KR20120092785A - 발광 디바이스 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 얻을 수 있으며, 나아가, 파장변환부에 의한 산란, 재흡수, 산포 유발 등의 문제를 줄일 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 얻을 수 있으며, 나아가, 파장변환부에 의한 산란, 재흡수, 산포 유발 등의 문제를 줄일 수 있다.
Description
본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다.
일반적으로, 파장변환용 형광체물질은 다양한 광원의 특정 파장광을 원하는 파장광으로 변환시키는 물질로 사용되고 있다. 특히, 다양한 광원 중 발광다이오드는 저전력 구동 및 우수한 광효율으로 인해 LCD 백라이트와 자동차 조명 및 가정용 조명장치로서 유익하게 적용될 수 있으므로, 최근에 형광체 물질은 백색 발광장치를 제조하기 위한 핵심기술로 각광받고 있다.
일반적으로, 백색 발광장치는 청색 또는 자외선 LED칩에 1종 이상의 형광체(예, 황색 또는 적색 및 청색)을 적용하는 방식으로 제조되고 있다. 특히, 적색 형광체와 함께 다른 1종 이상의 형광체를 조합하여 사용하는 형태에서, 각 형광체의 반치폭이 낮은 경우에 충분한 연색지수를 확보하기 어려우며, 원하는 천연 백색광을 구현하는데 한계가 있다. 이러한 연색성에 대한 요구는 상기 백색 발광장치가 조명용 광원으로 채용되는데 있어서 중요한 평가사항이 될 수 있다.
한편, 패키지에 적용시 일반적으로 수지에 형광체를 분산하여 사용하는데, 이러한 구조의 경우, 패키지에 따라 형광체 입자의 분포가 다르며, 단일 패키지 내에서도 영역에 따라 형광체의 밀도가 다를 수 있다. 이러한 형광체의 산포에 의하여 광원의 색 산포 문제가 발생할 수 있으며, 나아가, 입자 형태의 형광체에 의한 재흡수나 산란 등으로 발광 효율이 저하되는 문제도 있다.
본 발명의 목적 중 하나는 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 제공하는 것이 있다. 본 발명의 목적 중 다른 하나는 발광 디바이스에 구비되는 파장변환부에 의한 색산포, 재흡수, 산란 등에 의한 발광 효율의 저하를 최소화하는 것에 있다.
상기 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,
발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 상기 제1 결정상에 피크 파장과 상기 제2 결정상에 의한 피크 파장의 사이에 해당하는 값을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자는 단일한 피크 파장을 가질 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자에는 상기 제1 및 제2 결정상이 1:1의 비율로 포함될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소를 더 포함하며, 상기 희토류 원소(Re)는, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩은 청색광을 방출할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 플레이트 형상을 가질 수 있다.
이 경우, 상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 접합될 수 있으며, 나아가, 상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치될 수 있다.
또한, 상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 평행하도록 배치될 수 있다.
이 경우, 상기 파장변환부는 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지가 형성될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 로드 형상을 가질 수 있다.
이 경우, 상기 로드 형상의 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 상기 로드의 길이 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩을 덮는 투명 수지를 더 포함할 수 있다.
이 경우, 상기 투명 수지 내에 구비된 광 변환 물질을 더 포함할 수 있으며, 나아가, 상기 광 변환 물질로부터 방출되는 빛과 상기 파장변환부로부터 방출되는 빛은 파장이 서로 다를 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 적색 파장 변환 물질을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 얻을 수 있으며, 나아가, 파장변환부에 의한 산란, 재흡수, 산포 유발 등의 문제를 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 발광 디바이스에 채용될 수 있는 발광다이오드 칩의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4에 α-SiAlON, β-SiAlON 및 YAG 형광체에 대한 발광 스펙트럼의 일 예를 나타낸 것이다.
도 5는 사이알론(SiAlON) 형광체의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 6은 α-SiAlON 및 β-SiAlON의 복합상 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 α-SiAlON와 β-SiAlON의 비율에 따라 나타낸 것이다.
도 7은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 발광 디바이스에 채용될 수 있는 발광다이오드 칩의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4에 α-SiAlON, β-SiAlON 및 YAG 형광체에 대한 발광 스펙트럼의 일 예를 나타낸 것이다.
도 5는 사이알론(SiAlON) 형광체의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 6은 α-SiAlON 및 β-SiAlON의 복합상 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 α-SiAlON와 β-SiAlON의 비율에 따라 나타낸 것이다.
도 7은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3은 도 1의 발광 디바이스에 채용될 수 있는 발광다이오드 칩의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(100)는 발광다이오드 칩(101)과 파장변환부(103)를 구비한다. 이 경우, 발광다이오드 칩(101)을 실장하기 위한 기판(102)이 제공될 수 있으며, 기판(102)은 발광다이오드 칩(101)과 전기적으로 연결되기 위한 배선 구조를 구비할 수 있다. 또한, 발광다이오드 칩(101)과 파장변환부(103)를 보호하기 위하여 이들을 봉지하는 투명 수지(104)가 형성될 수 있다.
발광다이오드 칩(101)은 전기 신호 인가에 의하여 전자와 정공의 재결합으로 빛을 발생시키는 소자로서, 이러한 원리를 이용한 구조는 모두 채용될 수 있으며, 그 상세한 구조의 일 예는 도 2 및 도 3에 도시된 것과 같다. 우선, 도 2에 도시된 것과 같이, 발광다이오드 칩(101)은 성장 기판(111) 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(114)을 구비하며, 제1 및 제2 도전형 반도체층(112, 114)과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극(115, 116)이 형성된다. 또한, 제1 및 제2 전극(115, 116)에는 도전성 와이어(w)가 연결되어 외부로부터 전기 신호가 인가될 수 있다. 이러한 구조 외에, 도 3에 도시된 것과 같이, 도전성 와이어를 사용하지 않고, 발광다이오드 칩(101`)을 범프(117)를 이용하여 기판(102)의 배선 구조에 직접 본딩하는 것도 가능하다.
다시 도 1을 참조하여 파장변환부(103)를 설명하면, 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)으로부터 빛이 방출되는 경로에 배치되며, 예컨대, 발광다이오드 칩(101)과 별도로 제조되어 발광다이오드 칩(101)의 일 면에 부착될 수 있다. 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)으로부터 방출된 빛에 의하여 여기되어 상기 빛과 다른 파장의 빛을 방출하는 기능을 하며, 본 실시 형태의 경우, α-사이알론(SiAlON)으로 이루어진 제1 결정상과 β-사이알론(SiAlON)으로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 구조이다. 여기서, α-SiAlON 결정은 예를 들어 (Sr, Ba, Ca)Si12 -(m+n)Al(m+n)OnN16 -n의 조성식을 갖는 황등색 형광체일 수 있으며, β-SiAlON 결정은 Si6 - zAlzOzN8 -z의 조성식으로 표시되는 녹색 형광체일 수 있다. 이 경우, 상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소(Re)를 더 포함할 수 있으며, 상기 희토류 원소는 Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 등으로부터 선택될 수 있다.
도 4에 도시된 α-SiAlON, β-SiAlON 및 YAG 형광체에 대한 발광 스펙트럼의 일 예를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, α-SiAlON 형광체의 경우, 300㎚?480㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 여기원을 조사하여 약 560 ~ 600㎚의 피크 파장을 갖는 황등색의 변환 광을 방출할 수 있다. 또한, β-SiAlON 형광체의 경우, 300㎚?480㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 여기원을 조사하여 500?550㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 녹색의 변환 광을 방출할 수 있다. 이러한 α-SiAlON 및 β-SiAlON 형광체는 질화물 형광체로서, 종래 YAG나 실리케이트 계열 등의 형광체에 비하여 열에 안정하며 고출력 LED 칩에 적용되기에 적합하다. 그러나, 도 4에서 볼 수 있듯이, α-SiAlON 및 β-SiAlON 형광체는 YAG에 비하여 발광 스펙트럼의 반치폭이 좁기 때문에 상대적으로 광 변환 효율 및 CRI가 낮을 수 있다.
본 실시 형태에서는 α-SiAlON 형광체와 β-SiAlON 형광체가 복합상으로 존재하는 입자로 파장변환부(103)를 구성함으로써 사이알론 형광체의 우수한 열 특성을 얻으면서도 상대적으로 반치폭을 확장할 수 있다. 도 5는 사이알론(SiAlON) 형광체의 상평형도를 나타낸 것이며, 도 6은 α-SiAlON 및 β-SiAlON의 복합상 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 α-SiAlON와 β-SiAlON의 비율에 따라 나타낸 것이다. 도 5의 상평형도를 참조하면, Y2O3.9AlN, Si3N4 및 Al2O3.AlN를 특정한 비율로 혼합할 경우, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상을 갖는 입자를 얻을 수 있다. 이러한 복합상 입자의 경우, 도 6에 도시된 것과 같이, 단일 피크 파장을 가지면서도 넓은 반치폭을 갖는다. 이 경우, 상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 α-SiAlON 결정에 의한 피크 파장(황등색)과 β-SiAlON에 의한 피크 파장(녹색)의 사이에 해당하는 값을 가질 수 있다. 특히, α-SiAlON와 β-SiAlON을 1:1의 비율로 포함하는 복합 결정의 경우, YAG와 비교하여 우수한 수준의 반치폭을 가짐을 알 수 있다. 따라서, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 형광체를 사용 시 종래 YAG 형광체와 비교하여 동등하거나 이보다 우수한 발광 효율 및 CRI 값을 얻을 수 있다.
한편, 본 실시 형태에서 제안하는 파장변환부(103)는 종래와 같이 투명 수지에 형광 물질이 분산된 구조가 아니며, 형광체를 소결하여 플레이트 등의 형상으로 제작될 수 있다. 이 경우, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 형광체가 얻어질 수 있도록 원료 물질의 혼합비는 적절히 조절될 필요가 있을 것이다. 이러한 제조 방식에 의하여, 파장변환부(103)는 α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 입자로만 이루어질 수 있으며, 상기 복합상 입자는 다른 매개 수단 없이 서로 간에 결합될 수 있다. 플레이트 형상으로 제조된 파장변환부(103)를 발광다이오드 칩(101)의 표면에 접합시키는 방식을 사용할 경우, 종래 방식의 여러 문제, 즉, 투명 수지에 형광체가 침전하여 소자에 따라 색 산포가 발생하는 문제, 형광체 입자에 의한 산란 문제, 이종 형광체 간의 재흡수 문제 등을 해소할 수 있다. 이러한 측면에서, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 파장변환부(103)는 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 복수의 층이 적층된 구조로 이루어질 수 있을 것이다. 예를 들어, 파장변환부(103)는 α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 입자로 이루어진 플레이트 외에 이와 적층된 적층 형광체 플레이트를 구비할 수 있다.
도 7은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(100`)는 도 1의 구조와 유사하며, 다만, 투명 수지(104) 내부에 광 변환 물질(105)이 분산된다. 광 변환 물질(105)은 형광체나 양자점과 같이 발광 디바이스(100`)에서 직접 방출되는 빛이나 파장변환부(103)에 의하여 파장이 변환된 빛을 흡수하여 이와 다른 파장의 빛을 방출한다. 본 실시 형태와 같이, 도 1의 구조에서 광 변환 물질(105)이 추가됨으로써 파장변환부(103)의 광 변환 기능을 보충함과 더불어, 원하는 색(예컨대, 우수한 연색성을 갖는 백색)의 빛을 얻을 수 있다. 예를 들어, 광 변환 물질(105)로서 적색 형광체를 사용할 경우, 상술한 바와 같이, 녹색 및 황등색에서 넓은 범위의 빛을 내는 파장변환부(103)를 보충하여 백색광의 품질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 적색 형광체의 일 예로서 MAlSiNx:Re(1≤x≤5)인 질화물계 형광체(여기서, M는 Be, Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 1종의 원소이고, Re는 Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 1종의 원소임)를 사용할 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 또한, 도 10은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 8의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(200)는 기판(202) 상에 배치된 발광다이오드 칩(201)을 포함하며, 그 위에 파장변환부(203) 및 투명 수지(204)가 배치된다. 또한, 필요에 따라 부가될 수 있는 요소로서, 투명 수지(204) 내에는 광 변환 물질(205)이 배치될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 파장변환부(203)는 앞선 실시 형태에서와 동일한 물질이 채용될 수 있으나, 그 형상은 로드(rod) 형태로서 상이하다. 이러한 로드 구조는 단결정 광 섬유와 유사하게 작용할 수 있으므로, 이를 채용한 파장변환부(203)를 통하여 광 변환 효율이 더욱 향상될 수 있다.
다음으로, 도 9의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(300)는 앞선 실시 형태와 마찬가지로, 기판(302) 상에 배치된 발광다이오드 칩(301)을 포함하며, 그 위에 파장변환부(303), 투명 수지(304) 및 광 변환 물질(305)이 배치된다. 도 1의 실시 형태에서 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)의 접합 면과 두께 방향이 수직하도록 배치되나, 본 실시 형태에서는 파장변환부(303)는 발광다이오드 칩(301)의 접합 면과 두께 방향이 평행하도록 배치된다. 또한, 도 9에 도시된 것과 같이, 파장변환부(303)가 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비한다고 하였을 때, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지(304)가 배치될 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에서 제안하는 파장변환부는 그 형상을 용이하게 변형할 수 있으므로, 필요에 따라, 다양한 형상으로 채용될 수 있다.
다음으로, 도 10의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(400)는 반사컵 형상의 패키지 본체(402) 내에 배치된 발광다이오드 칩(401)을 포함하며, 이를 봉지하는 투명 수지(404) 및 그 위에 배치된 파장변환부(403)를 포함한다. 앞선 실시 형태와 달리, 파장변환부(403)는 발광다이오드 칩(401)과 직접 접촉되지 않고 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 투명 수지(404)에는 파장변환부(403)와 다른 색의 파장 변환 물질이 분산되어 있을 수 있다.
한편, 본 발명에서 제안하는 발광 디바이스는 주요하게는 액정표시장치에 사용될 수 있으며 나아가, 액정표시장치 외에도 다양한 형태의 디스플레이 장치 또는 조명장치에도 적용될 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기 발광 디바이스를 이용한 광원은 램프, 평판 조명 등의 실내 조명이나 가로등, 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있으며, 또한, 다양한 교통수단용 조명 장치, 예컨대, 자동차, 선박, 항공기 등에 이용될 수 있다. 나아가, TV, 냉장고 등의 가전 제품이나 의료기기 등에도 널리 이용될 수 있을 것이다.
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
101: 발광다이오드 칩 102: 기판
103: 파장변환부 104: 투명 수지
105: 광 변환 물질 111: 성장용 기판
112: 제1 도전형 반도체층 113: 활성층
114: 제2 도전형 반도체층 115, 116: 제1 및 제2 전극
117: 범프
103: 파장변환부 104: 투명 수지
105: 광 변환 물질 111: 성장용 기판
112: 제1 도전형 반도체층 113: 활성층
114: 제2 도전형 반도체층 115, 116: 제1 및 제2 전극
117: 범프
Claims (17)
- 발광다이오드 칩; 및
상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부;
를 포함하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 상기 제1 결정상에 피크 파장과 상기 제2 결정상에 의한 피크 파장의 사이에 해당하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 복합상 입자는 단일한 피크 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 복합상 입자에는 상기 제1 및 제2 결정상이 1:1의 비율로 포함된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소를 더 포함하며,
상기 희토류 원소(Re)는, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩은 청색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 파장변환부는 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제7항에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 접합된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제8항에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제8항에 있어서,
상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 평행하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제10항에 있어서,
상기 파장변환부는 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 파장변환부는 로드 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제12항에 있어서,
상기 로드 형상의 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 상기 로드의 길이 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 발광다이오드 칩을 덮는 투명 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제14항에 있어서,
상기 투명 수지 내에 구비된 광 변환 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제15항에 있어서,
상기 광 변환 물질로부터 방출되는 빛과 상기 파장변환부로부터 방출되는 빛은 파장이 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
- 제1항에 있어서,
상기 파장변환부는 적색 파장 변환 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
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