JPH01266762A - Npn型スイッチング・トランジスタ - Google Patents
Npn型スイッチング・トランジスタInfo
- Publication number
- JPH01266762A JPH01266762A JP9595988A JP9595988A JPH01266762A JP H01266762 A JPH01266762 A JP H01266762A JP 9595988 A JP9595988 A JP 9595988A JP 9595988 A JP9595988 A JP 9595988A JP H01266762 A JPH01266762 A JP H01266762A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- area
- diffusion area
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスイッチング・トランジスタに関し、特にカレ
ント・ホギング防止手段を備えたNPN型スイッチング
・トランジスタに関する。
ント・ホギング防止手段を備えたNPN型スイッチング
・トランジスタに関する。
従来、スイッチング・トランジスタにおけるカレント・
ホギングを防止するには、通常、トランジスタのベース
に抵抗を接続するか、または、トランジスタのベース駆
動用にPNPトランジスタのカレントミラー回路を挿入
したりする回路手段によっている。
ホギングを防止するには、通常、トランジスタのベース
に抵抗を接続するか、または、トランジスタのベース駆
動用にPNPトランジスタのカレントミラー回路を挿入
したりする回路手段によっている。
しかしながら、この従来のカレント・ホギング防止手段
は、抵抗を追加したり或いはPNPトランジスタのカレ
ントミラーを追加する構成をとるので、半導体チップ・
サイズの増大を招くという欠点がある。
は、抵抗を追加したり或いはPNPトランジスタのカレ
ントミラーを追加する構成をとるので、半導体チップ・
サイズの増大を招くという欠点がある。
本発明の目的は、上記の情況に鑑み、半導体チップ・サ
イズの増大を招くことなき構造のPNP型スイッチング
・トランジスタを提供することである。
イズの増大を招くことなき構造のPNP型スイッチング
・トランジスタを提供することである。
本発明によれば、飽和領域とカットオフ領域とを動作領
域とするNPN型スイッチング・トランジスタは、前記
トランジスタのベース拡散領域内におけるベース・コン
タクトとエミッタ拡散領域との間に前記ベース拡散領域
とピンチ抵抗を形成するN形拡散領域を含んで構成され
る。
域とするNPN型スイッチング・トランジスタは、前記
トランジスタのベース拡散領域内におけるベース・コン
タクトとエミッタ拡散領域との間に前記ベース拡散領域
とピンチ抵抗を形成するN形拡散領域を含んで構成され
る。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すNPN型スイッチング
・トランジスタの平面図である。本実施例によれば、本
発明のスイッチング・トランジスタは、トランジスタの
絶縁アイランド1と、N+埋込層2と、ベース領域を形
成するP+拡散領域3と、エミッタ領域を形成するN+
拡散領域4と、コレクタ・コンタクトを取るためのN+
拡散領域5と、P+拡散領域3との間にピンチ抵抗を形
成するN+拡散領域6と、エミッタ・コンタクト7と、
ベース・コンタクト8と、コレクタ・コンタクト9とを
含む。上記構成において、ベース電流はベース・コンタ
クト8からエミッタ領域を形成するN+拡散領域4直下
のP+拡散領域3(ベース領域)へ流れるが、N+拡散
領域6がピンチ抵抗を形成しているので、回路動作上ベ
ースに抵抗を接続したのと等価となり、複数のトランジ
スタを接続してもカレント・ホギングの発生が防止され
る。
・トランジスタの平面図である。本実施例によれば、本
発明のスイッチング・トランジスタは、トランジスタの
絶縁アイランド1と、N+埋込層2と、ベース領域を形
成するP+拡散領域3と、エミッタ領域を形成するN+
拡散領域4と、コレクタ・コンタクトを取るためのN+
拡散領域5と、P+拡散領域3との間にピンチ抵抗を形
成するN+拡散領域6と、エミッタ・コンタクト7と、
ベース・コンタクト8と、コレクタ・コンタクト9とを
含む。上記構成において、ベース電流はベース・コンタ
クト8からエミッタ領域を形成するN+拡散領域4直下
のP+拡散領域3(ベース領域)へ流れるが、N+拡散
領域6がピンチ抵抗を形成しているので、回路動作上ベ
ースに抵抗を接続したのと等価となり、複数のトランジ
スタを接続してもカレント・ホギングの発生が防止され
る。
以上説明したように、本発明によれば、ベース・コンタ
クトとエミッタ領域の間のベース拡散領域内にピンチ抵
抗を形成するN+拡散領域を設けることにより、ベース
に等測的に抵抗を挿入し得るので、複数のトランジスタ
のベースをドライブするスイッチング回路に使用すれば
、チップ面積の増大を招かずにカレント・ホギングが防
止され、極めて安定に動作せしめることができる。
クトとエミッタ領域の間のベース拡散領域内にピンチ抵
抗を形成するN+拡散領域を設けることにより、ベース
に等測的に抵抗を挿入し得るので、複数のトランジスタ
のベースをドライブするスイッチング回路に使用すれば
、チップ面積の増大を招かずにカレント・ホギングが防
止され、極めて安定に動作せしめることができる。
第1図は本発明の一実施例を示すNPN型スイッチング
・トランジスタの平面図である。 1・・・絶縁アイランド、2・・・N+埋込層、3・・
・P+拡散領域(ベース領域)、4・・・N+拡散領域
(エミッタ領域)、5・・・N+拡散領域(コレクタ領
域)、6・・・N+拡散領域、7・・・エミッタ・コン
タクト、8・・・ベース・コンタクト、9・・・コレク
タ・コンタクト。 第 1 図
・トランジスタの平面図である。 1・・・絶縁アイランド、2・・・N+埋込層、3・・
・P+拡散領域(ベース領域)、4・・・N+拡散領域
(エミッタ領域)、5・・・N+拡散領域(コレクタ領
域)、6・・・N+拡散領域、7・・・エミッタ・コン
タクト、8・・・ベース・コンタクト、9・・・コレク
タ・コンタクト。 第 1 図
Claims (1)
- 飽和領域とカットオフ領域とを動作領域とするNPN
型スイッチング・トランジスタにおいて、前記トランジ
スタのベース拡散領域内におけるベース・コンタクトと
エミッタ拡散領域との間に前記ベース拡散領域とピンチ
抵抗を形成するN形拡散領域を設けることを特徴とする
NPN型スイッチング・トランジスタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9595988A JPH01266762A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Npn型スイッチング・トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9595988A JPH01266762A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Npn型スイッチング・トランジスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01266762A true JPH01266762A (ja) | 1989-10-24 |
Family
ID=14151767
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9595988A Pending JPH01266762A (ja) | 1988-04-18 | 1988-04-18 | Npn型スイッチング・トランジスタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01266762A (ja) |
-
1988
- 1988-04-18 JP JP9595988A patent/JPH01266762A/ja active Pending
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