JPH01266762A - Ｎｐｎ型スイッチング・トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はスイッチング・トランジスタに関し、特にカレ
ント・ホギング防止手段を備えたＮＰＮ型スイッチング
・トランジスタに関する。

〔従来の技術〕

従来、スイッチング・トランジスタにおけるカレント・
ホギングを防止するには、通常、トランジスタのベース
に抵抗を接続するか、または、トランジスタのベース駆
動用にＰＮＰトランジスタのカレントミラー回路を挿入
したりする回路手段によっている。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかしながら、この従来のカレント・ホギング防止手段
は、抵抗を追加したり或いはＰＮＰトランジスタのカレ
ントミラーを追加する構成をとるので、半導体チップ・
サイズの増大を招くという欠点がある。

本発明の目的は、上記の情況に鑑み、半導体チップ・サ
イズの増大を招くことなき構造のＰＮＰ型スイッチング
・トランジスタを提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によれば、飽和領域とカットオフ領域とを動作領
域とするＮＰＮ型スイッチング・トランジスタは、前記
トランジスタのベース拡散領域内におけるベース・コン
タクトとエミッタ拡散領域との間に前記ベース拡散領域
とピンチ抵抗を形成するＮ形拡散領域を含んで構成され
る。

〔実施例〕

以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は本発明の一実施例を示すＮＰＮ型スイッチング
・トランジスタの平面図である。本実施例によれば、本
発明のスイッチング・トランジスタは、トランジスタの
絶縁アイランド１と、Ｎ＋埋込層２と、ベース領域を形
成するＰ＋拡散領域３と、エミッタ領域を形成するＮ＋
拡散領域４と、コレクタ・コンタクトを取るためのＮ＋
拡散領域５と、Ｐ＋拡散領域３との間にピンチ抵抗を形
成するＮ＋拡散領域６と、エミッタ・コンタクト７と、
ベース・コンタクト８と、コレクタ・コンタクト９とを
含む。上記構成において、ベース電流はベース・コンタ
クト８からエミッタ領域を形成するＮ＋拡散領域４直下
のＰ＋拡散領域３（ベース領域）へ流れるが、Ｎ＋拡散
領域６がピンチ抵抗を形成しているので、回路動作上ベ
ースに抵抗を接続したのと等価となり、複数のトランジ
スタを接続してもカレント・ホギングの発生が防止され
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、ベース・コンタ
クトとエミッタ領域の間のベース拡散領域内にピンチ抵
抗を形成するＮ＋拡散領域を設けることにより、ベース
に等測的に抵抗を挿入し得るので、複数のトランジスタ
のベースをドライブするスイッチング回路に使用すれば
、チップ面積の増大を招かずにカレント・ホギングが防
止され、極めて安定に動作せしめることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示すＮＰＮ型スイッチング
・トランジスタの平面図である。 １・・・絶縁アイランド、２・・・Ｎ＋埋込層、３・・
・Ｐ＋拡散領域（ベース領域）、４・・・Ｎ＋拡散領域
（エミッタ領域）、５・・・Ｎ＋拡散領域（コレクタ領
域）、６・・・Ｎ＋拡散領域、７・・・エミッタ・コン
タクト、８・・・ベース・コンタクト、９・・・コレク
タ・コンタクト。 第　１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　飽和領域とカットオフ領域とを動作領域とするＮＰＮ
   型スイッチング・トランジスタにおいて、前記トランジ
   スタのベース拡散領域内におけるベース・コンタクトと
   エミッタ拡散領域との間に前記ベース拡散領域とピンチ
   抵抗を形成するＮ形拡散領域を設けることを特徴とする
   ＮＰＮ型スイッチング・トランジスタ。