TWI718734B

TWI718734B - 複合貼材及電子產品的製造方法

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Publication number: TWI718734B
Application number: TW108139158A
Authority: TW
Inventors: 陳俊發; 黃啟華; 王耀萱; 林欽楷; 李貞儒
Original assignee: 山太士股份有限公司
Priority date: 2019-07-23
Filing date: 2019-10-30
Publication date: 2021-02-11
Also published as: TWM592165U; TW202103924A

Abstract

一種複合貼材，其適於貼合於半導體結構。複合貼材包括貼合層以及熱收縮層。貼合層具有貼合面。複合貼材適於以貼合面面向半導體結構的方式貼合於半導體結構。熱收縮層配置於貼合層相對於貼合面的表面上。複合貼材於加熱前貼合面具有第一曲率。複合貼材於加熱後貼合面具有第二曲率。第一曲率大於第二曲率。一種電子產品的製造方法亦被提供。

Description

複合貼材及電子產品的製造方法

本發明是有關於一種貼材及電子產品的製造方法，且特別是有關於一種複合貼材及使用其的電子產品的製造方法。

按，近年來由於積體電路（Integrated Circuit；IC）朝向高效能、高密度、低功耗及小尺寸之方向發展，傳統的打線（Wire Bonding）封裝及覆晶（Flip Chip）封裝已無法滿足需求，最近發展扇出型晶圓級封裝（Fan-out Wafer Level Package；FOWLP）並逐步應用於高階產品。此扇出型封裝主要將晶圓切割並且增加晶片間距，重新組合成另一片晶圓，然後再進行模壓並且以線路重佈（Re-Distribution Layer；RDL）製程取代原本以基板型式封裝，在更小的封裝面積下容納更多的引腳數，且整合多種功能晶片於一體，可壓縮模組體積，提升晶片系統整體功能性和靈活性。

晶圓會出現翹曲之可能原因主要有以下幾種：（1）材料本身的熱漲冷縮現象；（2）構裝基板介面間之殘留應力；及/或（3）鈍化（passivation）、晶粒（die）及金屬材料各材料間熱膨脹係數（Coefficient of Thermal Expansion；CTE）差異。

雖然這樣的翹曲現象通常可藉由改變製程參數或調整鈍化層與金屬結構而略為改善，但是仍有一定程度的翹曲度仍無法被完全消除，導致進行線路重佈製程時依然會造成晶圓翹曲，因此需要找尋另一種能夠將晶圓翹曲拉回平整的狀態之方法以及結構。

有鑑於此，本發明人感其未臻完善而竭其心智苦心研究，並憑其從事該項產業多年之累積經驗，進而提供一種用於控制晶圓翹曲度之複合式結構及控制翹曲之方法，以期可以改善上述習知技術之缺失。

本發明提供一種複合貼材，其可適用於晶片製程、晶片封裝製程或其他類似的半導體製程，而可以在加熱後降低其所貼合的半導體結構的翹曲。

本發明的複合貼材適於貼合於半導體結構。複合貼材包括貼合層以及熱收縮層。貼合層具有貼合面。複合貼材適於以貼合面面向半導體結構的方式貼合於半導體結構。熱收縮層配置於貼合層相對於貼合面的表面上。複合貼材於加熱前貼合面具有第一曲率，複合貼材於加熱後貼合面具有第二曲率，且第一曲率大於第二曲率。

在本發明的一實施例中，貼合層包含黏著劑組成物，包含丙烯酸（acrylic）類固化性化合物以及功能性單體，其中丙烯酸類固化性化合物的含量介於70 wt%至95 wt%，且功能性單體的含量介於20 wt%至30 wt%。

在本發明的一實施例中，黏著劑組成物更包含光起始劑，其中光起始劑的含量介於1 wt%至10 wt%。

在本發明的一實施例中，黏著劑組成物為無有機溶劑型。

在本發明的一實施例中，熱收縮層的厚度介於10微米（micrometer；µm）至1000微米。

在本發明的一實施例中，熱收縮層包含熱收縮組成物，包含樹脂以及硬化劑，其中樹脂的含量介於50 wt%至75 wt%，且硬化劑的含量介於15 wt%至25 wt%。

在本發明的一實施例中，熱收縮組成物更包括添加劑。

在本發明的一實施例中，複合貼材更包括基材。基材位於貼合層與熱收縮層之間。

在本發明的一實施例中，基材的材質包括聚醯胺、2,6萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醚酮、聚醯亞胺、玻璃纖維複合材料、碳纖維複合材料或上述之組合。

本發明的電子產品的製造方法包括以下步驟。將前述任一實施例之複合貼材以其貼合面面向半導體結構的方式貼合於半導體結構。加熱半導體結構及貼合於其上的複合貼材，以使貼合面於加熱後的曲率小於貼合面於加熱前的曲率。對加熱後的半導體結構進行半導體製程。於進行半導體製程之後，移除半導體結構上的複合貼材。

基於上述，複合貼材可適用於晶片製程、晶片封裝製程或其他類似的半導體製程，而可以在加熱後降低其所貼合的半導體結構的翹曲。

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種複合貼材的於加熱前與加熱後之側視示意圖。圖1B是依照本發明的第一實施例的一種複合貼材的應用方式之側視示意圖。

請參照圖1A及圖1B，複合貼材100包括貼合層120以及熱收縮層110。貼合層120具有貼合面120a。熱收縮層110配置於貼合層120的表面120b上，且前述的表面120b相對於貼合面120a。加熱前的複合貼材100的貼合面120a具有第一曲率，加熱後的複合貼材100’的貼合面120a’具有第二曲率，且第一曲率大於第二曲率。

以圖1A為例，於對複合貼材100進行加熱前，貼合面120a對其面上的一虛擬點P的曲率（curvature）例如大約為0。並且，於對複合貼材100進行加熱後（如：使複合貼材100的溫度從10℃至40℃的範圍內加熱至100℃至250℃的範圍），貼合面120a’對前述虛擬點P的曲率例如為一負值。

以圖1B為例，於對複合貼材100進行加熱前，貼合面120a對其面上的一虛擬點P的曲率例如為正值。並且，於對複合貼材100進行加熱後（如：使複合貼材100的溫度從10℃至40℃的範圍內加熱至100℃至250℃的範圍），貼合面120a’對前述虛擬點P的曲率例如大約為0。

也就是說，本發明並未限定熱收縮層110於加熱後為熱膨脹或熱收縮。只要可以使複合貼材100在加熱前的貼合面120a，以及可以使複合貼材100’在加熱後的貼合面120a’，可以如圖1A或圖1B所繪示的態樣即可。

如此一來，複合貼材100可適用於晶片製程、晶片封裝製程或其他類似的半導體製程。

以圖1B為例，複合貼材100可適於以其貼合面120a面向半導體結構300的方式貼合於半導體結構300。半導體結構300可以為裸晶圓（bare wafer）、晶片製程中的製程晶圓（processed wafer）或其他類似的晶圓，半導體結構300也可以是具有晶粒貼覆於其上的載晶圓（carrier wafer）、載玻璃（carrier glass）或其他類似的載基板，或是半導體結構300也可以是藉由模封材料（如：環氧模壓樹脂（Epoxy Molding Compound；EMC））所包覆的一個或多個晶粒。

在圖1B中，半導體結構300可以具有翹曲（warpage）。並且，在將複合貼材100貼合於半導體結構300，且將半導體結構300及貼合於其上的複合貼材100進行加熱後，可以藉由複合貼材100以降低半導體結構300的翹曲。舉例而言，加熱後且具有複合貼材100’貼合於其上的半導體結構300’的翹曲可以降低。

在本實施例中，熱收縮層110的厚度可以介於0.2公釐（mm）至1公釐之間，但本發明不限於此。也就是說，複合貼材100可以藉由其熱收縮層110以支持或支撐與其貼合的半導體結構300。

圖2A是依照本發明的第二實施例的一種複合貼材的於加熱前與加熱後之側視示意圖。圖2B是依照本發明的第二實施例的一種複合貼材的應用方式之側視示意圖。第二實施例的複合貼材200與第一實施例的複合貼材100相似，其類似的構件以相同的標號表示，且具有類似的功能、材質或形成方式，並省略描述。

請參照圖2A及圖2B，複合貼材200包括貼合層120、基材230以及熱收縮層110。基材230位於貼合層120與熱收縮層110之間。複合貼材200於加熱前貼合面120a具有第一曲率，複合貼材200於加熱後貼合面120a具有第二曲率，且第一曲率大於第二曲率。

以圖2A為例，於對複合貼材200進行加熱前，貼合面120a對其面上的一虛擬點P的曲率（curvature）例如大約為0。並且，於對複合貼材200進行加熱後（如：使複合貼材200的溫度從10℃至40℃的範圍內加熱至200℃至250℃的範圍），貼合面120a’對前述虛擬點P的曲率例如為一負值。

以圖2B為例，於對複合貼材200進行加熱前，貼合面120a對其面上的一虛擬點P的曲率例如為正值。並且，於對複合貼材200進行加熱後（如：使複合貼材200的溫度從10℃至40℃的範圍內加熱至200℃至250℃的範圍），貼合面120a’對前述虛擬點P的曲率例如大約為0。

也就是說，本發明並未限定熱收縮層110於加熱後為熱膨脹或熱收縮。只要可以使複合貼材200在加熱前的貼合面120a，以及可以使複合貼材200’在加熱後的貼合面120a’，可以如圖2A或圖2B所繪示的態樣即可。

如此一來，複合貼材200可適用於晶片製程、晶片封裝製程或其他類似的半導體製程。

以圖2B為例，複合貼材200可適於以其貼合面120a面向半導體結構300的方式貼合於半導體結構300。半導體結構300可以具有翹曲（warpage）。並且，在將複合貼材200貼合於半導體結構300，且將半導體結構300及貼合於其上的複合貼材200進行加熱後，可以藉由複合貼材200以降低半導體結構300的翹曲。舉例而言，加熱後且具有複合貼材200’貼合於其上的半導體結構300’的翹曲可以降低。

在本實施例中，基材230的材質包括聚醯胺（Polyamide；PA）、2,6萘二甲酸乙二酯（Polyethylene Naphthalate；PEN）、聚醚碸（Polyether Sulfone；PES）、聚醚醚酮（Polyetheretherletone；PEEK）、聚醯亞胺（Polyimine；PI）、玻璃纖維複合材料、碳纖維複合材料或上述之組合，但本發明不限於此。基材230可以為單層板、多層板、夾層板、複合板或膜材（如：PTFE膜材、PVC膜材、PVDF膜材、ETFE膜材等）。

在本實施例中，熱收縮層110的厚度可以介於0.01公釐（mm）至0.1公釐之間，但本發明不限於此。

在上述的實施例中，貼合層120包含黏著劑組成物。黏著劑組成物包含丙烯酸（acrylic）類固化性化合物以及功能性單體。在上述黏著劑組成物的總含量中，上述丙烯酸類固化性化合物的含量大於或等於70 wt% （重量百分比）且小於或等於95 wt%，且上述功能性單體的含量大於或等於20 wt%且小於或等於30 wt%。

丙烯酸類固化性化合物的單體為具有（甲基）丙烯酸酯基的化合物。舉例而言，上述具有（甲基）丙烯酸酯基的化合物可包含選自由（甲基）丙烯酸甲酯（methyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸乙酯（ethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸正丙酯（n- propyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸異丙酯（isopropyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸正丁酯（n- butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸叔丁酯（t-butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸仲丁酯（sec-butyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸戊酯（pentyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸2-乙基己酯（2-ethylhexyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸2-乙基丁酯（2-ethylbutyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸正辛酯（n-octyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸異辛酯（isooctyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸異壬酯（isononyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸月桂酯（lauryl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸十四烷基酯（tetradecyl（meth）acrylate）、丙烯酸（acrylic acid）、（甲基）丙烯酸（methacrylic acid）、2-（甲基）丙烯醯氧基醋酸酯（2-（meth）acryloyloxy acetic acid）、3-（甲基）丙烯醯氧基丙酸酯（3-（meth）acryloyloxy propyl acid）、4-（甲基）丙烯醯氧基丁酸酯（4-（meth）acryloyloxy butyric acid）、（甲基）丙烯酸-2-羥乙酯（2-hydroxyethyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-2-羥丙酯（2-hydroxypropyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-4-羥丁酯（4-hydroxybutyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-6-羥已酯（6-hydroxyhexyl（meth）acrylate）、（甲基）丙烯酸-8-羥辛酯（8-hydroxyoctyl（meth）acrylate）、2-羥基乙二醇（甲基）丙烯酸酯（2-hydroxy ethylene glycol（meth）acrylate）或2-羥基丙二醇（甲基）丙烯酸酯（2-hydroxy propylene glycol（meth）acrylate）及上述的組合組成的組中的一種。

功能性單體可以為架橋劑、耐熱性單體及/或稀釋性單體。

在上述的一實施例中，前述的丙烯酸類固化性化合物可為丙烯酸類光固化性化合物，且黏著劑組成物可以更包含光起始劑。在上述黏著劑組成物的總含量中，光起始劑的含量大於或等於1 wt%且小於或等於10 wt%。

光起始劑例如為肟類（oxime）（如：醯基肟類化合物（acyloxime）、酮肟類化合物（ketoneoxime）或其他肟類）、苯偶姻及衍生物（如：安息香、安息香双甲醚、安息香乙醚、安息香异丙醚、安息香丁醚）、苯偶醯（Benzil）類、烷基苯酮類（如：α-羥烷基苯酮（HAPK））、醯基磷氧化物（如：烷基二醯基氧化膦）類、二苯甲酮（benzophenone）類、硫雜蒽酮（thioxanthen-9-one）類等有機光起始劑；或是重氮鹽、二芳基碘鎓鹽（diaryliodonium salt）、三芳基硫鎓鹽（triarylsulfonium salt）、烷基硫鎓鹽（alkylsulfonium salt）、鐵芳烴鹽（aromatic iron salt）、磺酰氧基酮（sulfonyl ketone）及三芳基矽氧醚等陽離子型光起始劑；或是上述之衍伸物或上述之組合。

在上述的一實施例中，黏著劑組成物為無有機溶劑型。上述有機溶劑例如為正己烷（n-hexane）、甲苯（toluene）、二甲苯（xylene）、甲基異丁基酮（methyl isobutyl ketone）等單獨或混合多種使用。如此一來，複合貼材100、200在用於半導體製程（如：烘烤、加熱沉積、曝光顯影或其他具有高溫或低壓的半導體製程）中，可以降低製程的汙染。

在貼合層120與物件（如：前述的半導體結構300）相互貼合後，於溫度高於45℃以上，較佳為45℃至90℃之間，可再藉由外力彼此分離。

在上述的實施例中，熱收縮層110包含熱收縮組成物。熱收縮組成物包含樹脂以及硬化劑。在上述熱收縮組成物的總含量中，上述樹脂的含量大於或等於50 wt%且小於或等於75 wt%，且上述硬化劑的含量大於或等於15 wt%且小於或等於25 wt%。

樹脂可以包括不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、酚醛樹脂、尿素樹脂、矽氧烷樹脂、聚氨基甲酸酯、BT樹脂、聚醯亞胺樹脂中的一種、多種或上述之組合。

硬化劑可包含選自由咪唑及其衍生物；乙醯胍胺、苯并胍胺等胍胺類；二胺基二苯甲烷、m-苯二胺、m-二甲苯二胺、二胺基二苯碸、二氰基二醯胺、尿素、尿素衍生物、三聚氰胺、多鹼醯肼等聚胺類；三氟化硼之胺錯合物；乙基二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-S-三嗪、2,4-二胺基-6-茬基-S-三嗪等三嗪衍生物類；三甲基胺、三乙醇胺、N,N-二甲基辛基胺、N-苄基二甲基胺、吡啶、N-甲基嗎福啉、六(N-甲基)三聚氰胺、2,4,6-三(二甲基胺基酚)、四甲基胍、m-胺基酚等胺類；聚乙烯基酚、聚乙烯基酚溴化物、苯酚酚醛、烷基酚酚醛等聚酚類；三丁基膦、三苯膦、三-2-氰基乙基膦等有機膦類；三正丁基(2,5-二羥苯基)鏻溴化物、六癸基三丁基氯化鏻等鏻鹽類；苄基三甲基氯化銨、苯基三丁基氯化銨等4級銨鹽類；上述多鹼酸酐；二苯錪鎓四氟硼酸鹽、三苯鋶六氟銻酸鹽、2,4,6-三苯硫代吡喃鎓六氟磷酸鹽、光陽離子聚合觸媒；苯乙烯-馬來酸酐樹脂；異氰酸苯基酯與二甲基胺之等莫耳反應物，或二異氰酸甲苯酯、異佛酮二異氰酸酯等有機聚異氰酸酯與二甲基胺之等莫耳反應物及上述的組合組成的組中的一種的硬化促進劑或硬化劑類。

在上述的一實施例中，熱收縮組成物可以更包含添加劑。添加劑例如包含密著劑、流平劑、消泡劑、溶劑、色料及上述的組合組成的組中的一種。

上述實施例的複合貼材100、200於電子產品的製造方法中的應用方式可以如下。值得注意的是，本發明並不限制複合貼材100、200的應用或使用方式。上述實施例的複合貼材100、200可以依據其特性作各種可能的應用。電子產品的製造方法的流程圖可以如圖3所示。

請參照圖3，於步驟S301中，將複合貼材以其貼合面面向半導體結構的方式貼合於半導體結構。舉例而言，如圖1B所示，可以將複合貼材100以其貼合面120a面向半導體結構300的方式貼合於半導體結構300。又舉例而言，如圖2B所示，可以將複合貼材200以其貼合面120a面向半導體結構300的方式貼合於半導體結構300。

請參照圖3，於步驟S302中，加熱半導體結構及貼合於其上的複合貼材，以使貼合面於加熱後的曲率小於貼合面於加熱前的曲率。舉例而言，如圖1B所示，加熱後的貼合面120a’的曲率小於加熱前的貼合面120a的曲率。又舉例而言，如圖2B所示，加熱後的貼合面120a’的曲率小於加熱前的貼合面120a的曲率。

請參照圖3，於步驟S303中，對加熱後的半導體結構300進行半導體製程。舉例而言，如圖1B所示，可以於半導體結構300的表面300a’上進行半導體製程。又舉例而言，如圖2B所示，可以於半導體結構300的表面300a’上進行半導體製程。

請參照圖3，於步驟S304中，於進行半導體製程之後，移除半導體結構上的複合貼材。

實施例及比較例

於以下表示實施例及比較例，對於本發明作具體地說明，而本發明根本不受到下述實施例限定。

[ 實施例 1] 至 [ 實施例 3] 及 [ 比較例 1] 至 [ 比較例 2]

對以[表1]所表示之組成的[實施例1]至[實施例3]及[比較例1]至[比較例2]的複合貼材進行評價。評價的項目為黏著力及殘膠性質。黏著力以JISZ 0237 8的標準試驗方法進行測試。殘膠性質為以JISZ 0237 8的標準試驗方法進行撕取，並判斷複合貼材是否在被貼合物上留有殘膠。

[表1]

		實施例1	實施例2	實施例3	比較例1	比較例2
黏著劑組成物（wt%）	壓克力高分子	75	80	70	98	30
功能性單體	24	19	27	1.5	55
光起始劑	1	1	3	0.5	15
評價項目	黏著力（gf/inch）	1000	1500	700	3000	100
殘膠性質	○	○	○	✕	○

在[比較例1]的複合貼材中，撕取後在被貼合物上仍留有殘膠。

在[比較例2]的複合貼材中，撕取後在被貼合物上可能不會留有殘膠。但是，由於黏著力較低（小於500 gf/inch）而無法與被貼合物上緊密貼合。

[ 實施例 4] 至 [ 實施例 6] 及 [ 比較例 3] 至 [ 比較例 4]

對以[表2]所表示之組成的[實施例4]至[實施例6]及[比較例3]至[比較例4]的複合貼材進行評價。其中評價的項目為製備收縮層時需可固化成型。並且，在固化成型後進行切割，且在外觀上不會有損傷或碎裂。

[表2]

		實施例4	實施例5	實施例6	比較例3	比較例4
熱收縮組成物（wt%）	環氧樹脂	50	55	60	80	50
硬化劑	16	18	20	5	35
添加劑	34	27	20	15	15
評價項目	成型性質	○	○	○	✕	✕

在[比較例3]的複合貼材中，熱收縮層的固化較差。

在[比較例4]的複合貼材中，在對固化成型的熱收縮層進行切割，在外觀上會有損傷或碎裂。

[ 實施例 7] 至 [ 實施例 9]

於以下[實施例7]至[實施例9]，為具體地說明本發明的複合貼材於加熱後可對翹曲的半導體結構（如：晶圓）產生反拉的作用力，而可能可以降低半導體結構的翹曲。然而，本發明根本不受到下述實施例限定。

圖4A是依照[實施例7]進行實際測試時的上視圖。圖4B是依照[實施例7]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。圖5A是依照[實施例8]進行實際測試時的上視圖。圖5B是依照[實施例8]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。圖6A是依照[實施例9]進行實際測試時的上視圖。圖6B是依照[實施例9]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。

在[實施例7]至[實施例9]中，所使用的初始晶圓基本上具有相同的翹曲度，且測試條件基本上相同。具體而言，在在[實施例7]至[實施例9]中，為使用具有相同翹曲度的12吋晶圓進行測試，且加熱條件為240℃ × 3hr × 5cycles。並且，在[實施例7]至[實施例9]所使用的複合貼材中，其貼合層以及熱收縮層的組成基本上相同，差別在於：熱收縮層的厚度不同。

請參照圖4A至圖6B，其為藉由具有不同厚度熱收縮層的複合貼材，以調整半導體結構的翹曲的實際試驗圖。

[ 實施例 7]

如圖4A所示，圖4A中的A2、A6、A8、A4為表示晶圓的四個位置，而[表3]則是顯示出對晶圓及貼合於晶圓的複合貼材進行前述的加熱條件之前及之後，晶圓的翹曲程度變化，並且以正號（+）和及負號（-）表示翹曲之方向。另外，如圖4B所示，藉由側視方向上的實際量測以確認翹曲之外觀變化。在[實施例7]中，熱收縮層的厚度為100微米（µm）。

[表3]

	翹曲（mm）
	貼合前	貼合後	加熱後
A2	A6	A8	A4	A2	A6	A8	A4	A2	A6	A8	A4
晶圓	-0.6	-0.6	-0.6	-0.6	-0.6	-0.6	-0.6	-06	0	0	0	0

[表3]

從[表3]和圖4B可以得知本發明所提供之複合貼材可對翹曲的晶圓產生反拉的作用力。另外，如圖4B所示，貼合於晶圓的複合貼材並未出現剝離之情況，而外觀沒有出現問題亦表示耐熱性符合要求。

[ 實施例 8]

如圖5A所示，圖5A中的A2、A6、A8、A4為表示晶圓的四個位置，而[表4]則是顯示出對晶圓及貼合於晶圓的複合貼材進行前述的加熱條件之前及之後，晶圓的翹曲程度變化，並且以正號（+）和及負號（-）表示翹曲之方向。另外，如圖5B所示，藉由側視方向上的實際量測以確認翹曲之外觀變化。在[實施例8]中，熱收縮層的厚度為200微米（µm）。

[表4]

翹曲（mm）

貼合前

貼合後

加熱後

A2

A6

A8

A4

A2

A6

A8

A4

A2

A6

A8

A4

晶圓

-0.6

-06

+0.6

+0.7

+0.6

[表4]

從[表4]和圖5B可以得知本發明所提供之複合貼材可對翹曲的晶圓產生反拉的作用力。另外，如圖5B所示，貼合於晶圓的複合貼材並未出現剝離之情況，而外觀沒有出現問題亦表示耐熱性符合要求。

[ 實施例 9]

如圖6A所示，圖6A中的A2、A6、A8、A4為表示晶圓的四個位置，而[表4]則是顯示出對晶圓及貼合於晶圓的複合貼材進行前述的加熱條件之前及之後，晶圓的翹曲程度變化，並且以正號（+）和及負號（-）表示翹曲之方向。另外，如圖6B所示，藉由側視方向上的實際量測以確認翹曲之外觀變化。在[實施例8]中，熱收縮層的厚度為300微米（µm）。

[表5]

翹曲（mm）

貼合前

貼合後

加熱後

A2

A6

A8

A4

A2

A6

A8

A4

A2

A6

A8

A4

晶圓

-0.6

-06

+1.5

+1.6

+1.5

+1.6

[表5]

從[表5]和圖6B可以得知本發明所提供之複合貼材可對翹曲的晶圓產生反拉的作用力。另外，如圖6B所示，貼合於晶圓的複合貼材並未出現剝離之情況，而外觀沒有出現問題亦表示耐熱性符合要求。

另外，如[實施例7]至[實施例9]中的結果所示，針對具有不同翹曲的晶圓，至少可以藉由調整複合貼材的熱收縮層的厚度，以降低晶圓的翹曲。

綜上所述，本發明的複合貼材可適用於晶片製程、晶片封裝製程或其他類似的半導體製程，而可以在加熱後降低其所貼合的半導體結構的翹曲。

100、100’、200、200’：複合貼材 110：熱收縮層 120：貼合層 120a、120a’：貼合面 120b：表面 230：基材 300：半導體結構 300a、300a’：表面 P：虛擬點

圖1A是依照本發明的第一實施例的一種複合貼材的於加熱前與加熱後之側視示意圖。圖1B是依照本發明的第一實施例的一種複合貼材的應用方式之側視示意圖。圖2A是依照本發明的第二實施例的一種複合貼材的於加熱前與加熱後之側視示意圖。圖2B是依照本發明的第二實施例的一種複合貼材的應用方式之側視示意圖。圖3是依照本發明的一實施例的一種電子產品的製造方法的流程圖。圖4A是依照[實施例7]進行實際測試時的上視圖。圖4B是依照[實施例7]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。圖5A是依照[實施例8]進行實際測試時的上視圖。圖5B是依照[實施例8]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。圖6A是依照[實施例9]進行實際測試時的上視圖。圖6B是依照[實施例9]進行加熱前及進行加熱後的翹曲程度變化的側視圖。

100、100’：複合貼材 110：熱收縮層 120：貼合層 120a、120a’：貼合面 120b：表面 300：半導體結構 300a、300a’：表面

Claims

一種複合貼材，適於貼合於半導體結構，且所述複合貼材包括：貼合層，具有貼合面，且所述複合貼材適於以所述貼合面面向半導體結構的方式貼合於所述半導體結構，其中所述貼合層包含黏著劑組成物，包含丙烯酸(acrylic)類固化性化合物以及功能性單體，其中所述丙烯酸類固化性化合物的含量介於70wt%至75wt%，且所述功能性單體的含量介於20wt%至27wt%；以及熱收縮層，配置於所述貼合層相對於所述貼合面的表面上，其中所述複合貼材於加熱前貼合於所述半導體結構的所述貼合面具有第一曲率，所述複合貼材於加熱後貼合於所述半導體結構的所述貼合面具有第二曲率，且所述第一曲率大於所述第二曲率。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，其中所述黏著劑組成物更包含光起始劑，其中所述光起始劑的含量介於1wt%至10wt%。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，其中所述黏著劑組成物為無有機溶劑型。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，其中所述熱收縮層的厚度介於10微米至1000微米。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，其中所述熱收縮層包含熱收縮組成物，包含樹脂以及硬化劑，其中所述樹脂的含量介於50wt%至75wt%，且所述硬化劑的含量介於15wt%至25wt%。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，其中所述熱收縮組成物更包括添加劑。
如申請專利範圍第1項所述的複合貼材，更包括：基材，位於所述貼合層與所述熱收縮層之間。
如申請專利範圍第7項所述的複合貼材，其中所述基材的材質包括聚醯胺、2,6萘二甲酸乙二酯、聚醚碸、聚醚醚酮、聚醯亞胺、玻璃纖維複合材料、碳纖維複合材料或上述之組合。
一種電子產品的製造方法，包括：將如申請專利範圍第1項至第8項中任一項所述之複合貼材以其貼合面面向所述半導體結構的方式貼合於所述半導體結構；加熱所述半導體結構及貼合於其上的所述複合貼材，以使所述貼合面於加熱後的曲率小於所述貼合面於加熱前的曲率；對加熱後的所述半導體結構進行半導體製程；以及於進行所述半導體製程之後，移除所述半導體結構上的所述複合貼材。