WO2019017237A1 - チップ抵抗器 - Google Patents

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孝彦 伊澤
一宏 神田
弘志 齋藤
森野　貴
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パナソニックＩｐマネジメント株式会社
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    • H01C17/283—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits

Definitions

  • the present disclosure relates to a small chip resistor used in various electronic devices.
  • a conventional chip resistor 10 of this type includes, as shown in FIG. 5, an insulating substrate 1, a pair of upper surface electrodes 2 provided at both ends of the upper surface of the insulating substrate 1, and both ends of the back surface of the insulating substrate 1. And a resistor 3 provided on the upper surface of the insulating substrate 1 and connected between the pair of upper surface electrodes 2. Then, a protective film 4 provided to cover at least the resistor 3, a pair of end face electrodes 5 provided on both end faces of the insulating substrate 1 so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes 2, and an upper surface A part of the electrode 2 and the plating layer 6 formed on the surface of the pair of end face electrodes 5 were provided.
  • the land 8 provided on the mounting substrate 7 and the plating layer 6 are connected via the mounting solder layer 9, and the chip resistor 10 is mounted on the mounting substrate 7.
  • Patent Document 1 As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
  • thermal stress is generated at the bonding portion between the mounting solder layer 9 and the chip resistor 10 by repeated energization of the chip resistor 10, and a crack is generated at this bonding portion. It could have occurred.
  • the present disclosure is intended to solve the above-described conventional problems, and it is an object of the present invention to provide a chip resistor capable of suppressing the occurrence of a crack in a joint portion between a mounting solder layer and a chip resistor. .
  • the chip resistor according to the present disclosure has the following configuration.
  • the chip resistor according to the first aspect includes the insulating substrate, the pair of upper surface electrodes, the resistor, the pair of end surface electrodes, the plating layer, and the insulating film.
  • the pair of top electrodes are provided at both ends of one surface of the insulating substrate.
  • the resistor is provided on one surface of the insulating substrate and provided between the pair of upper surface electrodes so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes.
  • the pair of end surface electrodes are provided on both end surfaces of the insulating substrate so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes.
  • the plating layer is formed on a part of the pair of upper surface electrodes and the surface of the pair of end surface electrodes.
  • the insulating film is made of resin and is provided on the other surface opposite to one surface of the insulating substrate.
  • a pair of back surface electrodes are provided at both ends of the other surface of the insulating substrate, and an insulating film is disposed between the insulating substrate and the pair of back surface electrodes.
  • the thickness of the insulating film is 3/10 or less of the thickness of the insulating substrate.
  • the thickness of the insulating film is 30 ⁇ m or more.
  • the length of the insulating film is set to 1/4 or more of the entire length of the insulating substrate.
  • an insulating film made of resin is provided on the other surface of the insulating substrate, and the thickness of the insulating film is 30 ⁇ m or more. Therefore, a flexible insulating film is disposed with a large thickness between the insulating substrate and the mounting solder layer. As a result, it is possible to relieve the thermal stress generated at the joint portion between the mounting solder layer and the chip resistor. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a crack in the bonding portion between the mounting solder layer and the chip resistor.
  • Cross-sectional view of a chip resistor according to an embodiment of the present disclosure Diagram showing the relationship between the thickness and stress of the insulating film of the same chip resistor The figure which shows the relation of the length and the stress in which the insulating film is not formed to the length of the insulating substrate of the same chip resistor. Another view of the main part of the same chip resistor Cross-sectional view of a conventional chip resistor
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a chip resistor according to an embodiment of the present disclosure.
  • the chip resistor 21 in one embodiment of the present disclosure is configured as shown in FIG. That is, the chip resistor 21 includes the insulating substrate 11, the pair of upper surface electrodes 12, the pair of back surface electrodes 12 a, the resistor 13, the protective film 14, the pair of end surface electrodes 15, the plating layer 16, and the insulation And a film 17.
  • the pair of upper surface electrodes 12 are provided at both ends of one surface (upper surface) of the insulating substrate 11.
  • the pair of back surface electrodes 12 a is provided at both end portions of the other surface (back surface) opposite to one surface of the insulating substrate 11.
  • the resistor 13 is provided on the upper surface of the insulating substrate 11 and connected between the pair of upper surface electrodes 12.
  • the protective film 14 is provided to cover at least the resistor 13.
  • the pair of end surface electrodes 15 is provided on both end surfaces of the insulating substrate 11 so as to be electrically connected to the pair of upper surface electrodes 12.
  • the plating layer 16 is formed on parts of the pair of upper surface electrodes 12 and the surfaces of the pair of end surface electrodes 15.
  • the insulating film 17 is made of resin and provided on the entire back surface of the insulating substrate 11.
  • the insulating substrate 11 is made of alumina containing 96% of Al 2 O 3 , and the shape is rectangular (rectangular in top view).
  • the pair of upper surface electrodes 12 are provided at both ends of the upper surface of the insulating substrate 11, and are formed by printing and baking a thick film material made of copper.
  • a re-upper electrode (not shown) may be provided on the upper surface of each of the pair of upper electrodes 12.
  • a pair of back surface electrodes 12 a may be formed on both ends of the back surface of the insulating substrate 11.
  • the resistor 13 is fired and then insulating copper nickel or insulating After forming a thin film conductor on a substantially entire surface of the substrate 11 using a thin film process such as sputtering, the thin film conductor is formed by removing an unnecessary portion of the thin film conductor using a photolithographic process.
  • the resistor 13 may be provided with a trimming groove (hereinafter not shown) for adjusting the resistance value, and the shape of the resistor 13 may be serpentine.
  • the protective film 14 is provided so as to cover a part of the pair of upper surface electrodes 12 and the resistor 13.
  • the pair of end face electrodes 15 is provided on both end faces of the insulating substrate 11 and printed with a material made of Ag and a resin so as to be electrically connected to the upper surfaces of the pair of upper surface electrodes 12 exposed from the protective film 14 It is formed by In addition, you may form by sputter
  • a plating layer 16 composed of a Ni plating layer and a Sn plating layer is formed. At this time, the plating layer 16 is in contact with the protective film 14. Note that a Cu plating layer may be provided under the Ni plating layer.
  • the insulating film 17 is made of resin and provided on the entire surface of the back surface of the insulating substrate 11 in the length direction.
  • the length direction refers to a direction (X direction) parallel to the direction in which the current flows between the pair of upper surface electrodes 12.
  • the insulating film 17 is formed by printing a resin on the lower surface (rear surface) opposite to the upper surface of the insulating substrate 11, and then drying and curing the resin.
  • the thickness of the insulating film 17 after curing is 30 ⁇ m to 80 ⁇ m.
  • any of an epoxy resin, a phenol resin, a silicon resin, and a polyimide resin can be used as a resin forming the insulating film 17.
  • the pair of back surface electrodes 12a When the pair of back surface electrodes 12a is formed, the pair of back surface electrodes 12a is formed on the lower surface of the insulating film 17, and at least a part of the insulating film 17 is located between the insulating substrate 11 and the pair of back surface electrodes 12a.
  • the chip resistor 21 is mounted on the mounting substrate 18 by connecting the land 19 provided on the mounting substrate 18 and the plating layer 16 via the mounting solder layer (solder fillet) 20 as shown in FIG. 1. Be done.
  • the mounting substrate 18 is made of glass epoxy, and the lands 19 are formed by plating the mounting substrate 18 with copper.
  • the mounting solder layer 20 is provided to connect the chip resistor to the land 19 of the mounting substrate 18, is made of a material such as tin, and further, a pair of plating layers located on both end surfaces and the lower surface of the insulating substrate 11. Connected to 16
  • FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the thickness of the insulating film 17 and the stress.
  • the stress is the result of measuring the thermal stress generated at the joint between the mounting solder layer 20 and the chip resistor 21 (in the vicinity of both ends of the back surface of the insulating substrate 11). The ratio when the case of no insulating film is 1 is shown.
  • the stress is 85% or less compared to the case where the insulating film 17 is not provided, and the bonding portion between the mounting solder layer 20 and the chip resistor 21 Can reduce the possibility of the occurrence of cracks.
  • the stress becomes almost constant at 80% or more. Therefore, the case where the stress is 85% or less is regarded as good.
  • the upper limit of the thickness of the insulating film 17 may be determined in consideration of the user's request for the overall thickness of the chip resistor 21 and workability, and is set to, for example, 80 ⁇ m, but the thickness of the insulating substrate 11 may be exceeded Absent.
  • the heat generated by the resistor 13 is difficult to be dissipated due to the presence of the insulating film 17.
  • the heat capacity is small and the heat is difficult to be dissipated.
  • the temperature becomes very high, and the thermal stress generated at the junction with the mounting solder layer 20 becomes large.
  • the thickness of the 0201 size chip resistor is about 100 ⁇ m, and it is considered that the thickness of the insulating substrate 11 will be 100 ⁇ m or less with the progress of miniaturization in the future.
  • the thickness of the insulating substrate 11 is 100 ⁇ m or less, the heat generated by the resistor 13 is not dissipated unless the thickness of the insulating film 17 is 30 ⁇ m or less, and the thermal stress increases and the rated power Can not maintain.
  • the thickness of the insulating film 17 needs to be 3/10 or less of the thickness of the insulating substrate 11.
  • FIG. 3 is a view showing the relationship between the length in which the insulating film 17 is not formed and the stress with respect to the length of the insulating substrate 11.
  • the stress represents the ratio when the case without the insulating film 17 is 1, and the thickness of the insulating film 17 is fixed at 30 ⁇ m, and the length of the insulating film 17 is changed.
  • FIG. 4 is a view as seen from the back surface (other surface) side, and the pair of back surface electrodes 12 a, the pair of end surface electrodes 15, and the plating layer 16 are omitted.
  • the length of the insulating film 17 is the same as the length of the insulating substrate 11, and when it is 100%, the length of the insulating film 17 is zero (the insulating film 17 is not formed). is there.
  • the length referred to here indicates the length in the direction (X direction) parallel to the direction in which the current flows between the pair of upper surface electrodes 12.
  • the length not covered by the insulating film 17 with respect to the length of the insulating substrate 11 is 3/4 or less, that is, the length of the insulating film 17 is 1/4 of the length of the insulating substrate 11. If it is made above, stress will be 85% or less.
  • this length may be zero% (the length of the insulating film 17 is the same as the length of the insulating substrate 11).
  • the insulating film 17 is preferably longer than the length of at least the pair of back electrodes 12a.
  • the insulating film 17 made of resin is provided on the back surface of the insulating substrate 11, and the thickness of the insulating film 17 is 30 ⁇ m or more. Therefore, the flexible insulating film 17 is disposed between the insulating substrate 11 and the mounting solder layer 20 with a large thickness. Thereby, the thermal stress generated at the joint portion between the mounting solder layer 20 and the chip resistor 21 can be relaxed. Therefore, an effect of suppressing generation of a crack in a bonding portion between the mounting solder layer and the chip resistor can be obtained.
  • the thickness of the insulating film 17 is 30 micrometers or more, the thermal stress which generate
  • the joint between the chip resistor 21 and the mounting solder layer 20 becomes strong, and the characteristics of the main body of the chip resistor 21 can be exhibited.
  • the chip resistor according to the present disclosure has the effect of being able to suppress the occurrence of cracks in the joint portion between the mounting solder layer and the chip resistor, and in particular, the small size used in various electronic devices. Is useful in chip resistors and the like.

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Abstract

実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができるチップ抵抗器を提供する。本開示のチップ抵抗器は、絶縁基板（１１）と、絶縁基板（１１）の一面の両端部に設けられた一対の上面電極（１２）と、絶縁基板（１１）の一面に設けられ、かつ一対の上面電極（１２）間に接続された抵抗体（１３）と、を備える。そして、一対の上面電極（１２）と電気的に接続されるように絶縁基板（１１）の両端面に設けられた一対の端面電極（１５）と、一対の上面電極（１２）の一部と一対の端面電極（１５）の表面に形成されためっき層（１６）とを備える。絶縁基板（１１）の一面と対向する他面に樹脂で構成された絶縁膜（１７）が設けられる。ここで、絶縁膜（１７）の厚みを３０μｍ以上としている。

Description

チップ抵抗器
　本開示は、各種電子機器に使用される小型のチップ抵抗器に関する。
　従来のこの種のチップ抵抗器１０は、図５に示すように、絶縁基板１と、この絶縁基板１の上面の両端部に設けられた一対の上面電極２と、絶縁基板１の裏面の両端部に設けられた一対の裏面電極２ａと、絶縁基板１の上面に設けられ、かつ一対の上面電極２間に接続された抵抗体３とを備えていた。そして、少なくとも抵抗体３を覆うように設けられた保護膜４と、一対の上面電極２と電気的に接続されるように絶縁基板１の両端面に設けられた一対の端面電極５と、上面電極２の一部と一対の端面電極５の表面に形成されためっき層６とを備えていた。
　また、実装基板７に設けられたランド８とめっき層６とを実装用はんだ層９を介して接続し、チップ抵抗器１０を実装基板７に実装していた。
　なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
特開２０１３－１７５５２３号公報
　上記した従来のチップ抵抗器においては、チップ抵抗器１０への通電が繰り返されることにより、実装用はんだ層９とチップ抵抗器１０との接合部分に熱応力が発生し、この接合部にクラックが生じる可能性があった。
　すなわち、絶縁基板１の熱膨張率と実装基板７の熱膨張率とが大きく異なるため、温度変化による応力が実装用はんだ層９に集中して、実装用はんだ層９とチップ抵抗器１０との接合部分に熱応力が発生しやすくなる。
　そして、接合部分にクラックが発生すると、チップ抵抗器１０と実装用はんだ層９との接合が十分でなくなり、チップ抵抗器の本体の特性を得られなくなる可能性があった。
　本開示は上記従来の課題を解決するもので、実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができるチップ抵抗器を提供することを目的とするものである。
　本開示にかかるチップ抵抗器は、以下の構成を有する。
　すなわち、第１の態様に係るチップ抵抗器は、絶縁基板と、一対の上面電極と、抵抗体と、一対の端面電極と、めっき層と、絶縁膜と、を備える。一対の上面電極は、絶縁基板の一面の両端部に設けられている。抵抗体は、絶縁基板の一面に設けられ、かつ一対の上面電極と電気的に接続されるように一対の上面電極間に設けられている。一対の端面電極は、一対の上面電極と電気的に接続されるように絶縁基板の両端面に設けられている。めっき層は、一対の上面電極の一部と一対の端面電極の表面に形成されている。絶縁膜は樹脂で構成され、絶縁基板の一面と対向する他面に設けられている。
　第２の態様に係るチップ抵抗器は、第１の態様において、絶縁基板の他面の両端部に一対の裏面電極を設け、絶縁基板と一対の裏面電極との間に絶縁膜を配置している。
　第３の態様に係るチップ抵抗器は、第１の態様において、絶縁膜の厚みを絶縁基板の厚みの３／１０以下としている。
　第４の態様に係るチップ抵抗器は、第１の態様において、絶縁膜の厚みを３０μｍ以上としている。
　第５の態様に係るチップ抵抗器は、第１の態様において、絶縁基板の全体の長さに対して、絶縁膜の長さをその１／４以上としている。
　本開示のチップ抵抗器は、絶縁基板の他面に樹脂で構成された絶縁膜を設け、絶縁膜の厚みを３０μｍ以上としている。そのため、柔軟性がある絶縁膜が絶縁基板と実装用はんだ層間に厚い厚みで配置される。これにより、実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分で発生する熱応力を緩和させることができる。そのため、実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができる。
本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図 同チップ抵抗器の絶縁膜の厚みと応力との関係を示す図 同チップ抵抗器の絶縁基板の長さに対する絶縁膜が形成されていない長さと応力との関係を示す図 同チップ抵抗器の主要部の他面図 従来のチップ抵抗器の断面図
　以下、本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器について、図面を参照しながら説明する。
　図１は本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器の断面図である。
　本開示の一実施の形態におけるチップ抵抗器２１は、図１に示すような構成としている。すなわち、チップ抵抗器２１は、絶縁基板１１と、一対の上面電極１２と、一対の裏面電極１２ａと、抵抗体１３と、保護膜１４と、一対の端面電極１５と、めっき層１６と、絶縁膜１７とを備えた構成としている。一対の上面電極１２は、絶縁基板１１の一面（上面）の両端部に設けられている。一対の裏面電極１２ａは、絶縁基板１１の一面と対向する他面（裏面）の両端部に設けられている。抵抗体１３は、絶縁基板１１の上面に設けられ、かつ一対の上面電極１２間に接続されている。保護膜１４は、少なくとも抵抗体１３を覆うように設けられている。一対の端面電極１５は、一対の上面電極１２と電気的に接続されるように絶縁基板１１の両端面に設けられている。めっき層１６は、一対の上面電極１２の一部と一対の端面電極１５の表面に形成されている。絶縁膜１７は、樹脂で構成され、絶縁基板１１の裏面全面に設けられている。
　上記構成において、絶縁基板１１は、Ａｌ2Ｏ3を９６％含有するアルミナで構成され、その形状は矩形状（上面視にて長方形）となっている。
　また、一対の上面電極１２は、絶縁基板１１上面の両端部に設けられ、銅からなる厚膜材料を印刷、焼成することによって形成されている。なお、一対の上面電極１２のそれぞれ上面に再上面電極（図示せず）を設けてもよい。また、図１に示すように、絶縁基板１１の裏面の両端部に一対の裏面電極１２ａを形成してもよい。
　さらに、抵抗体１３は、絶縁基板１１の上面において、一対の上面電極１２間に、銅ニッケル、銀パラジウム、または酸化ルテニウムからなる厚膜材料を印刷した後、焼成する、あるいは、銅ニッケルを絶縁基板１１のほぼ全面にスパッタリング等の薄膜プロセスを用いて薄膜導体を形成した後、フォトリソプロセスを用いて薄膜導体の不要部分を除去することによって形成されている。
　なお、抵抗体１３に抵抗値調整用のトリミング溝（以下、図示せず）を設けてもよく、抵抗体１３の形状を蛇行状としてもよい。
　そして、保護膜１４は、一対の上面電極１２の一部と抵抗体１３を覆うように設けられている。
　また、一対の端面電極１５は、絶縁基板１１の両端面に設けられ、保護膜１４から露出した一対の上面電極１２の上面と電気的に接続されるように、Ａｇと樹脂からなる材料を印刷することによって形成される。なお、金属材料をスパッタすることにより形成してもよい。また、一対の裏面電極１２ａを形成する場合、一対の端面電極１５は一対の裏面電極１２ａに接続される。
　さらに、この一対の端面電極１５の表面には、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層からなるめっき層１６が形成されている。このとき、めっき層１６は保護膜１４と接している。なお、Ｎｉめっき層の下層にＣｕめっき層があってもよい。
　さらにまた、絶縁膜１７は、樹脂で構成され、絶縁基板１１の裏面の長さ方向の全面に設けられている。ここで、長さ方向とは、一対の上面電極１２間の電流が流れる方向と平行する方向（Ｘ方向）をいう。
　この絶縁膜１７は、樹脂を絶縁基板１１の上面に対向する下面（裏面）に印刷した後、乾燥・硬化させて形成する。硬化後の絶縁膜１７の厚みは３０μｍ～８０μｍである。
　絶縁膜１７を構成する樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、ポリイミド樹脂のいずれかを使用できる。
　一対の裏面電極１２ａを形成する場合は、一対の裏面電極１２ａは絶縁膜１７の下面に形成し、絶縁膜１７の少なくとも一部は絶縁基板１１と一対の裏面電極１２ａとの間に位置する。
　次に、上記チップ抵抗器２１の実装構造について説明する。
　チップ抵抗器２１は、図１に示すように、実装基板１８に設けられたランド１９とめっき層１６とを実装用はんだ層（はんだフィレット）２０を介して接続することによって、実装基板１８に実装される。
　実装基板１８は、ガラスエポキシで構成され、ランド１９は実装基板１８に銅をめっきして形成される。実装用はんだ層２０は、チップ抵抗器を実装基板１８のランド１９に接続させるために設けられ、錫などの材料で構成され、さらに、絶縁基板１１の両端面および下面に位置する一対のめっき層１６に接続される。
　ここで、図２に、絶縁膜１７の厚みと応力との関係を示す図を示す。
　なお、応力は、実装用はんだ層２０とチップ抵抗器２１との接合部分（絶縁基板１１の裏面両端部近傍）で発生する熱応力を測定した結果であり、絶縁膜１７の膜厚がゼロ（絶縁膜が無い）の場合を１としたときの割合を表す。
　図２から明らかなように、絶縁膜１７の厚みを３０μｍ以上とすると、絶縁膜１７が無い場合と比べて、応力が８５％以下となり、実装用はんだ層２０とチップ抵抗器２１との接合部分で発生するクラックが発生する可能性を低減できる。
　図２からも分かるように、絶縁膜１７の厚みを３０μｍ以上にすると応力が８０％強でほとんど一定になるため、応力が８５％以下の場合を良判定とした。
　絶縁膜１７の厚みの上限は、ユーザからのチップ抵抗器２１全体の厚みの要望や、作業性を考慮して決定すればよく、例えば８０μｍとされるが、絶縁基板１１の厚みを超えることはない。
　ここで、絶縁膜１７の存在によって、抵抗体１３で発生した熱が放熱されにくくなっているが、特に、絶縁基板１１の厚みが薄いと熱容量が小さくて放熱されにくく、チップ抵抗器２１全体の温度が非常に高くなり、実装用はんだ層２０との接合部分で発生する熱応力が大きくなってしまう。
　なお、一般に０２０１サイズのチップ抵抗器の厚みが１００μｍ程度であり、今後の小型化の進展にともない、絶縁基板１１の厚みが１００μｍ以下となると考えられる。そして、絶縁基板１１の厚みが１００μｍ以下の場合は、絶縁膜１７の厚みを３０μｍ以下の薄さにしなければ、抵抗体１３で発生した熱が放熱されず、熱応力が大きくなり、かつ定格電力を維持することはできない。
　すなわち、絶縁膜１７の厚みを絶縁基板１１の厚みの３／１０以下とする必要がある。
　図３は、絶縁基板１１の長さに対する絶縁膜１７が形成されていない長さと応力との関係を示す図である。
　なお、応力は図２と同様に、絶縁膜１７が無い場合を１としたときの割合を表し、絶縁膜１７の厚みを３０μｍで固定し、絶縁膜１７の長さを変化させた。
　このとき、図４に示すように、絶縁基板１１の裏面両端部に位置する部分を必ず残し、中央部分の絶縁膜１７から徐々に削除するようにして絶縁膜１７の長さを変化させて応力を測定した。図４は、裏面（他面）側から見た図で、一対の裏面電極１２ａ、一対の端面電極１５、めっき層１６を省略している。
　また、横軸がゼロ％の場合は絶縁膜１７の長さが絶縁基板１１の長さと同じで、１００％の場合は絶縁膜１７の長さがゼロ（絶縁膜１７が形成されていない）である。ここで言う長さは、一対の上面電極１２間の電流が流れる方向と平行する方向（Ｘ方向）における長さを示す。
　図３から明らかなように、絶縁基板１１の長さに対する絶縁膜１７で覆われていない長さを３／４以下、すなわち、絶縁膜１７の長さが絶縁基板１１の長さの１／４以上とすれば応力が８５％以下となる。
　なお、この長さがゼロ％（絶縁膜１７の長さが絶縁基板１１の長さと同じ）になるようにしてもよい。また、絶縁膜１７は少なくとも一対の裏面電極１２ａの長さより長くするのが好ましい。
　上記したように本開示の一実施の形態においては、絶縁基板１１の裏面に樹脂で構成された絶縁膜１７を設け、さらに絶縁膜１７の厚みを３０μｍ以上としている。そのため、柔軟性がある絶縁膜１７が絶縁基板１１と実装用はんだ層２０間に厚い厚みで配置される。これにより、実装用はんだ層２０とチップ抵抗器２１との接合部分で発生する熱応力を緩和させることができる。そのため、実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができるという効果が得られる。
　すなわち、チップ抵抗器２１への通電が繰り返されても、絶縁基板１１の熱膨張率と実装基板１８の熱膨張率との違いによる実装用はんだ層２０に集中する温度変化による応力が、絶縁基板１１の裏面と実装用はんだ層２０の間にある柔軟性のある樹脂で構成された絶縁膜１７によって緩和される。
　そして、絶縁膜１７の厚みを３０μｍ以上としているため、実装用はんだ層２０とチップ抵抗器２１との接合部分に発生する熱応力をより効果的に低減できる。絶縁膜１７を形成するだけでなく、その厚みを規定することによって実装用はんだ層２０とチップ抵抗器２１との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができる。
　さらに、接合部分のクラックの発生を抑制できることから、チップ抵抗器２１と実装用はんだ層２０との接合が強固となり、チップ抵抗器２１の本体の特性を発揮できる。
　本開示に係るチップ抵抗器は、実装用はんだ層とチップ抵抗器との接合部分にクラックが生じるのを抑制することができるという効果を有するものであり、特に、各種電子機器に使用される小型のチップ抵抗器等において有用となるものである。
　１１　絶縁基板
　１２　一対の上面電極
　１３　抵抗体
　１５　一対の端面電極
　１６　めっき層
　１７　絶縁膜

Claims (5)

  1. 　絶縁基板と、
    　前記絶縁基板の一面の両端部に設けられた一対の上面電極と、
    　前記絶縁基板の一面に設けられ、かつ前記一対の上面電極と電気的に接続されるように一対の上面電極間に設けられた抵抗体と、
    　前記一対の上面電極と電気的に接続されるように前記絶縁基板の両端面に設けられた一対の端面電極と、
    　前記一対の上面電極の一部と前記一対の端面電極の表面に形成されためっき層とを備え、
    　前記絶縁基板の前記一面と対向する他面に樹脂で構成された絶縁膜を設けたチップ抵抗器。
  2. 　前記絶縁基板の前記他面の両端部に一対の裏面電極を設け、
    　前記絶縁基板と前記一対の裏面電極との間に前記絶縁膜を配置した請求項１に記載のチップ抵抗器。
  3. 　前記絶縁膜の厚みを前記絶縁基板の厚みの３／１０以下とした請求項１に記載のチップ抵抗器。
  4. 　前記絶縁膜の厚みを３０μｍ以上とした請求項１に記載のチップ抵抗器。
  5. 　前記絶縁基板の全体の長さに対して、前記絶縁膜の長さをその１／４以上とした請求項１に記載のチップ抵抗器。
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