008-10-16 Honeywell International Inc. Low-stress hermetic die attach
CN101038299A (zh) 2007-04-21 2007-09-19 中北大学 基于单质量块的单轴集成惯性测量器件
US8006557B2 (en) 2007-05-16 2011-08-30 Intellisense Software Corporation Multi-axis sensor
CN100526800C (zh) 2007-05-31 2009-08-12 上海交通大学 挠性静电补偿式线圈加矩流体微陀螺仪
CN101316462B (zh) 2007-06-01 2012-11-28 财团法人工业技术研究院 微机电系统麦克风封装体及其封装组件
US8049326B2 (en) 2007-06-07 2011-11-01 The Regents Of The University Of Michigan Environment-resistant module, micropackage and methods of manufacturing same
CN101067555B (zh) 2007-06-08 2010-11-10 北京航空航天大学 力平衡式谐振微机械陀螺
US7817331B2 (en) 2007-06-21 2010-10-19 Jds Uniphase Corporation MEMS device with an angular vertical comb actuator
US8061201B2 (en) 2007-07-13 2011-11-22 Georgia Tech Research Corporation Readout method and electronic bandwidth control for a silicon in-plane tuning fork gyroscope
DE102007035806B4 (de) 2007-07-31 2011-03-17 Sensordynamics Ag Mikromechanischer Drehratensensor
TWI333933B (en) 2007-08-17 2010-12-01 Advanced Semiconductor Eng Microelectromechanical-system package and method for manufacturing the same
US20090175477A1 (en) 2007-08-20 2009-07-09 Yamaha Corporation Vibration transducer
JP5045616B2 (ja) 2007-08-30 2012-10-10 株式会社デンソー 容量式物理量検出装置
US8042394B2 (en) 2007-09-11 2011-10-25 Stmicroelectronics S.R.L. High sensitivity microelectromechanical sensor with rotary driving motion
WO2009038736A2 (en) 2007-09-19 2009-03-26 Georgia Tech Research Corporation Single-resonator dual-frequency lateral-extension mode piezoelectric oscillators, and operating methods thereof
US7786738B2 (en) 2007-09-19 2010-08-31 Robert Bosch Gmbh Cancelling low frequency errors in MEMS systems
GB0720412D0 (en) 2007-10-18 2007-11-28 Melexis Nv Combined mems accelerometer and gyroscope
US7677099B2 (en) 2007-11-05 2010-03-16 Invensense Inc. Integrated microelectromechanical systems (MEMS) vibrating mass Z-axis rate sensor
JP5487546B2 (ja) * 2008-02-18 2014-05-07 パナソニック株式会社 角速度センサ
JP4508230B2 (ja) 2007-11-21 2010-07-21 ソニー株式会社 慣性センサ及びその検出装置
CN101459866B (zh) 2007-12-14 2016-02-03 财团法人工业技术研究院 微机电麦克风模块与制作方法
US7830003B2 (en) 2007-12-27 2010-11-09 Honeywell International, Inc. Mechanical isolation for MEMS devices
CN101217263B (zh) 2008-01-17 2010-12-15 埃派克森微电子有限公司 放大器直流失调电压的补偿方法与装置
US20090183570A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Custom Sensors & Technologies, Inc. Micromachined cross-differential dual-axis accelerometer
US20090194829A1 (en) 2008-01-31 2009-08-06 Shine Chung MEMS Packaging Including Integrated Circuit Dies
JP2009186213A (ja) 2008-02-04 2009-08-20 Denso Corp ジャイロセンサユニット
CN101270988B (zh) 2008-03-14 2011-11-30 江苏英特神斯科技有限公司 多轴惯性传感器及测量多轴平动和转动加速度的方法
US7984648B2 (en) 2008-04-10 2011-07-26 Honeywell International Inc. Systems and methods for acceleration and rotational determination from an in-plane and out-of-plane MEMS device
DE102008002748A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Sensordynamics Ag Mikro-Gyroskop
TW201004857A (en) 2008-07-23 2010-02-01 Ind Tech Res Inst A packaging structure and method for integration of microelectronics and MEMS devices by 3D stacking
JP2010025898A (ja) 2008-07-24 2010-02-04 Yamaha Corp Ｍｅｍｓセンサ
DE102008040855B4 (de) 2008-07-30 2022-05-25 Robert Bosch Gmbh Dreiachsiger Beschleunigungssensor
CN101638211A (zh) 2008-08-01 2010-02-03 财团法人工业技术研究院 整合型立体堆叠封装结构及其制造方法
US8450817B2 (en) 2008-08-14 2013-05-28 Knowles Electronics Llc Microelectromechanical system package with strain relief bridge
US8193596B2 (en) 2008-09-03 2012-06-05 Solid State System Co., Ltd. Micro-electro-mechanical systems (MEMS) package
TWI374268B (en) 2008-09-05 2012-10-11 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
CN101666813B (zh) 2008-09-05 2011-12-21 财团法人工业技术研究院 电容式多轴加速度计
US7851925B2 (en) 2008-09-19 2010-12-14 Infineon Technologies Ag Wafer level packaged MEMS integrated circuit
JP2010078500A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Toshiba Corp 慣性センサ
US8499629B2 (en) 2008-10-10 2013-08-06 Honeywell International Inc. Mounting system for torsional suspension of a MEMS device
US8661898B2 (en) 2008-10-14 2014-03-04 Watson Industries, Inc. Vibrating structural gyroscope with quadrature control
WO2010044741A1 (en) 2008-10-15 2010-04-22 ÅAC Microtec AB Method for making via interconnection
US7859352B2 (en) 2008-10-15 2010-12-28 Honeywell International Inc. Systems and methods to overcome DC offsets in amplifiers used to start resonant micro-electro mechanical systems
US7965067B2 (en) 2008-10-31 2011-06-21 Texas Instruments Incorporated Dynamic compensation for a pre-regulated charge pump
WO2010051560A1 (en) 2008-11-03 2010-05-06 Georgia Tech Research Corporation Vibratory gyroscope utilizing a frequency-based measurement and providing a frequency output
JP2010118556A (ja) 2008-11-13 2010-05-27 Furukawa Electric Co Ltd:The 半導体装置および半導体装置の製造方法
TW201020548A (en) 2008-11-18 2010-06-01 Ind Tech Res Inst Multi-axis capacitive accelerometer
US8205498B2 (en) 2008-11-18 2012-06-26 Industrial Technology Research Institute Multi-axis capacitive accelerometer
DE102008044053B4 (de) 2008-11-25 2022-07-14 Robert Bosch Gmbh Quadraturkompensation für einen Drehratensensor
IT1391972B1 (it) 2008-11-26 2012-02-02 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con movimento di azionamento rotatorio e migliorate caratteristiche elettriche
GB2466785B (en) 2008-12-30 2011-06-08 Wolfson Microelectronics Plc Apparatus and method for testing a capacitive transducer and/or associated electronic circuitry
US7817075B2 (en) 2009-02-03 2010-10-19 Windtop Technology Corp. Apparatus for converting MEMS inductive capacitance
JP2010190766A (ja) 2009-02-19 2010-09-02 Seiko Epson Corp 発振駆動装置、物理量測定装置及び電子機器
TWI391663B (zh) 2009-02-25 2013-04-01 Nat Univ Tsing Hua 加速度計
US7775119B1 (en) 2009-03-03 2010-08-17 S3C, Inc. Media-compatible electrically isolated pressure sensor for high temperature applications
US8256290B2 (en) 2009-03-17 2012-09-04 Minyao Mao Tri-axis angular rate sensor
CN101858928B (zh) 2009-04-10 2012-09-05 利顺精密科技股份有限公司 微电机系统电容式三轴加速度器
US8156805B2 (en) 2009-04-15 2012-04-17 Freescale Semiconductor, Inc. MEMS inertial sensor with frequency control and method
EP2252077B1 (en) 2009-05-11 2012-07-11 STMicroelectronics Srl Assembly of a capacitive acoustic transducer of the microelectromechanical type and package thereof
US8151641B2 (en) 2009-05-21 2012-04-10 Analog Devices, Inc. Mode-matching apparatus and method for micromachined inertial sensors
CN101561275B (zh) 2009-05-27 2012-01-04 上海交通大学 利用电磁和电荷弛豫工作的悬浮转子微陀螺
IT1394898B1 (it) 2009-06-03 2012-07-20 St Microelectronics Rousset Giroscopio microelettromeccanico con attuazione a controllo di posizione e metodo per il controllo di un giroscopio microelettromeccanico
IT1394627B1 (it) 2009-06-05 2012-07-05 St Microelectronics Rousset Filtro passabanda a condensatori commutati di tipo tempo-discreto, in particolare per la cancellazione dell'offset e di rumore a bassa frequenza di stadi a condensatori commutati
US8661871B2 (en) 2009-07-31 2014-03-04 Stmicroelectronics S.R.L. Method for testing a microelectromechanical device, microelectromechanical device
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
WO2011016859A2 (en) 2009-08-04 2011-02-10 Cenk Acar Micromachined inertial sensor devices
US8266961B2 (en) 2009-08-04 2012-09-18 Analog Devices, Inc. Inertial sensors with reduced sensitivity to quadrature errors and micromachining inaccuracies
CN101634662B (zh) 2009-08-07 2011-01-26 北京大学 微加速度计及其制备方法
US8456173B2 (en) 2009-09-30 2013-06-04 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument
WO2011045909A1 (ja) * 2009-10-13 2011-04-21 パナソニック株式会社 角速度センサ
US8549915B2 (en) 2009-10-23 2013-10-08 The Regents Of The University Of California Micromachined gyroscopes with 2-DOF sense modes allowing interchangeable robust and precision operation
US8421168B2 (en) 2009-11-17 2013-04-16 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical systems microphone packaging systems
JP2011112455A (ja) 2009-11-25 2011-06-09 Seiko Epson Corp Ｍｅｍｓセンサー及びその製造方法並びに電子機器
JP5115618B2 (ja) 2009-12-17 2013-01-09 株式会社デンソー 半導体装置
EP2336717B1 (en) 2009-12-21 2012-09-19 STMicroelectronics Srl Microelectromechanical device having an oscillating mass, and method for controlling a microelectromechanical device having an oscillating mass
US8578775B2 (en) * 2010-02-08 2013-11-12 Freescale Semiconductor, Inc. Generation, injection and use of pilot tones for gyro system characterization
US8004354B1 (en) 2010-02-12 2011-08-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Automatic level control
GB201003539D0 (en) 2010-03-03 2010-04-21 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
DE102011005744A1 (de) 2010-03-17 2011-09-22 Continental Teves Ag & Co. Ohg Verfahren zur entkoppelten Regelung der Quadratur und der Resonanzfrequenz eines mikromechanischen Gyroskops
US20110234312A1 (en) 2010-03-24 2011-09-29 Texas Instruments Incorporated Amplifier with improved stability
CN101813480B (zh) 2010-04-20 2012-02-15 浙江大学 一种具有电调谐功能的微机械梳状栅电容陀螺
US8516886B2 (en) 2010-04-30 2013-08-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Micromachined piezoelectric X-Axis gyroscope
GB201008195D0 (en) 2010-05-17 2010-06-30 Silicon Sensing Systems Ltd Sensor
US8378756B2 (en) 2010-05-18 2013-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Drive loop for MEMS oscillator
CN201688848U (zh) 2010-05-28 2010-12-29 南京理工大学 双质量振动式硅微机械陀螺仪接口电路
JP2011259293A (ja) 2010-06-10 2011-12-22 Alps Electric Co Ltd デジタルフィルタ
CN101916754B (zh) 2010-06-29 2012-08-29 香港应用科技研究院有限公司 通孔和通孔形成方法以及通孔填充方法
US8508290B2 (en) 2010-09-14 2013-08-13 Ayman Elsayed Interface for MEMS inertial sensors
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
US9455354B2 (en) 2010-09-18 2016-09-27 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
CN103221333B (zh) 2010-09-18 2017-05-31 快捷半导体公司 多晶片mems封装
DE112011103124T5 (de) 2010-09-18 2013-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation Biegelager zum Verringern von Quadratur für mitschwingende mikromechanische Vorrichtungen
WO2012037538A2 (en) 2010-09-18 2012-03-22 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
CN103210278B (zh) 2010-09-20 2015-09-09 快捷半导体公司 模式匹配电路、方法和系统
KR101332701B1 (ko) 2010-09-20 2013-11-25 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 기준 커패시터를 포함하는 미소 전자기계 압력 센서
WO2012040245A2 (en) 2010-09-20 2012-03-29 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
US9003882B1 (en) 2010-11-03 2015-04-14 Georgia Tech Research Corporation Vibratory tuning fork based six-degrees of freedom inertial measurement MEMS device
US9171964B2 (en) 2010-11-23 2015-10-27 Honeywell International Inc. Systems and methods for a three-layer chip-scale MEMS device
CN102156201B (zh) 2010-11-30 2013-01-30 电子科技大学 一种基于soi工艺及微组装技术的三轴电容式微加速度计
CA2820580A1 (en) 2010-12-07 2012-06-14 Georgia Tech Research Corporation Mode-matched single proof-mass dual-axis gyroscope and method of fabrication
EP2466257A1 (en) 2010-12-15 2012-06-20 SensoNor Technologies AS Method for matching the natural frequencies of the drive and sense oscillators in a vibrating coriolis gyroscope
US8569861B2 (en) 2010-12-22 2013-10-29 Analog Devices, Inc. Vertically integrated systems
EP2527788A1 (en) 2011-05-26 2012-11-28 Maxim Integrated Products, Inc. Quadrature error compensation
US9540230B2 (en) 2011-06-27 2017-01-10 Invensense, Inc. Methods for CMOS-MEMS integrated devices with multiple sealed cavities maintained at various pressures
US8824706B2 (en) 2011-08-30 2014-09-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Piezoelectric microphone fabricated on glass
CN102337541A (zh) 2011-09-23 2012-02-01 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种制作锥形穿硅通孔时采用的刻蚀方法
KR20130037462A (ko) 2011-10-06 2013-04-16 주식회사 포스코 몰드 보호 유닛 및 이를 구비하는 연속 주조 장치
US8991247B2 (en) 2011-10-21 2015-03-31 The Regents Of The University Of California High range digital angular rate sensor based on frequency modulation
US8884710B2 (en) 2011-10-25 2014-11-11 Invensense, Inc. Gyroscope with phase and duty-cycle locked loop
CN102364671B (zh) 2011-11-03 2013-07-24 中国科学院微电子研究所 制造硅通孔的方法
WO2013070545A1 (en) 2011-11-07 2013-05-16 Landy Toth Metabolic and cardiopulmonary monitor
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
CN104220840B (zh) 2012-02-01 2016-06-01 快捷半导体公司 具有中心悬吊件和环架结构的微机电系统(mems)多轴陀螺仪
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US8754694B2 (en) 2012-04-03 2014-06-17 Fairchild Semiconductor Corporation Accurate ninety-degree phase shifter
CN203301454U (zh) 2012-04-03 2013-11-20 快捷半导体(苏州)有限公司 电子电路
KR102034604B1 (ko) 2012-04-04 2019-10-21 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 가속도계의 자가 테스트
KR102045784B1 (ko) 2012-04-04 2019-11-18 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 병합된 미세 전자기계 가속도계 센서에 대한 초핑을 이용하는 노이즈 감소 방법
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US8742964B2 (en) 2012-04-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Noise reduction method with chopping for a merged MEMS accelerometer sensor
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
KR20130113386A (ko) 2012-04-05 2013-10-15 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 Ａｓｉｃ 집적 캐패시터를 구비한 미소 기전 시스템 자이로스코프의 자가 테스트
EP2647955B8 (en) 2012-04-05 2018-12-19 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature phase shift cancellation
KR102058489B1 (ko) 2012-04-05 2019-12-23 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 멤스 장치 프론트 엔드 전하 증폭기
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
KR101999745B1 (ko) 2012-04-12 2019-10-01 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 미세 전자 기계 시스템 구동기
DE102013014881B4 (de) 2012-09-12 2023-05-04 Fairchild Semiconductor Corporation Verbesserte Silizium-Durchkontaktierung mit einer Füllung aus mehreren Materialien
WO2014093727A1 (en) 2012-12-12 2014-06-19 The Regents Of The University Of California Frequency readout gyroscope
ITTO20130013A1 (it) 2013-01-09 2014-07-10 St Microelectronics Srl Giroscopio microelettromeccanico con compensazione di componenti di segnale di quadratura e metodo di controllo di un giroscopio microelettromeccanico
US9644963B2 (en) 2013-03-15 2017-05-09 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation
KR101462772B1 (ko) 2013-04-12 2014-11-20 삼성전기주식회사 직각 위상 에러 제거수단을 갖는 자가발진 회로 및 그를 이용한 직각 위상 에러 제거방법
US9360319B2 (en) 2013-09-05 2016-06-07 Freescale Semiconductor, Inc. Multiple sense axis MEMS gyroscope having a single drive mode
US9404747B2 (en) 2013-10-30 2016-08-02 Stmicroelectroncs S.R.L. Microelectromechanical gyroscope with compensation of quadrature error drift
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101520327A (zh) * 2008-02-29 2009-09-02 精工爱普生株式会社 物理量测定装置以及电子设备
US20110179868A1 (en) * 2009-02-10 2011-07-28 Panasonic Corporation Physical quantity sensor system and physical quantity sensor device
CN102109345A (zh) * 2010-12-13 2011-06-29 谢元平 微机械陀螺数字信号处理方法与装置
CN203719664U (zh) * 2012-04-05 2014-07-16 快捷半导体(苏州)有限公司 用于数字自动增益控制的设备

Cited By (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8710599B2 (en) 2009-08-04 2014-04-29 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined devices and fabricating the same
US8739626B2 (en) 2009-08-04 2014-06-03 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined inertial sensor devices
US9278846B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 6-axis inertial sensor
US9278845B2 (en) 2010-09-18 2016-03-08 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope Z-axis electrode structure
US9455354B2 (en) 2010-09-18 2016-09-27 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined 3-axis accelerometer with a single proof-mass
US8813564B2 (en) 2010-09-18 2014-08-26 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis gyroscope with central suspension and gimbal structure
US9352961B2 (en) 2010-09-18 2016-05-31 Fairchild Semiconductor Corporation Flexure bearing to reduce quadrature for resonating micromachined devices
US10050155B2 (en) 2010-09-18 2018-08-14 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9095072B2 (en) 2010-09-18 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Multi-die MEMS package
US9156673B2 (en) 2010-09-18 2015-10-13 Fairchild Semiconductor Corporation Packaging to reduce stress on microelectromechanical systems
US9246018B2 (en) 2010-09-18 2016-01-26 Fairchild Semiconductor Corporation Micromachined monolithic 3-axis gyroscope with single drive
US9856132B2 (en) 2010-09-18 2018-01-02 Fairchild Semiconductor Corporation Sealed packaging for microelectromechanical systems
US10065851B2 (en) 2010-09-20 2018-09-04 Fairchild Semiconductor Corporation Microelectromechanical pressure sensor including reference capacitor
US9006846B2 (en) 2010-09-20 2015-04-14 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via with reduced shunt capacitance
US9062972B2 (en) 2012-01-31 2015-06-23 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS multi-axis accelerometer electrode structure
US8978475B2 (en) 2012-02-01 2015-03-17 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split z-axis portions
US9599472B2 (en) 2012-02-01 2017-03-21 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS proof mass with split Z-axis portions
US9488693B2 (en) 2012-04-04 2016-11-08 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS accelerometer with ASICS integrated capacitors
US9618361B2 (en) 2012-04-05 2017-04-11 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device automatic-gain control loop for mechanical amplitude drive
US9444404B2 (en) 2012-04-05 2016-09-13 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device front-end charge amplifier
US9069006B2 (en) 2012-04-05 2015-06-30 Fairchild Semiconductor Corporation Self test of MEMS gyroscope with ASICs integrated capacitors
US10060757B2 (en) 2012-04-05 2018-08-28 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS device quadrature shift cancellation
US9625272B2 (en) 2012-04-12 2017-04-18 Fairchild Semiconductor Corporation MEMS quadrature cancellation and signal demodulation
US9094027B2 (en) 2012-04-12 2015-07-28 Fairchild Semiconductor Corporation Micro-electro-mechanical-system (MEMS) driver
US9802814B2 (en) 2012-09-12 2017-10-31 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US9425328B2 (en) 2012-09-12 2016-08-23 Fairchild Semiconductor Corporation Through silicon via including multi-material fill
US9644963B2 (en) 2013-03-15 2017-05-09 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and methods for PLL-based gyroscope gain control, quadrature cancellation and demodulation
US9835647B2 (en) 2014-03-18 2017-12-05 Fairchild Semiconductor Corporation Apparatus and method for extending analog front end sense range of a high-Q MEMS sensor
US10466065B2 (en) 2014-06-26 2019-11-05 Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. Method and system for correcting driving amplitude of gyro sensor
CN105333886A (zh) * 2014-06-26 2016-02-17 无锡华润上华半导体有限公司 校正陀螺仪传感器驱动幅度的方法和系统
CN105333886B (zh) * 2014-06-26 2018-04-06 无锡华润上华科技有限公司 校正陀螺仪传感器驱动幅度的方法和系统
US10782148B2 (en) 2014-06-26 2020-09-22 Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. Method and system for correcting driving amplitude of gyro sensor
CN106662445A (zh) * 2014-07-07 2017-05-10 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 用于最小化旋转速率传感器的比例因子误差的控制装置和方法
CN106662445B (zh) * 2014-07-07 2019-11-05 诺思罗普·格鲁曼·利特夫有限责任公司 用于最小化旋转速率传感器的比例因子误差的控制装置和方法
CN107132763B (zh) * 2017-05-11 2019-12-03 北方电子研究院安徽有限公司 一种mems陀螺仪闭环驱动用自动增益控制电路
CN107132763A (zh) * 2017-05-11 2017-09-05 北方电子研究院安徽有限公司 一种mems陀螺仪闭环驱动用自动增益控制电路
CN110687520A (zh) * 2018-07-06 2020-01-14 英飞凌科技股份有限公司 Mems振荡结构不对称和周期性抖动的检测和补偿
CN110687520B (zh) * 2018-07-06 2023-08-25 英飞凌科技股份有限公司 Mems振荡结构不对称和周期性抖动的检测和补偿
CN109540176A (zh) * 2018-12-24 2019-03-29 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种硅微陀螺Sigma Delta检测闭环控制系统结构及参数整定方法
CN109540176B (zh) * 2018-12-24 2022-08-05 中国航空工业集团公司西安飞行自动控制研究所 一种硅微陀螺Sigma Delta检测闭环控制系统结构及参数整定方法
CN113067965A (zh) * 2019-12-27 2021-07-02 三星电机株式会社 控制器集成电路及包括其的致动器和相机模块
CN111327326A (zh) * 2020-04-24 2020-06-23 无锡思泰迪半导体有限公司 一种模数转换器信号幅度校正方法
CN111327326B (zh) * 2020-04-24 2023-09-19 杭州思泰微电子有限公司 一种模数转换器信号幅度校正方法

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