CN102332350B

CN102332350B - 片型电子部件

Info

Publication number: CN102332350B
Application number: CN2011101578405A
Authority: CN
Inventors: 东克明; 松下幸嗣; 樱田清恭
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2010-06-04
Filing date: 2011-06-02
Publication date: 2013-05-08
Anticipated expiration: 2031-06-02
Also published as: JP5246207B2; TWI517190B; US20110299221A1; CN102332350A; TW201222593A; KR101245250B1; JP2011254040A; EP2393089A1; EP2393089B1; KR20110133431A; US8687345B2

Abstract

本发明提供一种片型电子部件，其为在安装有片型电子部件的基板上产生了挠曲的情况下，也能够抑制、防止陶瓷基体产生裂纹而受到致命的损伤的、可靠性高的片型电子部件。其构成包括：陶瓷基体(10)，其具有内部电极(3a、3b)；树脂电极层(12a、12b)，其形成于至少包含陶瓷基体(10)的端面(10a、10b)的区域，且直接或间接地与内部电极(3a、3b)连接，并且，与陶瓷基体(10)接合；镀敷金属层(13a、13b)，其以覆盖树脂电极层的方式形成，且使陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度比树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度大。

Description

片型电子部件

技术领域

本发明涉及一种具有与内部导体连接的外部电极的片型电子部件，详细而言，涉及一种外部电极具有含有导电成分和树脂成分的树脂电极层以及覆盖树脂电极层的镀敷金属层的片型电子部件。

背景技术

例如，代表性的片型电子部件之一的层叠陶瓷电容器包括具有由陶瓷电介体形成的基体、和配设于其内部的多个内部电极、和以与多个内部电极导通的方式配设的外部电极的结构。

而且，作为这样的层叠陶瓷电容器(片型电子部件)，在安装该片型电子部件的基板的挠曲引起的应力的缓和作用方面优异且对基板施加了挠曲应力的情况下，与现有的片型电子部件相比，电特性的劣化或裂纹的发生等也少，可寻求可靠性高的设备。

而且，作为应对此要求的片型电子部件，提案有如下片型电子部件：在由陶瓷烧结体构成的片状基体的端面具有外部电极，外部电极具有通过烧结导电性膏而形成的第一电极层和以覆盖第一电极层的方式配设的由导电性树脂构成的第二电极层，第一电极层及第二电极层为从片状基体的端面绕入与端面邻接的侧面而形成的片型电子部件，将第一电极层的绕入长度设为第二电极层的绕入长度的0.7倍以下(参照专利文献1)。

另外，提案有如下层叠陶瓷电容器：在交互层叠电介体和内部电极而成的瓷器基体的两个端面上形成有外部电极，该外部电极为从瓷器基体侧起形成有由含有玻璃成分的第一导体层、含有树脂成分的第二导体层、由镀敷金属构成的第三导体层构成的外部电极，其中，将瓷器基体和第一导体层的接合强度设为F1，将第一导体层和第二导体层的接合强度设为F2时，使F1、F2具有下述条件：

F1≥1.0kgf、

F2≥1.0kgf、

F1＞F2(参照专利文献2)。

专利文献：(日本)特开平10-284343号公报

专利文献：(日本)特开平11-219849号公报

但是，在将上述专利文献1的片型电子部件安装到基板上进行基板弯曲试验的情况下，在通过烧结导电性膏而形成的第一电极层或形成于其上的由导电性树脂构成的第二电极层的前端部集中有挠曲应力，从该部分起在陶瓷基体上产生裂纹，根据情况有时导致短路不良的问题，实际情况是可靠性必然不充分。

另外，在将具有上述专利文献2中记载的构成的片型电子部件安装到基板上进行基板弯曲试验的情况下，存在下述问题：在相比瓷器基体与含有玻璃成分的第一导体层间接合强度小的、在第一导体层与含有树脂成分的第二导体层之间产生破坏，水分变得容易浸入到瓷器基体(陶瓷基体)的内部，可靠性降低。

发明内容

本发明是为解决上述课题而创立的，其目的在于提供一种如下的片型电子部件，即，在安装有片型电子部件的基板上产生挠曲，且对片型电子部件施加有应力的情况下，也能够抑制、防止构成片型电子部件的陶瓷基体产生裂纹，对于基板的挠曲的耐性优异，可靠性高的片型电子部件。

为了解决上述课题，本发明提供一种片型电子部件，其特征在于，包括：具有内部电极的陶瓷基体、和在所述内部电极的端面以与所述内部电极导通的方式配设的外部电极，所述外部电极具有：树脂电极层，其为含有导电成分和树脂成分的树脂电极层，其形成于至少包含所述陶瓷基体的端面的区域，且直接或间接地与所述内部电极连接，并且与所述陶瓷基体接合；和镀敷金属层，其是以覆盖所述树脂电极层的方式形成的，且，所述陶瓷基体与所述树脂电极层之间的密合强度比所述树脂电极层与所述镀敷金属层之间的密合强度大。

另外，本发明的片型电子部件中，也可以为，所述外部电极具有以与所述内部电极导通的方式形成于所述陶瓷基体的端面的厚膜电极层，所述树脂电极层如下形成，覆盖所述厚膜电极层，并且，在比形成有所述厚膜电极层的区域更靠外侧的区域与所述陶瓷基体接合。

本发明的片型电子部件中，优选的是，所述树脂电极层的表面Ag浓度为2～8atom％。

另外，优选的是，作为构成所述树脂电极层的树脂成分，使用添加了偶合剂的树脂成分。

另外，优选的是，所述树脂电极层的残留应力为4.8MPa以下。

另外，本发明的片型电子部件优选的特征在于，所述树脂电极层为涂敷包含导电成分和在200℃下加热1小时时的重量减少率为4.8重量％以下的树脂成分的树脂电极膏并使其固化而成的电极层。

本发明的片型电子部件为含有导电成分和树脂成分的树脂电极层，具有镀敷金属层，其形成于至少包含所述陶瓷基体的端面的区域且直接或间接地与内部电极连接，并且以覆盖树脂电极层的方式形成，且，使陶瓷基体与树脂电极电极层之间的密合强度比树脂电极层与镀敷金属层之间的密合强度大，因此，例如通过将外部电极焊接于基板上的接合面上，在对安装有本发明的片型电子部件的基板施加挠曲应力的情况下，也能够避免在相比陶瓷基体与树脂电极层之间密合强度小的、树脂电极层与镀敷金属层之间产生剥离而向陶瓷基体施加大的应力。其结果是，在基板弯曲试验等时，在向基板施加大的应力的情况下，也能够防止陶瓷基体产生裂纹，可以提供可靠性高的片型电子部件。

另外，外部电极的构成具有以与内部电极导通的方式形成于瓷基体的端面的厚膜电极层，在覆盖厚膜电极层且在比形成有厚膜电极层的区域更靠外侧的区域使树脂电极层与陶瓷基体接合，由此，树脂电极层经由厚膜电极层可靠地与内部电极导通，并且，树脂电极层在比形成有厚膜电极层的区域更靠外侧的区域与陶瓷基体接合，可以实现厚膜电极层的前端部由树脂电极层可靠地覆盖的结构，可以有效地缓和基板挠曲导致的在厚膜电极层的前端部集中的应力，且，在镀敷工序等中，电镀液等不易浸入，可提供可靠性高的片型电子部件。

另外，在本发明的片型电子部件中，通过将树脂电极层的表面Ag浓度设为2～8atom％(将树脂电极层的表面Ag浓度有意识地减小)，将陶瓷基体与树脂电极层之间的密合强度设为比树脂电极层与镀敷金属层之间的密合强度大，并且，将树脂电极层与镀敷金属层的界面的密合强度设为必要最小限度，在通常使用的状态下，使树脂电极层和镀敷金属层之间可靠地密合，在施加一定程度以上的挠曲应力时，可以在树脂电极层和镀敷金属层的界面容易地产生破坏。其结果是，在基板弯曲试验等时，在向基板施加挠曲应力的情况下，也可以不对陶瓷基体施加大的应力，能够有效地防止陶瓷基体的裂纹的产生，可以使本发明更有实效地存在下去。

另外，在作为构成树脂电极层的树脂成分使用添加了偶合剂的树脂成分的情况下，可提高陶瓷基体和树脂电极层的界面的密合强度，在基板弯曲试验时等向基板施加挠曲应力的情况下，更可靠地在树脂电极层和镀敷金属层的界面产生破坏，能够防止陶瓷基体受到损伤，使本发明进一步地有实效地存在下去。

另外，通过将树脂电极层的残留应力抑制在4.8MPa以下，可提高陶瓷基体和树脂电极的界面的密合强度，在基板弯曲试验时等向基板施加挠曲应力的情况下，在树脂电极层和镀敷金属层的界面更可靠地产生破坏，可以防止陶瓷基体受到损害，可以使本发明进一步地有实效地存在下去。

另外，通过涂敷含有导电成分和在200℃下加热1小时的重量减少率为4.8重量％以下的树脂成分(即加热固化时不易挥发的树脂)的树脂电极膏并使其固化，在固化工序中，可以抑制树脂电极表面的树脂成分挥发且树脂电极层的表面的Ag粒子的露出量增多，可以防止树脂电极层的表面Ag浓度变高，可以将树脂电极层和镀敷金属层的界面的密合强度抑制地较低。其结果是，在基板弯曲实验时等在向基板施加挠曲应力的情况下，能够可靠地防止在镀敷金属层和树脂电极层的界面产生破坏而使陶瓷基体受到损害，可以使本发明进一步地有实效地存在下去。

附图说明

图1是表示本发明实施例的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的构成的剖面图；

图2是说明对本发明的实施例中制作的试样进行的基板弯曲试验的方法的图；

图3是表示本发明实施例的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的变形例的剖面图；

图4是表示本发明实施例的片型电子部件的(层叠陶瓷电容器)其它变形例的剖面图。

符号说明

1a、1b外部电极

2陶瓷层

3a、3b内部电极

10陶瓷基体

10a、10b陶瓷基体的端面

11a、11b厚膜电极层

12a、12b树脂电极层

13a、13b镀敷金属层

14a、14b镀Ni金属层

15a、15b镀Sn金属层

20片型电子部件(层叠陶瓷电容器)

21基板

X挠曲量

具体实施方式

下面，表示本发明的实施例，并对本发明的特征点进行更详细说明。

实施例1

如图1所示，该实施例的层叠陶瓷电容器20具有：陶瓷基体10；经由陶瓷层2层叠配设于陶瓷基体10的内部，且向陶瓷基体10的对向的端面10a、10b交替引出的内部电极3a、3b；与内部电极3a、3b导通的一对外部电极1a、1b。

而且，外部电极1a、1b具有：(a)形成于陶瓷基体10的端面10a、10b的厚膜电极层11a、11b；(b)覆盖厚膜电极层11a、11b，并且，以在比形成厚膜电极层11a、11b的区域更靠外侧的区域、即超过形成厚膜电极层11a、11b的区域的区域(绕入部分的前端侧的区域)P与陶瓷基体10接合的方式形成的树脂电极层12a、12b；(c)以覆盖树脂电极层12a、12b的方式形成的镀敷金属层13a、13b。

另外，上述厚膜电极层11a、11b通过涂敷并烧结导电性膏而形成。

另外，上述树脂电极层12a、12b是通过涂敷上述的树脂电极膏并使其固化而形成的包含导电成分和树脂成分的电极层，其形成为如下：覆盖厚膜电极层11a、11b，并且，在超过形成有厚膜电极层11a、11b的区域的区域(绕入部分的前端侧的区域)P与陶瓷基体10接合。

另外，镀敷金属层13a、13b是为了确保导通性，且赋予外部电极1a、1b以焊锡润湿性(焊接性)而形成的，在该实施例中，作为基底层形成镀Ni金属层14a、14b，且在其上形成有镀Sn金属层15a、15b。

而且，本发明的片型电子部件中，以陶瓷基体10和树脂电极层12a、12b之间的密合强度(F1)比树脂电极层12a、12b和镀敷金属层13a、13b之间的密合强度(F2)大的方式构成。

下面，对制造该实施例的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)时使用的树脂电极膏、使用该树脂电极膏的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的制造方法、制造的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的特性的测定方法等进行说明。

[1]树脂电极膏的制作

(1)基础树脂

作为构成用于形成本发明的树脂电极层的树脂电极膏的树脂(基础树脂)，可以使用环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂等公知的各种热固性树脂。其中，耐热性、耐湿性、粘合性等优异的环氧树脂是最适合的树脂之一。

另外，本发明中，由于期望抑制树脂电极表面的Ag(导电性填料)的露出量(设为表面Ag浓度为2～8atom％)，因此，作为树脂(基础树脂)，在干燥或加热固化时等树脂成分不容易挥发的树脂较合适。

具体而言，在热风干燥箱中，在200℃下加热1小时时的重量减少率为4.8重量％以下的树脂较合适。

另外，在拥有同种结构的树脂成分中，分子量大的一方在加热时不易挥发。另外，从树脂结构的观点来看，主链上含有硅等的无机元素时，加热时的重量减少率变小。

(2)固化剂

例如，作为基础树脂使用环氧树脂时，作为环氧树脂的固化剂，可以使用酚醛系、胺类、酸酐类、咪唑类等公知的各种化合物。

另外，在使用酚醛系或酸酐类固化剂时，可以通过使用固化促进剂来改善固化性。作为固化促进剂，可以使用胺类、咪唑类等公知的各种化合物。

(3)偶合剂

偶合剂是为了提高树脂电极层对陶瓷基体的密合强度而添加的。特别是，在树脂电极层中，对于抑制镀敷处理等的浸水时的密合强度降低发挥巨大的效果。作为偶合剂可以使用硅烷类、钛类等公知的各种化合物。另外，作为基础树脂使用环氧树脂时，通过使用硅烷系偶合剂，能够期待大的效果。

(4)树脂电极膏的制作

按照表1所示的组成调合各原料后，使用行星混合器(プラネタリ一ミキサ一)进行混合，进一步用金属3辊磨机进行分散。然后，通过适量添加溶剂调节粘度，得到表1中的试样编号1～7的树脂电极膏。

【表1】

需要说明的是，表1中，

环氧树脂A：双酚A型环氧树脂、环氧当量2800g/eq

环氧树脂B：双酚A型环氧树脂、环氧当量1900g/eq

环氧树脂C：双酚A型环氧树脂、环氧当量900g/eq

酚醛系固化剂：酚醛清漆型酚醛树脂

固化促进剂：咪唑化合物

偶合剂：硅烷系偶合剂

溶剂：二乙二醇单丁醚

银(Ag)粉A为：球状银粉，D₅₀＝1.5μm

银(Ag)粉B为：片状银粉，D₅₀＝6.5μm。

[2]片型电子部件的制作

下面对使用如上制作的表1的试样编号1～7的树脂电极膏制造片型电子部件(层叠陶瓷电容器)的方法进行说明。

(1)首先，准备具有内部电极3a、3b的陶瓷基体10。需要说明的是，该陶瓷基体10是例如通过在规定的条件下将通过层叠压装印刷有内部电极图案的陶瓷生片而形成的层叠体进行脱脂、烧制而得到。但是，陶瓷基体10的制作方法没有特别的限制。

(2)然后，在陶瓷基体10的端面10a、10b涂敷导电性膏，进行烧制，由此形成厚膜电极层11a、11b。

(3)其次，在厚膜电极层11a、11b上涂敷如上制作的树脂电极膏，使用热风干燥箱在150℃/1h的条件下干燥后，在200℃/1h的条件下加热，使树脂电极膏固化，由此形成树脂电极层12a、12b。

另外，树脂电极层12a、12b覆盖厚膜电极层11a、11b，并且在比形成有厚膜电极层11a、11b的区域更靠外侧的区域(绕入部分的前端侧的区域)P与陶瓷基体10接合，陶瓷基体10的端面10a、10b为在由厚膜电极层11a、11b覆盖并且由该树脂电极层12a、12b覆盖的状态。

(4)其次，对形成有树脂电极层12a、12b的陶瓷基体10进行镀Ni和镀Sn，在树脂电极层12a、12b的表面形成具有镀Ni金属层14a、14b及镀Sn金属层15a、15b的镀敷金属层13a、13b。由此，得到具有如图1所示的结构的表2的试样编号1～7的片型电子部件(成为下面的特性评价的对象的试样)。

另外，为了调整树脂电极层的表面Ag浓度，在形成树脂电极层后(即在进行镀敷处理之前的阶段)，对表2的试样编号2及3的试样(片型电子部件)进行湿式滚磨处理。

具体而言，将表2的试样编号2及3的试样(片型电子部件)和直径为1mm的氧化锆制的卵石放入硬质聚合物容器，加入纯水至容器的容积的80％～90％后，盖上盖，使用坩埚架以120rpm旋转，由此进行湿式滚磨处理。另外，对于试样编号2的试样，进行30分钟的湿式滚磨处理，对于试样编号3的试样，进行60分钟的湿式滚磨处理。

其结果是，树脂电极层的表面Ag的浓度在试样2中为8atom％，在试样3中为9atom％。

[3]特性的测定

关于如上制作的片型电子部件(层叠陶瓷电容器)，通过以下的方法调查、评价特性。

(1)树脂电极层的表面Ag浓度的测定

在如上制作各种试样(片型电子部件)时，在上述[2]的(3)工序中，形成树脂电极层之后，使用XPS(X射线光电子分光装置)测定树脂电极层的表面Ag浓度(atom％)。

(2)残留应力的测定

在磷青铜板上以厚度100μm形成树脂电极膏后，使用热风干燥箱在150℃/1h的条件下进行干燥后，在200℃/1h的条件下进行加热，使树脂电极膏固化，使用测定显微镜测定磷青铜板的翘曲量h。由得到的翘曲量的值和固化后的树脂电极膏的物性值求出固化后的树脂电极膏残留应力σ。该残留应力σ相当于树脂电极层的残留应力。

(3)构成树脂电极膏的树脂成分的重量减少率的测定

向铝杯中称量构成树脂电极膏的树脂成分1.0～1.1g后，用热风干燥箱在200℃/1h的条件下进行加热处理，求出加热前后的重量减少率。

(4)基板弯曲试验

使用无铅焊锡将上述[2]制作的各试样(片型电子部件)安装于环氧玻璃基板上后，使用挠曲试验机，如图2所示从片型电子部件的安装部的下侧向环氧玻璃基板施加挠曲应力，实施基板弯曲试验。

试验如图2所示，施加应力至安装有片型电子部件20的基板21挠曲5mm(即，至图2的挠曲量X达到5mm)，之后保持5秒。而且，将试验后的芯片树脂固定后，进行剖面研磨，用实体显微镜观察外部电极的破坏部位，同时观察陶瓷基体有无产生裂纹。

另外，在表示评价结果的表2的“基板弯曲试验时的破坏部位”的栏中，将外部电极的破坏部位(剥离部位)为树脂电极层和镀敷金属层的界面的情况记载为“A”，将破坏部位(剥离部位)为陶瓷基体和树脂电极层的界面的情况记载为“B”。

另外，在“基板弯曲试验时陶瓷基体有无产生裂纹”的栏中，将不能识别陶瓷基体中产生裂纹的情况判定为“无(良)”，将识别到基体中产生裂纹的情况判定为“有(不良)”。

(5)电特性

评价各试样的电特性时，用下面的方法对各试样测定等效串联电阻。在测定时，使用阻抗分析仪，在测定频率1MHz的条件下测定等效串联电阻。将等效串联电阻的值在100mΩ以下的试样判定为○(良)，将超过100mΩ的试样判定为△(可)。这是由于根据用途，有时即使等效串联电阻的值超过100mΩ也可以应用。

表2表示如上调查的特性。

【表2】

(6)评价

如表2所示，对于树脂电极表面的银浓度处于2～8atom％的范围的试样编号1、2、5、6的试样而言，在基板弯曲试验时的外部电极的破坏在树脂电极层和镀敷金属层的界面或其附近产生，不能识别陶瓷定基体上产生裂纹。这是由于，因为树脂电极表面的银浓度被控制在2～8atom％的范围内，所以陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度变得比树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度大，基板弯曲试验时的外部电极的破坏在树脂电极层和镀敷金属层的界面(或其附近)产生，未对陶瓷基体施加产生裂纹那样大的应力。

另一方面，在通过滚磨将树脂电极层的表面Ag浓度提高到9atom％的试样编号3的试样的情况下，基板弯曲试验时的外部电极的破坏在陶瓷基体和树脂电极层的界面或其附近产生，确认了陶瓷基体上产生了裂纹。这认为是，由于树脂电极层的表面Ag浓度高达9atom％，所以树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度变得比陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度大，在基板弯曲试验时，对于陶瓷基体施加了大的应力，在陶瓷基体上产生了裂纹。

另外，在树脂电极层的表面Ag的浓度低达1atom％的试样编号4的试样的情况下，基板弯曲试样时的外部电极的破坏在树脂电极层和镀敷电极层的界面或其附近产生，虽然不能识别陶瓷基体上产生裂纹，但是确认了等效串联电阻的值高。

这认为是，由于树脂电极层的表面Ag浓度低，形成镀敷金属层时的镀敷性也差，所以等效串联电阻的值变高。

需要说明的是，树脂电极层的表面Ag浓度低于2atom％时，如上述，虽然等效串联电阻的值变高，但并不是如陶瓷元件上产生裂纹那样的致命的缺陷，另外，根据片型电子部件的用途，也有时会在规格内，因此，树脂电极层的表面Ag浓度低于2atom％的情况下，本发明也是有意义的。

另外，在使用包含200℃下的重量减少率高达6重量％的树脂成分的树脂电极膏的试样编号7的试样的情况下，树脂电极层的表面Ag浓度高达10atom％，在基板弯曲试验时，确认了在陶瓷基体和树脂电极层的界面或其附近产生破裂，同时确认了陶瓷基体产生裂纹。

这认为是，在加热树脂电极膏使其固化而形成树脂电极层的工序中，树脂电极表面的树脂成分挥发，Ag粒子从树脂电极层的表面露出(露出)的比例变大，树脂电极层的表面Ag浓度变高，并且树脂电极层的残留应力变大，其结果是，树脂电极层和镀敷金属层的界面的密合强度变得比陶瓷基体和树脂电极层的密合强度大，在陶瓷基体和树脂电极层的界面(或在其附近)产生破坏，并且，陶瓷基体上产生裂纹。

根据以上结果，在使树脂电极层的表面Ag浓度成为2～8atom％的情况下，可以将陶瓷基体和树脂电极层之间的密合强度设为比树脂电极层和镀敷金属层之间的密合强度大，在基板弯曲试验时等，在对基板施加挠曲应力的情况下，也确认了可以防止向陶瓷基体施加大的应力，回避陶瓷基体上产生裂纹。

另外，在该实施例中，从提高陶瓷基体和树脂电极层的界面的密合强度的观点来看，使用添加了偶合剂的树脂电极膏，虽然使防止镀敷处理时产生的树脂电极层对陶瓷基体的密合强度的降低、或将树脂电极层的残留应力减小而增加树脂电极层和陶瓷基体的界面的密合强度的效果增强，但是根据情况，也可以使用不添加偶合剂的树脂电极膏。

另外，在上述实施例中，以外部电极具有厚膜电极层的情况为例进行了说明，但是本发明也可以适用于不具有厚膜电极层的构成，即树脂电极层直接形成于陶瓷基体的端面并在其上形成镀敷金属层的构成的情况。

进而也可以适用于对陶瓷基体的端面的内部电极的露出部分实施镀敷后，在该端面形成树脂电极层，并在其上形成镀敷金属层的构成的情况。

另外，本发明的目的在于，在对基板作用挠曲应力时，在树脂电极层和镀敷金属层的界面产生剥离，由此防止陶瓷基体内部产生裂纹，但是，作为如下的变形例1、2的构成，也可以拥有双重的破损保护(failsafe)。

<变形例1>

例如图3所示，与不同极性的一对外部电极1a或1b连接的内部电极3a或3b的前端T1以不达到连接其内部电极3a或3b的外部电极1a或1b的相反侧的外部电极1a或1b的绕入部分(折回部分)的前端T2的投影位置的方式形成地短(即增大长度方向的间隔G)。通过设为这种构成，在万一陶瓷基体10产生裂纹的情况下，也能够避免致命的不良情况。另外，在图3中，标注与图1相同符号的部分为与图1的各符号表示的部分相同或相当部分。

<変形例2>

例如图4所示，在陶瓷基体10的内部沿层叠方向交替配设与连接于不同极性的一对外部电极1a、1b的内部电极(连接内部电极)3a、3b和外部电极1a、1b均未连接的内部电极(非连接内部电极)103，经由该非连接内部电极103取得电容(即由等效电路表示时，电容器为串联连接的构成)。通过设为这样的构成，在万一陶瓷基体产生了裂纹的情况下，也能够避免致命的不良情况的发生。另外，在图4中，标注与图1相同符号的部分为与由图1的各符号表示的部分相同或相当的部分。

另外，在上述实施例中，以层叠陶瓷电容器为例进行了说明，但本发明不限于基层陶瓷电容器，可适用于具有树脂电极层和镀敷金属层的具有外部电极的各种片型电子部件。

进而，本发明在其它方面也不限于上述实施例，关于构成厚膜电极层的电极材料及构成镀敷金属层的金属材料的种类、构成陶瓷基体的陶瓷材料的种类等，在发明的范围中可以增加各种应用、变形。

Claims

1.一种片型电子部件，其特征在于，包括具有内部电极的陶瓷基体和在所述内部电极的端面以与所述内部电极导通的方式配设的外部电极，

所述外部电极具有：

树脂电极层，其为含有导电成分和树脂成分的树脂电极层，其形成于至少包含所述陶瓷基体的端面的区域且直接或间接地与所述内部电极连接，并且与所述陶瓷基体接合；和

镀敷金属层，其是以覆盖所述树脂电极层的方式形成的，

其中，所述陶瓷基体与所述树脂电极层之间的密合强度比所述树脂电极层与所述镀敷金属层之间的密合强度大。

2.如权利要求1所述的片型电子部件，其特征在于，

所述外部电极具有以与所述内部电极导通的方式形成于所述陶瓷基体的端面的厚膜电极层，

所述树脂电极层覆盖所述厚膜电极层，并且，在比形成有所述厚膜电极层的区域更靠外侧的区域与所述陶瓷基体接合。

3.如权利要求1或2所述的片型电子部件，其特征在于，所述树脂电极层的表面Ag浓度为2～8atom％。

4.如权利要求1或2所述的片型电子部件，其特征在于，作为构成所述树脂电极层的树脂成分，使用的是添加了偶合剂的树脂成分。

5.如权利要求1或2所述的片型电子部件，其特征在于，所述树脂电极层的残留应力为4.8MPa以下。

6.如权利要求1或2所述的片型电子部件，其特征在于，所述树脂电极层为涂敷树脂电极膏并使其固化而成的电极层，所述树脂电极膏包含导电成分和在200℃下加热1小时情况下的重量减少率为4.8重量％以下的树脂成分。