JP2011254040A - チップ型電子部品 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 173
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 45
- 239000002003 electrode paste Substances 0.000 claims description 20
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 36
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 27
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 20
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 16
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 11
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 10
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Imidazole compound Chemical class 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVNATZPSJRMUKF-UHFFFAOYSA-N [Ag].C(CCC)OCCOCCO Chemical compound [Ag].C(CCC)OCCOCCO QVNATZPSJRMUKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
- H01G4/2325—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor characterised by the material of the terminals
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/252—Terminals the terminals being coated on the capacitive element
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- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
- H01C1/142—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors the terminals or tapping points being coated on the resistive element
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- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/18—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material comprising a plurality of layers stacked between terminals
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/30—Stacked capacitors
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Abstract
【解決手段】内部電極3a,3bを備えたセラミック素体10と、少なくともセラミック素体10の端面10a,10bを含む領域に形成され、直接または間接に内部電極3a,3bと接続するとともに、セラミック素体10と接合するように形成された樹脂電極層12a,12bと、樹脂電極層を被覆するように形成されためっき金属層13a,13bとを備えた構成とし、かつ、セラミック素体と樹脂電極層の間の密着強度を、樹脂電極層とめっき金属層の間の密着強度よりも大きくする。
【選択図】図1
Description
F1 ≧1.0kgf、
F2 ≧1.0kgf、
F1 >F2
の要件を備えるようにした積層セラミックコンデンサが提案されている(特許文献2参照)。
内部電極を備えたセラミック素体と、前記内部電極の端面に、前記内部電極と導通するように配設された外部電極とを備えたチップ型電子部品であって、
前記外部電極は、
導電成分と樹脂成分とを含む樹脂電極層であって、少なくとも前記セラミック素体の端面を含む領域に形成され、直接または間接に前記内部電極と接続するとともに、前記セラミック素体と接合するように形成された樹脂電極層と、
前記樹脂電極層を被覆するように形成されためっき金属層と
を備えており、かつ、
前記セラミック素体と前記樹脂電極層の間の密着強度が、前記樹脂電極層と前記めっき金属層の間の密着強度よりも大きいこと
を特徴としている。
(a)セラミック素体10の端面10a,10bに形成された厚膜電極層11a,11bと、
(b)厚膜電極層11a,11bを被覆するとともに、厚膜電極層11a,11bが形成されている領域よりも外側の領域、すなわち、厚膜電極層11a,11bが形成されている領域を超えた領域(回り込み部分の先端側の領域)Pでセラミック素体10と接合するように形成された樹脂電極層12a,12bと、
(c)樹脂電極層12a,12bを被覆するように形成されためっき金属層13a,13bとを備えている。
(1)ベース樹脂
本発明における樹脂電極層を形成するために用いられる樹脂電極ペーストを構成する樹脂(ベース樹脂)としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの公知の種々の熱硬化性樹脂を使用することができる。その中でも、耐熱性、耐湿性、密着性などに優れたエポキシ樹脂は最も適切な樹脂の一つである。
なお、本発明においては、樹脂電極表面におけるAg(導電性フィラー)の露出量を抑える(表面Ag濃度が2〜8atom%となるようにする)ことが望ましいことから、樹脂(ベース樹脂)としては、乾燥あるいは加熱硬化時などにおいて樹脂成分が揮発しにくいものが適している。
具体的には、熱風乾燥オーブン中にて、200℃で1時間加熱した際の重量減少率が4.8重量%以下の樹脂が好適である。
なお、同種の構造を持つ樹脂成分では分子量が大きい方が加熱時に揮発しにくい。また、樹脂構造の点からは、主鎖にケイ素などの無機元素を含有するものほど加熱時の重量減少率が小さくなる。
例えば、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤としては、フェノール系、アミン系、酸無水物系、イミダゾール系など公知の種々の化合物を使用することができる。
また、フェノール系や酸無水物系硬化剤を使用する場合、硬化促進剤を使用することにより、硬化性を改善することができる。硬化促進剤としては、アミン系、イミダゾール系などの公知の種々の化合物を使用することが可能である。
カップリング剤は、樹脂電極層のセラミック素体への密着強度を向上させる目的で添加する。特に、樹脂電極層においては、めっき処理などの水浸漬時における密着強度低下の抑止に大きな効果を発揮する。カップリング剤としては、シラン系、チタン系などの公知の種々の化合物を使用することができる。なお、ベース樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合には、シラン系カップリング剤を用いることにより、大きな効果を期待することができる。
表1に示すような組成で各原料を調合した後、プラネタリーミキサーを用いて混合し、さらに金属3本ロールミルで分散させた。それから、溶剤を適量添加して粘度を調整することにより、表1の試料番号1〜7の樹脂電極ペーストを得た。
エポキシ樹脂A :ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量2800g/eq
エポキシ樹脂B :ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量1900g/eq
エポキシ樹脂C :ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量900g/eq
フェノール系硬化剤:ノボラック型フェノール樹脂
硬化促進剤 :イミダゾール化合物
カップリング剤 :シラン系カップリング剤
溶剤 :ジエチレングリコールモノブチルエーテル
銀(Ag)粉A :球状銀粉、D50=1.5μm
銀(Ag)粉B :フレーク状銀粉、D50=6.5μm
である。
次に、上述のようにして作製した、表1の試料番号1〜7の樹脂電極ペーストを用いて、チップ型電子部品(積層セラミックコンデンサ)を製造する方法について説明する。
具体的には、表2の試料番号2および3の試料(チップ型電子部品)と、直径が1mmのジルコニア製の玉石を硬質ポリ容器に入れ、容器の容積の80〜90%まで純水を満たした後、蓋を施し、ポット架を用いて120rpmで回転させることにより湿式バレル研磨処理を行った。なお、試料番号2の試料については30分間の湿式バレル研磨処理を行い、試料番号3の試料については60分間の湿式バレル研磨処理を行った。
その結果、樹脂電極層の表面Ag濃度が試料2では8atom%、試料3では9atom%となった。
上述のようにして作製したチップ型電子部品(積層セラミックコンデンサ)について、以下の方法で特性を調べ、評価した。
(1)樹脂電極層の表面Ag濃度の測定
上述のようにして各試料(チップ型電子部品)を作製するにあたって、上記[2]の(3)の工程で、樹脂電極層を形成した後、XPS(X線光電子分光装置)を用いて、樹脂電極層の表面Ag濃度(atom%)を測定した。
樹脂電極ペーストをりん青銅板上に100μm厚で形成した後、熱風乾燥オーブンを用いて、150℃/1hの条件で乾燥を行った後、200℃/1hの条件で加熱して樹脂電極ペーストを硬化させ、りん青銅板のそり量hを測定顕微鏡を用いて測定した。得られたそり量の値と、硬化後の樹脂電極ペーストの物性値から、硬化後の樹脂電極ペースト残留応力σを求めた。この残留応力σは、樹脂電極層の残留応力に相当するものである。
樹脂電極ペーストを構成する樹脂成分をアルミホイルカップに1.0〜1.1g秤取した後、熱風乾燥オーブンで200℃/1hの条件で加熱処理し、加熱前後における重量減少率を求めた。
上記[2]で作製した各試料(チップ型電子部品)を、無鉛はんだを用いてガラスエポキシ基板に実装した後、たわみ試験機を用いて、図2に示すように、チップ型電子部品の実装部の下側から、ガラスエポキシ基板にたわみ応力を加え、基板曲げ試験を実施した。
各試料の電気特性を評価するにあたっては、以下の方法で、各試料について等価直列抵抗を測定した。測定にあたっては、インピーダンスアナライザを用い、測定周波数1MHzの条件で等価直列抵抗を測定した。等価直列抵抗の値が100mΩ以下の試料を○(良)、100mΩを上回った試料を△(可)と判定した。これは、用途によっては、等価直列抵抗の値が100mΩを上回っても実用が可能な場合もあることによる。
上述のようにして調べた特性を表2に示す。
表2に示すように、樹脂電極表面の銀濃度が2〜8atom%の範囲にある試料番号1,2,5,6の試料は、基板曲げ試験時における外部電極の破壊が、樹脂電極層とめっき金属層の界面あるいはその近傍で生じており、セラミック素体にクラックの発生は認められなかった。これは、樹脂電極表面の銀濃度が2〜8atom%の範囲に制御されているため、セラミック素体と樹脂電極層の間の密着強度が、樹脂電極層とめっき金属層の間の密着強度よりも大きくなり、基板曲げ試験時における外部電極の破壊が、樹脂電極層とめっき金属層の界面(あるいはその近傍)で生じ、セラミック素体に対して、クラックを発生させるような大きな応力が加わらなかったことによるものである。
これは、樹脂電極層の表面Ag濃度が低く、めっき金属層を形成する際のめっき付き性も悪いため、等価直列抵抗の値が高くなったものと考えられる。
なお、樹脂電極層の表面Ag濃度が2atom%より低くなると、上述のように、等価直列抵抗の値が高くなるが、セラミック素子にクラックが発生するような致命的な欠陥ではなく、また、チップ型電子部品の用途によっては規格内となる場合もあることから、樹脂電極層の表面Ag濃度が2atom%を下回る場合においても本発明は意義はあるということができる。
さらに、セラミック素体の端面の内部電極の露出部分にめっきを施した後、該端面に樹脂電極層を形成し、その上にめっき金属層を形成するようにした構成の場合にも適用することが可能である。
例えば、図3に示すように、異なる極性の一対の外部電極1aまたは1bに接続された内部電極3aまたは3bの先端T1が、その内部電極3aまたは3bが接続されている外部電極1aまたは1bとは逆側の外部電極1aまたは1bの回り込み部分(折り返し部分)の先端T2の投影位置に達しないように短く形成する(すなわち、長さ方向のギャップGを大きくとる)。このような構成とすることにより、万が一セラミック素体10にクラックが発生した場合にも、致命的な不具合を回避することができる。なお、図3において図1と同一符号を付した部分は図1の各符号で示した部分と同一または相当する部分である。
例えば、図4に示すように、セラミック素体10の内部に、異なる極性の一対の外部電極1a,1bに接続された内部電極(接続内部電極)3a,3bと、外部電極1a,1bのいずれにも接続されていない内部電極(非接続内部電極)103が積層方向に交互に配設され、この非接続内部電極103を介して容量が取得されるように構成する(すなわち、等価回路で表わすとコンデンサが直列接続された構成とする)。このような構成とすることにより、万が一セラミック素体にクラックが発生した場合にも、致命的な不具合の発生を回避することができる。なお、図4において図1と同一符号を付した部分は図1の各符号で示した部分と同一または相当する部分である。
2 セラミック層
3a,3b 内部電極
10 セラミック素体
10a,10b セラミック素体の端面
11a,11b 厚膜電極層
12a,12b 樹脂電極層
13a,13b めっき金属層
14a,14b Niめっき金属層
15a,15b Snめっき金属層
20 チップ型電子部品(積層セラミックコンデンサ)
21 基板
X たわみ量
Claims (6)
- 内部電極を備えたセラミック素体と、前記内部電極の端面に、前記内部電極と導通するように配設された外部電極とを備えたチップ型電子部品であって、
前記外部電極は、
導電成分と樹脂成分とを含む樹脂電極層であって、少なくとも前記セラミック素体の端面を含む領域に形成され、直接または間接に前記内部電極と接続するとともに、前記セラミック素体と接合するように形成された樹脂電極層と、
前記樹脂電極層を被覆するように形成されためっき金属層と
を備えており、かつ、
前記セラミック素体と前記樹脂電極層の間の密着強度が、前記樹脂電極層と前記めっき金属層の間の密着強度よりも大きいこと
を特徴とするチップ型電子部品。 - 前記外部電極は、前記内部電極と導通するように前記セラミック素体の端面に形成された厚膜電極層を備えており、前記樹脂電極層は、前記厚膜電極層を被覆するとともに、前記厚膜電極層が形成されている領域よりも外側の領域で前記セラミック素体と接合するように形成されていることを特徴とする請求項1記載のチップ型電子部品。
- 前記樹脂電極層の表面Ag濃度が2〜8atom%であることを特徴とする請求項1または2記載のチップ型電子部品。
- 前記樹脂電極層を構成する樹脂成分として、カップリング剤が添加された樹脂成分が使用されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のチップ型電子部品。
- 前記樹脂電極層の残留応力が4.8MPa以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のチップ型電子部品。
- 前記樹脂電極層が、導電成分と、200℃で1時間加熱した際の重量減少率が4.8重量%以下の樹脂成分とを含む樹脂電極ペーストを塗布して硬化させたものであることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のチップ型電子部品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010128675A JP5246207B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | チップ型電子部品 |
EP11168045.0A EP2393089B1 (en) | 2010-06-04 | 2011-05-30 | Chip-type electronic component |
KR1020110052641A KR101245250B1 (ko) | 2010-06-04 | 2011-06-01 | 칩형 전자부품 |
US13/150,537 US8687345B2 (en) | 2010-06-04 | 2011-06-01 | Chip-type electronic component |
TW100119296A TWI517190B (zh) | 2010-06-04 | 2011-06-01 | 晶片型電子零件 |
CN2011101578405A CN102332350B (zh) | 2010-06-04 | 2011-06-02 | 片型电子部件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010128675A JP5246207B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | チップ型電子部品 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011254040A true JP2011254040A (ja) | 2011-12-15 |
JP5246207B2 JP5246207B2 (ja) | 2013-07-24 |
Family
ID=44352185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010128675A Active JP5246207B2 (ja) | 2010-06-04 | 2010-06-04 | チップ型電子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8687345B2 (ja) |
EP (1) | EP2393089B1 (ja) |
JP (1) | JP5246207B2 (ja) |
KR (1) | KR101245250B1 (ja) |
CN (1) | CN102332350B (ja) |
TW (1) | TWI517190B (ja) |
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-
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- 2011-05-30 EP EP11168045.0A patent/EP2393089B1/en active Active
- 2011-06-01 TW TW100119296A patent/TWI517190B/zh active
- 2011-06-01 US US13/150,537 patent/US8687345B2/en active Active
- 2011-06-01 KR KR1020110052641A patent/KR101245250B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110299221A1 (en) | 2011-12-08 |
CN102332350B (zh) | 2013-05-08 |
EP2393089B1 (en) | 2016-09-07 |
EP2393089A1 (en) | 2011-12-07 |
US8687345B2 (en) | 2014-04-01 |
KR20110133431A (ko) | 2011-12-12 |
CN102332350A (zh) | 2012-01-25 |
JP5246207B2 (ja) | 2013-07-24 |
KR101245250B1 (ko) | 2013-03-19 |
TW201222593A (en) | 2012-06-01 |
TWI517190B (zh) | 2016-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120424 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120731 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120821 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130312 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130325 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160419 Year of fee payment: 3 |