CN102208366A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种晶片的加工方法，在进行切割、其后拾取的工序中，将切割用表面保护片贴附于晶片表面，且与晶片一起切断，从而防止由切削碎屑等粉尘等的附着导致污染晶片表面，而且在切割工序之后，可以拾取芯片而不会在芯片上产生破裂、缺口。在将切割用表面保护片贴附于晶片表面、将其与上述晶片一起切断之后，给予该切割用表面保护片刺激，从而使芯片端部从切割胶带剥离，之后拾取芯片。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及切割半导体晶片来形成单个芯片的加工方法。
背景技术
在背面研磨工序后进行的晶片单片化工序(以下称切割工序)中，目前晶片电路形成面为裸露的状态。因此，前提为，切割时的切削水、由晶片切削所产生的切削碎屑等粉尘等附着于电路形成面，暴露的电子部件表面的电路形成面被污染。由于这种污染，有可能引起不良。在该情况下，考虑将保护胶带贴附于晶片的电路形成面，将晶片与保护胶带一起切割，从而保护电子部件以免受切削碎屑等粉尘等的影响。然而，用现有的保护胶带难以从单片化了的晶片分别剥离除去保护胶带，因此没有实现实用化。
进而，近年来，半导体晶片向薄型化(50nm以下)发展。作为其理由，可列举出在制作使用了半导体晶片的器件时提高器件的散热性、改进电特性、降低电力消耗、小型化。在磨削和研磨(背面研磨)半导体晶片的工序中，一般使用磨削保护胶带(背面研磨胶带)。背面研磨胶带用于在保护半导体晶片的图案表面且保持半导体晶片的同时磨削半导体晶片的背面，使半导体晶片减薄。
削薄的半导体晶片置于切割胶带上，暂时固定，在剥下背面研磨胶带之后切断为小片。为了回收小片化的半导体晶片的芯片，需要从切割胶带剥离(拾取)。虽然提出了各种剥离方法，但最有代表性的方法是用顶针顶举切割胶带背面的方法。在通常的用顶针顶举的方法中，通过使顶针的顶举变高，可以容易地剥离。然而，在薄型的硅片芯片中，过高地顶举顶针时，芯片有时破裂，会降低芯片的可靠性、成品率。
专利文献1中记载了一种方法，该方法通过在切割之后加热芯片来使切割保护胶带热收缩，从而使切割保护胶带容易地从芯片表面除去。
在该方法中，由热收缩产生的切割保护胶带的变形引起了皱皱巴巴等胡乱的形状变形。其结果，皱褶的凹凸的凸部与基板之间产生了细小的间隙，不能使半导体芯片从粘接于其下层的切割胶带稍微浮起，而且由于在切割了的晶片的拾取工序之前剥离切割保护胶带，因此不能消除上述芯片破裂等的产生。
因此，为了解决芯片破裂的问题，专利文献2中提出了一种方法作为半导体芯片的制造方法，该方法包括以下工序：通过切割胶带将在表面形成有电路的半导体晶片的背面固定的工序；将双面粘合片贴合于该电路面，在该状态下切断分离双面粘合片和半导体晶片，将半导体晶片切割为各个电路来形成半导体芯片的工序，所述双面粘合片由收缩性基材和设置于该基材的两面的粘合剂层构成，且至少一方的粘合剂层由能量射线固化型粘合剂构成；经由该双面粘合片的另一方的粘合剂层将半导体芯片固定在透明硬质板上的工序；接着，剥离除去该切割胶带，从上述透明硬质板侧将能量射线照射于双面粘合片，使双面粘合片的基材收缩之后，拾取半导体芯片的工序。
然而，在该方法中，与以往方法的切割→拾取工序相比具有工序数增加的缺点。
这样，以往的方法中，由于拾取芯片的时候是在切割保护胶带剥离之后，因此根据晶片的材质、特别是薄型化的厚度等条件，在这些方法中会存在难以在不增加工序数和芯片不会破裂的状态下通过拾取得到小片化的芯片的问题。
特别是，切割胶带具有能以充分的粘接强度固定晶片以防止切割时晶片破裂、缺口、移动等的性质。而且，将晶片薄型化时需求更高的粘接强度，因此在拾取切割而得到的芯片时，不论切割保护薄膜是否粘接于该小片上，都需要提供对抗该高粘接强度的力，为了提供这种力而设置拾取条件时，进一步，有可能产生芯片破裂、缺口、制造工序的线速度、成品率降低。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-197567号公报
专利文献2：日本特开2001-217212号公报
发明内容
发明要解决的问题
本发明的课题是提供一种方法，其预先将切割用表面保护片贴附于晶片表面，且在切割工序中与晶片一起切断，从而保护晶片表面不受由切削碎屑等粉尘等的附着引起的污染，而且，此后在得到小片化的晶片即芯片的切割工序中，可靠地拾取晶片而不使晶片破裂，通过该方法，切断的保护胶带会防止晶片、切割胶带、切割环的污染，提高成品率。
用于解决问题的方案
用于解决上述的课题的手段如下所述。
所述方法为，将切割用表面保护片贴附于半导体晶片，并且将切割胶带贴附在该晶片的背面侧，然后将该晶片与切割用表面保护片一起小片化来形成芯片，其中，给予该切割用表面保护片刺激来产生收缩应力，从而使芯片的一部分从切割胶带剥离，此后，将该芯片从切割胶带剥离。
该切割用表面保护片的至少一层由热收缩性的薄膜构成，可以使用在40～180℃的温度范围显示3～90％的热收缩率的热收缩薄膜，可以使用切割用表面保护片在40～75℃的加热下的粘合力为0.01N/20mm以上的粘合力(相对于硅片90°剥离，拉伸速度300mm/min)，在贴附切割胶带之前，可以将该晶片的背面侧研磨或蚀刻至规定的厚度。
发明的效果
本发明中使用的切割用表面保护片具有在未与任何物体粘接的状态下由加热等刺激引起自然地卷绕的性质。
本发明的方法，在将这种切割用表面保护片贴附于晶片表面，且与晶片一起切断之后进行芯片的拾取时，使切割用表面保护片对晶片的粘接力强于切割用表面保护片由刺激引起的卷绕的力。
进而，如果使该芯片的端部中的、切割保护胶带与芯片的粘接力强于切割胶带与芯片的粘接力，则切割保护胶带的卷绕力即翘曲力传输到切断的芯片，与芯片一起切断的切割保护胶带的边缘部以向着该卷绕方向翘曲的方式变形。
作为该变形的结果，芯片与变形前比较，与切割胶带的粘合剂层表面的粘接面积减少，由于该粘接面积的减少，晶片与切割胶带的粘接力也降低。
这样一来，可以削减为了拾取芯片而从切割胶带剥离所需的力，这意味着施加于芯片的力也减少。结果，可以降低顶针的顶举高度，由于顶针的顶举而施加于芯片的力也减少。其结果，发挥了在芯片上不产生破裂、缺口的效果。
而且，在芯片整个下表面粘接于切割胶带的情况下，为了用顶针顶举而剥离芯片，首先，在到芯片端部为止都是粘接着的切割胶带中，必须将芯片端部与切割胶带剥离。
不仅是芯片，在剥离整个表面粘接的被粘物时，形成剥离起点时都需要很大的力，因此在芯片的剥离时为了通过顶针的顶举将芯片端部与切割胶带剥离，最初需要很大的力。
根据本发明，在最初用顶针顶举之前，由于芯片的端部已经从切割胶带剥离，因此在顶举时已经剥离的部分成为剥离起点，以该剥离起点为基础，进一步剥离芯片变得容易。
附图说明
图1为示出本发明的加工方法的示意图。
图2为示出本发明的加工方法中的切割用表面保护片和芯片的截面图。
图3为图2中切割用表面保护片和芯片为翘曲的状态的截面图。
图4为示出本发明中使用的切割用表面保护片的一个例子的截面图。
图5为示出本发明中使用的切割用表面保护片的另一个例子的图。
图6为示出本发明中使用的切割用表面保护片的自发卷绕的状态的一个例子的示意图。
附图标记说明
1切割用表面保护片/切割后为芯片
2晶片
3切割胶带
4切割环
5顶针
6吸嘴(collet)
7取出芯片之后的部位
8沟
9边缘部
10收缩性薄膜层
11约束层
12弹性层
13刚性薄膜层
14粘合剂层
15中间层
具体实施方式
本发明的加工方法是将切割用表面保护片贴附于半导体晶片，并且将切割胶带贴附在该晶片的背面侧，然后将该晶片与切割用表面保护片一起小片化来形成芯片的方法，其特征在于，该切割用表面保护片由刺激产生收缩应力，由此使芯片的一部分从切割胶带剥离。
以下说明实施本发明所需的材料和具体的加工方法。
晶片
在本发明中，作为晶片，包括半导体晶片、玻璃、陶瓷、半导体封装用树脂等以往成为切割工序的对象的全部物质，优选使用8英寸硅镜面晶片(silicon mirror wafer)等半导体晶片。晶片切断后的尺寸是任意的，优选为10mm×10mm以下的尺寸。
切割用表面保护片
切割用表面保护片在热收缩性薄膜的单面形成有粘合剂层，该基材可以是将公知的单层或多层的树脂薄膜进行单轴或双轴拉伸而形成的热收缩性薄膜。
作为上述热收缩性薄膜，例如可列举出由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚降冰片烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯等中的一种以上的树脂构成的单轴拉伸薄膜或双轴拉伸薄膜。其中，从粘合剂层的涂布操作性优异的观点考虑，由选自聚酯系树脂、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚降冰片烯、聚氨酯系树脂中的一种以上的树脂构成的单轴或双轴拉伸薄膜是优选的。
切割用表面保护片中使用的至少一层的热收缩性薄膜优选在40～180℃的温度范围具有3～90％的热收缩率，更优选为5～90％，进一步优选为10～90％，最优选为20～90％。低于3％时，热收缩性薄膜的收缩量不足，达不到剥离芯片的边缘部，不能拾取。另外，大于90％时，热收缩量过大，芯片有可能破损。
优选地，切割用表面保护片为如下物质，其层叠有至少在单轴方向上具有收缩性的收缩性薄膜层、和约束该收缩性薄膜层的约束层和粘合剂层，且其通过给予成为收缩原因的刺激，从一个端部向一个方向或从对置的两个端部向中心自发地翘曲，可将芯片的端部与切割胶带剥离。
上述约束层由收缩性薄膜层侧的弹性层和与收缩性薄膜层相反一侧的刚性薄膜层构成。另外，本发明的切割用表面保护片具有粘合剂层，该粘合剂层优选包含活性能量射线(例如UV)固化性粘合剂。
优选地，作为收缩性薄膜层/约束层的层叠体，可以使用收缩性薄膜层/弹性层/刚性薄膜层/粘合剂层的层叠体(以下有时将这些层叠体称为自发卷绕性胶带)。通过该构成，收缩应力转换为力偶，胶带在给予成为收缩原因的刺激后会可靠地变形为筒状卷绕体。此外，构成胶带的材料等的细节可以依据日本专利第4151850号。具体而言，胶带作为由收缩性薄膜层/弹性层/刚性薄膜层/粘合剂层构成的层叠体，优选为自发卷绕性胶带。而且，优选地，用于使其收缩的刺激是加热。
作为切割用表面保护片中设置的粘合剂层，可以是含有公知的橡胶系、丙烯酸系等粘合剂和公知的填充剂和公知的各种添加剂的粘合剂，也可以使用用紫外线等活性能量射线照射形成三维网络结构而固化的结果是粘合力降低而成为易剥离性的公知的粘合剂。在该粘合剂中，可以使用公知的天然橡胶、以聚异丁烯橡胶、丁苯橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、NBR等橡胶系聚合物为基础聚合物，且配合已知的各种添加剂而形成的橡胶系粘合剂；硅酮系粘合剂；在丙烯酸系粘合剂等的粘合剂组合物中将构成该组合物的树脂以含有碳-碳多键的反应性基团进行化学修饰而得的粘合剂、进一步配合具有多元(甲基)丙烯酰基等反应性基团的单体、聚合物而得的粘合剂。另外，还可以使用下述的切割胶带用粘合剂。
切割用表面保护片在40～75℃的气氛下的粘合力(相对于硅镜面晶片90°剥离，拉伸速度300mm/min)优选为0.01N/20mm以上，更优选为0.02N/20mm以上，进一步优选为0.03N/20mm以上，最优选为0.05N/20mm以上。在低于0.01N/20mm的情况下，在规定温度气氛下时，切割用表面保护片剥脱，因此在低的顶举高度下不能拾取芯片。
粘合剂层的厚度一般为10～200μm，优选为20～100μm，进一步优选为30～60μm。上述厚度如果过薄，则由于粘合力不足，易于变得难以保持、暂时固定粘附体，而如果过厚则不经济，处理性也低劣，因而不优选。
在具有上述粘合特性的范围，需要切割用表面保护片的基材由刺激等引起收缩。
刺激是指用于使粘接的切割用表面保护片收缩所需的以加热、紫外线照射等能量赋予手段为基础的处理，具体而言，可以使用加热空气的喷射、在加热的水等液体中的浸渍、红外线灯、红外线激光、红外线LED、板式加热器、带式加热器(band heater)、电热带(ribbon heater)等任意的加热手段、紫外线灯、微波等照射手段，作为加热温度，是对晶片的特性不产生不良影响的温度，为40℃以上的温度，优选为50℃～180℃，进一步优选为70～180℃，紫外线灯等、微波的照射也同样是在不对晶片的特性产生不良影响的范围的照射能量，通过使切割用表面保护片的特别是热收缩性薄膜层收缩，进行使该切割用表面保护片和芯片翘曲的程度的处理。此外，在采用上述在加热的水等中浸渍的手段时，此后，需要利用用于干燥的已知的干燥手段的工序。
调整切割用表面保护片、晶片、切割胶带各自之间的粘接力，使得即使切割用表面保护片由刺激引起收缩，该切割用表面保护片也不会从芯片剥离，仅仅芯片的端部从切割胶带剥离。因此需要芯片以容许仅仅端部剥离的程度的强度与切割胶带粘接。
另外，作为这些切割用表面保护片，优选地，层叠有至少在单轴方向上具有收缩性的收缩性薄膜层、和约束该收缩性薄膜层的收缩的约束层。通过给予成为收缩原因的刺激，作为单独的切割用表面保护片其从相对的2个端部向中心自发地卷绕形成一个筒状卷绕体。
在拾取芯片之后，有时需要降低切割用表面保护片对芯片的粘接力。
此时，可以使用如下粘合剂：用紫外线等活性能量射线照射后形成三维网络结构而固化的结果是粘合力降低而为具有易剥离性的公知的粘合剂；或者，使粘合剂层含有叠氮化合物、偶氮化合物等气体发生剂，通过拾取后的加热，该气体发生剂分解而产生气体，使该粘合剂层成为多孔质，从而在粘合剂层及其表面形成凹凸，减少与芯片的粘接面积，从而表现易剥离性的含有气体发生剂的粘合剂；或者，使粘合剂含有内含气体微胶囊，在使用时通过加热破坏该微胶囊，内含的气体扩展到粘合剂层内，从而使该粘合剂层为多孔质，通过与上述含有气体发生剂的切割用表面保护片同样的机制来表现易剥离性的含有内含气体微胶囊的粘合剂等。
切割胶带
切割胶带是形成用于将基材层与晶片粘接的粘合剂层、和根据需要在其相反面的晶片的没有形成电路的表面形成粘接剂层而得的。
粘合剂层是为了在将晶片切割为芯片状的小片时防止芯片飞散而贴合并固定晶片的，因此具有充分的粘接力。进而，根据需要，在基板上安装芯片时，实现作为用于固定的粘合剂层的功能。
作为基材层，可以使用作为切割胶带用的基材层所公知的层。例如可列举出聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚酰亚胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、聚碳酸酯、芳族聚酰胺、纸、玻璃、玻璃布、氟树脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纤维素系树脂、有机硅树脂、金属(箔)等。此外，还可列举出上述树脂的交联体等聚合物。
对基材层的厚度没有特别限制，考虑到切割工序的操作性、切割刀片的切入等，例如可以为5～300μm的范围，优选为25～200μm的范围，更优选为35～200μm的范围。
为了提高与粘合剂层的密合性，在基材层的表面可以实施表面上的公知的表面处理，例如通过铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或物理方法的氧化处理等。另外，可以实施通过底涂剂、异氰酸酯系锚固剂等锚固涂布剂等的涂布处理等。
粘合剂层可以通过通常的切割用粘接剂来形成。在这种粘接剂中，能够形成片状的粘接剂是优选的。例如可以适宜地使用由热塑性树脂、热固化性树脂构成的粘合剂，可以单独使用或将两种以上组合使用。另外，粘合剂层优选是在70℃以下可粘合于晶片的粘合剂层，进一步优选是在常温下可粘合于晶片的粘合剂层。
粘合力在室温下相对于硅镜面晶片为0.5N/20mm以下，优选为0.3N/20mm以下。粘合力为0.5N/20mm以下时，剥离性良好，可以减低残胶的产生。粘合剂层的粘合力的值根据使用目的等可以在上述范围内增大或减少。
作为用作粘合剂的热塑性树脂，例如可列举出橡胶系、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂、热塑性聚氨酯系树脂、酰胺系树脂、酰亚胺系树脂、有机硅系树脂等。另外，作为热固化性树脂，例如可列举出环氧树脂、不饱和聚酯系树脂、热固化性丙烯酸类树脂、酚醛系树脂等。作为热固化性树脂，脱溶剂化、片材化、B阶化(暂时固化)的热固化性树脂是优选的。这些热固化性树脂与热塑性树脂的混合物也能在B阶化的状态下使用。此外，从晶片、玻璃等的忌避污染的电子部件的超纯水、醇等有机溶剂的清洁洗涤性等观点考虑，以丙烯酸系树脂为基础聚合物的丙烯酸类树脂系粘合剂是优选的。
作为上述丙烯酸系树脂，例如可列举出丙烯酸系聚合物等，所述丙烯酸系聚合物使用烷基的碳原子数为1～30、特别是碳原子数4～18的直链状或分枝状的(甲基)丙烯酸环烷基酯中的一种或两种以上作为单体成分。
粘合剂层可以适当组合玻璃化转变温度不同的热塑性树脂、热固化温度不同的热固化性树脂且具有2层以上的多层结构。此外，由于在晶片的切割工序中使用切削水，因此粘合剂层吸湿，有时达到常态以上的含水率。在这种高含水率的状态下，粘接于基板等时，在后固化的阶段中，水蒸汽在粘接界面积存，有时候产生浮起。因此，作为粘合剂层，通过形成用粘合剂夹持透湿性高的薄膜的结构，从而在后固化的阶段中水蒸汽通过薄膜扩散，可以避免所述问题。因此，粘合剂层可以由按粘合剂层、薄膜、粘合剂层的顺序层叠的多层结构构成。
粘合剂层的厚度没有特别限制，例如优选为5～100μm左右，更优选为10～50μm左右。
为了内聚力、耐热性的改性等，上述丙烯酸系树脂根据需要可以含有对应于能与上述(甲基)丙烯酸烷基酯或环烷基酯共聚的其他单体成分的单元。作为这种单体成分，例如可列举出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧乙酯、(甲基)丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸等含羧基的单体；马来酸酐、衣康酸酐等酸酐单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯等含羟基的单体；苯乙烯磺酸等含磺酸基的单体；2-羟乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基的单体；丙烯酰胺、丙烯腈等。这些能共聚的单体成分可以使用一种或两种以上。这些能共聚的单体的用量优选为全部单体成分的40重量％以下。
进而，为了将上述丙烯酸系树脂交联，根据需要也可含有多官能性单体等作为共聚用单体成分。作为这种多官能性单体，例如可列举出己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯等。这些多官能性单体也可以使用一种或两种以上。从粘合特性等观点来看，多官能性单体的用量优选为全部单体成分的30重量％以下。另外，还可以添加多异氰酸酯化合物、环氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交联剂等外部交联剂。
作为粘合剂的放射线固化型粘合剂，可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键等放射线固化性官能团且显示了粘合性的粘合剂，具体而言，可以采用例如在上述丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂等一般的压敏性粘合剂中配合了放射线固化性的单体成分、低聚物成分的添加型放射线固化性粘合剂等。
通过形成放射线固化性粘合剂，在芯片的拾取之前照射放射线等，使粘合剂层交联，降低粘接力，从而可以更进一步减少顶针的顶举量。
作为所配合的放射线固化性的单体成分，例如可列举出聚氨酯低聚物、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等。另外，放射线固化性的低聚物成分可列举出聚氨酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚丁二烯系等各种低聚物，其分子量适宜在100～30000左右的范围。放射线固化性的单体成分、低聚物成分的配合量根据上述粘合剂层的种类可以适当确定为能降低粘合剂层的粘合力的量。一般而言，相对于100重量份的构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物，例如为5～500重量份，优选为40～150重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，除了上述说明的添加型的放射线固化性粘合剂以外，可列举出使用在聚合物侧链或主链中或主链末端具有碳-碳双键的物质作为基础聚合物的内在型的放射线固化性粘合剂。内在型的放射线固化性粘合剂不需要含有作为低分子成分的低聚物成分等，或者含得不多，因此不会有低聚物成分等随时间地在粘合剂中的移动，能够形成稳定的层结构的粘合剂层，因而是优选的。
上述具有碳-碳双键的基础聚合物可以没有特别限制地使用具有碳-碳双键且具有粘合性的聚合物。作为这种基础聚合物，以丙烯酸系聚合物为基本骨架的聚合物是优选的。作为丙烯酸系树脂的基本骨架，可列举出上述例示的丙烯酸系树脂。
对碳-碳双键在上述丙烯酸系树脂中的引入法没有特别限制，可以采用各种方法。碳-碳双键在聚合物侧链中引入的方法在分子设计上是容易的。例如可列举出预先将具有官能团的单体与丙烯酸系树脂共聚，然后使具有能与该官能团反应的官能团和碳-碳双键的化合物在维持碳-碳双键的放射线固化性的状态下缩合或加成反应的方法。
作为这些官能团的组合的例子，可列举出羧酸基与环氧基、羧酸基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等。在这些官能团的组合中，从反应跟踪的容易性来看，羟基与异氰酸酯基的组合是适宜的。另外，根据这些官能团的组合，只要是生成上述具有碳-碳双键的丙烯酸系聚合物的那样的组合，官能团在丙烯酸系聚合物和上述化合物中的任何一方均可，在上述优选的组合中，丙烯酸系聚合物具有羟基、上述化合物具有异氰酸酯基的情况是适宜的。在该情况下，作为具有碳-碳双键的异氰酸酯化合物，例如可列举出甲基丙烯酰基异氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α，α-二甲基苄基异氰酸酯等。此外，作为丙烯酸系聚合物，可以使用共聚有上述例示的含有羟基的单体、2-羟乙基乙烯基醚、4-羟丁基乙烯基醚、二乙二醇单乙烯基醚的醚系化合物等的物质。
放射线固化性粘合剂可以单独使用上述具有碳-碳双键的基础聚合物(特别是丙烯酸系聚合物)，还能以不使特性恶化的程度配合上述放射线固化性的单体成分、低聚物成分。放射线固化性的低聚物成分等通常相对于100重量份基础聚合物在30重量份的范围内，优选为0～10重量份的范围。
在上述放射线固化型粘合剂中，在通过紫外线等固化的情况下使其含有光聚合引发剂。作为光聚合引发剂，例如可列举出4-(2-羟基乙氧基)苯基(2-羟基-2-丙基)酮等缩酮系化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物；1-苯酮(phenone)-1，1-丙二酮-2-(邻乙氧基羰基)肟等光活性肟系化合物；二苯甲酮、苯甲酰基苯甲酸、3，3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合物；噻吨酮、2-氯噻吨酮等噻吨酮系化合物；樟脑醌；卤化酮；酰基氧化膦；酰基膦酸酯等。光聚合引发剂的配合量相对于100重量份构成粘合剂的丙烯酸系聚合物等基础聚合物例如为0.05～20重量份左右。
另外，作为放射线固化型粘合剂，例如可列举出橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂等，其含有：具有2个以上不饱和键的加成聚合性化合物、具有环氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物；和羰基化合物、有机硫化合物、过氧化物、胺、鎓盐系化合物等光聚合引发剂。
本发明的晶片的加工方法
本发明的方法包括以下工序：将切割用表面保护片贴附于晶片的工序，将切割胶带贴附在该晶片的背面侧的工序，通过将该芯片与切割用表面保护片一起切断而形成芯片的切割工序，通过刺激该切割用表面保护片来产生收缩应力，使切割用表面保护片和芯片的端部从切割胶带剥离的工序，通过从切割胶带下方顶举顶针，从切割胶带剥离芯片的工序。
切割用表面保护片贴附工序
使上述切割用表面保护片的粘合剂层面与工作台上载置的晶片的电路形成面相对并接触，通过用按压辊等从切割用表面保护片的背面侧按压，将该粘合剂层面与晶片表面密合且固定。虽然按压工序是利用按压辊的，但也可以将载置于晶片的电路形成面上的切割用表面保护片设置在可加压的容器内，然后在该容器内加压来粘接。
此外，该贴附工序通常在背面研磨工序之后进行，但也可以在背面研磨工序之前进行。在之前进行时，该切割用表面保护片也可以起背面研磨胶带的作用。
切割胶带贴附工序
与上述切割用表面保护片贴附工序同样，使上述的切割胶带的粘合剂层面与晶片的背面相对并接触，通过按压辊等从切割胶带的背面侧按压，或者通过在加压容器内加压，将该粘合剂层面密合且固定于晶片背面。
切割工序
在本发明中，将该切割用表面保护片贴合于粘附体之后进行切割。作为切割装置和方法，任意选择和采用刀片切割、激光切割等公知的方法即可，还可以采用在切割时在切断部上组合使用水、气体的喷射的工序，使用切割用表面保护片不会带来限制。
此外，在粘附体为半导体晶片时，将切割用表面保护片贴合于粘附体之后进行背面研磨工序，直接在不剥离切割用表面保护片的状态下贴合切割胶带，然后进行切割工序是可以的。
晶片端部的剥离工序
切割之后，通过刺激已切断的切割用表面保护片，该切割用表面保护片收缩而产生将要卷绕的力。该切割用表面保护片将要卷绕的力，特别是在芯片的端部产生了将该切割用表面保护片的端部向上方翘曲的力，该力传递而形成使与该切割用表面保护片的端部粘接的芯片的端部也向上方翘曲的力。
其结果，芯片的端部从粘接于其下方的切割胶带上的粘合剂层剥离，同样地向上方翘曲，结果，减少了该芯片与切割胶带的粘接面积，即粘接力也减小。
进一步，作为芯片的端部剥离的结果，该剥离部分形成拾取时的剥离起点，因此在顶针的顶举时，以该剥离起点为基础，可以进一步顺利地进行芯片的剥离。
在该刺激当中，基于热的刺激可以采用以热板、加热器、热风枪、红外线灯等作为热源的公知的加热方法来进行。
选择使用适当的方法，使得达到切割用表面保护片迅速产生变形的温度。加热温度例如只要上限温度是晶片不受影响地卷绕的温度，对此就没有特别限制，例如可以为40℃以上，优选为50℃～180℃，进一步优选为70℃～180℃。此外，为了均匀地给予成为收缩原因的刺激，除了使全部切割用表面保护片一同变形以外，也可以对晶片的一部分点状地进行变形，例如可以是使用点加热装置等在任意位置局部加热而使之变形的方法。
由基于紫外线的刺激引起切割用表面保护片收缩时，作为照射紫外线的手段为以往已知的方法，可以使用高压汞灯、氙灯、紫外线LED等作为光源，对切割用表面保护片照射500～1000mJ/cm2的紫外线。
拾取工序
本发明的方法是用于在芯片的拾取工序中通过降低顶举的顶针的高度、减低施加于芯片的力、防止芯片破裂的方法。
在拾取工序之前，根据情况可以插入利用扩膜(expand)机的扩膜工序。另外，对切割用表面保护片给予刺激的工序可以在从切割胶带剥离该芯片的工序之前进行，也可以同时进行。使用用于吸附芯片的吸嘴时，理想的是，吸嘴的抵接部不作用于芯片的端部。
对拾取工序中使用的方法和装置没有特别限制，可以采用通过从芯片的切割胶带侧顶举任意直径和形状的顶针而使该芯片剥离，并通过拾取装置进行拾取等公知的手段。
以下参照附图说明本发明的实施方式。
图1为示出使用具有形成筒状卷绕体的性质、在卷绕的同时剥离的切割用表面保护片的剥离方法的一个例子的示意图。以下顺着图1进行说明。
切割用试样的制作
如图1所示，将切割用表面保护片贴附于晶片等粘附体来制作层叠体。作为粘附体，包括半导体晶片、玻璃、陶瓷、半导体封装用树脂等以往成为切割对象的全部。对切割用表面保护片向晶片等粘附体的贴附的手段没有特别限制，例如可以使用辊进行贴附。
作为粘附体，优选使用8英寸硅镜面晶片等半导体晶片。作为粘附体使用半导体晶片等时，可以对层叠体中的粘附体进行背面研磨等处理，将粘附体形成为规定的厚度。粘附体为半导体硅片时，硅片的厚度可以使用数十μm～数百μm，特别是还可以使用厚度为100μm以下的极薄的硅片。
接着，将切割用表面保护片与粘附体的层叠体的粘附体侧贴附于切割胶带，形成图1的(a)中所示的切割用表面保护片、粘附体和切割胶带的层叠体。对于切割胶带没有特别限制，可以使用公知的切割胶带。该层叠体作为切割用的试样。进一步可以将该层叠体贴附于切割环。将切割用表面保护片、粘附体和切割胶带的层叠体贴附于切割环的方法没有特别限制，例如可以使用辊进行贴附。
切割
接着，切割切割用的试样，形成图1的(b)所示的状态。切割可以使用公知的切割装置进行，可以用刀片切割、激光切割等进行。切割可以在加水的同时进行，对切削水量没有特别限制，例如可以为1L/min。通过切割，试样例如形成为5mm×5mm或10mm×10mm等芯片形状。
在刀片切割的情况下，切割速度、刀片转速根据粘附体的材料、厚度等可以任意地设定。粘附体为硅片时，切割速度例如可以为10～100mm/sec，优选为30～90mm/sec，刀片转速例如可以为30000～50000rpm，优选为35000～45000rpm。刀片高度可以在公知的范围适当而任意地设定。
本发明中使用的切割用表面保护片在贴附于粘附体时与粘附体一起切断，通过将切割用表面保护片可靠地贴附于粘附体，防止切割时切割用表面保护片的飞出。
这种切割用表面保护片与粘附体的层叠体显示了良好的切割性，可以得到不产生晶片缺口、破裂，或切割时水不会侵入到切割用表面保护片/粘附体的界面的、切割用表面保护片与粘附体层叠的芯片。
给予成为收缩原因的刺激
本发明的方法中使用的切割用表面保护片优选为通过给予热等成为收缩原因的刺激而将要卷绕。关于成为收缩原因的刺激，一般手段是加热，但不限于加热。对通过切割得到的芯片例如给予加热等成为收缩原因的刺激时，切割用表面保护片变形，将要描绘弧而在芯片端部发生翘曲。翘曲发生之后的芯片与切割胶带的粘接面积与没有发生翘曲的情况相比要小。
此外，用于切割用表面保护片的剥离的加热时期是任意的，没有特别限制，从保护晶片2的观点考虑，尽可能迟，优选为刚好在进行拾取之前。
在例如通过加热使这种切割用表面保护片变形的情况下，通过对加热温度、切割用表面保护片的构成等选择规定的条件，能可靠地、以良好再现性使端部连晶片一起翘曲。图1的(c)中示出了翘曲后的状态。
对于给予切割用表面保护片加热等成为收缩原因的刺激，在进行剥离操作时根据需要，可以均匀地刺激粘附体整个表面，也可以分阶段刺激整个表面、局部刺激。例如，切割用表面保护片的加热温度和加热时间可以根据所使用的热收缩基材的收缩性适当调节，可以设定为用于切割用表面保护片的端部与晶片一起翘曲所需的温度。加热时间例如为5～600秒钟左右，优选为5～300秒钟左右，进一步优选为5～180秒钟左右。
对加热方法没有特别限制，可以列举出热板、热风枪、红外线灯等加热源。例如在利用热板的加热中，热板上所有芯片上的切割用表面保护片同时变形和翘曲。例如在利用热风枪的加热中，局部芯片的加热也是可能的，因此，可以根据需要仅仅使一部分芯片上的切割用表面保护片变形。
关于切割用表面保护片的加热温度，上限温度只要是晶片不受影响，端部与切割用表面保护片一起翘曲的温度，对此就没有特别限制，例如可以为40℃以上，优选为50℃～180℃，进一步优选为70℃～180℃。加热温度低于40℃时，切割用表面保护片没有获得充分的变形，或者没有快速产生变形。另外，加热温度过高时，产生粘附体的破损等缺陷。
切割用表面保护片不粘接于晶片而单独、自发地卷绕所形成的卷绕体所描画的弧的直径r的尺寸可以根据例如加热温度、热风的量等加热条件、切割用表面保护片的组成和构成等来适当调整。即，卷绕体的卷绕状态优选根据加热条件、切割用表面保护片的构成等条件来确定。该直径r越小，卷绕的程度越强。通过加热使切割用表面保护片变形为优选筒状卷绕体。该变形的程度反映出粘接于晶片时想要使晶片端部翘曲的力的程度。
这种卷绕体是以例如收缩基材的加热收缩应力为起因而形成的，由于收缩应力的表现是热不可逆过程(即使再加热也不返回非收缩时的状态)，因此一旦卷绕之后，即使继续加热，也不随意退卷，另外，由于加热后的收缩基材、刚性基材的高弹性，不容易通过应力退卷，保持一定形状。因此不容易弄坏或扩展。
例如为了将在80℃下加热30秒钟左右的卷绕体退卷，据估计需要例如1.3N/10mm以上的应力，另外，为了将10mm宽度的卷绕体的直径压缩为1/3左右，需要例如250g～300g重量的负荷，负荷消失时，卷绕体的直径基本上返回到初始状态。此外，如上所述，卷绕体的卷绕状态可以根据条件的设定来确定。根据该条件，各个芯片基本上显示了一定的同一形状。
此外，切割用表面保护片可以含有UV固化性粘合剂。在该情况下，在给予切割用表面保护片1的自发卷绕用的加热等成为收缩原因的刺激之前或之后，可以进行UV照射。UV照射可以在给予所述刺激的同时进行。
拾取
对于在切割了的、且通过给予加热等刺激引起切割保护胶带与芯片的端部向上方翘曲的状态的芯片，将配置在切割胶带下方的顶针5的前端朝向想要拾取的芯片。
通过使该顶针向上方移动而顶举，顶针5的前端推压切割胶带，或者通过嵌入到切割胶带中，对粘接于切割胶带的芯片赋予使之向上方移动的力。
原本，向上方翘曲的芯片与切割胶带的粘接面积减小时，切割胶带通过顶针5的按压而向上方弯曲，从而产生了粘接面积进一步减小的倾向。
进一步顶举顶针5时，该倾向变得更加显著，芯片与切割胶带的粘接面积即粘接力进一步减小。在减小一定程度时，使例如吸嘴6等保持芯片的部件从芯片和切割用表面保护片1的上方接触切割用表面保护片的表面，通过吸引等保持芯片和切割用表面保护片1。
接着，在图1的(d)中示出了通过吸嘴6可保持切割用表面保护片和芯片的位置、和顶举顶针直至芯片与切割胶带成为无粘接力的状态。
此后，通过吸嘴6，将切割用表面保护片和芯片从切割胶带移动到除去芯片表面的切割用表面保护片等的此后的处理工序中。图1的(e)中示出了具有取出芯片之后的部位的状态。
进一步说明图1的(c)的状态。
图2中示出了将切割用表面保护片贴附于晶片表面，且贴附于切割胶带而切割之后的任意一个芯片的状态的截面图。
将同样切割的切割用表面保护片1层叠在各个芯片1的表面，再将这粘接于切割胶带3。在芯片1的周围通过切割在切割胶带上形成了沟8。
在该结构中，对切割用表面保护片给予加热等刺激，从而使切割用表面保护片的边缘部以翘曲的方式变形，如图3所示，随着这样，粘接于切割用表面保护片的芯片1也同样地变形，其边缘部向上方翘曲。在该翘曲部位的边缘部9中，芯片1从切割胶带3的粘合剂层剥离，构成没有与切割胶带3粘接的部位。
其结果，芯片1相对于切割胶带3，在给予加热等刺激之前，以芯片下面的整个表面与切割胶带3粘合，在给予加热等刺激之后，仅仅以除了芯片下表面的边缘部以外的一部分表面与切割胶带粘接。
由此导致的粘接面积的减少进而构成芯片1对切割胶带3的粘接力的降低，并明显化，即使用更少的顶针的顶举量，也能使粘接力降低至将芯片从切割胶带剥离的充分的程度。
另外，不只是芯片与切割胶带的粘接面积减少，而且芯片的边缘部以剥离切割胶带的部位作为剥离起点，用顶针顶举时，可以更加容易地将芯片从切割胶带剥离。
除去
除去拾取后的粘接于芯片表面的切割用表面保护片的方法首先需要降低切割用表面保护片的粘接力。
因此，如果切割用表面保护片的粘合剂层通过进一步加热而发泡等会使粘接力降低，则进行加热，如果通过紫外线等能量射线进行交联会使粘接力降低，则进行照射能量射线等，根据粘合剂层的性质进行降低粘接力的处理。
这样，在充分降低粘接力之后，为了除去不需要的切割用表面保护片，可以采用以下方法：将用于剥离该切割用表面保护片的粘合片的粘合面、与该切割用表面保护片表面接触来除去的方法；向切割用表面保护片吹送气体而吹飞的方法；或者通过吸引等除去的方法；或者使用某种摘取用的手段摘取等的方法。
在使粘合片的粘合面与切割用表面保护片接触来除去的方法中，可以采用任意的具有充分粘合性的粘合带，其材质等用公知的物质就足够了。
在吹飞方法中，使用风力生成媒介吹风，通过吹飞可以除去粘附体上形成的切割用表面保护片。通过用拾取后的加热等降低粘接力，由此可以用较弱的风力容易地除去本发明的切割用表面保护片。
作为风力生成媒介，可以使用鼓风机、干燥机、扇风机等已知的装置。利用该吹飞方法的除去可以用常温的空气进行，也可以用温风或热风进行。
利用该吹飞方法的除去也可以在通过对切割用表面保护片进行加热等使粘接力降低的同时进行。在该情况下，可以使用热板、热风等。热风的温度例如能够以使得切割用表面保护片1的表面温度为80℃～100℃的方式来确定。
在利用吸引来除去的方法中，使用吸引媒介来吸引，通过吸引切割用表面保护片的卷绕体除去粘附体上的降低了粘接力的切割用表面保护片。
作为吸引媒介，可以使用吸尘器等已知的吸引装置，在吸气管嘴的前端，可以以空气产生涡流的形式形成管嘴形状。利用吸引方法的除去可以通过预先加热切割用表面保护片等使粘接力降低之后进行，另外，也可以在对切割用表面保护片进行加热等形成卷绕体的同时进行。
利用吸引除去方法的切割用表面保护片的除去可以通过电热板等加热媒介，对粘附体和形成卷绕体的切割用表面保护片进行预备加热来进行。在该情况下，利用加热媒介的预备加热温度例如可以为50℃～70℃。
也可以组合使用上述吹飞方法和利用吸引的方法，从降低吹飞的切割用表面保护片飞散的可能性的观点考虑，更理想的是同时进行吸引。
在该组合使用时，需要的是，用于吹飞的管嘴和用于吸引的管嘴位于切割用表面保护片附近，或者在一个管嘴上邻接地设置喷射气体的喷射口和吸引口，另外，特别是为了可靠地吸引吹飞的切割用表面保护片，需要的是，扩大用于吸引的管嘴或吸引口使其覆盖喷射的气体扩展的范围。
图4和5为示出本发明中使用的切割用表面保护片的一个例子的截面图。图4和5中所示的切割用表面保护片包括具有单轴收缩性的收缩性薄膜层10、约束该收缩性薄膜层10的收缩的约束层11和粘合剂层14以及根据需要的中间层15。
作为收缩性薄膜层10，只要是在至少单轴方向上具有收缩性的薄膜层即可，可以由热收缩性薄膜、光致显示收缩性的薄膜、电刺激引起收缩的薄膜等任何薄膜构成。其中，从操作效率等观点考虑，优选由热收缩性薄膜构成。
约束层11用收缩性薄膜层10侧的弹性层12、和与收缩性薄膜层10相反一侧的刚性薄膜层13来构成。另外，图4中所示的切割用表面保护片在刚性薄膜层13侧层叠有粘合剂层14。
虽然没有图示，与一般的粘合片在粘合剂层表面设置剥离衬垫相同，在切割用表面保护片的粘合剂层14的表面也可以层叠剥离衬垫。
图5的切割用表面保护片是收缩性薄膜层10、作为约束层11的弹性层12和刚性薄膜层13、中间层15、粘合剂层14依次层叠而成的层叠体，通过给予加热等成为收缩原因的刺激，从一个端部向一个方向或从对置的两个端部向中心自发卷绕，可以形成一个或两个筒状卷绕体。
中间层15位于上述刚性薄膜层13与粘合剂层14之间，具有下述作用：松弛由收缩性薄膜层/弹性层/刚性薄膜层构成的复合基材的拉伸应力，抑制在将晶片磨削至极薄时产生晶片翘曲。中间层15的特征在于与上述刚性薄膜层相比显示低弹性。
切割用表面保护片优选具有下述结构，即，将在至少单轴方向上具有收缩性的收缩性薄膜层、和通过照射活性能量射线固化而在80℃下的拉伸弹性模量与厚度的乘积为5×103N/m以上且低于1×105N/m的活性能量射线固化型粘合剂层层叠而得到的构成，通过加热，从一个端部向一个方向或从对置的两个端部向中心自发卷绕，可以形成一个或两个筒状卷绕体。另外，在上述收缩性薄膜层与活性能量射线固化型粘合剂层之间，在不损害自发卷绕性的范围也可以具有其他层，但优选不具有在80℃下的拉伸弹性模量与厚度的乘积为4×105N/m以上(特别是1×105N/m以上)的层。
收缩性薄膜层
作为收缩性薄膜层10，只要是通过加热在至少单轴方向上具有收缩性的薄膜层即可，可以仅仅在单轴方向上具有收缩性，或者可以在某个方向(单轴方向)上具有主要的收缩性而在与该方向不同的方向(例如与该方向正交的方向)上具有次要收缩性。收缩性薄膜层10可以是单层，也可以是由2个以上的层构成的多层。
收缩性薄膜层10的主收缩方向的收缩率在40～180℃范围的规定温度下为3～90％，优选为5～90％，进一步优选为10～90％，特别优选为20～90％。构成收缩性薄膜层的收缩性薄膜的主收缩方向以外的方向的收缩率优选为10％以下，进一步优选为5％以下，特别优选为3％以下。收缩性薄膜层的热收缩性可以通过对由例如挤出机挤出的薄膜进行拉伸处理来赋予。
此外，在本说明书中，收缩率(％)是指根据式[(收缩前的尺寸-收缩后的尺寸)/(收缩前的尺寸)]×100算出的值，除非另有规定，表示主收缩轴方向的收缩率。
作为所述收缩性薄膜层10，例如可列举出由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚降冰片烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚氨酯、聚苯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚氯乙烯等中的一种或两种以上的树脂构成的单轴拉伸薄膜。其中，从粘合剂的涂布操作性等优异的观点考虑，由选自聚酯系树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚降冰片烯等聚烯烃系树脂(包括环状聚烯烃系树脂)、聚氨酯系树脂中的一种或两种以上的树脂构成的单轴拉伸薄膜是优选的。作为这种收缩性薄膜层，可以利用东洋纺公司制造的“Space clean”、Gunze公司制造的“Fancy wrap”、TORAY INDUSTRIES，INC.制造的“Torayfan”、TORAY INDUSTRIES，INC.制造的“Lumirror”、JSR公司制造的“ARTON”、ZEON CORPORATION制造的“ZEONOR”、旭化成公司制造的“SUNTEC”等市售产品。
此外，在切割用表面保护片的使用中，在使活性能量射线固化型粘合剂层固化时，通过收缩性薄膜层10进行活性能量射线照射时，收缩性薄膜层10需要用可透过规定量以上的活性能量射线的材料(例如具有透明性的树脂等)构成。
收缩性薄膜层10的厚度一般为5～300μm，优选为10～100μm。收缩性薄膜层10的厚度过大时，刚性增高，不产生自发卷绕，在收缩性薄膜层与活性能量射线照射后的活性能量射线固化型粘合剂层之间分离，容易导致层叠体破坏。另外，刚性大的薄膜在胶带贴合时产生应力残留，弹性变形力大，在将晶片削薄时，具有翘曲增大、粘附体容易由于搬运等破损的倾向。
为了提高收缩性薄膜层10的表面与邻接的层的密合性、保持性等，该表面可以进行惯用的表面处理，例如铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化放射线处理等化学或物理处理、用底涂剂(例如粘合物质等)的涂布处理等。
约束层
约束层11约束收缩性薄膜层10的收缩，产生反作用力，从而作为层叠体整体产生了力偶，形成了引起卷绕的驱动力。另外，认为通过该约束层11，与收缩性薄膜层10的主收缩方向不同方向的次要收缩被抑制，还具有使虽为单轴收缩性但未必无差别的收缩性薄膜层10的收缩方向向一个方向收敛的作用。
因此认为，在对单独的层叠片施加促进收缩性薄膜层10的收缩的热时，约束层11中的对收缩性薄膜层10的收缩力的推斥力成为驱动力，层叠片的外缘部(1个端部或对置的2个端部)浮起，以收缩性薄膜层10侧为内，从端部向一个方向或中心方向(通常为收缩性薄膜层的主收缩轴方向)自发地卷绕，形成为筒状卷绕体。
另外，通过该约束层11，可以防止由收缩性薄膜层10的收缩变形所产生的剪切力传递到粘合剂层14、粘附体，因此可以防止切割用表面保护片的剥离时的粘合力降低的粘合剂层(例如固化的粘合剂层)的破损、粘附体的破损、由上述破损时的粘合剂层导致的粘附体的污染等。
约束层11由于表现了约束收缩性薄膜层10的收缩的功能，因此，具有对弹性层12和收缩性薄膜层10的粘接性(包括粘合性)。另外，为了使约束层11顺利地形成筒状卷绕体，优选具备一定程度的韧性或刚性。约束层11可以用单层构成，另外可以用使功能分担于多个层的多层构成。约束层11优选由弹性层12与刚性薄膜层13构成。
弹性层
优选的是，弹性层12在收缩性薄膜层10的收缩时的温度下容易变形，即为橡胶状态。然而，在具有流动性的材料中不会产生充分的反作用力，最终收缩性薄膜层单独收缩无法产生变形(自发卷绕)。因此，弹性层12优选通过三维交联等来抑制流动性。另外，弹性层12根据其厚度抵抗收缩性薄膜层10的不一样的收缩力中的弱小力的成分，防止由该弱小力成分引起收缩变形，从而具有向一样的收缩方向转换的作用。认为由晶片磨削产生的翘曲是由于将切割用表面保护片贴合于晶片时的应力残留，且由该残留应力引起收缩性薄膜层产生弹性变形而产生的，而弹性层也具有缓和该残留应力、使翘曲降低的作用。
因此，理想的是，弹性层12用具有粘合性、玻璃化转变温度例如为50℃以下，优选室温(25℃)以下，更优选0℃以下的树脂形成。弹性层12的收缩性薄膜层10侧的表面的粘合力按180°剥离试验(根据JIS Z0237，拉伸速度300mm/分钟，50℃)的值计优选为0.5N/10mm以上的范围。该粘合力过低时，收缩性薄膜层10与弹性层12之间容易产生剥离。
另外，弹性层12的剪切弹性模量G在从室温(25℃)到剥离时温度(例如80℃)下优选为1×104Pa～5×106Pa(特别是0.05×106Pa～3×106Pa)。剪切弹性模量过小时，缺乏将收缩性薄膜层的收缩应力转换为卷绕所需的应力的作用，相反过大时，由于增强了刚性而缺乏卷绕性，此外，一般，弹性高者缺乏粘合性，层叠体的制作易于变得困难、也缺乏缓和残留应力的作用。作为弹性层12的厚度优选为15～150μm左右。上述厚度过薄时，难以获得对收缩性薄膜层10的收缩的约束性，应力缓和的效果也变小。相反，过厚时自发卷绕性降低，另外处理性、经济性低劣，因此不优选。因此，弹性层12的剪切弹性模量G(例如80℃下的值)与厚度的乘积(剪切弹性模量G×厚度)优选为1～1000N/m(更优选为1～150N/m，进一步优选为1.2～100N/m)。
另外，作为弹性层12，在粘合剂层14为能量射线固化型粘合剂层时，用容易透过活性能量射线的材料形成，可从制造上、操作性等观点考虑适当选择厚度，容易形成薄膜形状的成型加工性优异的物质是优选的。
作为弹性层12，例如可以使用表面(至少收缩性薄膜层10侧的表面)进行粘合处理的聚氨酯泡沫、丙烯酸泡沫等泡沫材料(发泡薄膜)、以橡胶、热塑性弹性体等为原材料的非发泡树脂薄膜等树脂薄膜(包括片材)等。对用于粘合处理的粘合剂没有特别限制，例如可以使用丙烯酸系粘合剂、橡胶系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、聚氨酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂等公知的粘合剂中的一种或2种以上的组合。特别是，从调整粘合力等的观点考虑，优选使用丙烯酸系粘合剂。此外，为了获得高亲和性，用于粘合处理的粘合剂的树脂与发泡薄膜、非发泡树脂薄膜的树脂优选为同种的树脂。例如在粘合处理使用丙烯酸系粘合剂时，作为泡沫材料，丙烯酸泡沫等是适宜的。
另外，作为弹性层12，例如可以用交联型酯系粘合剂、交联型丙烯酸系粘合剂等具有自粘性的树脂组合物形成。通过这种交联型酯系粘合剂、交联型丙烯酸系粘合剂等形成的层(粘合剂层)不需要另外进行粘合处理，可以用比较简便的方法来制造，生产率、经济性优异，因此优选使用。
上述交联型酯系粘合剂具有在以酯系聚合物为基础聚合物的酯系粘合剂中添加交联剂而成的构成。作为酯系聚合物，例如可列举出由二元醇与二元羧酸的缩聚物构成的聚酯等。
作为二元醇的例子，例如可列举出(聚)碳酸酯二醇。作为(聚)碳酸酯二醇，例如可列举出(聚)六亚甲基碳酸酯二醇、(聚)3-甲基(五亚甲基)碳酸酯二醇、(聚)三亚甲基碳酸酯二醇、它们的共聚物等。二元醇成分或(聚)碳酸酯二醇可以单独或将两种以上组合使用。此外，(聚)碳酸酯二醇为聚碳酸酯二醇时，对其聚合度没有特别限制。
作为(聚)碳酸酯二醇的市售产品，例如可列举出商品名“PLACCEL CD208PL”、商品名“PLACCEL CD210PL”、商品名“PLACCEL CD220PL”、商品名“PLACCEL CD208”、商品名“PLACCEL CD210”、商品名“PLACCEL CD220”、商品名“PLACCEL CD208HL”、商品名“PLACCEL CD210HL”、商品名“PLACCEL CD220HL”(以上均为DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造)等。
作为二元醇成分，除了(聚)碳酸酯二醇以外，根据需要，还可以组合使用乙二醇、丙二醇、丁二醇、己二醇、辛二醇、癸二醇、十八烷二醇等成分。
另外，作为二元羧酸成分，可以适当使用含有以碳原子数2～20的脂肪族或脂环族烃基为分子骨架的二羧酸或其反应性衍生物作为必需成分的二元羧酸成分。在上述以碳原子数2～20的脂肪族或脂环族烃基为分子骨架的二元羧酸或其反应性衍生物中，烃基可以是直链状的，另外也可以是枝状的。作为这种二元羧酸或其反应性衍生物的代表性例子，可列举出丁二酸、甲基丁二酸、己二酸、庚二酸、壬二酸、癸二酸、1，12-十二烷二酸、1，14-十四烷二酸、四氢邻苯二甲酸、内亚甲基四氢邻苯二甲酸以及它们的酸酐、低级烷基酯等。二元羧酸成分可以单独或将两种以上组合使用。
作为二元醇与二元羧酸的组合，可以优选使用聚碳酸酯二醇与癸二酸或己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、邻苯二甲酸、马来酸等。
另外，上述交联型丙烯酸系粘合剂具有在以丙烯酸系聚合物为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂中添加交联剂而成的构成。作为丙烯酸系聚合物，例如可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯的均聚物或共聚物；上述(甲基)丙烯酸烷基酯与其他共聚性单体[例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸、马来酸酐等含羧基或酸酐基团的单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯等含羟基的单体；(甲基)丙烯酸吗啉等含氨基的单体；(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基的单体；(甲基)丙烯腈等含氰基的单体；(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯等]的共聚物等。
作为丙烯酸系聚合物，特别优选下述共聚物：丙烯酸乙酯、丙烯酸丁酯、丙烯酸-2-乙基己酯等(甲基)丙烯酸C1-C12烷基酯中的一种或两种以上、和选自丙烯酸-2-羟乙酯等含羟基的单体和丙烯酸等含羧基或酸酐基团的单体中的至少一种共聚性单体的共聚物；或者(甲基)丙烯酸C1-C12烷基酯的一种或两种以上、和具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯、和选自含羟基的单体和含羧基或酸酐基团的单体中的至少一种的共聚性单体的共聚物。
丙烯酸系聚合物例如通过在无溶剂的情况下将上述例示的单体成分(以及聚合引发剂)进行光(紫外线等)聚合而制备作为高粘度的液态预聚物。接着，通过在该预聚物中添加交联剂，可以得到交联型丙烯酸系粘合剂组合物。此外，添加剂可以在预聚物制造时添加。另外，通过在将上述例示的单体成分聚合而得到的丙烯酸系聚合物或其溶液中添加交联剂和溶剂(在使用丙烯酸系聚合物的溶液时不是必要的)，也可以得到交联型丙烯酸系粘合剂组合物。
对交联剂没有特别限制，例如可以使用异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂、环氧系交联剂、丙烯酸酯系交联剂(多官能丙烯酸酯)、具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯等。作为丙烯酸酯系交联剂，例如可列举出己二醇二丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯等。作为具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举出丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯、甲基丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯等。其中，作为交联剂，丙烯酸酯系交联剂(多官能丙烯酸酯)、具有异氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯等紫外线(UV)反应性交联剂是优选的。交联剂的添加量相对于100重量份上述基础聚合物通常为0.01～150重量份左右，优选为0.05～50重量份左右，特别优选为0.05～30重量份左右。
交联型丙烯酸系粘合剂除了基础聚合物和交联剂以外还可以含有交联促进剂、增粘剂(例如松香衍生物树脂、聚萜烯树脂、石油树脂、油溶性酚醛树脂等)、增稠剂、增塑剂、填充剂、抗老化剂、抗氧化剂等适当的添加剂。
作为弹性层12的交联型丙烯酸系粘合剂层，例如，通过浇铸法等公知的方法，将在上述预聚物中添加交联剂而得到的交联型丙烯酸系粘合剂组合物形成具有所需厚度、面积的薄膜状，再次光照射，使其进行交联反应(以及未反应的单体的聚合)，从而可以简便地得到符合目标的弹性层12。这样得到的弹性层(交联型丙烯酸系粘合剂层)由于具有自粘合性，因此可以直接在收缩性薄膜层10与刚性薄膜层13的层间进行贴合和使用。作为交联型丙烯酸系粘合剂层，可以利用日东电工株式会社制造的商品名“HJ-9150W”等市售的双面粘合带。此外，可以在将薄膜状的粘合剂贴合在收缩性薄膜层10与刚性薄膜层13的层间之后再次光照射，由此进行交联反应。
另外，作为弹性层12的交联型丙烯酸系粘合剂层也可以通过将上述丙烯酸系聚合物和交联剂溶解在溶剂中的交联型丙烯酸系粘合剂组合物涂布于刚性薄膜层13的表面，在其上贴合收缩性薄膜层10之后进行光照射来得到。另外，在粘合剂层14为活性能量射线固化型粘合剂层的情况下，可以在切割用表面保护片的剥离时通过粘合剂层14固化时的活性能量射线照射(光照射)使上述交联型丙烯酸系粘合剂固化(交联)。
本发明的弹性层12的构成成分中可以进一步添加玻璃珠、树脂珠等珠粒。从容易控制粘合特性、剪切弹性模量的观点来看，在弹性层12中添加玻璃珠、树脂珠是有利的。珠粒的平均粒径例如为1～100μm，优选为1～20μm左右。珠粒的添加量相对于100重量份弹性层12的总体例如为0.1～10重量份，优选为1～4重量份。上述添加量过多时，粘合特性有可能降低，而过少时，上述效果容易变得不充分。
刚性薄膜层
通过赋予约束层11以刚性或韧性，刚性薄膜层13具有对收缩性薄膜层10的收缩力产生反作用力，进而产生卷绕所需的力偶的作用。通过设置刚性薄膜层13，在对收缩性薄膜层10给予加热等成为收缩原因的刺激时，切割用表面保护片可以顺利地自发卷绕，不会在途中停止或发生方向偏移，可以形成形状整齐的筒状卷绕体。
作为构成刚性薄膜层13的刚性薄膜，例如可列举出由选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃；聚酰亚胺；聚酰胺；聚氨酯；聚苯乙烯等苯乙烯系树脂；聚偏二氯乙烯；聚氯乙烯等中的一种或两种以上的树脂构成的薄膜。其中，从粘合剂的涂布操作性等优异的观点考虑，聚酯系树脂薄膜、聚丙烯薄膜、聚酰胺薄膜等是优选的。刚性薄膜层13可以是单层，也可以是2个以上的层层叠而得到的多层。构成刚性薄膜层13的刚性薄膜是非收缩性的，收缩率例如为5％以下，优选为3％以下，进一步优选为1％以下。
刚性薄膜层13的杨氏模量与厚度的乘积(杨氏模量×厚度)在剥离时温度(例如80℃)下优选为3.0×105N/m以下(例如1.0×102～3.0×105N/m)，进一步优选为2.8×105N/m以下(例如1.0×103～2.8×105N/m)。刚性薄膜层13的杨氏模量与厚度的乘积过小时，缺乏将收缩性薄膜层10的收缩应力转换为卷绕应力的作用，方向性收敛作用也容易降低，相反，过大时卷绕容易被刚性抑制。刚性薄膜层13的杨氏模量在剥离时温度(例如80℃)下优选为3×106～2×1010N/m2，进一步优选为1×108～1×1010N/m2。杨氏模量过小时，难以得到形状整齐的卷绕的筒状卷绕体，相反过大时，难以产生自发卷绕。刚性薄膜层13的厚度例如为20～150μm，优选为25～95μm，进一步优选为30～90μm，特别优选为30～80μm左右。上述厚度过薄时，难以得到形状整齐的卷绕筒状卷绕体，而过厚时自发卷绕性降低，另外处理性、经济性差，因而不优选。
另外，作为刚性薄膜层13，粘合剂层14为活性能量射线固化型粘合剂层时，用容易透过活性能量射线的材料形成、从制造上、操作性等观点考虑，优选为可以适当选择厚度、容易形成薄膜形状的成型加工性优异的层。
在上述例子中，约束层11用弹性层12和刚性薄膜层13构成，但这种构成不是必需的。例如也可以赋予弹性层12以适度的刚性，并省略刚性薄膜层13。
粘合剂层
作为粘合剂层14，可以使用原本粘合力小的粘合剂层，但具有可贴合于晶片2的粘合性、在规定的作用完成之后可用某些方法(粘合性减低处理)使粘合性降低或消失的再剥离性的粘合剂层是优选的。另外，需要比切割胶带的粘合剂层对晶片的粘接力强。
这种再剥离性粘合剂层可具有与公知的再剥离性粘合片的粘合剂层同样的构成。从自发卷绕性的观点考虑，理想的是，粘合剂层或粘合性减低处理后的粘合剂层的粘合力(90°剥离，对硅镜面晶片，拉伸速度300mm/分钟)例如在常温(25℃)下为6.5N/10mm以下(特别是6.0N/10mm以下)。
作为粘合剂层14，可以优选使用活性能量射线固化型粘合剂层。活性能量射线固化型粘合剂层可以用初始具有粘合性，通过照射红外线、可见光、紫外线、X射线、电子束等活性能量射线形成三维网络结构，并高弹性化的这样的材料构成，作为这种材料，可以利用活性能量射线固化型粘合剂等。活性能量射线固化型粘合剂含有以用于赋予活性能量射线固化性的活性能量射线反应性官能团进行了化学修饰的化合物，或活性能量射线固化性化合物(或活性能量射线固化性树脂)。因此，活性能量射线固化型粘合剂优选使用以用活性能量射线反应性官能团进行了化学修饰的母剂或在母剂中配合了活性能量射线固化性化合物(或活性能量射线固化性树脂)的组合物构成的粘合剂。
活性能量射线固化型粘合剂层在活性能量射线照射前贴合于晶片2，具有用于防止在晶片2上产生“破裂”或“缺口”的充分的粘合力，在加工之后，通过照射红外线、可见光、紫外线、X射线、电子束等活性能量射线而形成三维网络结构，使之固化，从而使对晶片2的粘合力降低，且可以发挥在上述收缩性薄膜层由热引起收缩时作为反抗该收缩的约束层的作用，因此对收缩的推斥力成为驱动力，切割用表面保护片的外缘部(端部)浮起，以收缩性薄膜层侧为内，从端部向一个方向或从对置的两个端部向中心(2个端部的中心)自发地卷绕，可以形成一个或两个筒状卷绕体。
作为所述母剂，例如可以使用以往公知的压敏性粘接剂(粘合剂)等粘合物质。作为粘合剂，例如可列举出使用天然橡胶、以聚异丁烯橡胶、丁苯橡胶、苯乙烯-异戊二烯-苯乙烯嵌段共聚物橡胶、再生橡胶、丁基橡胶、NBR等橡胶系聚合物作为基础聚合物的橡胶系粘合剂；有机硅系粘合剂；丙烯酸系粘合剂等。其中，丙烯酸系粘合剂是优选的。母剂可以由一种或两种以上的成分构成。
作为丙烯酸系粘合剂，例如可列举出使用(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯的均聚物或共聚物；该(甲基)丙烯酸烷基酯与其他共聚性单体[例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸、马来酸酐等含羧基或酸酐基团的单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯等含羟基的单体；(甲基)丙烯酸吗啉等含氨基的单体；(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基的单体等]的共聚物等丙烯酸系聚合物作为基础聚合物的丙烯酸系粘合剂等。这些可以使用单独一种，或将两种以上组合使用。
作为用于对活性能量射线固化型粘合剂进行活性能量射线固化的化学修饰中使用的活性能量射线反应性官能团和活性能量射线固化性化合物，只要可通过红外线、可见光、紫外线、X射线、电子束等活性能量射线固化，对此就没有特别限制，可有效进行活性能量射线照射后的活性能量射线固化型粘合剂的三维网状化(网络化)的物质是优选的。这些可以使用单独一种或者可以将两种以上组合使用。作为用于化学修饰的活性能量射线反应性官能团，例如可列举出丙烯酰基、甲基丙烯酰基、乙烯基、烯丙基、乙炔基等具有碳-碳多键的官能团等。这些官能团通过活性能量射线的照射使碳-碳多键开裂生成自由基，该自由基形成交联点从而可以形成三维网络结构。其中，从可对活性能量射线显示较高的反应性，另外可以从丰富的种类的丙烯酸系粘合剂中选择和组合使用等反应性、操作性的观点考虑，(甲基)丙烯酰基是优选的。
作为以活性能量射线反应性官能团进行了化学修饰的母剂的代表性例子，可列举出使含有羟基、羧基等反应性官能团的单体[例如(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸等]与(甲基)丙烯酸烷基酯共聚而得到的含反应性官能团的丙烯酸系聚合物，与分子内具有与上述反应性官能团反应的基团(异氰酸酯基、环氧基等)和活性能量射线反应性官能团(丙烯酰基、甲基丙烯酰基等)的化合物[例如(甲基)丙烯酰氧乙基异氰酸酯等]反应而得到的聚合物。
上述含反应性官能团的丙烯酸系聚合物中的含反应性官能团的单体的比例相对于全部单体例如为5～40重量％，优选为10～30重量％。与上述含反应性官能团的丙烯酸系聚合物反应时，分子内具有与上述反应性官能团反应的基团和活性能量射线反应性官能团的化合物的用量，相对于含反应性官能团的丙烯酸系聚合物中的反应性官能团(羟基、羧基等)例如为50～100摩尔％，优选为60～95摩尔％。
作为活性能量射线固化性化合物，例如可列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯等含多元(甲基)丙烯酰基的化合物等具有2个以上碳-碳双键的化合物等。这些化合物可以单独使用，或者可以将两种以上组合使用。其中，含多元(甲基)丙烯酰基的化合物是优选的，例如在日本特开2003-292916号公报中给出了例示。以下，有时将含多元(甲基)丙烯酰基的化合物称为“丙烯酸酯系交联剂”。
作为活性能量射线固化性化合物，另外，还可以使用鎓盐等有机盐类和分子内具有多个杂环的化合物的混合物等。所述混合物可以通过照射活性能量射线，使有机盐裂解生成离子，其成为引发种子，引起杂环的开环反应，形成三维网络结构。上述有机盐类包括碘鎓盐、鏻盐、锑盐、锍盐、硼酸盐等，上述分子内具有多个杂环的化合物中的杂环包括氧杂环丙烷、氧杂环丁烷、氧杂环戊烷、硫杂环丙烷、氮丙啶等。具体而言，可以利用技术情报协会编的《光固化技术》(2000)中记载的化合物等。
作为活性能量射线固化性树脂，例如可列举出分子末端具有(甲基)丙烯酰基的酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸类树脂(甲基)丙烯酸酯、分子末端具有烯丙基的硫醇-烯加成型树脂、光阳离子聚合型树脂、聚乙烯醇肉桂酸酯等含肉桂酰基的聚合物、重氮化氨基酚醛清漆树脂、丙烯酰胺型聚合物等含有感光性反应基团的聚合物、低聚物等。进而，作为在高能量射线下反应的聚合物，可列举出环氧化聚丁二烯、不饱和聚酯、聚甲基丙烯酸缩水甘油酯、聚丙烯酰胺、聚乙烯基硅氧烷(polyvinyl siloxane)等。此外，在使用活性能量射线固化性树脂时，上述母剂不是必需的。
其中，从对于活性能量射线能够显示较高反应性的观点考虑，优选使用酯(甲基)丙烯酸酯、聚氨酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、丙烯酸类树脂(甲基)丙烯酸酯等分子内具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的低聚物。
活性能量射线固化性树脂的分子量例如为低于5000左右，优选为100～3000左右。活性能量射线固化性树脂的分子量高于5000时，例如与(作为母剂的)丙烯酸系聚合物的相容性往往降低。
作为活性能量射线固化型粘合剂，从选项多、容易进行活性能量射线照射前后的弹性模量调整的观点考虑，由上述丙烯酸系聚合物或以活性能量射线反应性官能团进行了化学修饰的丙烯酸系聚合物(侧链上引入活性能量射线反应性官能团的丙烯酸系聚合物)和上述活性能量射线固化性组合物(具有2个以上的碳-碳双键的化合物等)的组合构成的物质是优选的。上述组合由于含有对活性能量射线显示了较高反应性的丙烯酸酯基，而且可以从多种丙烯酸系粘合剂中选择，因此从反应性或操作性的观点来看是优选的。这种组合的具体例子可以从多种丙烯酸系粘合剂中选择，可列举出侧链上引入了(甲基)丙烯酰基的丙烯酸系聚合物与显示了较高反应性的分子内具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的低聚物等具有2个以上的含碳-碳双键的官能团(特别是丙烯酸酯基)的化合物的组合等。作为这种组合，可以利用日本特开2003-292916号公报等中公开的组合。
特别是，作为活性能量射线固化型粘合剂的优选实施方式，可使用包括侧链含(甲基)丙烯酰基的丙烯酸粘合剂、分子内具有丙烯酰基或甲基丙烯酰基的低聚物、丙烯酸酯系交联剂(含多元(甲基)丙烯酰基的化合物；多官能丙烯酸酯)和紫外线光聚合引发剂的UV固化型粘合剂。
作为在上述侧链中引入了丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物的制备法，例如可以使用通过氨基甲酸酯键将丙烯酰氧乙基异氰酸酯、甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯等异氰酸酯化合物与侧链上含有羟基的丙烯酸系聚合物键合的方法等。
活性能量射线固化性化合物的配合量例如相对于100重量份母剂(例如上述丙烯酸系聚合物或以活性能量射线反应性官能团进行了化学修饰的丙烯酸系聚合物)为0.5～200重量份左右，优选为5～180重量份，进一步优选为20～130重量份左右的范围。
在活性能量射线固化型粘合剂中，为了提高形成三维网络结构的反应速度等，可以配合用于使赋予活性能量射线固化性化合物固化的活性能量射线聚合引发剂。
活性能量射线聚合引发剂可以根据所使用的活性能量射线的种类(例如红外线、可见光、紫外线、X射线、电子束等)适当选择公知乃至惯用的聚合引发剂。从操作效率的方面考虑，可用紫外线引发光聚合的化合物是优选的。作为代表性的活性能量射线聚合引发剂，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、醌、萘醌、蒽醌、芴酮等酮系引发剂；偶氮二异丁腈等偶氮系引发剂；过氧化苯甲酰、过苯甲酸等过氧化物系引发剂等，但不限于这些。作为市售产品，例如有Ciba Geigy公司制造的商品名“IRGACURE 184”、“IRGACURE 651”等。
活性能量射线聚合引发剂可以单独使用或将两种以上混合使用。作为活性能量射线聚合引发剂的配合量，通常，相对于100重量份上述母剂为0.01～10重量份左右，优选为1～8重量份左右。此外，根据需要，可以将上述活性能量射线聚合引发剂与活性能量射线聚合促进剂组合使用。
在活性能量射线固化型粘合剂中，除了上述成分以外，根据需要，为了在活性能量射线固化前后获得适合的粘合性，还可以配合交联剂、固化(交联)促进剂、增粘剂、硫化剂、增稠剂等，为了提高耐久性，可以配合抗老化剂、抗氧化剂等适当的添加剂。
作为优选的活性能量射线固化型粘合剂，例如可以使用在母剂(粘合剂)中配合了活性能量射线固化性化合物的组合物，优选为在丙烯酸系粘合剂中配合了UV固化性化合物的UV固化型粘合剂。特别是，作为活性能量射线固化型粘合剂的优选实施方式，可以使用含有含侧链丙烯酸酯的丙烯酸类粘合剂、丙烯酸酯系交联剂(含多元(甲基)丙烯酰基的化合物；多官能丙烯酸酯)和紫外线光聚合引发剂的UV固化型粘合剂。含侧链丙烯酸酯的丙烯酸类粘合剂是指侧链上引入了丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。丙烯酸酯系交联剂是作为含多元(甲基)丙烯酰基的化合物的上述例示的低分子化合物。作为紫外线光聚合引发剂，可以利用作为代表性的活性能量射线聚合引发剂的上述例示的化合物。
活性能量射线固化型粘合剂层14在活性能量射线照射前在常温(25℃)下的拉伸弹性模量与厚度的乘积优选为0.1～100N/m左右，优选为0.1～20N/m，粘合力(180°剥离，对硅镜面晶片，拉伸速度300mm/分钟)例如在常温(25℃)下优选为0.5N/10mm～10N/10mm的范围。活性能量射线照射前的拉伸弹性模量与厚度的乘积以及粘合力偏离上述范围时，由于粘合力不足，往往难以保持、暂时固定晶片2。
而且，活性能量射线固化型粘合剂层14的特征在于，通过照射活性能量射线而固化，且在80℃下的拉伸弹性模量与厚度的乘积为5×103N/m以上且低于1×105N/m(优选为8×103N/m以上且低于1×105N/m)。活性能量射线照射后的拉伸弹性模量与厚度的乘积低于5×103N/m时，不会产生充分的反作用力，由热收缩性薄膜的收缩应力导致切割用表面保护片整体折曲，变形为波纹(变得皱巴巴)等不定形，不能产生自发卷绕。
而且，通过将活性能量射线照射于活性能量射线固化型粘合剂层14，能够固化而使得80℃下的拉伸弹性模量与厚度的乘积为5×103N/m以上且低于1×105N/m，因此在活性能量射线照射之后，具有适度的韧性或刚性，能够发挥作为约束层的作用。
通过该约束层，收缩性薄膜层热收缩时，约束其收缩，可以产生反作用力，例如产生作为整个层叠体的力偶，可以形成用于引起卷绕的驱动力。
另外认为还具有如下作用：抑制与收缩性薄膜层10的主收缩方向不同方向的次要收缩，还使虽为单轴收缩性但未必无差别的收缩性薄膜层10的收缩方向向一个方向收敛。因此认为，在例如对层叠体施加促进收缩性薄膜层的收缩的热时，发挥作为约束层的作用的固化后的活性能量射线固化型粘合剂层14中，对收缩性薄膜层10的收缩力的推斥力成为驱动力，层叠体的外缘部(1个端部或对置的2个端部)浮起，以收缩性薄膜层10侧为内，从端部向一个方向或中心方向(通常为收缩性薄膜层10的主收缩轴方向)自发地卷绕形成筒状卷绕体。
进一步，认为由晶片磨削后产生的翘曲是由于将粘合片贴合于晶片时应力残留且由该残留应力引起收缩性薄膜层产生弹性变形而产生的，弹性层还能发挥的缓和该残留应力而使翘曲降低的作用。另外，通过发挥作为约束层的作用的固化后的活性能量射线固化型粘合剂层14，可以防止由收缩性薄膜层的收缩变形产生的剪切力传递到晶片2，因此可以防止剥离时晶片2的破损。还有，活性能量射线固化型粘合剂层通过固化显著降低对晶片2的粘合力，因此剥离时晶片2上无残胶，可以容易地剥离。
本发明的切割用表面保护片优选可以通过如下制造：将收缩性薄膜层10、约束层和活性能量射线固化型粘合剂层重叠，根据目的适当选择使用手压辊、层压机等层叠手段、高压釜等大气压压缩手段使其层叠来制造。
作为活性能量射线，例如可列举出红外线、可见光、紫外线、放射线、电子束等，可以根据使用的切割用表面保护片的活性能量射线固化型粘合剂层的种类适当选择。例如在使用具有紫外线固化型粘合剂层的切割用表面保护片时，使用紫外线作为活性能量射线。
对紫外线的产生方式没有特别限制，可以采用已知惯用的产生方式，例如可列举出放电灯方式(弧光灯)、闪光灯方式、激光方式等。在本发明中，从工业生产率优异的观点考虑，优选使用放电灯方式(弧光灯)，其中，从照射效率优异的观点考虑，优选使用利用高压汞灯、金属卤化物灯的照射方法。
作为紫外线的波长，可以没有特别限制地使用紫外区域的波长，作为用于一般光聚合、在上述紫外线产生方式中使用的波长，优选使用250～400nm左右的波长。作为紫外线的照射条件，只要引发构成活性能量射线固化型粘合剂层的粘合剂的聚合，以使得80℃下的拉伸弹性模量与厚度的乘积为5×103N/m以上且低于1×105N/m的方式固化即可，作为照射强度，例如为10～1000mJ/cm2左右，优选为50～600mJ/cm2左右。紫外线的照射强度低于10mJ/cm2时，具有活性能量射线固化型粘合剂层的固化变得不充分、难以发挥作为约束层的作用的倾向。另一方面，照射强度高于1000mJ/cm2时，具有活性能量射线固化型粘合剂层固化进行过度、出现裂纹的倾向。
另外，作为构成粘合剂层14的粘合剂，还可以使用以上述丙烯酸系粘合剂为母剂的非活性能量射线固化型粘合剂。在该情况下，具有比形成筒状卷绕体时的剥离应力小的粘合力的物质是可适用的，例如可以使用在使用硅镜面晶片作为晶片的90°剥离试验(室温(25℃))中为6.5N/10mm以下(例如0.05～6.5N/10mm，优选0.2～6.5N/10mm)，特别是6.0N/10mm以下(例如0.05～6.0N/10mm，优选0.2～6.0N/10mm)的物质。
作为这种以粘合力小的丙烯酸系粘合剂为母剂的非活性能量射线固化型粘合剂，优选使用在(甲基)丙烯酸烷基酯[例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯]、和具有反应性官能团的单体[例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸、马来酸酐等含羧基或酸酐基团的单体；(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯等含羟基的单体；(甲基)丙烯酸吗啉等含氨基的单体；(甲基)丙烯酰胺等含酰胺基的单体等]、以及根据需要使用的其他共聚性单体[例如(甲基)丙烯酸异冰片酯等具有脂环式烃基的(甲基)丙烯酸酯、丙烯腈等]的共聚物中添加能与上述反应性官能团反应的交联剂[例如异氰酸酯系交联剂、三聚氰胺系交联剂、环氧系交联剂等]，使之交联而得到的丙烯酸系粘合剂等。
粘合剂层14例如可以通过如下方法形成：将添加粘合剂、活性能量射线固化性化合物、根据需要的溶剂来制备的涂布液涂布于约束层11的表面(在上述例子中为刚性薄膜13的表面)的方法；将上述涂布液涂布于适宜的剥离衬垫(隔离膜)上形成粘合剂层，将其转印(转移)到约束层11上的方法等惯用的方法。利用转印时，与约束层11的界面有时留下空隙(void)。在该情况下，通过高压釜处理等进行加热加压处理，可以使空隙扩散和消除。粘合剂层14可以是单层，也可以是多层。
在粘合剂层14的构成成分中，可以进一步添加玻璃珠、树脂珠等珠粒。在粘合剂层14中添加玻璃珠、树脂珠时，提高了剪切弹性模量，容易使粘合力降低。珠粒的平均粒径例如为1～100μm，优选为1～20μm左右。珠粒的添加量相对于100重量份整个粘合剂层14例如为25～200重量份，优选为50～100重量份。上述添加量过多时，有时产生分散不良且粘合剂难以涂布，过少时上述效果容易变得不充分。
粘合剂层14的厚度一般为10～200μm，优选为20～100μm，进一步优选为30～60μm。上述厚度过薄时，由于粘合力不足，易于变得难以保持、暂时固定晶片2；过厚时不经济而且处理性也差，因而不优选。
本发明中使用的切割用表面保护片1可以通过如下制造：将收缩性薄膜层10与约束层11(优选弹性层12与刚性薄膜层13)重叠，根据目的适当选择使用手压辊、层压机等层叠手段、高压釜等大气压压缩手段使其层叠来制造。另外，本发明的切割用表面保护片可以通过在切割用表面保护片1的约束层11的表面设置粘合剂层14，或者通过使预先在单面设有粘合剂层14的约束层11(或刚性薄膜层13)与收缩性薄膜层10(或者，收缩性薄膜层10和弹性层12)重合和层叠来制造。
切割用表面保护片1在与晶片2接触的一侧具有活性能量射线固化性化合物时，将切割用表面保护片1贴合于晶片2，实施切割加工，然后在切割用表面保护片1的与晶片2接触的一侧照射活性能量射线，可以使粘合力降低。此后，或与此同时，施加构成收缩性薄膜层的收缩原因的热，从切割用表面保护片1的一个端部向一个方向(通常主收缩轴方向)或从对置的2个端部向中心(通常为向主收缩轴方向)自发地卷绕，形成一个或两个筒状卷绕体，从而能够从晶片2剥离。加热等成为收缩原因的刺激的给予优选通过活性能量射线照射来进行。此外，从切割用表面保护片1的一个端部向一个方向自发卷绕时，形成了一个筒状卷绕体(单向卷绕剥离)，从切割用表面保护片1的对置的两个端部向中心自发地卷绕时，形成了平行排列的2个筒状卷绕体(双向卷绕剥离)。
切割加工之后，例如在粘合剂层14为活性能量射线固化型粘合剂层时，对粘合剂层14进行活性能量射线照射的同时或之后，通过所需的加热等成为收缩原因的刺激的给予手段，给予收缩性薄膜层10加热等成为收缩原因的刺激时，粘合剂层14固化而失去粘合力，收缩性薄膜层10将要收缩变形，因此切割用表面保护片1浮起，切割用表面保护片1从其外缘部(或对置的两个的外缘部)卷绕。通过加热等成为收缩原因的刺激的给予条件，进而，在卷绕的同时，向一个方向(或方向彼此相反的两个方向(中心方向))自行运动，形成一个(或2个)筒状卷绕体。此处的筒状卷绕体不仅包括胶带的两端接触或重叠的筒状卷绕体，而且包括胶带的两端不接触、筒的一部分开放的状态的筒状卷绕体。此时，通过约束层11，切割用表面保护片的收缩方向被调整，因此在向单轴方向卷绕的同时，可快速地形成筒状卷绕体。因此，可以从晶片2上极其容易且漂亮地剥离切割用表面保护片1。
通过加热，给予成为收缩原因的刺激时，加热温度可以根据收缩性薄膜层10的收缩性来适当选择。加热温度例如只要上限温度是晶片不受影响地切割用表面保护片卷绕的温度，对此就没有特别限制，例如可以为50℃以上，优选为50℃～180℃，进一步优选为70℃～180℃。活性能量射线照射、加热处理可以同时进行，也可以分阶段进行。另外，加热不仅可以在晶片2整个表面均匀地加热，也可以在整个表面分阶段加热，进而还可以仅为了制作剥离起点局部加热，可以以有效利用易剥离性为目标适当选择。
中间层
对形成中间层的材料没有特别限制，例如可以使用在粘合剂层中列举的粘合剂、一般称之为树脂薄膜的聚乙烯(PE)、乙烯-乙烯醇共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)等各种软质树脂、丙烯酸系树脂与聚氨酯聚合物的混合树脂、丙烯酸系树脂与天然橡胶的接枝聚合物等。
作为形成所述丙烯酸系树脂的丙烯酸系单体，例如可以将(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯等(甲基)丙烯酸C1-C20烷基酯等(甲基)丙烯酸烷基酯单独使用，或与可与该(甲基)丙烯酸烷基酯共聚的单体[例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富马酸、马来酸酐等含羧基或酸酐基团的单体]混合使用。
作为形成本发明中的中间层的材料，其中，从与刚性薄膜层的密合性的观点来看，优选使用丙烯酸系树脂与聚氨酯聚合物的混合树脂、丙烯酸系树脂与天然橡胶的接枝聚合物，特别优选丙烯酸系树脂与聚氨酯聚合物的混合树脂。此外，聚氨酯聚合物可以用已知惯用的方法来制备。
为了提高中间层与上述刚性薄膜层的粘接性，在中间层与刚性薄膜层之间可以适当地设置底涂层。另外，为了提高中间层与上述粘合剂层的粘接性，在中间层表面上，可以根据需要实施消光处理(mat treatment)、电晕放电处理、底漆处理、交联处理(例如使用硅烷的化学交联处理等)等惯用的物理或化学处理。
中间层根据其材料形态可以通过已知惯用的方法来形成，例如在呈现液态的情况下，可以通过如下方法形成：在刚性薄膜层的表面涂布的方法；在适当的剥离衬垫(隔离膜)上涂布溶液而形成中间层，且将其转印(转移)到刚性薄膜层上的方法。另外，在使用软质树脂、混合树脂作为中间层时，可列举出将该树脂在刚性薄膜层上挤出层压的方法、将预先形成为薄膜状的树脂干式层压或者介由具有粘接性的底涂剂进行贴合的方法等。
从粘合片的易贴合性、胶带剪切(tape cut)等的操作性观点来看，中间层在23℃下的剪切弹性模量为1×104Pa～4×107Pa左右，优选为1×105Pa～2×107Pa左右。23℃下的剪切弹性模量低于1×104Pa时，中间层由于晶片磨削压力而从晶片外周挤出，有可能破损晶片。另外，23℃下的剪切弹性模量高于4×107Pa时，抑制翘曲的功能往往降低。
中间层的厚度优选为10μm以上，其中，优选为30μm以上(特别是50μm以上)。中间层的厚度低于10μm时，往往难以有效抑制由于磨削导致的晶片翘曲。另外，为了保持磨削精度，中间层的厚度优选低于150μm。
另外，中间层不仅具有缓和上述拉伸应力的功能，而且还优选具有吸收磨削中晶片表面的凹凸的缓冲垫的作用，中间层与上述粘合剂层的厚度之和优选为30μm以上(其中50～300μm)。另一方面，中间层与上述粘合剂层的厚度之和低于30μm时，对晶片的粘合力往往不足，由于贴合时不能完全吸收晶片表面的凹凸，因此在磨削中倾向于产生晶片破损、在晶片边缘容易产生缺口。另外，中间层与上述粘合剂层的厚度之和高于300μm时，厚度精度降低，在磨削中容易产生晶片破损，另外具有自发卷绕性降低的倾向。
中间层的剪切弹性模量与厚度的乘积(剪切弹性模量×厚度)在例如23℃下优选为15000N/m以下(例如为0.1～15000N/m)，优选为3000N/m以下(例如为3～3000N/m)，特别优选为1000N/m以下(例如20～1000N/m)左右。中间层的剪切弹性模量与厚度的乘积过大时，具有难以缓和由收缩性薄膜层/弹性层/刚性薄膜层构成的复合基材的拉伸应力、难以抑制由磨削导致的晶片的翘曲的倾向，由刚性导致在贴合时不能完全吸收晶片表面的凹凸，因此具有在磨削中晶片产生破损、在晶片边缘容易产生缺口的倾向。中间层的剪切弹性模量与厚度的乘积过小时，中间层向晶片外挤出，容易产生边缘缺口、破损。进而，还带来卷绕性降低的作用。
剥离衬垫
在本发明中使用的切割用表面保护片1中，从表面的粘合剂层14的平滑化和保护、标签加工、抗粘连的观点等考虑也可以在粘合剂层14的表面设置剥离衬垫(隔离膜)。剥离衬垫在贴合于晶片2时剥离，可以不必设置。对使用的剥离衬垫没有特别限制，可以使用公知的剥离纸等。
作为剥离衬垫，例如可以使用具有剥离处理层的基材、由氟系聚合物构成的低粘接性基材、由无极性聚合物构成的低粘接性基材等。作为具有上述剥离处理层的基材，例如可列举出通过有机硅系、长链烷基系、氟系、硫化钼等剥离处理剂进行表面处理的塑料薄膜、纸等。
作为上述由氟系聚合物构成的低粘接性基材中的氟系聚合物，例如可列举出聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、聚氟乙烯、聚偏二氟乙烯、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物、氯氟乙烯-偏二氟乙烯共聚物等。
作为由上述无极性聚合物构成的低粘接性基材中的无极性聚合物，例如可列举出烯烃系树脂(例如聚乙烯、聚丙烯等)等。此外，剥离衬垫可以通过公知或者惯用的方法来形成。
对上述剥离衬垫的厚度没有特别限制，例如为10～200μm，优选为25～100μm左右。另外，根据需要，为了防止活性能量射线固化型粘合剂层由于环境紫外线而固化，也可以对剥离衬垫实施防紫外线处理等。
图6中示出了本发明中使用的切割用表面保护片单独自发卷绕的状态。在图6中，(A)为示出对收缩性薄膜层施加热等成为收缩原因的刺激之前的切割用表面保护片1的图，(B)为示出对收缩性薄膜层赋予热等成为收缩原因的刺激的切割用表面保护片(在具有活性能量射线固化型粘合剂层的情况下，活性能量射线固化型粘合剂层固化，且粘合力降低之后的粘合片)从片外缘部(一个端部)向一个方向(通常，收缩性薄膜的主收缩轴方向)开始卷绕时的状态的图，(C)为示出片材卷绕结束，形成一个筒状卷绕体时的状态(单向卷绕)的图。另外，(D)为示出从片材的对置的两个端部向中心(通常向收缩性薄膜的主收缩轴方向)自发卷绕，形成两个筒状卷绕体时的状态(双向卷绕)的图。
此外，粘合片是产生单向卷绕还是产生双向卷绕在具有活性能量射线固化型粘合剂层的情况下，根据活性能量射线照射后的活性能量射线固化型粘合剂层对收缩性薄膜层的粘合力、拉伸弹性模量与厚度的乘积等而改变。
在图6中，L表示切割用表面保护片的卷绕方向(通常收缩性薄膜层的主收缩轴方向)的长度(在片材为圆形的情况下为直径)(图6的(A))，r表示形成的筒状卷绕体的直径(如片材为圆形等的情况那样，筒状卷绕体的直径在卷绕体的长度方向不固定的情况下，为最大直径)(图6的(C)、(D))。在本发明的切割用表面保护片中，r/L的值是根据下述实施例定义的值，优选为0.001～1的范围。此外，L例如可以为3～2000mm，优选为3～1000mm。此外，即使是无粘合剂层的层叠片，关于自发卷绕性，也显示与具有粘合剂层的粘合片同样的举动。
粘合片中的与L正交的方向的长度例如可以为3～2000mm，优选为3～1000mm左右。r/L的值可以通过调整收缩性薄膜层10、约束层11(弹性层12和刚性薄膜层13)、粘合剂层14的各层的材料的种类、组成和厚度等，特别是构成约束层11的弹性层12的剪切弹性模量、厚度、刚性薄膜层13的杨氏模量、厚度而设定在上述范围。r/L的值在具有收缩性薄膜层以及活性能量射线固化型粘合剂层的情况下可以通过调整活性能量射线固化型粘合剂层的各层的材料的种类、组成和厚度等、特别是活性能量射线照射后的活性能量射线固化型粘合剂层(具有作为约束层的作用的粘合剂层)的拉伸弹性模量和厚度而设定在上述范围。在该例中，切割用表面保护片的形状是四边形的，但不限于此，根据目的可以适当选择，可以是圆形、椭圆形、多边形等中的任意形状。
此外，本发明中使用的切割用表面保护片即使在片材的卷绕方向的长度L增长的情况下也同样地卷绕。因此，片材的卷绕方向的长度L越大，则对所述切割用表面保护片给予加热等成为收缩原因的刺激而使其收缩时，自发卷绕而形成的筒状卷绕体的直径r与该切割用表面保护片的卷绕方向的长度L之比(r/L)的下限值越小。
实施例
以下根据实施例来详细说明本发明的方法中使用的切割用表面保护片，但本发明不限于使用这些实施例的切割用表面保护片。此外，弹性层和刚性薄膜层的剪切弹性模量、弹性层对收缩性薄膜的粘合力如下所述测定。另外，作为判断能否作为筒状卷绕体起作用的指标的r/L用下述所示方法来定义。
刚性薄膜层的杨氏模量(80℃)的测定
刚性薄膜层的杨氏模量根据JIS K7127用以下的方法来测定。使用岛津公司制造的Autograph AG-1kNG(带有加热罩)作为拉伸试验机。将切取为长度200mm×宽度10mm的刚性薄膜以100mm的夹盘间距安装。通过加热罩形成80℃的气氛之后，在5mm/分钟的拉伸速度下拉伸试样，得到应力-应变相关的测定值。对应变为0.2％和0.45％的两个点求出负载而得到杨氏模量。对同一试样重复5次该测定，采用其平均值。
弹性层的剪切弹性模量(80℃)的测定
对弹性层的剪切弹性模量用以下的方法测定。以1.5mm～2mm的厚度制作各实施例和比较例中所述的弹性层，然后对其用直径7.9mm的冲头冲切加工，得到测定用的试样。使用Rheometric Scientific公司制造的粘弹性谱仪(ARES)，设定夹盘压力为100g重量、剪切为1Hz频率进行测定[使用不锈钢制8mm平行板(TA Instruments公司制造，型号708.0157)]。而且，测定80℃下的剪切弹性模量。
弹性层对收缩性薄膜的粘合力的测定
通过180°剥离试验(50℃)测定弹性层对收缩性薄膜的粘合力。将层叠片[除了不设置粘合剂层(活性能量射线固化型粘合剂层、非活性能量射线固化型粘合剂层)以外与切割用表面保护片同样制作的片材。然而，对于在弹性层中含有紫外线反应性交联剂但还未照射紫外线的片材，为用500mJ/cm2的强度照射紫外线之后的片材]切断为宽度10mm的大小，使用刚性支撑基材(硅片)和粘合带贴合在刚性薄膜层侧的表面，使用粘合带在收缩性薄膜层侧表面贴合剥离试验机的拉伸夹具，将其载置在50℃的加热台(加热器)上，使得刚性支撑基材与加热台接触。将拉伸夹具在180°方向上以300mm/分钟的拉伸速度拉伸，测定在收缩性薄膜层与弹性层之间产生剥离时的力(N/10mm)。此外，为了消除由于刚性支撑基材厚度不同造成的测定误差，将刚性支撑基材厚度标准化为38μm。
非活性能量射线固化型粘合剂层对硅镜面晶片的粘合力的 测定
使用手压辊，将下述制造例2和4中得到的两种非活性能量射线固化型粘合剂的层叠体贴合于聚对苯二甲酸乙二醇酯基材(厚度38μm)。将其切断为宽度10mm，除去剥离片之后，用手压辊贴合于4英寸硅镜面晶片(信越半导体公司制造，商品名“CZ-N”)。将其使用粘合带贴合于剥离试验机的拉伸夹具。将拉伸夹具在90°方向上以300mm/分钟的拉伸速度拉伸，测定在收缩性薄膜层与弹性层之间产生剥离时的力(N/10mm)。
此外，对于下述制造例1和3中得到的活性能量射线固化型粘合剂层，除了在测定前进行500mJ/cm2的紫外线曝光以外，用与上述同样的方法测定对4英寸硅镜面晶片(信越半导体公司制造，商品名“CZ-N”)的粘合力。其结果，在所有粘合剂中均在0.3N/10mm以下剥离，因此粘合力充分降低。因此，在以下实施例中，省略活性能量射线固化型粘合剂层对硅片的粘合力的记载。
r/L值的测定
将下述中得到的切割用表面保护片切断为100×100mm之后，对于使用活性能量射线固化型粘合剂的片材，照射约500mJ/cm2的紫外线。将切割用表面保护片的一个端部沿着收缩薄膜的收缩轴方向浸渍在80℃的温水中，促使变形。对于形成筒状卷绕体的，使用直尺测定直径，将该值除以100mm作为r/L。此外，没有粘合剂层的层叠片关于自发卷绕性显示了与具有粘合剂层的粘合片同样的举动。
粘合剂层的制造
制造例1
活性能量射线固化型粘合剂层(1)的制造
使丙烯酸系聚合物[组成：丙烯酸-2-乙基己酯∶丙烯酸吗啉∶丙烯酸-2-羟乙酯＝75∶25∶22(重量比)共聚而得到的物质]的来自丙烯酸-2-羟乙酯的羟基的50％与甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯)键合，制造在侧链上具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。
将100重量份在该侧链上具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物、与相对于其的、作为光聚合性交联剂的15重量份ARONIX M320(东亚合成公司制造；三羟甲基丙烷PO改性(n≈2)三丙烯酸酯)、和1重量份光引发剂(Ciba Geigy公司制造，商品名“IRGACURE 651”)、和1重量份异氰酸酯系交联剂(商品名“CORONATE L”)混合，制备活性能量射线固化型粘合剂。
使用涂布器在剥离片(MITSUBISHI PLASTICS，INC.，制造，商品名“MRF38”)上涂布所得活性能量射线固化型粘合剂，然后将溶剂等挥发物干燥，得到在剥离片上设有厚度35μm的活性能量射线固化型粘合剂层的层叠体。
制造例2
非活性能量射线固化型粘合剂层(1)的制造
在100重量份丙烯酸系共聚物[丙烯酸丁酯∶丙烯酸＝100∶3(重量比)共聚而得到的物质]中混合0.7重量份环氧系交联剂(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制造，商品名“TETRAD C”)、和2重量份异氰酸酯系交联剂(商品名“CORONATE L”)，制备非活性能量射线固化型粘合剂。
使用涂布器在剥离片(MITSUBISHI PLASTICS，INC.，制造，商品名“MRF38”)上涂布所得非活性能量射线固化型粘合剂，然后将溶剂等挥发物干燥，得到在剥离片上设有厚度30μm的非活性能量射线固化型粘合剂层的层叠体。
制造例3
活性能量射线固化型粘合剂层(2)的制造
使丙烯酸系聚合物[组成：丙烯酸丁酯∶丙烯酸乙酯∶丙烯酸-2-羟乙酯＝50∶50∶20(重量比)共聚而得到的物质]的来自丙烯酸-2-羟乙酯的羟基的80％与甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(甲基丙烯酸-2-异氰酸根合乙酯)键合，制造在侧链上具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物。
将100重量份在该侧链上具有甲基丙烯酸酯基的丙烯酸系聚合物、与相对于其的、100重量份作为含有2个以上具有碳-碳双键的官能团的化合物的日本合成化学工业公司制造的商品名“紫光UV1700”、和3重量份光引发剂(Ciba Geigy公司制造，商品名“IRGACURE 184”)、和1.5重量份异氰酸酯系交联剂(商品名“CORONATE L”)混合，制备活性能量射线固化型粘合剂。
使用涂布器在剥离片(MITSUBISHI PLASTICS，INC.，制造，商品名“MRF38”)上涂布所得活性能量射线固化型粘合剂，然后将溶剂等挥发物干燥，得到在剥离片上设有厚度30μm的活性能量射线固化型粘合剂层的层叠体。
制造例4
非活性能量射线固化型粘合剂层(2)的制造
在100重量份丙烯酸系共聚物[丙烯酸丁酯∶丙烯酸＝100∶3(重量比)共聚而得到的物质]中混合0.7重量份环氧系交联剂(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.制造，商品名“TETRAD C”)、和2重量份异氰酸酯系交联剂(商品名“CORONATE L”)，制备非活性能量射线固化型粘合剂。
使用涂布器在剥离片(Mitsubishi Polyester Film公司制造，商品名“MRF38”)上涂布所得非活性能量射线固化型粘合剂，然后将溶剂等挥发物干燥，得到在剥离片上设有厚度30μm的非活性能量射线固化型粘合剂层的层叠体。
参考例1
由收缩性薄膜层/约束层(弹性层/刚性薄膜层)/活性能量 射线固化型粘合剂构成的切割用表面保护片的制造
使100重量份酯系聚合物[DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造PLACCEL CD220PL∶癸二酸＝100∶10(重量比)共聚而得到的物质]和4重量份“CORONATE L”(交联剂，NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制造)混合，溶解在醋酸乙酯中，再将所得溶液涂布在作为刚性薄膜层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜，厚度38μm：TORAYINDUSTRIES，INC.制造，商品名“Lumirror S105”，单面易印刷处理品)的非易印刷处理面，并干燥，形成约束层。在其上重叠收缩性薄膜层(单轴拉伸聚酯薄膜，厚度30μm：东洋纺公司制造，商品名“Space clean S7053”)，使用手压辊进行层叠，得到层叠片(酯系粘合剂层的厚度30μm)。
将制造例1中得到的层叠体的活性能量射线固化型粘合剂层(1)侧与上述得到的层叠片的刚性薄膜层侧层叠。将所得层叠体通过层压机，使之密合，得到了由收缩性薄膜层/约束层[弹性层(酯系粘合剂层)/刚性薄膜层(PET薄膜层)]/活性能量射线固化型粘合剂(1)层/剥离片构成的切割用表面保护片。
参考例2
由收缩性薄膜层/约束层(弹性层/刚性薄膜层)/非活性能 量射线固化型粘合剂构成的切割用表面保护片的制造
使100重量份酯系聚合物[DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES，LTD.制造PLACCEL CD220PL∶癸二酸＝100∶10(重量比)共聚而得到的物质]和4重量份“CORONATE L”(交联剂，NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制造)混合，溶解在醋酸乙酯中，再将所得溶液涂布在作为刚性薄膜层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜，厚度38μm：TORAYINDUSTRIES，INC.制造，商品名“Lumirror S105”，单面电晕处理品)的非电晕处理面，并干燥，形成约束层。在其上重叠收缩性薄膜层(单轴拉伸聚酯薄膜，厚度30μm：东洋纺公司制造，商品名“Space clean S7053”)，使用手压辊进行层叠，得到层叠片(酯系粘合剂层的厚度30μm)。
将制造例2中得到的层叠体的非活性能量射线固化型粘合剂层(1)侧与上述得到的层叠片的刚性薄膜层侧层叠。将所得层叠体通过层压机，使之密合，得到了由收缩性薄膜层/约束层[弹性层(酯系粘合剂层)/刚性薄膜层(PET薄膜层)]/非活性能量射线固化型粘合剂(1)层/剥离片构成的保护胶带。
此外，在参考例1和2中，上述收缩性薄膜层的主收缩方向的热收缩率在100℃下为70％以上，酯系粘合剂层(弹性层)的剪切弹性模量(80℃)为2.88×105N/m2，剪切弹性模量与厚度的乘积为8.64N/m。酯系粘合剂层(弹性层)对收缩性薄膜层的粘合力(50℃)为13N/10mm。
另外，PET薄膜层(刚性薄膜层)的80℃下的杨氏模量为3.72×109N/m2，杨氏模量与厚度的乘积为1.41×105N/m。r/L为0.06。
参考例3
由收缩性薄膜层/约束层(弹性层/刚性薄膜层)/活性能量 射线固化型粘合剂构成的切割用表面保护片的制造
将100重量份丙烯酸系聚合物(Daiichi Lace公司制造，商品名“Leocoat R1020S”)、10重量份季戊四醇改性丙烯酸酯交联剂(日本化药公司制造，商品名“DPHA40H”)、和0.25份“TETRAD C”(交联剂，三菱瓦斯化学公司制造)、和2重量份“CORONATE L”(交联剂，NIPPON POLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.制造)、和3重量份“IRGACURE 651”(光引发剂，Ciba Geigy公司制造)溶解在甲乙酮中，形成聚合物溶液，将所得溶液涂布于作为刚性薄膜层的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(PET薄膜，厚度38μm：TORAY INDUSTRIES，INC.制造，商品名“Lumirror S10”)的一个面，并干燥，形成约束层。进一步，在其上重叠收缩性薄膜层(单轴拉伸聚酯薄膜，厚度60μm：东洋纺公司制造，商品名“Space clean S5630”)，使用手压辊进行层叠，得到层叠片(丙烯酸系粘合剂层的厚度30μm)。
将制造例3中得到的由活性能量射线固化型粘合剂层(2)/剥离片构成的层叠体的、活性能量射线固化型粘合剂层(2)侧与上述得到的层叠片的刚性薄膜层侧层叠。
将所得层叠体通过层压机，使之密合，得到了由收缩性薄膜层/约束层[丙烯酸系粘合剂层(弹性层)/PET薄膜层(刚性薄膜层)]/活性能量射线固化型粘合剂(2)层/剥离片构成的切割用表面保护片。
参考例4
由收缩性薄膜层/约束层(弹性层/刚性薄膜层)/非活性能 量射线固化型粘合剂(2)构成的切割用表面保护片的制造
除了将在参考例3中活性能量射线固化型粘合剂层(2)换为在制造例4中得到的非活性能量射线固化型粘合剂层(2)以外，与实施例1同样地，得到切割用表面保护片。
另外，在参考例3和4中，上述热收缩性薄膜的主收缩方向的热收缩率在100℃下为70％以上，另外，丙烯酸系粘合剂层(弹性层)的剪切弹性模量(80℃)为0.72×106N/m2，剪切弹性模量与厚度的乘积为21.6N/m。丙烯酸系粘合剂层(弹性层)对收缩性薄膜层的粘合力(50℃)为4.4N/10mm。另外，PET薄膜层(刚性薄膜层)的80℃下的杨氏模量为3.72×109N/m2，杨氏模量与厚度的乘积为1.41×105N/m。r/L为0.045。
实施例1
将作为切割用表面保护片的自发卷绕性片材贴附于8英寸硅片的电路面。此后，通过DISCO Corporation制造的商品名“DFG-8560”对背面侧进行背面研磨，加工成50μm的厚度。接着，将切割胶带(日东电工株式会社制造EM-500M2AJ)贴附在硅片研磨面侧，固定于环形框(DISCO Corporation制造)，使用切割装置(DFD-651)将切割用表面保护片连硅片一起全切(full cut)切割为10mm×10mm的尺寸。
接着，将固定于环形框的硅片投入到烘箱中，在60℃下进行30分钟的加热。冷却至常温之后，使用贴片机(DISCO Corporation制造FED-1780FAM)，将硅片与切割用表面保护片同时从切割胶带剥离。剥离时，顶针的顶举量小是良好的，以顶举量作为剥离性来评价。另外，确认半导体晶片的芯片的破裂(品质)。剥离性与芯片的品质的结果在表1中示出。
比较例1
将背面研磨胶带(日东电工株式会社制造(ELPUB-2153D)贴附于8英寸硅片的电路面，使用研磨装置(DISCO Corporation制造DFG8560)加工硅片背面侧至50μm厚。接着，将切割胶带(日东电工株式会社制造EM-500M2AJ)贴附于硅片研磨面侧，固定于于环形框(DISCO Corporation制造)。剥离背面研磨胶带，使用切割装置(DISCO Corporation制造)，将硅片全切切割为10mm×10mm的尺寸。
比较例2
在比较例1的方法中，不剥离背面研磨胶带，使用切割装置(DISCO Corporation制造)，将硅片全切切割为10mm×10mm的尺寸。
表1
Figure BSA00000461763800611
在实施例1中，使用本发明的切割用表面保护片，进行切割和拾取，即使顶针的顶举量较小，为420μm，剥离性也为100％，即，100％的芯片可以剥离。进而，此时品质为100％，没有破裂等缺陷的芯片为100％，因此所得芯片的品质也是良好的。
在比较例1和2中，拾取100％的芯片所需的顶针的顶举量为480μm或更高，比实施例1的顶举量更大，因此由于施加于芯片的力更大，因而在芯片上容易产生破裂。

Claims (4)

1.一种加工方法，所述方法为将切割用表面保护片贴附于半导体晶片，并且将切割胶带贴附在该晶片的背面侧，然后将该晶片与切割用表面保护片一起小片化来形成芯片，其特征在于，给予该切割用表面保护片刺激来产生收缩应力，从而使芯片的一部分从切割胶带剥离，此后，将该芯片从切割胶带剥离。
2.根据权利要求1所述的加工方法，其中，切割用表面保护片的至少一层由热收缩性的薄膜构成，且使用的切割用表面保护片使用了在40～180℃的温度范围显示3～90％的热收缩率的热收缩性薄膜。
3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中，使用的切割用表面保护片具有在40～75℃的加热下的粘合力为0.01N/20mm以上的粘合力，所述粘合力为在相对于硅片90°剥离、拉伸速度300mm/min的条件下的粘合力。
4.根据权利要求1～3中的任一项所述的加工方法，其中，在贴附切割胶带之前，将该晶片的背面侧研磨或蚀刻至规定的厚度。
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