CN102790018A - 半导体封装件、芯层材料、积层材料及密封树脂组合物 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种倒装芯片半导体封装件,其具有电路基板、半导体元件、密封树脂组合物的固化物,该电路基板具有芯层和至少一个积层,该半导体元件通过金属凸块与上述电路基板连接,该密封树脂组合物的固化物是在上述半导体元件和上述电路基板之间密封的密封树脂组合物的固化物,其中,上述密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃以上35ppm/℃以下,上述积层中的至少一个积层的玻璃化转变温度为170℃以上、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为25ppm以下。根据本发明,通过防止裂缝或剥离的发生抑制裂缝的发生,能够提供高可靠性的倒装芯片半导体封装件、积层材料、芯层材料及密封树脂组合物。
Description
本申请是申请日为2007年12月5日、申请号为200780045057.1、发明名称为“半导体封装件、芯层材料、积层材料及密封树脂组合物”的申请的分案申请。
技术领域
本发明的技术领域,总体为半导体封装件的领域,更具体为,倒装芯片半导体封装件的领域。
背景技术
随着近年来对电子器件更高功能和更小体积的需求的增加,促使电子部件的高度密度集成和高密度安装的不断发展,在这些电子器件中所用的半导体封装件,比以往变得越来越小。
在此情况下,在半导体封装件领域中,现有的使用引线框的形式的封装件在小型化方面具有界限,因而,近年来,提出了在电路基板上安装芯片的表面安装型封装件方式(如球栅阵列封装件(BGA)和芯片尺寸封装件(CSP))。在这些半导体封装件中,在将BGA上安装的半导体芯片与基板连接的方式中,已知有引线接合方式、TAB(带式自动焊接)方式和倒装芯片(FC)方式等,近来提出了大量的采用有利于半导体封装件的小型化的倒装芯片连接方式的BGA和CSP结构。
现有技术中,使用在基板上安装半导体芯片的半导体封装件。作为用于该半导体封装件的基板,使用具有芯层和积层的基板(例如,专利文献1)。
基板和半导体芯片,通常线膨胀系数有差异。基板通过含有有机树脂的材料构成,具有比半导体芯片大的线膨胀系数。因此,在基板上安装半导体芯片的结构的半导体封装件受到热历程时,则由于两者的线膨胀系数的差异产生基板的弯曲。现有技术的半导体封装件中,由于该弯曲的产生,半导体芯片、半导体芯片与凸块的界面、凸块与基板的界面等中,有时会产生裂缝或剥离。
在此基础上,近年来,作为基板使用了具有积层的基板。作为该类基板,现有技术中,使用在芯层上形成积层的基板。由于半导体芯片的时钟频率急速地向高频率发展,在安装半导体芯片的基板中,寻求能够降低电感的基板。具有芯层和积层的基板中,芯层的通孔的感应系数非常大。为了符合感应系数的降低的要求,提出了使用使芯层尽可能变薄的基板的方案。
在此,通常,以降低基板的线膨胀系数的目的设置芯层。因此,在使芯层变薄的情形,由于积层的线膨胀系数大而使基板的线膨胀系数增大。即,存在比以往更加易于在半导体芯片、半导体芯片与凸块的界面、凸块与基板的界面等中产生裂缝或剥离的情形。
但是,在以往的材料的组合中,有没能确实达成防止发生裂缝或剥离的问题。
专利文献1:日本特开2005-191243号公报
发明内容
本发明是考虑上述情形而作出的发明。其目的是,解决现有技术中存在的课题,特别是提供一种能够确实抑制或降低裂缝或剥离的发生提高可靠性的倒装芯片半导体封装件、芯层材料、积层材料和密封树脂组合物。
上述目的,是通过下述的1~15中记载的本发明达成。
1.一种倒装芯片半导体封装件,其是具有电路基板、半导体芯片、密封树脂组合物的固化物的倒装芯片半导体封装件,该电路基板具有芯层和至少一个积层,该半导体芯片通过金属凸块与上述电路基板连接,该密封树脂组合物的固化物是在上述半导体芯片与上述电路基板之间密封的密封树脂组合物的固化物,其特征在于,
上述密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃以上35ppm/℃以下,
上述积层中的至少一个积层的玻璃化转变温度为170℃以上、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为25ppm/℃以下。
2.如技术方案1所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层中的至少一个积层,是含有纤维基材的积层。
3.如技术方案2所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述含有纤维基材的积层,是最外层的积层。
4.如技术方案2或3所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层的纤维基材的厚度是5μm~35μm。
5.如技术方案1~4中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为60℃~130℃。
6.如技术方案1~5中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物,是含有至少一种环氧树脂并且还含有固化剂、硅烷偶联剂和无机填料的密封树脂组合物。
7.如技术方案1~6中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物的粘度是50Pa·sec以下(25℃)。
8.如技术方案1~7中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述芯层的玻璃化转变温度为160℃~270℃、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为10ppm/℃~20ppm/℃。
9.如技术方案1~8中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述芯层的厚度为500μm以下。
10.如技术方案1~9中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述芯层,通过树脂组合物和纤维基材构成,所述树脂组合物含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂中的至少一种或多种。
11.如技术方案1~10中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层,通过含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂中的至少一种或多种的树脂组合物构成。
12.一种芯层材料,其特征在于,其用于技术方案1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
13.一种积层材料,其特征在于,其用于技术方案1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
14.一种密封树脂组合物,其特征在于,其用于技术方案1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
本发明通过使用下述倒装芯片半导体封装件能够确实地抑制或降低半导体芯片与密封树脂组合物之间的边界界面附近的应力集中引起的裂缝或剥离的发生。即,其是具有电路基板、半导体元件、密封树脂组合物的固化物的半导体封装件,该电路基板具有芯层和至少一个积层,该半导体元件通过金属凸块与上述电路基板连接,该密封树脂组合物的固化物是在上述半导体元件与上述电路基板之间密封的密封树脂组合物的固化物,其中,上述密封树脂组合物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃以上35ppm/℃以下,上述积层的固化物的玻璃化转变温度为170℃以上、25℃~75℃之间的线膨胀系数为25ppm/℃以下。
本发明中的倒装芯片半导体封装件,达到下述效果,即,能够确实地抑制或降低裂缝或剥离的发生,从而能够达成高可靠性。
附图说明
图1是表示本发明的倒装芯片半导体封装件的一个实例的简要剖面示意图。
图2中的(a)及(b)是示意性地表示纤维基材在含有纤维基材的积层材料中偏置的状态的剖面图。
附图标记的说明:
1 电路基板
2 半导体芯片
3 焊锡球
4 密封树脂组合物的固化物
4b 密封树脂组合物的圆角部
5 纤维基材
6 树脂材料层
7 含纤维基材积层形成用材料
具体实施方式
下面,参照附图详细地说明本发明的倒装芯片半导体封装件的实施方式。
<关于半导体封装件的结构>
图1是表示本发明的第一实施方式的倒装芯片半导体封装件的简要剖面示意图。图中,1表示电路基板,2表示设置在电路基板上方的半导体芯片,其厚度,例如为约100μm~750μm。上述电路基板1的上表面的半导体芯片连接用电极表面与半导体芯片2的下表面的电极表面之间,通过焊锡球3倒装芯片接合。另外,在上述电路基板1与半导体芯片2之间,注入密封树脂组合物并使其固化,通过密封树脂组合物的固化物4进行密封。
<关于密封树脂组合物的组成>
图1中,密封树脂组合物的固化物4,使用(1)25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃~35ppm/℃更优选为20ppm/℃~35ppm/℃的树脂组合物的固化物。另外,密封树脂组合物的固化物4,是(2)玻璃化转变温度优选为60~130℃更优选为70℃~115℃的树脂组合物的固化物。
该密封树脂组合物的固化物4的特性的调整,本领域技术人员,不需进行过多的实验即可实施。线膨胀系数,例如,可使用TMA装置(TAィンスッルメント社制造),以10℃/分钟升温进行评价,通过按照JIS C6481的方法进行测定。
使用具有该特性的密封树脂组合物的固化物4,则能够降低半导体芯片2与密封树脂组合物的固化物4之间的线膨胀系数的差异,能够进一步有效地达成确实地抑制或降低边界界面附近的应力集中引起的裂缝或剥离的发生。
密封树脂组合物的固化物4的线膨胀系数,比电路基板1或半导体芯片2的线膨胀系数大,因此,由于环境温度等发生变化,各构成部件向相反的方向产生弯曲,因此,导致特别是在各构成部件的边界附近产生应力集中,从而易于成为裂缝的发生原因。因此,通过使用满足上述条件的玻璃化转变温度或线膨胀系数低的密封树脂组合物的固化物4,能够得到能够缓和密封树脂组合物的固化物4与电路基板1或半导体芯片2之间由于线膨胀系数等的差异而产生的热应力的效果。
另外,图1中,用于密封树脂组合物的固化物4的形成的密封树脂组合物,可使用含有至少一种环氧树脂并且还含有固化剂、硅烷偶联剂及无机填料的树脂组合物。该密封树脂组合物,赋予密封树脂组合物的固化物4可靠性提高的耐热性或介电特性等优异,而且,优选通过交联密度的调节,降低固化物的玻璃化转变温度或弹性模量等,赋予如上述的应力降低结构。
在此,对于用于密封树脂组合物的固化物4的形成的密封树脂组合物进行更加详细地说明,则上述密封树脂组合物,是热固性树脂组合物,作为其一实施方式,是含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)硅烷偶联剂以及(D)无机填料或填充剂的液状环氧树脂组合物。另外,上述密封树脂组合物,在上述成分(A)~(D)之外,也可根据需要,含有(E)其他的添加剂。下面,对于各成分进行说明。
上述密封树脂组合物中含有的(A)环氧树脂的分子量和结构没有特别限制,只要一个分子中具有至少两个环氧基即可。例如,可举出酚醛清漆型环氧树脂、双酚型环氧树脂、芳香族缩水甘油胺型环氧树脂、氢醌型环氧树脂、联苯基型环氧树脂、芪型环氧树脂、三酚基甲烷型环氧树脂、三酚基丙烷型环氧树脂、烷基改性的三酚基甲烷型环氧树脂、含三嗪核的环氧树脂、二环戊二烯改性的苯酚型环氧树脂、萘酚型环氧树脂、萘型环氧树脂、苯酚芳烷基型环氧树脂、萘酚芳烷基型环氧树脂和脂肪族环氧树脂等。
在此情况中,考虑到耐热性、机械特性和耐湿性,优选其含有在芳香环上结合有缩水甘油醚结构或缩水甘油胺结构的结构。另外,考虑到可靠性,特别是粘合性,优选限制脂肪族或脂环族环氧树脂的使用量。它们可以单独使用或以两种或多种的混合物形式使用。作为密封树脂组合物的固化物4的环氧树脂,优选常温(15℃~35℃)下为液体,但即使在常温(15℃~35℃)下为固态的环氧树脂,只要溶解于常温(15℃~35℃)下为液体的环氧树脂,其结果是密封树脂组合物为液状的状态即可。
上述密封树脂组合物中含有的(B)固化剂的分子量和结构没有特别限制,只要一个分子中具有至少两个能够与环氧树脂中的环氧基形成共价键的官能团且在官能团为酸酐时含有一个以上的酸酐官能团。作为官能团的具体实例,包括酚羟基、酸酐、伯胺和仲胺等。
上述固化剂,可以单独使用或以两种或多种具有相同官能团的固化剂的混合物形式使用,而且如果寿命和环氧树脂的固化性不受到影响,还可以使用两种或多种具有不同官能团的固化剂的混合物形式。考虑到密封半导体封装件的实际应用,出于对耐热性和电机械特性的考虑,优选酚醛树脂和芳香族聚胺型固化剂。而且,从兼具粘合性和耐湿性方面考虑,优选芳香族聚胺型固化剂。
相对于环氧树脂的环氧当量,以固化剂中活性氢的当量计,所加入的固化剂的量为0.6~1.4,更优选0.7~1.3。在本发明中,固化剂中活性氢的当量优选不超过上述范围,因为超过上述范围会大大降低组合物的反应性和耐热性。然而,如果包含在固化剂中的官能团为酸酐时,由于一个单独的酸酐官能团能够衍生出两个羧酸官能团,因此每一个酸酐官能团作为两个活性氢进行计算。
上述密封树脂组合物中含有的(C)硅烷偶联剂的分子量和结构没有特别限制,只要其化学结构中,包括一个分子中含有烷氧基结合的硅原子和官能团结合的烃部分的化学结构即可。例如,可举出,3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基乙基二乙氧基硅烷和2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等的环氧硅烷偶联剂;3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基乙基二乙氧基硅烷和3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷等的结合丙烯酸酯基团的硅烷偶联剂;N-氨基乙基化氨丙基甲基二烷氧基硅烷、N-氨基乙基化氨丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丁基三甲氧基硅烷和N-苯基-γ-氨基丁基三乙氧基硅烷等的氨基硅烷偶联剂;N-(1,3-二甲基亚丁基)-3-(三乙氧基甲硅烷基)丙胺和N-(苯亚甲基)-3-(三乙氧基甲硅烷基)丙胺等的潜在性氨基硅烷偶联剂,其中氨基硅烷偶联剂的伯氨基通过与酮或醛反应而被保护;3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷等的巯基硅烷偶联剂;以及双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物和双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)二硫化物等的通过热解提供与巯基硅烷偶联剂同样的作用的硅烷偶联剂等。
此外,这些硅烷偶联剂可以预水解的形式加入。它们可以单独使用或以两种或多种的混合物形式使用。在本发明,出于与电路基板和半导体封装件的器件表面(电路基板表面上的阻焊剂、硅芯片表面的聚酰亚胺和硅芯片的侧面)相对良好的粘结性的考虑,优选环氧硅烷偶联剂。对于氨基硅烷偶联剂,由于与硅芯片表面的聚酰亚胺和氮化硅表面具有非常良好的粘结性,优选潜在性氨基硅烷偶联剂和巯基硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂的配合方法,包括整体混合方法,在此方法中,在树脂组合物的制造过程中,在混合石英填料和其它材料的同时进行添加、分散和混合偶联剂;母料混合方法,在此方法中,偶联剂事先分散和溶解于(A)环氧树脂、(B)芳香族胺固化剂和/或石英填料以外的其它添加剂中,然后加入剩余的材料;还包括,事先在石英填料表面层用偶联剂进行化学修饰的方法,或这些方法的组合。更优选地,可通过母料混合方法或母料混合方法与化学修饰石英表面层的方法的组合获得均匀的树脂组合物。
上述密封树脂组合物中含有的(D)无机填料或填充剂,可举出,滑石、烧结粘土、非烧结粘土、云母和玻璃等硅酸盐;二氧化钛、氧化铝、熔融石英(熔融球状石英、熔融粉碎石英)、合成石英和结晶石英的石英粉末等的氧化物;碳酸钙、碳酸镁和水滑石等的碳酸盐;氢氧化铝、氢氧化镁和氢氧化钙等的氢氧化物;硫酸钡、硫酸钙和亚硫酸钙等的硫酸盐或亚硫酸盐;硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙和硼酸钠等的硼酸盐;以及氮化铝、氮化硼和氮化硅等的氮化物等。这些无机填料可单独使用或以混合物形式使用。其中,优选熔融石英、结晶石英和合成石英粉末,这是由于它们能够改善树脂组合物的耐热性、耐湿性和强度等。
对于上述无机填料的形状没有特别限制,但出于对填充性的考虑,优选无机填料为球状。在此情况下,无机填料的平均粒径优选为0.1μm~20μm,更优选0.2μm~8μm。平均粒径高于上述下限值,由于树脂组合物的粘度降低,填充性得到改善,不高于上述上限值时,树脂组合物填充半导体封装件的空隙时树脂难以造成堵塞,因而优选。
上述密封树脂组合物中,除了上述组分外,根据需要,还可以包括(E)其它添加剂,如低应力材料、稀释剂、颜料、阻燃剂、表面活性剂、均化剂和消泡剂。
作为上述密封树脂组合物的制造方法,使用如行星搅拌机、三辊轧机、两辊热轧机或自动研钵(automatic mortar)等装置分散和捏合各组分和添加剂等,然后,在真空下进行消泡处理而制造。为了预先或在生产过程中除去原材料中的挥发性部分,也可在大气压下或减压下在环氧树脂和固化剂之间的反应或各组分的分解反应不会发生的温度下,例如50℃~200℃温度范围下进行加热处理。另外,可以在分散混合工序过程中或最后阶段于5℃~35℃下进行12~96小时的固化。
上述密封树脂组合物,例如,是含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)硅烷偶联剂以及(D)无机填料或填充剂的密封树脂组合物。且,(A)环氧树脂是,常温下呈液状的双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂等的双酚型环氧树脂;N,N-二缩水甘油基苯胺、N,N-二缩水甘油基甲苯胺、二氨基二苯基甲烷型缩水甘油基胺、氨基苯酚型缩水甘油基胺等的芳香族缩水甘油基胺型环氧树脂。(B)固化剂是,苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂等的酚醛清漆型酚醛树脂或二乙烯三胺、三乙烯四胺、四乙烯五胺、间二甲苯二胺、三甲基六亚甲基二胺、2-甲基五亚甲基二胺脂肪族聚胺、异佛尔酮二胺、1,3-双氨基甲基环己烷、双(4-氨基环己基)甲烷、降冰片烯二胺、1,2-二氨基环己烷等的脂环式聚胺;N-氨基乙基哌嗪、二氨基二苯基甲烷、间亚苯基二胺、二氨基二苯基砜、二乙基甲苯二胺、三亚甲基双(4-氨基苯甲酸酯)、聚四氢呋喃-二-对氨基苯甲酸酯、芳香族聚胺。(C)硅烷偶联剂是,3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基乙基二乙氧基硅烷和2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷等的环氧基硅烷偶联剂;N-氨基乙基化氨丙基甲基二烷氧基硅烷、N-氨基乙基化氨丙基三烷氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丁基三甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丁基三乙氧基硅烷等的氨基硅烷偶联剂。(D)无机填料,是熔融石英、结晶石英、合成石英粉末,优选是球状,(D)无机填料的平均粒径是0.1μm~20μm,优选为0.2μm~8μm。由此,可使密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃~35ppm/℃更优选为20ppm/℃~35ppm/℃,玻璃化转变温度为60℃~130℃更优选为70℃~115℃。
另外,上述密封树脂组合物,例如,是含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)硅烷偶联剂以及(D)无机填料或填充剂的密封树脂组合物。且这些组分的配合比例为:密封树脂组合物中所占的常温下呈液状的双酚型环氧树脂(A)的比例为30重量%~100重量%,更优选为50重量%~100重量%;固化剂(B)相对于环氧树脂(A)的环氧当量,固化剂中的活性氢当量为0.6~1.4的范围,优选为0.7~1.3;硅烷偶联剂(C)在密封树脂组合物中所占的比例是0.5重量%~5重量%,优选为0.8重量%~4重量%;无机填料或填充剂(D)在密封树脂组合物中所占的比例是50重量%~75重量%,优选为55重量%~70重量%。由此,可使密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃~35ppm/℃,更优选为20ppm/℃~35ppm/℃,玻璃化转变温度为60℃~130℃,更优选为70℃~115℃。
如果在上述范围内,则可得到玻璃化转变温度既不过高也不过低的充分的玻璃化转变温度,制成树脂组合物的固化物时的固化性良好,能够调整无机填充剂的配合量,从而能够得到良好的线膨胀系数。
<关于电路基板>
在图1中,电路基板1是由芯层和至少一个积层形成的多层电路基板,其中,其是积层中的至少一个积层的玻璃化转变温度在170℃以上且25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为25ppm/℃以下的多层配线电路基板。积层,也可以是2个以上。此处,25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数,例如,可使用TMA装置(TAィンスッルメント社制造),以10℃/分钟进行升温进行评价,通过按照JIS C6481的方法进行测定。
积层的玻璃化转变温度比170℃低,则在制造工序中加热后返回室温时弯曲变大。控制多层电路基板的弯曲的因素中,可举出玻璃化转变温度以下的线膨胀系数。优选,积层的玻璃化转变温度为175℃以上。
积层的25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数比25ppm/℃大,则比通常电路中使用的铜的线膨胀系数(17ppm/℃~18ppm/℃)大倍数以上,成为使弯曲变大的主要因素。优选的是,25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为5ppm/℃~20ppm/℃,更优选为5ppm/℃~15ppm/℃。
另外,优选积层的25℃的弹性模量是5GPa以上。特别地,电路基板的电路厚度在0.5mm以下的薄的情形下,整体的刚性变高,提高了半导体封装件制造时的操作性或加工性。
电路基板是具有两个以上积层的多层配线电路基板时,多层配线电路基板中的积层,是(i)任何一个或两个以上的层,是具有上述范围的玻璃化转变温度及25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数的积层,优选是进一步具有上述范围的弹性模量的积层;优选是(ⅱ)上下两个最外层中的任一层是具有上述范围的玻璃化转变温度及25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数的积层,优选是进一步具有上述范围的弹性模量的积层;特别优选是(ⅲ)上下两个最外层的两者是具有上述范围的玻璃化转变温度及25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数的积层,优选是进一步具有上述范围的弹性模量的积层;更优选是(ⅳ)全部积层是具有上述范围的玻璃化转变温度及25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数的积层,优选是进一步具有上述范围的弹性模量的积层。例如,在由一个芯层和八个积层构成的电路基板中,在芯层上面形成有四个积层且在下面形成有四个积层的电路基板的情形,从上面开始按顺序为积层b1、积层b2、积层b3、积层b4、芯层、积层b5、积层b6、积层b7、积层b8时,则是(i)积层b1~积层b8中的任一个或者是二个以上是具有上述物理性质的积层;优选是(ⅱ)上下两个最外层的积层b1及积层b8中的任一个是具有上述物理性质的积层;特别优选是(ⅲ)上下两个最外层的积层b1及积层b8两者,是具有上述物理性质的积层;更优选是(ⅳ)积层b1~积层b8中的全部积层是具有上述物理性质的积层。
积层的一个层的厚度是10μm~60μm,优选是20μm~50μm。
具有上述范围的玻璃化转变温度及25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数的积层以及优选进一步具有上述范围的弹性模量的积层,优选含有纤维基材。
对于积层,优选为在积层中含有纤维基材,优选在多层电路基板中含有纤维基材的积层至少具有一个。含有纤维基材的积层,弹性模量等的机械特性优异。在电路基板是具有两个以上的积层的多层配线电路基板时,多层配线电路基板中的积层,优选是(i)任何一个或两个以上的积层含有纤维基材;特别优选是(ⅱ)上下两个最外层中的任一层含有纤维基材;更优选是(ⅲ)上下两个最外层中的二者含有纤维基材;更优选是(ⅳ)全部积层含有纤维基材。例如,在由一个芯层和上下各四个积层构成的电路基板的情形,从上面按顺序形成积层b1、积层b2、积层b3、积层b4、芯层、积层b5、积层b6、积层b7、积层b8,则优选是(i)积层b1~积层b8中的任一个或者是两个以上含有纤维基材;特别优选是(ⅱ)上下两个最外层的积层b1及积层b8中的任一个含有纤维基材;更优选是(ⅲ)上下两个最外层的积层b1及积层b8两者含有纤维基材;更优选是(ⅳ)积层b1~积层b8中的全部含有纤维基材。
芯层,优选玻璃化转变温度是160℃~270℃,25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为10ppm/℃~20ppm/℃。
芯层的厚度,优选是500μm以下,更优选是50μm~400μm,进一步优选是100μm~300μm。多层电路基板,是含有芯层与例如2~10个积层而构成。优选是,含有2~6个积层而构成。
上述电路基板的外层表面上,为了保护导体、维持绝缘性等的目的,也可设置抗焊剂等的耐热性涂层。
电路基板1的特性的调整,只要是本领域技术人员,无需进行过多的实验即可实施。使用具有该特性的电路基板1,则能够缩小电路基板1与密封树脂组合物的固化物4之间的线膨胀系数的差,因此,在密封树脂组合物的固化物4的特性的调整引起的作用效果之外,能够更良好地达成抑制或降低应力集中引起的裂缝的发生。
另外,在图1中的左右方向是面方向,上下方向是厚度方向。
<关于芯层>
在电路基板1中,芯层只要满足上述玻璃化转变温度和线膨胀系数的条件且具有适当的强度即可。芯层,优选是由含有热固性树脂的热固性树脂组合物的固化物构成,特别优选是含有热固性树脂的热固性树脂组合物的固化物且含有纤维基材。
芯层,例如是固化芯层的形成用材料而得到,作为芯层形成中使用的芯层的形成用材料,没有特别的限定,例如,可适宜使用,将含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂中的至少一种或多种的热固性树脂的热固性树脂组合物,浸渍在纤维基材(例如,玻璃纤维片等)中半固化而成的板状材料(所谓的预成型料)。特别是适宜使用,将含有氰酸酯树脂、酚醛树脂与环氧树脂和无机填料的热固性树脂组合物,浸渍在纤维基材(例如,玻璃纤维片等)中半固化而成的板状材料(所谓的预成型料)。通过热固化上述预成型料,形成芯层。
作为上述芯层的热固性树脂,使用氰酸酯树脂(包括氰酸酯树脂的预聚物),则可降低预成型料的固化物即芯层的线膨胀系数,进一步地,预成型料的固化物即芯层的电气特性(低介电常数,低介电损耗正切)、机械强度等也优异,因而优选。另外,预聚物是指氰酸酯树脂部分聚合的物质。
上述氰酸酯树脂,可通过例如使卤化氰化合物与酚类反应,然后,根据需要,通过加热等方法进行预聚合而获得。具体地,可举出,酚醛清漆型氰酸酯树脂和双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂、四甲基双酚F型氰酸酯树脂等的双酚型氰酸酯树脂等。其中,优选酚醛清漆型氰酸酯树脂。这样,由于交联密度增加使得耐热性得到改善,且树脂组合物的阻燃性也得到改善。这是因为,酚醛清漆型氰酸酯树脂在固化反应后形成三嗪环。此外,还因为,酚醛清漆型氰酸酯树脂在结构中苯环比例高、易于碳化。而且,即使预成型料的厚度为0.5mm以下,通过固化预成型料制得的电路基板能够具有优异的刚性。特别是,它们在加热时表现出优异的刚性,因此在安装半导体芯片时可靠性也特别优异。
作为上述的酚醛清漆型氰酸酯树脂,例如,可使用由下式(1)表示的酚醛清漆型氰酸酯树脂:
上式(1)表示的酚醛清漆型氰酸酯树脂的平均重复单元数n,没有特别限制,优选为1~10,特别优选为2~7。如果平均重复单元数n小于上述下限值,则酚醛清漆型氰酸酯树脂的耐热性降低,加热时有时低分子量物质会脱离、挥发。另外,如果平均重复单元数n大于上述上限值,熔融粘度会变得过高,这样预成型料的成型性会降低。
上述氰酸酯树脂的重均分子量,没有特别限制,优选为500~4500,更优选为600~3000。如果重均分子量低于上述下限值,则制备预成型料时会产生粘着性,这样预成型料之间相互接触时会粘在一起,或者有些树脂会被转印。此外,如果重均分子量大于上述上限值,则反应进行得太快,形成电路基板时会出现成型缺陷,或层间剥离强度降低。
上述氰酸酯树脂等的重均分子量,例如,可通过GPC(凝胶渗透色谱法,标准物:以聚苯乙烯换算)测定。
另外,尽管没有特别限制,上述氰酸酯树脂可以单独使用,或将两种或多种具有不同重均分子量的氰酸酯树脂组合使用,或将氰酸酯树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。
上述热固性树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的5~50重量%,更优选为20~40重量%。含量低于上述下限值,则有时难以形成预成型料,含量超过上述上限值,则有时会降低预成型料的强度。
另外,上述树脂组合物,优选包括无机填料。其结果是,即使电路基板很薄(厚度为0.5mm或更小),电路基板的强度也能够很优异。而且,能够进一步提高电路基板的线膨胀系数。
作为上述无机填料,可举出,例如滑石、烧结粘土、非烧结粘土、云母和玻璃等的硅酸盐;氧化钛、氧化铝、石英和熔融石英等的氧化物;碳酸钙、碳酸镁和水滑石等的碳酸盐;氢氧化铝、氢氧化镁和氢氧化钙等的氢氧化物;硫酸钡、硫酸钙和亚硫酸钙等的硫酸盐或亚硫酸盐;硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙和硼酸钠等的硼酸盐;氮化铝、氮化硼、氮化硅和氮化碳等的氮化物;和钛酸锶和钛酸钡等的钛酸盐等。这些无机填料,可以单独使用或两种或多种组合使用。其中,优选石英,进一步地,由于低线膨胀性优异,优选熔融石英(特别是球状熔融石英)。它们的形状,可以是粉碎状或是球状,可根据使用目的使用合适的形状,如使用球状石英以降低树脂组合物的熔融粘度,从而确保树脂组合物对纤维基材的浸渍性。
作为上述芯层的热固性树脂使用氰酸酯树脂(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)时,优选使用氰酸酯树脂与环氧树脂(实质上不含卤原子)或酚醛树脂中的任何一者或两者。
作为与上述氰酸酯树脂并用的环氧树脂,可举出,例如,双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚M型环氧树脂、双酚P型环氧树脂和双酚Z型环氧树脂等的双酚型环氧树脂;苯酚酚醛清漆型环氧树脂和甲酚酚醛清漆环氧树脂等的酚醛清漆型环氧树脂;以及联苯型环氧树脂、苯二甲基型环氧树脂和联苯基芳烷基型环氧树脂等的芳基亚烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧基型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂和芴型环氧树脂等。
作为环氧树脂,可以单独使用上述中的一种或将两种或多种具有不同重均分子量的环氧树脂组合使用,或将环氧树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。
在这些环氧树脂中,特别优选芳基亚烷基型环氧树脂。其能够提高吸湿焊锡的耐热性和阻燃性。
上述的芳基亚烷基型环氧树脂,是指重复单元中具有至少一个芳基亚烷基的环氧树脂。例如,可举出,苯二甲基型环氧树脂和联苯基二亚甲基型环氧树脂等。其中,优选联苯基二亚甲基型环氧树脂。联苯基二亚甲基型环氧树脂,例如可由式(2)表示。
上述式(2)表示的联苯基二亚甲基型环氧树脂的平均重复单元数n,没有特别限制,优选为1-10,特别优选为2-5。如果平均重复单元数n低于上述下限值,则联苯基二亚甲基型环氧树脂易于结晶化,相对降低在通用溶剂中的溶解性,因此,有时处理操作会变困难。此外,如果平均重复单元数n超过上述上限值,则有时树脂的流动性会降低,导致成型性不良等。
上述环氧树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的1~55重量%,更优选为2~40重量%。如果含量低于上述下限值,则有时氰酸酯树脂的反应性会降低,或所得产物的耐湿性会变差,如果含量超过上述上限值,则有时耐热性会降低。
上述环氧树脂的重均分子量,没有特别限制,优选为500~20000,更优选为800~15000。如果重均分子量低于上述下限值,则有时预成型料会粘着,如果重均分子量超出上述上限值,则有时制备预成型料时环氧树脂与纤维基材的浸渍性会降低而得不到均匀的产品。
上述环氧树脂的重均分子量,例如,可通过GPC测定。
作为与上述氰酸酯树脂并用的酚醛树脂,例如,可举出,酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂和芳基亚烷基型酚醛树脂等。作为酚醛树脂,可以单独使用上述树脂或将两种或多种具有不同重均分子量的酚醛树脂组合使用,或将酚醛树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。其中,优选芳基亚烷基型酚醛树脂。由此,能够进一步提高吸湿焊锡的耐热性。
作为上述芳基亚烷基型酚醛树脂,例如,可举出苯二甲基型酚醛树脂和联苯基二亚甲基型酚醛树脂等。联苯基二亚甲基型酚醛树脂,例如,可由式(3)表示。
上述式(3)表示的联苯基二亚甲基型酚醛树脂的平均重复单元数n,没有特别限制,优选为1~12,特别优选为2~8。如果平均重复单元数n低于上述下限值,则有时耐热性会降低。此外,如果平均重复单元数n超过上述上限值,则有时其与其它树脂的相容性会降低而导致作业性降低。
通过上述的氰酸酯树脂(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)和芳基亚烷基型酚醛树脂的组合,能够控制交联密度并且容易调节反应性。
上述酚醛树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的1~55重量%,更优选为5~40重量%。如果含量低于上述下限值,则有时耐热性会降低,如果含量超过上述上限值,则有时低线膨胀性会受损。
上述酚醛树脂的重均分子量,没有特别限制,优选为400~18000,更优选为500~15000。如果重均分子量低于上述下限值,则有时预成型料会粘着,如果重均分子量超出上述上限值,则有时在制备预成型料时酚醛树脂与纤维基材的浸渍度会降低而不能获得均匀的产品。
上述酚醛树脂的重均分子量,例如,可通过GPC测定。
此外,通过组合上述氰酸酯树脂(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)、上述酚醛树脂(芳基亚烷基型酚醛树脂,特别是联苯基二亚甲基型酚醛树脂)和上述环氧树脂(芳基亚烷基型环氧树脂,特别是联苯基二亚甲基型环氧树脂)制备电路基板时,可获得特别优异的尺寸稳定性。
上述芯层的热固性树脂组合物,没有特别限制,优选使用偶联剂。该偶联剂,能够提高上述热固性树脂和上述无机填料界面处的润湿性,由此,能够使热固性树脂等和无机填料得以均匀地连接到纤维基材,从而提高耐热性,特别是吸湿后的焊锡耐热性。
作为上述偶联剂,可以使用任何常规的偶联剂,具体地,优选使用选自环氧硅烷偶联剂、阳离子硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂和硅油型偶联剂中的一种以上。由此,能够提高与无机填料界面处的润湿性,从而进一步提高耐热性。
上述偶联剂的含量,取决于上述无机填料的比表面积,没有特别的限制,优选相对于100重量份无机填料,偶联剂含量为0.05~3重量份,特别优选为0.1~2重量份。如果偶联剂含量低于上述下限值,则有时不足以充分覆盖无机填料而降低耐热性改善的效果,如果偶联剂含量高于上述上限值,则有时会对反应产生影响而降低弯曲强度等。
上述芯层的热固性树脂组合物中,根据需要,也可使用固化促进剂。该固化促进剂可以使用已知物质。例如,可举出环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、双乙酰丙酮钴(II)和三乙酰丙酮钴(III)等的有机金属盐;三乙胺、三丁胺和二氮杂二环[2,2,2]辛烷等的叔胺类;2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-乙基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基咪唑和2-苯基-4,5-二羟基咪唑等的咪唑类;苯酚、双酚A和壬基苯酚等的苯酚化合物;醋酸、苯甲酸、水杨酸和对甲基苯磺酸等的有机酸;或它们的混合物。作为固化促进剂,可以单独使用上述固化促进剂(包括其衍生物)中的一种或将这些固化促进剂(包括其衍生物)中的两种或多种组合使用。
上述固化促进剂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的0.05~5重量%,更优选为0.2~2重量%。如果含量低于上述下限值,则有时不能获得促进固化的效果,如果含量超过上述上限值,则有时预成型料的贮存稳定性会降低。
上述芯层的热固性树脂组合物,可与苯氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚醚砜树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂或聚苯乙烯树脂等的热塑性树脂;苯乙烯-丁二烯共聚物或苯乙烯-异戊二烯共聚物等的聚苯乙烯类热塑性弹性体;聚烯烃类热塑性弹性体、聚酰胺类弹性体或聚酯类弹性体等的热塑性弹性体;以及聚丁二烯、环氧基改性的聚丁二烯、丙烯酸改性聚丁二烯和甲基丙烯酸改性的聚丁二烯等的二烯类弹性体组合使用。
此外,上述芯层热固性树脂组合物中,根据需要,还可以加入颜料、染料、消泡剂、匀化剂、UV吸收剂、起泡剂、抗氧化剂、阻燃剂和离子捕捉剂等上述组分以外的添加剂。
将上述芯层的热固性树脂组合物浸渍在纤维基材(如玻璃纤维片等)中使其半固化而形成的板状材料(所谓的预成型料),适于制造介电特性、高温高湿环境下的机械和电连接可靠性等各种特性优异的电路基板等。
作为上述纤维基材,例如,可举出玻璃布和玻璃无纺布等的玻璃纤维基材;聚酰胺树脂纤维、芳香族聚酰胺树脂纤维和全芳香族聚酰胺树脂纤维等的聚酰胺类树脂纤维;聚酯树脂纤维、芳香族聚酯树脂纤维和全芳香族聚酯树脂纤维等的聚酯类树脂纤维;聚酰亚胺树脂纤维和氟树脂纤维等作为主要成分的织布或无纺布构成的合成纤维基材;和牛皮纸(craft paper)、棉短绒纸和棉短绒(linter)与牛皮纸浆料(craft pulp)的混抄纸等作为主要成分的纸基材等的有机纤维基材等。其中,优选玻璃纤维基材。由此,能够提高预成型料的固化物即芯层的强度和吸水率。此外,能够降低预成型料的固化物即芯层的线膨胀系数。
将芯层的热固性树脂组合物浸渍在纤维基材中的方法,例如,可举出,使用树脂组合物制备树脂清漆且将纤维基材浸入树脂清漆中的方法、利用各种涂布机进行涂布的方法以及使用喷雾机吹喷附着的方法等。其中,优选将纤维基材浸入树脂清漆中的方法。由此,能够提高纤维基材与树脂组合物的浸渍性。将纤维基材浸入树脂清漆时,可以使用常规的浸渍涂布装置。
上述树脂清漆中使用的溶剂,优选对于上述树脂组合物中的树脂组分表现出良好的溶解性,然而,在该溶剂不会造成不良的影响的范围内,也可以使用弱溶剂。作为具有良好溶解性的溶剂,例如,可举出,丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、乙二醇、溶纤剂类和卡必醇类等。
上述树脂清漆中的固体成分含量,没有特别限制,上述树脂组合物的固体成分含量优选为40~80重量%,更优选为50~65重量%。由此,能够进一步提高纤维基材与树脂清漆的浸渍性。通过用上述树脂组合物浸渍上述纤维基材,然后在预定温度例如80℃~200℃等下使其干燥,能够获得预成型料。
作为上述芯层的形成用材料,例如,使用含有纤维基材的预成型料,并且作为热固性树脂使用上述氰酸酯树脂;特别优选是使用含有纤维基材的预成型料,并且作为热固性树脂使用上述氰酸酯树脂、上述环氧树脂或上述酚醛树脂;更优选是使用含有纤维基材的预成型料,并且作为热固性树脂使用上述氰酸酯树脂和上述环氧树脂和上述酚醛树脂。由此,能够使芯层的玻璃化转变温度为160℃~270℃且25℃~75℃之间的面方向上的线膨胀系数为10ppm/℃~20ppm/℃。
另外,作为芯层的形成用材料,例如,使用含有纤维基材的预成型料,并且,热固性树脂组合物是具有如下组成的树脂组合物:氰酸酯树脂为总树脂组合物的5~55重量%,优选为20~50重量%,与氰酸酯树脂并用的环氧树脂占总树脂组合物的1~55重量%,优选为2~40重量%,与氰酸酯树脂并用的酚醛树脂占总树脂组合物的1~55重量%,优选为5~40重量%。由此,能够使芯层的玻璃化转变温度为160℃~270℃且25℃~75℃之间的面方向上的线膨胀系数为10ppm/℃~20ppm/℃。
<关于积层>
在电路基板1中,积层只要满足上述电路基板1的玻璃化转变温度和线膨胀系数的条件且具有合适的强度即可。
作为积层,优选是由含有热固性树脂的热固性树脂组合物的固化物构成,特别优选是含有热固性树脂的热固性树脂组合物的固化物构成且含有纤维基材。由此,能够提高积层的耐热性。
积层,例如是固化积层的形成用材料而得到,作为积层形成中使用的积层的形成用材料,没有特别的限定,例如,可优选含有热固性树脂的热固性树脂组合物构成,特别优选含有热固性树脂且含有纤维基材。由此,能够提高积层的耐热性。
另外,积层的热固性树脂组合物,可在包括玻璃纤维片的纤维基材上浸渍,也可直接固化热固性树脂组合物。此处,作为将热固性树脂组合物浸渍在纤维基材中的方法,没有特别限定。另外,带载体基材的积层,是在载体基材上形成用上述热固性树脂组合物构成的树脂层而形成。
作为上述积层的热固性树脂,例如,可举出环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、具有苯并恶嗪环的树脂、尿素树脂、三聚氰胺树脂等的具有三嗪环的树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、邻苯二甲酸二烯丙基酯树脂、硅酮树脂等。
可以单独使用这些树脂中的一种,也可以并用具有不同的重均分子量的两种或多种,也可将一种或两种或多种与其预聚物并用。
优选是含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂、具有苯并恶嗪环的树脂之内的至少一种或多种。
作为环氧树脂,可举出,例如,双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂、双酚P型环氧树脂和双酚M型环氧树脂等的双酚型环氧树脂;苯酚酚醛清漆型环氧树脂和甲酚酚醛清漆环氧树脂等的酚醛清漆型环氧树脂;以及联苯型环氧树脂、联苯基芳烷基型环氧树脂、芳基亚烷基型环氧树脂、萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧基型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂和芴型环氧树脂等的环氧树脂。
作为酚醛树脂,例如,可举出,苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚A酚醛清漆树脂等的酚醛清漆型酚醛树脂;未改性的甲阶酚醛树脂、油改性甲阶酚醛树脂(桐油、亚麻仁油、核桃油等改性)等的甲阶酚醛树脂等等的酚醛树脂等。
这些中,特别优选氰酸酯树脂(包括氰酸酯树脂的预聚物)。由此,可降低积层的线膨胀系数。进一步地,积层的电气特性(低介电常数、低介电损耗正切)、机械强度等也优异。
上述氰酸酯树脂,例如,可通过使卤化氰化合物与酚类反应,然后,根据需要,通过如加热等方法进行预聚合而获得。具体地,可举出,酚醛清漆型氰酸酯树脂和双酚A型氰酸酯树脂、双酚E型氰酸酯树脂和四甲基双酚F型氰酸酯树脂等的双酚型氰酸酯树脂等。其中,优选酚醛清漆型氰酸酯树脂。由此,由于交联密度增加使得耐热性得到改善,且树脂组合物的阻燃性也得到改善。这是因为,酚醛清漆型氰酸酯树脂固化后形成三嗪环。此外,还因为,酚醛清漆型氰酸酯树脂,结构中的苯环比例高而易于碳化。
作为上述的酚醛清漆型氰酸酯树脂,例如,可使用由下式(1)表示的酚醛清漆型氰酸酯树脂:
上式(1)表示的酚醛清漆型氰酸酯树脂的平均重复单元数n,没有特别限制,优选为1-10,特别优选为2-7。如果平均重复单元数n低于上述下限值,则酚醛清漆型氰酸酯树脂易结晶化,对通用溶剂的溶解性较低,有时难以处理。另外,如果平均重复单元数n大于上述上限值,则有时熔融粘度会变得过高而导致积层的成型性降低。
上述氰酸酯树脂的重均分子量,没有特别限制,优选为500~4500,更优选为600~3000。如果重均分子量低于上述下限值,则有时积层的固化物的机械强度会降低,进一步,制备积层时,有时会发生粘着而导致树脂被转印。此外,如果重均分子量大于上述上限值,则有时固化反应进行得太快,形成基板(特别是电路基板)时,会出现成型缺陷,或降低层间剥离强度。
上述氰酸酯树脂等的重均分子量,例如,可通过GPC(凝胶渗透色谱法,标准物:以聚苯乙烯换算)测定。
另外,尽管没有特别限制,上述氰酸酯树脂包括其衍生物,可以单独使用,或将两种或多种具有不同重均分子量的氰酸酯树脂组合使用,或将氰酸酯树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。
上述积层的热固性树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的5~50重量%,特别优选为10~40重量%。含量低于上述下限值,则有时难以形成绝缘层,含量超过上述上限值,则有时会降低积层的强度。
作为上述积层的热固性树脂使用氰酸酯树脂(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)时,优选并用氰酸酯树脂与环氧树脂(实质上不含卤原子)。
作为与上述氰酸酯树脂并用的环氧树脂,可举出,例如,双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚E型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚Z型环氧树脂、双酚P型环氧树脂和双酚M型环氧树脂等的双酚型环氧树脂;苯酚酚醛清漆型环氧树脂和甲酚酚醛清漆型环氧树脂等的酚醛清漆型环氧树脂;以及联苯型环氧树脂、苯二甲基型环氧树脂、联苯基芳烷基型环氧树脂等的芳基亚烷基型环氧树脂;萘型环氧树脂、蒽型环氧树脂、苯氧基型环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、降冰片烯型环氧树脂、金刚烷型环氧树脂和芴型环氧树脂等。
作为环氧树脂,可以单独使用,或将两种或多种具有不同重均分子量的环氧树脂组合使用,或将环氧树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。
在这些环氧树脂中,特别优选芳基亚烷基型环氧树脂。由此,能够提高吸湿焊锡的耐热性和阻燃性。
上述芳基亚烷基型环氧树脂,是指重复单元中具有至少一个芳基亚烷基的环氧树脂。例如,可举出苯二甲基型环氧树脂和联苯基二亚甲基型环氧树脂等。其中,优选联苯基二亚甲基型环氧树脂。联苯基二亚甲基型环氧树脂,例如,可由式(2)表示。
上述式(2)表示的联苯基二亚甲基型环氧树脂的平均重复单元数n,没有特别限制,优选为1-10,特别优选为2-5。如果平均重复单元数n低于上述下限值,则联苯基二亚甲基型环氧树脂易于结晶化,相对降低在通用溶剂中的溶解性,从而有时导致难于处理。
此外,如果平均重复单元数n超过上述上限值,则有时树脂的流动性会降低,成为导致成型性不良等的原因。平均重复单元数n在上述范围内,则可使这些的特性的平衡性优异。
上述环氧树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的1~55重量%,更优选为5~40重量%。如果含量低于上述下限值,则有时氰酸酯树脂的反应性会降低,或所得产物的耐湿性降低,如果含量超过上述上限值,则有时低线膨胀性、耐热性会降低。
上述环氧树脂的重均分子量,没有特别限制,优选为500~20000,特别优选为800-15000。如果重均分子量低于上述下限值,则有时积层的表面上会产生粘着,如果重均分子量超出上述上限值,则有时焊锡耐热性会降低。重均分子量在上述范围内,则可使这些的特性的平衡性优异。
上述环氧树脂的重均分子量,例如,可通过GPC测定。
上述积层的热固性树脂组合物,优选含有成膜树脂。由此,能够进一步提高制造带载体基材的积层时的成膜性和可操作性。所谓的成膜树脂是指,添加规定量至树脂清漆中,则在将清漆涂布在载体基材上使其干燥制成膜状时,自动地在表面上确保平滑性并且表达出适度的粘性的树脂。作为上述成膜树脂,可举出,例如,苯氧类树脂、双酚F类树脂和烯烃类树脂等。作为成膜树脂,可单独使用上述树脂中的一种(包括其衍生物),或将两种或多种具有不同重均分子量的成膜树脂组合使用,或将成膜树脂中的一种或两种或多种与它们的预聚物组合使用。其中,特别优选苯氧树脂。由此,能够提高耐热性和阻燃性。
作为上述苯氧树脂,没有特别限制,可举出,例如,具有双酚A骨架结构的苯氧树脂、具有双酚F骨架结构的苯氧树脂、具有双酚S骨架结构的苯氧树脂、具有双酚M骨架结构的苯氧树脂、具有双酚P骨架结构的苯氧树脂和具有双酚Z骨架结构的苯氧树脂等的具有双酚骨架结构的苯氧树脂;具有酚醛清漆骨架结构的苯氧树脂;具有蒽骨架结构的苯氧树脂;具有芴骨架结构的苯氧树脂;具有二环戊二烯骨架结构的苯氧树脂;具有降冰片烯骨架结构的苯氧树脂;具有萘骨架结构的苯氧树脂;具有联苯基骨架结构的苯氧树脂和具有金刚烷骨架的苯氧树脂等。
另外,作为苯氧树脂,能够使用结构中具有多种上述骨架结构的苯氧树脂,或使用各骨架结构比例不同的苯氧树脂。而且,能够使用多种骨架结构不同的苯氧树脂,也能够使用多种重均分子量不同的苯氧树脂、或具有上述骨架结构的苯氧树脂与其预聚物一起使用。
其中,能够使用具有联苯基骨架结构和双酚S骨架结构的苯氧树脂。由此,通过联苯基骨架结构的刚性,能够提高玻璃化转变温度,通过双酚S骨架结构能够提高制造多层电路基板时镀覆金属的粘合性。
此外,还能够使用具有双酚A骨架结构和双酚F骨架结构的苯氧树脂。由此,能够提高制造时多层电路基板与内层电路基板的粘合性。而且,还能够并用上述具有联苯基骨架结构和双酚S骨架结构的苯氧树脂以及具有双酚A骨架结构和双酚F骨架结构的苯氧树脂。
上述成膜树脂的分子量,没有特别限制,重均分子量优选为1000~100000,更优选为10000~60000。
如果成膜树脂的重均分子量低于上述下限值,则有时提高成膜性的效果会不充足。另一方面,如果重均分子量超出上述上限值,则有时成膜树脂的可溶性会降低。设置成膜树脂的重均分子量于上述范围内,能够获得优异地平衡上述特性的树脂。
作为成膜树脂的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的1~40重量%,更优选为5~30重量%。如果成膜树脂的含量低于上述下限值,则有时提高成膜性的效果会不充足。另一方面,如果重均分子量超出上述上限值,则氰酸酯树脂的相对含量会很低,有时会降低提供低线膨胀性的效果。设置成膜树脂的含量于上述范围内,能够获得优异地平衡上述特性的树脂。
积层的形成中使用的上述积层的热固性树脂和成膜树脂,两者均实质上不含卤原子。这样能够不使用卤化合物而获得阻燃性。在本发明中,实质上不含卤原子,是指例如是环氧树脂或苯氧树脂中卤原子含量为0.15重量%以下(JPCA-ES01-2003)。
在上述积层的热固性树脂组合物中,根据需要,可以使用固化促进剂。该固化促进剂可以是已知物质。例如,可举出咪唑化合物;环烷酸锌、环烷酸钴、辛酸锡、辛酸钴、双乙酰丙酮钴(II)和三乙酰丙酮钴(III)等的有机金属盐;三乙胺、三丁胺和二氮杂二环[2,2,2]辛烷等的叔胺类;苯酚、双酚A和壬基苯酚等的酚类化合物;醋酸、苯甲酸、水杨酸和对甲基苯磺酸等的有机酸等;或它们的混合物。作为固化促进剂,可以单独使用这些固化促进剂(包括其衍生物)中的一种或将这些固化促进剂(包括其衍生物)中的两种或多种组合使用。
在这些固化促进剂中,特别优选咪唑化合物。由此,能够提高吸湿焊锡的耐热性。上述咪唑化合物,没有特别限制,优选其能够与上述氰酸酯树脂、环氧树脂和成膜树脂组分相容。
在本发明中,能够与上述氰酸酯树脂、环氧树脂和成膜树脂组分相容,是指咪唑化合物与上述氰酸酯树脂、环氧树脂和成膜树脂组分混合时,或咪唑化合物与上述氰酸酯树脂、环氧树脂和成膜树脂组分以及有机溶剂混合时,咪唑化合物具有在其中实质上溶解为分子水平或以该状态分散其中的特性。
上述积层的热固性树脂组合物,通过使用该类咪唑化合物,能够有效地加快氰酸酯树脂或环氧树脂的反应,另外,即使咪唑化合物含量降低也能够使耐热性提高并且能够赋予低热膨胀性、低吸水性等的特性。
接下来,使用这些咪唑化合物的积层的热固性树脂组合物,能够在树脂组分间从微观基体单元开始高度均一性地进行固化。由此,能够提高在多层电路基板上形成的积层的绝缘性和耐热性。
此外,通过例如使用氧化剂(如高锰酸盐或重铬酸盐)对由此类积层的热固性树脂组合物形成的积层表面进行粗化处理,能够在粗化处理后的积层表面形成大量均匀性高的微观的凹凸形状。
该粗化处理后,在积层表面进行金属镀覆,能够提高粗化处理表面的平滑度,使得能够高精度地形成精细的导体电路。此外,通过微观的凹凸形状能够提高固着效果(anchor effect)使积层和镀覆金属之间具有高接合性。
作为能够在上述积层的热固性树脂组合物中使用的上述咪唑化合物,例如,可举出1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-(2’-十一烷基咪唑基)-乙基-s-三嗪、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4-甲基咪唑基-(1’)]-乙基-s-三嗪、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑和2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等。
其中,优选选自1-苄基-2-甲基咪唑、1-苄基-2-苯基咪唑和2-乙基-4-甲基咪唑的咪唑化合物。这些咪唑化合物具有特别优异的相容性,因此,能够获得均匀性高的固化物,且能够形成精细的均匀粗化的表面,从而能够容易地形成精细的导体电路,并赋予多层电路基板高耐热性。
上述咪唑化合物的含量,没有特别限制,相对于上述氰酸酯树脂和环氧树脂总量,优选为0.01~5重量%,特别优选为0.05~3重量%。由此,能够特别提高耐热性。
此外,上述积层的热固性树脂组合物,优选含有无机填料。由此,能够获得低线膨胀性和提高阻燃性。另外,通过组合上述氰酸酯树脂和/或其预聚物(特别是酚醛清漆型氰酸酯树脂)和无机填料,能够提高弹性模量。
作为上述无机填料,例如,可举出滑石、烧结粘土、非烧结粘土、云母、玻璃等的硅酸盐;氧化钛、氧化铝、石英和熔融石英等的氧化物;碳酸钙、碳酸镁和水滑石等的碳酸盐;氢氧化铝、氢氧化镁和氢氧化钙等的氢氧化物;硫酸钡、硫酸钙和亚硫酸钙等的硫酸盐或亚硫酸盐;硼酸锌、偏硼酸钡、硼酸铝、硼酸钙和硼酸钠等的硼酸盐;氮化铝、氮化硼、氮化硅和氮化碳等的氮化物;以及钛酸锶和钛酸钡等的钛酸盐等。这些无机填料可以单独使用或这些无机填料中的两种或多种组合使用。其中,特别优选石英,且由于熔融石英(特别是球状熔融石英)线膨胀性低,因此优选熔融石英。它们的形状可以是粉碎的或是球状的,可根据使用目的采用合适的使用方法,如使用球状石英以降低树脂组合物的熔融粘度,从而确保树脂组合物对纤维基材的浸渍。
上述无机填料的平均粒径,没有特别限制,优选为0.01μm~5μm,更优选0.1μm~2μm。
如果无机填料的平均粒径低于上述下限值,使用本发明的树脂组合物制备树脂清漆时树脂清漆的粘度会变高,这样有时会影响制备带载体基材积层时的操作性。另一方面,如果无机填料的平均粒径超出上述上限值,则会出现树脂清漆中的无机填料沉淀等的现象。通过设置无机填料的平均粒径于上述范围内,能够使上述特性之间获得良好的平衡。
此外,尽管没有特别限制,上述无机填料可以是具有单分散的平均粒径的无机填料,或是具有多分散的平均粒径的无机填料。而且,可以单独使用具有单分散的平均粒径和/或具有多分散的平均粒径的无机填料或这些无机填料中的两种或多种组合使用。
上述无机填料的含量,没有特别限制,优选为总树脂组合物的20~70重量%,更优选为30~60重量%。
如果无机填料的含量低于上述下限值,则有时会降低提供低热膨胀性和低吸湿性的效果。另外,如果无机填料的含量超过上述上限值,则由于树脂组合物的流动性降低而导致积层的成型性会降低。通过设置无机填料的含量于上述范围内,能够使上述特性之间获得良好的平衡。
尽管没有特别限制,但优选在上述积层的热固性树脂组合物中使用偶联剂。通过改善上述热固性树脂和上述无机填料间界面处的润湿性,上述偶联剂能够改善耐热性特别是能够改善吸湿焊锡耐热性。
作为上述偶联剂,可以使用任何常规的偶联剂,具体地,优选使用选自环氧硅烷偶联剂、阳离子硅烷偶联剂、氨基硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂和硅油偶联剂中的至少一种。由此,能够提高与无机填料间界面处的润湿性,从而提高耐热性。
上述偶联剂的含量,没有特别限制,优选相对于100重量份无机填料,偶联剂含量为0.05~3重量份。如果偶联剂含量低于上述下限值,则有时覆盖无机填料以提高耐热性的效果不充分。另一方面,如果偶联剂含量超出上述上限值,则有时会降低积层的弯曲强度。通过设置偶联剂含量于上述范围内,能够使上述特性之间获得良好的平衡。
上述积层的热固性树脂组合物,可与苯氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚苯醚树脂、聚醚砜树脂、聚酯树脂、聚乙烯树脂或聚苯乙烯树脂等的热塑性树脂;苯乙烯-丁二烯共聚物或苯乙烯-异戊二烯共聚物等的聚苯乙烯类热塑性弹性体;聚烯烃类热塑性弹性体、聚酰胺类弹性体和聚酯类弹性体等的热塑性弹性体;以及聚丁二烯、环氧基改性的聚丁二烯、丙烯酸改性的聚丁二烯和甲基丙烯酸改性的聚丁二烯等的二烯类弹性体组合使用。
此外,上述积层的热固性树脂组合物,根据需要,还可以加入颜料、染料、消泡剂、均化剂、UV吸收剂、起泡剂、抗氧化剂、阻燃剂和离子捕捉剂等的上述组分以外的添加剂。
作为将上述积层的热固性树脂组合物在基材上形成的方法,没有特别限制,例如,可举出,将树脂组合物溶解或分散在溶剂等中制备树脂清漆,然后利用各种涂布器将树脂清漆涂布到载体基材上,然后将其干燥的方法,或利用喷射装置将树脂清漆喷雾涂布到载体基材上,然后将其干燥的方法等。
其中,优选利用逗号式涂布机(comma coater)或模涂布机(die coater)各种涂布装置将树脂清漆涂布到载体基材上,然后,将其干燥的方法。由此,能够有效制造具有均一积层厚度的带有基材的积层,而不会生成空隙。
对于载体基材,没有特别限制,例如,可使用聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对苯二甲酸丁二醇酯等的聚酯树脂;氟树脂和聚酰亚胺树脂等的具有耐热性的热塑性树脂膜;或铜和/或铜系合金、铝和/或铝系合金、铁和/或铁系合金、银和/或银系合金、金和/或金系合金、锌和/或锌系合金、镍和/或镍系合金、及锡和/或锡系合金等的金属箔等。
作为上述载体基材的厚度,没有特别限制,但考虑到制造带载体基材的积层时具有良好的处理性,优选使用厚10μm~100μm的载体基材。
上述树脂清漆中使用的溶剂,优选对上述积层的热固性树脂组合物中的树脂组分表现出良好的溶解性,然而在该溶剂不会对其造成不良的影响的范围内,也可以使用弱溶剂。作为具有良好溶解性的溶剂,例如,可举出丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、环己酮、四氢呋喃、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亚砜、乙二醇、溶纤剂类和卡必醇类等。
上述树脂清漆中的固体成分含量,没有特别限制,优选为30~80重量%,特别优选为40~70重量%。
上述积层中,作为由树脂组合物形成的积层的厚度,没有特别限制,优选为5μm~100μm,更优选为10μm~80μm。由此,在利用该积层制造多层电路基板时,能够填充内层电路的凹凸形状进行成型,并能确保合适的积层厚度。
接下来,对于用于形成含有纤维基材的积层的材料(下面,也记载为含有纤维基材的积层形成用材料),进行说明。含有纤维基材的积层形成用材料中,积层涉及的热固性树脂组合物在纤维基材上载置。该纤维基材的厚度,是5μm~35μm,优选为5μm~25μm,特别优选为10μm~20μm。纤维基材的厚度,在上述范围内,则后述的基板的薄膜化和基板的强度的平衡以及层间连接的加工性或可靠性优异。
作为上述含有纤维基材的积层形成用材料的纤维基材,例如,可举出玻璃布和玻璃无纺布等的玻璃纤维基材;聚酰胺树脂纤维、芳香族聚酰胺树脂纤维和全芳香族聚酰胺树脂纤维等的聚酰胺类树脂纤维;聚酯树脂纤维、芳香族聚酯树脂纤维和全芳香族聚酯树脂纤维等的聚酯类树脂纤维;聚酰亚胺树脂纤维和氟树脂纤维等作为主要成分的由纺布和无纺布构成的合成纤维基材;牛皮纸(craft paper)、棉短绒纸和棉短绒(linter)与牛皮纸浆料(craftpulp)的混合抄纸等作为主要成分的纸基材等的有机纤维基材等。其中,优选玻璃纤维基材。由此,能够提高积层的强度。此外,能够降低积层的热膨胀系数。
作为构成该玻璃纤维基材的玻璃,例如,可举出,E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。其中,优选T玻璃。由此,能够降低玻璃纤维基材的热膨胀系数,进一步,能够降低积层的热膨胀系数。
作为含有纤维基材的积层形成用材料的制造方法,例如,可举出,预先将积层的热固性树脂组合物在载体膜上涂布等,制造在载体膜上支撑的热固性树脂组合物的薄膜,在纤维基材上层压在该载体膜上支撑的热固性树脂组合物的薄膜,然后,剥离载体膜的方法(下面,也记载为通过层压法制造含有纤维基材的积层形成用材料的制造方法。)。由此,特别是能够在厚度为35μm以下的纤维基材上载持树脂材料得到含有纤维基材的积层形成用材料。
通过层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料的制造方法,在含有纤维基材的积层形成用材料中,纤维基材可相对于含有纤维基材的积层形成用材料的厚度方向偏置存在。该情形下,可根据电路图案调整树脂量。在此,通过图2,说明纤维基材相对于含有纤维基材的积层形成用材料的厚度方向偏置存在的状态。图2的(a)及(b)是示意性地表示纤维基材5在含有纤维基材的积层形成用材料7的厚度方向上偏置存在的状态的剖面图。如图2的(a)及(b)所示,是指相对于含有纤维基材的积层形成用材料7的厚度方向的中心线A-A,纤维基材5的中心偏离该中心而进行设置。图2(a)是设置成纤维基材5的下侧(图2中下侧)的表面与含有纤维基材的积层形成用材料7的下侧(图2中下侧)的表面几乎一致。图2(b)是设置在纤维基材5在中心性A-A与含有纤维基材的积层形成用材料7的下侧(图2中下侧)的表面之间。另外,也可设置成纤维基材5与中心线A-A有一部分重合。
现有技术的制造方法(例如,使用通常的涂布装置,将纤维基材在树脂清漆中浸渍含浸并使其干燥的方法)中,相对于纤维基材对称地形成树脂材料层。但是,在该情形中,积层的两表面的电路的配线图案不同的情形(特别是,电路图案的残铜率不同的情形)时,两个表面上所需要的树脂量不同,从而不能与此对应。在该情形下制造基板时,有时会发生构成积层的树脂溢出或填埋电路图案所必须的树脂不充足的情形。
与此相对,通过层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料的制造方法中,由于可使纤维基材5在含有纤维基材的积层形成用材料7的厚度方向上偏置,能够对应设计具有对应于积层的电路图案的树脂量的含有纤维基材的积层形成用材料7。进一步地,能够制造含有厚度为35μm以下的薄的纤维基材的积层形成用材料7,并且通过使纤维基材5在含有纤维基材的积层形成用材料7的厚度方向上偏置存在,能够使最终得到的半导体封装件的厚度变薄。除该含有纤维基材的积层形成用材料7的厚度单纯变薄之外,还能够对应于电路图案的残铜率等调整树脂材料层6的树脂量,因此,没有必要设置多余的树脂层。
作为上述积层形成用材料,例如,通过使用含有纤维基材的积层形成用材料,特别优选的是,通过使用由层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料,能够使积层的玻璃化转变温度在170℃以上优选为175℃以上且在25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数在25ppm/℃以下,优选为5ppm/℃~20ppm/℃,特别优选为5ppm/℃~15ppm/℃。
另外,作为上述积层形成用材料,例如,使用含有纤维基材的积层形成用材料或层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料,并且作为热固性树脂,使用上述氰酸酯树脂。特别优选是,使用含有纤维基材的积层形成用材料或层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料,并且作为热固性树脂,并用上述氰酸酯树脂和上述环氧树脂。由此,能够使积层的玻璃化转变温度为170℃以上优选为175℃以上且25℃~75℃之间的面方向上的线膨胀系数在25ppm/℃以下,优选为5ppm/℃~20ppm/℃,特别优选为5ppm/℃~15ppm/℃。
另外,作为积层的形成用材料,例如,使用含有纤维基材的积层形成用材料或层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料,并且热固性树脂组合物具有下述的组成:氰酸酯树脂为树脂组合物全体的5~55重量%,优选为20~50重量%,与氰酸酯树脂并用的环氧树脂,占树脂组合物全体的1~55重量%,优选为2~40重量%,与氰酸酯树脂并用的酚醛树脂占树脂组合物全体的1~55重量%,优选为5~40重量%。由此,能够使积层的玻璃化转变温度为170℃以上优选为175℃以上且25℃~75℃之间的面方向上的线膨胀系数在25ppm/℃以下,优选为5ppm/℃~20ppm/℃,特别优选为5ppm/℃~15ppm/℃。
另外,作为积层形成用材料,优选含有纤维基材的积层形成用材料或层压法制造的含有纤维基材的积层形成用材料的树脂层的厚度不同。
<关于多层电路基板的制造方法>
接下来,对使用积层的多层电路基板进行说明。
上述多层电路基板1,通过将上述积层形成用材料与形成内层电路的上述芯层的一表面或两表面进行堆叠,然后进行热压成型而制得。具体而言,上述积层形成用材料与形成内层电路的上述芯层对齐,然后利用真空加压式层压机等进行真空热压成型,然后,用热风干燥机等进行热固化而制得。
对于热压成型的条件,没有特别限制,举例而言,可在温度是60℃~160℃、压力是0.2Mpa~3MPa的条件下实施。另外,对于热固化条件,没有特别限制,可在温度是140℃~240℃、时间是30~120分钟的条件下实施。或者,可将上述积层的形成用材料与形成内层电路基板的上述芯层堆叠,然后利用平板加压器等将其热压成型而制得。尽管对于热压成型的条件没有特别限制,但举例而言,可在温度是140℃~240℃、压力是1~4MPa的条件下实施。通过反复进行上述的方法,可进一步形成积层。
<关于半导体封装件>
接下来,对图1的倒装芯片半导体封装件进行说明。
本发明的一个实施方式,是包括使电路基板1的半导体芯片连接用电极表面与半导体芯片2的电极表面倒装芯片连接的连接工序;在上述电路基板1和上述半导体芯片2之间注入密封树脂组合物以形成底层填料部分的密封工序。
上述注入工序,可以是在用密封树脂组合物进行填充前,加热密封树脂组合物和通过电路基板1和半导体芯片2的倒装芯片连接而形成的半导体封装件,同时将密封树脂组合物涂布到半导体芯片2的边缘部分,使其能够通过毛细管作用渗透到空隙中的工序。为了缩短生产周期,上述注入工序也可与通过倾斜半导体封装件或利用压差以加快注入的方法联合使用。
上述注入工序结束后,可在半导体芯片2的边缘部涂布密封树脂组合物将圆角部分4b的形状调整成任意的形状。
以此方式进行填充或涂布密封树脂组合物后,通过在100℃~170℃温度范围内加热1~12小时,使密封树脂组合物固化。在本发明中,例如,可通过分阶段改变温度(如在100℃下加热1小时,随后在150℃下加热2小时)进行热固化而改变固化的温度曲线。形成密封树脂组合物的固化物4的密封树脂组合物的粘度(25℃),优选为50Pa·sec以下。此外,对于电路基板1,也同样在具有在半导体封装件的上述实施方式中提及的特性的物质中选择。
另外,注入密封树脂组合物时的密封树脂组合物的粘度,优选为2Pa·sec以下。注入时的温度为60℃~140℃,更优选为100℃~120℃。虽然上述实施方式中,通过调节密封树脂组合物的固化物4的特性和电路基板1的特性以降低应力,但对于密封树脂组合物的固化物4的特性和电路基板1的特性的调节是任选的。
实施例
下面,通过实施例说明本发明,但本发明并不局限于此。
1.密封树脂组合物的固化物的物理性质实验
制备密封树脂组合物a-d。表1示出了密封树脂组合物的组成及密封树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度、线膨胀系数、弹性模量和粘度的测量结果。配合量是重量份。
通过以下工序测定玻璃化转变温度:在150℃下固化密封树脂组合物120分钟后,将固化物切成5×5×10mm的试验片,利用セイコー公司制造的TMA/SS120,在负载5g、-100℃~300℃温度范围内以10℃/分钟的升温速度的条件下,测量该试验片。以同样方式测量25℃~75℃之间的线膨胀系数。线膨胀系数,按照JIS C6481,求得几乎是直线的25℃~75℃的温度区域的值。
通过以下工序测定弹性模量:在150℃的烘箱中热固化密封树脂组合物120分钟,然后,形成宽10mm、长约150mm和厚4mm的样品,然后在25℃环境下利用Tensilon测试机以3点弯曲模式(3-point bending mode)、跨距64mm,速度1mm/分钟的条件进行测量,从所得的应力-应变曲线的初始斜率(gradient)算出弹性模量,作为弯曲弹性模量。
25℃下的粘度测量,是利用其上安装有CP-51型锥的布氏粘度计(Brookfield viscometer),在5rpm的条件下实施测量。110℃下的粘度测量,是利用其上安装有PP-60型锥板的HAAAKE社制造的RheoStress RS150型粘度仪,在1Hz的条件下实施测量。
表1
EXA-830LVP:双酚F型环氧树脂,大日本ィンキ化学工业(株)制造,环氧当量161。
E-630:日本环氧树脂(株)(ジャパン·ェポキシ·レジン)制造,N,N-双(2,3-环氧基丙基)-4-(2,3-环氧基丙氧基)苯胺,环氧当量97.5。
カヤハードAA:日本化药(株)制造,3,3’-二乙基-4,4’-二氨基苯基甲烷,活性氢当量63.5。
KBM-403:信越化学工业(株)制造,3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷,分子量236.3,理论覆盖面积330m2/g。
E-1800-6.5(环氧基改性聚丁二烯):新日本石油化学(株)制造,E-1800-6.5,数均分子量1800,环氧当量250。
DGME:试剂,二乙二醇单乙醚,和光纯药工业(株)制造。
合成球状石英1(アドマテックス):是由アドマテクス(株)制造的合成球状石英SE-6200(平均粒径2.5μm)、SO-E3(平均粒径1μm)、SO-E2(平均粒径0.5μm)以45:40:15的比例混合的混合物。
合成球状石英2:是由アドマテクス(株)制造的合成球状石英SO-E2(平均粒径0.5μm)、扶桑化学(株)制造的合成球状石英SP-10G(平均粒径4μm)以30:70的比例混合的混合物。
2.积层的物理性质实验
作为积层形成用材料,使用APL3651、APL3601、ABF-GX13以及后述的积层形成用材料。使用常压层压机,积层放置两张积层的形成用材料,制备80μm厚度的积层,对于APL3651、APL3601在200℃下固化2小时,对于ABF-GX13在180℃下固化2小时。表2及表3中示出了积层(积层形成用材料的固化物)的玻璃化转变温度、线膨胀系数、弹性模量的测定结果。
<积层形成用材料1>
作为热固性树脂使用氰酸酯树脂(プリマセットPT-30、重均分子量为约2600,ロンザジャパン社制造)24重量%、作为环氧树脂使用联苯基二亚甲基型环氧树脂(NC-3000、环氧当量275,日本化药社制造)24重量%、作为苯氧基树脂使用双酚A型环氧树脂与双酚F型环氧树脂的共聚物且末端部具有环氧基的苯氧基树脂(EP-4275、重均分子量60000,ジャパンェポキシレジン社制造)11.8重量%、作为固化催化剂使用咪唑化合物(2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑,四国化成工业社制造)0.2重量%溶解在甲乙酮中。接下来,添加作为无机填料的球状熔融石英(SO-25H、平均粒径0.5μm,アドマテックス社制造)39.8重量%和环氧硅烷型偶联剂(A-187,日本ュニカー社制造)0.2重量%,使用高速搅拌装置搅拌60分钟,制备固体成分为60重量%的树脂清漆a。
作为载体膜使用聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(SFB-38,厚度38μm,宽度480mm,三菱化学聚酯社制造),用逗号涂布机涂布上述树脂清漆a,在170℃的干燥装置上干燥3分钟,在载体基材上形成厚度14μm、宽度410mm的树脂层(作为积层形成用材料之前)。
具体地,在玻璃织布的两表面上分别堆叠上述树脂层(作为积层形成用材料之前),使上述树脂层位于玻璃织布的宽度方向的中心位置上,然后,在1330Pa的减压条件下,使用80℃的层压辊进行接合。
在此,在玻璃织布的宽度方向尺寸的内侧区域上,将载体基材上的树脂层(作为积层形成用材料之前)分别接合在纤维布的两表面侧上,同时,在玻璃织布的宽度方向尺寸的外侧区域上,载体基材上的树脂层之间相互接合。
接下来,通过将上述接合物用2分钟通过设定在120℃的热风干燥装置内,在不施加压力的情形下,进行加热处理,制得厚度为35μm(第一树脂层:10μm;纤维基材:15μm;第二树脂层:10μm)的积层形成用材料1。
<积层形成用材料2>
作为热固性树脂使用酚醛清漆型氰酸酯树脂(プリマセットPT-30、重均分子量为约2600,ロンザジャパン社制造)15重量%、作为环氧树脂使用联苯基二亚甲基型环氧树脂(NC-3000、环氧当量275,日本化药社制造)8.7重量%、作为酚醛树脂使用联苯基二亚甲基型酚醛树脂(MEH-7851-S、羟基当量203,明和化成社制造)6.3重量%溶解在甲乙酮中。接下来,添加作为无机填料的球状熔融石英(SO-25H、平均粒径0.5μm,アドマテックス社制造)69.7重量%和环氧硅烷型偶联剂(A-187,日本ュニカー社制造)0.3重量%,使用高速搅拌装置搅拌60分钟,制备固体成分为60重量%的树脂清漆b。除上述以外,与积层形成用材料1同样进行,制得厚度为35μm(第一树脂层:10μm;纤维基材:15μm;第二树脂层:10μm)的积层形成用材料2。
<积层形成用材料3>
除将积层形成用材料中的树脂层的厚度改变为5μm与10μm以外,以与积层形成用材料1同样的方法进行制备。作为改变树脂层的厚度的方法,是通过调整涂布的树脂清漆a的量来进行,积层形成用材料中的厚度为5μm的树脂层,是在载体膜的宽度方向的中心上放置厚度9μm、宽度360mm的树脂层(作为积层形成用材料之前)而形成。作为纤维基材使用玻璃织布(织布类型#1015、宽度360mm、厚度15μm、单位面积重量(坪量)17g/m2),在厚度不同的2种树脂层(作为积层形成用材料之前)之间夹持,通过真空层压装置及热风干燥装置制备积层形成用材料3。制得厚度为30μm(第一树脂层:5μm;纤维基材:15μm;第二树脂层:10μm)的积层形成用材料。
<积层形成用材料4>
使用积层形成用材料1和积层形成用材料2中使用的树脂清漆a及b两种,制备积层形成用材料4。将积层形成用材料中的树脂层的厚度变为树脂清漆a为5μm、树脂清漆b为10μm,以与积层形成用材料1同样的方法进行制备积层形成用材料4。制得厚度为30μm(第一树脂层:5μm;纤维基材:15μm;第二树脂层:10μm)的积层形成用材料。
<积层形成用材料5>
使用积层形成用材料1和积层形成用材料2中使用的树脂清漆a及b两种,作为纤维基材使用玻璃织布(织布类型#1037、厚度24μm、单位面积重量24g/m2)。除上述以外,以与积层形成用材料1同样的方法进行制备积层形成用材料5。得到的积层形成用材料5的厚度为40μm(第一树脂层:5μm;纤维基材:24μm;第二树脂层:11μm)。制成积层形成用材料之前的树脂层的厚度,分别为12μm及18μm。
<玻璃化转变温度及弹性模量>
从上述得到的积层形成用材料的固化物采取试验片5mm×30mm作为评价用试样。
使用动态粘弹性测定装置(DMA)(DMS6100,セイコーインスツルメント社制造),以5℃/分钟进行升温,并且给予频率10Hz的应变,进行测定动态粘弹性,从tanδ的峰值测定玻璃化转变温度(Tg),另外,通过测定求出25℃、250℃的弹性模量。
<玻璃化转变温度及线膨胀系数>
从上述得到的积层形成用材料的固化物,采取4mm×20mm,作为评价用试样。
使用TMA装置(TMA)(TAインスツルメント社制造),以10℃/分钟进行升温,进行测定。α1是玻璃化转变温度以下的线膨胀系数,是测定的25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数。α2是玻璃化转变温度以上的线膨胀系数。对于25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数,按照JIS C6481,求得近似直线的25℃~75℃的温度区域的值。
表2
表3
3.芯层的物理性质实验
作为芯层形成用材料,使用E679FG、HL832HS型HS、ELC4785GS以及后述的芯层形成用材料。蚀刻除去厚度0.2mm以及0.1mm两表面板的铜箔。表4中示出了芯层(芯层形成用材料的固化物)的玻璃化转变温度、线膨胀系数、弹性模量的值。
<芯层形成用材料1>
将酚醛清漆型氰酸酯树脂(プリマセットPT-60、重均分子量为约2600,ロンザジャパン社制造)15重量%、联苯基二亚甲基型环氧树脂(NC-3000P、环氧当量275,日本化药社制造)8重量%、联苯基二亚甲基型酚醛树脂(MEH-7851-S、羟基当量203,明和化成社制造)7重量%、相对于后述的无机填料100重量份的环氧硅烷型偶联剂(A-187,日本ュニカー社制造)0.3重量份,常温下溶解在甲乙酮中。接下来,添加作为无机填料的球状熔融石英SFP-10X(平均粒径0.3μm,电气化学工业社制造)20重量%和球状熔融石英SO-32R(平均粒径1.5μm,アドマテックス社制造)50重量%,使用高速搅拌装置搅拌10分钟,制备芯层形成用材料的树脂清漆。
将得到的树脂清漆含浸在玻璃织布中(E玻璃构成的平纹基材,厚度100μm,纵纹密度60根/英寸、横纹密度58根/英寸,日东纺织社制造,WEA-116E、从室温至250℃的热膨胀系数为6ppm/℃),在120℃的加热炉上干燥2分钟,得到清漆固体成分(树脂及石英在芯层形成用材料中所占的比例)为约50%的芯层形成用材料1。
将一块得到的芯层形成用材料1的两表面上重叠1.2μm的铜箔,在压力4MPa、温度200℃下加热加压2小时进行成型,由此,得到0.1mm的芯层1。
<玻璃化转变温度及弹性模量>
从上述得到的芯层形成用材料的固化物,采取试验片5mm×30mm,作为评价用试样。
使用动态粘弹性测定装置(DMA)(DMS6100,セイコーインスツルメント社制造),以5℃/分钟进行升温,并且给予频率10Hz的应变,进行测定动态粘弹性,从tanδ的峰值测定玻璃化转变温度(Tg),另外,通过测定求出25℃下的弹性模量。
<玻璃化转变温度及线膨胀系数>
从上述得到的芯层形成用材料的固化物,采取4mm×20mm的评价用试样。
使用TMA装置(TMA)(TAインスツルメント社制造),以10℃/分钟进行升温,进行测定。α1是25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数。对于25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数,按照JIS C6481,求得近似直线的25℃~75℃的温度区域的值。
表4
4.可靠性试验:耐回流实验+热循环实验
接下来,使用上述密封树脂组合物a~d、电路基板A~D(比较例1使用电路基板A,比较例2使用电路基板B,比较例3使用电路基板C,实施例1、2使用电路基板D)、硅芯片,按照表5所示的组合,制备倒装芯片安装的半导体封装件。
电路基板A~D的构成,如下所示。下述电路基板具有一个芯层和在该芯层上下的各三个积层。
电路基板A:尺寸50mm×50mm,厚度0.5mm(490μm),8个电路层(芯层材料:日立化成工业株式会社制E679FG,厚度0.2mm;积层:味之素株式会社制ABF-GX13(无玻璃纤维基材),厚度40μm;SR层上下:25μm)。
电路基板B:尺寸50mm×50mm,厚度0.5mm(490μm),8个电路层(芯层材料:三菱瓦斯化学工业株式会社制HL832HS型HS,厚度0.2mm;积层:味之素株式会社制ABF-GX13(无玻璃纤维基材),厚度40μm;SR层上下:25μm)。
电路基板C:尺寸50mm×50mm,厚度0.5mm(490μm),8个电路层(芯层材料:住友电木株式会社制ELC4785GS,厚度0.2mm;积层:住友电木株式会社制APL3601(无玻璃纤维基材),厚度40μm;SR层上下:25μm)。
电路基板D:尺寸50mm×50mm,厚度0.5mm(490μm),8个电路层(芯层材料:住友电木株式会社制ELC4785GS,厚度0.2mm;积层:住友电木株式会社制APL3651(含玻璃纤维基材),厚度40μm;SR层上下:25μm)。
进一步地,使用上述密封树脂组合物a~d、电路基板E~R(比较例4、7及实施例3使用电路基板E,比较例5、6使用电路基板F,实施例4使用电路基板G,实施例5使用电路基板H,实施例6使用电路基板I,实施例7使用电路基板J,实施例8使用电路基板K,实施例9使用电路基板L,实施例10使用电路基板M,实施例11使用电路基板N,实施例12使用电路基板O,实施例13使用电路基板P,实施例14使用电路基板Q,实施例15使用电路基板R)、硅芯片,按照表6所示的组合,制备倒装芯片安装的半导体封装件。
电路基板E~R的构成,如下所示。
电路基板E:除将电路基板D的积层使用积层形成用材料1以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板F:除将电路基板D的积层使用味之素株式会社制ABF-GX13(无玻璃纤维基材)以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板G:除将电路基板D的积层使用积层形成用材料2以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板H:除将电路基板D的积层使用积层形成用材料3以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板I:除将电路基板D的积层使用积层形成用材料4以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板J:除将电路基板D的积层使用积层形成用材料5以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板K:除将电路基板E的芯层使用芯层形成用材料1以外,与电路基板E同样进行制备。
电路基板L:除将电路基板D的积层中的上下最外层(二个)的积层使用APL3651(含玻璃纤维基材)且内层的四个积层使用APL3601(无玻璃纤维基材)以外,与电路基板D同样进行制备。
电路基板M:除将电路基板L的积层中的上下最外层(二个)的积层使用积层形成用材料1(含玻璃纤维基材)以外,与电路基板L同样进行制备。
电路基板N:除将电路基板L的积层中的上下最外层(二个)的积层使用积层形成用材料2(含玻璃纤维基材)以外,与电路基板L同样进行制备。
电路基板O:除将电路基板L的积层中的上下最外层(二个)的积层使用积层形成用材料3(含玻璃纤维基材)以外,与电路基板L同样进行制备。
电路基板P:除将电路基板L的积层中的上下最外层(二个)的积层使用积层形成用材料4(含玻璃纤维基材)以外,与电路基板L同样进行制备。
电路基板Q:除将电路基板L的积层中的上下最外层(二个)的积层使用积层形成用材料5(含玻璃纤维基材)以外,与电路基板L同样进行制备。
电路基板R:除将电路基板K中的积层的内部四个积层使用APL3601(无玻璃纤维基材)以外,与电路基板K同样进行制备。
比较例1~7、实施例1~15
进行条件为30℃、60%、168小时的前处理,然后,进行耐回流实验(峰值温度260℃、实施3次)+热循环实验(-55℃(30分钟)/125℃(30分钟),500次循环),然后,使用超声波探测装置进行剥离的观察。发生剥离的不良半导体封装件的数目相对于样品总数的比,用“不良数目/样品总数”表示。评价结果示于表5及表6中。
另外,实施例9~15中,采用在积层中的二个积层使用含有玻璃纤维基材的积层的电路基板,在任何情形下,其耐回流性、耐热循环实验均良好。
表5
表6
由以上的实验结果可知,通过使积层和密封树脂组合物的固化物的特性达到最优化,能够实现各构成部件之间的应力的降低,得到无裂缝等的发生的可靠性高的倒装芯片半导体封装件。
工业实用性
根据本发明,能够确实地抑制或降低裂缝或剥离的发生,制造可靠性高的半导体封装件。
Claims (14)
1.一种倒装芯片半导体封装件,其是具有电路基板、半导体芯片、密封树脂组合物的固化物的倒装芯片半导体封装件,该电路基板具有芯层和至少一个积层,该半导体芯片通过金属凸块与上述电路基板连接,该密封树脂组合物的固化物是在上述半导体芯片与上述电路基板之间密封的密封树脂组合物的固化物,其特征在于,
上述密封树脂组合物的固化物的25℃~75℃之间的线膨胀系数为15ppm/℃~35ppm/℃,
上述积层中的至少一个积层的玻璃化转变温度为170℃以上、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为25ppm/℃以下。
2.如权利要求1所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层中的至少一个积层,是含有纤维基材的积层。
3.如权利要求2所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述含有纤维基材的积层,是最外层的积层。
4.如权利要求2或3所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层的纤维基材的厚度是5μm~35μm。
5.如权利要求1~4中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为60℃~130℃。
6.如权利要求1~5中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物,是含有至少一种环氧树脂并且还含有固化剂、硅烷偶联剂及无机填料的密封树脂组合物。
7.如权利要求1~6中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述密封树脂组合物的粘度在25℃下是50Pa·sec以下。
8.如权利要求1~7中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述芯层的玻璃化转变温度为160℃~270℃、25℃~75℃之间的面方向的线膨胀系数为10ppm/℃~20ppm/℃。
9.如权利要求1~8中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其特征在于,上述芯层的厚度为500μm以下。
10.如权利要求1~9中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述芯层通过树脂组合物和纤维基材构成,所述树脂组合物含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂中的至少一种或多种。
11.如权利要求1~10中任一项所述的倒装芯片半导体封装件,其中,上述积层通过含有环氧树脂、酚醛树脂、氰酸酯树脂、三嗪树脂、双马来酰亚胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、苯并环丁烯树脂中的至少一种或多种的树脂组合物构成。
12.一种芯层材料,其特征在于,其用于权利要求1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
13.一种积层材料,其特征在于,其用于权利要求1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
14.一种密封树脂组合物,其特征在于,其用于权利要求1~11中任一项所述的倒装芯片半导体封装件。
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