TWI517190B

TWI517190B - 晶片型電子零件

Info

Publication number: TWI517190B
Application number: TW100119296A
Authority: TW
Inventors: 東克明; 松下幸嗣; 櫻田清恭
Original assignee: 村田製作所股份有限公司
Priority date: 2010-06-04
Filing date: 2011-06-01
Publication date: 2016-01-11
Also published as: US20110299221A1; CN102332350B; EP2393089B1; EP2393089A1; US8687345B2; KR20110133431A; CN102332350A; JP5246207B2; KR101245250B1; TW201222593A; JP2011254040A

Description

晶片型電子零件

本發明係關於一種包含與內部導體連接之外部電極之晶片型電子零件，詳細而言，關於一種外部電極包含含有導電成分與樹脂成分之樹脂電極層及覆蓋樹脂電極層之鍍敷金屬層之晶片型電子零件。

例如，作為代表性之晶片型電子零件之一之積層陶瓷電容器具有如下構造，該構造包括：包含陶瓷介電體之素體、配設於其內部之複數個內部電極、及以與複數個內部電極導通之方式配設之外部電極。

而且，作為此種積層陶瓷電容器(晶片型電子零件)，於安裝有該晶片型電子零件之基板之撓曲引起之應力之緩和作用方面優異，且在對基板施加了撓曲應力之情形時，與先前之晶片型電子零件相比，電性特性之劣化或裂紋之發生等亦少，可謀求可靠性高之設備。

而且，作為應對此要求之晶片型電子零件，提出有如下晶片型電子零件：於包含陶瓷燒結體之片狀素體之端面具有外部電極，外部電極具有藉由燒結導電性膏而形成之第一電極層及以覆蓋第一電極層之方式配設之包含導電性樹脂之第二電極層，第一電極層及第二電極層自晶片狀素體之端面繞入與端面鄰接之側面而形成，將第一電極層之繞入長度設為第二電極層之繞入長度之0.7倍以下(參照專利文獻1)。

又，提出有如下積層陶瓷電容器：於交替積層介電體與內部電極而成之瓷器素體之兩端面上形成有外部電極，該外部電極自瓷器素體側起包含含有玻璃成分之第一導體層、含有樹脂成分之第二導體層、及含有鍍敷金屬之第三導體層，於將瓷器素體與第一導體層之接合強度設為F1，第一導體層與第二導體層之接合強度設為F2時，使F1、F2具備下述要件：

F1≧1.0 kgf、

F2≧1.0 kgf、

F1>F2(參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開平10-284343號公報

[專利文獻2]日本專利特開平11-219849號公報

然而，於將上述專利文獻1之晶片型電子零件安裝到基板上進行基板彎曲試驗之情形時，在藉由燒結導電性膏而形成之第一電極層或形成於其上之包含導電性樹脂之第二電極層之前端部集中有撓曲應力，自該部分起向陶瓷素體產生裂紋，根據情況有時導致短路不良之問題，從而實際情況為可靠性必然不充分。

又，於將具有上述專利文獻2中記載之構成之晶片型電子零件安裝到基板上進行基板彎曲試驗之情形時，存在下述問題：於接合強度較瓷器素體與含有玻璃成分之第一導體層間小的第一導體層與含有樹脂成分之第二導體層之間產生破壞，水分容易浸入到瓷器素體(陶瓷素體)之內部，從而可靠性降低。

本發明係為解決上述課題而完成者，其目的在於提供一種如下之晶片型電子零件，即，於安裝有晶片型電子零件之基板上產生撓曲且對晶片型電子零件施加有應力之情形時，亦可抑制、防止構成晶片型電子零件之陶瓷素體產生裂紋，對於基板之撓曲之耐性優異，且可靠性高。

為解決上述課題，本發明提供一種晶片型電子零件，其特徵在於，其係包含具有內部電極之陶瓷素體、及於上述內部電極之端面以與上述內部電極導通之方式配設之外部電極；上述外部電極包含：樹脂電極層，其含有導電成分及樹脂成分，形成於至少包含上述陶瓷素體之端面之區域，且形成為直接或間接地與上述內部電極連接並且與上述陶瓷素體接合；及鍍敷金屬層，其係以覆蓋上述樹脂電極層之方式形成；且，上述陶瓷素體與上述樹脂電極層之間之密接強度較上述樹脂電極層與上述鍍敷金屬層之間之密接強度大。

又，本發明之晶片型電子零件中，亦可為，上述外部電極包含以與上述內部電極導通之方式形成於上述陶瓷素體之端面之厚膜電極層，上述樹脂電極層係形成為覆蓋上述厚膜電極層，並且於較形成有上述厚膜電極層之區域更靠外側之區域與上述陶瓷素體接合。

本發明之晶片型電子零件中，較理想的是上述樹脂電極層之表面Ag濃度為2~8 atom%。

又，較理想的是，作為構成上述樹脂電極層之樹脂成分，使用添加了偶合劑之樹脂成分。

又，較理想的是，上述樹脂電極層之殘留應力為4.8 MPa以下。

又，本發明之晶片型電子零件中，較理想的是其特徵為：上述樹脂電極層係塗敷樹脂電極膏並使其硬化而成者，上述樹脂電極膏包含導電成分、及200℃下加熱1小時之情形時之重量減少率為4.8重量%以下之樹脂成分。

本發明之晶片型電子零件包含：樹脂電極層，其含有導電成分及樹脂成分，形成於至少包含上述陶瓷素體之端面之區域，且形成為直接或間接地與內部電極連接並且與上述陶瓷素體接合；及鍍敷金屬層，其係以覆蓋樹脂電極層之方式形成；且使陶瓷素體與樹脂電極電極層之間之密接強度較樹脂電極層與鍍敷金屬層之間之密接強度大，因此，例如於藉由將外部電極焊接於基板上之焊盤上，而對安裝有本發明之晶片型電子零件之基板施加撓曲應力之情形時，亦可避免在密接強度較陶瓷素體與樹脂電極層之間小的樹脂電極層與鍍敷金屬層之間產生剝離而向陶瓷素體施加較大之應力。其結果，可提供於基板彎曲試驗等時向基板施加較大之應力之情形時，亦可防止陶瓷素體產生裂紋且可靠性高之晶片型電子零件。

又，可提供如下晶片型電子零件：外部電極構成為包含以與內部電極導通之方式形成於瓷素體之端面之厚膜電極層，使樹脂電極層覆蓋厚膜電極層且於較形成有厚膜電極層之區域更靠外側之區域與陶瓷素體接合，藉此樹脂電極層經由厚膜電極層而確實地與內部電極導通，並且樹脂電極層於較形成有厚膜電極層之區域更靠外側之區域與陶瓷素體接合，從而可實現厚膜電極層之前端部由樹脂電極層確實地覆蓋之構造，從而可有效地緩和基板撓曲導致之厚膜電極層之前端部集中之應力，且於鍍敷步驟等中，電鍍液等不易浸入，且可靠性高。

又，於本發明之晶片型電子零件中，藉由將樹脂電極層之表面Ag濃度設為2~8 atom%(將樹脂電極層之表面Ag濃度有意地減小)，將陶瓷素體與樹脂電極層之間之密接強度設為較樹脂電極層與鍍敷金屬層之間之密接強度大，並且，將樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面之密接強度設為必要最小限度，於通常使用之狀態下，使樹脂電極層與鍍敷金屬層之間確實地密接，當施加一定程度以上之撓曲應力時，於樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面可容易產生破壞。其結果，於基板彎曲試驗等時向基板施加撓曲應力之情形時，不會對陶瓷素體施加較大之應力，能夠有效地防止陶瓷素體之裂紋之產生，可使本發明更具實效。

又，於作為構成樹脂電極層之樹脂成分，而使用添加了偶合劑之樹脂成分之情形時，可提高陶瓷素體與樹脂電極層之界面之密接強度，於基板彎曲試驗時等向基板施加撓曲應力之情形時，能夠更確實地於樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面產生破壞，而防止陶瓷素體受到損傷，從而使本發明進一步地有實效地存在下去。

又，藉由將樹脂電極層之殘留應力抑制於4.8 MPa以下，可提高陶瓷素體與樹脂電極之界面之密接強度，於基板彎曲試驗時等向基板施加撓曲應力之情形時，能夠更確實地於樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面產生破壞，而防止陶瓷素體受到損傷，從而可使本發明進一步地有實效地存在下去。

又，藉由塗敷含有導電成分及200℃下加熱1小時之情形時之重量減少率為4.8重量%以下之樹脂成分(即加熱硬化時不易揮發之樹脂)之樹脂電極膏並使其硬化，於硬化步驟中，可抑制樹脂電極表面之樹脂成分揮發而樹脂電極層之表面之Ag粒子之露出量增多，可防止樹脂電極層之表面Ag濃度變高，可將樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面之密接強度抑制得較低。其結果，於基板彎曲實驗時等向基板施加撓曲應力之情形時，能夠確實地於鍍敷金屬層與樹脂電極層之界面產生破壞，而防止陶瓷素體受到損傷，從而可使本發明進一步地有實效地存在下去。

以下表示本發明之實施例，並對本發明之特徵進行更詳細說明。

[實施例1]

如圖1所示，該實施例之積層陶瓷電容器20包含：陶瓷素體10；經由陶瓷層2積層配設於陶瓷素體10之內部，且向陶瓷素體10之對向之端面10a、10b交替引出之內部電極3a、3b；及與內部電極3a、3b導通之一對外部電極1a、1b。

而且，外部電極1a、1b包含：(a)形成於陶瓷素體10之端面10a、10b之厚膜電極層11a、11b；(b)樹脂電極層12a、12b，其係形成為覆蓋厚膜電極層11a、11b，並且於較形成有厚膜電極層11a、11b之區域更靠外側之區域、即超過形成有厚膜電極層11a、11b之區域的區域(繞入部分之前端側之區域)P與陶瓷素體10接合之方式形成之樹脂電極層12a、12b；及(c)以覆蓋樹脂電極層12a、12b之方式形成之鍍敷金屬層13a、13b。

再者，上述厚膜電極層11a、11b藉由塗敷並燒結導電性膏而形成。

再者，上述樹脂電極層12a、12b為藉由塗敷上述之樹脂電極膏並使其硬化而形成之包含導電成分及樹脂成分之電極層，且形成為覆蓋厚膜電極層11a、11b，並且於超過形成有厚膜電極層11a、11b之區域之區域(繞入部分之前端側之區域)P與陶瓷素體10接合。

又，鍍敷金屬層13a、13b係以確保導通性，且對外部電極1a、1b賦予焊錫潤濕性(焊接性)為目的而形成，於該實施例中，作為基底層而形成有鍍Ni金屬層14a、14b，且於其上形成有鍍Sn金屬層15a、15b。

而且，本發明之晶片型電子零件中，構成為陶瓷素體10與樹脂電極層12a、12b之間之密接強度(F1)較樹脂電極層12a、12b與鍍敷金屬層13a、13b之間之密接強度(F2)大。

其次，對製造該實施例之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)時使用之樹脂電極膏、使用該樹脂電極膏之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之製造方法、製造之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之特性之測定方法等進行說明。

[1]　樹脂電極膏之製作

(1)　基底樹脂

作為構成用於形成本發明之樹脂電極層之樹脂電極膏之樹脂(基底樹脂)，可使用環氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、矽酮樹脂、聚醯亞胺樹脂等公知之各種熱固性樹脂。其中，耐熱性、耐濕性、密接性等優異之環氧樹脂為最適合之樹脂之一。

另外，本發明中，因較理想的是抑制樹脂電極表面之Ag(導電性填料)之露出量(設為表面Ag濃度為2~8 atom%)，故作為樹脂(基底樹脂)，於乾燥或加熱硬化時等樹脂成分不容易揮發者較合適。

具體而言，於熱風乾燥箱中，200℃下加熱1小時之情形時之重量減少率為4.8重量%以下之樹脂較合適。

再者，於具有同種構造之樹脂成分中，分子量較大者於加熱時不易揮發。另外，自樹脂構造之觀點來看，主鏈上含有矽等之無機元素者，加熱時之重量減少率變小。

(2)　硬化劑

例如，於作為基底樹脂而使用環氧樹脂時，作為環氧樹脂之硬化劑，可使用酚醛系、胺系、酸酐系、咪唑系等公知之各種化合物。

又，於使用酚醛系或酸酐系硬化劑時，可藉由使用硬化促進劑來改善硬化性。作為硬化促進劑，可使用胺系、咪唑系等公知之各種化合物。

(3)　偶合劑

偶合劑係為了提高樹脂電極層對陶瓷素體之密接強度而添加。特別是，於樹脂電極層中，對於抑制鍍敷處理等之浸水時之密接強度降低發揮巨大之效果。作為偶合劑可使用矽烷系、鈦系等公知之各種化合物。再者，作為基底樹脂而使用環氧樹脂時，藉由使用矽烷系偶合劑，能夠期待較大之效果。

(4)　樹脂電極膏之製作

按照表1所示之組成調合各原料後，使用行星混合器(planetary mixer)進行混合，進而利用金屬3輥磨機進行分散。然後，藉由適量添加溶劑調節黏度，而得到表1中之試樣編號1~7之樹脂電極膏。

再者，表1中，

環氧樹脂A：雙酚A型環氧樹脂、環氧當量2800 g/eq

環氧樹脂B：雙酚A型環氧樹脂、環氧當量1900 g/eq

環氧樹脂C：雙酚A型環氧樹脂、環氧當量900 g/eq

酚醛系硬化劑：酚醛清漆型酚醛樹脂

硬化促進劑：咪唑化合物

偶合劑：矽烷系偶合劑

溶劑：二乙二醇單丁醚

銀(Ag)粉A為：球狀銀粉，D₅₀=1.5 μm

銀(Ag)粉B為：薄片狀銀粉，D₅₀=6.5 μm。

[2]　晶片型電子零件之製作

其次，對使用如上製作之表1之試樣編號1~7之樹脂電極膏製造晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之方法進行說明。

(1)首先，準備具備內部電極3a、3b之陶瓷素體10。再者，該陶瓷素體10係例如藉由於特定條件下將藉由積層、壓接印刷有內部電極圖案之陶瓷生片而形成之積層體進行脫脂、燒製而得到。然而，陶瓷素體10之製作方法沒有特別之限制。

(2)然後，於陶瓷素體10之端面10a、10b塗敷導電性膏，並進行燒製，藉此形成厚膜電極層11a、11b。

(3)其次，於厚膜電極層11a、11b上塗敷如上製作之樹脂電極膏，使用熱風乾燥箱於150℃/1h之條件下乾燥後，於200℃/1h之條件下加熱，使樹脂電極膏硬化，藉此形成樹脂電極層12a、12b。

另外，樹脂電極層12a、12b覆蓋厚膜電極層11a、11b，並且於較形成有厚膜電極層11a、11b之區域更靠外側之區域(繞入部分之前端側之區域)P與陶瓷素體10接合，陶瓷素體10之端面10a、10b成為由厚膜電極層11a、11b覆蓋並且由該樹脂電極層12a、12b覆蓋之狀態。

(4)其次，對形成有樹脂電極層12a、12b之陶瓷素體10進行鍍Ni及鍍Sn，於樹脂電極層12a、12b之表面形成具有鍍Ni金屬層14a、14b及鍍Sn金屬層15a、15b之鍍敷金屬層13a、13b。藉此，得到具有如圖1所示之結構之表2之試樣編號1~7之晶片型電子零件(成為下面之特性評價之對象之試樣)。

再者，為調整樹脂電極層之表面Ag濃度，於形成樹脂電極層後(即於進行鍍敷處理之前之階段)，對表2之試樣編號2及3之試樣(晶片型電子零件)進行濕式滾磨處理。

具體而言，將表2之試樣編號2及3之試樣(晶片型電子零件)及直徑為1 mm之氧化鋯製之卵石放入硬質聚合物容器，加入純水至容器之容積之80%~90%後，蓋上蓋，使用坩堝架以120 rpm旋轉，藉此進行濕式滾磨處理。再者，對於試樣編號2之試樣，進行30分鐘之濕式滾磨處理，對於試樣編號3之試樣，進行60分鐘之濕式滾磨處理。

其結果，樹脂電極層之表面Ag之濃度於試樣2中為8 atom%，試樣3中為9 atom%。

[3]　特性之測定

關於如上製作之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)，藉由以下之方法調查、評價特性。

(1)　樹脂電極層之表面Ag濃度之測定

於如上製作各種試樣(晶片型電子零件)時，在上述[2]之(3)步驟中，形成樹脂電極層之後，使用XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy，X射線光電子分光裝置)測定樹脂電極層之表面Ag濃度(atom%)。

(2)　殘留應力之測定

於磷青銅板上以厚度100 μm形成樹脂電極膏後，使用熱風乾燥箱於150℃/1h之條件下進行乾燥後，於200℃/1h之條件下進行加熱，使樹脂電極膏硬化，使用測定顯微鏡測定磷青銅板之翹曲量h。由得到之翹曲量之值及硬化後之樹脂電極膏之物性值求出硬化後之樹脂電極膏殘留應力σ。該殘留應力σ相當於樹脂電極層之殘留應力。

(3)　構成樹脂電極膏之樹脂成分之重量減少率之測定

向鋁杯中稱量構成樹脂電極膏之樹脂成分1.0~1.1 g後，用熱風乾燥箱於200℃/1h之條件下進行加熱處理，求出加熱前後之重量減少率。

(4)　基板彎曲試驗

使用無鉛焊錫將上述[2]製作之各試樣(晶片型電子零件)安裝於環氧玻璃基板上後，使用撓曲試驗機，如圖2所示自晶片型電子零件之安裝部之下側向環氧玻璃基板施加撓曲應力，實施基板彎曲試驗。

試驗如圖2所示，施加應力至安裝有晶片型電子零件20之基板21撓曲5 mm(即，至圖2之撓曲量X達到5 mm)為止，之後保持5秒。而且，將試驗後之晶片樹脂固定後，進行剖面研磨，用實體顯微鏡觀察外部電極之破壞部位，同時觀察陶瓷素體有無產生裂紋。

再者，於表示評價結果之表2之「基板彎曲試驗時之破壞部位」之欄中，將外部電極之破壞部位(剝離部位)為樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面之情況記載為「A」，將破壞部位(剝離部位)為陶瓷素體與樹脂電極層之界面之情況記載為「B」。

另外，於「基板彎曲試驗時陶瓷素體有無產生裂紋」之欄中，將不能識別陶瓷素體中產生裂紋之情況判定為「無(良)」，將識別到素體中產生裂紋之情況判定為「有(不良)」。

(5)　電性特性

評價各試樣之電性特性時，用以下之方法對各試樣測定等效串聯電阻。在測定時，使用阻抗分析儀，於測定頻率1 MHz之條件下測定等效串聯電阻。將等效串聯電阻之值於100 mΩ以下之試樣判定為○(良)，將超過100 mΩ之試樣判定為Δ(可)。這是由於根據用途，有時即使等效串聯電阻之值超過100 mΩ亦可以應用。

表2表示如上調查之特性。

(6)　評價

如表2所示，對於樹脂電極表面之銀濃度處於2~8 atom%之範圍之試樣編號1、2、5、6之試樣而言，於基板彎曲試驗時之外部電極之破壞於樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面或其附近產生，不能識別陶瓷素體上產生裂紋。這是由於，因為樹脂電極表面之銀濃度被控制在2~8 atom%之範圍內，故陶瓷素體與樹脂電極層之間之密接強度變得較樹脂電極層與鍍敷金屬層之間之密接強度大，基板彎曲試驗時之外部電極之破壞於樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面(或其附近)產生，從而未對陶瓷素體施加產生裂紋那樣大之應力。

另一方面，於藉由滾磨將樹脂電極層之表面Ag濃度提高到9 atom%之試樣編號3之試樣之情形時，基板彎曲試驗時之外部電極之破壞於陶瓷素體與樹脂電極層之界面或其附近產生，確認了陶瓷素體上產生了裂紋。這認為是由於樹脂電極層之表面Ag濃度高達9 atom%，故樹脂電極層與鍍敷金屬層之間之密接強度變得較陶瓷素體與樹脂電極層之間之密接強度大，於基板彎曲試驗時，對於陶瓷素體施加了大之應力，從而在陶瓷素體上產生了裂紋。

又，於樹脂電極層之表面Ag之濃度低達1 atom%之試樣編號4之試樣之情形時，基板彎曲試樣時之外部電極之破壞於樹脂電極層與鍍敷電極層之界面或其附近產生，雖然不能識別陶瓷素體上產生裂紋，但是確認了等效串聯電阻之值較高。

這認為是由於樹脂電極層之表面Ag濃度低，形成鍍敷金屬層時之鍍敷性亦差，故等效串聯電阻之值變高。

再者，樹脂電極層之表面Ag濃度低於2 atom%時，如上述，雖然等效串聯電阻之值變高，但並非為陶瓷元件上產生裂紋那樣之致命之缺陷，另外，根據晶片型電子零件之用途，亦有時會在規格內，因此，樹脂電極層之表面Ag濃度低於2 atom%之情形時，本發明亦有意義。

又，於使用包含200℃下之重量減少率高達6重量%之樹脂成分之樹脂電極膏之試樣編號7之試樣之情形時，樹脂電極層之表面Ag濃度高達10 atom%，於基板彎曲試驗時，確認了於陶瓷素體與樹脂電極層之界面或其附近產生破壞，同時確認了陶瓷素體產生裂紋。

這認為是，於加熱樹脂電極膏使其硬化而形成樹脂電極層之步驟中，樹脂電極表面之樹脂成分揮發，Ag粒子自樹脂電極層之表面露出之比例變大，樹脂電極層之表面Ag濃度變高，並且樹脂電極層之殘留應力變大，其結果，樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面之密接強度變得較陶瓷素體與樹脂電極層之密接強度大，從而在陶瓷素體與樹脂電極層之界面(或在其附近)產生破壞，並且，陶瓷素體上產生裂紋。

根據以上結果，於使樹脂電極層之表面Ag濃度成為2~8 atom%之情形時，可將陶瓷素體與樹脂電極層之間之密接強度設為較樹脂電極層及鍍敷金屬層之間之密接強度大，於基板彎曲試驗時等向基板施加撓曲應力之情形時，亦確認了可防止向陶瓷素體施加較大之應力，回避陶瓷素體上產生裂紋。

再者，於該實施例中，自提高陶瓷素體與樹脂電極層之界面之密接強度之觀點來看，使用添加了偶合劑之樹脂電極膏，雖然增強了如下效果，即防止鍍敷處理時產生之樹脂電極層對陶瓷素體之密接強度之降低、或將樹脂電極層之殘留應力減小而增加樹脂電極層與陶瓷素體之界面之密接強度，但亦可根據情況，而使用不添加偶合劑之樹脂電極膏。

又，上述實施例中，以外部電極具備厚膜電極層之情況為例進行了說明，但本發明亦可適用於不具備厚膜電極層之構成，即樹脂電極層直接形成於陶瓷素體之端面並在其上形成鍍敷金屬層之構成之情況。

進而亦可適用於對陶瓷素體之端面之內部電極之露出部分實施鍍敷後，於該端面形成樹脂電極層，並在其上形成鍍敷金屬層之構成之情況。

另外，本發明之目的在於，於對基板作用撓曲應力時，在樹脂電極層與鍍敷金屬層之界面產生剝離，藉此防止陶瓷素體內部產生裂紋，但是，作為如下之變形例1、2之構成，亦可具有雙重之故障安全(failsafe)功能。

<變形例1>

例如圖3所示，與不同極性之一對外部電極1a或1b連接之內部電極3a或3b之前端T1係以如下方式形成得較短，即，不達到連接該內部電極3a或3b之外部電極1a或1b之相反側的外部電極1a或1b之繞入部分(折回部分)之前端T2之投影位置(即增大長度方向之間隔G)。藉由設為此種構成，於萬一陶瓷素體10產生裂紋之情形時，亦可避免致命之不良情況。再者外，於圖3中，標註與圖1相同符號之部分為與圖1之各符號表示之部分相同或相當部分。

<變形例2>

例如圖4所示，於陶瓷素體10之內部，構成為沿積層方向交替配設有與連接於不同極性之一對外部電極1a、1b之內部電極(連接內部電極)3a、3b及外部電極1a、1b均未連接之內部電極(非連接內部電極)103，經由該非連接內部電極103取得電容(即由等效電路表示時，設為電容器串聯連接之構成)。藉由設為此種構成，於萬一陶瓷素體產生了裂紋之情形時，亦可避免致命之不良情況之發生。另外，於圖4中，標註與圖1相同符號之部分為與由圖1之各符號表示之部分相同或相當之部分。

又，於上述實施例中，以積層陶瓷電容器為例進行了說明，但本發明不限於基層陶瓷電容器，可適用於包括具備樹脂電極層及鍍敷金屬層之外部電極之各種晶片型電子零件。

進而，本發明在其他方面亦不限於上述實施例，關於構成厚膜電極層之電極材料、或構成鍍敷金屬層之金屬材料之種類、構成陶瓷素體之陶瓷材料之種類等，於發明之範圍中可增加各種應用、變形。

1a．．．外部電極

1b．．．外部電極

2．．．陶瓷層

3a．．．內部電極

3b．．．內部電極

10．．．陶瓷素體

10a．．．陶瓷素體之端面

10b．．．陶瓷素體之端面

11a．．．厚膜電極層

11b．．．厚膜電極層

12a．．．樹脂電極層

12b．．．樹脂電極層

13a．．．鍍敷金屬層

13b．．．鍍敷金屬層

14a．．．鍍Ni金屬層

14b．．．鍍Ni金屬層

15a．．．鍍Sn金屬層

15b．．．鍍Sn金屬層

20．．．晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)

21．．．基板

P．．．區域

X．．．撓曲量

圖1係表示本發明實施例之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之構成之剖面圖。

圖2係說明對本發明之實施例中製作之試樣(晶片型電子零件)進行之基板彎曲試驗之方法之圖。

圖3係表示本發明實施例之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之變形例之剖面圖。

圖4係表示本發明實施例之晶片型電子零件(積層陶瓷電容器)之其他變形例之剖面圖。