JPS63124568A - 電界効果トランジスタ - Google Patents

電界効果トランジスタ

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JPS63124568A
JPS63124568A JP27113986A JP27113986A JPS63124568A JP S63124568 A JPS63124568 A JP S63124568A JP 27113986 A JP27113986 A JP 27113986A JP 27113986 A JP27113986 A JP 27113986A JP S63124568 A JPS63124568 A JP S63124568A
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JP
Japan
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interval
field effect
effect transistor
drain
channel
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Application number
JP27113986A
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JPH0834223B2 (ja
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Osamu Shiozaki
修 塩崎
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NEC Corp
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NEC Corp
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電界効果トランジスタに関し、特に高周波、
高出力用途で使用される電界効果トランジスタに関する
。
〔従来の技術〕
従来、高周波、高出力用途で使用される電界効果Ｉ・ラ
ンリスタにおいてドレイン及びソースオーミック間隔、
即ちチャンネル間隔はチップ全体にわたって一様となっ
ていた。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来の高周波、高出力電界効果トランジスタは
、第２図に示すように、ソースオーミック領域１１．ゲ
ーＩ・領域１２．ドレインオーミック領域１３を有し、
チ・ツブ全体にわたってチャンネル間隔ｅ３が一定にな
っている為、下記のような欠点を有していた。即ち、電
界効果トランジスタが、高周波、高出力動作を行ってい
る場合、チップ全体に大電流が流れる為、それに応じて
かなりの熱が発生し、チャンネル温度の上昇を起こす。
その時チャンネル温度の上昇は、熱流の重なりの為、ど
うしても動作層の中央部がその端部より高くなり、その
部分の移動度等が、高い温度上昇の為低下し、高出力動
作の機能が低下し全体として高出力用素子としはアンバ
ランス動作という欠点があった。
本発明の目的は、高周波、高出力動作をさせたとき、チ
ャンネルの温度上昇が不均一にならず、全チャンネルを
均一に動作させることができる電界効果トランジスタを
提供することにある。
ｒ問題点を解決するための手段〕 本発明の電界効果トランジスタは１、ドレインとソース
とのオーミック間隔、即ちチャンネル間隔が、前記電界
効果トランジスタ動作層の中央部の方がその端部よりも
狭くなっている構造を有している。
〔実施例〕
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は本発明の内容を平易に説明する為の電界効果
トランジスタチップの動作層の一部を抜き出した平面図
である。
第１図より明らかな様に、ソースオーミック領域１及び
ドレインオーミック領域３の間隔に関して動作層の中央
部のそれｌｌが端部のそれ１２よりも小さくなっている
。なお、２はゲート領域である。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明は、電界効果トランジスタに
おいてドレインのソースのオーミック間隔即ちチャンネ
ル間隔を温度上昇が大きくキャリア移動度を低下する動
作層の中央部はど狭くし、実効的にその部分のチャンネ
ル抵抗を下げてやることにより、キャリア移動度の低下
を相殺し、結果的に、高周波、高出力動作をさせた場合
に、全チャンネルを均一に動作させることができる効果
を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の電界効果トランジスタのチャンネル部
分の平面図、第２図は従来構造を有する電界効果トラン
ジスタのチャンネル部分の平面図である。 １．１１・・・ソース−オーミック領域、２．１２・・
・ゲート領域、３．１３・−・ドレインオーミック領域
。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ドレイン、ソース及びゲートをそなえた電界効果トラン
    ジスタにおいて、前記電界効果トランジスタのドレイン
    とソースとのオーミック間隔、即ちチャンネル間隔が、
    前記電界効果トランジスタの動作層の中央部の方が周辺
    部よりも狭くなっていることを特徴とする電界効果トラ
    ンジスタ。
JP61271139A 1986-11-14 1986-11-14 電界効果トランジスタ Expired - Lifetime JPH0834223B2 (ja)

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JPS63124568A true JPS63124568A (ja) 1988-05-28
JPH0834223B2 JPH0834223B2 (ja) 1996-03-29

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316827B1 (en) 1997-09-12 2001-11-13 Nec Corporation Semiconductor device having improved temperature distribution

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5425678A (en) * 1977-07-28 1979-02-26 Nec Corp Field effect transistor of ultra high frequency and high output
JPS6298673A (ja) * 1985-10-25 1987-05-08 Hitachi Ltd 砒化ガリウム半導体装置

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JPH0834223B2 (ja) 1996-03-29

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