BR112020010682A2 - unidade de led para display e dispositivo de exibição tendo o mesmo - Google Patents
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- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
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Abstract
UNIDADE DE LED PARA DISPLAY E DISPOSITIVO DE EXIBIÇÃO TENDO O MESMO compreende um chip emissor de luz que inclui uma estrutura emissora de luz, incluindo uma primeira subunidade emissora de luz, uma segunda subunidade emissora de luz e uma terceira subunidade emissora de luz empilhadas verticalmente umas sobre as outras e uma primeira camada de passivação que cobre pelo menos parte da estrutura emissora de luz, na qual a primeira camada de passivação tem uma superfície inferior que expõe a estrutura emissora de luz para permitir que a luz da primeira, segunda e terceira subunidades seja emitida a partir do chip emissor de luz.
Description
UNIDADE DE LED PARA DISPLAY E APARELHO DE EXIBIÇÃO TENDO O MESMO Campo de Aplicação
[001] Implementações exemplificativas da invenção referem-se geralmente a um chip emissor de luz e a uma unidade de célula emissora de luz, incluindo o mesmo e, mais especificamente, a um micro chip emissor de luz, que inclui um micro diodo emissor de luz e uma unidade de célula emissora de luz, incluindo o mesmo.
Fundamentos da Técnica
[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica são amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido a sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta.
[003] Por exemplo, um dispositivo de exibição implementa várias cores usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel do dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, e a cor de um pixel específico é determinada pela cor desses subpixels e uma imagem é implementada por uma combinação desses pixels.
[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um display de micro LED foi desenvolvido como um display de próxima geração capaz de implementar imagens diretamente dos diodos emissores de luz.
[005] Em um display de micro LED, os micro LEDs podem ser dispostos em um plano bidimensional ou podem ser empilhados verticalmente para corresponder a cada pixel. O micro LED geralmente tem um fator de forma de cerca de 10.000 micrômetros quadrados ou menos, na área de superfície, como é conhecido na técnica.
[006] Devido ao pequeno formato de um micro LED, é difícil manusear micro LEDs e, portanto, não é fácil montar micro LEDs em um painel de exibição, especialmente quando milhões ou dezenas de milhões de micro LEDs precisam ser transferidos e montado no painel do display. Além disso, os micro LEDs podem ser danificados por um choque externo e, portanto, podem ocorrer defeitos nos micro LEDs durante o transporte.
[007] Além disso, como os subpixels são organizados em um plano bidimensional na tela, uma área relativamente grande é ocupada por um pixel, incluindo os subpixels típicos das cores azul, verde e vermelho. Como tal, organizar os subpixels dentro de uma área limitada pode exigir a redução da área de cada subpixel, que por sua vez pode deteriorar o brilho dos subpixels devido à redução na área luminosa.
[008] As informações acima divulgadas nesta seção de Fundamentos são apenas para a compreensão dos fundamentos dos conceitos inventivos e, portanto, podem conter informações que não constituem a técnica anterior.
Divulgação O Problema técnico
[009] Os chips emissores de luz e uma unidade de célula emissora de luz, incluindo os mesmos construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção, são capazes de proteger um chip emissor de luz ou um micro diodo emissor de luz de um choque externo.
[010] Diodos emissores de luz e displays usando os diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem um diodo emissor de luz para um display, no qual cada subpixel tem uma área luminosa aumentada alcançada sem aumentar a área de pixel.
[011] Diodos emissores de luz e displays usando diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem ainda um diodo emissor de luz para um display, que permite a fabricação simultânea de uma pluralidade de pixels para evitar a necessidade de montar individualmente os LEDs, como micro LEDs, em um painel de exibição.
[012] Diodos emissores de luz e displays usando diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem uma estrutura de subunidade empilhada verticalmente, na qual a subunidade que emite a luz de comprimento de onda mais longo pode ser disposta na parte superior ou intermediária das outras subunidades, sem o uso de filtros de cores entre elas.
[013] Os diodos emissores de luz construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção e displays usando os mesmos têm subpixels que podem ser acionados independentemente.
[014] Solução técnica
[015] Um chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma estrutura emissora de luz que inclui uma primeira subunidade emissora de luz, uma segunda subunidade emissora de luz e uma terceira subunidade emissora de luz empilhada verticalmente uma sobre a outra e uma primeira camada de passivação cobrir pelo menos parte da estrutura emissora de luz, na qual a primeira camada de passivação tem uma superfície inferior que expõe a estrutura emissora de luz para permitir que a luz da primeira, segunda e terceira subunidades seja emitida a partir do chip emissor de luz.
[016] A primeira camada de passivação pode incluir um material polimérico.
[017] A primeira camada de passivação pode incluir pelo menos uma de poli-imida e EMC (composto de moldagem de epóxi).
[018] A primeira subunidade emissora de luz pode incluir um primeiro eletrodo transparente e uma primeira estrutura de mesa, a primeira estrutura de mesa tendo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo p empilhadas verticalmente umas nas outras, a segunda subunidade emissora de luz pode incluir um segundo eletrodo transparente e uma segunda estrutura de mesa, a segunda estrutura de mesa tendo uma segunda camada semicondutora do tipo p, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo n empilhada verticalmente em cada outro, e a terceira subunidade emissora de luz pode incluir um terceiro eletrodo transparente e uma terceira estrutura de mesa, a terceira estrutura de mesa tendo uma terceira camada semicondutora do tipo p, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do tipo n empilhada verticalmente uma na outra.
[019] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a primeira camada semicondutora de tipo n, um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a segunda camada semicondutora de tipo n, um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a terceira camada semicondutora do tipo n e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente às primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo p.
[020] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a primeira camada semicondutora do tipo p, um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a segunda camada semicondutora do tipo p, um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente com a terceira camada semicondutora do tipo p e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente às primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo n.
[021] A terceira camada semicondutora do tipo n pode ter uma área menor que o terceiro eletrodo transparente e expõe uma porção do terceiro eletrodo transparente, o terceiro eletrodo transparente pode ter uma área menor que a segunda camada semicondutora do tipo n e expõe uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n, a segunda camada semicondutora do tipo n pode ter uma área menor que o segundo eletrodo transparente e expõe uma porção do segundo eletrodo transparente, o segundo eletrodo transparente pode ter uma área menor que o primeiro transparente eletrodo e expõe uma porção do primeiro eletrodo transparente, e o primeiro eletrodo transparente pode ter uma área menor que a primeira camada semicondutora do tipo n e expõe uma porção da primeira camada semicondutora do tipo n.
[022] O terceiro eletrodo transparente exposto pela terceira camada de semicondutores do tipo n pode ser mais fino que o terceiro eletrodo transparente coberto pela terceira camada semicondutora do tipo n, o segundo eletrodo transparente exposto pela segunda camada semicondutora do tipo n pode ser mais fino que o segundo eletrodo transparente coberto pela segunda camada semicondutora do tipo n e o primeiro eletrodo transparente exposto pelo segundo eletrodo transparente pode ser mais fino que o primeiro eletrodo transparente coberto pelo segundo eletrodo transparente.
[023] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor disposto em uma porção da primeira camada semicondutora do tipo n exposta pelo primeiro eletrodo transparente e acoplado eletricamente com a primeira camada semicondutora do tipo n, um segundo padrão condutor disposto na porção do primeiro eletrodo transparente exposta pelo segundo eletrodo transparente e em uma porção do segundo eletrodo transparente exposto pela segunda camada semicondutora do tipo n e acoplado eletricamente aos primeiro e segundo eletrodos transparentes, um terceiro padrão condutor disposto em uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n exposta pelo terceiro eletrodo transparente e acoplada eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo n, um quarto padrão condutor disposto em uma porção do terceiro eletrodo transparente exposto pela terceira camada semicondutora do tipo n e eletricamente acoplado ao terceiro eletrodo transparente e um quinto padrão condutor disposto na terceira camada semicondutora do tipo n e acoplada eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n.
[024] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao primeiro padrão condutor, um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente aos segundo e quarto padrões condutores, um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao terceiro padrão condutor e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao quinto padrão condutor.
[025] A estrutura emissora de luz pode ter uma largura que diminui de uma superfície superior, a primeira camada semicondutora do tipo n pode incluir uma primeira camada semicondutora estendida do tipo n que se estende a partir de uma parede lateral da primeira estrutura da mesa e cada um do primeiro, segundo, terceiro e quarto padrão condutor de filme fino pode se estender de uma superfície superior da terceira subunidade emissora de luz para a primeira camada semicondutora estendida do tipo n, cobrir a primeira camada semicondutora estendida do tipo n e incluir uma porção de conector.
[026] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente à porção de conector do primeiro padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n, um segundo contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplada eletricamente à porção conector do segundo padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n, um terceiro contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplada eletricamente à porção conector do terceiro padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n e um quarto contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplada eletricamente com a porção conector do quarto padrão condutor do filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n.
[027] Cada um dos primeiro, segundo, terceiro e quarto contatos da via pode se sobrepor pelo a menos a uma porção das primeira, segunda e terceira camadas ativas.
[028] O primeiro contato da via pode se sobrepor a pelo menos uma porção do primeiro padrão condutor.
[029] O chip emissor de luz pode ainda incluir uma segunda camada de passivação disposta na primeira camada de passivação e pode incluir quinto, sexto, sétimo e oitavo contatos da via configurados para se comunicar eletricamente com o primeiro, segundo, terceiro e quarto contatos da via, respectivamente.
[030] O chip emissor de luz pode ainda incluir um substrato através da via de silício (TSV) disposta na primeira camada de passivação, o substrato TSV incluindo padrões que correspondem ao primeiro, segundo, terceiro e diante contatos da via, respectivamente.
[031] A estrutura emissora de luz pode ter pelo menos uma estrutura de mesa e a estrutura emissora de luz pode ter pelo menos uma parede lateral tendo uma estrutura escalonada.
[032] A estrutura emissora de luz pode ter uma parede lateral inclinada.
[033] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de cor e uma primeira porção de ligação disposta entre a primeira e a segunda subunidade emissora de luz, e um segundo filtro de cor e uma segunda porção de ligação disposta entre a segunda e a terceira subunidade emissora de luz.
[034] A estrutura emissora de luz pode incluir um micro diodo emissor de luz com uma área de superfície menor que cerca de
10.000 µm quadrados.
[035] A superfície inferior da primeira camada de passivação e uma superfície da primeira subunidade emissora de luz podem ser dispostas substancialmente no mesmo plano.
[036] A primeira subunidade emissora de luz pode ser configurada para emitir uma luz vermelha, verde ou azul, a segunda subunidade emissora de luz pode ser configurada para emitir uma luz diferente da vermelha, verde ou azul da primeira subunidade emissora de luz, e é empilhada acima da primeira subunidade emissora de luz, e a terceira subunidade emissora de luz pode ser configurada para emitir uma luz vermelha, verde ou azul diferente da primeira e da segunda subunidade emissora de luz, e é empilhada acima da segunda subunidade emissora de luz.
[037] Pode não haver filtros coloridos dispostos entre a primeira e a segunda subunidade emissora de luz e entre a segunda e a terceira subunidade emissora de luz.
[038] Uma unidade de célula emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma pluralidade de chips emissores de luz, cada um incluindo uma estrutura emissora de luz, cada estrutura emissora de luz incluindo uma primeira subunidade emissora de luz, uma segunda subunidade emissora de luz e uma terceira subunidade emissora de luz empilhadas verticalmente uma na outra, uma primeira camada de passivação cobrindo pelo menos parte do chip emissor de luz e um pad disposto na primeira camada de passivação e conectado eletricamente a pelo menos uma das primeira, segunda e terceira subunidades emissores de luz, nas quais a primeira camada de passivação tem uma superfície inferior que expõe pelo menos um dos chips emissores de luz e uma distância entre os pads dos chips emissores de luz adjacentes é inferior a uma distância entre os chips emissores de luz adjacentes.
[039] Cada uma das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz pode incluir uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n, cada um dos chips emissores de luz pode incluir ainda um primeiro contato de via da primeira camada de passivação, e acoplado eletricamente com as camadas semicondutoras do tipo p das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz, um segundo contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente com uma camada semicondutora do tipo n da primeira subunidade emissora de luz, um terceiro contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente a uma camada semicondutora do tipo n da segunda subunidade emissora de luz e um quarto contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente a uma camada semicondutora do tipo n da terceira subunidade emissora de luz e a distância entre os pads dos chips emissores adjacentes de luz pode ser menor que uma distância entre os primeiros contatos de via dos chips emissores de luz adjacentes.
[040] A unidade de célula emissora de luz pode ainda incluir uma segunda camada de passivação disposta entre a primeira camada de passivação e o pad, a segunda camada de passivação incluindo quinto, sexto, sétimo e oitavo contatos de via correspondentes aos primeiro, segundo, terceiro e quarto contatos de via, respectivamente.
[041] A unidade de célula emissora de luz pode ainda incluir um substrato de TSV disposto entre a primeira camada de passivação e o pad, o substrato de TSV incluindo padrões condutores correspondentes ao primeiro, segundo, terceiro e quarto contatos de via, respectivamente.
[042] Pelo menos um dos chips emissores de luz pode incluir um diodo emissor de micro luz com uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados.
[043] Um chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma primeira subunidade emissora de luz, uma segunda subunidade emissora de luz disposta na primeira subunidade emissora de luz e uma terceira subunidade emissora de luz disposta na segunda subunidade emissora de luz, na qual cada uma das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz inclui uma camada semicondutora do tipo p e uma camada semicondutora do tipo n empilhadas verticalmente umas sobre as outras e uma das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz possuem uma sequência empilhada das camadas semicondutoras do tipo p e do tipo n diferentes da sequência empilhada das restantes das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz.
[044] O chip emissor de luz pode incluir um chip de micro LEDs com uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados.
[045] A primeira subunidade emissora de luz pode ser configurada para emitir luz com o maior comprimento de onda entre as subunidades emissoras de luz e a terceira subunidade emissora de luz pode ser coberta pelas segunda e terceira subunidades emissoras de luz.
[046] A primeira subunidade emissora de luz pode ser configurada para emitir luz com um comprimento de onda menor que pelo menos uma das outras subunidades emissoras de luz, e pode não haver filtros de cores dispostos entre a primeira e a segunda subunidades emissoras de luz, nem entre a segunda e a terceira subunidades emissoras de luz.
[047] O chip emissor de luz pode ainda incluir um padrão condutor cobrindo uma porção de uma superfície lateral do chip emissor de luz, no qual as camadas semicondutoras de tipo p adjacentes entram em contato com o padrão condutor.
[048] O chip emissor de luz pode ainda incluir uma extensão condutora conectada ao padrão condutor, a extensão condutora tendo uma superfície plana que não se sobrepõe às primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz.
[049] As camadas semicondutoras do tipo p das primeira, segunda e terceira subunidades emissoras de luz podem ser eletricamente conectadas umas às outras, as camadas semicondutoras do tipo n das primeira, segunda e terceira unidades emissoras de luz podem ser isoladas uma da outra, e a luz emitida por cada subunidade emissora de luz é controlável individualmente.
[050] Deve ser entendido que tanto a descrição geral acima como a descrição detalhada a seguir são exemplificativas e explicativas e se destinam a fornecer explicações adicionais da invenção como reivindicada.
Efeitos Vantajosos
[051] Os chips emissores de luz e uma unidade de célula emissora de luz, incluindo os mesmos construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção, são capazes de proteger um chip emissor de luz ou um micro diodo emissor de luz de um choque externo.
[052] Diodos emissores de luz e displays usando os diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem um diodo emissor de luz para um display, no qual cada subpixel tem uma área luminosa aumentada alcançada sem aumentar a área de pixel.
[053] Diodos emissores de luz e displays usando diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem ainda um diodo emissor de luz para um display, que permite a fabricação simultânea de uma pluralidade de pixels para evitar a necessidade de montar individualmente os LEDs, como micro LEDs, em um painel de exibição.
[054] Diodos emissores de luz e displays usando diodos emissores de luz, incluindo, por exemplo, micro LEDs, construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção fornecem uma estrutura de subunidade empilhada verticalmente, na qual a subunidade que emite a luz de comprimento de onda mais longo pode ser disposta na parte superior ou intermediária das outras subunidades, sem o uso de filtros de cores entre elas.
[055] Os diodos emissores de luz construídos de acordo com os princípios e algumas implementações exemplificativas da invenção e displays usando os mesmos têm subpixels que podem ser acionados independentemente.
[056] Recursos adicionais dos conceitos inventivos serão apresentados na descrição a seguir e, em parte, serão evidentes a partir da descrição ou podem ser aprendidos pela prática dos conceitos inventivos.
Descrição das Figuras
[057] Os desenhos anexos, que são incluídos para fornecer uma compreensão adicional da invenção e são incorporados e constituem uma parte desta especificação, ilustram modalidades exemplificativas da invenção e, juntamente com a descrição, servem para explicar os conceitos inventivos.
[058] A FIG. 1A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[059] A FIG. 1B é uma vista em seção transversal esquemática tomada ao longo de uma linha A-A’ da FIG. 1A.
[060] A FIG. 1C é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha B-B’ da FIG. 1A.
[061] A FIG. 2A e a FIG. 2B são vistas em seção transversal da porção C do chip emissor de luz da FIG. 1B de acordo com modalidades exemplificativas.
[062] A FIG. 2C é uma vista em seção transversal da porção D do chip emissor de luz da FIG. 1B de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[063] A FIG. 3A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[064] A FIG. 3B e FIG. 3B são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 3A, respectivamente.
[065] A FIG. 4A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[066] A FIG. 4B e 4C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 4A, respectivamente.
[067] A FIG. 5A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[068] A FIG. 5B e 5C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 5A, respectivamente.
[069] A FIG. 6A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[070] A FIG. 6B e 6C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 6A, respectivamente.
[071] A FIG. 7A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[072] A FIG. 7B e 7C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 7A, respectivamente.
[073] A FIG. 8A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[074] A FIG. 8B e 8C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 8A, respectivamente.
[075] A FIG. 9A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[076] A FIG. 9B e 9C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 9A, respectivamente.
[077] A FIG. 10A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[078] A FIG. 10B e 10C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 10A, respectivamente.
[079] A FIG. 11A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[080] A FIG. 11B e 11C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 11A, respectivamente.
[081] A FIG. 12A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[082] A FIG. 12B e 12C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 12A, respectivamente.
[083] A FIG. 13A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[084] A FIG. 13B e 13C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 13A, respectivamente.
[085] A FIG. 14A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[086] A FIG. 14B e 14C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 14A, respectivamente.
[087] A FIG. 15A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[088] A FIG. 15B e 15C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 15A, respectivamente.
[089] A FIG. 16A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[090] A FIG. 16B e 16C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 16A, respectivamente.
[091] A FIG. 17A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[092] A FIG. 17B e 17C são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ e B-B’ da FIG. 17A, respectivamente.
[093] A FIG. 18A é uma vista plana de uma unidade de célula emissora de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[094] A FIG. 18B é uma vista em seção transversal tomada ao longo de uma linha D-D’ da FIG. 18A.
[095] A FIG. 19 é uma vista esquemática em seção transversal de uma pilha de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[096] As FIGS. 20A, 20B, 20C, 20D e 20E são vistas esquemáticas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de uma pilha de diodos emissores de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[097] A FIG. 21 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[098] A FIG. 22 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[099] A FIG. 23 é uma vista plana ampliada de um pixel do aparelho de exibição da FIG. 22.
[0100] A FIG. 24 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha A-A da FIG. 23.
[0101] A FIG. 25 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha B-B da FIG. 23.
[0102] As FIGS. 26A, 26B, 26C, 26D, 26E, 26F, 26G, 26H, 26I, 26J e 26K são vistas esquemáticas do plano que ilustram um método de fabricação de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0103] A FIG. 27 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0104] A FIG. 28 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0105] A FIG. 29 é uma vista esquemática em seção transversal de uma pilha de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0106] As FIGS. 30A, 30B, 30C, 30D e 30E são vistas esquemáticas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de uma pilha de diodos emissores de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0107] A FIG. 31 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0108] A FIG. 32 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0109] A FIG. 33 é uma vista plana ampliada de um pixel do aparelho de exibição da FIG. 32.
[0110] A FIG. 34 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha A-A da FIG. 33.
[0111] A FIG. 35 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha B-B da FIG. 33.
[0112] As FIGS. 36A, 36B, 36C, 36D, 36E, 36F, 36G, 36H, 36I, 36J e 36K são vistas esquemáticas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0113] A FIG. 37 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0114] A FIG. 38 é uma vista plana esquemática de um pixel de acordo com outra modalidade exemplificativa.
[0115] A FIG. 39 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa da invenção.
[0116] A FIG. 40 é uma vista esquemática em seção transversal de um pixel de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0117] A FIG. 41 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0118] A FIG. 42A e a FIG. 42B são uma vista superior e uma vista inferior de um pixel de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0119] A FIG. 43A é uma vista em seção transversal esquemática tomada ao longo de uma linha A-A da FIG. 42A.
[0120] A FIG. 43B é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha B-B da FIG. 42A.
[0121] A FIG. 43C é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha C-C da FIG. 42A.
[0122] A FIG. 43D é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha D-D da FIG. 42A.
[0123] As FIGS. 44A, 44B, 45A, 45B, 46A, 46B, 47A, 47B, 48A, 48B, 49A, 49B, 50A, 50B, 51A e 51B são vistas planas esquemáticas e vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de um aparelho de exibição de acordo com a uma modalidade exemplificativa.
[0124] A FIG. 52 é uma vista em seção transversal esquemática de um pixel de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0125] A FIG. 53 é uma vista ampliada de um pixel de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0126] A FIG. 54A e a FIG. 54B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas G-G e H-H da FIG. 53.
Modalidades da Invenção
[0127] Na descrição a seguir, para fins de explicação, vários detalhes específicos são apresentados, a fim de fornecer um entendimento completo de várias modalidades ou implementações exemplificativas da invenção. Como usado aqui, "modalidades" e "implementações" são palavras intercambiáveis que são exemplos não limitativos de dispositivos ou métodos que empregam um ou mais dos conceitos inventivos aqui divulgados. É aparente, no entanto, que várias modalidades exemplificativas podem ser praticadas sem esses detalhes específicos ou com um ou mais arranjos equivalentes. Em outros casos, estruturas e dispositivos conhecidos são mostrados na forma de diagrama de blocos para evitar obscurecer desnecessariamente várias modalidades exemplificativas. Além disso, várias modalidades exemplificativas podem ser diferentes, mas não precisam ser exclusivas. Por exemplo, formas, configurações e características específicas de uma modalidade exemplificativa podem ser usadas ou implementadas em outra modalidade exemplificativa sem se afastar dos conceitos inventivos.
[0128] A menos que especificado de outra forma, as modalidades exemplificativas ilustradas devem ser entendidas como fornecendo características exemplificativas de detalhes variados de algumas maneiras pelas quais os conceitos inventivos podem ser implementados na prática. Portanto, a menos que seja especificado de outra forma, os recursos, componentes, módulos, camadas, filmes, painéis, regiões e/ou aspectos, etc. (doravante, individual ou coletivamente referidos como "elementos"), das várias modalidades podem ser combinados de outra forma, separados, intercambiados e/ou reorganizados sem se afastar dos conceitos inventivos.
[0129] O uso de hachura cruzada e/ou sombreamento nos desenhos anexos é geralmente fornecido para esclarecer os limites entre os elementos adjacentes. Como tal, nem a presença nem a ausência de hachura ou sombreamento transmitem ou indicam qualquer preferência ou requisito para materiais, propriedades, dimensões, proporções, semelhanças entre elementos ilustrados e/ou qualquer outra característica, atributo, propriedade, etc.., dos elementos, a menos que especificado. Além disso, nos desenhos anexos, o tamanho e o tamanho relativo dos elementos podem ser exagerados por questões de clareza e/ou descrição. Quando uma modalidade exemplificativa pode ser implementada de maneira diferente, uma ordem de processo específica pode ser realizada de forma diferente da ordem descrita. Por exemplo, dois processos descritos consecutivamente podem ser realizados substancialmente ao mesmo tempo ou executados em uma ordem oposta à ordem descrita. Além disso, números de referência semelhantes indicam elementos semelhantes.
[0130] Quando um elemento como uma ou camada é referido como estando "acima", “conectado a” ou "acoplado a” ou outro elemento ou camada, este pode estar diretamente em, conectado em ou acoplado em outro elemento ou camada ou elementos ou camadas intervenientes podem estar presentes. Quando, no entanto, um elemento ou camada é referido como "diretamente em", "diretamente conectado a" ou "diretamente acoplado a" outro elemento ou camada, não há elementos ou camadas intervenientes presentes. Para esse fim, o termo “conectado” pode se referir a conexões físicas, elétricas e/ou fluidas, com ou sem elementos intervenientes. Além disso, o eixo D1, o eixo D2 e o eixo D3 não estão limitados a três eixos de um sistema de coordenadas retangulares, como eixos x, y e z, e pode ser interpretado em um sentido mais amplo. Por exemplo, o eixo D1, o eixo D2 e o eixo D3 podem ser perpendiculares um ao outro ou podem representar direções diferentes que não são perpendiculares um ao outro. Para os fins desta divulgação, "pelo menos um de X, Y e Z" e "pelo menos um selecionado do grupo que consiste em X, Y e Z" podem ser interpretados como somente X, somente Y, apenas Z, ou qualquer combinação de dois ou mais de X, Y e Z, como, por exemplo, XYZ, XYY, YZ e ZZ. Conforme aqui usado, o termo "e/ou" inclui toda e qualquer combinação de um ou mais dos itens listados associados.
[0131] Embora os termos "primeiro", "segundo" etc. possam ser usados aqui para descrever vários tipos de elementos, esses elementos não devem ser limitados por esses termos. Esses termos são usados para distinguir um elemento de outro elemento. Assim, um primeiro elemento discutido abaixo poderia ser denominado um segundo elemento sem se afastar dos ensinamentos da divulgação.
[0132] Termos espacialmente relativos, como "debaixo", "abaixo", "sob", "inferior", "acima", "superior", "por cima", "acima", "mais elevado", "lateral" (por exemplo, como na "parede lateral"), e semelhantes, podem ser usados aqui para fins descritivos e, assim, para descrever um elemento relacionado a outros elementos, como ilustrado nos desenhos. Os termos espacialmente relativos destinam-se a abranger diferentes orientações de um aparelho em uso, operação e/ou fabricação, além da orientação representada nos desenhos. Por exemplo, se o aparelho nos desenhos for virado, os elementos descritos como "abaixo" ou "debaixo" de outros elementos ou características serão orientados "acima" dos outros elementos ou características. Assim, o termo exemplificativa "abaixo" pode abranger uma orientação acima e abaixo. Além disso, o aparelho pode ser de outra forma orientado (por exemplo, girado 90 graus ou em outras orientações) e, como tal, os descritores espacialmente relativos usados aqui interpretados de acordo.
[0133] A terminologia usada neste documento tem o objetivo de descrever modalidades particulares e não se destina a ser limitativa. Conforme usado neste documento, as formas singulares "um", "uma" e "o/a" também pretendem incluir as formas plurais, a menos que o contexto indique claramente o contrário. Além disso, os termos "compreende", "compreendendo", "inclui" e/ou "incluindo", quando utilizados nesta especificação, especificam a presença de recursos declarados, números inteiros, etapas, operações, elementos, componentes e/ou grupos, mas não exclui a presença ou adição de um ou mais recursos, números inteiros, etapas, operações, elementos, componentes e/ou grupos dos mesmos. Note-se também que, conforme usado neste documento, os termos
"substancialmente", "cerca de" e outros termos semelhantes são usados como termos de aproximação e não como termos de grau e, como tal, são utilizados para contabilizar desvios inerentes em valores medidos, calculados e/ou fornecidos que seriam reconhecidos por um especialista na técnica.
[0134] Várias modalidades exemplificativas são aqui descritas com referência a ilustrações seccionais e/ou explodidas que são ilustrações esquemáticas de modalidades exemplificativas idealizadas e/ou estruturas intermediárias. Como tal, são esperadas variações das formas das ilustrações como resultado, por exemplo, de técnicas de fabricação e/ou tolerâncias. Assim, modalidades exemplificativas divulgadas neste documento não devem necessariamente ser interpretadas como limitadas às formas ilustradas particulares das regiões, mas devem incluir desvios nas formas que resultam, por exemplo, da fabricação. Dessa maneira, as regiões ilustradas nos desenhos podem ser de natureza esquemática e as formas dessas regiões podem não refletir as formas reais das regiões de um dispositivo e, como tal, não se destinam necessariamente a ser limitativas.
[0135] Salvo definido em contrário, todos os termos (incluindo os termos técnicos e os científicos) aqui utilizados possuem os mesmos significados que os comumente entendidos por um técnico especialista no assunto aos quais a presente divulgação é parte. Termos, como aqueles definidos em dicionários comumente usados, devem ser interpretados como tendo um significado consistente com seu significado no contexto da técnica relevante e não devem ser interpretados de maneira ideal ou excessivamente formal a menos que expressamente definido aqui
[0136] A seguir, um chip emissor de luz e uma unidade de célula emissora de luz incluindo o mesmo serão descritos abaixo com referência aos desenhos anexos através de várias modalidades exemplificativas. Como aqui utilizado, um chip de diodos emissores de luz ou um diodo emissor de luz de acordo com modalidades exemplificativas pode incluir um micro LED, que possui uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados, como conhecido na técnica. Em outras modalidades exemplificativas, os micro LEDs podem ter uma área de superfície inferior a cerca de 4.000 µm quadrados, ou inferior a cerca de
2.500 µm quadrados, dependendo da aplicação específica.
[0137] A FIG. 1A é uma vista plana de um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa. A FIG. 1B é uma vista em seção transversal esquemática tomada ao longo de uma linha A-A’ da FIG. 1A, e FIG. 1C é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha B-B’ da FIG. 1A. As FIGS. 2A e 2B são vistas em seção transversal da porção C do chip emissor de luz da FIG. 1B de acordo com modalidades exemplificativas, e a FIG. 2C é uma vista em seção transversal da porção D do chip emissor de luz da FIG. 1B de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0138] Referindo às FIGS. 1A a 1C, um chip emissor de luz pode incluir uma estrutura emissora de luz incluindo uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3 empilhadas verticalmente entre si e uma primeira camada de passivação PVT1 que cobre a superfície superior e lateral da estrutura emissora de luz.
[0139] A superfície inferior da estrutura emissora de luz pode ser uma superfície emissora de luz. A superfície emissora de luz pode ser a superfície inferior da primeira peça emissora de luz LE1. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a superfície inferior da primeira camada de passivação PVT1 pode ser coplanar com a superfície inferior da primeira peça emissora de luz LE1. Como tal, a superfície emissora de luz e a superfície inferior da primeira camada de passivação PVT1 podem ser coplanares entre si. A primeira camada de passivação PVT1 pode ter uma superfície superior posicionada em um nível mais alto do que a superfície superior da estrutura emissora de luz. A primeira camada de passivação PVT1 pode ser disposta para cobrir a superfície lateral da estrutura emissora de luz. Como tal, a superfície superior e lateral da estrutura emissora de luz, exceto a superfície inferior (por exemplo, a superfície emissora de luz), pode ser substancial ou completamente protegida pela primeira camada de passivação PVT1. Assim, é possível impedir que a estrutura emissora de luz se quebre ou seja danificada por um choque externo, que será descrito em mais detalhes posteriormente.
[0140] De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando a superfície emissora de luz da estrutura emissora de luz é a superfície inferior da primeira peça emissora de luz LE1, o comprimento de onda da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser o mais curto, o comprimento de onda da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior que o comprimento de onda da primeira peça emissora de luz LE1 e ser menor que o comprimento de onda da terceira peça emissora de luz LE3, e o comprimento de onda da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o maior. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha. Além disso, de acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma área maior que a segunda peça emissora de luz LE2 e a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma área maior que a terceira peça emissora de luz LE3. Quando as partes emissoras de luz LE1, LE2 e LE3 são implementadas como micro LEDs, elas podem ser empilhadas em diferentes ordens de cores sem afetar adversamente a operação, mesmo que não sejam usados filtros de cores. Por exemplo, a peça emissora de luz que emite luz azul não precisa ser organizada na parte inferior da pilha adjacente, mesmo que nenhum filtro de cor seja usado devido ao pequeno fator de forma dos micro LEDs.
[0141] A estrutura emissora de luz pode ser implementada como uma estrutura de mesa. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a estrutura emissora de luz pode ter uma pluralidade de paredes laterais escalonadas. Referindo às FIG. 1B, por exemplo, cada uma das paredes laterais escalonadas pode ter uma superfície lateral inclinada, no entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a ela. Por exemplo, cada uma das paredes laterais escalonadas pode ter uma superfície lateral geralmente vertical, como mostrado na FIG. 2A, ou o chip emissor de luz pode ter uma parede lateral geralmente vertical, como mostrado na FIG. 2B.
[0142] A estrutura emissora de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de cor 112 e uma primeira porção de ligação 114 entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Por exemplo, o primeiro filtro de cor 112, a primeira porção de ligação 114 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser empilhados sequencialmente na primeira peça emissora de luz LE1. Como outro exemplo, a primeira porção de ligação 114, o primeiro filtro de cor 112 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser empilhados sequencialmente na primeira peça emissora de luz LE1.
[0143] A estrutura emissora de luz pode ainda incluir um segundo filtro de cor 132 e uma segunda porção de ligação 134 entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, o segundo filtro de cor 132, a segunda porção de ligação 134 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser empilhados sequencialmente na segunda peça emissora de luz LE2. Como outro exemplo, a segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser empilhados sequencialmente na segunda peça emissora de luz LE2.
[0144] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira estrutura de mesa MS1, incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104 e uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e um primeiro eletrodo transparente 108. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira camada semicondutora do tipo n 102 pode incluir uma primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E que se estende a partir da parede lateral da primeira estrutura da mesa MS1. A primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E pode ser mais fina que a primeira camada semicondutora do tipo n 102 na primeira estrutura da mesa MS1. A primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E pode ter substancialmente uma forma quadrangular em uma vista plana.
[0145] O primeiro eletrodo transparente 108 pode ser disposto na primeira estrutura da mesa MS1. O primeiro eletrodo transparente 108 pode ter substancialmente uma forma quadrangular com um corte de canto em uma vista plana. Por exemplo, o canto que é cortado no primeiro eletrodo transparente 108 pode ser aquele posicionado em uma primeira área AR1. A porção cortada no canto do primeiro eletrodo transparente 108 pode ter uma parede lateral geralmente em forma de V, que é dobrada para dentro em uma vista plana, como mostrado na FIG. 1A. A primeira estrutura de mesa MS1, que é disposta sob o primeiro eletrodo transparente 108, pode ter substancialmente a mesma estrutura que o primeiro eletrodo transparente 108 em uma vista plana. Como tal, a primeira estrutura de mesa MS1 também pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular com um corte de canto. A porção de corte de canto da primeira estrutura de mesa MS1 pode ter uma parede lateral geralmente em forma de V, que é dobrada para dentro em uma vista plana, como mostrado na FIG. 1A.
[0146] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada uma da primeira estrutura da mesa MS1 e do primeiro eletrodo transparente 108 pode ter uma parede lateral inclinada, e a parede lateral da primeira estrutura da mesa MS1 e a parede lateral do primeiro eletrodo transparente 108 podem ser dispostas no mesmo plano. Neste caso, a primeira camada semicondutora do tipo n 102 da primeira estrutura da mesa MS1 pode ter uma área maior que a primeira camada ativa 104, a primeira camada ativa 104 pode ter uma área maior que a primeira camada semicondutora do tipo p 106, e a primeira camada semicondutora do tipo p 106 pode ter uma área maior que o primeiro eletrodo transparente 108. De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 2A, cada uma da primeira estrutura da mesa MS1 e do primeiro eletrodo transparente 108 pode ter uma parede lateral geralmente vertical, e a parede lateral da primeira estrutura da mesa MS1 e a parede lateral do primeiro eletrodo transparente 108 podem ser dispostas no mesmo plano. Neste caso, a primeira estrutura da mesa MS1 e o primeiro eletrodo transparente 108 podem ter substancialmente a mesma área.
[0147] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o chip emissor de luz pode incluir adicionalmente um primeiro padrão condutor 150 exposto pelas porções de canto cortadas do primeiro eletrodo transparente 108 e pela primeira estrutura de mesa MS1 na primeira área AR1. O primeiro padrão condutor 150 pode ser eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E e disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. Quando visto de cima, o primeiro padrão condutor 150 pode ter uma forma correspondente ao canto cortado do primeiro eletrodo transparente 108. Como mostrado na Fig. 1A, o primeiro padrão condutor 150 pode incluir uma parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo convexo em direção ao centro do primeiro eletrodo transparente 108.
[0148] O primeiro filtro de cor 112, a primeira porção de ligação 114 e um segundo eletrodo transparente 122 podem ser empilhados sequencialmente no primeiro eletrodo transparente 108. O primeiro filtro de cor 112 pode passar seletivamente a luz gerada a partir da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3, e pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 para impedir que a luz seja incidente na segunda peça emissora de luz LE2 ou a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, o primeiro filtro de cores 67 pode incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR). A primeira porção de ligação 114 pode ligar o primeiro eletrodo transparente 108 e o segundo eletrodo transparente 122 e pode conectar fixamente a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Por exemplo, a primeira porção de ligação 114 pode incluir um adesivo óptico claro (OCA) e resina óptica clara (OCR). O primeiro filtro de cor 112 e a primeira porção de ligação 114 podem incluir um material com excelente transmitância de luz.
[0149] O primeiro filtro de cor 112, a primeira porção de ligação 114 e o segundo eletrodo transparente 122 podem ser dispostos no primeiro eletrodo transparente 108 e podem ter áreas menores que o primeiro eletrodo transparente 108. Quando visto de cima, o segundo eletrodo transparente 122 pode ser disposto dentro do primeiro eletrodo transparente 108 e a parede lateral do segundo eletrodo transparente 122 pode ser disposta dentro da parede lateral do primeiro eletrodo transparente 108. Como tal, a porção periférica do primeiro eletrodo transparente 108 pode ser exposta pelo segundo eletrodo transparente 122. De acordo com um exemplo, a porção periférica do primeiro eletrodo transparente 108 exposto pelo segundo eletrodo transparente 122 pode ter uma espessura menor que uma porção do mesmo, sobrepondo-se ao segundo eletrodo transparente 122.
[0150] De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando visto de cima, o segundo eletrodo transparente 122 pode geralmente ter uma forma quadrangular substancialmente com dois cantos cortados. Por exemplo, o segundo eletrodo transparente 122 pode ter uma forma substancialmente quadrangular, na qual o primeiro canto na primeira área AR1 e o segundo canto de uma segunda área AR2 vizinha à primeira área AR1 são cortados. No segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de corte de canto pode ter uma primeira parede lateral geralmente em forma de V, sendo dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro do segundo eletrodo transparente 122. A segunda porção de corte de canto pode ter uma segunda parede lateral não dobrada.
[0151] O primeiro filtro de cor 112 e a primeira porção de ligação 114 podem ter substancialmente a mesma estrutura que o segundo eletrodo transparente 122. De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um do segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ter uma parede lateral inclinada e a parede lateral do segundo eletrodo transparente 122, a parede lateral da primeira porção de ligação 114, e a parede lateral do primeiro filtro de cor 112 podem ser dispostas no mesmo plano. Neste caso, o primeiro filtro de cor 112 pode ter uma área maior que a primeira porção de ligação 114 e a primeira porção de ligação 114 pode ter uma área maior que o segundo eletrodo transparente
122. De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 2A, cada um do segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ter uma parede lateral geralmente vertical e a parede lateral do segundo eletrodo transparente 122, a parede lateral da primeira porção de ligação 114 e o a parede lateral do primeiro filtro de cor 112 podem ser dispostas no mesmo plano. Neste caso, o primeiro filtro de cor 112, a primeira porção de ligação 114 e o segundo eletrodo transparente 122 podem ter substancialmente a mesma área.
[0152] Uma segunda estrutura de mesa MS2 pode ser disposta no segundo eletrodo transparente 122. A segunda estrutura de mesa MS2 pode incluir uma segunda camada semicondutora do tipo p 124, uma segunda camada ativa 126 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 128 empilhadas verticalmente umas nas outras. A segunda estrutura da mesa MS2 pode ter uma área menor que o segundo eletrodo transparente 122. Quando vista de cima, a segunda estrutura da mesa MS2 pode ser disposta dentro do segundo eletrodo transparente 122. Por exemplo, a parede lateral da segunda estrutura da mesa MS2 pode ser disposta dentro da parede lateral do segundo eletrodo transparente 122. Portanto, a porção periférica do segundo eletrodo transparente 122 pode ser exposta pela segunda estrutura da mesa MS2. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a porção periférica do segundo eletrodo transparente 122, exposta pela segunda estrutura da mesa MS2 pode ter uma espessura menor que uma porção da mesma, sobrepondo-se à segunda estrutura da mesa MS2.
[0153] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda estrutura da mesa MS2 pode ter uma parede lateral inclinada. Neste caso, a segunda camada semicondutora do tipo p 124 pode ter uma área maior que a segunda camada ativa 126 e a segunda camada ativa 126 pode ter uma área maior que a segunda camada semicondutora do tipo n 128. De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 2A, a segunda estrutura de mesa MS2 pode ter uma parede lateral geralmente vertical. Neste caso, a segunda camada semicondutora do tipo p 124, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora do tipo n 128 podem ter substancialmente a mesma área.
[0154] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda estrutura de mesa MS2 pode ter substancialmente uma forma quadrangular com dois cantos cortados. Por exemplo, a segunda estrutura de mesa MS2 pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular, na qual um primeiro canto disposto na primeira área AR1 e um segundo canto disposto na segunda área AR2 são cortados. Na segunda estrutura de mesa MS2, a primeira porção de corte de canto pode ter uma estrutura correspondente à primeira porção de corte de canto do segundo eletrodo transparente 122. Por exemplo, quando vista de cima, na segunda estrutura da mesa MS2, a primeira porção cortada no canto pode ter uma primeira parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro da segunda estrutura da mesa MS2. Na segunda estrutura de mesa MS2, a segunda porção de corte de canto pode ter uma segunda parede lateral não dobrada.
[0155] Na segunda área AR2, a superfície superior do segundo eletrodo transparente 122 pode ser exposta pela segunda parede lateral da segunda estrutura da mesa MS2. Além disso, a superfície superior da porção periférica do primeiro eletrodo transparente 108 pode ser exposta pelo segundo eletrodo transparente 122. O chip emissor de luz pode ainda incluir um segundo padrão condutor 152, que entra em contato eletricamente com o primeiro eletrodo transparente 108 e o segundo eletrodo transparente 122. Quando visto de cima, o segundo padrão condutor 152 pode ter substancialmente uma forma triangular. Uma superfície do segundo padrão condutor 152 pode ser disposta no segundo eletrodo transparente 122 e pode ter uma estrutura correspondente à segunda parede lateral da segunda estrutura da mesa MS2 e pode incluir, por exemplo, uma superfície planar não dobrada. A outra superfície do segundo padrão condutor 152 oposta à superfície pode ser disposta no primeiro eletrodo transparente 108 e pode ter uma estrutura correspondente à parede lateral externa do primeiro eletrodo transparente 108 e pode incluir, por exemplo, uma superfície verticalmente dobrada.
[0156] A segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132 e um terceiro eletrodo transparente 142 podem ser dispostos na segunda estrutura da mesa MS2. A segunda porção de ligação 134 pode ligar a segunda estrutura de mesa MS2 e o terceiro eletrodo transparente 142 e pode conectar fixamente a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a segunda porção de ligação 134 pode incluir substancialmente o mesmo material que a primeira porção de ligação 114, por exemplo, um de OCA e OCR. O segundo filtro de cor 132 pode passar seletivamente a luz gerada a partir da terceira peça emissora de luz LE3 e pode refletir a luz gerada a partir da segunda peça emissora de luz LE2 e a primeira peça emissora de luz LE1 para impedir que a luz seja incidente na terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, o segundo filtro de cor 132 pode incluir um DBR que é diferente do primeiro filtro de cor 112 em termos de espessura ou proporção do componente. Enquanto isso, o segundo filtro de cor 132 e a segunda porção de ligação 134 podem incluir um material com excelente transmitância de luz.
[0157] Cada uma da segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132 e o terceiro eletrodo transparente 142 podem ser dispostos na segunda estrutura da mesa MS2 e podem ter uma área menor que a segunda estrutura da mesa MS2. De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um do segundo filtro de cor 132, a segunda porção de ligação 134 e o terceiro eletrodo transparente 142 podem ter uma parede lateral inclinada. A parede lateral do segundo filtro de cor 132, a parede lateral da segunda porção de ligação 134 e a parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 podem ser coplanares entre si. Neste caso, o segundo filtro de cor 132 pode ter uma área maior que a segunda porção de ligação 134 e a segunda porção de ligação 134 pode ter uma área maior que o terceiro eletrodo transparente 142. De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 2A, cada um do segundo filtro de cor 132, a segunda porção de ligação 134 e o terceiro eletrodo transparente 142 podem ter uma parede lateral geralmente vertical e a parede lateral do segundo filtro de cor 132, a parede lateral da segunda porção de ligação 134 e o a parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 podem ser dispostas no mesmo plano. Neste caso, o segundo filtro de cor 132, a segunda porção de ligação 134 e o terceiro eletrodo transparente 142 podem ter substancialmente a mesma área.
[0158] Quando visto de cima, o terceiro eletrodo transparente 142 pode ser disposto dentro da segunda estrutura da mesa MS2. Por exemplo, a parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 pode ser disposta dentro da parede lateral da segunda estrutura da mesa MS2. Portanto, a porção periférica da segunda estrutura da mesa MS2 pode ser exposta pelo terceiro eletrodo transparente 142. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a porção periférica da segunda camada semicondutora do tipo n 128 da segunda estrutura da mesa MS2 que é exposta pelo terceiro eletrodo transparente 142 pode ter uma espessura menor que uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n 128 sobrepondo o terceiro eletrodo transparente 142.
[0159] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o terceiro eletrodo transparente 142 pode ter substancialmente uma forma quadrangular com três cantos cortados. Por exemplo, no terceiro eletrodo transparente 142, um primeiro canto disposto na primeira área AR1 pode ser cortado, um segundo canto disposto na segunda área AR2 pode ser cortado e um terceiro canto disposto em uma terceira área AR3 pode ser cortado. No terceiro eletrodo transparente 142, a primeira porção de corte de canto pode ter uma estrutura correspondente à primeira porção de corte de canto da segunda estrutura de mesa MS2. Por exemplo, quando vista de cima, no terceiro eletrodo transparente 142, a primeira porção cortada no canto pode ter uma primeira parede lateral geralmente em forma de V, que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente
142. No terceiro eletrodo transparente 142, a segunda porção de corte de canto pode ter uma estrutura correspondente à segunda porção de corte de canto da segunda estrutura de mesa MS2. Por exemplo, quando vista de cima, no terceiro eletrodo transparente 142, a segunda porção de corte de canto pode ter uma segunda parede lateral não dobrada. No terceiro eletrodo transparente 142, a terceira porção de corte de canto pode ter uma terceira parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente 142. Pela terceira porção cortada no canto, uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n 128 da segunda estrutura da mesa MS2 pode ser exposta.
[0160] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na terceira área AR3, a segunda camada semicondutora do tipo n 128 da segunda estrutura da mesa MS2 pode ser exposta pela terceira porção cortada no canto do terceiro eletrodo transparente 142. O chip emissor de luz pode ainda incluir um quarto padrão condutor 156 que é eletricamente acoplado à segunda camada semicondutora do tipo n 128 exposta pelo terceiro eletrodo transparente 142. Quando visto de cima, o quarto padrão condutor 156 pode ter uma forma substancialmente triangular. De acordo com uma modalidade exemplificativa, o quarto padrão condutor 156 pode ter uma superfície de uma estrutura correspondente à terceira parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142. Por exemplo, a superfície do quarto padrão condutor 156 pode ter uma forma geralmente em V que é dobrada de modo convexo para dentro em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente 142. O quarto padrão condutor 156 pode ter a outra superfície que é oposta à superfície e é dobrada verticalmente em correspondência com a parede lateral externa da segunda estrutura da mesa MS2.
[0161] Uma terceira estrutura de mesa MS3 pode ser disposta no terceiro eletrodo transparente 142. A terceira estrutura de mesa MS3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo p 144, uma terceira camada ativa 146 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 148, que são empilhadas sequencialmente. A terceira estrutura da mesa MS3 pode ter uma área menor que o terceiro eletrodo transparente 142. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a terceira estrutura da mesa MS3 pode ter uma parede lateral inclinada. Neste caso, a terceira camada semicondutora do tipo p 144 pode ter uma área maior que a terceira camada ativa 146, e a terceira camada ativa 146 pode ter uma área maior que a terceira camada semicondutora do tipo n
148. De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIG. 2A, a terceira estrutura de mesa MS3 pode ter uma parede lateral geralmente vertical. Neste caso, a terceira camada semicondutora do tipo p 144, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo n 148 podem ter substancialmente a mesma área.
[0162] Quando vista de cima, a terceira estrutura de mesa MS3 pode ser disposta dentro do terceiro eletrodo transparente
142. Por exemplo, a parede lateral da terceira estrutura de mesa MS3 pode ser disposta dentro da parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142. Portanto, a porção periférica do terceiro eletrodo transparente 142 pode ser exposta pela terceira estrutura de mesa MS3. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a porção periférica do terceiro eletrodo transparente 142 exposto pela terceira estrutura de mesa MS3 pode ter uma espessura menor que uma porção da mesma, sobrepondo-se à terceira estrutura de mesa MS3.
[0163] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a terceira estrutura de mesa MS3 pode ter substancialmente uma forma quadrangular com três cantos cortados. Por exemplo, a terceira estrutura de mesa MS3 pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular na qual um primeiro canto disposto na primeira área AR1 é cortado, um segundo canto disposto na segunda área AR2 é cortado e um terceiro canto disposto na terceira área AR3 é cortado. Na terceira estrutura de mesa MS3, a primeira porção de corte de canto pode ter uma estrutura correspondente à primeira porção de corte de canto do terceiro eletrodo transparente 142. Por exemplo, quando vista de cima, na terceira estrutura de mesa MS3, a primeira porção cortada no canto pode ter uma primeira parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro da terceira estrutura de mesa MS3. Quando vista de cima, na terceira estrutura de mesa MS3, a segunda porção de corte de canto pode ter uma segunda parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro da terceira estrutura de mesa MS3. Quando vista de cima, na terceira estrutura de mesa MS3, a terceira porção de corte de canto pode ter uma terceira parede lateral geralmente em forma de V que é dobrada de modo côncavo para dentro em direção ao centro da terceira estrutura de mesa MS3.
[0164] De acordo com uma modalidade exemplificativa, na segunda área AR2, o terceiro eletrodo transparente 142 pode ser exposto pela segunda parede lateral da terceira estrutura de mesa MS3. O chip emissor de luz pode ainda incluir um terceiro padrão condutor 154 que é acoplado eletricamente ao terceiro eletrodo transparente 142 e disposto no terceiro eletrodo transparente 142 exposto pela segunda parede lateral da terceira estrutura de mesa MS3. De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando visto de cima, o terceiro padrão condutor 154 pode ter uma forma correspondente à forma do terceiro eletrodo transparente 142 exposto pela segunda parede lateral da terceira estrutura de mesa MS3. Por exemplo, quando visto de cima, o terceiro padrão condutor 154 pode ter uma superfície que não é dobrada para corresponder à segunda parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142. Além disso, o terceiro padrão condutor 154 pode ter a outra superfície que é oposta à superfície e tem uma estrutura geralmente em forma de V projetando-se para dentro em direção ao centro da terceira estrutura de mesa MS3 para corresponder à segunda parede lateral da terceira estrutura de mesa MS3.
[0165] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o chip emissor de luz pode ainda incluir um quinto padrão condutor 158 que é acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira estrutura de mesa MS3. O quinto padrão condutor 158 pode ser disposto no canto da terceira camada semicondutora do tipo n 148, a qual está posicionada em uma quarta região AR4 oposta à primeira área AR1. O quinto padrão condutor 158 pode ter uma forma substancialmente quadrangular, quando visto de cima, sem estar limitado a esta.
[0166] O chip emissor de luz pode ainda incluir uma camada de isolamento ISL que é substancialmente disposta conforme a superfície superior e a superfície lateral da estrutura emissora de luz. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a camada ISL da camada de isolamento pode ter uma estrutura que se estende da superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3 da estrutura emissora de luz até o topo da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. Quando vista de cima, a camada ISL da camada de isolamento pode ter substancialmente a mesma estrutura quadrangular que a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E.
[0167] A camada de isolamento ISL pode incluir uma primeira abertura OP1 (ver FIGS. 13A à 13C) que expõe uma porção da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E na primeira área AR1, uma segunda abertura OP2 (ver FIGS. 13A à 13C) que expõe uma porção do primeiro eletrodo transparente 108 e uma porção do segundo eletrodo transparente 122 na segunda área AR2, uma terceira abertura OP3 (ver FIGS. 13A à 13C) que expõe o terceiro eletrodo transparente 142 na segunda área AR2, uma quarta abertura OP4 (ver FIGS. 13A à 13C) que expõe uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n 128 na terceira área AR3 e uma quinta abertura OP5 (ver FIGS. 13A à 13C) que expõe uma porção da terceira camada semicondutora do tipo n 148 na quarta área AR4.
[0168] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro padrão condutor 150, o segundo padrão condutor 152, o terceiro padrão condutor 154, o quarto padrão condutor 156 e o quinto padrão condutor 158 podem ser dispostos na primeira abertura OP1, na segunda abertura OP2, na terceira abertura OP3, na quarta abertura OP4 e na quinta abertura OP5, respectivamente. Portanto, o primeiro padrão condutor 150 pode ser acoplado eletricamente com a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E na primeira área AR1. O segundo padrão condutor 152 pode ser eletricamente acoplado ao primeiro eletrodo transparente 108 e ao segundo eletrodo transparente 122 na segunda área AR2. O terceiro padrão condutor 154 pode ser acoplado eletricamente ao terceiro eletrodo transparente 142 na segunda área AR2. O quarto padrão condutor 156 pode ser acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo n 128 na terceira área AR3. O quinto padrão condutor 158 pode ser acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n 148 na quarta área AR4.
[0169] O primeiro padrão condutor 150 pode ter, na primeira área AR1, uma superfície geralmente em forma de V que é dobrada de modo convexo para dentro em direção ao centro da primeira camada semicondutora do tipo n 102 e pode ter a outra superfície que fica voltada para fora da superfície e é dobrada verticalmente.
[0170] O segundo padrão condutor 152 pode ter, na segunda área AR2, uma superfície que está disposta no segundo eletrodo transparente 122 e não está dobrada, e pode ter a outra superfície, que é oposta à uma superfície, disposta no primeiro eletrodo transparente 108 e é dobrada verticalmente. Em particular, a fim de aumentar uma área de contato com o primeiro eletrodo transparente 108, a outra superfície do segundo padrão condutor 152 pode ser disposta adjacente ao canto do primeiro eletrodo transparente 108. Por exemplo, a outra superfície do segundo padrão condutor 152 pode ter uma estrutura que cobre pelo menos uma porção de canto do primeiro eletrodo transparente 108 na segunda área AR2, é paralela ao canto do primeiro eletrodo transparente 108, e é paralela às superfícies que se estendem a partir da segunda parede lateral do segundo eletrodo transparente 122.
[0171] O terceiro padrão condutor 154 pode ter uma estrutura correspondente ao espaço definido pela parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo n 148 e pela parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 na segunda área AR2. Por exemplo, uma superfície do terceiro padrão condutor 154, que corresponde à parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo n 148, pode ter uma forma de V que é convexa interiormente em direção ao centro da terceira camada semicondutora do tipo n 148. A outra superfície do terceiro padrão condutor 154, que é oposta à superfície, pode corresponder à parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 e, por exemplo, não é dobrada.
[0172] O quarto padrão condutor 156 pode ter uma estrutura correspondente ao espaço definido pela parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 e pela parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo n 128 na terceira área AR3. Por exemplo, o quarto padrão condutor 156 pode ter uma superfície que corresponde à parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142 e tem, por exemplo, um formato em V que é convexo para dentro em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente 142. A outra superfície do quarto padrão condutor 156, que é oposta à superfície, corresponde à parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo n 128 e, por exemplo, é dobrada verticalmente.
[0173] O quinto padrão condutor 158 pode ser formado na quarta área AR4 e pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular quando vista de cima.
[0174] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor de filme fino 160 eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora de tipo n 102, um segundo padrão condutor de filme fino 162 acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora de tipo n 128, um terceiro padrão condutor de filme fino 164 acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n 148 e um quarto padrão condutor de filme fino 166 acopla eletricamente o primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 122 e o terceiro eletrodo transparente 142 um ao outro.
[0175] O primeiro padrão condutor de filme fino 160 do chip emissor de luz pode ser eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora do tipo n 102 por ser acoplado eletricamente ao primeiro padrão condutor 150, o segundo padrão condutor de filme fino 162 pode ser acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo n 128 ao ser eletricamente acoplada ao quarto padrão condutor 156, o terceiro padrão condutor de filme fino 164 pode ser eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo n 148 ao ser eletricamente acoplada ao quinto padrão condutor 158 e o quarto padrão condutor de filme fino 166 pode ser acoplado eletricamente ao primeiro eletrodo transparente 108, o segundo eletrodo transparente 122 e o terceiro eletrodo transparente 142 ao ser acoplado eletricamente com o segundo padrão condutor 152 e o terceiro padrão condutor
154.
[0176] O primeiro padrão condutor de filme fino 160 pode ser disposto na primeira área AR1 e pode ter substancialmente uma forma quadrangular quando visto de cima. O primeiro padrão condutor de filme fino 160 pode ser disposto para cobrir pelo menos uma porção da parte superior da terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira peça emissora de luz LE3, se estende continuamente ao longo das superfícies superior e lateral da estrutura emissora de luz, e cobrir a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. A camada de isolamento ISL pode ser disposta entre o primeiro padrão condutor de filme fino 160 e a estrutura emissora de luz para isolá-los um do outro, e o primeiro padrão condutor de filme fino 160 pode entrar em contato eletricamente com o primeiro padrão condutor 150 através da primeira abertura OP1.
[0177] O segundo padrão condutor de filme fino 162 pode ser disposto na terceira área AR3 e pode ter substancialmente uma forma quadrangular quando visto de cima. O segundo padrão condutor de filme fino 162 pode ser disposto para cobrir pelo menos uma porção da parte superior da terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira peça emissora de luz LE3, se estende continuamente ao longo das superfícies superior e lateral da estrutura emissora de luz, e cobrir a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. A camada de isolamento ISL pode ser disposta entre o segundo padrão condutor de filme fino 162 e a estrutura emissora de luz para isolá-los um do outro, e o segundo padrão condutor de filme fino 162 pode entrar em contato eletricamente com o quarto padrão condutor 156 através da quarta abertura OP4.
[0178] O terceiro padrão condutor de filme fino 164 pode ser disposto na quarta área AR4 e pode ter substancialmente uma forma quadrangular quando visto de cima. O terceiro padrão condutor de filme fino 164 pode ser disposto para cobrir pelo menos uma porção da parte superior da terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira peça emissora de luz LE3, se estende continuamente ao longo das superfícies superior e lateral da estrutura emissora de luz, e cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. A camada de isolamento ISL pode ser disposta entre o terceiro padrão condutor de filme fino 164 e a estrutura emissora de luz para isolá-los um do outro, e o terceiro padrão condutor de filme fino 164 pode entrar em contato eletricamente com o quinto padrão condutor 158 através da quinta abertura OP5.
[0179] O quarto padrão condutor de filme fino 166 pode ser disposto na segunda área AR2 e pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular quando vista de cima. O quarto padrão condutor de filme fino 166 pode ser disposto para cobrir pelo menos uma porção da parte superior da terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira peça emissora de luz LE3, se estende continuamente ao longo das superfícies superior e lateral da estrutura emissora de luz, e cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. A camada de isolamento ISL pode ser disposta entre o quarto padrão condutor de filme fino 166 e a estrutura emissora de luz para isolá-los um do outro, e o quarto padrão condutor de filme fino 166 pode entrar em contato eletricamente com o segundo padrão condutor 152 e o terceiro padrão condutor 154 através a segunda abertura OP2 e a terceira abertura OP3.
[0180] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um do primeiro padrão condutor de filme fino 160, o segundo padrão condutor de filme fino 162, o terceiro padrão condutor de filme fino 164 e o quarto padrão condutor de filme fino 166 podem se estender a partir do topo da estrutura emissora de luz para a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. Por conseguinte, o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, que são dispostos na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E, podem ter porções que são substancialmente planas.
[0181] A primeira camada de passivação PVT1 pode cobrir substancial ou completamente a estrutura emissora de luz, a camada de isolamento ISL, o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158 e o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira camada de passivação PVT1 pode incluir um material de polímero, por exemplo, poli-imida ou composto de moldagem de epóxi (EMC).
[0182] Quando vista de cima, a primeira camada de passivação PVT1 pode ter substancialmente uma estrutura quadrangular, e o quadrilátero da primeira camada de passivação PVT1 pode ser maior que o quadrilátero da primeira camada semicondutora do tipo n 102. Neste caso, a parede lateral externa da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E pode estar mais próxima do centro do chip emissor de luz do que a parede lateral externa da primeira camada de passivação PVT1.
[0183] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a primeira camada de passivação PVT1 pode ter uma superfície superior posicionada em um nível mais alto do que as superfícies superiores dos respectivos primeiro a quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 que são dispostos na estrutura emissora de luz. A superfície inferior da primeira camada de passivação PVT1 pode ser coplanar com a superfície inferior da estrutura emissora de luz.
[0184] Dessa maneira, como a primeira camada de passivação PVT1 cobre substancial ou completamente a estrutura emissora de luz, incluindo os primeiro a quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 e, portanto, é possível impedir a porção periférica da luz chip emissor de quebrar ou ser danificada ao mover ou operar o chip emissor de luz. Além disso, mesmo que a porção periférica do chip emissor de luz quebre ou esteja danificada, uma vez que a estrutura emissora de luz é protegida pela primeira camada de passivação PVT1, danos à estrutura emissora de luz podem ser evitados. Além disso, à medida que a primeira camada de passivação PVT1 envolve a superfície lateral da estrutura emissora de luz, a luz gerada a partir da estrutura emissora de luz pode ser refletida pela superfície lateral e, assim, a quantidade de perda de luz pode ser reduzida e aumentar a eficiência da luz.
[0185] A primeira camada de passivação PVT1 pode ter um primeiro orifício de passagem, um segundo orifício de passagem, um terceiro orifício de passagem e um quarto orifício de passagem. O primeiro orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção do primeiro padrão condutor de filme fino 160. Por exemplo, o primeiro orifício de passagem pode expor uma porção do primeiro padrão condutor de filme fino 160, que é plano e disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O segundo orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção do segundo padrão condutor de filme fino 162. Por exemplo, o segundo orifício de passagem pode expor uma porção do segundo padrão condutor de filme fino 162, que é plano e disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O terceiro orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção do terceiro padrão condutor de filme fino 164. Por exemplo, o terceiro orifício de passagem pode expor uma porção do terceiro padrão condutor de filme fino 164, que é plano e disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O quarto orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção do quarto padrão condutor de filme fino 166. Por exemplo, o quarto orifício de passagem pode expor uma porção do quarto padrão condutor de filme fino 166, que é plana e disposta na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E.
[0186] O chip emissor de luz pode ainda incluir um primeiro contato de via 170 que preenche o primeiro orifício de passagem e entra em contato eletricamente com o primeiro padrão condutor de filme fino 160, um segundo contato de via 172 que preenche o segundo orifício de passagem e entra em contato elétrico com o segundo padrão condutor de filme fino 162, um terceiro contato de via 174 que preenche o terceiro orifício de passagem e entra em contato eletricamente com o terceiro padrão condutor de filme fino 164 e um quarto contato de via 176 que preenche o quarto orifício de passagem e entra em contato elétrico com o quarto padrão condutor de filme fino 166. Uma vez que o primeiro orifício de passagem, o segundo orifício de passagem, o terceiro orifício de passagem e o quarto orifício de passagem expõem o primeiro padrão condutor de filme fino 160, o segundo padrão condutor de filme fino 162, o terceiro padrão condutor de filme fino 164 e o quarto padrão condutor de filme fino 166, respectivamente, cada um dos quais disposto em uma porção plana da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E (por exemplo, um conector), o primeiro contato de via 170, o segundo contato de via 172, o terceiro contato de via 174, e o quarto contato de via 176 que preenche o primeiro orifício de passagem, o segundo orifício de passagem, o terceiro orifício de passagem e o quarto orifício de passagem, respectivamente, podem ser formados em uma superfície substancialmente plana.
[0187] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode incluir porções que preenchem o primeiro ao quarto orifícios de passagem, respectivamente, e porções que se projetam para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1. Por exemplo, o primeiro contato de via 170 pode incluir uma porção que preenche o primeiro orifício de passagem e uma porção que se projeta para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1. A porção que se projeta para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1 pode ter uma área mais larga que a porção que preenche o primeiro orifício de passagem. De acordo com outra modalidade exemplificativa, a superfície superior de cada um dos primeiro a quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode ser substancialmente coplanar com a superfície superior da primeira camada de passivação PVT1.
[0188] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma distância de separação SD de cada um dos primeiro a quarto através dos contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 à parede lateral da primeira camada de passivação PVT1 pode variar dependendo de um dispositivo no qual o chip emissor de luz é montado. Por exemplo, uma distância de separação SD do primeiro contato de via 170 à parede lateral da primeira camada de passivação PVT1 pode se referir a uma distância da parede lateral do primeiro contato de via 170 tendo a largura mais larga para a parede lateral da primeira camada de passivação PVT1. Enquanto isso, em geral, em um dispositivo (por exemplo, um dispositivo de exibição) no qual os chips emissores de luz são montados, são definidas configurações padronizadas e distâncias de separação, nas quais os chips emissores de luz são dispostos. Como tal, a distância de separação SD de cada um dos primeiros ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 para a primeira camada de passivação PVT1 pode ser predefinida dependendo de uma distância padronizada. Por exemplo, a distância de separação SD do primeiro contato de via 170 até a primeira camada de passivação PVT1 pode ser cerca de metade da distância de separação entre dois chips emissores de luz adjacentes em um dispositivo no qual os chips emissores de luz estão montados.
[0189] Referindo às FIG. 2C, cada um dos primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode sobrepor-se a pelo menos uma das primeira a terceira camadas ativas 104, 126 e 146.
Por exemplo, o primeiro contato de via 170 pode sobrepor-se a pelo menos uma das primeira a terceira camadas ativas 104, 126 e 146 por uma porção que se projeta para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1. Em particular, o primeiro contato de via 170 pode sobrepor-se a uma porção do primeiro padrão condutor 150.
[0190] De acordo com as modalidades exemplificativas descritas acima com referência às FIGS. 1A à 1C e 2A à 2C, o primeiro ao terceiro padrões condutores de filme fino 160, 162 e 164 são descritos como sendo acoplados eletricamente com a primeira à terceira camadas de semicondutores do tipo n 102, 128 e 148, respectivamente, e o quarto o padrão condutor de filme fino 166 é descrito como sendo um eletrodo comum que acopla o primeiro ao terceiro eletrodo transparente 108, 122 e 142 entre si. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e o primeiro ao terceiro padrões condutores de filme fino 160, 162 e 164 podem ser acoplados eletricamente ao primeiro ao terceiro eletrodo transparente 108, 122 e 142, respectivamente, e ao quarto padrão condutor de filme fino 166 pode ser um eletrodo comum que acopla a primeira à terceira camadas semicondutoras do tipo n 102, 128 e 148 entre si.
[0191] As FIGS. 3A, 4A e 5A são vistas planas de chips emissores de luz de acordo com modalidades exemplificativas, FIGS. 3B, 4B , e 5B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas A-A’ das FIGS. 3A, 4A e 5A e FIGS. 3C, 4C, e 5C são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas B-B’ das FIGS. 3A à 5A, respectivamente.
[0192] Referindo às FIGS. 3A à 5C, cada um dos chips de emissão de luz pode incluir uma estrutura emissora de luz LE1, 112, 114, LE2, 132, 134 e LE3, uma camada de isolamento ISL,
primeiro a quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, uma primeira camada de passivação PVT1 e primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176. Uma vez que a estrutura emissora de luz LE1, 112, 114, LE2, 132, 134 e LE3, a camada de isolamento ISL, o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, a primeira camada de passivação PVT1 e o primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 de acordo com modalidades exemplificativas são substancialmente iguais à estrutura emissora de luz LE1, 112, 114, LE2, 132, 134 e LE3, a camada de isolamento ISL, o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, a primeira camada de passivação PVT1 e o primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 descritos acima com referência às FIGS. 1A a 2B, descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas para evitar redundância.
[0193] Referindo às FIGS. 3A, 3B e 3C, o chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir um substrato 100 disposto na superfície inferior da estrutura emissora de luz LE1, 112, 114, LE2, 132, 134 e LE3. O substrato 100 pode ser capaz de crescer uma camada semicondutora de nitreto do elemento do grupo III da primeira peça emissora de luz LE1 na mesma, e pode ser uma safira (Al2O3), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), nitreto de índio e gálio (InGaN), nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), nitreto de alumínio (AlN), óxido de gálio (Ga2O3) ou substrato de silício.
[0194] O substrato 100 pode estar em contato com a superfície inferior da primeira camada semicondutora do tipo n
102, incluindo a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E e a superfície inferior da primeira camada de passivação PVT1. A superfície superior e lateral da estrutura emissora de luz pode ser protegida pela primeira camada de passivação PVT1 e a superfície inferior da estrutura emissora de luz pode ser protegida pelo substrato 100.
[0195] Desde a espessura do chip emissor de luz, incluindo a estrutura emissora de luz, a camada de isolamento ISL, o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, a primeira camada de passivação PVT1 e o primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 são geralmente substancialmente finos, um fenômeno no qual deformações de chips emissores de luz podem ocorrer. De acordo com uma modalidade exemplificativa, ao dispor o substrato 100 na superfície inferior da estrutura emissora de luz, o fenômeno de deformação do chip emissor de luz pode ser evitado.
[0196] Referindo às FIGS. 4A, 4B e 4C, o chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir uma segunda camada de passivação PVT2 e quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 dispostos na primeira camada de passivação PVT1. A segunda camada de passivação PVT2 pode incluir substancialmente o mesmo material que a primeira camada de passivação PVT1, por exemplo, poli-imida ou EMC. A segunda camada de passivação PVT2 pode ter um quinto orifício de passagem que expõe a parte superior do primeiro contato de via 170, um sexto orifício de passagem que expõe a parte superior do segundo contato de via 172, um sétimo orifício de passagem que expõe a parte superior do terceiro contato de via 174, e um oitavo orifício de passagem que expõe a parte superior do quarto contato de via 176.
[0197] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 pode incluir porções que preenchem o quinto ao oitavo orifícios de passagem, respectivamente, e porções que se projetam para cima a partir da segunda camada de passivação PVT2. Por exemplo, o quinto contato de via 180 pode incluir uma porção que preenche o quinto orifício de passagem e uma porção que se projeta para cima a partir da segunda camada de passivação PVT2. A porção que se projeta para cima a partir da segunda camada de passivação PVT2 pode ter uma área mais larga do que a porção que preenche o quinto orifício de passagem. De acordo com outra modalidade exemplificativa, a superfície superior de cada um do quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 pode ser substancialmente coplanar com a superfície superior da segunda camada de passivação PVT2.
[0198] Como o chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui a pluralidade de camadas de passivação PVT1 e PVT2 que são empilhadas, o fenômeno de deformação do chip emissor de luz pode ser evitado.
[0199] Referindo às FIGS. 5A, 5B e 5C, o chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ainda incluir um substrato de through-silicon via (TSV) TSV disposto na primeira camada de passivação PVT1.
[0200] Em geral, várias camadas de padrões condutores são formadas no TSV substrato TSV. Os padrões condutores que são eletricamente acoplados do primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 podem ser dispostos em uma superfície do TSV substrato TSV e os padrões condutores 190, 192, 194 e 196 que correspondem às respectivas posições do quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 descritos acima com referência à FIG. 4B podem ser dispostos na outra superfície do TSV substrato TSV. Ao usar o TSV substrato TSV, o fenômeno de deformação do chip emissor de luz pode ser evitado.
[0201] A seguir, um método para fabricar um chip emissor de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, será descrito.
[0202] As FIGS. 6A, 7A, 8A, 9A, 10A, 11A, 12A, 13A, 14A, 15A, 16A e 17A são vistas planas para ilustrar um método para fabricar um chip emissor de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa. As FIGS. 6B, 7B, 8B, 9B, 10B, 11B, 12B, 13B, 14B, 15B, 16B e 17B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas A-A’ das FIGS. 6A a 17A, e FIGS. 6C, 7C, 8C, 9C, 10C, 11C, 12C, 13C, 14C, 15C, 16C e 17C são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas B-B' das FIGS. 6A a 17A.
[0203] Referindo às FIGS. 6A e 6B, uma pré-primeira peça emissora de luz, um pré-primeiro filtro de cor 112P, uma pré- primeira porção de ligação 114P, uma pré-segunda peça emissora de luz, um pré-segundo filtro de cor 132P, uma pré-segunda porção de ligação 134P, e uma pré-terceira peça emissora de luz podem ser empilhados sequencialmente em um primeiro substrato
100.
[0204] O primeiro substrato 100 pode ser uma safira (Al2O3), carboneto de silício (SiC), nitreto de gálio (GaN), nitreto de índio e gálio (InGaN), nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), nitreto de alumínio (AlN), óxido de gálio (Ga2O3), ou substrato de silício. Uma pré-primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 102P, uma pré-primeira camada ativa 104P e uma pré-primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 106P podem ser sequencialmente crescidas no primeiro substrato 100 através de um processo através de um processo como a deposição de vapor químico orgânico metálico (MOCVD) ou epitaxia de feixe molecular (MBE). Um pré-primeiro eletrodo transparente 108P pode ser formado na pré-primeira camada semicondutora do tipo p 106P usando um método de deposição de vapor químico. Por exemplo, o pré-primeiro eletrodo transparente 108P pode incluir pelo menos um de ITO (óxido de índio e estanho), IZO (óxido de índio e zinco), IZTO (óxido de índio e zinco) e ZnO. Dessa maneira, a pré-primeira peça emissora de luz, incluindo a pré-primeira camada semicondutora do tipo n 102P, a pré-primeira camada ativa 104P, a pré-primeira camada semicondutora do tipo p 106P e o pré-primeiro eletrodo transparente 108P podem ser formados. Por exemplo, quando a pré-primeira peça emissora de luz emite luz azul, o primeiro substrato 100 pode incluir safira e o pré- primeiro eletrodo transparente 108P pode incluir ZnO.
[0205] Uma pré-segunda camada semicondutora tipo n 128P, uma pré-segunda camada ativa 126P e uma pré-segunda camada semicondutora tipo p 124P podem ser sequencialmente crescidas em um segundo substrato através de um processo como MOCVD ou MBE. Um pré-segundo eletrodo transparente 122P pode ser formado na pré-segunda camada semicondutora do tipo p 124P por um método de deposição de vapor químico. Por exemplo, o pré-segundo eletrodo transparente 122P pode incluir pelo menos um de ITO, IZO, IZTO e ZnO. Dessa maneira, a pré-segunda peça emissora de luz, incluindo a pré-segunda camada semicondutora tipo n 128P, a pré- segunda camada ativa 126P, a pré-segunda camada semicondutora tipo p 124P e o pré-segundo eletrodo transparente 122P podem ser formados. Por exemplo, quando a pré-segunda peça emissora de luz emite luz verde, o segundo substrato pode incluir um de safira e GaN, e o primeiro eletrodo transparente 122P anterior pode incluir ZnO.
[0206] Uma pré-terceira camada semicondutora do tipo n 148P, uma pré-terceira camada ativa 146P e uma pré-terceira camada semicondutora do tipo p 144P podem ser sequencialmente crescidas em um terceiro substrato através de um processo como MOCVD ou MBE. Um pré-terceiro eletrodo transparente 142P pode ser formado na pré-terceira camada semicondutora do tipo p 144P por um método de deposição de vapor químico. Por exemplo, o pré- terceiro eletrodo transparente 142P pode incluir pelo menos um de ITO, IZO, IZTO e ZnO. Dessa maneira, a pré-terceira peça emissora de luz, incluindo a pré-terceira camada semicondutora do tipo n 148P, a pré-terceira camada ativa 146P, a pré-terceira camada semicondutora do tipo p 144P e o pré-terceiro eletrodo transparente 142P podem ser formados. Por exemplo, quando a pré- terceira peça emissora de luz emite luz vermelha, o terceiro substrato pode incluir GaAsN e o pré-terceiro eletrodo transparente 142P pode incluir ITO.
[0207] De acordo com uma modalidade exemplificativa, um pré- primeiro filtro de cor 112P pode ser formado no pré-primeiro eletrodo transparente 108P usando um método de deposição de vapor químico. O pré-primeiro filtro de cor 112P pode incluir um DBR, que é formado pela formação alternada de dois materiais transparentes com diferentes índices de refração, por exemplo, TiO2 e SiO2. De acordo com outra modalidade exemplificativa, o pré-primeiro filtro de cor 112P pode ser formado alternativamente no pré-segundo eletrodo transparente 122P.
[0208] A pré-primeira peça emissora de luz no primeiro substrato 100 e a pré-segunda peça emissora de luz no segundo substrato podem ser ligadas entre si pela disposição do pré- primeiro filtro de cor 112P no primeiro substrato 100 e no pré- segundo eletrodo transparente 122P no segundo substrato um para o outro, com uma pré-primeira porção de ligação 114P entre o pré-primeiro filtro de cor 112P e o pré-segundo eletrodo transparente 122P. Então, o segundo substrato pode ser removido através de um processo de elevação a laser ou semelhante. Como tal, a pré-primeira peça emissora de luz e a pré-segunda peça emissora de luz podem ser dispostas no primeiro substrato 100.
[0209] De acordo com uma modalidade exemplificativa, um pré- segundo filtro de cor 132P pode ser formado na pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P, que foi removida do segundo substrato, usando um método de deposição de vapor químico. O pré-segundo filtro de cor 132P pode incluir um DBR que é formado pela formação alternada de dois materiais transparentes com diferentes índices de refração, por exemplo, TiO2 e SiO2. Nesse caso, no pré-segundo filtro de cor 132P, os tipos de luz a serem transmitidos e refletidos podem ser determinados alterando a espessura e uma proporção de componente do pré-segundo filtro de cor 132P para ser diferente daquele do pré- primeiro filtro de cor 112P. De acordo com outra modalidade exemplificativa, o pré- segundo filtro de cor 132P pode ser formado no pré-terceiro eletrodo transparente 142P usando um método de deposição de vapor químico.
[0210] A pré-primeira peça emissora de luz e a pré-segunda peça emissora de luz no primeiro substrato 100 e a pré-terceira peça emissora de luz no terceiro substrato podem ser ligadas entre si pela disposição do pré-segundo filtro de cor 132P e o pré-terceiro eletrodo transparente 142P no terceiro substrato para ficarem virados para uma pré-segunda porção de ligação 134P entre o pré-segundo filtro de cor 132P e o pré-terceiro eletrodo transparente 142P. Então, o terceiro substrato pode ser removido através de um processo de elevação a laser ou semelhante.
[0211] Referindo às FIGS. 7A a 7C, uma terceira camada semicondutora do tipo n 148, uma terceira camada ativa 146 e uma terceira camada semicondutora do tipo p 144 podem ser formadas formando um primeiro padrão de máscara MK1 na pré-terceira peça emissora de luz e gravando a pré-terceira camada semicondutora do tipo n 148P, pré-terceira camada ativa 146P e pré-terceira camada semicondutora do tipo p 144P através do uso do primeiro padrão de máscara MK1 como uma máscara de gravação química.
[0212] O primeiro padrão de máscara MK1 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. Em particular, o primeiro padrão de máscara MK1 pode ter cantos posicionados em uma primeira área AR1, uma segunda área AR2 vizinha à primeira área AR1 e uma terceira área AR3 oposta à segunda área AR2 que são cortadas. Como mostrado na Fig. 7A, o primeiro padrão de máscara MK1 pode ter uma primeira parede lateral SW1 que está disposta na primeira área AR1 e tem uma forma substancialmente em V recuada côncava para dentro em direção ao centro da pré-terceira peça emissora de luz, uma segunda parede lateral SW2 que está disposta na segunda área AR2 e tem uma forma substancialmente côncava em V recuada para dentro em direção ao centro da pré-terceira peça emissora de luz e uma terceira parede lateral SW3 que está disposta na terceira área AR3 e tem uma forma substancialmente côncava em forma de V recuada interiormente em direção ao centro da pré-terceira peça emissora de luz.
[0213] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a porção de canto cortada na segunda área AR2 pode ter uma área maior que a porção de canto cortada na primeira área AR1 ou na terceira área AR3. Na segunda região AR2, a porção removida no canto pode ser uma posição em que um segundo padrão condutor 152 e um terceiro padrão condutor 154 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) podem ser formados, pelos quais uma primeira camada semicondutora do tipo p 106, uma segunda camada semicondutora do tipo p 124 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 são acopladas eletricamente. Na primeira área AR1, a porção removida no canto pode ser uma posição em que um primeiro padrão condutor 150 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) pode ser formado, o qual é eletricamente acoplado a uma primeira camada semicondutora do tipo n 102. Na terceira área AR3, a porção removida no canto pode ser uma posição em que um quarto padrão condutor 156 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) pode ser formado, que é acoplado eletricamente com uma segunda camada semicondutora do tipo n 128.
[0214] De acordo com uma modalidade exemplificativa, após o processo de gravação, a terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 podem ter paredes laterais inclinadas, respectivamente, e a parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo n gravada 148, a parede lateral da terceira camada ativa gravada 146 e a parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo p gravada 144 podem ser substancialmente formadas no mesmo plano. De acordo com outra modalidade exemplificativa, a terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 podem ter paredes laterais geralmente verticais, respectivamente, e a parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo n gravada 148, a parede lateral da terceira camada ativa gravada 146 e a parede lateral da terceira camada semicondutora do tipo p gravada 144 podem ser substancialmente formadas no mesmo plano.
[0215] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o pré-
terceiro eletrodo transparente 142P pode funcionar como uma camada de interrupção de gravação. Em particular, o processo de gravação pode ser realizado até que o pré-terceiro eletrodo transparente 142P seja exposto. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes e uma porção da superfície superior do pré-terceiro eletrodo transparente 142P, que é exposta pela terceira camada semicondutora do tipo n 148, pela terceira camada ativa 146 e pela terceira camada semicondutora do tipo p 144 pode ser seletivamente gravada.
[0216] Pelo processo de gravação, a porção periférica do pré-terceiro eletrodo transparente 142P pode ser exposta. Além disso, no pré-terceiro eletrodo transparente 142P, porções correspondentes às porções de corte de canto do primeiro padrão de máscara MK1 posicionadas na primeira área AR1, na segunda área AR2 e na terceira área AR3 podem ser expostas.
[0217] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 podem ter pelo menos um tamanho predeterminado, de modo que uma terceira peça emissora de luz LE3, que deve ser completada posteriormente, podem funcionar como um diodo emissor de luz.
[0218] Após realizar o processo de gravação, o primeiro padrão de máscara MK1 pode ser removido.
[0219] Referindo às FIGS. 8A a 8C, um segundo padrão de máscara MK2 cobrindo a terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 pode ser formado no pré-terceiro eletrodo transparente 142P. O pré-terceiro eletrodo transparente 142P, a pré-segunda porção de ligação 134P e o pré-segundo filtro de cor 132P podem ser gravados usando o segundo padrão de máscara MK2 como uma máscara de gravação. Através do processo de gravação, a terceira peça emissora de luz LE3 incluindo a terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146, a terceira camada semicondutora do tipo p 144 e o terceiro eletrodo transparente 142 podem ser formados e uma segunda porção de ligação 134 e um segundo filtro de cor 132 podem ser formados.
[0220] O segundo padrão de máscara MK2 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. O segundo padrão de máscara MK2 pode ter cantos posicionados na primeira área AR1, na segunda área AR2 e na terceira área AR3 que são cortadas. Como mostrado na Fig. 8A, o segundo padrão de máscara MK2 pode ter uma primeira parede lateral SW1 disposta na primeira área AR1, correspondendo à primeira parede lateral SW1 do primeiro padrão de máscara MK1 e tem, por exemplo, uma forma substancialmente em V recuada de maneira côncava para dentro em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente 142, uma segunda parede lateral SW2 disposta na segunda área AR2 e com uma superfície plana não dobrada, e uma terceira parede lateral SW3 disposta na terceira área AR3, correspondendo à terceira parede lateral SW3 do primeiro padrão de máscara MK1, e tem, por exemplo, uma forma substancialmente em forma de V recuada interiormente em direção ao centro do terceiro eletrodo transparente 142.
[0221] Desta maneira, um espaço na segunda área AR2 pode ser fixado entre a parede lateral de pelo menos uma da terceira camada semicondutora do tipo n 148, a terceira camada ativa 146 e a terceira camada semicondutora do tipo p 144 e a parede lateral do segundo padrão de máscara MK2. Após o processo de gravação utilizando o segundo padrão de máscara MK2 como uma máscara de gravação, uma porção da superfície superior do pré- segundo eletrodo transparente 122P pode ser exposta no espaço garantido na segunda área AR2 e o do pré-segundo eletrodo transparente exposto 122P pode ser fornecida como um espaço onde um terceiro padrão condutor 154 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) pode ser formado em um processo subsequente.
[0222] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o terceiro eletrodo transparente 142, a segunda porção de ligação 134 e o segundo filtro de cor 132 podem ter paredes laterais inclinadas e a parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142, a parede lateral da segunda porção de ligação 134 e a parede lateral do segundo filtro de cor 132 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano. De acordo com outra modalidade exemplificativa, o terceiro eletrodo transparente 142, a segunda porção de ligação 134 e o segundo filtro de cor 132 podem ter paredes laterais geralmente verticais. Neste caso, a parede lateral do terceiro eletrodo transparente 142, a parede lateral da segunda porção de ligação 134 e a parede lateral do segundo filtro de cor 132 podem ser substancialmente formadas no mesmo plano.
[0223] No processo de gravação, uma receita de processamento, como um tempo de injeção de gás de gravação, pode ser ajustada de modo que o processo de gravação pare em um ponto em que a pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P seja exposta. De acordo com um exemplo, uma porção superior da pré-segunda camada semicondutora do tipo n 128P pode ser gravada. Neste caso, uma porção da pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P exposta pela terceira peça emissora de luz LE3 pode ser mais fina que a pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P disposta dentro da terceira peça emissora de luz LE3.
[0224] A porção periférica da pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P pode ser exposta pelo segundo padrão de máscara MK2. Além disso, na pré-segunda camada semicondutora do tipo n 128P, porções correspondentes às porções removidas de canto do segundo padrão de máscara MK2 posicionadas na primeira área AR1, a segunda área AR2 e a terceira área AR3 podem ser expostas.
[0225] Após o processo de gravação, o segundo padrão de máscara MK2 pode ser removido.
[0226] Referindo às FIGS. 9A à 9C, um terceiro padrão de máscara MK3 cobrindo a terceira peça emissora de luz LE3, a segunda porção de ligação 134 e o segundo filtro de cor 132 podem ser formados na pré-segunda camada semicondutora de tipo n 128P. A pré-segunda camada semicondutora do tipo n 128P, a pré- segunda camada ativa 126P e a pré-segunda camada semicondutora do tipo p 124P podem ser gravadas usando o terceiro padrão de máscara MK3 como uma máscara de gravação. Através do processo de gravação, uma segunda camada semicondutora do tipo n 128, uma segunda camada ativa 126 e uma segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ser formadas.
[0227] O terceiro padrão de máscara MK3 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. O terceiro padrão de máscara MK3 pode ter cantos posicionados na primeira área AR1 e na segunda área AR2 que são cortadas. Como mostrado na Fig. 9A, o terceiro padrão de máscara MK3 pode ter uma primeira parede lateral SW1 disposta na primeira área AR1, correspondendo à primeira parede lateral SW1 do segundo padrão de máscara MK2 e tem, por exemplo, uma forma substancialmente em V recuada de forma côncava para dentro em direção ao centro da segunda camada semicondutora do tipo n 128 e uma segunda parede lateral SW2 disposta na segunda área AR2, correspondendo à segunda parede lateral SW2 do segundo padrão de máscara MK2 e tem, por exemplo, uma superfície plana não dobrada.
[0228] De acordo com uma modalidade exemplificativa, um espaço na terceira área AR3 pode ser fixado entre a parede lateral de pelo menos um do terceiro eletrodo transparente 142, a segunda porção de ligação 134 e o segundo filtro de cor 132 e a parede lateral do terceiro padrão de máscara MK3. Após a gravação usando o terceiro padrão de máscara MK3 como uma máscara de gravação, uma porção da superfície superior da segunda camada semicondutora do tipo n 128 pode ser exposta pelo espaço fixado na terceira área AR3 e a segunda camada semicondutora do tipo n exposta 128 pode ser fornecida como um espaço onde um quarto padrão condutor 156 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) deve ser formado em um processo subsequente.
[0229] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a segunda camada semicondutora do tipo n 128, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ter paredes laterais inclinadas, respectivamente, e a parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo n 128, a parede lateral da segunda camada ativa 126 e a parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano. De acordo com outra modalidade exemplificativa, a segunda camada semicondutora do tipo n 128, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ter paredes laterais geralmente verticais, respectivamente. Neste caso, a parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo n 128, a parede lateral da segunda camada ativa 126 e a parede lateral da segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano.
[0230] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o pré- segundo eletrodo transparente 122P pode funcionar como uma camada de interrupção de gravação. Em particular, o processo de gravação pode ser realizado até o pré-segundo eletrodo transparente 122P ser exposto. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e uma porção da superfície superior do pré-segundo eletrodo transparente 122P exposta pela segunda camada semicondutora do tipo n 128, pela segunda camada ativa 126 e pela segunda camada semicondutora do tipo p 124 pode ser seletivamente gravada. Neste caso, o pré- segundo eletrodo transparente 122P exposto pela segunda camada semicondutora do tipo n 128, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora do tipo p 124 podem ser mais finos que o pré-segundo eletrodo transparente 122P disposto no interior da segunda camada semicondutora do tipo n 128, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora do tipo p 124.
[0231] Pelo processo de gravação, a porção periférica do pré-segundo eletrodo transparente 122P pode ser exposta. Além disso, no pré-segundo eletrodo transparente 122P, porções correspondentes às porções removidas dos cantos do terceiro padrão de máscara MK3 posicionado na primeira área AR1 e na segunda área AR2 podem ser expostas.
[0232] Após realizar o processo de gravação, o terceiro padrão de máscara MK3 pode ser removido.
[0233] Referindo às FIGS. 10A à 10C, um quarto padrão de máscara MK4 cobrindo a terceira peça emissora de luz LE3, a segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132, a segunda camada semicondutora de tipo n 128, a segunda camada ativa 126 e a segunda camada semicondutora tipo p 124 podem ser formadas no pré-segundo eletrodo transparente 122P e no pré- segundo eletrodo transparente 122P, a pré-primeira porção de ligação 114P. O pré-primeiro filtro de cor 112P pode ser gravado usando o quarto padrão de máscara MK4 como uma máscara de gravação. Através do processo de gravação, uma segunda peça emissora de luz LE2 incluindo a segunda camada semicondutora do tipo n 128, a segunda camada ativa 126, a segunda camada semicondutora do tipo p 124 e um segundo eletrodo transparente 122, uma primeira porção de ligação 114, e um primeiro filtro de cor 112 podem ser formados.
[0234] O quarto padrão de máscara MK4 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. O quarto padrão de máscara MK4 pode ter cantos posicionados na primeira área AR1 e na segunda área AR2 que são cortadas. Como mostrado na Fig. 10A, o quarto padrão de máscara MK4 pode ter uma primeira parede lateral SW1 disposta na primeira área AR1, correspondendo à primeira parede lateral SW1 do terceiro padrão de máscara MK3 e tem, por exemplo, uma forma substancialmente em V recuada de forma côncava para dentro em direção ao centro do segundo eletrodo transparente 122 e uma segunda parede lateral SW2 disposta na segunda área AR2, correspondendo à segunda parede lateral SW2 do terceiro padrão de máscara MK3 e tem, por exemplo, uma superfície planar não dobrada. Neste caso, um espaço na segunda área AR2 pode ser fixado entre a parede lateral de pelo menos um do segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 e a parede lateral da quarta máscara MK4. Após a gravação usando o quarto padrão de máscara MK4 como uma máscara de gravação, uma porção da superfície superior do pré-primeiro eletrodo transparente 108P pode ser exposta pelo espaço protegido na segunda área AR2 e o pré-primeiro eletrodo transparente exposto 108P pode ser fornecido como um espaço onde o segundo padrão condutor 152 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) deve ser formado em um processo subsequente.
[0235] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ter paredes laterais inclinadas e a parede lateral do segundo eletrodo transparente 122, a parede lateral da primeira porção de ligação 114 e o a parede lateral do primeiro filtro de cor 112 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano. De acordo com outra modalidade exemplificativa, o segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ter paredes laterais geralmente verticais. Neste caso, a parede lateral do segundo eletrodo transparente 122, a parede lateral da primeira porção de ligação 114 e a parede lateral do primeiro filtro de cor 112 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano.
[0236] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o pré- primeiro eletrodo transparente 108P pode funcionar como uma camada de interrupção de gravação. Em particular, o processo de gravação pode ser realizado até que o primeiro eletrodo transparente 108P seja exposto. No entanto, os conceitos inventivos não estão limitados a estes e uma porção da superfície superior do pré-primeiro eletrodo transparente 108P exposto pelo segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ser seletivamente gravados. Neste caso, o pré-primeiro eletrodo transparente 108P exposto pelo segundo eletrodo transparente 122, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ser mais finos que o pré-primeiro eletrodo transparente 108P disposto dentro do primeiro filtro de cor 112.
[0237] A porção periférica do pré-primeiro eletrodo transparente 108P pode ser exposta pelo quarto padrão de máscara MK4. Além disso, no pré-primeiro eletrodo transparente 108P, porções correspondentes às porções removidas dos cantos do quarto padrão de máscara MK4 posicionadas na primeira área AR1 e na segunda área AR2 podem ser expostas.
[0238] Após o processo de gravação, o quarto padrão de máscara MK4 pode ser removido.
[0239] Referindo às FIGS. 11A à 11C, um quinto padrão de máscara MK5 cobrindo a terceira peça emissora de luz LE3, a segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132, a segunda peça emissora de luz LE2, a primeira porção de ligação 114 e o primeiro filtro de cor 112 podem ser formados no pré- primeiro eletrodo transparente 108P. O pré-primeiro eletrodo transparente 108P, a pré-primeira camada semicondutora do tipo p 106P e a pré-primeira camada ativa 104P podem ser gravados usando o quinto padrão de máscara MK5 como uma máscara de gravação. Através do processo de gravação, um primeiro eletrodo transparente 108, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e uma primeira camada ativa 104 podem ser formados.
[0240] O quinto padrão de máscara MK5 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. O quinto padrão de máscara MK5 pode ter um canto posicionado na primeira área AR1 que é cortada. Como mostrado na Fig. 11A, o quinto padrão de máscara MK5 pode ter uma parede lateral SW1 disposta na primeira área AR1, correspondendo à primeira parede lateral SW1 do quarto padrão de máscara MK4 e tem, por exemplo, uma forma substancialmente em V recuada de forma côncava para dentro em direção ao centro do primeiro eletrodo transparente 108. No quarto padrão de máscara MK4, uma vez que o canto posicionado na segunda área AR2 não é removido, um espaço pode ser fixado entre a parede lateral de pelo menos um do primeiro eletrodo transparente 108, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e o primeira camada ativa 104 e a parede lateral do quinto padrão de máscara MK5. Após a gravação usando o quinto padrão de máscara MK5 como uma máscara de gravação, uma porção da superfície superior do primeiro eletrodo transparente 108 pode ser exposta pelo espaço protegido na segunda área AR2 e o primeiro eletrodo transparente exposto 108 pode ser fornecido como um espaço onde o segundo padrão condutor 152 (ver FIGS. 14A, 14B e 14C) deve ser formado em um processo subsequente.
[0241] De acordo com uma modalidade exemplificativa, o primeiro eletrodo transparente 108, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 podem ter paredes laterais inclinadas, respectivamente, e a parede lateral do primeiro eletrodo transparente 108, a parede lateral da primeira camada semicondutora de tipo p 106, e a parede lateral da primeira camada ativa 104 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano. De acordo com outra modalidade exemplificativa, o primeiro eletrodo transparente 108, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e a primeira camada ativa 104 podem ter paredes laterais geralmente verticais. Neste caso, a parede lateral do primeiro eletrodo transparente 108, a parede lateral da primeira camada semicondutora do tipo p 106 e a parede lateral da primeira camada ativa 104 podem ser formadas substancialmente no mesmo plano.
[0242] No processo de gravação, uma receita de processamento, como um tempo de injeção de gás de gravação, pode ser ajustada de modo que o processo de gravação seja interrompido em um ponto em que a pré-primeira camada semicondutora de tipo n 102P seja exposta. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma porção superior da pré-primeira camada semicondutora do tipo n 102P pode ser gravada. Neste caso, a pré-primeira camada semicondutora do tipo n 102P exposta pelo primeiro eletrodo transparente 108 pode ser mais fina que a pré-primeira camada semicondutora do tipo n 102P disposta dentro do primeiro eletrodo transparente 108.
[0243] Após o processo de gravação, o quinto padrão de máscara MK5 pode ser removido.
[0244] Referindo às FIGS. 12A à 12C, uma camada de isolamento ISL pode ser conformada em estruturas de mesa, incluindo a pré-primeira camada semicondutora do tipo n 102P, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora do tipo p 106, o primeiro filtro de cor 112, o primeiro porção de ligação 14, a segunda parte de emissão de luz LE2, a segunda parte de ligação 134, o segundo filtro de cor 132 e a terceira parte de emissão de luz LE3 que são empilhadas verticalmente. A camada de isolamento ISL pode incluir um óxido, por exemplo, óxido de silício.
[0245] Como as estruturas da mesa escalonaram nas paredes laterais, como mostrado nas FIGS. 12B e 12C, a camada de isolamento ISL pode ser depositada em conformidade nas estruturas da mesa com uma espessura constante. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que as estruturas da mesa têm inclinações enquanto possuem as paredes laterais escalonadas, a camada ISL da camada de isolamento pode ser depositada em conformidade com uma espessura constante, mesmo nos topos ou fundos das estruturas da mesa ou entre as estruturas de mesa.
[0246] Referindo às FIGS. 13A à 13C, padronizando na camada de isolamento ISL, uma primeira abertura OP1, uma segunda abertura OP2, uma terceira abertura OP3, uma quarta abertura OP4 e uma quinta abertura OP5 podem ser formadas.
[0247] A primeira abertura OP1 pode expor uma porção da pré- primeira camada semicondutora do tipo n 102P na primeira área AR1. A segunda abertura OP2 pode expor uma porção da superfície superior do primeiro eletrodo transparente 108 e uma porção da superfície superior do segundo eletrodo transparente 122 na segunda área AR2. A terceira abertura OP3 pode expor uma porção da superfície superior do terceiro eletrodo transparente 142 na segunda área AR2. A quarta abertura OP4 pode expor uma porção da superfície superior da segunda camada semicondutora do tipo n 128 na terceira área AR3. A quinta abertura OP5 pode expor uma porção da superfície superior da terceira camada semicondutora do tipo n 148 na quarta área AR4.
[0248] De acordo com uma modalidade exemplificativa, ao formar as primeira à quinta aberturas OP1, OP2, OP3, OP4 e OP5, gravando a pré-primeira camada semicondutora de tipo n 102P para expor a porção periférica do primeiro substrato 100, uma primeira camada semicondutora de tipo n 102, incluindo uma primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E, pode ser formada. A primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima, e a parede lateral externa da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E e a parede lateral externa da camada de isolamento ISL podem ser formadas substancialmente no mesmo plano.
[0249] Ao espalhar a camada ISL da camada de isolamento, uma primeira peça emissora de luz LE1 incluindo a primeira camada semicondutora do tipo n 102, a primeira camada ativa 104, a primeira camada semicondutora do tipo p 106 e o primeiro eletrodo transparente 108 podem ser formados no primeiro substrato 100. Além disso, uma estrutura emissora de luz incluindo a primeira peça emissora de luz LE1, o primeiro filtro de cor 112, a primeira porção de ligação 114, a segunda peça emissora de luz LE2, a segunda porção de ligação 134, o segundo filtro de cor 132, o segundo filtro de cor 132 e a terceira emissora de luz a parte LE3 pode ser concluída.
[0250] Referindo às FIGS. 14A à 14C, um primeiro padrão condutor 150, um segundo padrão condutor 152, um terceiro padrão condutor 154, um quarto padrão condutor 156 e um quinto padrão condutor 158 que preenchem a primeira abertura OP1, a segunda abertura OP2, a terceira abertura OP3, a quarta abertura OP4 e a quinta abertura OP5, respectivamente, podem ser formados.
[0251] Em particular, uma primeira camada condutora pode ser conformada na camada ISL da camada de isolamento. Como mostrado nas Figs. 14B e 14C, como as estruturas da mesa formadas com a camada ISL da camada de isolamento têm as paredes laterais escalonadas, a primeira camada condutora pode ser depositada em conformidade nas estruturas da mesa formadas com a camada ISL da camada de isolamento, com uma espessura constante. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que as estruturas da mesa têm inclinações enquanto possuem as paredes laterais escalonadas, a primeira camada condutora pode ser depositada em conformidade com uma espessura constante, mesmo nos topos ou fundos das estruturas de mesa ou entre as estruturas de mesa.
[0252] A primeira camada condutora pode incluir pelo menos um de Ni, Ag, Au, Pt, Ti, Al e Cr. Ao padronizar a primeira camada condutora, o primeiro padrão condutor 150 que preenche a primeira abertura OP1, o segundo padrão condutor 152 que preenche a segunda abertura OP2, o terceiro padrão condutor 154 que preenche a terceira abertura OP3, o quarto padrão condutor 156 que preenche a quarta abertura OP4 e o quinto padrão condutor 158 que preenche a quinta abertura OP5 podem ser formados respectivamente. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a superfície superior de cada um dos primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158 pode ser posicionada em um nível mais elevado do que a superfície superior da camada ISL da camada de isolamento. De acordo com outra modalidade exemplificativa, a superfície superior de cada um dos primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158 pode ser coplanar com a superfície superior da camada de isolamento ISL.
[0253] Referindo às FIGS. 15A à 15C, um primeiro padrão condutor de filme fino 160 que é acoplado eletricamente com o primeiro padrão condutor 150 na primeira área AR1, um segundo padrão condutor de filme fino 162 que é acoplado eletricamente com o quarto padrão condutor 156 na terceira área AR3, um terceiro padrão condutor de filme fino 164 que é eletricamente acoplado ao quinto padrão condutor 158 na quarta área AR4 e um quarto padrão condutor de filme fino 166 que é eletricamente acoplado ao segundo padrão condutor 152 e ao terceiro padrão condutor 154 na segunda a área AR2 podem ser formados.
[0254] Uma segunda camada condutora pode ser conformalmente formada na camada de isolamento ISL, que é formada com o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158. Como mostrado nas Figs. 15B e 15C, como as estruturas de mesa formadas com a camada de isolamento ISL, que é formada com o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, têm as paredes laterais escalonadas, a segunda camada condutora pode ser depositada conformalmente sobre as estruturas de mesa com uma espessura constante. De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma vez que as estruturas de mesa têm inclinações enquanto possuem as paredes laterais escalonadas, a segunda camada condutora pode ser depositada em conformidade com uma espessura constante, mesmo nos topos ou fundos das estruturas de mesa ou entre as estruturas de mesa. A segunda camada condutora pode incluir pelo menos um de Ni, Ag, Au, Pt, Ti, Al e Cr. Quando a segunda camada condutora inclui substancialmente o mesmo material que a primeira camada condutora, pode ser difícil identificar os limites entre o primeiro e o quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158 e a segunda camada condutora.
[0255] Ao padronizar a segunda camada condutora, o primeiro padrão condutor de filme fino 160 que é acoplado eletricamente com o primeiro padrão condutor 150, o segundo padrão condutor de filme fino 162 que é acoplado eletricamente com o quarto padrão condutor 156, o terceiro padrão condutor de filme fino 164 que é acoplado eletricamente com o quinto padrão condutor 158 e o quarto padrão condutor de filme fino 166 que é acoplado eletricamente com o segundo e o terceiro padrão condutor 152 e 154 podem ser formados respectivamente.
[0256] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um dos primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vistos de cima. Cada um dos primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 pode ter uma estrutura que se estende do topo da terceira camada semicondutora do tipo n 148 da terceira peça emissora de luz LE3 até a primeira camada semicondutora estendida de tipo n 102E. Uma porção de cada um dos primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 pode ser disposta na primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E, que é substancialmente plana sem porção desigual.
[0257] Embora o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 sejam descritos como sendo formados após o primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158, no entanto, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Por exemplo, depois de se formar de conformalmente uma segunda camada condutora na camada de isolamento, a ISL é formada com as primeira à quinta aberturas OP1, OP2, OP3, OP4 e OP5, padronizando a segunda camada condutora, o primeiro ao quinto padrão condutor 150, 152, 154, 156 e 158, que preenchem respectivamente a primeira à quinta aberturas OP1, OP2, OP3, OP4 e OP5 e o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 que são acoplados eletricamente, respectivamente, do primeiro ao quinto padrões condutores 150, 152, 154, 156 e 158 podem ser formados juntos.
[0258] Referindo às FIGS. 16A à 16C, uma primeira camada de passivação PVT1 que pode cobrir substancial ou completamente a estrutura emissora de luz pode ser formada no primeiro substrato
100. A primeira camada de passivação PVT1 pode incluir um material de polímero, por exemplo, poli-imida ou EMC. De acordo com uma modalidade exemplificativa, a superfície superior da primeira camada de passivação PVT1 pode ser posicionada em um nível mais elevado do que a superfície superior de cada um dos primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162,
164 e 166. Além disso, a primeira camada de passivação PVT1 pode ter uma parede lateral que é coplanar com a parede lateral do primeiro substrato 100. Como tal, o primeiro substrato 100, a estrutura emissora de luz, a camada de isolamento ISL e o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166 podem ser posicionados dentro da primeira camada de passivação PVT1.
[0259] Em seguida, gravando a primeira camada de passivação PVT1, um primeiro orifício de passagem, um segundo orifício de passagem, um terceiro orifício de passagem e um quarto orifício de passagem, que expõem o primeiro ao quarto padrões condutores de filme fino 160, 162, 164 e 166, respectivamente, podem ser formados. O primeiro orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção da superfície superior do primeiro padrão condutor de filme fino 160 que cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O segundo orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção da superfície superior do segundo padrão condutor de filme fino 162 que cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O terceiro orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção da superfície superior do terceiro padrão condutor de filme fino 164 que cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. O quarto orifício de passagem pode expor pelo menos uma porção da superfície superior do quarto padrão condutor de filme fino 166 que cobre a primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E. Desta maneira, como o primeiro ao quarto orifícios de passagem são formados em porções substancialmente planas sem porções desiguais, e assim, a confiabilidade do processamento pode ser melhorada.
[0260] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um dos primeiro ao quarto orifícios de passagem pode ter uma largura que se estreita gradualmente de cima para baixo e pode ter uma parede lateral inclinada.
[0261] Então, um primeiro contato de via 170, um segundo contato de via 172, um terceiro contato de via 174 e um quarto contato de via 176 que preenchem o primeiro ao quarto orifícios de passagem, respectivamente, podem ser formados.
[0262] O primeiro contato de via 170 pode ser posicionado na primeira área AR1, acoplado eletricamente com o primeiro padrão condutor 150 através do primeiro padrão condutor de filme fino 160 e aplicar e/ou transmitir uma voltagem negativa à primeira camada semicondutora do tipo n 102. O segundo contato de via 172 pode ser posicionado na terceira área AR3, acoplado eletricamente ao quarto padrão condutor 156 através do segundo padrão condutor de filme fino 162 e aplicar e/ou transmitir uma voltagem negativa para a segunda camada semicondutora do tipo n
128. O terceiro contato de via 174 pode ser posicionado na quarta área AR4, acoplado eletricamente com o quinto padrão condutor 158 através do terceiro padrão condutor de filme fino 164 e aplicar e/ou transmitir uma voltagem negativa à terceira camada semicondutora do tipo n 148. O quarto contato de via 176 pode ser posicionado na segunda área AR2, acoplado eletricamente aos segundo e terceiro padrões condutores 152 e 154 através do quarto padrão condutor de filme fino 166 e aplicar e/ou transmitir uma voltagem positiva à primeira à terceiro camadas semicondutoras tipo p 106, 124 e 144.
[0263] Como descrito acima, como cada um dos primeiros ao quarto orifícios de passagem tem uma largura que se estreita gradualmente em direção ao fundo, cada um dos primeiros ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode ter uma largura que se estreita gradualmente em direção ao fundo e pode ter uma parede lateral inclinada.
[0264] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um dos primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode ter uma superfície mais elevada do que a superfície superior da primeira camada de passivação PVT1. Por exemplo, o primeiro contato de via 170 pode incluir uma porção que preenche o primeiro orifício de passagem e uma porção que se projeta para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1. A porção que se projeta para cima a partir da primeira camada de passivação PVT1 pode ter uma largura maior que a largura do topo do primeiro orifício de passagem, como mostrado na FIG. 16B. De acordo com outra modalidade exemplificativa, cada um dos primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 pode ter uma superfície superior que é substancialmente nivelada (ou disposta no mesmo nível) com a superfície superior da primeira camada de passivação PVT1.
[0265] A distância de cada um dos primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 à parede lateral da primeira camada de passivação PVT1 pode variar dependendo de um tipo de dispositivo no qual o chip emissor de luz está montado.
[0266] Desta maneira, o chip emissor de luz mostrado nas FIGS. 3A a 3C pode ser concluído.
[0267] Então, o primeiro substrato 100 pode ser removido. O primeiro substrato 100 pode ser removido por um processo de elevação a laser ou semelhante. Se o primeiro substrato 100 for removido, a superfície inferior da primeira camada semicondutora do tipo n 102, a superfície inferior da primeira camada semicondutora estendida do tipo n 102E e a superfície inferior da primeira camada de passivação PVT1 podem ser expostas. Desta maneira, o chip emissor de luz mostrado nas FIGS. 1A a 1C pode ser concluído.
[0268] De acordo com outra modalidade exemplificativa mostrada na FIGS. 17A à 17C, antes de remover o primeiro substrato 100, uma segunda camada de passivação PVT2 incluindo o quinto ao oitavo orifícios de passagem que expõem as superfícies superiores do primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176, respectivamente, podem ser formados no primeira camada de passivação PVT1. A segunda camada de passivação PVT2 pode incluir substancialmente o mesmo material que a primeira camada de passivação PVT1, por exemplo, poli-imida ou EMC. Então, preenchendo o quinto ao oitavo orifícios de passagem com um material condutor, o quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186, que são acoplados eletricamente ao primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176, respectivamente, podem ser formados. De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada um dos quinto aos oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 pode ter uma superfície mais elevada do que a superfície superior da segunda camada de passivação PVT2. Por exemplo, o quinto contato de via 180 pode incluir uma porção que preenche o quinto orifício de passagem e uma porção que se projeta para cima a partir da segunda camada de passivação PVT2. A porção que se projeta para cima a partir da segunda camada de passivação PVT2 pode ter uma largura maior que a largura do topo do quinto orifício de passagem. De acordo com outra modalidade exemplificativa, cada um do quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e, 186 pode ter uma superfície superior que é substancialmente nivelada com a superfície superior da segunda camada de passivação PVT2. A posição de cada um do quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 pode variar dependendo da distância de separação padrão de um dispositivo no qual o chip emissor de luz está montado. Então, o primeiro substrato 100 pode ser removido. Por esse fato, o chip emissor de luz mostrado nas FIGS. 4A a 4C pode ser concluído.
[0269] Alternativamente, de acordo com outra modalidade exemplificativa, antes de remover o primeiro substrato 100, um substrato de TSV pode ser ligado à primeira camada de passivação PVT1. Em geral, múltiplas camadas de padrões condutores podem ser formadas no substrato TSV. Padrões condutores que são eletricamente acoplados ao primeiro ao quarto contatos de passagem 170, 172, 174 e 176 podem ser formados em uma superfície do substrato TSV e padrões condutores 190, 192, 194 e, 196, que correspondem às respectivas posições do quinto ao oitavo contatos de passagem 180, 182, 184 e 186 podem ser dispostos na outra superfície do substrato TSV. Desta maneira, o chip emissor de luz mostrado nas FIGS. 5A a 5C pode ser concluído.
[0270] A seguir, será descrita uma unidade celular emissora de luz que inclui o chip emissor de luz acima descrito.
[0271] A FIG. 18A é uma vista plana de uma unidade de célula emissora de luz de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 18B é uma vista em seção transversal tomada ao longo de uma linha D-D’ da FIG. 18A, ilustrando a unidade de célula emissora de luz.
[0272] Referindo às FIGS. 18A e 18B, uma unidade de célula emissora de luz pode incluir uma pluralidade de chips emissores de luz LEDC. A unidade celular emissora de luz pode ter uma estrutura substancialmente quadrangular quando vista de cima. A pluralidade de chips de emissão de luz LEDC na unidade de célula emissora de luz pode ser disposta nos respectivos cantos da estrutura quadrangular da unidade de célula emissora de luz. Cada um dos chips de emissão de luz LEDC na unidade de célula emissora de luz, de acordo com uma modalidade exemplificativa, será descrito como incluindo o chip emissor de luz das FIGS. 1A à 1C e, portanto, descrições detalhadas da estrutura e características do chip emissor de luz serão omitidas para evitar redundância. Os chips de emissão de luz LEDC na unidade de célula emissora de luz podem ser separados e isolados um do outro por uma camada de passivação PVT1 e/ou PVT2.
[0273] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a unidade de célula emissora de luz pode ser uma unidade na qual os chips emissores de luz podem ser montados ao mesmo tempo. Por exemplo, quando existem quatro chips emissores de luz LEDC dispostos na unidade de célula emissora de luz, os quatro chips emissores de luz LEDC podem ser montados ao mesmo tempo em um dispositivo alvo através de um único processo de montagem. Embora a FIG. 18A mostre que a unidade de célula emissora de luz inclui quatro chips emissores de luz LEDC, no entanto, os conceitos inventivos não se limitam a um número específico de chips emissores de luz. Como tal, como uma unidade de célula emissora de luz é montada em um dispositivo alvo, a pluralidade de chips emissores de luz LEDC na unidade de célula emissora de luz pode ser montada de uma só vez. Dessa maneira, o processo de montagem pode ser simplificado e reduzir o tempo e os custos da fabricação.
[0274] Em geral, os chips únicos são montados individualmente em um dispositivo alvo, e um único chip possui um tamanho padronizado e uma distância padronizada entre os chips únicos adjacentes é predefinida. Como tal, cada um dos chips de emissão de luz LEDC na unidade de célula emissora de luz tem um tamanho padronizado para um dispositivo alvo e os chips de emissão de luz adjacentes LEDC podem ser dispostos a uma distância predeterminada SD na unidade de célula emissora de luz de acordo com o distância padronizada.
[0275] De acordo com uma modalidade exemplificativa, quando a distância de separação SD entre os chips emissores de luz LEDC é menor que a distância padronizada do dispositivo alvo, as saliências BP podem ser dispostas adicionalmente na segunda camada de passivação PVT2, de modo que a distância de separação SD entre as saliências BP pode se tornar substancialmente a mesma que a distância padronizada do dispositivo alvo.
[0276] No chip emissor de luz e na unidade de célula emissora de luz, incluindo o mesmo, de acordo com modalidades exemplificativas, uma vez que a parede lateral e a superfície superior de um microchip emissor de luz são protegidas por uma camada de passivação, é possível impedir que o micro chip emissor de luz se quebre ou seja danificado durante o transporte ou por um choque externo. Além disso, uma vez que a camada de passivação inclui um material polimérico, como poli-imida e composto de moldagem epóxi (EMC), a quantidade de luz perdida pode ser reduzida à medida que a luz emitida pelo chip emissor de luz é refletida para melhorar a eficiência da luz.
[0277] De acordo com modalidades exemplificativas, uma pilha de diodos emissores de luz tem uma estrutura na qual a primeira à terceira pilhas de LED são empilhadas uma acima da outra. Dessa maneira, a pilha de diodos emissores de luz pode aumentar uma área luminosa de cada subpixel sem aumentar a área de pixels. Além disso, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED pode ser emitida para fora através da segunda pilha de LED e da terceira pilha de LED, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED pode ser emitida para fora através da terceira pilha de LED, melhorando assim a eficácia luminosa.
[0278] Por exemplo, as primeira, segunda e terceira pilhas de LED são dispostas sequencialmente para emitir luz com comprimentos de onda gradualmente decrescentes na ordem estabelecida. Por exemplo, a primeira, a segunda e a terceira pilhas de LED podem emitir luz vermelha, luz verde e luz azul, respectivamente. Como a primeira, a segunda e a terceira pilhas de LED emitem luz com comprimentos de onda gradualmente decrescentes na ordem estabelecida, é possível impedir a interferência da luz entre as pilhas de LEDs.
[0279] A FIG. 19 é uma vista esquemática em seção transversal de uma pilha de diodo emissor de luz 1000 para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0280] Referindo às FIG. 19, a pilha de diodos emissores de luz 1000 inclui um substrato de suporte 1510, uma primeira pilha de LED 1230, uma segunda pilha de LED 1330, uma terceira pilha de LED 1430, um eletrodo refletor 1250, um eletrodo ôhmico 1290, um segundo eletrodo transparente 1350, um terceiro eletrodo transparente p 1450, uma camada de isolamento 1270, um primeiro filtro de cor 1370, um segundo filtro de cor 1470, uma primeira camada de ligação 1530, uma segunda camada de ligação 1550 e uma terceira camada de ligação 1570. Além disso, a primeira pilha de LED 1230 pode incluir uma porção de contato ôhmico 1230a para contato ôhmico. Conforme usado para as modalidades exemplificativas divulgadas aqui, uma pilha de diodos emissores de luz pode se referir a um micro LED (ou uma pilha de micro LED).
[0281] O substrato de suporte 1510 suporta as pilhas de semicondutores 1230, 1330 e 1430. O substrato de suporte 1510 pode incluir um circuito em uma superfície do mesmo ou nele, mas os conceitos inventivos não estão limitados a ele. O substrato de suporte 1510 pode incluir, por exemplo, um substrato de Si ou um substrato de Ge.
[0282] Cada uma da primeira pilha de LED 1230, a segunda pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430 inclui uma camada semicondutora do tipo n, uma camada semicondutora do tipo p e uma camada ativa interposta entre elas. A camada ativa pode ter uma estrutura de poço multiquântico.
[0283] Por exemplo, a primeira pilha de LED 1230 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico configurado para emitir luz vermelha, a segunda pilha de LED 1330 pode ser um diodo emissor de luz inorgânica configurado para emitir luz verde e a terceira pilha de LED 1430 pode ser uma luz inorgânica diodo emissor configurado para emitir luz azul. A primeira pilha de LED 1230 pode incluir uma camada de poço baseada em GaInP, e cada uma da segunda pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430 pode incluir uma camada de poço baseada em GaInN.
[0284] Além disso, ambas as superfícies de cada uma das primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330, 1430 são uma camada semicondutora do tipo n e uma camada semicondutora do tipo p, respectivamente. Na modalidade exemplificativa ilustrada, cada uma da primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 tem uma superfície superior do tipo n e uma superfície inferior do tipo p. Uma vez que a terceira pilha de LED 1430 tem uma superfície superior do tipo n, uma superfície rugosa pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 1430 através de gravura química. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam aos mesmos, e os tipos de semicondutores das superfícies superior e inferior de cada uma das pilhas de LED podem ser arranjados alternativamente.
[0285] A primeira pilha de LED 1230 é disposta perto do substrato de suporte 1510; a segunda pilha de LED 1330 é disposta na primeira pilha de LED 1230 e a terceira pilha de LED 1430 é disposta na segunda pilha de LED 1330. Uma vez que a primeira pilha de LED 1230 emite luz com um comprimento de onda maior que a segunda e a terceira pilhas de LED 1330 e 1430, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230 pode ser emitida externamente através da segunda e terceira pilhas de LED 1330 e 1430. Além disso, uma vez que a segunda pilha de LED 1330 emite luz com um comprimento de onda maior que a terceira pilha de LED 1430, a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 1330 pode ser emitida para fora através da terceira pilha de LED 1430.
[0286] O eletrodo refletor 1250 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 1230 e reflete a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230. Por exemplo, o eletrodo refletor 1250 pode incluir uma camada em contato ôhmica 1250a e uma camada refletora 1250b.
[0287] A camada em contato ôhmico 1250a contata parcialmente a camada de semicondutor do tipo p da primeira pilha de LED 1230. Para impedir a absorção de luz pela camada em contato ôhmica 1250a, uma região na qual a camada em contato ôhmico 1250a entra em contato com a camada semicondutora do tipo p não pode exceder 50% da área total da camada semicondutora do tipo p. A camada refletora 1250b cobre a camada em contato ôhmico 1250a e a camada de isolamento 1270. Como mostrado na Fig. 19, a camada refletora 1250b pode cobrir substancialmente toda a camada em contato ôhmico 1250a, sem estar limitada a ela. Alternativamente, a camada refletora 1250b pode cobrir uma porção da camada em contato ôhmico 1250a.
[0288] Uma vez que a camada refletora 1250b cobre a camada de isolamento 1270, um refletor omnidirecional pode ser formado pela estrutura empilhada da primeira pilha de LED 1230 com um índice de refração relativamente alto, e a camada de isolamento 1270 e a camada refletora 1250b com um índice de refração relativamente baixo. A camada refletora 1250b pode cobrir 50% ou mais da área da primeira pilha de LED 1230 ou a maioria da primeira pilha de LED 1230, melhorando assim a eficácia luminosa.
[0289] A camada em contato ôhmico 1250a e a camada refletora 1250b podem ser camadas de metal, que podem incluir Au. A camada refletora 1250b pode ser formada por um metal com uma refletância relativamente alta em relação à luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230, por exemplo, luz vermelha. Por outro lado, a camada refletora 1250b pode ser formada por um metal com refletância relativamente baixa em relação à luz gerada a partir da segunda pilha de LED 1330 e da terceira pilha de LED 1430, por exemplo, luz verde ou luz azul, para reduzir a interferência de luz tendo sido gerada a partir da segunda e terceira pilhas de LED 1330 e 1430 e viajando em direção ao substrato de suporte 1510.
[0290] A camada de isolamento 1270 é interposta entre o substrato de suporte 1510 e a primeira pilha de LED 1230 e tem aberturas que expõem a primeira pilha de LED 1230. A camada em contato ôhmico 1250a é conectada à primeira pilha de LED 1230 nas aberturas da camada de isolamento 1270.
[0291] O eletrodo ôhmico 1290 é disposto na superfície superior da primeira pilha de LED 1230. A fim de reduzir a resistência de contato ôhmico do eletrodo ôhmico 1290, a porção de contato ôhmico 1230a pode sobressair da superfície superior da primeira pilha de LED 1230. O eletrodo ôhmico 1290 pode ser disposto na porção de contato ôhmico 1230a.
[0292] O segundo eletrodo transparente p 1350 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 1330. O segundo eletrodo transparente p 1350 pode ser composto de uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor transparente em relação à luz vermelha e luz verde.
[0293] Além disso, o terceiro eletrodo transparente p 1450 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha de LED 1430. O terceiro eletrodo transparente p 1450 pode incluir uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor que é transparente à luz vermelha, luz verde e luz azul.
[0294] O eletrodo refletor 1250, o segundo eletrodo transparente p 1350 e o terceiro eletrodo transparente p 1450 podem auxiliar na propagação de corrente através do contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da pilha de LED correspondente.
[0295] O primeiro filtro de cor 1370 pode ser interposto entre a primeira pilha de LED 1230 e a segunda pilha de LED 1330. O segundo filtro de cor 1470 pode ser interposto entre a segunda pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430. O primeiro filtro de cor 1370 transmite luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230 enquanto reflete a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 1330. O segundo filtro de cor 1470 transmite luz gerada a partir da primeira e segunda pilhas de LED 1230 e 1330, enquanto reflete a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 1430. Como tal, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230 pode ser emitida para fora através da segunda pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 1330 pode ser emitida para fora através da terceira pilha de LED 1430. Além disso, a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 1330 pode ser impedida de entrar na primeira pilha de LED 1230 e a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 1430 pode ser impedida de entrar na segunda pilha de LED 1330, evitando assim a perda de luz.
[0296] Em algumas modalidades exemplificativas, o primeiro filtro de cor 1370 pode refletir a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 1430.
[0297] Os primeiro e segundo filtros de cores 1370 e 1470 podem ser, por exemplo, um filtro baixa passagem que transmite luz em uma banda de baixa frequência, ou seja, em uma banda de comprimento de onda longo, um filtro passa-banda que transmite luz em uma faixa de comprimento de onda predeterminada, ou um filtro de interrupção de banda que impede que a luz em uma faixa de comprimento de onda predeterminada passe através dele. Em particular, cada um dos primeiro e segundo filtros de cores 1370 e 1470 pode incluir um refletor de Bragg distribuído (DBR). O refletor de Bragg distribuído pode ser formado empilhando alternadamente camadas de isolamento com diferentes índices de refração um acima do outro, por exemplo, TiO2 e SiO2. Além disso, a faixa de interrupção do refletor de Bragg distribuído pode ser controlada ajustando as espessuras das camadas de TiO2 e SiO2. O filtro de baixa passagem e o filtro passa-banda também podem ser formados empilhando alternadamente camadas de isolamento com diferentes índices de refração um acima do outro.
[0298] A primeira camada de ligação 1530 acopla a primeira pilha de LED 1230 ao substrato de suporte 1510. Como mostrado na Fig. 19, o eletrodo refletor 1250 pode unir-se à primeira camada de ligação 1530. A primeira camada de ligação 1530 pode ser uma camada transmissiva ou opaca à luz.
[0299] A segunda camada de ligação 1550 acopla a segunda pilha de LED 1330 à primeira pilha de LED 1230. Como mostrado na Fig. 19, a segunda camada de ligação 1550 pode unir a primeira pilha de LED 1230 e o primeiro filtro de cor 1370. O eletrodo ôhmico 1290 pode ser coberto pela segunda camada de ligação 1550. A segunda camada de ligação 1550 transmite luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230. A segunda camada de ligação 1550 pode ser formada, por exemplo, por spin-on-glass transmissivo à luz.
[0300] A terceira camada de ligação 1570 acopla a terceira pilha de LED 1430 à segunda pilha de LED 1330. Como mostrado na Fig. 19, a terceira camada de ligação 1570 pode unir-se à segunda pilha de LED 1330 e ao segundo filtro de cor 1470. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Por exemplo, uma camada condutora transparente pode ser disposta na segunda pilha de LED 1330. A terceira camada de ligação 1570 transmite luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230 e da segunda pilha de LED 1330. A terceira camada de ligação 1570 pode ser formada, por exemplo, por spin-on-glass transmissivo à luz.
[0301] As FIGS 20A, 20B, 20C, 20D e 20E são vistas esquemáticas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de uma pilha de diodos emissores de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0302] Referindo às FIG. 20A, uma primeira pilha de LED 1230 é crescida em um primeiro substrato 1210. O primeiro substrato 1210 pode ser, por exemplo, um substrato GaAs. A primeira pilha de LED 1230 pode ser formada por camadas de semicondutores baseadas em AlGaInP e inclui uma camada de semicondutores do tipo n, uma camada ativa e uma camada de semicondutores do tipo p.
[0303] Uma camada de isolamento 1270 é formada na primeira pilha de LED 1230 e é padronizada para formar aberturas. Por exemplo, uma camada de SiO2 é formada na primeira pilha de LED 1230 e um fotoresistor é depositado na camada de SiO2, seguido de fotolitografia e desenvolvimento para formar um padrão fotoresistor. Em seguida, a camada de SiO2 é padronizada através do padrão fotoresistor usado como uma máscara de ataque, formando assim a camada de isolamento 1270.
[0304] Então, uma camada em contato ôhmico 1250a é formada nas aberturas da camada de isolamento 1270. A camada em contato ôhmico 1250a pode ser formada por um processo de elevação ou semelhante. Após a formação da camada em contato ôhmico 1250a, é formada uma camada refletora 1250b para cobrir a camada em contato ôhmico 1250a e a camada de isolamento 1270. A camada refletora 1250b pode ser formada por um processo de elevação ou semelhante. A camada refletora 1250b pode cobrir uma porção da camada em contato ôhmico 1250a ou a totalidade dela, como mostrado na FIG. 20A. A camada em contato ôhmico 1250a e a camada refletora 1250b formam um eletrodo refletor 1250.
[0305] O eletrodo refletor 1250 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 1230 e, portanto, será daqui em diante referido como um primeiro eletrodo refletor p 1250.
[0306] Referindo às FIG. 20B, uma segunda pilha de LED 1330 é crescida em um segundo substrato 1310 e um segundo eletrodo transparente p 1350 e um primeiro filtro de cor 1370 são formados na segunda pilha de LED 1330. A segunda pilha de LED 1330 pode ser formada por camadas de semicondutores à base de GaN , e incluir uma camada de poço GaInN. O segundo substrato
1310 é um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em GaN podem ser crescidas sobre o mesmo e é diferente do primeiro substrato 1210. A proporção de composição de GaInN para a segunda pilha de LED 1330 pode ser determinada de modo que a segunda pilha de LED 1330 emita luz verde. O segundo eletrodo transparente p 1350 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 1330.
[0307] Referindo às FIG. 20C, uma terceira pilha de LED 1430 é crescida em um terceiro substrato 1410, e um terceiro eletrodo transparente p 1450 e um segundo filtro de cor 1470 são formados na terceira pilha de LED 1430. A terceira pilha de LED 1430 pode ser formada por camadas de semicondutores baseadas em GaN e incluir uma camada de poço GaInN. O terceiro substrato 1410 é um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em GaN podem ser crescidas sobre ele e é diferente do primeiro substrato 1210. A proporção de composição de GaInN para a terceira pilha de LED 1430 pode ser determinada de modo que a terceira pilha de LED 1430 emita luz azul. O terceiro eletrodo transparente p 1450 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha de LED 1430.
[0308] O primeiro filtro de cor 1370 e o segundo filtro de cor 1470 são substancialmente os mesmos que os descritos com referência à FIG. 19 e, portanto, descrições repetidas dos mesmos serão omitidas para evitar redundância.
[0309] Como tal, a primeira pilha de LED 1230, a segunda pilha de LED 1330 , e a terceira pilha de LED 1430 podem ser crescidas em diferentes substratos, e a sequência de formação da mesma não está limitada a uma sequência específica.
[0310] Referindo às FIG. 20D, a primeira pilha de LED 1230 é acoplada ao substrato de suporte 1510 através de uma primeira camada de ligação 1530. A primeira camada de ligação 1530 pode ser formada anteriormente no substrato de suporte 1510, e o eletrodo refletor 1250 pode ser ligado à primeira camada de ligação 1530 para facear o substrato de suporte 1510. O primeiro substrato 1210 é removido da primeira pilha de LED 1230 por gravação química ou semelhante. Por conseguinte, a superfície superior da camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 1230 é exposta.
[0311] Então, um eletrodo ôhmico 1290 é formado na região exposta da primeira pilha de LED 1230. A fim de reduzir a resistência de contato ôhmico do eletrodo ôhmico 1290, o eletrodo ôhmico 1290 pode ser submetido a tratamento térmico. O eletrodo ôhmico 1290 pode ser formado em cada região de pixel, de modo a corresponder às regiões de pixel.
[0312] Referindo às FIG. 20E, a segunda pilha de LED 1330 é acoplada à primeira pilha de LED 1230, na qual o eletrodo ôhmico 1290 é formado, através de uma segunda camada de ligação 1550. O primeiro filtro de cor 1370 é ligado à segunda camada de ligação 1550 para facear a primeira pilha de LED 1230. A segunda camada de ligação 1550 pode ser formada anteriormente na primeira pilha de LED 1230, de modo que o primeiro filtro de cor 1370 possa ficar virado e ser ligado à segunda camada de ligação 1550. O segundo substrato 1310 pode ser separado da segunda pilha de LED 1330 por um processo de elevação a laser ou de elevação química.
[0313] Então, com referência à FIG. 19 e FIG. 20C, a terceira pilha de LED 1430 é acoplada à segunda pilha de LED 1330 através de uma terceira camada de ligação 1570. O segundo filtro de cor 1470 é ligado à terceira camada de ligação 1570 para facear a segunda pilha de LED 133. A terceira camada de ligação 1570 pode ser previamente disposta na segunda pilha de
LED 1330, de modo que o segundo filtro de cor 1470 possa ficar virado e ser ligado à terceira camada de ligação 1570. O terceiro substrato 1410 pode ser separado da terceira pilha de LED 1430 por um processo de elevação a laser ou de elevação química. Como tal, uma pilha de diodos emissores de luz para um display pode ser formada como mostrado na FIG. 19, que tem a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 1430 exposta ao exterior.
[0314] Um aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser fornecido padronizando a pilha da primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 no substrato de suporte 1510 em unidades de pixel, seguida pela conexão da primeira à terceira pilhas de LED uma à outra através de interconexões. A seguir, um aparelho de exibição de acordo com modalidades exemplificativas será descrito.
[0315] A FIG. 21 é um diagrama em circuito esquemático de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 22 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0316] Referindo às FIG. 21 e FIG. 22, um aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser operado de maneira matriz passiva.
[0317] Por exemplo, uma vez que a pilha de diodos emissores de luz para uma exibição da FIG. 19 inclui a primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 empilhadas na direção vertical, um pixel pode incluir três diodos emissores de luz R, G e B. Um primeiro diodo emissor de luz R pode corresponder à primeira pilha de LED 1230, um segundo diodo emissor de luz G pode corresponder à segunda pilha de LED 1330 e um terceiro diodo emissor de luz B pode corresponder à terceira pilha de LED 1430.
[0318] Nas FIGS. 21 e 22, um pixel inclui o primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B, cada um dos quais corresponde a um subpixel. Os anodos do primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B são conectados a uma linha comum, por exemplo, uma linha de dados e seus catodos são conectados a linhas diferentes, por exemplo, linhas de varredura. Mais particularmente, em um primeiro pixel, os anodos do primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B são comumente conectados a uma linha de dados Vdata1 e seus catodos são conectados às linhas de varredura Vscan1-1, Vscan1-2 e Vscan1-3, respectivamente. Como tal, os diodos emissores de luz R, G e B em cada pixel podem ser acionados independentemente.
[0319] Além disso, cada um dos diodos emissores de luz R, G e B pode ser acionado por uma modulação de largura de pulso ou alterando a magnitude da corrente elétrica, controlando assim o brilho de cada subpixel.
[0320] Referindo às FIG. 22, uma pluralidade de pixels é formada pela padronização da pilha de diodos emissores de luz 1000 descrita com relação à FIG. 19, e cada um dos pixels é conectado aos eletrodos refletores 1250 e às linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750. Como mostrado na Fig. 21, o eletrodo refletor 1250 pode ser usado como a linha de dados Vdata e as linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750 podem ser formadas como as linhas de varredura.
[0321] Os pixels podem ser dispostos em uma forma de matriz, na qual os anodos dos diodos emissores de luz R, G e B de cada pixel são comumente conectados ao eletrodo refletor 1250, e os seus catodos são conectados às linhas de interconexão 1710, 1730, e 1750 separados um do outro. Aqui, as linhas de interconexão
1710, 1730 e 1750 podem ser usadas como as linhas de varredura Vscan.
[0322] A FIG. 23 é uma vista plana ampliada de um pixel do aparelho de exibição da FIG. 22, FIG. 24 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha A-A da FIG. 23, e FIG. 25 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha B-B da FIG. 23.
[0323] Referindo às FIG. 22, FIG. 23, FIG. 24 e FIG. 25, em cada pixel, uma porção do eletrodo refletor 1250, o eletrodo ôhmico 1290 formado na superfície superior da primeira pilha de LED 1230, uma porção do segundo eletrodo transparente p 1350, uma porção da superfície superior da segunda pilha de LED 1330, uma porção do terceiro eletrodo transparente p 1450 e a superfície superior da terceira pilha de LED 1430 são expostas ao exterior.
[0324] A terceira pilha de LED 1430 pode ter uma superfície rugosa 1430a na sua superfície superior. A superfície rugosa 1430a pode ser formada sobre toda a superfície superior da terceira pilha de LED 1430 ou pode ser formada em algumas regiões da mesma, como mostrado na FIG. 24.
[0325] Uma camada de isolamento inferior 1610 pode cobrir uma superfície lateral de cada pixel. A camada de isolamento inferior 1610 pode ser formada de um material transmissor de luz, como SiO2. Neste caso, a camada de isolamento inferior 1610 pode cobrir a superfície superior inteira da terceira pilha de LED
1430. Alternativamente, a camada de isolamento inferior 1610 pode incluir um refletor de Bragg distribuído para refletir a luz que viaja em direção às superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430. Neste caso, a camada de isolamento inferior 1610 expõe parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 1430.
[0326] A camada de isolamento inferior 1610 pode incluir uma abertura 1610a que expõe a superfície superior da terceira pilha de LED 1430, uma abertura 1610b que expõe a superfície superior da segunda pilha de LED 1330, uma abertura 1610c (ver FIG. 26H) que expõe o eletrodo ôhmico 1290 da primeira pilha de LED 1230, uma abertura 1610d que expõe o terceiro eletrodo transparente 1450, uma abertura 1610e que expõe o segundo eletrodo transparente 1350 e aberturas 1610f que expõem o primeiro eletrodo refletor p 1250.
[0327] As linhas de interconexão 1710 e 1750 podem ser formadas próximas à primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 no substrato de suporte 1510 e podem ser dispostas na camada de isolamento inferior 1610 a ser isolada do primeiro eletrodo refletor p 1250. Uma porção de conexão 77a conecta o terceiro eletrodo transparente p 1450 ao eletrodo refletor 1250 e uma porção de conexão 77b conecta o segundo eletrodo transparente p 1350 ao eletrodo refletor 1250, de modo que os anodos da primeira pilha de LED 1230, a segundo pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430 são comumente conectados ao eletrodo refletor 1250.
[0328] Uma porção de conexão 1710a conecta a superfície superior da terceira pilha de LED 1430 à linha de interconexão 1710 e uma porção de conexão 1750a conecta o eletrodo ôhmico 1290 na primeira pilha de LED 1230 à linha de interconexão 1750.
[0329] Uma camada de isolamento superior 1810 pode ser disposta nas linhas de interconexão 1710 e 1730 e a camada de isolamento inferior 1610 para cobrir a superfície superior da terceira pilha de LED 1430. A camada de isolamento superior 1810 pode ter uma abertura 1810a que expõe parcialmente a superfície superior da segunda pilha de LED 1330.
[0330] A linha de interconexão 1730 pode ser disposta na camada de isolamento superior 1810, e a porção de conexão 1730a pode conectar a superfície superior da segunda pilha de LED 1330 à linha de interconexão 1730. A porção de conexão 1730a pode passar através de uma porção superior da linha de interconexão 1750 e é isolada da linha de interconexão 1750 pela camada de isolamento superior 1810.
[0331] Embora os eletrodos de cada pixel, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, sejam descritos como sendo conectados à linha de dados e às linhas de varredura, várias implementações são possíveis. Além disso, embora as linhas de interconexão 1710 e 1750 sejam descritas como sendo formadas na camada de isolamento inferior 1610, e a linha de interconexão 1730 seja formada na camada de isolamento superior 1810, os conceitos inventivos não são limitados a isso. Por exemplo, cada uma das linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750 pode ser formada na camada de isolamento inferior 1610 e coberta pela camada de isolamento superior 1810, que pode ter aberturas para expor a linha de interconexão 1730. Nesta estrutura, a porção de conexão 1730a pode conectar a superfície superior da segunda pilha de LED 1330 à linha de interconexão 1730 através das aberturas da camada de isolamento superior 1810.
[0332] Alternativamente, as linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750 podem ser formadas dentro do substrato de suporte 1510, e as porções de conexão 1710a, 1730a e 1750a na camada de isolamento inferior 1610 podem conectar o eletrodo ôhmico 1290, a superfície superior da segunda pilha de LED 1330 e a superfície superior da terceira pilha de LED 1430 para as linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750.
[0333] A FIG. 26A à FIG. 26K são vistas planas esquemáticas que ilustram um método de fabricação de um aparelho de exibição incluindo o pixel da FIG. 23 de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0334] Primeiro, a pilha de diodos emissores de luz 1000 descrita na FIG. 19 é preparada.
[0335] Então, com referência à FIG. 26A, uma superfície rugosa 1430a pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 1430. A superfície rugosa 1430a pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 1430, de modo a corresponder a cada região de pixel. A superfície rugosa 1430a pode ser formada por gravura química, por exemplo, gravura química foto-aprimorada (PEC) ou semelhante.
[0336] A superfície rugosa 1430a pode ser parcialmente formada em cada região de pixel levando em consideração uma região da terceira pilha de LED 1430 a ser gravada no processo subsequente, sem estar limitada a ela. Alternativamente, a superfície rugosa 1430a pode ser formada sobre toda a superfície superior da terceira pilha de LED 1430.
[0337] Referindo às FIG. 26B, uma região circundante da terceira pilha de LED 1430 em cada pixel é removida por gravação para expor o terceiro eletrodo transparente p 1450. Como mostrado na Fig. 26B, a terceira pilha de LED 1430 pode permanecer com uma forma retangular ou quadrada. A terceira pilha de LED 1430 pode ter uma pluralidade de depressões ao longo das suas bordas.
[0338] Referindo às FIG. 26C, a superfície superior da segunda pilha de LED 1330 é exposta removendo o terceiro eletrodo transparente exposto de terceiro p 1450 em áreas que não sejam uma depressão da terceira pilha de LED 1430. Por conseguinte, a superfície superior da segunda pilha de LED 1330 é exposta em torno da terceira pilha de LED 1430 e em outras depressões, excluindo a depressão na qual o terceiro eletrodo transparente p 1450 permanece parcialmente.
[0339] Referindo às FIG. 26D, o segundo eletrodo transparente p 1350 é exposto removendo a segunda pilha de LED 1330 exposta em áreas que não sejam outra além da depressão da terceira pilha de LED 1430.
[0340] Referindo às FIG. 26E, o eletrodo ôhmico 1290 é exposto juntamente com a superfície superior da primeira pilha de LED 1230 removendo o segundo eletrodo transparente p 1350 exposto em áreas que não sejam outra além da depressão da terceira pilha de LED 1430. Neste caso, o eletrodo ôhmico 1290 pode ser exposto em uma depressão. Por conseguinte, a superfície superior da primeira pilha de LED 1230 é exposta em torno da terceira pilha de LED 1430 e uma superfície superior do eletrodo ôhmico 1290 é exposta em pelo menos uma das depressões formadas na terceira pilha de LED 1430.
[0341] Referindo às FIG. 26F, o eletrodo refletor 1250 é exposto removendo uma porção exposta da primeira pilha de LED 1230 diferente do eletrodo ôhmico 1290 exposto em uma depressão. O eletrodo refletor 1250 é exposto em torno da terceira pilha de LED 1430.
[0342] Referindo às FIG. 26G, as linhas de interconexão linear são formadas padronizando o eletrodo refletor 1250. Aqui, o substrato de suporte 1510 pode ser exposto. O eletrodo refletor 1250 pode conectar pixels dispostos em uma linha entre si entre pixels dispostos em uma matriz (ver FIG. 22).
[0343] Referindo às FIG. 26H, uma camada de isolamento inferior 1610 (ver FIG. 24 e FIG. 25) é formada para cobrir os pixels. A camada de isolamento inferior 1610 cobre o eletrodo refletor 1250 e as superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430. Além disso, a camada de isolamento inferior 1610 pode cobrir pelo menos parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 1430. Se a camada de isolamento inferior 1610 é uma camada transparente, como uma camada de SiO2, a camada de isolamento inferior 1610 pode cobrir toda a superfície superior da terceira pilha de LED 1430. Alternativamente, quando a camada de isolamento inferior 1610 inclui um refletor de Bragg distribuído, a camada de isolamento inferior 1610 pode expor pelo menos parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 1430, de modo que a luz possa ser emitida para o exterior.
[0344] A camada de isolamento inferior 1610 pode incluir uma abertura 1610a que expõe a terceira pilha de LED 1430, uma abertura 1610b que expõe a segunda pilha de LED 1330, uma abertura 1610c que expõe o eletrodo ôhmico 1290, uma abertura 1610d que expõe o terceiro eletrodo transparente p 1450, uma abertura 1610e que expõe o segundo eletrodo transparente p 1350 e uma abertura 1610f que expõe o eletrodo refletor 1250. Uma ou mais aberturas 1610f podem ser formadas para expor o eletrodo refletor 1250.
[0345] Referindo às FIG. 26I, as linhas de interconexão 1710, 1750 e as porções de conexão 1710a, 1750a, 1770a 1770b são formadas. Estes podem ser formados por um processo de elevação ou semelhante. As linhas de interconexão 1710 e 1750 são isoladas do eletrodo refletor 1250 pela camada de isolamento inferior 1610. A porção de conexão 1710a conecta eletricamente a terceira pilha de LED 1430 à linha de interconexão 1710, e a porção de conexão 1750a conecta eletricamente o eletrodo ôhmico
1290 à linha de interconexão 1750, de modo que a primeira pilha de LED 1230 seja eletricamente conectada à linha de interconexão
1750. A porção de conexão 1770a conecta eletricamente o terceiro eletrodo transparente p 1450 ao primeiro eletrodo refletor 1250 e a porção de conexão 1770b conecta eletricamente o segundo eletrodo transparente p 1350 ao primeiro eletrodo refletor 1250.
[0346] Referindo às FIG. 26J, uma camada de isolamento superior 1810 (ver FIG. 24 e FIG. 25) cobre as linhas de interconexão 1710 e 1750 e as partes de conexão 1710a, 1750a, 1770a, 1770b. A camada de isolamento superior 1810 também pode cobrir a superfície superior inteira da terceira pilha de LED
1430. A camada de isolamento superior 1810 tem uma abertura 1810a que expõe a superfície superior da segunda pilha de LED
1330. A camada de isolamento superior 1810 pode ser formada, por exemplo, por óxido de silício ou nitreto de silício e pode incluir um refletor de Bragg distribuído. Quando a camada de isolamento superior 1810 inclui o refletor de Bragg distribuído, a camada de isolamento superior 1810 pode expor pelo menos parte da superfície superior da terceira pilha de LED 1430, de modo que a luz possa ser emitida para o exterior.
[0347] Referindo às FIG. 26K, uma linha de interconexão 1730 e uma porção de conexão 1730a são formadas. Uma linha de interconexão 1750 e uma porção de conexão 1750a podem ser formadas por um processo de elevação ou semelhante. A linha de interconexão 1730 é disposta na camada de isolamento superior 1810 e é isolada do eletrodo refletor 1250 e das linhas de interconexão 1710 e 1750. A porção de conexão 1730a conecta eletricamente a segunda pilha de LED 1330 à linha de interconexão 1730. A porção de conexão 1730a pode passar através de uma porção superior da linha de interconexão 1750 e é isolada da linha de interconexão 1750 pela camada de isolamento superior
1810.
[0348] Como tal, uma região de pixel como mostrada na FIG. 40 pode ser formada. Além disso, como mostrado na FIG. 22, uma pluralidade de pixels pode ser formada no substrato de suporte 1510 e pode ser conectada um ao outro pelo primeiro eletrodo refletor p 1250 e as linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750 para serem operadas de maneira de matriz passiva.
[0349] Embora o aparelho de exibição acima tenha sido descrito como sendo configurado para ser operado da maneira de matriz passiva, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Mais particularmente, um aparelho de exibição de acordo com algumas modalidades exemplificativas pode ser fabricado de várias maneiras, de modo a ser operado da maneira de matriz passiva usando a pilha de diodos emissores de luz mostrada na FIG. 19.
[0350] Por exemplo, embora a linha de interconexão 1730 seja ilustrada como sendo formada na camada de isolamento superior 1810, a linha de interconexão 1730 pode ser formada juntamente com as linhas de interconexão 1710 e 1750 na camada de isolamento inferior 1610 e a parte de conexão 1730a pode ser formada na camada de isolamento superior 1810 para conectar a segunda pilha de LED 1330 à linha de interconexão 1730. Alternativamente, as linhas de interconexão 1710, 1730 e 1750 podem ser dispostas dentro do substrato de suporte 1510.
[0351] A FIG. 27 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa. O aparelho de exibição, de acordo com a modalidade exemplificativa ilustrada, pode ser acionado de uma maneira de matriz ativa.
[0352] Referindo às FIG. 27, o circuito de acionamento de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui pelo menos dois transistores Tr1, Tr2 e um capacitor. Quando uma fonte de energia é conectada às linhas de seleção Vrow1 a Vrow3 e a voltagem é aplicada às linhas de dados Vdata1 a Vdata3, a voltagem é aplicada ao diodo emissor de luz correspondente. Além disso, o capacitor correspondente é carregado de acordo com os valores de Vdata1 a Vdata3. Como o estado de ativação de um transistor Tr2 pode ser mantido pela voltagem carregada do capacitor, a voltagem do capacitor pode ser mantida e aplicada às células emissoras de luz dos LED1, LED3 e LED3, mesmo quando o suprimento de energia à Vrow1 é desligado. Além disso, a corrente elétrica que flui nos diodos emissores de luz LED1 a LED3 pode ser alterada dependendo dos valores de Vdata1 a Vdata3. A corrente elétrica pode ser fornecida continuamente através do Vdd, de modo que a luz possa ser emitida continuamente.
[0353] Os transistores Tr1, Tr2 e o capacitor podem ser formados dentro do substrato de suporte 1510. Por exemplo, transistores de filme fino formados sobre um substrato de silício podem ser usados para acionamento de matriz ativa.
[0354] Os diodos emissores de luz LED1 a LED3 podem corresponder à primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 empilhadas em um pixel, respectivamente. Os anodos da primeira à terceira pilha de LED são conectados ao transistor Tr2 e os seus catodos são conectados ao terra.
[0355] Embora a FIG. 44 mostre o circuito para acionamento de matriz ativa, de acordo com uma modalidade exemplificativa, outros tipos de circuitos podem ser usados. Além disso, embora os anodos dos diodos emissores de luz LED1 a LED3 sejam descritos como estando conectados a diferentes transistores Tr2,
e seus catodos sejam descritos como conectados ao terra, os conceitos inventivos não são limitados a estes e os anodos dos diodos emissores de luz podem ser conectados a fontes de corrente Vdd e seus catodos podem ser conectados a diferentes transistores.
[0356] A FIG. 28 é uma vista plana esquemática de um pixel de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa. O pixel aqui descrito pode ser dentre um da pluralidade de pixels dispostos no substrato de suporte 1511.
[0357] Referindo às FIG. 28, os pixels de acordo com uma modalidade exemplificativa são geralmente semelhantes aos pixels descritos com referência à FIG. 22 até a FIG. 25, exceto que o substrato de suporte 1511 é um painel de transistor de filme fino, incluindo transistores e capacitores, e o eletrodo refletor é disposto em uma região inferior da primeira pilha de LED.
[0358] O catodo da terceira pilha de LED é conectado ao substrato de suporte 1511 através da porção de conexão 1711a. Por exemplo, como mostrado na FIG. 27, o catodo da terceira pilha de LED pode ser conectado ao terra através da conexão elétrica ao substrato de suporte 1511. Os catodos da segunda pilha de LED e da primeira pilha de LED também podem ser conectados ao terra através de conexão elétrica ao substrato de suporte 1511 através das porções de conexão 1731a e 1751a.
[0359] O eletrodo refletor é conectado aos transistores Tr2 (ver FIG. 27) dentro do substrato de suporte 1511. O terceiro eletrodo de transparente p e o segundo eletrodo transparente p também são conectados aos transistores Tr2 (ver FIG. 27) dentro do substrato de suporte 1511 através das porções de conexão 1711b e 1731b.
[0360] Dessa maneira, as primeira à terceira pilhas de LED são conectadas umas às outras, constituindo assim um circuito para acionamento de matriz ativa, como mostrado na FIG. 27.
[0361] Embora a FIG. 28 mostre a conexão elétrica de um pixel para acionamento de matriz ativa, de acordo com uma modalidade exemplificativa, os conceitos inventivos não são limitados a estes, e o circuito para o aparelho de exibição pode ser modificado em vários circuitos para acionamento de matriz ativa de várias maneiras.
[0362] Além disso, enquanto o eletrodo refletor 1250, o segundo eletrodo transparente p 1350 e o terceiro eletrodo transparente p 1450 da FIG. 19 são descritos como formando contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p correspondente de cada uma das primeiras pilhas de LED 1230, a segunda pilha de LED 1330 e a terceira pilha de LED 1430, e o eletrodo ôhmico 1290 forma contato ôhmico com a camada semicondutora de tipo n da primeira pilha de LED 1230, a camada semicondutora do tipo n de cada uma das segundas pilhas de LED 1330 e terceira pilha de LED 1430 não é fornecida com uma camada em contato ôhmico separada. Quando os pixels têm um tamanho pequeno de 200 µm ou menos, há menos dificuldade na propagação da corrente, mesmo sem a formação de uma camada em contato ôhmico separada na camada de semicondutor do tipo n. No entanto, de acordo com algumas modalidades exemplificativas, uma camada de eletrodo transparente pode ser disposta na camada de semicondutor do tipo n de cada uma das pilhas de LED, a fim de garantir a propagação de corrente.
[0363] Além disso, embora a primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 sejam acopladas entre si por meio das camadas de ligação 1530, 1550 e 1570, os conceitos inventivos não se limitam a estas e a primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330, e 1430 podem ser conectadas uma à outra em várias sequências e usando várias estruturas.
[0364] De acordo com modalidades exemplificativas, uma vez que é possível formar uma pluralidade de pixels no nível da wafer usando a pilha de diodos emissores de luz 1000 para uma exibição, a montagem individual de diodos emissores de luz pode ser evitada. Além disso, a pilha de diodos emissores de luz de acordo com as modalidades exemplificativas tem a estrutura na qual a primeira à terceira pilhas de LED 1230, 1330 e 1430 são empilhadas na direção vertical, garantindo assim uma área para subpixels em uma área limitada de pixels. Além disso, a pilha de diodos emissores de luz de acordo com as modalidades exemplificativas permite que a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 1230, da segunda pilha de LED 1330 e da terceira pilha de LED 1430 seja emitida para fora dela, reduzindo assim a perda de luz.
[0365] A FIG. 29 é uma vista esquemática em seção transversal de uma pilha de diodo emissor de luz 2000 para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0366] Uma pilha de diodos emissores de luz para um display, de acordo com uma modalidade exemplificativa, inclui uma primeira pilha de LED, uma segunda pilha de LED disposta na primeira pilha de LED e uma terceira pilha de LED disposta na segunda pilha de LED, na qual a luz gerada a partir da primeiro pilha de LED é emitida para o exterior através da segunda pilha de LED e da terceira pilha de LED, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED é emitida para o exterior através da terceira pilha de LED.
[0367] Dessa maneira, na qual a primeira à terceira pilhas de LED são empilhadas uma acima da outra, a pilha de diodos emissores de luz pode aumentar uma área luminosa de cada subpixel sem aumentar a área de pixels. Mais particularmente, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED pode ser emitida para o exterior através da segunda pilha de LED e da terceira pilha de LED, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED pode ser emitida para o exterior através da terceira pilha de LED, melhorando assim a luminosidade eficácia.
[0368] A luz gerada a partir da primeira pilha de LED pode ter um comprimento de onda maior que a luz gerada a partir da segunda pilha de LED, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED pode ter um comprimento de onda maior que a luz gerada a partir da terceira pilha de LED. Por conseguinte, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED pode ser emitida para o exterior através da segunda pilha de LED e da terceira pilha de LED, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED pode ser emitida para fora através da terceira pilha de LED. Por exemplo, a primeira, a segunda e a terceira pilhas de LED podem emitir luz vermelha, verde e azul, respectivamente. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam à sequência empilhada das pilhas de LED que emitem cores diferentes de luz. Por exemplo, quando a primeira, a segunda e a terceira pilhas de LED usam micro LEDs, a primeira pilha de LED pode emitir qualquer uma das luzes vermelha, verde ou azul e a segunda e a terceira pilhas de LED podem emitir o restante da luz de cor vermelha, verde e azul, respectivamente, sem afetar adversamente a operação ou exigir filtros de cores entre as pilhas de LED devido ao pequeno fator de forma dos micro LEDs.
[0369] Uma porção de luz gerada a partir da segunda pilha de LED pode entrar na primeira pilha de LED para gerar luz na primeira pilha de LED, e uma porção de luz gerada a partir da terceira pilha de LED pode entrar na segunda pilha de LED para gerar luz na segunda pilha de LED.
[0370] Em algumas modalidades exemplificativas, a intensidade da luz gerada a partir da segunda pilha de LED e emitida para o exterior pode ser cerca de 10 vezes ou mais a intensidade da luz gerada a partir da primeira pilha de LED causada pela luz gerada a partir da segunda pilha de LED, e a intensidade da luz gerada a partir da terceira pilha de LED e emitida para o exterior pode ser cerca de 10 vezes ou mais a intensidade da luz gerada a partir da segunda pilha de LED causada pela luz gerada a partir da terceira pilha de LED.
[0371] Em geral, como a luz é gerada a partir da primeira pilha de LED pela luz gerada a partir da segunda pilha de LED, um filtro de cor pode ser interposto entre a segunda pilha de LED e a primeira pilha de LED. Além disso, como a luz é gerada a partir da segunda pilha de LED pela luz gerada a partir da terceira pilha de LED, um filtro de cor também pode ser interposto entre a terceira pilha de LED e a segunda pilha de LED.
[0372] No entanto, embora os filtros de cores possam impedir a interferência da luz, a formação de filtros de cores aumentaria a complexidade da fabricação. Um aparelho de exibição de acordo com modalidades exemplificativas pode suprimir a geração de luz secundária entre as pilhas de LED sem a disposição dos filtros de cores entre eles.
[0373] Em algumas modalidades exemplificativas, a interferência da luz entre as pilhas de LED pode ser reduzida controlando o intervalo de banda de cada uma das pilhas de LEDs, que será descrito em mais detalhes abaixo.
[0374] Referindo às FIG. 29, a pilha de diodos emissores de luz 2000 inclui um substrato de suporte 2510, uma primeira pilha de LED 2230, uma segunda pilha de LED 2330, uma terceira pilha de LED 2430, um eletrodo refletor 2250, um eletrodo ôhmico 2290, um segundo eletrodo transparente 2350, um terceiro eletrodo transparente p 2450, uma camada de isolamento 2270, uma primeira camada de ligação 2530, uma segunda camada de ligação 2550 e uma terceira camada de ligação 2570. Além disso, a primeira pilha de LED 2230 pode incluir uma porção de contato ôhmico 2230a para contato ôhmico.
[0375] O substrato de suporte 2510 suporta as pilhas de semicondutores 2230, 2330 e 2430. O substrato de suporte 2510 pode incluir um circuito em uma superfície do mesmo ou nele, mas os conceitos inventivos não estão limitados a ele. O substrato de suporte 2510 pode incluir, por exemplo, um substrato de Si, um substrato de Ge, um substrato de safira, um substrato de safira padronizado, um substrato de vidro ou um substrato de vidro padronizado.
[0376] Cada uma da primeira pilha de LED 2230, a segunda pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430 inclui uma camada semicondutora do tipo n, uma camada semicondutora do tipo p e uma camada ativa interposta entre elas. A camada ativa pode ter uma estrutura de poço multiquântico.
[0377] A luz L1 gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 tem um comprimento de onda mais longo do que a luz L2 gerada a partir da segunda pilha de LED 2330, que tem um comprimento de onda maior que a luz L3 gerada a partir da terceira pilha de LED 2430.
[0378] A primeira pilha de LED 2230 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico configurado para emitir luz vermelha,
a segunda pilha de LED 2330 pode ser um diodo emissor de luz inorgânica configurado para emitir luz verde e a terceira pilha de LED 2430 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico configurado para emitir luz azul. A primeira pilha de LED 2230 pode incluir uma camada de poço baseada em GaInP, e cada uma da segunda pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430 pode incluir uma camada de poço baseada em GaInN.
[0379] Embora a pilha de diodos emissores de luz 2000 da FIG. 29 seja ilustrado como incluindo três pilhas de LED 2230, 2330 e 2430, os conceitos inventivos não se limitam a um número específico de pilhas de LED uma sobre a outra. Por exemplo, uma pilha de LED para emitir luz amarela pode ser adicionalmente adicionada entre a primeira pilha de LED 2230 e a segunda pilha de LED 2330.
[0380] Ambas as superfícies de cada uma das primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 são uma camada semicondutora do tipo n e uma camada semicondutora do tipo p, respectivamente. Na FIG. 29, cada uma da primeiro à terceira pilha de LEDs 2230, 2330 e 2430 é descrita como tendo uma superfície superior do tipo n e uma superfície inferior do tipo p. Uma vez que a terceira pilha de LED 2430 tem uma superfície superior do tipo n, uma superfície rugosa pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 2430 através de gravura química ou semelhante. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam aos mesmos, e os tipos de semicondutores das superfícies superior e inferior de cada uma das pilhas de LED podem ser formados alternativamente.
[0381] A primeira pilha de LED 2230 é disposta perto do substrato de suporte 2510, a segunda pilha de LED 2330 é disposta na primeira pilha de LED 2230 e a terceira pilha de LED
2430 é disposta na segunda pilha de LED. Como a primeira pilha de LED 2230 emite luz com um comprimento de onda maior que a segunda e a terceira pilhas de LED 2330 e 2430, a luz L1 gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 pode ser emitida para o exterior através da segunda e terceira pilhas de LED 2330 , e
2430. Além disso, uma vez que a segunda pilha de LED 2330 emite luz com um comprimento de onda maior que a terceira pilha de LED 2430, a luz L2 gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 pode ser emitida para o exterior através da terceira pilha de LED
2430. A luz L3 gerada na terceira pilha de LED 2430 é emitida diretamente do lado de fora da terceira pilha de LED 2430.
[0382] Em uma modalidade exemplificativa, a camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 2230 pode ter um intervalo de banda maior que o intervalo de banda da camada ativa da primeira pilha de LED 2230 e mais estreito que o intervalo de banda da camada ativa da segunda pilha de LED 2330. Por conseguinte, uma porção de luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 pode ser absorvida pela camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 2230 antes de atingir a camada ativa da primeira pilha de LED 2230. Como tal, a intensidade da luz gerada na camada ativa da primeira pilha de LED 2230 pode ser reduzida pela luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330.
[0383] Além disso, a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 2330 possui um intervalo de banda maior que o intervalo de banda da camada ativa de cada uma das primeiras pilhas de LED 2230 e a segunda pilha de LED 2330 e mais estreito que o intervalo de banda da camada ativa da terceira pilha de LED 2430. Por conseguinte, uma porção de luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 pode ser absorvida pela camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 2330 antes de atingir a camada ativa da segunda pilha de LED 2330. Como tal, a intensidade da luz gerada na segunda pilha de LED 2330 ou na primeira pilha de LED 2230 pode ser reduzida pela luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430.
[0384] A camada semicondutora do tipo p e a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 2430 têm intervalos de banda mais amplos do que as camadas ativas da primeira pilha de LED 2230 e da segunda pilha de LED 2330, transmitindo assim a luz gerada pelas primeira e segunda pilhas de LED 2230 e 2330 através dos mesmos.
[0385] De acordo com uma modalidade exemplificativa, é possível reduzir a interferência da luz entre as pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 ajustando os intervalos de banda das camadas semicondutoras do tipo n ou as camadas semicondutoras do tipo p da primeira e segunda pilhas de LED 2230 e 2330, o que pode evitar a necessidade de outros componentes como filtros de cores. Por exemplo, a intensidade da luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 e emitida para o exterior pode ser cerca de 10 vezes ou mais a intensidade da luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 pela luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330. Da mesma forma, a intensidade da luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 e emitida para o exterior pode ser cerca de 10 vezes ou mais a intensidade da luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 causada pela luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430. Neste caso, a intensidade da luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 e emitida para o exterior pode ser cerca de 10 vezes ou mais a intensidade da luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 causada pela luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 Por conseguinte, é possível realizar um aparelho de exibição livre de contaminação de cores causada por interferência da luz.
[0386] O eletrodo refletor 2250 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 2230 e reflete a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230. Por exemplo, o eletrodo refletor 2250 pode incluir uma camada em contato ôhmica 2250a e uma camada refletora 2250b.
[0387] A camada em contato ôhmico 2250a contata parcialmente a camada de semicondutor do tipo p da primeira pilha de LED 2230. Para impedir a absorção de luz pela camada em contato ôhmica 2250a, uma região na qual a camada em contato ôhmico 2250a entra em contato com a camada semicondutora do tipo p não pode exceder 50% da área total da camada semicondutora do tipo p. A camada refletora 2250b cobre a camada em contato ôhmico 2250a e a camada de isolamento 2270. Como mostrado nos desenhos, a camada refletora 2250b pode cobrir substancialmente toda a camada em contato ôhmico 2250a, sem estar limitada a ela. Alternativamente, a camada refletora 2250b pode cobrir uma porção da camada em contato ôhmico 2250a.
[0388] Uma vez que a camada refletora 2250b cobre a camada de isolamento 2270, um refletor omnidirecional pode ser formado pela estrutura empilhada da primeira pilha de LED 2230 com um índice de refração relativamente alto, e a camada de isolamento 2270 e a camada refletora 2250b com um índice de refração relativamente baixo. A camada refletora 2250b pode cobrir 50% ou mais da área da primeira pilha de LED 2230, ou a maioria da primeira pilha de LED 2230, melhorando assim a eficácia luminosa.
[0389] A camada em contato ôhmico 2250a e a camada refletora 2250b podem ser camadas de metal, que podem incluir Au. A camada refletora 2250b pode ser formada por um metal com uma refletância relativamente alta em relação à luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230, por exemplo, luz vermelha. Por outro lado, a camada refletora 2250b pode ser formada por um metal com refletância relativamente baixa em relação à luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 e da terceira pilha de LED 2430, por exemplo, luz verde ou luz azul, para reduzir a interferência de luz tendo sido gerada a partir da segunda e terceira pilhas de LED 2330 e 2430 e viajando em direção ao substrato de suporte 2510.
[0390] A camada de isolamento 2270 é interposta entre o substrato de suporte 2510 e a primeira pilha de LED 2230 e tem aberturas que expõem a primeira pilha de LED 2230. A camada em contato ôhmico 2250a é conectada à primeira pilha de LED 2230 nas aberturas da camada de isolamento 2270.
[0391] O eletrodo ôhmico 2290 é disposto na superfície superior da primeira pilha de LED 2230. A fim de reduzir a resistência de contato ôhmico do eletrodo ôhmico 2290, a porção de contato ôhmico 2230a pode sobressair da superfície superior da primeira pilha de LED 2230. O eletrodo ôhmico 2290 pode ser disposto na porção de contato ôhmico 2230a.
[0392] O segundo eletrodo transparente p 2350 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 2330. O segundo eletrodo transparente p 2350 pode incluir uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor que é transparente para luz vermelha e luz verde.
[0393] O terceiro eletrodo transparente p 2450 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha de LED 2430. O terceiro eletrodo transparente p 2450 pode incluir uma camada de metal ou uma camada de óxido condutor que é transparente à luz vermelha, luz verde e luz azul.
[0394] O eletrodo refletor 2250, o segundo eletrodo transparente p 2350 e o terceiro eletrodo transparente p 2450 podem auxiliar na propagação de corrente através do contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da pilha de LED correspondente.
[0395] A primeira camada de ligação 2530 acopla a primeira pilha de LED 2230 ao substrato de suporte 2510. O eletrodo refletor 2250 pode unir-se à primeira camada de ligação 2530. A primeira camada de ligação 2530 pode ser uma camada transmissiva ou opaca à luz.
[0396] A segunda camada de ligação 2550 acopla a segunda pilha de LED 2330 à primeira pilha de LED 2230. Como mostrado nos desenhos, a segunda camada de ligação 2550 pode unir a primeira pilha de LED 2230 e o segundo eletrodo transparente p
2350. O eletrodo ôhmico 2290 pode ser coberto pela segunda camada de ligação 2550. A segunda camada de ligação 2550 transmite luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230. A segunda camada de ligação 2550 pode ser formada de um material de ligação transmissor de luz, por exemplo, um agente de ligação orgânica transmissor de luz ou spin-on-glass transmissor de luz. Exemplos do agente de ligação orgânico transmissor de luz podem incluir SU8, poli (metacrilato de metila) (PMMA), poli-imida, Parileno, benzociclobuteno (BCB) e semelhantes. Além disso, a segunda pilha de LED 2330 pode ser ligada à primeira pilha de LED 2230 por ligação de plasma ou semelhante.
[0397] A terceira camada de ligação 2570 acopla a terceira pilha de LED 2430 à segunda pilha de LED 2330. Como mostrado nos desenhos, a terceira camada de ligação 2570 pode unir-se à segunda pilha de LED 2330 e ao terceiro eletrodo transparente p
2450. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes.
Por exemplo, uma camada condutora transparente pode ser disposta na segunda pilha de LED 2330. A terceira camada de ligação 2570 transmite luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 e da segunda pilha de LED 2330 e pode ser formada, por exemplo, por spin-on-glass transmissor de luz.
[0398] Cada uma da segunda camada de ligação 2550 e da terceira camada de ligação 2570 pode transmitir luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 e luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330.
[0399] A FIG. 30A à FIG. 30E são vistas esquemáticas em seção transversal que ilustram um método de fabricação de uma pilha de diodos emissores de luz para uma exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0400] Referindo às FIG. 30A, uma primeira pilha de LED 2230 é crescida em um primeiro substrato 2210. O primeiro substrato 2210 pode ser, por exemplo, um substrato GaAs. A primeira pilha de LED 2230 é formada por camadas de semicondutores baseadas em AlGaInP e inclui uma camada de semicondutores do tipo n, uma camada ativa e uma camada de semicondutores do tipo p. Em algumas modalidades exemplificativas, a camada semicondutora do tipo n pode ter uma lacuna de energia capaz de absorver a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 e a camada semicondutora do tipo p pode ter uma lacuna de energia capaz de absorver a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 2330.
[0401] Uma camada de isolamento 2270 é formada na primeira pilha de LED 2230 e padronizada para formar aberturas nela. Por exemplo, uma camada de SiO2 é formada na primeira pilha de LED 2230 e um fotoresistor é depositado na camada de SiO2, seguido de fotolitografia e desenvolvimento para formar um padrão fotoresistor. Então, a camada de SiO2 é padronizada através do padrão fotoresistor usado como uma máscara de gravação, formando assim a camada de isolamento 2270 tendo as aberturas.
[0402] Então, uma camada em contato ôhmico 2250a é formada nas aberturas da camada de isolamento 2270. A camada em contato ôhmico 2250a pode ser formada por um processo de elevação ou semelhante. Após a formação da camada em contato ôhmico 2250a, é formada uma camada refletora 2250b para cobrir a camada em contato ôhmico 2250a e a camada de isolamento 2270. A camada refletora 2250b pode ser formada por um processo de elevação ou semelhante. A camada refletora 2250b pode cobrir uma porção da camada em contato ôhmico 2250a ou a totalidade dela. A camada em contato ôhmico 2250a e a camada refletora 2250b formam um eletrodo refletor 2250.
[0403] O eletrodo refletor 2250 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da primeira pilha de LED 2230 e, portanto, será daqui em diante referido como um primeiro eletrodo refletor p 2250.
[0404] Referindo às FIG. 30B, uma segunda pilha de LED 2330 é crescida em um segundo substrato 2310 e um segundo eletrodo transparente p 2350 é formado na segunda pilha de LED 2330. A segunda pilha de LED 2330 pode ser formada por camadas de semicondutores baseadas em GaN e pode incluir uma camada de poço GaInN. O segundo substrato 2310 é um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em GaN podem ser crescidas sobre o mesmo e é diferente do primeiro substrato 2210. A proporção de composição de GaInN para a segunda pilha de LED 2330 pode ser determinada de modo que a segunda pilha de LED 2330 emita luz verde. O segundo eletrodo transparente p 2350 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 2330. A segunda pilha de LED 2330 pode incluir uma camada semicondutora do tipo n, uma camada ativa e uma camada semicondutora do tipo p. Em algumas modalidades exemplificativas, a camada semicondutora do tipo n da segunda pilha de LED 2330 pode ter um intervalo de banda de energia capaz de absorver a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430, e a camada semicondutora do tipo p da segunda pilha de LED 2330 pode ter um intervalo de energia capaz de absorver a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 2430.
[0405] Referindo às FIG. 30C, uma terceira pilha de LED 2430 é crescida em um terceiro substrato 2410 e um terceiro eletrodo transparente p 2450 é formado na terceira pilha de LED 2430. A terceira pilha de LED 2430 pode ser formada de camadas semicondutoras baseadas em GaN e pode incluir uma camada de poço GaInN. O terceiro substrato 2410 é um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em GaN podem ser crescidas sobre ele e é diferente do primeiro substrato 2210. A proporção de composição de GaInN para a terceira pilha de LED 2430 pode ser determinada de modo que a terceira pilha de LED 2430 emita luz azul. O terceiro eletrodo transparente p 2450 forma contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p da terceira pilha de LED 2430.
[0406] Como tal, a primeira pilha de LED 2230, a segunda pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430 são crescidas em substratos diferentes, e, portanto, a sequência de formação da mesma não está limitada a uma sequência específica.
[0407] Referindo às FIG. 30D, a primeira pilha de LED 2230 é acoplada ao substrato de suporte 2510 através de uma primeira camada de ligação 2530. A primeira camada de ligação 2530 pode ser formada anteriormente no substrato de suporte 2510 e o eletrodo refletor 2250 pode ser ligado à primeira camada de ligação 2530 para facear o substrato de suporte 2510. O primeiro substrato 2210 é removido da primeira pilha de LED 2230 por gravação química ou semelhante. Por conseguinte, a superfície superior da camada semicondutora do tipo n da primeira pilha de LED 2230 é exposta.
[0408] Então, um eletrodo ôhmico 2290 é formado na região exposta da primeira pilha de LED 2230. A fim de reduzir a resistência de contato ôhmico do eletrodo ôhmico 2290, o eletrodo ôhmico 2290 pode ser submetido a tratamento térmico. O eletrodo ôhmico 2290 pode ser formado em cada região de pixel, de modo a corresponder às regiões de pixel.
[0409] Referindo às FIG. 30E, a segunda pilha de LED 2330 é acoplada à primeira pilha de LED 2230, na qual o eletrodo ôhmico 2290 é formado, através de uma segunda camada de ligação 2550. O segundo eletrodo transparente p 2350 é ligado à segunda camada de ligação 2550 para facear a primeira pilha de LED 2230. A segunda camada de ligação 2550 pode ser formada anteriormente na primeira pilha de LED 2230, de modo que o segundo eletrodo transparente p 2350 possa ficar virado e ser ligado à segunda camada de ligação 2550. O segundo substrato 2310 pode ser separado da segunda pilha de LED 2330 por um processo de elevação a laser ou de elevação química.
[0410] Então, com referência à FIG. 29 e FIG. 30C, a terceira pilha de LED 2430 é acoplada à segunda pilha de LED 2330 através de uma terceira camada de ligação 2570. O terceiro eletrodo transparente p 2450 é ligado à terceira camada de ligação 2570 para facear a segunda pilha de LED 2330 e ligado à terceira camada de ligação 2570. A terceira camada de ligação 2570 pode ser formada anteriormente na segunda pilha de LED 2330, de modo que o terceiro eletrodo transparente p 2450 possa estar virado e ligado à terceira camada de ligação 2570. O terceiro substrato 2410 pode ser separado da terceira pilha de LED 2430 por um processo de elevação a laser ou de elevação química. Como tal, a pilha de diodos emissores de luz para uma exibição, como mostrado na FIG. 29 pode ser formado, o qual tem a camada semicondutora do tipo n da terceira pilha de LED 2430 exposta ao exterior.
[0411] Um aparelho de exibição pode ser formado padronizando a pilha da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 dispostas no substrato de suporte 2510 em unidades de pixel, seguida pela conexão da primeira à terceira pilha de LED 2230, 2330 e 2430 a uma outra através de interconexões. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Por exemplo, um aparelho de exibição pode ser fabricado dividindo a pilha da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 em unidades individuais e transferindo a primeiro à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 para outros substratos de suporte, como como uma placa de circuito impresso.
[0412] A FIG. 31 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa. A FIG. 32 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0413] Referindo às FIG. 31 e FIG. 32, o aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser implementado para ser acionado de maneira matriz passiva.
[0414] A pilha de diodos emissores de luz para um display mostrado na FIG. 29 tem a estrutura incluindo a primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 empilhadas na direção vertical. Como um pixel inclui três diodos emissores de luz R, G e B, um primeiro diodo emissor de luz R pode corresponder à primeira pilha de LED 2230, um segundo diodo emissor de luz G pode corresponder à segunda pilha de LED 2330 e um terceiro diodo emissor de luz B pode corresponder à terceira pilha de LED
2430.
[0415] Referindo às FIGS. 31 e 32, um pixel inclui o primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B, cada um dos quais pode corresponder a um subpixel. Os anodos do primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B são conectados a uma linha comum, por exemplo, uma linha de dados e seus catodos são conectados a linhas diferentes, por exemplo, linhas de varredura. Por exemplo, em um primeiro pixel, os anodos do primeiro ao terceiro diodos emissores de luz R, G e B são comumente conectados a uma linha de dados Vdata1 e os seus catodos são conectados às linhas de varredura Vscan1-1, Vscan1-2, e Vscan1-3, respectivamente. Como tal, os diodos emissores de luz R, G e B em cada pixel podem ser acionados independentemente.
[0416] Além disso, cada um dos diodos emissores de luz R, G e B pode ser acionado por uma modulação de largura de pulso ou alterando a magnitude da corrente elétrica para controlar o brilho de cada subpixel.
[0417] Referindo às FIG. 32, uma pluralidade de pixels é formada padronizando a pilha da FIG. 29, e cada um dos pixels é conectado aos eletrodos refletores 2250 e às linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750. Como mostrado na Fig. 31, o eletrodo refletor 2250 pode ser usado como a linha de dados Vdata e as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750 podem ser formadas como as linhas de varredura.
[0418] Os pixels podem ser dispostos em uma forma de matriz na qual os anodos dos diodos emissores de luz R, G e B de cada pixel são comumente conectados ao eletrodo refletor 2250, e os seus catodos são conectados às linhas de interconexão 2710, 2730, e 2750 separados um do outro. Aqui, as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750 podem ser usadas como as linhas de varredura Vscan.
[0419] A FIG. 33 é uma vista plana ampliada de um pixel do aparelho de exibição da FIG. 32, FIG. 34 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha A-A da FIG. 33, e FIG. 35 é uma vista esquemática em seção transversal tomada ao longo de uma linha B-B da FIG. 33.
[0420] Referindo às FIG. 32, FIG. 33, FIG. 34, e FIG. 35, em cada pixel, uma porção do eletrodo refletor 2250, o eletrodo ôhmico 2290 formado na superfície superior da primeira pilha de LED 2230, uma porção do segundo eletrodo transparente p 2350, uma porção da superfície superior da segunda pilha de LED 2330, uma porção do terceiro eletrodo transparente p 2450 e a superfície superior da terceira pilha de LED 2430 são expostas ao exterior.
[0421] A terceira pilha de LED 2430 pode ter uma superfície rugosa 2430a na sua superfície superior. A superfície rugosa 2430a pode ser formada sobre toda a superfície superior da terceira pilha de LED 2430 ou pode ser formada em algumas regiões da mesma.
[0422] Uma camada de isolamento inferior 2610 pode cobrir uma superfície lateral de cada pixel. A camada de isolamento inferior 2610 pode ser formada de um material transmissor de luz, como SiO2. Neste caso, a camada de isolamento inferior 2610 pode cobrir substancialmente toda a superfície superior da terceira pilha de LED 2430. Alternativamente, a camada de isolamento inferior 2610 pode incluir um refletor de Bragg distribuído para refletir a luz que viaja em direção às superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430. Neste caso, a camada de isolamento inferior 2610 pode expor parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 2430. Ainda alternativamente, a camada de isolamento inferior 2610 pode ser uma camada de isolamento à base de preto que absorve a luz. Além disso, uma camada refletora metálica flutuante eletricamente pode ser formada ainda na camada de isolamento inferior 2610 para refletir a luz emitida através das superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430.
[0423] A camada de isolamento inferior 2610 pode incluir uma abertura 2610a que expõe a superfície superior da terceira pilha de LED 2430, uma abertura 2610b que expõe a superfície superior da segunda pilha de LED 2330, uma abertura 2610c (ver FIG. 36H) que expõe o eletrodo ôhmico 2290 da primeira pilha de LED 2230, uma abertura 2610d que expõe o terceiro eletrodo transparente 2450, uma abertura 2610e que expõe o segundo eletrodo transparente 2350 e aberturas 2610f que expõem o primeiro eletrodo refletor p 2250.
[0424] As linhas de interconexão 2710 e 2750 podem ser formadas perto da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 no substrato de suporte 2510 e podem ser dispostas na camada de isolamento inferior 2610 a ser isolada do primeiro eletrodo refletor 2250. Uma porção de conexão 2770a conecta o terceiro eletrodo transparente p 2450 ao eletrodo refletor 2250 e uma porção de conexão 2770b conecta o segundo eletrodo transparente p 2350 ao eletrodo refletor 2250, de modo que os anodos da primeira pilha de LED 2230, a segundo pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430 são comumente conectados ao eletrodo refletor 2250.
[0425] Uma porção de conexão 2710a conecta a superfície superior da terceira pilha de LED 2430 à linha de interconexão 2710 e uma porção de conexão 2750a conecta o eletrodo ôhmico 2290 na primeira pilha de LED 2230 à linha de interconexão 2750.
[0426] Uma camada de isolamento superior 2810 pode ser disposta nas linhas de interconexão 2710 e 2730 e a camada de isolamento inferior 2610 para cobrir a superfície superior da terceira pilha de LED 2430. A camada de isolamento superior 2810 pode ter uma abertura 2810a que expõe parcialmente a superfície superior da segunda pilha de LED 2330.
[0427] A linha de interconexão 2730 pode ser disposta na camada de isolamento superior 2810, e a porção de conexão 2730a pode conectar a superfície superior da segunda pilha de LED 2330 à linha de interconexão 2730. A porção de conexão 2730a pode passar através de uma porção superior da linha de interconexão 2750 e é isolada da linha de interconexão 2750 pela camada de isolamento superior 2810.
[0428] Embora os eletrodos de cada pixel sejam descritos como conectados à linha de dados e às linhas de varredura, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Além disso, enquanto as linhas de interconexão 2710 e 2750 são descritas como sendo formadas na camada de isolamento inferior 2610 e a linha de interconexão 2730 é descrita como sendo formada na camada de isolamento superior 2810, os conceitos inventivos não são limitados a estes. Por exemplo, todas as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750 podem ser formadas na camada de isolamento inferior 2610 e podem ser cobertas pela camada de isolamento superior 2810, que pode ter aberturas que expõem a linha de interconexão 2730. Desta maneira, a porção de conexão 2730a pode conectar a superfície superior da segunda pilha de
LED 2330 à linha de interconexão 2730 através das aberturas da camada de isolamento superior 2810.
[0429] Alternativamente, as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750 podem ser formadas dentro do substrato de suporte 2510, e as porções de conexão 2710a, 2730a e 2750a na camada de isolamento inferior 2610 podem conectar o eletrodo ôhmico 2290, a superfície superior da primeira pilha de LED 2230 e a superfície superior da terceira pilha de LED 2430 para as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750.
[0430] De acordo com uma modalidade exemplificativa, a luz L1 gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 é emitida para o exterior através da segunda e terceira pilhas de LED 2330 , e 2430, e a luz L2 gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 é emitida para o exterior através da terceira pilha de LED 2430. Além disso, uma porção de luz L3 gerada a partir da terceira pilha de LED 2430 pode entrar na segunda pilha de LED 2330 e uma porção de luz L2 gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 pode entrar na primeira pilha de LED 2230. Além disso, uma luz secundária pode ser gerada a partir da segunda pilha de LED 2330 pela luz L3 e uma luz secundária também pode ser gerada a partir da primeira pilha de LED 2230 pela luz L2. No entanto, essa luz secundária pode ter intensidade baixa.
[0431] A FIG. 36A à FIG. 36K são vistas esquemáticas planas que ilustram um método de fabricação um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa. A seguir, as seguintes descrições serão dadas com referência a um método de formação do pixel da FIG. 33.
[0432] Primeiro, a pilha de diodos emissores de luz 2000 descrita na FIG. 29 é preparada.
[0433] Referindo às FIG. 36A, uma superfície rugosa 2430a pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED
2430. A superfície rugosa 2430a pode ser formada na superfície superior da terceira pilha de LED 2430 para corresponder a cada região de pixel. A superfície rugosa 2430a pode ser formada por gravura química, por exemplo, gravura química foto-aprimorada (PEC) ou semelhante.
[0434] A superfície rugosa 2430a pode ser parcialmente formada em cada região de pixel levando em consideração uma região da terceira pilha de LED 2430 a ser gravada no processo subsequente, sem estar limitada a ela. Alternativamente, a superfície rugosa 2430a pode ser formada sobre toda a superfície superior da terceira pilha de LED 2430.
[0435] Referindo às FIG. 36B, uma região circundante da terceira pilha de LED 2430 em cada pixel é removida por gravação para expor o terceiro eletrodo transparente p 2450. Como mostrado nos desenhos, a terceira pilha de LED 2430 exposta pode permanecer com uma forma retangular ou quadrada. A terceira pilha de LED 2430 pode ter uma pluralidade de depressões formadas ao longo das suas bordas.
[0436] Referindo às FIG. 36C, a superfície superior da segunda pilha de LED 2330 é exposta pela remoção do terceiro eletrodo transparente p 2450 exposto em áreas diferentes de uma depressão. Por conseguinte, a superfície superior da segunda pilha de LED 2330 é exposta em torno da terceira pilha de LED 2430 e em outras depressões que não sejam a depressão em que o terceiro eletrodo transparente p 2450 permanece parcialmente.
[0437] Referindo às FIG. 36D, o segundo eletrodo transparente p 2350 é exposto removendo a segunda pilha de LED 2330 em áreas que não sejam uma depressão.
[0438] Referindo às FIG. 36E, o eletrodo ôhmico 2290 é exposto juntamente com a superfície superior da primeira pilha de LED 2230 removendo o segundo eletrodo transparente exposto p 2350 em áreas que não sejam uma depressão. Aqui, o eletrodo ôhmico 2290 pode ser exposto em uma depressão. Por conseguinte, a superfície superior da primeira pilha de LED 2230 é exposta em torno da terceira pilha de LED 2430 e uma superfície superior do eletrodo ôhmico 2290 é exposta em pelo menos uma das depressões formadas na terceira pilha de LED 2430.
[0439] Referindo às FIG. 36F, o eletrodo refletor 2250 é exposto removendo uma porção exposta da primeira pilha de LED 2230 em áreas que não sejam em uma depressão. Como tal, o eletrodo refletor 2250 é exposto em torno da terceira pilha de LED 2430.
[0440] Referindo às FIG. 36G, as linhas de interconexão linear são formadas padronizando o eletrodo refletor 2250. Aqui, o substrato de suporte 2510 pode ser exposto. O eletrodo refletor 2250 pode conectar pixels dispostos em uma linha entre si entre pixels dispostos em uma matriz (ver FIG. 32).
[0441] Referindo às FIG. 36H, uma camada de isolamento inferior 2610 (ver FIG. 34 e FIG. 35) é formada para cobrir os pixels. A camada de isolamento inferior 2610 cobre o eletrodo refletor 2250 e as superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430. Além disso, a camada de isolamento inferior 2610 pode cobrir parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 2430. Se a camada de isolamento inferior 2610 for uma camada transparente, como uma camada de SiO2, a camada de isolamento inferior 2610 pode cobrir substancialmente toda a superfície superior da terceira pilha de LED 2430. Alternativamente, a camada de isolamento inferior 2610 pode incluir um refletor de Bragg distribuído. Neste caso, a camada de isolamento inferior 2610 pode expor parcialmente a superfície superior da terceira pilha de LED 2430 para permitir que a luz seja emitida para o exterior.
[0442] A camada de isolamento inferior 2610 pode incluir uma abertura 2610a que expõe a terceira pilha de LED 2430, uma abertura 2610b que expõe a segunda pilha de LED 2330, uma abertura 2610c que expõe o eletrodo ôhmico 2290, uma abertura 2610d que expõe o terceiro eletrodo transparente p 2450, uma abertura 2610e que expõe o segundo eletrodo transparente p 2350 e uma abertura 2610f que expõe o eletrodo refletor 2250. A abertura 2610f que expõe o eletrodo refletor 2250 pode ser formada singularmente ou no plural.
[0443] Referindo às FIG. 36I, as linhas de interconexão 2710 e 2750 e as partes de conexão 2710a, 2750a, 2770a e 2770b são formadas por um processo de elevação ou semelhante. As linhas de interconexão 2710 e 2750 são isoladas do eletrodo refletor 2250 pela camada de isolamento inferior 2610. A porção de conexão 2710a conecta eletricamente a terceira pilha de LED 2430 à linha de interconexão 2710, e a porção de conexão 2750a conecta eletricamente o eletrodo ôhmico 2290 à linha de interconexão 2750, de modo que a primeira pilha de LED 2230 seja eletricamente conectada à linha de interconexão 2750. A porção de conexão 2770a conecta eletricamente o terceiro eletrodo transparente p 2450 ao primeiro eletrodo refletor 2250 e a porção de conexão 2770b conecta eletricamente o segundo eletrodo transparente p 2350 ao primeiro eletrodo refletor 2250.
[0444] Referindo às FIG. 36J, uma camada de isolamento superior 2810 (ver FIG. 34 e FIG. 35) cobre as linhas de interconexão 2710, 2750 e as partes de conexão 2710a, 2750a, 2770a e 2770b. A camada de isolamento superior 2810 também pode cobrir substancialmente a superfície superior inteira da terceira pilha de LED 2430. A camada de isolamento superior 2810 tem uma abertura 2810a que expõe a superfície superior da segunda pilha de LED 2330. A camada de isolamento superior 2810 pode ser formada, por exemplo, por óxido de silício ou nitreto de silício e pode incluir um refletor de Bragg distribuído. Quando a camada de isolamento superior 2810 inclui o refletor de Bragg distribuído, a camada de isolamento superior 2810 pode expor pelo menos uma parte da superfície superior da terceira pilha de LED 2430 para permitir que a luz seja emitida para o exterior.
[0445] Referindo às FIG. 36K, uma linha de interconexão 2730 e uma porção de conexão 2730a são formadas. Uma linha de interconexão 2750 e uma porção de conexão 2750a podem ser formadas por um processo de elevação ou semelhante. A linha de interconexão 2730 é disposta na camada de isolamento superior 2810 e é isolada do eletrodo refletor 2250 e das linhas de interconexão 2710 e 2750. A porção de conexão 2730a conecta eletricamente a segunda pilha de LED 2330 à linha de interconexão 2730. A porção de conexão 2730a pode passar através de uma porção superior da linha de interconexão 2750 e é isolada da linha de interconexão 2750 pela camada de isolamento superior
2810.
[0446] Como tal, uma região de pixel mostrada na FIG. 33 pode ser formada. Além disso, como mostrado na FIG. 32, uma pluralidade de pixels pode ser formada no substrato de suporte 2510 e pode ser conectada um ao outro pelo primeiro eletrodo refletor p 2250 e as linhas de interconexão 2710, 2730, e 2750, para serem operadas de maneira de matriz passiva.
[0447] Embora o descrito acima descreva um método de fabricação de um aparelho de exibição que possa ser operado da maneira da matriz passiva, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Mais particularmente, um aparelho de exibição de acordo com modalidades exemplificativas pode ser fabricado de várias maneiras, de modo a ser operado da maneira da matriz passiva usando a pilha de diodos emissores de luz mostrada na FIG. 29.
[0448] Por exemplo, enquanto a linha de interconexão 2730 é descrita como sendo formada na camada de isolamento superior 2810, a linha de interconexão 2730 pode ser formada em conjunto com as linhas de interconexão 2710 e 2750 na camada de isolamento inferior 2610 e a parte de conexão 2730a pode ser formada na camada de isolamento superior 2810 para conectar a segunda pilha de LED 2330 à linha de interconexão 2730. Alternativamente, as linhas de interconexão 2710, 2730 e 2750 podem ser dispostas dentro do substrato de suporte 2510.
[0449] A FIG. 37 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa. O diagrama de circuito da FIG. 37 se refere a um aparelho de exibição acionado de maneira de matriz ativa.
[0450] Referindo às FIG. 37, o circuito de acionamento de acordo com uma modalidade exemplificativa inclui pelo menos dois transistores Tr1, Tr2 e um capacitor. Quando uma fonte de energia é conectada às linhas de seleção Vrow1 a Vrow3 e a voltagem é aplicada às linhas de dados Vdata1 a Vdata3, a voltagem é aplicada ao diodo emissor de luz correspondente. Além disso, os capacitores correspondentes são carregados de acordo com os valores de Vdata1 a Vdata3. Como o estado de ativação do transistor Tr2 pode ser mantido pela voltagem carregada do capacitor, a voltagem do capacitor pode ser mantida e aplicada às células emissoras de luz dos LED1, LED3 e LED3, mesmo quando o suprimento de energia à Vrow1 é desligado. Além disso, a corrente elétrica que flui nos diodos emissores de luz LED1 a LED3 pode ser alterada dependendo dos valores de Vdata1 a Vdata3. A corrente elétrica pode ser fornecida continuamente através de Vdd e, portanto, a luz pode ser emitida continuamente.
[0451] Os transistores Tr1, Tr2 e o capacitor podem ser formados dentro do substrato de suporte 2510. Por exemplo, transistores de filme fino formados sobre um substrato de silício podem ser usados para acionamento de matriz ativa.
[0452] Aqui, os diodos emissores de luz LED1 a LED3 podem corresponder à primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 empilhados em um pixel, respectivamente. Os anodos da primeira à terceira pilha de LED 2230, 2330 e 2430 são conectados ao transistor Tr2 e os seus catodos são conectados ao terra.
[0453] *453 Embora a FIG. 37 mostre o circuito para acionamento de matriz ativa de acordo com uma modalidade exemplificativa, outros tipos de circuitos podem ser utilizados de várias maneiras. Além disso, embora os anodos dos diodos emissores de luz LED1 a LED3 sejam descritos como estando conectados a diferentes transistores Tr2 e os seus catodos sejam descritos como conectados ao terra, os anodos dos diodos emissores de luz podem ser conectados às fontes de alimentação Vdd e os seus catodos podem ser conectados a diferentes transistores em algumas modalidades exemplificativas.
[0454] A FIG. 38 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com outra modalidade exemplificativa. A seguir, a descrição a seguir será dada com referência a um pixel entre uma pluralidade de pixels dispostos no substrato de suporte 2511.
[0455] Referindo às FIG. 38, o pixel de acordo com uma modalidade exemplificativa é substancialmente semelhante ao pixel descrito com referência à FIG. 32 até a FIG. 35, exceto que o substrato de suporte 2511 é um painel de transistor de filme fino incluindo transistores e capacitores e o eletrodo refletor 2250 é disposto em uma região inferior da primeira pilha de LED 2230.
[0456] O catodo da terceira pilha de LED 2430 é conectado ao substrato de suporte 2511 através da porção de conexão 2711a. Por exemplo, como mostrado na FIG. 37, o catodo da terceira pilha de LED 2430 pode ser conectado ao terra através da conexão elétrica ao substrato de suporte 2511. Os catodos da segunda pilha de LED 2330 e da primeira pilha de LED 2230 também podem ser conectados ao terra através de conexão elétrica ao substrato de suporte 2511 através das porções de conexão 2731a e 2751a.
[0457] O eletrodo refletor é conectado aos transistores Tr2 (ver FIG. 37) dentro do substrato de suporte 2511. O terceiro eletrodo transparente p e o segundo eletrodo transparente p também são conectados aos transistores Tr2 (ver FIG. 37) dentro do substrato de suporte 2511 através das porções de conexão 2711b e 2731b.
[0458] Dessa maneira, as primeira à terceira pilhas de LED são conectadas umas às outras, formando assim um circuito para acionamento de matriz ativa, como mostrado na FIG. 37.
[0459] Embora a FIG. 38 mostre um pixel tendo uma conexão elétrica para acionamento de matriz ativa de acordo com uma modalidade exemplificativa, os conceitos inventivos não são limitados a este e o circuito para o aparelho de exibição pode ser modificado em vários circuitos para acionamento de matriz ativa de várias maneiras.
[0460] Além disso, o eletrodo refletor 2250, o segundo eletrodo transparente p 2350 e o terceiro eletrodo transparente p 2450 da FIG. 29 são descritos como formando contato ôhmico com a camada semicondutora do tipo p de cada uma das primeiras pilhas de LED 2230, a segunda pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430, e o eletrodo ôhmico 2290 é descrito como formando contato ôhmico com a camada de semicondutor tipo n da primeira pilha de LED 2230, a camada semicondutora do tipo n de cada uma das segunda pilha de LED 2330 e a terceira pilha de LED 2430 não é fornecida com uma camada em contato ôhmico separada. Embora haja menos dificuldade na propagação da corrente, mesmo sem a formação de uma camada em contato ôhmico separada na camada de semicondutores do tipo n quando os pixels têm um tamanho pequeno de 200 µm ou menos, no entanto, uma camada de eletrodo transparente pode ser disposta na camada semicondutora de tipo n de cada uma das pilhas de LED para garantir a propagação da corrente de acordo com algumas modalidades exemplificativas.
[0461] Além disso, embora a FIG. 29 mostre o acoplamento da primeira à terceira pilha de LED 2230, 2330 e 2430 entre si por meio de uma camada de ligação, os conceitos inventivos não são limitados a este e a primeira à terceira pilha de LED 2230, 2330 e 2430 pode ser conectado a uma outra em várias sequências e usando várias estruturas.
[0462] De acordo com modalidades exemplificativas, uma vez que é possível formar uma pluralidade de pixels no nível da wafer usando a pilha de diodos emissores de luz 2000 para um display, a necessidade de montagem individual de diodos emissores de luz pode ser evitada. Além disso, a pilha de diodos emissores de luz de acordo com modalidades exemplificativas possui a estrutura na qual a primeira à terceira pilhas de LED 2230, 2330 e 2430 são empilhadas na direção vertical e, portanto, uma área para subpixels pode ser protegida em uma área de pixel limitada. Além disso, a pilha de diodos emissores de luz de acordo com as modalidades exemplificativas permite que a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 2230, da segunda pilha de LED 2330 e da terceira pilha de LED 2430 seja emitida para fora dela, reduzindo assim a perda de luz.
[0463] A FIG. 39 é uma vista plana esquemática de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 40 é uma vista esquemática em seção transversal de um pixel de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0464] Referindo às FIG. 39 e FIG. 40, o aparelho de exibição inclui uma placa de circuito 3510 e uma pluralidade de pixels 3000. Cada um dos pixels 3000 inclui um substrato 3210 e primeiro ao terceiro subpixels R, G e B dispostos no substrato
3210.
[0465] A placa de circuito 3510 pode incluir um circuito passivo ou um circuito ativo. O circuito passivo pode incluir, por exemplo, linhas de dados e linhas de varredura. O circuito ativo pode incluir, por exemplo, um transistor e um capacitor. A placa de circuito 3510 pode ter um circuito em uma superfície ou nela. A placa de circuito 3510 pode incluir, por exemplo, um substrato de vidro, um substrato de safira, um substrato de Si ou um substrato de Ge.
[0466] O substrato 3210 suporta o primeiro ao terceiro subpixels R, G e B. O substrato 3210 é contínuo ao longo da pluralidade de pixels 3000 e conecta eletricamente os subpixels R, G e B à placa de circuito 3510. Por exemplo, o substrato 3210 pode ser um substrato de GaAs.
[0467] O primeiro subpixel R inclui uma primeira pilha de LED 3230, o segundo subpixel G inclui uma segunda pilha de LED 3330 e o terceiro subpixel B inclui uma terceira pilha de LED
3430. O primeiro subpixel R é configurado para permitir que a primeira pilha de LED 3230 emita luz, o segundo subpixel G é configurado para permitir que a segunda pilha de LED 3330 emita luz, e o terceiro subpixel B é configurado adaptado para permitir que a terceira pilha de LED 3430 emita luz. A primeiro à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 podem ser acionadas independentemente.
[0468] A primeira pilha de LED 3230, a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 são empilhadas para se sobreporem na direção vertical. Aqui, como mostrado nos desenhos, a segunda pilha de LED 3330 pode ser disposta em uma porção da primeira pilha de LED 3230. Por exemplo, a segunda pilha de LED 3330 pode ser disposta para um lado na primeira pilha de LED
3230. A terceira pilha de LED 3430 pode ser disposta em uma porção da segunda pilha de LED 3330. Por exemplo, a terceira pilha de LED 3430 pode ser disposta na direção de um lado na segunda pilha de LED 3330. Embora a terceira pilha de LEDs 3430 seja ilustrada como sendo disposta para o lado direito, os conceitos inventivos não se limitam a isso. Alternativamente, a terceira pilha de LED 3430 pode ser disposta na direção do lado esquerdo da segunda pilha de LED 3330.
[0469] A luz R gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 pode ser emitida através de uma região não coberta pela segunda pilha de LED 3330 e a luz G gerada a partir da segunda pilha de
LED 3330 pode ser emitida através de uma região não coberta pela terceira pilha de LED 3430. Mais particularmente, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 pode ser emitida para o exterior sem passar pela segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 pode ser emitida para o exterior sem passar através a terceira pilha de LED 3430.
[0470] A região da primeira pilha de LED 3230 através da qual a luz R é emitida, a região da segunda pilha de LED 3330 através da qual a luz G é emitida, e a região da terceira pilha de LED 3340 pode ter áreas diferentes e a intensidade de a luz emitida por cada uma das pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 pode ser ajustada ajustando suas áreas.
[0471] No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Alternativamente, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 pode ser emitida para o exterior depois de passar pela segunda pilha de LED 3330 ou depois de passar pela segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 pode ser emitida para o exterior depois de passar pela terceira pilha de LED 3430.
[0472] Cada um da primeira pilha de LED 3230, a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 podem incluir uma primeira camada de semicondutor de tipo de condutividade (por exemplo, tipo n), uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade (por exemplo, tipo p) e uma camada ativa interposta entre elas. A camada ativa pode ter uma estrutura de poço multiquântico. A primeiro à terceira pilha de LEDs 3230, 3330 e 3430 podem incluir diferentes camadas ativas para emitir luz com diferentes comprimentos de onda. Por exemplo, a primeira pilha de LED 3230 pode ser um diodo emissor de luz inorgânico configurado para emitir luz vermelha, a segunda pilha de LED 3330 pode ser um diodo emissor de luz inorgânica configurado para emitir luz verde e a terceira pilha de LED 3430 pode ser uma luz inorgânica diodo emissor configurado para emitir luz azul. Para este fim, a primeira pilha de LED 3230 pode incluir uma camada de poço baseada em AlGaInP, a segunda pilha de LED 3330 pode incluir uma camada de poço baseada em AlGaInP ou AlGaInN e a terceira pilha de LED 3430 pode incluir uma camada de poço baseada em AlGaInN. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Os comprimentos de onda da luz gerados a partir da primeira pilha de LED 3230, da segunda pilha de LED 3330 e da terceira pilha de LED 3430 podem ser modificados. Por exemplo, a primeira pilha de LED 3230, a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 podem emitir luz verde, luz vermelha e luz azul, respectivamente, ou podem emitir luz verde, luz azul e luz vermelha, respectivamente.
[0473] Além disso, um refletor de Bragg distribuído pode ser interposto entre o substrato 3210 e a primeira pilha de LED 3230 para evitar a perda de luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 através da absorção pelo substrato 3210. Por exemplo, um refletor de Bragg distribuído formado por empilhamento alternado de camadas de semicondutores AlAs e AlGaAs uma acima da outra pode ser interposto entre elas.
[0474] A FIG. 41 é um diagrama esquemático de circuito de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0475] Referindo às FIG. 41, o aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser acionado de uma maneira matriz ativa. Como tal, a placa de circuito pode incluir um circuito ativo.
[0476] Por exemplo, o circuito de acionamento pode incluir pelo menos dois transistores Tr1, Tr2 e um capacitor. Quando uma fonte de energia é conectada às linhas de seleção Vrow1 a Vrow3 e a voltagem é aplicada às linhas de dados Vdata1 a Vdata3, a voltagem é aplicada ao diodo emissor de luz correspondente. Além disso, os capacitores correspondentes são carregados de acordo com os valores de Vdata1 a Vdata3. Como o estado de ativação do transistor Tr2 pode ser mantido pela voltagem carregada do capacitor, a voltagem do capacitor pode ser mantida e aplicada às células emissoras de luz dos LED1, LED3 e LED3, mesmo quando o suprimento de energia à Vrow1 é desligado. Além disso, a corrente elétrica que flui nos diodos emissores de luz LED1 a LED3 pode ser alterada dependendo dos valores de Vdata1 a Vdata3. A corrente elétrica pode ser fornecida continuamente através de Vdd e, portanto, a luz pode ser emitida continuamente.
[0477] Os transistores Tr1, Tr2 e o capacitor podem ser formados dentro do substrato de suporte 3510. Aqui, os diodos emissores de luz LED1 a LED3 podem corresponder à primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 empilhados em um pixel, respectivamente. Os anodos da primeira à terceira pilha de LED 3230, 3330 3 e 430 são conectados ao transistor Tr2 e os seus catodos são conectados ao terra. Os catodos da primeiro à terceira pilha de LEDs 3230, 3330 e 3430, por exemplo, podem ser comumente conectados ao terra.
[0478] Embora a FIG. 41 mostre o circuito para acionamento de matriz ativa de acordo com uma modalidade exemplificativa, outros tipos de circuitos também podem ser usados. Além disso, embora os anodos dos diodos emissores de luz LED1 a LED3 sejam descritos como conectados aos diferentes transistores Tr2 e os catodos deles sejam descritos como conectados ao terra, os anodos dos diodos emissores de luz podem ser comumente conectados e os catodos do mesmo podem ser conectados a diferentes transistores em algumas modalidades exemplificativas.
[0479] Embora o circuito ativo para acionamento de matriz ativa esteja ilustrado acima, os conceitos inventivos não estão limitados a estes, e os pixels, de acordo com uma modalidade exemplificativa, podem ser acionados de uma maneira de matriz passiva. Como tal, a placa de circuito 3510 pode incluir linhas de dados e linhas de varredura dispostas nela e cada um dos subpixels pode ser conectado à linha de dados e à linha de varredura. Em uma modalidade exemplificativa, os anodos da primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 podem ser conectados a diferentes linhas de dados e os seus catodos podem ser comumente conectados a uma linha de varredura. Em outras modalidades exemplificativas, os anodos da primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 podem ser conectados a diferentes linhas de varredura e os catodos dos mesmos podem ser comumente conectados a uma linha de dados.
[0480] Além disso, cada uma das pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 pode ser acionada por uma modulação de largura de pulso ou alterando a magnitude da corrente elétrica, controlando assim o brilho de cada subpixel. Além disso, o brilho pode ser ajustado ajustando as áreas da primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 e as áreas das regiões das pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 através das quais as luzes R, G e B é emitido. Por exemplo, uma pilha de LED que emite luz com baixa visibilidade, por exemplo, a primeira pilha de LED 3230, possui uma área maior que a segunda pilha de LED 3330 ou a terceira pilha de LED 3430 e, portanto, pode emitir luz com maior intensidade sob a mesma densidade de corrente. Além disso, uma vez que a área da segunda pilha de LED 3330 é maior que a área da terceira pilha de LED 3430, a segunda pilha de LED 3330 pode emitir luz com uma intensidade mais alta sob a mesma densidade de corrente que a terceira pilha de LED 3430. Dessa maneira, a saída de luz pode ser ajustada com base na visibilidade da luz emitida da primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430, ajustando as áreas da primeira pilha de LED 3230, da segunda pilha de LED 3330 e da terceira pilha de LED 3430.
[0481] A FIG. 42A e a FIG. 42B são uma vista superior e uma vista inferior de um pixel de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 43A, FIG. 43B, a FIG. 43C, e FIG. 43D são vistas esquemáticas em seção transversal tomadas ao longo das linhas A-A, B-B, C-C e D-D da FIG. 42A, respectivamente.
[0482] No aparelho de exibição, os pixels são dispostos em uma placa de circuito 3510 (ver FIG. 39) e cada um dos pixels inclui um substrato 3210 e subpixels R, G e B. O substrato 3210 pode ser contínuo ao longo da pluralidade de pixels. A seguir, uma configuração de um pixel, de acordo com uma modalidade exemplificativa, será descrita.
[0483] Referindo às FIG. 42A, FIG. 42B, a FIG. 43A, FIG. 43B, a FIG. 43C, e FIG. 43D, o pixel inclui um substrato 3210, um refletor de Bragg distribuído 3220, uma camada de isolamento 3250, vias de orifício 3270a, 3270b, e 3270c, uma primeira pilha de LED 3230, uma segunda pilha de LED 3330, uma segunda pilha de LED 3330, uma terceira pilha de LED 3430, um primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, um primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b, um segundo eletrodo ôhmico 1 3390, um segundo eletrodo ôhmico 2 3350, um terceiro eletrodo ôhmico 1 3490, um terceiro eletrodo ôhmico 2 3490, um terceiro eletrodo ôhmico 2 3450, uma primeira camada de ligação 3530, uma segunda camada de ligação 3550, uma camada de isolamento superior 3610, conectores 3710, 3720, 3730, uma camada de isolamento inferior 3750 e pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c, 3770d.
[0484] Cada um dos subpixels R, G e B inclui as pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 e eletrodos ôhmicos. Além disso, os anodos do primeiro ao terceiro subpixels R, G e B podem ser conectados eletricamente aos pads de eletrodos 3770a, 3770b e 3770c, respectivamente, e seus catodos podem ser conectados eletricamente ao pad de eletrodo 3770d, permitindo assim o primeiro ao terceiro subpixels R, G e B para serem acionados independentemente.
[0485] O substrato 3210 suporta as pilhas de LED 3230, 3330 e 3430. O substrato 3210 pode ser um substrato de crescimento no qual as camadas semicondutoras baseadas em AlGaInP podem ser crescidas sobre este, por exemplo, um substrato GaAs. Em particular, o substrato 3210 pode ser um substrato semicondutor exibindo condutividade do tipo n.
[0486] A primeira pilha de LED 3230 inclui uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a e uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b, a segunda pilha de LED 3330 inclui uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a e um segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b, e a terceira pilha de LED 3430 inclui uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a e uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b. Uma camada ativa pode ser interposta entre a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a, 3330a ou 3430a e a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b, 3330b ou 3430b.
[0487] De acordo com uma modalidade exemplificativa, cada uma das primeiras camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3230a, 3330a, e 3430a pode ser uma camada semicondutora do tipo n e cada uma das camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3230b, 3330b, 3430b pode ser uma camada semicondutora do tipo p. Uma superfície rugosa pode ser formada em uma superfície superior de cada uma das primeiras camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3230a, 3330a, e 3430a por texturização da superfície. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes, e o primeiro e o segundo tipos de condutividade podem ser alterados vice-versa.
[0488] A primeira pilha de LED 3230 é disposta perto do substrato de suporte 3510, a segunda pilha de LED 3330 é disposta na primeira pilha de LED 3230 e a terceira pilha de LED 3430 é disposta na segunda pilha de LED 3330. A segunda pilha de LED 3330 é disposta em alguma região na primeira pilha de LED 3230, de modo que a primeira pilha de LED 3230 se sobreponha parcialmente à segunda pilha de LED 3330. A terceira pilha de LED 3430 é disposta em alguma região na segunda pilha de LED 3330, de modo que a segunda pilha de LED 3330 se sobreponha parcialmente à terceira pilha de LED 3430. Por conseguinte, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 pode ser emitida para o exterior sem passar pelas segunda e terceira pilhas de LED 3330 e 3430. Além disso, a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 pode ser emitida para o exterior sem passar pela terceira pilha de LED 3430.
[0489] Os materiais para a primeira pilha de LED 3230, a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 são substancialmente os mesmos que os descritos com referência à FIG. 40 e, portanto, as descrições detalhadas serão omitidas para evitar redundância.
[0490] O refletor de Bragg distribuído 3220 é interposto entre o substrato 3210 e a primeira pilha de LED 3230. O refletor Bragg distribuído 3220 pode incluir uma camada semicondutora crescida no substrato 3210. Por exemplo, o refletor de Bragg distribuído 3220 pode ser formado empilhando alternadamente camadas de AlAs e camadas de AlGaAs. O refletor de Bragg distribuído 3220 pode incluir uma camada semicondutora que conecta eletricamente o substrato 3210 à primeira camada semicondutora do tipo condutividade 3230a da primeira pilha de LED 3230.
[0491] As vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c são formadas através do substrato 3210. As vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c podem ser formadas para passar através da primeira pilha de LED 3230. As vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c podem ser formadas de pastas condutoras ou por plaqueamento.
[0492] A camada de isolamento 3250 é disposta entre as vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c e uma parede interna de um orifício de passagem formado através do substrato 3210 e a primeira pilha de LED 3230 para evitar curto-circuito entre a primeira pilha de LED 3230 e o substrato 3210.
[0493] O primeiro eletrodo ôhmico 3290a forma contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a da primeira pilha de LED 3230. O primeiro eletrodo ôhmico 3290a pode ser formado, por exemplo, por ligas de Au-Te ou Au-Ge.
[0494] A fim de formar o primeiro eletrodo ôhmico 3290a, a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b e a camada ativa podem ser parcialmente removidas para expor a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a. O primeiro eletrodo ôhmico 3290a pode ser disposto afastado da região onde a segunda pilha de LED 3330 está disposta. Além disso, o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290 pode incluir uma região de pad e uma extensão, e o conector 3710 pode ser conectado à região de pad do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290, como mostrado na FIG. 42A.
[0495] O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b forma contato ôhmico com a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b da primeira pilha de LED 3230. Como mostrado na Fig. 42A, o primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser formado para envolver parcialmente o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a a fim de auxiliar na propagação de corrente. O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode não incluir a extensão. O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser formado de, por exemplo, por ligas de Au-Zn ou Au-Be. Além disso, o primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ter uma única camada ou várias camadas.
[0496] O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser conectado à via de orifício de passagem de 3270a, de modo que a via de orifício de passagem 3270a possa ser conectada eletricamente à segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b.
[0497] O segundo eletrodo ôhmico 1 3390 forma contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a da segunda pilha de LED 3330. O segundo eletrodo ôhmico 1 3390 também pode incluir uma região de pad e uma extensão. Como mostrado na Fig. 42A, o conector 3710 pode conectar eletricamente o segundo eletrodo ôhmico 3390 ao primeiro eletrodo ôhmico 3290a. O segundo eletrodo ôhmico 1 3390 pode ser disposto à parte da região onde a terceira pilha de LED 3430 está disposta.
[0498] O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 forma contato ôhmico com a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b da segunda pilha de LED 3330. O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 pode incluir uma camada refletora 3350a e uma camada de barreira 3350b. A camada refletora 3350a reflete a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 para melhorar a eficácia luminosa da segunda pilha de LED 3330. A camada de barreira 3350b pode atuar como um pad de conexão, que fornece a camada refletora 3350a, e está conectada ao conector 3720. Embora o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 seja descrito como incluindo uma camada de metal nesta modalidade exemplificativa, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Por exemplo, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 pode ser formado de um óxido condutor transparente, tal como uma camada semicondutora de óxido condutor.
[0499] O terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 forma contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a da terceira pilha de LED 3430. O terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 também pode incluir uma região de pad e uma extensão, e o conector 3710 pode conectar o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 ao primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, como mostrado na FIG. 42A.
[0500] O terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 pode formar contato ôhmico com a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b da terceira pilha de LED 3430. O terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 pode incluir uma camada refletora 3450a e uma camada de barreira 3450b. A camada refletora 3450a reflete a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 3430 para melhorar a eficácia luminosa da terceira pilha de LED 3430. A camada de barreira 3450b pode atuar como um pad de conexão, que fornece a camada refletora 3450a, e está conectada ao conector 3730.
Embora o terceiro eletrodo ôhmico 3450 seja descrito como incluindo uma camada de metal nesta modalidade exemplificativa, os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Alternativamente, o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 pode ser formado de um óxido condutor transparente, tal como uma camada semicondutora de óxido condutor.
[0501] O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 podem formar contato ôhmico com as camadas semicondutoras do tipo p das pilhas de LED correspondentes para ajudar na propagação da corrente e o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 podem formar contato ôhmico com as camadas semicondutoras do tipo n das pilhas de LED correspondentes para ajudar na propagação de corrente.
[0502] A primeira camada de ligação 3530 acopla a segunda pilha de LED 3330 à primeira pilha de LED 3230. Como mostrado nos desenhos, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 pode unir-se à primeira camada de ligação 3530. A primeira camada de ligação 3530 pode ser uma camada transmissora de luz ou uma camada opaca. A primeira camada de ligação 3530 pode ser formada de um material orgânico ou de um material inorgânico. Exemplos do material orgânico podem incluir SU8, poli (metacrilato de metila) (PMMA), poli-imida, Parileno, benzociclobuteno (BCB) ou outros, e exemplos do material inorgânico podem incluir Al2O3, SiO2, SiNx ou outros. A camada de material orgânico pode ser ligada sob alto vácuo e a camada de material inorgânico pode ser ligada sob alto vácuo após achatar a superfície da primeira camada de ligação por, por exemplo, polimento mecânico químico, seguido pelo ajuste da energia da superfície através de tratamento com plasma. A primeira camada de ligação 3530 pode ser formada por spin-on-glass ou pode ser uma camada de ligação de metal formada por AuSn ou semelhante. Para a camada de ligação de metal, uma camada de isolamento pode ser disposta na primeira pilha de LED 3230 para proteger o isolamento elétrico entre a primeira pilha de LED 3230 e a camada de ligação de metal. Além disso, uma camada refletora pode ser ainda disposta entre a primeira camada de ligação 3530 e a primeira pilha de LED 3230 para impedir que a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 entre na segunda pilha de LED 3330.
[0503] A segunda camada de ligação 3550 acopla a segunda pilha de LED 3330 à terceira pilha de LED 3430. A segunda camada de ligação 3550 pode ser interposta entre a segunda pilha de LED 3330 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 para ligar a segunda pilha de LED 3330 ao terceiro eletrodo ôhmico 3450. A segunda camada de ligação 3550 pode ser formada substancialmente do mesmo material de ligação que a primeira camada de ligação 3530. Além disso, uma camada de isolamento e/ou uma camada refletora podem ser ainda dispostas entre a segunda pilha de LED 3330 e a segunda camada de ligação 3550.
[0504] Quando a primeira camada de ligação 3530 e a segunda camada de ligação 3550 são formadas de um material transmissor de luz, e o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 são formados de um material de óxido transparente, algumas frações de luz geradas a partir da primeira pilha de LED 3230 podem ser emitidas através da segunda pilha de LED 3330 após passar pela primeira camada de ligação 3530 e o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e também podem ser emitidas através da terceira pilha de LED 3430 após passar pela segunda camada de ligação 3550 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450. Além disso,
algumas frações de luz geradas a partir da segunda pilha de LED 3330 podem ser emitidas através da terceira pilha de LED 3430 depois de passar pela segunda camada de ligação 3550 e pelo terceiro eletrodo ôhmico 2 3450.
[0505] Nesse caso, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 deve ser impedida de ser absorvida pela segunda pilha de LED 3330 enquanto passa pela segunda pilha de LED 3330. Como tal, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 pode ter um intervalo de banda menor que a segunda pilha de LED 3330 e, portanto, pode ter um comprimento de onda maior que a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330.
[0506] Além disso, para impedir que a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 seja absorvida pela terceira pilha de LED 3430 enquanto passa pela terceira pilha de LED 3430, a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 pode ter um comprimento de onda maior que a luz gerada da terceira pilha de LED 3430.
[0507] Quando a primeira camada de ligação 3530 e a segunda camada de ligação 3550 são formadas de materiais opacos, as camadas refletoras são interpostas entre a primeira pilha de LED 3230 e a primeira camada de ligação 3530 e entre a segunda pilha de LED 3330 e a segunda camada de ligação 3550, respectivamente, para refletir luz tendo sido gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 e entrando na primeira camada de ligação 3530 e luz tendo sido gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 e entrando na segunda camada de ligação 3550. A luz refletida pode ser emitida através da primeira pilha de LED 3230 e a segunda pilha de LED 3330.
[0508] A camada de isolamento superior 3610 pode cobrir a primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430. Em particular, a camada de isolamento superior 3610 pode cobrir as superfícies laterais da segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430, e também pode cobrir a superfície lateral da primeira pilha de LED 3230.
[0509] A camada de isolamento superior 3610 tem aberturas que expõem do primeiro ao terceiro as vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c e aberturas que expõem a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a da segunda pilha de LED 3330, a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a da terceira pilha de LED 3430, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450.
[0510] A camada de isolamento superior 3610 pode ser formada de qualquer material de isolamento, por exemplo, óxido de silício ou nitreto de silício, sem estar limitado a estes.
[0511] O conector 3710 conecta eletricamente o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 um ao outro. O conector 3710 é formado na camada de isolamento superior 3610 e é isolado da segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b da terceira pilha de LED 3430, a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b da segunda pilha de LED 3330 e a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b da primeira pilha de LED 3230.
[0512] O conector 3710 pode ser formado substancialmente do mesmo material que o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e, portanto, pode ser formado em conjunto com o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 Alternativamente, o conector 3710 pode ser formado de um material condutor diferente do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 ou do terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e, portanto, pode ser formado separadamente em um processo diferente do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e/ou o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490.
[0513] O conector 3720 pode conectar eletricamente o segundo eletrodo ôhmico 1 3350, por exemplo, a camada de barreira 3350b, à segunda via de orifício de passagem 3270b. O conector 3730 conecta eletricamente o terceiro eletrodo ôhmico 1, por exemplo, a camada de barreira 3450b, à terceira via de orifício de passagem 3270c. O conector 3720 pode ser eletricamente isolado da primeira pilha de LED 3230 pela camada de isolamento superior
3610. O conector 3730 também pode ser eletricamente isolado da segunda pilha de LED 3330 e a primeira pilha de LED 3230 pela camada de isolamento superior 3610.
[0514] Os conectores 3720, 3730 podem ser formados juntos pelo mesmo processo. O conector 3720, 3730 também pode ser formado em conjunto com o conector 3710. Além disso, os conectores 3720, 3730 podem ser formados substancialmente do mesmo material que o segundo eletrodo ôhmico 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 3490, e podem ser formados juntos com os mesmos. Alternativamente, os conectores 3720, 3730 podem ser formados de um material condutor diferente do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 ou do terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e, portanto, podem ser formados separadamente por um processo diferente do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e/ou o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490.
[0515] A camada de isolamento inferior 3750 cobre uma superfície inferior do substrato 3210. A camada de isolamento inferior 3750 pode incluir aberturas que expõem a primeira à terceira vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c no lado inferior do substrato 3210 e também pode incluir aberturas que expõem a superfície inferior do substrato 3210.
[0516] Os pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c e 3770d são dispostos na superfície inferior do substrato 3210. Os pads de eletrodos 3770a, 3770b e 3770c são conectadas às vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c através das aberturas da camada de isolamento 3750 e o pad de eletrodo 3770d é conectado ao substrato 3210.
[0517] Os pads de eletrodos 3770a, 3770b e 3770c são fornecidos a cada pixel para serem eletricamente conectados à primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 de cada pixel, respectivamente. Embora o pad de eletrodo 3770d também possa ser fornecido a cada pixel, o substrato 3210 é continuamente disposto sobre uma pluralidade de pixels, o que pode evitar a necessidade de fornecer o pad de eletrodo 3770d para cada pixel.
[0518] Os pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c, 3770d são ligados à placa de circuito 3510, proporcionando assim um aparelho de exibição.
[0519] A seguir, será descrito um método de fabricação do aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0520] A FIG. 44A à FIG. 51B são vistas planas esquemáticas e vistas em seção transversal que ilustram um método de fabricação do aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa. Cada uma das vistas em seção transversal é feita ao longo de uma linha mostrada em cada vista plana correspondente.
[0521] Referindo às FIG. 44A e 44B, uma primeira pilha de LED 3230 é crescida em um substrato 3210. O substrato 3210 pode ser, por exemplo, um substrato de GaAs. A primeira pilha de LED 3230 é formada por camadas de semicondutores baseadas em AlGaInP e inclui uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b. Um refletor de Bragg distribuído 3220 pode ser formado antes do crescimento da primeira pilha de LED 3230. O refletor de Bragg distribuído 3220 pode ter uma estrutura de pilha formada empilhando repetidamente, por exemplo, camadas de AlAs/AlGaAs.
[0522] Em seguida, são formadas ranhuras na primeira pilha de LED 3230 e no substrato 3210 através de fotolitografia e gravação. As ranhuras podem ser formadas para passar através do substrato 3210 ou podem ser formadas a uma profundidade predeterminada no substrato 3210, como mostrado na FIG. 44B.
[0523] Então, uma camada de isolamento 3250 é formada para cobrir as paredes laterais das ranhuras e as vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c são formadas para preencher as ranhuras. As vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c podem ser formadas, por exemplo, formando uma camada de isolamento para cobrir as paredes laterais das ranhuras, enchendo a ranhura com uma camada de material condutor ou pastas condutoras através do revestimento e removendo o isolamento e a camada de material condutor de uma superfície superior da primeira pilha de LED 3230 através de polimento mecânico químico.
[0524] Referindo às FIG. 45A e a FIG. 45B, uma segunda pilha de LED 3330 e um segundo eletrodo ôhmico 2 3350 podem ser acoplados à primeira pilha de LED 3230 através da primeira camada de ligação 3530.
[0525] A segunda pilha de LED 3330 é crescida em um segundo substrato e o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 é formado na segunda pilha de LED 3330. A segunda pilha de LED 3330 é formada por camadas de semicondutores à base de AlGaInP ou à base de AlGaInN e pode incluir uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b. O segundo substrato pode ser um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em AlGaInP podem ser crescidas sobre ela, por exemplo, um substrato GaAs ou um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em AlGaInN podem ser crescidas sobre ela, por exemplo, um substrato de safira. A proporção de composição de Al, Ga e In para a segunda pilha de LED 3330 pode ser determinada de modo que a segunda pilha de LED 3330 possa emitir luz verde. O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 forma contato ôhmico com a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b, por exemplo, uma camada semicondutora do tipo p. O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 pode incluir uma camada refletora 3350a, que reflete a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 e uma camada barreira 3350b.
[0526] O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 é disposto para facear a primeira pilha de LED 3230 e é acoplado à primeira pilha de LED 3230 pela primeira camada de ligação 3530. Depois disso, o segundo substrato é removido da segunda pilha de LED 3330 para expor a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a por gravura química ou elevação a laser. Uma superfície rugosa pode ser formada na primeira camada semicondutora 3330a de tipo de condutividade exposta por texturização da superfície.
[0527] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma camada de isolamento e uma camada refletora podem ser ainda formadas na primeira pilha de LED 3230 antes da formação da primeira camada de ligação 3530.
[0528] Referindo às FIG. 46A e a FIG. 46B, uma terceira pilha de LED 3430 e um terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 podem ser acoplados à segunda pilha de LED 3330 através da segunda camada de ligação 3550.
[0529] A terceira pilha de LED 3430 é crescida em um terceiro substrato e o terceiro eletrodo ôhmico 3450 é formado na terceira pilha de LED 3430. A terceira pilha de LED 3430 é formada por camadas de semicondutores baseadas em AlGaInN e pode incluir uma primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a, uma camada ativa e uma segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b. O terceiro substrato é um substrato no qual as camadas semicondutoras baseadas em GaN podem ser crescidas sobre ela e é diferente do primeiro substrato 3210. A proporção de composição de AlGaInN para a terceira pilha de LED 3430 pode ser determinada de modo que a terceira pilha de LED 3430 possa emitir luz azul. O terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 forma contato ôhmico com a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b, por exemplo, uma camada semicondutora do tipo p. O terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 pode incluir uma camada refletora 3450a, que reflete a luz gerada a partir da terceira pilha de LED 3430 e uma camada de barreira 3450b.
[0530] O terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 é disposto para facear a segunda pilha de LED 3330 e é acoplado à segunda pilha de LED 3330 pela segunda camada de ligação 3550. Depois disso, o terceiro substrato é removido da terceira pilha de LED 3430 para expor a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a por gravura química ou elevação a laser. Uma superfície rugosa pode ser formada na primeira camada semicondutora 3430a de tipo de condutividade exposta por texturização da superfície.
[0531] De acordo com uma modalidade exemplificativa, uma camada de isolamento e uma camada refletora podem ser ainda formadas na segunda pilha de LED 3330 antes da formação da segunda camada de ligação 3550.
[0532] Referindo às FIG. 47A e a FIG. 47B, em cada uma das regiões de pixel, a terceira pilha de LED 3430 é padronizada para remover a terceira pilha de LED 3430 que não seja o terceiro subpixel B. Em uma região do terceiro subpixel B, é formada uma indentação na terceira pilha de LED 3430 para expor a camada de barreira 3450b através da indentação.
[0533] Em seguida, em regiões diferentes do terceiro subpixel B, o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 e a segunda camada de ligação 3550 são removidos para expor a segunda pilha de LED
3330. Como tal, o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 é colocado restritamente perto da região do terceiro subpixel B.
[0534] Em cada região de pixel, a segunda pilha de LED 3330 é padronizada para remover a segunda pilha de LED 3330 em regiões que não sejam o segundo subpixel G. Na região do segundo subpixel G, a segunda pilha de LED 3330 se sobrepõe parcialmente à terceira pilha de LED 3430.
[0535] Ao padronizar a segunda pilha de LED 3330, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 é exposto. A segunda pilha de LED 3330 pode incluir uma indentação, e o segundo eletrodo ôhmico 2 3350, por exemplo, a camada de barreira 3350b, pode ser exposto através da indentação.
[0536] Posteriormente, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e a primeira camada de ligação 3530 são removidos para expor a primeira pilha de LED 3230. Como tal, o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 é disposto próximo à região do segundo subpixel G. Por outro lado, a primeira à terceiro vias de orifício de passagem 3270a, 3270b e 3270c também são expostas juntamente com a primeira pilha de LED 3230.
[0537] Em cada região de pixel, a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a é exposto padronizando a segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b da primeira pilha de LED 3230. Como mostrado na Fig. 47A, a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a pode ser exposta em uma forma alongada, sem estar limitada a ela.
[0538] Além disso, as regiões de pixel são divididas uma da outra, padronizando a primeira pilha de LED 3230. Como tal, é definida uma região do primeiro subpixel R. Aqui, o refletor de Bragg distribuído 3220 também pode ser dividido. Alternativamente, o refletor de Bragg distribuído 3220 pode ser disposto continuamente sobre a pluralidade de pixels, em vez de ser dividido. Além disso, a primeira camada semicondutora do tipo condutividade 3230a também pode ser disposta continuamente sobre a pluralidade de pixels.
[0539] Referindo às FIG. 48A e a FIG. 48B, um primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e um primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b são formados na primeira pilha de LED 3230. O primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a pode ser formado, por exemplo, por ligas de Au-Te ou Au-Ge na primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a exposta. O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser formado, por exemplo, por ligas de Au-Be ou Au-Zn na segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b. O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser formado antes do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, ou vice-versa. O primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser conectado à primeira via de orifício de passagem 3270a. Por outro lado, o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a pode incluir uma região de pad e uma extensão, que podem se estender da região de pad em direção à primeira via de orifício de passagem 3270a.
[0540] Para propagação de corrente, o primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ser disposto para envolver pelo menos parcialmente o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a. Embora cada um do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e do primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b esteja sendo ilustrado como tendo uma forma alongada na FIG. 48A, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Alternativamente, cada um do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b pode ter uma forma circular, por exemplo.
[0541] Referindo às FIG. 49A e a FIG. 49B, uma camada de isolamento superior 3610 é formada para cobrir a primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430. A camada de isolamento superior 3610 pode cobrir o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e o primeiro eletrodo ôhmico 2 3290b. A camada de isolamento superior 3610 também pode cobrir superfícies laterais da primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430 e uma superfície lateral do refletor de Bragg distribuído 3220.
[0542] A camada de isolamento superior 3610 pode ter uma abertura 3610a que expõe o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a, aberturas 3610b, 3610c que expõem as camadas de barreira 3350b, 3450b, aberturas 3610d, 3610e que expõem a segunda e terceira vias de orifício de passagem 3270b, 3270c e aberturas 3610f, 3610g que expõem as primeiras camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3330a, 3430a da segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430.
[0543] Referindo às FIG. 50A e a FIG. 50B, um segundo eletrodo ôhmico 1 3390, um terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e os conectores 3710, 3720, 3730 são formados. O segundo eletrodo ôhmico 1 3390 é formado na abertura 3610f para formar contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a, e o terceiro eletrodo ôhmico 3490 é formado na abertura 3610g para formar contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3430a.
[0544] O conector 3710 conecta eletricamente o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 e o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 ao primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a. O conector 3710 pode ser conectado, por exemplo, ao primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a exposto na abertura 3610a. O conector 3710 é formado na camada de isolamento superior 3610 para ser isolado das segundas camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3230b, 3330b e 3430b.
[0545] O conector 3720 conecta eletricamente o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 à segunda via de orifício de passagem 3270b e o conector 3730 conecta eletricamente o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 à terceira via de orifício de passagem 3270c. Os conectores 3720, 3730 são dispostos na camada de isolamento superior 3610 para evitar curto-circuito para a primeira à terceira pilhas de LED 3230, 3330 e 3430.
[0546] O segundo eletrodo ôhmico 1 3390, o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e os conectores 3710, 3720, 3730 podem ser formados substancialmente pelo mesmo material pelo mesmo processo. No entanto, os conceitos inventivos não se limitam a estes. Alternativamente, o segundo eletrodo ôhmico 1 3390, o terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 e os conectores 3710, 3720, 3730 podem ser formados de diferentes materiais por diferentes processos.
[0547] Então, com referência à FIG. 51A e a FIG. 51B, uma camada de isolamento inferior 3750 é formada em uma superfície inferior do substrato 3210. A camada de isolamento inferior 3750 tem aberturas que expõem a primeira a terceira as vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c e também podem ter aberturas que expõem a superfície inferior do substrato 3210.
[0548] Os pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c, 3770d são formados na camada de isolamento inferior 3750. Os pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c são conectadas a primeira à terceira vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c, respectivamente, e o pad de eletrodo 3770d é conectado ao substrato 3210.
[0549] Por conseguinte, o pad de eletrodo 3770a é eletricamente conectado à segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3230b da primeira pilha de LED 3230 através da primeira via de orifício de passagem 3270a, o pad de eletrodo 3770b é eletricamente conectado à segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3330b da segunda pilha de LED 3330 através da segunda via de orifício de passagem 3270b e o pad de eletrodo 3770c é eletricamente conectado à segunda camada semicondutora de tipo de condutividade 3430b da terceira pilha de LED 3430 através da terceira via de orifício de passagem 3270c. As primeiras camadas semicondutoras de tipo de condutividade 3230a, 3330a, 3430a da primeira à terceira pilha de LED 3230, 3330, 3430 são comumente conectadas eletricamente ao pad de eletrodo 3770d.
[0550] Desta maneira, um aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, pode ser formado ligando os pads de eletrodos 3770a, 3770b, 3770c, 3770d do substrato 3210 à placa de circuito 3510 mostrada na FIG. 39. Como descrito acima, a placa de circuito 3510 pode incluir um circuito ativo ou um circuito passivo, pelo qual o aparelho de exibição pode ser acionado de uma maneira matriz ativa ou de uma matriz passiva.
[0551] A FIG. 52 é uma vista em seção transversal de um pixel de diodo emissor de luz para um display de acordo com uma modalidade exemplificativa.
[0552] Referindo às FIG. 52, o pixel de diodo emissor de luz 3001 do aparelho de exibição, de acordo com uma modalidade exemplificativa, é geralmente semelhante ao pixel do diodo emissor de luz 3000 do aparelho de exibição da FIG. 40, exceto que a segunda pilha de LED 3330 cobre a maior parte da primeira pilha de LED 3230 e a terceira pilha de LED 3430 cobre a maior parte da segunda pilha de LED 3330. Dessa maneira, a luz gerada a partir do primeiro subpixel R é emitida para o exterior após passar substancialmente pela segunda pilha de LED 3330 e pela terceira pilha de LED 3430, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 é emitida para o exterior após passar substancialmente pela terceira pilha de LED 3430.
[0553] A primeira pilha de LED 3230 pode incluir uma camada ativa com um intervalo de banda mais estreito que a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 para emitir luz com um comprimento de onda mais longo que a segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430 e a segunda pilha de LED 3330 pode incluir uma camada ativa com um intervalo de banda mais estreito do que a terceira pilha de LED 3430 para emitir luz com um comprimento de onda mais longo que a terceira pilha de LED 3430.
[0554] A FIG. 53 é uma vista ampliada de um pixel de um aparelho de exibição de acordo com uma modalidade exemplificativa, e a FIG. 54A e a FIG. 54B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas G-G e H-H da FIG. 53, respectivamente.
[0555] Referindo às FIG. 53, FIG. 54A, e FIG. 54B, o pixel,
de acordo com uma modalidade exemplificativa, é geralmente semelhante ao pixel da FIG. 42, FIG. 43A, FIG. 43B e FIG. 43C, exceto que a segunda pilha de LED 3330 cobre a maior parte da primeira pilha de LED 3230 e a terceira pilha de LED 3430 cobre a maior parte da segunda pilha de LED 3330. A primeira à terceira vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c podem ser dispostas fora da segunda pilha de LED 3330 e da terceira pilha de LED 3430.
[0556] Além disso, uma porção do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e uma porção do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 podem ser dispostas sob a terceira pilha de LED 3430. Como tal, o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a pode ser formado antes da segunda pilha de LED 3330 ser acoplada à primeira pilha de LED 3230 e o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 também pode ser formado antes da terceira pilha de LED 3430 ser acoplada à segunda pilha de LED
3330.
[0557] Além disso, a luz gerada a partir da primeira pilha de LED 3230 é emitida para o exterior após passar substancialmente pela segunda pilha de LED 3330 e a terceira pilha de LED 3430, e a luz gerada a partir da segunda pilha de LED 3330 é emitida para o exterior após passar substancialmente pela terceira pilha de LED 3430. Por conseguinte, a primeira camada de ligação 3530 e a segunda camada de ligação 3550 são formadas por materiais transmissores de luz, e o segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 são compostos de camadas condutoras transparentes.
[0558] Por outro lado, como mostrado nos desenhos, uma indentação pode ser formada na terceira pilha de LED 3430 para expor o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 e uma indentação é formada continuamente na terceira pilha de LED 3430 e na segunda pilha de LED 3330 para expor o segundo eletrodo ôhmico 2 3350. O segundo eletrodo ôhmico 2 3350 e o terceiro eletrodo ôhmico 2 3450 são eletricamente conectados ao segundo orifício através de 3270b e a terceira via de orifício de passagem 3270c através dos conectores 3720, 3730, respectivamente.
[0559] Além disso, a indentação pode ser formada na terceira pilha de LED 3430 para expor o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 formado na primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a da segunda pilha de LED 3330, e a indentação pode ser formada continuamente na terceira pilha de LED 3430 e a segunda pilha de LED 3330 para expor o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a formado na primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3230a da primeira pilha de LED 3230. O conector 3710 pode conectar o primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 ao terceiro eletrodo ôhmico 1
3490. O terceiro eletrodo ôhmico 1 3490 pode ser formado junto com o conector 3710 e pode ser conectado às regiões de pad do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e do segundo eletrodo ôhmico 1
3390.
[0560] O primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 são dispostos parcialmente sob a terceira pilha de LED 3430, mas os conceitos inventivos não estão limitados a estes. Por exemplo, as porções do primeiro eletrodo ôhmico 1 3290a e do segundo eletrodo ôhmico 1 3390 dispostos sob a terceira pilha de LED 3430 podem ser omitidas. Além disso, o segundo eletrodo ôhmico 1 3390 pode ser omitido e o conector 3710 pode formar contato ôhmico com a primeira camada semicondutora de tipo de condutividade 3330a.
[0561] De acordo com modalidades exemplificativas, uma pluralidade de pixels pode ser formada no nível do wafer através da ligação do wafer e, assim, o processo de montagem individual de diodos emissores de luz pode ser evitado ou substancialmente reduzido.
[0562] Além disso, uma vez que as vias de orifício de passagem 3270a, 3270b, 3270c são formadas no substrato 3210 e usadas como caminhos de corrente, o substrato 3210 pode não precisar ser removido. Por conseguinte, um substrato de crescimento usado para o crescimento da primeira pilha de LED 3230 pode ser usado como o substrato 3210 sem ser removido da primeira pilha de LED 3230.
[0563] Embora certas modalidades e implementações exemplificativas tenham sido descritas aqui, outras modalidades e modificações serão evidentes a partir desta descrição. Por conseguinte, os conceitos inventivos não se limitam a essas modalidades, mas ao escopo mais amplo das reivindicações anexas e a várias modificações óbvias e arranjos equivalentes, como seria evidente para um especialista na técnica.
Claims (23)
1. Chip emissor de luz, caracterizado por compreender uma estrutura emissora de luz compreendendo uma primeira subunidade emissora de luz, uma segunda subunidade emissora de luz e uma terceira subunidade emissora de luz empilhadas verticalmente uma sobre a outra; e uma primeira camada de passivação cobrindo pelo menos uma parte da estrutura emissora de luz, em que a primeira camada de passivação tem uma superfície inferior que expõe a estrutura emissora de luz para permitir que a luz da primeira, segunda e terceira subunidades seja emitida a partir do chip emissor de luz.
2. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira camada de passivação compreender um material de polímero.
3. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado por a primeira camada de passivação compreender pelo menos um de poli-imida e composto de moldagem de epóxi (EMC).
4. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira subunidade emissora de luz compreender um primeiro eletrodo transparente e uma primeira estrutura de mesa, a primeira estrutura de mesa tendo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo p empilhadas verticalmente uma sobre a outra; a segunda subunidade emissora de luz compreender um segundo eletrodo transparente e uma segunda estrutura de mesa, a segunda estrutura de mesa tendo uma segunda camada semicondutora do tipo p, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo n empilhadas verticalmente uma sobre a outra; e a terceira subunidade emissora de luz compreender um terceiro eletrodo transparente e uma terceira estrutura de mesa, a terceira estrutura de mesa tendo uma terceira camada semicondutora do tipo p, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do tipo n empilhadas verticalmente uma sobre a outra.
5. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado ainda por: um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo n; um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo n; um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n; e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente às primeira, segunda e terceira camadas de semicondutores do tipo p.
6. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado ainda por um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo p; um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo p; um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo p; e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente às primeira, segunda e terceira camadas semicondutoras do tipo n.
7. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 4, caracterizado por a terceira camada semicondutora do tipo n ter uma área menor que o terceiro eletrodo transparente e expor uma porção do terceiro eletrodo transparente; o terceiro eletrodo transparente ter uma área menor que a segunda camada semicondutora do tipo n e expor uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n; a segunda camada semicondutora do tipo n ter uma área menor que o segundo eletrodo transparente e expor uma porção do segundo eletrodo transparente; o segundo eletrodo transparente ter uma área menor que o primeiro eletrodo transparente e expor uma porção do primeiro eletrodo transparente; e o primeiro eletrodo transparente ter uma área menor que a primeira camada semicondutora do tipo n e expor uma porção da primeira camada semicondutora do tipo n.
8. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por o terceiro eletrodo transparente exposto pela terceira camada semicondutora do tipo n ser mais fino que o terceiro eletrodo transparente coberto pela terceira camada semicondutora do tipo n; o segundo eletrodo transparente exposto pela segunda camada semicondutora do tipo n ser mais fino que o segundo eletrodo transparente coberto pela segunda camada semicondutora do tipo n; e o primeiro eletrodo transparente exposto pelo segundo eletrodo transparente ser mais fino que o primeiro eletrodo transparente coberto pelo segundo eletrodo transparente.
9. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado ainda por um primeiro padrão condutor disposto em uma porção da primeira camada semicondutora do tipo n exposta pelo primeiro eletrodo transparente e acoplado eletricamente à primeira camada semicondutora do tipo n; um segundo padrão condutor disposto em uma porção do primeiro eletrodo transparente exposto pelo segundo eletrodo transparente e em uma porção do segundo eletrodo transparente exposto pela segunda camada semicondutora do tipo n e acoplada eletricamente aos primeiro e segundo eletrodos transparentes; um terceiro padrão condutor disposto em uma porção da segunda camada semicondutora do tipo n exposta pelo terceiro eletrodo transparente e acoplado eletricamente à segunda camada semicondutora do tipo n; um quarto padrão condutor disposto em uma porção do terceiro eletrodo transparente exposto pela terceira camada semicondutora do tipo n e acoplado eletricamente ao terceiro eletrodo transparente; e um quinto padrão condutor disposto na terceira camada semicondutora do tipo n e acoplado eletricamente à terceira camada semicondutora do tipo n.
10. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 9, caracterizado ainda por um primeiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao primeiro padrão condutor; um segundo padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente aos segundo e quarto padrões condutores; um terceiro padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao terceiro padrão condutor; e um quarto padrão condutor de filme fino acoplado eletricamente ao quinto padrão condutor.
11. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 10, caracterizado por: a estrutura emissora de luz ter uma largura que diminui de uma superfície superior, a primeira camada semicondutora do tipo n compreender uma primeira camada semicondutora do tipo n que se estende a partir de uma parede lateral da primeira estrutura de mesa; e cada um dos primeiro, segundo, terceiro e quarto padrão condutor de filme fino se estender de uma superfície superior da terceira subunidade emissora de luz para a primeira camada semicondutora estendida do tipo n, cobrir a primeira camada semicondutora estendida do tipo n e incluir uma parte do conector.
12. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado ainda por um primeiro contato de via passando pela primeira camada de passivação e acoplado eletricamente à porção de conector do primeiro padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n; um segundo contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente à porção de conector do segundo padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n; um terceira contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente à porção de conector do terceiro padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n; e um quarto contato de via passando através da primeira camada de passivação e acoplado eletricamente à porção de conector do quarto padrão condutor de filme fino disposto na primeira camada semicondutora estendida do tipo n.
13. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por cada um dos primeiro, segundo, terceiro e quarto contatos de via se sobrepor a pelo menos uma porção da primeira, segunda e terceira camadas ativas.
14. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por o primeiro contato de via se sobrepor a pelo menos uma porção do primeiro padrão condutor.
15. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por compreender ainda uma segunda camada de passivação disposta na primeira camada de passivação, incluindo quinto, sexto, sétimo e oitavo contatos de via configurados para se comunicar eletricamente com o primeiro, segundo, terceiro e quatro contatos de via, respectivamente.
16. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por compreender ainda um substrato through-silicon via (TSV) disposto na primeira camada de passivação, o substrato TSV compreendendo padrões que correspondem ao primeiro, segundo, terceiro e diante contatos de via, respectivamente.
17. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a estrutura emissora de luz ter pelo menos uma estrutura de mesa; e a estrutura emissora de luz ter pelo menos uma parede lateral com uma estrutura escalonada.
18. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 17, caracterizado por a estrutura emissora de luz ter uma parede lateral inclinada.
19. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado ainda por um primeiro filtro colorido e uma primeira porção de ligação dispostos entre a primeira e a segunda subunidade emissora de luz; e um segundo filtro de cor e uma segunda porção de ligação dispostos entre a segunda e a terceira subunidade emissora de luz.
20. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a estrutura emissora de luz compreender um micro diodo emissor de luz com uma área de superfície menor que cerca de 10.000 µm quadrados.
21. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a superfície inferior da primeira camada de passivação e uma superfície da primeira subunidade emissora de luz serem dispostas substancialmente no mesmo plano.
22. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por a primeira subunidade emissora de luz estar configurada para emitir uma luz vermelha, verde ou azul; a segunda subunidade emissora de luz estar configurada para emitir uma luz vermelha, verde ou azul diferente da primeira subunidade emissora de luz e ser empilhada acima da primeira subunidade emissora de luz; e a terceira subunidade emissora de luz estar configurada para emitir uma luz vermelha, verde ou azul diferente das primeira e segunda subunidades emissoras de luz e ser empilhada acima da segunda subunidade emissora de luz.
23. Chip emissor de luz, de acordo com a reivindicação 22, caracterizado por não haver filtros de cores dispostos entre a primeira e a segunda subunidade emissora de luz e entre a segunda e a terceira subunidade emissora de luz.
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