KR101253079B1 - 발광 디바이스 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 디바이스에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시 형태는 발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.
본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 얻을 수 있으며, 나아가, 파장변환부에 의한 산란, 재흡수, 산포 유발 등의 문제를 줄일 수 있다.

Description

발광 디바이스 {Light Emitting Device}

본 발명은 발광 디바이스에 관한 것이다.

일반적으로, 파장변환용 형광체물질은 다양한 광원의 특정 파장광을 원하는 파장광으로 변환시키는 물질로 사용되고 있다. 특히, 다양한 광원 중 발광다이오드는 저전력 구동 및 우수한 광효율로 인해 LCD 백라이트와 자동차 조명 및 가정용 조명장치로서 유익하게 적용될 수 있으므로, 최근에 형광체 물질은 백색 발광장치를 제조하기 위한 핵심기술로 각광받고 있다.

일반적으로, 백색 발광장치는 청색 또는 자외선 LED칩에 1종 이상의 형광체(예, 황색 또는 적색 및 청색)을 적용하는 방식으로 제조되고 있다. 특히, 적색 형광체와 함께 다른 1종 이상의 형광체를 조합하여 사용하는 형태에서, 각 형광체의 반치폭이 낮은 경우에 충분한 연색지수를 확보하기 어려우며, 원하는 천연 백색광을 구현하는데 한계가 있다. 이러한 연색성에 대한 요구는 상기 백색 발광장치가 조명용 광원으로 채용되는데 있어서 중요한 평가사항이 될 수 있다.

한편, 패키지에 적용시 일반적으로 수지에 형광체를 분산하여 사용하는데, 이러한 구조의 경우, 패키지에 따라 형광체 입자의 분포가 다르며, 단일 패키지 내에서도 영역에 따라 형광체의 밀도가 다를 수 있다. 이러한 형광체의 산포에 의하여 광원의 색 산포 문제가 발생할 수 있으며, 나아가, 입자 형태의 형광체에 의한 재흡수나 산란 등으로 발광 효율이 저하되는 문제도 있다.

본 발명의 목적 중 하나는 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 제공하는 것에 있다. 본 발명의 목적 중 다른 하나는 발광 디바이스에 구비되는 파장변환부에 의한 색산포, 재흡수, 산란 등에 의한 발광 효율의 저하를 최소화하는 것에 있다.

상기 기술적 과제를 실현하기 위해서, 본 발명의 일 실시 형태는,

발광다이오드 칩 및 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부를 포함하는 발광 디바이스를 제공한다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 상기 제1 결정상에 의한 피크 파장과 상기 제2 결정상에 의한 피크 파장의 사이에 해당하는 값을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자는 단일한 피크 파장을 가질 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자에는 상기 제1 및 제2 결정상이 1:1의 비율로 포함될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소를 더 포함하며, 상기 희토류 원소(Re)는, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩은 청색광을 방출할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 플레이트 형상을 가질 수 있다.

이 경우, 상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 접합될 수 있으며, 나아가, 상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치될 수 있다.

또한, 상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 평행하도록 배치될 수 있다.

이 경우, 상기 파장변환부는 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지가 형성될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 로드 형상을 가질 수 있다.

이 경우, 상기 로드 형상의 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 상기 로드의 길이 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치될 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 발광다이오드 칩을 덮는 투명 수지를 더 포함할 수 있다.

이 경우, 상기 투명 수지 내에 구비된 광 변환 물질을 더 포함할 수 있으며, 나아가, 상기 광 변환 물질로부터 방출되는 빛과 상기 파장변환부로부터 방출되는 빛은 파장이 서로 다를 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에서, 상기 파장변환부는 적색 파장 변환 물질을 더 포함할 수 있다.

본 발명의 일 실시 형태에 의할 경우, 열적, 화학적 안정성이 우수하면서 높은 연색성을 보장할 수 복합 결정 구조의 파장변환부를 갖는 발광 디바이스를 얻을 수 있으며, 나아가, 파장변환부에 의한 산란, 재흡수, 산포 유발 등의 문제를 줄일 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 2 및 도 3은 도 1의 발광 디바이스에 채용될 수 있는 발광다이오드 칩의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 4에 α-SiAlON, β-SiAlON 및 YAG 형광체에 대한 발광 스펙트럼의 일 예를 나타낸 것이다.
도 5는 사이알론(SiAlON) 형광체의 상평형도를 나타낸 것이다.
도 6은 α-SiAlON 및 β-SiAlON의 복합상 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 α-SiAlON와 β-SiAlON의 비율에 따라 나타낸 것이다.
도 7은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태들을 설명한다.

그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 2 및 도 3은 도 1의 발광 디바이스에 채용될 수 있는 발광다이오드 칩의 예를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시 형태에 따른 발광 디바이스(100)는 발광다이오드 칩(101)과 파장변환부(103)를 구비한다. 이 경우, 발광다이오드 칩(101)을 실장하기 위한 기판(102)이 제공될 수 있으며, 기판(102)은 발광다이오드 칩(101)과 전기적으로 연결되기 위한 배선 구조를 구비할 수 있다. 또한, 발광다이오드 칩(101)과 파장변환부(103)를 보호하기 위하여 이들을 봉지하는 투명 수지(104)가 형성될 수 있다.

발광다이오드 칩(101)은 전기 신호 인가에 의하여 전자와 정공의 재결합으로 빛을 발생시키는 소자로서, 이러한 원리를 이용한 구조는 모두 채용될 수 있으며, 그 상세한 구조의 일 예는 도 2 및 도 3에 도시된 것과 같다. 우선, 도 2에 도시된 것과 같이, 발광다이오드 칩(101)은 성장 기판(111) 상에 순차적으로 형성된 제1 도전형 반도체층(112), 활성층(113) 및 제2 도전형 반도체층(114)을 구비하며, 제1 및 제2 도전형 반도체층(112, 114)과 각각 전기적으로 연결되도록 제1 및 제2 전극(115, 116)이 형성된다. 또한, 제1 및 제2 전극(115, 116)에는 도전성 와이어(w)가 연결되어 외부로부터 전기 신호가 인가될 수 있다. 이러한 구조 외에, 도 3에 도시된 것과 같이, 도전성 와이어를 사용하지 않고, 발광다이오드 칩(101`)을 범프(117)를 이용하여 기판(102)의 배선 구조에 직접 본딩하는 것도 가능하다.

다시 도 1을 참조하여 파장변환부(103)를 설명하면, 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)으로부터 빛이 방출되는 경로에 배치되며, 예컨대, 발광다이오드 칩(101)과 별도로 제조되어 발광다이오드 칩(101)의 일 면에 부착될 수 있다. 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)으로부터 방출된 빛에 의하여 여기되어 상기 빛과 다른 파장의 빛을 방출하는 기능을 하며, 본 실시 형태의 경우, α-사이알론(SiAlON)으로 이루어진 제1 결정상과 β-사이알론(SiAlON)으로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 구조이다. 여기서, α-SiAlON 결정은 예를 들어 (Sr, Ba, Ca)Si12 -(m+n)Al(m+n)OnN16 -n의 조성식을 갖는 황등색 형광체일 수 있으며, β-SiAlON 결정은 Si6 - zAlzOzN8 -z의 조성식으로 표시되는 녹색 형광체일 수 있다. 이 경우, 상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소(Re)를 더 포함할 수 있으며, 상기 희토류 원소는 Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb 등으로부터 선택될 수 있다.

도 4에 도시된 α-SiAlON, β-SiAlON 및 YAG 형광체에 대한 발광 스펙트럼의 일 예를 참조하여 보다 구체적으로 설명하면, α-SiAlON 형광체의 경우, 300㎚∼480㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 여기원을 조사하여 약 560 ~ 600㎚의 피크 파장을 갖는 황등색의 변환 광을 방출할 수 있다. 또한, β-SiAlON 형광체의 경우, 300㎚∼480㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 여기원을 조사하여 500∼550㎚ 범위에 피크 파장을 갖는 녹색의 변환 광을 방출할 수 있다. 이러한 α-SiAlON 및 β-SiAlON 형광체는 질화물 형광체로서, 종래 YAG나 실리케이트 계열 등의 형광체에 비하여 열에 안정하며 고출력 LED 칩에 적용되기에 적합하다. 그러나, 도 4에서 볼 수 있듯이, α-SiAlON 및 β-SiAlON 형광체는 YAG에 비하여 발광 스펙트럼의 반치폭이 좁기 때문에 상대적으로 광 변환 효율 및 CRI가 낮을 수 있다.

본 실시 형태에서는 α-SiAlON 형광체와 β-SiAlON 형광체가 복합상으로 존재하는 입자로 파장변환부(103)를 구성함으로써 사이알론 형광체의 우수한 열 특성을 얻으면서도 상대적으로 반치폭을 확장할 수 있다. 도 5는 사이알론(SiAlON) 형광체의 상평형도를 나타낸 것이며, 도 6은 α-SiAlON 및 β-SiAlON의 복합상 형광체에 대한 발광 스펙트럼을 α-SiAlON와 β-SiAlON의 비율에 따라 나타낸 것이다. 도 5의 상평형도를 참조하면, Y2O3.9AlN, Si3N4 및 Al2O3.AlN를 특정한 비율로 혼합할 경우, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상을 갖는 입자를 얻을 수 있다. 이러한 복합상 입자의 경우, 도 6에 도시된 것과 같이, 단일 피크 파장을 가지면서도 넓은 반치폭을 갖는다. 이 경우, 상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 α-SiAlON 결정에 의한 피크 파장(황등색)과 β-SiAlON 결정에 의한 피크 파장(녹색)의 사이에 해당하는 값을 가질 수 있다. 특히, α-SiAlON와 β-SiAlON을 1:1의 비율로 포함하는 복합 결정의 경우, YAG와 비교하여 우수한 수준의 반치폭을 가짐을 알 수 있다. 따라서, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 형광체를 사용 시 종래 YAG 형광체와 비교하여 동등하거나 이보다 우수한 발광 효율 및 CRI 값을 얻을 수 있다.

한편, 본 실시 형태에서 제안하는 파장변환부(103)는 종래와 같이 투명 수지에 형광 물질이 분산된 구조가 아니며, 형광체를 소결하여 플레이트 등의 형상으로 제작될 수 있다. 이 경우, α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 형광체가 얻어질 수 있도록 원료 물질의 혼합비는 적절히 조절될 필요가 있을 것이다. 이러한 제조 방식에 의하여, 파장변환부(103)는 α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 입자로만 이루어질 수 있으며, 상기 복합상 입자는 다른 매개 수단 없이 서로 간에 결합될 수 있다. 플레이트 형상으로 제조된 파장변환부(103)를 발광다이오드 칩(101)의 표면에 접합시키는 방식을 사용할 경우, 종래 방식의 여러 문제, 즉, 투명 수지에 형광체가 침전하여 소자에 따라 색 산포가 발생하는 문제, 형광체 입자에 의한 산란 문제, 이종 형광체 간의 재흡수 문제 등을 해소할 수 있다. 이러한 측면에서, 구체적으로 도시하지는 않았으나, 파장변환부(103)는 서로 다른 파장의 빛을 방출하는 복수의 층이 적층된 구조로 이루어질 수 있을 것이다. 예를 들어, 파장변환부(103)는 α-SiAlON와 β-SiAlON의 복합상 입자로 이루어진 플레이트 외에 이와 적층된 적층 형광체 플레이트를 구비할 수 있다.

도 7은 도 1의 실시 형태에서 변형된 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 본 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(100`)는 도 1의 구조와 유사하며, 다만, 투명 수지(104) 내부에 광 변환 물질(105)이 분산된다. 광 변환 물질(105)은 형광체나 양자점과 같이 발광 디바이스(100`)에서 직접 방출되는 빛이나 파장변환부(103)에 의하여 파장이 변환된 빛을 흡수하여 이와 다른 파장의 빛을 방출한다. 본 실시 형태와 같이, 도 1의 구조에서 광 변환 물질(105)이 추가됨으로써 파장변환부(103)의 광 변환 기능을 보충함과 더불어, 원하는 색(예컨대, 우수한 연색성을 갖는 백색)의 빛을 얻을 수 있다. 예를 들어, 광 변환 물질(105)로서 적색 형광체를 사용할 경우, 상술한 바와 같이, 녹색 및 황등색에서 넓은 범위의 빛을 내는 파장변환부(103)를 보충하여 백색광의 품질을 향상시킬 수 있다. 이 경우, 적색 형광체의 일 예로서 MAlSiNx:Re(1≤x≤5)인 질화물계 형광체(여기서, M는 Be, Ba, Sr, Ca, Mg 중 선택된 적어도 1종의 원소이고, Re는 Y, La, Ce, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, F, Cl, Br 및 I 중 선택된 적어도 1종의 원소임)를 사용할 수 있다.

도 8은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 도 9는 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 사시도이다. 또한, 도 10은 본 발명의 또 다른 실시 형태에 따른 발광 디바이스를 개략적으로 나타낸 단면도이다. 우선, 도 8의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(200)는 기판(202) 상에 배치된 발광다이오드 칩(201)을 포함하며, 그 위에 파장변환부(203) 및 투명 수지(204)가 배치된다. 또한, 필요에 따라 부가될 수 있는 요소로서, 투명 수지(204) 내에는 광 변환 물질(205)이 배치될 수 있다. 본 실시 형태의 경우, 파장변환부(203)는 앞선 실시 형태에서와 동일한 물질이 채용될 수 있으나, 그 형상은 로드(rod) 형태로서 상이하다. 이러한 로드 구조는 단결정 광 섬유와 유사하게 작용할 수 있으므로, 이를 채용한 파장변환부(203)를 통하여 광 변환 효율이 더욱 향상될 수 있다.

다음으로, 도 9의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(300)는 앞선 실시 형태와 마찬가지로, 기판(302) 상에 배치된 발광다이오드 칩(301)을 포함하며, 그 위에 파장변환부(303), 투명 수지(304) 및 광 변환 물질(305)이 배치된다. 도 1의 실시 형태에서 파장변환부(103)는 발광다이오드 칩(101)의 접합 면과 두께 방향이 수직하도록 배치되나, 본 실시 형태에서는 파장변환부(303)는 발광다이오드 칩(301)의 접합 면과 두께 방향이 평행하도록 배치된다. 또한, 도 9에 도시된 것과 같이, 파장변환부(303)가 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비한다고 하였을 때, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지(304)가 배치될 수 있다. 이와 같이, 본 실시 형태에서 제안하는 파장변환부는 그 형상을 용이하게 변형할 수 있으므로, 필요에 따라, 다양한 형상으로 채용될 수 있다.

다음으로, 도 10의 실시 형태의 경우, 발광 디바이스(400)는 반사컵 형상의 패키지 본체(402) 내에 배치된 발광다이오드 칩(401)을 포함하며, 이를 봉지하는 투명 수지(404) 및 그 위에 배치된 파장변환부(403)를 포함한다. 앞선 실시 형태와 달리, 파장변환부(403)는 발광다이오드 칩(401)과 직접 접촉되지 않고 이격되어 배치될 수 있다. 이 경우, 투명 수지(404)에는 파장변환부(403)와 다른 색의 파장 변환 물질이 분산되어 있을 수 있다.

한편, 본 발명에서 제안하는 발광 디바이스는 주요하게는 액정표시장치에 사용될 수 있으며 나아가, 액정표시장치 외에도 다양한 형태의 디스플레이 장치 또는 조명장치에도 적용될 수 있을 것이다. 예를 들어, 상기 발광 디바이스를 이용한 광원은 램프, 평판 조명 등의 실내 조명이나 가로등, 간판, 표지판 등의 실외 조명 장치로 사용될 수 있으며, 또한, 다양한 교통수단용 조명 장치, 예컨대, 자동차, 선박, 항공기 등에 이용될 수 있다. 나아가, TV, 냉장고 등의 가전 제품이나 의료기기 등에도 널리 이용될 수 있을 것이다.

본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.

101: 발광다이오드 칩 102: 기판
103: 파장변환부 104: 투명 수지
105: 광 변환 물질 111: 성장용 기판
112: 제1 도전형 반도체층 113: 활성층
114: 제2 도전형 반도체층 115, 116: 제1 및 제2 전극
117: 범프

Claims (17)

  1. 발광다이오드 칩; 및
    상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛의 경로 상에 배치되며, 상기 발광다이오드 칩에서 방출된 빛에 의하여 여기될 수 있는 α-SiAlON로 이루어진 제1 결정상과 상기 빛에 의하여 여기될 수 있는 β-SiAlON로 이루어진 제2 결정상을 갖는 복합상 입자를 포함하는 파장변환부;
    를 포함하는 발광 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복합상 입자에 의한 피크 파장은 상기 제1 결정상에 의한 피크 파장과 상기 제2 결정상에 의한 피크 파장의 사이에 해당하는 값을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복합상 입자는 단일한 피크 파장을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 복합상 입자에는 상기 제1 및 제2 결정상이 1:1의 비율로 포함된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 복합상 입자는 활성제로서 적어도 1종의 희토류 원소를 더 포함하며,
    상기 희토류 원소(Re)는, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm 및 Yb으로 구성된 그룹으로부터 선택된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩은 청색광을 방출하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 파장변환부는 플레이트 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제7항에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 접합된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제8항에 있어서,
    상기 파장변환부는 상기 플레이트의 두께 방향이 상기 일 면에 평행하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제10항에 있어서,
    상기 파장변환부는 서로 이격된 복수 개의 플레이트를 구비하며, 상기 플레이트 사이에는 투명 수지가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제1항에 있어서,
    상기 파장변환부는 로드 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제12항에 있어서,
    상기 로드 형상의 파장변환부는 상기 발광다이오드 칩의 적어도 일 면에 상기 로드의 길이 방향이 상기 일 면에 수직하도록 배치된 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 발광다이오드 칩을 덮는 투명 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 투명 수지 내에 구비된 광 변환 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 광 변환 물질로부터 방출되는 빛과 상기 파장변환부로부터 방출되는 빛은 파장이 서로 다른 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 파장변환부는 적색 파장 변환 물질을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 디바이스.
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