BR112020011233A2 - estrutura empilhada emissora de luz e dispositivo de exibição incluindo a mesma - Google Patents

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BR112020011233A2
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contact
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Jong Hyeon Chae
Seong Gyu Jang
Ho Joon Lee
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Seoul Viosys Co., Ltd.
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Abstract

Uma estrutura empilhada emissora de luz incluindo uma pluralidade de subunidades epitaxiais dispostas uma sobre a outra, cada subunidade epitaxial configurada para emitir luz colorida com uma faixa de comprimento de onda diferente uma da outra e um eletrodo comum disposto entre e conectado às subunidades epitaxiais adjacentes, nas quais as regiões emissoras de luz das subunidades epitaxiais se sobrepõem.

Description

ESTRUTURA EMPILHADA EMISSORA DE LUZ E DISPOSITIVO DE EXIBIÇÃO
INCLUINDO A MESMA Campo da Invenção
[001] Modalidades exemplificativas da invenção se referem geralmente a uma estrutura empilhada emissora de luz e a um dispositivo de exibição incluindo a mesma e, mais especificamente, a um micro dispositivo emissor de luz com uma estrutura empilhada e um dispositivo de exibição com a mesma.
Estado da Técnica
[002] Diodos emissores de luz foram amplamente usados como fonte de luz inorgânica em vários campos, como dispositivo de exibição, uma lâmpada de automóvel e iluminação geral. Com vantagens de longa vida útil, baixo consumo de energia e alta velocidade de resposta, o diodo emissor de luz substitui rapidamente uma fonte de luz existente.
[003] Enquanto isso, um diodo emissor de luz da técnica anterior tem sido principalmente usado como fonte de luz de fundo em um dispositivo de exibição. No entanto, um display de micro LED foi desenvolvido recentemente como um dispositivo de próxima geração que diretamente realiza uma imagem usando um diodo emissor de luz.
[004] Em geral, o dispositivo de exibição implementa várias cores usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. O dispositivo de exibição inclui uma pluralidade de pixels para implementar uma imagem com várias imagens, e cada pixel inclui subpixels de azul, verde e vermelho. A cor de um pixel específico é determinada pelas cores dos subpixels, e a imagem é implementada pela combinação desses subpixels. Além disso, um dispositivo de exibição usando LEDs pode geralmente ser fabricado através da formação de estruturas de LED vermelhas, verdes e azuis crescidas individualmente em um substrato final, o que pode aumentar a complexidade da fabricação.
[005] No caso de um micro LED, os micro LEDs correspondentes a cada subpixel são dispostos em um plano bidimensional. Portanto, é necessário dispor de um grande número de micro LEDs em um substrato. No entanto, o micro LED tem um tamanho muito pequeno, com uma área de superfície de 10.000 µm quadrado ou menos e, portanto, existem vários problemas devido a esse tamanho pequeno. Particularmente, é difícil manipular um diodo emissor de luz com um tamanho pequeno e não é fácil montar o diodo emissor de luz em um painel de exibição, especialmente em centenas de milhares ou milhões, e substituir um LED defeituoso de micro LEDs montados com um bom LED.
[006] Além disso, uma vez que os subpixels estão dispostos em um plano bidimensional, a área ocupada por um pixel incluindo os subpixels de azul, verde e vermelho é relativamente aumentada. Portanto, para organizar os subpixels dentro de uma área limitada, é necessário reduzir a área de cada subpixel, causando deterioração no brilho através da redução na área luminosa.
[007] As informações acima divulgadas nesta seção de Fundamentos são apenas para a compreensão dos fundamentos dos conceitos inventivos e, portanto, podem conter informações que não constituem a técnica anterior.
Descrição Geral da Invenção O Problema Técnico
[008] As estruturas empilhadas emissoras de luz de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção são capazes de aumentar uma área emissora de luz de cada subpixel, sem aumentar a área de pixels.
[009] Diodos emissores de luz e display usando os diodos emissores de luz, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem uma pureza e reprodução de cores aprimoradas.
[010] Diodos emissores de luz e display usando os diodos emissores de luz, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção, possuem uma estrutura simples que pode melhorar a conectividade entre elementos e/ou reduzir as complexidades de fabricação.
A Solução Técnica
[011] Uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma pluralidade de subunidades epitaxiais dispostas uma sobre a outra, cada subunidade epitaxial configurada para emitir luz com diferentes faixas de comprimento de onda uma da outra em uma primeira direção e uma pluralidade de peças de contato dispostas sob as subunidades epitaxiais para aplicar uma voltagem comum e sinais emissores de luz nas subunidades epitaxiais.
[012] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um substrato disposto sob as subunidades epitaxiais e com fios conectados às peças de contato.
[013] As subunidades epitaxiais podem incluir uma primeira pilha epitaxial, uma segunda pilha epitaxial e uma terceira pilha epitaxial sequencialmente disposta no substrato.
[014] As peças de contato podem incluir uma peça de contato comum para aplicar a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, e uma primeira peça de contato, uma segunda peça de contato e uma terceira peça de contato podem aplicar os sinais emissores de luz à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente.
[015] Cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n, e a peça de contato comum pode ser conectada às camadas semicondutoras do tipo p da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais e a primeira, segunda e terceira peças de contato podem ser conectadas às camadas semicondutoras do tipo n da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente.
[016] A primeira pilha epitaxial pode ter um recesso expondo a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial e a primeira peça de contato pode ser conectada à camada semicondutora do tipo n exposta da primeira pilha epitaxial no recesso.
[017] A primeira peça de contato pode incluir um primeiro pad de eletrodo disposto sob a primeira pilha epitaxial, o primeiro pad de eletrodo pode ter uma largura maior que o recesso.
[018] A primeira peça de contato pode ainda incluir um primeiro pad disposto sob o primeiro pad de eletrodo, o primeiro pad tendo uma largura maior que o recesso.
[019] A segunda peça de contato e a terceira peça de contato podem incluir um segundo pad de eletrodo e um terceiro pad de eletrodo dispostos sob a primeira pilha epitaxial, respectivamente.
[020] A peça de contato comum pode incluir um pad de eletrodo comum disposto sob a primeira pilha epitaxial.
[021] O pad de eletrodo comum, o primeiro, o segundo e o terceiro pads de eletrodo podem incluir substancialmente o mesmo material e são dispostos na mesma camada.
[022] Pelo menos uma das camadas semicondutoras do tipo n da segunda e terceira pilhas epitaxiais pode ter um padrão côncavo- convexo formado em uma superfície da mesma.
[023] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um primeiro eletrodo do tipo p, um segundo eletrodo do tipo p e um terceiro pad de eletrodo do tipo p conectado às camadas semicondutoras do tipo p da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente.
[024] O primeiro eletrodo do tipo p pode ser disposto entre o substrato e a primeira pilha epitaxial.
[025] O segundo eletrodo do tipo p pode ser disposto entre a primeira pilha epitaxial e a segunda pilha epitaxial, e o terceiro eletrodo do tipo p pode ser disposto entre a segunda pilha epitaxial e a terceira pilha epitaxial.
[026] Pelo menos um do segundo eletrodo do tipo p e o terceiro eletrodo do tipo p podem incluir um material condutor transparente.
[027] Pelo menos uma das segunda e terceira pilhas epitaxiais pode ter um primeiro orifício de contato e pelo menos um dos segundo e terceiro eletrodos do tipo p pode ter um segundo orifício de contato com um diâmetro diferente do diâmetro do primeiro orifício de contato.
[028] Pelo menos uma das subunidades epitaxiais pode incluir um micro LED com uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados.
[029] As subunidades epitaxiais podem incluir uma primeira subunidade epitaxial disposta no substrato e configurada para emitir uma primeira luz colorida, uma segunda subunidade epitaxial disposta na primeira subunidade epitaxial e configurada para emitir uma segunda luz colorida tendo um banda de comprimento de onda diferente da primeira luz colorida e uma terceira subunidade epitaxial disposta na segunda subunidade epitaxial e configurada para emitir uma terceira luz colorida tendo uma banda de comprimento de onda diferente da primeira e segunda luzes coloridas.
[030] A primeira luz colorida, a segunda luz colorida e terceira a luz colorida podem ser luz vermelha, luz verde e luz azul, respectivamente.
[031] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a primeira subunidade epitaxial e a segunda subunidade epitaxial.
[032] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um segundo filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a segunda subunidade epitaxial e a terceira subunidade epitaxial.
[033] As ligações podem incluir uma primeira linha de sinal, uma segunda linha de sinal e uma terceira linha de sinal para aplicar os sinais emissores de luz às camadas semicondutoras do tipo n das primeira, segunda e terceira subunidades epitaxiais, respectivamente.
[034] A luz emitida pelas subunidades epitaxiais pode ter faixas de energia diferentes umas das outras e as faixas de energia da luz podem aumentar ao longo da primeira direção.
[035] As subunidades epitaxiais podem ser acionáveis independentemente.
[036] A luz emitida a partir de uma subunidade epitaxial inferior pode ser configurada para ser transmitida através de uma subunidade epitaxial superior.
[037] Cada uma das subunidades epitaxiais pode ser configurada para transmitir pelo menos cerca de 80% da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial inferior.
[038] Um dispositivo de exibição pode incluir uma pluralidade de pixels, pelo menos um dos pixels pode incluir a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[039] O dispositivo de exibição pode ser configurado para ser acionado de uma maneira de matriz passiva.
[040] O dispositivo de exibição pode ser configurado para ser acionado de uma maneira matriz ativa.
[041] Uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma pluralidade de subunidades epitaxiais dispostas uma sobre a outra, cada subunidade epitaxial configurada para emitir luz colorida com faixa de comprimento de onda diferente umas das outras e um eletrodo comum disposto entre e conectado a subunidades epitaxiais adjacentes, nas quais as regiões emissoras de luz das subunidades epitaxiais se sobrepõem.
[042] As subunidades epitaxiais podem incluir uma primeira pilha epitaxial, uma segunda pilha epitaxial e uma terceira pilha epitaxial sequencialmente dispostas uma sobre a outra.
[043] O eletrodo comum pode incluir um eletrodo compartilhado disposto entre um de i) a primeira pilha epitaxial e a segunda pilha epitaxial, e ii) a segunda pilha epitaxial e a terceira pilha epitaxial.
[044] A estrutura empilhada emissora de luz pode incluir ainda uma peça de contato disposta nas subunidades epitaxiais para aplicar uma voltagem comum e sinais emissores de luz; a peça de contato pode incluir uma peça de contato comum para aplicar a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais e uma primeira peça de contato, uma segunda peça de contato e uma terceira peça de contato para aplicar os sinais emissores de luz às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente.
[045] A estrutura empilhada emissora de luz pode incluir ainda uma primeira linha de sinal, uma segunda linha de sinal e uma terceira linha de sinal para aplicar os sinais emissores de luz às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente, e uma linha comum aplicando a voltagem comum às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, e a primeira, segunda e terceira linhas de sinal podem ser conectadas às primeira, segunda e terceira peças de contato, respectivamente, e a linha comum pode ser conectada à peça de contato comum.
[046] As primeira, segunda e terceira linhas de sinal podem se estender em uma primeira direção e a linha comum pode se estender em uma segunda direção, cruzando a primeira direção.
[047] A peça de contato comum pode incluir um primeiro eletrodo de contato comum, um segundo eletrodo de contato comum e um terceiro eletrodo de contato comum para aplicar a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente, e ao segundo e terceiro eletrodos de contato comum pode incluir o eletrodo compartilhado.
[048] Cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n.
[049] Uma sequência empilhada da camada semicondutora do tipo n, a camada ativa e a camada semicondutora do tipo p na segunda pilha epitaxial podem ser diferentes daquela em pelo menos uma das primeira e terceira pilhas epitaxiais.
[050] O eletrodo compartilhado pode contatar diretamente a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha epitaxial e a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha epitaxial.
[051] Na segunda pilha epitaxial, a camada semicondutora do tipo p, a camada ativa e a camada semicondutora do tipo n podem ser empilhadas sequencialmente, e na terceira pilha epitaxial, a camada semicondutora do tipo n, a camada ativa e a camada semicondutora de tipo p pode ser empilhada sequencialmente.
[052] O eletrodo compartilhado pode contatar diretamente com a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha epitaxial e a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial.
[053] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre o segundo eletrodo de contato comum e o terceiro eletrodo de contato comum.
[054] O segundo e o terceiro eletrodos de contato comuns podem ser conectados um ao outro através de um orifício de contato fornecido no filtro de passagem de comprimento de onda.
[055] O primeiro eletrodo de contato comum pode ser disposto sob a primeira pilha epitaxial.
[056] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir uma camada de isolamento cobrindo a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, nas quais o primeiro eletrodo de contato comum pode ser conectado aos segundo e terceiro eletrodos de contato comuns através de um orifício de contato formado na camada de isolamento.
[057] As faixas de energia de luz emitidas a partir de subunidades epitaxiais podem aumentar de uma subunidade epitaxial mais baixa para uma subunidade epitaxial mais alta.
[058] As subunidades epitaxiais podem ser acionáveis independentemente.
[059] A luz emitida a partir de uma subunidade epitaxial inferior pode ser configurada para transmitir através de uma subunidade epitaxial superior.
[060] Cada uma das subunidades epitaxiais pode ser configurada para transmitir pelo menos cerca de 80% da luz emitida a partir de uma subunidade epitaxial inferior.
[061] As subunidades epitaxiais podem incluir uma primeira pilha epitaxial disposta em um substrato e configurada para emitir uma primeira luz colorida, uma segunda pilha epitaxial disposta na primeira pilha epitaxial e configurada para emitir uma segunda luz colorida com uma faixa de comprimento de onda diferente da primeira luz colorida e uma terceira pilha epitaxial disposta na segunda pilha epitaxial e configurada para emitir uma terceira luz colorida com uma faixa de comprimento de onda diferente da primeira e da segunda luzes coloridas.
[062] A primeira luz colorida, a segunda luz colorida e terceira a luz colorida podem ser luz vermelha, luz verde e luz azul, respectivamente.
[063] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a primeira pilha epitaxial e a segunda pilha epitaxial.
[064] A estrutura empilhada emissora de luz pode ainda incluir um segundo filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a segunda pilha epitaxial e a terceira pilha epitaxial.
[065] Pelo menos uma das primeira à terceira pilhas epitaxiais pode ter um padrão côncavo-convexo formado em uma superfície superior do mesmo.
[066] Um dispositivo de exibição pode incluir uma pluralidade de pixels, pelo menos um que pode ser constituído pela estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[067] O dispositivo de exibição pode ser acionado de maneira matriz passiva.
[068] O dispositivo de exibição pode ser acionado de uma maneira matriz ativa.
[069] Um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui um substrato de transistor de filme fino (TFT), pads de eletrodo dispostos na superfície superior do substrato de TFT, uma primeira subunidade de diodo emissor de luz (LED) disposta no substrato de TFT, uma segunda subunidade de LED disposta na primeira subunidade de LED, uma terceira subunidade de LED disposta na segunda subunidade de LED, conectores que conectam eletricamente as primeira, segunda e terceira subunidades de LED aos pads de eletrodos e uma primeira camada disposto entre a primeira subunidade de LED e o substrato TFT, a primeira camada sendo eletricamente conectada às camadas semicondutoras do tipo n da primeira, segunda e terceira subunidades de LED, nas quais a primeira, segunda e terceira subunidades de LED são acionáveis independentemente, a luz gerada na primeira subunidade de LED é configurada para ser emitida para o exterior do dispositivo de exibição através da segunda e terceira subunidades de LED, e a luz gerada na segunda subunidade de LED é configurada para ser emitida para o exterior do dispositivo de exibição através da terceira subunidade de LED.
[070] A primeira, segunda e terceira subunidades de LED podem incluir a primeira, segunda e terceira pilhas de LED configuradas para emitir luz vermelha, luz verde e luz azul, respectivamente.
[071] O dispositivo de exibição pode ainda incluir pads dispostos entre a primeira subunidade de LED e o substrato TFT e ligadas aos pads de eletrodo, nas quais as camadas semicondutoras do tipo p das primeira, segunda e terceira subunidades de LED podem ser eletricamente conectadas aos pads diferentes, respectivamente.
[072] Pelo menos um dos pads pode ser conectado eletricamente à primeira camada.
[073] O dispositivo de exibição pode ainda incluir segundos eletrodos auxiliares, cada um disposto entre os pads e a primeira subunidade de LED, os segundos eletrodos auxiliares e a primeira camada podem incluir substancialmente o mesmo material.
[074] A primeira camada pode incluir uma camada de terra disposta continuamente sobre uma pluralidade de regiões de pixel.
[075] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um primeiro eletrodo refletor em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira subunidade de LED, na qual o primeiro eletrodo refletor pode ser isolado da primeira camada e uma porção do primeiro eletrodo refletor é interposto entre a primeira camada e o substrato de TFT.
[076] O primeiro eletrodo refletor pode incluir uma camada de contato ôhmico e uma camada refletora.
[077] O dispositivo de exibição pode ainda incluir primeiros eletrodos auxiliares dispostos na mesma camada e compreendendo o mesmo material que a camada refletora.
[078] Os conectores podem incluir um primeiro conector inferior, um segundo conector inferior e um terceiro conector inferior passando pela primeira subunidade de LED, o primeiro conector inferior pode ser conectado eletricamente à camada semicondutora do tipo n da primeira subunidade de LED, e o segundo conector inferior e o terceiro conector inferior podem ser isolados eletricamente da primeira subunidade de LED e eletricamente conectados aos pads de eletrodos, respectivamente.
[079] Os conectores podem ainda incluir um primeiro conector do meio, um segundo conector do meio e um terceiro conector do meio que passa pela segunda subunidade de LED, o primeiro conector do meio pode conectar eletricamente a camada semicondutora do tipo n da segunda subunidade de LED ao o primeiro conector inferior, o segundo conector do meio pode conectar eletricamente uma camada semicondutora do tipo p da segunda subunidade de LED ao segundo conector inferior e o terceiro conector do meio pode ser eletricamente isolado da segunda subunidade de LED e ser conectado ao terceiro conector inferior.
[080] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um segundo eletrodo transparente interposto entre a primeira subunidade de LED e a segunda subunidade de LED e em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda subunidade de LED, na qual o segundo conector inferior pode ser conectado ao segundo eletrodo transparente.
[081] Os conectores podem ainda incluir um primeiro conector superior e um segundo conector superior que passam através da terceira subunidade de LED, o primeiro conector superior pode conectar eletricamente a camada semicondutora do tipo n da terceira subunidade de LED ao primeiro conector do meio, e o segundo conector superior pode conectar eletricamente uma camada semicondutora do tipo p da terceira subunidade de LED ao terceiro conector do meio.
[082] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um terceiro eletrodo transparente interposto entre a segunda subunidade de LED e a terceira subunidade de LED e em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira subunidade de LED, na qual o segundo conector superior pode ser conectado ao terceiro eletrodo transparente.
[083] O primeiro conector inferior, o primeiro conector do meio e o primeiro conector superior podem ser empilhados em uma direção substancialmente vertical, o segundo conector inferior e o segundo conector do meio podem ser empilhados em uma direção substancialmente vertical e o terceiro conector inferior, o terceiro conector do meio e o segundo conector superior pode ser empilhado em uma direção substancialmente vertical.
[084] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um primeiro filtro de cor interposto entre a primeira subunidade de LED e a segunda subunidade de LED transmitir a luz gerada a partir da primeira subunidade de LED e refletir a luz gerada na segunda subunidade de LED, e um segundo filtro de cor interposto entre a segunda subunidade de LED e a terceira subunidade de LED para transmitir a luz gerada a partir da primeira e da segunda subunidades LED e refletir a luz gerada a partir da terceira subunidade de LED.
[085] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um preenchimento insuficiente interposto entre o substrato de TFT e a primeira subunidade de LED.
[086] O dispositivo de exibição pode ainda incluir uma primeira camada de ligação interposta entre a primeira subunidade de LED e a segunda subunidade de LED e uma segunda camada de ligação interposta entre a segunda subunidade de LED e a terceira subunidade de LED, na qual a primeira camada de ligação está configurada para transmitir luz gerada a partir da primeira subunidade de LED e a segunda camada de ligação pode ser configurada para transmitir luz gerada a partir da primeira subunidade de e segunda subunidade de LED.
[087] O dispositivo de exibição pode ainda incluir um guia de luz disposto acima da terceira subunidade de LED.
[088] O dispositivo de exibição pode ainda incluir uma micro lente disposta no guia de luz.
[089] O dispositivo de exibição pode ainda incluir uma pluralidade de pixels unitários dispostos no substrato de TFT, no qual pelo menos um dos pixels unitários pode incluir os pads de eletrodos, a primeira subunidade de LED, a segunda subunidade de LED, a terceira subunidade de LED, os conectores e a primeira camada.
[090] Pelo menos um dos pixels unitários pode incluir um micro LED com uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados.
[091] Deve ser entendido que tanto a descrição geral acima como a descrição detalhada a seguir são exemplificativas e explicativas e se destinam a fornecer explicações adicionais da invenção como reivindicada.
[092] Efeitos Vantajosos
[093] As estruturas empilhadas emissoras de luz, de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção, são capazes de aumentar uma área emissora de luz de cada subpixel, sem aumentar a área de pixels.
[094] Diodos emissores de luz e display usando os diodos emissores de luz, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem uma pureza e reprodução de cores aprimoradas.
[095] Diodos emissores de luz e display usando os diodos emissores de luz, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção, possuem uma estrutura simples que pode melhorar a conectividade entre elementos e/ou reduzir as complexidades de fabricação.
Descrição das Figuras
[096] As figuras anexas, que são incluídas para fornecer uma compreensão adicional da invenção e são incorporadas e constituem uma parte desta especificação, ilustram modalidades exemplificativas da invenção e, juntamente com a descrição, servem para explicar os conceitos inventivos.
[097] A FIG. 1 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[098] As FIGS. 2A e 2B são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com modalidades exemplificativas.
[099] A FIG. 3 é uma vista em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0100] As FIGS. 4, 5, 6 são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas.
[0101] A FIG. 7 é uma vista plana de um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0102] A FIG. 8 é uma vista plana ampliada de uma porção P1 da FIG. 7.
[0103] A FIG. 9 é um diagrama de bloco ilustrando um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0104] A FIG. 10 é um diagrama de circuito que ilustra um subpixel em um dispositivo de exibição do tipo passivo de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0105] A FIG. 11 é um diagrama de circuito que ilustra um subpixel em um dispositivo de exibição do tipo ativo de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0106] A FIG. 12 é uma vista plana de um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0107] A FIG. 13 é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha I-I’ da FIG. 12.
[0108] As FIGS. 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30 e 32 são vistas planas que ilustram um método de formação de primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais em um substrato, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0109] As FIGS. 15A, 15B, 17, 19A, 19B, 21, 23, 25A, 25B, 27A, 27B, 29, 31A, 31B, 31C, 31D, 31E, 33A, 33B, 33C, 33D e 33E são vistas em seção transversal ao longo da linha I-I' da vista plana correspondente, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0110] As FIGS. 34A a 34D são vistas em corte ampliadas que ilustram uma porção correspondente a P2 da FIG. 27A.
[0111] A FIG. 35 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0112] As FIGS. 36A e 36B são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com modalidades exemplificativas.
[0113] A FIG. 37 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0114] As FIGS. 38 e 39 são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com modalidades exemplificativas.
[0115] A FIG. 40 é uma vista plana de um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0116] A FIG. 41 é uma vista em perspectiva expandida de uma porção P1 da FIG. 40.
[0117] A FIG. 42 é um diagrama de bloco de um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0118] A FIG. 43 é um diagrama de circuito de um subpixel em um dispositivo de exibição do tipo passivo de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0119] A FIG. 44 é um diagrama de circuito de um subpixel em um dispositivo de exibição do tipo ativo de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0120] A FIG. 45 é uma vista plana de um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0121] A FIG. 46 é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha I-I’ da FIG. 45.
[0122] As FIGS. 47, 49, 51, 53, 55 e 57 são vistas planas que ilustram um método de empilhar sequencialmente a primeira, a segunda e a terceira pilhas epitaxiais em um substrato, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0123] As FIGS. 48, 50A, 50B e 50C, 52A, 52B, 52C, 52D, 52E, 52F, 52G e 52H, 54A, 54B, 54C e 54D, 56 e 58 são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha I-I' das FIGS. 47, 49, 51, 53, 55 e 57.
[0124] A FIG. 59A é uma vista plana esquemática de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0125] A FIG. 59B é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha A-B da FIG. 59A.
[0126] A FIG. 60 é um diagrama esquemático de circuito de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0127] As FIGS. 61A, 61B, 61A, 61B, 62A, 62B, 63A, 63B, 64A, 64B, 65A, 65B, 66A, 66B, 67A, 67B, 68A, 68B, 69A, 69B, 70A, 70B, 71A, 71B, 72A, 72B, 73A, 73B, 74A, 74B, 75A e 75B são vistas esquemáticas planas e vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0128] As FIGS. 76A e 76B são vistas planas esquemáticas e vistas em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com outra modalidade exemplificativa, respectivamente.
[0129] As FIGS. 77A e 77B são uma vista plana esquemática e uma vista em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com outra modalidade exemplificativa, respectivamente.
[0130] A FIG. 78 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[0131] A FIG. 79 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[0132] As FIGS. 80A, 80B, 80C e 80D são vistas esquemáticas em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com modalidades exemplificativas.
[0133] A FIG. 81 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
Modalidades da Invenção
[0134] Na descrição a seguir, para fins de explicação, vários detalhes específicos são apresentados, a fim de fornecer um entendimento completo de várias modalidades ou implementações exemplificativas da invenção. Como usado aqui, "modalidades" e "implementações" são palavras intercambiáveis que são exemplos não limitativos de dispositivos ou métodos que empregam um ou mais dos conceitos inventivos aqui divulgados. É aparente, no entanto, que várias modalidades exemplificativas podem ser praticadas sem esses detalhes específicos ou com um ou mais arranjos equivalentes. Em outros casos, estruturas e dispositivos conhecidos são mostrados na forma de diagrama de blocos para evitar obscurecer desnecessariamente várias modalidades exemplificativas. Além disso, várias modalidades exemplificativas podem ser diferentes, mas não precisam ser exclusivas. Por exemplo, formas, configurações e características específicas de uma modalidade exemplificativa podem ser usadas ou implementadas em outra modalidade exemplificativa sem se afastar dos conceitos inventivos.
[0135] A menos que especificado de outra forma, as modalidades exemplificativas ilustradas devem ser entendidas como fornecendo características exemplificativas de detalhes variados de algumas maneiras pelas quais os conceitos inventivos podem ser implementados na prática. Portanto, a menos que seja especificado de outra forma, os recursos, componentes, módulos, camadas, filmes, painéis, regiões e/ou aspectos, etc. (doravante, individual ou coletivamente referidos como "elementos"), das várias modalidades podem ser combinados de outra forma, separados, intercambiados e/ou reorganizados sem se afastar dos conceitos inventivos.
[0136] O uso de hachura cruzada e/ou sombreamento nas figuras anexas é geralmente fornecido para esclarecer os limites entre os elementos adjacentes. Como tal, nem a presença nem a ausência de hachura ou sombreamento transmitem ou indicam qualquer preferência ou requisito para materiais, propriedades, dimensões, proporções, semelhanças entre elementos ilustrados e/ou qualquer outra característica, atributo, propriedade, etc.., dos elementos, a menos que especificado. Além disso, nas figuras anexas, o tamanho e o tamanho relativo dos elementos podem ser exagerados por questões de clareza e/ou descrição. Quando uma modalidade exemplificativa pode ser implementada de maneira diferente, uma ordem de processo específica pode ser realizada de forma diferente da ordem descrita. Por exemplo, dois processos descritos consecutivamente podem ser realizados substancialmente ao mesmo tempo ou executados em uma ordem oposta à ordem descrita. Além disso, números de referência semelhantes indicam elementos semelhantes.
[0137] Quando um elemento como uma ou camada é referido como estando "acima", “conectado a” ou "acoplado a” ou outro elemento ou camada, este pode estar diretamente em, conectado em ou acoplado em outro elemento ou camada ou elementos ou camadas intervenientes podem estar presentes. Quando, no entanto, um elemento ou camada é referido como "diretamente em", "diretamente conectado a" ou "diretamente acoplado a" outro elemento ou camada, não há elementos ou camadas intervenientes presentes. Para esse fim, o termo “conectado” pode se referir a conexões físicas, elétricas e/ou fluidas, com ou sem elementos intervenientes. Além disso, o eixo D1, o eixo D2 e o eixo D3 não estão limitados a três eixos de um sistema de coordenadas retangulares, como eixos x, y e z, e pode ser interpretado em um sentido mais amplo. Por exemplo, o eixo D1, o eixo D2 e o eixo D3 podem ser perpendiculares um ao outro ou podem representar direções diferentes que não são perpendiculares um ao outro. Para os fins desta divulgação, "pelo menos um de X, Y e Z" e "pelo menos um selecionado do grupo que consiste em X, Y e Z" podem ser interpretados como somente X, somente Y, apenas Z, ou qualquer combinação de dois ou mais de X, Y e Z, como, por exemplo, XYZ, XYY, YZ e ZZ. Conforme aqui usado, o termo "e/ou" inclui toda e qualquer combinação de um ou mais dos itens listados associados.
[0138] Embora os termos "primeiro", "segundo" etc. possam ser usados aqui para descrever vários tipos de elementos, esses elementos não devem ser limitados por esses termos. Esses termos são usados para distinguir um elemento de outro elemento. Assim, um primeiro elemento discutido abaixo poderia ser denominado um segundo elemento sem se afastar dos ensinamentos da divulgação.
[0139] Termos espacialmente relativos, como "debaixo", "abaixo", "sob", "inferior", "acima", "superior", "por cima", "acima", "mais elevado", "lateral" (por exemplo, como na "parede lateral"), e semelhantes, podem ser usados aqui para fins descritivos e, assim, para descrever um elemento relacionado a outros elementos, como ilustrado nas figuras. Os termos espacialmente relativos destinam-se a abranger diferentes orientações de um dispositivo em uso, operação e/ou fabricação, além da orientação representada nas figuras. Por exemplo, se o dispositivo nas figuras for virado, os elementos descritos como "abaixo" ou "debaixo" de outros elementos ou características serão orientados "acima" dos outros elementos ou características. Assim, o termo exemplificativa "abaixo" pode abranger uma orientação acima e abaixo. Além disso, o dispositivo pode ser de outra forma orientado (por exemplo, girado 90 graus ou em outras orientações) e, como tal, os descritores espacialmente relativos usados aqui interpretados de acordo.
[0140] A terminologia usada neste documento tem o objetivo de descrever modalidades particulares e não se destina a ser limitativa. Conforme usado neste documento, as formas singulares "um", "uma" e "o/a" também pretendem incluir as formas plurais, a menos que o contexto indique claramente o contrário. Além disso, os termos "compreende", "compreendendo", "inclui" e/ou "incluindo", quando utilizados nesta especificação, especificam a presença de recursos declarados, números inteiros, etapas, operações, elementos, componentes e/ou grupos, mas não exclui a presença ou adição de um ou mais recursos, números inteiros, etapas, operações, elementos, componentes e/ou grupos dos mesmos. Note-se também que, conforme usado neste documento, os termos "substancialmente", "cerca de" e outros termos semelhantes são usados como termos de aproximação e não como termos de grau e, como tal, são utilizados para contabilizar desvios inerentes em valores medidos, calculados e/ou fornecidos que seriam reconhecidos por um especialista na técnica.
[0141] Várias modalidades exemplificativas são aqui descritas com referência a ilustrações seccionais e/ou explodidas que são ilustrações esquemáticas de modalidades exemplificativas idealizadas e/ou estruturas intermediárias. Como tal, são esperadas variações das formas das ilustrações como resultado, por exemplo, de técnicas de fabricação e/ou tolerâncias. Assim, modalidades exemplificativas divulgadas neste documento não devem necessariamente ser interpretadas como limitadas às formas ilustradas particulares das regiões, mas devem incluir desvios nas formas que resultam, por exemplo, da fabricação. Dessa maneira, as regiões ilustradas nas figuras podem ser de natureza esquemática e as formas dessas regiões podem não refletir as formas reais das regiões de um dispositivo e, como tal, não se destinam necessariamente a ser limitativas.
[0142] Salvo definido em contrário, todos os termos (incluindo os termos técnicos e os científicos) aqui utilizados possuem os mesmos significados que os comumente entendidos por um técnico especialista no assunto aos quais a presente divulgação é parte. Termos, como aqueles definidos em dicionários comumente usados, devem ser interpretados como tendo um significado consistente com seu significado no contexto da técnica relevante e não devem ser interpretados de maneira ideal ou excessivamente formal a menos que expressamente definido aqui.
[0143] Como aqui utilizado, uma estrutura empilhada emissora de luz ou um diodo emissor de luz de acordo com modalidades exemplificativas pode incluir um micro LED, que possui uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados, como conhecido na técnica. Em outras modalidades exemplificativas, os micro LEDs podem ter uma área de superfície inferior a cerca de
4.000 µm quadrados, ou inferior a cerca de 2.500 µm quadrados, dependendo da aplicação específica. Além disso, um dispositivo emissor de luz pode ser montado em várias configurações, como ligação por flip e, portanto, os conceitos inventivos não se limitam a uma sequência empilhada específica da primeira, segunda e terceira pilhas de LED.
[0144] A FIG. 1 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0145] Referindo à FIG. 1, uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma pluralidade de pilhas epitaxiais, que são empilhadas sequencialmente em um substrato 10. O substrato 10 é fornecido na forma de uma placa tendo uma superfície frontal e uma superfície traseira.
[0146] As pilhas epitaxiais podem ser montadas na superfície frontal do substrato 10, e o substrato 10 pode ser fornecido de várias formas. Por exemplo, o substrato 10 pode ser formado por um material de isolamento. O material do substrato 10 pode incluir vidro, quartzo, polímero orgânico, compósito orgânico/inorgânico, etc. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a um material específico que forma o substrato 10, e o substrato 10 pode incluir vários materiais, desde que tenha uma propriedade isolante. Em uma modalidade exemplificativa, uma peça do fio que fornece um sinal emissor de luz e uma voltagem comum a cada pilha epitaxial pode ser disposta no substrato 10. Em particular, quando cada pilha epitaxial é acionada de uma maneira de matriz ativa, um elemento acionador incluindo um transistor de filme fino pode ser ainda disposto no substrato 10 além da peça de fio. Nesse caso, o substrato 10 pode ser formado como um substrato de circuito impresso ou como um substrato complexo, no qual a peça de fio e/ou o elemento acionador são formados no vidro, silício, quartzo, polímero orgânico ou compósito orgânico/inorgânico.
[0147] As pilhas epitaxiais podem ser empilhadas sequencialmente na superfície frontal do substrato 10. Cada uma da pluralidade de pilhas epitaxiais emite uma luz.
[0148] Em uma modalidade exemplificativa, o número de pilhas epitaxiais pode ser dois ou mais e as pilhas epitaxiais podem emitir luz em diferentes faixas de comprimento de onda, respectivamente. Em particular, as pilhas epitaxiais podem ter diferentes faixas de energia. A seguir, a estrutura empilhada emissora de luz será descrita como incluindo três camadas de pilha epitaxial 20, 30 e 40 empilhadas sequencialmente no substrato 10, no entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a um número específico de camadas empilhadas epitaxiais.
[0149] Cada pilha epitaxial pode emitir uma luz colorida em uma faixa de luz visível entre várias faixas de comprimento de onda. Em uma modalidade exemplificativa, a luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta na parte inferior pode ser uma luz colorida com o comprimento de onda mais longo, que possui a faixa de energia mais baixa. Pilhas epitaxiais dispostas sobre ela podem emitir sequencialmente luz colorida com um comprimento de onda menor do mais baixo para o mais alto. Dessa maneira, a luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta na parte superior pode ser uma luz colorida com o menor comprimento de onda, que possui a maior faixa de energia. Por exemplo, a primeira pilha epitaxial 20 pode emitir uma primeira luz colorida L1, uma segunda pilha epitaxial 30 pode emitir uma segunda luz colorida L2 e uma terceira pilha epitaxial 40 pode emitir uma terceira luz colorida L3. Aqui, as primeiras à terceira luzes coloridas L1 a L3 podem corresponder a luzes coloridas diferentes, as primeiras à terceira luzes coloridas L1 a L3 podem ser luzes coloridas em diferentes faixas de comprimento de onda, e os comprimentos de onda das primeiras à terceira luzes coloridas L1 a L3 podem tornar-se sequencialmente curtos. Em particular, a primeira à terceira luzes coloridas L1 a L3 podem ter diferentes faixas de comprimento de onda, e a luz colorida pode ter uma faixa menor de comprimento de onda, cuja energia se torna mais alta, à medida que passa da primeira luz colorida L1 para a terceira luz colorida L3.
[0150] Na modalidade exemplificativa ilustrada, a primeira luz colorida L1 pode ser uma luz vermelha, a segunda luz colorida L2 pode ser uma luz verde e a terceira luz colorida L3 pode ser uma luz azul. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Quando a estrutura empilhada emissora de luz 200 inclui um micro LED, que possui uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados, como conhecido na técnica, ou menos de cerca de 4.000 µm quadrados ou 2.500 µm quadrados em outras modalidades exemplificativas, a primeira pilha de LED 20 pode emitir qualquer luz vermelha, verde e azul, e a segunda e terceira pilhas de LED 30 e 40 podem emitir uma luz diferente de vermelho, verde e azul, sem afetar adversamente a operação, devido ao pequeno fator de forma de um micro LED.
[0151] Cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 emite uma luz na direção (a seguir denominada "direção frontal") da superfície frontal do substrato 10. Por exemplo, a luz emitida por uma pilha epitaxial viaja na direção frontal por qualquer outra pilha epitaxial localizada em um caminho de luz. Aqui, a "direção frontal" pode se referir a uma direção na qual as primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 são empilhadas a partir do substrato 10.
[0152] Daqui em diante, a "direção frontal" do substrato 10 pode se referir a uma "direção superior" e a "direção traseira" do substrato 10 pode se referir a uma "direção inferior". No entanto, os termos acima definidos, ou seja, a “direção superior” e a “direção inferior” são direções relativas e podem variar com uma direção na qual as pilhas epitaxiais da estrutura empilhada emissora de luz são dispostas ou empilhadas.
[0153] Cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 emite luz na direção superior e cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 transmite a maior parte da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta. Em particular, a luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial 20 passa através da segunda pilha epitaxial 30 e a terceira pilha epitaxial 40 para viajar na direção frontal, e a luz emitida da segunda pilha epitaxial 30 passa pela terceira pilha epitaxial 30 para viajar na a direção frontal. Como tal, pelo menos algumas ou todas as pilhas epitaxiais restantes, exceto a pilha epitaxial mais baixa, podem ser formadas por um material transmissor de luz. O material transmissor de luz pode ser um material que transmite luz de um comprimento de onda específico ou uma porção de luz do comprimento de onda particular, ou um material que transmite luz total. Em uma modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 pode transmitir 60% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta. Em outra modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 pode transmitir 80% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta. Em outra modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 pode transmitir 90% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta.
[0154] As pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 da estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, podem ser acionadas independentemente conectando linhas de sinal que aplicam sinais emissores de luz às pilhas epitaxiais, respectivamente. Além disso, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode implementar várias cores, dependendo de a luz ser emitida pelas pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. Além disso,
uma vez que pilhas epitaxiais que emitem luz de diferentes comprimentos de onda são formadas para se sobrepor verticalmente, é possível formar a estrutura empilhada emissora de luz.
[0155] As FIGS. 2A e 2B são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com modalidades exemplificativas.
[0156] Referindo à FIG. 2A, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 dispostas no substrato 10 com a primeira, segunda e terceira camadas adesivas 60a, 60b e 60c interpostas entre elas. A primeira camada adesiva 60a pode ser formada de um material condutor ou não condutor. Em algumas modalidades exemplificativas, uma porção da primeira camada adesiva 60a pode ter condutividade para conectar eletricamente a primeira camada adesiva 60a ao substrato 10. A primeira camada adesiva 60a pode ser formada de um material transparente ou opaco. Em uma modalidade exemplificativa, quando o substrato 10 é formado por um material opaco e uma peça de fio e semelhantes são formados no substrato 10, a primeira camada adesiva 60a pode ser formada por um material opaco, por exemplo, um material que absorve luz. Vários adesivos de polímero, por exemplo, um adesivo de polímero à base de epóxi podem ser usados como um material de absorção de luz para a primeira camada adesiva 60a.
[0157] A segunda e terceira camadas adesivas 60b e 60c são formadas de um material não condutor e podem incluir um material de transmissão de luz. Por exemplo, um adesivo opticamente transparente pode ser usado como a segunda e terceira camadas adesivas 60b e 60c. A segunda e terceira camadas adesivas 60b e 60c podem incluir vários materiais, desde que sejam opticamente transparentes e possam ser aderidas de maneira estável a cada pilha epitaxial. Por exemplo, a segunda e terceira camadas adesivas 60b e 60c podem incluir polímero epóxi, vários fotoresistentes, parileno, PMMA (poli (metacrilato de metila)), BCB (benzociclociclobuteno), etc., como SU-8, como material orgânico, e podem incluir óxido de silício, óxido de alumínio, vidro fundido, etc., como um material inorgânico. Em algumas modalidades exemplificativas, o óxido condutor pode ser usado como uma camada adesiva. Nesse caso, o óxido condutor deve ser isolado de qualquer outro elemento. Quando um material orgânico ou vidro fundido dos materiais inorgânicos é usado como uma camada adesiva, o material pode ser revestido em uma superfície adesiva e pode ser colado na mesma a uma alta temperatura e uma alta pressão no estado de vácuo. Quando um material inorgânico (exceto vidro fundido) é usado como uma camada adesiva, o material inorgânico pode ser ligado a uma camada adesiva através da deposição do material inorgânico na camada adesiva, planarização químico-mecânica (CMP), processamento de plasma em uma superfície de uma estrutura resultante e ligação em alto vácuo, por exemplo.
[0158] A primeira pilha epitaxial 20 inclui uma camada semicondutora do tipo p 25, uma camada ativa 23 e uma camada semicondutora do tipo n 21 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A segunda pilha epitaxial 30 inclui uma camada semicondutora do tipo p 35, uma camada ativa 33 e uma camada semicondutora do tipo n 31 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A terceira pilha epitaxial 40 inclui uma camada semicondutora do tipo p 45, uma camada ativa 43 e uma camada semicondutora do tipo n 41 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra.
[0159] A camada semicondutora do tipo p 25, a camada ativa 23 e a camada semicondutora do tipo n 21 da primeira pilha epitaxial 20 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz vermelha, por exemplo.
[0160] O material semicondutor que emite uma luz vermelha pode incluir arseneto de alumínio e gálio (AlGaAs), fosfeto de arseneto e gálio (GaAsP), fosfeto de alumínio e gálio e índio (AlGaInP), fosfeto de gálio (GaP), etc., sem se limitar a estes.
[0161] Um primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 pode ser fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 25 da primeira pilha epitaxial 20. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 da primeira pilha epitaxial 20 pode ser formado de um metal de camada única ou multicamada. Por exemplo, vários materiais, incluindo metais, como Al, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Ti, Sn, Ni, Cr, W e Cu, ou uma liga dos mesmos, podem ser usados como o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 pode incluir um metal com alta refletividade para melhorar a eficiência da saída de luz da primeira pilha epitaxial 20 na direção superior.
[0162] A segunda pilha epitaxial 30 inclui a camada semicondutora do tipo p 35, a camada ativa 33 e a camada semicondutora do tipo n 31 empilhadas sequencialmente. A camada semicondutora do tipo p 35, a camada ativa 33 e a camada semicondutora do tipo n 31 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz verde, por exemplo. O material semicondutor que emite uma luz verde pode incluir nitreto de índio e gálio (InGaN), nitreto de gálio (GaN), fosfeto de gálio (GaP), AlGaInP, AlGaP, etc., sem se limitar a estes.
[0163] Um segundo eletrodo de contato do tipo p 37 é fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 35 da segunda pilha epitaxial 30. O segundo eletrodo de contato do tipo p 37 é interposto entre a primeira pilha epitaxial 20 e a segunda pilha epitaxial 30, em detalhe, entre a segunda camada adesiva 60b e a segunda pilha epitaxial 30.
[0164] A terceira pilha epitaxial 40 inclui a camada semicondutora do tipo p 45, a camada ativa 43 e a camada semicondutora do tipo n 41 empilhadas sequencialmente. A camada semicondutora do tipo p 45, a camada ativa 43 e a camada semicondutora do tipo n 41 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz azul, por exemplo. O material semicondutor que emite uma luz azul pode incluir GaN, InGaN, seleneto de zinco (ZnSe), etc., sem estar limitado a estes.
[0165] Um terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 é fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 45 da terceira pilha epitaxial 40. O terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 é interposto entre a segunda pilha epitaxial 30 e a terceira pilha epitaxial 40, em detalhes, entre a terceira camada adesiva 60c e a terceira pilha epitaxial 40.
[0166] Na modalidade exemplificativa ilustrada, cada uma das camadas de semicondutor do tipo n 21, 31 e 41 e as camadas de semicondutor do tipo p 25, 35 e 45 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 são ilustradas como tendo uma estrutura de camada única, mas em algumas modalidades exemplificativas, cada camada pode ter uma estrutura de várias camadas ou pode incluir uma camada superestrutura. Além disso, as camadas ativas 23, 33 e 43 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 podem incluir uma única estrutura quântica de poços ou uma estrutura de múltiplos poços quânticos.
[0167] O segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p 37 e 47 cobrem substancialmente a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 30 e 40. O segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p 37 e 47 podem ser formados de um material condutor transparente, o qual pode transmitir luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob este. Por exemplo, cada um dos segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 37 e 47 pode ser formado de óxido condutor transparente (TCO). O óxido condutor transparente pode incluir óxido de estanho (SnO), óxido de índio (InO2), óxido de zinco (ZnO), óxido de índio e estanho (ITO), óxido de índio e estanho (ITZO). etc. Um composto condutor transparente pode ser depositado através da deposição química de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD) usando um evaporador e uma pulverização. O segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p 37 e 47 podem ter uma espessura suficiente para funcionar como uma rolha de ataque químico em um processo de fabricação, que será descrito em mais detalhes posteriormente, dentro dos limites que satisfazem a transmitância, por exemplo, uma espessura de aproximadamente 2000 angstroms ou aproximadamente 2 micrômetros.
[0168] Uma linha comum pode ser conectada ao primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 27, 37 e 47. A linha comum pode ser uma linha que fornece uma voltagem comum. Além disso, as linhas de sinal emissor de luz podem ser respectivamente conectadas às camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. Em uma modalidade exemplificativa, uma voltagem comum SC é aplicada ao primeiro eletrodo de contato do tipo p 27, ao segundo eletrodo de contato do tipo p 37 e ao terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 através da linha comum e a emissão de luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 é controlada pela aplicação de sinais emissores de luz nas camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 através das linhas de sinal emissor de luz, respectivamente. Os sinais emissores de luz podem incluir primeiro, segundo e terceiro sinais emissores de luz SR, SG e SB, respectivamente, correspondentes à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro sinal emissor de luz SR pode ser um sinal para emitir uma luz vermelha, o segundo sinal emissor de luz SG pode ser um sinal para emitir uma luz verde e o terceiro sinal emissor de luz SB pode ser um sinal para emitir uma luz azul.
[0169] Embora a voltagem comum seja descrita como sendo aplicada às camadas semicondutoras do tipo p 25, 35 e 45 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 e os sinais emissores de luz SR, SG e SB são descritos como sendo aplicados respectivamente às camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Em outra modalidade exemplificativa, a voltagem comum pode ser aplicada às camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, e os sinais emissores de luz SR, SG, e SB podem ser aplicados às camadas semicondutoras do tipo p 25, 35 e 45 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, respectivamente.
[0170] A FIG. 2B é uma vista em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa do conceito inventivo, na qual a voltagem comum é aplicada às camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceiras pilhas epitaxiais 20,
30 e 40, e os sinais emissores de luz SR, SG e SB são aplicados respectivamente às camadas semicondutoras do tipo p 25, 35 e 45 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40.
[0171] Referindo à FIG. 2B, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a modalidade exemplificativa, ilustrada é substancialmente semelhante à da FIG. 2A, exceto que as camadas das pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 são formadas na ordem das camadas 21, 31 e 41 de semicondutores do tipo n, as camadas ativas 23, 33 e 43 e as camadas semicondutoras do tipo p 25, 35 e 45. Nesse caso, os eletrodos de contato do tipo n 29, 39 e 49 podem ser fornecidos sob as camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41, respectivamente. Como tal, as descrições detalhadas dos elementos substancialmente semelhantes serão omitidas para evitar redundância.
[0172] De acordo com as modalidades exemplificativas, a primeira, a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 são acionadas em resposta aos sinais emissores de luz relevantes, respectivamente. Mais particularmente, a primeira pilha epitaxial 20 é acionada pelo primeiro sinal emissor de luz SR, a segunda pilha epitaxial 30 é acionada pelo segundo sinal emissor de luz SG e a terceira pilha epitaxial 40 é acionada pelo terceiro sinal emissor de luz SB. Os primeiro, segundo e terceiro sinais emissores de luz SR, SG e SB são aplicados independentemente às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 e, portanto, à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 podem ser acionadas independentemente uma da outra. A estrutura empilhada emissora de luz pode gerar luz de uma cor, que pode ser determinada de várias formas por uma combinação das primeira, segunda e terceira luzes coloridas emitidas pela primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 na direção superior.
[0173] Ao exibir uma cor, luzes coloridas diferentes não são emitidas de planos diferentes, mas luzes coloridas diferentes são emitidas de uma região sobreposta e, portanto, a estrutura empilhada de emissão de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é capaz de integrar um elemento emissor de luz com tamanho reduzido. Em geral, os elementos emissores de luz convencionais que emitem luzes coloridas diferentes, por exemplo, luzes vermelhas, verdes e azuis, são espaçados um do outro no mesmo plano para implementar uma cor completa. Nesse caso, como cada elemento emissor de luz é disposto no mesmo plano, os elementos ocupam uma área relativamente grande. No entanto, os elementos emissores de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, incluem uma estrutura empilhada na qual os elementos se sobrepõem em uma área para emitir luzes coloridas diferentes e, portanto, uma cor completa pode ser implementada em uma área significativamente menor. Como tal, um dispositivo de alta resolução pode ser fabricado em uma pequena área.
[0174] Além disso, mesmo que um dispositivo emissor de luz convencional tenha sido fabricado em uma pilha, o dispositivo emissor de luz convencional pode ser fabricado formando uma peça de contato individual para uma conexão com o elemento emissor de luz individual através de uma linha para cada elemento emissor de luz, que aumentaria as complexidades de fabricação devido a uma estrutura complicada. No entanto, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formada através da formação de uma estrutura de pilha epitaxial múltipla em um substrato, formando uma peça de contato na estrutura de pilha epitaxial múltipla através de um processo mínimo e conectando a peça de contato e a peça estrutura de múltipla pilha epitaxial. Além disso, em comparação com um método convencional de fabricação de dispositivos de exibição no qual um elemento emissor de luz de uma cor individual é fabricado e é montado individualmente, de acordo com os conceitos da invenção, apenas uma estrutura empilhada emissora de luz é montada, em vez de uma pluralidade de elementos emissores de luz, simplificando significativamente um método de fabricação.
[0175] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir vários elementos para fornecer uma luz colorida de alta pureza e alta eficiência. Por exemplo, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode incluir um filtro de passagem de comprimento de onda para bloquear a luz de um comprimento de onda relativamente curto de viajar em direção a uma pilha epitaxial que emite luz com um comprimento de onda mais longo.
[0176] A seguir, as descrições de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, serão focadas em uma diferença das FIGS. 1 a 2B. Além disso, a seguir, os sinais emissores de luz serão descritos como sendo aplicados às camadas semicondutoras do tipo n 21, 31 e 41 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, e uma voltagem comum será descrita como sendo aplicada às camadas semicondutoras do tipo p 25, 35 e 45 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, no entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes.
[0177] A FIG. 3 é uma vista esquemática de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0178] Referindo à FIG. 3, uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode incluir um primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 entre a primeira pilha epitaxial 20 e a segunda pilha epitaxial
30.
[0179] O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 pode transmitir uma primeira luz colorida emitida a partir da primeira pilha epitaxial 20 e pode bloquear ou refletir qualquer outra luz, exceto a primeira luz colorida. Como tal, a primeira luz colorida emitida a partir da primeira pilha epitaxial 20 pode viajar na direção superior, mas a segunda e a terceira luzes coloridas emitidas a partir da segunda e terceira pilhas epitaxiais 30 e 40 podem não viajar em direção à primeira pilha epitaxial 20 e podem ser refletidas ou bloqueadas pelo primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71.
[0180] Quando a segunda e terceira luzes coloridas, que têm uma energia mais alta e um comprimento de onda menor que a primeira luz colorida, são incidentes na primeira pilha epitaxial 20, a segunda e a terceira luzes coloridas podem induzir emissão de luz adicional na primeira pilha epitaxial 20. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a segunda e a terceira luzes coloridas são impedidas de serem incidentes na primeira pilha epitaxial 20 pelo primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71.
[0181] Um segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 pode ser fornecido entre a segunda pilha epitaxial 30 e a terceira pilha epitaxial 40. O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 pode transmitir a segunda e a segunda luzes coloridas emitidas pelas primeira e segunda pilhas epitaxiais 20 e 30 e pode refletir ou bloquear qualquer outra luz, exceto a primeira e a segunda luzes coloridas. Como tal, a primeira e a segunda luzes coloridas emitidas pela primeira e segunda pilhas epitaxiais 20 e 30 podem viajar na direção superior, mas a terceira luz colorida emitida pela terceira pilha epitaxial 40 pode não viajar em direção à primeira e segunda pilhas epitaxiais 20 e 30, e pode ser refletida ou bloqueada pelo segundo filtro de passagem de comprimento de onda
73.
[0182] Quando a terceira luz colorida, que tem uma energia mais alta e um comprimento de onda menor que a primeira e a segunda luzes coloridas, é incidente na primeira e na segunda pilhas epitaxiais 20 e 30, a terceira luz colorida pode induzir emissão de luz adicional da primeira e da segunda pilhas epitaxiais 20 e 30. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a terceira luz colorida é impedida de ser incidente nas primeira e segunda pilhas epitaxiais 20 e 30 pelo segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73.
[0183] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir vários elementos para fornecer uma luz uniforme. Por exemplo, a estrutura empilhada emissora de luz em algumas modalidades exemplificativas pode ter várias porções côncavo-convexas em uma superfície de saída de luz.
[0184] As FIGS. 4 a 6 são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas.
[0185] Referindo às FIGS. 4 a 6, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, pode incluir uma porção PR côncavo-convexa na superfície superior de uma camada semicondutora do tipo n de pelo menos uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30, e 40.
[0186] Referindo à FIG. 4, as porções PR côncavo-convexas podem ser formadas na segunda pilha epitaxial 20. Referindo à FIG. 5, as porções PR côncavo-convexas podem ser fornecidas respectivamente na primeira e na terceira pilhas epitaxiais 20 e
40. Referindo à FIG. 6, as porções PR côncavo-convexas podem ser fornecidas respectivamente na primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. Em uma pilha epitaxial incluindo a porção PR côncavo-convexa, a porção PR côncavo-convexa pode ser fornecida em uma camada semicondutora do tipo n, que pode corresponder a uma superfície de saída de luz da pilha epitaxial.
[0187] A porção PR côncavo-convexa pode ser formada de várias formas para melhorar a eficiência da emissão de luz, como uma pirâmide de vários lados, um hemisfério e superfícies rugosas dispostas aleatoriamente. A porção PR côncavo-convexa pode ser formada através de texturização usando vários processos de gravação. Alternativamente, a porção PR côncavo-convexa pode ser formada usando um substrato de safira padronizado com a porção côncavo-convexa. Quando o substrato de safira padronizado é removido da pilha epitaxial correspondente, a porção côncavo- convexa no substrato de safira padronizado pode ser transferida para a pilha epitaxial correspondente.
[0188] Em uma modalidade exemplificativa, a luz emitida de cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 pode ter intensidades diferentes, o que pode causar uma diferença na visibilidade. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a eficiência da emissão de luz pode ser melhorada através da formação seletiva da porção PR côncavo- convexa nas superfícies de saída de luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, reduzindo assim a diferença na visibilidade com em relação à primeira à terceira luzes coloridas. Por exemplo, uma cor vermelha e/ou uma luz azul podem ter menor visibilidade do que uma luz verde. Como tal, texturizar a primeira pilha epitaxial 20 e/ou a terceira pilha epitaxial 40 pode reduzir a diferença na visibilidade entre a luz emitida pelas pilhas epitaxiais. Em particular, uma vez que uma pilha epitaxial correspondente a uma luz vermelha pode ser disposta na parte inferior da estrutura empilhada emissora de luz, a intensidade da luz vermelha pode ser pequena. Como tal, a eficiência da luz pode ser melhorada através da formação da porção PR côncavo-convexa em uma superfície superior da pilha epitaxial que emite a luz vermelha.
[0189] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formada como um elemento emissor de luz, que pode expressar várias cores e, assim, a estrutura empilhada emissora de luz pode ser adotada como um pixel, que será descrito em mais detalhes abaixo.
[0190] A FIG. 7 é uma vista plana de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 8 é uma vista plana ampliada de uma porção P1 da FIG. 7.
[0191] Referindo às FIGS. 7 e 8, um dispositivo de exibição 100, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode apresentar qualquer informação visual, por exemplo, um texto, um vídeo, uma foto, uma imagem bidimensional ou tridimensional, etc.
[0192] O dispositivo de exibição 100 pode ser fornecido em várias formas, como um polígono incluindo segmentos de linha reta com circuito fechado para formar uma cadeia ou circuito poligonal fechado, uma circular, uma elíptica, etc. incluindo um lado curvo e uma semicircular, uma semielíptica, etc., incluindo um lado reto ou curvo. Doravante, o dispositivo de exibição 100 será descrito como tendo uma forma substancialmente retangular, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes.
[0193] O dispositivo de exibição 100 inclui uma pluralidade de pixels 110 exibindo uma imagem. Cada um dos pixels 110 pode corresponder a uma unidade mínima exibindo uma imagem. Cada pixel 110 pode incluir a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, ilustradas com referência à FIG. 1 a 6, e pode emitir uma luz branca e/ou uma luz colorida.
[0194] Em uma modalidade exemplificativa, cada pixel 110 inclui um primeiro subpixel 110R emitindo uma luz vermelha, um segundo subpixel 110G emitindo uma luz verde e um terceiro subpixel 110B emitindo uma luz azul. O primeiro, segundo e terceiro subpixels 110R, 110G e 110B podem corresponder às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 da estrutura empilhada emissora de luz acima descrita, respectivamente.
[0195] Os pixels 110 estão dispostos na matriz de linhas e colunas. Como usado aqui, os pixels 110 sendo dispostos na matriz de linhas e colunas podem se referir aos pixels 110 sendo dispostos exatamente em linha ao longo de uma linha ou coluna, ou substancialmente dispostos ao longo de uma linha ou coluna em forma de zigue-zague, pelo qual os locais dos pixels 110 podem ser alterados etc.
[0196] A FIG. 9 é um diagrama de bloco de um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0197] Referindo à FIG. 9, o dispositivo de exibição 100 de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui um controlador de temporização 350, uma unidade driver de varredura 310, uma unidade driver de dados 330, uma peça de fiação e pixels. Quando cada pixel inclui uma pluralidade de subpixels, cada subpixel pode ser conectado à unidade de driver de varredura 310, à unidade de driver de dados 330, etc., através da peça de fio.
[0198] O controlador de temporização 350 recebe vários sinais de controle e dados de imagem do lado de fora (por exemplo, um sistema externo que transmite dados de imagem) para acionar o dispositivo de exibição 100. O controlador de temporização 350 pode reorganizar os dados de imagem recebidos e fornece os dados rearranjados para a unidade de driver de dados
330. O controlador de temporização 350 pode gerar sinais de controle de varredura e sinais de controle de dados para acionar a unidade de driver de varredura 310 e a unidade driver de dados 330 e fornece os sinais de controle de varredura gerados e os sinais de controle de dados gerados para a unidade de driver de varredura 310 e a unidade de driver de dados 330.
[0199] A unidade do driver de varredura 310 pode gerar um sinal de varredura correspondente ao sinal de controle de varredura fornecido a partir do controlador de temporização 350. A unidade de driver de dados 330 pode gerar um sinal de dados correspondente ao sinal de controle de dados e aos dados de imagem fornecidos a partir do controlador de temporização 350.
[0200] A peça de fio inclui uma pluralidade de linhas de sinal. Em particular, a peça de fio inclui as linhas de varredura 130R, 130G e 130B (daqui em diante, indicadas coletivamente com o número de referência "130") conectando a unidade de driver de varredura 310 e os subpixels, e as linhas de dados 120 conectando a unidade de driver de dados 330 e os subpixels. As linhas de varredura 130 podem ser conectadas aos subpixels de cada pixel 110. Por conseguinte, as linhas de varredura conectadas aos subpixels de cada pixel 110 são referidas como "primeira, segunda e terceira linhas de varredura 130R, 130G e 130B".
[0201] A peça de fio pode conectar o controlador de temporização 350 e a unidade controladora de varredura 310, o controlador de temporização 350 e a unidade controladora de dados 330, ou quaisquer outros elementos, e pode incluir uma pluralidade de linhas para transferir sinais relevantes que podem ser usados para acionar o dispositivo de exibição 100.
[0202] As linhas de varredura 130 fornecem sinais de varredura gerados pela unidade de driver de varredura 310 para os subpixels. Os sinais de dados gerados pela unidade de driver de dados 330 são emitidos para as linhas de dados 120.
[0203] Os subpixels estão conectados às linhas de varredura 130 e as linhas de dados 120. Os subpixels emitem seletivamente luz em resposta aos sinais de dados recebidos a partir das linhas de dados 120 quando sinais de varredura são fornecidos a partir das linhas de varredura 130. Por exemplo, durante cada período de quadro, cada subpixel emite luz com luminância correspondente ao sinal de dados recebido. Um subpixel fornecido com um sinal de dados correspondente à luminância do preto pode não emitir luz durante um período de quadro relevante, exibindo uma cor preta.
[0204] Em uma modalidade exemplificativa, os subpixels podem ser acionados de maneira passiva ou ativa. Quando o dispositivo de exibição 100 é acionado da maneira de acionamento ativo, o dispositivo de exibição 100 pode ser acionado com base nas voltagens de primeiro e segundo pixels adicionalmente fornecidas a este, além de um sinal de varredura e um sinal de dados.
[0205] A FIG. 10 é um diagrama de circuito ilustrando um subpixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa. Em particular, o diagrama de circuito, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada pode corresponder a um subpixel, como um subpixel vermelho 110R, incluído em um dispositivo de exibição do tipo passivo. O segundo e o terceiro subpixels 110G e 110B podem ser acionados substancialmente da mesma maneira que o primeiro subpixel 110R e, portanto, descrições repetidas do segundo e terceiro subpixels 110G e 110B serão omitidas para evitar redundância.
[0206] Referindo à FIG. 10, o primeiro subpixel 110R inclui um elemento emissor de luz 150 conectado entre a primeira linha de varredura 130R e a linha de dados 120. O elemento emissor de luz 150 pode corresponder à primeira pilha epitaxial 20. Quando uma voltagem de uma voltagem limiar ou superior é aplicada entre uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n, a primeira pilha epitaxial 20 emite luz com luminância correspondente à magnitude da voltagem aplicada. Em particular, a emissão de luz do primeiro subpixel 110R pode ser controlada ajustando uma voltagem de um sinal de varredura aplicado à primeira linha de varredura 130R e/ou uma voltagem de um sinal de dados aplicado à linha de dados 120.
[0207] A FIG. 11 é um diagrama de circuito ilustrando um primeiro subpixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa. O diagrama de circuito, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, pode corresponder a um subpixel incluído em um dispositivo de exibição do tipo ativo.
[0208] Quando o dispositivo de exibição 100 é um dispositivo de exibição do tipo ativo, o primeiro subpixel 110R pode ainda ser fornecido com as voltagens de primeiro e segundo pixels ELVDD e ELVSS, bem como um sinal de varredura e um sinal de dados.
[0209] Referindo à FIG. 11, o primeiro subpixel 110R inclui pelo menos um elemento emissor de luz 150 e uma unidade de transistor conectada ao elemento emissor de luz 150.
[0210] O elemento emissor de luz 150 pode corresponder à primeira pilha epitaxial 20. Uma camada semicondutora do tipo n do elemento emissor de luz 150 pode ser conectada à primeira voltagem de pixel ELVDD através da unidade de transistor e uma camada semicondutora do tipo p do mesmo pode ser conectada à segunda voltagem de pixel ELVSS. A primeira voltagem de pixel ELVDD e a segunda voltagem de pixel ELVSS podem ter potenciais diferentes. Por exemplo, um potencial da segunda voltagem de pixel ELVSS pode ser menor que o potencial da primeira voltagem de pixel ELVDD por não ser menor do que uma voltagem limite do elemento emissor de luz 150. O elemento emissor de luz 150 pode emitir luz com luminância correspondente a uma corrente de acionamento controlada pela unidade de transistor.
[0211] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a unidade de transistor inclui o primeiro e o segundo transistores M1 e M2 e um capacitor de armazenamento Cst. No entanto, uma estrutura da unidade de transistor pode ser modificada de várias formas e não está limitada à modalidade mostrada na FIG. 11.
[0212] Um eletrodo de fonte do primeiro transistor M1 (um transistor de comutação) é conectado à linha de dados 120, e um eletrodo de drenagem do mesmo é conectado a um primeiro nó N1. Um eletrodo de porta do primeiro transistor M1 é conectado à primeira linha de varredura 130R. Quando um sinal de varredura de voltagem suficiente para ligar o primeiro transistor M1 é fornecido a partir da primeira linha de varredura 130R, o primeiro transistor M1 é ativado, conectando assim a linha de dados 120 e o primeiro nó N1. Neste caso, um sinal de dados de um quadro relevante é fornecido à linha de dados 120 e, portanto, o sinal de dados é transmitido ao primeiro nó N1. O sinal de dados transferido para o primeiro nó N1 é carregado no capacitor de armazenamento Cst.
[0213] Um eletrodo de fonte do segundo transistor M2 (um transistor de acionamento) é conectado à primeira voltagem de pixel ELVDD, e um eletrodo de drenagem do mesmo é conectado a uma camada semicondutora de tipo n. Um eletrodo de porta do segundo transistor M2 é conectado ao primeiro nó N1. O segundo transistor M2 controla a quantidade de corrente de acionamento que é fornecida ao elemento emissor de luz 150, baseado em uma voltagem do primeiro nó N1.
[0214] Uma primeira extremidade do capacitor de armazenamento Cst é conectada à primeira voltagem de pixel ELVDD, e a segunda extremidade é conectada ao primeiro nó N1. O capacitor de armazenamento Cst carrega uma voltagem correspondente ao sinal de dados fornecido ao primeiro nó N1, e mantém a voltagem carregada até que um sinal de dados do próximo quadro seja fornecido.
[0215] Embora a FIG. 11 mostre a unidade de transistor incluindo dois transistores; no entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes, e a estrutura da unidade de transistor pode ser alterada ou modificada de várias maneiras. Por exemplo, a unidade de transistor pode incluir mais transistores, mais capacitores, etc. Como a estrutura do primeiro e do segundo transistores, um capacitor de armazenamento e linhas de sinal são bem conhecidos na técnica e, portanto, serão omitidas descrições detalhadas.
[0216] A FIG. 12 é uma vista plana de um pixel de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 13 é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha I-I’ da FIG. 12.
[0217] Referindo às FIGS. 12 e 13, um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma região emissora de luz, na qual uma pluralidade de pilhas epitaxiais são empilhadas e uma região periférica circundando a região emissora de luz em uma vista plana. A pluralidade de pilhas epitaxiais inclui a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40.
[0218] Uma peça de contato para conectar uma peça de fio às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 é fornecida em pelo menos um lado da região emissora de luz. A peça de contato inclui uma peça de contato comum 50c para aplicar uma voltagem comum às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, uma primeira peça de contato 20c para fornecer um sinal emissor de luz para a primeira pilha epitaxial 20, a segunda peça de contato 30c para fornecer um sinal emissor de luz para a segunda pilha epitaxial 30 e uma terceira peça de contato 40c para fornecer um sinal emissor de luz para a terceira pilha epitaxial 40.
[0219] Quando a estrutura empilhada emissora de luz tem substancialmente uma forma quadrangular em uma vista plana, as peças de contato 20c, 30c, 40c e 50c podem ser dispostas em regiões correspondentes aos respectivos cantos do quadrilátero. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e os locais das peças de contato 20c, 30c, 40c e 50c podem ser variados, de acordo com uma forma da estrutura empilhada emissora de luz.
[0220] Um pad de eletrodo comum 59c e um pad comum 59p são fornecidos na peça de contato comum 50c. O pad de eletrodo comum 59c é eletricamente conectado à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 através do primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 27, 37 e 47 por um eletrodo de ponte comum 59b ou por um contato direto. Um primeiro pad de eletrodo 29c e um primeiro pad 29p são fornecidos na primeira peça de contato 20c. O primeiro pad de eletrodo 29c é conectado eletricamente à primeira pilha epitaxial 20 através de um primeiro eletrodo de contato do tipo n 29.
[0221] Um segundo pad de eletrodo 39c e um segundo pad 39p são fornecidos na segunda peça de contato 30c. O segundo pad de eletrodo 39c é conectado eletricamente com a segunda pilha epitaxial 30 através dos segundos eletrodos de ponte 39b.
[0222] Um terceiro pad de eletrodo 49c e um terceiro pad 49p são fornecidos na terceira peça de contato 40c. O terceiro pad de eletrodo 49c é conectado eletricamente com a terceira pilha epitaxial 40 através dos terceiros eletrodos de ponte 49b.
[0223] O pad de eletrodo comum 59c e o pad comum 59p, o primeiro pad de eletrodo 29c e o primeiro pad 29p, o segundo pad de eletrodo 39c e o segundo pad 39p e o terceiro pad de eletrodo 49c e o terceiro pad 49p podem ser fornecidos sobrepostos um ao outro e podem ter substancialmente a mesma forma e substancialmente a mesma área em uma vista plana. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e o eletrodo de pad comum 59c e o pad comum 59p, o primeiro pad de eletrodo 29c e o primeiro pad 29p, o segundo pad de eletrodo 39c e o segundo pad 39p e o terceiro pad de eletrodo 49c e o terceiro pad 49p podem ter várias formas e áreas. Na modalidade exemplificativa ilustrada, o pad de eletrodo comum 59c e o pad comum 59p, o primeiro pad de eletrodo 29c e o primeiro pad 29p, o segundo pad de eletrodo 39c e o segundo pad 39p e o terceiro pad de eletrodo 49c e o terceiro pad 49p serão descritos como tendo substancialmente a mesma forma e substancialmente a mesma área para se sobreporem completamente.
[0224] Um eletrodo ôhmico 27’ é fornecido na região de emissão de luz, exceto a peça de contato, de modo a sobrepor o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27. O eletrodo ôhmico 27’ pode ser fornecido para conectar eletricamente o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e uma camada semicondutora do tipo p da primeira pilha epitaxial 20 e pode incluir um ou mais eletrodos ôhmicos. Por exemplo, como mostrado na modalidade exemplificativa ilustrada, três eletrodos ôhmicos 27’ podem ser fornecidos. O eletrodo ôhmico 27’ para um contato ôhmico pode ser formado de vários materiais. Por exemplo, o eletrodo ôhmico 27’ correspondente a um eletrodo ôhmico do tipo p pode incluir Au (Zn) ou Au (Be). Neste caso, uma vez que a refletância de um material para o eletrodo ôhmico 27’ é menor do que a de um material, como Ag, Al ou Au, um eletrodo de reflexão adicional pode ser ainda mais disposto. Em particular, Ag, Au, etc. podem ser usados como material para o eletrodo de reflexão adicional, e uma camada adesiva metálica formada de um material, como Ti, Ni, Cr ou Ta, pode ser disposta para adesão com um elemento adjacente. Nesse caso, a camada adesiva metálica pode ser depositada finamente na superfície superior e na superfície inferior de um eletrodo de reflexão, incluindo Ag, Au, etc.
[0225] O eletrodo ôhmico 27’ pode ser disposto em uma região afastada da primeira peça de contato 20c. Por exemplo, o eletrodo ôhmico 27’ pode ser espaçado da primeira peça de contato 20c o máximo possível para a propagação de corrente. Além disso, o eletrodo ôhmico 27’ pode ser disposto na região espaçada das segunda e terceira peças de contato 30c e 40c. Como tal, uma etapa, que de outra forma poderia ser formada em uma porção inferior da estrutura empilhada emissora de luz após a formação dos primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p ou quando ligada ao substrato 10, pode ser minimizada.
[0226] Uma peça de fio, que pode corresponder à peça de contato comum 50c e à primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c e é conectada eletricamente ao pad comum 59p e ao primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p, e/ou um elemento de acionamento, como um transistor de filme fino, podem ser ainda fornecidos no substrato 10. Neste caso, uma linha comum pode ser conectada ao pad comum 59p, e a primeira, a segunda e a terceira linhas de sinal emissor de luz podem ser respectivamente conectadas aos primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p.
[0227] Uma camada adesiva, um eletrodo de contato e um filtro de passagem de comprimento de onda são fornecidos entre o substrato 10, a primeira pilha epitaxial 20, a segunda pilha epitaxial 30, e a terceira pilha epitaxial 40.
[0228] Em particular, de acordo com uma modalidade exemplificativa, a estrutura empilhada emissora de luz é fornecida no substrato 10, com a primeira camada adesiva 60a interposta entre elas.
[0229] A estrutura empilhada emissora de luz inclui as primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 empilhadas sequencialmente, a peça de contato comum 50c e a primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c conectadas à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. A peça de fio pode ser formada no substrato 10, e a peça de contato comum 50c e as primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c podem conectar eletricamente a peça de contato comum 50c e a primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c com a peça de fio do substrato 10 através de uma camada adesiva condutora 61.
[0230] A camada adesiva condutora 61 pode incluir uma pasta condutora, como uma pasta de solda ou uma pasta de prata, uma resina condutora ou um filme condutor anisotrópico.
[0231] Quando o substrato 10 não inclui a camada adesiva condutora 61, a primeira camada adesiva 60a para fixar a estrutura empilhada emissora de luz ao substrato 10 pode ser fornecida entre o substrato 10 e a estrutura empilhada emissora de luz.
[0232] A primeira pilha epitaxial 20 é fornecida na porção mais baixa da estrutura empilhada emissora de luz. Uma região parcial da primeira pilha epitaxial 20 pode ter uma estrutura de mesa projetando-se em direção a um lado inferior e sendo pressionada em direção a um lado superior. Em particular, porções de uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial 20 podem ser removidas para expor a camada semicondutora do tipo n na direção inferior. Uma porção que é pressionada pela remoção de porções da camada semicondutora do tipo p, da camada ativa e da camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial 20 pode ser daqui em diante referida como um "recesso" e uma porção na qual mesa é formada pode ser chamada de "protrusão". Nesse caso, em uma vista plana, o recesso é fornecido dentro de uma região correspondente à primeira peça de contato 20c, em detalhes, uma região onde o primeiro pad 29p é formado. Em uma modalidade exemplificativa, o tamanho do recesso pode ser menor que o tamanho do primeiro pad 29p para minimizar uma etapa, que pode ser formada após a ligação da estrutura empilhada emissora de luz e do substrato 10 a ser discutido posteriormente.
[0233] Uma primeira camada de isolamento 81 é disposta em uma superfície inferior da primeira pilha epitaxial 20, em particular, uma superfície da primeira pilha epitaxial 20 que faceia o substrato 10. Uma pluralidade de orifícios de contato são formados na primeira camada de isolamento 81. Os orifícios de contato são fornecidos respectivamente nas regiões da primeira camada de isolamento 81, que correspondem ao recesso e à protrusão.
[0234] O primeiro eletrodo de contato do tipo n 29, que entra em contato com a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial 20, é fornecido no orifício de contato correspondente ao recesso. O eletrodo ôhmico 27’, que entra em contato com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha epitaxial 20, é fornecido no orifício de contato correspondente à protrusão.
[0235] O primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 pode ser formado de vários materiais condutores e pode ser formado de pelo menos um dentre vários metais e uma liga dos mesmos. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 pode ser formado de uma liga de Au, como AuGe ou AuTe. O primeiro eletrodo ôhmico do tipo p 27’ pode incluir Au (Zn) ou Au (Be). Aqui, uma vez que a refletância de um material para o eletrodo ôhmico 27’ é menor do que a de um material, como Ag, Al ou Au, um eletrodo de reflexão adicional pode ser ainda novamente disposto. Em uma modalidade exemplificativa, Ag, Au, etc. podem ser usados como material para um eletrodo de reflexão adicional, e uma camada adesiva metálica formada de um material como Ti, Ni, Cr ou Ta pode ser disposta para adesão com um elemento adjacente. Nesse caso, a camada adesiva pode ser finamente depositada em uma superfície superior e uma superfície inferior do eletrodo de reflexão, incluindo Ag, Au, etc. No entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes, e o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 ou o eletrodo ôhmico 27’ pode ser formado com vários outros materiais.
[0236] O primeiro eletrodo de contato do tipo p 27, o pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c são fornecidos no eletrodo ôhmico 27’ e na primeira camada de isolamento 81. O pad de eletrodo comum 59c é fornecido na peça de contato comum 50c, e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c são fornecidos respectivamente na primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c. Aqui, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e o pad de eletrodo comum 59c podem ser formados integralmente e entrar em contato com o eletrodo ôhmico 27’ para conexão elétrica.
[0237] O primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 pode ser formado de um material tendo uma refletividade para refletir a luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial 20. A primeira camada de isolamento 81 pode ter refletividade para auxiliar a reflexão da luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial 20. Por exemplo, a primeira camada de isolamento 81 pode ter uma estrutura de refletor omnidirecional (ODR).
[0238] O pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c são espaçados um do outro e, portanto, são isolados elétrica/fisicamente um do outro. O eletrodo de pad comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro eletrodos de pad 29c, 39c e 49c podem ter um tamanho suficiente para cobrir regiões correspondentes à peça de contato comum 50c e à primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c, e 40c, respectivamente. Além disso, o pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c podem incluir substancialmente o mesmo material e dispostos na mesma camada.
[0239] Em particular, o primeiro pad de eletrodo 29c cobre a região correspondente à primeira peça de contato 20c e formada para ser maior que o recesso da primeira pilha epitaxial 20. Além disso, o segundo e o terceiro pads de eletrodo 39c e 49c e o pad de eletrodo comum 59c podem cobrir as regiões respectivamente correspondentes à segunda peça de contato 30c, a terceira peça de contato 40c e a peça de contato comum 50c, e podem ser fornecidos para ter um tamanho idêntico ou semelhante ao tamanho do primeiro pad de eletrodo 29c. Como o tamanho do primeiro pad de eletrodo 29c é maior que o tamanho do recesso, a influência da etapa devida ao recesso na formação do primeiro pad 29p posteriormente pode ser minimizada. Além do primeiro pad de eletrodo 29c, também, o segundo e o terceiro pads de eletrodo 39c e 49c e o pad de eletrodo comum 59c podem ser fornecidos na mesma camada de isolamento com substancialmente a mesma altura e podem ser fornecidos com a área suficiente, mesmo que um contato com os eletrodos da ponte (a serem descritos mais adiante) conectados aos segundo e terceiro blocos 39p e 49p e ao pad comum 59p possa ser formado estreitamente. Como tal, a etapa que pode ser formada em uma superfície traseira da primeira pilha epitaxial 20 devido ao primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c e o pad de eletrodo comum 59c pode ser minimizada.
[0240] Uma segunda camada de isolamento 83 é fornecida na superfície traseira da primeira pilha epitaxial 20, na qual são formados o primeiro, o segundo e o terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c e o pad de eletrodo comum 59c. A segunda camada de isolamento 83 inclui orifícios de contato em regiões correspondentes à peça de contato comum 50c e à primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c. Porções das superfícies inferiores do pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c são expostos através dos orifícios de contato formados na segunda camada de isolamento 83. Os orifícios de contato da segunda camada de isolamento 83 podem ser formados para serem menores que o pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c.
[0241] O pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são fornecidos sob a segunda camada de isolamento
83. O pad comum 59p é disposto na peça de contato comum 50c e é conectado ao pad de eletrodo comum 59c através de um orifício de contato. Os primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são respectivamente dispostos na primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c e são respectivamente conectadas aos primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c através dos orifícios de contato. O pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p se projetam na direção inferior a partir de uma superfície inferior da segunda camada de isolamento 83. As camadas adesivas condutoras 61 são respectivamente fornecidas nas superfícies inferiores do pad comum 59p e do primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p, de modo que o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são anexados ao substrato 10. A primeira camada adesiva 60a é fornecida entre o substrato 10 e a segunda camada de isolamento 83, onde o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p não são fornecidos.
[0242] Uma terceira camada de isolamento 85 é fornecida em uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 20. A primeira pilha epitaxial 20 tem orifícios de contato que penetram verticalmente na peça de contato comum 50c e a segunda e terceira peças de contato 30c e 40c. Porções das superfícies superiores do pad de eletrodo comum 59c e os segundo e terceiro pads de eletrodo 39c e 49c são expostos pelos orifícios de contato na primeira pilha epitaxial 20. O eletrodo de ponte comum 59b conectando o pad de eletrodo comum 59c e a segunda e terceira pilhas epitaxiais 30 e 40, um segundo eletrodo de ponte 39b conectando o segundo pad de eletrodo 39c e a segunda pilha epitaxial 30 e um terceiro pad de eletrodo de ponte 49b conectando o terceiro pad o eletrodo 49c e a terceira pilha epitaxial 40 são fornecidos nos orifícios de contato da primeira pilha epitaxial 20. A terceira camada de isolamento 85 para isolamento da primeira pilha epitaxial 20 é fornecida nas paredes laterais internas dos orifícios de contato.
[0243] A segunda camada adesiva 60b é fornecida na primeira pilha epitaxial 20 e na terceira camada de isolamento 85 e no primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, no segundo eletrodo de contato do tipo p 37, na segunda pilha epitaxial 30 e na quarta camada de isolamento 87 são fornecidos sequencialmente na segunda camada adesiva 60b. A segunda pilha epitaxial 30 pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n empilhada na direção superior a partir do fundo.
[0244] O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, o segundo eletrodo de contato do tipo p 37, a segunda pilha epitaxial 30 e a quarta camada de isolamento 87 têm orifícios de contato que penetram verticalmente na peça de contato comum 50c e na segunda e terceira peças de contato 30c e 40c.
[0245] Na peça de contato comum 50c, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 e o segundo eletrodo de contato do tipo p 37 têm orifícios de contato com um primeiro diâmetro, e a segunda pilha epitaxial 30 e a quarta camada de isolamento 87 têm orifícios de contato com um segundo diâmetro maior do que o primeiro diâmetro. A quarta camada de isolamento 87 é fornecida nas paredes laterais de todos os orifícios de contato e, assim, os eletrodos de ponte comuns 59b formados nos orifícios de contato são isolados dos elementos dispostos em torno dos orifícios de contato. No entanto, uma vez que o orifício de contato na segunda pilha epitaxial 30 tem um diâmetro maior que o diâmetro de um orifício de contato inferior, uma porção de uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo p 37 é exposta no orifício de contato com o maior diâmetro. O eletrodo de ponte comum 59b é fornecido no orifício de contato fornecido na peça de contato comum 50c e, assim, o eletrodo de ponte comum 59b e o segundo eletrodo de contato do tipo p 37 podem entrar em contato diretamente e estar conectados.
[0246] Na segunda peça de contato 30c, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, o segundo eletrodo de contato do tipo p 37, a segunda pilha epitaxial 30 e a quarta camada de isolamento 87 têm orifícios de contato que possuem substancialmente o mesmo diâmetro. Um orifício de contato formado na quarta camada de isolamento 87 pode expor uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 30 ao longo de uma superfície externa do orifício de contato. Uma vez que o segundo eletrodo de ponte 39b é fornecido no orifício de contato, o segundo eletrodo de ponte 39b cobre uma porção de uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 30, em particular,
o orifício de contato da quarta camada de isolamento 87 fornecida na segunda pilha epitaxial 30. Como tal, o segundo eletrodo de ponte 39b pode entrar em contato diretamente com uma porção superior da segunda pilha epitaxial 30 e ser conectado com esta. A porção superior da segunda pilha epitaxial 30 pode corresponder a uma camada semicondutora do tipo n. A quarta camada de isolamento 87 é fornecida nas paredes laterais dos orifícios de contato fornecidos no primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, no segundo eletrodo de contato tipo p 37, na segunda pilha epitaxial 30 e na quarta camada de isolamento 87 e, assim, no segundo eletrodo de ponte 39b, desde que seja isolado dos elementos dispostos ao redor dos orifícios de contato.
[0247] Na terceira peça de contato 40c, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, o segundo eletrodo de contato do tipo p 37, a segunda pilha epitaxial 30 e a quarta camada de isolamento 87 têm orifícios de contato tendo substancialmente o mesmo diâmetro. A quarta camada de isolamento 87 é fornecida nas paredes laterais dos orifícios de contato fornecidos no primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71, no segundo eletrodo de contato tipo p 37, na segunda pilha epitaxial 30 e na quarta camada de isolamento 87 e, assim, os segundos eletrodos de ponte 39b, contato que sejam isolados de elementos dispostos em torno dos orifícios de contato.
[0248] A terceira camada adesiva 60c é fornecida na segunda pilha epitaxial 30. O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47, a terceira pilha epitaxial 40 e uma quinta camada de isolamento 89 são fornecidos sequencialmente na terceira camada adesiva 60c. A terceira pilha epitaxial 40 pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n empilhada na direção superior a partir do fundo.
[0249] O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47, a terceira pilha epitaxial 40 e a quinta camada de isolamento 89 têm orifícios de contato que penetram verticalmente na peça de contato comum 50c e na terceira peça de contato 40c. Um orifício de contato não é fornecido no segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73, no terceiro eletrodo de contato do tipo p 47, na terceira pilha epitaxial 40 e na quinta camada de isolamento 89 correspondente à segunda peça de contato 30c.
[0250] Na peça de contato comum 50c, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 têm orifícios de contato com um terceiro diâmetro, e a terceira pilha epitaxial 40 e a quinta camada de isolamento 89 têm orifícios de contato com um quarto diâmetro maior que o terceiro diâmetro. A quinta camada de isolamento 89 é fornecida nas paredes laterais de todos os orifícios de contato e, assim, os eletrodos de ponte comuns 59b fornecidos na mesma são isolados dos elementos dispostos em torno dos orifícios de contato. No entanto, como um orifício de contato formado na terceira pilha epitaxial 40 tem um diâmetro maior que o diâmetro de um orifício de contato inferior, uma porção de uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 é exposta no orifício de contato tendo o maior diâmetro. O eletrodo de ponte comum 59b é fornecido no orifício de contato fornecido na peça de contato comum 50c e, assim, o eletrodo de ponte comum 59b e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 podem entrar em contato diretamente e estar conectados.
[0251] Na terceira peça de contato 40c, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47, a terceira pilha epitaxial 40 e a quinta camada de isolamento 89 têm orifícios de contato tendo substancialmente o mesmo diâmetro. A quinta camada de isolamento 89 tem um orifício de contato que expõe uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 40 ao longo de uma superfície externa do orifício de contato. Uma vez que o terceiro pad de eletrodo de ponte 49b é fornecido no orifício de contato, o terceiro pad de eletrodo de ponte 49b cobre uma porção de uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 40, em particular, o orifício de contato da quinta camada de isolamento 89 fornecida na terceira pilha epitaxial 40. Como tal, o terceiro pad de eletrodo de ponte 49b pode entrar em contato diretamente com uma porção superior da terceira pilha epitaxial 40 e ser conectado ao mesmo. A porção superior da terceira pilha epitaxial 40 pode corresponder a uma camada semicondutora do tipo n. A quinta camada de isolamento 89 é fornecida nas paredes laterais dos orifícios de contato fornecidos no segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73, o terceiro eletrodo de contato tipo p 47, a terceira pilha epitaxial 40 e a quinta camada de isolamento 89 e, assim, os terceiros eletrodos de ponte 49b, contato que sejam isolados de elementos dispostos em torno dos orifícios de contato.
[0252] As primeira, segunda, terceira, quarta e quinta camadas de isolamento 81, 83, 85, 87 e 89 podem ser formadas por vários materiais de isolamento orgânico/inorgânico, mas os conceitos inventivos não se limitam a um material específico que forma as camadas de isolamento. Por exemplo, as primeira, segunda, terceira, quarta e quinta camadas de isolamento 81, 83,
85, 87 e 89 podem ser formadas de um material de isolamento inorgânico, incluindo nitreto de silício, óxido de silício, etc., ou materiais de isolamento orgânico, incluindo poli-imida.
[0253] Em uma modalidade exemplificativa, uma porção côncavo-convexa pode ser seletivamente fornecida em uma superfície superior de cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, em particular, uma superfície superior de cada uma das camadas semicondutoras do tipo n da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40. A porção côncavo-convexa pode ser fornecida apenas em uma porção correspondente a uma região emissora de luz ou pode ser fornecida em toda a superfície superior de cada camada semicondutora do tipo n.
[0254] Em algumas modalidades exemplificativas, a quinta camada de isolamento 89 pode ser fornecida em uma superfície lateral da estrutura empilhada emissora de luz e uma camada opaca à luz adicional pode ser adicionalmente fornecida além da quinta camada de isolamento 89. A camada opaca à luz pode ser uma camada de bloqueio da luz para impedir que as luzes das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 sejam enviadas para os lados da estrutura empilhada emissora de luz e pode incluir um material que absorve uma luz ou reflete uma luz. A camada opaca à luz não é especificamente limitada, desde que absorva ou reflita a luz. Em uma modalidade exemplificativa, a camada opaca à luz pode ser um espelho dielétrico do refletor de Bragg distribuído (DBR) ou uma camada de reflexão metálica formada em uma camada de isolamento, ou pode ser uma camada de polímero orgânico de cor preta. Quando a camada de reflexão metálica é usada como camada opaca à luz, a camada de reflexão metálica pode ser eletricamente isolada de um elemento de outra estrutura empilhada emissora de luz.
[0255] Quando a camada opaca à luz é fornecida em uma superfície lateral da estrutura empilhada emissora de luz, pode ser possível impedir que a luz emitida por uma estrutura empilhada emissora de luz específica influencie uma estrutura empilhada emissora de luz adjacente ou impedir uma fenômeno de mistura de cores que pode ocorrer entre estruturas empilhadas emissoras de luz adjacentes.
[0256] Na estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, uma voltagem comum é aplicada à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 através do pad de eletrodo comum 59c e primeiro, segundo e terceiro sinais emissores de luz são aplicados respectivamente às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 através do primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c. Em particular, o pad de eletrodo comum 59c é eletricamente conectado a uma camada semicondutora do tipo p da primeira pilha epitaxial 20 através do primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e o eletrodo ôhmico 27’, conectado eletricamente a uma camada semicondutora do tipo p a segunda pilha epitaxial 30 através do eletrodo de ponte comum 59b e o segundo eletrodo de contato do tipo p 37 e eletricamente conectada a uma camada semicondutora do tipo p da terceira pilha epitaxial 40 através do eletrodo de ponte comum 59b e o terceiro eletrodo contato do tipo p 47. O primeiro pad de eletrodo 29c é eletricamente conectado a uma camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial 20 através do primeiro eletrodo de contato do tipo n 29, o segundo pad de eletrodo 39c é eletricamente conectado a uma camada semicondutora do tipo n da segunda pilha epitaxial 30 através do segundo eletrodo de ponte
39b e o terceiro pad de eletrodo 49c é eletricamente conectado a uma camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 40 através do terceiro eletrodo de ponte 49b.
[0257] Dessa maneira, conforme a voltagem comum é aplicada à peça de contato comum 50c e o sinal emissor de luz é aplicado respectivamente às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40, primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 podem ser controladas independentemente para emitir luz e, portanto, uma cor pode ser implementada de várias maneiras, dependendo se cada pilha epitaxial emite luz.
[0258] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser fabricada empilhando sequencialmente a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 no substrato 10, que será descrito abaixo.
[0259] As FIGS. 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30 e 32 são vistas planas que ilustram um método de formação da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 no substrato 10. As FIGS. 15A, 15B, 17, 19A e 19B, 21, 23, 25A e 25B, 27A e 27B, 29, 31A a 31E e 33A a 33E são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha I-I' das FIGS. 14, 16, 18, 20, 22, 24, 26, 28, 30, e 32.
[0260] Referindo às FIGS. 14 e 15A, a primeira pilha epitaxial 20 é formada em um primeiro substrato temporário 10p. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro substrato temporário 10p pode ser um substrato semicondutor para formar a pilha epitaxial 20, e pode ser, por exemplo, um substrato GaAs. A primeira pilha epitaxial 20 pode ser formada para ter uma estrutura de mesa incluindo um recesso RC e uma protrusão PTR, que pode ser formada através da formação de uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p no primeiro substrato temporário 10p e removendo as porções da camada semicondutora do tipo n, da camada ativa e da camada semicondutora do tipo p. O recesso RC é fornecido em uma região correspondente à primeira peça de contato 20c e pode ser formado para ser menor que o primeiro pad de eletrodo 29c ou o primeiro pad 29p a ser formada posteriormente, para reduzir uma etapa com qualquer outra região, exceto a região onde o recesso RC será formado.
[0261] Referindo às FIGS. 14 e 15B, a primeira camada de isolamento 81 é formada na primeira pilha epitaxial 20, onde a estrutura da mesa é formada, e o eletrodo ôhmico 27’ é formado na camada semicondutora do tipo p.
[0262] O eletrodo ôhmico 27’, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formado através dos seguintes processos: formar uma camada de isolamento na primeira pilha epitaxial 20 através de deposição, revestir um fotorresistente, padronizar o fotorresistente através da exposição e desenvolvimento, formar um orifício de contato através de gravação úmida ou gravação a seco usando o padrão fotorresistente como uma máscara, depositando uma camada de eletrodo ôhmico em uma superfície frontal da primeira pilha epitaxial 20 na qual o padrão fotorresistente é fornecido e elevando o padrão fotorresistente. Em uma modalidade exemplificativa, o eletrodo ôhmico 27’ pode ser formado depositando pelo menos uma das camadas AuBe e Au.
[0263] Referindo às FIGS. 16 e 17, o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 é formado na primeira camada de isolamento
81. O primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 pode ser fornecido no recesso e um diâmetro do primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 pode ser menor que o diâmetro do recesso.
[0264] O primeiro eletrodo de contato do tipo n 29, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formado através dos seguintes processos: revestir um fotorresistente, padronizar o fotorresistente através da exposição e desenvolvimento, formar um orifício de contato através de gravação úmida ou gravação a seco usando o padrão fotorresistente como um máscara, depositando um material para o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 em uma superfície frontal da primeira pilha epitaxial 20 na qual o padrão fotorresistente é fornecido e elevando o padrão fotorresistente. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 pode ser formado depositando uma camada de AuGe.
[0265] Referindo às FIGS. 18 e 19A, o pad de eletrodo comum 59c, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c são formados na primeira camada de isolamento 81 na qual o eletrodo ôhmico 27’ e o primeiro eletrodo de contato do tipo n 29 são formados. Aqui, o pad de eletrodo comum 59c e o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 podem ser formados integralmente.
[0266] O pad de eletrodo comum 59c, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c podem ser formados depositando um material condutor e padronizando o material condutor depositado usando fotolitografia, para exemplo.
[0267] Referindo às FIGS. 18 e 19B, a segunda camada de isolamento 83 é formada no pad de eletrodo comum 59c, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 27 e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c. A segunda camada de isolamento 83 pode ser formada para ter uma espessura suficiente para compensar uma etapa entre um recesso e uma protrusão. Após a segunda camada de isolamento 83 ser formada com uma espessura suficiente, a planarização pode ser realizada para suavizar uma superfície da segunda camada de isolamento 83. A planarização pode ser realizada usando CMP ou semelhante.
[0268] Referindo às FIGS. 20 e 21, os orifícios de contato são formados respectivamente nas primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c e na peça de contato comum 50c modelando a segunda camada de isolamento 83. Os orifícios de contato formados nas primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c, e a peça de contato comum 50c expõem porções das superfícies superiores dos primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c e o pad comum 59c.
[0269] Referindo às FIGS. 22 e 23, o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são formados na primeira pilha epitaxial 20 na qual a segunda camada de isolamento 83 é formada. Em uma modalidade exemplificativa, o pad de eletrodo comum 59c e o primeiro, segundo e terceiro pads de eletrodo 29c, 39c e 49c podem ser formados em um único processo e, portanto, podem incluir substancialmente o mesmo material na mesma camada.
[0270] O pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p podem ser fornecidos em regiões correspondentes à peça de contato comum 50c e à primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c, e podem ser formados para cobrir as regiões correspondentes à peça de contato comum 50c e à primeira, segunda e terceira peças de contato 20c, 30c e 40c. Como o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são formados o mais largo possível, o calor gerado a partir de cada pilha epitaxial pode ser facilmente dissipado e reduzir a possibilidade de desalinhamento quando ligado ao substrato. Além disso, uma vez que o primeiro pad 29p é formado para ser maior do que a região onde o recesso é formado, um defeito na adesão devido a uma etapa do recesso pode ser evitado.
[0271] O pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p podem ser formados de um material condutor e podem incluir, por exemplo, vários metais, como Al, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Ti, Sn, Ni, Cr, W e Cu, ou uma liga dos mesmos. Além disso, o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p podem ser formados em uma única camada ou em várias camadas. Quando o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p são formados como uma camada múltipla, uma camada de barreira metálica pode ser adicionada para impedir que um metal específico seja difundido. Em uma modalidade exemplificativa, o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p podem ser formadas de AuSn, e uma camada de barreira incluindo Cr, Ti, Ni, W ou uma liga dos mesmos pode ser adicionada entre os eletrodos 59p, 29p, 39p e 49p e os eletrodos 50c, 29c, 39c e 49c para impedir a difusão de Sn.
[0272] Referindo às FIGS. 24, 25A e 25B, a primeira pilha epitaxial 20 formada no primeiro substrato temporário 10p pode ser invertida e fixada no substrato 10, no qual a primeira camada adesiva 60a é formada. Como tal, as camadas da primeira pilha epitaxial 20 são dispostas na superfície superior do substrato 10, na ordem de uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n.
[0273] As camadas adesivas condutoras 61 são formadas nas regiões do substrato 10 para corresponder ao pad comum 59p e ao primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p. O primeiro substrato temporário 10p pode ser pressionado na direção inferior a partir do topo depois de alinhar o pad comum 59p e o primeiro, segundo e terceiro pads 29p, 39p e 49p ao primeiro substrato temporário 10p para facear as camadas adesivas condutoras 61, como mostrado na FIG. 25B.
[0274] Referindo às FIGS. 26 e 27A, os orifícios de contato são formados pela elevação de porções da primeira pilha epitaxial 20 e da primeira camada de isolamento 81. Os orifícios de contato são formados respectivamente na peça de contato comum 50c e na segunda e terceira peças de contato 30c e 40c e, portanto, são expostas porções das superfícies superiores do pad de eletrodo comum 59c e os segundo e terceiro pads de eletrodo 39c e 49c.
[0275] Referindo às FIGS. 26 e 27B, a terceira camada de isolamento 85 é formada na primeira pilha epitaxial 20. A terceira camada de isolamento 85 é formada sobre uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 20 e superfícies laterais dos orifícios de contato e, assim, porções das superfícies superiores do pad de eletrodo comum 59c e os segundo e terceiro pads de eletrodo 39c e 49c permanecem expostos.
[0276] A terceira camada de isolamento 85 pode ser formada através da formação de uma camada incluindo um material de isolamento na superfície superior da primeira pilha epitaxial 20 e gravando anisotropicamente o interior dos orifícios de contato usando fotolitografia.
[0277] Embora os orifícios de contato formados na primeira pilha epitaxial 20 sejam ilustrados como tendo um diâmetro suficiente, no entanto, um diâmetro real de cada orifício de contato pode ser muito pequeno, o que torna a formação da terceira camada de isolamento 85 apenas na superfície lateral interna de cada orifício de contato difícil quando a terceira camada de isolamento 85 é formada para ter uma espessura suficiente na superfície superior da primeira pilha epitaxial 20. Em algumas modalidades exemplificativas, um processo de formação de uma camada sub-isolante adicional pode ser usado para facilitar a formação da terceira camada isolante 85 em uma superfície lateral interna de cada furo de contato, conforme descrito em mais detalhes abaixo.
[0278] As FIGS. 34A a 34D são vistas em corte ampliadas ilustrando uma porção correspondente a P2 da FIG. 27A, que mostra sequencialmente um processo de formação da terceira camada de isolamento 85 em um orifício de contato, de acordo com outra modalidade exemplificativa. Note-se que o processo de formação de uma camada de isolamento em um orifício de contato mostrado nas FIGS. 34A a 34C pode ser aplicado para formar uma camada de isolamento em um orifício de contato para qualquer outra camada epitaxial.
[0279] Referindo à FIG. 34A, uma primeira subcamada de isolamento 85a é formada sobre uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 20 antes de formar um orifício de contato. Referindo à FIG. 34B, uma superfície superior do segundo pad de eletrodo 39c é exposta gravando a primeira subcamada de isolamento 85a e a primeira pilha epitaxial 20. Referindo à FIG. 34C, uma segunda subcamada de isolamento 85b é formada na primeira pilha epitaxial 20 e a primeira subcamada de isolamento 85a em que o orifício de contato é formado. Referindo à FIG. 34D, a superfície superior do segundo pad de eletrodo 39c é exposta novamente gravando a segunda subcamada de isolamento 85b. Como tal, apenas a segunda subcamada de isolamento 85b é formada em uma superfície lateral interna do orifício de contato e a primeira e a segunda subcamadas de isolamento 85a e 85b são formadas na superfície superior da primeira pilha epitaxial 20. Desse modo, uma vez que a espessura de uma camada de isolamento final 85 fornecida na superfície superior da primeira pilha epitaxial 20 é maior que a espessura de uma camada de isolamento fornecida na superfície lateral interna de um orifício de contato, é possível formar uma camada de isolamento que é fina o suficiente para cobrir a superfície lateral interna do orifício de contato, enquanto possui uma espessura suficiente na superfície superior da primeira pilha epitaxial 20.
[0280] Referindo de volta à FIG. 27B, uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 20 e uma superfície lateral interna de um orifício de contato são cobertas pela terceira camada de isolamento 85 como descrito acima.
[0281] Referindo às FIGS. 28 e 29, o eletrodo de ponte comum 59b e o segundo e terceiro eletrodos de ponte 39b e 49b são formados na primeira pilha epitaxial 20, na qual a terceira camada de isolamento 85 é formada. O eletrodo de ponte comum 59b é conectado ao pad de eletrodo comum 59c através do orifício de contato, o segundo eletrodo de ponte 39b é conectado ao segundo pad de eletrodo 39c através do orifício de contato e o terceiro pad de eletrodo de ponte 49b é conectado ao terceiro pad de eletrodo 49c através do orifício de contato.
[0282] Referindo às FIGS. 30 e 31A, a segunda pilha epitaxial 30 é formada em um segundo substrato temporário e a segunda pilha epitaxial 30 pode ser invertida e fixada na primeira pilha epitaxial 20 com a segunda camada adesiva 60b interposta entre elas. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o segundo eletrodo de contato do tipo p 37 e o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 podem ser formados entre a segunda camada adesiva 60b e a segunda pilha epitaxial 30. O segundo substrato temporário pode ser removido após a segunda pilha epitaxial 30 ser anexada à primeira pilha epitaxial 20. O segundo substrato temporário pode ser removido através de vários métodos. Por exemplo, quando o segundo substrato temporário é um substrato de safira, o substrato de safira pode ser removido por um método de elevação a laser, um método de elevação de voltagem, um método de elevação mecânica, um método de polimento físico, etc.
[0283] Em algumas modalidades exemplificativas, após a elevação do segundo substrato temporário, a porção PR côncavo- convexa pode ser formada na superfície superior (ou em uma camada semicondutora do tipo n) da segunda pilha epitaxial 30. A porção PR côncavo-convexa pode ser formada através de texturização usando vários processos de gravação. Alternativamente, a porção PR côncavo-convexa pode ser formada usando um substrato de safira padronizado com a porção côncavo- convexa como substrato temporário. Quando o substrato de safira padronizado é removido da pilha epitaxial correspondente, a porção côncavo-convexa no substrato de safira padronizada é transferida para a pilha epitaxial correspondente. Em algumas modalidades exemplificativas, uma porção côncavo-convexa pode ser formada por vários outros métodos, como gravação a seco usando um processo de micro foto, gravação a úmido usando uma propriedade cristalina, texturização usando um método físico como jateamento de areia, gravação por feixe de íons e texturização usando uma diferença de velocidade de gravação do copolímero em bloco.
[0284] Referindo às FIGS. 30 e 31B, os orifícios de contato são formados pela remoção de porções da segunda pilha epitaxial
30. Os orifícios de contato são formados respectivamente na peça de contato comum 50c e na segunda e terceira peças de contato 30c e 40c e, portanto, porções de uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo p 37 são expostas. O segundo eletrodo de contato do tipo p 37 pode ser formado com uma espessura suficiente e funcionar como uma rolha de ataque.
[0285] Referindo às FIGS. 30 e 31C, orifícios de contato adicionais são formados nos orifícios de contato removendo porções do segundo eletrodo de contato tipo p 37, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 e a segunda camada adesiva 60b que corresponde à peça de contato comum 50c e a segunda e terceira peças de contato 30c e 40c. Porções das superfícies superiores do eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b são expostos pelos orifícios de contato.
[0286] Neste caso, o orifício de contato adicional formado na peça de contato comum 50c pode ter um diâmetro menor que o orifício de contato formado na segunda pilha epitaxial 30. Mais particularmente, assumindo que um orifício de contato formado pela remoção de uma porção da segunda pilha epitaxial 30 é referido como um "orifício de contato superior" e um orifício de contato formado pela remoção de porções do segundo eletrodo de contato do tipo p 37, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 71 e a segunda camada adesiva 60b é referida como um "orifício de contato inferior", um diâmetro do orifício de contato superior é maior que um diâmetro do orifício de contato inferior. Como tal, após a formação dos orifícios de contato, uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo p 37 é exposta devido a um diâmetro maior do orifício de contato superior.
[0287] Referindo às FIGS. 30 e 31D, a quarta camada de isolamento 87 é formada na segunda pilha epitaxial 30 na qual os orifícios de contato são formados. A quarta camada de isolamento 87 é formada para cobrir uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 30 e uma superfície lateral de cada orifício de contato.
[0288] A quarta camada de isolamento 87 é gravada para expor porções das superfícies superiores do eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b. Além disso, um orifício de contato é formado na quarta camada de isolamento 87 para expor uma porção de uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 30 que corresponde à segunda peça de contato 30c.
[0289] Referindo às FIGS. 30 e 31E, o eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b são formados na segunda pilha epitaxial 30 na qual a quarta camada de isolamento 87 é formada. O eletrodo de ponte comum 59b pode entrar em contato diretamente com o segundo eletrodo de contato do tipo p exposto 37. Além disso, o segundo eletrodo de ponte 39b é formado para cobrir um orifício de contato na quarta camada de isolamento 87 que expõe uma porção de uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 30 em uma região correspondente à segunda peça de contato 30c. Desta maneira, o segundo eletrodo de ponte 39b pode entrar em contato diretamente com a superfície superior da segunda pilha epitaxial
30.
[0290] Referindo às FIGS. 32 e 33A, a terceira pilha epitaxial 40 é formada em um terceiro substrato temporário, e a terceira pilha epitaxial 40 pode ser invertida e fixada na segunda pilha epitaxial 30 com a terceira camada adesiva 60c interposta entre elas. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 e o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 podem ser formados entre a terceira pilha epitaxial 40 e a terceira camada adesiva 60c. O terceiro substrato temporário pode ser removido após a terceira pilha epitaxial 40 ser anexada à segunda pilha epitaxial 30. O terceiro substrato temporário pode ser removido através de substancialmente o mesmo processo para remover o segundo substrato temporário descrito acima.
[0291] Em algumas modalidades exemplificativas, após a remoção do terceiro substrato temporário, a porção PR côncavo- convexa pode ser formada na superfície superior (ou em uma camada semicondutora do tipo n) da terceira pilha epitaxial 40.
[0292] Referindo às FIGS. 32 e 33B, os orifícios de contato são formados na terceira pilha epitaxial 40 removendo porções da terceira pilha epitaxial 40. Os orifícios de contato são formados respectivamente na peça de contato comum 50c e na terceira peça de contato 40c e, portanto, são expostas porções de uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato do tipo p 47. O terceiro eletrodo de contato do tipo p 47 pode ser formado com uma espessura suficiente e funcionar como uma rolha de ataque.
[0293] Referindo às FIGS. 32 e 33C, os orifícios de contato são formados no terceiro eletrodo de contato tipo p 47, no segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 e na terceira camada adesiva 60c removendo regiões que correspondem à peça de contato comum 50c e à terceira peça de contato 40c. Como tal, porções das superfícies superiores do eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b são expostos pelos orifícios de contato.
[0294] O orifício de contato formado no terceiro eletrodo de contato do tipo p 47, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 73 e a terceira camada adesiva 60c da peça de contato comum 50c tem um diâmetro menor que um orifício de contato formado na terceira pilha epitaxial 40. Assim, após a formação dos orifícios de contato, uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato tipo p 47 é exposta devido a um diâmetro maior do orifício de contato superior.
[0295] Referindo às FIGS. 32 e 33D, a quinta camada de isolamento 89 é formada na terceira pilha epitaxial 40 na qual os orifícios de contato são formados. A quinta camada de isolamento 89 é formada para cobrir uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 40 e uma superfície lateral de cada orifício de contato.
[0296] A quinta camada de isolamento 89 é gravada para expor porções das superfícies superiores do eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b. Um orifício de contato é formado na quinta camada de isolamento 89 para expor uma porção de uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 40 em uma região correspondente à terceira peça de contato 40c.
[0297] Referindo às FIGS. 32 e 33E, o eletrodo de ponte comum 59b, o segundo eletrodo de ponte 39b e o terceiro eletrodo de ponte 49b são formados na terceira pilha epitaxial 40 na qual a quinta camada de isolamento 89 é formada. O eletrodo de ponte comum 59b pode entrar em contato diretamente com o terceiro eletrodo de contato do tipo p exposto 47. Além disso, o terceiro eletrodo de ponte 49b é formado para cobrir um orifício de contato que expõe uma porção de uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 40 em uma região correspondente à terceira peça de contato 40c e, portanto, o terceiro eletrodo de ponte 49b pode entrar em contato diretamente com o superfície superior da terceira pilha epitaxial 40.
[0298] Em algumas modalidades exemplificativas, a quinta camada de isolamento 89 pode ser fornecida em uma superfície lateral da estrutura empilhada emissora de luz e uma camada opaca à luz adicional pode ser adicionalmente fornecida além da quinta camada de isolamento 89. A camada opaca à luz pode ser uma camada de bloqueio da luz para impedir que as luzes das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 20, 30 e 40 sejam emitidas através dos lados da estrutura empilhada emissora de luz e, portanto, podem incluir um material que absorve ou reflete a luz. A camada opaca à luz pode ser formada depositando duas camadas de isolamento de diferentes índices de refração. Por exemplo, a camada opaca à luz pode ser formada empilhando um material com um baixo índice de refração e um material com um alto índice de refração sequencialmente ou empilhando camadas de isolamento de diferentes índices de refração. Os materiais de diferentes índices de refração não são especificamente limitados e podem incluir, por exemplo, SiO2 e SiNx.
[0299] Como descrito acima, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é possível formar simultaneamente uma peça de fio e um contato em uma pluralidade de pilhas epitaxiais após empilhar sequencialmente a pluralidade de pilhas epitaxiais.
[0300] A FIG. 35 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0301] Referindo à FIG. 35, uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, de uma pluralidade de pilhas epitaxiais, que são empilhadas sequencialmente. As pilhas epitaxiais são dispostas em um substrato 200, que tem substancialmente uma forma de placa tendo uma superfície frontal e uma superfície traseira.
[0302] Uma pluralidade de pilhas epitaxiais pode ser montada na superfície frontal do substrato 200, e o substrato 200 pode ser fornecido de várias formas. O substrato 200 pode ser formado por um material de isolamento. O material do substrato 200 pode incluir vidro, quartzo, polímero orgânico, compósito orgânico/inorgânico, etc. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a um material específico do substrato 200. Por exemplo, o substrato 200 pode incluir vários materiais, desde que possua uma propriedade isolante. Em uma modalidade exemplificativa, uma peça de fio que pode fornecer um sinal emissor de luz e uma voltagem comum a cada pilha epitaxial pode ser ainda disposta no substrato 200. Em particular, quando cada pilha epitaxial é acionada de uma maneira de matriz ativa, um elemento acionador incluindo um transistor de filme fino pode ser ainda disposto no substrato 200 além da peça de fio. Como tal, o substrato 200 pode ser formado como um substrato de circuito impresso ou pode ser implementado com um substrato complexo, no qual a peça de fio e/ou o elemento acionador são formados no vidro, silício, quartzo, polímero orgânico ou compósito orgânico/inorgânico.
[0303] A pluralidade de pilhas epitaxiais pode ser empilhada sequencialmente na superfície frontal do substrato 200. Cada um da pluralidade de pilhas epitaxiais emite uma luz colorida.
[0304] Em uma modalidade exemplificativa, duas ou mais pilhas epitaxiais podem ser dispostas uma sobre a outra, e as pilhas epitaxiais podem emitir luzes coloridas com diferentes faixas de comprimento de onda, respectivamente. Mais particularmente, uma pluralidade de pilhas epitaxiais pode ter diferentes faixas de energia. A seguir, uma estrutura empilhada emissora de luz será descrita como incluindo três camadas de pilha epitaxial empilhadas sequencialmente dispostas no substrato 200, no entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a um número específico de camadas epitaxiais empilhadas.
[0305] Cada pilha epitaxial pode emitir uma luz colorida em uma faixa de comprimento de onda visível entre várias faixas de comprimento de onda. A luz emitida pela pilha epitaxial mais baixa pode ter o comprimento de onda mais longo, que tem a menor faixa de energia, e a luz emitida pelas pilhas epitaxiais dispostas ali pode emitir luz com um comprimento de onda mais curto. A luz emitida pela pilha epitaxial mais alta pode ter o menor comprimento de onda, que é a faixa de energia mais alta. Por exemplo, a primeira pilha epitaxial 220 pode emitir uma primeira luz colorida L1, uma segunda pilha epitaxial 230 pode emitir uma segunda luz colorida L2 e uma terceira pilha epitaxial 240 pode emitir uma terceira luz colorida L3. As primeiras a terceira luzes coloridas L1 a L3 podem corresponder à luz com cores diferentes umas das outras, por exemplo, faixas de comprimento de onda diferentes, e os comprimentos de onda das primeiras a terceira luzes coloridas L1 a L3 podem se tornar sequencialmente curtos. Em particular, as primeiras a terceira luzes coloridas L1 a L3 podem ter diferentes faixas de comprimento de onda e a energia da luz pode aumentar da primeira luz colorida L1 para a terceira luz colorida L3.
[0306] Na modalidade exemplificativa ilustrada, a primeira luz colorida L1 pode ser uma luz vermelha, a segunda luz colorida L2 pode ser uma luz verde e a terceira luz colorida L3 pode ser uma luz azul. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Quando a estrutura empilhada emissora de luz 200 inclui um micro LED, que possui uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados, como conhecido na técnica, ou menos de cerca de 4.000 µm quadrados ou 2.500 µm quadrados em outras modalidades exemplificativas, a primeira pilha de LED 220 pode emitir qualquer luz vermelha, verde e azul, e a segunda e terceira pilhas de LED 230 e 240 podem emitir uma luz diferente de vermelho, verde e azul, sem afetar adversamente a operação, devido ao pequeno fator de forma de um micro LED.
[0307] Cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 emite luz em uma direção ascendente (a seguir denominada "direção frontal") a partir do substrato 200. Nesse caso, a luz emitida por uma pilha epitaxial viaja na direção frontal por quaisquer outras pilhas epitaxiais localizadas em um caminho da luz. A direção frontal pode corresponder a uma direção na qual as primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são empilhadas.
[0308] Daqui em diante, a direção frontal do substrato 200 também pode ser referida como uma "direção superior" e a direção traseira do substrato 200 também pode ser referida como uma "direção inferior". No entanto, os termos "direção superior" e "direção inferior" são termos relativos e podem variar com a direção na qual as pilhas epitaxiais da estrutura empilhada emissora de luz são dispostas ou empilhadas.
[0309] Cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 emite luz na direção superior, e cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 transmite a maior parte da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial inferior. Em particular, a luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial 220 passa através da segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240 para viajar na direção frontal, e a luz emitida da segunda pilha epitaxial 230 passa pela terceira pilha epitaxial 240 para viajar na a direção frontal. Como tal, pelo menos algumas ou todas as pilhas epitaxiais restantes, exceto a pilha epitaxial mais baixa, podem ser formadas por um material transmissor de luz. Por exemplo, o material de transmissão de luz inclui uma luz de transmissão de material de um comprimento de onda específico ou uma porção de luz do comprimento de onda específico, bem como um material que transmite toda a luz. Em uma modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 pode transmitir 60% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta. Em outra modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 pode transmitir 80% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta. Em outra modalidade exemplificativa, cada uma das pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 pode transmitir 90% ou mais da luz emitida a partir de uma pilha epitaxial disposta sob esta.
[0310] As pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 da estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, podem ser acionadas independentemente conectando linhas de sinal aplicando sinais emissores de luz às pilhas epitaxiais, respectivamente. Além disso, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode implementar várias cores, dependendo de a luz ser emitida pelas pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Como as pilhas epitaxiais que emitem luz de diferentes comprimentos de onda são formadas verticalmente para se sobreporem, é possível formar a estrutura empilhada emissora de luz.
[0311] As FIGS. 36A e 36B são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz de acordo com modalidades exemplificativas.
[0312] Referindo à FIG. 36A, na estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira pilha epitaxial 220 pode ser disposta no substrato 200 com uma primeira camada adesiva 60a interposta entre elas. A primeira camada adesiva 260a pode ser formada de um material condutor ou não condutor. Quando a primeira camada adesiva 260a precisa ser eletricamente conectada ao substrato 200, uma região parcial da primeira camada adesiva 260a pode ter uma condutividade. A primeira camada adesiva 260a pode ser formada de um material transparente ou opaco. Em uma modalidade exemplificativa, quando o substrato 200 é formado por um material opaco e uma peça de fio e semelhantes são formados no substrato 200, a primeira camada adesiva 260a pode ser formada por um material opaco, por exemplo, que absorve luz. Vários adesivos de polímero, por exemplo, um adesivo de polímero à base de epóxi podem ser usados como um material de absorção de luz para a primeira camada adesiva 260a.
[0313] A segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 podem ser dispostas na primeira pilha epitaxial 220 com uma segunda camada adesiva 260b interposta entre elas. A segunda camada adesiva 260b é formada por um material não condutor e pode incluir um material transmissor de luz. Por exemplo, um adesivo opticamente transparente pode ser usado como a segunda camada adesiva 260b. O material que forma a segunda camada adesiva 260b não é particularmente limitado, desde que uma camada adesiva possa ser opticamente clara e possa ser aderida de maneira estável a cada pilha epitaxial. Por exemplo, a segunda camada adesiva 260b pode incluir polímero epóxi, vários fotorresistentes, parileno, PMMA (poli (metacrilato de metila)), BCB (benzociclociclobuteno), etc., como SU-8, como material orgânico, e pode incluir óxido de silício, óxido de alumínio, vidro fundido, etc., como material inorgânico. Em algumas modalidades exemplificativas, o óxido condutor pode ser usado como uma camada adesiva. Nesse caso, o óxido condutor deve ser isolado de qualquer outro elemento. Quando um material orgânico é usado como uma camada adesiva e quando o vidro fundido dos materiais inorgânicos é usado, o material pode ser revestido em uma superfície adesiva e pode ser colado nela a uma alta temperatura e uma alta pressão no estado de vácuo. Quando um material inorgânico (exceto vidro fundido) é usado como camada adesiva, o material inorgânico pode ser ligado a uma camada adesiva através dos seguintes processos: depósito do material inorgânico na camada adesiva, planarização químico-mecânica (CMP), processamento de plasma em uma superfície de uma estrutura resultante e ligação em alto vácuo.
[0314] A primeira pilha epitaxial 220 inclui uma camada semicondutora do tipo p 225, uma camada ativa 223 e uma camada semicondutora do tipo n 221. A segunda pilha epitaxial 230 inclui uma camada semicondutora do tipo p 235, uma camada ativa 233 e uma camada semicondutora do tipo n 231 e a terceira pilha epitaxial 240 inclui uma camada semicondutora do tipo p 245, uma camada ativa 243 e um camada semicondutora do tipo n 241.
[0315] A primeira pilha epitaxial 220 pode incluir a camada semicondutora do tipo p 225, a camada ativa 223 e a camada semicondutora do tipo n 221 empilhada sequencialmente no substrato 200 e pode incluir um material semicondutor que emite uma luz vermelha, por exemplo.
[0316] O material semicondutor que emite uma luz vermelha pode incluir arseneto de alumínio e gálio (AlGaAs), fosfeto de arseneto e gálio (GaAsP), fosfeto de alumínio e índio e gálio (AlGaInP), fosfeto de gálio (GaP), etc. No entanto, o material semicondutor que emite uma luz vermelha não é limitado, e vários outros materiais podem ser usados.
[0317] Um primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode ser fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 225 da primeira pilha epitaxial 220. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p da primeira pilha epitaxial 220 pode ser formado de um metal de camada única ou multicamadas. Por exemplo, vários materiais, incluindo metais, como Al, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Ti, Sn, Ni, Cr, W e Cu, ou uma liga dos mesmos, podem ser usados como o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode incluir um metal com alta refletividade. Como o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p é formado por um metal de alta refletividade, a eficiência de emissão de luz da primeira pilha epitaxial 220 na direção superior pode ser melhorada.
[0318] A segunda pilha epitaxial 230 inclui a camada semicondutora do tipo n 231, a camada ativa 233 e a camada semicondutora do tipo p 235 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A camada semicondutora do tipo n 231, a camada ativa 233 e a camada semicondutora do tipo p 235 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz verde, por exemplo. O material semicondutor que emite uma luz verde pode incluir nitreto de índio e gálio (InGaN), nitreto de gálio (GaN), fosfeto de gálio (GaP), AlGaInP, AlGaP, etc. No entanto, o material semicondutor que emite uma luz verde não se limita a estes e vários outros materiais podem ser utilizados.
[0319] Um segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é fornecido sob a camada semicondutora do tipo n 231 da segunda pilha epitaxial 230. O segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é interposto entre a primeira pilha epitaxial 220 e a segunda pilha epitaxial 230, em detalhes, entre a segunda camada adesiva 260b e a segunda pilha epitaxial 230.
[0320] O segundo eletrodo de contato do tipo n 231n pode ser formado de óxido condutor transparente (TCO). O óxido condutor transparente pode incluir óxido de estanho (SnO), óxido de índio (InO2), óxido de zinco (ZnO), óxido de índio e estanho (ITO), óxido de índio, estanho e zinco (ITZO), etc. Um composto condutor transparente pode ser depositado através de substâncias químicas deposição de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD) usando um evaporador e uma pulverização. Os segundos eletrodos de contato do tipo n 231n podem ter uma espessura suficiente para funcionar como uma rolha de ataque químico em um processo de fabricação a ser descrito posteriormente, enquanto satisfazem uma transmitância de luz predeterminada, por exemplo, uma espessura de aproximadamente 2.000 angstroms ou aproximadamente 2 micrômetros.
[0321] Um segundo eletrodo de contato do tipo p 235p é fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 235 da segunda pilha epitaxial 230. O segundo eletrodo de contato tipo p 235p é interposto entre a segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240.
[0322] A terceira pilha epitaxial 240 inclui a camada semicondutora do tipo p 245, a camada ativa 243 e a camada semicondutora do tipo n 241 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A camada semicondutora do tipo p 245, a camada ativa 243 e a camada semicondutora do tipo n 241 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz azul, por exemplo. O material semicondutor que emite uma luz azul pode incluir GaN, InGaN, ZnSe, etc. No entanto, o material semicondutor que emite uma luz azul não se limita a estes e vários outros materiais podem ser utilizados.
[0323] Um terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p é fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 245 da terceira pilha epitaxial 240. O terceiro eletrodo de contato tipo p 245p é interposto entre a segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240.
[0324] O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p entre a camada semicondutora do tipo p 235 da segunda pilha epitaxial 230 e a camada semicondutora do tipo p 245 da terceira pilha epitaxial 240 podem formar um eletrodo compartilhado, que pode ser compartilhado pela segunda pilha epitaxial 230 e pela terceira pilha epitaxial 240.
[0325] O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p podem pelo menos parcialmente entrar em contato um com o outro e podem ser fisicamente e/ou eletricamente conectados. Dessa maneira, mesmo que um sinal seja aplicado a pelo menos um do segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, o mesmo sinal pode ser aplicado à camada semicondutora do tipo p 235 da segunda pilha epitaxial 230 e a camada semicondutora do tipo p 245 da terceira pilha epitaxial
240. Por exemplo, quando uma voltagem comum é aplicada a um lado de qualquer um dos segundos eletrodos de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, a voltagem comum é aplicada à camada semicondutora do tipo p de cada uma das segunda e terceira pilhas epitaxiais do tipo p 230 e 240 através do segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p.
[0326] Na modalidade exemplificativa ilustrada, cada uma das camadas semicondutoras do tipo n 221, 231 e 241 e as camadas semicondutoras do tipo p 225, 235 e 245 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são ilustradas como uma única camada, mas em algumas modalidades exemplificativas, cada camada pode ser uma multicamadas ou pode incluir uma camada superestrutura. Além disso, as camadas ativas 223, 233 e 243 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 podem incluir uma única estrutura quântica de poços ou uma estrutura de múltiplos poços quânticos.
[0327] Na modalidade exemplificativa ilustrada, o segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 235p e 245p, que constituem um eletrodo compartilhado, cobrem substancialmente a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 230 e 240. O segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p 235p e 245p podem ser formados de um material condutor transparente, que pode transmitir luz emitida a partir de uma pilha epitaxial inferior. Por exemplo, cada um dos segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 235p e 245p pode ser formado de óxido condutor transparente (TCO). O óxido condutor transparente pode incluir óxido de estanho (SnO), óxido de índio (InO2), óxido de zinco (ZnO), óxido de índio e estanho (ITO), óxido de índio, estanho e zinco (ITZO), etc. Um composto condutor transparente pode ser depositado através de substâncias químicas deposição de vapor (CVD) e deposição física de vapor (PVD) usando um evaporador e uma pulverização. O segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p 235p e 245p podem ter uma espessura suficiente para funcionar como uma rolha de ataque químico em um processo de fabricação a ser descrito posteriormente, enquanto satisfaz uma transmitância de luz predeterminada, por exemplo, uma espessura de aproximadamente 2000 angstroms ou aproximadamente 2 micrômetros.
[0328] Uma linha comum pode ser conectada aos primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo p 225p, 235p e 245p. A linha comum pode aplicar a voltagem comum. Além disso, as linhas de sinal emissor de luz podem ser respectivamente conectadas às camadas semicondutoras do tipo n 221, 231 e 241 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Em uma modalidade exemplificativa, uma voltagem comum SC é aplicada ao primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p, ao segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e ao terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p através da linha comum e à emissão de luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são controladas aplicando sinais emissores de luz à camada semicondutora de tipo n 221 da primeira pilha epitaxial 220, o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n da segunda pilha epitaxial 230 e a camada semicondutora de tipo n 241 da terceira pilha epitaxial 240 através das linhas de sinal emissor de luz, respectivamente. Os sinais emissores de luz podem incluir primeiro, segundo e terceiro sinais emissores de luz SR, SG e SB, respectivamente, correspondentes à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro sinal emissor de luz SR pode ser um sinal para emitir uma luz vermelha, o segundo sinal emissor de luz SG pode ser um sinal para emitir uma luz verde e o terceiro sinal emissor de luz SB pode ser um sinal para emitir uma luz azul.
[0329] Como descrito acima, de acordo com uma modalidade exemplificativa, o mesmo sinal pode ser fornecido simultaneamente às duas pilhas epitaxiais adjacentes através do eletrodo compartilhado. Nesse caso, as camadas semicondutoras das duas pilhas epitaxiais adjacentes voltadas uma para a outra podem ser dopadas com impurezas do mesmo tipo de polaridade. Por exemplo, as duas camadas semicondutoras voltadas uma para a outra com um eletrodo compartilhado interposto entre elas podem ser uma camada semicondutora do tipo p.
[0330] A FIG. 36A mostra três pilhas epitaxiais e o eletrodo compartilhado fornecido entre a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 230 e 240, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Por exemplo, uma localização do eletrodo compartilhado pode ser alterada de várias formas, desde que duas pilhas epitaxiais sejam adjacentes uma à outra. Por exemplo, ao aplicar o mesmo sinal a duas camadas semicondutoras em uma estrutura empilhada emissora de luz, incluindo quatro pilhas epitaxiais, o eletrodo compartilhado pode ser fornecido em qualquer outro local entre duas camadas semicondutoras que se faceiam e são dopadas com impurezas do mesmo tipo de polaridade.
[0331] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que o mesmo sinal pode ser aplicado a duas pilhas epitaxiais adjacentes através do eletrodo compartilhado, o número de peças de contato para aplicar sinais às respectivas pilhas epitaxiais pode ser reduzido. Por exemplo, uma peça de contato pode ser formada para cada uma das três pilhas epitaxiais para aplicar uma voltagem comum às três pilhas epitaxiais. No entanto, de acordo com uma modalidade exemplificativa, a voltagem comum pode ser aplicada a três pilhas epitaxiais apenas através de duas peças de contato. Uma estrutura de contato detalhada será descrita em mais detalhes abaixo.
[0332] A FIG. 36B é uma vista em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa. A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, é substancialmente semelhante à da FIG. 36A, exceto que a voltagem comum é aplicada às camadas semicondutoras do tipo n 221, 231 e 241 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240, e os sinais emissores de luz são aplicados às camadas semicondutoras tipo p 225, 235 e 245 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240.
[0333] Referindo à FIG. 36B, a primeira pilha epitaxial 220 pode incluir a camada semicondutora do tipo n 221, a camada ativa 223 e a camada semicondutora do tipo p 225 empilhadas sequencialmente no substrato 200 e pode incluir um material semicondutor que emite uma luz vermelha.
[0334] Um primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n pode ser fornecido sob a camada semicondutora do tipo n 221 da primeira pilha epitaxial 220. O primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n da primeira pilha epitaxial 220 pode ser um metal de camada única ou multicamada. Em uma modalidade exemplificativa, o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n pode ser formado de uma liga de Au, como AuGe ou AuTe.
[0335] A segunda pilha epitaxial 230 inclui a camada semicondutora do tipo p 235, a camada ativa 2233 e a camada semicondutora do tipo n 231 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A camada semicondutora do tipo p 235, a camada ativa 233 e a camada semicondutora do tipo n 231 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz verde.
[0336] Um segundo eletrodo de contato do tipo p 235p é fornecido sob a camada semicondutora do tipo p 235 da segunda pilha epitaxial 230. O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p é interposto entre a primeira pilha epitaxial 220 e a segunda pilha epitaxial 230, em detalhes, entre a segunda camada adesiva 260b e a segunda pilha epitaxial 230.
[0337] Um segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é fornecido na camada semicondutora do tipo n 231 da segunda pilha epitaxial 230. O segundo eletrodo de contato tipo p 231n é interposto entre a segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240.
[0338] A terceira pilha epitaxial 240 inclui a camada semicondutora do tipo n 241, a camada ativa 243 e a camada semicondutora do tipo p 245 empilhadas sequencialmente uma sobre a outra. A camada semicondutora do tipo n 241, a camada ativa 243 e a camada semicondutora do tipo p 245 podem incluir um material semicondutor que emite uma luz azul.
[0339] Um terceiro eletrodo de contato do tipo n 241n é fornecido sob a camada semicondutora do tipo n 241 da terceira pilha epitaxial 240. O terceiro eletrodo de contato tipo n 241n é interposto entre a segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240.
[0340] O segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e o terceiro eletrodo de contato do tipo n 241n entre a camada semicondutora do tipo n 231 da segunda pilha epitaxial 230 e a camada semicondutora do tipo n 241 da terceira pilha epitaxial 240 podem constituir um eletrodo compartilhado, que pode ser compartilhado pela segunda pilha epitaxial 230 e pela terceira pilha epitaxial 240.
[0341] O segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e o terceiro eletrodo de contato do tipo n 241n podem pelo menos entrar em contato um com o outro e podem ser fisicamente e/ou eletricamente conectados um ao outro. Dessa maneira, mesmo que um sinal seja aplicado a pelo menos um do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e o terceiro eletrodo de contato do tipo n 241n, o mesmo sinal pode ser aplicado à camada semicondutora do tipo n 231 da segunda pilha epitaxial 230 e a camada semicondutora do tipo n 241 da terceira pilha epitaxial 240.
[0342] Na modalidade exemplificativa ilustrada, uma linha comum pode ser conectada aos primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo n 221n, 231n e 241n. As linhas de sinal emissor de luz podem ser respectivamente conectadas às camadas semicondutoras do tipo p 225, 235 e 245 da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. A voltagem comum SC é aplicada ao primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n, ao segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e ao terceiro eletrodo de contato do tipo n 241n através da linha comum e à emissão de luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são controladas aplicando sinais emissores de luz à camada semicondutora do tipo p 225 da primeira pilha epitaxial 220, ao segundo eletrodo de contato do tipo p 235p da segunda pilha epitaxial 230 e à camada semicondutora de tipo p 245 da terceira pilha epitaxial 240 através das linhas de sinal emissor de luz, respectivamente.
[0343] De acordo com as modalidades exemplificativas, a primeira, a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são acionadas em resposta aos sinais emissores de luz relevantes, respectivamente. Mais particularmente, a primeira pilha epitaxial 220 é acionada pelo primeiro sinal emissor de luz SR, a segunda pilha epitaxial 230 é acionada pelo segundo sinal emissor de luz SG e a terceira pilha epitaxial 240 é acionada pelo terceiro sinal emissor de luz SB. Os primeiro,
segundo e terceiro sinais emissores de luz SR, SG e SB podem ser aplicados independentemente às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 e, portanto, a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 podem ser acionados independentemente uma da outra. Como tal, a estrutura empilhada emissora de luz pode gerar luz de uma cor, que pode ser determinada de várias formas por uma combinação das primeira, segunda e terceira luzes coloridas emitidas pela primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 na direção superior.
[0344] Ao exibir uma cor, luzes coloridas diferentes não são emitidas de planos diferentes, mas luzes coloridas diferentes são emitidas de uma região sobreposta e, portanto, a estrutura empilhada de emissão de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é capaz de integrar um elemento emissor de luz com tamanho reduzido. Em geral, os elementos emissores de luz convencionais que emitem luzes coloridas diferentes, por exemplo, luzes vermelhas, verdes e azuis, são afastados um do outro no mesmo plano para implementar uma cor completa. Nesse caso, como cada elemento emissor de luz é disposto no mesmo plano, o elemento ocupa uma área relativamente grande. No entanto, os elementos emissores de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, incluem uma estrutura empilhada, na qual os elementos se sobrepõem em uma área para emitir luzes coloridas diferentes e, portanto, uma cor completa pode ser implementada em uma área significativamente menor. Como tal, um dispositivo de alta resolução pode ser fabricado em uma pequena área.
[0345] Além disso, mesmo que um dispositivo emissor de luz convencional tenha sido fabricado em uma pilha, o dispositivo emissor de luz convencional pode ser fabricado formando uma peça de contato individual para uma conexão com o elemento emissor de luz individual através de uma linha para cada elemento emissor de luz, que aumentaria as complexidades de fabricação devido a uma estrutura complicada. No entanto, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formada através da formação de uma estrutura de pilha epitaxial múltipla em um substrato, formando uma peça de contato na estrutura de pilha epitaxial múltipla através de um processo mínimo e conectando a peça de contato e a peça estrutura de múltipla pilha epitaxial. Em particular, como o número de pontos de contato é reduzido com o uso de um eletrodo compartilhado, uma estrutura e seu método de fabricação podem ser ainda mais simplificados. Além disso, em comparação com um método convencional de fabricação de dispositivos de exibição no qual um elemento emissor de luz de uma cor individual é fabricado e é montado individualmente, de acordo com os conceitos da invenção, apenas uma estrutura empilhada emissora de luz é montada, em vez de uma pluralidade de elementos emissores de luz, simplificando significativamente um método de fabricação.
[0346] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir vários elementos para fornecer uma luz colorida de alta pureza e alta eficiência. Por exemplo, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode incluir um filtro de passagem de comprimento de onda para bloquear a luz de um comprimento de onda relativamente curto de viajar em direção a uma pilha epitaxial que emite luz com um comprimento de onda mais longo.
[0347] A seguir, as descrições de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas,
serão focadas em uma diferença das FIGS. 36A e 36B. Como tal, serão omitidas descrições detalhadas em relação a substancialmente os mesmos elementos para evitar redundância.
[0348] A FIG. 37 é uma vista esquemática em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0349] Referindo à FIG. 37, uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode incluir um primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 entre a primeira pilha epitaxial 220 e a segunda pilha epitaxial 230.
[0350] O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 pode transmitir uma primeira luz colorida emitida a partir da primeira pilha epitaxial 220 e pode bloquear ou refletir quaisquer outras luzes, exceto a primeira luz colorida. Como tal, a primeira luz colorida emitida a partir da primeira pilha epitaxial 220 pode viajar na direção superior, mas a segunda e a terceira luzes coloridas emitidas a partir da segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 podem não se deslocar em direção à primeira pilha epitaxial 220 e podem ser refletidas ou bloqueadas pelo primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271.
[0351] Quando a segunda e terceira luzes coloridas, que têm uma energia mais alta e um comprimento de onda menor que a primeira luz colorida, são incidentes na primeira pilha epitaxial 220, a segunda e a terceira luzes coloridas podem induzir emissão de luz adicional na primeira pilha epitaxial 220. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a segunda e a terceira luzes coloridas são impedidas de serem incidentes na primeira pilha epitaxial 220 pelo primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271.
[0352] Em uma modalidade exemplificativa, um segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser disposto entre a segunda pilha epitaxial 230 e a terceira pilha epitaxial 240. Em particular, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser fornecido entre o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, juntos, que constituem um eletrodo compartilhado. O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser formado para ser menor que o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, de modo que o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p estão conectados um ao outro em uma região onde o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 não é formado. Por exemplo, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode incluir pelo menos um orifício de contato, e o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p podem ser conectados um ao outro através do orifício de contato.
[0353] O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode transmitir a segunda e a segunda luzes coloridas emitidas pelas primeira e segunda pilhas epitaxiais 220 e 230 e pode refletir ou bloquear qualquer outra luz, exceto a primeira e a segunda luzes coloridas. Como tal, a primeira e a segunda luzes coloridas emitidas pela primeira e segunda pilhas epitaxiais 220 e 230 podem viajar na direção superior, mas a terceira luz colorida emitida pela terceira pilha epitaxial 240 pode não viajar em direção à primeira e segunda pilhas epitaxiais 220 e 230, e pode ser refletida ou bloqueada pelo segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273.
[0354] Quando a terceira luz colorida, que tem uma energia mais alta e um comprimento de onda menor que o primeiro e o segundo, é incidente na primeira e na segunda pilhas epitaxiais 220 e 230, a terceira luz colorida pode induzir emissão de luz adicional na primeira e na segunda pilhas epitaxiais 220 e 230. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a terceira luz colorida é impedida de ser incidente nas primeira e segunda pilhas epitaxiais 220 e 230 pelo segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273.
[0355] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir vários elementos para fornecer uma luz uniforme. Por exemplo, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ter várias porções côncavo- convexas em uma superfície de saída de luz.
[0356] As FIGS. 38 e 39 são vistas em seção transversal de uma estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas.
[0357] Referindo às FIGS. 38 e 39, a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, pode incluir uma porção côncavo-convexa formada na superfície superior de pelo menos uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240.
[0358] A porção PR côncavo-convexa pode ser formada seletivamente na primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Por exemplo, como ilustrado na FIG. 38, as porções PR côncavo-convexas podem ser fornecidas respectivamente na primeira e na terceira pilhas epitaxiais 220 e 240. De acordo com outra modalidade exemplificativa, as porções PR côncavo- convexas podem ser fornecidas na primeira e terceira pilhas epitaxiais 220 e 240, como mostrado na FIG. 39. A porção PR côncavo-convexa pode ser fornecida em uma camada semicondutora correspondente a uma superfície de saída de luz da pilha epitaxial.
[0359] De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando a porção PR côncavo-convexa é formada na primeira pilha epitaxial 220, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 pode ser fornecido diretamente em uma superfície superior do mesmo. Em algumas modalidades exemplificativas, uma camada de isolamento adicional pode ser fornecida entre a primeira pilha epitaxial 220 e o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271. Uma camada de isolamento fornecida entre a primeira pilha epitaxial 220 e um segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser uma camada de isolamento que planariza uma superfície da mesma, de modo que o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 possa funcionar eficientemente na primeira pilha epitaxial 220.
[0360] A porção PR côncavo-convexa pode melhorar a eficiência da emissão de luz e pode ser formada de várias formas, como uma pirâmide de vários lados, um hemisfério e superfícies rugosas dispostas aleatoriamente. A porção PR côncavo-convexa pode ser formada usando um substrato de safira texturizado ou padronizado através de vários processos de gravação.
[0361] Em uma modalidade exemplificativa, a primeira, segunda e terceira luzes coloridas emitidas das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 podem ter intensidades de luz diferentes, o que pode causar uma diferença na visibilidade. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a eficiência da emissão de luz pode ser melhorada através da formação seletiva da porção PR côncavo-convexa nas superfícies de saída de luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240, reduzindo assim a diferença na visibilidade da primeira à terceira luzes coloridas. Por exemplo, uma cor vermelha e/ou azul pode ter menor visibilidade do que uma cor verde. Como tal, a diferença na visibilidade pode ser reduzida pela texturização da primeira pilha epitaxial 220 e/ou da terceira pilha epitaxial 240. Por exemplo, quando uma pilha epitaxial que emite uma luz vermelha é colocada na parte inferior da estrutura empilhada que emite luz, a intensidade da luz vermelha pode ser pequena. Como tal, a eficiência da luz pode ser melhorada através da formação da porção PR côncavo- convexa em uma superfície superior da pilha epitaxial que emite luz vermelha.
[0362] A estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode expressar várias cores e, portanto, pode ser adotada como um pixel, que será descrito em mais detalhes abaixo.
[0363] A FIG. 40 é uma vista plana de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 41 é uma vista ampliada de uma porção P1 da FIG. 41.
[0364] Referindo às FIGS. 40 e 41, um dispositivo de exibição 200, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode apresentar qualquer informação visual, por exemplo, um texto, um vídeo, uma foto, uma imagem bidimensional ou tridimensional, etc.
[0365] O dispositivo de exibição 200 pode ser fornecido em várias formas, como um polígono incluindo segmentos de linha reta com circuito fechado para formar uma cadeia ou circuito poligonal fechado, uma circular, uma elíptica, etc. incluindo um lado curvado; e um semicircular, um semielíptico, etc. incluindo um lado reto ou curvo. Doravante, o dispositivo de exibição 200 será descrito como tendo uma forma substancialmente retangular, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes.
[0366] O dispositivo de exibição 200 inclui uma pluralidade de pixels 2110 exibindo uma imagem. Cada um dos pixels 2110 pode corresponder a uma unidade mínima exibindo uma imagem. Cada pixel 2110 pode incluir a estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com modalidades exemplificativas, ilustradas com referência às FIGS. 35 a 39, e pode emitir uma luz branca e/ou uma luz colorida.
[0367] Em uma modalidade exemplificativa, cada pixel 2110 inclui um primeiro subpixel 2110R emitindo uma luz vermelha, um segundo subpixel 2110G emitindo uma luz verde e um terceiro subpixel 2110B emitindo uma luz azul. O primeiro, segundo e terceiro subpixels 2110R, 2110G e 2110B podem corresponder às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 da estrutura empilhada emissora de luz acima descrita, respectivamente.
[0368] Os pixels 2110 estão dispostos na matriz de linhas e colunas. Como usado aqui, os pixels 2110 sendo dispostos na matriz de linhas e colunas podem se referir aos pixels 2110 sendo dispostos exatamente em linha ao longo de uma linha ou coluna, ou substancialmente dispostos ao longo de uma linha ou coluna em forma de zigue-zague, pelo qual os locais dos pixels 2110 podem ser alterados etc.
[0369] A FIG. 42 é um diagrama de bloco de um dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0370] Referindo à FIG. 42, o dispositivo de exibição 200 de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui um controlador de temporização 2350, uma unidade driver de varredura 2310, uma unidade driver de dados 2330, uma peça de fiação e pixels.
Quando cada pixel inclui uma pluralidade de subpixels, cada subpixel pode ser conectado à unidade de driver de varredura 2310, à unidade de driver de dados 2330, etc., através da peça de fio.
[0371] O controlador de temporização 2350 recebe vários sinais de controle e dados de imagem do lado de fora (por exemplo, um sistema externo que transmite dados de imagem) para acionar o dispositivo de exibição 200. O controlador de temporização 2350 pode reorganizar os dados de imagem recebidos e fornece os dados rearranjados para a unidade de driver de dados 2330. O controlador de temporização 2350 pode gerar sinais de controle de varredura e sinais de controle de dados para acionar a unidade de driver de varredura 2310 e a unidade driver de dados 2330 e fornece os sinais de controle de varredura gerados e os sinais de controle de dados gerados para a unidade de driver de varredura 2310 e a unidade de driver de dados 2330.
[0372] A unidade do driver de varredura 2310 pode gerar um sinal de varredura correspondente ao sinal de controle de varredura fornecido a partir do controlador de temporização 2350.
[0373] A unidade de driver de dados 2330 pode gerar um sinal de dados correspondente ao sinal de controle de dados e aos dados de imagem fornecidos a partir do controlador de temporização 2350.
[0374] A peça de fio inclui uma pluralidade de linhas de sinal. Em particular, a peça de fio inclui as linhas de varredura 2130 que conectam a unidade de driver de varredura 2310 e os subpixels, e as linhas de dados 2120 conectando a unidade de driver de dados 2330 e os subpixels. As linhas de varredura 2130 podem ser conectadas aos subpixels de cada pixel
2110. As linhas de varredura incluem primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B e a seguir, podem ser coletivamente indicadas com o número de referência "130".
[0375] A peça de fio pode conectar o controlador de temporização 2350 e a unidade controladora de varredura 2310, o controlador de temporização 2350 e a unidade controladora de dados 2330, ou quaisquer outros componentes, e pode ainda incluir uma pluralidade de linhas para transferir sinais relevantes.
[0376] As linhas de varredura 2130 fornecem sinais de varredura gerados pela unidade de driver de varredura 2310 para os subpixels. Os sinais de dados gerados pela unidade de driver de dados 2330 são emitidos para as linhas de dados 2120.
[0377] Os subpixels estão conectados às linhas de varredura 2130 e as linhas de dados 2120. Os subpixels emitem seletivamente luz em resposta aos sinais de dados recebidos a partir das linhas de dados 2120 quando sinais de varredura são fornecidos a partir das linhas de varredura 2130. Por exemplo, durante cada período de quadro, cada subpixel emite luz com luminância correspondente ao sinal de dados recebido. Um subpixel fornecido com um sinal de dados correspondente à luminância do preto pode não emitir luz durante um período de quadro relevante, exibindo uma cor preta.
[0378] Em uma modalidade exemplificativa, os subpixels podem ser acionados de maneira passiva ou ativa. Quando o dispositivo de exibição 200 é acionado da maneira de acionamento ativo, o dispositivo de exibição 200 pode ser acionado com base nas voltagens de primeiro e segundo pixels adicionalmente fornecidas a este, além de um sinal de varredura e um sinal de dados.
[0379] A FIG. 43 é um diagrama de circuito ilustrando um subpixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa. Em particular, o diagrama de circuito, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, pode corresponder a um subpixel, como um subpixel vermelho 2110R incluído em um dispositivo de exibição do tipo passivo. O segundo e o terceiro subpixels 2110G e 2110B podem ser acionados substancialmente da mesma maneira que o primeiro subpixel 2110R e, portanto, descrições repetidas do segundo e terceiro subpixels 2110G e 2110B serão omitidas para evitar redundância.
[0380] Referindo à FIG. 43, o primeiro subpixel 2110R inclui um elemento emissor de luz 2150 conectado entre a linha de varredura 2130 e a linha de dados 2120. O elemento emissor de luz 2150 pode corresponder à primeira pilha epitaxial 220. Quando uma voltagem de uma voltagem limiar ou superior é aplicada entre uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n, a primeira pilha epitaxial 220 emite luz com luminância correspondente a uma magnitude da voltagem aplicada. Em particular, a emissão de luz do primeiro subpixel 2110R pode ser controlada ajustando uma voltagem de um sinal de varredura aplicado à linha de varredura 2130 e/ou uma voltagem de um sinal de dados aplicado à linha de dados 2120.
[0381] A FIG. 44 é um diagrama de circuito ilustrando um primeiro subpixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa. O diagrama de circuito, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, pode corresponder a um subpixel incluído em um dispositivo de exibição do tipo ativo.
[0382] Quando o dispositivo de exibição 200 é um dispositivo de exibição do tipo ativo, o primeiro subpixel 2110R pode ainda ser fornecido com as voltagens de primeiro e segundo pixels ELVDD e ELVSS, bem como um sinal de varredura e um sinal de dados.
[0383] Referindo à FIG. 44, o primeiro subpixel 2110R inclui o elemento emissor de luz 2150 e uma unidade de transistor conectada ao elemento emissor de luz 2150.
[0384] O elemento emissor de luz 2150 pode corresponder à primeira pilha epitaxial 220. Uma camada semicondutora do tipo n do elemento emissor de luz 2150 pode ser conectada à primeira voltagem de pixel ELVDD através da unidade de transistor e uma camada semicondutora do tipo p do mesmo pode ser conectada à segunda voltagem de pixel ELVSS. A primeira voltagem de pixel ELVDD e a segunda voltagem de pixel ELVSS podem ter potenciais diferentes. Por exemplo, um potencial da segunda voltagem de pixel ELVSS pode ser menor que o potencial da primeira voltagem de pixel ELVDD por não ser menor do que uma voltagem limite do elemento emissor de luz 2150. O elemento emissor de luz 2150 pode emitir luz com luminância correspondente a uma corrente de acionamento controlada pela unidade de transistor.
[0385] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a unidade de transistor inclui o primeiro e o segundo transistores M1 e M2 e um capacitor de armazenamento Cst. No entanto, uma estrutura da unidade de transistor pode ser modificada de várias formas e não está limitada à modalidade mostrada na FIG. 44.
[0386] Um eletrodo de fonte do primeiro transistor M1 (um transistor de comutação) é conectado à linha de dados 2120, e um eletrodo de drenagem do mesmo é conectado a um primeiro nó N1. Um eletrodo de porta do primeiro transistor M1 é conectado à primeira linha de varredura 2130R. Quando um sinal de varredura de voltagem suficiente para ligar o primeiro transistor M1 é fornecido a partir da primeira linha de varredura 2130R, o primeiro transistor M1 é ativado, conectando assim a linha de dados 2120 e o primeiro nó N1. Neste caso, um sinal de dados de um quadro relevante é fornecido à linha de dados 2120 e, portanto, o sinal de dados é transmitido ao primeiro nó N1. O sinal de dados transferido para o primeiro nó N1 é carregado no capacitor de armazenamento Cst.
[0387] Um eletrodo de fonte do segundo transistor M2 (um transistor de acionamento) é conectado à primeira voltagem de pixel ELVDD, e um eletrodo de drenagem do mesmo é conectado a uma camada semicondutora de tipo n. Um eletrodo de porta do segundo transistor M2 é conectado ao primeiro nó N1. O segundo transistor M2 controla a quantidade de corrente de acionamento que é fornecida ao elemento emissor de luz 2150, baseado em uma voltagem do primeiro nó N1.
[0388] Uma primeira extremidade do capacitor de armazenamento Cst é conectada à primeira voltagem de pixel ELVDD, e a segunda extremidade é conectada ao primeiro nó N1. O capacitor de armazenamento Cst carrega uma voltagem correspondente ao sinal de dados fornecido ao primeiro nó N1, e mantém a voltagem carregada até que um sinal de dados do próximo quadro seja fornecido.
[0389] Embora a FIG. 44 mostre a unidade de transistor incluindo dois transistores, no entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Por exemplo, a unidade de transistor pode incluir mais transistores, mais capacitores, etc. Como a estrutura do primeiro e do segundo transistores, o capacitor de armazenamento e as linhas de sinal são bem conhecidas na técnica e, portanto, serão omitidas descrições detalhadas.
[0390] A seguir, o pixel será descrito com referência a um tipo de matriz passiva, no entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes.
[0391] A FIG. 45 é uma vista plana de um pixel de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 46 é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha I-I’ da FIG. 45.
[0392] Referindo às FIGS. 45 e 46, um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma região emissora de luz na qual uma pluralidade de pilhas epitaxiais são empilhadas e uma região periférica circundando a região emissora de luz. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a pluralidade de pilhas epitaxiais inclui a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240.
[0393] O pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa, tem a região emissora de luz na qual uma pluralidade de pilhas epitaxiais são empilhadas em uma vista plana. Uma peça de contato para conectar uma peça de fio às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 é fornecida em pelo menos um lado da região emissora de luz. A peça de contato inclui uma peça de contato comum 250c para aplicar uma voltagem comum às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240, uma primeira peça de contato 220c para fornecer um sinal emissor de luz para a primeira pilha epitaxial 220, a segunda peça de contato 230c para fornecer um sinal emissor de luz para a segunda pilha epitaxial 230 e uma terceira peça de contato 240c para fornecer um sinal emissor de luz para a terceira pilha epitaxial 240.
[0394] Em uma modalidade exemplificativa, como ilustrado nas FIGS. 36A e 36B, uma estrutura empilhada pode ser alterada dependendo do tipo de polaridade de uma camada semicondutora da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 às quais uma voltagem comum é aplicada. Em particular, na peça de contato comum 250c, um eletrodo de contato para aplicar a voltagem comum é fornecido para cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240, e os eletrodos de contato correspondentes ao primeiro, segundo, e a terceira pilha epitaxial 220, 230 e 240 podem ser referidas como "primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato comum". Quando a voltagem comum é aplicada a uma camada semicondutora do tipo p, o primeiro, o segundo e o terceiro eletrodos de contato comum, de acordo com uma modalidade exemplificativa, podem ser os primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato comum do tipo p, respectivamente. Quando a voltagem comum é aplicada a uma camada semicondutora do tipo n, o primeiro, o segundo e o terceiro eletrodos de contato comum, de acordo com outra modalidade exemplificativa podem ser primeiro, segundo e terceiro eletrodos de contato do tipo n, respectivamente. A seguir, a voltagem comum será descrita como sendo aplicada uma camada semicondutora do tipo p, em particular, o primeiro, o segundo e o terceiro eletrodos de contato comuns podem ser o primeiro, o segundo e o terceiro eletrodos de contato do tipo p, respectivamente.
[0395] De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando a estrutura empilhada emissora de luz tem substancialmente uma forma quadrangular em uma vista plana, as peças de contato 220c, 230c, 240c e 250c podem ser dispostas em regiões correspondentes aos respectivos cantos da forma substancialmente quadrangular. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e os locais das peças de contato 220c, 230c, 240c e 250c podem ser variados, de acordo com uma forma da estrutura empilhada emissora de luz.
[0396] A pluralidade de pilhas epitaxiais inclui a primeira,
segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Primeira, segunda e terceira linhas de sinal emissor de luz que fornecem sinais emissores de luz para a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240, respectivamente, e uma linha comum que fornece uma voltagem comum para a primeira, segunda e terceira epitaxial as pilhas 220, 230 e 240 são conectadas às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. Na modalidade exemplificativa ilustrada, a primeira, segunda e terceira linhas de sinal emissor de luz podem corresponder à primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B, respectivamente, e a linha comum pode corresponder à linha de dados 2120. A primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B e a linha de dados 2120 são conectadas à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240.
[0397] Em uma modalidade exemplificativa, as primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B podem se estender em uma primeira direção (por exemplo, uma direção horizontal). A linha de dados 2120 pode se estender em uma segunda direção (por exemplo, uma direção vertical) cruzando substancialmente a primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B. No entanto, as direções de extensão das primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B e a linha de dados 2120 não estão limitadas a estas e podem ser alteradas, de acordo com a disposição dos pixels.
[0398] Como a linha de dados 2120 e o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p são alongados substancialmente na segunda direção, cruzando a primeira direção e fornecem a voltagem comum a uma camada semicondutora do tipo p da primeira pilha epitaxial
220, a linha de dados 2120 e o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p podem ser considerados substancialmente o mesmo elemento. Como tal, os termos "primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p" e "linha de dados 2120" serão a seguir usados de forma intercambiável.
[0399] Um eletrodo ôhmico 225p’ para um contato ôhmico do primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p e a primeira pilha epitaxial 220 são dispostos em uma região emissora de luz onde o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p é fornecido. O eletrodo ôhmico 225p’ pode incluir uma pluralidade de eletrodos ôhmicos. O eletrodo ôhmico 225p’ pode ser usado para um contato ôhmico e pode ser formado de vários materiais. Em uma modalidade exemplificativa, o eletrodo ôhmico 225p’ correspondente a um eletrodo ôhmico do tipo p pode incluir Au (Zn) ou Au (Be). Uma vez que a refletância de um material para o eletrodo ôhmico 225p’ é menor que a de um material, como Ag, Al ou Au, um eletrodo de reflexão adicional pode ser ainda mais disposto. Por exemplo, Ag, Au, etc. podem ser usados como material para um eletrodo de reflexão adicional, e uma camada adesiva metálica formada de um material, como Ti, Ni, Cr ou Ta, pode ser disposta para adesão a um elemento adjacente. Nesse caso, a camada adesiva pode ser depositada finamente na superfície superior e na superfície inferior do eletrodo de reflexão, incluindo Ag, Au, etc.
[0400] A primeira linha de varredura 2130R é conectada à primeira pilha epitaxial 220 através de um primeiro orifício de contato CH1, e a linha de dados 2120 é conectada à primeira pilha epitaxial 220 através do eletrodo ôhmico 225p’. A segunda linha de varredura 2130G é conectada à segunda pilha epitaxial 230 através de um segundo orifício de contato CH2 e a linha de dados 2120 é conectada à segunda pilha epitaxial 230 através do quarto e quinto orifícios de contato CH4 e CH5. A terceira linha de varredura 2130B é conectada à terceira pilha epitaxial 240 através de um terceiro orifício de contato CH3, e a linha de dados 2120 é conectada à terceira pilha epitaxial 240 através dos quarto e quinto orifícios de contato CH4 e CH5. A segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 são conectadas simultaneamente através de uma linha de ponte 2120b fornecida nos quarto e quinto orifícios de contato CH4 e CH5.
[0401] Uma camada adesiva, um eletrodo de contato e um filtro de passagem de comprimento de onda são fornecidos entre o substrato 200, a primeira pilha epitaxial 220, a segunda pilha epitaxial 230 e a quarta pilha epitaxial 240. Doravante, um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa, será descrito na ordem de empilhamento.
[0402] De acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, a primeira pilha epitaxial 220 é fornecida no substrato 200, com a primeira camada adesiva 260a interposta entre elas. A primeira pilha epitaxial 220 pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n empilhada na direção superior a partir do fundo.
[0403] Uma primeira camada de isolamento 281 é disposta em uma superfície inferior da primeira pilha epitaxial 220, em particular, uma superfície da primeira pilha epitaxial 220 voltada para o substrato 200. Uma pluralidade de orifícios de contato são formados na primeira camada de isolamento 281. O eletrodo ôhmico 225p’ que entra em contato com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha epitaxial 220 é fornecido no orifício de contato. O eletrodo ôhmico 225p’ pode ser formado de vários materiais. Em uma modalidade exemplificativa, o eletrodo ôhmico 225p’ correspondente a um eletrodo ôhmico do tipo p pode incluir Au (Zn) ou Au (Be). Neste caso, uma vez que a refletância de um material que forma o eletrodo ôhmico 225p’ pode ser menor do que a de um material como Ag, Al ou Au, um eletrodo de reflexão adicional pode ser ainda disposto. Por exemplo, Ag, Au, etc. podem ser usados como um material para o eletrodo de reflexão adicional, e uma camada adesiva metálica formada de um material como Ti, Ni, Cr ou Ta pode ser disposta para adesão com um componente adjacente. Nesse caso, a camada adesiva metálica pode ser depositada finamente na superfície superior e na superfície inferior de um eletrodo de reflexão, incluindo Ag, Au, etc.
[0404] O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p (por exemplo, a linha de dados 2120) entra em contato com o eletrodo ôhmico 225p’. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p é fornecido entre a primeira camada de isolamento 281 e a primeira camada adesiva 260a.
[0405] O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode sobrepor-se à primeira pilha epitaxial 220, em particular, uma região emissora de luz da primeira pilha epitaxial 220 em uma vista plana, e pode ser fornecida para cobrir toda ou a maior parte da região emissora de luz. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode incluir um material refletor para refletir a luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial 220. A primeira camada de isolamento 281 pode ainda incluir um material refletor para refletir a luz emitida a partir da primeira pilha epitaxial
220. Por exemplo, a primeira camada de isolamento 281 pode ter uma estrutura de refletor omnidirecional (ODR).
[0406] O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 e o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n são fornecidos em uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 220.
[0407] O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 é fornecido na superfície superior da primeira pilha epitaxial 220 para cobrir substancialmente toda a região emissora de luz da primeira pilha epitaxial 220.
[0408] O primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n pode ser fornecido em uma região correspondente à primeira peça de contato 220c e pode ser formado de um material condutor. Um orifício de contato é fornecido no primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271, e o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n entra em contato com a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha epitaxial 220 através do orifício de contato.
[0409] A segunda camada adesiva 260b é fornecida na segunda pilha epitaxial 230, e o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e a segunda pilha epitaxial 230 são fornecidos sequencialmente na segunda camada adesiva 260b. A segunda pilha epitaxial 230 pode incluir uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p empilhadas na direção superior a partir do fundo.
[0410] Em uma modalidade exemplificativa, a área da segunda pilha epitaxial 230 pode ser menor que a área da primeira pilha epitaxial 220. Uma região da segunda pilha epitaxial 230 que corresponde à primeira peça de contato 220c é removida e, assim, uma porção de uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n é exposta. Além disso, a área da segunda pilha epitaxial 230 pode ser menor que a área do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n. Uma região da segunda pilha epitaxial 230 que corresponde à segunda peça de contato 230c é removida e, assim, uma porção de uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é exposta.
[0411] O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p são fornecidos sequencialmente em uma superfície superior da segunda pilha epitaxial 230. A área do segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser semelhante à área da segunda pilha epitaxial 230 e o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ter um orifício de contato em uma região parcial da mesma. O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p podem ser fisicamente e eletricamente conectados um ao outro através do orifício de contato. O orifício de contato pode ser formado no plural e pode ser fornecido em uma região correspondente a uma peça de contato específica, por exemplo, a terceira peça de contato 240c. Alternativamente, uma porção em que o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p estão conectados um ao outro pode ser variada.
[0412] A terceira pilha epitaxial 240 é fornecida no terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p. A segunda pilha epitaxial 230 pode incluir uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo n empilhada na direção superior a partir do fundo.
[0413] A área da terceira pilha epitaxial 240 pode ser menor que a área da segunda pilha epitaxial 230. A área da terceira pilha epitaxial 240 pode ser menor que a área do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p e, portanto, uma porção de uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p pode ser exposta.
[0414] Uma segunda camada de isolamento 283 cobrindo uma estrutura empilhada da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 é disposta na terceira pilha epitaxial
240. A segunda camada de isolamento 283 pode ser formada de vários materiais de isolamento orgânico/inorgânico, como um material de isolamento inorgânico, incluindo nitreto de silício, óxido de silício, etc. ou materiais de isolamento orgânico, incluindo poli-imida, sem se limitar a estes.
[0415] O primeiro orifício de contato CH1 expondo a superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n pode ser formado na segunda camada de isolamento 283. A primeira linha de varredura 2130R é conectada ao primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n através do primeiro orifício de contato CH1.
[0416] Uma terceira camada de isolamento 285 é fornecida na segunda camada de isolamento 283. A terceira camada de isolamento 285 pode incluir substancialmente o mesmo material que a segunda camada de isolamento 283. A terceira camada de isolamento 285 também pode ser formada de vários materiais de isolamento orgânico/inorgânico, mas os conceitos inventivos não estão limitados a um material particular da segunda e terceira camadas de isolamento 283 e 285.
[0417] As segunda e terceira linhas de varredura 2130G e 2130B e a linha de ponte 2120b são fornecidas na terceira camada de isolamento 285.
[0418] O segundo orifício de contato CH2 que expõe uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n na segunda peça de contato 230c, o terceiro orifício de contato CH3 que expõe uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 240, por exemplo, a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 240 na terceira peça de contato 240c e os quarto e quinto orifícios de contato CH4 e CH5 que expõem uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p e uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p na peça de contato comum 250c é fornecida na terceira camada de isolamento 285.
[0419] A segunda linha de varredura 2130G é conectada ao segundo eletrodo de contato do tipo n 231n através do segundo orifício de contato CH2. A terceira linha de varredura 2130B é conectada à camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 240 através do terceiro orifício de contato CH3.
[0420] A linha de dados 2120 está conectada com o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p através da linha de ponte 2120b fornecida no quarto orifício de contato CH4 e no quinto orifício de contato CH5. Uma vez que o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p é conectado ao segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e forma um eletrodo compartilhado, e o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p corresponde à linha de dados 2120, cada um dos primeiro, segundo e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 225p, 235p e 245p é conectado através da linha de ponte 2120b.
[0421] A terceira linha de varredura 2130B pode contatar diretamente a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 240 e pode ser eletricamente conectada a esta. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e, em algumas modalidades exemplificativas, um terceiro eletrodo de contato do tipo n pode ainda ser fornecido entre a terceira linha de varredura 2130B e a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 240.
[0422] Em uma modalidade exemplificativa, uma porção côncavo-convexa pode ser fornecida seletivamente em uma superfície superior de cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240. A porção côncavo-convexa pode ser fornecida apenas em uma porção correspondente a uma região emissora de luz de cada camada semicondutora ou pode ser fornecida sobre toda a superfície superior de cada camada semicondutora.
[0423] Em uma modalidade exemplificativa, uma camada não transmissora de luz pode ainda ser fornecida em uma superfície lateral da terceira camada de isolamento 285, que corresponde a uma superfície lateral de um pixel. A camada não transmissora de luz pode ser uma camada de bloqueio de luz, incluindo um material absorvente ou refletor de luz para impedir que a luz da primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 sejam emitidas para um lado da estrutura empilhada emissora de luz.
[0424] A camada não transmissora de luz não é especificamente limitada, desde que absorva ou reflita a luz. Em uma modalidade exemplificativa, a camada não transmissora de luz pode ser um espelho dielétrico DBR ou uma camada de reflexão metálica formada em uma camada de isolamento, ou pode ser uma camada de polímero orgânico de cor preta. Quando a camada de reflexão metálica é usada como camada não transmissora de luz, a camada de reflexão metálica pode ser eletricamente isolada de um elemento de pixels.
[0425] Quando a camada não transmissora de luz é fornecida em uma superfície lateral do pixel, a luz de um pixel específico pode ser impedida de influenciar um pixel adjacente ou causar um fenômeno de mistura de cores com a luz emitida por um pixel adjacente.
[0426] Um pixel descrito acima pode ser fabricado empilhando sequencialmente a primeira, a segunda e a terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 no substrato 200, que serão descritas em mais detalhes abaixo.
[0427] As FIGS. 47, 49, 51, 53, 55 e 57 são vistas planas que ilustram um método de empilhar sequencialmente a primeira, a segunda e a terceira pilhas epitaxiais em um substrato, de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0428] As FIGS. 48, 50A a 50C, 52A a 52H, 54A a 54D, 56 e 58 são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha I-I' das FIGS. 47, 49, 51, 53, 55 e 57.
[0429] Referindo às FIGS. 47 e 48, a primeira pilha epitaxial 220 e o eletrodo ôhmico 225p’ são formados em um primeiro substrato temporário 210p.
[0430] O primeiro substrato temporário 210p pode ser um substrato semicondutor para formar a primeira pilha epitaxial 220, e pode ser, por exemplo, um substrato de GaAs. A primeira pilha epitaxial 220 é formada empilhando uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p no primeiro substrato temporário 210p.
[0431] A primeira camada de isolamento 281 é formada no primeiro substrato temporário 210p e o eletrodo ôhmico 225p’ é formado em um orifício de contato da primeira camada de isolamento 281.
[0432] O eletrodo ôhmico 225p’ pode ser formado através da formação da primeira camada de isolamento 281 no primeiro substrato temporário 210p, revestindo um fotoresistor, padronizando o fotoresistor, depositando um material para o eletrodo ôhmico 225p' no fotoresistor padronizado e retirando o padrão fotoresistor. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Por exemplo, o eletrodo ôhmico 225p’ pode ser formado através da formação da primeira camada de isolamento 281, padronizando a primeira camada de isolamento 281 através da fotolitografia, formando uma camada de eletrodo ôhmico usando um material para o eletrodo ôhmico 225p' e padronizando a camada de eletrodo ôhmico através da fotolitografia.
[0433] Referindo às FIGS. 49 e 50A, um primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p (por exemplo, linha de dados 2120) é formado no primeiro substrato temporário 210p no qual o eletrodo ôhmico 225p’ é formado. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode ser formado de um material refletor. O primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode ser formado, por exemplo, depositando um material de metal e padronizando o material depositado usando fotolitografia.
[0434] Referindo às FIGS. 49 e 50B, a primeira pilha epitaxial 220 formada no primeiro substrato temporário 201p pode ser invertida e fixada no substrato 200 no qual a primeira camada adesiva 260a é formada.
[0435] Referindo às FIGS. 49 e 50C, o primeiro substrato temporário 210p é removido depois que a primeira pilha epitaxial 220 é anexada ao substrato 200. O primeiro substrato temporário 210p pode ser removido por vários métodos, como ataque úmido, ataque seco, elevação física e elevação a laser.
[0436] Em algumas modalidades exemplificativas, uma porção côncavo-convexa pode ser formada em uma superfície superior (ou em uma camada semicondutora do tipo n) da primeira pilha epitaxial 220, após a elevação do primeiro substrato temporário 210p. A porção côncavo-convexa pode ser formada através de texturização usando vários processos de gravação. Por exemplo, a porção côncavo-convexa pode ser formada por vários métodos, como gravação a seco usando um processo de microfotografia, gravação a úmido usando uma propriedade cristalina, texturização usando um método físico como jateamento de areia, gravação por feixe de íons e texturização usando uma velocidade de gravação diferença do copolímero em bloco.
[0437] Referindo às FIGS. 51 e 52A, o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n e o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 são formados em uma superfície superior da primeira pilha epitaxial 220.
[0438] O primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n pode ser formado através da formação do primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 na primeira pilha epitaxial 220, revestindo um fotoresistor, padronizando o fotoresistor, depositando um material para o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n no fotoresistor padronizado e removendo o padrão fotoresistor. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes e podem ser formados através de fotolitografia usando duas folhas de máscaras, por exemplo.
[0439] Referindo às FIGS. 51 e 52B, a terceira pilha epitaxial 240, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p e o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 são formados em um segundo substrato temporário 210q.
[0440] O segundo substrato temporário 210q pode incluir um substrato de safira. A terceira pilha epitaxial 240 é formada empilhando uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p no segundo substrato temporário 210q.
[0441] O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser formado para ser menor que a terceira pilha epitaxial 240 e o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, ou pode ser formado para ter um eletrodo de contato no mesmo. O segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 pode ser padronizado através de fotolitografia.
[0442] Referindo às FIGS. 51 e 52C, o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p é formado no segundo substrato temporário 210q no qual o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 é formado. O segundo eletrodo de contato do tipo p 235p pode ser formado para ter uma espessura suficiente para cobrir uma etapa que pode ser causada quando o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 não é formado. Uma vez que o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p entra em contato direto com o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p e o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p são formados integralmente em uma região onde o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 não é fornecido.
[0443] Após a formação do segundo eletrodo de contato do tipo p 235p, um processo de planarização pode ser realizado em uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo p 235p. Ao formar o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p, um vazio pode ser formado em uma etapa, que pode ser formada quando o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273 não é formado, mas a dispersão de luz devido ao vazio pode não ser significativa.
[0444] Referindo às FIGS. 51 e 52D, a segunda pilha epitaxial 230 e o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p são formados em um terceiro substrato temporário 201r, e a segunda pilha epitaxial 230 pode ser invertida e fixada no segundo substrato temporário 210q no qual o segundo eletrodo de contato tipo p 235p é formado.
[0445] O terceiro substrato temporário 210r pode incluir um substrato de safira. A terceira pilha epitaxial 240 é formada empilhando uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p no terceiro substrato temporário 210r.
[0446] Em uma modalidade exemplificativa, o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p pode ser formado em ambos os lados do segundo substrato temporário 200q e o terceiro substrato temporário 200r voltados um para o outro com substancialmente o mesmo material, para melhorar a ligação entre os dois substratos.
[0447] Referindo às FIGS. 51 e 52E, o terceiro substrato temporário 210r é removido após a segunda pilha epitaxial 230 ser anexada à terceira pilha epitaxial 240. O terceiro substrato temporário 210r pode ser removido por vários métodos, como ataque úmido, ataque seco, remoção física e remoção a laser. Por exemplo, quando o terceiro substrato temporário 210r é um substrato de safira, o substrato de safira pode ser removido por um método de remoção a laser, um método de remoção por voltagem, um método de remoção mecânica, um método de polimento físico, etc.
[0448] Referindo às FIGS. 51 e 52F, o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é formado na segunda pilha epitaxial 230 do segundo substrato temporário 210q, na qual as segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 são formadas.
[0449] Referindo às FIGS. 51 e 52G, o segundo substrato temporário 210q, no qual as segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 são formadas, é invertido e fixado na primeira pilha epitaxial 220 com a segunda camada adesiva 260b interposta entre elas. Neste caso, o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271 são dispostos de frente um para o outro.
[0450] Referindo às FIGS. 51 e 52H, o segundo substrato temporário 210q é removido após a segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 serem fixadas na primeira pilha epitaxial
220. O segundo substrato temporário 201q pode ser removido por vários métodos, como ataque úmido, ataque seco, remoção física e remoção a laser. Por exemplo, quando o segundo substrato temporário 210q é um substrato de safira, o substrato de safira pode ser removido por um método de remoção a laser, um método de remoção por voltagem, um método de remoção mecânica, um método de polimento físico, etc.
[0451] Como tal, as primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 são empilhadas no substrato 200. De acordo com uma modalidade exemplificativa, após a elevação do segundo substrato temporário 210q, uma porção côncavo-convexa pode ser formada na superfície superior (ou em uma camada semicondutora do tipo n) da terceira pilha epitaxial 240. A porção côncavo-convexa pode ser formada através de texturização usando vários processos de gravação. A porção côncavo-convexa pode ser formada usando um substrato de safira padronizado com côncavo-convexo como o segundo substrato temporário. Neste caso, a porção côncavo-convexa na terceira pilha epitaxial 240 pode ser facilmente formada. Quando o substrato de safira padronizado é removido da terceira pilha epitaxial 240, a porção côncavo- convexa no substrato de safira padronizada pode ser transferida para a terceira pilha epitaxial 240.
[0452] Referindo às FIGS. 53 e 54A, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p da primeira pilha epitaxial 220 é conectado à linha de dados 2120. No entanto, uma vez que o primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n da primeira pilha epitaxial 220 não está conectado à primeira linha de varredura
2130R e também não está conectado às segunda e terceira linhas de varredura 2130G e 2130B da segunda e terceira pilhas epitaxiais 230 e 240 e a linha de dados 2120, um processo para uma conexão com a primeira, segunda e terceira linhas de varredura 2130R, 2130G e 2130B e a linha de dados 2120 é executado em um processo posterior.
[0453] Em particular, a terceira pilha epitaxial 240 é padronizada. Porções substanciais da terceira pilha epitaxial 240 são removidas, exceto para a região emissora de luz. Em particular, porções da terceira pilha epitaxial 240 correspondentes às primeira e segunda peças de contato 220c e 230c e a peça de contato comum 250c são removidas. A terceira pilha epitaxial 240 pode ser removida por vários métodos, como ataque úmido ou ataque seco usando fotolitografia. Nesse caso, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p pode funcionar como uma rolha de ataque químico.
[0454] Referindo às FIGS. 53 e 54B, o terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273, o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e a segunda pilha epitaxial 230 são removidos em uma região, exceto na região emissora de luz. Em particular, porções do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p que correspondem à primeira peça de contato 220c e a segunda peça de contato 230c, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273, o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e a segunda pilha epitaxial 230 são removidos. O terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p, o segundo filtro de passagem de comprimento de onda 273, o segundo eletrodo de contato do tipo p 235p e a segunda pilha epitaxial 230 podem ser removidos por vários métodos, como gravação a úmido ou gravação a seco usando fotolitografia. Nesse caso, o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n pode funcionar como uma rolha de ataque.
[0455] Referindo às FIGS. 53 e 54C, o segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e a segunda camada adesiva 260b são removidos em uma região, exceto na região emissora de luz. Em particular, porções do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e da segunda camada adesiva 260b que correspondem à primeira peça de contato 220c são removidas. Como tal, uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato tipo n 221n da primeira peça de contato 220c é exposta. O segundo eletrodo de contato do tipo n 231n e a segunda camada adesiva 260b podem ser removidos por vários métodos, como gravação a úmido ou gravação a seco usando fotolitografia.
[0456] Referindo às FIGS. 53 e 54D, o primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271, a primeira pilha epitaxial 220 e a primeira camada de isolamento 281 são removidos em uma região, exceto para a região emissora de luz para expor uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p. O primeiro filtro de passagem de comprimento de onda 271, a primeira pilha epitaxial 220 e a primeira camada de isolamento 281 podem ser removidos por vários métodos, tais como gravação úmida ou gravação a seco usando fotolitografia. Nesse caso, o primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pode funcionar como uma rolha de ataque.
[0457] Referindo às FIGS. 55 e 56, a segunda camada de isolamento 283, com uma pluralidade de orifícios de contato, é formada na primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais 220, 230 e 240 que são padronizadas, e a primeira linha de varredura 2130R é formada na segunda camada de isolamento 283 A segunda camada de isolamento 283 tem o primeiro orifício de contato CH1 em uma região correspondente à primeira peça de contato 220c, e uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n é exposta pelo primeiro orifício de contato CH1. A primeira linha de varredura 2130R é conectada ao primeiro eletrodo de contato do tipo n 221n através do primeiro orifício de contato CH1. Em algumas modalidades exemplificativas, além do primeiro orifício de contato CH1, os orifícios fictícios de contato CH' podem ser seletivamente formados na segunda camada de isolamento 283. Os orifícios fictícios de contato CH’ podem ser fornecidos em regiões correspondentes à segunda peça de contato 230c, à terceira peça de contato 240c e à peça de contato comum 250c. Os orifícios fictícios de contato CH’ podem diminuir a inclinação das paredes laterais internas do segundo ao quarto orifícios de contato formados na segunda peça de contato 230c, na terceira peça de contato 240c e na peça de contato comum 250c a ser formada posteriormente.
[0458] A segunda camada de isolamento 283 e a primeira linha de varredura 2130R podem ser formadas por vários métodos, por exemplo, através de fotolitografia usando várias folhas de máscaras. Em uma modalidade exemplificativa, a segunda camada de isolamento 283 tendo o primeiro orifício de contato CH1 e os orifícios fictícios de contato CH’ pode ser formada formando a camada de isolamento 283 em substancialmente toda a superfície do substrato 200 e padronizando a camada de isolamento 283 usando fotolitografia. Em seguida, a primeira linha de varredura 2130R pode ser formada revestindo um fotoresistor no substrato 200 no qual a segunda camada de isolamento 283 é formada, padronizando o fotoresistor, depositando um material para a primeira linha de varredura 2130R no fotoresistor padronizado e removendo o padrão fotoresistor.
[0459] Referindo às FIGS. 57 e 58, a terceira camada de isolamento 285 é formada no substrato 200 no qual a primeira linha de varredura 2130R é formada e a segunda linha de varredura 2130G, a terceira linha de varredura 2130B e a linha de ponte 2120b são formadas na terceira camada de isolamento 285
[0460] A segunda linha de varredura 2130G, a terceira linha de varredura 2130B e a linha de ponte 2120b podem ser formadas na terceira camada de isolamento 285 por vários métodos, por exemplo, através de fotolitografia usando várias folhas de máscaras.
[0461] Em uma modalidade exemplificativa, a terceira camada de isolamento 285 tendo o segundo, terceiro, quarto e quinto orifícios de contato CH2, CH3, CH4 e CH5 é formada. Aqui, o segundo, terceiro e quarto orifícios de contato CH2, CH3 e CH4 podem ser formados removendo a terceira camada de isolamento 285 nos orifícios de contato fictícios. Mais particularmente, o segundo orifício de contato CH2 é formado em uma região correspondente à segunda peça de contato 230c, o terceiro orifício de contato CH3 é formado em uma região correspondente à terceira peça de contato 240c e o quarto orifício de contato CH4 é formado em uma região correspondente à peça de contato comum 250c. O quinto orifício de contato CH5 é formado ainda na região correspondente à peça de contato comum 250c, juntamente com o segundo, terceiro e quarto orifícios de contato CH2, CH3 e CH4. Como tal, uma superfície superior do segundo eletrodo de contato do tipo n 231n é exposta pelo segundo orifício de contato CH2, uma superfície superior da terceira pilha epitaxial 240 é exposta pelo terceiro orifício de contato CH3, uma superfície superior do terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p é exposto pelo quarto orifício de contato CH4, e uma superfície superior do primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p é exposta pelo quinto orifício de contato CH5.
[0462] Em seguida, a segunda linha de varredura 2130G, a terceira linha de varredura 2130B e a linha de ponte 2120b são formadas.
[0463] A segunda linha de varredura 2130G, a terceira linha de varredura 2130B e a linha de ponte 2120b podem ser formadas revestindo um fotoresistor no substrato 200 no qual a terceira camada de isolamento 285 é formada, padronizando o fotoresistor, depositando um material para a segunda linha de varredura 2130G, a terceira linha de varredura 2130B e a linha de ponte 2120b no fotoresistor padronizado e removendo o padrão fotoresistor. Como tal, a segunda linha de varredura 2130G é conectada ao segundo eletrodo de contato do tipo n 231n através do segundo orifício de contato CH2, e a terceira linha de varredura 2130B é conectada a uma camada semicondutora do tipo n da terceira pilha epitaxial 240 através da terceira orifício de contato CH3. A linha de ponte 2120b é conectada ao terceiro eletrodo de contato do tipo p 245p pelo quarto orifício de contato CH4 e é conectada ao primeiro eletrodo de contato do tipo p 225p pelo quinto orifício de contato CH5.
[0464] Em uma modalidade exemplificativa, uma camada não transmissora de luz pode ainda ser fornecida em uma superfície lateral de um pixel, na qual uma segunda camada de isolamento 283 e/ou uma terceira camada de isolamento 285 é formada. A camada não transmissora de luz pode ser implementada como um espelho dielétrico DBR, uma camada de reflexão metálica formada sobre uma camada de isolamento ou uma camada de polímero orgânico. Quando a camada de reflexão metálica é usada como camada não transmissora de luz, a camada não transmissora de luz pode ser formada para estar em um estado flutuante com outros elementos do pixel para isolamento elétrico. Em uma modalidade exemplificativa, a camada não transmissora de luz pode ser formada depositando duas camadas de isolamento de diferentes índices de refração. Por exemplo, a camada não transmissora de luz pode ser formada empilhando sequencialmente um material com um baixo índice de refração e um material com um alto índice de refração, ou empilhando camadas de isolamento de diferentes índices de refração, como SiO2 e SiNx.
[0465] Como descrito acima, de acordo com as modalidades exemplificativas, é possível formar simultaneamente uma peça de fio e contatos em uma pluralidade de pilhas epitaxiais após empilhar sequencialmente a pluralidade de pilhas epitaxiais.
[0466] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma estrutura empilhada emissora de luz inclui um eletrodo compartilhado entre a segunda e a terceira pilhas epitaxiais, e os eletrodos de contato do tipo p e do tipo n são respectivamente fornecidos na superfície superior e na superfície inferior, uma primeira pilha epitaxial sem estrutura de mesa. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e o eletrodo compartilhado pode ser fornecido entre a segunda e a terceira pilhas epitaxiais, e a primeira pilha epitaxial pode ter uma estrutura de mesa, na qual o eletrodo de contato do tipo p e o eletrodo de contato tipo n é fornecido em uma superfície inferior.
[0467] A FIG. 59A é uma vista plana esquemática de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 59B é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha A-B da FIG. 59A.
[0468] Referindo às FIGS. 59A e 59B, o dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode incluir um substrato 351, pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d, uma primeira pilha de LED 323, uma segunda pilha de LED 333, uma terceira pilha de LED 343, um primeiro eletrodo refletor 325, um primeiro eletrodo ôhmico 325n, primeiros eletrodos auxiliares 325d, uma camada de aterramento 328, segundos eletrodos auxiliares 328d, um segundo eletrodo transparente 335, um terceiro eletrodo transparente 345, um primeiro filtro de cor 337, um segundo filtro de cor 347, um preenchimento insuficiente 355, uma primeira camada de ligação 365 e uma segunda camada de ligação 375. O dispositivo de exibição pode ainda incluir pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d, uma pluralidade de conectores 359b, 359c, 359d, 369b, 369c, 369d, 379c e 379d e camadas de isolamento 326, 327, 329, 357, 367 e 377.
[0469] O substrato 351 suporta as pilhas de LED 323, 333 e
343. Além disso, o substrato 351 pode ter circuitos dispostos no mesmo. Por exemplo, o substrato 351 pode ser um substrato de silício no qual são formados transistores de filme fino (TFTs). Um substrato de TFT tem sido amplamente utilizado para acionamento da matriz ativa em um campo de exibição, como um campo de tela de cristal líquido (LCD) ou semelhante. Uma vez que uma estrutura do substrato de TFT é bem conhecida na técnica, serão omitidas descrições detalhadas.
[0470] Embora a FIG. 59B mostre uma vista em seção transversal de um pixel unitário disposto no substrato 351, uma pluralidade de pixels unitários pode ser disposta no substrato 351 e pode ser acionada por um método de matriz ativa.
[0471] Os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d são dispostos no substrato 351. Os pads de eletrodos 353a, 353b,
353c e 353d correspondendo aos respectivos pixels unitários são dispostas no substrato 351. Os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d são, cada um, conectados aos circuitos no substrato
351. Embora o pad de eletrodo 353d seja descrito como sendo fornecido a cada pixel unitário, em algumas modalidades exemplificativas, o pad de eletrodo 353d pode não ser fornecido a todos os pixels. Como será descrito em mais detalhes abaixo, a camada de aterramento 328 pode ser disposta continuamente sobre os pixels. Portanto, o pad de eletrodo 353d pode ser fornecido apenas a um dos pixels.
[0472] A primeira pilha de LED 323, a segunda pilha de LED 333 e a terceira pilha de LED 343, cada uma, incluem uma camada semicondutora do tipo n, uma camada semicondutora do tipo p e uma camada ativa interposta entre a camada semicondutora tipo n e a camada semicondutora tipo p. Em particular, a camada ativa pode ter uma estrutura de múltiplos poços quânticos.
[0473] As primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 emitem luz com um comprimento de onda maior, sendo dispostas mais próximas ao substrato 351. Por exemplo, a primeira pilha de LED 323 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico que emite luz vermelha, a segunda pilha de LED 333 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico que emite luz verde e a terceira pilha de LED 343 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico que emite luz azul. A primeira pilha de LED 323 pode incluir uma camada de poço baseada em GaInP, e a segunda pilha de LED 333 e a terceira pilha de LED 343 podem incluir uma camada de poço baseada em GaInN. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Quando o pixel inclui um micro LED, que tem uma área de superfície menor que cerca de
10.000 µm quadrados, como conhecido na técnica, ou menos de cerca de 4.000 µm quadrados ou 2.500 µm quadrados em outras modalidades exemplificativas, a primeira pilha de LED 323 pode emitir qualquer luz vermelha, verde e azul, e a segundo e terceira pilhas de LED 333 e 343 podem emitir uma luz diferente de vermelho, verde e azul, sem afetar adversamente a operação, devido ao pequeno fator de forma de um micro LED.
[0474] Além disso, ambas as superfícies de cada pilha de LED 323, 333 ou 343 são uma camada semicondutora do tipo n e uma camada semicondutora do tipo p, respectivamente. A seguir, uma superfície superior de cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 será descrita como um tipo n e uma superfície inferior de cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333, e 343 serão descritas como um tipo p. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam aos mesmos, e o tipo dos tipos de semicondutores da superfície superior e da superfície inferior de cada uma das pilhas de LED pode ser revertido.
[0475] Quando a superfície superior da terceira pilha de LED 343 é do tipo n, uma superfície rugosa pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 343 através de texturização da superfície por gravação química. As superfícies rugosas também podem ser formadas nas superfícies superiores da primeira pilha de LED 323 e da segunda pilha de LED 333 por texturização de superfície. Em geral, a luz verde tem maior visibilidade do que a luz vermelha ou azul. Como tal, quando a segunda pilha de LED 333 emite luz verde, a texturização da superfície pode ser aplicada à primeira pilha de LED 323 e à terceira pilha de LED, enquanto nenhuma textura de superfície de texturização ou menos superfície de texturização pode ser aplicada à segunda pilha de LED 333. Desta maneira, a eficiência de extração de luz pode ser melhorada na primeira pilha de LED 323 e na terceira pilha de LED para tornar a eficiência luminosa substancialmente uniforme entre as pilhas de LED.
[0476] A primeira pilha de LED 323 está disposta mais perto do substrato 351, a segunda pilha de LED 333 está disposta na primeira pilha de LED 323 e a terceira pilha de LED 343 está disposta na segunda pilha de LED. Uma vez que a primeira pilha de LED 323, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode emitir luz com um comprimento de onda maior que a segunda e a terceira pilhas de LED 333 e 343, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 323 pode ser emitida para o exterior através da segunda e terceira pilhas de LED 333 e 343. Além disso, uma vez que a segunda pilha de LED 333, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode emitir luz com um comprimento de onda maior que o da terceira pilha de LED 343, a luz gerada na segunda pilha de LED 333 pode ser emitida para o exterior através da terceira pilha de LED 343.
[0477] O primeiro eletrodo refletor 325 está em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 323, e reflete a luz gerada na primeira pilha de LED 323. Por exemplo, o primeiro eletrodo refletor 325 pode incluir uma camada em contato ôhmica 325a e uma camada refletora 325b.
[0478] A camada de contato ôhmico 325a está em contato parcial com a camada semicondutora do tipo p. A camada em contato ôhmico 325a pode ser formada em uma área limitada para impedir a absorção de luz pela camada de contato ôhmico 325a. A camada de contato ôhmico 325a pode estar em contato com a primeira pilha de LED 323 em pelo menos uma região. A camada em contato ôhmico 325a pode ser formada por um óxido condutor transparente ou uma liga de Au como AuZn ou AuBe.
[0479] A camada refletora 325b cobre a camada em contato ôhmico 325a e a superfície inferior da primeira pilha de LED 323. A camada refletora 325b pode incluir uma camada metálica refletora, como Al, Ag ou Au. Além disso, a camada refletora 325b pode incluir uma camada de metal adesivo, como Ti, Ta, Ni ou Cr , nas superfícies superiores e inferiores da camada de metal refletor para melhorar a adesão da camada de metal refletor. A camada refletora 325b pode ser formada por uma camada de metal com uma alta refletância para a luz gerada na primeira pilha de LED 323, por exemplo, luz vermelha. A camada refletora 325b pode ter uma baixa refletância para a luz gerada na segunda pilha de LED 333 e na terceira pilha de LED 343, por exemplo, luz verde ou luz azul. Como tal, a camada refletora 325b pode absorver a luz gerada nas segunda e terceira pilhas de LED 333 e 343 e viajar na direção do substrato 351 para diminuir a interferência óptica. Por exemplo, Au pode ser usado como o material que forma a camada refletora 325b na primeira pilha de LED 323 devido à sua alta refletância para luz vermelha e sua baixa refletância para luz azul e luz verde.
[0480] Em algumas modalidades exemplificativas, a camada de contato ôhmico 325a pode ser omitida e o primeiro eletrodo refletor 325 pode incluir a camada refletora 325b incluindo uma liga de Au, como AuZn ou AuBe, que possui alta refletividade e capaz de formar um contato ôhmico.
[0481] Os primeiros eletrodos refletores 325 são afastados um do outro nas regiões onde os conectores 359b, 359c e 359d devem ser formados, e os primeiros eletrodos auxiliares 325d formados substancialmente do mesmo material que o da camada refletora 325b podem ser dispostos em nessas regiões. Os primeiros eletrodos auxiliares 325d podem ser formados para impedir que as etapas sejam geradas quando os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são formados, mas podem ser omitidos em algumas modalidades exemplificativas. Os primeiros eletrodos auxiliares 325d são espaçados da primeira pilha de LED 323 pela camada de isolamento 326.
[0482] O primeiro eletrodo ôhmico 325n está disposto na superfície superior da primeira pilha de LED 323 e está em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 323. O primeiro eletrodo ôhmico 325n pode ser formado por uma liga de Au, como AuGe.
[0483] A camada de isolamento 326 pode ser disposta entre o primeiro eletrodo refletor 325 e a primeira pilha de LED 323 e pode ter pelo menos uma abertura 326a (ver FIG. 62B) expondo a superfície inferior da pilha de LED 323. A camada de contato ôhmico 325 pode ser disposta na abertura 326a, ou a camada refletora 325b pode estar em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 323 através da abertura 326a.
[0484] A camada de isolamento 327 pode ser disposta entre o primeiro eletrodo refletor 325 e os primeiros eletrodos auxiliares 325d e o substrato 351, e pode ter aberturas expondo o primeiro eletrodo refletor 325 e os primeiros eletrodos auxiliares 325d.
[0485] A camada de aterramento 328 é disposta entre a camada de isolamento 327 e o substrato 351. A camada de aterramento 328 pode ser conectada a um dos primeiros eletrodos auxiliares 325d através da abertura da camada de isolamento 327. Quando os eletrodos auxiliares 325d são omitidos, a camada de aterramento 328 pode estar em contato com a camada de isolamento 326 ou pode ser afastada da camada de isolamento 326 a ser disposta na camada de isolamento 327. A camada de aterramento 328 pode ser formada por uma camada de material condutor, por exemplo, metal. A camada de aterramento 328 pode ser disposta em apenas uma região de pixel ou ser disposta continuamente em uma pluralidade de regiões de pixel.
[0486] A camada de aterramento 328 é eletricamente isolada a partir do primeiro eletrodo refletor 325. A camada de aterramento 328 é conectada eletricamente em comum às camadas semicondutoras do tipo n da primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343. Portanto, a camada de aterramento 328 é isolada do primeiro eletrodo refletor 325, que é eletricamente conectado à camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 323.
[0487] Os segundos eletrodos auxiliares 328d podem ser dispostos nas aberturas da camada de isolamento 327. Os segundos eletrodos auxiliares 328d podem ser formados no mesmo plano que a camada de aterramento 328 e podem incluir substancialmente o mesmo material que a camada de aterramento 328. Os segundos eletrodos auxiliares 328d são dispostos para impedir que as etapas sejam geradas quando os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são formados, mas podem ser omitidos em algumas modalidades exemplificativas. Um dos segundos eletrodos auxiliares 328d pode ser conectado ao eletrodo refletor 325 e os outros dos segundos eletrodos auxiliares 328d podem ser dispostos nos primeiros eletrodos auxiliares 325d, respectivamente.
[0488] A camada de isolamento 329 pode ser disposta entre a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d e o substrato 351, e pode ter aberturas que expõem a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d.
[0489] Os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são dispostos entre a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d e os pads de eletrodo 353a, 353b, 353c e 353d para conectar eletricamente a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d aos pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d um ao outro. Os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d podem ser formados na camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d através das aberturas da camada de isolamento 329 e podem ser ligados aos pads de eletrodo 353a, 353b, 353c e 353d. O pad de impacto 330d pode ser fornecido a todos os pixels, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Por exemplo, o pad de impacto 330d pode ser formado seletivamente nos pixels, como o pad de eletrodo 353d.
[0490] O preenchimento insuficiente 355 preenche os espaços entre os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d e os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d para proteger os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d e os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d, e para reforçar a adesão dos pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d. Em algumas modalidades exemplificativas, um filme condutor anisotrópico (ACF) pode ser usado em vez do preenchimento insuficiente 355. O ACF pode ser disposto entre os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d e os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d para conectar eletricamente os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d e os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d entre si.
[0491] O segundo eletrodo transparente 335 pode estar em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 333. O segundo eletrodo transparente 335 pode ser formado por uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor que é transparente à luz vermelha e luz verde. O terceiro eletrodo transparente 345 pode estar em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha de LED 333. O terceiro eletrodo transparente 345 pode ser formado por uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor que é transparente à luz vermelha, luz verde e luz azul. O segundo eletrodo transparente 335 e o terceiro eletrodo transparente 345 podem estar em contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p de cada pilha de LED para ajudar na distribuição de corrente. Por exemplo, a camada de óxido condutor usada para o segundo e terceiro eletrodos transparentes 335 e 345 podem incluir SnO2, InO2, ITO, ZnO, IZO , ou outros.
[0492] O primeiro filtro de cor 337 pode ser disposto entre a primeira pilha de LED 323 e a segunda pilha de LED 333. O segundo filtro de cor 347 pode ser disposto entre a segunda pilha de LED 333 e a terceira pilha de LED 343. O primeiro filtro de cor 337 transmite luz gerada na primeira pilha de LED 323 , e reflete a luz gerada na segunda pilha de LED 333. O segundo filtro de cor 347 transmite luz gerada na primeira e na segunda pilhas de LED 323 e 333 , e reflete a luz gerada na terceira pilha de LED 343. Como tal, a luz gerada na primeira pilha de LED 323 pode ser emitida para o exterior através da segunda pilha de LED 333 e da terceira pilha de LED 343 e a luz emitida a partir da segunda pilha de LED 333 pode ser emitida para o exterior através da terceira pilha de LED 343 Além disso, a luz gerada na segunda pilha de LED 333 pode ser impedida de ser perdida por ser incidente na primeira pilha de LED 323, ou a luz gerada na terceira pilha de LED 343 pode ser impedida de ser perdida por ser incidente na segunda pilha de LED 333.
[0493] Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor 337 pode refletir a luz gerada na terceira pilha de LED 343.
[0494] Os primeiro e segundo filtros de cores 337 e 347 podem ser, por exemplo, um filtro de baixa passagem que passa apenas em uma faixa de baixa frequência, por exemplo, uma banda de comprimento de onda longa, um filtro de passagem de banda que passa apenas uma banda de comprimento de onda predeterminada ou um filtro de interrupção de banda que bloqueia apenas uma faixa de comprimento de onda predeterminada. Em particular, o primeiro e o segundo filtro de cores 337 e 347 podem ser formados empilhando alternadamente camadas de isolamento com índices de refração diferentes um do outro, por exemplo, podem ser formados empilhando alternadamente camadas de isolamento de TiO2 e SiO2. Em particular, o primeiro e o segundo filtro de cores 337 e 347 podem incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR). Uma banda de interrupção do refletor de Bragg distribuído pode ser controlada ajustando as espessuras de TiO2 e SiO2. O filtro de baixa passagem e o filtro passa banda também podem ser formados empilhando alternadamente as camadas de isolamento com índices de refração diferentes um do outro.
[0495] A primeira camada de ligação 365 acopla a segunda pilha de LED 333 à primeira pilha de LED 323. Como mostrado nas figuras, a primeira camada de ligação 365 pode estar em contato com a primeira pilha de LED 323, e pode estar em contato com o primeiro filtro de cor 337. A primeira camada de ligação 365 pode transmitir luz gerada na primeira pilha de LED 323.
[0496] A segunda camada de ligação 375 acopla a terceira pilha de LED 343 à segunda pilha de LED 333. Como ilustrado nas figuras, a primeira camada de ligação 375 pode estar em contato com a segunda pilha de LED 333, e pode estar em contato com o segundo filtro de cor 347. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e uma camada condutora transparente pode ser disposta na segunda pilha de LED 333. A segunda camada de ligação 375 pode transmitir luz gerada na primeira pilha de LED 323 e na segunda pilha de LED 333.
[0497] As camadas de ligação 365 e 375 podem ser formadas formando camadas orgânicas transparentes ou camadas inorgânicas transparentes em cada um dos dois alvos ligados um ao outro e ligando os alvos uns aos outros. Exemplos da camada orgânica podem incluir SU8, poli (metilmetacrilato) (PMMA), poli-imida, parileno, benzociclobuteno (BCB) ou outros, e exemplos da camada inorgânica incluem Al2O3, SiO2, SiNx ou outros. As camadas orgânicas podem ser ligadas a um alto vácuo e a uma alta pressão, e as camadas inorgânicas podem ser ligadas a um alto vácuo quando a energia da superfície é reduzida usando plasma ou semelhante, após aplainar as superfícies por, por exemplo, um processo de polimento químico mecânico. Além disso, a primeira e segunda camadas de ligação 365 e 375 podem ser formadas, por exemplo, por spin-on-glass transmissivo à luz.
[0498] Enquanto isso, um 1-1º conector 359d é adotado para conectar eletricamente a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 323 à camada de aterramento 328. O 1-1º conector 359d pode conectar o primeiro eletrodo ôhmico 325n ao primeiro eletrodo auxiliar 325d ao qual a camada de aterramento 328 está conectada.
[0499] O 1-1º conector 359d pode penetrar através da primeira pilha de LED 323 e ser eletricamente isolado da camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 323 pela camada de isolamento 357. A camada de isolamento 357 pode cobrir pelo menos parcialmente a superfície superior da primeira pilha de
LED 323 e pode cobrir o primeiro eletrodo ôhmico 325n. No entanto, a camada de isolamento 357 pode ter aberturas expondo os primeiros eletrodos auxiliares 325d e aberturas expondo o primeiro eletrodo ôhmico 325n. O 1-1º conector 359d pode ser conectado ao primeiro eletrodo auxiliar 325d e ao primeiro contato ôhmico 325n através das aberturas da camada de isolamento 357.
[0500] Embora o 1-1º conector 359d seja descrito como penetrando através da primeira pilha de LED 323, em algumas modalidades exemplificativas, o 1-1º conector 359d pode ser formado em uma superfície lateral da primeira pilha de LED 323.
[0501] Enquanto isso, um 1-2º conector 359b e um 1-3º conector 359c podem penetrar através da primeira pilha de LED 323 e ser conectados aos primeiros eletrodos auxiliares 325d. O 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c são isolados da primeira pilha de LED 323. Como tal, a camada de isolamento 357 pode ser interposta entre a primeira pilha de LED 323 e o 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c.
[0502] Enquanto isso, um 2-1º conector 369d é disposto para conectar eletricamente a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 333 ao pad de eletrodo 353d. O 2-1º conector 369d pode ser conectado à superfície superior da segunda pilha de LED 333, e penetrar através da segunda pilha de LED 333. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e o 2-1º 369d pode ser formado em uma superfície lateral da segunda pilha de LED 333. Enquanto isso, como ilustrado na figura, o 2-1º conector 369d pode ser conectado ao 1-1º conector 359d para ser eletricamente conectado ao pad de eletrodo 353d. Além disso, o 2-1º conector 369d pode ser empilhado no 1-1º conector 359d na direção vertical.
[0503] A camada de isolamento 367 pode ser interposta entre a segunda pilha de LED 333 e o 2-1º conector 369d, a fim de impedir que o 2-1º conector 369d fique em curto-circuito para a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 333 e o segundo eletrodo transparente 335. A camada de isolamento 367 pode cobrir a superfície superior da segunda pilha de LED 333, mas pode ter aberturas para permitir a conexão do 2-1º conector 369d.
[0504] Um 2-2º conector 369b está disposto para conectar eletricamente o segundo eletrodo transparente 335 ao pad de eletrodo 353b. O 2-2º conector 369b é eletricamente conectado à camada semicondutora tipo p da segunda pilha de LED 333 através do segundo eletrodo transparente 335. Como ilustrado na figura, o 2-2º conector 369b pode penetrar através da segunda pilha de LED 333. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e o 2-2º conector 369b pode ser formado em uma superfície lateral da segunda pilha de LED 333. A camada de isolamento 367 é interposta entre o 2-2º conector 369b e a segunda pilha de LED 333 para evitar que o 2-2º conector 369b fique em curto-circuito na superfície superior da segunda pilha de LED 333.
[0505] Além disso, um 2-3º conector 369c pode ser disposto para penetrar através da segunda pilha de LED 333. O 2-3º conector 369c pode ser conectado eletricamente ao pad de eletrodo 353c e pode ser conectado, por exemplo, ao 1-3º conector 359c. O 2-3º conector 369c é isolado da segunda pilha de LED 333. Como tal, a camada de isolamento 367 pode ser interposta entre a segunda pilha de LED 333 e o 2-3º conector 369c.
[0506] O 2-3º conector 369c pode funcionar como um conector intermediário e pode ser omitido em algumas modalidades exemplificativas.
[0507] Enquanto isso, um 3-1º conector 379d é disposto para conectar eletricamente a superfície superior da terceira pilha de LED 343 ao pad de eletrodo 353d. O 3-1º conector 379d pode ser conectado à superfície superior, ou seja, a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 343 e penetrar através da terceira pilha de LED 343. Como ilustrado na figura, o 3-1º conector 379d pode ser conectado ao 2-1º conector 369d para ser eletricamente conectado ao pad de eletrodos 353d.
[0508] Enquanto isso, a camada de isolamento 377 pode ser interposta entre a terceira pilha de LED 343 e o 3-1º conector 379d, a fim de evitar que o 3-1º conector 379d fique em curto- circuito na superfície inferior da terceira pilha de LED 343 A camada de isolamento 377 pode cobrir a superfície superior da terceira pilha de LED 343, mas pode ter aberturas que expõem a superfície superior da terceira pilha de LED 343, a fim de permitir a conexão do 3-1º conector 379d.
[0509] Um conector 3-2º 379c está disposto para conectar eletricamente o terceiro eletrodo transparente 345 ao pad de eletrodo 353c. O 3-2º conector 379c é eletricamente conectado à superfície inferior da terceira pilha de LED 343 através do terceiro eletrodo transparente 345. Como ilustrado na figura, o 3-2º conector 379c pode penetrar através da terceira pilha de LED 343. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e o 3-2º conector 379c pode ser formado em uma superfície lateral da terceira pilha de LED 343. A camada de isolamento 377 é interposta entre o 3-2º conector 379c e a terceira pilha de LED 343 para impedir que o 3-2º conector 379c fique em curto-circuito na superfície superior da terceira pilha de LED 343.
[0510] Como ilustrado na figura, o 3-2º conector 379c pode ser conectado ao 2-3º conector 369c para ser eletricamente conectado ao pad de eletrodo 353c. Nesse caso, o 2-3º conector 369c e o 1-3º conector 359c podem funcionar como conectores intermediários. Além disso, como ilustrado na figura, o 3-2º conector 379c pode ser empilhado no 2-3º conector 369c na direção vertical. Como tal, o 1-3º conector 359c, o 2-3º conector 369c e o 3-2º conector 379c são eletricamente conectados um ao outro e são empilhados na direção vertical. O 1-1º conector 359d, o 2-1º conector 369d e o 3-1º conector 379d também podem ser empilhados na direção vertical.
[0511] Os conectores podem ser dispostos ao longo de um caminho de luz e absorver luz. Quando os conectores são dispostos para serem afastados um do outro em uma direção transversal, uma área através da qual a luz é emitida pode ser diminuída para aumentar a perda de luz. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que os conectores são empilhados na direção vertical, a perda de luz gerada na primeira pilha de LED 323 e na segunda pilha de LED 333 pelos conectores pode ser suprimida.
[0512] Em algumas modalidades exemplificativas, uma camada refletora de luz ou uma camada de material de bloqueio de luz cobrindo as superfícies laterais da primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 podem ser formadas para evitar interferência óptica entre os pixels, o que pode ocorrer quando a luz é emitida através das superfícies laterais da primeira pilha de LED 323, a segunda pilha de LED 333 e a terceira pilha de LED 343. Por exemplo, a camada refletora da luz pode incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR) ou uma camada de isolamento formada de SiO2 ou semelhante, com uma camada de metal refletor ou uma camada orgânica altamente refletora depositada na mesma. Como outro exemplo, um epóxi preto pode ser usado como a camada de bloqueio da luz. Desta maneira, um material de bloqueio de luz pode impedir a interferência óptica entre dispositivos emissores de luz para aumentar o contraste de uma imagem.
[0513] De acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, a primeira pilha de LED 323 é eletricamente conectada aos pads de eletrodo 353d e 353a, a segunda pilha de LED 333 é eletricamente conectada aos pads de eletrodos 353d e 353b e a terceira pilha de LED 343 é eletricamente conectada aos pads de eletrodos 353d e 353c. Como tal, os catodos da primeira pilha de LED 323, da segunda pilha de LED 333 e da terceira pilha de LED 343 são eletricamente conectados em comum do pad de eletrodos 353d e dos anodos da primeira pilha de LED 323, da segunda pilha de LED 333 e a terceira pilha de LED 343 é eletricamente conectada aos diferentes pads de eletrodos 353a, 353b e 353c, respectivamente. Dessa maneira, a primeira, a segunda e a terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 podem ser acionáveis independentemente. Além disso, as primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 são dispostas em um substrato de transistor de filme fino 351 e são eletricamente conectadas a circuitos no substrato 351, de modo a serem acionados de uma maneira ativa da matriz.
[0514] A FIG. 60 é um diagrama esquemático de circuito de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0515] Referindo à FIG. 60, um circuito de acionamento de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui dois ou mais transistores Tr1 e Tr2 e capacitores. Quando uma fonte de alimentação é conectada às linhas de seleção Vrow1 a Vrow3 e voltagens de dados são aplicada às linhas de dados Vdata1 a Vdata3, as voltagens são aplicadas aos diodos emissores de luz correspondentes. Além disso, as cargas elétricas são carregadas nos capacitores correspondentes dependendo dos valores de Vdata1 a Vdata3. Como um estado de ativação de Tr2 pode ser mantido por uma voltagem de carga do capacitor, uma voltagem do capacitor pode ser mantida mesmo que a energia fornecida ao Vrow1 esteja bloqueada e uma voltagem possa ser aplicada aos diodos emissores de luz LED1 a LED3. Além disso, correntes que fluem para o LED1 ao LED3 podem ser alteradas dependendo dos de valores de Vdata1 a Vdata3. A corrente pode ser continuamente fornecida através de Vdd e, portanto, é possível a emissão contínua de luz.
[0516] Os transistores Tr1 e Tr2 e capacitores podem ser formados no capacitor 351. LED1 a LED3 podem corresponder às primeira, segunda e terceira pilhas 323, 333 e 343 empilhadas em um pixel. Os anodos da primeira, segunda e terceira pilha de LED são conectados ao transistor Tr2, e os catodos da primeira, segunda e terceira pilha de LED são aterrados. Na modalidade exemplificativa ilustrada, as primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 podem ser conectadas em comum à camada de aterramento 328 para serem aterradas. Além disso, a camada de aterramento 328 pode ser disposta continuamente em dois ou mais pixels e, além disso, em todos os pixels, e pode ser conectada em comum a todas as pilhas de LED no dispositivo de exibição. A camada de aterramento 328 pode ser disposta entre os pixels e o substrato para remover o ruído de um circuito de acionamento de matriz ativo.
[0517] Embora a FIG. 61A mostre um circuito de acionamento de um dispositivo de exibição de modo ativo da matriz, os conceitos inventivos não são limitados a este e vários outros circuitos podem ser usados.
[0518] As FIGS. 61A, 61B, 62A, 62B, 63A, 63B, 64A, 64B, 65A, 65B, 66A, 66B, 67A, 67B, 68A, 68B, 69A, 69B, 70A, 70B, 71A, 71B, 72A, 72B, 73A, 73B, 74A, 74B, 75A, e 75B são vistas esquemáticas planas e vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de um dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa da presente divulgação. Nas figuras, cada vista plana corresponde a uma vista plana da FIG. 59A, e cada vista em seção transversal é uma vista que corresponde à uma seção transversal tomada ao longo da A-B de uma vista plana correspondente.
[0519] Referindo às FIGS. 61A e 61B, a primeira pilha de LED 323 é crescida em um primeiro substrato 321. O primeiro substrato 321 pode ser, por exemplo, um substrato GaAs. A primeira pilha de LED 323 pode ser formada por camadas de semicondutores baseadas em AlGaInP , e inclui uma camada de semicondutores do tipo n, uma camada ativa e uma camada de semicondutores do tipo p.
[0520] A camada de isolamento 326 com aberturas 326a é formada na primeira pilha de LED 323, e a camada de contato ôhmico 325a e a camada refletora 325b são formadas, de modo que o primeiro eletrodo refletor 325 seja formado. O primeiro eletrodo refletor 325 é formado em cada região de pixel e é conectado eletricamente à camada à camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 323. A camada em contato ôhmico 325a pode ser formada nas aberturas da camada de isolamento 326 por uma tecnologia de remoção a laser ou semelhante.
[0521] A camada refletora 325b é formada na camada de isolamento 326 e cobre a camada de contato ôhmico 325a. A camada refletora 325b pode ser formada em regiões, exceto por três porções de canto em cada região de pixel. A camada refletora 325b pode ser formada por uma tecnologia de remoção ou semelhante. Quando a camada refletora 325b inclui um material de contato ôhmico, a camada de contato ôhmico 325a pode ser omitida em algumas modalidades exemplificativas.
[0522] Os primeiros eletrodos auxiliares 325d são formados em conjunto com a camada refletora 325b na camada de isolamento
326. Os primeiros eletrodos auxiliares 325d podem ser formados em conjunto com a camada refletora 325b usando substancialmente o mesmo material que o da camada refletora 325b pela tecnologia de remoção ou semelhante. Os primeiros eletrodos auxiliares 325d podem ser dispostos nas proximidades de três cantos de cada região de pixel.
[0523] Referindo às FIGS. 62A e 62B, a camada de isolamento 327 é formada na camada refletora 325b e nos primeiros eletrodos auxiliares 325d. A camada de isolamento 327 tem aberturas que expõem a camada refletora 325b e os primeiros eletrodos auxiliares 325d. As aberturas da camada de isolamento 327 podem ter substancialmente uma forma retangular, como ilustrado nas figuras. No entanto, a forma das aberturas da camada de isolamento 327 não está limitada a esta e pode ter outra forma em algumas modalidades exemplificativas.
[0524] Referindo às FIGS. 63A e 63B, a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d são formados na camada de isolamento 327. A camada de aterramento 328 pode cobrir a maior parte da região de pixel e pode ser conectada a um dos primeiros eletrodos auxiliares 325d. Um dos segundos eletrodos auxiliares 328d pode ser conectado ao primeiro eletrodo refletor 325 e os segundos eletrodos auxiliares restantes 328d podem ser dispostos nos primeiros eletrodos auxiliares 325d, respectivamente. Em algumas modalidades exemplificativas, os primeiros eletrodos auxiliares 325d e os segundos eletrodos auxiliares 328d podem ser omitidos.
[0525] A primeira camada de aterramento 328 pode ser formada em cada região de pixel. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e a camada de aterramento 328 pode ser formada continuamente em uma pluralidade de regiões de pixel.
[0526] Referindo às FIGS. 64A e 64B, a camada de isolamento 329 pode ser formada na camada de aterramento 328 e nos segundos eletrodos auxiliares 328d. A camada de isolamento 329 tem aberturas que expõem a camada de aterramento 328 e o segundo eletrodo auxiliar 328d.
[0527] As camadas de isolamento 326, 327 e 328 descritas acima podem ser formadas de um material eletricamente isolante, por exemplo, um óxido de silício ou um nitreto de silício.
[0528] Então, os pads de impacto 330a, 330b, 330c, e 330d são formados. Os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são dispostos na camada de aterramento 328 e no segundo eletrodo auxiliar 328d, respectivamente, através das aberturas da camada de isolamento 329. Os pads de impacto 330a, 330b e 330c, e o pad de impacto 330d podem ser formadas em cada região de pixel. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e o pad de impacto 330d pode ser formado em algumas regiões de pixel ou em apenas uma região de pixel.
[0529] Referindo à FIG. 65A, a segunda pilha de LED 333 é crescida em um segundo substrato 331, e o segundo eletrodo transparente 335 e o primeiro filtro de cor 337 são formados na segunda pilha de LED 333. A segunda pilha de LED 333 pode ser formada por camadas de semicondutores à base de nitreto de gálio, e inclui uma camada de poço GaInN. O segundo substrato 331 é um substrato no qual uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio pode ser cultivada e pode ser diferente do primeiro substrato 321. Uma proporção de composição de GaInN pode ser determinada de modo que a segunda pilha de LED 333 possa emitir luz verde, por exemplo. Enquanto isso, o segundo eletrodo transparente 335 está em contato ôhmico com a segunda camada semicondutora do tipo p.
[0530] Além disso, com referência à FIG. 65B, a terceira pilha de LED 343 é crescida em um terceiro substrato 341 e o terceiro eletrodo transparente 345 e o segundo filtro de cor 347 são formados na terceira pilha de LED 343. A terceira pilha de LED 343 pode ser formada por camadas de semicondutores à base de nitreto de gálio, e inclui uma camada de poço GaInN. O terceiro substrato 341 é um substrato no qual uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio pode ser cultivada e pode ser diferente do primeiro substrato 321. Uma proporção de composição de GaInN pode ser determinada de modo que a terceira pilha de LED 343 possa emitir luz azul, por exemplo. Enquanto isso, o terceiro eletrodo transparente 345 está em contato ôhmico com a segunda camada semicondutora do tipo p.
[0531] O primeiro filtro de cor 337 e o segundo filtro de cor 347 são substancialmente os mesmos que os descritos com referência às FIGS. 59A e 59B, e, portanto, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas para evitar redundância.
[0532] Referindo às FIGS. 66A e 66B, os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d são formados no substrato 351. O substrato 351 pode ser um substrato de Si no qual são formados transistores de filme fino. Os pads de eletrodo 353a, 353b, 353c e 353d podem ser distribuídos e dispostos em quatro regiões de canto, de modo a corresponder a uma região de pixel. O pad de eletrodo 353d pode ser formado em cada região de pixel. No entanto, em algumas modalidades exemplificativas, o pad de eletrodo 353d pode ser formada em apenas algumas regiões de pixel ou em apenas uma região de pixel.
[0533] A primeira pilha de LED 323, a segunda pilha de LED 333, a terceira pilha de LED 343 e os pads de eletrodo 353a, 353b, 353c e 353d são formados em substratos diferentes, respectivamente, a ordem de formação da primeira pilha de LED 323, a segunda pilha de LED 333, a terceira pilha de LED 343 e os pads de eletrodos 353a, 353b, 353c e 353d não são particularmente limitados.
[0534] Referindo às FIGS. 67A e 67B, os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são ligadas ao substrato 351, de modo que a primeira pilha de LED 323 seja acoplada ao substrato 351. O preenchimento insuficiente 355 pode preencher um espaço entre o substrato 351 e a primeira pilha de LED 323. Em algumas modalidades exemplificativas, um filme condutor anisotrópico (ACF) pode ser disposto entre os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d e o substrato 351, em vez do enchimento insuficiente
355.
[0535] O primeiro substrato 321 é removido da primeira pilha de LED 323 por tecnologia de gravação química ou semelhante. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 323 é exposta na superfície superior. Uma superfície rugosa pode ser formada em uma superfície da camada semicondutora do tipo n exposta por texturização de superfície, a fim de melhorar a eficiência da extração da luz.
[0536] Referindo às FIGS. 68A e 68B, o primeiro eletrodo ôhmico 325n pode ser formado na primeira pilha de LED exposta
323. O primeiro eletrodo ôhmico 325n pode ser formado em cada região de pixel.
[0537] Então, a primeira pilha de LED 323 é padronizada, de modo que aberturas que expõem os primeiros eletrodos auxiliares 325d sejam formadas. Quando a primeira pilha de LED 323 é padronizada, as primeiras pilhas de LED 323 podem ser separadas uma da outra para cada região de pixel.
[0538] Referindo às FIGS. 69A e 69B, a camada de isolamento 357 é formada para cobrir as superfícies laterais da primeira pilha de LED 323 nas aberturas. A camada de isolamento 357 também pode cobrir pelo menos parcialmente as superfícies superiores da primeira pilha de LED 323. A camada de isolamento 357 é formada para expor os primeiros eletrodos auxiliares 325d e o primeiro eletrodo ôhmico 325n.
[0539] Então, os conectores 359b, 359c e 359d, cada um conectado aos primeiros eletrodos auxiliares expostos 325d, são formados. O 1-1º conector 359d está conectado ao primeiro eletrodo ôhmico 325n e ao primeiro eletrodo auxiliar 325d ao qual a camada de aterramento 328 está conectada. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 323 é eletricamente conectada à camada de aterramento 328.
[0540] O 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c são isolados da primeira pilha de LED 323 pela camada de isolamento
357. O 1-2º conector 359b é eletricamente conectado ao pad de eletrodo 353b, e o 1-3º conector 359c é eletricamente conectado ao pad de eletrodo 353c.
[0541] Referindo às FIGS. 70A e 70B, a segunda pilha de LED 333 da FIG. 65A é acoplada à primeira pilha de LED 323, na qual os 1-1º, 1-2º e 1-3º conectores 359d, 359b e 359c são formados,
através da primeira camada de ligação 365. O primeiro filtro de cor 337 é disposto para facear a primeira pilha de LED 323 e é ligado à primeira camada de ligação 365. A primeira camada de ligação 365 pode ser previamente disposta previamente na primeira pilha de LED 323, e o primeiro filtro de cor 337 pode ser disposto para facear a primeira camada de ligação 365 e ser ligado à primeira camada de ligação 365. Alternativamente, as camadas de material de ligação são formadas na primeira pilha de LED 323 e no primeiro filtro de cor 337, respectivamente, e são ligadas umas às outras, de modo que a segunda pilha de LED 333 possa ser acoplada à primeira pilha de LED 323. Enquanto isso, o segundo substrato 331 pode ser separado da segunda pilha de LED 333 por uma técnica, como uma remoção a laser, uma remoção química ou outras. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 333 é exposta. A camada semicondutora do tipo n exposta pode ser texturizada na superfície por gravação química ou semelhante. No entanto, em algumas modalidades exemplificativas, a texturização da superfície para a segunda pilha de LED 333 pode ser omitida.
[0542] Referindo às FIGS. 71A e 71B, a segunda pilha de LED 333 é padronizada, de modo que o segundo eletrodo transparente 335 é exposto, o segundo eletrodo transparente exposto 335 é parcialmente gravado e o primeiro filtro de cor 337 e a primeira camada de ligação 365 são gravados, de modo que uma abertura expondo o 1-1º conector 359d é formada. Além disso, aberturas expondo o 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c podem ser formadas juntas através da penetração através da segunda pilha de LED 333, o segundo eletrodo transparente 335, o primeiro filtro de cor 337 e a primeira camada de ligação 365. Além disso, as segundas pilhas de LED 333 podem ser separadas uma da outra para cada região de pixel.
[0543] Referindo às FIGS. 72A e 72B, a camada de isolamento 367 que cobre as superfícies laterais das aberturas expostas é formada. A camada de isolamento 367 também pode cobrir a superfície superior da segunda pilha de LED 333. No entanto, a camada de isolamento 367 expõe o segundo eletrodo transparente 335 e também expõe o 1-1º conector 359d, o 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c. Além disso, a camada de isolamento 367 expõe parcialmente a superfície superior da segunda pilha de LED
333.
[0544] Então, o 2-1º conector 369d, o 2-2º conector 369b e o 2-3º conector 369c são formados nas aberturas. O 2-1º conector 369d conecta eletricamente a superfície superior exposta da segunda pilha de LED 333 ao 1-1º conector 359d. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 333 é eletricamente conectada à camada de aterramento 328. O 2-1º conector 369d é eletricamente isolado da camada semicondutora de tipo p da segunda pilha de LED 333 e a segunda camada de eletrodo transparente 35 pela camada de isolamento 367.
[0545] O 2-2º conector 369b conecta eletricamente o segundo eletrodo transparente 335 e o 1-2º conector 359b um ao outro e é isolado da superfície superior da segunda pilha de LED 333 pela camada de isolamento 367. O segundo eletrodo transparente 335 é eletricamente conectado ao pad de eletrodo 353b através do conector 2-2º 369b, do conector 1-2º 359b, do pad de impacto 330b e semelhantes. Como tal, a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 333 é eletricamente conectada ao pad de eletrodo 353b, e a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 333 é eletricamente conectada ao pad de eletrodo 353d.
[0546] O 2-3º conector 369 está conectado ao 1-3º conector 359c e é isolado da segunda pilha de LED 333 e do segundo eletrodo transparente 335 pela camada de isolamento 367.
[0547] Referindo às FIGS. 73A e 73B, a terceira pilha de LED 343 da FIG. 65B é acoplada à segunda pilha de LED 333, na qual os 2-1º, 2-2º e 2-3º conectores 369d, 369b e 369c são formados, através da segunda camada de ligação 375. O segundo filtro de cor 347 pode ser disposto para facear a segunda pilha de LED 333 e ligado à terceira camada de ligação 375. A segunda camada de ligação 375 pode ser previamente disposta na segunda pilha de LED 333, e o segundo filtro de cor 347 pode ser disposto para facear a segunda camada de ligação 375 e ser ligado à segunda camada de ligação 375. Alternativamente, as camadas de material de ligação são formadas na segunda pilha de LED 333 e no segundo filtro de cor 347, respectivamente, e são ligadas uma à outra, de modo que a terceira pilha de LED 343 possa ser ligada à segunda pilha de LED 333. Enquanto isso, o terceiro substrato 341 pode ser separado da terceira pilha de LED 343 por uma técnica, como uma remoção a laser, uma remoção química ou outras. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 343 é exposta. A camada semicondutora do tipo n exposta pode ser texturizada na superfície por gravação química ou semelhante.
[0548] Referindo às FIGS. 74A e 74B, a terceira pilha de LED 343 é padronizada, de modo que o terceiro eletrodo transparente 345 seja exposto, o terceiro eletrodo transparente exposto 345 seja parcialmente gravado e o segundo filtro de cor 347 e a segunda camada de ligação 375 sejam gravados, de modo que um uma abertura expondo o 2-1º conector 369d seja formada. Além disso, uma abertura expondo o 2-3º conector 369c é formada pela penetração através da terceira pilha de LED 343, o terceiro eletrodo transparente 345, o segundo filtro de cor 347 e a segunda camada de ligação 375.
[0549] Referindo às FIGS. 75A e 75B, a camada de isolamento 377 que cobre as superfícies laterais das aberturas expostas é formada. No entanto, a camada de isolamento 377 expõe o terceiro eletrodo transparente 345 e também expõe o 2-1º conector 369d e o 2-3º conector 369c. Além disso, a camada de isolamento 377 pode cobrir a superfície superior da pilha de LED 343, mas expor parcialmente a superfície superior da pilha de LED 343.
[0550] Então, o 3-1º conector 379d e o 3-2º conector 379c são formados nas aberturas. O 3-1º conector 379d conecta a superfície superior, por exemplo, a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 343 ao 2-1º conector 369d. Como tal, a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 343 é eletricamente conectada à camada de aterramento 328.
[0551] O 3-2º conector 379b conecta eletricamente o terceiro eletrodo transparente 345 e o 2-3º conector 369c um ao outro e é isolado da superfície superior da terceira pilha de LED 343 pela camada de isolamento 377. O terceiro eletrodo transparente 345 é conectado eletricamente ao pad de eletrodo 353c através do 3-2º conector 379c, do 2-3º conector 369c, do 2-3º conector 359c, do 1-3º conector 359c, do pad de impacto 330c e semelhantes.
[0552] De acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, os catodos da primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 são eletricamente conectados em comum à camada de aterramento 328 e ao pad de eletrodo 353d e aos anodos da primeira, segunda, e as terceiras pilhas de LED 323, 333 e 343 são conectadas independentemente aos pads de eletrodos 353a, 353b e 353c, respectivamente, são fornecidas em um pixel.
[0553] Embora as FIGS. 61A a 75B mostrem um método de fabricação de um pixel unitário, de acordo com uma modalidade exemplificativa, uma pluralidade de pixels unitários pode ser disposta em uma forma de matriz no substrato 351, e uma unidade de exibição pode ser formada de maneira substancialmente semelhante. As primeira, segunda e terceira pilhas de LED 323, 333 e 343 são dispostas para serem separadas umas das outras nos substratos 321, 331 e 341, de modo a corresponder aos pixels unitários. No entanto, a camada de aterramento 328 pode ser disposta continuamente em uma pluralidade de regiões de pixel. Dessa maneira, uma vez que uma pluralidade de pixels é formada no nível de wafer, os pixels com um tamanho pequeno podem não precisar ser montados individualmente.
[0554] Além disso, uma camada refletora de luz ou uma camada de material de bloqueio de luz que cobre as superfícies laterais dos pixels podem ser adicionalmente formadas para impedir a interferência óptica entre os pixels. Por exemplo, a camada refletora da luz pode incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR) ou uma camada de isolamento formada de SiO2 , ou semelhante, com uma camada de metal refletor ou uma camada orgânica altamente refletora depositada na mesma. Por exemplo, uma epóxi preto pode ser usado como a camada de bloqueio, o que pode impedir a interferência óptica entre os dispositivos emissores de luz e aumentar o contraste de uma imagem.
[0555] As FIGS. 76A e 76B são, respectivamente, vistas planas esquemáticas e vistas em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0556] Referindo às FIGS. 76A e 76B, o dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é diferente do dispositivo de exibição descrito acima, na qual a camada refletora 325b, os primeiros eletrodos auxiliares 325d e a camada de isolamento 327 são omitidos e a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d são formados na camada de contato ôhmico 325a e na camada de isolamento 326.
[0557] A camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d podem ser formados substancialmente do mesmo material que o da camada refletora 325b. Como tal, a camada de aterramento 328 e os segundos eletrodos auxiliares 328d podem servir como a camada refletora 325b. Para este fim, a camada de contato ôhmico 325 pode ser formada apenas em uma região abaixo de um dos eletrodos auxiliares 328d.
[0558] A camada de isolamento 329 e os pads de impacto 330a, 330b, 330c e 330d são formados na camada de aterramento 328 e nos segundos eletrodos auxiliares 328d, como descrito com referência às FIGS. 64A e 64B, e os processos subsequentes podem ser realizados substancialmente da mesma maneira descrita acima. No entanto, uma vez que a camada refletora 325b e os primeiros eletrodos auxiliares 325d são omitidos, o 1-1º conector 359d é diretamente conectado à camada de aterramento 328, e o 1-2º conector 359b e o 1-3º conector 359c são conectados aos segundos eletrodos auxiliares 328d, respectivamente.
[0559] As FIGS. 77A e 77B são, respectivamente, vistas planas esquemáticas e vistas em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0560] Referindo às FIGS. 77A e 77B, o dispositivo de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente o mesmo que o dispositivo de exibição das FIGS. 76A e 76B, em que a camada refletora 325b e os primeiros eletrodos auxiliares 325d são omitidos. No entanto, o dispositivo de exibição, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, é diferente, pois as camadas de contato ôhmico 25a estão dispostas em uma pluralidade de regiões e uma forma de um dos segundos eletrodos auxiliares 328d é alterada de modo que um dos segundos eletrodos auxiliares 328d se conecte eletricamente as camadas de contato ôhmico 25a entre si.
[0561] A FIG. 78 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[0562] Referindo à FIG. 78, o dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente semelhante ao dispositivo de exibição descrito com referência às FIGS. 59A e 59B, exceto que inclui ainda uma camada de guia de luz 381 disposta acima da terceira pilha de LED 343.
[0563] A camada de guia de luz pode 381 pode cobrir a terceira pilha de LED 343 e a camada de isolamento 377. A camada guia de luz 381 pode guiar a luz emitida através de uma superfície da terceira pilha de LED 343 para evitar interferência óptica entre os pixels. A camada de guia de luz 381 pode incluir uma camada de material com um índice de refração diferente daquele da terceira pilha de LED 343 e da camada de isolamento 377.
[0564] A FIG. 79 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[0565] Referindo à FIG. 79, o dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente semelhante ao dispositivo de exibição descrito com referência à
FIG. 78, exceto que a camada de guia de luz 391 inclui um orifício de guia de luz 391h para guiar a luz. A camada de guia de luz 391 pode ser formada por um material refletor de luz ou um material absorvente de luz. Como tal, a camada guia de luz 391 pode refletir ou absorver e bloquear a luz que viaja em direção a uma região de pixel adjacente para impedir a interferência óptica entre os pixels. Exemplos do material de reflexão da luz podem incluir um material de reflexão da luz, como um resistor de solda fotossensível branco (PSR), e exemplos do material de absorção da luz podem incluir um epóxi preto ou outros. Além disso, uma superfície rugosa R é formada na superfície superior da terceira pilha de LED 343.
[0566] As FIGS. 80A, 80B, 80C e 80D são vistas esquemáticas em seção transversal de um dispositivo de exibição, de acordo com modalidades exemplificativas.
[0567] Referindo à FIG. 80A, o dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente semelhante ao dispositivo de exibição descrito com referência à FIG. 79, exceto que o orifício 391h da camada de guia de luz 391 é preenchido com um material transparente 393. O material transparente 393 tem um índice de refração diferente daquele da camada guia de luz 391. Como tal, a reflexão total interna pode ocorrer em uma interface entre o material transparente 393 e a camada guia de luz 391, de modo que a luz emitida para o exterior possa ser guiada.
[0568] O orifício é formado na camada de guia de luz 391, a camada de guia de luz 391 é coberta com o material transparente 393 e o material transparente
[0569] 393 é achatado por polimento mecânico químico até que a camada de guia de luz 391 seja exposta, de modo que o orifício da camada de guia de luz 391 possa ser preenchida com o material transparente 393.
[0570] Uma superfície superior do material transparente 393 pode ser paralela à superfície superior da camada guia de luz 391, mas pode ter uma superfície convexa que se projeta para cima em comparação com a superfície superior da camada guia de luz 391, como mostrado na FIG. 80B, ou pode ter uma superfície côncava que é pressionada para baixo em comparação com a superfície superior da camada de guia de luz 391, como mostrado na FIG. 80C. Quando a superfície superior do material transparente 393 tem uma superfície convexa, a luz pode ser concentrada para melhorar a iluminação e, quando a superfície superior do material transparente 393 tem uma superfície côncava, um ângulo de direção da luz pode ser aumentado. Uma forma da superfície superior do material transparente 393 pode ser ajustada através de uma velocidade de polimento de um processo de polimento mecânico químico, por exemplo.
[0571] Além disso, embora as paredes internas do orifício da camada de guia de luz 391 sejam descritas como sendo inclinadas, em algumas modalidades exemplificativas, as paredes internas do orifício da camada de guia de luz 391 podem ser várias modificadas, como sendo verticalmente formadas, como ilustrado na FIG. 80D.
[0572] A FIG. 81 é uma vista esquemática em seção transversal que ilustra um dispositivo de exibição de acordo ainda com outra modalidade exemplificativa.
[0573] Referindo à FIG. 81, o dispositivo de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente semelhante ao dispositivo de exibição descrito com referência às
FIGS. 80A, 80B, 80C e 80D, exceto que inclui ainda uma micro lente 395.
[0574] Uma superfície superior da micro lente 395 pode ter uma forma de lente convexa, mas os conceitos inventivos não estão limitados a esta. A micro lente 395 está disposta em cada região de pixel e reduz um ângulo de visão da luz emitida para impedir a interferência óptica entre os pixels.
[0575] A micro lente 395 pode ser formada por um processo de fotolitografia e pode ser formada, por exemplo, por poli-imida, silicone ou outros. Uma largura da micro lente 395 pode ser de cerca de 200 micrômetros ou menos, mais especificamente, 100 micrômetros ou menos.
[0576] Embora certas modalidades e implementações exemplificativas tenham sido descritas aqui, outras modalidades e modificações serão evidentes a partir desta descrição. Por conseguinte, os conceitos inventivos não se limitam a essas modalidades, mas ao escopo mais amplo das reivindicações anexas e a várias modificações óbvias e arranjos equivalentes, como seria evidente para um especialista na técnica.

Claims (25)

REIVINDICAÇÕES [EMENDADAS]
1. Estrutura empilhada emissora de luz caracterizada por compreender uma pluralidade de subunidades epitaxiais dispostas uma sobre a outra, cada subunidade epitaxial configurada para emitir luz colorida tendo uma faixa de comprimento de onda diferente uma da outra; um eletrodo comum disposto entre e conectado às subunidades epitaxiais adjacentes; e uma peça de contato disposta nas subunidades epitaxiais para aplicar uma voltagem comum e sinais emissores de luz, a peça de contato compreendendo: uma peça de contato comum para aplicar a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais; e uma primeira peça de contato, uma segunda peça de contato e uma terceira peça de contato para aplicar os sinais emissores de luz às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente , em que as regiões emissoras de luz das subunidades epitaxiais se sobrepõem, em que as subunidades epitaxiais compreendem uma primeira pilha epitaxial, uma segunda pilha epitaxial e uma terceira pilha epitaxial dispostas sequencialmente uma sobre a outra, e em que cada uma das primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais compreende uma camada semicondutora do tipo p, uma camada ativa camada e uma camada semicondutora do tipo n .
2. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por o eletrodo comum compreender um eletrodo compartilhado disposto entre um dentre i) a primeira pilha epitaxial e a segunda pilha epitaxial e ii) a segunda pilha epitaxial e a terceira pilha epitaxial.
3. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por compreender ainda: uma primeira linha de sinal, uma segunda linha de sinal e uma terceira linha de sinal para aplicar os sinais emissores de luz às primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente; e uma linha comum que aplica a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, em que a primeira, a segunda e a terceira linhas de sinal são conectadas às primeira, segunda e terceira peças de contato, respectivamente, e a linha comum é conectada à peça de contato comum.
4. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizada por a primeira, a segunda e a terceira linhas de sinal se estenderem em uma primeira direção e a linha comum se estender em uma segunda direção que cruza a primeira direção.
5 Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por: a peça de contato comum compreender um primeiro eletrodo de contato comum, um segundo eletrodo de contato comum e um terceiro eletrodo de contato comum para aplicar a voltagem comum à primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, respectivamente; e o segundo e terceiro eletrodos de contato comum compreender o eletrodo compartilhado.
6. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por uma sequência empilhada da camada semicondutora do tipo n, da camada ativa e da camada semicondutora do tipo p na segunda pilha epitaxial ser diferente daquela em pelo menos uma das a primeira e terceira pilhas epitaxiais.
7. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizada por o eletrodo compartilhado entrar em contato direto com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha epitaxial e a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha epitaxial.
8. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por: na segunda pilha epitaxial, a camada semicondutora do tipo p, a camada ativa e a camada semicondutora do tipo n serem empilhadas sequencialmente e na terceira pilha epitaxial, a camada semicondutora do tipo n, a camada ativa e a camada p- camada semicondutora do tipo serem empilhadas sequencialmente.
9. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizada por o eletrodo compartilhado entrar em contato direto com a camada semicondutora de tipo n da segunda pilha epitaxial e a camada semicondutora de tipo n da terceira pilha epitaxial.
10. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 5, caracterizada por compreender ainda um filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre o segundo eletrodo de contato comum e o terceiro eletrodo de contato comum.
11. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 10 , caracterizada por o segundo e o terceiro eletrodos de contato comuns serem conectados entre si através de um orifício de contato fornecido no filtro de passagem de comprimento de onda.
12. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 5, caracterizada por o primeiro eletrodo de contato comum ser disposto sob a primeira pilha epitaxial.
13. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizada por compreender ainda uma camada de isolamento que cobre a primeira, segunda e terceira pilhas epitaxiais, em que o primeiro eletrodo de contato comum é conectado aos segundo e terceiro eletrodos de contato comuns através de um orifício de contato formado na camada de isolamento.
14. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por as faixas de energia emitidas pelas subunidades epitaxiais aumentarem de uma subunidade epitaxial mais baixa para uma subunidade epitaxial mais alta.
15. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por as subunidades epitaxiais serem independentemente acionáveis.
16. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por a luz emitida de uma subunidade epitaxial inferior ser configurada para transmitir através de uma subunidade epitaxial superior.
17. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 16, caracterizada por uma das subunidades epitaxiais estar configurada para transmitir pelo menos cerca de 80% da luz emitida a partir de uma subunidade epitaxial inferior.
18. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizada por as subunidades epitaxiais compreenderem: uma primeira pilha epitaxial disposta em um substrato e configurada para emitir uma primeira luz colorida; uma segunda pilha epitaxial disposta na primeira pilha epitaxial e configurada para emitir uma segunda luz colorida com uma faixa de comprimento de onda diferente da primeira luz colorida; e uma terceira pilha epitaxial disposta na segunda pilha epitaxial e configurada para emitir uma terceira luz colorida com uma faixa de comprimento de onda diferente da primeira e da segunda luzes coloridas.
19. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 18, caracterizada por a primeira luz colorida, a segunda luz colorida e a terceira luz colorida serem luz vermelha, luz verde e luz azul, respectivamente.
20. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 19, caracterizada por compreender ainda um primeiro filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a primeira pilha epitaxial e a segunda pilha epitaxial.
21. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 20, caracterizada por compreender ainda um segundo filtro de passagem de comprimento de onda disposto entre a segunda pilha epitaxial e a terceira pilha epitaxial.
22. Estrutura empilhada emissora de luz, de acordo com a reivindicação 21, caracterizada por pelo menos uma das primeira a terceira pilhas epitaxiais terem um padrão côncavo-convexo formado em uma superfície superior da mesma.
23. Dispositivo de exibição caracterizado por compreender uma pluralidade de pixels, pelo menos um dos pixels compreende uma estrutura empilhada emissora de luz que compreende uma pluralidade de subunidades epitaxiais dispostas uma sobre a outra, cada subunidade epitaxial configurada para emitir luz colorida com faixa de comprimento de onda diferente de uma para a outra; e um eletrodo comum disposto entre e conectado às subunidades epitaxiais adjacentes, em que as regiões emissoras de luz das subunidades epitaxiais se sobrepõem.
24. Dispositivo de exibição, de acordo com a reivindicação 23, caracterizado por o dispositivo de exibição ser acionado de maneira matriz passiva.
25. Dispositivo de exibição, de acordo com a reivindicação 23, caracterizado por o dispositivo de exibição ser acionado de uma maneira matriz ativa.
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Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10886327B2 (en) * 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
CN208141792U (zh) 2018-05-28 2018-11-23 北京京东方技术开发有限公司 移位寄存器单元、电路结构、驱动电路及显示装置
US11508876B2 (en) * 2018-12-31 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and display device having the same
CN113424550A (zh) * 2019-01-09 2021-09-21 杜比实验室特许公司 具有环境光补偿的显示器管理
US11211528B2 (en) * 2019-03-13 2021-12-28 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device for display and display apparatus having the same
GB2600045B (en) * 2019-06-28 2023-12-20 Massachusetts Inst Technology Integrated structure for an optoelectronic device and method of fabricating the same
CN110211950B (zh) * 2019-07-04 2024-04-30 深圳市思坦科技有限公司 一种发光器件、发光器件的制备方法及显示装置
EP4012765A4 (en) * 2019-08-07 2023-09-06 Seoul Viosys Co., Ltd DISPLAY PANELS WITH ORGANIC LIGHT EMITTING DIODES AND DISPLAY DEVICES THEREOF
JP7360272B2 (ja) * 2019-08-19 2023-10-12 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN110634443B (zh) * 2019-09-24 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 发光元件保护电路及发光元件保护电路的驱动方法
US11810944B2 (en) 2019-10-23 2023-11-07 Seoul Viosys Co., Ltd. LED display apparatus
BR112022007494A2 (pt) * 2019-10-23 2022-07-12 Seoul Viosys Co Ltd Aparelho de exibição
US11658275B2 (en) * 2019-10-28 2023-05-23 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device for display and LED display apparatus having the same
JP2023501269A (ja) * 2019-10-28 2023-01-18 ソウル バイオシス カンパニー リミテッド ディスプレイ用発光素子及びそれを有するｌｅｄディスプレイ装置
KR102364498B1 (ko) * 2019-12-11 2022-02-17 주식회사 썬다이오드코리아 수직으로 적층되고 공통 전극을 가지는 마이크로 디스플레이의 화소
TWI717978B (zh) * 2020-01-20 2021-02-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置及顯示裝置的製造方法
CN115836341A (zh) * 2020-06-03 2023-03-21 上海显耀显示科技有限公司 用于具有竖向发光的多色led像素单元的系统和方法
TWI777887B (zh) * 2020-08-19 2022-09-11 友達光電股份有限公司 元件基板及其製造方法
US11646300B2 (en) * 2020-09-01 2023-05-09 Jade Bird Display (shanghai) Limited Double color micro LED display panel
CN112736169A (zh) * 2021-03-30 2021-04-30 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及显示装置
KR20220140059A (ko) * 2021-04-08 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
EP4086964A1 (en) * 2021-05-06 2022-11-09 Sundiode Korea Pixel of micro display having vertically stacked sub-pixels and common electrode
JP2023032326A (ja) * 2021-08-26 2023-03-09 沖電気工業株式会社 発光装置、半導体構造体、薄膜層製造方法及び発光装置製造方法
KR20230041905A (ko) * 2021-09-17 2023-03-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN114497112B (zh) * 2022-03-30 2022-07-15 季华实验室 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板
KR102668393B1 (ko) * 2022-08-10 2024-05-24 엘지전자 주식회사 디스플레이 화소용 반도체 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
WO2024129215A1 (en) * 2022-12-15 2024-06-20 Lumileds Llc Microled and microlens assembly
CN117352625B (zh) * 2023-12-04 2024-02-20 镭昱光电科技(苏州)有限公司 MicroLED微显示芯片及制备方法

Family Cites Families (211)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0710003B2 (ja) 1988-03-11 1995-02-01 信越半導体株式会社 混色発光半導体素子
JP3259931B2 (ja) 1992-04-17 2002-02-25 シャープ株式会社 半導体発光素子および半導体表示装置
JPH07254732A (ja) 1994-03-15 1995-10-03 Toshiba Corp 半導体発光装置
JPH07263752A (ja) * 1994-03-18 1995-10-13 Sony Corp 半導体カラー発光素子
JP3620877B2 (ja) 1994-09-16 2005-02-16 豊田合成株式会社 ３族窒化物半導体平面発光素子
FR2726126A1 (fr) 1994-10-24 1996-04-26 Mitsubishi Electric Corp Procede de fabrication de dispositifs a diodes electroluminescentes a lumiere visible
JPH08213657A (ja) 1994-10-24 1996-08-20 Mitsubishi Electric Corp 可視光ｌｅｄ装置，及びその製造方法
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
JPH08274376A (ja) 1995-03-15 1996-10-18 Texas Instr Inc <Ti> シリコンに格子整合したｉｉｉ−ｖ化合物半導体エミッター
US5583349A (en) 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display
US5583350A (en) 1995-11-02 1996-12-10 Motorola Full color light emitting diode display assembly
JP3724035B2 (ja) * 1996-01-11 2005-12-07 ソニー株式会社 発光素子装置の製造方法
US6046543A (en) 1996-12-23 2000-04-04 The Trustees Of Princeton University High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
KR100298205B1 (ko) 1998-05-21 2001-08-07 오길록 고집적삼색발광소자및그제조방법
US6459100B1 (en) 1998-09-16 2002-10-01 Cree, Inc. Vertical geometry ingan LED
US6853411B2 (en) 2001-02-20 2005-02-08 Eastman Kodak Company Light-producing high aperture ratio display having aligned tiles
JP3643328B2 (ja) 2001-08-21 2005-04-27 ファナック株式会社 ２次元ｌｄアレイ発光装置
TW522534B (en) 2001-09-11 2003-03-01 Hsiu-Hen Chang Light source of full color LED using die bonding and packaging technology
US6888305B2 (en) 2001-11-06 2005-05-03 Universal Display Corporation Encapsulation structure that acts as a multilayer mirror
CN100392873C (zh) 2001-12-07 2008-06-04 张修恒 叠置晶片全彩色发光二极管的封装结构及方法
JP2003197968A (ja) 2001-12-18 2003-07-11 Shuko Cho 透明導電層及び反射層で直接結合されたチップの積み重ねによるフルカラー発光ダイオード光源のパッケージ構造
TW523942B (en) 2002-03-05 2003-03-11 Hsiu-Hen Chang package socket and package legs structure for LED and manufacturing of the same
AU2003252359A1 (en) 2002-08-01 2004-02-23 Nichia Corporation Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing same and light-emitting apparatus using same
US6717358B1 (en) 2002-10-09 2004-04-06 Eastman Kodak Company Cascaded organic electroluminescent devices with improved voltage stability
EP1482566A3 (en) 2003-05-28 2004-12-08 Chang Hsiu Hen Light emitting diode electrode structure and full color light emitting diode formed by overlap cascaded die bonding
JP4699681B2 (ja) 2003-06-27 2011-06-15 パナソニック株式会社 Ｌｅｄモジュール、および照明装置
JP2005072323A (ja) 2003-08-26 2005-03-17 Oki Data Corp 半導体装置
CN1275337C (zh) 2003-09-17 2006-09-13 北京工大智源科技发展有限公司 高效高亮度多有源区隧道再生白光发光二极管
JP2005190768A (ja) 2003-12-25 2005-07-14 Toyota Industries Corp 照明装置
JP4608637B2 (ja) 2004-02-09 2011-01-12 株式会社豊田自動織機 フルカラーｏｌｅｄバックライトを有する半透過型ディスプレイ
ES2380972T3 (es) 2004-03-26 2012-05-22 Rohm Co., Ltd. Elemento orgánico emisor de luz
US7528810B2 (en) 2004-05-25 2009-05-05 Victor Company Of Japan, Limited Display with multiple emission layers
US7271420B2 (en) 2004-07-07 2007-09-18 Cao Group, Inc. Monolitholic LED chip to emit multiple colors
US20070170444A1 (en) 2004-07-07 2007-07-26 Cao Group, Inc. Integrated LED Chip to Emit Multiple Colors and Method of Manufacturing the Same
US20080128728A1 (en) 2004-09-10 2008-06-05 Luminus Devices, Inc. Polarized light-emitting devices and methods
EP1815534B1 (en) 2004-11-19 2011-08-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Composite LED modules
KR100665120B1 (ko) 2005-02-28 2007-01-09 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자
CN101142518A (zh) 2005-03-18 2008-03-12 富士通株式会社 显示装置及其制造方法
JP5417598B2 (ja) * 2005-03-25 2014-02-19 国立大学法人富山大学 多機能有機ダイオードマトリクスパネル
JP4636501B2 (ja) 2005-05-12 2011-02-23 株式会社沖データ 半導体装置、プリントヘッド及び画像形成装置
KR100691177B1 (ko) 2005-05-31 2007-03-09 삼성전기주식회사 백색 발광소자
JP4802556B2 (ja) 2005-06-06 2011-10-26 ソニー株式会社 チップ状電子部品の製造方法
KR100672535B1 (ko) 2005-07-25 2007-01-24 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
JP4869661B2 (ja) 2005-08-23 2012-02-08 株式会社Ｊｖｃケンウッド 表示装置
JP2007095844A (ja) 2005-09-27 2007-04-12 Oki Data Corp 半導体発光複合装置
CN101263610B (zh) 2005-09-30 2013-03-13 首尔Opto仪器股份有限公司 具有竖直堆叠发光二极管的发光器件
JP2007114278A (ja) 2005-10-18 2007-05-10 Fuji Xerox Co Ltd 光アドレス型空間光変調素子の駆動方法、および光アドレス型空間光変調素子駆動装置
TWI371987B (en) 2006-01-18 2012-09-01 Lg Chemical Ltd Oled having stacked organic light-emitting units
US7737451B2 (en) 2006-02-23 2010-06-15 Cree, Inc. High efficiency LED with tunnel junction layer
US20070222922A1 (en) 2006-03-22 2007-09-27 Eastman Kodak Company Graded contrast enhancing layer for use in displays
JP2007305909A (ja) * 2006-05-15 2007-11-22 Kyocera Corp 窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法及び発光素子の製造方法
US7808013B2 (en) 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
JP5030742B2 (ja) 2006-11-30 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR20080054626A (ko) 2006-12-13 2008-06-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
JP2010517274A (ja) 2007-01-22 2010-05-20 クリー レッド ライティング ソリューションズ、インコーポレイテッド 外部で相互接続された発光素子のアレイを用いる照明デバイスとその製造方法
JP2010525555A (ja) 2007-03-08 2010-07-22 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 発光素子のアレイ
JP2008263127A (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Toshiba Corp Ｌｅｄ装置
US20080308819A1 (en) 2007-06-15 2008-12-18 Tpo Displays Corp. Light-Emitting Diode Arrays and Methods of Manufacture
US7687812B2 (en) 2007-06-15 2010-03-30 Tpo Displays Corp. Light-emitting diode arrays and methods of manufacture
US9136498B2 (en) 2007-06-27 2015-09-15 Qd Vision, Inc. Apparatus and method for modulating photon output of a quantum dot light emitting device
DE102007030129A1 (de) 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
US8058663B2 (en) * 2007-09-26 2011-11-15 Iii-N Technology, Inc. Micro-emitter array based full-color micro-display
US7623560B2 (en) * 2007-09-27 2009-11-24 Ostendo Technologies, Inc. Quantum photonic imagers and methods of fabrication thereof
US8022421B2 (en) 2007-11-06 2011-09-20 Industrial Technology Institute Light emitting module having LED pixels and method of forming the same
CN100580965C (zh) * 2007-12-12 2010-01-13 厦门市三安光电科技有限公司 一种基于复合式低阻缓冲结构的薄膜led芯片器件及其制造方法
US7732803B2 (en) 2008-05-01 2010-06-08 Bridgelux, Inc. Light emitting device having stacked multiple LEDS
KR100937866B1 (ko) 2008-05-15 2010-01-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치
KR101458958B1 (ko) 2008-06-10 2014-11-13 삼성전자주식회사 반도체 칩, 반도체 패키지 및 반도체 칩의 제조 방법
JP2009302201A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
DE102008030584A1 (de) 2008-06-27 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes und optoelektronisches Bauelement
KR101332794B1 (ko) 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
US8519424B2 (en) 2008-08-19 2013-08-27 Plextronics, Inc. User configurable mosaic light emitting apparatus
TW201014452A (en) 2008-08-19 2010-04-01 Plextronics Inc Organic light emitting diode lighting devices
JP5097057B2 (ja) 2008-08-29 2012-12-12 株式会社沖データ 表示装置
JP4555880B2 (ja) 2008-09-04 2010-10-06 株式会社沖データ 積層半導体発光装置及び画像形成装置
JP5024247B2 (ja) 2008-09-12 2012-09-12 日立電線株式会社 発光素子
US7977872B2 (en) 2008-09-16 2011-07-12 Global Oled Technology Llc High-color-temperature tandem white OLED
TW201017863A (en) 2008-10-03 2010-05-01 Versitech Ltd Semiconductor color-tunable broadband light sources and full-color microdisplays
WO2010056083A2 (ko) 2008-11-14 2010-05-20 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US8466542B2 (en) 2009-03-13 2013-06-18 Tessera, Inc. Stacked microelectronic assemblies having vias extending through bond pads
US8946204B2 (en) 2009-05-07 2015-02-03 Gruenenthal Gmbh Substituted phenylureas and phenylamides as vanilloid receptor ligands
KR101077789B1 (ko) 2009-08-07 2011-10-28 한국과학기술원 Ｌｅｄ 디스플레이 제조 방법 및 이에 의하여 제조된 ｌｅｄ 디스플레이
EP2504675A4 (en) 2009-11-24 2016-08-17 Univ Florida METHOD AND APPARATUS FOR DETECTING INFRARED RADIATION
US8642363B2 (en) 2009-12-09 2014-02-04 Nano And Advanced Materials Institute Limited Monolithic full-color LED micro-display on an active matrix panel manufactured using flip-chip technology
US9236532B2 (en) 2009-12-14 2016-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode having electrode pads
JP5443286B2 (ja) 2009-12-24 2014-03-19 スタンレー電気株式会社 フェイスアップ型光半導体装置
KR101631652B1 (ko) 2009-12-29 2016-06-20 삼성전자주식회사 광민감성 투명 산화물 반도체 재료를 이용한 이미지 센서
JP2011159671A (ja) 2010-01-29 2011-08-18 Oki Data Corp 半導体発光装置および画像表示装置
US20110204376A1 (en) 2010-02-23 2011-08-25 Applied Materials, Inc. Growth of multi-junction led film stacks with multi-chambered epitaxy system
EP2366753B1 (en) 2010-03-02 2015-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-Emitting Element and Lighting Device
US8866131B2 (en) 2010-04-02 2014-10-21 Hitachi, Ltd. Organic light-emitting device and light source apparatus using same
KR101252032B1 (ko) 2010-07-08 2013-04-10 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
US9178107B2 (en) 2010-08-03 2015-11-03 Industrial Technology Research Institute Wafer-level light emitting diode structure, light emitting diode chip, and method for forming the same
JP5333382B2 (ja) 2010-08-27 2013-11-06 豊田合成株式会社 発光素子
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8163581B1 (en) 2010-10-13 2012-04-24 Monolith IC 3D Semiconductor and optoelectronic devices
US8283215B2 (en) 2010-10-13 2012-10-09 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic devices
US9941319B2 (en) 2010-10-13 2018-04-10 Monolithic 3D Inc. Semiconductor and optoelectronic methods and devices
KR20120040011A (ko) 2010-10-18 2012-04-26 한국전자통신연구원 발광 다이오드
JP5777879B2 (ja) 2010-12-27 2015-09-09 ローム株式会社 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ
CN102593303A (zh) 2011-01-05 2012-07-18 晶元光电股份有限公司 具有栓塞的发光元件
US20120236532A1 (en) 2011-03-14 2012-09-20 Koo Won-Hoe Led engine for illumination
JP5854419B2 (ja) 2011-03-18 2016-02-09 国立大学法人山口大学 多波長発光素子及びその製造方法
FR2964498A1 (fr) 2011-03-21 2012-03-09 Soitec Silicon On Insulator Empilement de led de couleur
WO2012128188A1 (en) 2011-03-23 2012-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
JP5095840B2 (ja) 2011-04-26 2012-12-12 株式会社東芝 半導体発光素子
CN103518422B (zh) * 2011-04-27 2016-04-06 吉坤日矿日石能源株式会社 有机el元件用的光取出透明基板及使用其的有机el元件
TW201248945A (en) 2011-05-31 2012-12-01 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode device and method for manufacturing the same
US8884316B2 (en) 2011-06-17 2014-11-11 Universal Display Corporation Non-common capping layer on an organic device
JP2013070030A (ja) 2011-09-06 2013-04-18 Sony Corp 撮像素子、電子機器、並びに、情報処理装置
KR101902392B1 (ko) 2011-10-26 2018-10-01 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
CN103107288B (zh) * 2011-11-10 2016-02-03 乐金显示有限公司 白光有机发光器件和使用白光有机发光器件的显示装置
DE102011056888A1 (de) 2011-12-22 2013-06-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Anzeigevorrichtung
CN102593290B (zh) 2012-01-18 2014-08-13 鄂尔多斯市荣泰光电科技有限责任公司 白光led外延片及其制作工艺以及白光led芯片的制作方法
KR20130104612A (ko) 2012-03-14 2013-09-25 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
US20130264587A1 (en) 2012-04-04 2013-10-10 Phostek, Inc. Stacked led device using oxide bonding
US8835948B2 (en) 2012-04-19 2014-09-16 Phostek, Inc. Stacked LED device with diagonal bonding pads
JP5888096B2 (ja) 2012-04-26 2016-03-16 コニカミノルタ株式会社 表示装置
TW201344955A (zh) 2012-04-27 2013-11-01 Phostek Inc 發光二極體裝置
US9257665B2 (en) 2012-09-14 2016-02-09 Universal Display Corporation Lifetime OLED display
US8946052B2 (en) 2012-09-26 2015-02-03 Sandia Corporation Processes for multi-layer devices utilizing layer transfer
DE102013112602B4 (de) 2012-12-18 2020-11-12 Lg Display Co., Ltd. Weiße organische Lichtemissionsvorrichtung
US20140184062A1 (en) 2012-12-27 2014-07-03 GE Lighting Solutions, LLC Systems and methods for a light emitting diode chip
US20140191243A1 (en) 2013-01-08 2014-07-10 University Of Florida Research Foundation, Inc. Patterned articles and light emitting devices therefrom
US9443833B2 (en) 2013-01-31 2016-09-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Transparent overlapping LED die layers
JP2014175427A (ja) 2013-03-07 2014-09-22 Toshiba Corp 半導体発光素子及びその製造方法
TW201438188A (zh) 2013-03-25 2014-10-01 Miracle Technology Co Ltd 堆疊式發光二極體陣列結構
US9786859B2 (en) 2013-05-17 2017-10-10 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Organic electroluminescent element and lighting device
WO2014185075A1 (ja) 2013-05-17 2014-11-20 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2015012044A (ja) 2013-06-26 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
KR102050461B1 (ko) 2013-06-28 2019-11-29 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
JP2015012244A (ja) 2013-07-01 2015-01-19 株式会社東芝 半導体発光素子
TWI790559B (zh) 2013-08-09 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示模組、照明模組、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
DE102013109451B9 (de) 2013-08-30 2017-07-13 Osram Oled Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
WO2015073286A1 (en) 2013-11-15 2015-05-21 Lockheed Martin Advanced Energy Storage, Llc Methods for determining state of charge and calibrating reference electrodes in a redox flow battery
JP6497647B2 (ja) 2013-12-24 2019-04-10 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
KR101452801B1 (ko) 2014-03-25 2014-10-22 광주과학기술원 발광다이오드 및 이의 제조방법
KR20150121306A (ko) 2014-04-18 2015-10-29 포항공과대학교 산학협력단 질화물 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
KR20150131522A (ko) 2014-05-15 2015-11-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 소자 디스플레이 패널
US9831387B2 (en) * 2014-06-14 2017-11-28 Hiphoton Co., Ltd. Light engine array
JP2016027361A (ja) 2014-07-01 2016-02-18 株式会社リコー エレクトロクロミック表示装置およびその製造方法、駆動方法
GB201413578D0 (en) 2014-07-31 2014-09-17 Infiniled Ltd A colour iled display on silicon
JP6351520B2 (ja) * 2014-08-07 2018-07-04 株式会社東芝 半導体発光素子
JP6413460B2 (ja) 2014-08-08 2018-10-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
KR20160027875A (ko) 2014-08-28 2016-03-10 서울바이오시스 주식회사 발광소자
US9799719B2 (en) 2014-09-25 2017-10-24 X-Celeprint Limited Active-matrix touchscreen
KR101888608B1 (ko) 2014-10-17 2018-09-20 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 조명 장치
US9847051B2 (en) 2014-11-04 2017-12-19 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with minimized subpixel crosstalk
US9698134B2 (en) 2014-11-27 2017-07-04 Sct Technology, Ltd. Method for manufacturing a light emitted diode display
US20160163940A1 (en) 2014-12-05 2016-06-09 Industrial Technology Research Institute Package structure for light emitting device
KR102402260B1 (ko) 2015-01-08 2022-05-27 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
KR102038443B1 (ko) 2015-03-26 2019-10-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR102434778B1 (ko) 2015-03-26 2022-08-23 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
KR101771461B1 (ko) 2015-04-24 2017-08-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
JP6637674B2 (ja) 2015-04-30 2020-01-29 信越化学工業株式会社 プリント配線板、プリント配線板の製造方法、及び半導体装置
CN104952995B (zh) 2015-05-05 2017-08-25 湘能华磊光电股份有限公司 一种iii族半导体发光器件的倒装结构
US20160336482A1 (en) 2015-05-12 2016-11-17 Epistar Corporation Light-emitting device
DE102015108532A1 (de) 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Anzeigevorrichtung mit einer Mehrzahl getrennt voneinander betreibbarer Bildpunkte
DE102015108545A1 (de) 2015-05-29 2016-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
JP2016225221A (ja) 2015-06-02 2016-12-28 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子
JP2017011202A (ja) 2015-06-25 2017-01-12 京セラ株式会社 発光装置
TWI577042B (zh) 2015-07-15 2017-04-01 南臺科技大學 發光二極體晶片及數據發射及接收裝置
CN107924968B (zh) 2015-08-18 2022-08-23 苏州立琻半导体有限公司 发光元件、包括发光元件的发光元件封装和包括发光元件封装的发光装置
KR102415331B1 (ko) 2015-08-26 2022-06-30 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지, 및 이를 포함하는 장치
KR102443035B1 (ko) * 2015-09-02 2022-09-16 삼성전자주식회사 Led 구동 장치 및 그를 포함하는 조명 장치
US10032757B2 (en) * 2015-09-04 2018-07-24 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Projection display system
US10304811B2 (en) * 2015-09-04 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Light-emitting diode display panel with micro lens array
KR102460072B1 (ko) 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102406606B1 (ko) 2015-10-08 2022-06-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치, 및 이의 제조 방법
KR101739851B1 (ko) * 2015-10-30 2017-05-25 주식회사 썬다이오드코리아 파장변환구조체를 포함하는 발광 소자
US10304813B2 (en) 2015-11-05 2019-05-28 Innolux Corporation Display device having a plurality of bank structures
KR102546307B1 (ko) 2015-12-02 2023-06-21 삼성전자주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20170082187A (ko) * 2016-01-05 2017-07-14 삼성전자주식회사 백색 발광장치 및 디스플레이 장치
TWI581455B (zh) 2016-01-29 2017-05-01 友達光電股份有限公司 發光裝置及發光裝置之製造方法
KR102524805B1 (ko) 2016-02-12 2023-04-25 삼성전자주식회사 광원 모듈, 디스플레이 패널 및 이를 구비한 디스플레이 장치
WO2017145026A1 (en) 2016-02-23 2017-08-31 Silanna UV Technologies Pte Ltd Resonant optical cavity light emitting device
KR102328852B1 (ko) 2016-02-24 2021-11-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광소자
WO2017146477A1 (ko) 2016-02-26 2017-08-31 서울반도체주식회사 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
DE102016104280A1 (de) 2016-03-09 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements
KR20170108321A (ko) 2016-03-17 2017-09-27 주식회사 루멘스 발광 다이오드
KR102517336B1 (ko) 2016-03-29 2023-04-04 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 이를 구비한 멀티비전 장치
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
KR102513080B1 (ko) * 2016-04-04 2023-03-24 삼성전자주식회사 Led 광원 모듈 및 디스플레이 장치
CN105789237A (zh) 2016-04-25 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 Led显示模组、显示装置及显示模组的制作方法
KR102567320B1 (ko) * 2016-04-30 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 적용한 유기 발광 표시 장치
JP6683003B2 (ja) 2016-05-11 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法
KR20170129983A (ko) 2016-05-17 2017-11-28 삼성전자주식회사 발광소자 패키지, 이를 이용한 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10388691B2 (en) 2016-05-18 2019-08-20 Globalfoundries Inc. Light emitting diodes (LEDs) with stacked multi-color pixels for displays
CN107437551B (zh) 2016-05-25 2020-03-24 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
EP3297044A1 (en) 2016-09-19 2018-03-21 Nick Shepherd Improved led emitter, led emitter array and method for manufacturing the same
CN106449659B (zh) 2016-11-11 2019-06-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法、显示器
KR102642304B1 (ko) 2016-11-28 2024-02-28 삼성전자주식회사 광전자 소자 및 전자 장치
US11287563B2 (en) 2016-12-01 2022-03-29 Ostendo Technologies, Inc. Polarized light emission from micro-pixel displays and methods of fabrication thereof
US10400958B2 (en) 2016-12-30 2019-09-03 Lumileds Llc Addressable color changeable LED structure
CN106898601A (zh) 2017-02-15 2017-06-27 佛山市国星光电股份有限公司 三角形组合的led线路板、三角形led器件及显示屏
KR20190117706A (ko) 2017-02-24 2019-10-16 메사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지 수직으로 적층된 다색 발광 다이오드(led) 디스플레이를 위한 방법들 및 장치들
CN106848043A (zh) 2017-03-28 2017-06-13 光创空间（深圳）技术有限公司 一种led器件的封装方法及led器件
TWI699496B (zh) 2017-03-31 2020-07-21 億光電子工業股份有限公司 發光裝置和照明模組
TWI613806B (zh) 2017-05-16 2018-02-01 錼創科技股份有限公司 微型發光二極體裝置及顯示面板
KR20190001050A (ko) 2017-06-26 2019-01-04 주식회사 루멘스 칩 적층 구조를 갖는 led 픽셀 소자
KR102503578B1 (ko) 2017-06-30 2023-02-24 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치
TWI672808B (zh) 2017-07-07 2019-09-21 鴻海精密工業股份有限公司 微型led顯示面板及其製備方法
KR102476136B1 (ko) 2017-09-05 2022-12-09 삼성전자주식회사 Led를 이용한 디스플레이 장치
US11282981B2 (en) 2017-11-27 2022-03-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Passivation covered light emitting unit stack
US10892297B2 (en) * 2017-11-27 2021-01-12 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode (LED) stack for a display
KR102509639B1 (ko) 2017-12-12 2023-03-15 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 제조방법
US10886327B2 (en) * 2017-12-14 2021-01-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting stacked structure and display device having the same
US10586829B2 (en) 2018-01-23 2020-03-10 Light Share, LLC Full-color monolithic micro-LED pixels
US11508876B2 (en) * 2018-12-31 2022-11-22 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device package and display device having the same

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CN111525006A (zh) 2020-08-11
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KR20200088822A (ko) 2020-07-23
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CN111213248A (zh) 2020-05-29

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