JP2022012055A

JP2022012055A - 抵抗器

Info

Publication number: JP2022012055A
Application number: JP2020113588A
Authority: JP
Inventors: 瑛人後藤; Akito Goto; 光明中尾; Mitsuaki Nakao
Original assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Current assignee: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date: 2020-06-30
Filing date: 2020-06-30
Publication date: 2022-01-17

Abstract

【課題】信頼性の低下を抑制する。【解決手段】抵抗器１は、基板１１と、抵抗体１２と、ガラス保護膜１４と、樹脂保護膜１５と、絶縁保護膜１６と、を備える。抵抗体１２は、基板１１の上面１１１上に形成されている。ガラス保護膜１４は、抵抗体１２の少なくとも一部を覆う。樹脂保護膜１５は、ガラス保護膜１４の少なくとも一部を覆う。絶縁保護膜１６は、電気絶縁性を有し、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に介在する。【選択図】図１

Description

本開示は、一般に抵抗器に関し、より詳細には、保護膜を備える抵抗器に関する。

特許文献１には、金属薄膜抵抗体を用いたチップ抵抗器が記載されている。特許文献１に記載のチップ抵抗器は、基板と、基板上に形成された抵抗体と、抵抗体と接続された一対の電極と、少なくとも一対の電極間における抵抗体を覆う保護膜（ガラス保護膜）と、一対の電極間を覆うオーバーコート膜（樹脂保護膜）と、を備える。保護膜は、窒化シリコンからなる第１の保護膜と、酸化シリコンからなる第２の保護膜と、を含む。オーバーコート膜は、樹脂製の保護膜である。

特開２０１７－１３５２３４号公報

特許文献１に記載のような抵抗器では、信頼性が低下する可能性があった。

本開示の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な抵抗器を提供することにある。

本開示の一態様に係る抵抗器は、基板と、抵抗体と、ガラス保護膜と、樹脂保護膜と、絶縁保護膜と、を備える。前記抵抗体は、前記基板の一面上に形成されている。前記ガラス保護膜は、前記抵抗体の少なくとも一部を覆う。前記樹脂保護膜は、前記ガラス保護膜の少なくとも一部を覆う。前記絶縁保護膜は、電気絶縁性を有し、前記ガラス保護膜と前記樹脂保護膜との間に介在する。

本開示によれば、信頼性の低下を抑制することが可能となる。

図１は、実施形態に係る抵抗器の断面図である。図２Ａは、同上の抵抗器を構成する基板を含む第１基板の模式図である。図２Ｂは、同上の抵抗器を構成する基板を含む第２基板の模式図である。図２Ｃは、同上の抵抗器を構成する第３基板の模式図である。図３は、同上の抵抗器の製造方法を示すフローチャートである。図４Ａ～図４Ｈは、同上の抵抗器の製造方法を示す模式図である。

以下、実施形態に係る抵抗器について、図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する実施形態及び変形例は、本開示の一例に過ぎず、本開示は、下記の実施形態及び変形例に限定されない。下記の実施形態及び変形例以外であっても、本開示の技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。

以下では、図１に示す向きにおいて、「上」、「下」、「左」、「右」の各方向を規定する。すなわち、実施形態に係る抵抗器１では、基板１１の厚さ方向Ｄ１が上下方向であり、基板１１の上面１１１上に形成されている一対の上面電極１３が並ぶ方向が左右方向である。ただし、これらの方向は抵抗器１の使用方向を規定する趣旨ではない。また、図面中の各方向を示す矢印は説明のために表記しているに過ぎず、実体を伴わない。

また、図１、図２Ａ～図２Ｃ、図４Ａ～図４Ｈは、いずれも模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。

（実施形態）
実施形態に係る抵抗器１について、図１～図４を参照して説明する。

（１）抵抗器の概要
まず、本実施形態に係る抵抗器１の概要について、図１を参照して説明する。

本実施形態に係る抵抗器１は、例えば、表面実装機（マウンタ）を用いて、プリント基板の表面（実装面）に実装される表面実装（ＳＭＴ：Surface Mount Technology）用のチップ抵抗器である。本実施形態では一例として、抵抗器１は薄膜チップ抵抗器である。

本実施形態に係る抵抗器１は、図１に示すように、基板１１と、抵抗体１２と、ガラス保護膜１４と、樹脂保護膜１５と、絶縁保護膜１６と、を備える。抵抗体１２は、基板１１の上面（一面）１１１上に形成されている。ガラス保護膜１４は、抵抗体１２の少なくとも一部を覆う。樹脂保護膜１５は、ガラス保護膜１４の少なくとも一部を覆う。絶縁保護膜１６は、電気絶縁性を有し、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に介在する。

本実施形態に係る抵抗器１では、上述したように、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に、電気絶縁性を有する絶縁保護膜１６を介在させている。そのため、例えば、高温環境下で使用される場合でも、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との密着性の低下を抑制することが可能となる。したがって、本実施形態に係る抵抗器１によれば、抵抗器１の信頼性の低下を抑制することが可能となる。

（２）抵抗器の構成
次に、本実施形態に係る抵抗器１の構成について、図１を参照して説明する。

本実施形態に係る抵抗器１は、図１に示すように、基板１１と、抵抗体１２と、ガラス保護膜１４と、樹脂保護膜１５と、絶縁保護膜１６と、を備える。また、本実施形態に係る抵抗器１は、一対の上面電極１３と、一対の下面電極（裏面電極）１８と、一対の第１めっき層１９と、一対の第２めっき層２０と、を更に備える。

（２．１）基板
基板（絶縁基板）１１は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３（アルミナ）を含有するアルミナ基板である。基板１１は、基板１１の厚さ方向Ｄ１（上下方向）から見た形状が左右方向に長い矩形状である。基板１１は、上面（一面）１１１、下面１１２及び側面１１３を有する。上面１１１及び下面１１２は、基板１１の厚さ方向Ｄ１（上下方向）において互いに対向している。側面１１３は、上面１１１及び下面１１２と交差（直交）している。すなわち、側面１１３は、基板１１の厚さ方向Ｄ１に沿っている。

（２．２）抵抗体
抵抗体１２は、例えば、ガラス－ルテニウム系ペーストからなり、基板１１の上面１１１における中央部に形成されている。すなわち、抵抗体１２は、基板１１の上面１１１上に形成されている。抵抗体１２は、例えば、スクリーン印刷によって基板１１の上面１１１に形成（成膜）される。本実施形態では、抵抗体１２は、上下方向から見た形状が矩形状であるが、抵抗値に合わせて任意の形状が可能である。抵抗体１２の抵抗値は、例えば、レーザートリミングによって所望の抵抗値に調整することが可能である。

（２．３）上面電極
一対の上面電極１３は、例えば、Ａｇ系合金からなり、基板１１の上面１１１における左右方向の両端部に形成されている。すなわち、一対の上面電極１３は、基板１１の上面１１１上に形成されている。一対の上面電極１３は、例えば、スクリーン印刷によって基板１１の上面１１１に形成（成膜）される。本実施形態では、一対の上面電極１３の各々は、上下方向から見た形状が矩形状であるが、例えば、円形状、三角形状等であってもよい。

（２．４）ガラス保護膜
ガラス保護膜１４は、抵抗体１２を保護するための膜である。ガラス保護膜１４は、抵抗体１２の少なくとも一部を覆う。本実施形態では、ガラス保護膜１４は、抵抗体１２の全域（全体）を覆っている。ガラス保護膜１４は、例えば、酸化鉛ガラスからなる。ガラス保護膜１４は、例えば、スクリーン印刷によって抵抗体１２の全域を覆うように形成（成膜）される。本実施形態では、ガラス保護膜１４は、上下方向から見た形状が矩形状であるが、抵抗体１２の形状に合わせて任意の形状が可能である。なお、ガラス保護膜１４は、酸化鉛ガラスに限らず、例えば、ケイ酸化ガラスであってもよい。

（２．５）樹脂保護膜
樹脂保護膜１５は、例えば、エポキシ樹脂からなり、ガラス保護膜１４の少なくとも一部を覆うように形成されている。本実施形態では、樹脂保護膜１５は、ガラス保護膜１４の全域（全体）を覆っている。樹脂保護膜１５は、例えば、スクリーン印刷にてエポキシ樹脂を塗布した後、エポキシ樹脂を熱硬化させることにより形成（成膜）される。本実施形態では、樹脂保護膜１５は、上下方向から見た形状が左右方向に長い矩形状であるが、抵抗体１２及び一対の上面電極１３の形状に合わせて任意の形状が可能である。

（２．６）絶縁保護膜
絶縁保護膜１６は、例えば、Ａｌ_２Ｏ_３を含む。すなわち、絶縁保護膜１６は、無機材料を含む。無機材料は、アルミ酸化物を主成分とする材料である。要するに、絶縁保護膜１６は、電気絶縁性を有する。絶縁保護膜１６は、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に介在する。本実施形態では、絶縁保護膜１６は、ガラス保護膜１４及び樹脂保護膜１５のいずれよりも薄い。そして、絶縁保護膜１６は、図１に示すように、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５とを全域に亘って分離している。

本実施形態では、絶縁保護膜１６は、スパッタ膜である。ここでいう「スパッタ膜」とは、スパッタリングによって形成される膜をいう。すなわち、絶縁保護膜１６は、スパッタリングによって、ガラス保護膜１４の全域（全体）を覆うように形成（成膜）される。このように、絶縁保護膜１６がスパッタ膜であれば、加熱処理が不要であるため、抵抗器１の電気特性に影響を及ぼしにくいという利点がある。

（２．７）下面電極
一対の下面電極（裏面電極）１８は、例えば、Ａｇ系材料からなる。一対の下面電極１８は、基板１１の下面１１２における左右方向の両端部に形成されている。一対の下面電極１８は、例えば、スクリーン印刷にて形成（成膜）される。一対の下面電極１８は、一対の上面電極１３と一対一に対応している。

（２．８）端面電極
一対の端面電極１７は、例えば、ＣｕＮｉからなり、基板１１の左右方向の両側面１１３に形成されている。一対の端面電極１７の各々は、例えば、スパッタ膜である。すなわち、一対の端面電極１７は、スパッタリングによって基板１１の左右方向の両側面１１３に形成（成膜）される。一対の端面電極１７の各々は、一対の上面電極１３のうち対応する上面電極１３と、一対の下面電極１８のうち対応する下面電極１８と、を電気的に接続する。なお、端面電極１７の材料は、ＣｕＮｉに限らず、Ｃｕ系合金であれば他の化合物であってもよい。

本実施形態では、一対の端面電極１７の各々は、基板１１の側面１１３だけでなく、一対の上面電極１３のうち対応する上面電極１３の側面、及び一対の下面電極１８のうち対応する下面電極１８の側面を覆っている。

（２．９）第１めっき層
一対の第１めっき層１９は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）めっきからなる。一対の第１めっき層１９は、基板１１の左右方向の両端部において、一対の端面電極１７を覆っている。また、一対の第１めっき層１９は、更に、一対の上面電極１３のうち対応する上面電極１３の上面の一部、並びに、一対の下面電極１８のうち対応する下面電極１８の下面及び右側面を覆っている。さらに、一対の第１めっき層１９は、樹脂保護膜１５の表面に接触している。

ここで、本実施形態では、上述したように、一対の端面電極１７の各々はスパッタ膜である。したがって、樹脂保護膜１５と第１めっき層１９との密着性を向上させることが可能となる。

（２．１０）第２めっき層
一対の第２めっき層２０は、例えば、スズ（Ｓｎ）めっきからなる。一対の第２めっき層２０は、基板１１の左右方向の両端部において、一対の第１めっき層１９を覆っている。また、一対の第２めっき層２０は、樹脂保護膜１５の表面に接触している。すなわち、本実施形態に係る抵抗器１では、一対の上面電極１３の各々の一部分が樹脂保護膜１５で覆われていると共に、一対の上面電極１３の各々の残りの部分が第１めっき層１９及び第２めっき層２０で覆われている。

（３）抵抗器の製造方法
次に、本実施形態に係る抵抗器１の製造方法について、図２～図４を参照して説明する。

本実施形態に係る抵抗器１の製造方法は、図３に示すように、第１工程Ｐ１と、第２工程Ｐ２と、第３工程Ｐ３と、を含む。第１工程Ｐ１は、シート状の第１基板１００（図２Ａ参照）に対してＳ１～Ｓ８の処理を実行する工程である。第２工程Ｐ２は、シート状の第１基板１００から分割された短冊状の第２基板２００（図２Ｂ参照）に対してＳ９，Ｓ１０の処理を実行する工程である。第３工程Ｐ３は、短冊状の第２基板２００から分割された個片の第３基板３００（図２Ｃ参照）に対してＳ１１，Ｓ１２の処理を実行する工程である。以下、第１工程Ｐ１、第２工程Ｐ２、及び第３工程Ｐ３の各々について説明する。本実施形態では、個片の第３基板３００が、上述した基板１１である。

なお、図４Ａ～図４Ｆでは、第３基板３００としての基板１１に分割された状態で図示しているが、実際には、図２Ａに示す状態で各処理が実行される。また、図４Ｇでは、第３基板３００としての基板１１に分割された状態で図示しているが、実際には、図２Ｂに示す状態で各処理が実行される。

（３．１）第１工程
まず、第１基板１００の下面（裏面）１０２に下面電極（裏面電極）１８を形成する（図３のＳ１）。第１基板１００は、図２Ａに示すように、複数個の第３基板３００がマトリクス状に配置された大きさの基板である。第１基板１００は、基板１１と同様、アルミナ基板である。処理Ｓ１では、第１基板１００の下面１０２に対してスクリーン印刷にてＡｇ系材料ペーストを塗布した後、焼成することにより、第１基板１００の下面１０２に下面電極１８が形成される。

次に、第１基板１００の上面１０１に上面電極１３を形成する（図３のＳ２）。処理Ｓ２では、第１基板１００の上面１０１に対してスクリーン印刷にてＡｇ系合金のペーストを塗布した後、焼成することにより、第１基板１００の上面１０１に上面電極１３が形成される（図４Ａ参照）。

次に、第１基板１００の上面１０１に抵抗体１２を形成する（図３のＳ３）。処理Ｓ３では、第１基板１００の上面１０１に対してガラス－ルテニウム系ペーストを塗布した後、焼成することにより、第１基板１００の上面１０１に抵抗体１２が形成される（図４Ｂ参照）。

次に、抵抗体１２上にガラス保護膜１４を形成する（図３のＳ４）。処理Ｓ４では、抵抗体１２を覆うように、スクリーン印刷にて酸化鉛ガラスのペーストを塗布した後、焼成することにより、抵抗体１２上にガラス保護膜１４が形成される（図４Ｃ参照）。

次に、ガラス保護膜１４上に絶縁保護膜１６を形成する（図３のＳ５）。処理Ｓ５では、ガラス保護膜１４に対してスパッタリングを行うことにより、ガラス保護膜１４上に絶縁保護膜１６が形成される（図４Ｄ参照）。このとき、例えば、ガラス保護膜１４以外の領域をメタルマスクにてマスキングし、ガラス保護膜１４上のみに絶縁保護膜１６が形成されるようにスパッタリングを行う。

次に、抵抗体１２の抵抗値を調整する（図３のＳ６）。処理Ｓ６では、例えば、レーザートリミングにて抵抗体１２の一部にトリミング溝１２１を形成する（図４Ｅ参照）。このトリミング溝１２１の大きさを変えることにより、抵抗体１２の抵抗値を調整することが可能となる。

次に、絶縁保護膜１６上に樹脂保護膜１５を形成する（図３のＳ７）。処理Ｓ７では、絶縁保護膜１６を覆うように、スクリーン印刷にてエポキシ樹脂を塗布した後、例えば、２２０℃程度でエポキシ樹脂を熱硬化させることにより、絶縁保護膜１６上に樹脂保護膜１５が形成される（図４Ｆ参照）。

上述の処理Ｓ１～Ｓ７を実行した後、第１工程Ｐ１では、第１基板１００を複数の第２基板２００に分割する（図３のＳ８）。第２基板２００は、図２Ｂに示すように、複数個の第３基板３００が一方向（図２Ｂの左右方向）に配置された大きさの基板である。処理Ｓ８においては、ダイシングにて第１基板１００を複数の第２基板２００に分割してもよいし、第１基板１００にスリットを設けてこのスリットに沿って複数の第２基板２００に分割してもよい。

（３．２）第２工程
まず、第２基板２００の両端面２０１に一対の端面電極１７を形成する（図３のＳ９）。処理Ｓ９では、第２基板２００の端面２０１に対してスパッタリングを行うことにより、第２基板２００の端面２０１に端面電極１７が形成される（図４Ｇ参照）。

上述の処理Ｓ９を実行した後、第２工程Ｐ２では、第２基板２００を複数の第３基板３００に分割する（図３のＳ１０）。第３基板３００は、上述したように、基板１１である。この場合においても、ダイシングにて第２基板２００を複数の第３基板３００に分割してもよいし、第２基板２００にスリットを設けてこのスリットに沿って複数の第３基板３００に分割してもよい。

（３．３）第３工程
まず、第３基板３００の各端面３０１に形成されている端面電極１７上に第１めっき層１９を形成する（図３のＳ１１）。第１めっき層１９は、上述したように、ニッケルめっきを含む。処理１１では、第３基板３００の端面３０１に形成されている端面電極１７に対してニッケルめっきを塗布することにより、端面電極１７上に第１めっき層１９が形成される（図４Ｈ参照）。

次に、第１めっき層１９上に第２めっき層２０を形成する（図３のＳ１２）。第２めっき層２０は、上述したように、スズめっきを含む。処理１２では、第１めっき層１９に対してスズめっきを塗布することにより、第１めっき層１９上に第２めっき層２０が形成される。

（４）抵抗器の特性
次に、本実施形態に係る抵抗器１の特性について説明する。

本実施形態に係る抵抗器１では、上述したように、ガラス保護膜１４は酸化鉛ガラスからなり、ガラス保護膜１４の熱膨張率は、例えば、７．２×１０^－６／℃である。また、樹脂保護膜１５は、上述したように、エポキシ樹脂からなり、樹脂保護膜１５の熱膨張率は、例えば、２１×１０^－６／℃である。さらに、絶縁保護膜１６は、上述したように、Ａｌ_２Ｏ_３を含み、絶縁保護膜１６の熱膨張率は、例えば、７．６×１０^－６／℃である。すなわち、絶縁保護膜１６は、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間の熱膨張率を有する。

上述した従来のチップ抵抗器のように、ガラス保護膜１４に相当する保護膜と樹脂保護膜１５に相当するオーバーコート膜とが直接的に接触している場合、両者の熱膨張率の差が大きいことから、熱衝撃の大きい環境下では、保護膜とオーバーコート膜とが剥離する可能性がある。これにより、チップ抵抗器の電気特性に影響を及ぼす可能性があるため、チップ抵抗器の信頼性が低下する可能性がある。

これに対して、本実施形態に係る抵抗器１では、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に絶縁保護膜１６を介在させている。さらに、本実施形態に係る抵抗器１では、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５とを全域に亘って分離させている。そのため、従来のチップ抵抗器のように、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との間に絶縁保護膜１６を介在させない場合に比べて、ガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５との剥離を低減することが可能となる。その結果、抵抗器１の電気特性に影響を及ぼす可能性を低減することが可能となり、抵抗器１の信頼性の低下を抑制することが可能となる。

ここで、本実施形態では、絶縁保護膜１６の熱膨張率が、ガラス保護膜１４の熱膨張率に近い値であるが、絶縁保護膜１６の熱膨張率は、ガラス保護膜１４の熱膨張率と樹脂保護膜１５の熱膨張率との間の値であればよい。したがって、絶縁保護膜１６の熱膨張率は、ガラス保護膜１４の熱膨張率と樹脂保護膜１５の熱膨張率との中間の値（例えば、１４×１０^－６／℃程度）であってもよいし、樹脂保護膜１５の熱膨張率に近い値（例えば、２０×１０^－６／℃程度）であってもよい。

（５）変形例
上述の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上述の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上述の実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。

上述の実施形態では、抵抗器１が薄膜チップ抵抗器であるが、これに限らない。抵抗器１は、例えば、厚膜チップ抵抗器であってもよい。

上述の実施形態では、抵抗器１は、表面実装用の抵抗器であるが、これに限らない。抵抗器１は、例えば、スルーホール実装（ＴＨＴ：Through-hole Technology）用の抵抗器であってもよい。

上述の実施形態では、ガラス保護膜１４は、抵抗体１２の全域を覆っているが、抵抗体１２の少なくとも一部を覆っていればよい。

上述の実施形態では、樹脂保護膜１５は、ガラス保護膜１４の全域を覆っているが、ガラス保護膜１４の少なくとも一部を覆っていればよい。

上述の実施形態では、絶縁保護膜１６がガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５とを全域に亘って分離しているが、これに限らない。絶縁保護膜１６は、少なくとも一部においてガラス保護膜１４と樹脂保護膜１５とを分離していればよい。

上述の実施形態では、絶縁保護膜１６は、スパッタリングによって形成されたスパッタ膜であるが、これに限らない。絶縁保護膜１６は、例えば、スクリーン印刷によって形成されてもよい。

上述の実施形態では、端面電極１７は、スパッタリングによって形成されたスパッタ膜であるが、これに限らない。端面電極１７は、例えば、スクリーン印刷によって形成されてもよい。

上述の実施形態では、絶縁保護膜１６は、ガラス保護膜１４及び樹脂保護膜１５のいずれよりも薄いが、抵抗器１の電気特性に影響を及ぼさない厚さであれば、ガラス保護膜１４及び樹脂保護膜１５の少なくとも一方よりも厚くてもよい。

上述の実施形態では、絶縁保護膜１６が１枚であるが、絶縁保護膜１６は複数枚であってもよい。

（まとめ）
以上説明したように、第１の態様に係る抵抗器（１）は、基板（１１）と、抵抗体（１２）と、ガラス保護膜（１４）と、樹脂保護膜（１５）と、絶縁保護膜（１６）と、を備える。抵抗体（１２）は、基板（１１）の一面（１１１）上に形成されている。ガラス保護膜（１４）は、抵抗体（１２）の少なくとも一部を覆う。樹脂保護膜（１５）は、ガラス保護膜（１４）の少なくとも一部を覆う。絶縁保護膜（１６）は、電気絶縁性を有し、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）との間に介在する。

この態様によれば、信頼性の低下を抑制することが可能となる。

第２の態様に係る抵抗器（１）では、第１の態様において、絶縁保護膜（１６）は、無機材料を含む。

この態様によれば、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）との密着性を向上させることが可能となる。

第３の態様に係る抵抗器（１）では、第２の態様において、無機材料は、アルミ酸化物を主成分とする材料である。

第４の態様に係る抵抗器（１）では、第１～第３の態様のいずれか１つにおいて、絶縁保護膜（１６）は、ガラス保護膜（１４）及び樹脂保護膜（１５）のいずれよりも薄い。

この態様によれば、抵抗器（１）の電気特性に影響を及ぼしにくいという利点がある。

第５の態様に係る抵抗器（１）では、第１～第４の態様のいずれか１つにおいて、絶縁保護膜（１６）は、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）とを全域に亘って分離している。

この態様によれば、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）とが一部で接触している場合に比べて、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）との密着性を更に向上させることが可能となる。

第６の態様に係る抵抗器（１）では、第１～第５の態様のいずれか１つにおいて、絶縁保護膜（１６）は、ガラス保護膜（１４）と樹脂保護膜（１５）との間の熱膨張率を有する。

第７の態様に係る抵抗器（１）では、第１～第６の態様のいずれか１つにおいて、絶縁保護膜（１６）は、スパッタ膜である。

第２～第７の態様に係る構成については、抵抗器（１）に必須の構成ではなく、適宜省略可能である。

１抵抗器
１１基板
１２抵抗体
１４ガラス保護膜
１５樹脂保護膜
１６絶縁保護膜
１１１上面（一面）

Claims

基板と、
前記基板の一面上に形成されている抵抗体と、
前記抵抗体の少なくとも一部を覆うガラス保護膜と、
前記ガラス保護膜の少なくとも一部を覆う樹脂保護膜と、
電気絶縁性を有し、前記ガラス保護膜と前記樹脂保護膜との間に介在する絶縁保護膜と、を備える、
抵抗器。
前記絶縁保護膜は、無機材料を含む、
請求項１に記載の抵抗器。
前記無機材料は、アルミ酸化物を主成分とする材料である、
請求項２に記載の抵抗器。
前記絶縁保護膜は、前記ガラス保護膜及び前記樹脂保護膜のいずれよりも薄い、
請求項１～３のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記絶縁保護膜は、前記ガラス保護膜と前記樹脂保護膜とを全域に亘って分離している、
請求項１～４のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記絶縁保護膜は、前記ガラス保護膜と前記樹脂保護膜との間の熱膨張率を有する、
請求項１～５のいずれか１項に記載の抵抗器。
前記絶縁保護膜は、スパッタ膜である、
請求項１～６のいずれか１項に記載の抵抗器。