JP5567647B2 - セラミック電子部品 - Google Patents
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Description
本発明は、積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品に関する。
積層セラミックコンデンサ等のセラミック電子部品は、ハンダ等を用いて基板のパッド等に電気的に接合するための外部電極を備えている。この外部電極は、一般に、１つの下地金属層と少なくとも１つの中間金属層と１つの表面金属層を順に有する多層構造を有している。
前記セラミック電子部品にあっては、接合時や使用時の温度変化に起因して生じる内力や接合時や使用時に加えられる外力によってセラミックスを主体とした部品本体にクラックが生じる恐れがあることから、前記外部電極における中間金属層を「導電性フィラーを含む合成樹脂」から成る中間導電樹脂層に置換し、該中間導電樹脂層によって前記内力及び外力を緩和して前記恐れを解消する試みが為されている（下記特許文献１を参照）。
しかしながら、前記外部電極における中間金属層を「導電性フィラーを含む合成樹脂」から成る中間導電樹脂層に置換すると、前記内力及び外力によって該中間導電樹脂層と金属層（下地金属層、表面金属層、又は別の中間金属層を指す）との界面に剥離が生じる恐れがある。
本発明の目的は、中間導電樹脂層を有する多層構造の外部電極において該中間導電樹脂層と金属層との界面に生じ得る剥離を極力抑制できるセラミック電子部品を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明は、導電性フィラーを含む合成樹脂から成る中間導電樹脂層を有する多層構造の外部電極を備えたセラミック電子部品であって、前記中間導電樹脂層は導電性フィラーを含むエポキシ樹脂から成り、ＡＴＲ法によって得た前記中間導電樹脂層の波数とスペクトル強度との関係線を２軸グラフに表し、（１）前記関係線における波数１４００ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬａを設定し、１５００±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬａと前記関係線との交点Ａ１と該検出直線ＤＬａと前記基準直線ＢＬａとの交点Ａ２の距離が最大となるときの（交点Ａ１のスペクトル強度）−（交点Ａ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ａとし、（２）前記関係線における波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｂを設定し、１７３０±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｂと前記関係線との交点Ｂ１と該検出直線ＤＬｂと前記基準直線ＢＬｂとの交点Ｂ２の距離が最大となるときの（交点Ｂ１のスペクトル強度）−（交点Ｂ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｂとし、（３）前記関係線における波数３０７５ｃｍ-1のスペクトル強度と波数３６７５ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｃを設定し、３３００±３００ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｃと前記関係線との交点Ｃ１と該検出直線ＤＬｃと前記基準直線ＢＬｃとの交点Ｃ２の距離が最大となるときの（交点Ｃ１のスペクトル強度）−（交点Ｃ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｃとしたとき、前記中間導電樹脂層はＢ／Ａ≦０．４７の条件とＣ／Ａ≧０．３９の条件の両方を満足している。
本発明によれば、中間導電樹脂層を有する多層構造の外部電極において該中間導電樹脂層と金属層との界面に生じ得る剥離を極力抑制できるセラミック電子部品を提供することができる。
本発明の前記目的及び他の目的と、各目的に応じた特徴と効果は、以下の説明と添付図面によって明らかとなる。
《積層セラミックコンデンサの基本構造》
先ず、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサの基本構造について説明する。
先ず、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）を引用して、本発明を適用した積層セラミックコンデンサの基本構造について説明する。
積層セラミックコンデンサ１０は、長さ、幅及び高さの基準寸法が長さ＞幅＝高さの寸法関係、或いは、長さ＞幅＞高さの寸法関係を有する略直方体形状であり、略直方体形状の部品本体１１と、部品本体１１の長さ方向の両端部に１対の外部電極１２を備えている。因みに、長さは図１（Ａ）の左右方向の寸法が該当し、幅は図１（Ａ）の手前から奥に向かう方向の寸法が該当し、高さは図１（Ａ）の上下方向の寸法が該当する。
部品本体１１は、略矩形状の多数の内部電極層１１ａが誘電体層１１ｂを介して積層された容量形成部を有すると共に、高さ方向の両側と幅方向の両側に内部電極層１１ａが存しないマージン部を有している。
各内部電極層１１ａは例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、又はこれらの合金から成り、各内部電極層１１ａの輪郭及び厚さは略同じである。各誘電体層１１ｂ及びマージン部は例えばチタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、ジルコン酸カルシウム、チタン酸ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸バリウム、又は酸化チタンから成り、各誘電体層１１ｂの厚さは略同じである。
小型化及び大容量化のニーズを満足する実際の積層セラミックコンデンサ１０の内部電極層１１ａの総数は１００以上に及ぶが、図１（Ａ）には、図示の便宜上、内部電極層１１ａの総数を１８とし、上から奇数番目の内部電極層１１ａの左側端縁を左側の外部電極１２に電気的に接続し、且つ、上から偶数番目の内部電極層１１ａの右側端縁を右側の外部電極１２に電気的に接続したものを示してある。
１対の外部電極１２は、部品本体１１の長さ方向の端面と４側面（高さ方向の２面と幅方向の２面）の一部を連続して覆うようにしてそれぞれ設けられている。各外部電極１２は、部品本体１１に密着した下地金属層１２ａと、該下地金属層１２ａの表面に密着した第１中間金属層１２ｂと、該第１中間金属層１２ｂの表面に密着した中間導電樹脂層１２ｃと、該中間導電樹脂層１２ｃの表面に密着した第２中間金属層１２ｄと、第２中間金属層１２ｄの表面に密着した表面金属層１２ｅを有する５層構造である。
下地金属層１２ａは例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、又はこれらの合金と前記誘電体層１１ｂ及びマージン部と同質の共生地成分との混成物、或いは、同金属又は合金とシリカ等のガラス成分との混成物から成る。第１中間金属層１２ｂと第２中間金属層１２ｄは例えばニッケル、銅、パラジウム、白金、銀、金、又はこれらの合金から成る。表面金属層１２ｅは例えばスズ、パラジウム、金、亜鉛、又はこれらの合金から成る。
中間導電樹脂層１２ｃは例えば導電性フィラーを含むエポキシ樹脂から成り、該導電性フィラーは例えば銀、銅、ニッケル、又はその合金から成る金属フィラー、或いは炭素フィラーから成る。導電性フィラーの代表的な形状は、粒状、フレーク状、繊維状等である。また、中間導電樹脂層１２ｃにおけるエポキシ樹脂と導電性フィラーの質量比は好ましくは９：１〜６：４の範囲内にある。
《サンプル１〜１０の具体構造及びその製造方法》
次に、図２に示したサンプル１〜１０（図２を参照）の具体構造及び製法について説明する。因みに、各サンプル１〜１０の基本構造は前記積層セラミックコンデンサ１０と同じである。
次に、図２に示したサンプル１〜１０（図２を参照）の具体構造及び製法について説明する。因みに、各サンプル１〜１０の基本構造は前記積層セラミックコンデンサ１０と同じである。
サンプル１〜１０は、３２２５サイズ（長さ、幅及び高さの基準寸法が３．２ｍｍ、２．５ｍｍ、２．５ｍｍ）であり、内部電極層１１ａはニッケルから成り、その数は２００で平均厚さは略１．０μｍである。誘電体層１１ｂとマージン部はチタン酸バリウムから成り、誘電体層１１ｂの平均厚さは略１０．０μｍである。
また、外部電極１２の下地金属層１２ａはニッケル及び共生地成分（チタン酸バリウム）の混成物から成り、その厚さは略１０．０μｍである。第１中間金属層１２ｂは銅から成り、その厚さは略４．０μｍである。中間導電樹脂層１２ｃは銀フィラーを含むエポキシ樹脂から成り、その厚さは略３０．０μｍであり、エポキシ樹脂と銀フィラーの質量比は略８：２である。第２中間金属層１２ｄはニッケルから成り、その厚さは略３．０μｍである。表面金属層１２ｅはスズから成り、その厚さは略５．０μｍである。
部品本体１１は、チタン酸バリウム粉末とエタノール（溶剤）とポリビニルブチラール（バインダ）と分散剤等の添加剤を含むスラリーをシート状に塗工し乾燥したものと、これにニッケル粉末とターピネオール（溶剤）とエチルセルロース（バインダ）と分散剤等の添加剤を含むペーストを略矩形状に印刷し乾燥したものを適宜積層して圧着した後、これを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で、チタン酸バリウム粉末及びニッケル粉末に応じた温度プロファイルで焼成（脱バインダ処理と焼成処理を含む）する方法によって作製されている。
外部電極１２の下地金属層１２ａは前記ペーストにチタン酸バリウム粉末（共生地成分）を添加したものを焼成前の部品本体（１１）の長さ方向の両端部に塗布して該部品本体と一緒に焼成する方法、或いは、前記ペーストを焼成後の部品本体１１の長さ方向の両端部に塗布してこれを還元性雰囲気下、或いは、低酸素分圧雰囲気下で焼付け処理を施す方法によって作製されている。第１中間金属層１２ｂは、下地金属層１２ａを作製した後の部品本体１１をメッキ槽に投入して電解メッキを施す方法によって作製されている。中間導電樹脂層１２ｃは、第１中間金属層１２ｂを作製した後に、該第１中間金属層１２ｂの表面に硬化前の「銀フィラーを含むエポキシ樹脂」を塗布し乾燥したものを熱処理により硬化させる方法によって作製されている。ここでの乾燥条件（雰囲気、温度及び時間）と硬化条件（雰囲気、温度及び時間）は図２の「乾燥」及び「硬化」に示した通りである。第２中間金属層１２ｄは、中間導電樹脂層１２ｃを作製した後の部品本体１１をメッキ槽に投入して電解メッキを施す方法によって作製されている。表面金属層１２ｅは、第２中間金属層１２ｄを作製した後の部品本体１１をメッキ槽に投入して電解メッキを施す方法によって作製されている。
《最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠》
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を引用して、図２の「Ｂ／Ａ」及び「Ｃ／Ａ」に用いられている最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠について説明する。因みに、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、ＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）法によって得た図２のサンプル４の中間導電樹脂層１２ｃの波数とスペクトル強度との関係線を、波数軸（横軸）とスペクトル強度軸（縦軸）を有する２軸グラフに表したものである。
次に、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を引用して、図２の「Ｂ／Ａ」及び「Ｃ／Ａ」に用いられている最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠について説明する。因みに、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は、ＡＴＲ（Ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ Ｔｏｔａｌ Ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）法によって得た図２のサンプル４の中間導電樹脂層１２ｃの波数とスペクトル強度との関係線を、波数軸（横軸）とスペクトル強度軸（縦軸）を有する２軸グラフに表したものである。
最大スペクトル強度Ａを決定するときには、図３（Ａ）に示したように、先ず、関係線における波数１４００ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬａを設定する。そして、１５００±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬａと関係線との交点Ａ１と該検出直線ＤＬａと基準直線ＢＬａとの交点Ａ２の距離が最大となるときの（交点Ａ１のスペクトル強度）−（交点Ａ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ａとする。
また、最大スペクトル強度Ｂを決定するときには、図３（Ａ）に示したように、先ず、関係線における波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｂを設定する。そして、１７３０±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｂと関係線との交点Ｂ１と該検出直線ＤＬｂと基準直線ＢＬｂとの交点Ａ２の距離が最大となるときの（交点Ｂ１のスペクトル強度）−（交点Ｂ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｂとする。
さらに、最大スペクトル強度Ｃを決定するときには、図３（Ｂ）に示したように、先ず、関係線における波数３０７５ｃｍ-1のスペクトル強度と波数３６７５ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｃを設定する。そして、３３００±３００ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｃと関係線との交点Ｃ１と該検出直線ＤＬｃと基準直線ＢＬｃとの交点Ｃ２との距離が最大となるときの（交点Ｃ１のスペクトル強度）−（交点Ｃ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｃとする。
先に述べたように、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）は図２のサンプル４の中間導電樹脂層１２ｃの波数とスペクトル強度との関係線を表したものであり、前記決定手法によって求められた最大スペクトル強度Ａは０．１、最大スペクトル強度Ｂは０．０３４、最大スペクトル強度Ｃは０．０４８であるため、図２のサンプル４に示したようにＢ／Ａは０．３４、Ｃ／Ａは０．４８となる。
前掲の決定手法は下記をその根拠とする。即ち、中間導電樹脂層１２ｃの主体であるエポキシ樹脂はベンゼン環を有しており、該ベンゼン環は１５００±２５ｃｍ-1の波数域中でピークとして現れる。つまり、最大スペクトル強度Ａはこのピークを捕らえたものである。また、エポキシ樹脂が硬化する過程ではエポキシ基の一部が分解してカルボニル基に変化し、該カルボニル基は１７３０±２５ｃｍ-1の波数域中でピークとして現れる。つまり、最大スペクトル強度Ｂはこのピークを捕らえたものである。さらに、エポキシ樹脂が硬化する過程ではエポキシ基が開環してＯＨ基が生じ、該ＯＨ基は３３００±３００ｃｍ-1の波数域中でピークとして現れる。つまり、最大スペクトル強度Ｃはこのピークを捕らえたものである。
加えて、基準直線ＢＬａの設定に用いた波数１４００ｃｍ-1及び１５６０ｃｍ-1は、交点Ａ１を含む連続起伏の最小波数と最大波数に準じており、基準直線ＢＬｂの設定に用いた波数１５６０ｃｍ-1及び１８００ｃｍ-1は、交点Ｂ１を含む連続起伏の最小波数と最大波数に準じており、基準直線ＢＬｃの設定に用いた波数３０７５ｃｍ-1及び３６７５ｃｍ-1は、交点Ｃ１を含む連続起伏の最小波数と最大波数に準じている。
最大スペクトル強度Ａは熱的に安定な前記ベンゼン環に基づくものであり、硬化条件に拘わらず概ね不変である。一方、最大スペクトル強度Ｂは前記カルボニル基の増加によって変化し、該カルボニル基の増加はエポキシ樹脂の耐熱性劣化の原因となると考えられることから、最大スペクトル強度Ｂ／最大スペクトル強度Ａ（図２の「Ｂ／Ａ」）が極力低い値であることが好ましいと言える。また、最大スペクトル強度Ｃは前記ＯＨ基の増加によって変化し、該ＯＨ基の増加はエポキシ樹脂の硬化進行の目安となることから、最大スペクトル強度Ｃ／最大スペクトル強度Ａ（図２の「Ｃ／Ａ」）が極力高い値であることが好ましいと言える。
《図２の「Ｂ／Ａ」及び「Ｃ／Ａ」の測定方法》
次に、図２の「Ｂ／Ａ」及び「Ｃ／Ａ」の測定方法について説明する。
次に、図２の「Ｂ／Ａ」及び「Ｃ／Ａ」の測定方法について説明する。
まず、前記サンプル１〜１０をそれぞれ１０個ずつ用意し、切断又は研磨によって中間導電樹脂層１２ｃの断面を露出させる。そして、赤外分光イメージングシステム（ブルカーオプティクス社製、Ｖｅｒｔｅｘ７０）を用いて、室温が略２５℃で湿度が略５０％の環境下で、ＡＴＲ法により各中間導電樹脂層１２ｃの波数とスペクトル強度との関係線（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）を参照）を得る。そして、前記《最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠》で説明した決定手法に準じて各中間導電樹脂層１２ｃの最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣを求める。そして、各サンプル１〜１０毎の最大スペクトル強度Ｂ／最大スペクトル強度Ａの平均値（図２の「Ｂ／Ａ」）と最大スペクトル強度Ｃ／最大スペクトル強度Ａの平均値（図２の「Ｃ／Ａ」）を求める。
《図２の「耐熱不良率」の測定方法》
次に、図２の「耐熱不良率」の測定方法について説明する。
次に、図２の「耐熱不良率」の測定方法について説明する。
まず、前記サンプル１〜１０をそれぞれ１０個ずつ用意し、これらを２７０℃のハンダ槽内に３秒間浸漬してから取り出す。そして、切断又は研磨によって各外部電極１２の断面を露出させ、電子顕微鏡を用いた断面観察によって、各外部電極１２における中間導電樹脂層１２ｃと該中間導電樹脂層１２ｃと密着する金属層（第１中間金属層１２ｂと第２中間金属層１２ｄを指す）との界面における剥離の発生有無を確認する。そして、各サンプル１〜１０毎の剥離発生数／１０（図２の「耐熱不良率」）を求める。
《サンプル１〜１０の評価》
図２から分かるように、サンプル４〜７の「耐熱不良率」は何れも０％であり、該サンプル４〜７の「Ｂ／Ａ」は０．４７以下で「Ｃ／Ａ」は０．４６以上である。前記《最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠》の最後に説明した通り、「Ｂ／Ａ」は極力低い値であることが好ましく、且つ、「Ｃ／Ａ」はが極力高い値であることが好ましいことから、中間導電樹脂層１２ｃがＢ／Ａ≦０．４７の条件とＣ／Ａ≧０．４６の条件の両方を満足していれば、外部電極１２に含まれる中間導電樹脂層１２ｃと該中間導電樹脂層１２ｃに密着する金属層（第１中間金属層１２ｂと第２中間金属層１２ｄを指す）との界面に生じ得る剥離を確実に抑制できる。
図２から分かるように、サンプル４〜７の「耐熱不良率」は何れも０％であり、該サンプル４〜７の「Ｂ／Ａ」は０．４７以下で「Ｃ／Ａ」は０．４６以上である。前記《最大スペクトル強度Ａ、Ｂ及びＣの決定手法及びその根拠》の最後に説明した通り、「Ｂ／Ａ」は極力低い値であることが好ましく、且つ、「Ｃ／Ａ」はが極力高い値であることが好ましいことから、中間導電樹脂層１２ｃがＢ／Ａ≦０．４７の条件とＣ／Ａ≧０．４６の条件の両方を満足していれば、外部電極１２に含まれる中間導電樹脂層１２ｃと該中間導電樹脂層１２ｃに密着する金属層（第１中間金属層１２ｂと第２中間金属層１２ｄを指す）との界面に生じ得る剥離を確実に抑制できる。
また、図２から分かるように、サンプル１〜３の「耐熱不良率」は２０％と１０％であるが、サンプル８〜１０の「耐熱不良率」よりも格段低いことは明らかであり、しかも、サンプル１〜３の「Ｂ／Ａ」はサンプル４〜７の「Ｂ／Ａ」と同様に０．４７以下であるから、中間導電樹脂層１２ｃがＢ／Ａ≦０．４７の条件とＣ／Ａ≧０．３９の条件の両方を満足していれば、外部電極１２に含まれる中間導電樹脂層１２ｃと該中間導電樹脂層１２ｃに密着する金属層（第１中間金属層１２ｂと第２中間金属層１２ｄを指す）との界面に生じ得る剥離を抑制する効果は十分に得られる。
《他のセラミック電子部品への適用》
以上の説明では、外部電極１２として５層構造のものを例に挙げたが、該外部電極１２が第１中間金属層１２ｂ及び第２中間金属層１２ｄを除外した３層構造の場合や、第１中間金属層１２ｂ及び第２中間金属層１２ｄの一方を除外した４層構造の場合や、中間金属層を増加した６層以上の多層構造を有する場合や、中間導電樹脂層１２ｃ以外の金属層の材料が前掲と異なる場合でも、中間導電樹脂層１２ｃが前掲の最大スペクトル強度に係る条件を満足していれば、前記同様の効果が得られる。加えて、中間導電樹脂層１２ｃとして銀フィラーを含むエポキシ樹脂から成るものを例に挙げたが、銀フィラーが銀合金フィラーや炭素フィラー等の他の導電性フィラーから成る場合でも、中間導電樹脂層１２ｃが前掲の最大スペクトル強度に係る条件を満足していれば、前記同様の効果が得られる。
以上の説明では、外部電極１２として５層構造のものを例に挙げたが、該外部電極１２が第１中間金属層１２ｂ及び第２中間金属層１２ｄを除外した３層構造の場合や、第１中間金属層１２ｂ及び第２中間金属層１２ｄの一方を除外した４層構造の場合や、中間金属層を増加した６層以上の多層構造を有する場合や、中間導電樹脂層１２ｃ以外の金属層の材料が前掲と異なる場合でも、中間導電樹脂層１２ｃが前掲の最大スペクトル強度に係る条件を満足していれば、前記同様の効果が得られる。加えて、中間導電樹脂層１２ｃとして銀フィラーを含むエポキシ樹脂から成るものを例に挙げたが、銀フィラーが銀合金フィラーや炭素フィラー等の他の導電性フィラーから成る場合でも、中間導電樹脂層１２ｃが前掲の最大スペクトル強度に係る条件を満足していれば、前記同様の効果が得られる。
また、外部電極１２として積層セラミックコンデンサに設けられたものを例に挙げたが、積層セラミックコンデンサ以外のセラミック電子部品、例えば積層セラミックインダクタに設けられた多層構造の外部電極が前記同様の中間導電樹脂層１２ｃを有する場合でも、該中間導電樹脂層１２ｃが前掲の最大スペクトル強度に係る条件を満足していれば、前記同様の効果が得られる。
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…部品本体、１２…外部電極、１２ａ…下地金属層、１２ｂ…第１中間金属層、１２ｃ…中間導電樹脂層、１２ｄ…第２中間金属層、１２ｅ…表面金属層。
Claims (4)
- 導電性フィラーを含む合成樹脂から成る中間導電樹脂層を有する多層構造の外部電極を備えたセラミック電子部品であって、
前記中間導電樹脂層は導電性フィラーを含むエポキシ樹脂から成り、
ＡＴＲ法によって得た前記中間導電樹脂層の波数とスペクトル強度との関係線を２軸グラフに表し、（１）前記関係線における波数１４００ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬａを設定し、１５００±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬａと前記関係線との交点Ａ１と該検出直線ＤＬａと前記基準直線ＢＬａとの交点Ａ２の距離が最大となるときの（交点Ａ１のスペクトル強度）−（交点Ａ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ａとし、（２）前記関係線における波数１５６０ｃｍ-1のスペクトル強度と波数１８００ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｂを設定し、１７３０±２５ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｂと前記関係線との交点Ｂ１と該検出直線ＤＬｂと前記基準直線ＢＬｂとの交点Ｂ２の距離が最大となるときの（交点Ｂ１のスペクトル強度）−（交点Ｂ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｂとし、（３）前記関係線における波数３０７５ｃｍ-1のスペクトル強度と波数３６７５ｃｍ-1のスペクトル強度とを結ぶ基準直線ＢＬｃを設定し、３３００±３００ｃｍ-1の波数域中においてスペクトル強度軸と平行な検出直線ＤＬｃと前記関係線との交点Ｃ１と該検出直線ＤＬｃと前記基準直線ＢＬｃとの交点Ｃ２の距離が最大となるときの（交点Ｃ１のスペクトル強度）−（交点Ｃ２のスペクトル強度）を最大スペクトル強度Ｃとしたとき、前記中間導電樹脂層はＢ／Ａ≦０．４７の条件とＣ／Ａ≧０．３９の条件の両方を満足している、
ことを特徴とするセラミック電子部品。 - 前記Ｃ／Ａ≧０．３９の条件が、Ｃ／Ａ≧０．４６である、
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミック電子部品。 - 前記外部電極は、ニッケルを含む下地金属層と、銅から成る第１中間金属層と、前記中間導電樹脂層と、ニッケルから成る第２中間金属層と、スズから成る表面金属層を順に有する５層構造である、
ことを特徴とする請求項１又は２の何れか１項に記載のセラミック電子部品。 - 前記導電性フィラーは銀フィラーである、
ことを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のセラミック電子部品。
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