JP2582399B2

JP2582399B2 - 半導体装置

Info

Publication number: JP2582399B2
Application number: JP63073630A
Authority: JP
Inventors: 泰之樋口
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 1988-03-28
Filing date: 1988-03-28
Publication date: 1997-02-19
Anticipated expiration: 2012-02-19
Also published as: JPH01245554A

Description

【発明の詳細な説明】（イ）産業上の利用分野この発明は、くし形パターンを有する半導体装置の改
良に関する。

（ロ）従来の技術従来、くし形パターンを有する半導体装置、例えばNP
N形トランジスタとしては、第２図に示すものが知られ
ている。12は、Ｎ形のシリコン基板であり、その下表面
12bには、金（Au）薄膜等よりなるコレクタ電極Ｃが形
成されている。

シリコン基板12の上表面12aには、Ｐ形のベース拡散
層13が形成され、さらに、このベース拡散層13内には、
くし形パターンを有する、Ｎ形のエミッタ拡散層14が形
成される。基板上表面12aには、シリコン酸化膜（Si
O₂）15が形成され、このシリコン酸化膜15上に、ベース
電極Ｂ、エミッタ電極Ｅが形成される。ベース電極Ｂ、
エミッタ電極板Ｅは、それぞれシリコン酸化膜15の窓15
a、15bを通して、ベース拡散層13、エミッタ拡散層14に
接続している。

（ハ）発明が解決しようとする課題上記トランジスタ11では、ベース電極Ｂがエミッタ電
極Ｅの外側を取り囲んでいる。しかし、ベース電極Ｂの
外側の部分Baは、片側のエミッタ拡散層14aにのみ電流
を注入しており、その面積のわりには効率は1/2しか働
いていない。

このため、ベース電極外周部Baに、すなわちベース拡
散層13の外周部13aに面積をとられ、エミッタ拡散層14
のくし歯部14aの面積が小さくなり、あるいは本数が少
なくなり、エミッタ拡散層14の面積あたりの電流密度が
大きくなり、電流容量が小さく、破壊に対して弱いとい
う問題点があった。

この発明は、上記に鑑みなされたもので、電流容量が
大きく、破壊に対して強い半導体装置の提供を目的とし
ている。

（ニ）課題を解決するための手段この発明の半導体装置の構成を、実施例に対応する第
１図を用いて説明すると、一導電形の基板２と、この基
板表面2aに形成される、基板２と反対導電形の第１の拡
散層３と、この第１の拡散層３に形成され、第１の拡散
層の一方側から他方側に向かって間隔を置いて延びる直
線状のくし歯部が一方側で連続したくし形のパターンを
有し、第１の拡散層３と反対導電形の第２の拡散層と、
前記第１の拡散層３上に形成される第１の電極Ｂと、前
記第２の拡散層４上に形成される第２の電極Ｅと、前記
基板２に形成される第３の電極とを備えてなるものにお
いて、前記第２の拡散層４は、くし歯部4bが一方側で連
続する部分に連続してくし歯部4bを取り囲む外周部4aを
有し、この外周部4aの幅d_aはくし歯部4bの幅d_bよりも小
さくすると共に、この外周部4aと前記第１の拡散層３の
外周縁3aとの間は、アイソレーションが保てる程度の距
離d_cとし、前記第２の電極Ｅが第１の電極Ｂを取り囲む
ことを特徴とするものである。

（ホ）作用この発明の半導体装置では、第２の拡散層外周部4aと
第１の拡散層外周縁3aとの間を、アイソレーションが保
てる程度の距離d_cとし、第１の拡散層外周縁3a上には、
第１の電極Ｂを形成しないこととしたので、第２の拡散
層４のくし歯部4bの本数、又は面積を増やすことができ
る。このため、第２の拡散層４の単位面積当たりの電流
密度が小さくなり、電流容量が大きくなって破壊に対し
て強くすることができる。

また、第２の拡散層外周部4aは、第１の拡散層３より
の電流が片側だけからしか注入されないため、くし歯部
4bよりも幅を小さくしている。従って、第２の拡散層４
の電流密度が均一となり、大電流が取り出せると共に、
やはり破壊に対して強くすることが可能となる。

（ヘ）実施例この発明の一実施例を第１図に基づいて以下に説明す
る。

この実施例は、本発明をNPN型プレーナトランジスタ
に適用したものであり、第１図（ａ）は、実施例トラン
ジスタチップ１の平面図、第１図（ｂ）は、同チップ１
の中央縦断面図を示している。

２は、Ｎ形のシリコン基板であり、その下面2bには、
金蒸着膜等の導体薄膜よりなるコレクタ電極（第３の電
極）Ｃが形成されている。

シリコン基板２上面には、Ｐ形のベース拡散層（第１
の拡散層）３が形成される。また、ベース拡散層３内に
は、Ｎ形のエミッタ拡散層（第２の拡散層）４が形成さ
れる。エミッタ拡散層４は、ベース拡散層３の一方側か
ら他方側に向かって間隔を置いて延びる直線状のくし歯
部4b,4bと、これらくし歯部4bが一方側で連続する部分
に連続してくし歯部4bを取り囲む外周部4aとより構成さ
れる。外周部4aとベース拡散層３の外周部3aとは、アイ
ソレーションが保てる微小距離d_cとされる。また、エミ
ッタ拡散層外周部4aの幅d_aは、くし歯部4bの幅d_bよりも
小さくされる。これは、外周部4aには、片側よりしかベ
ース電流が流入しないため、この部分の幅d_aをd_bよりも
小さくし、エミッタ拡散層４内の電流密度を均一化する
ためである。

シリコン基板上面2aには、シリコン酸化膜５が形成さ
れている。このシリコン酸化膜５上には、エミッタ拡散
層４のパターン、及びベース拡散層３のパターン（エミ
ッタ拡散層４に囲まれる部分のパターン）に合わせて、
それぞれエミッタ電極Ｅ、ベース電極Ｂが形成される。
このエミッタ電極Ｅは、ベース電極Ｂを取り囲む形とな
る〔第１図（ａ）参照〕。

前記シリコン酸化膜５には、窓部5a、5bが開けられて
おり、ベース電極Ｂ、エミッタ電極Ｅが、それぞれベー
ス拡散層３、エミッタ拡散層４に接触している。

このトランジスタチップ１は、例えばコレクタリード
（図示せず）上にダイボンディングされ、エミッタ電極
Ｅ、ベース電極Ｂが、それぞれ図示しないエミッタリー
ド、ベースリードとワイヤボンディングされ、パッケー
ジに封入されるが、周知の技術であるので詳細は省略す
る。

この実施例トランジスタチップ１では、エミッタ拡散
層外周部4aが、ベース拡散層外周縁3a近くに位置してい
るので、エミッタ拡散層４の面積が増やせ、あるいはく
し歯部4bの本数を増やすことができる。また、エミッタ
拡散層外周部4aの幅d_aが、くし歯部4bの幅d_bより小さい
ので、エミッタ拡散層４内の電流密度を均一にすること
ができる。従って、電流容量が大きくなり、破壊に対し
て強いものとすることができる。

なお、上記実施例では、この発明をNPN型トランジス
タに適用した例を説明しているが、PNP型トランジスタ
にも同様に適用可能である。

（ト）発明の効果以上説明したように、この発明の半導体装置は、第２
の拡散層は、くし歯部を取り囲む外周部を有し、この外
周部の幅はくし歯部の幅よりも小さくすると共に、この
外周部と第１の拡散層外周縁との間は、アイソレーショ
ンが保てる程度の距離とし、第２の電極が第１の電極を
取り囲むものであるから、第２の拡散層の面積又はくし
歯部の本数を増やせ、電極容量を大きくできると共に、
電流密度を均一にすることができ、破壊に対して強いも
のとすることができる利点を有している。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は、この発明の一実施例に係るトランジス
タチップの平面図、第１図（ｂ）は、同トランジスタチ
ップの中央縦断面図、第２図（ａ）は、従来のトランジ
スタチップの平面図、第２図（ｂ）は、同従来のトラン
ジスタチップの中央縦断面図である。 2:シリコン基板、3:ベース拡散層、4:エミッタ拡散層、
4a:エミッタ拡散層外周部、4b:エミッタ拡散層くし歯
部、C:コレクタ電極、E:エミッタ電極、B:ベース電極。

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】一導電形の基板と、この基板表面に形成さ
れる前記基板と反対導電形の第１の拡散層と、この第１
の拡散層に形成され、第１の拡散層の一方側から他方側
に向かって間隔を置いて延びる直線状のくし歯部が一方
側で連続したくし形のパターンを有し、前記第１の拡散
層と反対導電形の第２の拡散層と、前記第１の拡散層上
に形成される第１の電極と、前記第２の拡散層上に形成
される第２の電極と、前記基板に形成される第３の電極
とを備えてなる半導体装置において、前記第２の拡散層は、くし歯部が一方側で連続する部分
に連続してくし歯部を取り囲む外周部を有し、この外周
部の幅は前記くし歯部の幅よりも小さくすると共に、こ
の外周部と前記第１の拡散層の外周縁との間は、アイソ
レーションが保てる程度の距離とし、前記第２の電極が
前記第１の電極を取り囲むことを特徴とする半導体装
置。