JP2002141440A - 基板の製造方法 - Google Patents
基板の製造方法Info
- Publication number
- JP2002141440A JP2002141440A JP2000334351A JP2000334351A JP2002141440A JP 2002141440 A JP2002141440 A JP 2002141440A JP 2000334351 A JP2000334351 A JP 2000334351A JP 2000334351 A JP2000334351 A JP 2000334351A JP 2002141440 A JP2002141440 A JP 2002141440A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- via hole
- forming
- substrate
- filling
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アディティブ法によってＢＧＡなどに使用さ
れる基板を製造する際に、工程が少なく、且つ配線パタ
ーンのファイン化を実現できる基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基材１ａにスルーホール２ａを形成し、
基材２ａの表裏面及びスルーホール２ａの内部にレジス
ト層４ａを形成し、レジスト層４ａをパターニングする
とともに、スルーホール２ａに、開口部が広く、中央部
が狭くなるような形状のビアホール１１ａを形成し、レ
ジスト４ａの表面及びビアホール１１ａの内壁に選択的
に無電解メッキ層３ａを形成する。更に、この無電解メ
ッキ層３ａの表面に電解メッキ層５ａを形成して所望の
配線パターン６ａを形成するとともに、このとき同時に
ビアホール１１ａ内にメッキ金属からなる充填物７ａを
充填する。、
れる基板を製造する際に、工程が少なく、且つ配線パタ
ーンのファイン化を実現できる基板の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 基材１ａにスルーホール２ａを形成し、
基材２ａの表裏面及びスルーホール２ａの内部にレジス
ト層４ａを形成し、レジスト層４ａをパターニングする
とともに、スルーホール２ａに、開口部が広く、中央部
が狭くなるような形状のビアホール１１ａを形成し、レ
ジスト４ａの表面及びビアホール１１ａの内壁に選択的
に無電解メッキ層３ａを形成する。更に、この無電解メ
ッキ層３ａの表面に電解メッキ層５ａを形成して所望の
配線パターン６ａを形成するとともに、このとき同時に
ビアホール１１ａ内にメッキ金属からなる充填物７ａを
充填する。、
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の製造方法に
係り、特に基材の両面に配線パターンが形成され、これ
らが基材の表裏面を貫通するビアホールを介して導通さ
れてなるＢＧＡなどの半導体装置に使用される基板の製
造方法に関するものである。
係り、特に基材の両面に配線パターンが形成され、これ
らが基材の表裏面を貫通するビアホールを介して導通さ
れてなるＢＧＡなどの半導体装置に使用される基板の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＢＧＡ（Ball Grid Array）などの半導
体装置に使用される基板としては、一般に、ガラスエポ
キシ樹脂などの絶縁性材料からなる基材の両面に配線パ
ターンが形成され、これらが基材に設けられたビアホー
ルを介して導通されるものが使用されている。従来この
種の基板の製造方法としては、サブトラクティブ法とア
ディティブ法とが知られている。サブトラクティブ法
は、絶縁性材料からなる基板に予め金属箔を貼りつけ、
この貼りつけられた金属箔の不要部分をエッチングなど
によって除去することにより、所望の配線パターンを得
る方法であり、アディティブ法は、絶縁性材料からなる
基板に、メッキなどにより直接配線パターンを形成する
方法である。一般的には、技術面、コスト面で有利であ
ることからサブトラクティブ法が多用されているが、近
年では、特にファインパターンの形成が容易であること
から、アディティブ法の評価が高まっている。
体装置に使用される基板としては、一般に、ガラスエポ
キシ樹脂などの絶縁性材料からなる基材の両面に配線パ
ターンが形成され、これらが基材に設けられたビアホー
ルを介して導通されるものが使用されている。従来この
種の基板の製造方法としては、サブトラクティブ法とア
ディティブ法とが知られている。サブトラクティブ法
は、絶縁性材料からなる基板に予め金属箔を貼りつけ、
この貼りつけられた金属箔の不要部分をエッチングなど
によって除去することにより、所望の配線パターンを得
る方法であり、アディティブ法は、絶縁性材料からなる
基板に、メッキなどにより直接配線パターンを形成する
方法である。一般的には、技術面、コスト面で有利であ
ることからサブトラクティブ法が多用されているが、近
年では、特にファインパターンの形成が容易であること
から、アディティブ法の評価が高まっている。
【０００３】ここで、アディティブ法により、基材の両
面に配線パターンが形成されるタイプの基板を製造する
方法の一例を示すと、まず図５（ａ）に示すように、基
材１の所定の個所にドリルやパンチング法等によりスル
ーホール２を形成し、更に基材１の表裏面にレジスト層
４を形成する。次に図５（ｂ）に示すように、このレジ
スト層４を所望の形状にパターニングして、このレジス
ト層４の表面と基材１の表裏面の全面及びスルーホール
２の内壁に、Ｃｕ等の無電解メッキ層３を形成する。そ
れから、基材１の表裏面の全面にＣｕ等の電解メッキ層
５を形成するとともに、所定のスルーホール２の内壁に
も電解メッキ層５を形成してビアホールとして機能さ
せ、その後図５（ｃ）に示すように、無電解メッキ層３
及び電解メッキ層５の、レジスト層４のパターニング部
分及びスルーホール２に形成された部分を除いた個所を
エッチングなどにより除去して、無電解メッキ層３、レ
ジスト層４及び電解メッキ層５とから構成される配線パ
ターン６を形成し、更に図５（ｄ）に示すように、スル
ーホール２の内部に樹脂などの充填物７を充填する。そ
の後必要に応じて配線パターン６のボンディング部ある
いはランド部となる部分を除いて絶縁層８を形成し、ま
た配線パターン６の露出部分にＡｕなどの貴金属メッキ
９を施すことにより、基板１０が形成される。
面に配線パターンが形成されるタイプの基板を製造する
方法の一例を示すと、まず図５（ａ）に示すように、基
材１の所定の個所にドリルやパンチング法等によりスル
ーホール２を形成し、更に基材１の表裏面にレジスト層
４を形成する。次に図５（ｂ）に示すように、このレジ
スト層４を所望の形状にパターニングして、このレジス
ト層４の表面と基材１の表裏面の全面及びスルーホール
２の内壁に、Ｃｕ等の無電解メッキ層３を形成する。そ
れから、基材１の表裏面の全面にＣｕ等の電解メッキ層
５を形成するとともに、所定のスルーホール２の内壁に
も電解メッキ層５を形成してビアホールとして機能さ
せ、その後図５（ｃ）に示すように、無電解メッキ層３
及び電解メッキ層５の、レジスト層４のパターニング部
分及びスルーホール２に形成された部分を除いた個所を
エッチングなどにより除去して、無電解メッキ層３、レ
ジスト層４及び電解メッキ層５とから構成される配線パ
ターン６を形成し、更に図５（ｄ）に示すように、スル
ーホール２の内部に樹脂などの充填物７を充填する。そ
の後必要に応じて配線パターン６のボンディング部ある
いはランド部となる部分を除いて絶縁層８を形成し、ま
た配線パターン６の露出部分にＡｕなどの貴金属メッキ
９を施すことにより、基板１０が形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法によ
れば、予め基材１の表裏面の全面及びスルーホール２の
内壁に無電解メッキ層３及び電解メッキ層５を形成し、
その後これらの不要部分を除去することにより配線パタ
ーン６を形成するので、各メッキ層の除去工程が余分に
必要となるばかりでなく、メッキ液を大量に使用しなけ
ればならず、メッキ材料が無駄であるという問題があっ
た。また、スルーホール２の内部には、後のリフロー工
程でのポップコーン現象の原因となる空気などが残らな
いように、樹脂などの充填物７を充填する必要があるの
だが、この場合、樹脂充填のための工程が独立して必要
であるといった問題もあった。
れば、予め基材１の表裏面の全面及びスルーホール２の
内壁に無電解メッキ層３及び電解メッキ層５を形成し、
その後これらの不要部分を除去することにより配線パタ
ーン６を形成するので、各メッキ層の除去工程が余分に
必要となるばかりでなく、メッキ液を大量に使用しなけ
ればならず、メッキ材料が無駄であるという問題があっ
た。また、スルーホール２の内部には、後のリフロー工
程でのポップコーン現象の原因となる空気などが残らな
いように、樹脂などの充填物７を充填する必要があるの
だが、この場合、樹脂充填のための工程が独立して必要
であるといった問題もあった。
【０００５】なお出願人は、前述した充填物７として、
樹脂材料の替わりにメッキ材料を使用し、基板１の表裏
面の配線パターン６を形成するために行われる電解メッ
キ工程の際に、同時にスルーホール２の内部にメッキ金
属を充填する方法を試してみた。この方法によれば、充
填物７の充填工程を独立して設ける必要が無いので、作
業性は大幅に向上する。しかし、この方法により基材１
の両面からスルーホール２の内部にメッキ金属を充填す
ると、図４に示すように、スルーホール２内に充填され
たメッキ材料からなる充填物７の表面の中央部は窪んで
しまい、逆にスルーホール２の周縁部はメッキ金属が盛
り上がってしまうという現象が発生した。これは、一般
にスルーホール２の内部の開口部と中央部とはほぼ同一
の内径に形成されていることから、基材１の両面から勢
い良くスルーホール２の内部に流入してきたメッキ液が
スルーホール２内のほぼ中央部で衝突し、この衝撃で各
々のメッキ液がスルーホール２の開口部に向かって逆流
するためではないかと思われるが、とにかくこのように
スルーホール２の周縁部が盛り上がってしまうと、この
ような盛り上がり部は他部よりも厚くメッキされた状態
であるため平坦度が確保されないばかりか、その後エッ
チングにて配線パターン６を形成する際に、このメッキ
厚が厚い部分のサイドエッチが進行してしまい、エッチ
ングファクターが悪化して、配線パターン６のファイン
化を阻害してしまうといった問題点があった。
樹脂材料の替わりにメッキ材料を使用し、基板１の表裏
面の配線パターン６を形成するために行われる電解メッ
キ工程の際に、同時にスルーホール２の内部にメッキ金
属を充填する方法を試してみた。この方法によれば、充
填物７の充填工程を独立して設ける必要が無いので、作
業性は大幅に向上する。しかし、この方法により基材１
の両面からスルーホール２の内部にメッキ金属を充填す
ると、図４に示すように、スルーホール２内に充填され
たメッキ材料からなる充填物７の表面の中央部は窪んで
しまい、逆にスルーホール２の周縁部はメッキ金属が盛
り上がってしまうという現象が発生した。これは、一般
にスルーホール２の内部の開口部と中央部とはほぼ同一
の内径に形成されていることから、基材１の両面から勢
い良くスルーホール２の内部に流入してきたメッキ液が
スルーホール２内のほぼ中央部で衝突し、この衝撃で各
々のメッキ液がスルーホール２の開口部に向かって逆流
するためではないかと思われるが、とにかくこのように
スルーホール２の周縁部が盛り上がってしまうと、この
ような盛り上がり部は他部よりも厚くメッキされた状態
であるため平坦度が確保されないばかりか、その後エッ
チングにて配線パターン６を形成する際に、このメッキ
厚が厚い部分のサイドエッチが進行してしまい、エッチ
ングファクターが悪化して、配線パターン６のファイン
化を阻害してしまうといった問題点があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、基材上に選択的にメッキを施すこと
により配線パターンを形成するとともに、ビアホール
を、開口部が広く、内部が狭くなるような形状に形成し
て、この内部にメッキ金属を充填するようにしている。
ために、本発明は、基材上に選択的にメッキを施すこと
により配線パターンを形成するとともに、ビアホール
を、開口部が広く、内部が狭くなるような形状に形成し
て、この内部にメッキ金属を充填するようにしている。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明は、薄板状の基材に表裏面
を貫通するスルーホールを形成する工程と、基材の表裏
面にレジスト層を形成する工程と、前記スルーホールの
内部にレジストを充填する工程と、前記レジスト層をパ
ターニングし、基材の表裏面に所望の配線パターンを形
成する工程と、前記スルーホールに充填したレジスト
に、基材の表裏面を貫通する、開口部が広く、中央部が
狭くなるような形状のビアホールを形成する工程と、前
記レジスト層の表面及び前記ビアホールの内壁に無電解
メッキを施す工程と、形成された無電解メッキ層上に電
解メッキを施す工程と、前記ビアホールの内部に導電性
の充填物を充填する工程とにより基板を製造するように
している。
を貫通するスルーホールを形成する工程と、基材の表裏
面にレジスト層を形成する工程と、前記スルーホールの
内部にレジストを充填する工程と、前記レジスト層をパ
ターニングし、基材の表裏面に所望の配線パターンを形
成する工程と、前記スルーホールに充填したレジスト
に、基材の表裏面を貫通する、開口部が広く、中央部が
狭くなるような形状のビアホールを形成する工程と、前
記レジスト層の表面及び前記ビアホールの内壁に無電解
メッキを施す工程と、形成された無電解メッキ層上に電
解メッキを施す工程と、前記ビアホールの内部に導電性
の充填物を充填する工程とにより基板を製造するように
している。
【０００８】なお薄板状の基材としては、エポキシ系、
ポリイミド系、テフロン（登録商標）系などの絶縁性樹
脂材料のほか、セラミックなどの周知の材料が適用でき
るが、中でもテフロン系材料は優れた電気特性を有して
いるため好ましい。また、本発明でいう「薄板状の基材」
には、フィルム状、シート状、テープ状等の形態に形成
された基材をも含む。更に、本発明でいう「配線パター
ン」には、ビアホールあるいはスルーホールの周囲に単
にランドのみが形成される場合も含む。また、レジスト
の材質としては、周知の材料を適用可能であるが、特に
作業性が良好であることから、感光性樹脂材料を使用す
ることが望ましい。更にまた、メッキ金属としては周知
の金属が適用可能であるが、コスト及び電気特性の関係
から選択すると、最も一般的なＣｕやＣｕ合金を使用す
ることが望ましい。
ポリイミド系、テフロン（登録商標）系などの絶縁性樹
脂材料のほか、セラミックなどの周知の材料が適用でき
るが、中でもテフロン系材料は優れた電気特性を有して
いるため好ましい。また、本発明でいう「薄板状の基材」
には、フィルム状、シート状、テープ状等の形態に形成
された基材をも含む。更に、本発明でいう「配線パター
ン」には、ビアホールあるいはスルーホールの周囲に単
にランドのみが形成される場合も含む。また、レジスト
の材質としては、周知の材料を適用可能であるが、特に
作業性が良好であることから、感光性樹脂材料を使用す
ることが望ましい。更にまた、メッキ金属としては周知
の金属が適用可能であるが、コスト及び電気特性の関係
から選択すると、最も一般的なＣｕやＣｕ合金を使用す
ることが望ましい。
【０００９】上記方法によれば、基材の全面にメッキを
施さなくても良いため、メッキ液量が削減できるととも
に、メッキ層を除去するための工程を追加する必要がな
い。また、ビアホールを開口部が広く、中央部が狭くな
るような形状に形成しているので、ビアホールの内部
に、ビアホールの両面から、例えばメッキ法や印刷法に
よって液状の導電性充填物を充填する際に、ビアホール
の両面から流入してきた充填物の流れが開口部よりも狭
く形成された中央部においてせき止められ、これにより
ビアホールの中央部付近で充填物同士が衝突する際の衝
撃がやわらげられて、その結果充填物表面の平坦度が確
保されるとともに、ビアホール及びスルーホール周縁部
の充填物の盛り上がりが解消される。
施さなくても良いため、メッキ液量が削減できるととも
に、メッキ層を除去するための工程を追加する必要がな
い。また、ビアホールを開口部が広く、中央部が狭くな
るような形状に形成しているので、ビアホールの内部
に、ビアホールの両面から、例えばメッキ法や印刷法に
よって液状の導電性充填物を充填する際に、ビアホール
の両面から流入してきた充填物の流れが開口部よりも狭
く形成された中央部においてせき止められ、これにより
ビアホールの中央部付近で充填物同士が衝突する際の衝
撃がやわらげられて、その結果充填物表面の平坦度が確
保されるとともに、ビアホール及びスルーホール周縁部
の充填物の盛り上がりが解消される。
【００１０】なお、配線パターン形成工程とビアホール
形成工程とを同時に行うようにすると、工程数を削減で
きるので好ましい。また、メッキ金属をビアホールの充
填物とし、レジスト層表面への電解メッキ工程とビアホ
ール内部への充填物充填工程とを同時に行えば、充填物
充填のための独立した工程を設ける必要が無く、工程数
を削減できるとともに、充填物としてメッキ金属を使用
することで抵抗値が低くなり、導通信頼性が増す。
形成工程とを同時に行うようにすると、工程数を削減で
きるので好ましい。また、メッキ金属をビアホールの充
填物とし、レジスト層表面への電解メッキ工程とビアホ
ール内部への充填物充填工程とを同時に行えば、充填物
充填のための独立した工程を設ける必要が無く、工程数
を削減できるとともに、充填物としてメッキ金属を使用
することで抵抗値が低くなり、導通信頼性が増す。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の基板の製造方法について、図
面を参照して説明する。なお、従来と同一の箇所につい
ては同一の符号を使用して説明する。図１は、本発明の
基板の製造工程を示す図である。まず図１（ａ）に示す
ように、基材１ａの所定の個所に、従来同様ドリルやパ
ンチング法等によりスルーホール２ａを形成する。それ
から図１（ｂ）に示すように、基材１ａの表裏面及びス
ルーホール２ａの内部を覆うように、印刷法などの周知
の手段によってレジスト層４ａを形成する。なお本実施
例においては、レジスト層４ａとして感光性樹脂材料を
使用している。
面を参照して説明する。なお、従来と同一の箇所につい
ては同一の符号を使用して説明する。図１は、本発明の
基板の製造工程を示す図である。まず図１（ａ）に示す
ように、基材１ａの所定の個所に、従来同様ドリルやパ
ンチング法等によりスルーホール２ａを形成する。それ
から図１（ｂ）に示すように、基材１ａの表裏面及びス
ルーホール２ａの内部を覆うように、印刷法などの周知
の手段によってレジスト層４ａを形成する。なお本実施
例においては、レジスト層４ａとして感光性樹脂材料を
使用している。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、感光性樹
脂材料からなるレジスト４ａを露光、現像することによ
り、基材１ａの表裏面に形成されたレジスト層４ａの不
要部分を除去して所望の形状にパターニングを行うとと
もに、スルーホール２ａの内部に充填されたレジスト層
４ａに、基材１ａの表裏面を貫通するビアホール１１ａ
を形成する。なお、このときビアホール１１ａの形状
は、図に示すように、ビアホール１１ａの端面である開
口部が広く、中央部が狭くなるような形状に形成する。
脂材料からなるレジスト４ａを露光、現像することによ
り、基材１ａの表裏面に形成されたレジスト層４ａの不
要部分を除去して所望の形状にパターニングを行うとと
もに、スルーホール２ａの内部に充填されたレジスト層
４ａに、基材１ａの表裏面を貫通するビアホール１１ａ
を形成する。なお、このときビアホール１１ａの形状
は、図に示すように、ビアホール１１ａの端面である開
口部が広く、中央部が狭くなるような形状に形成する。
【００１３】その後、図１（ｄ）に示すように、パター
ニングされたレジスト層４ａの表面及びビアホール１１
ａの内壁に、選択的にＣｕ等からなる無電解メッキ層３
ａを形成する。このとき、基材１ａのレジスト層４ａが
形成されていない部分には、マスキングを行うなどし
て、無電解メッキ層３ａが形成されないようにする。な
お、基材１ａとしてテフロン系材料を使用した場合に
は、テフロン系材料は比較的表面が滑らかであるため、
あまり良好にメッキ層が形成されない性質を有すること
から、メッキ液の性質やメッキ時間等の条件によって
は、あえてマスキングを行わずともレジスト層４ａにの
み無電解メッキ層３ａを形成することができる。
ニングされたレジスト層４ａの表面及びビアホール１１
ａの内壁に、選択的にＣｕ等からなる無電解メッキ層３
ａを形成する。このとき、基材１ａのレジスト層４ａが
形成されていない部分には、マスキングを行うなどし
て、無電解メッキ層３ａが形成されないようにする。な
お、基材１ａとしてテフロン系材料を使用した場合に
は、テフロン系材料は比較的表面が滑らかであるため、
あまり良好にメッキ層が形成されない性質を有すること
から、メッキ液の性質やメッキ時間等の条件によって
は、あえてマスキングを行わずともレジスト層４ａにの
み無電解メッキ層３ａを形成することができる。
【００１４】次に図１（ｅ）に示すように、無電解メッ
キ層３ａの表面に、同じくＣｕからなる電解メッキ層５
ａを形成して、配線パターン６ａを形成する。なお本実
施例においては、電解メッキ層５ａの形成と同時にビア
ホール１１ａの内部にメッキ金属を充填することによ
り、ビアホール１１ａ内にメッキ金属からなる充填物７
ａを充填するようにしている。このとき、ビアホール１
１ａは開口部が広く、中央部が狭くなるような形状に形
成されているので、ビアホール１１ａの内部にメッキ金
属を充填する際に、両面から流入してきたメッキ金属が
ビアホール１１ａの中央部付近で衝突する際に生じる衝
撃がやわらげられ、その結果ビアホール１１ａ内に充填
された充填物７ａの表面の平坦度が確保されるととも
に、ビアホール１１ａの周縁部におけるメッキ金属の盛
り上がりを防止することができる。
キ層３ａの表面に、同じくＣｕからなる電解メッキ層５
ａを形成して、配線パターン６ａを形成する。なお本実
施例においては、電解メッキ層５ａの形成と同時にビア
ホール１１ａの内部にメッキ金属を充填することによ
り、ビアホール１１ａ内にメッキ金属からなる充填物７
ａを充填するようにしている。このとき、ビアホール１
１ａは開口部が広く、中央部が狭くなるような形状に形
成されているので、ビアホール１１ａの内部にメッキ金
属を充填する際に、両面から流入してきたメッキ金属が
ビアホール１１ａの中央部付近で衝突する際に生じる衝
撃がやわらげられ、その結果ビアホール１１ａ内に充填
された充填物７ａの表面の平坦度が確保されるととも
に、ビアホール１１ａの周縁部におけるメッキ金属の盛
り上がりを防止することができる。
【００１５】その後、必要に応じて配線パターン６ａの
ボンディング部あるいはランド部となる部分を除いてレ
ジストなどの絶縁層８ａを形成し、また配線パターン６
ａの露出部分にＡｕなどの貴金属メッキ９ａを施すこと
により、基板１０ａが形成される。
ボンディング部あるいはランド部となる部分を除いてレ
ジストなどの絶縁層８ａを形成し、また配線パターン６
ａの露出部分にＡｕなどの貴金属メッキ９ａを施すこと
により、基板１０ａが形成される。
【００１６】なお、本実施例においては、基板１０ａを
単層の基材１ａの両面に配線パターン６ａが形成される
ように形成したが、これに限定されず、２層あるいはそ
れ以上の基材を積層した多層基板を形成する際にも本発
明は適用できるのはもちろんである。また本実施例にお
いては、基材１ａの両面に配線パターン６ａを形成した
が、これに限定されず、例えば図３に示すように、基板
１ｂの表面（半導体チップ搭載面）にのみ配線パターン
６ｂを形成し、裏面側にはビアホール１１ｂの周囲にレ
ジスト層４ｂ及び無電解メッキ層３ｂとからなるランド
部を形成して、かつ電解メッキ層５ｂ及び充填物７ｂを
形成するための電解メッキ工程を基材１ｂの表面側のみ
から行い、更に充填物７ｂを基材１ｂの裏面側に突出さ
せて外部接続端子として機能させても良い。このような
構成にすると、電解メッキ層５ｂ、充填物７ｂ及び外部
接続端子の形成が１つの工程で行えるとともに、スルー
ホール２ｂの内部及び基材１ｂの裏面側に形成したラン
ド部を構成するレジスト層４ｂが緩衝層としての役割を
果たすため、後に基板１０ｂを外部接続端子を介してマ
ザーボードに取り付けた後の接続信頼性が向上するとい
う利点がある。
単層の基材１ａの両面に配線パターン６ａが形成される
ように形成したが、これに限定されず、２層あるいはそ
れ以上の基材を積層した多層基板を形成する際にも本発
明は適用できるのはもちろんである。また本実施例にお
いては、基材１ａの両面に配線パターン６ａを形成した
が、これに限定されず、例えば図３に示すように、基板
１ｂの表面（半導体チップ搭載面）にのみ配線パターン
６ｂを形成し、裏面側にはビアホール１１ｂの周囲にレ
ジスト層４ｂ及び無電解メッキ層３ｂとからなるランド
部を形成して、かつ電解メッキ層５ｂ及び充填物７ｂを
形成するための電解メッキ工程を基材１ｂの表面側のみ
から行い、更に充填物７ｂを基材１ｂの裏面側に突出さ
せて外部接続端子として機能させても良い。このような
構成にすると、電解メッキ層５ｂ、充填物７ｂ及び外部
接続端子の形成が１つの工程で行えるとともに、スルー
ホール２ｂの内部及び基材１ｂの裏面側に形成したラン
ド部を構成するレジスト層４ｂが緩衝層としての役割を
果たすため、後に基板１０ｂを外部接続端子を介してマ
ザーボードに取り付けた後の接続信頼性が向上するとい
う利点がある。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【００１８】本発明によれば、基材の全面にメッキを施
さなくても良いため、メッキ液量が削減できるととも
に、メッキ除去のための工程を追加する必要がない。ま
たビアホールを開口部が広く、中央部が狭くなるような
形状に形成しているので、ビアホール内部に、例えばメ
ッキ法や印刷法によって液状の導電性充填物を充填する
際に、ビアホールの両面から流入してきた充填物のビア
ホール中央部付近での衝突がやわらげられ、その結果充
填物表面の平坦度が確保されるとともに、ビアホール及
びスルーホール周縁部の充填物の盛り上がりが解消さ
れ、この結果、配線パターンのファイン化が実現でき
る。
さなくても良いため、メッキ液量が削減できるととも
に、メッキ除去のための工程を追加する必要がない。ま
たビアホールを開口部が広く、中央部が狭くなるような
形状に形成しているので、ビアホール内部に、例えばメ
ッキ法や印刷法によって液状の導電性充填物を充填する
際に、ビアホールの両面から流入してきた充填物のビア
ホール中央部付近での衝突がやわらげられ、その結果充
填物表面の平坦度が確保されるとともに、ビアホール及
びスルーホール周縁部の充填物の盛り上がりが解消さ
れ、この結果、配線パターンのファイン化が実現でき
る。
【００１９】なお、配線パターン形成工程とビアホール
形成工程とを同時に行うようにすると、工程数を削減で
きるという効果があり、また、メッキ金属をビアホール
の充填物とし、レジスト層表面への電解メッキ工程とビ
アホール内部への充填物充填工程とを同時に行えば、充
填物充填のための独立した工程を設ける必要が無く、工
程数を削減できるとともに、充填物としてメッキ金属を
使用することで導通信頼性が増す。
形成工程とを同時に行うようにすると、工程数を削減で
きるという効果があり、また、メッキ金属をビアホール
の充填物とし、レジスト層表面への電解メッキ工程とビ
アホール内部への充填物充填工程とを同時に行えば、充
填物充填のための独立した工程を設ける必要が無く、工
程数を削減できるとともに、充填物としてメッキ金属を
使用することで導通信頼性が増す。
【図１】本発明の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の実施例を示す断面図。
【図３】本発明の他の実施例を示す断面図。
【図４】従来の問題点を示す断面図。
【図５】従来の製造工程を示す断面図。
１、１ａ、１ｂ 基材 ２、２ａ、２ｂ スルーホール ３、３ａ、３ｂ 無電解メッキ層 ４、４ａ、４ｂ レジスト層 ５、５ａ、５ｂ 電解メッキ層 ６、６ａ、６ｂ 配線パターン ７、７ａ、７ｂ 充填物 ８、８ａ、８ｂ 絶縁層 ９、９ａ、９ｂ 貴金属メッキ １０、１０ａ、１０ｂ 基板 １１ａ、１１ｂ ビアホール
Claims (3)
- 【請求項１】 薄板状の基材に表裏面を貫通するスルー
ホールを形成する工程と、基材の表裏面にレジスト層を
形成する工程と、前記スルーホールの内部にレジストを
充填する工程と、前記レジスト層をパターニングし、基
材の表裏面に所望の配線パターンを形成する工程と、前
記スルーホールに充填したレジストに、基材の表裏面を
貫通する、開口部が広く、中央部が狭くなるような形状
のビアホールを形成する工程と、前記レジスト層の表面
及び前記ビアホールの内壁に無電解メッキを施す工程
と、形成された無電解メッキ層上に電解メッキを施す工
程と、前記ビアホールの内部に導電性の充填物を充填す
る工程とを含むことを特徴とする基板の製造方法。 - 【請求項２】 前記配線パターン形成工程と前記ビアホ
ール形成工程とが同時に行われることを特徴とする請求
項１に記載の基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記レジスト層表面への電解メッキ工程
と前記ビアホール内部への充填物充填工程とは同時に行
われ、メッキ金属をビアホールの充填物とすることを特
徴とする請求項１または請求項２のいずれか１項に記載
の基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334351A JP2002141440A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000334351A JP2002141440A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002141440A true JP2002141440A (ja) | 2002-05-17 |
Family
ID=18810281
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000334351A Pending JP2002141440A (ja) | 2000-11-01 | 2000-11-01 | 基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002141440A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006032346A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| WO2007086498A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Ibiden Co., Ltd. | 半導体素子内蔵基板、半導体素子内蔵型多層回路基板 |
| CN111834234A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 通孔填充方法及结构 |
| CN111834235A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 通孔填充方法及结构 |
-
2000
- 2000-11-01 JP JP2000334351A patent/JP2002141440A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006032346A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-30 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| US9445510B2 (en) | 2004-09-20 | 2016-09-13 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| US9526183B2 (en) | 2004-09-20 | 2016-12-20 | Atotech Deutschland Gmbh | Galvanic process for filling through-holes with metals, in particular of printed circuit boards with copper |
| WO2007086498A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Ibiden Co., Ltd. | 半導体素子内蔵基板、半導体素子内蔵型多層回路基板 |
| JP2007201254A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Ibiden Co Ltd | 半導体素子内蔵基板、半導体素子内蔵型多層回路基板 |
| US7777328B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-08-17 | Ibiden Co., Ltd. | Substrate and multilayer circuit board |
| CN111834234A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 通孔填充方法及结构 |
| CN111834235A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-10-27 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 通孔填充方法及结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3297879B2 (ja) | 連続して形成した集積回路パッケージ | |
| JP4564342B2 (ja) | 多層配線基板およびその製造方法 | |
| JP4767269B2 (ja) | 印刷回路基板の製造方法 | |
| US20080060838A1 (en) | Flip chip substrate structure and the method for manufacturing the same | |
| KR20110003453A (ko) | 회로판 및 그 제조방법 | |
| TW587322B (en) | Substrate with stacked via and fine circuit thereon, and method for fabricating the same | |
| JPH07283538A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3577421B2 (ja) | 半導体装置用パッケージ | |
| JP2023044649A (ja) | モールド成形プロセスに基づくパッケージ基板及びその製造方法 | |
| KR100908986B1 (ko) | 코어리스 패키지 기판 및 제조 방법 | |
| JP2002141440A (ja) | 基板の製造方法 | |
| JP2003188509A (ja) | プリント配線基板 | |
| JP2002270714A (ja) | プラスチックパッケージの製造方法 | |
| JP2000151107A (ja) | 多層プリント配線板及びその製造方法 | |
| TW200926377A (en) | Aluminum oxide-based substrate and method for manufacturing the same | |
| US7504282B2 (en) | Method of manufacturing the substrate for packaging integrated circuits without multiple photolithography/etching steps | |
| JP3205089B2 (ja) | 多層導体フィルムキャリアの製造方法 | |
| JP2000156432A (ja) | フリップチップ搭載用基板 | |
| KR100509974B1 (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
| KR20020095497A (ko) | 비아 홀 랜드 위에 형성된 접속 패드를 갖는인쇄회로기판과 그 제조 방법 | |
| JP2005251883A (ja) | プリント配線板 | |
| JPH06216539A (ja) | プリント配線板及び半導体装置 | |
| JPH08181452A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP2001274204A (ja) | ２メタル基板とｂｇａ構造 | |
| JP2001094224A (ja) | プリント配線板およびプリント配線板の製造方法 |