TWI413220B - 半導體封裝體、核心層材料、增層材料及密封樹脂組成物 - Google Patents

半導體封裝體、核心層材料、增層材料及密封樹脂組成物 Download PDF

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Tachibana Kenya
Wada Masahiro
Kawaguchi Hitoshi
Nakamura Kensuke
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Sumitomo Bakelite Co
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Description

半導體封裝體、核心層材料、增層材料及密封樹脂組成物
本發明之技術領域係普通半導體封裝體之領域，更詳細而言，係覆晶半導體封裝體之領域。
隨著近年電子機器之高功能化及輕薄短小化之要求，電子零件之高密度積體化，進而高密度安裝化不斷發展，該等電子機器中所使用之半導體封裝體亦優於習知，小型化不斷發展。
該狀況下，於半導體封裝體領域中，關於使用習知之導線架形態的封裝體，小型化存在限度，故最近提出於電路基板上安裝有晶片之球狀柵格陣列(BGA，ball grid array)、晶片尺度封裝體(CSP，chip scale package)之類的面安裝型封裝體方式。於該等半導體封裝體中，將搭載於BGA之半導體晶片連接於基板之方式中，已知有打線接合方式或TAB(Tape Automated Bonding)方式，還有覆晶(FC，flip chip)方式等，而最近多數提出使用有利於半導體封裝體小型化之覆晶連接方式的BGA或CSP結構。
習知使用的是基板上安裝有半導體晶片之半導體封裝體。作為此種半導體封裝體中所使用之基板，使用有具有核心層與增層(build－up layer)者(例如，專利文獻1)。
基板與半導體晶片一般而言線膨脹係數不同。基板由包含有機樹脂之材料構成，具有大於半導體晶片之線膨脹係數。因此，基板上安裝有半導體晶片之結構之半導體封裝 體若經受熱歷程，則由於兩者之線膨脹係數不同而產生基板翹曲。於習知半導體封裝體中，由於該翹曲之產生，有時於半導體晶片、或半導體晶片與凸塊之界面、凸塊與基板之界面等處產生龜裂或剝離。
除此之外，近年使用具有增層之基板作為基板。作為此種基板，習知使用核心層上形成有增層者。由於半導體晶片之時脈頻率之高頻化急速發展，故而要求安裝半導體晶片之基板能夠降低電感。具有核心層與增層之基板中，核心層之通孔電感非常大。為實現降低電感之要求，提出使用核心層儘可能變薄之基板。
此處，一般而言，核心層係以降低基板線膨脹係數為目的而設置。因此，使核心層變薄之情況下，由於增層之線膨脹係數大，故而導致基板之線膨脹係數增大。即，存在超過習知於半導體晶片、或半導體晶片與凸塊之界面、凸塊與基板之界面等中，易於產生龜裂或剝離之狀況。
(專利文獻1)日本專利特開2005－191243號公報
然而，習知材料之組合中，存在並未確實達成防止產生龜裂或剝離之問題。
本發明係鑒於上述情況開發而成者，其目的在於消除習知技術之問題，尤其目的在於提供一種確實抑制或降低產生龜裂或剝離，使可靠性提高之覆晶半導體封裝體、核心層材料、增層材料及密封樹脂組成物。
上述目的係根據下述1~15中記載之本發明而達成。
1.一種覆晶半導體封裝體，其特徵在於具備：電路基板，其具備核心層及至少1層增層；半導體晶片，其介隔金屬凸塊連接於上述電路基板；密封樹脂組成物之硬化物，其封入於上述半導體晶片及上述電路基板之間；上述密封樹脂組成物之硬化物於25℃至75℃之間的線膨脹係數為15 ppm/℃以上且35 ppm/℃以下，上述增層中之至少1層增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下。
2.如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層之至少一層為包含纖維基材之增層。
3.如申請專利範圍第2項之覆晶半導體封裝體，其中，上述包含纖維基材之增層係最外層增層。
4.如申請專利範圍第2或3項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層之纖維基材之厚度為5~35 μm。
5.如申請專利範圍第1至4項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述密封樹脂組成物之硬化物之玻璃轉移溫度為60~130℃。
6.如申請專利範圍第1至5項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述密封樹脂組成物係包含至少1種環氧樹脂，進而含有硬化劑、矽烷偶合劑及無機填充材之密封樹脂組成物。
7.如申請專利範圍第1至6項中任一項之覆晶半導體封 裝體，其中，使上述密封樹脂組成物之黏度為50 Pa．sec以下(25℃)。
8.如申請專利範圍第1至7項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層之玻璃轉移溫度為160~270℃，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為10~20 ppm/℃。
9.如申請專利範圍第1至8項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層之厚度為500 μm以下。
10.如申請專利範圍第1至9項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層由含有環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂中之至少一種或多種之樹脂組成物與纖維基材構成。
11.如申請專利範圍第1至10項中任一項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層由含有環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂中之至少一種或多種之樹脂組成物構成。
12.一種核心層材料，其特徵在於，可用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
13.一種增層材料，其特徵在於，可用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
14.一種密封樹脂組成物，其特徵在於，可用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
本發明可藉由使用如下覆晶半導體封裝體，而確實抑制或降低因半導體晶片與密封樹脂組成物之間的邊界界面附近之應力集中而產生龜裂或剝離，該覆晶半導體封裝體具備：電路基板，其具備核心層及增層；半導體元件，其介隔金屬凸塊連接於上述電路基板；以及密封樹脂組成物，其封入於上述半導體元件及上述電路基板之間；上述密封樹脂組成物於25℃至75℃之間的線膨脹係數為15 ppm/℃以上且35 ppm/℃以下，上述增層之硬化物之玻璃轉移溫度為170℃以上，25℃至75℃之間的線膨脹係數為25 ppm/℃以下。
本發明之覆晶半導體封裝體能夠達到可確實抑制或降低龜裂或剝離之產生，達成高可靠性之效果。
以下，一面參照圖式一面詳細說明本發明之覆晶半導體封裝體之實施形態。
<關於半導體封裝體之結構>
圖1係表示本發明第一實施形態之覆晶半導體封裝體之概略剖面示意圖。圖中1係電路基板，2係配設於電路基板上方之半導體晶片，其厚度例如約為100 μm~750 μm之範圍。上述電路基板1上表面之半導體晶片連接用電極面與半導體晶片2下表面之電極面之間介由焊球3而覆晶接合。並且，於上述電路基板1與半導體晶片2之間，注入有密封樹脂組成物，使其硬化後由密封樹脂組成物之硬化物4密封。
<關於密封樹脂組成物之組成>
於圖1中，密封樹脂組成物之硬化物4中使用有(1)25℃至75℃之間的線膨脹係數為15~35 ppm/℃，更佳為20~35 ppm/℃之樹脂組成物的硬化物。又，密封樹脂組成物之硬化物4較佳為(2)玻璃轉移溫度為60~130℃，更佳為70~115℃之樹脂組成物之硬化物。
作為業者，可無需進行過度實驗而實施該密封樹脂組成物之硬化物4之特性調整。線膨脹係數例如可使用TMA裝置(TA Instruments公司製造)，以10℃/分鐘進行升溫後進行評價，可利用參照JIS C6481之方法進行測定。
若使用具有此種特性之密封樹脂組成物之硬化物4，則可降低半導體晶片2與密封樹脂組成物之硬化物4之間的線膨脹率之差，故而可更有效達成確實抑制或降低因邊界界面附近之應力集中而產生龜裂或剝離。
密封樹脂組成物之硬化物4之線膨脹係數大於電路基板1或半導體晶片2之線膨脹係數，故而因環境溫度等變化會使各構成構件反向地產生翹曲，故而存在如下問題：應力尤其集中於各構成構件之邊界附近，而導致易於成為龜裂之產生主要原因。因此，可藉由使用滿足上述條件之玻璃轉移溫度或線膨脹率低之密封樹脂組成物的硬化物4，而獲得如下效果：緩和因密封樹脂組成物之硬化物4與電路基板1或半導體晶片2之線膨脹率等不同所產生之熱應力。
又，於圖1中，用於形成密封樹脂組成物之硬化物4之 密封樹脂組成物係包含至少一種環氧樹脂之樹脂組成物，可使用含有硬化劑、矽烷偶合劑及無機填充材者。較佳為使此種密封樹脂組成物有助於提高密封樹脂組成物之硬化物4之可靠性的耐熱性或介電特性等優異，並且藉由調節交聯密度而降低硬化物之玻璃轉移溫度或彈性模數等，有助於上述應力降低結構。
此處，進一步詳細說明用於形成密封樹脂組成物之硬化物4之密封樹脂組成物，上述密封樹脂組成物為熱硬化樹脂組成物，作為形態之一，其為含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)矽烷偶合劑及(D)無機填充材或填充料之液態環氧樹脂組成物。又，上述密封樹脂組成物除了上述成分(A)~(D)，亦可視需要含有(E)其他添加劑。以下，對各成分加以說明。
上述密封樹脂組成物中所含有之所謂(A)環氧樹脂，若為一個分子中具有2個以上環氧基者，則分子量或結構並無特別限定。例如可舉出：酚醛清漆型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、芳香族縮水甘油胺型環氧樹脂、對苯二酚型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、二苯乙烯型環氧樹脂、三苯酚甲烷型環氧樹脂、三苯酚丙烷型環氧樹脂、烷基改質三苯酚甲烷型環氧樹脂、含三核之環氧樹脂、二環戊二烯改質酚型環氧樹脂、萘酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、芳烷基苯酚型環氧樹脂、芳烷基萘酚型環氧樹脂、脂肪族環氧樹脂等。
該情況下，自耐熱性、機械特性、耐濕性之觀點考慮， 較佳為含有芳香族環中鍵結有縮水甘油醚結構或縮水甘油胺結構之結構者，自可靠性，尤其接著性之觀點考慮，較佳為限制脂肪族或脂環式環氧樹脂之使用量。該等可單獨或混合2種以上使用。作為密封樹脂組成物之硬化物4之相關環氧樹脂，較佳為常溫(15~35℃)下為液態，而常溫(15~35℃)下為固體環氧樹脂，若於常溫(15~35℃)下溶解於液態環氧樹脂中，其結果為密封樹脂組成物成為液態狀態亦可。
上述密封樹脂組成物中所含之(B)硬化劑若為1分子中含有2個以上可與環氧樹脂中之環氧基形成共價鍵之官能基者(其中，官能基為酸酐基之情況下，含有1個以上酸酐官能基者)則不特別限定分子量或結構。作為官能基之具體例，存在酚性羥基、酸酐、1級胺、2級胺等。
上述硬化劑可單獨使用，亦可調配2種以上含有相同官能基之硬化劑，進而，若為不損及適用期或與環氧樹脂之硬化性之範圍，則可調配2種以上含有不同官能基之硬化劑。考慮到半導體封裝體之密封用途，則自耐熱性、電性機械特性之觀點考慮，較佳為酚樹脂及芳香族聚胺型硬化劑。進而自兼具密著性、耐濕性之觀點考慮，較佳為芳香族聚胺型硬化劑。
硬化劑之調配量相對於環氧樹脂之環氧當量，以硬化劑之活性氫當量計為0.6~1.4之範圍，更佳為0.7~1.3之範圍。此處，硬化劑之活性氫當量偏離上述範圍之情況下，則會明顯損及反應性或組成物之耐熱性，故而不佳。 其中，硬化劑中所含官能基為酸酐基之情況下，因自1個酸酐官能基會衍生2個羧酸官能基，故而計算為每1個酸酐官能基中含有2個活性氫。
上述密封樹脂組成物中所含之(C)矽烷偶合劑若為具有如下化學結構者作為其化學結構，則分子量或結構並無特別限定，該化學結構於一個分子中含有鍵結有烷氧基之矽原子與鍵結有官能基之烴部。例如可舉出：3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、2－(3,4環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧矽烷偶合劑，3－甲基丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧丙基三乙氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧丙基甲基二甲氧基矽烷、3－甲基丙烯醯氧丙基乙基二乙氧基矽烷、3－丙烯醯氧丙基三甲氧基矽烷等鍵結有丙烯酸酯基之矽烷偶合劑，N－胺基乙基化胺基丙基甲基二烷氧基矽烷、N－胺基乙基化胺基丙基三烷氧基矽烷、3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丙基三甲氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丁基三甲氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丁基三乙氧基矽烷等胺基矽烷偶合劑，N－(1,3－二甲基亞丁基)－3－(三乙氧基矽烷基)丙胺、N－(苯亞甲基)－3－(三乙氧基矽烷基)丙胺等胺基矽烷偶合劑之使酮或醛反應而保護1級胺基之潛伏性胺基矽烷偶合劑，3－巰基丙基三甲氧基矽烷、3－巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等 巰基矽烷偶合劑，藉由雙(3－三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物、雙(3－三乙氧基矽烷基丙基)二硫化物等之熱分解而呈現與巰基矽烷偶合劑同樣功能之矽烷偶合劑等。
又，該等矽烷偶合劑可預先調配經水解反應者。該等可單獨或混合2種以上使用。本發明之情況下，考慮到對電路基板、半導體封裝體之構件表面(電路基板表面之阻焊劑、矽晶片表面之聚醯亞胺、矽晶片之側面)之密著性相對較良好，較佳為環氧矽烷偶合劑。胺基矽烷偶合劑、潛伏性胺基矽烷偶合劑及巰基矽烷偶合劑，由於與矽晶片表面之聚醯亞胺及氮化矽表面之密著性非常良好，故而較佳。
作為矽烷偶合劑之調配方法，存在製造樹脂組成物之過程中混合二氧化矽填充料與其他材料時，同時調配、分散、混合偶合劑之整體混合方式，對(A)環氧樹脂、(B)芳香族胺硬化劑及/或二氧化矽填充料之外之添加劑中預先分散或溶解偶合劑後，再調配至剩餘材料中之母膠方式，預先對二氧化矽填充料表層使用偶合劑進行化學修飾之方式等，可採取任一調配方法，或實施將該等加以組合之調配方法。更佳為，母膠方式或組合母膠方式與對二氧化矽表層進行化學修飾之方法之調配方法可獲得均勻樹脂組成物。
上述密封樹脂組成物中所含之(D)無機填充材或填充料可舉出：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、熔融二氧化矽(熔融球狀二氧化 矽、熔融顆粒二氧化矽)、合成二氧化矽、結晶二氧化矽等二氧化矽粉末等氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽，氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽等氮化物等。該等無機填充材可單獨或混合使用。該等之中，熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽粉末由於可提高樹脂組成物之耐熱性、耐濕性、強度等，故而較佳。
上述無機填充材之形狀並無特別限定，自填充特性之觀點考慮，形狀較佳為球狀。該情況下，無機填充材之平均粒徑較佳為0.1~20 μm，尤佳為0.2~8 μm。平均粒徑超過上述下限值之情況下，樹脂組成物之黏度降低，故而填充性上升，未超過上述上限值之情況下，樹脂組成物對半導體封裝體之間隙填充時難以產生樹脂堵塞，故而較佳。
上述密封樹脂組成物中，視需要除了上述成分之外，亦可調配低應力材、稀釋劑、顏料、難燃劑、界面活性劑、調平劑、消泡劑等其他添加物(E)。
作為上述密封樹脂組成物之製造方法，使用行星混合器、三軸滾筒、兩軸熱滾筒、碾磨機(mixing and grinding machine)等裝置將各成分、添加物等進行分散混練後，於真空下通過脫泡處理進行製造。為預先或製造中途階段去除原材料中之揮發成分，而可於大氣壓或減壓環境下，於 不致使環氧樹脂與硬化劑反應或各成分分解反應的溫度範圍，例如50℃~200℃下進行加熱處理。又，可於分散混合步驟之中途階段或最終階段，於5℃~35℃之溫度下12~96小時之範圍內進行熟化。
上述密封樹脂組成物係例如含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)矽烷偶合劑、及(D)無機填充材或填充料者，且(A)環氧樹脂為於常溫下呈現液態之雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂，N,N－二縮水甘油基苯胺、N,N－二縮水甘油基甲苯胺、二胺基二苯甲烷型縮水甘油胺、胺基酚型縮水甘油胺之類的芳香族縮水甘油胺型環氧樹脂；硬化劑(B)為酚類酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，或二伸乙基三胺、三伸乙基四胺、四伸乙基五胺、間二甲苯二胺、三甲基己二胺、2－甲基戊二胺脂肪族聚胺、異佛爾酮二胺、1,3－雙胺基甲基環己烷、雙(4－胺基環己基)甲烷、降烯二胺、1,2－二胺基環己烷等脂環式聚胺，N－胺基乙基哌、二胺基二苯甲烷、間苯二胺、二胺基二苯碸、二乙基甲苯二胺、三亞甲基雙(4－胺基苯甲酸酯)、聚四亞甲基氧化物－二－對胺基苯甲酸酯、芳香族聚胺；矽烷偶合劑(C)例如為3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3－縮水甘油氧基丙基乙基二乙氧基矽烷、2－(3,4環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等環氧矽烷偶合劑，N－胺基乙基化胺基丙基甲基二烷氧基矽烷、N－胺基乙基化胺基丙基三烷氧基矽烷、 3－胺基丙基三甲氧基矽烷、3－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丙基三甲氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丙基三乙氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丁基三甲氧基矽烷、N－苯基－γ－胺基丁基三乙氧基矽烷等胺基矽烷偶合劑；無機填充材(D)為熔融二氧化矽、結晶二氧化矽、合成二氧化矽粉末，較佳為球狀，無機填充材(D)之平均粒徑為0.1~20 μm，較佳為0.2~8 μm，藉此可使密封樹脂組成物之硬化物於25℃至75℃之間的線膨脹係數為15~35 ppm/℃，較佳為20~35 ppm/℃，使玻璃轉移溫度為60~130℃，較佳為70~115℃。
又，上述密封樹脂組成物例如係含有(A)環氧樹脂、(B)硬化劑、(C)矽烷偶合劑及(D)無機填充材或填充料者，且該等之成分調配比例為，於常溫下呈現液態的雙酚型環氧樹脂(A)占密封樹脂組成物中之比例為30重量%~100重量%，更佳為50重量%~100重量%，硬化劑(B)相對於環氧樹脂(A)之環氧當量，以硬化劑之活性氫當量計為0.6~1.4之範圍，較佳為0.7~1.3，矽烷偶合劑(C)於密封樹脂組成物中所占比例為0.5重量%~5重量%，較佳為0.8重量%~4重量%，無機填充材或填充料(D)於密封組成中所占比例為50重量%~75重量%，較佳為55重量%~70重量%，由此可使密封樹脂組成物之硬化物於25℃至75℃之間的線膨脹係數為15~35 ppm/℃，較佳為20~35 ppm/℃，使玻璃轉移溫度為60~130℃，較佳為70~115℃。
若為上述範圍內，則玻璃轉移溫度不會過高，又，玻璃 轉移溫度亦不會過低，故可獲得充分之玻璃轉移溫度，使得作為樹脂組成物之硬化物時的硬化性良好，且可調整無機填充劑之調配量，故可獲得良好之線膨脹係數。
<關於電路基板>
於圖1中，電路基板1係形成有核心層與至少1層增層之多層電路基板，且係增層中之至少1層增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下的多層配線電路基板。增層可為2層以上。此處，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數例如可使用TMA裝置(TA Instruments公司製造)，以10℃/分鐘升溫進行評價，並可利用參照JIS C6481之方法進行測定。
若增層之玻璃轉移溫度低於170℃，則製造步驟中經過加熱後返回室溫時翹曲會變大。控制多層電路基板翹曲之因素可舉出玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數。較佳為增層之玻璃轉移溫度為175℃以上。
若增層於25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數大於25 ppm/℃，則成為與用於普通電路之銅之線膨脹係數(17~18 ppm/℃)相比，線膨脹係數成倍增大，導致翹曲變大之主要原因。較佳為，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為5~20 ppm/℃，更佳為5~15 ppm/℃。
又，增層於25℃時之彈性模數較佳為5 GPa以上。尤其當電路基板之電路厚度較薄為0.5 mm以下之情況下，整體剛性高，製造半導體封裝體時之操作性或加工性提 高。
電路基板為具有2層以上增層之多層配線電路基板之情況下，多層配線電路基板中之增層中，(i)任1層或2層以上之層為具有上述範圍之玻璃轉移溫度及25℃至75℃之間面方向之線膨脹係數的增層，較佳為進而具有上述範圍之彈性模數之增層，(ii)較佳為上下最外層中任一者係具有上述範圍之玻璃轉移溫度及25℃至75℃之間面方向之線膨脹係數的增層，較佳為進而具有上述範圍之彈性模數之增層，(iii)尤佳為上下最外層兩者均為具有上述範圍之玻璃轉移溫度及25℃至75℃之間面方向之線膨脹係數的增層，較佳為進而具有上述範圍之彈性模數之增層，(iv)更佳為所有層均係具有上述範圍之玻璃轉移溫度及25℃至75℃之間面方向之線膨脹係數的增層，較佳為進而具有上述範圍之彈性模數之增層。例如，於由1層核心層與8層增層構成之電路基板中，於核心層之上形成有4層增層，於核心層之下形成有4層增層之電路基板之情況下，以自上而下之順序形成有增層b1、b2、b3、b4、核心層、增層b5、b6、b7、b8，則(i)增層b1~b8之任一層或2層以上為具有上述物性之增層，(ii)較佳為上下最外層之增層b1及b8中任一層係具有上述物性之增層，(iii)尤佳為上下最外層之增層b1及b8雙方均係具有上述物性之增層，(iv)更佳為所有增層b1~b8係具有上述物性之增層。
增層之1層厚度為10~60 μm，較佳為20~50 μm。
具有上述範圍之玻璃轉移溫度及25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數的增層，較佳為進而具有上述範圍之彈性模數之增層為含有纖維基材者。
增層較佳為增層中含有纖維基材者，且較佳為多層電路基板中含有纖維基材之增層至少為1層。含有纖維基材之增層係彈性模數等機械特性優異。並且，電路基板為具有2層以上增層之多層配線電路基板之情況下，多層配線電路基板中之增層中，(i)較佳為任1層或2層以上之層含有纖維基材，(ii)尤佳為上下最外層中之任一層含有纖維基材，(iii)更佳為上下最外層兩者均含有纖維基材，(iv)更佳為所有層含有纖維基材。例如，形成有1層核心層，及於其上下分別形成有4層增層之電路基板之情況下，若以自上而下之順序形成增層b1、b2、b3、b4、核心層、增層b5、b6、b7、b8，則(i)較佳為增層b1~b8之任一層或2層以上含有纖維基材，(ii)尤佳為上下最外層之增層b1及b8中之任一層含有纖維基材，(iii)更佳為上下最外層之增層b1及b8兩者均含有纖維基材，(iv)更佳為所有增層b1~b8均含有纖維基材。
核心層較佳為，玻璃轉移溫度為160~270℃，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為10~20 ppm/℃。
較佳為核心層之厚度為500 μm以下，更佳為50 μm~400 μm，進而更佳為100~300 μm。多層電路基板例如構成為含有核心層與2~10層增層。較佳為構成為含有2~6層增層。
於上述電路基板之外層表面可出於保護導體、維持絕緣性等之目的，而設置阻焊劑等耐熱性塗層。
作為業者，無需進行過度實驗便可實施電路基板1之特性調整。若使用具有此種特性之電路基板1，則可縮小電路基板1與密封樹脂組成物之硬化物4的線膨脹率之差，故而除了由調整密封樹脂組成物之硬化物4之特性而起到的作用效果，亦可進一步良好達成抑制或降低因應力集中而產生龜裂。
再者，圖1中之左右方向為面方向，上下方向為厚度方向。
<關於核心層>
於電路基板1中，核心層若滿足上述玻璃轉移溫度及線膨脹係數之條件，且具有適當強度即可。核心層較佳為由含有熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物之硬化物構成，尤佳為含有熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物之硬化物，且含有纖維基材。
核心層例如由硬化核心層之形成用材料而獲得，作為用於形成核心層之核心層之形成用材料，並無特別限定，例如，可較佳使用板狀材料(所謂預浸體)，該板狀材料將含有環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂中之至少一種或多種熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材(例如玻璃纖維片材等)中，且使之半硬化而成。尤其可較佳使用如下板狀材料(所謂預浸 體)，該板狀材料將含有氰酸酯樹脂、酚樹脂、環氧樹脂及無機填充材之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材(例如玻璃纖維片材等)中，且使之半硬化而成。並且，藉由使上述預浸體熱硬化，而形成核心層。
作為上述核心層之熱硬化性樹脂，若使用氰酸酯樹脂(含有氰酸酯樹脂之預聚物)，則可縮小預浸體之硬化物(即，核心層)之線膨脹係數，進而，預浸體之硬化物(即，核心層)之電性特性(低介電常數、低介電損耗角正切值)、機械強度等亦優異，故而較佳。再者，所謂預聚物係指局部聚合有氰酸酯樹脂者。
上述氰酸酯樹脂例如可藉由使鹵化氰化合物與酚類反應，且視需要利用加熱等方法進行預聚合反應而獲得。具體而言，可舉出：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。該等中較佳為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。藉此，可因交聯密度增加而提高耐熱性，提高樹脂組成物等之難燃性。其原因在於，酚醛清漆型氰酸酯樹脂於硬化反應後會形成三環。進而，可認為由於醛清漆型氰酸酯樹脂於其結構中苯環比例高，易於碳化。進而，使預浸體厚度為0.5 mm以下之情況下，亦可賦予使預浸體硬化而製作之電路基板優異剛性。尤其加熱時之剛性優異，故而半導體晶片安裝時之可靠性亦尤其優異。
作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，例如可使用以式(1)所示者。
上式所示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂之平均重複單元n並無特別限定，較佳為1~10，尤佳為2~7。若平均重複單元n不足上述下限值，則有時酚醛清漆型氰酸酯樹脂之耐熱性降低，於加熱時導致寡聚物脫離、揮發。又，若平均重複單元n超過上述上限值，則有時熔融黏度過高，導致預浸體之成形性下降。
上述氰酸酯樹脂之重量平均分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為500~4,500，尤佳為600~3,000。若重量平均分子量不足上述下限值，則於製作預浸體之情況下有時會產生黏性，使預浸體彼此接觸時互相附著，或產生樹脂轉印。又，若重量平均分子量超過上述上限值，則反應會變得過快，當製成電路基板後，則有時會產生成形不良，或層間剝離強度下降。
上述氰酸酯樹脂等之重量平均分子量例如可利用GPC(凝膠滲透層析法，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
又，雖並無特別限定，但上述氰酸酯樹脂既可單獨使用1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者將1種或2種以上氰酸酯樹脂與彼等之預聚物併用。
上述熱硬化性樹脂之含量並無特別限定，較佳為上述樹脂組成物整體之5~50重量%，尤佳為20~40重量%。若含量不足上述下限值，則有時難以形成預浸體，若超過上述上限值，則有時預浸體之強度會降低。
又，上述樹脂組成物較佳為含有無機填充材。藉此，即便使電路基板薄膜化(厚度為0.5 mm以下)，亦可使強度優異。進而，可提高電路基板之低線膨脹化。
作為上述無機填充材，例如可舉出：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽，氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物，鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。作為無機填充材，既可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。該等中尤佳為二氧化矽，熔融二氧化矽(特別為球狀熔融二氧化矽)於低線膨脹性優異之方面較佳。其形狀為顆粒狀、球狀，而為確保對纖維基材之含浸性，則採用使用球狀二氧化矽以降低樹脂組成物之熔融黏度等依據其目的而使用之方法。
作為上述核心層之熱硬化性樹脂，使用氰酸酯樹脂(尤其為酚醛清漆型氰酸酯樹脂)之情況下，較佳為使用氰酸酯樹脂與環氧樹脂(實質不含有鹵素原子)或酚樹脂之任一者或雙方。
作為與上述氰酸酯樹脂併用之環氧樹脂，例如可舉出：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂，酚類酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、二甲苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳基伸烷基型環氧樹脂，萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者將1種或2種以上環氧樹脂與彼等之預聚物併用。
該等環氧樹脂之中尤佳為芳基伸烷基型環氧樹脂。藉此，可提高吸濕焊錫耐熱性及難燃性。
上述芳基伸烷基型環氧樹脂係指重複單元中具有一個以上芳基伸烷基之環氧樹脂。例如可舉出：二甲苯型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂等。該等中較佳為聯苯二亞甲基型環氧樹脂。聯苯二亞甲基型環氧樹脂例如可以式(2)表示。
上述式(2)所示之聯苯二亞甲基型環氧樹脂之平均重複單元n並無特別限定，較佳為1~10，尤佳為2~5。若平均重複單元n不足上述下限值，則聯苯二亞甲基型環氧樹脂易於結晶化，對通用溶劑之溶解性相對低下，故而有時難以操作。又，若平均重複單元n超過上述上限值，則有時樹脂之流動性降低，成為成形不良等之原因。
上述環氧樹脂之含量並無特別限定，但較佳為樹脂組成物整體之1~55重量%，尤佳為2~40重量%。若含量不足上述下限值，則有時氰酸酯樹脂之反應性會下降，或者所得產品之耐濕性會下降，若超過上述上限值，則有時耐熱性會下降。
上述環氧樹脂之重量平均分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為500~20,000，尤佳為800~15,000。若重量平均分子量不足上述下限值，則有時預浸體中會產生黏性，若超過上述上限值，則有時製作預浸體時，對纖維基材之含浸性會下降，無法獲得均勻產品。
上述環氧樹脂之重量平均分子量例如可利用GPC進行測定。
作為與上述氰酸酯樹脂併用之酚樹脂，例如可舉出：酚醛清漆型酚樹脂、可溶酚醛型酚樹脂、芳基伸烷基型酚樹脂等。作為酚樹脂，可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者將1種或2種以上酚樹脂與彼等之預聚物併用。該等中尤佳為芳基伸烷基型酚樹脂。藉此，可進一步提高吸濕焊錫耐熱性。
作為上述芳基伸烷基型酚樹脂，例如可舉出：二甲苯型酚樹脂、聯苯二亞甲基型酚樹脂等。聯苯二亞甲基型酚樹脂例如可以式(3)表示。
上述式(3)所示之聯苯二亞甲基型酚樹脂之重複單元n並無特別限定，較佳為1~12，尤佳為2~8。若平均重複單元n不足上述下限值，則有時耐熱性會下降。又，若超過上述上限值，則有時與其他樹脂之相溶性會下降，導致作業性下降。
可藉由上述氰酸酯樹脂(尤其酚醛清漆型氰酸酯樹脂)與芳基伸烷基型酚樹脂之組合，而控制交聯密度，使反應性易於進行控制。
上述酚樹脂之含量並無特別限定，較佳為樹脂組成物整體之1~55重量%，尤佳為5~40重量%。若含量不足上述下限值，則有時耐熱性會下降，若超過上述上限值，則有時會損及低線膨脹之特性。
上述酚樹脂之重量平均分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為400~18,000，尤佳為500~15,000。若重量平均分子量不足上述下限值，則有時預浸體中會產生黏性，若超過上述上限值，則製作預浸體時，有時對纖維基材之含浸性會下降，導致無法獲得均勻產品。
上述酚樹脂之重量平均分子量例如可利用GPC進行測定。
進而，使用上述氰酸酯樹脂(尤其酚醛清漆型氰酸酯樹脂)與上述酚樹脂(芳基伸烷基型酚樹脂，尤其聯苯二亞甲基型酚樹脂)與上述環氧樹脂(芳基伸烷基型環氧樹脂，尤其聯苯二亞甲基型環氧樹脂)之組合，製作電路基板之情況下，可獲得特別優異之尺寸穩定性。
上述核心層之熱硬化性樹脂組成物並無特別限定，較佳為使用偶合劑。該偶合劑可藉由提高上述熱硬化性樹脂與上述無機填充材之界面的潤濕性，而對纖維基材均勻固定熱硬化性樹脂等及無機填充材，改善耐熱性，尤其改善吸濕後之焊錫耐熱性。
作為上述偶合劑，可使用通常所使用之任一者，具體而言，較佳為使用選自環氧矽烷偶合劑、陽離子型矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑中之1種以上之偶合劑。藉此，可提高與無機填充材界面之潤濕性，藉此可更加提高耐熱性。
上述偶合劑之含量依存於上述無機填充材之比表面積，故並無特別限定，但較佳為相對於100重量份無機填充材為0.05~3重量份，尤佳為0.1~2重量份。若含量不足上述下限值，則無法充分被覆無機填充材，故而有時提高耐熱性之效果會下降，若超過上述上限值，則有時對反應造成影響，使彎曲強度等降低。
上述核心層之熱硬化性樹脂組成物可視需要使用硬化 促進劑。作為該硬化促進劑可使用公知者。例如可舉出：環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯基丙酮酸鈷(Ⅱ)、三乙醯基丙酮酸鈷(Ⅲ)等有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等3級胺類，2－苯基－4－甲基咪唑、2－乙基－4－乙基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羥基咪唑、2－苯基－4,5－二羥基咪唑等咪唑類，酚、雙酚A、壬酚等酚化合物，乙酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等或其混合物。作為硬化促進劑，亦可包括該等中之衍生物而單獨使用1種，或包括該等之衍生物而併用2種以上。
上述硬化促進劑之含量並無特別限定，較佳為上述樹脂組成物整體之0.05~5重量%，尤佳為0.2~2重量%。若含量不足上述下限值，則有時無法顯現促進硬化之效果，若超過上述上限值，則有時預浸體之保存性會下降。
上述核心層之熱硬化性樹脂組成物中，可併用苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等熱可塑性樹脂，苯乙烯－丁二烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯共聚物等聚苯乙烯系熱可塑性彈性體，聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱可塑性彈性體，聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體。
又，上述核心層之熱硬化性樹脂組成物中可視需要添加顏料、染料、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、 抗氧化劑、難燃劑、離子捕獲劑等除上述成分之外之添加物。
使上述核心層之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材(例如玻璃纖維片材等)中半硬化而成之板狀材料(所謂預浸體)，適於製造介電特性、高溫多濕下之機械、電性連接可靠性等各種特性優異之電路基板等。
作為上述纖維基材，可舉出：玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材，以聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維，聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維，聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分之織布或不織布構成之合成纖維基材，以牛皮紙、棉絨紙、棉線纖維與牛皮紙漿之混抄紙等為主成分之紙基材等有機纖維基材等。該等中較佳為玻璃纖維基材。藉此，可提高預浸體之硬化物(即，核心層)之強度、吸水率。又，可縮小預浸體之硬化物(即，核心層)之線膨脹係數。
使核心層之熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中之方法中例如可舉出：使用樹脂組成物製備樹脂清漆，將纖維基材浸漬於樹脂清漆中之方法；利用各種塗佈機進行塗佈之方法；利用噴霧進行噴附之方法等。該等中較佳為將纖維基材浸漬於樹脂清漆中之方法。藉此可提高樹脂組成物對纖維基材之含浸性。再者，纖維基材浸漬於樹脂清漆中之情況下，可使用普通之含浸塗佈設備。
上述樹脂清漆中所使用之溶劑，較理想的是對上述樹脂 組成物中之樹脂成分顯示良好之溶解性，於不造成不良影響之範圍內可使用不良溶劑。作為顯示良好溶解性之溶劑，例如可舉出：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。
上述樹脂清漆之固形份並無特別限定，較佳為上述樹脂組成物之固形份40~80重量%，尤佳為50~65重量%。藉此，可進一步提高樹脂清漆對纖維基材之含浸性。可藉由使上述纖維基材中含浸上述樹脂組成物，且以特定溫度例如80~200℃等加以乾燥而獲得預浸體。
並且，作為上述核心層之形成用材料，例如使用含有纖維基材之預浸體，且使用上述氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂，尤佳為使用含有纖維基材之預浸體，且使用上述氰酸酯樹脂與上述環氧樹脂或上述酚樹脂作為熱硬化性樹脂，更佳為使用含有纖維基材之預浸體，且使用上述氰酸酯樹脂、上述環氧樹脂、及上述酚樹脂作為熱硬化性樹脂，藉此可使核心層之玻璃轉移溫度為160~270℃，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為10~20 ppm/℃。
又，作為核心層之形成用材料，例如使用含有纖維基材之預浸體，且熱硬化性樹脂組成物具有如下組成：氰酸酯樹脂為樹脂組成物整體之5~55重量%，較佳為20~50重量%，與氰酸酯樹脂併用之環氧樹脂為樹脂組成物整體之1~55量%，較佳為2~40重量%，與氰酸酯樹脂併用之酚 樹脂為樹脂組成物整體之1~55重量%，較佳為5~40重量%，藉此可使核心層之玻璃轉移溫度為160~270℃，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為10~20 ppm/℃。
<關於增層>
於電路基板1中，增層若滿足上述電路基板1之玻璃轉移溫度及線膨脹係數之條件，且具有適當強度即可。
作為增層，較佳為由含有熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物之硬化物構成，尤佳為由含有熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物之硬化物構成且含有纖維基材。藉此，可提高增層之耐熱性。
增層例如可由增層之形成用材料硬化後而獲得，作為用於形成增層之增層形成用材料，並無特別限定，較佳為由含有熱硬化性樹脂之熱硬化性樹脂組成物構成，尤佳為含有熱硬化性樹脂且含有纖維基材。藉此，可提高增層之耐熱性。
又，增層之熱硬化性樹脂組成物可含浸於以玻璃纖維片材為主之纖維基材中，亦可使熱硬化性樹脂組成物直接硬化。此處，作為使熱硬化性樹脂組成物含浸於纖維基材中之方法並無特別限定。又，附載體基材之增層係將由上述熱硬化性樹脂組成物構成之樹脂層形成於載體基材上而成者。
作為上述增層之熱硬化性樹脂，例如可舉出：環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、 聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂、具有苯并環之樹脂，尿素(尿素，urea)樹脂、三聚氰胺樹脂等具有三環之樹脂，不飽和聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、鄰苯二甲酸二烯丙酯樹脂、聚矽氧樹脂等。
可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者將1種或2種以上熱硬化性樹脂與彼等之預聚物併用。
較佳為含有環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂、具有苯并環之樹脂中之至少一種或多種。
作為環氧樹脂，可舉出：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂，酚類酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂、芳基伸烷基型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧型環氧樹脂、二環成二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等環氧樹脂等。
作為酚樹脂，例如可舉出：酚類酚醛清漆樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、雙酚A酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚樹脂，未改質可溶酚醛酚樹脂，經桐油、亞麻籽油、胡桃油等改質之油改質可溶酚醛酚樹脂等可溶酚醛型酚樹脂等酚樹 脂等。
又，該等中尤佳為氰酸酯樹脂(包括氰酸酯樹脂之預聚物)。藉此，可縮小增層之線膨脹係數。進而，增層之電性特性(低介電常數、低介電損耗角正切值)、機械強度等亦優異。
上述氰酸酯樹脂例如可藉由使鹵化氰化合物與酚類反應，且視需要利用加熱等方法，使之形成聚合物而獲得。具體而言，可舉出：酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A型氰酸酯樹脂、雙酚E型氰酸酯樹脂、四甲基雙酚F型氰酸酯樹脂等雙酚型氰酸酯樹脂等。該等中較佳為酚醛清漆型氰酸酯樹脂。藉此，可由於交聯密度增加而提高耐熱性，提高樹脂組成物等之難燃性。其原因在於，酚醛清漆型氰酸酯樹脂於硬化反應後將形成三環。進而，可認為原因在於由於酚醛清漆型氰酸酯樹脂於其結構上苯環比例高，易於碳化。
作為上述酚醛清漆型氰酸酯樹脂，例如可使用以式(1)所示者。
上述式(1)所示之酚醛清漆型氰酸酯樹脂之平均重複單元n並無特別限定，較佳為1~10，尤佳為2~7。若平均 重複單元n不足上述下限值，則酚醛清漆型氰酸酯樹脂易於結晶化，對通用溶劑之溶解性相對降低，故而有時難以操作。又，若平均重複單元n超過上述上限值，則有時熔融黏度會變得過高，導致增層之成形性降低。
上述氰酸酯樹脂之重量平均分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為500~4,500，尤佳為600~3,000。若重量平均分子量不足上述下限值，則有時增層之硬化物之機械強度會降低，進而製作增層之情況下有時會產生黏性，或者產生樹脂轉印。又，若重量平均分子量超過上述上限值，則硬化反應會變快，製成基板(尤其電路基板)之情況下，有時會產生成形不良，或者層間剝離強度降低。
上述氰酸酯樹脂等之重量平均分子量例如可利用GPC(凝膠滲透層析法，標準物質：聚苯乙烯換算)進行測定。
又，雖並無特別限定，但上述氰酸酯樹脂既可包括其衍生物而單獨使用1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者併用1種或2種以上氰酸酯樹脂與彼等之預聚物。
上述增層之熱硬化性樹脂之含量並無特別限定，較佳為上述樹脂組成物整體之5~50重量%，尤佳為10~40重量%。若含量不足上述下限值，則有時難以形成絕緣層，若超過上述上限值，則有時增層之強度會下降。
使用氰酸酯樹脂(尤其酚醛清漆型氰酸酯樹脂)作為上述增層之熱硬化性樹脂之情況下，較佳為併用氰酸酯樹脂 與環氧樹脂(實質不含鹵素原子)。
作為與上述氰酸酯樹脂併用之環氧樹脂，例如可舉出：雙酚A環氧樹脂、雙酚F環氧樹脂、雙酚E型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚Z型環氧樹脂、雙酚P型環氧樹脂、雙酚M型環氧樹脂等雙酚型環氧樹脂，酚類酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆環氧樹脂等酚醛清漆型環氧樹脂，聯苯型環氧樹脂、二甲苯型環氧樹脂、聯苯芳烷基型環氧樹脂等芳基伸烷基型環氧樹脂，萘型環氧樹脂、蒽型環氧樹脂、苯氧型環氧樹脂、二環成二烯型環氧樹脂、降烯型環氧樹脂、金剛烷型環氧樹脂、茀型環氧樹脂等。
作為環氧樹脂，可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或併用1種或2種以上環氧樹脂與彼等之預聚物。
該等環氧樹脂中尤佳為芳基伸烷基型環氧樹脂。藉此，可提高吸濕焊錫耐熱性及難燃性。
上述芳基伸烷基型環氧樹脂係指重複單元中具有一個以上芳基伸烷基之環氧樹脂。例如可舉出：二甲苯型環氧樹脂、聯苯二亞甲基型環氧樹脂等。該等中較佳為聯苯二亞甲基型環氧樹脂。聯苯二亞甲基型環氧樹脂例如可以式(2)表示。
以上述式(2)所示之聯苯二亞甲基型環氧樹脂之平均重複單元n並無特別限定，較佳為1~10，尤佳為2~5。若平均重複單元n不足上述下限值，則聯苯二亞甲基型環氧樹脂易於結晶化，導致對通用溶劑之溶解性相對降低，故而有時難以操作。
又，若平均重複單元n超過上述上限值，則有時樹脂之流動性會下降，成為成形不良等之原因。可藉由使平均重複單元n之數處於上述範圍內，而獲得該等特性之平衡優異者。
上述環氧樹脂之含量並無特別限定，較佳為樹脂組成物整體之1~55重量%，尤佳為5~40重量%。若含量不足上述下限值，則有時與氰酸酯樹脂之反應性會下降，或者所得產品之耐濕性會下降，若超過上述上限值，則有時低線膨脹性、耐熱性會下降。
上述環氧樹脂之重量平均分子量並無特別限定，較佳為重量平均分子量500~20,000，尤佳為800~15,000。若重量平均分子量不足上述下限值，則有時於增層之表面會產生黏性，若超過上述上限值，則有時焊錫耐熱性會下降。可藉由使重量平均分子量處於上述範圍內，而獲得該等特性之平衡優異者。
上述環氧樹脂之重量平均分子量例如可利用GPC進行測定。
上述增層之熱硬化性樹脂組成物較佳為含有製膜性樹脂。藉此，可進一步提高製造附載體基材之增層時的製膜 性或操作性。再者，製膜性樹脂係指添加固定量至樹脂清漆中後，將清漆塗佈於載體基材上並乾燥而成為薄膜狀時，可使表面自動確保平滑性，且呈現適當黏性之樹脂。作為上述製膜性樹脂，例如可舉出：苯氧系樹脂、雙酚F系樹脂、烯烴系樹脂等。作為製膜性樹脂，亦可包括該等中之衍生物而單獨使用1種，亦可併用2種以上具有不同重量平均分子量者，或者併用1種或2種以上製膜性樹脂與彼等之預聚物。該等中較佳為苯氧系樹脂。藉此，可提高耐熱性及難燃性。
作為上述苯氧樹脂並無特別限定，例如可舉出：具有雙酚A骨架之苯氧樹脂、具有雙酚F骨架之苯氧樹脂、具有雙酚S骨架之苯氧樹脂、具有雙酚M骨架之苯氧樹脂、具有雙酚P骨架之苯氧樹脂、具有雙酚Z骨架之苯氧樹脂等具有雙酚骨架之苯氧樹脂，具有酚醛清漆骨架之苯氧樹脂、具有蒽骨架之苯氧樹脂、具有茀骨架之苯氧樹脂、具有二環戊二烯骨架之苯氧樹脂、具有降烯骨架之苯氧樹脂、具有萘骨架之苯氧樹脂、具有聯苯骨架之苯氧樹脂、具有金剛烷骨架之苯氧樹脂等。
又，作為苯氧樹脂，既可使用具有多種該等中之骨架之結構，亦可使用各個骨架比率不同之苯氧樹脂。進而既可使用多種不同骨架之苯氧樹脂，亦可使用多種具有不同重量平均分子量之苯氧樹脂，或併用彼等之預聚物。
可使用該等中具有聯苯骨架與雙酚S骨架之苯氧樹脂。藉此，可因聯苯骨架所具有之剛度，而提高玻璃轉移 溫度並且可因雙酚S骨架，而提高製造多層電路基板時之電鍍金屬之附著性。
又，可使用具有雙酚A骨架與雙酚F骨架之苯氧樹脂。藉此，可於製造多層電路基板時提高對內層電路基板之密著性。進而，可併用上述具有聯苯骨架與雙酚S骨架之苯氧樹脂與具有雙酚A骨架與雙酚F骨架之苯氧樹脂。
作為上述製膜性樹脂之分子量並無特別限定，重量平均分子量較佳為1000~100000。更佳為10000~60000。
若製膜性樹脂之重量平均分子量不足上述下限值，則有時提高製膜性之效果並不充分。另一方面，若超過上述上限值，則有時製膜性樹脂之溶解性會下降。可藉由使製膜性樹脂之重量平均分子量處於上述範圍內，而使該等特性之平衡優異。
作為製膜性樹脂之含量並無特別限定，較佳為樹脂組成物整體之1~40重量%。更佳為5~30重量%。若製膜性樹脂之含量不足上述下限值，則有時提高製膜性之效果並不充分。另一方面，若超過上述上限值，則氰酸酯樹脂之含量會相對變小，故而有時賦予低線膨脹性之效果會下降。可藉由使製膜性樹脂之含量處於上述範圍內，而使該等之特性之平衡優異。
較佳為用於形成增層之上述增層之熱硬化性樹脂及製膜性樹脂均實質不含有鹵素原子。藉此，無需使用鹵化合物，便可賦予難燃性。此處，所謂實質不含有鹵素原子係指例如環氧樹脂或苯氧樹脂中之鹵素原子之含量為0.15 重量%以下(JPCA－ES01－2003)者。
上述增層之熱硬化性樹脂組成物中可視需要使用硬化促進劑。作為該硬化促進劑可使用公知者。例如可舉出咪唑化合物、環烷酸鋅、環烷酸鈷、辛酸錫、辛酸鈷、雙乙醯基丙酮酸鈷(Ⅱ)、三乙醯基丙酮酸鈷(Ⅲ)等有機金屬鹽，三乙基胺、三丁基胺、二氮雜雙環[2,2,2]辛烷等3級胺類，酚、雙酚A、壬基苯酚等酚化合物，乙酸、苯甲酸、水楊酸、對甲苯磺酸等有機酸等或該等之混合物。作為硬化促進劑，既可包括該等中之衍生物而單獨使用1種，或者亦可包括該等衍生物而併用2種以上。
該等硬化促進劑之中尤佳為咪唑化合物。藉此，可提高吸濕焊錫耐熱性。並且，上述咪唑化合物並無特別限定，但較理想的是與上述氰酸酯樹脂、環氧樹脂、製膜性樹脂成分具有相溶性。
此處，與上述氰酸酯樹脂、環氧樹脂、製膜性樹脂成分具有相溶性係指可於將咪唑化合物與上述氰酸酯樹脂、環氧樹脂、製膜性樹脂成分加以混合，或者將咪唑化合物與上述氰酸酯樹脂、環氧樹脂、製膜性樹脂成分和有機溶劑一起加以混合之情況下，實質溶解或分散成分子級之性狀。
上述增層之熱硬化性樹脂組成物可藉由使用此種咪唑化合物，而有效促進氰酸酯樹脂或環氧樹脂之反應，又，即使縮小咪唑化合物之調配量亦可提高耐熱性，並且可賦予低熱膨脹性、低吸水性等特性。
進而，使用有此種咪唑化合物之增層之熱硬化性樹脂組成物可於與樹脂成分之間，由微小基質單位以高均勻性進行硬化。藉此，可提高形成於多層電路基板上之增層之絕緣性、耐熱性。
並且，若由此種增層之熱硬化性樹脂組成物形成之增層例如使用過錳酸鹽、重鉻酸鹽等氧化劑進行表面粗糙化處理，則可於粗糙化處理後之增層表面形成大量均勻性高之微小凹凸形狀。
若對此種粗糙化處理後之增層表面進行金屬電鍍處理，則粗糙化處理面之平滑性高，故而可高精度形成精密導體電路。又，可藉由微小凹凸形狀而提高固定效果，並對增層與電鍍金屬之間賦予高密著性。
作為上述增層之熱硬化性樹脂組成物所使用之上述咪唑化合物，例如可舉出：1－苄基－2－甲基咪唑、1－苄基－2－苯基咪唑、2－苯基－4－甲基咪唑、2－乙基－4－甲基咪唑、2,4－二胺基－6－[2’－甲基咪唑基－(1’)]－乙基－s－三、2,4－二胺基－6－(2’－十一烷基咪唑基)－乙基－s－三、2,4－二胺基－6－[2’－乙基－4－甲基咪唑基－(1’)]－乙基－s－三、2－苯基－4,5－二羥基甲基咪唑、2－苯基－4－甲基－5－羥基甲基咪唑等。
該等中較佳為自1－苄基－2－甲基咪唑、1－苄基－2－苯基咪唑及2－乙基－4－甲基咪唑所選擇之咪唑化合物。因該等咪唑化合物具有尤其優異之相溶性，而獲得均勻性高之硬化物，並且可形成微細且均勻之粗糙化面，故而可容易形 成精密導體電路，並且可使多層電路基板呈現高耐熱性。
作為上述咪唑化合物之含量並無特別限定，但較佳為相對於上述氰酸酯樹脂與環氧樹脂之合計為0.01~5重量%，尤佳為0.05~3重量%。藉此，尤其可提高耐熱性。
又，上述增層之熱硬化性樹脂組成物較佳為含有無機填充材。藉此，可實現低線膨脹性及難燃性之提高。又，可藉由上述氰酸酯樹脂及/或其預聚物(尤其酚醛清漆型氰酸酯樹脂)與無機填充材之組合，而提高彈性模數。
作為上述無機填充材例如可舉出：滑石、煅燒黏土、未煅燒黏土、雲母、玻璃等矽酸鹽，氧化鈦、氧化鋁、二氧化矽、熔融二氧化矽等氧化物，碳酸鈣、碳酸鎂、水滑石等碳酸鹽，氫氧化鋁、氫氧化鎂、氫氧化鈣等氫氧化物，硫酸鋇、硫酸鈣、亞硫酸鈣等硫酸鹽或亞硫酸鹽，硼酸鋅、偏硼酸鋇、硼酸鋁、硼酸鈣、硼酸鈉等硼酸鹽，氮化鋁、氮化硼、氮化矽、氮化碳等氮化物，鈦酸鍶、鈦酸鋇等鈦酸鹽等。作為無機填充材既可單獨使用該等中之1種，亦可併用2種以上。該等中尤佳為二氧化矽，熔融二氧化矽(尤其球狀熔融二氧化矽)因低線膨脹性優異故而較佳。其形狀為顆粒狀、球狀，但為確保對纖維基材之含浸性，而採用使用球狀二氧化矽以降低樹脂組成物之熔融黏度等依據其目的之使用方法。
作為上述無機填充材之平均粒徑並無特別限定，較佳為0.01~5 μm。更佳為0.1~2 μm。
若無機填充材之平均粒徑不足上述下限值，則使用本發 明之樹脂組成物製備樹脂清漆時，樹脂清漆之黏度會變高，故而有時製作附載體基材之增層時對作業性會造成影響。另一方面，若超過上述上限值，則有時樹脂清漆中會產生無機填充材沈降等現象。可藉由使無機填充材之平均粒徑處於上述範圍內，而使該等特性之平衡優異。
又，上述無機填充材並無特別限定，既可使用平均粒徑為單分散之無機填充材，或者亦可使用平均粒徑為多分散之無機填充材。進而亦可併用1種或2種以上平均粒徑為單分散及/或多分散之無機填充材。
作為上述無機填充材之含量並無特別限定，較佳為樹脂組成物整體之20~70重量%。更佳為30~60重量%。
若無機填充材之含量不足上述下限值，則有時賦予低熱膨脹性、低吸水性之效果會下降。又，若超過上述上限值，則有時由於樹脂組成物之流動性降低而使增層之成形性降低。可藉由使無機填充材之含量處於上述範圍內，而使該等特性之平衡優異。
上述增層之熱硬化性樹脂組成物並無特別限定，較佳為使用偶合劑。可藉由使上述偶合劑提高上述熱硬化性樹脂與上述無機填充材之界面的潤濕性，而提高耐熱性，尤其提高吸濕焊錫耐熱性。
作為上述偶合劑可使用通常所使用之任意者，具體而言，較佳為使用自環氧矽烷偶合劑、陽離子型矽烷偶合劑、胺基矽烷偶合劑、鈦酸酯系偶合劑及聚矽氧油型偶合劑中選擇之1種以上的偶合劑。藉此，可提高與無機填充 材之界面之潤濕性，故可進而提高耐熱性。
作為上述偶合劑之含量並無特別限定，較佳為相對於100重量份無機填充材為0.05~3重量份。若偶合劑之含量不足上述下限值，則有時被覆無機填充材提高耐熱性之效果並不充分。另一方面，若超過上述上限值，則有時增層之彎曲強度會下降。可藉由使偶合劑之含量處於上述範圍內，而使該等特性之平衡優異。
上述增層之熱硬化性樹脂組成物，可併用苯氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醚碸樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚苯乙烯樹脂等熱可塑性樹脂，苯乙烯－丁二烯共聚物、苯乙烯－異戊二烯共聚物等聚苯乙烯系熱可塑性彈性體，聚烯烴系熱可塑性彈性體、聚醯胺系彈性體、聚酯系彈性體等熱可塑性彈性體，聚丁二烯、環氧改質聚丁二烯、丙烯酸改質聚丁二烯、甲基丙烯酸改質聚丁二烯等二烯系彈性體。
又，上述增層之熱硬化性樹脂組成物中可視需要添加顏料、染料、消泡劑、調平劑、紫外線吸收劑、發泡劑、抗氧化劑、難燃劑、離子捕獲劑等除上述成分外之添加物。
此處，作為使上述增層之熱硬化性樹脂組成物形成於載體基材上之方法並無特別限定，例如，可舉出：使樹脂組成物溶解或分散於溶劑等中製備樹脂清漆，並使用各種塗佈裝置將樹脂清漆塗覆於載體基材上之後，使其乾燥之方法；使用噴霧裝置將樹脂清漆噴霧塗覆於載體基材上之後，使其乾燥之方法等。
該等中較佳為使用刮刀式塗佈機、擠壓式塗佈機等各種塗佈裝置，將樹脂清漆塗覆於載體基材上之後，使其乾燥之方法。藉此，可高效製造無孔隙且具有均勻增層厚度之附載體基材之增層。
作為載體基材並無特別限定，例如可使用：聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯等聚酯樹脂，氟系樹脂、聚醯亞胺樹脂等具有耐熱性之熱可塑性樹脂薄膜，或者銅及/或銅系合金、鋁及/或鋁系合金、鐵及/或鐵系合金、銀及/或銀系合金、金及金系合金、鋅及鋅系合金、鎳及鎳系合金、錫及錫系合金等金屬箔等。
作為上述載體基材之厚度並無特別限定，使用10~100 μm者，則製造附載體基材之增層時之操作性良好故而較佳。
較理想的是，上述樹脂清漆中所使用之溶劑對上述增層之熱硬化性樹脂組成物中之樹脂成分顯示良好溶解性，可於不造成不良影響之範圍內使用不良溶劑。作為顯示良好溶解性之溶劑例如可舉出：丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、四氫呋喃、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、乙二醇、賽珞蘇系、卡必醇系等。
作為上述樹脂清漆中之固形份含量並無特別限定，較佳為30~80重量%，尤佳為40~70重量%。
作為增層中由樹脂組成物構成之增層厚度並無特別限定，較佳為5~100 μm。更佳為10~80 μm。藉此，使用該增層製造多層電路基板時，可填充內層電路之凹凸而 成形，並且可確保適當之增層厚度。
其次，對用以形成含有纖維基材之增層之材料(以下，亦記載為含纖維基材之增層形成用材料)加以說明。含纖維基材之增層形成用材料中，增層之熱硬化性樹脂組成物載置於纖維基材上。該纖維基材之厚度為5~35 μm，較佳為5~25 μm，尤佳為10~20 μm。若纖維基材之厚度為上述範圍內，則下述基板薄膜化與基板強度之平衡，進而層間連接之加工性或可靠性優異。
作為此種含纖維基材之增層形成用材料之纖維基材，可舉出：玻璃織布、玻璃不織布等玻璃纖維基材，以聚醯胺樹脂纖維、芳香族聚醯胺樹脂纖維、全芳香族聚醯胺樹脂纖維等聚醯胺系樹脂纖維，聚酯樹脂纖維、芳香族聚酯樹脂纖維、全芳香族聚酯樹脂纖維等聚酯系樹脂纖維，聚醯亞胺樹脂纖維、氟樹脂纖維等為主成分之織布或不織布構成之合成纖維基材，以牛皮紙、棉絨紙、棉線纖維與牛皮紙漿之混抄紙等為主成分之紙基材等有機纖維基材等。該等中較佳為玻璃纖維基材。藉此，可提高增層之強度。又，可減小增層之熱膨脹係數。
作為構成此種玻璃纖維基材之玻璃，例如可舉出：E玻璃、C玻璃、A玻璃、S玻璃、D玻璃、NE玻璃、T玻璃、H玻璃等。該等中較佳為T玻璃。藉此，可減小玻璃纖維基材之熱膨脹係數，故可減小增層之熱膨脹係數。
作為含纖維基材之增層形成用材料之製造方法，例如存在如下方法：預先將增層之熱硬化性樹脂組成物塗佈於載 體薄膜等上，製造由載體薄膜支持之熱硬化性樹脂組成物之薄膜，將由該載體薄膜支持之熱硬化性樹脂組成物之薄膜層壓於纖維基材後，剝離載體薄膜(以下，亦記載有利用層壓法製造含纖維基材之增層形成用材料之製造方法)。藉此，可將樹脂材料載置於尤其厚度為35 μm以下之纖維基材上，而獲得含纖維基材之增層形成用材料。
利用層壓法製造含纖維基材之增層形成用材料之方法中，可於含有纖維基材之增層形成用材料中，使纖維基材偏向於含纖維基材之增層形成用材料之厚度方向上。該情況下，可根據電路圖案調整樹脂量。此處，根據圖2說明纖維基材偏向於含纖維基材之增層形成用材料之厚度方向的狀態。圖2(a)、(b)係示意性表示纖維基材5偏向於含纖維基材之增層形成用材料7之厚度方向之狀態的剖面圖。如圖2(a)、(b)所示，表示相對於含纖維基材之增層形成用材料7之厚度方向的中心線A－A，纖維基材5之中心為偏離配置。圖2(a)中，纖維基材5之下側(圖2中之下側)之面與含纖維基材之增層形成用材料7之下側(圖2中之下側)面為近似一致。圖2(b)中，纖維基材5配置於中心A－A與含纖維基材之增層形成用材料7之下側(圖2中之下側)的面之間。再者，纖維基材5可一部分重合於中心線A－A。
習知之製造方法(例如使用通常之塗覆裝置，使纖維基材浸漬含浸於樹脂清漆中及使之乾燥之方法)中，樹脂材料層相對於纖維基材對稱形成。然而，該情況下，於增層 之兩面，電路之配線圖案不同之情況下，(尤其電路圖案之殘銅率不同之情況下)，兩個面所需樹脂量不同，但無法進行對應。該情況下，製造基板時，有時會導致構成增層之樹脂凸起，或者埋設電路圖案所須之樹脂不足。
相對於此，利用層壓法製造含纖維基材之增層形成用材料之方法，由於有可能使纖維基材5偏向於含纖維基材之增層形成用材料7之厚度方向上，故而可以設計具有基於增層電路圖案之樹脂量的含纖維基材之增層形成用材料7之方式加以解決。進而，可製造厚度為35 μm以下之薄含纖維基材之增層形成用材料7，且使纖維基材5偏向於含纖維基材之增層形成用材料7之厚度方向上，故而亦可使最終所獲得之半導體封裝體之厚度變薄。其原因在於，不僅單是含纖維基材之增層形成用材料7之厚度薄，而且亦可對應電路圖案之殘銅率等，調整樹脂材料層6之樹脂量，故而無須設置多餘樹脂層。
並且，作為上述增層之形成用材料，例如可藉由使用含纖維基材之增層形成用材料，尤佳為使用由層壓法製成之含纖維基材之增層形成用材料，而使增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，較佳為175℃以上，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下，較佳為5~20 ppm/℃，尤佳為5~15 ppm/℃。
又，作為上述增層之形成用材料，例如使用含纖維基材之增層形成用材料或由層壓法製成之含纖維基材之增層形成用材料，且使用上述氰酸酯樹脂作為熱硬化性樹脂， 尤佳為使用含纖維基材之增層形成用材料或由層壓法製成之含纖維基材之增層形成用材料，且併用上述氰酸酯樹脂與上述環氧樹脂作為熱硬化性樹脂，藉此可使增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，較佳為175℃以上，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下，較佳為5~20 ppm/℃，尤佳為5~15 ppm/℃。
又，作為增層之形成用材料，例如使用含纖維基材之增層形成用材料或由層壓法製成之含纖維基材之增層形成用材料，且熱硬化性樹脂組成物具有如下組成：氰酸酯樹脂為樹脂組成物整體之5~55重量%，較佳為20~50重量%，與氰酸酯樹脂併用之環氧樹脂為樹脂組成物整體之1~55重量%，較佳為2~40重量%，與氰酸酯樹脂併用之酚樹脂為樹脂組成物整體之1~55重量%，較佳為5~40重量%，藉此可使增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，較佳為175℃以上，且25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下，較佳為5~20 ppm/℃，尤佳為5~15 ppm/℃。
又，作為增層之形成用材料，較佳為含纖維基材之增層形成用材料或由層壓法製成之含纖維基材之增層形成用材料之樹脂層的厚度不同。
<關於多層電路基板之製造方法>
其次，對使用增層之多層電路基板加以說明。
上述多層電路基板1係將上述增層之形成用材料與形成有內層電路之上述核心層之單面或兩面重合後進行加 熱加壓成形而成者。具體而言，可藉由使上述增層之形成用材料與形成有內層電路之上述核心層重合，使用真空加壓式層壓裝置等進行真空加熱加壓成形，其後，利用熱風乾燥裝置等加熱硬化而獲得。
此處，作為加熱加壓成形之條件並無特別限定，作為一個例示，可於溫度為60~160℃、壓力為0.2~3 MPa下實施。又，作為加熱硬化之條件並無特別限定，可於溫度為140~240℃、時間為30~120分鐘下實施。或者使上述增層之形成用材料與形成有內層電路板之上述核心層重合，使用平板壓製裝置等進行加熱加壓成形而獲得。此處加熱加壓成形之條件並無特別限定，作為一個例示，可於溫度為140~240℃、壓力為1~4 MPa下實施。可藉由重複上述方法，進而形成增層。
<關於半導體封裝體>
其次，對圖1之覆晶半導體封裝體加以說明。
於本發明之一實施形態中具備：接合步驟，將電路基板1之半導體晶片連接用電極面與半導體晶片2之電極面進行覆晶接合；以及密封步驟，將密封樹脂組成物注入至上述電路基板1與上述半導體晶片2之間，形成底部填充部。
上述注入步驟係於填充覆晶接合有電路基板1與半導體晶片2之密封樹脂組成物之前，一面對半導體封裝體與密封樹脂組成物進行加熱，一面於半導體晶片2之側邊部塗佈密封樹脂組成物，並藉由毛細管現象而塗遍間隙者，且出於縮短生產週期之目的，而可併用使半導體封裝體傾 斜或利用壓力差使注入加速等之方法。
上配注入步驟結束後，可對半導體晶片2之側邊部塗佈密封樹脂組成物，將填角部4b之形狀調整為任意形狀。
以如此之方式填充或塗佈密封樹脂組成物後，於100℃~170℃之溫度範圍內進行1~12小時加熱，使密封樹脂組成物硬化。此處，可變更硬化之溫度分布，例如可一面於100℃下加熱1小時後持續於150℃下加熱2小時，如此階段性改變溫度，一面進行加熱硬化。
用以形成密封樹脂組成物之硬化物4之密封樹脂組成物的黏度較理想的是50 Pa．sec以下(25℃)。又，對電路基板1而言，於自半導體封裝體具有如上述實施形態所述之特性者中進行選擇之方面為相同的。
又，注入密封樹脂組成物時之密封樹脂組成物之黏度較理想的是2 Pa．sec以下。注入時之溫度為60~140℃，更佳為100~120℃。再者，於上述形態中，調整密封樹脂組成物之硬化物4之特性與電路基板1之特性，有助於應力降低，而密封樹脂組成物之硬化物4之特性與電路基板1之特性的調整可為任意的。
(實施例)
以下，利用實施例說明本發明，但本發明並不限定於此。
1.密封樹脂組成物之硬化物之物性試驗
製備密封樹脂組成物a~d。表1中表示密封樹脂組成物之組成及密封樹脂組成物之硬化物的玻璃轉移溫度、線膨脹係數、彈性模數、黏度之測定結果。調配量為重量份。
就玻璃轉移溫度而言，以150℃×120分鐘使密封樹脂組成物硬化後，利用切削獲得5×5×10 mm之試驗片，使用精工製造之TMA/SS120，並於壓縮載荷為5 g，且－100℃至300℃之溫度範圍，升溫速度為10℃/分鐘之條件對該試驗片進行測定。利用相同測定亦獲得25℃至75℃之間的線膨脹係數。線膨脹係數係參照JIS C6481，求出作為近似直線之25℃至75℃之溫度區域下的值。
就彈性模數而言，使密封樹脂組成物於150℃烘箱中熱硬化120分鐘後，成形為寬度為10 mm、長度約為150 mm、厚度為4 mm後，使用Tensilon試驗機，以3處點彎曲模式、跨距為64 mm、速度為1 mm/分鐘之條件於25℃環境下進行測定，利用所獲得之應力－應變曲線之初始斜率算出彈性模數，作為彎曲彈性模數。
25℃下之黏度測定係將CP－51型圓錐體安裝於Brookfield型黏度計，並以5 rpm之條件實施測定。110℃下之黏度測定係將PP－60型圓錐板安裝於HAAAKE公司製造之RheoStressRS150型流變計，並以1 Hz之條件實施測定。
EXA－830LVP：雙酚F型環氧樹脂，大日本油墨化學工業(股)製造，環氧當量為161。
E－630：日本環氧樹脂(股)製造，N,N－雙(2,3－環氧丙基)－4－(2,3－環氧丙氧基)苯胺，環氧當量為97.5。
Kayahard AA：日本化藥(股)製造，3,3’－二乙基－4,4’－二胺基苯甲烷，活性氫當量為63.5。
KBM－403：信越化學工業(股)製造，3－縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷，分子量為236.3，理論被覆面積為330 m2 /g。
E－1800－6.5(環氧改質聚丁二烯)：新日本石油化學(股)製造，E－1800－6.5，數量平均分子量為1800，環氧當量為250。
DGME：試藥二乙二醇單乙醚：和光純藥工業(股)製造。
合成球狀二氧化矽1(Admatechs)：Admatechs(股)製造之合成球狀二氧化矽SE－6200(平均粒徑為2.5 μm)、SO－E3(平均粒徑為l μm)、SO－E2(平均粒徑為0.5 μm)分別以45：40：15之比率經摻合者。
合成球狀二氧化矽2：Admatechs(股)製造之合成球狀二氧化矽SO－E2(平均粒徑為0.5 μm)與扶桑化學(股)製造之合成球狀二氧化矽SP－10G(平均粒徑為4 μm)分別以30：70之比率經摻合者。
2.增層之物性試驗
使用APL3651、APL3601、ABF－GX13及下述增層形成用材料作為增層之形成用材料。使用常壓層壓機，積層2片增層之形成用材料，製作80 μm厚之增層，於APL3651、APL3601中，於200℃下硬化2小時，於ABF－GX13中，於180℃下硬化2小時。表2及表3中表示增層(增層之形成用材料之硬化物)的玻璃轉移溫度、線膨脹係數、彈性模數之測定結果。
<增層形成用材料1> 將24重量%之氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造，Primaset PT－30，重量平均分子量約為2,600)作為熱硬化性樹脂，24重量%之聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製造，NC－3000，環氧當量為275)作為環氧樹脂，11.8重量%之雙酚A型環氧樹脂與雙酚F型環氧樹脂之共聚物，且末端部具有環氧基之苯氧樹脂(日本環氧樹脂公 司製造之EP－4275，重量平均分子量為60,000)作為苯氧樹脂，0.2重量%之咪唑化合物(四國化成工業公司製造之「2－苯基－4,5－二羥基甲基咪唑」)作為硬化觸媒，溶解於甲基乙基酮中。進而添加39.8重量%之球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製造，SO－25H，平均粒徑為0.5 μm)與0.2重量%之環氧矽烷型偶合劑(日本Unicar公司製造，A－187)作為無機填充材，使用高速攪拌裝置攪拌60分鐘，製備固形份為60重量%之樹脂清漆a。
使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(三菱化學聚酯公司製造，SFB－38，厚度為38 μm，寬度為480 mm)作為載體薄膜，利用刮刀式塗佈裝置塗覆上述樹脂清漆a，利用170℃之乾燥裝置使之乾燥3分鐘，使厚度為14 μm、寬度為410 mm之樹脂層(製成增層形成用材料之前)形成於載體基材上。
具體而言，於玻璃織布之兩面上，使上述樹脂層(製成增層形成用材料之前)以位於玻璃織布寬度方向的中心上之方式分別重合，並於1330 Pa之減壓條件下，使用80℃之層壓滾筒進行接合。
此處，於玻璃織布之寬度方向尺寸之內側區域，將載體基材上之樹脂層(製成增層形成用材料之前)分別接合於纖維布之兩面側，並且於玻璃織布之寬度方向尺寸之外側區域，使載體基材上之樹脂層彼此接合。
繼而，藉由使上述經接合者通過設為120℃之熱風乾燥裝置內2分鐘，而進行加熱處理且不使壓力進行作用，獲 得厚度為35 μm(第1樹脂層：10 μm、纖維基材：15 μm、第2樹脂層：10 μm)之增層形成用材料1。
<增層形成用材料2> 將15重量%之酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造，Primaset PT－30，重量平均分子量約為2,600)作為熱硬化性樹脂，8.7重量%之聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製造，NC－3000，環氧當量為275)作為環氧樹脂，6.3重量%之聯苯二亞甲基型酚樹脂(明和化成公司製造，MEH－7851－S，羥基當量為203)作為酚樹脂而溶解於甲基乙基酮中。進而，添加69.7重量%之球狀熔融二氧化矽(Admatechs公司製造，SO－25H，平均粒徑為0.5 μm)與0.3重量%之環氧矽烷型偶合劑(日本Unicar 公司製造，A－187)作為無機填充材，並使用高速攪拌裝置攪拌60分鐘，使用固形份為60重量%之樹脂清漆b，除此之外，以與增層形成用材料1同樣之方式，製作厚度為35 μm(第1樹脂層：10 μm，纖維基材：15 μm，第2樹脂層：10 μm)之增層形成用材料2。
<增層形成用材料3> 除了將增層形成用材料中之樹脂層之厚度改變為5 μm與10 μm之外，以與增層形成用材料1同樣之方法加以製作。改變樹脂層厚度之方法係調整所塗覆之樹脂清漆a的量而進行，增層形成用材料中之厚度為5 μm之樹脂層以厚度為9 μm、寬度為360 mm之樹脂層(製成增層形成用材料之前)位於載體薄膜之寬度方向的中心之方式形 成。使用玻璃織布(交叉式# 1015，寬度為360 mm，厚度為15 μm，基重為17 g/m2 )作為纖維基材，以厚度不同之2種樹脂層(製成增層形成用材料之前)夾持，利用真空層壓裝置及熱風乾燥裝置製作增層形成用材料3。厚度為30 μm(第1樹脂層：5 μm，纖維基材：15 μm，第2樹脂層：10 μm)。
<增層形成用材料4> 使用增層形成用材料1與增層形成用材料2所使用之2種樹脂清漆a與b，製作增層形成用材料4。增層形成用材料中樹脂層之厚度以使樹脂清漆a為5 μm，樹脂清漆b為10 μm之方式改變後，以與增層形成用材料1同樣之方式製作增層形成用材料4，厚度為30 μm(第1樹脂層：5 μm，纖維基材：15 μm，第2樹脂層：10 μm)。
<增層形成用材料5> 使用增層形成用材料1與增層形成用材料2所使用之2種樹脂清漆a與b，並使用玻璃織布(交叉式# 1037，厚度為24 μm，基重為24 g/m2 )作為纖維基材，以與增層形成用材料1同樣之方式製作增層形成用材料5。所獲得之增層形成用材料5之厚度為40 μm(第1樹脂層：5 μm，纖維基材：24 μm，第2樹脂層：11 μm)。再者，使製成增層形成用材料之前之樹脂層厚度分別為12 μm及18 μm。
[玻璃轉移溫度及彈性模數] 自上述所獲得之增層形成用材料之硬化物，採取試驗片 5 mm×30 mm之評價用試料。
使用動態黏彈性測定裝置(DMA，dynamic viscoelasticity analysis)(精工精密公司製造之DMS6100)，一面以5℃/分鐘進行升溫，一面施以頻率為10 Hz之應變，進行動態黏彈性測定，並根據tan δ之峰值判定玻璃轉移温度(Tg)，又，根據測定求出25℃、250℃下之彈性模數。
[玻璃轉移溫度及線膨脹係數] 自上述所獲得之增層之形成用材料的硬化物，採取4 mm×20 mm之評價用試料。
使用TMA裝置(TMA)(TA Instruments公司製造)，以10℃/分鐘升溫進行測定。α 1係玻璃轉移溫度以下之線膨脹係數，測定25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數。α 2係玻璃轉移溫度以上之線膨脹係數。25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數係參照JIS C6481，求出作為近似直線之25℃至75℃之溫度區域內之值。
3.核心層之物性試驗
使用E679FG、HL832HSTypeHS、ELC4785GS及以下所示核心層形成用材料，作為核心層之形成用材料。蝕刻去除厚度為0.2 mm及0.1 mm兩面板銅箔。表4中表示核心層(核心層之形成用材料之硬化物)的玻璃轉移溫度、線膨脹係數、彈性模數之值。
<核心層形成用材料1> 將15重量%之酚醛清漆型氰酸酯樹脂(Lonza Japan公司製造，Primaset PT－60，重量平均分子量約為2,600)、8重量%之聯苯二亞甲基型環氧樹脂(日本化藥公司製造，NC－3000P，環氧當量為275)，7重量%之聯苯二亞甲基型酚樹脂(明和化成公司製造，MEH－7851－S，羥基當量為203)，相對於100重量份下述無機填充材為0.3重量份之環氧矽烷型偶合劑(日本Unicar公司製造，A－187)於常溫下溶解於甲基乙基酮中，添加20重量%之球狀熔融二氧化矽SFP－10X(電氣化學工業公司製造，平均粒徑為0.3 μm)及50重量%之球狀熔融二氧化矽SO－32R(Admatechs 公司製造，平均粒徑為1.5 μm)作為無機填充材，並使用高速攪拌機攪拌10分鐘，製備核心層形成用材料之樹脂清漆。
將所獲得之樹脂清漆含浸於玻璃織布(由E玻璃構成之平紋織物基材，厚度為100 μm，緯線密度為60根/吋，經線密度為58根/吋，日東紡積公司製造，WEA－116E，由室溫至250℃下之熱膨脹係數為6 ppm/℃)，於120℃之加熱爐中乾燥2分鐘後，獲得清漆固形份(核心層形成用材料中樹脂與二氧化矽所占比例)約為50%之核心層形成用材料1。
於1片所獲得之核心層形成用材料1之兩面上重合12 μm之銅箔，於壓力為4 MPa、溫度為200℃下進行2小時加熱加壓成形，藉此獲得0.1 mm之核心層1。
[玻璃轉移溫度及彈性模數] 自上述所獲得之核心層之形成用材料的硬化物中，採取試驗片5 mm×30 mm之評價用試料。
使用動態黏彈性測定裝置(DMA)(精工精密公司製造之DMS6100)，一面以5℃/分鐘進行升溫，一面施以頻率為10 Hz之應變，進行動態黏彈性之測定，根據tan δ之峰值判定玻璃轉移溫度(Tg)，又，根據測定求出25℃下之彈性模數。
[玻璃轉移溫度及線膨脹係數] 自上述所獲得之核心層之形成用材料的硬化物中，採取4 mm×20 mm之評價用試料。
使用TMA裝置(TMA)(TA Instruments公司製造)，以10℃/分鐘升溫進行測定。α 1係25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數。25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數係參照JIS C6481，求出作為近似直線之25℃至75℃之溫度區域內的值。
4.可靠性試驗：耐回焊試驗＋熱循環試驗
進而，使用上述密封樹脂組成物a~d、電路基板A~D(比較例1中，使用電路基板A，比較例2中使用電路基板B，比較例3中使用電路基板C，實施例1、2中使用電路基板D)、矽晶片，利用表5所示組合，製作覆晶安裝之半導體封裝體。
電路基板A~D之構成如以下所示。再者，以下電路基板具有1層核心層，及於其上下各3層之增層。
電路基板A：尺寸為50 mm×50 mm厚度為0.5 mm(490 μm)，電路層為8層(核心層材料：日立化成工業(股)製造之E679FG，厚度為0.2 mm，增層：Ajinomoto(股)製造之ABF－GX13(無玻璃纖維基材)厚度為40 μm，SR層上 下為25 μm) 電路基板B：尺寸為50 mm×50 mm厚度為0.5 mm(490 μm)，電路層為8層(核心層材料：三菱瓦斯化學工業(股)製造，HL832HSTypeHS，0.2 mm，增層：Ajinomoto(股)製造之ABF－GX13(無玻璃纖維基板)厚度為40 μm，SR層上下為25 μm) 電路基板C：尺寸為50 mm×50 mm厚度為0.5 mm(490 μm)，電路層為8層(核心層材料：Sumitomo Bakelite(股)製造之ELC4785GS，厚度為0.2 mm，增層：Sumitomo Bakelite(股)製造之APL3601(無玻璃纖維基材)厚度為40 μm，SR層上下為25 μm) 電路基板D：尺寸為50 mm×50 mm厚度為0.5 mm(490 μm)，電路層8層(核心層材料：Sumitomo Bakelite(股)製造之ELC4785GS，厚度為0.2 mm，增層：Sumitomo Bakelite(股)製造之APL3651(含玻璃纖維基材)厚度為40 μm，SR層上下為25 μm)。
進而，使用上述密封樹脂組成物a~d、電路基板E~R(比較例4、7及實施例3中使用電路基板E，比較例5、6中使用電路基板F，實施例4中使用電路基板G，實施例5中使用電路基板H，實施例6中使用電路基板I，實施例7中使用電路基板J，實施例8中使用電路基板K，實施例9中使用電路基板L，實施例10中使用電路基板M，實施例11中使用電路基板N，實施例12中使用電路基板0，實施例13中使用電路基板P，實施例14中使用 電路基板Q，實施例15中使用電路基板R)、矽晶片，利用表6所示組合，製作覆晶安裝之半導體封裝體。
電路基板E~R之構成如下所示。
電路基板E：除了使電路基板D之增層為增層形成用材料1之外，以同樣之方式製作。
電路基板F：除了使電路基板D之增層為Ajinomoto(股)製造之ABF－GX13(無玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板G：除了使電路基板D之增層為增層形成用材料2之外，以同樣之方式製作。
電路基板H：除了使電路基板D之增層為增層形成用材料3之外，以同樣之方式製作。
電路基板I：除了使電路基板D之增層為增層形成用材料4之外，以同樣之方式製作。
電路基板J：除了使電路基板D之增層為增層形成用材料5之外，以同樣之方式製作。
電路基板K：除了使電路基板E之核心層為核心層形成用材料1之外，以同樣之方式製作。
電路基板L：除了使電路基板D之增層中上下最外層(2層)為APL3651(含玻璃纖維基材)，且內層4層為APL3601(無玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板M：除了使電路基板L之增層中上下最外層(2層)之增層為增層形成用材料1(含玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板N：除了使電路基板L之增層中上下最外層(2層)之增層為增層形成用材料2(含玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板O：除了使電路基板L之增層中上下最外層(2層)之增層為增層形成用材料3(含玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板P：除了使電路基板L之增層中上下最外層(2層)之增層為增層形成用材料4(含玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板Q：除了使電路基板L之增層中上下最外層(2層)之增層為增層形成用材料5(含玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
電路基板R：除了使電路基板K中增層之內層4層為APL3601(無玻璃纖維基材)之外，以同樣之方式製作。
比較例1~7、實施例1~15
以條件：30℃、60%，進行168小時之預處理，進行耐回焊試驗(波峰溫度為260℃，實施3次)＋熱循環試驗(以－55℃(30分鐘)/125℃(30分鐘)，500次循環)後，利用超音波探測裝置觀察剝離。將產生剝離之不良半導體封裝體數量相對於樣品總數之數值以「不良數/樣品總數」表示。評價結果示於表5及表6中。
又，於實施例9~15中，使用增層中之2層中使用有含玻璃纖維基材之增層之電路基板，但於任一情況下，耐回焊性、熱循環試驗均為良好。
根據以上實驗結果可明確，能夠藉由使增層及密封樹脂組成物之硬化物之特性最佳化，而實現各構成構件間之應力降低結構，獲得無龜裂等產生之可靠性高之覆晶半導體封裝體。
[產業上之可利用性]
根據本發明，能夠製造確實抑制或降低產生龜裂或剝離且可靠性高之半導體封裝體。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧半導體晶片
3‧‧‧焊球
4‧‧‧密封樹脂組成物之硬化物
4b‧‧‧密封樹脂組成物之填角部
5‧‧‧纖維基材
6‧‧‧樹脂材料層
7‧‧‧含纖維基材之增層形成用材料
A‧‧‧中心
圖1係表示本發明之覆晶半導體封裝體之一例的概略剖面示意圖。
圖2(a)、(b)係示意性表示纖維基材偏向於含纖維基材之增層材料之狀態的剖面圖。
1‧‧‧電路基板
2‧‧‧半導體晶片
3‧‧‧焊球
4‧‧‧密封樹脂組成物之硬化物
4b‧‧‧密封樹脂組成物之填角部

Claims (14)

  1. 一種覆晶半導體封裝體，係具備下述構成者：電路基板，其具備核心層及至少1層增層；半導體晶片，其介隔金屬凸塊而連接於上述電路基板；以及密封樹脂組成物之硬化物，其封入於上述半導體晶片及上述電路基板之間；其特徵為，上述密封樹脂組成物之硬化物於25℃至75℃之間的線膨脹係數為15 ppm/℃以上且35 ppm/℃以下，上述增層中至少1層增層之玻璃轉移溫度為170℃以上，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為25 ppm/℃以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層之至少一層係包含纖維基材之增層。
  3. 如申請專利範圍第2項之覆晶半導體封裝體，其中，上述包含纖維基材之增層為最外層之增層。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層之纖維基材之厚度為5~35 μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述密封樹脂組成物之硬化物之玻璃轉移溫度為60~130℃。
  6. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述密封樹脂組成物係包含至少1種環氧樹脂，並進而含有硬化劑、矽烷偶合劑及無機填充材之密封樹脂組成物。
  7. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，使上述密封樹脂組成物之黏度為50 Pa．sec以下(25℃)。
  8. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層之玻璃轉移溫度為160~270℃，25℃至75℃之間的面方向之線膨脹係數為10~20 ppm/℃。
  9. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層之厚度為500 μm以下。
  10. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述核心層由包含環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂中至少一種或多種之樹脂組成物與纖維基材構成。
  11. 如申請專利範圍第1項之覆晶半導體封裝體，其中，上述增層由包含環氧樹脂、酚樹脂、氰酸酯樹脂、三樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、苯并環丁烯樹脂中至少一種或多種之樹脂組成物構成。
  12. 一種核心層材料，其特徵在於，係使用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
  13. 一種增層材料，其特徵在於，係使用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
  14. 一種密封樹脂組成物，其特徵在於，係使用於申請專利範圍第1至11項中任一項之覆晶半導體封裝體。
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