CN101053286A - 用金属填充通孔,尤其用铜填充印刷电路板的通孔的电化方法 - Google Patents
用金属填充通孔,尤其用铜填充印刷电路板的通孔的电化方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101053286A CN101053286A CNA2005800315049A CN200580031504A CN101053286A CN 101053286 A CN101053286 A CN 101053286A CN A2005800315049 A CNA2005800315049 A CN A2005800315049A CN 200580031504 A CN200580031504 A CN 200580031504A CN 101053286 A CN101053286 A CN 101053286A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- pulse
- current
- hole
- arbitrary
- aforementioned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/18—Electroplating using modulated, pulsed or reversing current
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/423—Plated through-holes or plated via connections characterised by electroplating method
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/09563—Metal filled via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1476—Same or similar kind of process performed in phases, e.g. coarse patterning followed by fine patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/14—Related to the order of processing steps
- H05K2203/1492—Periodical treatments, e.g. pulse plating of through-holes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
- H05K3/425—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern
- H05K3/427—Plated through-holes or plated via connections characterised by the sequence of steps for plating the through-holes or via connections in relation to the conductive pattern initial plating of through-holes in metal-clad substrates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
本发明涉及一种用金属填充通孔的电化方法。本方法尤其适于用铜填充印刷电路板的通孔。本方法包含以下步骤:(i)通过电镀在通孔中心形成狭窄部分;和(ii)通过电镀用金属填充步骤(i)中所获得的通孔。
Description
技术领域
本发明涉及一种用金属填充通孔(through-hole)的电化方法。本方法尤其适于用铜填充印刷电路板的通孔。本发明提供即使在小孔径的情况下仍均匀的耐久填充,可避免通孔中存在所不希望的内含物。此外,所述填充展示非常好的导热性。
背景技术
电子组件不断增加的小型化同时导致集成密度的增加。在印刷电路板中,趋于小型化的趋势反映在以下构造参数中:焊盘直径(pad diameter)和导体宽度/导体间隙的降低以及配准改进和层数增加(参看Der europische Technologie-und Trendbericht2001/2002 über Leiterptatten mit hohen Integrationsdichten1)。
具有这些特性的印刷电路板通常被称为具有高集成密度(所谓的高密度互连(HighDensity Interconnection,HDI))的印刷电路板。
所述高密度互连电路在印刷电路板制造中的一个重要方面在于通孔(所谓的导通孔(via-hole))填充。通孔填充对过程控制存在极高的要求。必须考虑差异最大的钻孔类型,必须满足对填充材料的各种要求并且必须考虑印刷电路板中的随后工序。
1The European Technology and Trend Report 2001/2002 Concerning Printed CircuitBoards with High Integration Densities
本发明主要集中于填充印刷电路板中穿过整个电路板的通孔(镀通孔(PlatedThrough Hole,PTH))和内孔(埋孔(buried via))。
原则上,所述方法适于填充差异最大的工件、尤其是含有通孔的板状工件和板状电路载体中的通孔。
通孔封闭是尤其必需的,以便防止焊料在组件上沉积,从而得到高集成密度并改进电性能。在多层印刷电路板中,在下一个内建层的层压过程中,孔内可能出现内含物(空气、溶剂等),所述内含物稍后在热应力的情况下导致下一层中发生鼓起并由此引起开裂。
因此,对于通孔而言,填充材料需要满足的主要要求是:
-不含溶剂
-对套管和阻焊剂具有良好粘着特性
-对随后步骤(例如用镍、金或锡进行的电金属化(galvanic metallization))中的工艺化学品具有抗性
-在热风整平工艺(hot air leveling process)中具有抗性。
在现有技术中描述各种填充通孔的方法。
在最简单的情况下,使用经特别调节的阻焊剂对孔进行填充。这种填充的优点在于,在高集成密度的情况下必需像铆钉头那样突出的导通孔填充剂不会损害分辨率。然而,不利的是存在溶剂内含物会在诸如镀锡的随后工序中突然蒸发并因此撕开覆盖物的危险。
然而,所述方法并不适于封闭内层中的通孔。此处,内层必需完全封闭以避免内含物。
对于所述方法而言,广泛使用堵塞法,这是因为借助于所述方法,可能通过对经填充的通孔镀铜来产生可无任何限制地结构化的内层。
使用诸如涂胶脂铜箔(resin-coated copper foil,RCC)或光致介电(photo-dielectric)液体或干膜等各种电介质作为填充材料。
EP 0 645 950 B1描述一种制造多层电路基板的方法。使用选自由酚醛树脂和环氧树脂组成的群组的热固性树脂作为通孔填充材料。此外,将至少一种选自由银、镍、铜和其合金组成的群组的金属粉末作为传导物质加入树脂中。
通常,在对印刷电路板钻孔和钻孔最终金属化之后进行堵塞,然而,这是在结构化之前进行。在导通孔被填充且堵塞糊剂被固化之后,对堵塞糊剂进行机械整平,这是因为填充过程使其展示轻微的铆钉头。往往随后用铜进行糊剂金属化,以便产生作为最终层的连续铜层。简单地说,需要以下步骤:
-钻孔
-金属化套管
-堵塞
-刷拭、研磨
-金属化堵塞糊剂
-施加下一内建层。
EP 1 194 023 A1描述通过用传导糊剂填充通孔来制造高密度互连印刷电路板,其中糊剂固化可与基础材料的成型同时发生,使得产生内层的电接触。
然而,所述方法在高密度互连印刷电路板的制造中花费很多并产生大量生产费用。此外,对于印刷电路板上的各种设计而言必须使用不同的印刷掩模。因此,所述方法不能普遍使用。
在印刷电路板上的钻孔直径高度不同的情况下,印刷工艺难以进行。
发明内容
因此,本发明的目的在于开发一种避免所述缺点并提供可靠地填充工件通孔而几乎无内含物的简单工艺的方法。所述方法可尤其用于以铜填充印刷电路板中的通孔。
本发明的另一目的在于获得高性能的电解金属化(electrolytc metallisation)。在本情况下,这意味着,一方面,印刷电路板的电解金属化过程中的电流密度必须尽可能地高,以便获得短的工作时间,另一方面,在印刷电路板表面上所沉积的金属量必须尽可能地少。
所述目的是通过使用以金属填充工件通孔的本发明方法来实现,所述方法包含以下工序:
(i)使含有通孔的工件与金属沉积电解液接触,并在工件与至少一个阳极之间施加电压使得对工件供应电流,其中电流是经选择使得根据图1在通孔中心发生优选沉积且因此通孔完全或几乎完全长合;
(ii)进一步使工件与金属沉积电解液接触,并在工件与至少一个阳极之间施加电压使得对工件供应电流,其中根据图2用金属填充步骤(i)中所获得的完全或几乎完全分成两半的通孔直到所要程度。
通过使用本发明的两步方法,相比使用人部分具传导性的糊剂进行填充的现有技术方法,用纯金属层填充通孔首次变得可能,这是因为迄今为止已经假定不可能制造出具有所需耐久性和所要特性的致密金属层。
在孔(例如印刷电路板中的孔)的常规金属化中,首先可在孔的末端和中心观察到儿乎相同的散射。在金属沉积过程中,钻孔中纵横比改变且散射降低。这导致在内部经填充而金属化之前长合的钻孔末端,金属沉积增加。因此,在孔中留下所不希望的内含物、尤其是金属化浴(metallization bath)的剩余物。
本发明是基于在特定沉积技术的第一步中通过完全或几乎完全地填充孔中心而由通孔产生两个孔的想法,这两个孔在靠近孔中心的一端各自封闭(参看图1)。在通孔中心区域中沉积物的形状可为如图1a所示的V形,或者可为圆弧形狭窄部分的形状(参看图1b)。通过增加通孔中心区域中的散射,使得此处相比通孔末端而言可观察到金属沉积增加,如此可获得所述沉积物形状。
在本发明的优选应用领域印刷电路板制造中,这些孔也被称为盲孔(blind hole/blindvia)。在第二金属化步骤中,接着用金属填充如此产生的盲孔(参看图2)。
填充盲孔的方法实际已知且描述于现有技术中。
EP 1 264 918 A1描述一种尤其适于填充微盲孔的电解铜沉积法。此处,在假镀(dummy plating)阶段使用惰性阳极以帮助维持和改进电解液的填充性(fillability)。
根据EP 1 219 729 A1,使用诸如甲醛的化学物质以及氧化剂以延长金属化浴的稳定性的持续时间,这尤其适于填充微盲孔。使用具有磺酸基团的含硫物质以及硫醇反应性化合物作为添加剂。
DE 103 25 101描述一种填充微盲孔的方法,其特征在于以下步骤:
(i)使用电解浴(bath electrolyte)以包含金属盐、酸和有机添加剂的金属涂料进行电镀(galvanic plating),其中所述浴含有包含15-60g/l铜、40-300g/l硫酸和20-150mg/l氯化物的无机基质,且所述有机添加剂包含增亮剂、润湿剂和其它选自聚酰胺类、聚胺类、烷氧基化内酰胺(lactam alkoxylate)类、硫脲、寡聚和聚合二甲基苯基吡唑酮鎓(phenazonium)衍生物和氨基-三苯基甲烷染料的添加剂,
(ii)用密度为0.5-2.5A/dm2的直流电或有效电流密度为0.5-10A/dm2的电流脉冲运转电解浴,
(iii)从电镀浴(galvanic bath)中取出部分电解液,
(iv)向所取出的部分中加入氧化剂,
(v)视情况用UV光照射所取出的电解液,和
(vi)使所取出的部分再循环到电镀浴中并通过氧化处理来补充所损坏的有机添加剂。
在本发明的优选实施例中,所述方法是用于填充印刷电路板中最大高度为3.5mm、优选高度为0.025-1mm且尤其优选高度为0.05-0.5mm并且直径为至多1000μm、优选为30-300μm且最优选为60-150μm的通孔。
在用金属填充工件通孔的本发明方法中,原则上,适于电金属沉积(galvanicmetal-deposition)的每一种电解液都可使用,例如用于沉积金、锡、镍或其合金的电解液。优选金属为铜。
已经显示对于铜沉积而言,具有下文所述的组成的电解液提供最好的结果。
铜可以硫酸铜五水合物(CuSO4×5H2O)形式或硫酸铜溶液形式提供于电解液中。工作范围介于15-75g/l铜之间。
硫酸(H2SO4)是以50-96%溶液形式加入。工作范围介于20-400g/l、优选为50-300g/l之间。
氯化物是以氯化钠(NaCl)形式或盐酸溶液(HCl)形式加入。此处,氯化物的工作范围介于20-200mg/l、优选为30-60mg/l之间。
此外,电解液优选包含增亮剂、均化剂和润湿剂作为有机添加剂。
润湿剂通常是浓度为0.005-20g/l、优选为0.01-5g/l的含氧高分子化合物。实例提供于表1中:
表1 |
润湿剂 |
羧甲基纤维素 |
壬基苯酚聚乙二醇醚 |
辛二醇-双-(聚亚烷基二醇醚) |
辛醇聚亚烷基二醇醚 |
油酸聚乙二醇酯 |
聚乙二醇聚丙二醇共聚产物 |
聚乙二醇 |
聚乙二醇二甲醚 |
聚丙二醇 |
聚乙烯醇 |
β-萘基聚乙二醇醚 |
硬脂酸聚乙二醇酯 |
硬脂酸醇聚乙二醇醚 |
总的来说,使用表2中所列的含硫物质作为增亮剂:
表2 |
硫化合物 |
3-(苯并噻唑基-2-硫代)-丙基磺酸,钠盐 |
3-巯基丙烷-1-磺酸,钠盐 |
亚乙基二硫代二丙基磺酸,钠盐 |
双-(对磺苯基)-二硫化物,二钠盐 |
双-(ω-磺丁基)-二硫化物,二钠盐 |
双-(ω-磺羟丙基)-二硫化物,二钠盐 |
双-(ω-磺丙基)-二硫化物,二钠盐 |
双-(ω-磺丙基)-硫化物,二钠盐 |
甲基-(ω-磺丙基)-二硫化物,二钠盐 |
甲基-(ω-磺丙基)三硫化物,二钠盐 |
O-乙基二硫代-碳酸-S-(ω-磺丙基)-酯,钾盐 |
巯基乙酸 |
硫代磷酸-O-乙基-双-(ω-磺丙基)-酯,二钠盐 |
硫代磷酸-(ω-磺丙基)-酯,三钠盐 |
可使用如DE 38 36 521 C2中所述的聚合性氮化合物(例如聚胺类或聚酰胺类)或含氮硫化合物(例如硫脲衍生物或烷氧基化内酰胺)作为均化剂。所用物质的浓度在0.1-100ppm范围内。
此外,也可使用专利DE 41 26 502 C1中所述的聚合性二甲基苯基吡唑酮鎓衍生物。其它用于填充盲孔的物质为以氨基三苯基-甲烷结构为基础的着色剂,诸如孔雀石(malachite)、蔷薇苯胺(rosallnine)或结晶紫(crystal violet)。
举例而言,可使用不具有和具有氧化还原系统(即,例如具有Fe2+/3+系统)的惰性阳极作为阳极。当使用铁氧化还原系统时,铁(II)离子的浓度通常为1-15g/l、优选为8-12g/l,且铁(III)离子的浓度通常为1-15g/l且优选为8-12g/l。
对于酸性铜而言,可使用可溶于DC和AC电解液两者的阳极。
在用铜进行金属化期间,金属不仅沉积于通孔中而且沉积于基板表面上。必要时,可使用印刷电路板制造中已知的蚀刻方法再次移除表面上的铜层。为此,举例而言,含有氯化铁(III)的溶液是合适的。
此外,已观察到,在使用特殊类型的金属化借助于脉冲反向电流的水平方法中,用金属填充可获得尤其良好的结果。这种特殊技术的特征在于由两个独立脉冲整流器产生的两种脉冲形式之间的180°相移。借助于两个整流器,印刷电路板的两侧可单独进行金属化。另一特征在于对两个整流器使用周期性重复的脉冲间隔,所述脉冲间隔经选择,使得同时反向电流脉冲作用于另一侧,参看图3。
已研发出用于尤其使铜电解沉积于具有高纵横比的印刷电路板上的反向脉冲电镀法,例如描述于DE 42 25 961 C2和DE 27 39 427 A1中。通过使用高电流密度,改进通孔中的表面分布和散射。
在本发明方法中,优选调节以下参数:
将至少一个正向电流脉冲的持续时间与至少一个反向电流脉冲的持续时间的比率调节到至少5、优选为至少15且更优选为至少18。可将这一比率调节到至多75且优选为至多50。尤其优选的是将这一比率调节到约20。
可将所述至少一个正向电流脉冲的持续时间优选调节到至少5ms到250ms。
可将所述至少一个反向电流脉冲的持续时间优选调节到至多20ms且最优选为1-10ms。
将对工件的所述至少一个正向电流脉冲的峰值电流密度优选调节到至多15A/dm2的值。尤其优选的是水平方法中对工件的所述至少一个正向电流脉冲的峰值电流密度为约1.5-8A/dm2。在垂直方法中,对工件的所述至少一个正向电流脉冲的最优选峰值电流密度为至多2A/dm2。
将对工件的所述至少一个反向电流脉冲的峰值电流密度优选调节到至多60A/dm2的值。尤其优选的是水平方法中对工件的所述至少一个反向电流脉冲的峰值电流密度为约30-50A/dm2。在垂直方法中,对工件的所述至少一个正向电流脉冲的最优选峰值电流密度为至多3-10A/dm2。
在本发明的优选实施例中,所述方法包含以下步骤:
a.在工件的第一侧与至少一个第一阳极之间施加第一电压,使得对工件的第一侧供应第一脉冲反向电流,其中在所述第一脉冲反向电流的每个循环中,都流过至少一个第一正向电流脉冲和至少一个第一反向电流脉冲。
b.在工件的第二侧与至少一个第二阳极之间施加第二电压,使得对工件的第二侧供应第二脉冲反向电流,其中在所述第二脉冲反向电流的每个循环中,都流过至少一个第二正向电流脉冲和至少一个第二反向电流脉冲。
关于后一实施例,所述至少一个第一正向电流脉冲和所述至少一个第一反向电流脉冲可分别相对于所述至少一个第二正向电流脉冲和所述至少一个第二反向电流脉冲偏移。在本发明的另一优选实施例中,所述第一电流脉冲与第二电流脉冲之间的偏移合计为约180°。
为进一步改进散射,每一个循环中的电流都可包含两个正向电流脉冲,其中在这两个正向电流脉冲与反向电流脉冲之间提供零电流断路(zero current interruption)。
在金属化方法进步行进中,可改变脉冲反向电流的至少一个参数,其中这一参数选自包含以下两者的群组:正向电流脉冲的持续时间与反向电路脉冲的持续时间的比率,和正向电流脉冲的峰值电流密度与反向电流脉冲的峰值电流密度的比率。已证明,在金属化上件时增加正向电流脉冲的峰值电流密度与反向电流脉冲的峰值电流密度的比率和/或降低正向电流脉冲的持续时间与反向电路脉冲的持续时间的比率是尤其有利的。
附图说明
无
具体实施方式
借助于以下实例进一步解释本发明:
水平金属化方法
用于水平处理印刷电路板(其中用于处理的板是水平传送且处在水平传送平面上)的Atotech Deutschland GmbH的Inpulse 2模块在喷嘴座与阴极(工件)之间具有15mm的间隙且在阳极与阴极之间具有8mm的间隙。
对于金属化而言,除非另外说明,否则使用尺寸为18″×24″=457mm×610mm且通孔直径为150μm且高度为200μm的FR4材料的印刷电路板。
在金属化之前,首先用Atotech Deutschland GmbH的Cuprapro CF清洁剂将印刷电路板表面清洁45秒,然后用5%硫酸处理45秒。
所用电解液具有以下组成。铜离子和硫酸的浓度在测试中单独提供。在所有情况下,金属化都是在40℃的温度下进行。
硫酸铜
硫酸
氯离子:50mg/l
铁(II):10g/l
铁(III):2g/l
Inpulse H6均化剂:4ml/l;Inpulse H6增亮剂:7ml/l
Inpulse HF均化剂:4ml/l;Inpulse HF增亮剂:7ml/l
Inpulse均化剂和增亮剂都是Atotech Deutschland GmbH的产品。
实例1
根据水平方法的上述一般执行原则,首先用Inpulse H6方法和具有根据表1a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理30分钟。获得如图1a所示的通孔中的铜沉积。
然后用Inpulse HF方法和具有根据表1b的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的第二浴中将印刷电路板进一步处理30分钟。获得如图2所示的通孔中的铜沉积。
于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
1a | 6/40 | 108/6 | 6 | 180 | 40 | 200 |
1b | 6/40 | 72/4 | 4 | 180 | 60 | 150 |
表1:用铜金属化的脉冲参数
根据水平方法的上述一般执行原则,首先用Inpulse H6方法和具有根据表2a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理30分钟。
然后用Inpulse HF方法和具有根据表2b的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的第二浴中将印刷电路板进一步处理30分钟。
于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
2a | 6/40 | 216/12 | 12 | 180 | 40 | 200 |
2b | 6/40 | 72/4 | 4 | 180 | 60 | 150 |
表2:用铜金属化的脉冲参数
实例3
根据水平方法的上述一般执行原则,用Inpulse HF方法和具有根据表3的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理60分钟。
于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
3 | 6/40 | 72/4 | 4 | 180 | 60 | 150 |
表3:用铜金属化的脉冲参数
实例4
根据水平方法的上述一般执行原则,首先用Inpulse H6方法和具有根据表4a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将通孔直径为200μm且高度为300μm的印刷电路板处理30分钟。
然后用Inpulse HF方法和具有根据表4b的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的第二浴中将印刷电路板进一步处理30分钟。
于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
4a | 6/40 | 108/6 | 6 | 180 | 40 | 200 |
4b | 6/40 | 72/4 | 4 | 180 | 60 | 150 |
表4:用铜金属化的脉冲参数
在所有测试中都调节脉冲参数下的脉冲间隔和180°相移。这意味着对测试板一侧的阳极施加反向脉冲,同时对另一侧的阳极施加脉冲间隔。图3中脉冲形式的图示(电流为时间的函数)显示上部阳极与下部阳极之间的相移调节(上部曲线:阴极上侧的电流;下部曲线:阴极下侧的电流)。
垂直金属化方法
对于垂直金属化而言,使用尺寸为18″×24″=457mm×610mm且通孔直径为150μm且高度为200μm的FR4材料的印刷电路板。
在金属化之前,首先用Atotech Deutschland GmbH的S酸清洁剂将印刷电路板表面清洁3分钟,然后用5%硫酸处理60秒。
所用电解液具有以下组成。铜离子和硫酸的浓度在测试中单独提供。在所有情况下,金属化都是在23℃的温度下进行。
硫酸铜
硫酸
氯离子:第一步骤中为60mg/l,第二步骤中为35mg/l
Cuprapulse XP7均化剂:20ml/l;Cuprapulse S3增亮剂:1ml/l
Inplate DI均化剂:15ml/l;Inplate DI增亮剂:0.5ml/l
Cuprapulse和Inplate均化剂和增亮剂都是Atotech Deutschland GmbH的产品。
在第二步骤中仅使用具有以下组成的氧化还原系统:
铁(II):5g/l;
铁(III):1g/l。
实例5
根据垂直方法的上述一般执行原则,首先用Cuprapulse XP7方法和具有根据表5a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理90分钟。然后,在第二步骤中,用Inplate DI方法和具有根据表5b的参数的直流电在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板进一步处理85分钟。于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
5a | 2/8 | 20/1 | - | 0 | 17 | 260 |
5b | 1.5DC | DC | - | - | 40 | 140 |
表5:用铜金属化的脉冲参数
实例6
根据垂直方法的上述一般执行原则,首先用Cuprapulse XP7方法和具有根据表6a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理90分钟。然后,在第二步骤中,用Inplate DI方法和具有根据表6b的参数的直流电在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板进一步处理85分钟。于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
6a | 2/8 | 40/2 | - | 0 | 17 | 260 |
6b | 1.5DC | DC | - | - | 40 | 140 |
表6:用铜金属化的脉冲参数
实例7
根据垂直方法的上述一般执行原则,首先用Cuprapulse XP7方法和具有根据表7a的参数的脉冲反向电流方法在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板处理90分钟。然后,在第二步骤中,用Inplate DI方法和具有根据表7b的参数的直流电在用于以铜电解金属化的浴中将印刷电路板进一步处理85分钟。于是完成通孔填充。未观察到内含物。
测试 | I正向/I反向,A/dm2 | 脉冲参数,ms正向/反向脉冲 | 脉冲间隔,ms | 相移,° | 铜,g/l | 硫酸,g/l |
7a | 1.5/6 | 20/1 | - | 0 | 17 | 260 |
7b | 1.5DC | DC | - | - | 40 | 140 |
表7:用铜金属化的脉冲参数
Claims (20)
1.一种用金属填充工件的通孔的电化方法,其包含以下步骤:
(i)使所述含有通孔的工件与金属沉积电解液接触,并在所述工件与至少一个阳极之间施加电压使得对所述工件供应电流,其中所述电流是经选择使得根据图1在所述通孔中心发生优选沉积且因此所述通孔完全或几乎完全长合;
(ii)进一步使所述工件与金属沉积电解液接触,并在所述工件与至少一个阳极之间施加电压使得对所述工件供应电流,其中根据图2用所述金属填充步骤(i)中所获得的完全或几乎完全分成两半的所述通孔。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于权利要求1所述(i)中的电流为脉冲反向电流且在所述电流的每一个循环中都发生至少一个正向电流脉冲和至少一个反向电流脉冲,并且在于权利要求1所述(ii)中的电流为脉冲反向电流、直流电或交流电。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述金属化步骤(i)和(ii)是在不同电解液中进行。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于金属化步骤(i)和(ii)是在相同电解液中进行。
5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于将所述至少一个正向电流脉冲的持续时间与所述至少一个反向电流脉冲的持续时间的比率调节到5-75、最优选为约20。
6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于将所述至少一个正向电流脉冲的持续时间调节到5-250ms。
7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于将所述至少一个反向电流脉冲的持续时间优选调节到至多20ms、最优选为1-10ms。
8.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于将对所述工件的所述至少一个正向电流脉冲的峰值电流密度优选调节到至多15A/dm2,于水平方法中最优选为1.5-8A/dm2且在垂直方法中最优选为2A/dm2。
9.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于将对所述工件的所述至少一个反向电流脉冲的峰值电流密度优选调节到至多60A/dm2,于水平方法中最优选为30-50A/dm2且在垂直方法中最优选为3-10A/dm2。
10.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于在所述工件的第一侧与至少一个第一阳极之间施加第一电压,使得对所述工件的第一侧供应第一脉冲反向电流,其中在所述第一脉冲反向电流的每个循环中,都流过至少一个第一正向电流脉冲和至少一个第一反向电流脉冲,
在所述工件的第二侧与至少一个第二阳极之间施加第二电压,使得对所述工件的第二侧供应第二脉冲反向电流,其中在所述第二脉冲反向电流的每个循环中,都流过至少一个第二正向电流脉冲和至少一个第二反向电流脉冲。
11.根据权利要求10所述的方法,其特征在于所述第一电流脉冲相对于所述第二电流脉冲偏移约180°。
12.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于使用酸性铜电解液作为电解液。
13.根据权利要求1所述的方法,其特征在于所述电解液包含含有15-75g/l铜、20-400g/l硫酸和20-200mg/l氯化物的无机基质。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于所述电解液还包含诸如增亮剂、均化剂和润湿剂的有机添加剂。
15.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于所述电解液是用具有氧化还原系统的惰性阳极运转。
16.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于使用酸性铜电解液作为电解液并使用可溶阳极作为阳极。
17.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于所述通孔具有3.5mm的最大高度、0.025mm-1mm的优选高度和0.05-0.5mm的尤其优选高度。
18.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于所述通孔具有至多1000μm、优选为30μm-300μm且最优选为60μm-150μm的直径。
19.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于所述工件为板状且具有通孔。
20.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法,其特征在于所述工件为印刷电路板或任何其它板状电路载体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102004045451.5 | 2004-09-20 | ||
DE102004045451A DE102004045451B4 (de) | 2004-09-20 | 2004-09-20 | Galvanisches Verfahren zum Füllen von Durchgangslöchern mit Metallen, insbesondere von Leiterplatten mit Kupfer |
PCT/EP2005/009332 WO2006032346A1 (en) | 2004-09-20 | 2005-08-30 | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN101053286A true CN101053286A (zh) | 2007-10-10 |
CN101053286B CN101053286B (zh) | 2012-01-18 |
Family
ID=35447785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2005800315049A Active CN101053286B (zh) | 2004-09-20 | 2005-08-30 | 用金属填充通孔,尤其用铜填充印刷电路板的通孔的电化方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9445510B2 (zh) |
EP (1) | EP1810554B1 (zh) |
JP (1) | JP5078142B2 (zh) |
KR (1) | KR101222627B1 (zh) |
CN (1) | CN101053286B (zh) |
AT (1) | ATE417492T1 (zh) |
DE (2) | DE102004045451B4 (zh) |
MY (1) | MY145344A (zh) |
TW (1) | TWI370715B (zh) |
WO (1) | WO2006032346A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102877098A (zh) * | 2012-10-29 | 2013-01-16 | 东莞市若美电子科技有限公司 | 一种多波段输出的脉冲电镀方法 |
CN104053311A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 欣兴电子股份有限公司 | 导通孔的制作方法 |
CN104159420A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-11-19 | 深圳恒宝士线路板有限公司 | 带盲孔且具有四层线路的电路板制造方法 |
CN110306214A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-08 | 东莞市斯坦得电子材料有限公司 | 一种用于高纵横比孔径印制线路板通孔电镀的反向脉冲镀铜工艺 |
CN112135413A (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-25 | 三星电机株式会社 | 用于镀覆印刷电路板的方法及使用所述方法的印刷电路板 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100632552B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-10-11 | 삼성전기주식회사 | 내부 비아홀의 필 도금 구조 및 그 제조 방법 |
KR100783467B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2007-12-07 | 삼성전기주식회사 | 내부 관통홀을 가지는 인쇄회로기판 및 그 제조 방법 |
US8784634B2 (en) | 2006-03-30 | 2014-07-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Electrolytic method for filling holes and cavities with metals |
KR100803004B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2008-02-14 | 삼성전기주식회사 | 관통홀 충진방법 |
JP6161863B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2017-07-12 | 株式会社荏原製作所 | 電気めっき方法 |
EP2518187A1 (en) | 2011-04-26 | 2012-10-31 | Atotech Deutschland GmbH | Aqueous acidic bath for electrolytic deposition of copper |
JP5980735B2 (ja) | 2012-08-07 | 2016-08-31 | 株式会社荏原製作所 | スルーホールの電気めっき方法及び電気めっき装置 |
KR20140034529A (ko) | 2012-09-12 | 2014-03-20 | 삼성전기주식회사 | 전기 동도금 장치 |
JP6114527B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2017-04-12 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP2015106653A (ja) * | 2013-11-29 | 2015-06-08 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
EP3029178A1 (en) | 2014-12-05 | 2016-06-08 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method and apparatus for electroplating a metal onto a substrate |
EP3570645B1 (en) * | 2018-05-17 | 2023-01-25 | AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft | Component carrier with only partially filled thermal through-hole |
US11716819B2 (en) * | 2018-06-21 | 2023-08-01 | Averatek Corporation | Asymmetrical electrolytic plating for a conductive pattern |
KR102662860B1 (ko) * | 2019-05-29 | 2024-05-03 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
CN114342569A (zh) | 2019-08-19 | 2022-04-12 | 德国艾托特克有限两合公司 | 高密度互连印刷电路板的制造顺序及高密度互连印刷电路板 |
US11746433B2 (en) | 2019-11-05 | 2023-09-05 | Macdermid Enthone Inc. | Single step electrolytic method of filling through holes in printed circuit boards and other substrates |
KR102215846B1 (ko) * | 2019-11-27 | 2021-02-16 | 와이엠티 주식회사 | 회로기판의 관통홀 충진 방법 및 이를 이용하여 제조된 회로기판 |
KR20210088227A (ko) | 2020-01-06 | 2021-07-14 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판 |
US20230279577A1 (en) * | 2022-03-04 | 2023-09-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Method of filling through-holes to reduce voids |
Family Cites Families (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH629542A5 (de) | 1976-09-01 | 1982-04-30 | Inoue Japax Res | Verfahren und vorrichtung zur galvanischen materialablagerung. |
US4683036A (en) * | 1983-06-10 | 1987-07-28 | Kollmorgen Technologies Corporation | Method for electroplating non-metallic surfaces |
DE3836521C2 (de) | 1988-10-24 | 1995-04-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und rißfreien Kupferüberzügen und Verwendung des Bades |
DE4126502C1 (zh) | 1991-08-07 | 1993-02-11 | Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De | |
DE4225961C5 (de) * | 1992-08-06 | 2011-01-27 | Atotech Deutschland Gmbh | Vorrichtung zur Galvanisierung, insbesondere Verkupferung, flacher platten- oder bogenförmiger Gegenstände |
DE4229403C2 (de) * | 1992-09-03 | 1995-04-13 | Hoellmueller Maschbau H | Vorrichtung zum Galvanisieren dünner, ein- oder beidseits mit einer leitfähigen Beschichtung versehener Kunststoffolien |
US5484647A (en) * | 1993-09-21 | 1996-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Connecting member of a circuit substrate and method of manufacturing multilayer circuit substrates by using the same |
DE19545231A1 (de) * | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zur elektrolytischen Abscheidung von Metallschichten |
DE19547948C1 (de) | 1995-12-21 | 1996-11-21 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren und Schaltungsanordnung zur Erzeugung von Strompulsen zur elektrolytischen Metallabscheidung |
DE19717512C3 (de) * | 1997-04-25 | 2003-06-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Vorrichtung zum Galvanisieren von Leiterplatten unter konstanten Bedingungen in Durchlaufanlagen |
US5972192A (en) | 1997-07-23 | 1999-10-26 | Advanced Micro Devices, Inc. | Pulse electroplating copper or copper alloys |
US6071398A (en) * | 1997-10-06 | 2000-06-06 | Learonal, Inc. | Programmed pulse electroplating process |
JP2000173949A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-23 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法並びにめっき方法及び装置 |
JP3374130B2 (ja) | 1999-01-21 | 2003-02-04 | アトーテヒ ドイッチュラント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 集積回路製造に際し高純度銅から成る導体構造を電解形成するための方法 |
DE19915146C1 (de) * | 1999-01-21 | 2000-07-06 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum galvanischen Bilden von Leiterstrukturen aus hochreinem Kupfer bei der Herstellung von integrierten Schaltungen |
US6652727B2 (en) | 1999-10-15 | 2003-11-25 | Faraday Technology Marketing Group, Llc | Sequential electrodeposition of metals using modulated electric fields for manufacture of circuit boards having features of different sizes |
US6630630B1 (en) * | 1999-12-14 | 2003-10-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer printed wiring board and its manufacturing method |
EP1132500A3 (en) * | 2000-03-08 | 2002-01-23 | Applied Materials, Inc. | Method for electrochemical deposition of metal using modulated waveforms |
JP2001267726A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Toyota Autom Loom Works Ltd | 配線基板の電解メッキ方法及び配線基板の電解メッキ装置 |
JP2002004083A (ja) * | 2000-04-18 | 2002-01-09 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ヴィアフィリング方法 |
JP2002016332A (ja) * | 2000-06-28 | 2002-01-18 | Ibiden Co Ltd | スルーホールを有する積層板およびその製造方法 |
US20020015833A1 (en) | 2000-06-29 | 2002-02-07 | Naotomi Takahashi | Manufacturing method of electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil |
JP2002053993A (ja) | 2000-08-04 | 2002-02-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電解銅箔およびその製造方法 |
JP2002141440A (ja) | 2000-11-01 | 2002-05-17 | Mitsui High Tec Inc | 基板の製造方法 |
US6881319B2 (en) * | 2000-12-20 | 2005-04-19 | Shipley Company, L.L.C. | Electrolytic copper plating solution and method for controlling the same |
US6458696B1 (en) * | 2001-04-11 | 2002-10-01 | Agere Systems Guardian Corp | Plated through hole interconnections |
WO2002086196A1 (en) | 2001-04-19 | 2002-10-31 | Rd Chemical Company | Copper acid baths, system and method for electroplating high aspect ratio substrates |
KR100877923B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2009-01-12 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨 | 전해 구리 도금법 |
JP3941433B2 (ja) | 2001-08-08 | 2007-07-04 | 株式会社豊田自動織機 | ビアホールのスミア除去方法 |
JP4000796B2 (ja) | 2001-08-08 | 2007-10-31 | 株式会社豊田自動織機 | ビアホールの銅メッキ方法 |
WO2003033775A1 (fr) * | 2001-10-16 | 2003-04-24 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Procede de cuivrage de trous a petit diametre |
JP2003168860A (ja) * | 2001-11-30 | 2003-06-13 | Cmk Corp | プリント配線板及びその製造方法 |
JP3964263B2 (ja) | 2002-05-17 | 2007-08-22 | 株式会社デンソー | ブラインドビアホール充填方法及び貫通電極形成方法 |
DE10223957B4 (de) * | 2002-05-31 | 2006-12-21 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Ein verbessertes Verfahren zum Elektroplattieren von Kupfer auf einer strukturierten dielektrischen Schicht |
DE60336539D1 (de) * | 2002-12-20 | 2011-05-12 | Shipley Co Llc | Methode zum Elektroplattieren mit Umkehrpulsstrom |
US20040154926A1 (en) * | 2002-12-24 | 2004-08-12 | Zhi-Wen Sun | Multiple chemistry electrochemical plating method |
JP2004311919A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | スルーホールフィル方法 |
DE10311575B4 (de) * | 2003-03-10 | 2007-03-22 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum elektrolytischen Metallisieren von Werkstücken mit Bohrungen mit einem hohen Aspektverhältnis |
DE10325101A1 (de) * | 2003-06-03 | 2004-12-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Verfahren zum Auffüllen von µ-Blind-Vias (µ-BVs) |
JP4248353B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2009-04-02 | 新光電気工業株式会社 | スルーホールの充填方法 |
US20050121214A1 (en) * | 2003-12-04 | 2005-06-09 | Gould Len C. | Active electrical transmission system |
JP4973829B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2012-07-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
-
2004
- 2004-09-20 DE DE102004045451A patent/DE102004045451B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-23 TW TW094128784A patent/TWI370715B/zh active
- 2005-08-30 EP EP05775130A patent/EP1810554B1/en active Active
- 2005-08-30 KR KR1020077007033A patent/KR101222627B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-30 CN CN2005800315049A patent/CN101053286B/zh active Active
- 2005-08-30 JP JP2007531632A patent/JP5078142B2/ja active Active
- 2005-08-30 AT AT05775130T patent/ATE417492T1/de active
- 2005-08-30 DE DE602005011662T patent/DE602005011662D1/de active Active
- 2005-08-30 US US11/661,704 patent/US9445510B2/en active Active
- 2005-08-30 WO PCT/EP2005/009332 patent/WO2006032346A1/en active Application Filing
- 2005-09-13 MY MYPI20054306A patent/MY145344A/en unknown
-
2016
- 2016-05-20 US US15/159,943 patent/US9526183B2/en active Active
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102877098A (zh) * | 2012-10-29 | 2013-01-16 | 东莞市若美电子科技有限公司 | 一种多波段输出的脉冲电镀方法 |
CN102877098B (zh) * | 2012-10-29 | 2015-06-17 | 东莞市若美电子科技有限公司 | 一种多波段输出的脉冲电镀方法 |
CN104053311A (zh) * | 2013-03-13 | 2014-09-17 | 欣兴电子股份有限公司 | 导通孔的制作方法 |
CN104159420A (zh) * | 2014-09-04 | 2014-11-19 | 深圳恒宝士线路板有限公司 | 带盲孔且具有四层线路的电路板制造方法 |
CN112135413A (zh) * | 2019-06-25 | 2020-12-25 | 三星电机株式会社 | 用于镀覆印刷电路板的方法及使用所述方法的印刷电路板 |
CN110306214A (zh) * | 2019-07-05 | 2019-10-08 | 东莞市斯坦得电子材料有限公司 | 一种用于高纵横比孔径印制线路板通孔电镀的反向脉冲镀铜工艺 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160270241A1 (en) | 2016-09-15 |
DE602005011662D1 (de) | 2009-01-22 |
EP1810554A1 (en) | 2007-07-25 |
JP2008513985A (ja) | 2008-05-01 |
US9445510B2 (en) | 2016-09-13 |
WO2006032346A1 (en) | 2006-03-30 |
KR20070053304A (ko) | 2007-05-23 |
JP5078142B2 (ja) | 2012-11-21 |
MY145344A (en) | 2012-01-31 |
US9526183B2 (en) | 2016-12-20 |
US20090236230A1 (en) | 2009-09-24 |
DE102004045451A1 (de) | 2006-03-30 |
TW200623995A (en) | 2006-07-01 |
DE102004045451B4 (de) | 2007-05-03 |
TWI370715B (en) | 2012-08-11 |
EP1810554B1 (en) | 2008-12-10 |
ATE417492T1 (de) | 2008-12-15 |
KR101222627B1 (ko) | 2013-01-16 |
CN101053286B (zh) | 2012-01-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN101053286A (zh) | 用金属填充通孔,尤其用铜填充印刷电路板的通孔的电化方法 | |
JP5073736B2 (ja) | 孔及びキャビティの金属による電解充填法 | |
TWI583279B (zh) | 組合的通孔鍍覆和孔填充的方法 | |
CN1244720C (zh) | 电解铜电镀方法 | |
CN1180133C (zh) | 应用调制电场在小深孔中的金属电淀积法 | |
CN1202697C (zh) | 通孔填充方法 | |
CN1192690C (zh) | 覆铜层压板及其制备方法 | |
CN1161228C (zh) | 涂覆树脂的复合箔及其制造,用其制造多层覆铜层压板和多层印刷线路板 | |
TWI834143B (zh) | 酸性銅電鍍溶液 | |
CN1900377A (zh) | 电镀铜浴和电镀铜的方法 | |
CN1612951A (zh) | 非导电基底的直接电解镀金属 | |
US20240271307A1 (en) | Complex waveform for electrolytic plating | |
CN1251333A (zh) | 新颖复合箔,其制造方法和敷铜层压板 | |
JP4894990B2 (ja) | 酸性電気銅めっき液 | |
US20240224432A1 (en) | Single Step Electrolytic Method of Filling Through-Holes in Printed Circuit Boards and Other Substrates | |
Gugliotti et al. | The Effects of Board Design on Electroplated Copper Filled Thermal Vias for Heat Management | |
Waterbury | Effect of Chemical and Processing Parameters on Hole Filling Characteristics of Copper Electroplating |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant |