JPS6138934U - 半導体ウエ−ハ - Google Patents

半導体ウエ−ハ

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JPS6138934U
JPS6138934U JP12149984U JP12149984U JPS6138934U JP S6138934 U JPS6138934 U JP S6138934U JP 12149984 U JP12149984 U JP 12149984U JP 12149984 U JP12149984 U JP 12149984U JP S6138934 U JPS6138934 U JP S6138934U
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JP
Japan
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semiconductor wafer
same
type
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JP12149984U
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健二郎 浅野
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関西日本電気株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第２図はこの考案の一実施例の半導体ウエーハの要部拡
大平面区で、第１図は第２図のＩ−Ｉ線に沿う断面図で
ある。 第３図は印加電圧対リーク電流の特性図、第４図はベー
ス領域〜フイール− ド・リミッテイング・リング間の
距離対プレークオーバ電圧の特性図である。 第５図は半導体ウエ一ハの斜視図で、第６図はその要部
拡大平面図、第７図は第６図の■−■線に沿う要部拡大
断面図である。 １・・・・・・半導体ウエーハ、２・・・・・・半導体
素子（逆阻止３端子サイリスタ）、５，９・・・・・・
一導電型領域（Ｎ一型領域）、７・・・・・・反対導電
型選択拡散領域（Ｐ型ベース領域）、１０・・・・・・
ベース領域、１１・・・・・・フィールド・リミツテイ
ング・リング（Ｆ・Ｌ−Ｒ）。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 一導電型領域内に反対導電型選択拡散領域を形成して多
    数の半導体素子を形成してなる半導体ウエーハにおいて
    、 前記一導電型領域内の一部に前記反対導電型選択拡散領
    域と同一導電型で同一深さに形成されたベース領域と、 このベース領域と所定の間隔寸法で、かつペース領域と
    同一導電型で同一深さに形成されたフィールド・リミツ
    テイング・リングとを備えたことを特徴とする半導体ウ
    エーハ。
JP12149984U 1984-08-07 1984-08-07 半導体ウエ−ハ Granted JPS6138934U (ja)

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JP12149984U JPS6138934U (ja) 1984-08-07 1984-08-07 半導体ウエ−ハ

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JPS6138934U true JPS6138934U (ja) 1986-03-11
JPH034033Y2 JPH034033Y2 (ja) 1991-02-01

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ID=30680282

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