TWI438086B - A resin laminate, an adhesive sheet, a processing method using the adhesive sheet, and a peeling device - Google Patents

A resin laminate, an adhesive sheet, a processing method using the adhesive sheet, and a peeling device Download PDF

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TWI438086B
TWI438086B TW097144706A TW97144706A TWI438086B TW I438086 B TWI438086 B TW I438086B TW 097144706 A TW097144706 A TW 097144706A TW 97144706 A TW97144706 A TW 97144706A TW I438086 B TWI438086 B TW I438086B
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TW
Taiwan
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adhesive sheet
adhesive
layer
peeling
heat shrinkable
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TW097144706A
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TW200942409A (en
Inventor
Akinori Nishio
Kazuyuki Kiuchi
Original Assignee
Nitto Denko Corp
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Publication date
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Description

樹脂積層體、黏著片、使用該黏著片之被著體之加工方法及其剝離裝置
本發明係關於：一種樹脂積層體，其藉由自任意一個方向加熱而自端部起自發地捲繞，可形成筒狀捲繞體；一種黏著片，其包含上述樹脂積層體，藉由自任意一個方向加熱而自端部起自發地捲繞形成筒狀捲繞體而自作為被著體之半導體晶圓上剝離，且用於半導體晶圓研磨(背面研磨)等；及一種使用該黏著片之被著體之加工方法；以及一種黏著片剝離裝置。
以矽、鍺、砷化鎵等作為材料之半導體晶圓於以大直徑之狀態製造後，進行背面磨削(背面研磨)以達到特定之厚度，進而，視需要實施背面處理(蝕刻、拋光等)、切割加工等，藉此製造半導體晶片。近年來，對半導體材料之薄型化、輕量化之要求進一步提高，關於半導體晶圓，必須使其厚度變薄至100μm或100μm以下，但此種薄膜晶圓非常脆且容易產生龜裂。因此，在進行半導體晶圓加工時，採用如下方法：使用暫時固定用黏著片來保持半導體晶圓，實施適當之加工後，將暫時固定用黏著片自半導體晶圓上剝離並加以回收。
此種暫時固定用黏著片(以下有時稱為「背面研磨膠帶」)通常由能量線硬化型黏著劑層構成，貼附於半導體晶圓上，對暫時固定之半導體晶圓實施研磨等加工時，用來保護半導體晶圓表面不受施加於半導體晶圓之應力、磨削水、磨削屑(矽微粉)之損傷。並且，於半導體晶圓之研磨等加工步驟結束後，藉由照射能量線而使黏著劑層硬化，使黏著力下降，自半導體晶圓上剝離背面研磨膠帶。然而，背面研磨膠帶即使由於能量線照射而黏著力下降，亦由於大氣壓而密著於半導體晶圓表面上。因此，為了剝離背面研磨膠帶，而必須進行捲起背面研磨膠帶等操作，但由於此時之應力等而存在半導體晶圓容易破損之問題。另外，通常之背面研磨膠帶之剝離裝置係如下結構：將經研磨處理之半導體晶圓、背面研磨膠帶積層體(以下有時稱為「研磨完畢之晶圓」)固定於吸附台上，然後將組入至剝離裝置中之剝離用膠帶貼合於研磨完畢之晶圓的背面研磨膠帶面上，進行揭起(peel)剝離，藉此去除背面研磨膠帶。
上述剝離膠帶係以自研磨完畢之晶圓的背面研磨膠帶之端部起朝內部之方式貼合，藉由對剝離膠帶進行揭起剝離，而將不需要之背面研磨膠帶剝離。然而，對於對準圓周形狀之半導體晶圓而貼附的圓周形狀之背面研磨膠帶，則不可能於不自端部露出之情況下貼合矩形之剝離膠帶，實際上存在雖說極少但剝離膠帶仍自背面研磨膠帶露出之情形。此處，若半導體晶圓繼續薄化，則剝離膠帶之露出面會貼附於剝離裝置等，若於此狀態下將剝離膠帶揭起剝離，則存在會使半導體晶圓極度彎曲而導致半導體晶圓破損之情形。另外，若不將剝離膠帶貼合至端部，則可避免上述之半導體晶圓破損，但於此情形時，即使將剝離膠帶揭起剝離，剝離應力亦不會充分傳導至背面研磨膠帶，而存在難以去除背面研磨膠帶之情形。
於日本專利特開2000-129223號公報中，揭示有包含收縮性膜、剛性膜及能量線硬化型黏著劑層之半導體晶圓保護用黏著片。該文獻中揭示有：根據該黏著片，若照射活性能量線使黏著劑層之接著力下降、並且利用必要之機構使收縮性膜收縮，則黏著片會變形，半導體晶圓與黏著劑層之接觸面積減少，故可容易地自半導體晶圓上剝離黏著片。然而，本發明者選擇任意材料進行了相同研究，結果瞭解到：由於收縮性膜之收縮係自複數個方向產生等，故加熱後之黏著片會於半導體晶圓表面疊起等，而可能引起剝離困難或被著體破壞。即，關於在對半導體晶圓進行背面研磨時保護半導體晶圓不破損等、且背面研磨結束後不需要之背面研磨膠帶，目前仍未發現可於不損壞及污染半導體晶圓之情況下剝離之背面研磨膠帶、以及於不損壞及污染半導體晶圓之情況下將背面研磨膠帶剝離之剝離裝置。
[專利文獻1]日本專利特開2000-129223號公報
本發明者等人認為，為了解決上述課題，必需一種附有易剝離性功能之黏著片。在以手工作業進行自被著體上剝離黏著片之作業時，首先為了製造剝離起點而於被著體端部捏起膠帶，其後將膠帶拉扯剝離。然而，對於脆弱之被著體而言，無法捏起膠帶，大多情況下係以如下方式製造剝離開口：蹭起膠帶，即儘可能地使揭起角度變大，藉此使剝離應力極小而不損壞被著體。其後亦維持儘可能大之揭起角度而將膠帶剝離，藉此可自脆弱之被著體上剝離黏著片。
因此，本發明者等人認為，在利用熱等刺激賦予易剝離性時，若可使膠帶剝離時之形狀恰如卷取毛毯般變形(以下有時稱為「筒狀捲繞體」)，則形成符合目的之黏著膠帶。其原因在於，一邊引起此種變形一邊進行剝離，可極力大地保持剝離時之揭起角度，且極力縮小對被著體之剝離應力。即，意味著可使損壞脆弱之被著體之可能性極小。
進而，剝離應力較小，則黏著劑被剝下至被著體上之可能性亦變小，故亦可縮小因剝離而污染被著體之可能性。另外，即使暫時貼附於晶圓研磨面側之部件上，仍可使剝離應力極小，故損壞半導體晶圓之可能性變小。因此，本發明者等人製作了使用熱收縮基材之黏著片，並對將利用加熱使熱收縮基材收縮之力變換為力偶進行了研究，由此發現了如下黏著片：該黏著片之外緣部自晶圓之表面浮起，朝一個方向自發地捲繞(捲曲)成筒狀並且剝離。然而，該黏著片具有僅朝特定之方向捲繞之性質，若對黏著片之與熱收縮方向正交的方向之端部進行加熱，則黏著片無法自發地捲繞(捲曲)成筒狀，而無法自半導體晶圓上剝離。因此，對黏著片實施加熱處理之方向受到限定。因此，需要配合黏著片剝離裝置中之加熱機構之配置，來調整對半導體晶圓貼合黏著片之貼合方向。即，留有如下問題：必須對半導體晶圓在固定之方向上貼附黏著片，並且，視黏著片貼附裝置或黏著片剝離裝置之構成不同，存在無法平滑地進行黏著片之剝離的之情形。
因此，本發明之目的在於提供一種無論對半導體晶圓等被著體在哪個方向上貼附均可平滑地剝離、回收之黏著片，以及用於上述黏著片之樹脂積層體。另外，本發明之其他目的在於提供一種使用本發明之黏著片之被著體之加工方法、以及用於加工上述被著體之黏著片剝離裝置。
本發明者等人為解決上述課題而進行銳意研究，結果發現一種樹脂積層體：其係經由接著劑層將特定之高熱收縮基材層與低熱收縮基材層加以積層者，藉此即使不選擇加熱方向而自任意方向加熱，亦平滑地捲繞而可形成筒狀捲繞體。具體而言，發現：使用雙軸收縮性基材作為構成收縮率相對較大之高熱收縮基材層之熱收縮基材、並特定之接著劑層將該高熱收縮基材層與收縮率相對較小之低熱收縮基材層加以接合而成之樹脂積層體，藉由來自任意一個方向之加熱，不僅自正交之2個方向、實際上由2個收縮軸所產生收縮應力一起發揮作用，而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱，自發地捲繞而形成筒狀捲繞體。而且發現，若使用具有該樹脂積層體之黏著片作為半導體晶圓等被著體之暫時固定用膠帶，則無論對半導體晶圓等被著體在哪個方向上貼合，當不需要該黏著片時，均可藉由不選擇加熱方向而自任意一個方向加熱而容易地剝離，進而可容易地回收所剝離之黏著片，從而完成了本發明。
即，本發明提供一種樹脂積層體，其係經由接著劑層將熱收縮率相對較大之高熱收縮基材層、與熱收縮率相對較小之低熱收縮基材層加以接合而成者，上述高熱收縮基材層之主收縮方向上的收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為1：1至10：1；並且該樹脂積層體藉由自任意一個方向加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，可形成1個筒狀捲繞體。
上述樹脂積層體較好的是，包含在60~180℃之範圍內之特定溫度下於彼此正交之雙軸方向上收縮5%以上的高熱收縮基材層、及於該溫度下熱收縮率未達1%之低熱收縮基材層。作為接著劑層，較好的是80℃下之剛性(剪切彈性模數與厚度之乘積)為1~103 N/m，另外，較好的是由丙烯酸系聚合物構成，進而，另外較好的是活性能量線硬化型黏著劑層。另外，活性能量線硬化型黏著劑層較好的是含有含側鏈丙烯酸酯之丙烯酸系聚合物、交聯劑以及紫外線活性能量線聚合起始劑。
作為低熱收縮基材層，較好的是80℃下之楊式模數與厚度之乘積為3×105 N/m以下。
另外，本發明提供一種於上述樹脂積層體中之低熱收縮基材層上設置有黏著劑層之黏著片。作為黏著劑層，較好的是含有由玻璃或樹脂形成之珠粒。
另外，本發明提供一種被著體之加工方法，其特徵在於：將上述黏著片貼附於被著體上，對該被著體實施必要之加工後，藉由自任意一個方向進行加熱，而使上述黏著片於高熱收縮基材層側翹曲，於與被著體之間產生浮起而剝離。另外較好的是，使用接著劑層為活性能量線硬化型黏著劑層之黏著片來作為黏著片，並且將該黏著片貼附於被著體上，對該被著體實施必要之加工後，照射活性能量線而使接著劑層硬化，接著，自任意一個方向加熱而使上述黏著片於高熱收縮基材層側翹曲，於與被著體之間產生浮起。進而較好的是，藉由將貼附於變形之黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部的剝離膠帶向上方拉扯，而將黏著片剝離。
另外，本發明提供一種黏著片剝離裝置，其係用於上述被著體之加工方法者，並且其具備：用以對貼附於被著體之黏著片進行加熱之加熱機構；以及將藉由加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲、於與被著體之間產生浮起的黏著片剝離之剝離機構。
作為上述黏著片之剝離裝置，較好的是：具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定並加熱之吸附熱台、以及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離的剝離膠帶之黏著片剝離裝置；具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、熱風槍、以及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離的剝離膠帶之黏著片剝離裝置；具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、以及用以對黏著片進行加熱剝離之加熱器內置型剝離膠帶貼合機構的黏著片剝離裝置；或者，具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、以及具有自被著體之一個端部起朝另一個端部移動之機構的可動式熱源之黏著片剝離裝置。進而，較好的是具備對具有活性能量線硬化型黏著劑層之黏著片照射活性能量線、使接著劑層硬化之活性能量線源，較好的是具備紫外線曝光光源作為活性能量線源。
若使用具有本發明之樹脂積層體之黏著片作為背面研磨膠帶，則可將半導體晶圓等被著體研磨至厚度為20μm~25μm左右而不產生龜裂或缺損。進而，若藉由自任意一個方向對研磨完畢之晶圓進行加熱，本發明之黏著片於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自發地捲繞形成筒狀捲繞體，因此加熱後之黏著片不會於半導體晶圓表面疊起而造成剝離困難，可容易且完全地剝離不需要之黏著片。另外，貼附於半導體晶圓等被著體時並不選擇貼合方向，無論在哪個方向上貼附之黏著片均可自半導體晶圓等被著體上平滑地剝離。進而，本發明之黏著片藉由本發明之黏著片剝離裝置，經由活性能量線照射、加熱步驟，可於不損壞半導體晶圓等被著體之情況下平滑地剝離、回收。
以下，視需要一面參照圖式，一面詳細說明本發明之實施形態。圖1係表示本發明之黏著片之一例的概略剖面圖，圖2係表示本發明之黏著片自發捲繞之形態的圖(立體圖)。圖3係表示本發明之黏著片剝離裝置之一例的概略側視圖，圖4係表示本發明之黏著片貼附於被著體上之貼附態樣的側視圖以及俯視圖。
圖1之例中，本發明之黏著片5中，熱收縮率相對較大之高熱收縮基材層1與熱收縮率相對較小之低熱收縮基材層3利用接著劑層2加以接合，進而，於低熱收縮基材層3上積層有黏著劑層4。
圖2之例中，圖2(A)表示加熱前之黏著片5之圖，圖2(B)表示自一個方向加熱之黏著片5(黏著劑層之黏著力下降或消失後之黏著片5)開始自片外緣部在一個方向上捲繞時之狀態的圖，圖2(C)表示黏著片5之捲繞結束而形成1個筒狀捲繞體時之狀態的圖。此例中，黏著片5之形狀為圓形狀，但並不限定於此，可根據目的而適當選擇，亦可為四角形、橢圓形狀、多角形狀等之任一形狀。
圖3之例中，本發明之剝離裝置具備加熱機構6、吸附台7、以及回收黏著片5之剝離膠帶8，黏著片5貼合於半導體晶圓10上，該半導體晶圓10係貼附於藉由吸附台7上之環形框架9而固定之黏著片(切割膠帶)11上。藉由加熱機構6進行加熱而於與半導體晶圓10之間產生浮起之黏著片5，藉由自上方貼附剝離膠帶並將剝離膠帶8揭起剝離，而自半導體晶圓10上剝離。
圖4-1係以本發明之黏著片5之高熱收縮基材層的主收縮方向12相對於半導體晶圓10之V形凹口13平行的方式而貼附的、本發明之黏著片5與半導體晶圓10之側視圖以及俯視圖，圖4-2係以本發明之黏著片5之高熱收縮基材層的主收縮方向12相對於半導體晶圓10之V形凹口13正交的方式而貼附的、本發明之黏著片5與半導體晶圓10之側視圖以及俯視圖。
[樹脂積層體]
本發明之樹脂積層體之特徵在於：至少由熱收縮率相對較大之高熱收縮基材層、熱收縮率相對較小之低熱收縮基材層、及將上述高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合之接著劑層所構成，高熱收縮基材層之主收縮方向上的收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為1：1~10：1，且藉由自任意一個方向上加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，可形成1個筒狀捲繞體。於圖1之例中，高熱收縮基材層1、接著劑層2與低熱收縮基材層3之積層體相當於本發明之樹脂積層體。
[高熱收縮基材層]
本發明中之高熱收縮基材層成為發揮如下作用之驅動力：具有該高熱收縮基材層之樹脂積層體藉由自任意之方向加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，形成1個筒狀捲繞體；就不選擇實施加熱處理之方向的方面而言，本發明之特徵在於使用具有雙軸收縮性之高熱收縮基材。主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為1：1至10：1，其中較好的是1：1至5：1，特別好的是1：1至3：1。若與主收縮方向正交之方向上之收縮率[B(%)]低於主收縮方向上之收縮率[A(%)]之1/10，則雙軸收縮性變得不充分而僅於主收縮方向上收縮，由此僅於自固定之方向加熱時朝一個方向自發地捲繞而形成筒狀捲繞體，加熱方向受到限定，故欠佳。於本發明中推測：藉由具有雙軸收縮性，不僅自正交之2個方向、實際上2個收縮軸所產生之收縮應力合成而發揮作用，因此無論自哪個方向對高熱收縮基材層進行加熱均會收縮，可形成具有該高熱收縮基材層之樹脂積層體自發地捲繞形成1個筒狀捲繞體之驅動力。
本發明中之高熱收縮基材層之雙軸收縮性較好的是，於60~180℃之範圍內之特定溫度(例如80℃)下雙軸各自之收縮率為5%以上(例如5~80%)，更好的是15%以上(例如，15~80%)。若雙軸各自之收縮率低於5%，則黏著片整體之剛性勝過收縮應力，因此即使自任意一個方向對具有該高熱收縮基材層之樹脂積層體加熱亦不會於高熱收縮基材層側產生翹曲，或者即使產生翹曲亦極小，而存在無法平滑地捲繞形成筒狀捲繞體之情形。其中，雙軸各自之收縮率亦可不相等，例如，亦可為一個軸之收縮率為20%、另一個軸之收縮率為30%之類的情形，於此情形時，將收縮率更高之軸方向設為主收縮方向。
本發明中之高熱收縮基材層之雙軸收縮性，例如可藉由對利用擠出機擠出之膜實施雙軸延伸處理而賦予，可藉由其延伸程度而調整收縮率。作為構成本發明中之高熱收縮基材層之高熱收縮基材，較好的是，藉由以剝離裝置之加熱機構進行加熱會引起對具有該高熱收縮基材之樹脂積層體自發地捲繞而言充分之收縮者，並且，如下述，於使用活性能量線硬化型黏著劑層作為將高熱收縮基材與低熱收縮基材接合之接著劑層、以及設置於低熱收縮基材層上之黏著劑層之情形時，且通過高熱收縮基材層而進行活性能量線照射時，高熱收縮基材層必須由可透射特定量以上之活性能量線之材料(例如具有透明性之樹脂)構成。
作為構成本發明中之高熱收縮基材層之高熱收縮基材，例如可較好地使用：聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸等聚酯類；KAPTON等聚醯亞胺類；6,6-尼龍等聚醯胺類；聚醚磺酸類；聚降烯等具有紫外線透射性之聚合物。可根據加熱條件等剝離環境自該等聚合物之中適當選擇，另外，該等聚合物可單獨使用，或混合使用2種以上。
作為本發明中之高熱收縮基材層，其中較好的是包含聚酯類之高熱收縮基材層。其原因在於，除了成本方面等經濟性優異、與用於與後述低熱收縮基材層貼合的接著劑層之黏著性較高以外，亦具有對收縮起始溫度之回應性較高等優點。
作為本發明之高熱收縮基材層，例如可使用：商品名「SPACE CLEAN」(東洋紡織公司製造)、商品名「FANCYWRAP」(GUNZE公司製造)、商品名「TORAYFAN」(TORAY公司製造)、商品名「LUMIRROR」(TORAY公司製造)、商品名「ARTON」(JSR公司製造)、商品名「ZEONOR」(日本ZEON公司製造)等市售品，其中，商品名「SPACE CLEAN」(東洋紡織公司製造)兼具上述主要條件並且具有較大之收縮率，因此可較好地使用。另外，對上述市售品可視需要實施適當之延伸處理或交聯處理，亦可對表面實施電暈處理或印刷加工處理。藉由實施延伸處理，可改良為具有更高之收縮率之基材。
作為本發明中之高熱收縮基材層之厚度，例如較好的是5~300μm，其中，更好的是10~100μm。若厚度低於5μm，則製造時之膜捲取、或抽出操作等變得困難等，操作性較差，另一方面，若厚度超過300μm，則不僅不經濟，而且剛性變高而不會自發地捲繞，於高熱收縮基材層與接著劑層之間會產生分離，容易引起積層體破壞。另外，若剛性較大，則黏著片貼合時之應力會殘存而產生，彈性變形力較大，將半導體晶圓等被著體研磨得較薄時翹曲容易變大。
根據本發明中之高熱收縮基材層，於與低熱收縮基材層之積層體中可形成具有如下作用之驅動力：藉由自任意一個方向進行加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，形成1個筒狀捲繞體；若使用具有該高熱收縮基材層之黏著片作為例如半導體晶圓之背面研磨膠帶，則貼合於半導體晶圓時無須考慮黏著片之捲繞方向而貼合，無論貼合於哪個方向上，黏著片均可藉由自任意一個方向加熱而平滑地捲繞，形成1個筒狀捲繞體。
[低熱收縮基材層]
本發明中之低熱收縮基材層於上述高熱收縮基材層與低熱收縮基材層之積層體中具有如下功能：藉由與高熱收縮基材層之收縮應力相抗衡而生成反作用之力，進而產生捲繞所必需之力偶。進而具有如下功能：防止由於加熱而該積層體於貼附於半導體晶圓等被著體上之狀態下收縮導致半導體晶圓等被著體破損。因此，作為本發明中之低熱收縮基材層，較好的是於加熱剝離時熱收縮率較小。具體而言，較好的是於60~180℃之範圍內之特定溫度(高熱收縮基材層於雙軸方向上收縮5%以上之溫度)、例如80℃下之熱收縮率未達1%(較好的是0.5%以下)，亦可於高熱收縮基材層收縮時膨脹。即，低熱收縮基材層之上述熱收縮率亦可採用負值。低熱收縮基材層之上述熱收縮率之下限例如為-1%左右。另外，剝離時溫度(例如80℃)下之低熱收縮基材層之楊式模數與厚度之城積為3×105 N/m以下(例如，1.0×102 ~3.0×105 N/m)，更好的是2.8×105 N/m以下(例如，1.0×103 ~2.8×105 N/m)。若楊式模數與厚度之乘積大於3×105 N/m，則剛性會過大，故存在難以形成筒狀捲繞體、而難以利用加熱進行剝離之情況。
作為本發明中之低熱收縮基材層，考慮到製造時之操作簡便性、或使用便利性、經濟性，於剝離時溫度(例如80℃)下，楊式模數較好的是3×106 ~2×1010 N/m2 ，更好的是1×108 ~1×1010 N/m2 。若楊式模數過小，則存在半導體晶圓磨削後所產生之翹曲變大、對搬送等帶來障礙之情形。相反，若楊式模數過大，則不易產生自發捲繞。低熱收縮基材層之厚度較好的是未達100μm(例如5~100μm左右)，更好的是10~75μm左右。若上述厚度過厚，則自我捲繞性下降，另外使用性、經濟性較差，而欠佳。另外，與上述高熱收縮基材層同樣，如下述，當將高熱收縮基材與低熱收縮基材接合之接著劑層、以及設置於低熱收縮基材層上之黏著劑層為活性能量線硬化型黏著劑層時，必須由具有活性能量線透射性之材料(例如具有透明性之樹脂)構成。
作為構成本發明中之低熱收縮基材層之低熱收縮基材，例如可較好地使用：聚丙烯、聚乙烯等聚烯烴類；聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚乳酸等聚酯類；KAPTON等聚醯亞胺類；6,6-尼龍等聚醯胺類；聚醚磺酸類；聚降烯等具有紫外線透射性之聚合物。可根據加熱條件等自該等聚合物之中適當選擇，該等聚合物可單獨使用，或混合使用2種以上。
作為本發明中之低熱收縮基材層，其中較好的是包含聚酯類之低熱收縮基材層，特別好的是包含聚對苯二甲酸乙二酯之低熱收縮基材層。其原因在於，除了成本方面等經濟性、以及與用於與後述低熱收縮基材層貼合的接著劑層之黏著性較高以外，亦具有耐熱穩定性優異、具有高機械強度等優點。
作為本發明之低熱收縮基材層，例如可使用：商品名「TORAYFAN」(TORAY公司製造)、商品名「LUMIRROR」(TORAY公司製造)、商品名「ARTON」(JSR公司製造)、商品名「ZEONOR」(日本ZEON公司製造)、商品名「MELINEX」(帝人杜邦公司製造)等市售品，其中，可較好地使用商品名「LUMIRROR」(TORAY公司製造)、商品名「MELINEX」(帝人杜邦公司製造)。另外，對上述市售品可視需要實施適當之延伸處理或交聯處理，亦可對表面實施電暈處理或印刷加工處理。
根據本發明中之低熱收縮基材層，於與高熱收縮基材層之積層體中具有如下功能：藉由與高熱收縮基材層之收縮應力相抗衡，而防止由於加熱而該積層體於貼附於半導體晶圓等被著體上之狀態下收縮導致半導體晶圓破損；進而具有如下功能：藉由與高熱收縮基材層之收縮應力相抗衡而生成之反作用的應力將收縮應力轉變為力偶，促進有利於自發捲繞之基材變形。
[接著劑層]
本發明中之接著劑層較好的是具有對將高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合而言充分之接著力(或黏著力)。進而，當使用具有上述高熱收縮基材層與低熱收縮基材層、以及將高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合之接著劑層的本發明之黏著片作為半導體晶圓等被著體之背面研磨膠帶時，為了順利地進行貼合、及貼合後之膠帶切割作業，較好的是接著劑層具有柔軟性。另一方面，於對黏著片進行加熱剝離時，為了將高熱收縮基材層之收縮應力傳導至低熱收縮基材層，另外為了防止加熱後之黏著片於半導體晶圓等被著體表面疊起而造成剝離困難，較好的是接著劑層具有不會極力收縮變形之剛性。即，較好的是具備可控制柔軟性或剛性之功能的接著劑層。
本發明之接著劑層對上述高熱收縮基材層與低熱收縮基材層之接著力(180℃揭起剝離、對矽鏡面晶圓、拉扯速度300mm/分)，例如為4N/10mm以上，其中較好的是6N/mm以上，特別好的是8N/mm以上。本發明之接著劑層(厚度5μm)之柔軟性以及剛性係以剪切彈性模數×厚度來表示，於加熱剝離時之溫度、例如80℃下較好的是1~1×103 N/m。若加熱至80℃時之接著劑層之剛性低於1N/m，則無法將高熱收縮基材層之收縮應力傳導至低熱收縮基材層，黏著劑層會以受高熱收縮基材層之收縮的牽制之方式變形，結果不產生自發捲繞。另一方面，若加熱至80℃時之接著劑層之剛性高於1×103 N/m，則通常黏著力不充分，於高熱收縮基材層與接著劑層之間產生分離，容易導致積層體破壞。另外，因剛性過大，故具有該接著劑層之黏著片並不自發地捲繞而是發生變形，因此要擔心由於其應力而破壞被著體等。
出於上述原因，本發明中之接著劑層較好的是可於剝離前與剝離時使剛性發生變化者。例如，若使用活性能量線硬化型黏著劑作為構成接著劑層之黏著劑，則於未照射活性能量線之狀態下柔軟性以及黏著力較高，且可藉由照射活性能量線而提高剛性，從而可視需要容易地調整剛性。於本發明中，作為活性能量線，例如係指紫外線、可見光線、紅外線、放射線、電子束等。
作為構成本發明中之接著劑層之黏著劑，例如，可使用1種或組合使用2種以上之如下的公知黏著劑：橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、聚酯系黏著劑、聚醯胺系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系黏著劑、於該等黏著劑中添加有熔點約為200℃以下之熱熔融性樹脂而成之蠕變特性改良型黏著劑等(例如，參照日本專利特開昭56-61468號公報、日本專利特開昭61-174857號公報、日本專利特開昭63-17981號公報、日本專利特開昭56-13040號公報等)。黏著劑中除黏著性成分(基質聚合物)以外，亦可添加交聯劑(例如，聚異氰酸酯、烷基醚化三聚氰胺化合物等)、增黏劑(例如，松香衍生物樹脂、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性苯酚樹脂等)、塑化劑、填充劑、抗老化劑等適當之添加劑。另外，亦可添加由玻璃或樹脂所形成之珠粒。藉由添加由玻璃或樹脂所形成之珠粒，容易控制黏著特性或剪切彈性模數，就該方面而言較為有利。
作為上述黏著劑，通常可使用：以天然橡膠或各種合成橡膠作為基質聚合物之橡膠系黏著劑；以使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-羥乙酯、2-乙基己酯、異辛酯、異癸酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十五烷基酯、十六烷基酯、十七烷基酯、十八烷基酯、十九烷基酯、二十烷基酯等C1-20 烷基酯等)之1種或2種以上作為單體成分之丙烯酸系聚合物(均聚物或共聚物)作為基質聚合物的丙烯酸系黏著劑等。
再者，以凝聚力、耐熱性、交聯性等之改進為目的，上述丙烯酸系聚合物亦可視需要而含有對應於可與上述(甲基)丙烯酸烷基酯共聚合之其他單體成分的單元。作為此種單體成分，例如可舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等含羧基之單體；順丁烯二酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸羥乙酯、(甲基)丙烯酸羥丙酯、(甲基)丙烯酸羥丁酯、(甲基)丙烯酸羥己酯、(甲基)丙烯酸羥辛酯、(甲基)丙烯酸羥癸酯、(甲基)丙烯酸羥基月桂酯、甲基丙烯酸(4-羥甲基環己基)甲酯等含羥基之單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含磺酸基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等衣康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基丁二醯亞胺等丁二醯亞胺系單體；乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基嗎啉、N-乙烯基甲醯胺類，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含環氧基之丙烯酸系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙二醇酯、(甲基)丙烯酸甲氧基聚丙二醇酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、氟(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等具有雜環、鹵素原子、矽原子等之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、丙烯酸胺基甲酸酯等多官能單體；異戊二烯、丁二烯、異丁烯等烯烴系單體；乙烯醚等乙烯醚系單體等。該等單體成分可單獨使用或混合使用2種以上。
上述丙烯酸系共聚物可藉由使上述單體成分聚合而獲得。作為單體成分之聚合方法，可採用慣用之方法，例如可舉出：溶液聚合、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合等。
就使剛性視需要而變化之觀點而言，本發明中之接著劑層較好的是包含活性能量線硬化型丙烯酸系黏著劑之接著劑層。作為本發明之活性能量線硬化型丙烯酸系黏著劑，例如，可藉由將公知之活性能量線硬化性化合物與丙烯酸系黏著劑加以混合而獲得。作為活性能量線硬化性化合物，例如可較好地使用分子內含有複數個乙烯基、甲基丙烯基、乙炔基等具有碳-碳多鍵的官能基之化合物。該等化合物所含有之具有碳-碳多鍵之官能基藉由活性能量線照射使鍵結裂解而生成自由基，該自由基成為交聯劑而形成三維網狀結構。另外，作為活性能量線硬化性化合物，亦可較好地使用：錪鹽、鏻鹽、銻鹽、鋶鹽、硼酸鹽等有機鹽類與環氧乙烷、氧雜環丁烷、氧雜環戊烷、環硫乙烷、氮丙啶等含有複數個雜環作為官能基之化合物。含有複數個雜環作為官能基之化合物藉由活性能量線照射使有機鹽裂解而生成離子，該離子成為起始劑而引起雜環之開環反應，藉此形成三維網狀結構。
作為本發明中之活性能量線硬化性化合物，其中，較好的是一分子中含有2個以上的丙烯酸酯基等具有碳-碳雙鍵之官能基的活性能量線硬化性化合物(參照日本專利特開2003-292916號公報)。其原因在於，丙烯酸酯基對活性能量線顯示出相對較高之反應性、而且可選擇多種丙烯酸系黏著劑等，就反應性或作業性之觀點而言較好。作為一分子中含有2個以上之碳-碳雙鍵之活性能量線硬化性化合物，例如可舉出：三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸與多元醇之酯化物、酯丙烯酸酯寡聚物、2-丙烯基-3-丁烯基氰尿酸酯、異氰尿酸酯、異氰尿酸酯化合物等。該等活性能量線硬化性化合物可單獨使用，或混合使用2種以上。
作為本發明中之活性能量線硬化型丙烯酸系黏著劑，亦可使用對基質聚合物賦予有活性能量線硬化性之丙烯酸系黏著劑。作為對基質聚合物賦予有活性能量線硬化性之丙烯酸系黏著劑，例如可舉出：側鏈上鍵結有具有碳-碳雙鍵之官能基等的丙烯酸系黏著劑。側鏈上鍵結有丙烯酸酯基等作為具有碳-碳雙鍵之官能基的丙烯酸系黏著劑，例如可藉由如下方式而獲得：於側鏈上具有羥基之丙烯酸系聚合物上，經由胺基甲酸酯鍵而鍵結丙烯醯氧基乙基異氰酸酯或甲基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯等異氰酸酯化合物。當使用賦予有活性能量線硬化性之丙烯酸系黏著劑作為構成接著劑層之基質聚合物時，亦可不添加或另外添加活性能量線硬化性化合物。另外，包含對基質聚合物賦予有活性能量線硬化性之丙烯酸系黏著劑之接著劑層中，可完全不含有或不大量含有作為低分子成分之活性能量線硬化性化合物等，因此不會產生活性能量線硬化性化合物等在黏著劑層中經時移動之情況，而可形成穩定之層構造之接著劑層。
作為上述活性能量線硬化性化合物之添加量，並無特別限制，例如相對於黏著劑中之丙烯酸系共聚物100重量份，為0.5~200重量份左右，其中更好的是1~50重量份左右。若活性能量線硬化性化合物之調配量相對於丙烯酸系共聚物100重量份而高於200重量份，則低分子量物質之含量過多，結果存在高熱收縮基材層與低熱收縮基材層之接著力下降之情形。另一方面，若活性能量線硬化性化合物之調配量相對於丙烯酸系共聚物100重量份而低於0.5重量份，則存在難以藉由照射活性能量線而引起接著劑層之剛性變化之情形。再者，活性能量線硬化性化合物之黏度並無特別限定。
以提高形成三維網狀結構之反應速度為目的，活性能量線硬化型黏著劑中亦可添加活性能量線聚合起始劑。活性能量線聚合起始劑可根據所使用之活性能量線之種類(例如，紅外線、可見光線、紫外線、放射線、電子束等)而適當選擇公知慣用之聚合起始劑。就作業效率之觀點而言，較好的是利用紫外線可引起光聚合之化合物。作為代表性之活性能量線聚合起始劑，可舉出：二苯甲酮、苯乙酮、醌、萘醌、蒽醌、茀酮等酮系起始劑；偶氮二異丁腈等偶氮系起始劑；過氧化苯甲醯、過苯甲酸等過氧化物系起始劑等，但並不限定於該等起始劑。作為市售品，例如有汽巴-嘉基公司製造之商品名「IRGACURE 184」、「IRGACURE 651」等。
活性能量線聚合起始劑可單獨使用或混合使用2種以上。作為活性能量線聚合起始劑之使用量，相對於構成黏著劑之丙烯酸系共聚物100重量份，例如為0.01~10重量份左右。再者，視需要亦可與上述活性能量線聚合起始劑一併使用活性能量線聚合促進劑。
作為本發明中之接著劑層之形成方法，可採用公知慣用之方法，例如可舉出：視需要使用溶劑而製備含有黏著劑等之塗布液，將其直接塗布於低熱收縮基劑層上之方法；於適當之隔離物(剝離紙等)上塗布上述塗布液而形成接著劑層，將其轉印(移印)至低熱收縮基劑層上之方法等。於利用轉印之時，存在與低熱收縮基材層之界面處殘留孔隙(空隙)之情形。於此情形時，可藉由高壓釜處理等來實施加溫加壓處理，使孔隙擴散而消失。接著劑層為單層、複數層均可。
作為本發明之接著劑層之厚度，並無特別限定，就捲繞而形成筒狀捲繞體之變形性、經濟性或製造操作之簡便性之觀點而言，較好的是5~100μm之範圍內，其中，更好的是10~50μm之範圍內。若厚度低於5μm，則難以獲得對高熱收縮基材層之收縮之約束性，應力緩和之效力亦變小。另一方面，若厚度超過100μm，則存在難以形成筒狀捲繞體之傾向，而且操作性、經濟性較差，故欠佳。
本發明中之接著劑層於加熱前，具有對將高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合而言充分之黏著力，而且具有柔軟性，因此可緩和將黏著片貼合於被著體上時之應力而使加工後之被著體之翹曲減少。而且，於對黏著片進行加熱剝離時，可獲得適度之剛性，而將高熱收縮基材層之收縮應力傳導至低熱收縮基材層。藉由將高熱收縮基材層之收縮應力傳導至低熱收縮基材層，可使黏著片平滑地朝一個方向捲繞而形成筒狀捲繞體。
[黏著劑層]
本發明之黏著片中，於上述樹脂積層體中之低熱收縮基材層上具有至少1層黏著劑層。該黏著劑層較好的是，於半導體晶圓等被著體之研磨步驟中，緊密地貼合於被著體上而防止被著體於研磨過程中破損，且於研磨步驟結束後，使黏著力顯著下降而容易自被著體表面上剝離。作為本發明中之黏著劑層，例如可使用活性能量線硬化型黏著劑層、或感壓型接著劑層。於黏著劑層使用活性能量線硬化型黏著劑層之情形時，可藉由活性能量線之照射而降低黏著力。另一方面，於黏著劑層使用感壓型接著劑層之情形時，可藉由使用對組成及添加劑等加以調整而獲得之感壓型接著劑層，而利用加熱來降低黏著力。另外，黏著劑層較好的是，除了黏著性成分(基質聚合物)以外，添加由玻璃或樹脂所形成之珠粒。藉由添加由玻璃或樹脂所形成之珠粒，會提高剪切彈性模數而容易降低黏著力。本發明中之黏著劑層亦可進一步含有交聯劑(例如，聚異氰酸酯、烷基醚化三聚氰胺化合物等)、增黏劑(例如，松香衍生物樹脂、聚萜烯樹脂、石油樹脂、油溶性苯酚樹脂等)、塑化劑、增黏劑、填充劑、抗老化劑等適當之添加劑。
作為用作本發明中之黏著劑層的活性能量線硬化型黏著劑層，較好的是，活性能量線照射前之黏著力(180℃揭起剝離、對矽鏡面晶圓、拉扯速度300mm/分)於例如室溫(25℃)下為0.1N/10mm以上，且藉由活性能量線之照射形成三維網狀結構而高彈性化，黏著力(180℃揭起剝離、對矽鏡面晶圓、拉扯速度300mm/分)於例如室溫(25℃)下降低至0.05N/mm以下。
作為構成用作黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑，可舉出與構成上述接著劑層之活性能量線硬化型黏著劑之例中所舉出之黏著劑相同之例，單體成分可單獨使用或混合使用2種以上。用作黏著劑層之活性能量線硬化型黏著劑可藉由使上述單體成分聚合而獲得，藉由調整聚合度、重量平均分子量等可獲得具有特定之黏著力之活性能量線硬化型黏著劑。
作為添加至黏著劑層中之由玻璃或樹脂所形成之珠粒的平均粒徑，例如為1~100μm，較好的是1~20μm左右。作為上述由玻璃或樹脂所形成之珠粒之使用量，相對於構成黏著劑之丙烯酸系共聚物100重量份，例如為25~200重量份，較好的是30~100重量份左右。若由玻璃或樹脂所形成之珠粒之使用量過多，則存在黏著特性下降之情形，若過少則上述效果容易變得不充分。
以提高形成三維網狀結構之反應速度為目的，活性能量線硬化型黏著劑中亦可添加活性能量線聚合起始劑。活性能量線聚合起始劑可根據所使用之活性能量線之種類(例如，紅外線、可見光線、紫外線、放射線、電子束等)而適當選擇公知慣用之聚合起始劑。就作業效率之觀點而言，較好的是利用紫外線可引起光聚合之化合物。作為代表性之活性能量線聚合起始劑，可舉出與上述接著劑層中所使用之活性能量線聚合起始劑相同之例，活性能量線聚合起始劑可單獨使用或混合使用2種以上。
作為活性能量線聚合起始劑之使用量，例如，相對於構成黏著劑之丙烯酸系共聚物100重量份，為0.01~10重量份左右。另外，視需要亦可與上述活性能量線聚合起始劑一併使用活性能量線聚合促進劑。
黏著劑層之厚度並無特別限定，就經濟性或製造操作之簡便性之觀點而言，較好的是5~100μm之範圍內，其中更好的是10~50μm之範圍內。若厚度低於5μm，則因黏著力不足而難以保持、暫時固定被著體，另一方面，若厚度超過100μm，則不經濟，且操作性較差，故欠佳。
黏著劑層之形成例如可利用以下的適當方法來進行：將含有上述天然橡膠、合成橡膠或具有橡膠彈性之合成樹脂等黏著劑層形成材之塗布劑，塗布於低熱收縮性基材層上之方法(乾式塗布法)；於適當之隔離物(剝離紙等)上塗布上述塗布劑而形成黏著劑層，再將其轉印(移印)至低熱收縮基材層上之方法(乾式積層法)；對含有低熱收縮性基材層之構成材料之樹脂組成物與塗布劑進行共擠壓之方法(共擠壓法)等。利用轉印時，存在與低熱收縮基材層之界面處殘留孔隙(空隙)之情形。於此情形時，可藉由高壓釜處理等來實施加溫加壓處理，使孔隙擴散而消失。黏著劑層為單層、複數層均可。
根據本發明中之黏著劑層，具有該黏著劑層之黏著片於半導體晶圓等被著體之研磨步驟中，可緊密地貼附於被著體上，從而可於不會損壞被著體之情況下根據目的實施所需之加工。並且，於被著體之研磨步驟結束後，藉由對具有該黏著劑層之黏著片實施活性能量線照射或加熱處理，可使黏著力下降而容易自被著體剝離。
[黏著片]
本發明之黏著片，係於上述經由接著劑層將高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合而成之樹脂積層體之低熱收縮基材層上進一步積層黏著劑層而形成。另外，本發明之黏著片亦可於使用之前於黏著劑層面上貼附隔離物(剝離襯墊)而加以保護。進而，另外亦可視需要而設置底塗層或接著劑層等中間層。
根據本發明之黏著片，可於加工半導體晶圓等被著體時貼附於被著體上，固定被著體，而於被著體不破損之情況下實施所需之加工。另外，藉由緩和黏著片貼附時之應力，可抑制加工後之被著體之翹曲。另外，對被著體實施所需之加工後，藉由自任意一個方向加熱(於黏著劑層使用活性能量線硬化型黏著劑層之情形時，藉由照射活性能量線並接著進行加熱)，黏著劑層之黏著力下降，並且高熱收縮基材層收縮，因此黏著片一邊剝離一邊自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，形成1個筒狀捲繞體，故可於不損傷被著體或因不完全之剝離而污染被著體之情況下自被著體表面極為簡易地去除。
[隔離物]
對於本發明之黏著片，就黏著劑層表面之保護、防黏連之觀點等而言，亦可於黏著劑層表面上設置隔離物(剝離襯墊)。隔離物於將黏著片貼附於被著體上時被剝離。作為所使用隔離物，並無特別限定，可使用公知慣用之剝離紙等。例如可使用：藉由聚矽氧系、長鏈烷基系、氟系、硫化鉬系等之剝離劑而加以表面處理的塑膠膜或紙等具有剝離層之基材；由聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等氟系聚合物所形成之低接著性基材；由烯烴系樹脂(例如，聚乙烯、聚丙烯等)等無極性聚合物所形成之低接著性基材等。
[被著體之加工方法]
本發明之黏著片被用作加工被著體時之暫時固定用黏著片等。作為被著體，例如可舉出：以矽或砷化鎵等作為材料之半導體晶圓、半導體封裝體、玻璃、或陶瓷等。被著體之加工種類例如包含磨削、切割、研磨、蝕刻、車床加工、加熱(其中，限於高熱收縮基材層之熱收縮起始溫度以下之溫度)等，只要為使用該黏著片可實施之加工則並無特別限定。本發明之黏著片貼附於半導體晶圓等被著體表面，具有保護半導體晶圓表面不受對藉由該黏著片暫時固定之被著體實施研磨等加工時所施加之應力、磨削水、磨削屑(矽微粉)的損傷之功能。對該被著體實施必要之加工後，將本發明之黏著片自被著體剝離並加以回收。
本發明之黏著片之特徵在於，藉由自任意一個方向加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，可形成1個筒狀捲繞體。並且，若使用本發明之黏著片作為半導體晶圓等被著體之背面研磨膠帶，則對被著體實施研磨等加工後，不選擇加熱方向，而藉由自任意之方向加熱使黏著片於高熱收縮基材層側翹曲而在與被著體之間產生浮起，並藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，形成1個筒狀捲繞體，藉此可容易地剝離。另外，亦可藉由加熱而使上述黏著片於高熱收縮基材層側翹曲，於與被著體之間產生浮起，並於此時結束加熱，而在不形成筒狀捲繞體之情況下剝離。就可容易地回收所剝離之黏著片之方面而言，本發明之被著體之加工方法之特徵在於，將本發明之黏著片貼附於被著體上，對該被著體實施必要之加工後，藉由加熱使上述黏著片於高熱收縮基材層側翹曲，於與被著體之間產生浮起，此時結束加熱，而於不形成筒狀捲繞體之情況下剝離。根據本發明之被著體之加工方法，對被著體進行加工後，藉由自任意之方向加熱，可容易地將本發明之黏著片自被著體表面剝離回收，不存在所剝離之黏著片散落於加工裝置內而難以回收之情況。
本發明之黏著片中，利用接著劑層將高熱收縮基材層與低熱收縮基材層接合。於該接著劑層係由活性能量線硬化型黏著劑層構成之情形時，藉由在被著體加工後、實施加熱處理前照射活性能量線，可調整接著劑層之剛性，將高熱收縮基材層之收縮應力高效率地傳導至低熱收縮基材層，可更加有效地引起由加熱導致之黏著片變形(於高熱收縮基材層側產生翹曲而於與被著體之間產生浮起)。進而，可防止加熱後之黏著片於半導體晶圓等被著體表面疊起而難以剝離之狀況。另外，於設置於低熱收縮基材層上之黏著劑層係由活性能量線硬化型黏著劑層構成之情形時，在被著體加工後照射活性能量線並接著實施熱處理，另外於設置於低熱收縮基材層上之黏著劑層係由感壓型接著劑層構成之情形時，實施加熱處理，藉此，對被著體之黏著力會顯著下降，高熱收縮基材層欲收縮變形，故於高熱收縮基材層側產生翹曲，黏著片外緣部浮起。作為黏著片之加熱方法，根據進行剝離作業時之需要，可自任意一個方向對黏著片進行加熱，亦可對黏著片整體進行加熱而於被著體全周製造剝離起點。黏著片之加熱溫度、以及加熱時間可根據所使用之高熱收縮基材之收縮性而適當調節，加熱溫度例如為70~180℃，較好的是70~140℃。加熱時間例如為5~180秒鐘左右。另外，照射活性能量線時之照射強度、照射時間等照射條件並無特別限定，可視需要適當地設定，例如於使用紫外線作為活性能量線之情形時，以50~2000mJ/cm2 照射1~180秒鐘左右。
於高熱收縮基材層側翹曲、自被著體表面產生浮起之本發明之黏著片，例如，可藉由於產生浮起之黏著片部分之高熱收縮基材層側之表面外緣部貼附剝離膠帶，並將所貼附之剝離膠帶向上方拉扯而容易地回收。此時，本發明之黏著片產生變形，已自被著體外緣部剝離5~15mm左右，故即使不自黏著片之端部起貼附剝離膠帶(例如，自距離黏著片之外緣部4mm左右內側朝內部貼附)亦可容易地剝離。藉此，可防止將剝離膠帶貼合於黏著片上時剝離膠帶附著於裝置等上之狀況，從而可防止揭起剝離時半導體晶圓等被著體破損。另外，因黏著片自被著體浮起，故可確保揭起剝離時之揭起角度極大，藉此可使剝離應力極小而抑制被著體之破損。進而，藉由使剝離應力變小，黏著劑被剝下至被著體上之可能性亦變小，故可減小因剝離而污染被著體之可能性。另外，即使暫時貼附於被著體上，亦仍可使剝離應力極小，故可減小損壞被著體之可能性。
[剝離裝置]
本發明之黏著片剝離裝置係用於被著體之加工之黏著片剝離裝置，其具備：用以對貼附於被著體之黏著片進行加熱之加熱機構；以及用以將藉由加熱於高熱收縮基材層側產生翹曲、於與被著體之間產生浮起之黏著片剝離的剝離機構。本發明之黏著片剝離裝置較好的是進而具備：固定研磨完畢之晶圓之機構、用以使活性能量線硬化型黏著劑硬化之活性能量線曝光機構、及用以回收所剝離之黏著片之回收機構。再者，剝離裝置可一體化地具備該等所有機構，亦可為各機構獨立之裝置。
作為固定研磨完畢之晶圓之機構，只要於直至自貼附有本發明之黏著片之半導體晶圓等被著體等上將黏著片回收為止的一系列步驟中，可固定被著體而使之不會因由於各種操作所施加之應力等產生位置偏移即可，例如，可藉由利用靜電或空氣壓之附有夾盤之基座等暫時地固定，亦可將於具有用以固定被著體之充分剛性的基材上塗布有黏著劑者貼合於被著體上而永久地固定，亦可貼合附有晶粒黏著膜之切割用黏著劑等自研磨完畢之晶圓等上剝離本發明之黏著片後所必需之材料。另外，固定被著體之裝置亦可具有於剝離操作所需之裝置間依序移動被著體之結構。
作為活性能量線曝光機構，為了使構成本發明之黏著片之活性能量線硬化型黏著劑硬化，只要可照射活性能量線即可，例如，可使用利用高壓水銀燈等高效率地生成紫外線之光源之紫外線曝光裝置。
作為加熱機構，只要可加熱研磨完畢之晶圓等、並使黏著片自半導體晶圓等被著體表面產生浮起即可，例如，作為加熱機構，可使用：乾燥器、熱風槍、紅外線燈等非接觸方式之加熱機構；或於被著體固定用夾盤基座中裝入有熱源之加熱機構、熱輥等接觸式之加熱機構等可迅速加溫至高熱收縮基材層開始收縮之溫度之裝置。
作為加熱方法，只要自任意一個方向加熱黏著片端部即可，例如，可自研磨完畢之半導體晶圓之黏著片面或半導體晶圓面之任一方進行加熱，亦可對兩面進行加熱。
藉由加熱，黏著片於高熱收縮基材層側翹曲、於與被著體之間產生浮起後，可利用膠帶回收裝置將剝離之黏著片自半導體晶圓等被著體上去除。作為回收膠帶之方法，具體而言有以下方法：使用剝離膠帶，使該剝離膠帶黏著於在高熱收縮基材層側翹曲之黏著片中於與被著體之間產生浮起的部分之高熱收縮基材層側之表面上後，進行揭起剝離而回收之方法；或使吸附夾頭吸附於在高熱收縮基材層側翹曲之黏著片中於與被著體之間產生浮起的部分而剝離之方法；或者利用機械臂捏起在高熱收縮基材層側翹曲之黏著片中於與被著體之間產生浮起的部分而加以剝離等方法。其中，於本發明之黏著片剝離裝置中，較好的是使用剝離膠帶而將黏著片揭起剝離之方法。
作為本發明之黏著片剝離裝置，較好的是：具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定並加熱之吸附熱台、及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離之剝離膠帶的黏著片剝離裝置；具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、熱風槍、及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離之剝離膠帶的黏著片剝離裝置；具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、及用以對黏著片進行加熱剝離之加熱器內置型剝離膠帶貼合機構的黏著片剝離裝置；或者具備用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、及具有自被著體之一個端部起朝另一個端部移動之機構的可動式熱源之黏著片剝離裝置。本發明之黏著片剝離裝置更好的是具備用以使接著劑層硬化之活性能量線源的黏著片剝離裝置。另外，作為活性能量線源，較好的是具備紫外線曝光光源。
根據本發明之黏著片剝離裝置，可於不污染、損壞半導體晶圓等被著體之情況下，將於半導體晶圓等被著體之加工步驟中為了保護被著體而貼合於被著體表面、且於被著體之加工步驟結束後不需要之本發明之黏著片平滑地剝離、回收。
[實施例]
以下，藉由實施例更具體地說明本發明，但本發明並不限定於該等實施例。
製造例1-1
將丙烯酸系聚合物(DAIICHI RACE公司製造、商品名「RHEOCOAT R1020S」)100重量份、季戊四醇變性丙烯酸酯交聯劑(日本化藥公司製造、商品名「DPHA40H」)10重量份、交聯劑(三菱瓦斯化學公司製造、商品名「TETRAD C」)0.25重量份、交聯劑(日本聚胺酯工業公司製造、商品名「CORONET L」)2重量份、活性能量線聚合起始劑(汽巴-嘉基公司製造、商品名「IRGACURE 651)3重量份溶解於甲苯中，獲得使固形分濃度達到15重量%之聚合物溶液1。將所獲得之聚合物溶液1使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為38μm、80℃下之剛性為1.41×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於該接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度為30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體1。
製造例1-2
利用與上述製造例1-1相同之方式獲得聚合物溶液1。將所獲得之聚合物溶液1使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為50μm、80℃下之剛性為1.86×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度為30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體2。
製造例1-3
將丙烯酸系聚合物即丙烯酸2-乙基己酯/丙烯酸(90重量份/10重量份)共聚物100重量份、二季戊四醇六丙烯酸酯10重量份、活性能量線聚合起始劑(汽巴-嘉基公司製造、商品名「IRGACURE 651」)3重量份溶解於甲苯中，獲得使固形分濃度達到15重量%之聚合物溶液2。將所獲得之聚合物溶液2使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為38μm、80℃下之剛性為1.41×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於該接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向之正交方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體3。
製造例1-4
以與上述製造例1-3相同之方式獲得聚合物溶液2。將所獲得之聚合物溶液2使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為50μm、80℃下之剛性為1.86×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度為30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體4。
製造例1-5
以與上述製造例1-1相同之方式獲得聚合物溶液1。將所獲得之聚合物溶液1使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為38μm、80℃下之剛性為1.41×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於該接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之單軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S5630」、厚度為60μm、主收縮方向上之收縮率[A(%))與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為70：0)，獲得樹脂積層體5。
製造例1-6
以與上述製造例1-1相同之方式獲得聚合物溶液1。將所獲得之聚合物溶液1使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為50μm、80℃下之剛性為1.86×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於該接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之單軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S5630」、厚度為60μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為70：0)，獲得樹脂積層體6。
製造例1-7
將酯系聚合物(由商品名「PLACCEL CD220PL」(DAICEL化學公司製造)100重量份與癸二酸10重量份所獲得之聚合物)100重量份、交聯劑(日本聚胺酯工業公司製造、商品名「CORONET L」)4重量份溶解於甲苯中，獲得使固形分濃度達到20重量%之聚合物溶液3。將所獲得之聚合物溶液3使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(TORAY公司製造、商品名「LUMIRROR S10」、印刷用表面加工完畢之PET膜、厚度為38μm、80℃下之剛性為1.41×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度為30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體7。
製造例1-8
以與上述製造例1-1相同之方式獲得聚合物溶液1。將所獲得之聚合物溶液1使用塗裝機塗布於作為低熱收縮基材層之聚對苯二甲酸乙二酯膜(帝人杜邦公司製造、商品名「MELINEX」、厚度為100μm、80℃下之剛性為3.38×105 N/m)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，製成接著劑層。其後，於接著劑層上積層作為高熱收縮基材層之雙軸延伸聚酯膜(東洋紡公司製造、商品名「SPACE CLEAN S7200」、厚度為30μm、主收縮方向上之收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為40：40)，獲得樹脂積層體8。
製造例2-1
使丙烯酸系聚合物、即丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羥乙酯(50重量份/50重量份/20重量份)共聚物之源自丙烯酸2-羥乙酯之羥基的80%與甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯鍵結，獲得側鏈上具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物。將所獲得之丙烯酸系聚合物100重量份、季戊四醇四丙烯酸酯(大阪有機化學工業公司製造、商品名「VISCOAT 400」)50重量份、交聯劑(日本聚胺酯工業公司製造、商品名「CORONET L」)1.5重量份、活性能量線聚合起始劑(汽巴-嘉基公司製造、商品名「IRGACURE 184」)6重量份、增黏劑(綜研化學公司製造、商品名「MX500」、聚甲基丙烯酸甲酯珠粒)40重量份溶解於乙酸乙酯中，獲得使固形分濃度達到30重量%之聚合物溶液4。將所獲得之聚合物溶液4使用塗裝機塗布於隔離物(三菱聚酯膜(股)公司製造、商品名「MRF38」)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度達到30μm，獲得黏著劑層1。
製造例2-2
使丙烯酸系聚合物、即丙烯酸丁酯/丙烯酸乙酯/丙烯酸2-羥乙酯(50重量份/50重量份/20重量份)共聚物之源自丙烯酸2-羥乙酯之羥基的80%與甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯鍵結，獲得側鏈上具有甲基丙烯酸酯基之丙烯酸系聚合物。將所獲得之丙烯酸系聚合物100重量份、季戊四醇四丙烯酸酯變性體(日本合成化學公司製造、商品名「紫光UV1700」)100重量份、交聯劑(日本聚胺酯工業公司製造、商品名「CORONET L」)1.5重量份、活性能量線聚合起始劑(汽巴-嘉基公司製造、商品名「IRGACURE 184」)3重量份溶解於乙酸乙酯中，獲得使固形分濃度達到30重量%之聚合物溶液5。將所獲得之聚合物溶液5使用塗裝機塗布於隔離物(三菱聚酯膜(股)公司製造、商品名「MRF38」)上並進行乾燥，以使乾燥後之厚度為35μm，獲得黏著劑層2。
實施例1
於製造例1-1中所獲得之樹脂積層體1之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片1。
實施例2
於製造例1-2中所獲得之樹脂積層體2之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片2。
實施例3
於製造例1-3中所獲得之樹脂積層體3之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片3。
實施例4
於製造例1-4中所獲得之樹脂積層體4之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片4。
實施例5
於製造例1-1中所獲得之樹脂積層體1之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片5。
實施例6
於製造例1-2中所獲得之樹脂積層體2之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片6。
實施例7
於製造例1-3中所獲得之樹脂積層體3之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片7。
實施例8
於製造例1-4中所獲得之樹脂積層體4之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片8。
實施例9
於製造例1-7中所獲得之樹脂積層體7之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片9。
比較例1
於製造例1-5中所獲得之樹脂積層體5之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片10。
比較例2
於製造例1-6中所獲得之樹脂積層體6之低熱收縮基材上，積層製造例2-1中所獲得之黏著劑層1，獲得黏著片11。
比較例3
於製造例1-8中所獲得之樹脂積層體8之低熱收縮基材上，積層製造例2-2中所獲得之黏著劑層2，獲得黏著片12。
針對上述實施例及比較例中所獲得之黏著片1~12，利用以下方法來評價作為背面研磨膠帶之特性、及剝離性。
[接著劑層之80℃下的剪切彈性模數之測定方法]
將上述製造例中所獲得之聚合物溶液塗布於隔離物上並進行乾燥以使乾燥後之厚度達到2mm，獲得接著劑層，以直徑為7.9mm之衝頭對該接著劑層進行衝壓，獲得試驗體。使用Rheometric Scientific公司製造之黏彈性光譜儀(ARES)，將夾盤壓設為100g重，將剪切頻率設為1Hz，測定80℃下之剪切彈性模數。
[低熱收縮基材層之80℃下的楊式模數之測定方法]
上述製造例中使用之低熱收縮基材層之剪切彈性模數係依據JIS K7127利用以下方法而測定。使用島津公司製造之自動立體測圖儀AG-1kNG(附有加溫罩)作為拉伸試驗器。以夾盤間距離為100mm而安裝切成長度200mm×寬度10mm之低熱收縮基材。藉由加溫罩形成80℃之環境後，以拉伸速度5mm/分對試料進行拉伸，獲得應力-變形相關之測定值。對變形為0.2%與0.45%此2點求得荷重而獲得楊式模數。對同一試料重複進行5次該測定，採用其平均值。
[接著劑層之對高熱收縮基材層之黏著力的測定方法]
接著劑層對高熱收縮基材層之黏著力係利用50℃下之180°揭起剝離試驗法而測定。將上述製造例1-1~1-6中所獲得之樹脂積層體1~6切割成寬度10mm之大小，使用黏著膠帶將低熱收縮基材層側之面貼合於1mm厚之矽晶圓上，進行紫外線照射(500mJ/cm2 、25秒鐘)，製成試驗體。以矽晶圓面與50℃加溫台(加熱器)接觸之方式設置所獲得之試驗體。使用揭起剝離試驗裝置之拉扯夾具，以300mm/min之拉扯速度於180°方向上進行拉扯，測定高熱收縮基材層與接著劑層之間產生剝離時之力(N/10mm)。再者，為了消除因低熱收縮基材厚度不同而引起之測定誤差，將低熱收縮基材厚度標準化為38μm。
[黏著片之對矽晶圓之黏著力的測定方法]
黏著片對矽晶圓之黏著力係利用25℃下之180°揭起剝離試驗法而求出。將實施例、比較例中所獲得之黏著片1~12切割成寬度10mm之大小，剝離隔離物，貼合於矽鏡面晶圓上。製成於此狀態下照射紫外線(500mJ/cm2 、25秒鐘)者與未照射紫外線者2種試料。使用揭起剝離試驗裝置之拉扯夾具，以300mm/min之拉扯速度於180°方向上對上述試料進行拉扯，測定黏著片與矽鏡面晶圓之間產生剝離時之力(N/10mm)。
[背面研磨利用性評價]
對上述實施例以及比較例中所獲得之黏著片1~11剝離隔離物，並貼合於附有V形凹口之8英吋晶圓上。貼合時，以各V形凹口相對於黏著片之高熱收縮基材層之主收縮方向為平行或正交的方向之方式進行貼合。接著，使用背面研磨裝置(DISCO公司製造、商品名「DFG8560」)對貼合有黏著片之附有V形凹口之8英吋晶圓進行研磨，以使晶圓厚度達到25μm，獲得研磨完畢之晶圓。目測觀察所獲得之研磨完畢之晶圓，並根據以下基準進行評價。再者，上述晶圓厚度係藉由測定黏著片與經研磨處理之晶圓之積層體的厚度並減去黏著片厚度而求得。
評價基準
晶圓上無龜裂或缺損：○
晶圓上產生龜裂或缺損：×
[剝離性評價]
針對上述背面研磨利用性評價中所獲得之各研磨完畢之晶圓，自黏著片面之側進行紫外線照射(500mJ/cm2 、25秒鐘)。接著，將經紫外線照射之各研磨完畢之晶圓設置於膠帶貼合裝置(日東精機公司製造、商品名「MA3000II」)中，於晶圓面上貼合固定於切割環上之DAF膠帶(日東電工公司製造、商品名「EM-500M2A」)，再設置於膠帶剝離裝置(日東精機公司製造、商品名「RM300」)中。接著，藉由膠帶剝離裝置之內置乾燥器或加熱器自V形凹口位置之對面進行加熱，根據以下基準進行評價。再者，上述膠帶剝離裝置係使用實施有如下改造者：預先設置乾燥器或加熱器內置加熱夾具來作為用以剝離膠帶之加熱源，可藉由開關操作而加熱。
評價基準
黏著片於高熱收縮基材層側產生翹曲、自端部起朝內側浮起5mm以上：○
自黏著片之端部起朝內側產生之浮起未達5mm：×
進而，加熱後，於距離高熱收縮基材層面之外緣部5mm之內部貼附剝離膠帶，對該膠帶進行180℃揭起剝離，根據以下基準進行評價。
評價基準
黏著片可容易且不污染被著體而剝離、回收：○
黏著片不剝離或剝離不充分，無法回收：×
將上述評價結果匯總示於表1、2。
由上述表1可知，實施例1~9中所獲得之黏著片1~9使用雙軸收縮性基材層作為高熱收縮基材層，因此，即使對高熱收縮基材層之主收縮方向的端部進行加熱，另外，即使對與主收縮方向正交之方向的端部進行加熱，亦會於高熱收縮基材層側產生翹曲，於與被著體之間自黏著片端部起朝內部產生5mm以上之浮起(剝離起點)，可藉由剝離膠帶平滑地、且不污染被著體地進行揭起剝離。另一方面，比較例1、2中所獲得之黏著片10、11使用僅在一個方向上施有延伸之單軸收縮性基材層作為高熱收縮基材層，故僅於對收縮方向之端部進行加熱時於高熱收縮基材層側產生翹曲(剝離起點)，於對與收縮方向正交之方向上之端部進行加熱時，高熱收縮基材層側不產生翹曲(剝離起點)，而無法進行剝離。另外，比較例3中所獲得之黏著片12之低熱收縮基材層過厚，故即使對高熱收縮基材層之主收縮方向之端部進行加熱，另外，即使對與主收縮方向正交之方向之端部進行加熱，高熱收縮基材層側亦不產生翹曲(剝離起點)，而無法進行剝離。
[黏著片之實用性評價]
對上述具有剝離性之黏著片1~9剝離隔離物，並貼合於附有V形凹口之8英吋晶圓上。接著，使用背面研磨裝置(DISCO公司製造、商品名「DFG8560」)對貼合有黏著片之附有V形凹口之8英吋晶圓進行研磨，以使晶圓厚度達到25μm，而獲得研磨完畢之晶圓。對所獲得之各研磨完畢之晶圓自黏著片面之側進行紫外線照射(500mJ/cm2 、25秒鐘)。接著，將經紫外線照射之各研磨完畢之晶圓設置於膠帶貼合裝置(日東精機公司製造、商品名「MA3000II」)中，加溫至50~60℃並於晶圓面上貼合固定於切割環上之DAF膠帶(日東電工公司製造、商品名「EM-500M2A」)。黏著片1~9不會由於50~60℃之加溫而剝離。
其後，搬送、設置於膠帶剝離裝置(日東精機公司製造、商品名「RM300」)中。接著，藉由工業用乾燥器對黏著片側吹送溫風，加熱黏著片端部，而產生剝離起點，使用剝離膠帶將黏著片剝離。此時，晶圓不會產生龜裂或缺陷。進而，且未發現因利用工業用乾燥器吹送溫風所引起之DAF膠帶(日東電工公司製造、商品名「EM-500M2A」)之黏著力上升。根據以上情況可知，本發明之黏著片於半導體晶圓加工中之實用性非常高。
 [產業上之可利用性]
本發明之黏著片於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱自發地捲繞而形成筒狀捲繞體，故加熱後之黏著片不會於被著體之表面疊起而造成剝離困難，可容易且完全地剝離不需要之黏著片。因此，作為半導體晶圓研磨(背面研磨)等中所使用之黏著片而有用。
1．．．高熱收縮基材層
2．．．接著劑層
3．．．低熱收縮基材層
4．．．黏著劑層
5．．．黏著片
6．．．加熱機構
7．．．吸附台
8．．．黏著片回收用剝離膠帶
9．．．環形框架
10．．．半導體晶圓
11．．．黏著片(切割膠帶)
12．．．高熱收縮基材層之主收縮方向
13．．．V形凹口
圖1係表示本發明之黏著片之一例的概略剖面圖。
圖2(A)-(C)係表示本發明之黏著片自發捲繞之形態的圖(立體圖)。
圖3係表示本發明之剝離裝置之一例的概略側視圖。
圖4(4-1)、(4-2)係表示本發明之黏著片貼附於被著體上之態樣的側視圖以及俯視圖。
1．．．高熱收縮基材層
2．．．接著劑層
3．．．低熱收縮基材層
4．．．黏著劑層
5．．．黏著片

Claims (18)

  1. 一種樹脂積層體，其係經由接著劑層將熱收縮率相對較大之高熱收縮基材層、與熱收縮率相對較小之低熱收縮基材層加以接合而成者，上述高熱收縮基材層之主收縮方向上的收縮率[A(%)]與和主收縮方向正交之方向上的收縮率[B(%)]之比(A：B)為1：1至10：1；並且該樹脂積層體藉由自任意一個方向加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲，藉由進一步加熱而自1個端部起朝1個方向自發地捲繞，可形成1個筒狀捲繞體，其中80℃下之低熱收縮基材層的楊式模數與厚度之乘積為3×105 N/m以下。
  2. 如請求項1之樹脂積層體，其包含：於60~180℃之範圍內之特定溫度下，於彼此正交之雙軸方向上收縮5%以上之高熱收縮基材層、及於該溫度下熱收縮率未達1%之低熱收縮基材層。
  3. 如請求項1或2之樹脂積層體，其中80℃下之接著劑層之剛性(剪切彈性模數與厚度之乘積)為1~103 N/m。
  4. 如請求項1或2之樹脂積層體，其中接著劑層係由丙烯酸系聚合物構成。
  5. 如請求項1或2之樹脂積層體，其中接著劑層為活性能量線硬化型黏著劑層。
  6. 如請求項5之樹脂積層體，其中活性能量線硬化型黏著劑層含有含側鏈丙烯酸酯之丙烯酸系聚合物、交聯劑、以及紫外線活性能量線聚合起始劑。
  7. 一種黏著片，其係於如請求項1至6中任一項之樹脂積層體的低熱收縮基材層上設置有黏著劑層者。
  8. 如請求項7之黏著片，其中設置於低熱收縮基材層上之黏著劑層含有由玻璃或樹脂所形成之珠粒。
  9. 一種被著體之加工方法，其特徵在於：將如請求項7或8之黏著片貼附於被著體上，對該被著體實施必要之加工後，自任意一個方向進行加熱，藉此使上述黏著片於高熱熱縮基材層側產生翹曲，於與被著體之間產生浮起而剝離。
  10. 如請求項9之被著體之加工方法，其中黏著片係使用接著劑層為活性能量線硬化型黏著劑層者，並且將該黏著片貼附於被著體上，對該被著體實施必要之加工後，照射活性能量線而使接著劑層硬化，接著，自任意一個方向加熱而使上述黏著片於高熱收縮基材層側產生翹曲，於與被著體之間產生浮起。
  11. 如請求項9或10之被著體之加工方法，其中藉由將貼附於變形之黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部的剝離膠帶向上方拉扯，而剝離黏著片。
  12. 一種黏著片剝離裝置，其係請求項9至11中任一項之被著體之加工方法中所使用者，並且具備：用以對貼附於被著體之黏著片進行加熱之加熱機構；以及用以將藉由加熱而於高熱收縮基材層側產生翹曲、於與被著體之間產生浮起之黏著片剝離之剝離機構。
  13. 如請求項12之黏著片剝離裝置，其具備：用以對貼附有 黏著片之被著體進行固定並加熱之吸附熱台、以及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離之剝離膠帶。
  14. 如請求項12之黏著片剝離裝置，其具備：用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、熱風槍、以及用以貼附於黏著片之高熱收縮基材層側之表面外緣部而進行揭起剝離之剝離膠帶。
  15. 如請求項12之黏著片剝離裝置，其具備：用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、以及用以對黏著片進行加熱剝離之加熱器內置型剝離膠帶貼合機構。
  16. 如請求項12之黏著片剝離裝置，其具備：用以對貼附有黏著片之被著體進行固定之吸附台、以及具有自被著體之一個端部起朝另一個端部移動之機構的可動式熱源。
  17. 如請求項12至16中任一項之黏著片剝離裝置，其具備：用以對具有活性能量線硬化型黏著劑層之黏著片照射活性能量線、而使接著劑層硬化之活性能量線源。
  18. 如請求項17之黏著片剝離裝置，其具備紫外線曝光光源作為活性能量線源。
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