JPH0630318B2 - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH0630318B2 JPH0630318B2 JP23675187A JP23675187A JPH0630318B2 JP H0630318 B2 JPH0630318 B2 JP H0630318B2 JP 23675187 A JP23675187 A JP 23675187A JP 23675187 A JP23675187 A JP 23675187A JP H0630318 B2 JPH0630318 B2 JP H0630318B2
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- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 17
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、積層セラミックコンデンサに関し、特に、積
層セラミックコンデンサの内部電極の組成に関する。
層セラミックコンデンサの内部電極の組成に関する。
従来の技術 従来、積層セラミックコンデンサの内部電極には、パラ
ジウム，銀−パラジウム合金，白金等が一般に使用さ
れ、また銀ペーストなどを塗布して形成された外部電極
には、半田に対する耐熱性や半田の付着性を向上させる
ため、電解メッキ法でニッケル，錫などのメッキが施さ
れるのが一般化しつつある。
ジウム，銀−パラジウム合金，白金等が一般に使用さ
れ、また銀ペーストなどを塗布して形成された外部電極
には、半田に対する耐熱性や半田の付着性を向上させる
ため、電解メッキ法でニッケル，錫などのメッキが施さ
れるのが一般化しつつある。
発明が解決しようとする問題点 ところで、例えば、ニッケルを外部電極に電解メッキす
ると、 Ni→Ni2+＋２ｅ ２Ｈ+＋２ｅ→Ｈ2↑ なる化学反応が生じて水素イオンＨ+が発生する。発生
した水素イオンはメッキ液と共に外部電極やセラミック
誘電体に生じた微細な空隙部を通してセラミック誘電体
の内部に侵入し、内部電極に至ることがある。ところ
が、内部電極を構成するパラジウムや白金は水素を吸収
し易いという性質があるため、内部電極にまで至った水
素イオンは水素として内部電極のパラジウムあるいは白
金に吸蔵されてしまう。内部電極に吸蔵された水素はそ
の周囲のセラミック誘電体を徐々に還元して、誘電損失
や絶縁抵抗を劣化させたり、内部電極とセラミック誘電
体との密着強度を低下させたり、あるいはコンデンサの
静電容量を変動させたりするなど、種々の不良を誘発さ
せる。
ると、 Ni→Ni2+＋２ｅ ２Ｈ+＋２ｅ→Ｈ2↑ なる化学反応が生じて水素イオンＨ+が発生する。発生
した水素イオンはメッキ液と共に外部電極やセラミック
誘電体に生じた微細な空隙部を通してセラミック誘電体
の内部に侵入し、内部電極に至ることがある。ところ
が、内部電極を構成するパラジウムや白金は水素を吸収
し易いという性質があるため、内部電極にまで至った水
素イオンは水素として内部電極のパラジウムあるいは白
金に吸蔵されてしまう。内部電極に吸蔵された水素はそ
の周囲のセラミック誘電体を徐々に還元して、誘電損失
や絶縁抵抗を劣化させたり、内部電極とセラミック誘電
体との密着強度を低下させたり、あるいはコンデンサの
静電容量を変動させたりするなど、種々の不良を誘発さ
せる。
問題点を解決するための手段 本発明は、この様な問題点を解決するためになされたも
のであり、その要旨とするところは、セラミック誘電体
に貴金属を主成分とする内部電極をその取出し部の配置
が交互になる様に一定間隔を保って埋設すると共に、該
両取出し部に外部電極を設け、かつ、該外部電極に電解
メッキを施してなる積層セラミックコンデンサにおい
て、貴金属を主成分とする前記内部電極に水素の吸収を
不活性化させる金属を含有させたことにある。
のであり、その要旨とするところは、セラミック誘電体
に貴金属を主成分とする内部電極をその取出し部の配置
が交互になる様に一定間隔を保って埋設すると共に、該
両取出し部に外部電極を設け、かつ、該外部電極に電解
メッキを施してなる積層セラミックコンデンサにおい
て、貴金属を主成分とする前記内部電極に水素の吸収を
不活性化させる金属を含有させたことにある。
作用 かかる本発明の積層セラミックコンデンサにおいては、
内部電極を構成する貴金属の水素吸収作用を不活性化さ
せる金属が内部電極に含有させていることから、内部電
極の水素吸蔵量は低下させられる。従って、積層セラミ
ックコンデンサをメッキ液に浸漬して外部電極に電解メ
ッキを施す際、セラミック誘電体や外部電極の微細な空
隙を通して水素イオンが内部電極にまで侵入しても、内
部電極が吸収する水素量は低く抑えられ、もって内部電
極に吸蔵された水素によるセラミック誘電体の還元作用
は低く抑えられる。
内部電極を構成する貴金属の水素吸収作用を不活性化さ
せる金属が内部電極に含有させていることから、内部電
極の水素吸蔵量は低下させられる。従って、積層セラミ
ックコンデンサをメッキ液に浸漬して外部電極に電解メ
ッキを施す際、セラミック誘電体や外部電極の微細な空
隙を通して水素イオンが内部電極にまで侵入しても、内
部電極が吸収する水素量は低く抑えられ、もって内部電
極に吸蔵された水素によるセラミック誘電体の還元作用
は低く抑えられる。
実施例 次に、本発明の実施例を添付図面に基づいて詳しく説明
する。
する。
第１図は積層セラミックコンデンサ１を示す断面図であ
る。積層セラミックコンデンサ１は、セラミック誘電体
２に内部電極３をその取出し部3aの配置が交互になる様
に一定間隔を保って埋設すると共に、取出し部3aに外部
電極４を設け、かつ、その外部電極４に電解メッキを施
してメッキ層５，６を形成したものである。
る。積層セラミックコンデンサ１は、セラミック誘電体
２に内部電極３をその取出し部3aの配置が交互になる様
に一定間隔を保って埋設すると共に、取出し部3aに外部
電極４を設け、かつ、その外部電極４に電解メッキを施
してメッキ層５，６を形成したものである。
内部電極３は、主としてパラジウム又は銀−パラジウム
合金などからなり、パラジウムの水素吸収作用を不活性
化させるため、例えば、ニッケルが添加される。ニッケ
ルの添加量は限定されるものではないが、電極としての
作用を阻害しない量とされ、２０重量％程度が好適であ
る。ニッケルが添加されたパラジウムは溶融樹脂などに
よりペースト状とされ、その導電ペーストが焼成前グリ
ーンシート（セラミック誘電体シート）上に所定形状に
印刷される。導電ペーストが印刷されたグリーンシート
は必要な静電容量を形成し、かつ、取出し部3aが交互に
なる様に積層された後、プレスにて圧着させられる。そ
の後、整形されたコンデンサブロックの両端部に外部電
極４となる銀ペーストが塗布された後、焼成されて積層
セラミックコンデンサ１が製造される。
合金などからなり、パラジウムの水素吸収作用を不活性
化させるため、例えば、ニッケルが添加される。ニッケ
ルの添加量は限定されるものではないが、電極としての
作用を阻害しない量とされ、２０重量％程度が好適であ
る。ニッケルが添加されたパラジウムは溶融樹脂などに
よりペースト状とされ、その導電ペーストが焼成前グリ
ーンシート（セラミック誘電体シート）上に所定形状に
印刷される。導電ペーストが印刷されたグリーンシート
は必要な静電容量を形成し、かつ、取出し部3aが交互に
なる様に積層された後、プレスにて圧着させられる。そ
の後、整形されたコンデンサブロックの両端部に外部電
極４となる銀ペーストが塗布された後、焼成されて積層
セラミックコンデンサ１が製造される。
ところで、外部電極４を構成する銀は半田に拡散してし
まうため、外部電極４の半田の付着性を向上させること
を目的に、外部電極４に電解メッキが施される。本実施
例においては、外部電極４の表面にニッケルのメッキ層
及び錫のメッキ層が形成されている。
まうため、外部電極４の半田の付着性を向上させること
を目的に、外部電極４に電解メッキが施される。本実施
例においては、外部電極４の表面にニッケルのメッキ層
及び錫のメッキ層が形成されている。
このメッキ処理は積層セラミックコンデンサ１をメッキ
液に浸漬してなされる。積層セラミックコンデンサ１の
表面には、グリーンシートの積層部や銀ペーストの塗布
部に微細な空隙が生じていることがあり、その微細な空
隙を通して内部電極３にまでメッキ液と共に水素イオン
が侵入することがある。しかし、内部電極３には水素の
吸収作用を不活性化させるニッケルが含有されているた
め、内部電極３を構成するパラジウムの水素吸蔵量は低
く抑えられる。
液に浸漬してなされる。積層セラミックコンデンサ１の
表面には、グリーンシートの積層部や銀ペーストの塗布
部に微細な空隙が生じていることがあり、その微細な空
隙を通して内部電極３にまでメッキ液と共に水素イオン
が侵入することがある。しかし、内部電極３には水素の
吸収作用を不活性化させるニッケルが含有されているた
め、内部電極３を構成するパラジウムの水素吸蔵量は低
く抑えられる。
この様に本発明は、内部電極に水素の吸収作用を不活性
化させるニッケルを含有させることにより、水素の吸蔵
量を低く抑えて、水素によるセラミック誘電体の還元作
用を低下させるというものである。これにより、セラミ
ック誘電体の誘電損失や絶縁抵抗の劣化、内部電極とセ
ラミック誘電体との密着強度の低下及び静電容量の変動
を低く抑えることが可能となった。
化させるニッケルを含有させることにより、水素の吸蔵
量を低く抑えて、水素によるセラミック誘電体の還元作
用を低下させるというものである。これにより、セラミ
ック誘電体の誘電損失や絶縁抵抗の劣化、内部電極とセ
ラミック誘電体との密着強度の低下及び静電容量の変動
を低く抑えることが可能となった。
以上、本発明の一実施例を詳細に説明したが、本発明は
前記実施例に限定されるものではない。
前記実施例に限定されるものではない。
例えば、本発明は、水素の吸収作用を不活性化させる金
属としてマンガンなども好適に適用し得るものである。
また、内部電極を構成する金属として、銀−パラジウム
合金，白金など、水素の吸収作用が強い金属が使用され
ている場合に、本発明は効果的である。
属としてマンガンなども好適に適用し得るものである。
また、内部電極を構成する金属として、銀−パラジウム
合金，白金など、水素の吸収作用が強い金属が使用され
ている場合に、本発明は効果的である。
その他、電解メッキだけでなく、無電解メッキをも含む
ものである等、本発明はその要旨の範囲内において、種
々の変更を加えた形態で実施し得る。
ものである等、本発明はその要旨の範囲内において、種
々の変更を加えた形態で実施し得る。
発明の効果 本発明は、内部電極を構成する貴金属に、その貴金属の
水素吸収作用を不活性化させる金属を含有させたため、
内部電極の水素吸蔵量を低下させることができる。これ
により、内部電極に吸蔵された水素によるセラミック誘
電体の還元作用が低下し、もって、セラミック誘電体の
誘電損失や絶縁低下の劣化、内部電極とセラミック誘電
体との密着強度の低下による亀裂の発生、あるいは静電
容量の変動を実質的に防止することが可能となる。
水素吸収作用を不活性化させる金属を含有させたため、
内部電極の水素吸蔵量を低下させることができる。これ
により、内部電極に吸蔵された水素によるセラミック誘
電体の還元作用が低下し、もって、セラミック誘電体の
誘電損失や絶縁低下の劣化、内部電極とセラミック誘電
体との密着強度の低下による亀裂の発生、あるいは静電
容量の変動を実質的に防止することが可能となる。
第１図は本発明に係る積層セラミックコンデンサの一実
施例を示す断面図である。 １……積層セラミックコンデンサ、２……セラミック誘
電体、３……内部電極、3a……取出し部、４……外部電
極、５，６……メッキ層。
施例を示す断面図である。 １……積層セラミックコンデンサ、２……セラミック誘
電体、３……内部電極、3a……取出し部、４……外部電
極、５，６……メッキ層。
Claims (1)
- 【請求項１】セラミック誘電体に貴金属を主成分とする
内部電極をその取出し部の配置が交互になる様に一定間
隔を保って埋設すると共に、該両取出し部に外部電極を
設け、かつ、該外部電極にメッキを施してなる積層セラ
ミックコンデンサにおいて、 貴金属を主成分とする前記内部電極に水素の吸収を不活
性化させる金属を含有させたこと、 を特徴とする積層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675187A JPH0630318B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 積層セラミックコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23675187A JPH0630318B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6480011A JPS6480011A (en) | 1989-03-24 |
| JPH0630318B2 true JPH0630318B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=17005251
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23675187A Expired - Fee Related JPH0630318B2 (ja) | 1987-09-21 | 1987-09-21 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0630318B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4293691A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor (mlcc) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9633793B2 (en) | 2014-09-09 | 2017-04-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor |
| US9959973B2 (en) | 2014-09-19 | 2018-05-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and method for manufacturing same |
| JP6933461B2 (ja) | 2016-12-21 | 2021-09-08 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7145652B2 (ja) | 2018-06-01 | 2022-10-03 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| JP7446705B2 (ja) | 2018-06-12 | 2024-03-11 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US10971302B2 (en) | 2018-06-19 | 2021-04-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor and manufacturing method of the same |
| JP7498912B2 (ja) | 2019-12-06 | 2024-06-13 | 太陽誘電株式会社 | セラミック電子部品、実装基板およびセラミック電子部品の製造方法 |
| JP2023044364A (ja) | 2021-09-17 | 2023-03-30 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
| JP2023129774A (ja) | 2022-03-07 | 2023-09-20 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミック電子部品 |
-
1987
- 1987-09-21 JP JP23675187A patent/JPH0630318B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP4293691A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-20 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayer ceramic capacitor (mlcc) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6480011A (en) | 1989-03-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |