JPS5892263A - ダ−リントントランジスタ - Google Patents
ダ−リントントランジスタInfo
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- JPS5892263A JPS5892263A JP56191513A JP19151381A JPS5892263A JP S5892263 A JPS5892263 A JP S5892263A JP 56191513 A JP56191513 A JP 56191513A JP 19151381 A JP19151381 A JP 19151381A JP S5892263 A JPS5892263 A JP S5892263A
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- JP
- Japan
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- stage transistor
- emitter
- transistor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
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- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
と、それにより駆動される複数の出力段トランジスタが
一つの半導体チップ内に構成される、特に大容量用に適
し九ダーリントントランジスタに関する。
一つの半導体チップ内に構成される、特に大容量用に適
し九ダーリントントランジスタに関する。
この樵のダーリントントランジスタにおいては、ペース
，エミッタ間を逆バイアスしてターンオフするときの安
全動作領域ＲＢ８０Ａが重要であり、同時に電流増幅率
、飽和特性などの良好なことが要求される。従来最も一
般的なダーリントントランジスタの配置ｉｔ第１図に示
す通シで、ペース電極１に囲まれたエミッタ電極２を有
する二つの出力段トランジスタの一方の側にペース電極
３を有する共通の駆動段トランジスタが配置されている
。
，エミッタ間を逆バイアスしてターンオフするときの安
全動作領域ＲＢ８０Ａが重要であり、同時に電流増幅率
、飽和特性などの良好なことが要求される。従来最も一
般的なダーリントントランジスタの配置ｉｔ第１図に示
す通シで、ペース電極１に囲まれたエミッタ電極２を有
する二つの出力段トランジスタの一方の側にペース電極
３を有する共通の駆動段トランジスタが配置されている
。
しかしこの場合にはチップの大形化に伴ない駆動段トラ
ンジスタから出力段トランジスタのエミッタの端までの
距ｌ１１ｔＩが大きくなシ、出力段トランジスタのＡ部
とＢ部ではエミツタ，ペース間接合のバイアスに差が生
じるのでム側の電流密度が大きくなシ、Ｂ部ではトラン
ジスタとしての働きかにふくなる。そのため実効エミッ
タ面積が小さくなり、ＲＢ８ＯＡ 、 ＪｒＨなどの低
下を招く欠点がある。
ンジスタから出力段トランジスタのエミッタの端までの
距ｌ１１ｔＩが大きくなシ、出力段トランジスタのＡ部
とＢ部ではエミツタ，ペース間接合のバイアスに差が生
じるのでム側の電流密度が大きくなシ、Ｂ部ではトラン
ジスタとしての働きかにふくなる。そのため実効エミッ
タ面積が小さくなり、ＲＢ８ＯＡ 、 ＪｒＨなどの低
下を招く欠点がある。
これに対して第２図に示すように駆動段トランジスタを
円形チップの中心に置き周囲に半径方向に並んだ円弧状
くしの歯部分からなる出力段トランジスタのエミッタ電
極１を配置したものがある。
円形チップの中心に置き周囲に半径方向に並んだ円弧状
くしの歯部分からなる出力段トランジスタのエミッタ電
極１を配置したものがある。
しかし、このような構造は次の欠点を有する。
（１）角形チップに適用した場合は無駄な面積部分が生
ずる。
ずる。
（２）第１図のｔｌに比してエミッタ部の奥行き１１は
短くできるが、一方出力段エミッタ電極１のくし歯の長
さは引とＷ！のように大きな差を生じ、エミッタ領域で
の電流密度の差が大きくなるので特にＲＢＳＯＡの低下
を招く。
短くできるが、一方出力段エミッタ電極１のくし歯の長
さは引とＷ！のように大きな差を生じ、エミッタ領域で
の電流密度の差が大きくなるので特にＲＢＳＯＡの低下
を招く。
本発明はこれらの欠点を除去し、特にチップ寸法が１０
−角をこえるような大容量ダーリントントランジスタに
おいて良好なＲＢＳＯＡを得るために、出力段ベース電
流、すなわち駆動段二ξツタ電流を出力段エミッタ各部
に均一に供給できるような配置を提供することを目的と
する。
−角をこえるような大容量ダーリントントランジスタに
おいて良好なＲＢＳＯＡを得るために、出力段ベース電
流、すなわち駆動段二ξツタ電流を出力段エミッタ各部
に均一に供給できるような配置を提供することを目的と
する。
この目的は方形半導体片の一つの辺からその対向辺まで
他の一組の辺に平行に駆動段トランジスタが延在し、そ
の駆動段トランジスタの両側に出力段トランジスタがほ
ぼ対称に位置することによって達成される。
他の一組の辺に平行に駆動段トランジスタが延在し、そ
の駆動段トランジスタの両側に出力段トランジスタがほ
ぼ対称に位置することによって達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
２図は比較のために第１図を同一寸法の半導体チップで
の実施例を丞し、ベース電極３を有する駆動段トランジ
スタは、シリ；ンチップ１０の中央部を貫いて位置し、
ペース電橋１１，１２．工はツタ電極２１ 、２２を備
えた出力段トクンジスタがその両側に対称に配置されて
いて、その合計の面積は第１図の出力段トランジスタの
面積に等しい。
２図は比較のために第１図を同一寸法の半導体チップで
の実施例を丞し、ベース電極３を有する駆動段トランジ
スタは、シリ；ンチップ１０の中央部を貫いて位置し、
ペース電橋１１，１２．工はツタ電極２１ 、２２を備
えた出力段トクンジスタがその両側に対称に配置されて
いて、その合計の面積は第１図の出力段トランジスタの
面積に等しい。
この場合の駆動段トランジスタから出力段トランジスタ
のエミッタの端までの距ｗｔｔｓはＤｏ３になるのでエ
ミッタの奥行方向における電流密度に大きな差を生じな
い。しかも第４図のように出力段トランジスタの数も増
しても、このＤの長さは変化なく、場所による差もない
。しかし駆動段トランジスタがチップの対方辺の間を買
通して位置せず、第５図のように全周を出力段トランジ
スタに囲まれるときには、例えば０点のように駆動段ト
ランジスタより遠いエミッタ部が存在することになり、
本発明による効果は得られない。
のエミッタの端までの距ｗｔｔｓはＤｏ３になるのでエ
ミッタの奥行方向における電流密度に大きな差を生じな
い。しかも第４図のように出力段トランジスタの数も増
しても、このＤの長さは変化なく、場所による差もない
。しかし駆動段トランジスタがチップの対方辺の間を買
通して位置せず、第５図のように全周を出力段トランジ
スタに囲まれるときには、例えば０点のように駆動段ト
ランジスタより遠いエミッタ部が存在することになり、
本発明による効果は得られない。
以上述べ丸ように本発明はダーリントントランジスタの
駆動段トランジスタが出力段トランジスタの中央部を横
切ってチップの一方の辺からその対向辺まで延在させる
ものである。これにより出力段トランジスタのエミッタ
部の駆動段トランジスタよシ最も離れた箇所に至る距離
が短縮されるので、出力段トランジスタのベース電流が
均一ニエミッタ各部に供給され、ＲＢ８０ム、 ｈＩＦ
Ｉあるいは飽和特性が改善され、ま九チップの全面積が
有効に利用できるので、特に大容量ダーリントントラン
ジスタにおいて得られる効果は極めて大きい。
駆動段トランジスタが出力段トランジスタの中央部を横
切ってチップの一方の辺からその対向辺まで延在させる
ものである。これにより出力段トランジスタのエミッタ
部の駆動段トランジスタよシ最も離れた箇所に至る距離
が短縮されるので、出力段トランジスタのベース電流が
均一ニエミッタ各部に供給され、ＲＢ８０ム、 ｈＩＦ
Ｉあるいは飽和特性が改善され、ま九チップの全面積が
有効に利用できるので、特に大容量ダーリントントラン
ジスタにおいて得られる効果は極めて大きい。
第１図は従来のダーリントントランジスタの一例の平面
図、第２図は他の従来例の平面図、第３図は本発明の一
実施例の平面図、第４図は本別の実施例の平面図、第５
図は本発明の効果の生じないダーリントントランジスタ
の平面図である。 ３・・・駆動段トランジスタベース電極、１０・・・シ
リコンチツ７’、１１．１２・・・出力段トランジスタ
ベース電極、 ２１ 、２２・・、出力段トランジスタ
エミッタ電極。
図、第２図は他の従来例の平面図、第３図は本発明の一
実施例の平面図、第４図は本別の実施例の平面図、第５
図は本発明の効果の生じないダーリントントランジスタ
の平面図である。 ３・・・駆動段トランジスタベース電極、１０・・・シ
リコンチツ７’、１１．１２・・・出力段トランジスタ
ベース電極、 ２１ 、２２・・、出力段トランジスタ
エミッタ電極。
Claims (1)
- １）方形半導体片の一つの辺からその対向辺まで他の一
組の辺に平行して駆動段トランジスタが延在し、該駆動
段トランジスタの両側に出力段トランジスタがほぼ対称
に位置することを特徴とするダーリントントランジスタ
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191513A JPS5892263A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ダ−リントントランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191513A JPS5892263A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ダ−リントントランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892263A true JPS5892263A (ja) | 1983-06-01 |
| JPS6364059B2 JPS6364059B2 (ja) | 1988-12-09 |
Family
ID=16275900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191513A Granted JPS5892263A (ja) | 1981-11-28 | 1981-11-28 | ダ−リントントランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892263A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004285A1 (en) * | 1984-03-16 | 1985-09-26 | Motorola, Inc. | Integrated bipolar-mos semiconductor device with common colle ctor and drain |
| US5105249A (en) * | 1989-06-02 | 1992-04-14 | U.S. Philips Corporation | Radiation-sensitive semiconductor device having a transistor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101055772B1 (ko) | 2005-12-15 | 2011-08-11 | 서울반도체 주식회사 | 발광장치 |
-
1981
- 1981-11-28 JP JP56191513A patent/JPS5892263A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1985004285A1 (en) * | 1984-03-16 | 1985-09-26 | Motorola, Inc. | Integrated bipolar-mos semiconductor device with common colle ctor and drain |
| US4783694A (en) * | 1984-03-16 | 1988-11-08 | Motorola Inc. | Integrated bipolar-MOS semiconductor device with common collector and drain |
| US5105249A (en) * | 1989-06-02 | 1992-04-14 | U.S. Philips Corporation | Radiation-sensitive semiconductor device having a transistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6364059B2 (ja) | 1988-12-09 |
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