CN101868349A - 树脂层压体、粘合片、使用了该粘合片的被粘物的加工方法、及其剥离装置 - Google Patents
树脂层压体、粘合片、使用了该粘合片的被粘物的加工方法、及其剥离装置 Download PDFInfo
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- B32B7/027—Thermal properties
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- B32B7/04—Interconnection of layers
- B32B7/12—Interconnection of layers using interposed adhesives or interposed materials with bonding properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
- C09J7/29—Laminated material
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
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- B29K2995/00—Properties of moulding materials, reinforcements, fillers, preformed parts or moulds
- B29K2995/0037—Other properties
- B29K2995/0049—Heat shrinkable
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- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29L—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASS B29C, RELATING TO PARTICULAR ARTICLES
- B29L2009/00—Layered products
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- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/70—Other properties
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-
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- B32B2405/00—Adhesive articles, e.g. adhesive tapes
-
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
-
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- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/12—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by using adhesives
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
- B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
- B32B37/144—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers using layers with different mechanical or chemical conditions or properties, e.g. layers with different thermal shrinkage, layers under tension during bonding
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
- C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
- C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
- C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68381—Details of chemical or physical process used for separating the auxiliary support from a device or wafer
- H01L2221/68386—Separation by peeling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
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Abstract
本发明的粘合片，其为一种树脂层压体，所述树脂层压体是将热收缩率相对大的高热收缩基材层和热收缩率相对小的低热收缩基材层隔着粘接剂层接合而成的，其中，所述高热收缩基材层的在主要收缩方向的收缩率[A％]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B％]之比(A∶B)为1∶1～10∶1，其中，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热而能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。根据该粘合片，通过从任意的一个方向加热而能从被粘物顺畅地剥离。因此，可用于半导体晶圆研磨用粘合片等。
Description
技术领域
本发明涉及树脂层压体、粘合片以及使用了该粘合片的被粘物的加工方法、和粘合片剥离装置，其中，所述树脂层压体通过从任意的一个方向加热而能从端部主动卷绕来形成筒状卷绕体，所述粘合片由树脂层压体形成、用于通过从任意一个方向加热而从端部主动卷绕形成筒状卷绕体而从作为被粘物的半导体晶圆剥离的半导体晶圆研磨(背面研磨：back grinding)等中。
背景技术
将硅、锗、镓-砷等作为材料的半导体晶圆以大直径的状态制造后，进行背面研磨以达到规定的厚度，进而根据需要通过实施背面处理(蚀刻、抛光等)、切断加工等来制造半导体芯片。近年来，对半导体材料的薄型化、轻量化的期望进一步提高，对半导体晶圆而言，产生减薄到厚度100μm或者其以下的必要，但这样的薄膜晶圆非常脆容易破裂。因此，在半导体晶圆加工时，采用如下所述的方法：使用暂时固定用粘合片保持半导体晶圆，实施应有的加工后，将暂时固定用粘合片从半导体晶圆剥离、回收。
这样的暂时固定用粘合片(以下有时称为“背面研磨带”)通常用能量射线固化型粘合剂层来构成，贴附于半导体晶圆上，在暂时固定了的半导体晶圆上实施研磨等的加工时，用于保护半导体晶圆表面以免受半导体晶圆的应力、研削水、研削屑(硅粉尘)。而且，半导体晶圆的研磨等的加工工序结束后，背面研磨带通过照射能量射线而使粘合剂层固化，粘合力降低，从而从半导体晶圆剥离。然而，背面研磨带即便通过照射能量射线而使粘合力降低，此外也通过大气压来对半导体晶圆表面进行密合。因此，为了剥离背面研磨带而需要揭下背面研磨带等操作，由于此时的应力等而存在半导体晶圆容易破损的问题。另外，通常的背面研磨带的剥离装置除了将被研磨处理的半导体晶圆、背面研磨带层压体(以下有时称为“已研磨晶圆”)固定于吸附台之外，将已装入剥离装置的剥离用胶带贴合在已研磨晶圆的背面研磨带面，成为通过剥离来除去背面研磨带的结构。
上述剥离带从已研磨晶圆的背面研磨带的端部向内部进行贴合，通过剥离剥离带，从而剥离不需要的背面研磨带。但是，对于适应圆周形状的半导体晶圆贴附有圆周形状的背面研磨带，不从端部露出矩形的剥离带而进行贴合是不可能的，实际上，虽说极其微小，但存在剥离带由背面研磨带露出的情况。此处，进行半导体晶圆的薄化时，则剥离带的露出面贴附于剥离装置等，在该状态下剥离剥离带时，则使每个半导体晶圆弯曲，存在会成为半导体晶圆破损的原因的情况。另外，如果不将剥离带贴合到端部，虽然能够避免上述的半导体晶圆破损，但此时，即便剥离剥离带，剥离应力也不能充分传递到背面研磨带上，存在除去背面研磨带会变得困难的情况。
日本特开2000-129223号公报中公开了由收缩性薄膜、刚性薄膜和能量射线固化型粘合剂层组成的半导体晶圆保护用粘合片。记载了根据该粘合片，照射活性能量射线使粘合剂层的粘接力降低，而且所用的方法是使收缩性薄膜收缩时，则粘合片变形，由于半导体晶圆与粘合剂层的接触面积减少，所以能够从半导体晶圆容易剥离粘合片。然而，本发明人选择任意材料进行研究同样的问题时，结果可知，由于收缩性薄膜的收缩由多个方向产生等原因，所以加热后的粘合片在半导体晶圆表面产生重叠等，能发生剥离困难、被粘物破坏的情况。即，对于在背面研磨半导体晶圆时保护半导体晶圆免受破损等的、背面研磨结束后不需要的背面研磨带而言，现状是尚未发现不会使半导体晶圆破损和污染而能够剥离的背面研磨带、以及不会使半导体晶圆破损和污染而进行剥离背面研磨带的剥离装置。
专利文献1：日本特开2000-129223号公报
发明内容
发明要解决的问题
为了解决上述课题，本发明人等考虑了添加易剥离性功能的粘合片是必要的。用手工操作进行从被粘物剥离粘合片的操作时，首先制作剥离开端，用于在被粘物端部抓起胶带，然后牵拉胶带使其剥离。然而，多数情况是在脆弱的被粘物中不会像抓起胶带那样，而是以擦蹭胶带的状态，即通过尽量增大剥离角度、作用极小的剥离应力而避免破损被粘物来制作剥离开端。然后也通过以维持尽量大的剥离角度的状态剥离带，从而可以从脆弱的被粘物剥离粘合片。
因此，本发明人等认为，受到热等的刺激而赋予易剥离性时，作为胶带剥离时的形状，如果能使其恰如卷绕绒毯那样的变形(以下有时称为“筒状卷绕体”)，则可以成为与目标一致的粘合带。这是因为引起这种变形的同时进行剥离的情况是通过尽量大地保持在剥离中的剥离角度，而对于被粘物则成为尽量小的剥离应力。即，是指可将破损脆弱的被粘物的可能性达到极小。
进而，由于剥离应力小，粘合剂由被粘物剥下的可能性也小，因此能通过剥离而污染被粘物的可能性也小。另外，即使暂时贴附在晶圆研磨面侧的部材上，由于能使剥离应力极小，所以破损半导体晶圆的可能性变小。因此，本发明人等发现：通过作成使用热收缩基材的粘合片，将利用加热收缩热收缩基材的力转换成力偶的研究，粘合片的外缘部从晶圆的表面浮起，在一个方向主动卷绕成筒状(卷曲)而同时进行剥离的粘合片。然而，该粘合片具有仅在特定的方向卷绕的性质，若加热粘合片中的垂直于热收缩方向的方向的端部时，则粘合片不能主动地卷绕成筒状(卷曲)，不能从半导体晶圆剥离。为此，对于粘合片，实施加热处理的方向受到限定。因此，要求适应粘合片剥离装置中的加热设备的配置而调整对半导体晶圆的粘合片的贴合方向。即，存留的问题是：对于半导体晶圆需要在一定的方向上贴附粘合片，由于粘合片贴附装置、粘合片剥离装置的结构，存在粘合片的剥离不会顺畅进行的情况。
因此，本发明的目的在于提供一种对于半导体晶圆等被粘物即便在哪个方向贴附都能顺畅剥离、回收的粘合片、以及用于前述粘合片中的树脂层压体。此外，本发明的另一目的在于提供使用了本发明所述的粘合片的被粘物的加工方法、以及前述被粘物的加工中使用的粘合片剥离装置。
用于解决问题的方案
本发明人等为了解决上述课题进行了精心研究，结果发现：通过将规定的高热收缩基材层和低热收缩基材层隔着粘接剂层进行层压，从而不选择加热的方向，即便从哪个方向加热，都能顺畅地卷绕并形成筒状卷绕体的树脂层压体。具体而言，发现如下的树脂层压体，所述树脂层压体为：作为构成收缩率相对大的高热收缩基材层的热收缩基材使用双轴收缩性基材，并将该高热收缩基材层与收缩率相对小的低热收缩基材层用规定的粘接剂层接合而成，该树脂层压体通过从任意的一个方向加热，而不仅是垂直的2个方向，实际上从2个收缩轴产生的收缩应力合并而起作用，向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热，从而主动地卷绕形成筒状卷绕体。而且，发现了将具有该树脂层压体的粘合片作为半导体晶圆等的被粘物的暂时固定用胶带使用时，则对于半导体晶圆等被粘物即便从哪个方向贴合，在不需要该粘合片的情形下通过不选择加热的方向而从任意的一个方向加热也可以容易剥离，进而，容易回收剥离的粘合片，并完成了本发明。
即，本发明提供一种树脂层压体，所述树脂层压体是将热收缩率相对大的高热收缩基材层和热收缩率相对小的低热收缩基材层隔着粘接剂层接合而成，所述高热收缩基材层的在主要收缩方向的收缩率[A％]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B％]之比(A∶B)为1∶1～10∶1，其中，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热而能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。
前述树脂层压体优选由在60～180℃的范围内的规定温度在彼此垂直的双轴方向收缩5％以上的高热收缩基材层、与在该温度下热收缩率不足1％的低热收缩基材层形成。作为粘接剂层，优选在80℃下的刚性(剪切弹性模量与厚度之积)为1～103N/m，另外，优选以丙烯酸系聚合物构成，进而优选为活性能量射线固化型粘合剂层。此外，活性能量射线固化型粘合剂层优选含有在侧链含有丙烯酸酯的丙烯酸系聚合物、交联剂、以及紫外线活性能量射线聚合引发剂。
作为低热收缩基材层，优选80℃下的杨氏模量与厚度之积为3×105N/m以下。
另外，本发明提供一种粘合片，其在前述树脂层压体的低热收缩基材层上设置了粘合剂层。作为粘合剂层，优选含有由玻璃或者树脂形成的珠。
另外，提供一种被粘物的加工方法，其特征在于，将前述粘合片贴附于被粘物，并对该被粘物实施所需的加工后，通过从任意的一个方向加热，而使前述粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，并使其与被粘物之间产生浮起而剥离。另外，作为粘合片，优选粘接剂层使用作为活性能量射线固化型粘合剂层的粘合片，并且将该粘合片贴附于被粘物，并对该被粘物实施规定的加工后，照射活性能量射线使粘接剂层固化，接着，从任意的一个方向加热使前述粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，使其与被粘物之间产生浮起。进而优选通过贴附于变形了的粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部的剥离带向上方拉来剥离粘合片。
另外，提供一种粘合片剥离装置，其为用于前述被粘物的加工方法的粘合片剥离装置，其具备：加热设备，其用于加热贴附于被粘物的粘合片；和、剥离设备：其用于剥离通过加热而向高热收缩基材层侧翘曲，并与被粘物之间产生浮起的粘合片。
作为前述粘合片的剥离装置，优选具备如下结构的粘合片剥离装置：用于将贴附于粘合片的被粘物固定并加热的吸附热台，和，其用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部而进行剥离的剥离带；另外，优选具备如下结构的粘合片剥离装置：用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台，热风枪、和、用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部而进行剥离的剥离带；优选具备如下结构的粘合片剥离装置：用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台、和用于加热剥离粘合片的加热器内置型剥离带贴合机构；或优选具备如下结构的粘合片剥离装置，用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台、和具备从被粘物的一个方向的端部向另一个方向的端部移动的机构的可动式热源。进而，优选具备对具有活性能量射线固化型粘合剂层的粘合片照射活性能量射线，而使粘接剂层固化的活性能量射线源，作为活性能量射线源优选具备紫外线曝光光源。
发明的效果
将具有本发明的树脂层压体的粘合片作为背面研磨带使用时，则可以不会发生破裂和缺损地将半导体晶圆等的被粘物以研磨到厚度20μm～25μm左右。进而，通过从任意的一个方向加热已研磨晶圆，从而本发明所述的粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热，由于主动地卷绕而形成筒状卷绕体，所以不会发生加热后的粘合片在半导体晶圆表面重叠而难以剥离，可以将不需要的粘合片容易且良好地剥离。另外，贴附于半导体晶圆等被粘物时，不选择贴合方向，贴附在哪个方向的粘合片都可以从半导体晶圆等被粘物顺畅地剥离。进而，本发明所述的粘合片通过本发明所述的粘合片剥离装置，经照射活性能量射线、加热工序，不会破损半导体晶圆等被粘物而可以顺畅地剥离、回收。
附图说明
图1是表示本发明的粘合片的一个例子的示意剖面图。
图2是表示本发明的粘合片主动卷绕情形的图(立体图)。
图3是表示本发明的剥离装置的一个例子的示意侧视图。
图4时表示本发明的粘合片贴附在被粘物的状态的侧视图和俯视图。
附图标记说明
1 高热收缩基材层
2 粘接剂层
3 低热收缩基材层
4 粘合剂层
5 粘合片
6 加热设备
7 吸附台
8 粘合片回收用剥离带
9 环框(ring frame)
10 半导体晶圆
11 粘合片(切割带)
12 高热收缩基材层的主要收缩方向
13 V形凹口
具体实施方式
以下对本发明的实施方式根据需要边参照附图，边详细说明。图1是表示本发明的粘合片的一个例子的示意剖面图，图2是表示本发明的粘合片主动卷绕情形的图(立体图)。图3是表示本发明的粘合片剥离装置一个例子的示意侧视图，图4是表示本发明的粘合片的贴附于被粘物的状态的侧视图和俯视图。
在图1的例子中，本发明所述的粘合片5是热收缩率相对大的高热收缩基材层1和热收缩率相对小的低热收缩基材层3以粘接剂层2进行接合，进而，在低热收缩基材层3上层压粘合剂层4。
在图2的例子中，(A)表示显示加热前的粘合片5的图，(B)表示显示从一个方向加热了的粘合片5(粘合剂层的粘合力降低或消失后的粘合片5)从片材外缘部向一个方向开始卷绕时的状态图，(C)表示显示粘合片5的卷绕结束形成1个筒状卷绕体时的状态图。在该例子中，粘合片5的形状是圆形，但不限于此，也可以根据目的适宜选择四边形、椭圆形、多边形等的任何形状。
在图3的例子中，本发明所述的剥离装置预先具有加热设备6、吸附台7、和回收粘合片5的剥离带8，粘合片5贴合在半导体晶圆10上，其中，所述半导体晶圆10贴附在通过吸附台7上由环框9固定的粘合片(切割带)11上。通过加热设备6加热，并使其与半导体晶圆10之间产生浮起的粘合片5从上方贴附剥离带8，通过剥离剥离带8，从而从半导体晶圆10上被剥离。
图4-1是相对于半导体晶圆10的V形凹口13，以与本发明的粘合片5的高热收缩基材层的主要收缩方向12平行的方式进行贴附的、本发明所述的粘合片5与半导体晶圆10的侧视图和俯视图，图4-2是相对于半导体晶圆10的V形凹口13，以与本发明的粘合片5的高热收缩基材层的主要收缩方向12垂直的方式进行贴附的、本发明所述粘合片5与半导体晶圆10的侧视图和俯视图。
[树脂层压体]
本发明的树脂层压体的特征为至少由热收缩率相对大的高热收缩基材层和热收缩率相对小的低热收缩基材层、接合前述高热收缩基材层和低热收缩基材层的粘接剂层构成，高热收缩基材层的在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为1∶1～10∶1，其中，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热而能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。在图1的例子中，高热收缩基材层1、和粘接剂层2、低热收缩基材层3的层压体相当于本发明的树脂层压体。
[高热收缩基材层]
本发明中的高热收缩基材层的特征为，具有该高热收缩基材层的树脂层压体通过从任意的方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热，使其从1个端部向1个方向主动卷绕从而成为用于形成1个筒状卷绕体的驱动力，从不选择实施加热处理方向的观点出发，在本发明中，其特征在于，使用具有双轴收缩性的高热收缩基材。作为在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为1∶1～10∶1，其中优选1∶1～5∶1，特别优选1∶1～3∶1。在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]若低于在主要收缩方向的收缩率[A(％)]的1/10时，则双轴收缩性变得不充分，通过仅主要收缩方向收缩，仅从一定的方向加热时向一个方向卷绕而形成筒状卷绕体，加热方向受到限制，故不优选。在本发明中，可推测通过具有双轴收缩性，不仅从垂直的2个方向，实际上合成以2个收缩轴作成的收缩应力而起作用，因此，即使从哪个方向加热高热收缩基材层都收缩，具有该高热收缩基材层的树脂层压体可主动卷绕而成为形成1个筒状卷绕体的驱动力。
本发明中的高热收缩基材层的双轴收缩性优选在60～180℃的范围内的规定温度(例如80℃)下双轴各自的收缩率为5％以上(例如5～80％)，更优选15％以上(例如15～80％)。若双轴各自的收缩率低于5％时，则由于在收缩应力以上胜过了粘合片全体的刚性，因此将具有该高热收缩基材层的树脂层压体即便从任意的一个方向加热也不发生向高热收缩基材层侧翘曲，或者即便发生翘曲也是极其微小的，有时不会顺畅地卷绕形成筒状卷绕体。其中，双轴各自的收缩率也可以不相等，例如也可以是一个方向的轴的收缩率20％，另一个方向轴的收缩率为30％那样的情形，将收缩率更高的轴方向作为主要收缩方向。
可通过例如利用挤出机对挤出的薄膜实施双轴拉伸处理，而赋予本发明中的高热收缩基材层的双轴收缩性，可根据其拉伸程度来调整收缩率。作为构成本发明中的高热收缩基材层的高热收缩基材，优选通过剥离装置的加热设备进行加热，而具有该高热收缩基材的树脂层压体主动地卷绕而发生充分收缩的物质，并且，如后所述，作为接合高热收缩基材和低热收缩基材的粘接剂层、以及在低热收缩基材层上设置的粘合剂层使用活性能量射线固化型粘合剂层的情况下，且通过高热收缩基材层进行活性能量射线照射时，高热收缩基材层需要以能透射规定量以上的活性能量射线的材料(例如，具有透明性的树脂)来构成。
作为本发明中的构成高热收缩基材层的高热收缩基材，可以优选使用例如，聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃类；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乳酸等聚酯类；KAPTON等聚亚胺类；6，6-尼龙等聚酰胺类；聚醚砜类；聚降冰片烯等具有紫外线透射性的聚合物。从这些聚合物中可根据加热条件等的剥离环境而适宜选择，另外，这些聚合物可以单独或混合2种以上使用。
作为本发明中的高热收缩基材层，其中，优选由聚酯类构成的高热收缩基材层。这是由于成本方面等经济性优异，与用于与后述的低热收缩基材层贴合的粘接剂层的粘附性高，除此以外，还具有对收缩开始温度的应答性高等优点。
作为本发明所述的高热收缩基材层，可以使用例如，商品名“SPACECLEAN”(东洋纺绩公司制)、商品名“Fancy Wrap”(GUNZE公司制)、商品名“TORAYFAN”(Toray industries inc.制)、商品名“LUMIRROR”(Toray industries inc.制)、商品名“RTON”(JSR公司制)、商品名“ZEONOR”(日本ZEON公司制)等市售品，其中，商品名“SPACECLEAN”(东洋纺绩公司制)不仅兼具上述要件还具有大的收缩率，所以可以优选使用。另外，在上述市售品中，根据需要，也可以实施适当的拉伸处理或交联处理，也可以在表面实施电晕处理或印刷加工处理。通过实施拉伸处理，可以对具有更高收缩率的基材进行改良。
作为本发明中的高热收缩基材层的厚度，优选例如5～300μm，其中，更优选10～100μm。厚度低于5μm时，则制造时的薄膜卷起来、重复操作等变得困难等操作性恶化，另一方面，厚度超过300μm时，不仅变得不经济，而且刚性变高不发生自动卷绕，在高热收缩基材层与粘接剂层之间分离，容易关联到层压体破坏。另外，刚性大时，则残留、产生粘合片贴合时的应力，且弹性变形力较大，减薄研磨半导体晶圆等被粘物时翘曲容易变大。
根据本发明中的高热收缩基材层，其为与低热收缩基材层的层压体，通过从任意的一个方向加热向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热使其从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体，从而可以作为其驱动力，将具有该高热收缩基材层的粘合片例如作为半导体晶圆的背面研磨带使用时，则贴合于半导体晶圆时，不需要考虑粘合片卷绕方向而进行贴合，即便在哪个方向贴合，粘合片通过从任意的一个方向加热，均可顺畅地卷绕，形成1个筒状卷绕体。
[低热收缩基材层]
本发明中的低热收缩基材层为与上述高热收缩基材层和低热收缩基材层的层压体，通过抵抗高热收缩基材层的收缩应力，而产生反作用的力，进一步具有在卷绕中产生必要的力偶的功能。进而，通过加热，该层压体以贴附于半导体晶圆等被粘物的状态而收缩，具有防止半导体晶圆等被粘物破损的功能。因此，作为本发明中的低热收缩基材层，优选加热剥离时热收缩率小。具体而言，60～180℃的范围内的规定温度(高热收缩基材层在双轴方向收缩5％以上的温度)优选例如80℃下的热收缩率不足1％(优选0.5％以下)，在高热收缩基材层的收缩时，也可以膨胀。即，低热收缩基材层的所述热膨胀系数也可以取负值。低热收缩基材层的前述热收缩率的下限例如为-1％左右。另外，剥离时温度(例如80℃)下低热收缩基材层的杨氏模量与厚度之积为3×105N/m以下(例如1.0×102～3.0×105N/m)，进一步优选2.8×105N/m以下(例如1.0×103～2.8×105N/m)。杨氏模量与厚度之积高于3×105N/m时，则由于刚性过大，所以难以形成筒状卷绕体，有时通过加热而难以进行剥离。
考虑到制造时的操作简便性、处理便利性、经济性，作为本发明中的低热收缩基材层，在剥离时温度(例如80℃)，杨氏模量优选3×106～2×1010N/m2、更优选1×108～1×1010N/m2。杨氏模量过小时，则半导体晶圆研削后产生的翘曲变大，有时给搬送等时带来障碍。相反，杨氏模量过大时则难以产生主动卷绕。低热收缩基材层的厚度优选不足100μm(例如5～100μm左右)，进一步优选10～75μm左右。前述厚度过厚时，自身卷绕性降低，另外，处理性、经济性差，故不优选。另外，与前述高热收缩基材层同样，如后所述，接合高热收缩基材和低热收缩基材的粘接剂层、以及设置在低热收缩基材层上的粘合剂层为活性能量射线固化型粘合剂层的情形下，需要用具有活性能量射线透射性的材料(例如、具有透明性的树脂)构成。
作为构成本发明中的低热收缩基材层的低热收缩基材，可优选使用例如，聚丙烯、聚乙烯等聚烯烃类；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚乳酸等聚酯类；KAPTON等聚亚胺类；6，6-尼龙等聚酰胺类；聚醚砜类；聚降冰片烯等具有紫外线透射性的聚合物。这些聚合物中，可根据加热条件等适宜选择，这些聚合物可以单独或混合2种以上使用。
作为本发明中的低热收缩基材层，其中，优选由聚酯类构成的低热收缩基材层，特别优选聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的低热收缩基材层。这是因为在成本方面等经济性优异，前述高热收缩基材层与用于贴合的粘接剂层的粘附性高，除此以外，还有耐热稳定性优异，具有高机械强度等的优点。
作为本发明所述的低热收缩基材层，可使用例如，商品名“TORAYFAN”(Toray industries inc.制)、商品名“LUMIRROR”(Toray industries inc.制)、商品名“RTON”(JSR公司制)、商品名“ZEONOR”(日本ZEON公司制)、商品名“Melinex”(帝人杜邦公司制)等市售品，其中，优选使用商品名“LUMIRROR”(Toray industries inc.制)、商品名“Melinex”(帝人杜邦公司制)。另外，上述市售品可根据需要实施适当的拉伸处理、交联处理，也可以在表面实施电晕处理或印刷加工处理。
根据本发明中的低热收缩基材层，其为与高热收缩基材层的层压体，通过抵抗高热收缩基材层的收缩应力，利用加热，该层压体以半导体晶圆等贴附于被粘物的状态而收缩，具有防止半导体晶圆破损的功能，进而，通过抵抗高热收缩基材层的收缩应力而生成的反作用的应力，具有收缩应力转变成力偶而主动卷绕、有利的促进基材变形的功能。
[粘接剂层]
本发明中的粘接剂层，优选对接合高热收缩基材层与低热收缩基材层具有充分的粘接力(粘附力)。进而，将具有前述高热收缩基材层和低热收缩基材层、以及接合高热收缩基材层和低热收缩基材层的粘接剂层的本发明所述的粘合片作为半导体晶圆等被粘物的背面研磨带而使用时，由于使贴合、贴合后的胶带剪切操作顺利进行，所以优选粘接剂层具有柔软性。另一方面，加热剥离粘合片时，为了使高热收缩基材层的收缩应力向低热收缩基材层传递，另外，为了防止加热后的粘合片在半导体晶圆等被粘物表面重叠、难以剥离的情况，粘接剂层优选具有尽可能没有收缩变形的刚性。即，优选具备可以控制柔软性或刚性的功能的粘接剂层。
作为本发明所述的粘接剂层的、相对于上述高热收缩基材层和低热收缩基材层的粘接力(180℃剥离、对硅镜面晶圆、拉伸速度300mm/分钟)，例如为4N/10mm以上，其中，优选6N/mm以上，特别优选8N/mm以上。本发明所述的粘接剂层(厚度5μm)的柔软性、和刚性用剪切弹性模量×厚度表示，加热剥离时的温度、例如80℃下优选1～1×103N/m。加热到80℃时的粘接剂层的刚性低于1N/m时，不能将高热收缩基材层的收缩应力传递到低热收缩基材层，粘合剂层变形，使得其被高热收缩基材层的收缩牵制，结果不会产生主动卷绕。另一方面，加热到80℃时的粘接剂层的刚性高于1×103N/m时，通常粘附力不充分，高热收缩基材层与粘接剂层之间分离，容易关联到层压体破坏。另外，由于刚性变得过大，具有该粘接剂层的粘合片不会主动卷绕而变形，所以有通过该应力而破坏被粘物等的顾虑。
本发明中的粘接剂层根据上述理由，优选在剥离前和剥离时可以使刚性变化的粘接剂层。例如作为使用构成粘接剂层的粘合剂使用活性能量射线固化型粘合剂时，在未照射活性能量射线的状态下柔软性和粘附力提高，通过照射活性能量射线可以提高刚性，可以根据需要容易调整刚性。本发明中的活性能量射线是指例如紫外线、可见光线、红外线、放射线、电子射线等。
作为构成本发明中的粘接剂层的粘合剂，可以使用1种或组合2种以上的例如橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、尿烷系粘合剂、苯乙烯-丁二烯嵌段共聚物系粘合剂、在这些粘合剂中配合了熔点约200℃以下的热溶融性树脂的蠕变特性改良型粘合剂等的公知的粘合剂(参照例如、日本特开昭56-61468号公报、日本特开昭61-174857号公报、日本特开昭63-17981号公报、日本特开昭56-13040号公报等)。粘合剂除了粘附性成分(基础聚合物)以外，也可以含有交联剂(例如多异氰酸酯、烷基醚化蜜胺化合物等)、赋粘剂(例如松香衍生物树脂、多萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、填充剂、抗老剂等适当的添加剂。此外，也可以添加由玻璃或者树脂形成的珠。通过添加由玻璃或者树脂形成的珠，在容易控制粘着特性和剪切弹性模量方面是有利的。
作为通常的前述粘合剂，将天然橡胶和各种合成橡胶作为基础聚合物的橡胶系粘合剂；可以使用将1种或2种以上的(甲基)丙烯酸烷基酯(例如、甲酯、乙酯、丙酯、异丙酯、丁酯、异丁酯、仲丁酯、叔丁基酯、戊酯、己酯、庚酯、辛基酯、2-羟基乙基酯、2-乙基己基酯、异辛酯、异癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基酯、二十烷基酯等的C1-20烷基酯等)用于单体成分的丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸系系粘合剂等。
另外，前述丙烯酸系聚合物将聚集力、耐热性、交联性等改性作为目的，也可根据需要含有与前述(甲基)丙烯酸烷基酯可共聚的其他的单体成分所对应的单元。作为这种单体成分，可列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含有羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟基癸酯、(甲基)丙烯酸羟基月桂酯、(4-羟甲基环己基)甲基丙烯酸甲酯等含有羟基的单体；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酸酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酸酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等的含有磺酸基的单体；(甲基)丙烯酸酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酸酰胺、N-丁基(甲基)丙烯酸酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙基(甲基)丙烯酰胺等(N-取代)酰胺系单体；(甲基)丙烯酸氨乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲基氨乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨乙酯等(甲基)丙烯酸氨基烷基酯系单体；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧烷基酯系单体；N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺等马来酰亚胺系单体；N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N-丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、N-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺等衣康酰亚胺系单体；N-(甲基)丙烯酰氧基亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺等琥珀酰亚胺系单体；醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺类、苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己内酰胺等乙烯基系单体；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有环氧基的丙烯酸系单体；(甲基)丙烯酸聚乙二醇、(甲基)丙烯酸聚丙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇等二醇系丙烯酸酯单体；(甲基)丙烯酸四糠酯、氟代(甲基)丙烯酸酯、硅代(甲基)丙烯酸酯等具有杂环、卤素原子、硅原子等的丙烯酸酯系单体；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸环氧酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸尿烷酯等多官能单体；异丙烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体；乙烯基醚等的乙烯基醚系单体等。这些单体成分可以单独或混合2种以上使用。
前述丙烯酸系共聚物，可通过聚合上述单体成分而得到。作为单体成分的聚合方法，可以采用惯用的方法，可列举例如、溶液聚合、乳液聚合、本体聚合、悬浮聚合等。
从根据需要使刚性改变的的观点出发，本发明中的粘接剂层优选由活性能量射线固化型丙烯酸系粘合剂构成的粘接剂层。作为本发明所述的活性能量射线固化型丙烯酸系粘合剂，可以通过例如混合公知的活性能量射线固化性化合物和丙烯酸系粘合剂而得到。作为活性能量射线固化性化合物可以优选使用含有多个官能团的化合物，所述的官能团为例如、分子内含有乙烯基、甲基丙烯酸基、乙炔基等的碳-碳多重键的官能团。这些化合物所含有的碳-碳多重键的官能团通过活性能量射线照射而键断裂从而生成自由基，并且这些自由基成为交联剂而形成三维网状结构。另外，作为活性能量射线固化性化合物，也可以优选使用含有多个碘鎓盐、磷鎓盐、铵盐、锍盐、硼酸盐等有机盐类和环氧乙烷、氧杂环丁烷、噁唑烷、硫杂环丙烷、氮丙啶等杂环作为官能团的化合物。含有多个杂环作为官能团的化合物通过活性能量射线照射使有机盐断裂，从而生成离子，通过该离子作为引发剂而引起杂环开环反应，从而形成三维网状结构。
作为本发明中的活性能量射线固化性化合物，其中，优选一分子中含有2个以上的具有丙烯酸酯基等碳-碳双键的官能团的活性能量射线固化性化合物(参照日本特开2003-292916号公报)。这是由于从反应性、操作性的观点出发，丙烯酸酯基对活性能量射线显示比较高的反应性，而且，可选择多种丙烯酸系粘合剂等原因而优选。作为一分子中含有2个以上碳-碳双键的活性能量射线固化性化合物，可列举例如三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸与多元醇的酯化物、酯丙烯酸酯低聚物、2-丙烯基-3-丁烯氰脲酸酯、异氰脲酸酯、异氰脲酸酯化合物等。这些活性能量射线固化性化合物可以单独或混合2种以上使用。
作为本发明中的活性能量射线固化型丙烯酸系粘合剂，可以使用对基础聚合物赋予了活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂。作为对基础聚合物赋予了活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂，可列举出例如，键合有在侧链具有碳-碳双键的官能团等的丙烯酸系粘合剂。作为在侧链具有碳-碳双键的官能团的键合有丙烯酸酯基等的丙烯酸系粘合剂，可通过例如在侧链具有羟基的丙烯酸系聚合物通过尿烷键键合丙烯酰氧乙基异氰酸酯或甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯等异氰酸酯化合物而得到。作为构成粘接剂层的基础聚合物，使用赋予了活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂时，可以不加入或者也可以加入另外的活性能量射线固化性化合物。另外，由于对基础聚合物赋予了活性能量射线固化性的丙烯酸系粘合剂的粘接剂层完全不含有或少量含有作为低分子成分的活性能量射线固化性化合物等，因此活性能量射线固化性化合物等不会随时间地在粘合剂层中移动，而形成稳定的层结构的粘接剂层。
作为前述活性能量射线固化性化合物的配合量，并没有特别限制，例如相对粘合剂中的丙烯酸系共聚物100重量份为0.5～200重量份左右，其中，更优选1～50重量份左右。活性能量射线固化性化合物的配合量相对于丙烯酸系共聚物100重量份高于200重量份时，则低分子量物质的含量过多，结果是存在高热收缩基材层与低热收缩基材层的粘接力降低的情形。另一方面，活性能量射线固化性化合物的配合量相对于丙烯酸系共聚物100重量份低于0.5重量份时，则存在通过照射活性能量射线而难以引起粘接剂层的刚性变化的情形。此外，活性能量射线固化性化合物的粘度没有特别限定。
在活性能量射线固化型粘合剂中，为了提高形成三维网状结构的反应速度，可以配合活性能量射线聚合引发剂。活性能量射线聚合引发剂可以根据所使用的活性能量射线的种类(例如、红外线、可见光线、紫外线、辐射线、电子射线等)适当选择公知惯用的聚合引发剂。从操作效率的观点出发，优选以紫外线可光聚合引发的化合物。作为代表性的活性能量射线聚合引发剂，可列举苯二甲酮、苯乙酮、醌、萘醌、蒽醌、笏酮等酮系引发剂；偶氮二异丁腈等偶氮系引发剂；苯甲酰过氧化物、过氧安息香酸等过氧化物系引发剂等，但不限制于此。作为市售品，例如有Ciba-Geigy K.K.制的商品名“Irugacure 184”、“Irugacure 651”等。
活性能量射线聚合引发剂可以单独或混合2种以上使用。作为活性能量射线聚合引发剂的使用量，相对于构成粘合剂的丙烯酸系共聚物100重量份，例如为0.01～10重量份左右。此外，可根据需要，与前述活性能量射线聚合引发剂一起并用活性能量射线聚合促进剂。
作为本发明中的粘接剂层的形成方法，可以采用公知惯用的方法，可列举出例如，根据需要使用溶剂调制含有粘合剂等的涂布液，并将其直接涂布在低热收缩基剂层上的方法；在适当的隔膜(剥离纸等)上涂布前述涂布液形成粘接剂层，并将其转印(转移)到低热收缩基剂层上的方法等。在利用转印的情况下存在在与低热收缩基材层的界面存在孔隙(空隙)的情况。此时，利用高压釜处理等实施加温加压处理，能够使孔隙扩散消失。粘接剂层可以是单层、多层中的任一种。
作为本发明所述的粘接剂层厚度，并没有特别的限制，从卷绕形成筒状卷绕体的变形性、经济性、制造操作的简便性的观点出发，优选5～100μm的范围，其中，更优选10～50μm的范围。厚度低于5μm时，则难以得到相对于高热收缩基材层的收缩的限制性，应力缓和的效力也变小。另一方面，厚度超过100μm时，则存在筒状卷绕体的形成变得困难的倾向，另外，由于处理性、经济性低劣，故不优选。
本发明中的粘接剂层在加热前接合高热收缩基材层和低热收缩基材层时具有充分的粘合力，另外，由于具有柔软性，所以可以缓和对被粘物贴合粘合片时的应力，使加工后的被粘物的翘曲降低。而且，加热剥离粘合片时，获得适度的刚性，可以将高热收缩基材层的收缩应力向低热收缩基材层传递。通过将高热收缩基材层的收缩应力向低热收缩基材层传递，粘合片可以顺畅地向一个方向卷绕而形成筒状卷绕体。
[粘合剂层]
本发明所述的粘合片在上述树脂层压体中的低热收缩基材层上具有至少1层的粘合剂层。该粘合剂层优选在半导体晶圆等被粘物的研磨工序中，紧紧地贴附于被粘物，而防止研磨中被粘物破损，研磨工序结束后，使粘附力明显降低，容易从被粘物表面剥离。作为本发明中的粘合剂层，可以使用例如活性能量射线固化型粘合剂层、感压型粘接剂层。在粘合剂层使用活性能量射线固化型粘合剂层时，通过活性能量射线的照射可以使粘合力降低。另一方面，在粘合剂层使用感压型粘接剂层时，通过使用调整组成、和添加剂等而得到的感压型粘接剂层，可通过加热使粘合力降低。另外，粘合剂层除了粘合性成分(基础聚合物)以外，优选添加由玻璃或者树脂形成的珠。通过添加由玻璃或者树脂形成的珠，从而提高剪切弹性模量，容易使粘合力降低。本发明中的粘合剂层还可以进一步含有交联剂(例如、多异氰酸酯、烷基醚化蜜胺化合物等)、赋粘剂(例如，松香衍生物树脂、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增塑剂、增粘剂、填充剂、抗老剂等适宜的添加剂。
作为本发明中的粘合剂层使用的活性能量射线固化型粘合剂层，在活性能量射线照射前的粘合力(180℃剥离、对硅镜面晶圆、拉伸速度300mm/分钟)例如在室温(25℃)为0.1N/10mm以上，通过活性能量射线的照射形成三维网状结构而高弹性化，粘合力(180℃剥离、对硅镜面晶圆、拉伸速度300mm/分钟)优选例如在室温(25℃)低于0.05N/mm以下。
作为构成用作粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂，可以列举与构成上述粘接剂层的活性能量射线固化型粘合剂的例子所列举的粘合剂的同样例子，可以单独或混合2种以上使用单体成分。用作粘合剂层的活性能量射线固化型粘合剂可以通过聚合上述单体成分而得到，可以通过调整聚合度、重均分子量等来获得具有规定的粘合力的活性能量射线固化型粘合剂。
作为向粘合剂层添加的由玻璃或者树脂形成的珠的平均粒径为例如1～100μm，优选1～20μm左右。作为由上述玻璃或者树脂形成的珠的使用量，相对于构成粘合剂的丙烯酸系共聚物100重量份，例如为25～200重量份，优选30～100重量份左右。由玻璃或者树脂形成的珠的使用量过多时，则存在粘合特性降低的的情形，过少时，上述效果容易变得不充分。
为了提高形成三维网状结构的反应速度，可以在活性能量射线固化型粘合剂中配合活性能量射线聚合引发剂。活性能量射线聚合引发剂可根据使用的活性能量射线的种类(例如红外线、可见光线、紫外线、辐射线、电子射线等)适宜选择公知惯用的聚合引发剂。从操作效率的观点出发，优选以紫外线为可光聚合引发的化合物。作为代表性的活性能量射线聚合引发剂，可以列举与前述粘接剂层中使用的活性能量射线聚合引发剂同样的例子，活性能量射线聚合引发剂可以单独或混合2种以上使用。
作为活性能量射线聚合引发剂的使用量，例如相对于构成粘合剂的丙烯酸系共聚物100重量份为0.01～10重量份左右。另外，可根据需要与前述活性能量射线聚合引发剂一起并用活性能量射线聚合促进剂。
粘合剂层的厚度并没有特别限定，从经济性、制造操作的简便性观点出发，优选5～100μm的范围，其中，更优选10～50μm的范围。厚度低于5μm时，则由于粘合力不足而保持、暂时固定被粘物容易变得困难，另一方面，厚度超过100μm时，则由于不经济，处理性劣化而不优选。
粘合剂层的形成可以采用以下适当的方法来进行，例如，在低热收缩性基材层上涂布含有前述天然橡胶、合成橡胶或具有橡胶弹性的合成树脂等的粘合剂层形成材料的涂布剂的方法(干式涂布法)；在适当的隔膜(剥离纸等)上涂布前述涂布剂形成粘合剂层，并将其转印(移转)到低热收缩基材层上的方法(干式层压法)；将含有低热收缩性基材层的构成材料的树脂组成物和涂布剂共挤出的方法(共挤出法)等。在进行转印时，存在在与低热收缩基材层的界面残留孔隙(空隙)的情形。此时，通过高压釜处理等实施加温加压处理，可以使孔隙扩散消失。粘合剂层也可以是单层、多层中的任一种。
根据本发明中的粘合剂层，具有该粘合剂层的粘合片在半导体晶圆等被粘物的研磨工序中，可以紧紧地贴附于被粘物、不会破损被粘物，可根据目的实施所期望的加工。而且，被粘物的研磨工序结束后，通过对具有该粘合剂层的粘合片实施照射活性能量射线或加热处理，可以使粘合力降低而容易从被粘物剥离。
[粘合片]
本发明的粘合片是通过在前述高热收缩基材层和低热收缩基材层隔着粘接剂层接合而成的树脂层压体的低热收缩基材层上，进一步层压粘合剂层而形成的。另外，本发明的粘合片也可以在到使用前的期间在粘合剂层面贴附隔膜(剥离衬)而被保护。进而，另外，也可以根据需要，设置底涂层和粘接剂层等中间层。
根据本发明所述的粘合片，在加工半导体晶圆等被粘物时贴附在被粘物上来固定被粘物，可以使被粘物不会破损地实施所期望的加工。另外，通过缓和粘合片贴附时的应力，可以抑制加工后的被粘物的翘曲。另外，对被粘物实施所期望的加工后，通过任意的一个方向进行加热(在粘合剂层中使用活性能量射线固化型粘合剂层的情况下照射活性能量射线，接着通过加热)，从而使粘合剂层的粘合力降低，同时由于高热收缩基材层收缩，所以粘合片边剥离，边从1个端部向1个方向主动卷绕而成为1个筒状卷绕体，因此不会损伤被粘物或者通过不完全的剥离而不污染被粘物，可以从被粘物表面极其简易的除去。
[隔膜]
在本发明的粘合片中，从粘合剂层表面的保护、抗粘连性等观点考虑，也可以在粘合剂层表面设置隔膜(剥离衬)。隔膜是在将粘合片贴附被粘物时剥离的。作为所用隔膜，没有特别限定，可以使用公知惯用的剥离纸等。可以使用例如具有利用硅酮系、长链烷基系、氟系、硫化钼系等剥离剂进行了表面处理的塑料膜、纸等的剥离层基材；由聚四氟乙烯、聚氯代三氟乙烯、聚氟化乙烯、聚偏氟乙烯、四氟乙烯/六氟丙烯共聚物、氯代氟乙烯/偏氟乙烯共聚物等的氟系聚合物构成的低接合性基材；由烯烃系树脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等无极性聚合物构成的低接合性基材等。
[被粘物的加工方法]
本发明所述的粘合片作为加工被粘物时的暂时固定用粘合片等使用。作为被粘物，可列举例如，硅和镓-砷等作为材料的半导体晶圆、半导体封装体、玻璃、或、陶瓷等。被粘物的加工种类可含有例如研削、切断、研磨、蚀刻、车床车削(latheturning)加工、加热(其中，限于高热收缩基材层的热收缩开始温度以下的温度)等，只要是使用该粘合片能实施的加工则没有特别的限制。本发明所述的粘合片贴附在半导体晶圆等被粘物表面上，由于对利用该粘合片暂时被固定的被粘物实施研磨等加工时所施加的应力、研削水、研削屑(硅粉尘)，所以具有保护半导体晶圆表面的功能。对该被粘物实施所需的加工后，本发明所述的粘合片从被粘物剥离、回收。
本发明所述的粘合片的特征在于，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。而且，将本发明所述的粘合片作为半导体晶圆等的被粘物的背面研磨带使用时，对被粘物实施研磨等加工后，不选择加热的方向，而通过从任意的方向加热，使粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，并使其与被粘物之间产生浮起，可通过利用进一步加热而从1个端部向1个方向主动卷绕来形成1个筒状卷绕体，从而容易剥离。另外，通过加热，使前述粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，并使其与被粘物之间产生浮起，在该时刻终止加热，不会形成筒状卷绕体而可以剥离。从能够容易地将剥离的粘合片回收的观点出发，作为本发明所述的被粘物的加工方法的特征是，将本发明所述的粘合片贴附在被粘物上，对该被粘物实施所需的加工，然后通过加热，使前述粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，并使其与被粘物之间产生浮起，在此时刻终止加热而不会形成筒状卷绕体而进行剥离。根据本发明所述的被粘物的加工方法，加工被粘物后通过从任意的方向加热，可以容易地将本发明所述的粘合片从被粘物表面剥离回收，剥离的粘合片在加工装置内滚动也不会难以回收。
本发明所述的粘合片是用粘接剂层接合高热收缩基材层和低热收缩基材层而成的。该粘接剂层由活性能量射线固化型粘合剂层构成时，通过在被粘物加工后、实施加热处理前照射活性能量射线，可调整粘接剂层的刚性，可将高热收缩基材层的收缩应力有效地传递到低热收缩基材层，并更有效地引起由加热导致的粘合片的变形(使其向高热收缩基材层侧翘曲、与被粘物之间产生浮起)。进而，可以防止加热后的粘合片在半导体晶圆等被粘物表面重叠、难以剥离。另外，在低热收缩基材层上设置的粘合剂层是由活性能量射线固化型粘合剂层构成时，通过在被粘物加工后、照射活性能量射线，接着实施热处理，此外，低热收缩基材层上设置的粘合剂层由感压型粘接剂层构成时，通过实施加热处理，对被粘物的粘合力明显下降，高热收缩基材层欲收缩变形，所以向高热收缩基材层侧翘曲，粘合片外缘部浮起。作为粘合片的加热方法，根据进行剥离操作时的需要，也可以将粘合片从任意的一个方向加热，也可以将粘合片全部进行加热，在被粘物全部周围作成剥离开端。粘合片的加热温度、和加热时间可根据所使用的高热收缩基材的收缩性适宜调节，加热温度为例如70～180℃、优选为70～140℃。加热时间例如为5～180秒左右。另外，照射活性能量射线时的照射强度、照射时间等照射条件并没有特别限定，可适宜根据需要设定，例如作为活性能量射线使用紫外线时，为50～2000mJ/cm2、照射1～180秒左右。
向高热收缩基材层侧翘曲，从被粘物表面产生浮起的本发明所述的粘合片可以通过例如，在产生了浮起的粘合片部分的热收缩基材层侧的表面外缘部贴附剥离带，向上方拉贴附的剥离带，而容易回收。此时，本发明所述的粘合片变形而从被粘物外缘部剥离5～15mm左右，因此即便不贴附剥离带(例如从距离粘合片的外缘部4mm左右的内侧向内部贴附)也可以容易地从粘合片的端部剥离。由此可见，可以防止将剥离带贴合在粘合片时剥离带附着于装置等，可以防止剥离时半导体晶圆等被粘物破损。另外，由于粘合片从被粘物产生浮起，所以可以尽量大的保持剥离时的剥离角度，由此使剥离应力尽量小而可抑制被粘物破损。进而，通过使剥离应力小，粘合剂由被粘物剥下的可能性也小，因此通过剥离污染被粘物的可能性也变小。另外，即便暂时贴附于被粘物，仍然能够使剥离应力尽量小，所以破损被粘物的可能性也变小。
[剥离装置]
本发明所述的粘合片剥离装置是用于被粘物的加工的粘合片剥离装置，所述粘合片剥离装置具备如下设备：用于加热贴附于被粘物的粘合片的加热设备、以及用于剥离通过加热而向高热收缩基材层侧翘曲并与被粘物之间产生浮起的粘合片的剥离设备。本发明所述的粘合片剥离装置优选进一步具备以下设备：固定已研磨晶圆的设备、用于固定活性能量射线固化型粘合剂的活性能量射线曝光设备、用于回收剥离的粘合片的回收设备。此外，剥离装置可以将这些设备完全一体化而具备，还可以每个设备作为独立的装置。
作为固定已研磨晶圆的设备，在从贴附了本发明所述的粘合片的半导体晶圆等的被粘物等到回收粘合片的一连串的工序中，由于各种操作所施加的应力等，所以只要是位置不偏移地固定被粘物即可，例如可通过使用了静电、空气压的带夹盘的底座等，从而暂时固定，也可以为了固定被粘物，将在具有充分刚性的基材上涂布粘合剂的产品贴合到被粘物，进行持久的固定，也可以从带有芯片贴装薄膜(Die-attach-film)的切割用粘合剂等已研磨晶圆等剥离本发明所述的粘合片后贴合作为需要的材料。另外，固定被粘物的装置也可以在对剥离操作必要的装置之间具有使被粘物顺次移动的构造。
作为活性能量射线曝光手段，由于是使构成本发明所述的粘合片的活性能量射线固化型粘合剂固化，所以只要能够照射活性能量射线即可，可以使用例如高压汞灯等的使用了有效生成紫外线的光源的紫外线曝光装置。
作为加热设备，加热已研磨晶圆等，只要能够使粘合片从半导体晶圆等的被粘物表面产生浮起即可，例如作为加热设备，可以使用干燥机、热风枪、红外线灯等非接触方式的加热设备；在固定被粘物用夹盘底座装上热源的加热设备、热辊等接触式的加热设备等；对高热收缩基材层的开始收缩的温度能快速升温的装置。
作为加热方法，只要能够从任意的一个方向加热粘合片端部即可，例如可以从研磨后的半导体晶圆的粘合片面或者半导体晶圆面的任意一个方向进行加热，也可以加热两面。
通过加热，粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，且与被粘物之间产生浮起后，可通过胶带回收装置将剥离的粘合片从半导体晶圆等被粘物除去。作为回收胶带的方法，具体而言，有如下方法：使用剥离带，将该剥离带贴合在向高热收缩基材层侧翘起的粘合片中的、与被粘物之间产生浮起部分的高热收缩基材层侧的表面后，剥离回收的方法；使吸附筒夹(adsorption-collet)吸附在向高热收缩基材层侧翘曲的粘合片中的与被粘物之间产生浮起的部分并进行剥离的方法；或者用机器手臂抓起向高热收缩基材层侧翘曲的粘合片中与被粘物之间产生浮起的部分并进行剥离等的方法。其中，在本发明所述的粘合片剥离装置中，优选使用剥离带剥离粘合片的方法。
作为本发明所述的粘合片剥离装置优选如下所述的装置：所述粘合片剥离装置具备：用于将贴附了粘合片的被粘物固定并加热的吸附热台、以及用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部来进行剥离的剥离带；所述粘合片剥离装置具备用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台、热风枪、以及用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部的进行剥离的剥离带；所述粘合片剥离装置具备：用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台、以及用于加热剥离粘合片的加热器内置型剥离带贴合机构；或者所述粘合片剥离装置具备：用于固定贴附了粘合片的被粘物的吸附台、以及具有从被粘物的一个方向的端部向另一个方向的端部移动的机构的可动式热源。本发明所述的粘合片剥离装置进一步优选具备用于固化粘接剂层的活性能量射线源的粘合片剥离装置。另外，作为活性能量射线源优选具备紫外线曝光光源。
根据本发明所述的粘合片剥离装置，可以顺畅地剥离、回收在半导体晶圆等被粘物的加工工序中用于保护被粘物而在被粘物表面进行贴合的粘合片、即被粘物的加工工序结束后不需要的本发明所述的粘合片，而不会污染、破损半导体晶圆等被粘物。
实施例
以下，通过实施例对本发明更具体地说明，但本发明并不受这些实施例的限定。
制造例1-1
将丙烯酸系聚合物(Daiichi Lace公司制、商品名“LeocoatR1020S”)100重量份、季戊四醇改性丙烯酸酯交联剂(日本化药公司制、商品名“DPHA40H”)10重量份、交联剂(三菱瓦斯化学公司制、商品名“TETRAD C”)0.25重量份、交联剂(NIPPONPOLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制、商品名“CORONATE L”)2重量份、活性能量射线聚合引发剂(Ciba-Geigy K.K.制、商品名“Irugacure651”)3重量份溶解于甲苯中，得到固体成分浓度为15重量％的聚合物溶液1。使用涂布机将得到的聚合物溶液1以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Torayindustries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度38μm、在80℃下的刚性1.41×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在该粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体1。
制造例1-2
与上述制造例1-1同样，得到聚合物溶液1。使用涂布机将得到的聚合物溶液1以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度50μm、在80℃下的刚性1.86×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体2。
制造例1-3
将丙烯酸系聚合物：丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸(90重量份/10重量份)共聚物100重量份、二季戊四醇六丙烯酸酯10重量份、活性能量射线聚合引发剂(Ciba-Geigy K.K.制、商品名“Irugacure651”)3重量份溶解于甲苯中，得到固体成分浓度为15重量％的聚合物溶液2。使用涂布机将得到的聚合物溶液2以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度38μm、在80℃下的刚性1.41×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在该粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体3。
制造例1-4
与上述制造例1-3同样，得到聚合物溶液2。使用涂布机将得到的聚合物溶液2以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度50μm、在80℃下的刚性1.86×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体4。
制造例1-5
与上述制造例1-1同样，得到聚合物溶液1。使用涂布机将得到的聚合物溶液1以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕PET薄膜、厚度38μm、在80℃下的刚性1.41×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层，然后，在该粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的单轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS 5630”、厚度60μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为70∶0)，得到树脂层压体5。
制造例1-6
与上述制造例1-1同样，得到聚合物溶液1。使用涂布机将得到的聚合物溶液1以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度50μm、在80℃下的刚性1.86×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，该粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的单轴拉伸聚酯薄膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS5630”、厚度60μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为70∶0)，得到树脂层压体6。
制造例1-7
将酯系聚合物(从商品名“PLACCEL CD220PL”(大赛璐化学公司制)100重量份和癸二酸10重量份得到的聚合物)100重量份、交联剂(NIPPON POLYURETHANE INDUSTRYCO.，LTD.制、商品名“CORONATE L”)4重量份溶解于甲苯中，并得到固体成分浓度为20重量％的聚合物溶液3。使用涂布机将得到的聚合物溶液3以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(Toray industries inc.制、商品名“LUMIRRORS10”、印刷用表面加工完毕的PET薄膜、厚度38μm、在80℃下的刚性1.41×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯薄膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体7。
制造例1-8
与上述制造例1-1同样，得到聚合物溶液1。使用涂布机将得到的聚合物溶液1以干燥后的厚度达30μm涂布到作为低热收缩基材层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(帝人杜邦公司制、商品名“Melinex”、厚度100μm、在80℃下的刚性3.38×105N/m)上、干燥，制成粘接剂层。然后，在粘接剂层上层压作为高热收缩基材层的双轴拉伸聚酯膜(东洋纺公司制、商品名“SPACECLEANS7200”、厚度30μm、在主要收缩方向的收缩率[A(％)]和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率[B(％)]之比(A∶B)为40∶40)，得到树脂层压体8。
制造例2-1
丙烯酸系聚合物：将来自于丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羟基乙酯(50重量份/50重量份/20重量份)共聚物的丙烯酸2-羟基乙酯的羟基的80％与甲基丙烯酸2-异氰基乙酯键合，得到在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。将所得到的丙烯酸系聚合物100重量份、季戊四醇四丙烯酸酯(大阪有机化学工业公司制、商品名“Viscoat 400”)50重量份、交联剂(NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制、商品名“CORONATE L”)1.5重量份、活性能量射线聚合引发剂(Ciba-Geigy K.K.制、商品名“Irugacure184”)6重量份、增粘剂(综研化学公司制、商品名“MX500”、聚甲基丙烯酸甲酯珠)40重量份溶解于乙酸乙酯中，得到固体成分浓度为30重量％的聚合物溶液4。将得到的聚合物溶液4使用涂布机以干燥后的厚度达30μm涂布在隔膜(Mitsubishi Polyester Film Co.，Ltd.制、商品名“MRF38”)上、干燥，得到粘合剂层1。
制造例2-2
丙烯酸系聚合物：将来自于丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羟基乙酯(50重量份/50重量份/20重量份)共聚物的丙烯酸2-羟基乙酯的羟基的80％与甲基丙烯酸2-异氰基乙酯键合，得到在侧链具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。将得到的丙烯酸系聚合物100重量份、季戊四醇四丙烯酸酯改性体(日本合成化学公司制、商品名“紫光UV1700”)100重量份、交联剂(NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制、商品名“CORONATE L”)1.5重量份、活性能量射线聚合引发剂(Ciba-Geigy K.K.制、商品名“Irugacure 184”)3重量份溶解在乙酸乙酯中，得到固体成分浓度为30重量％的聚合物溶液5。将得到的聚合物溶液5使用涂布机以干燥后的厚度达35μm涂布在隔膜(Mitsubishi Polyester Film Co.，Ltd.制、商品名“MRF38”)上、干燥，得到粘合剂层2。
实施例1
在以制造例1-1得到的树脂层压体1的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层1，得到粘合片1。
实施例2
在以制造例1-2得到的树脂层压体2的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层1，得到粘合片2。
实施例3
在以制造例1-3得到的树脂层压体3的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层1，得到粘合片3。
实施例4
在以制造例1-4得到的树脂层压体4的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层，得到粘合片4。
实施例5
在以制造例1-1得到的树脂层压体1的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片5。
实施例6
在以制造例1-2得到的树脂层压体2的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片6。
实施例7
在以制造例1-3得到的树脂层压体3的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片7。
实施例8
在以制造例1-4得到的树脂层压体4的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片8。
实施例9
在以制造例1-7得到的树脂层压体7的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片9。
比较例1
在以制造例1-5得到的树脂层压体5的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层1，得到粘合片10。
比较例2
在以制造例1-6得到的树脂层压体6的低热收缩基材上层压以制造例2-1得到的粘合剂层1，得到粘合片11。
比较例3
在以制造例1-8得到的树脂层压体8的低热收缩基材上层压以制造例2-2得到的粘合剂层2，得到粘合片12。
对在上述实施例和比较例中得到的粘合片1～12利用以下方法评价作为背面研磨带的特性、以及剥离性。
[粘接剂层在80℃下的剪切弹性模量的测定方法]
将在上述制造例中得到的聚合物溶液以干燥后的厚度为2mm涂布在隔膜上、干燥，得到粘接剂层，再将该粘接剂层用直径7.9mm的冲头冲孔，得到试验体。使用Rheometric Scientific公司制的粘弹性光谱仪(ARES)，夹盘压为100g重、剪切频率为1Hz，测定了在80℃下的剪切弹性模量。
[低热收缩基材层在80℃下的杨氏模量的测定方法]
在上述制造例中使用的低热收缩基材层的剪切弹性模量基于JIS K7127用以下的方法进行测定。拉伸试验器使用岛津公司制的AUTOGRAPH AG-1kNG(带加热罩)。以夹盘间距离100mm安装切成了长度200mm×宽度10mm的低热收缩基材。利用加热罩得到80℃氛围后，以拉伸速度5mm/分钟拉伸试料，得到应力-应变相关的测定值。对应变为0.2％和0.45％的2个点求出荷重，得到杨氏模量。对同一试料反复进行5次该测定，采用其平均值。
[粘接剂层对高热收缩基材层的粘合力的测定方法]
粘接剂层对高热收缩基材层的粘合力通过在50℃下180°剥离试验法进行测定。将上述制造例1-1～1-6中得到的树脂层压体1～6剪切成宽度10mm的大小，使用粘合胶带将低热收缩基材层侧的表面贴合在1mm厚的硅晶圆上，照射紫外线(500mJ/cm2、25秒钟)，制成试验体。将得到的试验体以硅晶圆面连接50℃升温台(加热器)的方式设置。使用剥离试验装置的拉伸夹具，以拉伸速度300mm/min在180°方向进行拉伸，测定高热收缩基材层与粘接剂层之间产生剥离时的力(N/10mm)。此外，为了消除由低热收缩基材厚度的不同带来的测定误差，低热收缩基材厚度规格化为38μm。
[粘合片对硅晶圆的粘合力的测定方法]
粘合片对硅晶圆的粘合力通过在25℃下180°剥离试验法来求出。将实施例、比较例中得到的粘合片1～12剪切成宽度10mm大小，剥离隔膜，并贴合在硅镜面晶圆上。在该状态下，制成照射紫外线(500mJ/cm2、25秒钟)的、和未照射紫外线的2种试料。使用剥离试验装置的拉伸夹具对前述试料以拉伸速度300mm/min在180°方向拉伸，测定粘合片和硅镜面晶圆之间产生剥离时的力(N/10mm)。
[背面研磨利用性评价]
对上述实施例和比较例中得到的粘合片1～11剥离隔膜，并贴合在带V形凹口的8英寸的晶圆上。贴合时，相对于各个粘合片的高热收缩基材层的主要收缩方向，V形凹口以平行或垂直的方向进行贴合。接着，使用背面研磨装置(DISCO公司制、商品名“DFG8560”)将贴合了粘合片的带V形凹口的8英寸的晶圆以晶圆厚度达25μm进行研磨，得到已研磨晶圆。目视观察得到的已研磨晶圆，按照以下的基准进行评价。另外，前述晶圆厚度通过测定粘合片与被研磨处理的晶圆的层压体的厚度减去粘合片厚度来求得。
评价基准
晶圆中无裂纹、缺损：○
晶圆中产生裂纹、缺损：×
[剥离性评价]
对在上述背面研磨利用性评价中得到的各已研磨晶圆，从粘合片面侧，进行照射紫外线(500mJ/cm2、25秒钟)。接着，将已照射紫外线的各已研磨晶圆设置于胶带贴合装置(日东精机公司制，商品名“MA3000II”)，在晶圆面贴合固定于切割环(Die cutting ring)的DAF胶带(日动电工株式会社制、商品名“EM-500M2A”)，并设置在胶带剥离装置(日动精机公司制，商品名“RM300”)上。接着，利用胶带剥离装置内置干燥机或加热器由V形凹口位置的对面加热，按照以下的基准进行评价。另外，前述胶带剥离装置作为用于进行胶带剥离的加热源，使用实施如下所述改造的设备：预先设置干燥机或加热器内置加热夹具，可通过开关操作进行加热。
评价基准
粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，从端部向内侧产生5mm以上的浮起：○
从粘合片端部向内侧产生的浮起不足5mm：×
进而，加热后，从距离高热收缩基材层面的外缘部5mm的内部贴附剥离带，对该胶带进行180℃剥离，按照以下的基准进行评价。
评价基准
粘合片能够容易且不会污染被粘物的剥离、回收：○
粘合片未剥离，或者剥离不充分，不能回收：×
上述评价结果总结并显示于表1、2中。
由上述表1，实施例1～9得到的粘合片1～9由于使用双轴收缩性基材层作为高热收缩基材层，所以在高热收缩基材层的主要收缩方向加热端部，另外，在与主要收缩方向垂直的方向加热端部，都向高热收缩基材层侧翘曲，在与被粘物之间从粘合片端部向内部产生5mm以上浮起(剥离开端)，可通过剥离带顺畅地、且不会污染被粘物的进行剥离。另一方面，比较例1、2得到的粘合片10、11由于使用仅一个方向施加拉伸的单轴收缩性基材层作为高热收缩基材层，所以仅在收缩方向加热端部时产生向高热收缩基材层侧翘曲(剥离开端)，在与收缩方向垂直的方向加热端部时未产生向高热收缩基材层侧翘曲(剥离开端)，不能进行剥离。另外比较例3得到的粘合片12由于低热收缩基材层过厚，即使在高热收缩基材层的主要收缩方向加热端部，另外，在与主要收缩方向垂直的方向加热端部，都未产生向高热收缩基材层侧翘曲(剥离开端)，不能进行剥离。
[粘合片的实用性评价]
对具有上述剥离性的粘合片1～9剥离隔膜并贴合到带V形凹口的8英寸的晶圆上。接着，将贴合了粘合片的带V形凹口的8英寸晶圆使用背面研磨装置(DISCO公司制、商品名“DFG8560”)，进行研磨，以使晶圆厚度为25μm，得到已研磨晶圆。对得到的各已研磨晶圆从粘合片面侧进行紫外线照射(500mJ/cm2、25秒钟)。然后，将已照射了紫外线的各已研磨晶圆设置在胶带贴合装置(日东精机公司制、商品名“MA3000II”)，升温到50～60℃，在晶圆面贴合固定于切割环的DAF胶带(日东电工株式会社制，商品名“EM-500M2A”)。通过50～60℃的升温，粘合片1～9没有剥离。
此后，输送并设置在胶带剥离装置(日东精机公司制、商品名“RM300”)上。接着，通过工业用干燥机向粘合片侧吹付热风，加热粘合片端部，使其产生剥离开端，使用剥离带进行剥离粘合片。此时，在晶圆上不会产生裂纹、缺损。进而，另外，通过工业用干燥机吹付热风，未发现DAF胶带(日东电工株式会社制、商品名“EM-500M2A”)的粘合力上升。由以上可知，本发明所述的粘合片在半导体晶圆加工中实用性非常高。
产业上的可利用性
本发明所述的粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热，由于主动卷绕而形成筒状卷绕体，所以加热后的粘合片不会在被粘物的表面重叠、难以剥离，可以将不需要的粘合片容易且良好地剥离。由此，作为半导体晶圆研磨(背面研磨)等中使用的粘合片是有用的。
Claims (19)
1.一种树脂层压体，所述树脂层压体是将热收缩率相对大的高热收缩基材层和热收缩率相对小的低热收缩基材层隔着粘接剂层接合而成，所述高热收缩基材层的在主要收缩方向的收缩率A％和在与主要收缩方向垂直的方向的收缩率B％之比A∶B为1∶1～10∶1，其中，通过从任意的一个方向加热而向高热收缩基材层侧翘曲，通过进一步加热而能从1个端部向1个方向主动卷绕而形成1个筒状卷绕体。
2.根据权利要求1所述的树脂层压体，其由在60～180℃的范围内的规定温度下在彼此垂直的两个轴的方向收缩5％以上的高热收缩基材层、与在该温度下热收缩率不足1％的低热收缩基材层形成。
3.根据权利要求1或2所述的树脂层压体，在80℃下粘接剂层的刚性即剪切弹性模量与厚度之积为1～103N/m。
4.根据权利要求1～3任一项所述的树脂层压体，其中，粘接剂层以丙烯酸系聚合物构成。
5.根据权利要求1～4任一项所述的树脂层压体，其中，粘接剂层为活性能量射线固化型粘合剂层。
6.根据权利要求5所述的树脂层压体，其中，活性能量射线固化型粘合剂层含有在侧链含有丙烯酸酯的丙烯酸系聚合物、交联剂、和紫外线活性能量射线聚合引发剂。
7.根据权利要求1～6任一项所述的树脂层压体，其中，在80℃下的低热收缩基材层的杨氏模量与厚度之积为3×105N/m以下。
8.一种粘合片，其在权利要求1～7任一项所述的树脂层压体的低热收缩基材层上设置了粘合剂层。
9.根据权利要求8所述的粘合片，在低热收缩基材层上设置的粘合剂层含有由玻璃或者树脂形成的珠。
10.一种被粘物的加工方法，其特征在于，将权利要求8或9所述的粘合片贴附于被粘物，并对该被粘物实施所需的加工后，通过从任意的一个方向加热，而使所述粘合片向高热收缩基材层侧翘曲，并使其与被粘物之间产生浮起而剥离。
11.根据权利要求10所述的被粘物的加工方法，作为粘合片使用粘接剂层为活性能量射线固化型粘合剂层的粘合片，并且将该粘合片贴附于被粘物，并对该被粘物实施所需的加工后，照射活性能量射线使粘接剂层固化，接着，从任意的一个方向加热而使所述粘合片向高热收缩基材层侧翘起，并使其与被粘物之间产生浮起。
12.根据权利要求10或11所述的被粘物的加工方法，通过将贴附于变形了的粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部的剥离带向上方拉，来剥离粘合片。
13.一种粘合片剥离装置，其为用于权利要求10～12任一项所述的被粘物的加工方法的粘合片剥离装置，其具备：加热设备，其用于加热贴附于被粘物的粘合片；以及剥离设备，其用于剥离通过加热而向高热收缩基材层侧翘曲并与被粘物之间产生浮起的粘合片。
14.根据权利要求13所述的粘合片剥离装置，其具备：吸附热台，其用于将贴附了粘合片的被粘物固定并加热；以及剥离带，其用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部来进行剥离。
15.根据权利要求13所述的粘合片剥离装置，其具备：吸附台，其用于固定贴附了粘合片的被粘物；热风枪；以及剥离带，其用于贴附在粘合片的高热收缩基材层侧的表面外缘部来进行剥离。
16.根据权利要求13所述的粘合片剥离装置，其具备：吸附台，其用于固定贴附了粘合片的被粘物；以及加热器内置型剥离带贴合机构，其用于加热剥离粘合片。
17.根据权利要求13所述的粘合片剥离装置，其具备：吸附台，其用于固定贴附了粘合片的被粘物；以及可动式热源，其带有从被粘物的一方的端部向另一方的端部移动的机构。
18.根据权利要求13～17任一项所述的粘合片剥离装置，其具备：活性能量射线源，其用于对具有活性能量射线固化型粘合剂层的粘合片照射活性能量射线，而使粘接剂层固化。
19.根据权利要求18所述的粘合片剥离装置，其具备紫外线曝光光源来作为活性能量射线源。
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