CN112300722B - 复合贴材及电子产品的制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种复合贴材，其适于贴合于半导体结构。复合贴材包括贴合层以及热收缩层。贴合层具有贴合面。复合贴材适于以贴合面面向半导体结构的方式贴合于半导体结构。热收缩层配置于贴合层相对于贴合面的表面上。复合贴材于加热前贴合面具有第一曲率。复合贴材于加热后贴合面具有第二曲率。第一曲率大于第二曲率。一种电子产品的制造方法亦被提出。

Description

复合贴材及电子产品的制造方法
技术领域
本发明涉及一种贴材及电子产品的制造方法，尤其涉及一种复合贴材及使用其的电子产品的制造方法。
背景技术
近年来由于集成电路(Integrated Circuit；IC)朝向高效能、高密度、低功耗及小尺寸的方向发展，传统的打线(Wire Bonding)封装及倒晶(Flip Chip)封装已无法满足需求，最近发展扇出型芯片级封装(Fan-out Wafer Level Package；FOWLP)并逐步应用于高阶产品。此扇出型封装主要将芯片切割并且增加芯片间距，重新组合成另一片芯片，然后再进行模压并且以线路重布(Re-Distribution Layer；RDL)工艺取代原本以基板型式封装，在更小的封装面积下容纳更多的引脚数，且整合多种功能芯片于一体，可压缩模块体积，提升芯片系统整体功能性和灵活性。
芯片会出现翘曲的可能原因主要有以下几种：(1)材料本身的热涨冷缩现象；(2)构装基板界面间的残留应力；及/或(3)钝化(passivation)、芯片(die)及金属材料各材料间热膨胀系数(Coefficient of Thermal Expansion；CTE)差异。
虽然这样的翘曲现象通常可藉由改变工艺参数或调整钝化层与金属结构而略为改善，但是仍有一定程度的翘曲度仍无法被完全消除，导致进行线路重布工艺时依然会造成芯片翘曲，因此需要找寻另一种能够将芯片翘曲拉回平整的状态的方法以及结构。
有鉴于此，本发明人感其未臻完善而竭其心智苦心研究，并凭其从事该项产业多年的累积经验，进而提供一种用于控制芯片翘曲度的复合式结构及控制翘曲的方法，以期可以改善上述习知技术的缺失。
发明内容
本发明提供一种复合贴材，其可适用于芯片工艺、芯片封装工艺或其他类似的半导体工艺，而可以在加热后降低其所贴合的半导体结构的翘曲。
本发明的复合贴材适于贴合于半导体结构。复合贴材包括贴合层以及热收缩层。贴合层具有贴合面。复合贴材适于以贴合面面向半导体结构的方式贴合于半导体结构。热收缩层配置于贴合层相对于贴合面的表面上。复合贴材于加热前贴合面具有第一曲率，复合贴材于加热后贴合面具有第二曲率，且第一曲率大于第二曲率。
在本发明的一实施例中，贴合层包含黏着剂组成物，包含丙烯酸(acrylic)类固化性化合物以及功能性单体，其中丙烯酸类固化性化合物的含量介于70wt％至95wt％，且功能性单体的含量介于20wt％至30wt％。
在本发明的一实施例中，黏着剂组成物更包含光起始剂，其中光起始剂的含量介于1wt％至10wt％。
在本发明的一实施例中，黏着剂组成物为无有机溶剂型。
在本发明的一实施例中，热收缩层的厚度介于10微米(micrometer；μm)至1000微米
在本发明的一实施例中，热收缩层包含热收缩组成物，包含树脂以及硬化剂，其中树脂的含量介于50wt％至75wt％，且硬化剂的含量介于15wt％至25wt％。
在本发明的一实施例中，热收缩组成物更包括添加剂。
在本发明的一实施例中，复合贴材更包括基材。基材位于贴合层与热收缩层之间。
在本发明的一实施例中，基材的材质包括聚酰胺、聚2,6萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚醚酮、聚酰亚胺、玻璃纤维复合材料、碳纤维复合材料或上述的组合。
本发明的电子产品的制造方法包括以下步骤。将前述任一实施例的复合贴材以其贴合面面向半导体结构的方式贴合于半导体结构。加热半导体结构及贴合于其上的复合贴材，以使贴合面于加热后的曲率小于贴合面于加热前的曲率。对加热后的半导体结构进行半导体工艺。于进行半导体工艺之后，移除半导体结构上的复合贴材。
基于上述，复合贴材可适用于芯片工艺、芯片封装工艺或其他类似的半导体工艺，而可以在加热后降低其所贴合的半导体结构的翘曲。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本发明，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。
图1A是依照本发明的第一实施例的一种复合贴材的于加热前与加热后的侧视示意图；
图1B是依照本发明的第一实施例的一种复合贴材的应用方式的侧视示意图；
图2A是依照本发明的第二实施例的一种复合贴材的于加热前与加热后的侧视示意图；
图2B是依照本发明的第二实施例的一种复合贴材的应用方式的侧视示意图；
图3是依照本发明的一实施例的一种电子产品的制造方法的流程图；
图4A是依照[实施例7]进行实际测试时的上视图；
图4B是依照[实施例7]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图；
图5A是依照[实施例8]进行实际测试时的上视图；
图5B是依照[实施例8]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图；
图6A是依照[实施例9]进行实际测试时的上视图；
图6B是依照[实施例9]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图。
附图标号说明：
100、100’、200、200’：复合贴材；
110：热收缩层；
120：贴合层；
120a、120a’：贴合面；
120b：表面；
230：基材；
300：半导体结构；
300a、300a’：表面；
P：虚拟点。
具体实施方式
现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在图式和描述中用来表示相同或相似部分。
图1A是依照本发明的第一实施例的一种复合贴材的于加热前与加热后的侧视示意图。图1B是依照本发明的第一实施例的一种复合贴材的应用方式的侧视示意图。
请参照图1A及图1B，复合贴材100包括贴合层120以及热收缩层110。贴合层120具有贴合面120a。热收缩层110配置于贴合层120的表面120b上，且前述的表面120b相对于贴合面120a。加热前的复合贴材100的贴合面120a具有第一曲率，加热后的复合贴材100’的贴合面120a’具有第二曲率，且第一曲率大于第二曲率。
以图1A为例，于对复合贴材100进行加热前，贴合面120a对其面上的一虚拟点P的曲率(curvature)例如大约为0。并且，于对复合贴材100进行加热后(如：使复合贴材100的温度从10℃至40℃的范围内加热至100℃至250℃的范围)，贴合面120a’对前述虚拟点P的曲率例如为一负值。
以图1B为例，于对复合贴材100进行加热前，贴合面120a对其面上的一虚拟点P的曲率例如为正值。并且，于对复合贴材100进行加热后(如：使复合贴材100的温度从10℃至40℃的范围内加热至100℃至250℃的范围)，贴合面120a’对前述虚拟点P的曲率例如大约为0。
也就是说，本发明并未限定热收缩层110于加热后为热膨胀或热收缩。只要可以使复合贴材100在加热前的贴合面120a，以及可以使复合贴材100’在加热后的贴合面120a’，可以如图1A或图1B所示出的态样即可。
如此一来，复合贴材100可适用于芯片工艺、芯片封装工艺或其他类似的半导体工艺。
以图1B为例，复合贴材100可适于以其贴合面120a面向半导体结构300的方式贴合于半导体结构300。半导体结构300可以为裸芯片(bare wafer)、芯片工艺中的工艺芯片(processed wafer)或其他类似的芯片，半导体结构300也可以是具有晶粒贴覆于其上的载芯片(carrierwafer)、载玻璃(carrier glass)或其他类似的载基板，或是半导体结构300也可以是藉由模封材料(如：环氧模压树脂(Epoxy Molding Compound；EMC))所包覆的一个或多个晶粒。
在图1B中，半导体结构300可以具有翘曲(warpage)。并且，在将复合贴材100贴合于半导体结构300，且将半导体结构300及贴合于其上的复合贴材100进行加热后，可以藉由复合贴材100以降低半导体结构300的翘曲。举例而言，加热后且具有复合贴材100’贴合于其上的半导体结构300’的翘曲可以降低。
在本实施例中，热收缩层110的厚度可以介于0.2毫米(mm)至1毫米之间，但本发明不限于此。也就是说，复合贴材100可以藉由其热收缩层110以支持或支撑与其贴合的半导体结构300。
图2A是依照本发明的第二实施例的一种复合贴材的于加热前与加热后的侧视示意图。图2B是依照本发明的第二实施例的一种复合贴材的应用方式的侧视示意图。第二实施例的复合贴材200与第一实施例的复合贴材100相似，其类似的构件以相同的标号表示，且具有类似的功能、材质或形成方式，并省略描述。
请参照图2A及图2B，复合贴材200包括贴合层120、基材230以及热收缩层110。基材230位于贴合层120与热收缩层110之间。复合贴材200于加热前贴合面120a具有第一曲率，复合贴材200于加热后贴合面120a具有第二曲率，且第一曲率大于第二曲率。
以图2A为例，于对复合贴材200进行加热前，贴合面120a对其面上的一虚拟点P的曲率(curvature)例如大约为0。并且，于对复合贴材200进行加热后(如：使复合贴材200的温度从10℃至40℃的范围内加热至200℃至250℃的范围)，贴合面120a’对前述虚拟点P的曲率例如为一负值。
以图2B为例，于对复合贴材200进行加热前，贴合面120a对其面上的一虚拟点P的曲率例如为正值。并且，于对复合贴材200进行加热后(如：使复合贴材200的温度从10℃至40℃的范围内加热至200℃至250℃的范围)，贴合面120a’对前述虚拟点P的曲率例如大约为0。
也就是说，本发明并未限定热收缩层110于加热后为热膨胀或热收缩。只要可以使复合贴材200在加热前的贴合面120a，以及可以使复合贴材200’在加热后的贴合面120a’，可以如图2A或图2B所示出的态样即可。
如此一来，复合贴材200可适用于芯片工艺、芯片封装工艺或其他类似的半导体工艺。
以图2B为例，复合贴材200可适于以其贴合面120a面向半导体结构300的方式贴合于半导体结构300。半导体结构300可以具有翘曲(warpage)。并且，在将复合贴材200贴合于半导体结构300，且将半导体结构300及贴合于其上的复合贴材200进行加热后，可以藉由复合贴材200以降低半导体结构300的翘曲。举例而言，加热后且具有复合贴材200’贴合于其上的半导体结构300’的翘曲可以降低。
在本实施例中，基材230的材质包括聚酰胺(Polyamide；PA)、聚2,6萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate；PEN)、聚醚砜(Polyether Sulfone；PES)、聚醚醚酮(Polyetheretherletone；PEEK)、聚酰亚胺(Polyimine；PI)、玻璃纤维复合材料、碳纤维复合材料或上述的组合，但本发明不限于此。基材230可以为单层板、多层板、夹层板、复合板或膜材(如：PTFE膜材、PVC膜材、PVDF膜材、ETFE膜材等)。
在本实施例中，热收缩层110的厚度可以介于0.01毫米(mm)至0.1毫米之间，但本发明不限于此。
在上述的实施例中，贴合层120包含黏着剂组成物。黏着剂组成物包含丙烯酸(acrylic)类固化性化合物以及功能性单体。在上述黏着剂组成物的总含量中，上述丙烯酸类固化性化合物的含量大于或等于70wt％(重量百分比)且小于或等于95wt％，且上述功能性单体的含量大于或等于20wt％且小于或等于30wt％。
丙烯酸类固化性化合物的单体为具有(甲基)丙烯酸酯基的化合物。举例而言，上述具有(甲基)丙烯酸酯基的化合物可包含选自由(甲基)丙烯酸甲酯(methyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸乙酯(ethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸正丙酯(n-propyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸异丙酯(isopropyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸正丁酯(n-butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸叔丁酯(t-butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸仲丁酯(sec-butyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸戊酯(pentyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯(2-ethylhexyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸2-乙基丁酯(2-ethylbutyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸正辛酯(n-octyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸异辛酯(isooctyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸异壬酯(isononyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸月桂酯(lauryl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(tetradecyl(meth)acrylate)、丙烯酸(acrylic acid)、(甲基)丙烯酸(methacrylicacid)、2-(甲基)丙烯酰氧基醋酸酯(2-(meth)acryloyloxy acetic acid)、3-(甲基)丙烯酰氧基丙酸酯(3-(meth)acryloyloxypropyl acid)、4-(甲基)丙烯酰氧基丁酸酯(4-(meth)acryloyloxy butyric acid)、(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯(2-hydroxyethyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯(2-hydroxypropyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-4-羟丁酯(4-hydroxybutyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-6-羟已酯(6-hydroxyhexyl(meth)acrylate)、(甲基)丙烯酸-8-羟辛酯(8-hydroxyoctyl(meth)acrylate)、2-羟基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(2-hydroxy ethylene glycol(meth)acrylate)或2-羟基丙二醇(甲基)丙烯酸酯(2-hydroxypropylene glycol(meth)acrylate)及上述的组合组成的组中的一种。
功能性单体可以为架桥剂、耐热性单体及/或稀释性单体。
在上述的一实施例中，前述的丙烯酸类固化性化合物可为丙烯酸类光固化性化合物，且黏着剂组成物可以更包含光起始剂。在上述黏着剂组成物的总含量中，光起始剂的含量大于或等于1wt％且小于或等于10wt％。
光起始剂例如为肟类(oxime)(如：酰基肟类化合物(acyloxime)、酮肟类化合物(ketoneoxime)或其他肟类)、苯偶姻及衍生物(如：安息香、安息香双甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、安息香丁醚)、苯偶酰(Benzil)类、烷基苯酮类(如：α-羟烷基苯酮(HAPK))、酰基磷氧化物(如：烷基二酰基氧化膦)类、二苯甲酮(benzophenone)类、硫杂蒽酮(thioxanthen-9-one)类等有机光起始剂；或是重氮盐、二芳基碘鎓盐(diaryliodoniumsalt)、三芳基硫鎓盐(triarylsulfonium salt)、烷基硫鎓盐(alkylsulfonium salt)、铁芳烃盐(aromatic iron salt)、磺酰氧基酮(sulfonyl ketone)及三芳基硅氧醚等阳离子型光起始剂；或是上述的衍伸物或上述的组合。
在上述的一实施例中，黏着剂组成物为无有机溶剂型。上述有机溶剂例如为正己烷(n-hexane)、甲苯(toluene)、二甲苯(xylene)、甲基异丁基酮(methyl isobutylketone)等单独或混合多种使用。如此一来，复合贴材100、200在用于半导体工艺(如：烘烤、加热沉积、曝光显影或其他具有高温或低压的半导体工艺)中，可以降低工艺的污染。
在贴合层120与物件(如：前述的半导体结构300)相互贴合后，于温度高于45℃以上，较佳为45℃至90℃之间，可再藉由外力彼此分离。
在上述的实施例中，热收缩层110包含热收缩组成物。热收缩组成物包含树脂以及硬化剂。在上述热收缩组成物的总含量中，上述树脂的含量大于或等于50wt％且小于或等于75wt％，且上述硬化剂的含量大于或等于15wt％且小于或等于25wt％。
树脂可以包括不饱和聚酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、尿素树脂、硅氧烷树脂、聚氨基甲酸酯、BT树脂、聚酰亚胺树脂中的一种、多种或上述的组合。
硬化剂可包含选自由咪唑及其衍生物；乙酰胍胺、苯并胍胺等胍胺类；二胺基二苯甲烷、m-苯二胺、m-二甲苯二胺、二胺基二苯砜、二氰基二酰胺、尿素、尿素衍生物、三聚氰胺、多碱酰肼等聚胺类；三氟化硼的胺错合物；乙基二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-6-茬基-S-三嗪等三嗪衍生物类；三甲基胺、三乙醇胺、N,N-二甲基辛基胺、N-苄基二甲基胺、吡啶、N-甲基吗福啉、六(N-甲基)三聚氰胺、2,4,6-三(二甲基胺基酚)、四甲基胍、m-胺基酚等胺类；聚乙烯基酚、聚乙烯基酚溴化物、苯酚酚醛、烷基酚酚醛等聚酚类；三丁基膦、三苯膦、三-2-氰基乙基膦等有机膦类；三正丁基(2,5-二羟苯基)鏻溴化物、六癸基三丁基氯化鏻等鏻盐类；苄基三甲基氯化铵、苯基三丁基氯化铵等4级铵盐类；上述多碱酸酐；二苯錪鎓四氟硼酸盐、三苯锍六氟锑酸盐、2,4,6-三苯硫代吡喃鎓六氟磷酸盐、光阳离子聚合触媒；苯乙烯-马来酸酐树脂；异氰酸苯基酯与二甲基胺的等莫耳反应物，或二异氰酸甲苯酯、异佛酮二异氰酸酯等有机聚异氰酸酯与二甲基胺的等莫耳反应物及上述的组合组成的组中的一种的硬化促进剂或硬化剂类。
在上述的一实施例中，热收缩组成物可以更包含添加剂。添加剂例如包含密着剂、流平剂、消泡剂、溶剂、色料及上述的组合组成的组中的一种。
上述实施例的复合贴材100、200于电子产品的制造方法中的应用方式可以如下。值得注意的是，本发明并不限制复合贴材100、200的应用或使用方式。上述实施例的复合贴材100、200可以依据其特性作各种可能的应用。电子产品的制造方法的流程图可以如图3所示。
请参照图3，于步骤S301中，将复合贴材以其贴合面面向半导体结构的方式贴合于半导体结构。举例而言，如图1B所示，可以将复合贴材100以其贴合面120a面向半导体结构300的方式贴合于半导体结构300。又举例而言，如图2B所示，可以将复合贴材200以其贴合面120a面向半导体结构300的方式贴合于半导体结构300。
请参照图3，于步骤S302中，加热半导体结构及贴合于其上的复合贴材，以使贴合面于加热后的曲率小于贴合面于加热前的曲率。举例而言，如图1B所示，加热后的贴合面120a’的曲率小于加热前的贴合面120a的曲率。又举例而言，如图2B所示，加热后的贴合面120a’的曲率小于加热前的贴合面120a的曲率。
请参照图3，于步骤S303中，对加热后的半导体结构300进行半导体工艺。举例而言，如图1B所示，可以于半导体结构300的表面300a’上进行半导体工艺。又举例而言，如图2B所示，可以于半导体结构300的表面300a’上进行半导体工艺。
请参照图3，于步骤S304中，于进行半导体工艺之后，移除半导体结构上的复合贴材。
实施例及比较例
于以下表示实施例及比较例，对于本发明作具体地说明，而本发明根本不受到下述实施例限定。
[实施例1]至[实施例3]及[比较例1]至[比较例2]
对以[表1]所表示的组成的[实施例1]至[实施例3]及[比较例1]至[比较例2]的复合贴材进行评价。评价的项目为黏着力及残胶性质。黏着力以JISZ 02378的标准试验方法进行测试。残胶性质为以JISZ 02378的标准试验方法进行撕取，并判断复合贴材是否在被贴合物上留有残胶。
[表1]
Figure GDA0003694893700000101
在[比较例1]的复合贴材中，撕取后在被贴合物上仍留有残胶。
在[比较例2]的复合贴材中，撕取后在被贴合物上可能不会留有残胶。但是，由于黏着力较低(小于500gf/inch)而无法与被贴合物上紧密贴合。
[实施例4]至[实施例6]及[比较例3]至[比较例4]
对以[表2]所表示的组成的[实施例4]至[实施例6]及[比较例3]至[比较例4]的复合贴材进行评价。其中评价的项目为制备收缩层时需可固化成型。并且，在固化成型后进行切割，且在外观上不会有损伤或碎裂。
[表2]
Figure GDA0003694893700000102
在[比较例3]的复合贴材中，热收缩层的固化较差。
在[比较例4]的复合贴材中，在对固化成型的热收缩层进行切割，在外观上会有损伤或碎裂。
[实施例7]至[实施例9]
于以下[实施例7]至[实施例9]，为具体地说明本发明的复合贴材于加热后可对翘曲的半导体结构(如：芯片)产生反拉的作用力，而可能可以降低半导体结构的翘曲。然而，本发明根本不受到下述实施例限定。
图4A是依照[实施例7]进行实际测试时的上视图。图4B是依照[实施例7]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图。图5A是依照[实施例8]进行实际测试时的上视图。图5B是依照[实施例8]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图。图6A是依照[实施例9]进行实际测试时的上视图。图6B是依照[实施例9]进行加热前及进行加热后的翘曲程度变化的侧视图。
在[实施例7]至[实施例9]中，所使用的初始芯片基本上具有相同的翘曲度，且测试条件基本上相同。具体而言，在在[实施例7]至[实施例9]中，为使用具有相同翘曲度的12吋芯片进行测试，且加热条件为240℃×3hr×5cycles。并且，在[实施例7]至[实施例9]所使用的复合贴材中，其贴合层以及热收缩层的组成基本上相同，差别在于：热收缩层的厚度不同。
请参照图4A至图6B，其为藉由具有不同厚度热收缩层的复合贴材，以调整半导体结构的翘曲的实际试验图。
[实施例7]
如图4A所示，图4A中的A2、A6、A8、A4为表示芯片的四个位置，而[表3]则是显示出对芯片及贴合于芯片的复合贴材进行前述的加热条件之前及之后，芯片的翘曲程度变化，并且以正号(+)和及负号(-)表示翘曲的方向。另外，如图4B所示，藉由侧视方向上的实际量测以确认翘曲的外观变化。在[实施例7]中，热收缩层的厚度为100微米(μm)。
[表3]
Figure GDA0003694893700000111
从[表3]和图4B可以得知本发明所提供的复合贴材可对翘曲的芯片产生反拉的作用力。另外，如图4B所示，贴合于芯片的复合贴材并未出现剥离的情况，而外观没有出现问题亦表示耐热性符合要求。
[实施例8]
如图5A所示，图5A中的A2、A6、A8、A4为表示芯片的四个位置，而[表4]则是显示出对芯片及贴合于芯片的复合贴材进行前述的加热条件之前及之后，芯片的翘曲程度变化，并且以正号(+)和及负号(-)表示翘曲的方向。另外，如图5B所示，藉由侧视方向上的实际量测以确认翘曲的外观变化。在[实施例8]中，热收缩层的厚度为200微米(μm)。
[表4]
Figure GDA0003694893700000121
从[表4]和图5B可以得知本发明所提供的复合贴材可对翘曲的芯片产生反拉的作用力。另外，如图5B所示，贴合于芯片的复合贴材并未出现剥离的情况，而外观没有出现问题亦表示耐热性符合要求。
[实施例9]
如图6A所示，图6A中的A2、A6、A8、A4为表示芯片的四个位置，而[表4]则是显示出对芯片及贴合于芯片的复合贴材进行前述的加热条件之前及之后，芯片的翘曲程度变化，并且以正号(+)和及负号(-)表示翘曲的方向。另外，如图6B所示，藉由侧视方向上的实际量测以确认翘曲的外观变化。在[实施例8]中，热收缩层的厚度为300微米(μm)。
[表5]
Figure GDA0003694893700000122
从[表5]和图6B可以得知本发明所提供的复合贴材可对翘曲的芯片产生反拉的作用力。另外，如图6B所示，贴合于芯片的复合贴材并未出现剥离的情况，而外观没有出现问题亦表示耐热性符合要求。
另外，如[实施例7]至[实施例9]中的结果所示，针对具有不同翘曲的芯片，至少可以藉由调整复合贴材的热收缩层的厚度，以降低芯片的翘曲。
综上所述，本发明的复合贴材可适用于芯片工艺、芯片封装工艺或其他类似的半导体工艺，而可以在加热后降低其所贴合的半导体结构的翘曲。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (8)

1.一种复合贴材，其特征在于，适于贴合于半导体结构，且所述复合贴材包括：
贴合层，具有贴合面，且所述复合贴材适于以所述贴合面面向半导体结构的方式贴合于所述半导体结构，其中所述贴合层包含黏着剂组成物，包含丙烯酸（acrylic）类固化性化合物以及功能性单体，其中所述丙烯酸类固化性化合物的含量介于70 wt%至75 wt%，且所述功能性单体的含量介于20 wt%至27 wt%；以及
热收缩层，配置于所述贴合层相对于所述贴合面的表面上，其中所述热收缩层包含热收缩组成物，包含树脂以及硬化剂，其中所述树脂的含量介于50 wt%至75 wt%，且所述硬化剂的含量介于15 wt%至25 wt%，其中所述复合贴材于加热前贴合于所述半导体结构的所述贴合面具有第一曲率，所述复合贴材于加热后仍然贴合于所述半导体结构的所述贴合面具有第二曲率，且所述第一曲率大于所述第二曲率。
2.根据权利要求1所述的复合贴材，其特征在于，其中所述黏着剂组成物更包含光起始剂，其中所述光起始剂的含量介于1 wt%至10 wt%。
3.根据权利要求2所述的复合贴材，其特征在于，其中所述黏着剂组成物为无有机溶剂型。
4.根据权利要求1所述的复合贴材，其特征在于，其中所述热收缩层的厚度介于10微米至1000微米。
5.根据权利要求1所述的复合贴材，其特征在于，其中所述热收缩组成物更包括添加剂。
6.根据权利要求1所述的复合贴材，其特征在于，更包括：
基材，位于所述贴合层与所述热收缩层之间。
7.根据权利要求6所述的复合贴材，其特征在于，其中所述基材的材质包括聚酰胺、聚2,6萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜、聚醚醚酮、聚酰亚胺、玻璃纤维复合材料、碳纤维复合材料或上述的组合。
8.一种电子产品的制造方法，包括：
将如权利要求1至7中任一项所述的复合贴材以其贴合面面向所述半导体结构的方式贴合于所述半导体结构；
加热所述半导体结构及贴合于其上的所述复合贴材；
对加热后的所述半导体结构进行半导体工艺，其中所述复合贴材于加热前贴合于所述半导体结构的所述贴合面具有第一曲率，所述复合贴材于加热后仍然贴合于所述半导体结构的所述贴合面具有第二曲率，且所述第一曲率大于所述第二曲率；以及
于进行所述半导体工艺之后，移除所述半导体结构上的所述复合贴材。
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