JPS58147065A - 大容量トランジスタ - Google Patents

大容量トランジスタ

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JPS58147065A
JPS58147065A JP57029295A JP2929582A JPS58147065A JP S58147065 A JPS58147065 A JP S58147065A JP 57029295 A JP57029295 A JP 57029295A JP 2929582 A JP2929582 A JP 2929582A JP S58147065 A JPS58147065 A JP S58147065A
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JP
Japan
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emitter
region
electrode
lead wire
regions
Prior art date
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Pending
Application number
JP57029295A
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English (en)
Inventor
Tsuneto Sekiya
関谷　恒人
Shinichi Ito
伸一 伊藤
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Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Fuji Electric Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一つの半導体板に複数のエミッタ領域が設けら
れ、それら゛−６ｓ並列接続されている大容量トランジ
スタに関する。
第１図はそのようなトランジスタの平面図、第等価回路
図を示し、第１図においてシ リコン板ｌは下面側から＝レクタ領域、ベース領域を有
し、ベース領域内に選択拡散によりエミッタ領域が設け
られ、ベース、領域にベース電極２が、エミッタ領域に
エミッタ電極３がそれぞれ被着されている。ベース電極
２にはベースリード線４が接続され、また各エミッタ電
極３にはそれぞれ工１さツタリード線５が接続され、エ
ミッタ端子′Ｅにまとめられている。しかしこのような
トランジスタには次の問題点がある。
（１）　　拡散のばらつきにより各エミッタにおいて特
に電流増幅率ｈＦｌのばらつきがあると電流の分担の不
均衡を生じ゛、一つのエンツタ領域に電流集中を起こし
て破壊に至りやすい。
（２）第１図から分かるようにエミッタリード線の長さ
に差があるためリード線による抵抗値に大小が出来、リ
ード線の短い方に電流が流れやすくなり、そのエミッタ
部分が破壊しやすい。
゛個別素子のトランジスタを並列接続する場合、このよ
うなエミッタ電流の不均衡を阻止するには各トランジス
タのエミッタにエミッタバランス抵抗を付加することが
有効であることは知られている。しかし一つの半導体板
に複数のエミッタ領域が設けられる大容量トランジスタ
にそのような抵抗を接続することは実際上不可能である
。
本楯明はそのような大容量トランジスタにおいて、半導
体板内に←仔衾→曜工にツタバランス抵抗を付加した構
造を提供することを目的とする。
この目的は、それぞれのエミッタ領域に被着されるエミ
ッタ電極がベース領域に近い部分とその部分と間−を介
して分離されたペース領域より遠い部分とからなり、そ
のベース領域より遠い部分にリード線が接続されること
により達成される。
以下図を引用して本発明の実施例について説明する。第
３図は本発明暴こよる一つのエミッタ電極およびその近
傍、第４図は第３図めＡ−Ａ線断面図を示している。Ｐ
形ベース領域１１の中に拡散によってＮ形エンツタ領域
１２が設けられ、表面には両領域の境界のＰＮ接合を保
映す、る絶縁１１１３を除いてベース電極２およびエミ
ッタ電極が被着されている。エミッタ電極は狭い幅の間
１１ｉ１１４によって分離された外周部３１と中央部３
２に分れている。エミッタリード＠５はこの中央部３２
に、例えばワイヤボンディングによって接続されている
。このような構造のトランジスタにおいては第４図の破
線で囲まれた部分を拡大した第５図に示すようにベース
領域１１からエミッタ領域１２へ流れるニオツタ電流６
は、−且エミッタ電極の外周部３１に入るが、間隙１４
の部分では再びその下側のエミッタ領域１２に入り中央
部３２を経てリード線５に流れる。従って間ｌ！ｌ１４
の下側で拡散抵抗７を経由する。これによりこのような
エミッタ電極を複数備えたトランジスタの等価回路は第
６図に示す゛ようになり、拡散抵抗７によりエミッタバ
ランス抵抗８が形成される。拡散抵抗７の抵抗値はニオ
ツタ領域１２のシート抵抗、間１１１４の幅、長さによ
って決才るので適宜調整できる。
以上述べたように本発明は複数のエミッタ領域を有する
大容量トランジスタの各エミッタ領域に流れるエミッタ
電流の不均衡を、各エミッタ領域にエミッタバランス抵
抗を内蔵せしめることによって阻止したものであり、エ
ミッタ部分の破壊の虞がなく信頼性高い大容量トランジ
スタを得るのに極めて有効である・な８上述の実施例で
はＮＰＮトランジスタであるが、ＰＮＰ）ランジスタも
同様に実施できる。
【図面の簡単な説明】
［１図は従来の大容量トランジスタの一例の半導体板平
面図、第２図はその等価回路図、第３図は本発明の一実
施例のエミッタ電極部の平面図、第４図は第３図のＡ−
Ａ線断面図、第５図は第３図の破線で囲んだ部分の拡大
図、第６図は本発明による大容量トランジスタの等価回
路図である。 １１・・ぺ−ｘ領域、１２・・・エンツタ領域、１４・
・・間隙、３１・・・二きツタ電極外周部。 ３２・・・ニオツタ電極中央部。 ７１　図 ′７Ｆ　２　図 ；／Ｐ３図 ７４　図 オ６図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １）一つの半導体板に複数のエミッタ領域が設けられ、
    該エミッタ領域が並列接続されるものにおいて、それぞ
    れのニオツタ領域に被着されるニオツタ電極がベース領
    −に近い部分と該部分と間隔を介して分離暴れたベース
    領域より遠い部分とからなり、＃ヘニ玉領域より遠い部
    分にリード線が接続されたことを特徴とする大容量トラ
    ンジスタ。
JP57029295A 1982-02-25 1982-02-25 大容量トランジスタ Pending JPS58147065A (ja)

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JP57029295A JPS58147065A (ja) 1982-02-25 1982-02-25 大容量トランジスタ

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JP57029295A JPS58147065A (ja) 1982-02-25 1982-02-25 大容量トランジスタ

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JPS58147065A true JPS58147065A (ja) 1983-09-01

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JP57029295A Pending JPS58147065A (ja) 1982-02-25 1982-02-25 大容量トランジスタ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1679745A2 (en) * 2005-01-10 2006-07-12 Velox Semiconductor Corporation Package for gallium nitride semiconductor devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1679745A2 (en) * 2005-01-10 2006-07-12 Velox Semiconductor Corporation Package for gallium nitride semiconductor devices
EP1679745A3 (en) * 2005-01-10 2013-01-09 Power Integrations, Inc. Package for gallium nitride semiconductor devices

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