JP2023183358A - 積層型電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】内部電極と外部電極とが接する領域に水素拡散係数の低いＳｎ拡散部を配置して内部電極の絶縁抵抗の劣化を防止し、外部電極がＳｎ拡散部を含まないことで信頼性が向上した積層型電子部品を提供する。【解決手段】本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び導電性物質を含む内部電極を含む本体、及び上記本体上に配置されて上記内部電極に連結される外部電極を含み、上記内部電極は上記外部電極に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部を含み、上記Ｓｎ拡散部に含まれた上記内部電極の上記導電性物質の平均原子数に対する上記Ｓｎの平均原子数は３ａｔ％以上５０ａｔであることができる。【選択図】図３

Description

本発明は、積層型電子部品に関するものである。

積層型電子部品の一つである積層セラミックキャパシタ（ＭＬＣＣ：Ｍｕｌｔｉ－Ｌａｙｅｒｅｄ Ｃｅｒａｍｉｃ Ｃａｐａｃｉｔｏｒ）は、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）及びプラズマ表示装置パネル（ＰＤＰ：Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）などの映像機器、コンピュータ、スマートフォン及び携帯電話など、様々な電子製品のプリント回路基板に装着されて電気を充電または放電させる役割を果たすチップ型のコンデンサである。

このような積層セラミックキャパシタは、小型でありながらも高容量が保障され、実装が容易であるという利点により、様々な電子装置の部品として用いられることができる。コンピュータ、モバイル機器などの各種電子機器が小型化、高出力化され、積層セラミックキャパシタに対する小型化及び高容量化の要求が増大している。

一方、実装の容易性などのために積層セラミックキャパシタの外部電極にめっき層を形成しているが、めっき工程中に発生する水素は積層セラミックキャパシタのように単一金属外部電極が実現された製品に浸透しやすい。外部電極を介して入った水素は本体の内部電極に浸透し、電圧印加時に水素原子が酸化して電子を放出し、本体内部に電子が蓄積して絶縁抵抗の劣化を発生させるおそれがある。

日本公開特許公報第２０１６－１７１３１０号

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、内部電極と外部電極とが接する領域に水素拡散係数の低いＳｎ拡散部を配置して内部電極の絶縁抵抗の劣化を防止し、信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

本発明が解決しようとするいくつかの課題の一つは、外部電極がＳｎ拡散部を含まないことで信頼性が向上した積層型電子部品を提供することである。

但し、本発明は上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができる。

本発明の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び導電性物質を含む内部電極を含む本体と、上記本体上に配置されて上記内部電極に連結される外部電極と、を含み、上記内部電極は、上記外部電極に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部を含み、上記Ｓｎ拡散部に含まれた上記内部電極の上記導電性物質の平均原子数に対する上記Ｓｎの平均原子数は３ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることができる。

本発明の他の一実施形態による積層型電子部品は、複数の誘電体層及び導電性物質を含む内部電極を含む本体と、上記本体上に配置されて上記内部電極に連結される外部電極と、を含み、上記内部電極は、上記外部電極に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部を含むが、上記外部電極は上記Ｓｎ拡散部を含まないことができる。

本発明の様々な効果の一つは、内部電極と外部電極とが接する領域に水素拡散係数の低いＳｎ拡散部が配置されることで、内部電極の絶縁抵抗の劣化を防止して積層型電子部品の信頼性を向上させることができることである。

本発明の様々な効果の一つは、外部電極がＳｎ拡散部を含まないことで積層型電子部品の信頼性を向上させることができることである。

但し、本発明の多様でありながらも有意義な利点及び効果は、上述した内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程で、より容易に理解することができる。

本発明の一実施形態である積層型電子部品を概略的に示した斜視図である。 図１の内部電極の積層構造を概略的に示した分離斜視図である。 図１のＩ－Ｉ’線に沿って概略的に示した断面図である。 図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って概略的に示した断面図である。 図３のＰ領域を拡大して概略的に示した図面である。 本発明の一実施形態の内部電極と外部電極とが接する領域のＳＥＭイメージである。 本発明の一実施形態のＳｎ拡散部をＨＡＡＤＦモードで撮影したイメージである。 （ａ）はＳｎ拡散部が形成されていない比較例のＳＥＭイメージであり、（ｂ）及び（ｃ）はＳｎ拡散部が形成された比較例のＳＥＭイメージである。 （ａ）は図８（ａ）と同一の比較例のＨＡＬＴグラフであり、（ｂ）は図８（ｂ）と同一の実施例のＨＡＬＴグラフであり、（ｃ）は図８（ｃ）と同一の実施例のＨＡＬＴグラフである。 （ａ）は図８（ａ）と同一の比較例の耐湿信頼性グラフであり、（ｂ）は図８（ｂ）と同一の実施例の耐湿信頼性グラフであり、（ｃ）は図８（ｃ）と同一の実施例の耐湿信頼性グラフである。 （ａ）はＳｎ拡散部が過度に深く形成されたＳＥＭイメージであり、（ｂ）はＳｎが過度に含まれたＳｎ拡散部のＳＥＭイメージである。 図１１（ｂ）と同一の比較例の耐湿信頼性グラフである。

以下では、具体的な実施形態及び添付の図面を参照して本発明の実施形態を説明する。しかし、本発明の実施形態は、いくつかの他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は、通常の技術者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及びサイズなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがあり、図面上の同一の符号で示される要素は同一の要素である。

そして、図面において本発明を明確に説明するために説明と関係のない部分は省略し、図面に示された各構成のサイズ及び厚さは説明の便宜のために任意で示したため、本発明が必ずしも図示によって限定されるものではない。また、同一思想の範囲内の機能が同一である構成要素は、同一の参照符号を付与して説明する。さらに、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」というのは、特に反対される記載がない限り、他の構成要素を除外するのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

図面において、第１方向は積層方向または厚さ（Ｔ）方向、第２方向は長さ（Ｌ）方向、第３方向は幅（Ｗ）方向と定義することができる。

積層型電子部品
図１は、本発明の一実施形態である積層型電子部品を概略的に示した斜視図であり、図２は、図１の内部電極の積層構造を概略的に示した分離斜視図であり、図３は、図１のＩ－Ｉ’線に沿って概略的に示した断面図であり、図４は、図１のＩＩ－ＩＩ’線に沿って概略的に示した断面図であり、図５は、図３のＰ領域を拡大して概略的に示した図面である。

以下、図１～図５を参照して、本発明の一実施形態による積層型電子部品について詳細に説明する。

本発明の一実施形態による積層型電子部品１００は、複数の誘電体層１１１及び導電性物質を含む内部電極１２１、１２２を含む本体１１０と、上記本体１１０上に配置されて上記内部電極１２１、１２２に連結される外部電極１３１、１３２と、を含み、上記内部電極１２１、１２２は、上記外部電極１３１、１３２に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａを含み、上記Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた上記内部電極の導電性物質の平均原子数に対する上記Ｓｎの平均原子数は、３ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることができる。

本体１１０は、誘電体層１１１及び内部電極１２１、１２２が交互に積層されている。

本体１１０の具体的な形状に特に制限はないが、図示のように、本体１１０は六面体状またはこれと類似した形状からなることができる。焼成過程で本体１１０に含まれたセラミック粉末の収縮によって、本体１１０は完全な直線を有する六面体状ではないが、実質的に六面体状を有することができる。

本体１１０は、第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面１、２、上記第１及び第２面１、２に連結され、第２方向に互いに向かい合う第３及び第４面３、４、第１～第４面１、２、３、４に連結され、第３方向に互いに向かい合う第５及び第６面５、６を有することができる。

本体１１０を形成する複数の誘電体層１１１は焼成された状態であり、隣接する誘電体層１１１間の境界は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を利用せずには確認しにくいほど一体化することができる。

本体１１０は、本体１１０の内部に配置され、誘電体層１１１を間に挟んで互いに向かい合うように配置される第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含んで容量が形成される活性部Ａｃと、活性部の第１方向の両端面に形成された上部及び下部カバー部１１２、１１３を含むことができ、活性部Ａｃの第３方向の両端面上には、マージン部１１４、１１５が配置されることができる。

誘電体層１１１を形成する原料は、十分な静電容量が得られる限り制限されない。一般的に、ペロブスカイト（ＡＢＯ_３）系材料を用いることができ、例えば、チタン酸バリウム系材料、鉛複合ペロブスカイト系材料またはチタン酸ストロンチウム系材料などを用いることができる。チタン酸バリウム系材料は、ＢａＴｉＯ_３系セラミック粉末を含むことができ、セラミック粉末の例示として、ＢａＴｉＯ_３、ＢａＴｉＯ_３にＣａ（カルシウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）などが一部固溶された（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）ＴｉＯ_３（０＜ｘ＜１）、Ｂａ（Ｔｉ_１－ｙＣａ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）、（Ｂａ_１－ｘＣａ_ｘ）（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）またはＢａ（Ｔｉ_１－ｙＺｒ_ｙ）Ｏ_３（０＜ｙ＜１）などが挙げられる。

また、誘電体層１１１を形成する原料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）などの粉末に本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、結合剤、分散剤などが添加されることができる。

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、誘電体層１１１の厚さｔｄは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

ここで、誘電体層１１１の厚さｔｄは、第１及び第２内部電極１２１、１２２の間に配置される誘電体層１１１の厚さｔｄを意味することができる。

一方、誘電体層１１１の厚さｔｄは、誘電体層１１１の平均厚さｔｄを意味することができる。

誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの誘電体層１１１を長さ方向に等間隔である３０個の地点でその厚さを測定した平均値を測定することができる。上記等間隔である３０個の地点は、活性部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の誘電体層１１１に拡張して平均値を測定すると、誘電体層１１１の平均厚さｔｄをさらに一般化することができる。ここで、誘電体層１１１の平均厚さｔｄは、誘電体層１１１の第１方向の平均サイズを意味することができる。

内部電極１２１、１２２は誘電体層１１１と交互に積層されることができる。

内部電極１２１、１２２は第１内部電極１２１及び第２内部電極１２２を含むことができ、第１及び第２内部電極１２１、１２２は本体１１０を構成する誘電体層１１１を間に挟んで互いに向かい合うように交互に配置され、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ露出することができる。

より具体的には、第１内部電極１２１は第４面４から離隔し、第３面３を介して露出し、第２内部電極１２２は第３面３から離隔して第４面４を介して露出することができる。本体１１０の第３面３には第１外部電極１３１が配置されて第１内部電極１２１に連結され、本体１１０の第４面４には第２外部電極１３２が配置されて第２内部電極１２２に連結されることができる。

すなわち、第１内部電極１２１は第２外部電極１３２とは連結されず、第１外部電極１３１に連結され、第２内部電極１２２は第１外部電極１３１とは連結されず、第２外部電極１３２に連結されることができる。このとき、第１及び第２内部電極１２１、１２２は、中間に配置された誘電体層１１１によって互いに電気的に分離されることができる。

一方、本体１１０は、第１内部電極１２１が印刷されたセラミックグリーンシートと第２内部電極１２２が印刷されたセラミックグリーンシートを交互に積層した後、焼成して形成されることができる。

内部電極１２１、１２２を形成する材料は特に制限されず、電気導電性に優れた材料である導電性物質を用いることができる。例えば、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含むことができる。

また、内部電極１２１、１２２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、スズ（Ｓｎ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む内部電極用導電性ペーストをセラミックグリーンシートに印刷して形成することができる。上記内部電極用導電性ペーストの印刷方法は、スクリーン印刷法またはグラビア印刷法などを用いることができ、本発明がこれに限定されるものではない。

一方、後述するめっき層を形成するためのめっき工程中に水素が発生することがあり、上記水素が内部電極に浸透することができる。このような場合、電圧を印加する際、内部電極に浸透した水素が酸化して隣接する誘電体層に電子を放出することで、誘電体層が徐々に還元され、最終的に絶縁抵抗を劣化させるなどの問題点が生じるおそれがある。

一般的に内部電極の導電性物質として用いられているＮｉの場合、水素透過度が１０^－１１ｍ^２／ｓと知られている。このとき、内部電極と外部電極とが接する領域にＮｉより水素拡散係数の低いＳｎ（水素透過度：１０^－１４ｍ^２／ｓ）を拡散させる場合、内部電極への水素浸透を防止して絶縁抵抗の劣化を抑えることができる。すなわち、絶縁抵抗の劣化を引き起こすことがある水素が外部電極を介して内部電極の端に浸透しても内部電極と外部電極とが接する領域にＳｎ拡散部が存在することで、本体の内部への水素拡散を減少させ、水素イオン化による積層型電子部品の信頼性不良を改善することができる。

以下では、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａについてより詳細に説明する。

Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａは、本体１１０上に外部電極用ペーストを塗布する前に、内部電極１２１、１２２が露出した本体１１０の面、例えば、本体１１０の第３及び第４面３、４にＳｎペーストを塗布した後、熱処理して形成されることができる。

上記Ｓｎペーストの熱処理温度は６００℃以上、好ましくは７００℃以上であることができ、特にこれに制限されるものではなく、本体１１０の外部から内部電極１２１、１２２へのＳｎ拡散が容易であるが、本体１１０が信頼性を低下させることができる温度を超えないように熱処理を行うことができる温度が好ましい。

上記Ｓｎペーストの熱処理により、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａは、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向、すなわち第２方向（長さ方向）に拡散して形成されることができる。

一方、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａは、内部電極に含まれた導電性物質及びＳｎが反応して合金を形成することができるが、特にこれに制限されるものではなく、合金を形成しなくてもＳｎが内部電極１２１、１２２の内部に浸透すると、水素浸透の抑制効果が実現できる。

ここで、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点は、任意の内部電極１２１、１２２の隣接する誘電体層１１１において、誘電体層１１１の誘電物質と外部電極１３１、１３２のガラスとが接する地点または界面の延長線上のうち、内部電極層の領域の線を意味することができる。

より具体的には、図７を参照すると、異なる明暗を有して繰り返し離隔して配置される複数層のうち、Ｓｎが検出される領域が内部電極層に該当し、Ｓｎが検出されない領域が誘電体層に該当する。すなわち、Ｓｎが検出される内部電極層とＳｎが検出されない誘電体層とは互いに交互に積層される形状を有している。一方、誘電体層と当接する領域のうち、内部電極層ではなく界面にガラスが分布していることができる。このとき、上記誘電体層とガラスとが当接する地点または界面の延長線上のうち、内部電極層の領域を通る線を内部電極と外部電極とが接する地点または界面と定義することができる。

内部電極と外部電極とが接する地点または界面を定義する別の方法としては、任意の一誘電体層とガラスとが当接する界面の中央と、上記任意の一誘電体層に隣接する誘電体層とガラスとが当接する界面の中央を結ぶ線を延びた延長線のうち、上記任意の一誘電体層と隣接する誘電体層との間に配置される内部電極層の領域を通る線を内部電極と外部電極とが接する地点または界面と定義することができる。一方、上記誘電体層間に連結した延長線に関して、ガラスを含まない場合には、任意の一誘電体層と隣接する誘電体層のそれぞれの第２方向の端の中央地点を結ぶ線を延長した延長線と定義することができる。

より具体的には、図３及び図５を参照すると、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２は、第１内部電極１２１に含まれる第１Ｓｎ拡散部１２１ａ及び第２内部電極１２２に含まれる第２Ｓｎ拡散部１２２ａを含むことができる。すなわち、第１Ｓｎ拡散部１２１ａは、第１内部電極１２１と第１外部電極１３１とが接する本体１１０の第３面３に隣接する領域で第１内部電極１２１の内部に配置されることができ、第２Ｓｎ拡散部１２２ａは、第２内部電極１２２と第２外部電極１３２とが接する本体１１０の第４面４に隣接する領域で第２内部電極１２２の内部に配置されることができる。本明細書で特に限定しない限り、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａは、第１Ｓｎ拡散部１２１ａ及び第２Ｓｎ拡散部１２２ａを含んで説明する。

このとき、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれたＳｎ元素の平均原子数は、内部電極１２１、１２２に含まれた導電性物質の平均原子数に対して３ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることができる。

ここで、内部電極１２１、１２２に含まれた導電性物質は、内部電極１２１、１２２の導電性物質のうち主成分を意味することができ、より具体的にはＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが含んでいるＳｎを除いた導電性物質のうち、最も多いモル比率を占める導電性物質を意味することができる。

一方、Ｓｎは拡散により本体１１０の内部、すなわち内部電極１２１、１２２に形成されることができるため、Ｓｎの元素含有量または原子数は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向に向かうほど、徐々に減少することができるが、特にこれに制限されるものではなく、本体１１０に塗布したＳｎの塗布量、熱処理温度などを制御し、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点でのＳｎの元素含有量と本体１１０の内部に拡散したＳｎ元素の含有量が実質的に同一であるように形成することができる。

ここで、Ｓｎの平均元素含有量または原子数は、内部電極１２１、１２２またはＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａのうち、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から一定の深さで数回測定した平均値を意味することができる。より具体的には、内部電極１２１、１２２またはＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａと外部電極１３１、１３２とが接する地点（または界面）の中央で特定深さにおけるＳｎ元素含有量または原子百分率（Ｓｉ／Ｎｉ ａｔ％）を測定し、同一のＳｎ拡散部の深さ地点で０．１μｍ離隔した地点でのＳｎ元素含有量または原子百分率（Ｓｉ／Ｎｉ ａｔ％）を測定した値の平均を意味することができる。このような方法で、より多い地点で測定することが好ましい。

また、本体１１０の内部方向に拡散するＳｎを、複数の内部電極１２１、１２２の浸透深さを均一に形成するか、任意の一内部電極１２１、１２２に深くＳｎが拡散すると水素浸透の抑制効果が実現できるが、特にこれに制限されるものではなく、内部電極１２１、１２２にＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが形成されると水素浸透の抑制効果が実現できる。

Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれたＳｎ元素の平均原子数が内部電極１２１、１２２に含まれた導電性物質の平均原子数に対して３ａｔ％未満の場合、内部電極１２１、１２２へのＳｎ拡散が十分でないため、水素浸透の抑制効果が劣化することがあり、５０ａｔ％超過である場合、隣接する内部電極１２１、１２２間にＳｎが連結されることで信頼性が低下するおそれがある。

一方、図６は、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが内部電極１２１、１２２に形成されたＳＥＭイメージである。図６を参照して説明すると、本発明の一実施形態は、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａの上記内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向（第２方向）への大きさは、１μｍ以上３０μｍ以下であることができる。すなわち、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａの長さは、１μｍ以上３０μｍ以下であることができる。

Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａの長さが１μｍ未満の場合、水素浸透の抑制効果が劣化することがあり、長さが３０μｍ超過である場合、気孔（ｐｏｒｅ）が発生して信頼性が低下するおそれがある。図１１（ａ）を参照すると、Ｓｎが内部電極に過度に深く拡散して気孔（ｐｏｒｅ）が発生したことを確認することができ、気孔（ｐｏｒｅ）が発生した場合、水素浸透効果が劣化することがある。同一の比較例の耐湿信頼性を評価した図１２を参照すると、絶縁抵抗の破壊が比較的速い時間（約３０分）内に複数個のサンプルチップで発生したことが確認できる。実施例とのより具体的な比較は後述する。

一方、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向に１μｍ地点で、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた内部電極の導電性物質の平均原子数に対するＳｎの平均原子数は、３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることができる。

また、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向に５μｍ地点で、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた内部電極の導電性物質の平均原子数に対してＳｎの平均原子数は、１５ａｔ％以上３０ａｔ％以下であることができる。

また、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する地点から本体１１０の内部方向に１０μｍ以上３０μｍ以下の領域で、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた内部電極の導電性物質の平均原子数に対してＳｎの平均原子数は、３ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることができる。

上記地点または領域でＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた内部電極の導電性物質の平均原子数に対してＳｎの平均原子数が下限値未満である場合、水素浸透の抑制効果が劣化することがあり、上限値を超過する場合、信頼性が低下するおそれがある。

より具体的には、図１１（ｂ）は、Ｓｎを過度に含んでいるＳｎ拡散部のＴＥＭイメージである。気孔（ｐｏｒｅ）が発生したことはもちろん、隣接内部電極間に連結されていることが確認でき、このような場合に、内部電極間ショート（ｓｈｏｒｔ）不良が発生するなど信頼性が劣る可能性がある。

Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに含まれた内部電極の導電性物質の平均原子数またはＳｎの平均原子数は、Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが形成された同一の地点（深さ）、例えば１μｍ、５μｍまたは１０μｍ以上３０μｍで各元素をＥＤＳ分析により測定することができ、このような測定値を５つのＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａに拡張して平均した値であることができ、より多い地点での測定値を平均することが好ましい。

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは特に限定する必要はない。

但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは０．６μｍ以下であることができ、より好ましくは０．４μｍ以下であることができる。

一方、内部電極１２１、１２２の厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の平均厚さを意味することができる。

内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ、Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つの内部電極１２１、１２２を長さ方向に等間隔の３０個の地点でその厚さを測定して平均値を測定することができる。上記等間隔の３０個の地点は、活性部Ａｃで指定されることができる。また、このような平均値の測定を１０個の内部電極１２１、１２２に拡張して平均値を測定すると、内部電極１２１、１２２の平均厚さをさらに一般化することができる。ここで、内部電極１２１、１２２の平均厚さｔｅは、内部電極１２１、１２２の第１方向の平均サイズを意味することができる。

カバー部１１２、１１３は、活性部Ａｃの第１方向の上部に配置される上部カバー部１１２及び活性部Ａｃの第１方向の下部に配置される下部カバー部１１３を含むことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１を活性部Ａｃの上下面にそれぞれ第１方向に積層して形成することができ、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３は、内部電極１２１、１２２を含まず、誘電体層１１１と同一材料を含むことができる。すなわち、上部カバー部１１２及び下部カバー部１１３はセラミック材料を含むことができ、例えばチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ_３）系セラミック材料を含むことができる。

カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましくは２０μｍ以下であることができる。

ここで、カバー部１１２、１１３の厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃを意味することができる。

カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、本体１１０の長さ及び厚さ方向（Ｌ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つのカバー部１１２、１１３を長さ方向に等間隔の１０個の地点でその厚さを測定した平均値であることができる。上記等間隔の１０個の地点は、上部カバー部１１２で指定されることができる。また、このような平均値の測定を下部カバー部１１３に拡張して平均値を測定すると、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃをさらに一般化することができる。ここで、カバー部１１２、１１３の平均厚さｔｃは、カバー部１１２、１１３の第１方向の平均サイズを意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第５面５に配置された第１マージン部１１４及び第６面６に配置された第２マージン部１１５を含むことができる。すなわち、マージン部１１４、１１５は、本体１１０の第３方向の両端面に配置されることができる。

マージン部１１４、１１５は、図示のように、本体１１０の厚さ及び幅方向（Ｗ－Ｔ方向）の断面（ｃｒｏｓｓ－ｓｅｃｔｉｏｎ）を基準に、第１及び第２内部電極１２１、１２２の第３方向の両端面と本体１１０の境界面との間の領域を意味することができる。

マージン部１１４、１１５は、基本的に物理的または化学的ストレスによる内部電極１２１、１２２の損傷を防止する役割を果たすことができる。

マージン部１１４、１１５は、セラミックグリーンシート上にマージン部１１４、１１５が形成されるところを除いて導電性ペーストを塗布して内部電極１２１、１２２を形成することで形成されたものであることができる。上述したように、内部電極１２１、１２２による段差を抑制するために、積層後に内部電極１２１、１２２が本体１１０の第５及び第６面５、６に露出するように切断した後、単一誘電体層１１１または２つ以上の誘電体層１１１を活性部Ａｃの両側面に幅方向に積層してマージン部１１４、１１５を形成することもできる。

第１及び第２マージン部１１４、１１５の幅は特に限定する必要はない。但し、積層型電子部品１００の小型化及び高容量化をより容易に達成するために、第１及び第２マージン部１１４、１１５の幅は３０μｍ以下であることができ、超小型製品ではより好ましくは２０μｍ以下であることができる。

ここで、マージン部１１４、１１５の幅は、マージン部１１４、１１５の平均幅を意味することができる。

マージン部１１４、１１５の平均幅は、本体１１０の厚さ及び幅方向（Ｗ－Ｔ）の断面を１万倍率の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてイメージをスキャンして測定することができる。より具体的には、スキャンされたイメージにおいて１つのマージン部１１４、１１５を厚さ方向に等間隔の１０個の地点でその幅を測定した平均値であることができる。上記等間隔の１０個の地点は、第１マージン部１１４で指定されることができる。また、このような平均値の測定を第２マージン部１１５に拡張して平均値を測定すると、マージン部１１４、１１５の平均幅をさらに一般化することができる。ここで、マージン部１１４、１１５の平均幅は、マージン部１１４、１１５の第３方向の平均サイズを意味することができる。

本発明の一実施形態において、セラミック電子部品１００が２つの外部電極１３１、１３２を有する構造を説明しているが、外部電極１３１、１３２の個数や形状などは内部電極１２１、１２２の形態やその他の目的に応じて変わることができる。

外部電極１３１、１３２は本体１１０上に配置され、内部電極１２１、１２２に連結されることができる。

より具体的には、外部電極１３１、１３２は、本体１１０の第３及び第４面３、４にそれぞれ配置され、第１及び第２内部電極１２１、１２２にそれぞれ連結される第１及び第２外部電極１３１、１３２を含むことができる。

一方、外部電極１３１、１３２は、金属などの電気導電性を有するものであれば、どのような物質を用いても形成されることができ、電気的特性、構造的安定性などを考慮して具体的な物質が決定されることができ、さらに多層構造を有することができる。

例えば、外部電極１３１、１３２は、本体１１０に配置される電極層１３１ａ、１３２ａ及び電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されるめっき層１３１ｂ、１３２ｂを含むことができる。

電極層１３１ａ、１３２ａに対するより具体的な例を挙げると、電極層１３１ａ、１３２ａは、導電性金属及びガラスを含む焼成電極であるか、導電性金属及び樹脂を含んだ樹脂系電極であることができる。

また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に焼成電極及び樹脂系電極が順次形成された形態であることができる。また、電極層１３１ａ、１３２ａは、本体１１０上に導電性金属を含んだシートを転写する方式で形成されるか、焼成電極上に導電性金属を含んだシートを転写する方式で形成されたものであることができる。

電極層１３１ａ、１３２ａに含まれる導電性金属として電気導電性に優れた材料を用いることができ、例えば、導電性金属はニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）及びこれらの合金のうち１つ以上であることができるが、特にこれに限定されない。

本発明の一実施形態において、外部電極１３１、１３２はＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａを含まないことができる。

より具体的には、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する領域である電極層１３１ａ、１３２ａにＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが配置されないことが好ましい。

Ｓｎ拡散部１２１ａ、１２２ａが本体の外部に残留する場合、外部電極用ペーストを均一に塗布し難く、気孔（ｐｏｒｅ）を形成するか、クラック（ｃｒａｃｋ）がより容易に発生することがあり、外部の水分浸透やめっき液の浸透が容易になり、積層型電子部品の信頼性を低下させることがあり、本体１１０と外部電極１３１、１３２との間の接着性を低下させることがある。

Ｓｎペーストを本体に塗布した後、熱処理して内部電極に拡散させた後、残留Ｓｎをサンドブラスト法により除去することが好ましい。上記残留Ｓｎを除去することで外部電極用ペーストを均一に塗布することができ、これにより外部電極と本体との間の接合力を低下させることなく、気孔（ｐｏｒｅ）などの形成を防止することができ、積層型電子部品の信頼性を向上させることができる。残留Ｓｎを除去する方法としては、サンドブラスト法を用いることができるが、特にこれに制限されるものではなく、積層型電子部品に過度の衝撃を加えず、信頼性を低下させない方法であれば、どの方法でも用いられることができる。

本発明の一実施形態に対するＴＥＭイメージである図７を参照すると、内部電極１２１、１２２は、内部電極１２１、１２２と外部電極１３１、１３２とが接する領域においてＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ｂを含んでいることが確認できるが、外部電極１３１、１３２にはＳｎ拡散部１２１ａ、１２２ｂがほとんど残留していないことが確認でき、外部電極１３１、１３２に気泡（ｐｏｒｅ）が発生しなかったことが分かる。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂは実装特性を向上させる役割を果たし、導電性金属または焼成電極を含む電極層１３１ａ、１３２ａ上に配置されることができる。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂの種類は特に限定されず、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、パラジウム（Ｐｄ）及びこれらの合金のうち１つ以上を含む単一層のめっき層１３１ｂ、１３２ｂであることができ、複数層で形成されることができる。

めっき層１３１ｂ、１３２ｂに対するより具体的な例を挙げると、めっき層１３１ｂ、１３２ｂはＮｉめっき層またはＳｎめっき層であることができ、電極層１３１ａ、１３２ａ上にＮｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができ、Ｓｎめっき層、Ｎｉめっき層及びＳｎめっき層が順次形成された形態であることができる。また、めっき層１３１ｂ、１３２ｂは、複数のＮｉめっき層及び／または複数のＳｎめっき層を含むこともできる。

積層型電子部品１００のサイズは特に限定する必要はない。

但し、小型化及び高容量化を同時に達成するためには、誘電体層及び内部電極の厚さを薄くして積層数を増加させる必要があるため、０４０２（長さ×幅、０．４ｍｍ×０．２ｍｍ）以下のサイズを有する積層型電子部品１００において本発明による信頼性、単位体積当たり容量の向上及び水素浸透抑制による絶縁抵抗の改善効果がより顕著になることができる。

以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、これは本発明の具体的な理解を助けるためのものであり、本発明の範囲が実施例に限定されるものではない。

より具体的には、図８～図１２を参照して本発明の一実施例及び比較例について詳細に説明する。

（実施例）
下記表１は、Ｓｎ拡散部の深さ別のＳｎ原子数を測定したデータに該当する。Ｓｎ拡散部のうちＳｎを測定した測定深さ（測定ｐｏｉｎｔ）は、内部電極と外部電極とが接する地点から本体の内部方向に１μｍ、５μｍ及び１０μｍ以上の任意の地点で測定した。ａｔ％は内部電極に含まれたＮｉ元素のモル数に対するＳｎ元素のモル数の百分率（ａｔ％）を意味する（Ｓｎ／Ｎｉ ａｔ％）。

上記表１を参照すると、Ｓｎ拡散部が形成された領域において、内部電極と外部電極とが接する地点から本体の内部方向に１μｍの地点でのＳｎ原子百分率が３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下であることを確認することができ、平均Ｓｎ原子百分率は３９．７ａｔ％に該当する。５μｍ地点でのＳｎ原子百分率は１５ａｔ％以上３０ａｔ％以下であることが確認でき、平均Ｓｎ原子百分率は１９．２ａｔ％に該当する。１０μｍ以上の任意の地点でＳｎ原子百分率は３ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることが確認でき、平均原子百分率は５．２ａｔ％に該当する。

以下では、［表１］のように本発明の数値範囲を満たす実施例、すなわち、測定深さ１μｍ地点でのＳｎの平均原子百分率は３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下、測定深さ５μｍ地点でのＳｎの平均原子百分率は１５ａｔ％以上３０ａｔ％以下、または測定深さ１０μｍ以上の地点でＳｎの平均原子百分率は３ａｔ％以上１０ａｔ％以下の範囲を満たすＳｎ拡散部を含む積層型電子部品の耐湿信頼性評価について詳細に説明する。

比較例１（図８（ａ）、図９（ａ）、図１０（ａ））は、Ｓｎ拡散部が形成されていない従来のＮｉ内部電極及びＣｕ外部電極を適用した積層型電子部品に該当する。

比較例２は（図１１（ａ））、Ｓｎ拡散部が形成されたが、内部電極に過度に深く拡散した積層型電子部品に該当する。残りの構成は比較例１と同様である。

比較例３（図１１（ｂ）、図１２）は、Ｓｎ拡散部が形成されたが、拡散されたＳｎが過度であって内部電極間に連結が発生した積層型電子部品に該当する。残りの構成は比較例１と同一である。

実施例１（図８（ｂ）、図９（ｂ）、図１０（ｂ））は、内部電極が露出した本体面にＳｎペーストを塗布した後、６６０℃で熱処理した後、サンドブラスト法で残留Ｓｎを除去し、Ｃｕ外部電極を形成した。残りの構成は比較例１と同一である。

実施例２（図８（ｃ）、図９（ｃ）、図１０（ｃ））は、内部電極が露出した本体面にＳｎペーストを塗布した後、７３０℃で熱処理した後、サンドブラスト法で残留Ｓｎを除去し、Ｃｕ外部電極を形成した。残りの構成は比較例１と同一である。

比較例及び実施例について、過酷水素チャージング（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｃｈａｒｇｉｎｇ）を行い、過酷水素チャージを行ったサンプルについて超加速寿命試験（ＨＡＬＴ）及び耐湿信頼性の実験を行った。

過酷水素チャージ（ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｃｈａｒｇｉｎｇ）は、０．０１ＭのＮａＯＨを含む水槽で評価を行うサンプルを還元電極に配置させ、白金を酸化電極に配置させる。この後、電圧条件３．５Ｖ～４．０Ｖ、電流条件０．０３Ａで６０分間行って還元電極で水素を発生させる。

この後、過酷水素チャージを行った比較例及び実施例のサンプルに対してＨＡＬＴ及び耐湿信頼性の評価を行う。

ＨＡＬＴ信頼性評価は、温度条件８５℃、電圧条件１．２Ｖｒで２時間行い、これに対する結果は図９のグラフで確認することができる。初期絶縁抵抗に対する絶縁抵抗値が低下しない場合（１．００Ｅ＋０９、グラフの中で最も高い値）を理想的な目標値に設定し、初期絶縁抵抗に対する絶縁抵抗値が１／１０以下、すなわち絶縁抵抗の値が１．００Ｅ＋０８以上の場合を優れると評価し、１．００Ｅ＋０８未満に低下する場合を不良と評価した。

耐湿信頼性評価は、温度条件８５℃、相対湿度８５％、電圧条件１．０Ｖｒで２時間行い、これに対する結果は図１０及び図１２のグラフで確認することができる。初期絶縁抵抗に対する絶縁抵抗値が低下しない場合（１．００Ｅ＋０９、グラフの中で最も高い値）を理想的な目標値に設定し、初期絶縁抵抗に対する絶縁抵抗値が１／１００以下、すなわち絶縁抵抗の値が１．００Ｅ＋０６以上の場合を優れると評価し、１．００Ｅ＋０６未満に低下する場合を不良と評価した。

まず、Ｓｎ拡散部が形成されていない比較例１は、加速水素チャージ後のＨＡＬＴ評価（図９（ａ））において、１．００Ｅ＋０８未満に低下したサンプルの個数が実施例に比べて多いことが確認でき、同様に耐湿信頼性の評価（図１０（ａ））において、１．００Ｅ＋０６未満に低下したサンプルの個数が実施例に比べて多いことが確認できる。

Ｓｎが過度に含有された比較例２は、加速水素チャージ後の耐湿信頼性の評価（図１２）において、１．００Ｅ＋０６未満に低下したサンプルの個数が実施例に比べて多いことが確認でき、絶縁抵抗の破壊が発生したサンプルも確認できる。

一方、実施例１は加速水素チャージ後のＨＡＬＴ評価（図９（ｂ））において、１．００Ｅ＋０８未満に低下したサンプルの個数がほとんどないことが確認でき、実施例２は加速水素チャージ後のＨＡＬＴ評価（図９（ｃ））において、１．００Ｅ＋０８未満に低下したサンプルがないことが確認できる。また、実施例１は、耐湿信頼性の評価（図１０（ｂ））において、１．００Ｅ＋０６未満に低下したサンプルの個数がほとんどないことが確認でき、概ね１．００Ｅ＋０６以上の絶縁抵抗値を有することが確認できる。実施例２は、耐湿信頼性の評価（図１０（ｃ））において、１．００Ｅ＋０６未満に低下したサンプルの個数がほとんどないことが分かり、概ね１．００Ｅ＋０６以上の絶縁抵抗値を有することが確認できる。

これにより、Ｓｎ拡散部が存在する場合、Ｓｎ拡散部が存在しない場合に比べて水素浸透の抑制効果に優れることが確認でき、Ｓｎ元素の平均原子数が内部電極の導電性物質の平均原子数に対して３ａｔ％以上５０ａｔ％以下を満たす場合、水素浸透の抑制効果に優れることが分かる。

以上、本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明は、上述の実施形態及び添付の図面によって限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想から外れない範囲内で、当技術分野における通常の知識を有する者によって多様な形態の置換、変形、及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属するといえる。

１００ 積層型電子部品
１１０ 本体
１１１ 誘電体層
１１２、１１３ カバー部
１１４、１１５ マージン部
１２１、１２２ 内部電極
１２１ａ、１２２ａ Ｓｎ拡散部
１３１、１３２ 外部電極
１３１ａ、１３２ａ 電極層
１３１ｂ、１３２ｂ めっき層

Claims (18)

1. 複数の誘電体層及び導電性物質を含む内部電極を含む本体と、
   前記本体上に配置されて前記内部電極に連結される外部電極と、
   を含み、
   前記内部電極は、前記外部電極に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部を含み、
   前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は、３ａｔ％以上５０ａｔ％以下である、積層型電子部品。
2. 前記Ｓｎ拡散部の前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向への大きさは、１μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
3. 前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に１μｍの地点で、
   前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の前記平均原子数に対する前記Ｓｎの前記平均原子数は、３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
4. 前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に５μｍの点で、
   前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の前記平均原子数に対する前記Ｓｎの前記平均原子数は、１５ａｔ％以上３０ａｔ％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
5. 前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に１０μｍ以上３０μｍ以下の領域において、
   前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の前記平均原子数に対する前記Ｓｎの前記平均原子数は、３ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、請求項１に記載の積層型電子部品。
6. 前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の前記平均原子数に対する前記Ｓｎの前記平均原子数は、前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に徐々に減少する、請求項１に記載の積層型電子部品。
7. 前記Ｓｎ拡散部は、前記内部電極の前記導電性物質及びＳｎを含む合金を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
8. 前記外部電極は前記Ｓｎ拡散部を含まない、請求項１に記載の積層型電子部品。
9. 前記内部電極の前記導電性物質は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１に記載の積層型電子部品。
10. 複数の誘電体層及び導電性物質を含む内部電極を含む本体と、
    前記本体上に配置されて前記内部電極に連結される外部電極と、
    を含み、
    前記内部電極は、前記外部電極に連結される領域にＳｎを含むＳｎ拡散部を含み、
    前記外部電極は前記Ｓｎ拡散部を含まない、積層型電子部品。
11. 前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は、３ａｔ％以上５０ａｔ％以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
12. 前記Ｓｎ拡散部の前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向への大きさは、１μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
13. 前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に１μｍの地点で、
    前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は３０ａｔ％以上５０ａｔ％以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
14. 前記内部電極と外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に５μｍの地点で、
    前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は、１５ａｔ％以上３０ａｔ％以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
15. 前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に１０μｍ以上３０μｍ以下の領域において、
    前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は、３ａｔ％以上１０ａｔ％以下である、請求項１０に記載の積層型電子部品。
16. 前記Ｓｎ拡散部に含まれた前記内部電極の前記導電性物質の平均原子数に対する前記Ｓｎの平均原子数は、前記内部電極と前記外部電極とが接する地点から前記本体の内部方向に徐々に減少する、請求項１０に記載の積層型電子部品。
17. 前記Ｓｎ拡散部は、前記内部電極の前記導電性物質及びＳｎを含む合金を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。
18. 前記内部電極の前記導電性物質は、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）及びこれらの合金からなる群から選択された一つ以上を含む、請求項１０に記載の積層型電子部品。

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