CN101331621A - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN101331621A
CN101331621A CNA2006800472805A CN200680047280A CN101331621A CN 101331621 A CN101331621 A CN 101331621A CN A2006800472805 A CNA2006800472805 A CN A2006800472805A CN 200680047280 A CN200680047280 A CN 200680047280A CN 101331621 A CN101331621 A CN 101331621A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
emitting diode
emitting device
phosphor
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800472805A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101331621B (zh
Inventor
冈朵拉·罗夫
瓦特·涂斯
李贞勋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Publication of CN101331621A publication Critical patent/CN101331621A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101331621B publication Critical patent/CN101331621B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661—Chalcogenides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/661—Chalcogenides
    • C09K11/663—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/77922—Silicates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/30—Driver circuits
    • H05B45/37—Converter circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
    • H05B45/40—Details of LED load circuits
    • H05B45/42—Antiparallel configurations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/49105—Connecting at different heights
    • H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明涉及一种发光装置，该发光装置包括：至少一个发光二极管，发射处于预定波长区的光；铜－碱土金属类无机混晶，由稀土激活，铜－碱土金属类无机混晶包括铜－碱土硅酸盐磷光体，铜－碱土硅酸盐磷光体设置在发光二极管周围，吸收从发光二极管发射的光的一部分，且发射波长与所吸收的光的波长不同的光。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及发光装置，更具体地讲，涉及包括至少一个发光二极管和磷光体的发光装置，该磷光体包含铜并转换从发光二极管产生的光的波长。
背景技术
已用于电子装置的发光二极管(LED)近来用于汽车和照明产品。由于发光装置具有优异的电特性和机械特性，所以对发光装置的需求有望增加。为此，对作为荧光灯和白炽灯的替代品的白色LED的关注在增长。
在LED技术中，提出了各种用于实现白光的方案。通常，实现白色LED的技术是将磷光体置于发光二极管周围，并将来自发光二极管的一次发射的一部分与被磷光体转换波长而得到的二次发射混合。例如，WO 98/05078和WO 98/12757公开了白色发光二极管，该白色发光二极管包括：蓝色发光二极管，能够发射处于450nm-490nm的峰值波长；YAG类材料，吸收来自蓝色发光二极管的光并发射微黄色的光(占大部分)，该微黄色的光可具有与所吸收的光的波长不同的波长。
然而，在这种通常的白色LED中，色温范围窄(在大约6,000K-8,000K之间)，且CRI(显色指数)低(为大约60至75)，使得仅提供冷的青白光(coldbluish white light)。因此，难以制造具有期望的色坐标或色温的白色LED，具体地讲，限制了与可见日光接近的光的实现。
此外，使用湿敏(humidity-sensitive)磷光体的白色LED在水、蒸气或极性溶剂中具有不稳定的发光性质，这种不稳定性会导致白色LED的发光性质发生变化。
通常，用于普通照明的发光装置包括：多个成组的(packed)白色LED，以单独的工艺制造；印刷电路板，白色LED安装在印刷电路板上；保护电路和/或AC/DC逆变器(inverter)，连接到白色LED，其中，LED通过形成在印刷电路板上的电路图案彼此连接。
然而，对于制造根据现有技术的具有上述结构的用于普通照明的发光装置来说，存在这样的问题，即，应对大量元件逐个地进行金属布线工艺，使得工艺步骤的数目增加，且工艺步骤变得复杂。随着工艺步骤数目的增加，不良率(fraction defective)也增加，从而妨碍了规模生产。此外，会存在这样的情况，即，金属布线由于某一震动而变为开路，使得发光元件的操作停止。此外，存在这样的缺点，即，由发光元件的各封装的串联排布占据的空间扩大，使得用于普通照明的发光装置的尺寸很大程度地变大。
发明公开
技术问题
本发明的一个目的在于提供一种转换波长的发光装置，该发光装置具有大约2,000K至8,000K或大约2,000K至10,000K的高色温范围以及大于90的CRI。
本发明的另一目的在于提供一种转换波长的发光装置，该发光装置可以易于提供期望的色坐标或色温。
本发明的又一目的在于提供一种发光装置，该发光装置具有提高的发光特性，还具有相对于水、湿气以及其它极性溶剂的提高的稳定性。
本发明的又一目的在于提供一种发光装置，该发光装置不但能够应用于诸如家用电器、立体声、电信产品的电子装置上，而且能够用于各种类型的显示器、汽车、诊疗器械、测量器械和照明产品上。
本发明的又一目的在于提供一种发光装置，该发光装置通过将多个发光单元以晶片级串联连接采用家用AC电源发射白光。
技术方案
提供了一种发光装置，该发光装置包括：至少一个发光二极管，能够产生处于预定波长区的光；磷光体，包括化合物，所述化合物包含铜-碱土金属类无机混晶，并被稀土激活，所述磷光体位于发光二极管周围，以吸收从发光二极管发射的光的一部分，并发射波长与所吸收的光的波长不同的光。
被稀土激活的化合物包含具有式1的富有铜-碱土的混合硅酸盐：
(式1)
a(M′O)b(M″O)c(M″′X)d(M″′2O)e(M″″2O3)f(M″″′oOp)g(SiO2)h(M″″″xOy)
其中，
M′是Cu；
M″是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″′是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″″是由B、Al、Ga和In组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″′是由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″是由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的组中的至少一种或多种元素；
X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0＜b≤8；
0≤c≤4；
0≤d≤2；
0≤e≤2；
0≤f≤2；
0≤g≤10；
0＜h≤5；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；
1≤y≤5。
被稀土激活的化合物包含具有式2的富有铜-碱土的混晶锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐：
(式2)
a(M′O)b(M″2O)c(M″X)d(GeO2)e(M″′O)f(M″″2O3)g(M″″′oOp)h(M″″″xOy)
其中，
M′是Cu；
M″是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″′是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″″是由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La组成的组中的至少一种或多种三价元素；
M″″′′是由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta、W、Mo和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″是由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb组成的组中的至少一种或多种元素；
X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤10；
0＜d≤10；
0≤e≤14；
0≤f≤14；
0≤g≤10；
0≤h≤2；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；
1≤y≤5。
富有铜-碱土的混晶中的锶的浓度优选地小于0.4摩尔每摩尔磷光体。
所述化合物转换一种或多种处于300nm-400nm范围内的紫外辐射和/或处于380nm-500nm范围内的蓝色辐射，以产生处于光谱的可见区的高显色指数Ra大于90的光。所述化合物在LED中用作单一磷光体和/或多种单一磷光体的混合物，以用于实现显色指数Ra大于90的白光。所述磷光体设置在侧表面、顶表面或底表面中的一个表面上，或者与膏或密封材料混合。
本发明的特征在于将发光二极管和磷光体组合在封装中。为此，所述封装具有安装在形成有反射器的基底上的至少一个发光二极管，且磷光体布置在发光二极管周围。用密封材料来密封基底上的发光二极管和磷光体。磷光体均匀地分布在密封材料内。
所述封装包括用于散发由发光二极管产生的热的散热器，且磷光体布置在发光二极管周围，所述封装可适用于高功率。
发光二极管具有垂直结构、水平结构和倒装芯片结构，且发光二极管包括在单个基底上彼此串联连接或并联连接的多个发光单元。此时，发光单元为垂直型、水平型和倒装型，且还包括整流桥单元，其中整流桥单元用于向彼此串联连接的发光单元施加整流功率。具有串联连接的多个发光单元的发光单元块可在基底上反向并联连接。
有益的效果
提供了根据本发明的包含铜的磷光体，该磷光体具有提高的发光特性还具有相对于水、湿气和其它极性溶剂的提高的稳定性。
此外，发光装置内的磷光体与另一磷光体混合，以具有大约2,000K至8,000K或大约2,000K至10,000K的高相关色温范围以及达到大于90的CRI。
此外，在本发明中，可以提供期望的色温或特定的色坐标。
通过利用如上所述的磷光体，该发光装置不但能够应用于移动电话、笔记本电脑和诸如立体声和电信产品的电子装置上，而且能够应用于常见的显示器的键盘和背光应用。此外，该发光装置可应用于汽车、诊疗器械、测量器械和照明产品。
附图简要说明
图1示出了根据本发明的芯片型封装的发光装置的一部分的说明性实施例的侧剖视图；
图2示出了根据本发明的顶部型封装的发光装置的一部分的第二说明性实施例的侧剖视图；
图3示出了根据本发明的灯型封装的发光装置的一部分的第三说明性实施例的侧剖视图；
图4和图5示出了根据本发明的用于高功率的发光装置的一部分的第四说明性实施例的示意性剖视图；
图6是示出了根据本发明第一变形的水平发光二极管的剖视图；
图7是示出了根据本发明第二变形的垂直发光二极管的剖视图；
图8是示出了根据本发明第三变形的倒装型发光二极管的剖视图；
图9和图10是示出了根据本发明第四变形的AC可操作的水平发光二极管的剖视图；
图11至图13是示出了根据本发明第五变形的AC可操作的垂直发光二极管的剖视图；
图14和图15是示出了根据本发明第六变形的AC可操作的倒装型发光二极管的剖视图；
图16至图19是示出了在AC可操作的发光二极管内存在的发光单元的电连接关系的概念图。
实施本发明的最佳方式
在下文中，将参照附图详细地描述本发明的优选的实施例。然而，本发明并不局限于所述实施例，而是可以以不同的形式来实施。提供这些实施例仅为了示出的目的并且为了使本领域技术人员充分理解本发明的范围。在整个附图中，相同的标号表示相同的组件。
图1示出了根据本发明的芯片型封装的发光装置的一部分的说明性实施例的侧剖视图。
芯片型封装的发光装置可包括至少一个发光二极管和磷光物质。电极图案5可形成在基底1的两侧上。发射一次光的发光二极管6可安装在电极图案5中的一个电极图案上。发光二极管6可通过导电膏9安装在该电极图案5上。发光二极管6的电极可经由导电布线2连接到另一侧的电极图案5。
发光二极管可发射波长范围宽的光，例如，从紫外光到可见光。在根据本发明的一个实施例中，可使用UV发光二极管和/或蓝色发光二极管。将详细地描述发光二极管。
磷光体3(即，磷光物质)可置于发光二极管6的顶表面和侧表面上。磷光体3将来自于发光二极管6的一次光的波长转换为另一波长或其它波长。在根据本发明的一个实施例中，所述光在转换之后处于可见光范围。在将磷光体3与硬化树脂(例如环氧树脂或硅树脂)混合之后，可将磷光体3涂覆到发光二极管6。在将磷光体3与导电膏9混合之后，也可将包含磷光体3的硬化树脂涂覆到发光二极管6的底部。
可用硬化树脂来密封安装在基底1上的发光二极管6。磷光体3可以以预定的厚度置于发光二极管6的顶表面和侧表面上。在制造过程中，磷光体3也可分布在硬化的模部分中。在第6,482,664号美国专利中描述了该制造方法，该专利通过引用被完全包含于此。
同时，磷光体3可包含掺杂铜的化合物。下面将详细地描述该化合物和包含该化合物的磷光体。磷光体3优选地包含稀土成分，并选择性地与单一化合物或多种单一化合物混合。该单一化合物可具有例如从大约440nm至大约500nm、从大约500nm至大约590nm或从大约580nm至700nm的发射峰。磷光体3可包括可具有如上所例举的发射峰的一种或多种单一磷光体。
对于芯片型发光装置40来说，通过电极图案5将外部功率提供到发光二极管6。因此，当发光二极管6从电源接收功率时，发光二极管可以发射一次光。然后，一次光可激发磷光体3，磷光体3可将一次光转换为波长更长的光(二次光)。来自发光二极管6的一次光和来自磷光体3的二次光漫射并混合在一起，使得可从芯片型发光装置发射处于可见光谱的预定颜色的光。在根据本发明的一个实施例中，具有不同的发射峰的多于一个的发光二极管可安装在一起。此外，如果对磷光体的混合比进行适当调整，那么可提供特定的色坐标。
如上所述，如果对发光二极管6和包含在磷光体3中的化合物进行适当控制，那么可提供期望的色温或特定的色坐标，尤其可提供宽范围的色温(例如，从大约2,000K至大约8,000K或从大约2,000K至大约10,000K)和/或大于大约90的显色指数。因此，根据本发明的发光装置可用于诸如家用电器、立体声、电信装置的电子装置，并可用于国内/国外常见的显示器。因为根据本发明的发光装置提供了与可见光的色温和CRI类似的色温和CRI，所以根据本发明的发光装置也可用于汽车和照明产品。
图2示出了根据本发明的顶部型封装的发光装置的一部分的第二说明性实施例的侧剖视图。
根据本发明的顶部型封装的发光装置50可具有与图1的芯片型封装的发光装置40(参见图1中的标号40)的结构类似的结构。顶部型封装的发光装置可具有反射器31，其中，反射器31可将来自发光二极管6的光反射至期望的方向。
该实施例利用了具有被稀土激活的包含铜-碱土金属类混晶化合物的化合物的磷光体3。下面将详细说明磷光体3。
在顶部型封装的发光装置50中，可安装多于一个的发光二极管。该发光二极管中的每个可具有彼此不同的峰值波长。磷光体3可包含具有不同发射峰的多种单一化合物。可调整该多种化合物中的每种的比例。该磷光体可被应用于发光二极管和/或均匀地分布在反射器31的硬化树脂模部分10中。
在根据本发明的一个实施例中，图1或图2的发光装置可包括金属基底1，金属基底1可具有良好的导热性。该发光装置可易于散发来自发光二极管的热。因此，可制造用于高功率的发光装置。如果在金属基底下面设置辐射器(未示出)，那么可更有效地散发来自发光二极管的热。
图3示出了根据本发明的灯型封装的发光装置的一部分的第三说明性实施例的侧剖视图。
灯型发光装置60可具有一对引线51、52，二极管支架53可形成在一条引线的末端。二极管支架53可具有杯形状，至少一个发光二极管6可安装在二极管支架53内。当在二极管支架53中设置大量发光二极管时，每个发光二极管可具有彼此不同的峰值波长。发光二极管6的电极可通过例如导电布线2连接到引线52。
可在二极管支架53中设置体积规则的磷光体3，其中，磷光体3可以混合在环氧树脂54中。如在下面更充分地进行说明的是，磷光体3可包含被稀土元素激活的铜-碱土金属类成分。
将在下面详细地说明磷光体3。
此外，二极管支架53可包括发光二极管6，可用硬化材料(诸如环氧树脂或硅树脂)来密封磷光体3。
在根据本发明的一个实施例中，灯型封装的发光装置60可具有多于一对的电极对引线。
图4和图5示出了根据本发明的用于高功率的发光装置的一部分的第四说明性实施例的示意性剖视图。
散热器71可设置在用于高功率的发光装置70的壳体73内，且散热器71可局部地暴露到外部。一对引线框架74可从壳体73突出。至少一个发光二极管可安装在散热器71上，发光二极管6的电极和另一引线框架74可通过导电布线连接。磷光体3可置于发光二极管6的顶表面和侧表面上。
图5示出了根据本发明的用于高功率的发光装置80的一部分的另一说明性实施例的侧剖视图。用于高功率的发光装置80可具有壳体63，壳体63可包含发光二极管6、7、布置在发光二极管6、7的顶表面和侧表面上的磷光体3、一个或多个散热器61、62以及一个或多个引线框架64。引线框架64可从电源接收功率，并可从壳体63突出。
在图4和图5中的用于高功率的发光装置70、80中，可将磷光体3添加到可设置在散热器61、62与发光二极管6、7之间的膏中。透镜可以与壳体63、73结合。
在根据本发明的用于高功率的发光装置70、80中，可选择性地使用一个或多个发光二极管6、7，并可基于发光二极管调节磷光体。如在下面更充分地进行说明的，磷光体可包含稀土和掺杂有铜的成分。
根据本发明的用于高功率的发光装置可具有辐射器(未示出)和/或散热器61、62。当通过接收高功率来操作发光二极管时，该发光装置可易于散发来自于发光二极管6、7的热。可在强制循环系统中使用空气或风扇来冷却辐射器。
根据本发明的发光装置并不局限于上述结构，可基于发光二极管、磷光体、光的波长以及应用的特性来改变所述结构。此外，可向所述结构中添加新的部件。
将在下面详细地说明如上述构造的根据本发明实施例的发光元件。
图6是示出了根据本发明的发光二极管的一部分的第一变形示例的侧剖视图。
参照图6，发光二极管包括：基底110；顺序地层叠在基底110上的缓冲层120、N型半导体层130、有源层140和P型半导体层150；N型键合焊盘180，形成在N型半导体层130的暴露区域上，其中，通过去除P型半导体层150和有源层140的一部分来暴露所述N型半导体层130的暴露区域；欧姆接触层160，形成在P型半导体层150上；P型键合焊盘170，形成在欧姆接触层上。
优选地，基底110根据形成在基底顶部上的半导体层的特性由Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl2O3、BN、AlN和GaN中的任意一种制成。该实施例使用蓝宝石基底110来用于晶体生长。
缓冲层120是用于减少在晶体生长时基底110与后续的层之间的晶格失配的层，且缓冲层120包含半导体材料GaN。缓冲层120基于基底110的材料可具有绝缘层、半绝缘层和导电层。N型半导体层130是产生电子的层，且N型半导体层130由N型化合物半导体层和N型包层构成。此时，掺杂有N型杂质的GaN用于N型化合物半导体层。P型半导体层150是产生空穴的层，且P型半导体层150由P型包层和P型化合物半导体层构成。此时，掺杂有P型杂质的AlGaN用于P型化合物半导体层。
有源层140是形成预定带隙和量子阱使得电子与空穴复合的区域。有源层140包含InGaN。此外，由电子与空穴的复合所产生的发射光的波长根据构成有源层140的材料的类型而变化。因此，优选地，基于目标波长对有源层140中所包含的半导体材料进行控制。
N型键合焊盘180和P型键合焊盘170是用于将发光二极管6电连接到外部导线(参见图1中的标号2)的金属焊盘，N型键合焊盘180和P型键合焊盘170可形成为具有层叠的Ti/Au的结构。此外，如前所述的欧姆接触层160起到将通过P型键合焊盘170输入的电压均匀地传输到P型半导体层150的作用。透明电极ITO用作欧姆接触层160。
下面将简要描述如前所述的水平发光二极管的制造方法。
通过晶体生长的方式，在蓝宝石基底110上顺序地形成缓冲层120、N型半导体层130、有源层140和P型半导体层150。还可在P型半导体层150上形成欧姆接触层160。通过用于沉积如前所述的材料的各种沉积和外延方法来形成各层，其中，所述方法包括MOCVD(金属有机化学气相沉积)、MBE(分子束外延)、HVPE(氢化物气相外延)等。
接下来，实施利用掩模的照相蚀刻工艺，使得N型半导体层130的一部分形成开口。换言之，利用该掩模作为蚀刻掩模，通过蚀刻工艺局部地去除P型半导体层150、有源层140和N型半导体层130，以暴露N型半导体层130的一部分。
在去除掩模之后，N型键合焊盘180形成在N型半导体层130的暴露部分上，P型键合焊盘170形成在P型半导体层150的欧姆接触层160上。因此，可制造在其水平表面上具有N型键合焊盘180和P型键合焊盘170的水平发光二极管。
下面将描述垂直发光二极管。下面将省略与如前所述的水平发光二极管的描述重复的描述。
图7示出了根据本发明的垂直发光装置的一部分的第二变形示例的侧剖视图。
参照图7，在垂直发光二极管中，P型焊盘170、欧姆接触层160、P型半导体层150、有源层140和N型半导体层130、N型焊盘180在结构上顺序地层叠。换句话说，与前述的水平发光二极管相比，P型焊盘170和N型焊盘180分别形成在发光二极管的下部和上部上。
通过垂直发光二极管的制造工艺，在基底110上形成缓冲层120、N型半导体层130、有源层140、P型半导体层150、欧姆接触层160和P型焊盘170。然后，将主基底(host substrate)(未示出)结合到P型焊盘170，然后，去除N型半导体层130下方的基底和缓冲层120，从而暴露N型半导体层130。在N型半导体层130的暴露的部分上形成N型焊盘180，可以制造垂直发光二极管。
下面，将给出倒装芯片型发光二极管的描述。在下面的描述中，省略了已经在上面说明过的部件。
图8是示出了根据本发明第三变形的倒装芯片型发光二极管的剖视图。
如图8中所示，倒装芯片型发光二极管包括：子安装(sub-mount)基底200，在子安装基底200上具有第一外部焊盘210和第二外部焊盘220；水平发光二极管，其中，欧姆接触层160和N型半导体层130经过第一金属凸点190和第二金属凸点195分别连接到第一外部焊盘210和第二外部焊盘220。倒装芯片型发光二极管的光发射的方向与垂直发光二极管的光发射的方向相反。子安装基底200可以由高反射材料制成，从而可以将辐射到基底的光全部反射。
下面描述的是具有多个水平、垂直或倒装芯片型发光单元的发光元件，其中，多个水平、垂直或倒装芯片型发光单元按晶片级彼此串联或并联连接，从而即使使用AC电源也可以操作发光元件。首先是水平发光元件，所述水平发光元件没有被分开成单个单元，而是按晶片级连接成单位单元，从而可以使用AC电源来操作所述水平发光元件。在下面的描述中，省略了上面说明过的部件。
图9和图10是根据本发明的水平AC驱动发光二极管的一部分的第四变形示例的侧剖视图。
参照图9和图10，本发明的水平AC驱动发光二极管具有彼此串联连接的多个水平发光单元100-1至100-n。即，发光二极管包括多个水平发光单元100，其中，相邻的水平发光单元100-1至100-n的N型半导体层130和P型半导体层150电连接，N型焊盘180形成在位于发光元件的一端的发光单元100-n的N型半导体层130上，P型焊盘170形成在位于所述发光元件的另一端的发光单元100-1的P型半导体层150上。
相邻的水平发光单元100-1至100-n的N型半导体层130和P型半导体层150使用预定的金属布线101彼此电连接。此外，在本发明中，有效的是，多个水平发光单元100-1至100-n可以串联连接，以通过提供的AC电压来驱动。在本变形示例中，根据用于驱动单个发光单元100的电压/电流和用于照明的施加到发光二极管的AC驱动电压，串联或并联连接的发光单元100的数量可以极大地变化。优选地，10个至1000个单元串联连接，更优选地，有效的是，30个至70个单元串联连接。例如，在使用220V的AC电压进行驱动时，通过串联连接66个或67个单位发光单元100来制造发光二极管，其中，使用3.3V的电压以特定的电流来操作单位发光单元100中的每个。此外，在使用110V的AC电压进行驱动时，通过串联连接33个或34个单位发光单元100来制造发光二极管，其中，使用3.3V的电压以特定的电流来操作单位发光发光单元100中的每个。
如图9和图10中所示，在具有串联连接的第一发光单元100-1至第n发光单元100-n的发光二极管中，P型焊盘170形成在第一发光单元100-1的P型半导体层150上，第一发光单元100-1的N型半导体层130和第二发光单元100-2的P型半导体层150通过第一布线101-1连接。此外，第二发光单元100-2的N型半导体层130和第三发光单元(未示出)的P型半导体层通过第二布线101-2连接。第(n-2)发光单元(未示出)的N型半导体层(未示出)和第(n-1)发光单元100-n-1的P型半导体层150通过第(n-2)布线101-n-2连接，第(n-1)发光单元100-n-1的N型半导体层130和第n发光单元100-n的P型半导体层150通过第(n-1)布线101-n-1连接。此外，N型焊盘180形成在第n发光单元100-n的N型半导体层150上。此时，作为金属电极的焊盘形成在各个半导体层上，使得这些焊盘通过布线连接。
本变形示例中的基底110可以为可以在其上制造多个发光二极管的基底。因此，如图9和图10所示的由“A”指定的区域称为切分区(cutting zone)，用于分开地切分多个二极管。
此外，在前述的发光二极管中，用于对外部AC电压进行整流的第一至第四二极管(未示出)可以形成在同一基底上。第一至第四二极管以整流桥的形式布置。在第一至第四二极管中的整流节点可以连接到彼此串联连接的各个发光单元100的N型焊盘或P型焊盘。第一至第四二极管可以被用于发光单元。
下面，将简要地描述制造具有前述的串联连接的多个发光单元的发光二极管的方法。
通过在基底110上的晶体生长，顺序形成缓冲层120、N型半导体层130、有源层140和P型半导体层150。还可以在P型半导体层150上形成欧姆接触层160。
通过预定的图案化工艺，N型半导体层130的一部分被开口并使每个发光单元100绝缘。在图案化工艺中，在整个结构上涂覆光致抗蚀剂，形成具有预定开口区域的光致抗蚀剂掩模(未示出)。所述预定的区域指发光单元100之间的区域和与N型半导体层130的待开口的部分对应的区域。利用光致抗蚀剂掩模来执行蚀刻工艺。蚀刻P型半导体层150、有源层140和N型半导体层130的一部分，使得N型半导体层130的一部分可被开口。通过连续地执行蚀刻工艺，使每个发光单元100绝缘。
另外，通过执行多次图案化工艺，N型半导体层130的一部分可以被开口，使每个发光单元100绝缘。即，如图9中所示，通过部分地蚀刻P型半导体层150、有源层140、N型半导体层130来暴露N型半导体层130的一部分，通过附加工艺蚀刻P型半导体层150、有源层140、N型半导体层130和缓冲层120，使发光单元100中的每个电绝缘。此外，如图10中所示，当缓冲层120由绝缘层制成时，可以通过仅下至N型半导体层130执行蚀刻使发光单元100中的每个电绝缘。在图案化工艺中使用的蚀刻工艺可以为湿蚀刻工艺或干蚀刻工艺。在该实施例中，有效的是，利用等离子体来执行干蚀刻工艺。
通过使用与前述的制造工艺相同的工艺，可以一起形成用于整流桥的二极管。将明显的是，可以通过典型的半导体制造工艺来形成用于整流桥的二极管。
然后，通过诸如桥工艺或阶梯覆盖的预定的工艺来形成用于电连接相邻的发光单元100-1至100-n的N型半导体层130和P型半导体层150的导电布线101-1至101-n。导电布线101-1至101-n由掺杂有金属或杂质的硅树脂化合物和导电材料形成。
前述的桥工艺也被称作空气桥工艺。空气桥工艺，即，将光致抗蚀剂溶液涂覆在将彼此连接的发光单元之间，使用光学工艺，使作为置于半导体层上的金属电极的焊盘的区域的一部分被开口的光致抗蚀剂图案显影，首先通过诸如使用诸如金属的材料的真空气相沉积的方法在其上形成薄膜，通过诸如镀或金属气相沉积的方法在其上以预定的厚度再次涂覆包括金(Au)的导电材料。然后，当通过诸如溶剂的溶液来去除光致抗蚀剂图案时，去除在导电材料下方的所有部件，仅在空间中形成桥形式的导电材料。
此外，阶梯覆盖工艺为在发光单元之间的彼此电连接。阶梯覆盖工艺，即，将光致抗蚀剂溶液涂覆在将彼此连接的发光单元之间，使用光学工艺，使作为置于半导体层上的金属电极的焊盘的区域的一部分被开口的光致抗蚀剂图案被显影，通过诸如镀或金属气相沉积的方法，在其上以预定的厚度再次涂覆包括金(Au)的导电材料。
本发明的前述的制造发光二极管的方法仅为一个具体的实施例，并不局限于此。可以根据二极管的特性和工艺的方便来修改或添加各种工艺和制造方法。
下面，说明AC可操作的垂直发光装置。在下面的说明中，省略了上面说明过的部件。
参照图11至图13，以剖视图示出了根据本发明第五变形的AC可操作的垂直发光二极管。
如图11至图13中所示，AC可操作的垂直发光二极管包括：安装基底310，在安装基底310上将多个导电接触层320图案化；多个发光单元300，其中，P型结合焊盘170形成在各个导电接触层上；导电布线301，用于将导电接触层与垂直发光单元连接。
通过AC可操作的垂直发光二极管的制造工艺，参照图11，垂直发光单元300的P型焊盘170结合到安装基底310的导电接触层320。
形成在安装基底310上的导电接触层320可以以用于串联连接发光单元300的各种阵列来布置。将显然的是，导电接触层320形成得与期望的发光单元300的数量一样多，导电接触层320沿一个方向的宽度形成得宽于发光单元300中的每个的宽度。此外，每个导电接触层320被电学地和物性地分开。
此时，在该变形示例中，由于导电接触层320形成在安装基底310上，所以在安装基底310上的导电接触层320可以被用作P型焊盘170，而不用在发光单元300上形成P型焊盘170。此外，在该变形示例中，虽然P型焊盘170结合到安装基底310，但是N型焊盘180可以结合到安装基底310。此时，可以不形成N型焊盘180。
这里，导电膏被用来将发光单元300的P型焊盘170结合到在安装基底310上的导电接触层320。将明显的是，可以使用其它的各种结合方法来将它们结合。此时，如图11中所示，发光单元300对准导电接触层320的一侧，从而暴露导电接触层320的另一侧的一部分。
然后，与发光单元300的P型结合焊盘结合的导电接触层320利用导电布线301电连接到相邻的发光单元300的N型焊盘180。因此，发光单元300的N型焊盘180通过导电接触层320和导电布线301连接到一个发光单元300的P型焊盘170，使得多个发光单元300串联连接。
参照图12，示出了根据本发明的变形的制造AC可操作的垂直发光二极管的方法，但不限于此。
多个垂直发光单元300结合到安装基底310，其中，多个垂直发光单元300中的每个具有形成在N型半导体层130和P型半导体层150之间的有源层140和分别形成在N型半导体层130和P型半导体层150上的结合焊盘180和170。
由Al2O3、SiC、ZnO、Si、GaAs、GaP、LiAl2O3、BN、AlN和GaN中的至少一种制成的基底、由树脂、塑料等制成的绝缘基底或具有优良导热性的基底可以被用作安装基底310。如果使用导电基底，则使用其上形成有绝缘层的基底。
然后，发光单元300使用预定的膏(未示出)结合到安装基底310。此时，发光单元300的P型焊盘170结合到安装基底310。将明显的是，二者都可以使用各种结合方法来结合。在该变形示例中，虽然P型焊盘170结合到安装基底310，但是N型焊盘180可以结合到安装基底310。
然后，通过预定的蚀刻工艺部分地蚀刻N型焊盘180、N型半导体层130、有源层140和P型半导体层150，从而可以暴露P型焊盘170的一部分。这实现了一种构造，即，在发光单元300的下部暴露P型焊盘170的一部分，如图12中所示。通过预定的布线形成工艺来连接相邻的发光单元300的电极。即，通过导电布线301连接一个发光单元300的P型焊盘170的暴露部分和与其相邻的另一发光单元300的N型焊盘180。此时，通过诸如桥工艺或阶梯覆盖的预定工艺来形成用于电连接相邻的发光单元300的N型焊盘180和P型焊盘170的导电布线301。
附加外部端电极(未示出)形成在位于本变形示例的发光二极管的一端处的发光单元300的P型焊盘170和位于该变形示例的发光二极管的另一端处的发光单元300的N型焊盘180中的每个上，从而可以从外部输入预定的功率。
参照图13，示出了根据本发明的用于制造AC可操作的垂直发光二极管的方法。
如在前面的变形示例中的描述，垂直发光单元300结合到安装基底310，然后，通过预定的蚀刻工艺来暴露P型焊盘170的一部分。
然后，用于防止与后续的布线发生短路的预定的绝缘膜302形成在安装基底310上并在P型焊盘170的暴露部分和与其相邻的发光单元300之间。然后，使用预定的金属布线工艺通过导电布线301连接相邻的发光单元300的电极。可以通过印刷工艺或通过预定的气相沉积、图案化和蚀刻工艺来形成这样的绝缘膜302和导电布线301。
发光二极管的制造不限于前述的工艺。在不执行对于发光单元的蚀刻工艺的情况下，可以在基底上形成宽度宽于发光单元的宽度的电极图案，然后，发光单元可以结合到电极图案。在该变形示例中，虽然P型焊盘结合到基底，但是N型焊盘可以结合到基底。
前述的变形示例不限于它们本身，而是可以在它们之间进行变换。换句话说，还可以添加多个半导体层以形成半导体层。为了将相邻的发光单元彼此连接，通过形成附加绝缘膜来使相邻的发光单元电绝缘，然后，暴露每个电极，从而使用预定的布线来连接相邻的发光单元。
下面，说明AC可操作的倒装芯片型发光二极管，在下面的描述中，省略了上面已经描述过的部件。
图14和图15是示出了根据本发明的第六变形的AC可操作的倒装芯片型发光二极管的剖视图。
如图14和图15中所示，AC可操作的倒装芯片发光二极管具有在晶片110上排列的多个发光单元。第一金属凸点190形成在水平发光单元中的每个的欧姆接触层160上，同时第二金属凸点195形成在N型半导体层上。
晶片110安装在下方的子安装基底400的上方，其中，水平发光单元排列在晶片110上。
子安装基底400覆盖有介电膜410，多条导电线430形成在介电膜410上，第一结合布线440和第二结合布线450设置在对应的相对端。
子安装基底400可以由各种导电并导热的材料制成，例如由诸如SiC、Si、Ge、SiGe、AlN等的金属制成。对于介电膜410，可以由允许电流以1□或更小的级别流动的介电材料制成。可选择地，可以使用不允许电流流动的绝缘材料。介电膜410可以以多层结构形成。在该实施例中，介电膜410由从由SiO2、MgO、SiN和它们的组合组成的组中选择的一种制成。
下面，是用于具有上述倒装芯片结构的发光二极管的子安装基底的制造方法。
首先，将子安装基底400图案化，以在子安装基底400上形成压花形状，如图14中所示。在压花表面上形成介电膜410。当用于子安装基底400的材料不导电时，可以不形成介电膜410。在该实施例中，子安装基底由导电性优良的金属材料制成，以改善其导热性。因此，设置介电膜410以起到良绝缘体的作用。
然后，将导电布线430图案化以连接与介电膜410相邻的发光单元的第一金属凸点190和第二金属凸点195。在该连接中，可以在预定的掩模图案的帮助下使用丝网印刷方法或气相沉积工艺来形成导电布线430。然后，发光单元结合到子安装基底400上以构成发光二极管。
可选择地，如图15中所示，可以在其表面没有被压花而是平坦的子安装基底400上形成导电布线430，之后将发光单元结合到子安装基底400上，以构成发光二极管。
如上所述，AC可操作的发光二极管可以串联或并联连接到其它的AC可操作的发光二极管，并且AC可操作的发光二极管中可以具有整流电路。
下面，将参照附图来说明存在于AC可操作的发光二极管内部的发光单元的电连接关系。
图16至图19是示出了AC可操作的发光二极管内部的发光单元的电连接的概念图。
在发光二极管6中，如图16中所示，多个发光单元100、300串联连接，在其相对的端处分别提供有第一外部连接焊盘510和第二外部连接焊盘520。如上所述，具有水平、垂直或倒装芯片结构的发光单元可以在晶片上串联连接。当将大约60Hz的AC电压施加到发光二极管时，正电压(+)允许串联的发光单元100、300发光，而负电压(-)不允许发光。然而，电压以预定Hz的频率从正至负或从负至正连续地改变，使得肉眼感觉到的是连续发光。
参照图17，至少两个发光单元块1000a和1000b在第一外部连接焊盘510和第二外部连接焊盘520之间彼此反向并联地连接，其中，至少两个发光单元块1000a和1000b中的每个具有多个串联连接的发光单元100和300。发光单元块的数量多于两个。从而，优选的是，第一单元块1000a和第二单元块1000b内的发光单元100和300的各自的数量相同，以将发光二极管6的亮度变化最小化。
下面将说明如上构造的根据本发明的发光元件的操作。如果将正(+)电压施加到第一外部连接焊盘510并将负(-)电压施加到第二外部连接焊盘520，则第二发光单元块1000b发光。同时，如果将负(-)电压施加到第一外部连接焊盘510并将正(+)电压施加到第二外部连接焊盘520，则第一发光单元块1000a发光。换句话说，由于即使将外部AC电源施加到发光二极管，第一发光单元块1000a和第二发光单元块1000b也交替地发光，所以即使使用AC电源也能够使用发光二极管。
另外，能够制造包括用于特定整流操作的附加桥单元的发光二极管。
参照图18和图19，该实施例的发光二极管包括串联连接的多个发光单元100和300、用于将预定电流施加到发光单元100和300的整流桥单元530以及连接到整流桥单元530的第一外部连接焊盘510和第二外部连接焊盘520。
在该实施例中，多个发光单元100和300不是直接电连接到外部电源，而是通过连接到第一外部连接焊盘510和第二外部连接焊盘520的整流桥单元530来电连接到外部电源。整流桥单元530包括通过桥连接的第一至第四二极管D1、D2、D3和D4。因此，在整流桥单元530中，当施加正电压时，电流通过沿正向方向布置的桥二极管D1和D3被施加到串联连接的发光单元100和300，而当施加负电压时，电流通过沿反向方向布置的桥二极管D2和D4被施加到串联连接的发光单元100和300。因此，发光单元连续地发光，而不管电源是否为AC电源。
整流桥单元530可以设置在串联的多个发光单元100、300外部，如图18中所示。可选择地，可以在整流桥单元530的内部构造串联的多个发光单元100、300，如图19中所示。
此外，可以添加各种功能电路二极管。例如，用于防止波动的RC滤波器可以被额外地使用在发光二极管中。
下面将详细说明在发光二极管的顶表面和侧表面上的发光材料。
为了实现这些和其它目的，如在这里具体实施并广泛描述的用于紫外光或可见光激发的发光材料包括硅酸盐或锗酸盐的基本系列中的铜-碱土混晶。
通常，铜激活或共激活硫化物-磷光体是公知的，它们被商业化地用于阴极射线管。在CRT应用中，发射绿色的ZnS:Cu，Al(其中，铜被用作活化剂，Al被用作共活化剂)是非常重要的。
在锌-硫化物磷光体中，根据活化剂和共活化剂的浓度的相对比率，发光材料可以被分为五个种类(van Gool，W.，Philips Res.Rept.Suppl.，3，1，1961)。这里，发光中心由深施主或深受主形成，或通过它们的在最邻近位部位的关联(association)形成(Phosphor Handbook，edited under the Auspice of PhosphorResearch Society，CRC Press New York，1998，S.238)。
在“Keith H.Butler，The Pennsylvania State University Press，1980，S.281”中描述了由铜激活的正磷酸盐(Wanmaker，W.L.，and Spier，H.L.，JECS 109(1962)，109)和均由铜激活的焦磷酸盐、硅酸铝、硅酸盐和三聚磷酸盐。然而，这样的磷光体仅可以被用于短波U.V.激发。由于它们的不稳定的化学性质和它们的温度行为，因此它们不能被用在荧光灯中。
还未描述过作为主晶格成分的铜离子在被诸如Eu2+、Ce3+及其它离子的稀土离子激活的氧富有(oxygen dominated)化合物中的影响。应该期望的是，作为主晶格成分的铜的掺入影响关于改善的发光强度以及期望的发射峰的移位、色点及发射光谱的形状和晶格稳定性的优选的发光-光学性质。
对于长于360nm的激发波长，作为在主晶格中的成分的铜离子的影响应该示出改善的发光性质。在该波长的区域中，由于两种离子的电子排布的能级导致它们没有示出自身辐射传输，从而不能失去任何种类的激发辐射。
掺杂铜的发光材料与在主晶格中不具有这些成分的发光材料相比示出了改善的发射强度。此外，作为掺杂铜的发光材料的期望的效果，示出了将发射波长移位至更高或更低的能量。对于包含铜的化合物，最广义地说，这些离子不起到活化物的作用。然而，这些离子的使用导致对晶场分裂以及共价的影响。
由于在还原气氛中这些离子氧化的可能性，所以包含铜的物质的制备是复杂的。对于需要还原气氛的掺杂铜的化合物的制备，需要专门的制备工艺。
根据被取代的离子，铜在晶场中的影响表现为通常移位发射特性。在Cu取代Eu激活的铝酸盐和/或硅酸盐中的Sr或Ba的情况下，由于Cu的离子半径小于Ba和Sr的离子半径，所以发射峰应该被移位至更长的波长。那样导致在活化物离子的周围的更强的晶场。
由于铜的离子势(即离子电荷与离子半径的商)高于更大的碱土离子的离子势，所以铜离子能比碱土离子更强地吸引邻近的氧离子。因此由铜取代更大的碱土离子Ca、Sr和Ba也导致在活化物离子的周围的更强的晶场。因此，可以影响发射带的形状，发射峰向更长的波长的移位被连接在带发射的发射曲线的加宽中。另外，通过铜离子的取代，应该能够增加发射的强度。通常，在LED照明的领域中，期望的是发射峰移位至更长以及更短的波长。这里，需要实现精调谐以得到期望的色点的特定波长以及光学装置的更好的亮度。通过使用阳离子铜，这样的精调谐应该是可能的。
已知的是，一些发光材料和磷光体在水、空气湿气、水蒸汽或极性溶剂中不稳定。例如，尖晶石结构的铝酸盐或正交以及镁黄长石结构的硅酸盐或多或少地示出了由高碱度导致的对于水、空气湿气、水蒸汽或极性溶剂的高敏感度。然而，如果具有高碱度的阳离子被取代，则由于更高的共价性和更低的碱度，在主晶格中的铜的掺入应当改善发光材料的这种对于水、空气湿气和极性溶剂的行为。
发光材料由用式1表示的硅酸盐、由式2表示的锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐中的一种或多于一种的化合物组成：
(式1)
a(M′O)b(M″O)c(M″′X)d(M″′2O)e(M″″2O3)f(M″″′oOp)g(SiO2)h(M″″″xOy)
(式2)
a(M′O)b(M″2O)c(M″X)d(GeO2)e(M″′O)f(M″″2O3)g(M″″′oOp)h(M″″″xOy)
同时，含铜的混晶被用作转换器，该转换器用于来自发光装置内的从一个或多个单个一次元件的范围为300nm-400nm的一次长波紫外辐射和/或范围为380nm-500nm的蓝色辐射，以产生在光谱的可见区域中上至高显色指数Ra＞90的光。并且，含铜混晶的特征在于，磷光体作为单一磷光体用在LED中，和/或与不同的已知磷光体的磷光体混合物用在LED中，用于实现显色高于90的白光。
示例1：
富有铜-碱土的混晶硅酸盐根据式1如下：
(式1)
a(M′O)b(M″O)c(M″′X)d(M″′2O)e(M″″2O3)f(M″″′oOp)g(SiO2)h(M″″″xOy)
其中，M′为Cu；
M″为由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″′为由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″″为由B、Al、Ga和In组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″′为由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″为由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的组中的至少一种或多种元素；
X为由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0＜b≤8；
0≤c≤4；
0≤d≤2；
0≤e≤2；
0≤f≤2；
0≤g≤10；
0＜h≤5；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x ≤2；
1≤y≤5。
这样的富有铜-碱土的混晶硅酸盐示出了高发光强度，如表3中所示。
制备的示例：
具有如式Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4:Eu的磷光体的制备：
原材料：CuO、BaCO3、ZnO、MgO、SiO2、Eu2O3和/或它们的任意组合。
已经将非常纯净的氧化物以及碳酸盐形式的原材料以化学计量比与少量的熔剂(NH4Cl)混合在一起。在第一步骤中，将混合物在氧化铝坩埚中、在1200℃下并在不活泼气体气氛(N2、H2、Ar或惰性气体)中煅烧2小时-4小时。在预煅烧之后，再次研磨材料。在第二步骤中，将混合物在氧化物坩埚中、在1200℃下、并在弱还原性气氛下煅烧额外的2小时。在那之后，研磨、清洗、干燥并筛分材料。发光材料具有在592nm处的发射峰。
表1：在450nm激发波长下Eu2+激活Cu-Sr-Ca混合硅酸盐与对比Eu2+激活Sr-Ca硅酸盐的比较
表1
  含铜的化合物   不含铜的对比化合物
  Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4:Eu   Sr1.7Ca0.3SiO4:Eu
  发射强度(％)   104   100
  波长(nm)   592   588
具有如式Cu0.2Ba2Zn0.2Mg0.6Si2O7:Eu的发光材料的制备：
具有如式Cu0.2Ba2Zn0.2Mg0.6Si2O7:Eu的磷光体的制备：
原材料：CuO、BaCO3、ZnO、MgO、SiO2、Eu2O3和/或它们的任意组合。
已经将非常纯净的氧化物以及碳酸盐形式的原材料以化学计量比与少量的熔剂(NH4Cl)混合在一起。在第一步骤中，将混合物在氧化铝坩埚中、在1100℃下并在不活泼气体气氛中煅烧1小时-2小时。在预煅烧之后，再次研磨材料。在第二步骤中，在氧化铝中煅烧混合物，干燥并筛分。发光材料具有在467nm处的发射峰。
表2：在400nm激发波长下Eu2+激活含铜的混合硅酸盐与不含铜的Eu2+激活硅酸盐的比较
表2
  含铜的化合物   不含铜的对比化合物
  Cu0.2Sr2Zn0.2Mg0.6Si2O7:Eu   Sr2Zn2Mg0.6Si2O7:Eu
  发射强度(％)   101.5   100
  波长(nm)   467   465
表3中示出关于由稀土激活的含铜的硅酸盐混晶所获得的结果。
表3：在400nm激发波长下可由长波紫外和/或由可见光激发的一些铜-碱土硅酸盐混晶的光学性质和它们的发光密度(％)
表3
  组成   可激发范围(nm)   与不含铜的化合物相比在400nm激发的发光密度(％)   含铜材料的峰值波长(nm)   不含铜材料的峰值波长(nm)
  Cu0.02(Ba，Sr0.2，Ca，Zn)1.98SiO4:Eu   360-500   108.2   565   560
  Cu0.05Sr1.7Ca0.25SiO4:Eu   360-470   104   592   588
  Cu0.05Li0.002Sr1.5Ba0.448SiO4:Gd，Eu   360-470   102.5   557   555
  Cu0.2Sr2Zn0.2Mg0.6Si2O7:Eu   360-450   101.5   467   465
  Cu0.02Ba2.8Sr0.2Mg0.98Si2O8:Eu，Mn   360-420   100.8   440，660   438，660
  Cu0.2Ba2.2Sr0.80Zn0.8Si2O8:Eu   360-430   100.8   448   445
  Cu0.2Ba3Mg0.8Si1.99Ge0.01O8:Eu   360-430   101   444   440
  Cu0.5Zn0.5Ba2Ge0.2Si1.8O7:Eu   360-420   102.5   435   433
  Cu0.8Mg0.2Ba3Si2O8:Eu，Mn   360-430   103   438，670   435，670
  Cu0.2Ba4.6Sr0.4Ca2.8Si4O16:Eu   360-470   101.8   495   491
示例2
具有碱土锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐的含铜混晶具有下面的式子：
a(M′O)b(M″2O)c(M″X)d(GeO2)e(M″′O)f(M″″2O3)g(M″″′oOp)h(M″″″xOy)
其中，M′为铜；
M″为由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″′为由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″″为由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La组成的组中的至少一种或多种三价元素；
M″″′为由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta和W、Mo和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″为由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb组成的组中的至少一种或多种元素；
X为由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤10；
0＜d≤10；
0≤e≤14；
0≤f≤14；
0≤g≤10；
0≤h≤2；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；
1≤y≤5。
这样的具有碱土锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐的含铜混晶示出了比不含铜的化合物更好的发光强度(表4)。
具有下面的式子Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3:Mn的磷光体的制备：
原材料：CuO、SrCO3、GeO2、SiO2、MnCO3和/或它们的任意组合。
已经将氧化物以及碳酸盐的形式的原材料以化学计量比与少量熔剂(NH4Cl)一起混合。在第一步骤中，将混合物在氧化铝坩埚、在1100℃下并在含氧气氛中煅烧2小时。在预煅烧之后，再次研磨材料。在第二步骤中，将混合物在氧化铝坩埚中、在1180℃下并在含氧气氛中再次煅烧4小时。在那之后，研磨、清洗、干燥并筛分材料。磷光体具有在658nm处的发射峰。
表4：在400nm激发波长下Mn激活Cu-Sr混合锗酸盐-硅酸盐与不含铜的Mn激活锗酸盐-硅酸盐的比较
表4
  掺杂铜的化合物   不含铜的对比化合物
  Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3:Mn   SrGe0.6Si0.4O3:Mn
  发射强度(％)   103   100
  波长(nm)  658   655
表5中示出关于由锗酸盐或锗酸盐-硅酸盐组成的组中的含铜碱土混晶所获得的结果。
表5：在400nm激发波长下可以由长波紫外和/或由可见光激发的一些含铜锗酸盐/锗酸盐-硅酸盐混晶的光学性质和它们的发光密度(％)
表5
  组成   可激发范围(nm)   与不含铜的化合物相比在400nm激发的发光密度(％)   含铜材料的峰值波长(nm)   不含铜的材料的峰值波长(nm)
  Cu0.46Sr0.54Ge0.6Si0.4O3:Mn   360-400   103   658   655
  Cu0.02Sr0.38Ba0.90Ca0.6Si0.98Ge0.02O4:Eu0.1   360-470   102   563   560
  Cu1.45Mg26.55Ge9.4Si0.6O48:Mn   360-400   102   660   657
  Cu1.2Mg26.8Ge8.9Si1.1O48:Mn   360-400   103.8   670   656
  Cu4Mg20Zn4Ge5Si2.5O38F10:Mn   360-400   101.5   658   655
  Cu0.05Mg4.95GeO6F2:Mn   360-400   100.5   655   653
  Cu0.05Mg3.95GeO5.5F:Mn   360-400   100.8   657   653
关于考虑到通过引入Cu在化合物的一些性质上的变化，可以实现下面的物理化学变化：
表6：晶格参数的变化-x光衍射的结果
表6
Figure A20068004728000301
如表6中所示，由含铜磷光体的晶格参数的细微变化导致的是，可以观察到发射谱的细微变化。通常，发生向更短的波长移位0.5nm-1.0mn。
表7：含有不同浓度的铜的磷光体的Zeta电势和迁移率的变化与不含铜的磷光体的比较
表7
  磷光体组成   Zeta电势   迁移率
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4不含铜   -3.5mV   -2.4×10-5cm2/Vs
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.005Mol Cu   -3.3mV   -2.3×10-5cm2/Vs
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.01Mol Cu   -2.5mV   -1.8×10-5cm2/Vs
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.1Mol Cu   +3.3mV   +1.4×10-6cm2/Vs
这些变化的结果为相对于水的敏感度的变化。含铜化合物的水稳定性远高于不含铜的化合物的水稳定性(表8)
表8：在85℃下并在100％湿度下含铜化合物和不含铜的化合物的与时间相关的相对强度
表8
  磷光体组成   24h之后的相对强度   100h之后的相对强度   200h之后的相对强度   500h之后的相对强度  1000h之后的相对强度
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4不含铜   98.3   96.0   93.3   84.7   79.3
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.005Mol Cu   100.0   99.6   98.6   96.3   94.0
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.01Mol Cu   98.6   98.5   95.8   92.8   90.1
  (Ba，Sr，Ca，Eu)-SiO4:0.1MolCu   98.7   98.0   96.4   93.2   90.0
如表7和表8中所示，这是由在溶解过程中碱土离子的迁移率降低导致的。那样意味着溶解的阳离子的数量和比率变得更小，导致更低的水解和更高的水稳定性。

Claims (17)

1、一种发光装置，包括：
至少一个发光二极管，能够产生处于预定波长区的光；
磷光体，包括化合物，所述化合物包含铜和作为主晶格成分的碱土金属，所述化合物被稀土激活，所述磷光体位于发光二极管周围，以吸收从发光二极管发射的光的一部分，并发射波长与所吸收的光的波长不同的光。
2、如权利要求1所述的发光装置，其中，所述化合物包含具有式1的富有铜-碱土的混晶硅酸盐，
式1
a(M′O)b(M″O)c(M″′X)d(M″′2O)e(M″″2O3)f(M″″′oOp)g(SiO2)h(M″″″xOy)
其中，
M′是Cu；
M″是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″′是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″″是由B、Al、Ga和In组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″′是由Ge、V、Nb、Ta、W、Mo、Ti、Zr和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″是由Bi、Sn、Sb、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu组成的组中的至少一种或多种元素；
X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0＜b≤8；
0≤c≤4；
0≤d≤2；
0≤e≤2；
0≤f≤2；
0≤g≤10；
0＜h≤5；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；
1≤y≤5。
3、如权利要求1所述的发光装置，其中，所述化合物包含具有式2的富有铜-碱土的混晶锗酸盐和/或锗酸盐-硅酸盐，
式2
a(M′O)b(M″2O)c(M″X)d(GeO2)e(M″′O)f(M″″2O3)g(M″″′oOp)h(M″″″xOy)
其中，
M′是Cu；
M″是由Li、Na、K、Rb、Cs、Au和Ag组成的组中的至少一种或多种一价元素；
M″′是由Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Zn、Cd和Mn组成的组中的至少一种或多种二价元素；
M″″是由Sc、Y、B、Al、Ga、In和La组成的组中的至少一种或多种三价元素；
M″″′是由Si、Ti、Zr、Mn、V、Nd、Nb、Ta、W、Mo和Hf组成的组中的至少一种或多种元素；
M″″″是由Bi、Sn、Pr、Sm、Eu、Gd、Dy和Tb组成的组中的至少一种或多种元素；
X是由F、Cl、Br和I组成的组中的至少一种或多种元素；
0＜a≤2；
0≤b≤2；
0≤c≤10；
0＜d≤10；
0≤e≤14；
0≤f≤14；
0≤g≤10；
0≤h≤2；
1≤o≤2；
1≤p≤5；
1≤x≤2；
1≤y≤5。
4、如权利要求3所述的发光装置，其中，锶的浓度优选地小于0.4摩尔每摩尔磷光体。
5、如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的发光装置，其中，所述化合物转换一种或多种处于300nm-400nm范围内的紫外辐射和/或处于380nm-500nm范围内的蓝色辐射，以产生处于光谱的可见区的高显色指数Ra大于90的光。
6、如权利要求1至4中任意一项权利要求所述的发光装置，其中，所述化合物在LED中用作单一磷光体和/或多种单一磷光体的混合物，以用于实现显色指数Ra大于90的白光。
7、如权利要求1所述的发光装置，其中，所述磷光体置于发光二极管的顶表面、侧表面、底表面中的至少一个表面上，或者与膏或密封材料混合。
8、如权利要求1所述的发光装置，其中，发光二极管和磷光体被包含在封装中。
9、如权利要求8所述的发光装置，其中，所述封装具有安装在形成有反射器的基底上的至少一个发光二极管，且磷光体布置在发光二极管周围。
10、如权利要求9所述的发光装置，其中，用模部分来密封发光二极管和磷光体。
11、如权利要求10所述的发光装置，其中，磷光体分布在模部分中。
12、如权利要求8所述的发光装置，其中，所述封装包括用于散发由发光二极管产生的热的散热器，且磷光体布置在发光二极管周围，所述封装适用于高功率。
13、如权利要求1、7、8、9、10、11、12中的任意一项权利要求所述的发光装置，其中，发光二极管具有从由垂直结构、水平结构、倒装芯片结构及它们的组合组成的组中选择的一种结构。
14、如权利要求13所述的发光装置，其中，发光二极管包括在单个基底上彼此串联或并联连接的多个发光单元。
15、如权利要求14所述的发光装置，其中，所述发光单元具有从由垂直结构、水平结构、倒装芯片结构及它们的组合组成的组中选择的一种结构。
16、如权利要求14所述的发光装置，其中，包括整流桥，整流桥用于向串联连接的发光单元施加整流功率。
17、如权利要求14所述的发光装置，其中，具有串联连接的发光单元的多个块在基底上反向并联连接。
CN2006800472805A 2005-12-15 2006-12-15 发光装置 Active CN101331621B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050123670 2005-12-15
KR20050123670 2005-12-15
KR10-2005-0123670 2005-12-15
KR1020060127793A KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2006-12-14 발광장치
KR1020060127793 2006-12-14
KR10-2006-0127793 2006-12-14
PCT/KR2006/005500 WO2007069869A1 (en) 2005-12-15 2006-12-15 Light emitting device

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010198537A Division CN101872758A (zh) 2005-12-15 2006-12-15 发光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101331621A true CN101331621A (zh) 2008-12-24
CN101331621B CN101331621B (zh) 2013-01-16

Family

ID=38364047

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800472805A Active CN101331621B (zh) 2005-12-15 2006-12-15 发光装置
CN201010198537A Pending CN101872758A (zh) 2005-12-15 2006-12-15 发光装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010198537A Pending CN101872758A (zh) 2005-12-15 2006-12-15 发光装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8847254B2 (zh)
EP (1) EP1964185B1 (zh)
JP (1) JP2009519606A (zh)
KR (2) KR101055772B1 (zh)
CN (2) CN101331621B (zh)
TW (1) TWI419353B (zh)
WO (1) WO2007069869A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621103B (zh) * 2009-07-31 2011-05-11 苏州纳维科技有限公司 发光二极管及其生长方法

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR100889956B1 (ko) * 2007-09-27 2009-03-20 서울옵토디바이스주식회사 교류용 발광다이오드
US10986714B2 (en) * 2007-10-06 2021-04-20 Lynk Labs, Inc. Lighting system having two or more LED packages having a specified separation distance
US11297705B2 (en) * 2007-10-06 2022-04-05 Lynk Labs, Inc. Multi-voltage and multi-brightness LED lighting devices and methods of using same
KR20100008620A (ko) * 2008-07-16 2010-01-26 삼성전기주식회사 발광 장치 및 이를 구비하는 백라이트 유닛
DE102008045925A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils
DE102009030205A1 (de) * 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
TW201114068A (en) * 2009-10-09 2011-04-16 Formosa Epitaxy Inc AC type light-emitting element
JP2011124449A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Seiko Instruments Inc 発光部品、発光器及び発光部品の製造方法
MX2013005202A (es) * 2010-03-30 2013-11-20 Changchn Inst Of Applied Chemistry Chinese Academy Of Sciences Dispositivo de corriente alterna de led blanco.
US9614129B2 (en) * 2010-08-14 2017-04-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device having surface-modified luminophores
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8592847B2 (en) * 2011-04-15 2013-11-26 Epistar Corporation Light-emitting device
KR20130014256A (ko) 2011-07-29 2013-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 조명 시스템
JP5765737B2 (ja) * 2011-11-18 2015-08-19 国立研究開発法人産業技術総合研究所 バナジウム酸化物蛍光体
EP2832819A4 (en) * 2012-03-29 2015-12-23 Oceans King Lighting Science METAL NANOPARTICLES DOTED SILICATE LIGHT MATERIALS AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
US20140159084A1 (en) * 2012-12-12 2014-06-12 Cree, Inc. Led dome with improved color spatial uniformity
US20140209961A1 (en) * 2013-01-30 2014-07-31 Luxo-Led Co., Limited Alternating current light emitting diode flip-chip
CN103394165B (zh) * 2013-08-08 2015-08-19 赵同泉 一种能补充维生素d和钙的人工光照保健理疗仪
WO2015072766A1 (ko) * 2013-11-13 2015-05-21 엘지이노텍(주) 청녹색 형광체, 이를 포함하는 발광 소자 패키지 및 조명 장치
CN104091867B (zh) * 2014-07-25 2017-07-14 厦门市三安光电科技有限公司 高压发光二极管芯片及其制作方法
EP3243222B1 (en) * 2015-01-06 2021-02-17 Lumileds LLC Method of manufacturing a wavelength converted light emitting device
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US20200093238A1 (en) * 2016-06-16 2020-03-26 Harsh Kumar Mobile phone case having mirrored surface and lighting
FR3078442B1 (fr) * 2018-02-26 2023-02-10 Valeo Vision Source lumineuse electroluminescente destinee a etre alimentee par une source de tension

Family Cites Families (197)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) * 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) * 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) * 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) * 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) * 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) * 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) * 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) * 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
JPS476258Y1 (zh) 1968-05-17 1972-03-04
JPS4938994Y1 (zh) 1970-01-16 1974-10-25
NL7013516A (zh) 1970-09-12 1972-03-14
US3644212A (en) * 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
US3893939A (en) * 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) * 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
NL7807274A (nl) * 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190U (zh) 1979-03-20 1980-09-25
JPS57109886U (zh) 1980-12-26 1982-07-07
JPS5892263A (ja) 1981-11-28 1983-06-01 Fuji Electric Co Ltd ダ−リントントランジスタ
NL8201943A (nl) 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS60225373A (ja) 1984-04-20 1985-11-09 Sanyo Electric Co Ltd アルカリ亜鉛蓄電池
JPS6144728U (ja) 1984-08-25 1986-03-25 松下電工株式会社 スイツチの構造
JPS6198926A (ja) 1984-10-19 1986-05-17 Mitsubishi Electric Corp ガスタービンの圧縮機翼汚損検出装置
JPS61258892A (ja) 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPS62218476A (ja) * 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JPS62197487U (zh) 1986-06-07 1987-12-15
US5188763A (en) * 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor
JPS63196180A (ja) 1987-02-10 1988-08-15 Canon Inc 撮像装置
JPH07110941B2 (ja) * 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) * 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
DE69002470T2 (de) 1989-02-07 1994-03-03 Agfa Gevaert Nv Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff.
US5060118A (en) * 1989-04-06 1991-10-22 Frank A. Arone Apparatus for daylight color duplication
JP2995778B2 (ja) 1990-02-02 1999-12-27 セイコーエプソン株式会社 集積回路
JPH0563070A (ja) * 1991-09-03 1993-03-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH05198843A (ja) * 1992-01-23 1993-08-06 Toshiba Lighting & Technol Corp 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置
JPH05347433A (ja) 1992-06-15 1993-12-27 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ回路
US5518808A (en) * 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
KR940019586A (ko) * 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
US5679152A (en) * 1994-01-27 1997-10-21 Advanced Technology Materials, Inc. Method of making a single crystals Ga*N article
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
AU720126B2 (en) 1995-04-14 2000-05-25 Kabushiki Kaisha Tokyo Kagaku Kenkyusho Phosphor with afterglow characteristic
JPH0940946A (ja) 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) * 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
JP3686159B2 (ja) 1996-04-09 2005-08-24 日本放送協会 低速電子線励起用蛍光体
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) * 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
EP0835920B1 (en) * 1996-10-10 2003-04-09 Agfa-Gevaert A new photostimulable phosphor
US5853614A (en) * 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
EP0907970B1 (de) * 1997-03-03 2007-11-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
AU5396798A (en) 1997-03-26 1998-10-20 Zhiguo Xiao Silicate phosphor with a long afterglow and manufacturing method thereof
JPH10321914A (ja) 1997-05-19 1998-12-04 Tec Corp 発光装置及びこの発光装置を使用した照明装置
JP2992254B2 (ja) 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
JPH11177143A (ja) 1997-12-16 1999-07-02 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光ダイオードを用いた照明用光源および照明装置
US6278832B1 (en) 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
JP3505380B2 (ja) 1998-02-17 2004-03-08 新日本製鐵株式会社 整流回路
JP2907286B1 (ja) * 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
ES2299260T5 (es) 1998-09-28 2011-12-20 Koninklijke Philips Electronics N.V. Sistema de iluminación.
JP2000260580A (ja) 1999-03-09 2000-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 室内照明装置
JP2000294387A (ja) 1999-04-09 2000-10-20 Sekisui House Ltd 照明制御方法および照明システム
KR100355456B1 (ko) * 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6565771B1 (en) * 1999-10-06 2003-05-20 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
GB0012377D0 (en) * 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
TW574343B (en) 2000-06-27 2004-02-01 Sumitomo Chemical Co Method of producing aluminate fluorescent substance, a fluorescent substance and a device containing a fluorescent substance
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
TW459403B (en) * 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP2002050795A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Kansai Tlo Kk ＩｎＧａＮ系発光ダイオード
JP2002079466A (ja) 2000-09-07 2002-03-19 Hitachi Cable Ltd 圧延銅箔の表面粗化方法
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
JP2002097465A (ja) 2000-09-25 2002-04-02 Toyo Ink Mfg Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子材料およびそれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4210743B2 (ja) * 2000-10-17 2009-01-21 シャープ株式会社 酸化物材料、酸化物薄膜の製造方法及び該材料を用いた素子
JP2002173677A (ja) 2000-12-04 2002-06-21 Tokin Corp 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた蛍光体ペースト
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
DE10103422A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Erich Kaifler Lichtquellen auf Halbleiterbasis für höhere Spannungen und höhere Leistungen, für Gleichstrom und für Wechselstrom
JP2002254273A (ja) 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
US6611000B2 (en) * 2001-03-14 2003-08-26 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Lighting device
JP4904628B2 (ja) * 2001-03-14 2012-03-28 パナソニック株式会社 複合発光素子
JP4101468B2 (ja) 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP3891115B2 (ja) 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100419611B1 (ko) * 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7189340B2 (en) * 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
JP3749243B2 (ja) 2001-09-03 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体発光デバイス，発光装置及び半導体発光デバイスの製造方法
US6770398B1 (en) * 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
WO2003030274A1 (fr) 2001-09-27 2003-04-10 Nichia Corporation Dispositif emetteur de lumiere et procede de fabrication associe
ATE525755T1 (de) * 2001-10-12 2011-10-15 Nichia Corp Lichtemittierendes bauelement und verfahren zu seiner herstellung
JP2003133595A (ja) 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4092911B2 (ja) 2001-12-21 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) * 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
JP2003321675A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
US6756186B2 (en) * 2002-03-22 2004-06-29 Lumileds Lighting U.S., Llc Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices
KR100961322B1 (ko) * 2002-03-22 2010-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
JP3822545B2 (ja) 2002-04-12 2006-09-20 士郎 酒井 発光装置
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
TW546854B (en) 2002-05-21 2003-08-11 Harvatek Corp White light emitting device
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
JP2004071807A (ja) 2002-08-06 2004-03-04 Sharp Corp 照明装置、カメラ装置及び携帯機器
JP4309106B2 (ja) 2002-08-21 2009-08-05 士郎 酒井 ＩｎＧａＮ系化合物半導体発光装置の製造方法
JP3978102B2 (ja) 2002-08-29 2007-09-19 岡谷電機産業株式会社 発光ダイオード
KR100697803B1 (ko) 2002-08-29 2007-03-20 시로 사카이 복수의 발광 소자를 갖는 발광 장치
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) * 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) * 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
US7061024B2 (en) 2002-10-14 2006-06-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light-emitting device comprising an EU(II)-activated phosphor
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4072632B2 (ja) * 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
CN2624578Y (zh) 2003-01-21 2004-07-07 夏志清 一种交直流两用的led灯
KR100499079B1 (ko) * 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JP2004284563A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Nobuo Oda 自転車発電ライト光源用ｌｅｄユニット
CN100412156C (zh) 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
US7320531B2 (en) 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US20040206970A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) * 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US6982045B2 (en) * 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
TWI307945B (en) 2003-07-15 2009-03-21 Macroblock Inc A light-emitting semiconductor device packaged with light-emitting diodes and current-driving integrated circuits
US6987353B2 (en) * 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
CN100395897C (zh) 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法
JP2005064104A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Hitachi Cable Ltd 発光ダイオードアレイ
US6797984B1 (en) * 2003-09-10 2004-09-28 Para Light Electronics Co., Ltd. Light-emitting diode packaging structure having rectification circuit
JP2005101296A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオード素子及び可変色発光ダイオードモジュール及び可変色発光ダイオード照明器具
JP2005100800A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄ照明光源
JP2005100799A (ja) 2003-09-25 2005-04-14 Osram-Melco Ltd 可変色発光ダイオードモジュール及び可変色発光ダイオード照明器具
JP4222192B2 (ja) 2003-11-21 2009-02-12 豊田合成株式会社 照明装置
TWI263356B (en) * 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) * 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
KR20050070349A (ko) 2003-12-30 2005-07-07 서울옵토디바이스주식회사 다색 발광 다이오드의 제조 방법
WO2005068584A1 (ja) 2004-01-16 2005-07-28 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体、及びそれを用いた発光装置、照明装置ならびに画像表示装置
CN2690724Y (zh) 2004-03-05 2005-04-06 深圳市蓝科电子有限公司 高亮度发光二极管照明装置
KR100605211B1 (ko) 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
JP2006012770A (ja) * 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
CN100397544C (zh) 2004-05-27 2008-06-25 株式会社日立制作所 发光装置以及使用该发光装置的图像显示装置
KR100665299B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
KR100665298B1 (ko) * 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US8308980B2 (en) * 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7601276B2 (en) * 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101010413B (zh) * 2004-09-07 2010-08-25 住友化学株式会社 荧光体、荧光体糊剂及发光元件
KR20040088418A (ko) 2004-09-15 2004-10-16 박재익 삼파장 백색 발광다이오드
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
KR100666265B1 (ko) 2004-10-18 2007-01-09 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
JP4337731B2 (ja) 2004-12-22 2009-09-30 ソニー株式会社 照明装置、及び画像表示装置
CA2592096C (en) 2004-12-22 2013-08-06 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7138770B2 (en) * 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) * 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4878439B2 (ja) 2005-03-10 2012-02-15 東芝ライテック株式会社 照明装置
JP4868499B2 (ja) * 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
US7474681B2 (en) * 2005-05-13 2009-01-06 Industrial Technology Research Institute Alternating current light-emitting device
TW200640045A (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Ind Tech Res Inst Alternating current light-emitting device
US7754507B2 (en) * 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
KR100697822B1 (ko) 2005-06-23 2007-03-20 한국화학연구원 Ｕｖ ｌｅｄ용 스트론튬마그네슘실리케이트계 청색 형광체 및 이의 제조방법
KR100927154B1 (ko) 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
CN1317537C (zh) 2005-09-08 2007-05-23 上海交通大学 跨临界二氧化碳制冷系统节流短管
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7820075B2 (en) * 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
KR20080046789A (ko) 2006-11-23 2008-05-28 인터매틱스 코포레이션 2상 실리케이트계 옐로우 형광체
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP5521273B2 (ja) 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) * 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101621103B (zh) * 2009-07-31 2011-05-11 苏州纳维科技有限公司 发光二极管及其生长方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100077144A (ko) 2010-07-07
CN101331621B (zh) 2013-01-16
WO2007069869A1 (en) 2007-06-21
US20090134413A1 (en) 2009-05-28
JP2009519606A (ja) 2009-05-14
US8847254B2 (en) 2014-09-30
TW200739950A (en) 2007-10-16
KR101055772B1 (ko) 2011-08-11
KR101202170B1 (ko) 2012-11-15
TWI419353B (zh) 2013-12-11
KR20070064275A (ko) 2007-06-20
EP1964185A1 (en) 2008-09-03
EP1964185A4 (en) 2012-06-20
CN101872758A (zh) 2010-10-27
EP1964185B1 (en) 2017-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101331621B (zh) 发光装置
CN101796657B (zh) 使用非化学计量四方晶系碱土硅酸盐磷光体的发光装置
EP2031039B1 (en) Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
JP4896129B2 (ja) 発光素子及びそれのためのアルカリ土類金属硫化物系蛍光体
US9935086B2 (en) Package substrate and light emitting device package
US20130140981A1 (en) Luminescent substance and light source having such a luminescent substance
CN105489715B (zh) 制造半导体发光器件的方法
EP2516584B1 (en) Light emitting device having strontium/barium oxyorthosilicate type phosphors
KR20120092785A (ko) 발광 디바이스
KR100968844B1 (ko) 발광장치
CN100490192C (zh) 发光二极管
CN1652360A (zh) 白光发光二极管
JP2004115621A (ja) フッ化物蛍光材料、その製造方法およびその材料を用いた発光素子
JP2003336062A (ja) 蛍光体及びそれを用いた発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant