JPS60194361U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS60194361U
JPS60194361U JP8332684U JP8332684U JPS60194361U JP S60194361 U JPS60194361 U JP S60194361U JP 8332684 U JP8332684 U JP 8332684U JP 8332684 U JP8332684 U JP 8332684U JP S60194361 U JPS60194361 U JP S60194361U
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JP8332684U
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弘喜 浜田
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三洋電機株式会社
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の実施例を示す断面図、第２図、第３図
は特性図である。 １・・・ヒートシンク、３・・・半導体レーザチップ、
６・・・Ｉｎ−Ａｕ合金層（ろう材）。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 半導体レーザチップをヒートシンクに固着してなる半導
    体レーザ装置において、上記チップとヒートシンクとは
    ＩｎとＡｕとの比率がＩｎ／Ａｕ＝７〜１０であるＩｎ
    −Ａｕ合金をろう材として固着されていることを特徴と
    する半導体レーザ装置。
JP8332684U 1984-06-04 1984-06-04 半導体レ−ザ装置 Granted JPS60194361U (ja)

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JP8332684U JPS60194361U (ja) 1984-06-04 1984-06-04 半導体レ−ザ装置

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JPS60194361U true JPS60194361U (ja) 1985-12-24
JPH0119410Y2 JPH0119410Y2 (ja) 1989-06-05

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