CN101469420A - 化学镀金方法及电子部件 - Google Patents

化学镀金方法及电子部件 Download PDF

Info

Publication number
CN101469420A
CN101469420A CNA200810190830XA CN200810190830A CN101469420A CN 101469420 A CN101469420 A CN 101469420A CN A200810190830X A CNA200810190830X A CN A200810190830XA CN 200810190830 A CN200810190830 A CN 200810190830A CN 101469420 A CN101469420 A CN 101469420A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
chemical
gilding
chemical gilding
plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA200810190830XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN101469420B (zh
Inventor
黑坂成吾
小田幸典
冈田亨
大久保阿弓
木曾雅之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
C Uyemura and Co Ltd
Original Assignee
C Uyemura and Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by C Uyemura and Co Ltd filed Critical C Uyemura and Co Ltd
Publication of CN101469420A publication Critical patent/CN101469420A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101469420B publication Critical patent/CN101469420B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
    • H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/42—Coating with noble metals
    • C23C18/44—Coating with noble metals using reducing agents
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703—Plating
    • H05K2203/072—Electroless plating, e.g. finish plating or initial plating

Abstract

本发明涉及化学镀金方法及电子部件。所述方法通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用通式R1－NH－C2H4－NH－R2或R3－(CH2－NH－C2H4－NH－CH2)n－R4表示的胺化合物的化学镀金浴的化学镀金，形成由化学镀镍膜、化学镀钯膜和化学镀金膜形成的镀敷膜叠层体的化学镀盒膜的一部分或全部。本发明的方法不需要准备快速镀金浴和加厚镀金浴二种浴液，只用一种镀金浴就能形成适合于焊料接合或引线接合的各种膜厚的镀金膜，由于能以一种镀浴，用一个工序就能高效地形成膜厚0.15μm以上的化学镀盒膜，所以工序能简单化，对成本有利。

Description

化学镀金方法及电子部件
技术领域
本发明涉及一种化学镀金方法及用该方法进行化学镀金处理的电子部件。
背景技术
以前，在印刷电路板和电子部件的安装工序中，要求高可靠性用途的表面处理大多使用化学镀镍/置换镀金。由于置换镀金利用成为基底的镍和镀浴中的氧化还原电位的差析出金，金溶解镍而使镍被腐蚀，另外，由于发生向金膜上的镍扩散，引线接合性降低。为了预防引线接合性降低，在化学镀镍/置换镀金膜上还进行还原镀金，使金的膜变厚，由此能抑制引线接合性降低，但存在成本的问题。
另一方面，由于近几年无铅化的发展，有使用Sn-Ag-Cu焊料的动态，但与以前的锡-铅共晶焊料比较，由于焊料接合时需要热负荷，有接合特性降低这样的问题。因此，近几年推行通过利用化学镀钯把钯膜夹在化学镀镍层和置换镀金层之间来回避上述问题的方法。
再有，作为现有技术文献，可举出特开平10-242205号公报、特许第3565302号公报、特许第3596335号公报、特许第3345529号公报、特开2004-332025号公报、特开2002-1181134号公报、特开2006-0339609号公报及特开平8-269726号公报。
在把焊料接合作为对象的表面处理的场合，钯膜上的金膜可以是约0.05μm的薄镀层(快速镀金)。镀金膜太厚时，因为锡和镍的合金形成不均匀，焊料接合性有可能降低。如果是把焊料接合作为对象的表面处理，作为给予基底金属的防锈功能的厚度，从成本角度考虑，0.05μm左右是惯例。
在把引线接合作为对象的表面处理的场合，钯膜上的金膜必须是0.2μm以上的厚度，现状是用置换镀金形成薄镀层(快速镀金)后，再通过还原镀金进行镀层加厚。对于引线接合性而言，金膜的膜厚厚是有利的。这是因为除了能抑制基底镍的扩散以外，厚的金膜的接合强度高。
另外，在同一基板上实施焊料接合和引线接合的两种情况时，例如，在基板的正反面上实施如下不同工序处理(例如，在表面引线接合，背面焊料接合)时，钯膜上的金膜厚度设为约0.2～0.3μm。对于引线接合，金膜厚度厚好，对于焊料接合性，金属膜厚度薄好。虽然根据引线接合和焊料接合哪一个要求更高的特性，最佳的膜厚发生变化，但作为取得相互平衡的膜厚，认为0.2～0.3μm左右是最佳的。
以前，在钯膜上形成某种厚度(特别是0.15μm以上)的镀金膜时，由于在钯膜上采用直接还原镀金产生厚镀层是不可能的，在钯膜上一旦用置换镀金形成薄镀层(快速镀金)后，必须用还原镀金增加膜厚。用置换镀金形成膜厚0.15μm以上的镀金膜几乎是困难的。另一方面，采用直接还原镀金形成厚镀金膜时，金膜的膜厚会产生不均匀等问题，因此得不到引线接合和焊料接合所必需的特性。
发明内容
本发明是鉴于上述的问题而完成的，其目的在于提供一种能有效形成化学镀镍膜和化学镀钯膜和化学镀金膜的镀敷膜叠层体的化学镀金膜的方法。
本发明人为解决上述问题进行了精心研究，结果发现，通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)
R1-NH-C2H4-NH-R2    (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4    (2)
(式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的。n是1～4的整数)表示的胺化合物的化学镀金浴的化学镀金，形成了化学镀镍膜和化学镀钯膜和化学镀金膜的镀敷膜叠层体的该化学镀金膜，所以对于作为适合焊料接合或引线接合的各种膜厚，可以使用一种镀浴就能高效地形成化学镀金膜，特别是可以用一种镀浴，以一道工序就能高效率有效形成作为适合焊料接合和引线接合或适合引线接合所合适的膜厚为0.15μm以上的化学镀金膜，至此完成了本发明。
即，作为本发明的第一发明
[1]提供一种化学镀金方法，该方法用于形成镀敷膜叠层体的化学镀金膜，所述镀敷膜叠层体是在作为印刷电路板、陶瓷基板或半导体基板的电子部件的被镀面上通过催化剂形成膜厚0.1～20μm的化学镀镍膜，在该化学镀镍膜上形成膜厚0.001～0.3μm的化学镀钯膜，再在该化学镀钯膜上形成膜厚0.01～1.0μm的化学镀金膜而形成的，其特征是，
通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物的第一化学镀金浴的第一化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分或全部，
R1-NH-C2H4-NH-R2   (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4   (2)
(式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的。n是1～4的整数)。
在该方法中，进一步，
[2]优选仅通过上述第一化学镀金以0.15μm以上的膜厚形成上述化学镀金膜的全部，
[3]也优选通过使用上述第一化学镀金浴的化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分，接着通过使用与上述化学镀金浴不同的还原型镀金浴的第二化学镀金，形成上述化学镀金膜的剩余部分。
特别是，上述[1]～[3]的方法对于上述化学镀金膜表面成为被焊料接合面是适用的，另外，上述[2]、[3]的方法对于上述化学镀金膜表面成为引线接合面是适用的。
作为本发明的第二发明，
提供一种电子部件，其是具有在被镀面上通过催化剂形成膜厚0.1～20μm的化学镀镍膜，在该化学镀镍膜上形成膜厚0.001～0.3μm的化学镀钯膜，再在该化学镀钯膜上形成膜厚0.01～1.0μm的化学镀金膜的镀敷膜叠层体的印刷电路板、陶瓷基板或半导体基板，其特征是，
通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物的第一化学镀金浴的第一化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分或全部，
R1-NH-C2H4-NH-R2    (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4     (2)
(式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的。n是1～4的整数)。
本发明的方法不需要准备快速镀金浴和增厚镀金浴二种浴液，只用一种镀金浴就能形成作为适合焊料接合或适合引线接合的各种膜厚的镀金膜，特别是，用一种镀浴，以一道工序能高效地形成膜厚0.15μm以上的化学镀金膜，所以能使工序简单化，并有利于降低成本。
具体实施方式
本发明的化学镀金方法是用于形成镀敷膜叠层体的化学镀金膜的方法。所述镀敷膜叠层体是在电子部件的被镀面上通过催化剂形成膜厚0.1～20μm的化学镀镍膜，在该化学镀镍膜上形成膜厚0.001～0.3μm的化学镀钯膜，再在该化学镀钯膜上形成膜厚0.01～1.0μm的化学镀金膜而形成。
在本发明中，该镀敷膜叠层体的催化剂、化学镀镍膜及化学镀钯膜的形成可使用现有的公知方法，本发明的化学镀金方法，使用所谓的ENEPIG(Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold)，即在(在铜上形成的)基底化学镀镍膜上使化学镀钯膜介于中间形成镀金膜的方法。
这里，在被镀面(例如，铜基体表面)上通过催化剂形成化学镀镍膜时，成为催化剂的金属有镍、钴、铁、银、金、钌、钯、铂等，其中特别优选钯。另外，催化剂的析出量可以是活化至被镀面上析出化学镀镍膜程度的析出量，如果是0.1×10-4mg/dm2以上，特别是1×10-4mg/dm2以上的析出量，也可以不是连续膜。
形成的化学镀镍膜，对镀浴没有特别限制，但特别优选使用在特开平8-269726号公报中记载的镀浴形成的镀敷膜。该化学镀镍浴是把在包含水溶性镍盐、还原剂及络合剂的镀浴中添加具有S-S硫键的化合物作为特征的化学镀镍浴。
这里，作为水溶性镍盐，可使用硫酸镍、氯化镍等，其使用量设为0.01～1mol/L，特别优选为0.05～0.2mol/L。作为还原剂，使用次磷酸、次磷酸钠等的次磷酸盐、二甲胺甲硼烷、三甲胺甲硼烷、肼等。其使用量是0.01～1mol/L，特别优选为0.05～0.5mol/L。
作为络合剂，使用苹果酸、琥珀酸、乳酸、柠檬酸等和其钠盐等的羧酸类，甘氨酸、丙氨酸、亚氨基二乙酸、精氨酸、谷氨酸等的氨基酸类。其使用量是0.01～2mol/L，特别优选0.05～1mol/L。
作为具有S-S硫键的化合物，也可以是有机硫化合物，但优选无机硫化合物，特别优选硫代硫酸盐、连二硫酸盐、连多硫酸盐(例如，在O3S-Sn-SO3中n＝1～4)、连二亚硫酸盐。再有，作为盐，可使用钠盐等水溶性盐。具有上述硫键的化合物的添加量是0.01～100mg/L，特别优选0.05～50mg/L。少于0.01mg/L时不能充分达到上述本发明的目的，多于100mg/L时发生镀层完全不能附着的现象。
还能在该化学镀镍液中添加水溶性铅盐的醋酸铅、硫化合物的亚硫基二乙酸等作为通常的稳定剂。其添加量，优选是0.1～100mg/L。再有，化学镀镍液的pH是4～7，特别优选4～6。
用上述镀浴形成镍膜时，能提高镀镍的析出速度，抑制图形外析出，抑制镀钯的析出速度降低。另外，化学镀镍膜是Ni-P合金膜的场合，膜中的P含量，优选为3～10质量％。离开上述范围时，有焊料接合性和引线接合性降低的可能。
形成的化学镀镍膜的膜厚优选0.1～20μm，特别优选1～15μm。不到0.1μm的场合，有引线接合性降低的可能，超过20μm的场合，有时镀敷时间变长、生产性差、对成本不利。
另一方面，形成的化学镀钯膜，对置换型、还原型(甲酸浴、次磷酸浴、亚磷酸浴等)等镀浴没有特别限制，但优选例如用把含有钯化合物、作为络合剂从氨及胺化合物选择的至少一种、作为还原剂从次磷酸及次磷酸盐中选择的至少一种次磷酸化合物、和从不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐及不饱和羧酸衍生物中选择的至少一种不饱和羧酸化合物作为特征的化学镀钯浴形成的镀敷膜。
这里，作为钯化合物，可以是水溶性的钯化合物的任一种，例如，能使用氯化钯、硫酸钯、醋酸钯、硝酸钯、二氯四氨合钯(テトラアンミンパラジウム
Figure A200810190830D0009090318QIETU
Figure A200810190830D0009090351QIETU
Figure A200810190830D0009090338QIETU
)等。其含有量，作为钯浓度是0.001～0.5mol/L，特别优选0.005～0.1mol/L。太少时镀敷速度降低，太多时有膜物性降低的可能。
作为还原剂，含有从次磷酸及次磷酸盐中选择的至少一种。其含量是0.001～5mol/L，特别优选0.2～2mol/L。太少时析出速度降低，太多时有浴液不稳定的可能。作为次磷酸盐，可举出次磷酸钠、次磷酸铵等。
进一步，作为络合剂，含有从氨及胺化合物中选择的至少一种。其含量是0.001～10mol/L，特别优选0.1～2mol/L。太少时浴液稳定性降低，太多时镀敷速度降低。作为胺化合物，可举出有甲胺、二甲胺、三甲胺、苄胺、亚甲基二胺、乙二胺、四甲撑二胺、二亚乙基三胺、EDTA、EDTA钠、EDTA钾和甘氨酸等，这些可以单独使用一种或二种以上并用。
化学镀钯浴，除了上述成分外，还含有从不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐及不饱和羧酸衍生物选择的至少一种不饱和羧酸化合物，作为不饱和羧酸，具体可举出丙烯酸、丙炔酸、巴豆酸、异巴豆酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、柠康酸、反-2-丁烯-1，4-二羧酸、衣康酸、丁炔酸、乌头酸、粘康酸、山梨酸、惕各酸、当归酸、千里光酸、戊烯二酸、中康酸、油酸、亚油酸、肉桂酸等，另外，作为不饱和羧酸酐及不饱和羧酸盐，可举出有这些不饱和羧酸的酸酐及钠盐、铵盐等的盐。进一步，作为不饱和羧酸衍生物可举出甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸苯酯、丙烯酸异丁酯、丙炔酸甲酯、马来酰肼等，这些不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐或不饱和羧酸衍生物可以单独使用一种或二种以上并用。
特别是作为不饱和羧酸、不饱和羧酸酐、不饱和羧酸盐及不饱和羧酸衍生物，优选丙烯酸、甲基丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸、柠康酸、中康酸及它们的酸酐、盐及衍生物。通过使用这些不饱和羧酸化合物能得到浴液稳定性优良，而且可焊料焊接性及引线接合性等优良的钯膜。
不饱和羧酸化合物的含量优选为0.001～10mol/L，特别优选0.01～0.5mol/L。其量太少时对镀浴的稳定性效果不能充分达到，太多时有镀敷速度降低的倾向。
化学镀钯浴的pH是4～10，特别优选6～8，pH太低时镀浴稳定性降低，pH太高时镀敷敷速度上升，有焊料接合特性及引线接合特性降低的倾向。
形成的化学镀钯膜的膜厚是0.001～1.0μm，特别优选0.01～0.3μm。不到0.001μm的场合，有引线接合性降低的可能，超过1.0μm的场合，有时焊料接合性降低，对成本不利。
在本发明中，通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物的化学镀金浴的第一化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分或全部，
R1-NH-C2H4-NH-R2   (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4   (2)
(式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的。n是1～4的整数)。
本发明的化学镀金浴和现有的置换镀金浴不同，是在同一镀浴中进行置换反应和还原反应两种反应的置换-还原型化学镀金浴。由于镀金浴中含有甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物和具有用上述通式(1)或(2)表示的特有构造的胺化合物，本发明的化学镀金浴在基底金属上用置换反应析出金，同时把该析出的金作为催化剂用还原剂析出金。
基底是钯的场合，钯和金的电位差小。因此，用现有的置换型镀金浴在钯上面进行镀金时，得不到均匀的膜厚度，而且也不能得到充分的膜厚度。与此相对，本发明的化学镀金浴能使钯表面活化，把钯作为催化剂而用还原剂析出金，另外，由于能把析出的金作为催化剂再使金析出，因此即使在钯上面也可以形成厚的镀金膜。因此，在本发明中，只通过上述第一化学镀金，就能以0.15μm以上(1.0μm以下)的膜厚形成化学镀金膜的全部，特别是在把化学镀金膜的表面作为引线接合面时，可以形成合适的0.2μm以上的化学镀金膜，尤其适于在既作为焊料接合面又作为引线接合面时形成合适的0.2～0.3μm膜厚的化学镀金膜的情况。
作为本发明的化学镀金浴中含有的水溶性金化合物，可举出氰化金、氰化金钾、氰化金钠、氰化金铵等的氰化金盐、金的亚硫酸盐、硫代硫酸盐、硫氰酸盐、硫酸盐、硝酸盐、甲磺酸盐、四氨络合物(テトラアンミン錯体)、氯化物、溴化物、碘化物、氢氧化物、氧化物等，但特别优选氰化金盐。
水溶性金化合物的含量，以金为基准，优选是0.0001～1mol/L，更优选0.002～0.03mol/L。不到上述范围时有析出速度降低的可能，超出上述范围时有经济上不利的情况。
作为本发明的化学镀金浴中含有的络合剂，可使用化学镀浴所用的公知络合剂，例如，可举出磷酸、硼酸、柠檬酸、葡糖酸、酒石酸、乳酸、苹果酸、乙二胺、三乙醇胺、乙二胺四乙酸、三乙酸胺、二乙撑三胺五乙酸、羟乙基乙二胺三乙酸、三乙撑四胺六乙酸、1，3-丙二胺四乙酸、1，3-二氨基-2-羟基丙烷四乙酸、羟乙基亚氨基二乙酸、二羟基甘氨酸、乙二醇醚二胺四乙酸、二羧甲基谷氨酸、羟基亚乙基二磷酸、乙二胺四(亚甲基磷酸)、或它们的碱金属(例如，钠、钾)盐、碱土类金属盐、铵盐等。
络合剂浓度优选0.001～1mol/L，更优选0.01～0.5mol/L。不到上述范围时，根据溶出的金属有时析出速度有降低的可能，超出上述范围时，有经济上不利的情况。
在本发明的化学镀金浴中含有甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物。作为该甲醛亚酸氢盐加成化合物，具体可举出甲醛化亚硫酸氢钠、甲醛化亚硫酸氢钾、甲醛化亚硫酸氢铵等。
这些甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物的浓度优选0.0001～0.5mol/L，更优选0.001～0.3mol/L。不到上述范围时有基底镍腐蚀的可能，超出上述范围时有浴液不稳定的可能。
本发明的化学镀金浴含有用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物，
R1-NH-C2H4-NH-R2     (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4     (2)
(式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的。n是1～4的整数)。本发明的甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物，只把甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物作为还原剂不起作用，通过和胺化合物共存，产生还原作用。
这些胺化合物浓度，优选0.001～3mol/L，更优选0.01～1mol/L。不到上述范围时，有析出速度降低的可能，超出上述范围时，有浴液不稳定的可能。
再有，上述甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物和胺化合物含量的摩尔比，优选甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物:胺化合物＝1:30～3:1，特别优选1:10～1:1。甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物比上述范围多时有浴液不稳定的可能，胺化合物比上述范围多时有经济上不利的情况。
本发明的化学镀金浴的pH优选5～10。不到上述范围时有析出速度降低的可能，超出上述范围时有浴液不稳定的可能。作为pH调节剂，可使用在公知的镀浴中使用的氢氧化钠、氢氧化钾、氨、硫酸、磷酸、硼酸等。
另外，本发明的化学镀金浴的使用温度，优选40～90℃。不到上述范围时有析出速度降低的可能，超出上述范围时有浴液不稳定的可能。
通过使用本发明的化学镀金浴，使镀钯膜与化学镀金浴接触，能对镀钯膜表面进行化学镀金处理。在这种场合下，例如，用5～60分钟的接触时间能形成厚度0.01～2μm的镀金膜，例如，能以0.002～0.03μm/分钟的析出速度使镀金膜成膜。
在本发明的化学镀金方法中，只通过上述第一化学镀金，就能以0.15μm以上的膜厚形成化学镀金膜的全部，但地可以通过使用上述第一化学镀金浴的化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分，接着，通过使用和上述化学镀金浴不同的还原型镀金浴的第二化学镀金，形成上述化学镀金膜的剩余部分。这时，作为还原型镀金浴，可使用现有公知的还原型镀金浴，以现有的公知条件实施。
另外，本发明的化学镀金方法不仅适合于以0.15μm以上的膜厚形成化学镀金膜，而且也适合于形成(0.01μm以上)不到0.15μm的化学镀金膜，特别适合于将化学镀金膜表面作为焊料接合面时形成合适的0.01～0.10μm膜厚的化学镀金膜的情况。
本发明的化学镀金方法，例如，适合于镀金处理印刷电路板、陶瓷基板、半导体基板、IC组件等电子部件的布线电路安装部分和端子部分。
实施例
以下，举出实施例和比较例，具体说明本发明，但本发明不限于下列实施例。
[实施例1～5，比较例1～4]
使用表1所示的化学镀镍浴、化学镀钯浴、以及化学镀金浴，以表2所示的条件，用下列方法评价对基板进行各种镀敷形成的镀敷叠层体的引线接合特性和焊料接合性。各膜的膜厚及引线接合特性和焊料接合性的评价结果示于表1。
焊料接合性
使用Dage社制焊接试验仪(ボンドテスタ)SERIES4000，每1条件评价20点。表1示出了破坏方式的焊料断裂率。再有，测定条件如以下所述。通常设定焊料断裂率85％以上为「好」，不到85％为「不好」。
〔测定条件〕
测定方式：拉球测试(ボ—ルプルテスト)
基板：上村工业(株)制BGA基板(试样直径φ0.5mm)
焊料球：千住金属制φ0.6mmSn-3.0Ag-0.5Cu
回流焊装置：タムラ制作所制TMR-15-22LH
回流焊条件：最高260℃
回流焊环境：空气(Air)
回流焊次数：1次及5次
焊剂：千住金属制529D-1(RMA型)
试验速度：5000μm/秒
焊料安装后老化：1小时
引线接合性
用TPT社制半自动焊线机HB16进行引线接合，使用Dage社制焊接试验仪SERIES4000，每1条件评价20点。表1示出了W/B(引线接合)平均强度及变动系数。另外，测定条件如以下所述。通常，对于W/B平均强度，设定8g以上为「好」，不到8g为「不好」，对于CV，设定15％以下为「好」，超过15％为「不好」。
〔测定条件〕
毛细管：B1014-51-18-12(PECO)
引线：1Mil-Gold
载物台温度：150℃
超声波(mW)：250(第1)，250(第2)
接合时间：(毫秒)：200(第1)，50(第2)
拉伸力(gf)：25(第1)，50(第2)
间隔(第1到第2的长度)：0.700mm
测定方式：拉线测试
基板：上村工业(株)制BGA基板
试验速度：170μm/秒
表1
Figure A200810190830D00141
TAM-55：上村工业制置换型化学快速镀金浴
TMX-22：上村工业制还原型化学镀金浴
胺化合物-1：式(1)中R1＝C2H5，R2＝C2H4OH的胺化合物
胺化合物-2：式(1)中R1＝C2H4OH，R2＝C2H4OH的胺化合物
表2

Claims (7)

1.一种化学镀金方法，该方法用于形成镀敷膜叠层体的化学镀金膜，所述镀敷膜叠层体是在作为印刷电路板、陶瓷基板或半导体基板的电子部件的被镀面上通过催化剂形成膜厚0.1～20μm的化学镀镍膜，在该化学镀镍膜上形成膜厚0.001～0.3μm的化学镀钯膜，再在该化学镀钯膜上形成膜厚0.01～1.0μm的化学镀金膜而形成的，其特征在于，
通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物的第一化学镀金浴的第一化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分或全部，
R1-NH-C2H4-NH-R2  (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4    (2)
式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的，n是1～4的整数。
2.根据权利要求1记载的化学镀金方法，其中，
上述化学镀金膜表面为被焊料接合面。
3.根据权利要求1记载的化学镀金方法，其特征是，
仅通过上述第一化学镀金以0.15μm以上的膜厚形成上述化学镀金膜的全部。
4.根据权利要求3记载的化学镀金方法，其中，
上述化学镀金膜表面为被焊料接合面或引线接合面。
5.根据权利要求1记载的化学镀金方法，其特征是，
通过使用上述第一化学镀金浴的化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分，接着，通过使用与上述化学镀金浴不同的还原型镀金浴的第二化学镀金，形成上述化学镀金膜的剩余部分。
6.根据权利要求5记载的化学镀金方法，其中，
上述化学镀金膜表面为被焊料接合面或引线接合面。
7.一种电子部件，其是具有在被镀面上通过催化剂形成膜厚0.1～20μm的化学镀镍膜，在该化学镀镍膜上形成膜厚0.001～0.3μm的化学镀钯膜，再在该化学镀钯膜上形成膜厚0.01～1.0μm的化学镀金膜的镀敷膜叠层体的印刷电路板、陶瓷基板或半导体基板，其特征在于，
通过使用含有水溶性金化合物、络合剂、甲醛和/或甲醛亚硫酸氢盐加成化合物、用下列通式(1)或(2)表示的胺化合物的第一化学镀金浴的第一化学镀金，形成上述化学镀金膜的一部分或全部，
R1-NH-C2H4-NH-R2   (1)
R3-(CH2-NH-C2H4-NH-CH2)n-R4    (2)
式(1)及(2)中，R1、R2、R3及R4表示-OH，-CH3，-CH2OH，-C2H4OH，-CH2N(CH3)2，-CH2NH(CH2OH)，-CH2NH(C2H4OH)，-C2H4NH(CH2OH)，-C2H4NH(C2H4OH)，-CH2N(CH2OH)2，-CH2N(C2H4OH)2，-C2H4N(CH2OH)2或-C2H4N(C2H4OH)2，并且可以是相同的，也可以是不同的，n是1～4的整数。
CN200810190830XA 2007-04-16 2008-04-16 化学镀金方法及电子部件 Active CN101469420B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007107198 2007-04-16
JP2007-107198 2007-04-16
JP2007107198A JP5013077B2 (ja) 2007-04-16 2007-04-16 無電解金めっき方法及び電子部品

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101469420A true CN101469420A (zh) 2009-07-01
CN101469420B CN101469420B (zh) 2012-10-03

Family

ID=39968494

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810190830XA Active CN101469420B (zh) 2007-04-16 2008-04-16 化学镀金方法及电子部件

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8124174B2 (zh)
JP (1) JP5013077B2 (zh)
KR (1) KR101431491B1 (zh)
CN (1) CN101469420B (zh)
TW (1) TWI424085B (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054712A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 北大方正集团有限公司 一种控制线路板表面粗糙度的方法
CN102316668A (zh) * 2010-06-22 2012-01-11 住友电木株式会社 带金属微细图案的基材、印刷布线板和它们的制造方法、以及半导体装置
CN102534584A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 北大方正集团有限公司 沉金药水、沉金方法及电路板
CN102666919A (zh) * 2010-07-20 2012-09-12 日本电镀工程股份有限公司 非电解镀金液和非电解镀金方法
CN102802364A (zh) * 2012-09-11 2012-11-28 岳长来 一种在印刷电路板的导电层中设置金属钯层的方法及其层状结构
TWI498454B (zh) * 2011-12-31 2015-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 鍍覆觸媒及方法
CN105283582A (zh) * 2013-06-13 2016-01-27 东洋钢钣株式会社 镀钯覆盖材料及镀钯覆盖材料的制造方法
CN106540282A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 天津赛德生物制药有限公司 一种钯-103密封籽源源芯的制备方法
CN106917080A (zh) * 2017-03-06 2017-07-04 齐鲁工业大学 Ni‑Au合金纳米管的制备方法
CN110863192A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 深圳顺络电子股份有限公司 一种滤波器电极及其制作方法
CN111809170A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 上村工业株式会社 镀金方法及镀覆膜
CN114164422A (zh) * 2016-05-12 2022-03-11 上村工业株式会社 化学镀金浴的镀覆能力维持管理方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5526458B2 (ja) * 2006-12-06 2014-06-18 上村工業株式会社 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
JP5526459B2 (ja) * 2006-12-06 2014-06-18 上村工業株式会社 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
KR20100009752A (ko) * 2008-07-21 2010-01-29 삼성전자주식회사 자기장을 이용한 무전해 도금 장치 및 방법
KR20110105371A (ko) * 2008-12-05 2011-09-26 오엠지 아메리카스, 인코포레이티드 무전해 팔라듐 도금 용액 및 그 사용방법
JP5737878B2 (ja) * 2010-08-04 2015-06-17 上村工業株式会社 無電解めっき方法及びｌｅｄ実装用基板
US20120061710A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Toscano Lenora M Method for Treating Metal Surfaces
CN102605359A (zh) * 2011-01-25 2012-07-25 台湾上村股份有限公司 化学钯金镀膜结构及其制作方法、铜线或钯铜线接合的钯金镀膜封装结构及其封装工艺
KR101310256B1 (ko) * 2011-06-28 2013-09-23 삼성전기주식회사 인쇄회로기판의 무전해 표면처리 도금층 및 이의 제조방법
KR101224667B1 (ko) * 2011-06-28 2013-01-21 삼성전기주식회사 접속 단자의 와이어 본딩 결합 구조체 및 이의 제조 방법
KR101281949B1 (ko) * 2011-08-09 2013-07-03 성균관대학교산학협력단 기계적 특성의 향상을 위한 ｅｎｅｐｉｇ 표면 처리에서의 최적의 팔라듐 함유량
KR20130055956A (ko) * 2011-11-21 2013-05-29 삼성전기주식회사 무전해 팔라듐 도금액
JP6061369B2 (ja) 2012-01-30 2017-01-18 凸版印刷株式会社 配線基板およびその製造方法、ならびにはんだ付き配線基板の製造方法
JP5946665B2 (ja) * 2012-03-19 2016-07-06 Ｊｘ金属株式会社 ワイヤボンディング用またはＡｕスタッドバンプ用電極
KR20140033700A (ko) * 2012-09-10 2014-03-19 삼성전기주식회사 회로기판 및 이의 제조방법
JP6272673B2 (ja) 2013-10-30 2018-01-31 ローム・アンド・ハース電子材料株式会社 無電解めっき用触媒液
EP3071730A1 (en) * 2013-11-21 2016-09-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Coated wire for bonding applications
JP2015109334A (ja) * 2013-12-04 2015-06-11 株式会社デンソー 半導体装置
EP2887779A1 (en) 2013-12-20 2015-06-24 ATOTECH Deutschland GmbH Silver wire bonding on printed circuit boards and IC-substrates
KR101444687B1 (ko) 2014-08-06 2014-09-26 (주)엠케이켐앤텍 무전해 금도금액
CN105745355B (zh) 2014-08-25 2018-03-30 小岛化学药品株式会社 还原型化学镀金液及使用该镀金液的化学镀金方法
KR101660520B1 (ko) * 2015-04-08 2016-09-29 한국생산기술연구원 구리 및 니켈의 연속 무전해 도금방법 및 이를 이용하여 제조된 도금층
JP6619563B2 (ja) 2015-04-30 2019-12-11 日本高純度化学株式会社 無電解金めっき液、アルデヒド−アミン付加体補給液及びそれらを用いて形成した金皮膜
KR101736300B1 (ko) 2015-08-07 2017-05-17 아트켐 주식회사 무전해 은 도금액 및 이를 이용한 은 도금 방법
CN105132924A (zh) * 2015-09-09 2015-12-09 上海航天测控通信研究所 一种铝硅合金盒体的表面处理方法
EP3144413B1 (en) * 2015-09-21 2018-04-25 ATOTECH Deutschland GmbH Plating bath composition for electroless plating of gold
TWI707061B (zh) * 2015-11-27 2020-10-11 德商德國艾托特克公司 鈀之電鍍浴組合物及無電電鍍方法
JP6901847B2 (ja) * 2016-05-12 2021-07-14 上村工業株式会社 無電解金めっき浴
KR101751373B1 (ko) * 2016-08-31 2017-06-28 두두테크 주식회사 자동차의 스위치용 인쇄회로기판 제조 방법
KR102541103B1 (ko) * 2017-05-18 2023-06-08 니혼 고쥰도가가쿠 가부시키가이샤 무전해 백금 도금액 및 그것을 사용하여 얻어진 백금 피막
US11114399B2 (en) * 2017-12-19 2021-09-07 Jx Nippon Mining & Metals Coproration Semiconductor wafer with void suppression and method for producing same
KR101929957B1 (ko) * 2018-01-04 2018-12-18 두두테크 주식회사 홍채 인식 기능용 카메라 모듈 인쇄회로기판의 제조 방법
KR101929956B1 (ko) * 2018-01-17 2018-12-18 두두테크 주식회사 전기자동차용 히터 인쇄회로기판의 제조 방법
JP6572376B1 (ja) * 2018-11-30 2019-09-11 上村工業株式会社 無電解めっき浴
JP7228411B2 (ja) 2019-03-06 2023-02-24 上村工業株式会社 無電解金めっき浴

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4666610A (en) * 1985-05-28 1987-05-19 Aquascience Research Group, Inc. Method and product for removal of chloramines, chlorine and ammonia from aquaculture water
JP2538461B2 (ja) * 1991-02-22 1996-09-25 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき方法
JP3175527B2 (ja) 1995-03-30 2001-06-11 上村工業株式会社 無電解ニッケルめっき液及びめっき方法
JP3596335B2 (ja) 1995-06-20 2004-12-02 日立化成工業株式会社 ワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板
JP3345529B2 (ja) 1995-06-20 2002-11-18 日立化成工業株式会社 ワイヤボンディング用端子とその製造方法並びにそのワイヤボンディング端子を用いた半導体搭載用基板の製造方法
US5919377A (en) * 1996-10-31 1999-07-06 General Chemical Corporation System for transporting solid materials
JP3565302B2 (ja) 1996-11-18 2004-09-15 日立化成工業株式会社 無電解金めっき方法
JPH10242205A (ja) 1997-03-03 1998-09-11 Hitachi Chem Co Ltd ワイヤボンディング端子とその形成方法
JPH10287994A (ja) * 1997-04-14 1998-10-27 World Metal:Kk ボンディング部のメッキ構造
JP2002118134A (ja) 2000-10-11 2002-04-19 Hitachi Chem Co Ltd 接続端子とその接続端子を用いた半導体パッケージ並びに半導体パッケージの製造方法
JP4599599B2 (ja) * 2001-02-01 2010-12-15 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき液
JP3831842B2 (ja) * 2002-03-25 2006-10-11 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき液
JP2004055624A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Murata Mfg Co Ltd 基板の製造方法
JP3994279B2 (ja) * 2002-10-21 2007-10-17 奥野製薬工業株式会社 無電解金めっき液
WO2004038063A1 (ja) 2002-10-22 2004-05-06 Nihon Koujundo Kagaku Co., Ltd. 置換型無電解金めっき液
JP3928958B2 (ja) 2003-05-02 2007-06-13 木田精工株式会社 溶解槽
CN100510174C (zh) 2003-06-10 2009-07-08 日矿金属株式会社 化学镀金液
CN101151399B (zh) 2005-04-01 2010-12-29 日矿金属株式会社 镀覆基材
JP4674120B2 (ja) * 2005-06-06 2011-04-20 京セラＳｌｃテクノロジー株式会社 配線基板およびその製造方法
JP2007031826A (ja) * 2005-06-23 2007-02-08 Hitachi Chem Co Ltd 接続用端子、およびこれを有する半導体搭載用基板
JP2007009305A (ja) * 2005-07-04 2007-01-18 Japan Pure Chemical Co Ltd 無電解パラジウムめっき液及びそれを用いて形成された３層めっき被膜端子
JP5526458B2 (ja) * 2006-12-06 2014-06-18 上村工業株式会社 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法
JP5526459B2 (ja) * 2006-12-06 2014-06-18 上村工業株式会社 無電解金めっき浴及び無電解金めっき方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102054712A (zh) * 2009-11-05 2011-05-11 北大方正集团有限公司 一种控制线路板表面粗糙度的方法
CN102316668A (zh) * 2010-06-22 2012-01-11 住友电木株式会社 带金属微细图案的基材、印刷布线板和它们的制造方法、以及半导体装置
CN102666919B (zh) * 2010-07-20 2015-04-08 日本电镀工程股份有限公司 非电解镀金液和非电解镀金方法
CN102666919A (zh) * 2010-07-20 2012-09-12 日本电镀工程股份有限公司 非电解镀金液和非电解镀金方法
CN102534584A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 北大方正集团有限公司 沉金药水、沉金方法及电路板
CN102534584B (zh) * 2010-12-29 2015-04-01 北大方正集团有限公司 沉金药水、沉金方法及电路板
TWI498454B (zh) * 2011-12-31 2015-09-01 羅門哈斯電子材料有限公司 鍍覆觸媒及方法
CN102802364A (zh) * 2012-09-11 2012-11-28 岳长来 一种在印刷电路板的导电层中设置金属钯层的方法及其层状结构
CN102802364B (zh) * 2012-09-11 2014-11-05 深圳市和美精艺科技有限公司 一种在印刷电路板的导电层中设置金属钯层的方法及其层状结构
CN105283582A (zh) * 2013-06-13 2016-01-27 东洋钢钣株式会社 镀钯覆盖材料及镀钯覆盖材料的制造方法
US10087528B2 (en) 2013-06-13 2018-10-02 Toyo Kohan Co., Ltd. Palladium plate coated material and method of producing palladium plate coated material
CN106540282A (zh) * 2015-09-16 2017-03-29 天津赛德生物制药有限公司 一种钯-103密封籽源源芯的制备方法
CN106540282B (zh) * 2015-09-16 2019-09-24 天津赛德生物制药有限公司 一种钯-103密封籽源源芯的制备方法
CN114164422A (zh) * 2016-05-12 2022-03-11 上村工业株式会社 化学镀金浴的镀覆能力维持管理方法
CN106917080A (zh) * 2017-03-06 2017-07-04 齐鲁工业大学 Ni‑Au合金纳米管的制备方法
CN106917080B (zh) * 2017-03-06 2019-03-12 齐鲁工业大学 Ni-Au合金纳米管的制备方法
CN111809170A (zh) * 2019-04-10 2020-10-23 上村工业株式会社 镀金方法及镀覆膜
CN111809170B (zh) * 2019-04-10 2024-03-22 上村工业株式会社 镀金方法及镀覆膜
CN110863192A (zh) * 2019-10-30 2020-03-06 深圳顺络电子股份有限公司 一种滤波器电极及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
US8124174B2 (en) 2012-02-28
KR20080093366A (ko) 2008-10-21
KR101431491B1 (ko) 2014-08-20
TW200905013A (en) 2009-02-01
US20080277140A1 (en) 2008-11-13
JP2008266668A (ja) 2008-11-06
TWI424085B (zh) 2014-01-21
JP5013077B2 (ja) 2012-08-29
CN101469420B (zh) 2012-10-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101469420B (zh) 化学镀金方法及电子部件
KR101610780B1 (ko) 접합용 웨이퍼 표면을 위한 응력-감소 니켈-인/팔라듐 스택
KR101393478B1 (ko) 무전해 금도금욕, 무전해 금도금 방법 및 전자 부품
CN109312463B (zh) 皮膜形成方法
CN103774127A (zh) 无电镀钯浴和无电镀钯方法
CN106399983B (zh) 无氰化学镀金浴及化学镀金方法
JP2010261082A (ja) 無電解パラジウムめっき液
CN104105819A (zh) 在挠性基材上无电沉积镍-磷合金的方法
US9416453B2 (en) Electroless gold plating liquid
CN102482781B (zh) 锡和锡合金的无电镀覆方法
JP5288362B2 (ja) 多層めっき皮膜及びプリント配線板
WO2014042829A1 (en) Direct electroless palladium plating on copper
JP2007009305A (ja) 無電解パラジウムめっき液及びそれを用いて形成された３層めっき被膜端子
JP3800213B2 (ja) 無電解ニッケルめっき液
KR20180044923A (ko) 금의 무전해 도금을 위한 도금욕 조성물 및 금 층을 침착시키는 방법
TWI415971B (zh) 無電解金覆層液及無電解金覆層方法
JP5978587B2 (ja) 半導体パッケージ及びその製造方法
CN105051254B (zh) 供无电电镀的铜表面活化的方法
JP2010255010A (ja) 無電解金めっき浴
WO2015091232A1 (en) Silver wire bonding on printed circuit boards and ic-substrates
KR101507452B1 (ko) Pcb 제조를 위한 무전해 니켈-팔라듐-금 도금 방법
Kim Comparison of Deposition Behavior and Properties of Cyanide-free Electroless Au Plating on Various Underlayer Electroless Ni-P films
JP2021175816A (ja) 無電解金めっき浴および無電解金めっき方法
TW202134476A (zh) 無電解電鍍製程及雙層鍍膜

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant