JPS5952828A - 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 - Google Patents
積層セラミツクコンデンサの電極形成方法Info
- Publication number
- JPS5952828A JPS5952828A JP16464282A JP16464282A JPS5952828A JP S5952828 A JPS5952828 A JP S5952828A JP 16464282 A JP16464282 A JP 16464282A JP 16464282 A JP16464282 A JP 16464282A JP S5952828 A JPS5952828 A JP S5952828A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- electrode
- forming electrodes
- laminated ceramic
- multilayer ceramic
- Prior art date
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- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、積層セラミックコンデンサの端子電極（外部
電極）を形成する積層セラミックコンデンサの電極形成
方法に関するものである。
電極）を形成する積層セラミックコンデンサの電極形成
方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、積層セラミックコンデンサの端子電極には、Ａｙ
−Ｐｄ成極を用いたもの、また半田耐熱性および半田付
は性を考慮したＡｑ電極形成後、電解メッキによりＮｉ
および５ｎ−ＰｂまだはＳｎをメッキしたものが一般
的であった。
−Ｐｄ成極を用いたもの、また半田耐熱性および半田付
は性を考慮したＡｑ電極形成後、電解メッキによりＮｉ
および５ｎ−ＰｂまだはＳｎをメッキしたものが一般
的であった。
ところがＡｙ−Ｐｄ電極ではＰｄが２０〜３０Ｗｔ ％
含有されコスト高であり、半田耐熱性を問題にする場合
に不安がつきまとうものであった。一方、従来のＡｙ亀
４への電解メッキによる方法では半田耐熱性および半田
付は性に優れ、低コスト化は図れるもののＱ不良が発生
していた。
含有されコスト高であり、半田耐熱性を問題にする場合
に不安がつきまとうものであった。一方、従来のＡｙ亀
４への電解メッキによる方法では半田耐熱性および半田
付は性に優れ、低コスト化は図れるもののＱ不良が発生
していた。
発明の目的
本発明は上記のような欠点に鑑み、メッキ処理を前提と
してＱ不良を改善した積層セラミックコンデンサの電極
形成方法を提供することを目的とする。
してＱ不良を改善した積層セラミックコンデンサの電極
形成方法を提供することを目的とする。
発明の構成
そこでこの目的を達成するために本発明の積層セラミッ
クコンデンサの電極形成方法は、Ａｙ主電極塗布、焼付
は後、真空含浸にてＡＰ電極内部に熱硬化性液状絶縁物
を含浸し、熱処理にて上記 ′絶縁物を硬化した後
、表面研磨を行い、その後電解または無電解によるＮｉ
メッキを行った後、電解または無電解による５ｎ−Ｐ
ｂまたはＳｎメッキを行うものであり、メッキ液のＡｙ
電極への浸透経路を熱硬化性絶縁物にて埋めメッキ液の
浸透を防ぎ、半田耐熱性、半田付は性を低下することな
くＱ不良の発生を抑制するものである。
クコンデンサの電極形成方法は、Ａｙ主電極塗布、焼付
は後、真空含浸にてＡＰ電極内部に熱硬化性液状絶縁物
を含浸し、熱処理にて上記 ′絶縁物を硬化した後
、表面研磨を行い、その後電解または無電解によるＮｉ
メッキを行った後、電解または無電解による５ｎ−Ｐ
ｂまたはＳｎメッキを行うものであり、メッキ液のＡｙ
電極への浸透経路を熱硬化性絶縁物にて埋めメッキ液の
浸透を防ぎ、半田耐熱性、半田付は性を低下することな
くＱ不良の発生を抑制するものである。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。ま
ず、酸化チタン系材料を用いて得られた第１図で示され
る積層セラミックコンデンサ素子１の端部に外部電極と
してＡｙ電極を塗布し、８０９°Ｃ−２０分で焼付ける
。第１図で２は内部電極である。次に、このコンデンサ
素子１を例えばポリブタジェン等の熱硬化性液状絶縁物
に浸漬し、真空度ｌＸ１（Ｙ３〜１Ｑ−４駒Ｈｙの中で
真空含浸を行い、Ａｙ電極中へ上記絶縁物を含浸させる
。
ず、酸化チタン系材料を用いて得られた第１図で示され
る積層セラミックコンデンサ素子１の端部に外部電極と
してＡｙ電極を塗布し、８０９°Ｃ−２０分で焼付ける
。第１図で２は内部電極である。次に、このコンデンサ
素子１を例えばポリブタジェン等の熱硬化性液状絶縁物
に浸漬し、真空度ｌＸ１（Ｙ３〜１Ｑ−４駒Ｈｙの中で
真空含浸を行い、Ａｙ電極中へ上記絶縁物を含浸させる
。
その後、１５０°Ｃ−１０分〜２０分にて熱硬化させる
。次すで、ｏ、４〜１．０ｍ＋ｎφのアルミナ、上記素
子１と水を容積比１ ：１ ：８で混ぜ、ポット中にて
攪拌し素子１表面に付着した上記絶縁物を取除く。この
素子１のＡｙ電極の上に電解または無電解によるＮｉ
メッキを行い、さらにその後に電解または無電解による
５ｎ−ＰｂまたはＳｎメッキを行って製造を終了する。
。次すで、ｏ、４〜１．０ｍ＋ｎφのアルミナ、上記素
子１と水を容積比１ ：１ ：８で混ぜ、ポット中にて
攪拌し素子１表面に付着した上記絶縁物を取除く。この
素子１のＡｙ電極の上に電解または無電解によるＮｉ
メッキを行い、さらにその後に電解または無電解による
５ｎ−ＰｂまたはＳｎメッキを行って製造を終了する。
第２図はこのようにして得られた積層セラミックコンデ
ンサを示しており、３，３ａはＡｙ電極、４．４ａはＮ
ｉメッキ層、６，６ａは５ｎ−ＰｂまたはＳｎメッキ層
である。
ンサを示しており、３，３ａはＡｙ電極、４．４ａはＮ
ｉメッキ層、６，６ａは５ｎ−ＰｂまたはＳｎメッキ層
である。
この本発明の方法で得られたものと従来の′電解メッキ
で得られたものとのＱの測定結果は、従来のもので３〜
６／１ｏｏＯ（個）２本発明のもので０／１０００（個
）のＱ不良数であった。また、本発明方法のものの半田
付は性および半田耐熱性は従来の電解メッキと同様良好
であった。なお、Ｑ不良発生のメカニズムは現在詳細に
検討中であるが、電解メッキ時にＡｙ電極中にメッキ液
が浸透し、電解をかけた際に内部電極と外部電極界面に
浸透したメッキ液成分が析出するものと考えられる。
で得られたものとのＱの測定結果は、従来のもので３〜
６／１ｏｏＯ（個）２本発明のもので０／１０００（個
）のＱ不良数であった。また、本発明方法のものの半田
付は性および半田耐熱性は従来の電解メッキと同様良好
であった。なお、Ｑ不良発生のメカニズムは現在詳細に
検討中であるが、電解メッキ時にＡｙ電極中にメッキ液
が浸透し、電解をかけた際に内部電極と外部電極界面に
浸透したメッキ液成分が析出するものと考えられる。
発明の効果
以上のように本発明の方法を用いれば、メッキ液のＡｙ
電極への浸透経路を熱硬化性絶縁物にて埋めメッキ液の
浸透を防いでいるため、半田耐熱性、半田付は性を低下
させることなくＱ不良発生率を１／１ｏ以下に低下させ
ることができ、産業上非常に有効なものである。
電極への浸透経路を熱硬化性絶縁物にて埋めメッキ液の
浸透を防いでいるため、半田耐熱性、半田付は性を低下
させることなくＱ不良発生率を１／１ｏ以下に低下させ
ることができ、産業上非常に有効なものである。
−第１図は本発明を説明するだめの積層セラミツ内部電
極、３，３ａ−・・・・・Ａ１電極、４，４ａ・・・Ｎ
ｉメッキ層、５ 、５ ａ −＝−＝Ｓｎ−Ｐｂまだは
Ｓｎメッキ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
極、３，３ａ−・・・・・Ａ１電極、４，４ａ・・・Ｎ
ｉメッキ層、５ 、５ ａ −＝−＝Ｓｎ−Ｐｂまだは
Ｓｎメッキ層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図
Claims (1)
- 積層セラミックコンデンサ素子の端部にＡｙ主電極塗布
し、焼付けた後、真空含浸にて上記Ａｙ電極内部に熱硬
化性液状絶縁物を含浸し、熱処理にて上記絶縁物を硬化
した後、表面研磨を行い、その後電解または無電解によ
るＮｉ メッキを行った後、電解または無電解による５
ｎ−ＰｂまだはＳｎメッキを行うことを特徴とする積層
セラミックコンデンサの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16464282A JPS5952828A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16464282A JPS5952828A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5952828A true JPS5952828A (ja) | 1984-03-27 |
Family
ID=15797060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16464282A Pending JPS5952828A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | 積層セラミツクコンデンサの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5952828A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356122U (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-30 | ||
| JPH04250607A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | チップ状電子部品 |
| JPH07240334A (ja) * | 1992-09-14 | 1995-09-12 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP16464282A patent/JPS5952828A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356122U (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-30 | ||
| JPH04250607A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-07 | Taiyo Yuden Co Ltd | チップ状電子部品 |
| JPH0656824B2 (ja) * | 1991-01-25 | 1994-07-27 | 太陽誘電株式会社 | チップ状電子部品とその製造方法 |
| JPH07240334A (ja) * | 1992-09-14 | 1995-09-12 | Tdk Corp | 電子部品及びその製造方法 |
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