JP6024483B2 - 積層型セラミック電子部品 - Google Patents

Description

この発明は、積層型セラミック電子部品に関するもので、特に、Ｎｉを含む内部電極を備え、内部電極と電気的に接続される外部電極がめっきにより形成された、積層型セラミック電子部品に関するものである。

積層型セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサの外部電極は、通常、部品本体の端部に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されている。しかし、この方法により形成された外部電極は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層セラミックコンデンサの寸法を一定の規格値に収めるためには、この外部電極の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じていた。

この問題を解決し得るものとして、複数の内部電極の各引出し端間を互いに接続するように部品本体上にめっき膜を直接析出させ、このめっき膜を外部電極の少なくとも一部とすることが提案されかつ実用化されている。たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、部品本体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解Ｎｉめっきによって導電性金属層を析出させる、外部電極の形成方法が開示されている。このような外部電極の形成方法によれば、外部電極の体積を減じることができ、よって、静電容量確保のための実効体積を増やすことができる。

しかしながら、部品本体の所定の面上への直接のめっきにより形成されためっき膜には、前述した導電性ペーストの焼付けによる電極の場合のようなガラス等を介さないため、めっき膜と部品本体との間での固着力が弱いという問題がまずある。そして、固着力が弱いと、めっき膜と部品本体との界面に亀裂が入り、そこから水分が浸入する場合がある。さらに、水分の浸入が、セラミック層と内部電極との界面へと進行した場合、異なる電位の内部電極間で水分を介して電気的短絡が生じ、部品の機能を低下させるおそれがある。

特開昭６３−１６９０１４号公報

この発明の目的は、上記のような問題点を解決し得る積層型セラミック電子部品を提供しようとすることである。

この発明は、積層された複数のセラミック層とセラミック層間の界面に沿って形成されたＮｉを含む複数の内部電極とを備え、各内部電極が所定の面に露出する露出端を有している、部品本体と、各内部電極の露出端に電気的に接続されるように、部品本体の所定の面上にめっきによって形成された、外部電極とを備える、積層型セラミック電子部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、上記所定の面において積層方向に並ぶ複数の露出端のうち、最外に位置する露出端を与える内部電極は、少なくとも露出端において、ＭｇとＮｉとが共存する領域（以下、「Ｍｇ−Ｎｉ共存領域」という。）を有することを特徴としている。

上述のＭｇ−Ｎｉ共存領域では、Ｍｇ−Ｎｉ−Ｏ酸化物が生成されている。セラミック層を構成するセラミックは酸化物であるので、内部電極の、セラミック層に対する接合力は、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域において、そうでない領域に比べて強くなり、セラミック層と内部電極との界面での剥離をより生じにくくすることができる。また、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域は、積層方向に並ぶ複数の露出端のうち、最外に位置する露出端を与える内部電極における少なくとも露出端にあるので、特に、部品本体における外層部に位置するセラミック層の剥離が抑制され得る。
複数の内部電極が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する内部電極にある、上述のＭｇ−Ｎｉ共存領域は、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が３０％以上であることが好ましい。部品本体における外層部に位置するセラミック層の剥離の抑制効果がより確実に発揮される。

Ｍｇ−Ｎｉ共存領域は、各内部電極における、少なくとも露出端が分布する領域の外周部に位置する部分にあることが好ましい。これにより、内部電極と外部電極との間での固着力をより確実に強くすることができ、外部電極と部品本体との界面を通しての水分の浸入をより確実に防止することができる。

各内部電極における、露出端が分布する領域の外周部に位置する部分にある、上述のＭｇ−Ｎｉ共存領域は、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が２５％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。このような面積比率がより高くなるほど、内部電極と外部電極との間での固着力をより強くすることができる。

この発明によれば、内部電極の、セラミック層に対する接合力を、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域において、より強くすることができるので、部品本体内部への水分の浸入を生じにくくすることができる。したがって、積層型セラミック電子部品の耐湿信頼性を向上させることができる。

この発明の第１の実施形態による積層型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ１の外観を示す斜視図である。 図１の線Ａ−Ａに沿う断面図である。 図２の線Ｂ−Ｂに沿う断面図である。 この発明の第２の実施形態による積層型セラミック電子部品としてのＬＷ逆転型の積層セラミックコンデンサ１ａの外観を示す斜視図である。

図１ないし図３を参照して、この発明の第１の実施形態による積層セラミックコンデンサ１は、積層された複数のセラミック層２とセラミック層２間の界面に沿って形成されたＮｉを含む複数の内部電極３および４とを備える、部品本体５を備えている。

部品本体５は、互いに対向する２つの主面６および７と、互いに対向する２つの側面８および９と、互いに対向する２つの端面１０および１１とを有する、直方体形状である。積層されたセラミック層２の主面は、部品本体５の主面６および７と平行に向けられる。

内部電極３および４は、部品本体５の第１の端面１０に露出する露出端１２を有する第１の内部電極３と、部品本体５の第２の端面１１に露出する露出端１３を有する第２の内部電極４とに分類される。第１の内部電極３と第２の内部電極４とは、積層方向において交互に配置される。

部品本体５の第１の端面１０上には、第１の内部電極３と電気的に接続されるように、第１の外部電極１４が形成される。部品本体５の第２の端面１１上には、第２の内部電極４と電気的に接続されるように、第２の外部電極１５が形成される。第１および第２の外部電極１４および１５は、それぞれ、第１および第２の端面１０および１１に隣接する主面６および７ならびに側面８および９の各一部にまで延びるように形成されている。

外部電極１４および１５は、部品本体５上に直接めっきを施すことによって形成されたものである。めっき法は、電解めっき法であっても、無電解めっき法であってもよい。また、外部電極１４および１５は、多くの場合、たとえば、Ｎｉめっき層およびその上に形成されたＳｎめっき層からなる２層構造のめっき膜から構成される。ここで、Ｎｉめっき層は、Ｃｕめっき層に置き換えられてもよい。また、外部電極１４および１５は、単層のめっき膜から構成されても、３層以上のめっき膜から構成されてもよい。

このような積層セラミックコンデンサ１において、この発明では、内部電極３および４が、ＭｇとＮｉとが共存する領域（Ｍｇ−Ｎｉ共存領域）を有することを特徴としている。図２および図３において、内部電極３および４の一部が破線で囲まれているが、この破線で囲んだ領域がＭｇ−Ｎｉ共存領域１６であることを示している。

Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６では、Ｍｇ−Ｎｉ−Ｏ酸化物が生成されている。そのため、内部電極３および４の、セラミック層２に対する接合力は、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６において、より強くなり、セラミック層２と内部電極３および４との界面での剥離をより生じにくくすることができる。その結果、部品本体５の内部への水分の浸入を生じにくくすることができ、積層セラミックコンデンサ１の耐湿信頼性を向上させることができる。

Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６は、図２に示すように、少なくとも、複数の内部電極３および４が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する内部電極３および４にあることが好ましい。より詳細には、まず、最外層の内部電極３および４全体がＭｇ−Ｎｉ共存領域１６とされ、さらに、最外から２番目の内部電極３および４の露出端１２および１３へと延びる引出し部がＭｇ−Ｎｉ共存領域１６とされる。言い換えると、一方の端面１０において積層方向に並ぶ複数の露出端１２のうち、最外に位置する露出端１２を与える内部電極３は、少なくとも露出端１２において、ＭｇとＮｉとが共存する領域１６を有する。また、他方の端面１１において、積層方向に並ぶ複数の露出端１３のうち、最外に位置する露出端１３を与える内部電極４は、少なくとも露出端１３において、ＭｇとＮｉとが共存する領域１６を有する。これにより、部品本体５における外層部に位置するセラミック層２の剥離が抑制され得る。

上述のように、複数の内部電極３および４が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する内部電極３および４にある、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６は、後述する実験例からわかるように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が３０％以上であることが好ましい。

また、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６は、第１の内部電極３について図３に図示するように、内部電極３および４の各々における、少なくとも露出端１２および１３が分布する領域の外周部に位置する部分にあることが好ましい。より詳細には、まず、積層方向に見て、最外層の内部電極３および４の露出端１２および１３全体がＭｇ−Ｎｉ共存領域１６とされ、さらに、最外層以外の内部電極３および４の露出端１２および１３の幅方向両端部がＭｇ−Ｎｉ共存領域１６とされる。これにより、内部電極３および４と外部電極１４および１５との間での固着力をより確実に強くすることができ、外部電極１４および１５と部品本体５との界面を通しての水分の浸入をより確実に防止することができる。

上述のように、内部電極３および４の各々における、露出端１２および１３の各々が分布する領域の外周部に位置する部分にある、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６は、後述する実験例からわかるように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が２５％以上であることが好ましく、７０％以上であることがより好ましい。

次に、積層セラミックコンデンサ１の製造方法について説明する。この製造方法の説明は、この発明の特徴となるＭｇ−Ｎｉ共存領域１６の生成方法を明らかにするものでもある。

まず、部品本体５を得るため、セラミック層２となるべきセラミックグリーンシートが用意される。セラミックグリーンシートは、セラミック原料を含むが、このセラミック原料には、ＭｇがたとえばＭｇ酸化物として添加されている。Ｍｇは、たとえば０．０５〜２．０モル％添加される。

次に、セラミックグリーンシート上に、内部電極３および４となるべき導電性ペースト膜が印刷等により形成される。導電性ペースト膜は、導電成分としてＮｉを含んでいる。

次に、第１および第２の内部電極３および４が交互に配置される状態となるように、上述した導電性ペースト膜が形成された複数のセラミックグリーンシートが積層されるとともに、その積層方向の両端部に、導電性ペースト膜が形成されていない適当数のセラミックグリーンシートが外層部をなすように積層される。これによって、部品本体５の生の状態のものが得られる。

なお、上述した積層工程が、複数の積層セラミックコンデンサ１を取り出すことができるマザー状態のセラミックグリーンシートについて実施され、積層工程の後、カット工程を実施して、個々の積層セラミックコンデンサ１のための部品本体５の生の状態のものを得るようにしてもよい。

次に、焼成工程が実施される。これによって、焼結した部品本体５が得られる。部品本体５は、上述のセラミックグリーンシートの焼結によって得られた複数のセラミック層２ならびに導電性ペースト膜の焼結によって得られた内部電極３および４を備えている。

上述の焼成工程において、セラミックが焼結する前の少なくとも昇温過程では、内部電極３および４となる導電性ペースト膜に含まれるＮｉが多かれ少なかれ酸化する雰囲気が適用される。セラミックグリーンシートに含まれるＭｇは、酸化ニッケルに拡散しやすいため、セラミックの焼結が進む前に、内部電極３および４となる導電性ペースト膜に含まれるＮｉの酸化を進行させておけば、セラミックの焼結後において、内部電極３および４にＭｇ−Ｎｉ共存領域１６が生成されやすい。そして、導電性ペースト膜に含まれるＮｉの酸化の進行度合いを制御することにより、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６でのＭｇ量を制御することができる。また、部品本体５の外表面は焼成雰囲気に直接接するので、内部電極３および４の特に露出端１２および１３では、Ｎｉの酸化が進行しやすい。

また、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６の生成には、セラミック層２から内部電極３および４へのＭｇの供給が必要である。Ｍｇの供給については、セラミックグリーンシートに含まれているＭｇの含有量にもよるが、内部電極３および４間に位置するセラミック層２はたとえば厚みが数μｍ以下と薄いため、Ｍｇの絶対量が少なく、ここからのＭｇの供給はほとんど望めない。他方、部品本体５における内部電極３および４が存在しない部分、すなわち、図２および図３に示す外層部１７および１８、ならびに、図３に示すサイドマージン部１９および２０の各々の体積は、これらに接する内部電極３および４の体積に比べて、圧倒的に大きい。したがって、外層部１７および１８ならびにサイドマージン部１９および２０から、これらに接する内部電極３および４へは、Ｍｇを十分に供給することができる。

以上のことから、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６は、前述したように、最外層の内部電極３および４全体ならびに最外から２番目の内部電極３および４の露出端１２および１３へと延びる引出し部と（図２参照）、積層方向に見て、最外層の内部電極３および４の露出端１２および１３全体ならびに最外層以外の内部電極３および４の露出端１２および１３の幅方向両端部と（図３参照）に生成される。なお、図３では図示されないが、内部電極３および４の露出端１２および１３以外の部分においても、積層方向に見て、最外層の内部電極３および４の全体ならびに最外層以外の内部電極３および４の幅方向両端部でもＭｇ−Ｎｉ共存領域１６が生成される。

次に、必要に応じて、部品本体５に対して、バレル研磨工程が実施され、それによって、内部電極３および４の露出端１２および１３をより確実に露出させるようにする。次いで、好ましくは、純水による洗浄工程が実施される。

次に、外部電極１４および１５がめっきによって形成される。めっき法は、前述したように、電解めっき法であっても、無電解めっき法であってもよい。内部電極３および４におけるＭｇ−Ｎｉ共存領域１６は、セラミック層２に対して強固な固着状態を実現し得るので、めっき工程において、部品本体５におけるセラミック層２と内部電極３および４との界面に沿ってめっき液を浸入しにくくすることができ、また、めっき液がたとえ浸入しても、セラミック層２の剥離を生じにくくすることができる。

以上のようにして、積層セラミックコンデンサ１が完成される。

図１に示した積層セラミックコンデンサ１は、第１および第２の外部電極１４および１５間を結ぶ方向での寸法を長さ方向寸法とし、これをＬで表わし、長さ方向に直交する方向の幅方向寸法をＷで表わしたとき、Ｌ＞Ｗの寸法関係を有していたが、この発明は、図４に示す積層セラミックコンデンサ１ａのように、Ｌ＜Ｗの寸法関係を有する、いわゆるＬＷ逆転型の積層型セラミック電子部品に対しても適用することができる。図４において、図１に示した要素に相当する要素には同様の参照符号を付し、重複する説明は省略する。

以上説明した積層セラミックコンデンサ１および１ａでは、セラミック層２が誘電体セラミックから構成される。しかし、この発明が向けられる積層型セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、たとえば、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、積層型セラミック電子部品の機能に応じて、セラミック層は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよい。

また、図示した積層セラミックコンデンサ１および１ａは、２個の外部電極１４および１５を備える２端子型のものであるが、この発明は３端子以上の多端子型の積層型セラミック電子部品にも適用することができる。

以下に、この発明の効果を確認するために実施した実験例について説明する。

［実験例１］
実験例１では、特に、図３に示した内部電極３および４の各々における、露出端１２および１３が分布する領域の外周部に位置する部分にある、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６に着目して、その効果を確認した。

試料として、以下のような積層セラミックコンデンサを作製した。

まず、積層セラミックコンデンサに備える部品本体を得るため、セラミック層となるべきセラミックグリーンシートと内部電極となるべきＮｉを含む導電性ペースト膜とを積層した構造の生の部品本体を用意した。上記セラミックグリーンシートに含まれるセラミック原料には、Ｍｇを添加したチタン酸バリウム系誘電体セラミック原料を用いた。

次に、上記生の部品本体を焼成した。この焼成工程において、セラミックが焼結する前の昇温過程における酸化性雰囲気を制御することにより、内部電極となるべき導電性ペースト膜中のＮｉの酸化の進行度合いを種々に変え、それによって、内部電極中に拡散するＭｇ量を種々に変えた、焼結後の部品本体を得た。Ｍｇ量については、後述する分析によって求め、その結果が、表１の「外周部におけるＭｇ／Ｎｉ＝０．１以上の領域」の欄に、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率として示されている。このＭｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率は、焼成工程において、セラミックが焼結する前の昇温過程における酸化性雰囲気を種々に変えた結果として得られたものであると理解すべきである。

次に、めっき処理の前処理として、部品本体にはバレル研磨を施し、内部電極の露出端を確実に露出させた状態としておき、次いで、純水による洗浄工程を実施した。

次に、部品本体に対して、電解Ｎｉめっき、次いで電解Ｓｎめっきを実施した。これによって、下層をＮｉめっき層とし、上層をＳｎめっき層とする外部電極を形成した。

以上のようにして得られた積層セラミックコンデンサは、部品本体と外部電極とを含めて、平面寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍであり、ＬＷ逆転型のものであった。また、部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは１μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。

以上のようにして、表１に示した各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、研磨により、外部電極を除去して、積層セラミックコンデンサの断面、すなわち、部品本体の端面を露出させた状態とした上で、各内部電極における、露出端が分布する領域の外周部に位置する部分をＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）により分析することによって、Ｍｇ元素およびＮｉ元素のみを検出しながら、Ｍｇ元素とＮｉ元素との分布状態を測定し、その結果からＭｇ／Ｎｉモル比の分布を求めた。そして、上記外周部に位置する部分のうち、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる領域の面積比率［％］を求めた。この面積比率の、３個の試料についての平均値であって、小数点以下を四捨五入した数値が、表１の「外周部におけるＭｇ／Ｎｉ＝０．１以上の領域」の欄に示されている。

また、外部電極の固着力を求めた。より詳細には、各試料に係る積層セラミックコンデンサを基板にはんだ実装した後、積層セラミックコンデンサを横から基板と平行な方向に押す横押し試験を実施し、外部電極に剥離が生じる最大応力値を測定し、試料数１０個での最大応力値の平均値を求めた。その結果が、表１の「固着力」の欄に示されている。

また、耐湿負荷試験を実施した。より詳細には、各試料に係る積層セラミックコンデンサに対して、温度：８５℃、湿度：８５％ＲＨ、および印加電圧：４Ｖの条件で耐湿負荷試験を１４４時間実施し、絶縁抵抗ＩＲが１×１０^７Ω未満となったものを不良と判定し、試料数７２個中での不良数を求めた。その結果が、表１の「耐湿負荷不良数」の欄に示されている。

表１から、まず、各内部電極における、露出端が分布する領域の外周部に位置する部分に、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域が存在することにより、外部電極の固着力が増し、また、耐湿信頼性が向上することがわかった。

また、試料３〜６のように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上の面積比率が２５％以上であれば、外部電極の固着力は、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上の面積比率が０％の試料１に比べて、１．２倍以上と改善されることがわかった。

また、試料５および６のように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上の面積比率が７０％以上であれば、耐湿信頼性がさらに改善されることがわかった。

［実験例２］
実験例２では、特に、図２に示した複数の内部電極３および４が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する内部電極３および４にある、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６に着目して、その効果を確認した。

試料として、ＬＷ逆転型ではない点で、実験例１の場合とは異なる積層セラミックコンデンサを作製した。

まず、実験例１の場合と同様の組成を有する生の部品本体を用意し、次いで、生の部品本体を焼成した。この焼成工程において、セラミックが焼結する前の昇温過程における酸化性雰囲気を制御することにより、内部電極中に拡散するＭｇ量を種々に変えた、焼結後の部品本体を得た。Ｍｇ量については、実験例１の場合と同様、後述する分析によって求め、その結果が、表２の「最外におけるＭｇ／Ｎｉ＝０．１以上の領域」の欄に、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率として示されている。

次に、めっき処理の前処理として、部品本体にはバレル研磨を施し、内部電極の露出端を確実に露出させた状態としておき、次いで、純水による洗浄工程を実施した。

次に、部品本体に対して、電解Ｎｉめっき、次いで電解Ｓｎめっきを実施した。これによって、下層をＮｉめっき層とし、上層をＳｎめっき層とする外部電極を形成した。

以上のようにして得られた積層セラミックコンデンサは、ＬＷ逆転型ではなく、部品本体と外部電極とを含めて、平面寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍであった。また、部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは１μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。

以上のようにして、表２に示した各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。

次に、各試料に係る積層セラミックコンデンサについて、断面を研磨により露出させた状態とした上で、複数の内部電極が分布する領域における、積層方向に見て、最外層に位置する内部電極をＷＤＸ（波長分散Ｘ線分光法）により分析することによって、Ｍｇ元素およびＮｉ元素のみを検出しながら、Ｍｇ元素とＮｉ元素との分布状態を測定し、その結果からＭｇ／Ｎｉモル比の分布を求めた。そして、上記最外層の内部電極のうち、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる領域の面積比率［％］を求めた。この面積比率の３個の試料についての平均値であって、小数点以下を四捨五入した数値が、表２の「最外層におけるＭｇ／Ｎｉ＝０．１以上の領域」の欄に示されている。

また、外部電極形成後の剥離発生の有無を評価した。より詳細には、水を媒体として、各試料に係る積層セラミックコンデンサに超音波を当て、そのはね返り時間によって内部欠陥の有無を判定する、非破壊内部欠陥検査を実施し、試料数１００個中での破壊発生試料数を求めた。その結果が、表２の「剥離発生率」の欄に示されている。

表２から、まず、最外層の内部電極に、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上のＭｇ−Ｎｉ共存領域が存在することにより、破壊発生率が低下することがわかった。

また、試料１３〜１５のように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上の面積比率が３０％以上であれば、剥離が全く発生せず、より効果的であることがわかった。

［実験例３］
実験例３においても、実験例２の場合と同様、特に、図２に示した複数の内部電極３および４が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する内部電極３および４にある、Ｍｇ−Ｎｉ共存領域１６に着目して、その効果を確認した。

試料として、外部電極を、部品本体に対して、電解Ｃｕめっき、次いで電解Ｎｉめっき、次いで電解Ｓｎめっきを実施することによって形成したことを除いて、実験例２の場合と同様の方法で製造した積層セラミックコンデンサを用意した。

そして、表３に示すように、実験例２の場合と同様、「最外層におけるＭｇ／Ｎｉ＝０．１以上の領域」および「剥離発生率」を求めた。

実験例３においても、実験例２の場合と同様の結果が得られた。

すなわち、表３から、まず、最外層の内部電極に、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上のＭｇ−Ｎｉ共存領域が存在することにより、破壊発生率が低下することがわかった。

また、試料２３〜２５のように、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上の面積比率が３０％以上であれば、剥離が全く発生せず、より効果的であることがわかった。

１，１ａ 積層セラミックコンデンサ
２ セラミック層
３，４ 内部電極
１２，１３ 露出端
１４，１５ 外部電極
１６ Ｍｇ−Ｎｉ共存領域

Claims (5)

1. 積層された複数のセラミック層と前記セラミック層間の界面に沿って形成されたＮｉを含む複数の内部電極とを備え、各前記内部電極が所定の面に露出する露出端を有している、部品本体と、
   各前記内部電極の前記露出端に電気的に接続されるように、前記部品本体の前記所定の面上にめっきによって形成された、外部電極と
   を備え、
   前記所定の面において積層方向に並ぶ複数の前記露出端のうち、最外に位置する露出端を与える前記内部電極は、少なくとも露出端において、ＭｇとＮｉとが共存する領域を有する、
   積層型セラミック電子部品。
2. 複数の前記内部電極が分布する領域における、積層方向に見て、最外に位置する前記内部電極にある、前記ＭｇとＮｉとが共存する領域は、Ｍｇ／Ｎｉの組成比が０．１以上となる面積比率が３０％以上である、請求項１に記載の積層型セラミック電子部品。
3. 前記ＭｇとＮｉとが共存する領域は、各前記内部電極における、少なくとも前記露出端が分布する領域の外周部に位置する部分にある、請求項１または２に記載の積層型セラミック電子部品。
4. 各前記内部電極における、前記露出端が分布する領域の外周部に位置する部分にある、前記ＭｇとＮｉとが共存する領域は、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が２５％以上である、請求項３に記載の積層型セラミック電子部品。
5. 各前記内部電極における、前記露出端が分布する領域の外周部に位置する部分にある、前記ＭｇとＮｉとが共存する領域は、Ｍｇ／Ｎｉモル比が０．１以上となる面積比率が７０％以上である、請求項４に記載の積層型セラミック電子部品。

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