CN103971932A - 层叠型陶瓷电子部件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种层叠型陶瓷电子部件，其具备：部件本体，具有被层叠的多个陶瓷层和在所述陶瓷层间延伸的含有Ni的多个内部电极，并且各所述内部电极具有露出至规定面的露出端；和外部电极，以与各所述内部电极的所述露出端电连接的方式，通过镀敷在所述部件本体的所述规定的面上形成；所述内部电极具有Mg和Ni共存的Mg-Ni共存区域。

Description

层叠型陶瓷电子部件

技术领域

本发明涉及一种层叠型陶瓷电子部件，特别涉及具备含有Ni的内部电极，并且通过镀敷形成与内部电极电连接的外部电极的层叠型陶瓷电子部件。

背景技术

作为层叠型陶瓷电子部件一例的层叠陶瓷电容器的外部电极，通常是通过在部件本体的端部涂布导电性糊剂并烧结而形成的。然而，通过该方法形成的外部电极，其厚度高达几十μm～几百μm。因此，为了将层叠陶瓷电容器的尺寸限制在一定的标准值，需要确保该外部电极的体积，并且不希望减少用于确保静电容量的有效体积。

作为可以解决该问题的方法，已经提出了以多个内部电极的各引出端之间彼此连接的方式在部件本体上直接析出金属被膜（metal coating）、并将该金属被膜作为外部电极的至少一部分的方案，并且该方案已经实际使用。例如，日本特开昭63-169014号公报（专利文献1）中公开了一种外部电极形成方法：相对于部件本体的、露出内部电极的侧壁面的整面，以使露出至侧壁面的内部电极短路的方式，通过无电解镀Ni析出导电性金属层。根据这种外部电极的形成方法，可以减小外部电极的体积，由此，可以增大用于确保静电容量的有效体积。

专利文献1：日本特开昭63-169014号公报

然而，就通过在部件本体的规定面上直接镀敷所形成的金属被膜而言，其并没有像前述通过导电性糊剂的烧结而形成电极的情形那样采用玻璃等，因此首先存在有金属被膜与部件本体之间的固定力弱的问题。并且，如果固定力弱，则有时金属被膜与部件本体的界面处会产生裂纹，水分会从此处浸入。进一步，当水分的浸入向陶瓷层和内部电极的界面推进时，不同电位的内部电极间通过水分而产生电短路，可能会导致部件功能下降。

发明内容

发明所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种可以解决上述这样的问题的层叠型陶瓷电子部件。

用于解决课题的方法

本发明涉及一种层叠型陶瓷电子部件，所述层叠型陶瓷电子部件具备：具有被层叠的多个陶瓷层和在陶瓷层间延伸的含有Ni的多个内部电极，并且各内部电极具有露出至规定面的露出端；和外部电极，以与各内部电极的露出端电连接的方式，通过镀敷在部件本体的所述规定的面上形成；并且为了解决上述技术问题，本发明的特征在于，内部电极具有Mg和Ni共存的区域（以下，称为“Mg-Ni共存区域”）。

在上述的Mg-Ni共存区域中，生成了Mg-Ni氧化物。由于构成陶瓷层的陶瓷为氧化物，因此，内部电极相对于陶瓷层的接合力，在Mg-Ni共存区域中比非共存Mg-Ni共存区域的区域强，可以使陶瓷层与内部电极的界面处的剥离更难以产生。

Mg-Ni共存区域优选存在于，各内部电极中的、至少位于露出端所分布的区域的外周部的部分。由此，可以更可靠地增强内部电极与外部电极间的固定力，可以更可靠地防止水分通过外部电极与部件本体的界面而浸入的情形。

就上述Mg-Ni共存区域而言，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率优选为25%以上，更优选为70%以上，上述Mg-Ni共存区域存在于，各内部电极中的、位于露出端所分布的区域的外周部的部分。这样的面积比率越高，则越可以增强内部电极与外部电极间的固定力。

Mg-Ni共存区域还优选至少存在于，多个内部电极所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的内部电极中。由此，可以抑制部件本体中位于外层部的陶瓷层的剥离。

就上述Mg-Ni共存区域而言，优选Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为30%以上，上述Mg-Ni共存区域存在于，多个内部电极所分布区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的内部电极中。由此，可以更可靠地发挥抑制部件本体中位于外层部的陶瓷层的剥离的效果。

发明效果

根据本发明，在Mg-Ni共存区域中，可以进一步增强内部电极相对于陶瓷层的接合力，因此可以使水分向部件本体内部的浸入难以产生。因此，可以提高层叠型陶瓷电子部件的耐湿可靠性。

附图说明

图1是本发明的第1实施方式的层叠型陶瓷电子部件的立体图。

图2是沿着图1的线I-I的剖面图。

图3是沿着图1的线II-II的剖面图。

图4是本发明的第2实施方式的层叠型陶瓷电子部件的立体图。

具体实施方式

参照图1至图3，本发明的第1实施方式的层叠型陶瓷电子部件1具备部件本体5，所述部件本体5具备：被层叠的多个陶瓷层2、和在陶瓷层2间的界面延伸的含有Ni的多个第1内部电极3和第2内部电极4。层叠型陶瓷电子部件1相当于层叠陶瓷电容器。

部件本体5是具有彼此对置的两个主面6和7、彼此对置的两个侧面8和9、彼此对置的第1端面10和第2端面11的长方体形状。被层叠的陶瓷层2的主面与部件本体5的主面6和7平行。

第1内部电极3和第2内部电极4分为：第1内部电极3，具有露出至部件本体5的第1端面10的露出端12；和第2内部电极4，具有露出至部件本体5的第2端面11的露出端13。第1内部电极3和第2内部电极4在层叠方向上交替配置。

在部件本体5的第1端面10上，以与第1内部电极3电连接的方式形成第1外部电极14。在部件本体5的第2端面11上，以与第2内部电极4电连接的方式形成第2外部电极15。第1和第2外部电极14和15如下形成：分别以延伸至与第1端面10和第2端面11邻接的主面6和7以及侧面8和9的各一部分的方式而形成。

外部电极14和15通过在部件本体5上直接实施镀敷而形成。镀敷法可以是电解镀敷法，也可以是无电解镀敷。此外，外部电极14和15在多数情况下例如由2层结构的金属被膜构成，该金属被膜由Ni镀层及在其上形成的Sn镀层构成。此处，Ni镀层也可以替换为Cu镀层。此外，外部电极14和15也可以由单层的金属被膜构成，还可以由3层以上的金属被膜构成。

在这种层叠型陶瓷电子部件1中，本发明的特征在于，第1内部电极3和第2内部电极4具有Mg和Ni共存的区域（Mg-Ni共存区域）。在图2和图3中，第1内部电极3和第2内部电极4的一部分被虚线包围，该被虚线包围的区域表示Mg-Ni共存区域16。

在Mg-Ni共存区域16中，生成Mg-Ni氧化物。因此，第1内部电极3和第2内部电极4相对于陶瓷层2的接合力在Mg-Ni共存区域16中变强，并且可以使陶瓷层2与第1内部电极3和第2内部电极4的界面处的剥离更难以产生。结果，难以产生水分向部件本体5内部的浸入，可以提高层叠型陶瓷电子部件1的耐湿可靠性。

如图2所示，Mg-Ni共存区域16优选至少存在于，在多个第1内部电极3和第2内部电极4所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的第1内部电极3和第2内部电极4中。更详细而言，首先，将最外层的第1内部电极3和第2内部电极4整体设为Mg-Ni共存区域16，此外，将从最外侧起第2层的第1内部电极3和第2内部电极4的、延伸至露出端12和13的引出部设为Mg-Ni共存区域16。由此，可以抑制位于部件本体5中的外层部的陶瓷层2的剥离。

如上所述，就Mg-Ni共存区域16而言，由后述的实施例可知，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率优选为30%以上，其中，该Mg-Ni共存区域存在于，多个第1内部电极3和第2内部电极4所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的第1内部电极3和第2内部电极4中。

此外，关于第1内部电极3而如图3所示，Mg-Ni共存区域16优选存在于下述部分，即，各个第1内部电极3和第2内部电极4中的、至少位于露出端12和13所分布区域的外周部的部分。更详细而言，首先，在层叠方向上观察，将最外层的第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13整体设为Mg-Ni共存区域16，此外，将最外层以外的第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13的宽度方向两端部设为Mg-Ni共存区域16。由此，可以更可靠地增强第1内部电极3和第2内部电极4与外部电极14和15之间的固定力，并且可以更可靠地防止水分通过外部电极14和15与部件本体5之间的界面而浸入的情形。

如上所述，就Mg-Ni共存区域16而言，由后述的实施例可知，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率优选为25%以上，更优选为70%以上，其中，该Mg-Ni共存区域16存在于下述部分，即，各个第1内部电极3和第2内部电极4中的、位于各露出端12和13所分布区域的外周部的部分。

接着，对层叠型陶瓷电子部件1的制造方法进行说明。该制造方法的说明明确了成为本发明特征的Mg-Ni共存区域16的生成方法。

首先，准备用于得到部件本体5、将用作陶瓷层2的陶瓷生片。陶瓷生片含有陶瓷原料，Mg例如以Mg氧化物的形式添加到该陶瓷原料中。Mg例如添加0.05～2.0摩尔%。

接着，通过印刷等在部分陶瓷生片上形成将用作第1内部电极3和第2内部电极4的导电性糊剂膜。导电性糊剂膜含有Ni作为导电成分。

接着，以第1内部电极3和第2内部电极4交替配置的状态，层叠形成有上述导电性糊剂膜的多个陶瓷生片，并且未形成导电性糊剂膜的适当数量的陶瓷生片以成为外层部17和18的方式，而被层叠在最外侧的陶瓷生片上。由此，得到未加工状态的部件本体5。

需要说明的是，对多个可制备层叠型陶瓷电子部件1的母体状态的陶瓷生片实施上述的层叠工序，并在层叠工序后实施切割工序，也可以得到与未加工的部件本体5同样的未加工的部件主体。

接着，烧成部件本体5。由此，可以得到烧结后的部件本体5。部件本体5具备通过上述陶瓷生片的烧结而得到的多个陶瓷层2、以及通过导电性糊剂膜的烧结而得到的第1内部电极3和第2内部电极4。

在上述烧成工序中，在陶瓷生片烧结前的至少升温过程中，适合使用下述气氛，即，用作第1内部电极3和第2内部电极4的导电性糊剂膜所含的Ni会或多或少发生氧化的气氛。由于陶瓷生片所含的Mg容易扩散至氧化镍，因此，如果在进行陶瓷生片烧结之前，对用作第1内部电极3和第2内部电极4的导电性糊剂膜所含的Ni进行氧化，则在陶瓷生片烧结后，在第1内部电极3和第2内部电极4中容易生成Mg-Ni共存区域16。并且，通过控制导电性糊剂膜所含的Ni的氧化进行程度，可以控制Mg-Ni共存区域16中的Mg量。此外，由于部件本体5的外表面直接接触烧成气氛，因此在第1内部电极3和第2内部电极4的特别是露出端12和13中，Ni的氧化容易进行。

此外，为了生成Mg-Ni共存区域16，需要从陶瓷层2向第1内部电极3和第2内部电极4供给Mg。关于Mg的供给，其取决于陶瓷生片所含的Mg含量，由于位于第1内部电极3和第2内部电极4之间的陶瓷层2的厚度薄至例如几μm以下，因此Mg的绝对量小，几乎不会寄希望于来自陶瓷层的Mg的供给。另一方面，部件本体5中不存在第1内部电极3和第2内部电极4的部分、即图2和图3所示的外层部17和18、以及图3所示的侧边缘19和20的各自体积，压倒性地大于和它们接触的第1内部电极3和第2内部电极4的体积。因此，可以从外层部17和18以及侧边缘19和20，向与它们接触的第1内部电极3和第2内部电极4充分地供给Mg。

由以上可知，Mg-Ni共存区域16如前所述在以下部分生成：最外层的第1内部电极3和第2内部电极4整体，以及从最外侧起第2层的第1内部电极3和第2内部电极4的、延伸至露出端12和13的引出部（参见图2），在层叠方向上观察、最外层的第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13整体，以及最外层以外的第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13的宽度方向两端部（参见图3）。需要说明的是，虽然图3中未图示，但在第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13以外的部分中，在层叠方向上观察时，在最外层的第1内部电极3和第2内部电极4整体、以及最外层以外的第1内部电极3和第2内部电极4的宽度方向两端部也生成了Mg-Ni共存区域16。

接着，根据需要，对部件本体5实施滚筒研磨工序，由此，使第1内部电极3和第2内部电极4的露出端12和13更切实地露出。接着，优选使用纯水实施洗涤工序。

接着，通过镀敷形成外部电极14和15。如前所述，镀敷法可以是电解镀敷法，也可以是无电解镀敷法。由于第1内部电极3和第2内部电极4中的Mg-Ni共存区域16相对于陶瓷层2可以实现的牢固的固定状态，因此在镀敷工序中，可以使镀敷液难以沿着部件本体5中的陶瓷层2与第1内部电极3和第2内部电极4的界面浸入，并且即使镀敷液浸入，也不易使陶瓷层2发生剥离。

如上所述，完成层叠型陶瓷电子部件1。

就图1所示的层叠型陶瓷电子部件1而言，在将连结第1和第2外部电极14和15间的方向上的尺寸设为长度方向尺寸，并用L表示该尺寸，用W表示与长度方向正交的方向的宽度方向尺寸时，满足式L>W，但本发明也可以适用于下述层叠型陶瓷电子部件，即，如图4所示的层叠型陶瓷电子部件1a这样、具有L<W的尺寸关系的所谓的LW反转型层叠型陶瓷电子部件。在图4中，对与图1所示要素相当的要素赋予同样的参考符号，并省略重复的说明。

在以上说明的层叠型陶瓷电子部件1和1a中，陶瓷层2由电介质陶瓷构成。但是，可采用本发明的层叠型陶瓷电子部件，并不限于层叠陶瓷电容器，也可以是构成例如感应器、热敏电阻、压电部件等的部件。因此，根据层叠型陶瓷电子部件的功能，除了电介质陶瓷以外，陶瓷层还可以由磁性体陶瓷，半导体陶瓷、压电体陶瓷等构成。

此外，图示的层叠型陶瓷电子部件1和1a是具有2个外部电极14和15的二端子型电子部件，但本发明也可以适用于三端子以上的多端子型的层叠型陶瓷电子部件。

以下，对为了确认本发明的效果而实施的实施例进行说明。

[实施例1]

在实施例1中，特别着眼于如下的Mg-Ni共存区域16，并对其效果进行确认，其中，该Mg-Ni共存区域16存在于，图3所示的各个第1内部电极3和第2内部电极4中的、位于露出端12和13所分布区域的外周部的部分。

作为试样，制作以下这样的层叠型陶瓷电子部件。

首先，为了得到层叠型陶瓷电子部件中具备的部件本体，而准备未加工的部件本体，其中，该部件本体具有，层叠将用作陶瓷层的陶瓷生片、和将用作内部电极的含有Ni的导电性糊剂膜而得的结构。上述陶瓷生片所含的陶瓷原料中，使用了添加有Mg的钛酸钡系电介质陶瓷原料。

接着，烧成上述未加工的部件本体。在该烧成工序中，通过控制陶瓷生片烧结前的升温过程中的氧化性气氛，从而对将用作内部电极的导电性糊剂膜中的Ni的氧化进行程度进行各种改变，由此，得到对扩散至内部电极中的Mg量进行了各种改变的烧结后的部件本体。关于Mg量，通过后述分析而求出，其结果以面积比率的形式示于表1的“外周部中的Mg/Ni摩尔比为0.1以上的区域”的栏中。该Mg/Ni摩尔比为0.1以上的区域应理解为：在烧成工序中，对陶瓷生片烧结前的升温过程中的氧化性气氛进行该种改变而得到的结果。

接着，作为镀敷处理的前处理，对部件本体实施滚筒研磨，预先形成使内部电极的露出端切实地露出的状态，接着，使用纯水实施洗涤工序。

接着，对部件本体实施电解镀Ni，再实施电解镀Sn。由此，形成下层为Ni镀层，上层为Sn镀层的外部电极。

如上操作所得的层叠型陶瓷电子部件包含部件本体和外部电极，平面尺寸为1.0mm×0.5mm，为LW反转型部件。此外，在部件本体中，内部电极间的陶瓷层的各厚度为1μm，各内部电极的厚度为1μm，未配置内部电极的各外层部的厚度为50μm。

如上操作，得到表1中所示的各试样的层叠型陶瓷电子部件。

接着，对于各试样的层叠型陶瓷电子部件，在通过研磨形成使剖面露出的状态后，利用WDX（波长色散X射线分光法）对各内部电极中位于露出端分布的区域的外周部的部分进行分析，由此边仅对Mg原子和Ni原子进行检测，边测定Mg原子和Ni原子的分布状态，并由该结果求出Mg/Ni摩尔比的分布。并且，求出位于上述外周部的部分中，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的区域的面积比率[%]。该面积比率的3个试样的平均值、并且对小数点以下进行四舍五入的数值，被示于表1的“外周部中的Mg/Ni=0.1以上的区域”的栏中。

此外，求出外部电极的固定力。更详细而言，将各试样的层叠型陶瓷电子部件钎焊安装在基板上后，从侧面在与基板平行的方向上推压层叠型陶瓷电子部件，进行试验，测定外部电极产生剥离的最大应力值，并求出试样数为10个的最大应力值的平均值。其结果示于表1的“固定力”栏。

此外，实施耐湿负荷试验。更详细而言，在温度：85℃、湿度：85%RH、外加电压：4V的条件下，对各试样的层叠型陶瓷电子部件实施144小时的耐湿负荷试验，并将绝缘电阻IR小于1×10⁷Ω的情形判定为不良，求出72个试样中的不良数。其结果示于表1的“耐湿负荷不良数”栏中。

[表1]

首先，由表1可知，在各内部电极中的、位于露出端分布的区域的外周部的部分，存在有Mg-Ni共存区域，因此外部电极的固定力增强，并且，耐湿可靠性也提高。

此外可知，如试样3～6那样，如果是Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为25%以上的区域，则与不存在Mg/Ni摩尔比为0.1以上的区域的试样1相比，外部电极的固定力改善为1.2倍以上。

此外可知，如试样5和6那样，如果是Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为70%以上，则耐湿可靠性得到了进一步的改善。

[实施例2]

在实施例2中，特别着眼于如下的Mg-Ni共存区域16，并对其效果进行确认，其中，该Mg-Ni共存区域16存在于，在图2所示的多个第1内部电极3和第2内部电极4所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的第1内部电极3和第2内部电极4中。

作为试样，制作在非LW反转型方面、与实施例1的情形不同的层叠型陶瓷电子部件。

首先，准备具有和实施例1的情形相同组成的未加工的部件本体。接着，烧成未加工的部件本体。在该烧成工序中，控制陶瓷生片烧结前的升温过程中的氧化性气氛，由此得到对扩散至内部电极中的Mg量进行了各种改变的烧结后的部件本体。关于Mg量，和实施例1的情形同样地通过后述的分析而求出，其结果以面积比率的形式示于表2的“最外侧中的Mg/Ni=0.1以上的区域”栏。

接着，作为镀敷处理的前处理，对部件本体实施滚筒研磨，以形成使内部电极的露出端切实露出的状态，接着，使用纯水实施洗涤工序。

接着，对部件本体实施电解镀Ni，再实施电解镀Sn。由此，形成下层为Ni镀层，上层为Sn镀层的外部电极。

如上操作所得的层叠型陶瓷电子部件并非LW反转型部件，其包含部件本体和外部电极，平面尺寸为1.0mm×0.5mm。此外，在部件本体中，内部电极间的陶瓷层的各厚度为1μm，各内部电极的厚度为1μm，未配置内部电极的各外层部的厚度为50μm。

如上操作，得到表2所示各试样的层叠型陶瓷电子部件。

接着，对于各试样的层叠型陶瓷电子部件，在通过研磨形成使剖面露出的状态后，使用WDX（波长色散X射线分光法）对多个内部电极所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外层的内部电极进行分析，由此边仅对Mg原子和Ni原子进行检测，边测定Mg原子和Ni原子的分布状态，并由该结果求出Mg/Ni摩尔比的分布。并且，求出上述最外层的内部电极中，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的区域的面积比率[%]。该面积比率的3个试样的平均值、并且对小数点以下进行四舍五入的数值，被示于表2的“最外层中的Mg/Ni=0.1以上的区域”的栏中。

此外，评价外部电极形成后有无产生剥离。更详细而言，实施非破坏性内部缺陷检查，求出100个试样数中的产生破坏的试样数，该非破坏性内部缺陷检查是以水作为介质，对各试样的层叠型陶瓷电子部件照射超声波，根据其反射时间判定有无内部缺陷。该结果示于表2的“剥离发生率”栏。

[表2]

由表2可知，首先，在最外层的内部电极中存在有Mg/Ni摩尔比为0.1以上的Mg-Ni共存区域，因此破坏发生率下降。

此外可知，如试样13～15那样，如果Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为30%以上，则完全不会产生剥离，更加有效。

[实施例3]

在实施例3中，和实施例2的情形同样地，特别着眼于如下的Mg-Ni共存区域16，并对其效果进行确认，其中，该Mg-Ni共存区域16存在于，在图2所示的多个第1内部电极3和第2内部电极4所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的第1内部电极3和第2内部电极4中。

作为试样，准备层叠型陶瓷电子部件，该层叠型陶瓷电子部件如下制造：对部件本体实施电解Cu镀敷，接着实施电解镀Ni，再接着实施电解镀Sn，由此形成外部电极，除此以外通过和实施例2的情形相同的方法来制造。

并且，如表3所示，和实施例2的情形同样地，求出“最外层中的Mg/Ni=0.1以上的区域”和“剥离发生率”。

[表3]

在实施例3中，可以得到和实施例2的情形相同的结果。

即由表3可知，首先，在最外层的内部电极中，存在有Mg/Ni摩尔比为0.1以上的Mg-Ni共存区域，因此破坏发生率下降。

此外可知，如试样23～25那样，如果Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为30%以上，则完全未产生剥离，更加有效。

符号说明

Claims (6)

1.一种层叠型陶瓷电子部件，其具备：

部件本体，具有被层叠的多个陶瓷层和在所述陶瓷层间延伸的含有Ni的多个内部电极，并且各所述内部电极具有露出至规定面的露出端；和

外部电极，以与各所述内部电极的所述露出端电连接的方式，通过镀敷在所述部件本体的所述规定的面上形成；

所述内部电极具有Mg和Ni共存的Mg-Ni共存区域。

2.根据权利要求1所述的层叠型陶瓷电子部件，其中，所述Mg和Ni共存的区域存在于，各所述内部电极中的、至少位于所述露出端所分布的区域的外周部的部分。

3.根据权利要求2所述的层叠型陶瓷电子部件，其中，就所述Mg和Ni共存的区域而言，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为25%以上，所述Mg和Ni共存的区域存在于，各所述内部电极中的、位于所述露出端所分布区域的外周部的部分。

4.根据权利要求3所述的层叠型陶瓷电子部件，其中，就所述Mg和Ni共存的区域而言，Mg/Ni摩尔比为0.1以上的面积比率为70%以上，所述Mg和Ni共存的区域存在于，各所述内部电极中的、位于所述露出端所分布区域的外周部的部分。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠型陶瓷电子部件，其中，所述Mg和Ni共存的区域至少存在于，多个所述内部电极所分布的区域中的、在陶瓷层的层叠方向上观察时位于最外侧的所述内部电极中。

6.根据权利要求5所述的层叠型陶瓷电子部件，其中，就所述Mg和Ni共存的区域而言，Mg/Ni组成比为0.1以上的面积比率为30%以上，所述Mg和Ni共存的区域存在于，多个所述内部电极所分布的区域中的、在层叠方向上观察时位于最外侧的所述内部电极中。