BR102014030929A2

BR102014030929A2 - dispositivo emissor de luz

Info

Publication number: BR102014030929A2
Application number: BR102014030929A
Authority: BR
Inventors: Hiroto Tamaki; Tadaaki Ikeda; Tadao Hayashi; Takeshi Ikegami; Takuya Nakabayashi
Original assignee: Nichia Corp
Priority date: 2013-12-13
Filing date: 2014-12-10
Publication date: 2015-10-06
Also published as: BR102014030929B1; TW201841382A; CN104716247B; CN110085722A; US20150171281A1; CN110085722B; CN104716247A; TWI721302B; EP3852156A1; TW201537771A; KR102388379B1; BR102014030929B8; EP2884549A1; US9640734B2; EP2884549B1; JP2015207754A; US10270011B2; TWI636579B; KR20150069532A; KR20220050123A

Abstract

dispositivo emissor de luz. a presente invenção refere-se a um dispositivo emissor de luz (1) pequeno e fino, que não apresenta qualquer falha de conexão, tem um alto desempenho e uma boa eficiência de extração de luz. o dispositivo emissor de luz (1) inclui um corpo de base (4), que compreende um material de base (2), tendo um par de terminais de conexão (3) em pelo menos uma primeira superfície principal, um elemento emissor de luz (5) conectado aos terminais de conexão (3), e um elemento selante (7), que sela o elemento emissor de luz (5), em que o material de base (2) tem um coeficiente de expansão linear dentro de ? 10 ppm/ºc do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz (5).

Description

Relatório Descritivo da Patente de Invenção para "DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ".

REMISSÃO CRUZADA A PEDIDOS RELACIONADOS

[001] Este pedido de patente reivindica a prioridade aos pedidos de patentes japonesas de n° 2013-257710, depositado em 13 de dezembro de 2013, n° 2014-079910, depositado em 9 de abril de 2014, e n° 2014-235411, depositado em 20 de novembro de 2014. Todas as descrições dos pedidos de patentes japonesas de n° 2013-257710, n° 2014-079910 e n° 2014-235411 são, consequentemente, incorporadas por referência no presente relatório descritivo.

ANTECEDENTES DA INVENÇÃO

1. CAMPO DA INVENÇÃO

[002] A presente invenção refere-se a um dispositivo emissor de luz.

2. DESCRIÇÃO DA TÉCNICA RELACIONADA

[003] Várias fontes de luz foram previamente usadas em dispositivos eletrônicos. Por exemplo, dispositivos emissores de luz de tipo de visão lateral são usados como fontes de luz traseira de painéis de exibição de dispositivos eletrônicos, etc. Esse dispositivo emissor de luz inclui um material de base e um elemento emissor de luz, e o material de base inclui um material de base em forma de circuito integrado tendo uma parte de recesso, e um par de terminais formado em uma superfície do material de base e conectado ao elemento emissor de luz. Como esse corpo de base, foi proposto um no qual um par de terminais estendendo-se a partir de abaixo de um elemento emissor de luz, é proporcionado circunferencialmente em uma superfície de um material de base, nas vizinhanças de ambas as respectivas superfícies de extremidade (referir-se, por exemplo, ao pedido de patente JP 8-264842 A).

[004] Para os dispositivos emissores de luz que precisam ficar menores e mais finos, particularmente, o dispositivo emissor de luz do tipo de visão lateral, vários estudos foram conduzidos para achata-mento e redução de tamanho de um corpo de base, e na configuração de conexão de um elemento emissor de luz e o corpo de base, para minimizar o espaço ocupacional do próprio invólucro em uma escala de circuito integrado. Por exemplo, um elemento metálico, usado como um terminal, foi alterado de um eletrodo de fio condutor em forma de placa a um filme metálico, formado diretamente no próprio corpo de base, na forma de um filme extremamente fino. A montagem de um circuito integrado com deformação controlada de um elemento emissor de luz nesse corpo de base está entrando em uso. No entanto, a montagem de circuito integrado com deformação controlada tem o problema em que tensão é aplicada ao elemento emissor de luz, devido a uma diferença no coeficiente de expansão linear, entre o elemento e-missor de luz e o corpo de base, etc.

SUMÁRIO DA INVENÇÃO

[005] A presente invenção foi elaborada em vista do problema descrito acima, e um objetivo da presente invenção é proporcionar um dispositivo emissor de luz pequeno e fino, que tenha uma alta confiabilidade.

[006] O dispositivo emissor de luz da presente invenção é um dispositivo emissor de luz do tipo de visão lateral, incluindo: [007] um corpo de base compreendendo um material de base, tendo um par de terminais de conexão em pelo menos uma primeira superfície principal;

[008] um elemento emissor de luz conectado aos terminais de conexão;e [009] um elemento selante que sela o elemento emissor de luz, [0010] em que o material de base tem um coeficiente de expansão linear dentro de ± 10 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do e- lemento emissor de luz.

[0011] De acordo o dispositivo emissor de luz mencionado acima, ele pode ser dotado com um dispositivo emissor de luz pequeno e fino, que tenha uma alta confiabilidade.

BREVE DESCRIÇÃO DOS DESENHOS

[0012] A Figura 1 é uma vista esquemática em perspectiva de um dispositivo emissor de luz de uma concretização da presente invenção.

[0013] A Figura 2A é uma vista seccional da linha A - A' do dispositivo emissor de luz na Figura 1.

[0014] A Figura 2B é uma vista em planta mostrando outro elemento emissor de luz conduzido no dispositivo emissor de luz na Figura 1, e uma vista seccional da linha B - B' do elemento emissor de luz.

[0015] A Figura 3 é uma vista em perspectiva em planta do dispositivo emissor de luz na Figura 1.

[0016] A Figura 4 é uma vista esquemática em perspectiva mostrando um estado no qual o dispositivo emissor de luz na Figura 1 é montado em um elemento de montagem.

[0017] A Figura 5A é uma vista esquemática em planta para explicar um processo para produzir o dispositivo emissor de luz na Figura 1.

[0018] A Figura 5B é uma vista seccional da linha B - B' da Figura 5A.

[0019] A Figura 6A é uma vista esquemática em perspectiva de um dispositivo emissor de luz de outra concretização da presente invenção.

[0020] A Figura 6B é uma vista seccional da linha A - A' da Figura 6A.

[0021] A Figura 6C é uma vista esquemática em perspectiva de um dispositivo emissor de luz de uma modificação da concretização da Figura 6A.

[0022] A Figura 6D é uma vista seccional da linha A - A' da Figura 6C.

[0023] A Figura 7 é uma vista esquemática seccional de um dispositivo emissor de luz de outra concretização da presente invenção.

[0024] A Figura 8 é uma vista esquemática seccional de um dispositivo emissor de luz de mais uma outra concretização da presente invenção.

[0025] A Figura 9A é uma vista esquemática seccional de um dispositivo emissor de luz de ainda uma outra concretização da presente invenção.

[0026] A Figura 9B é uma vista lateral vista do lado da seta E na Figura 9A.

[0027] A Figura 9C é uma vista seccional da linha F - F' da Figura 9A.

[0028] A Figura 9D é uma vista seccional da linha G - G' da Figura 9A.

[0029] A Figura 9E é uma vista em planta de um corpo de base no dispositivo emissor de luz na Figura 9A.

[0030] A Figura 9F é uma vista em perspectiva traseira do corpo de base no dispositivo emissor de luz na Figura 9A.

[0031] A Figura 10 é uma vista esquemática seccional de um dispositivo emissor de luz de mais uma outra concretização da presente invenção.

[0032] A Figura 11A é uma vista esquemática em perspectiva do dispositivo emissor de luz para explicar uma relação dimensional do dispositivo emissor de luz da concretização da presente invenção.

[0033] A Figura 11B é uma vista esquemática em perspectiva de um elemento emissor de luz para explicar uma relação dimensional do elemento transmissor de luz da concretização da presente invenção.

[0034] A Figura 11C é uma vista esquemática de uma relação po- sicional entre o dispositivo emissor de luz da concretização da presente invenção e uma placa-guia de luz.

[0035] A figura 12A é uma vista esquemática em perspectiva de ainda outra concretização da presente invenção.

[0036] A figura 12B é uma vista em corte segundo a linha A-A’ da figura 12 A.

[0037] A figura 12C é uma vista esquemática traseira em perspectiva do corpo de base no dispositivo emissor de luz mostrado na figura 12A.

[0038] A figura 13 é uma vista esquemática em corte mostrando um dispositivo emissor de luz de ainda outra concretização da presente invenção.

DESCRIÇÃO DETALHADA DAS CONCRETIZAÇÕES

[0039] A seguir, as concretizações da presente invenção vão ser descritas com referência aos desenhos, se adequado. Deve-se notar que o dispositivo emissor de luz descrito abaixo visa implementar o conceito técnico da presente invenção, e a presente invenção não é limitada ao que é descrito abaixo, a menos que indicado de outro modo. Os tópicos descritos em uma concretização e no exemplo são aplicáveis a outras concretizações e exemplos. O tamanho, a relação posicionai etc, dos elementos mostrados nos desenhos podem ser exagerados para tornar claras as descrições.

[0040] O dispositivo emissor de luz da concretização da presente invenção é denominado um dispositivo emissor de luz do tipo de visão lateral no qual uma superfície vizinha a uma superfície de extração de luz é uma superfície de montagem, mas a presente invenção pode ser também aplicada a um denominado dispositivo emissor de luz do tipo de visão pelo topo no qual uma superfície oposta a uma superfície de extração de luz é uma superfície de montagem. O dispositivo emissor de luz inclui pelo menos um corpo de base que compreende um par de terminais de conexão e um material de base, um elemento emissor de luz e um elemento selante.

[0041] Nessa descrição, uma superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz é referida como uma superfície superior, e uma superfície vizinha ou que intercepta a superfície de extração de luz é referida como uma superfície lateral, e uma das superfícies laterais é referida como uma superfície de montagem do dispositivo emissor de luz. Consequentemente, entre as superfícies de elementos ou membros que formam o dispositivo emissor de luz, uma superfície correspondente à superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz pode ser referida com uma primeira superfície principal ou superfície frontal (isto é, superfície superior), uma superfície oposta à primeira superfície principal pode ser referida como uma segunda superfície principal (isto é, superfície inferior), e uma superfície vizinha ou que intercepta a primeira superfície principal e a segunda superfície principal (isto é, a superfície correspondente à superfície lateral do dispositivo emissor de luz) podem ser referidas como uma superfície de extremidade.

Corpo de base [0042] O corpo de base inclui um material de base, e um par de terminais de conexão correspondente aos positivo e negativo, na pelo menos primeira superfície principal do material de base. A forma do corpo de base não é particularmente limitada, e corresponde à forma do material de base que vai ser descrito abaixo. Por exemplo, é particularmente preferido que pelo menos a primeira superfície principal inclua uma direção longa, e uma direção curta interceptando-se ou cruzando-se ortogonalmente a direção longa. A espessura do corpo de base pode ser de acordo com uma espessura do material de base que vai ser descrito abaixo. Por exemplo, a espessura da região mais espessa é, de preferência, cerca de 500 pm ou menos, particularmente, cerca de 300 μιη ou menos, especialmente, cerca de 200 μιτι ou menos. A espessura da região mais espessa é, de preferência, igual ou superior a cerca de 40 μιτι.

[0043] A resistência do corpo de base pode ser ajustada de acordo com um material do material de base que vai ser descrito abaixo, um material do terminal de conexão e assim por diante. Por exemplo, dentro da gama de espessuras descrita acima, a resistência é, de preferência, igual ou superior a 300 MPa, particularmente, igual ou superior a 400 MPa, especialmente, igual ou superior a 600 MPa. A resistência do dispositivo emissor de luz pode ser consequentemente garantida. A resistência à flexão significa, nesse caso, um valor medido por um teste de flexão de três pontos, usando um aparelho de medida de resistência disponível comercialmente, por exemplo, da Instron Corporation.

[0044] Quando o corpo de base é fino e tem uma resistência moderada como descrito acima, um dispositivo emissor de luz, que é pequeno e fino e tem altos desempenho e confiabilidade, é obtido. Material de base [0045] O material de base pode ser formado de qualquer material, desde que tenha um coeficiente de expansão linear dentro de ± 10 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz que vai ser descrito abaixo. De preferência, o coeficiente de expansão linear do material de base cai dentro de ± 9 ppm/°C, ± 8 ppm/°C, ± 7 ppm/°C, ou ± 5 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz. Consequentemente, o desprendimento do elemento emissor de luz do corpo de base (terminal de conexão) ou a aplicação de tensão indesejada no elemento emissor de luz, devido a uma diferença no coeficiente de expansão linear, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base, que representava um problema até agora, pode ser impedido efetivamente quando o elemento emissor de luz é mon- tado no corpo de base. Consequentemente, os eletrodos do elemento emissor de luz podem ser conectados diretamente nos terminais de conexão do corpo de base por montagem de circuito integrado com deformação controlada, de modo que um dispositivo emissor de luz menor e mais fino possa ser proporcionado. De um diferente ponto de vista, no caso no qual um coeficiente de expansão térmica do material de base é menor do que o coeficiente de expansão térmica do elemento emissor de luz, uma resistência à tração originada do material de base e/ou do elemento de base no elemento emissor de luz, pode ser eliminada de ser gerada no elemento emissor de luz, ainda que sob um ciclo térmico. Por conseguinte, o desprendimento do elemento e-missor de luz do corpo de base e a geração de uma tensão desnecessária no elemento emissor de luz podem ser eliminados mais efetivamente. Na presente invenção, o coeficiente de expansão linear significa um valor medido pelo método TMA. Um de oc1 e a2 deve satisfazer esse valor, mas prefere-se, particularmente, que ambos os oc1 e a2 satisfaçam esse valor. O coeficiente de expansão linear do material de base é substancialmente igual ao coeficiente de expansão linear do corpo de base, com ou sem o terminal de conexão que vai ser descrito abaixo. Consequentemente, o coeficiente de expansão linear do corpo de base é intercambiável com o coeficiente de expansão linear do material de base.

[0046] Os exemplos do material de base incluem metais, cerâmicas, resinas, materiais dielétrico, polpa, vidro e papel ou seus materiais compostos (por exemplo, resinas compostas), ou materiais compostos dos materiais mencionados acima e materiais condutores (por exemplo, metais, carbono, etc.). Os exemplos de metais incluem cobre, ferro, níquel, cromo, alumínio, prata, ouro e titânio, ou aqueles incluindo suas ligas. Os exemplos de cerâmicas incluem óxido de alumínio, nitreto de alumínio, óxido de zircônio, nitreto de zircônio, óxido de titânio e nitreto de titânio, ou aquelas incluindo suas misturas. Os e-xemplos de resinas compostas incluem resinas epóxi e de vidro.

[0047] Particularmente, o material de base é, de preferência, um contendo uma resina. Como a resina, qualquer resina pode ser usada, desde que seja usada na técnica. Particularmente, para garantir que o coeficiente de expansão linear do material de base caia dentro de ± 10 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz, prefere-se usar uma resina tendo um pequeno coeficiente de expansão linear. Os exemplos específicos incluem as resinas epóxi, as resinas de bismaelimida-triazina (BT), as resinas de poliimida, as resinas de cianato, as resina de poli (vinil - acetal), as resinas fenóxi, as resinas acrílicas, as resinas alquídicas e as resinas de uretano. Por exemplo, as resinas descritas nos pedidos de patentes JP 2013-35960 A, WO 2011/132674, WO 2012/121224, WO 2012/165423 e semelhante, as resinas BT contendo uma resina epóxi à base de naftaleno e suas composições, os produtos comerciais (por exemplo, HI832NS e HL832NSF do tipo LCA manufaturados pela Mitusubishi Gas Chemical Company, Inc.; MCL-E-700G e MCL-E-705G manufaturados pela Hitachi Chemical Company, Ltd.; e semelhantes) e os polímeros de cristais líquidos descritos no pedido de patente JP 2010-114427A e suas composições podem ser usados. Podem conter aditivos, monômeros, oligômeros, pré-polímeros e aquecimento, que são conhecidos na técnica. Entre esses, as resinas BT ou suas composições são as preferidas.

[0048] Por exemplo, a resina tem uma temperatura de transição vítrea de, preferivelmente, cerca de 280°C ou superior, cerca de 300°C ou superior, cerca de 320°C ou superior, independentemente do tipo da resina. De um diferente ponto de vista, a tg é, de preferência, igual ou superior a uma temperatura de fusão de um elemento aglutinante, usando para conexão do elemento emissor de luz no terminal de co- nexão a ser descrito abaixo. O termo "igual" no presente relatório descritivo significa que uma variação de cerca de 5°C é tolerada. Consequentemente, defeitos, tal como uma falha de conexão do elemento emissor de luz, podem ser evitados, sem que sejam afetados por uma variação de temperatura na montagem do elemento emissor de luz. Por conseguinte, o rendimento de produção do dispositivo emissor de luz pode ser aperfeiçoado. A temperatura de transição vítrea pode ser medida por, por exemplo, um método no qual uma variação em propriedades dinâmicas, absorção térmica ou geração de calor é medida, enquanto que a temperatura de uma amostra é aumentada ou diminuída lentamente (TMA, DSC, DTA ou semelhantes), ou um método no qual uma resposta de uma amostra de medida viscoelástica é medida, enquanto que a frequência de uma força periódica, aplicada na amostra, é alterada.

[0049] A resina tem uma emissividade térmica de, preferivelmente, igual ou superior a 0,5, particularmente, igual ou superior a 0,6. Quando a resina tem a emissividade térmica mencionada acima, o calor resultante do elemento emissor de luz pode ser liberado eficientemente, de modo que a vida útil do dispositivo emissor de luz pode ser aperfeiçoada. A emissividade térmica significa um valor medido por um dispositivo de medida de emissividade (por exemplo, TSS-5X manufaturado pela Japan Sensor Corporation).

[0050] Para garantir que o coeficiente de expansão linear fique dentro de ± 10 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz, ou que a emissividade térmica seja aumentada independentemente do tipo da resina, prefere-se que a resina contenha uma carga, por exemplo, uma carga formada de um material inorgânico. Por combinação adequada do tipo e proporção da carga, o coeficiente de expansão linear do material de base pode ser ajustado.

[0051] Os exemplos da carga e do material inorgânico incluem partículas de borato, cobertas com nitreto de boro hexagonal, alumina, sílicas (sílica natural, sílica fundida, etc.), hidratos metálicos (hidróxido de alumínio, boehmita, hidróxido de magnésio, etc.), compostos de molibdênio (óxido de molibdênio, etc.), borato de zinco, estanato de zinco, óxido de alumínio, argila, caulim, óxido de magnésio, nitreto de alumínio, nitreto de silício, talco, argila estufada, mica, fibras de vidro curtas (pós finos de vidro, tais como aqueles de vidro E e vidro D, tecidos de vidro, etc.), vidro oco, cargas termicamente retraíveis, tais como fosfato de zircônio, pós de borracha e pós de borracha do tipo de núcleo e casca (pós de borracha à base de estireno, à base de butadi-eno, à base de acrílico e à base de silicone, etc.). Particularmente, por inclusão de uma grande proporção de carga ou material inorgânico tendo uma alta condutividade térmica, a emissividade térmica pode ser ajustada. Por exemplo, quando um tecido de vidro é usado, um material inorgânico no tecido de vidro pode ser incluído em uma proporção igual ou superior a 50% em peso, igual ou superior a 70% em peso ou igual ou superior a 90% em peso.

[0052] Uma superfície de montagem (R na Figura 4), que é uma superfície vizinha a uma superfície de extração de luz (Q na Figura 4) e uma superfície (S na Figura 4) oposta à superfície de montagem em um dispositivo emissor de luz do tipo de visão lateral, o material de base é preferivelmente preto. Consequentemente, uma luz errática, associada com a luz emitida do dispositivo emissor de luz ou uma luz refletida dele, pode ser absorvida. Ainda mais, por absorção da luz errática do material de base ou do corpo de base, variações em cor e/ou brilho de luz, etc. podem ser eliminadas para aperfeiçoar a qualidade em, por exemplo, aplicações de luz traseira. Por absorção da luz errática, a fotodegradação de elementos periféricos pode ser eliminada. Para ajustar a cor do material de base, a resina pode conter um pigmento, Os exemplos do pigmento incluem negro de fumo preto e óxido de titânio branco. Em um dispositivo emissor de luz tendo um pequeno tamanho, o próprio elemento emissor de luz é relativamente grande com relação ao elemento emissor de luz, e, portanto, o dispositivo e-missor de luz pode gerar um calor excessivo, devido à geração de calor do elemento emissor de luz, geração de calor de Stokes por um elemento luminescente, ou semelhantes. Esse calor pode ter efeitos adversos, tais como degradação e deformação de uma placa de luz de guia de uma luz traseira. Desse modo, por inclusão de um material preto, tendo um grande coeficiente de emissividade térmica, tal como negro de fumo, no material de base (resina), o calor do elemento e-missor de luz e do elemento luminescente pode ser liberado.

[0053] O coeficiente de expansão linear do material de base, dependendo do tipo, de uma estrutura e semelhantes de um elemento emissor de luz usados, é por exemplo, de preferência, de cerca de 20 ppm/°C ou inferior, particularmente, cerca de 10 ppm/°C ou inferior, especialmente, cerca de 8 ppm/°C ou inferior, cerca de 7 ppm/°C ou inferior, cerca de 6 ppm/°C ou inferior, cerca de 5 ppm/°C ou inferior, cerca de 4 ppm/°C ou inferior, cerca de 3,5 ppm/°C ou inferior. Quando o material de base tem o coeficiente de expansão linear mencionado acima, o coeficiente de expansão linear do próprio corpo de base pode ser controlado. Consequentemente, como descrito acima, mesmo quando uma montagem de circuito integrado com deformação controlada do elemento emissor de luz é conduzida, o elemento emissor de luz pode ser firmemente conectado ao corpo de base, apesar de uma variação de temperatura no processo de produção, etc., de modo que defeitos, tal como uma falha de conexão do elemento emissor de luz, podem ser evitados. Por conseguinte, o rendimento de produção do dispositivo emissor de luz pode ser aperfeiçoado.

[0054] Particularmente, no caso no qual o material de base tem um coeficiente de expansão linear como descrito acima, a conexão com o elemento emissor de luz pode ser garantida, mesmo quando submetida a um tratamento térmico (por exemplo, 100°C ou superior, 200°C ou superior, 250°C ou superior, ou 350°C ou superior), em uma operação de manufatura de um dispositivo emissor de luz. Particularmente, o coeficiente de expansão linear, igual ou inferior a cerca de 4 ppm/°C ou igual ou inferior a cerca de 3,5 ppm/°C, permite que se mantenha uma conexão firme com o elemento emissor de luz.

[0055] A forma, tamanho, espessura e semelhantes do material de base, em um dispositivo emissor de luz, não são particularmente limitados, e podem ser ajustados adequadamente. A espessura do material de base, dependendo do material usado, do tipo e da estrutura do elemento emissor de luz colocado, e semelhantes, é, por exemplo, de preferência, igual ou inferior a cerca de 470 pm, particularmente, igual ou inferior a 370 pm, igual ou inferior a cerca de 370 pm, igual ou inferior a cerca de 320 pm, igual ou inferior a cerca de 270 pm, igual ou inferior a cerca de 200 pm, igual ou inferior a cerca de 150 pm ou igual ou inferior a cerca de 100 pm. A espessura do material de base é, de preferência, igual ou superior a cerca de 20 pm, quando considerando a resistência e assim por diante. A resistência à flexão do material de base é, de preferência, igual à resistência do corpo de base descrito acima, por exemplo, igual ou superior a 300 MPa, particularmente, i-gual ou superior a 400 MPa ou igual ou superior a 600 MPa, para manter a resistência de todo o corpo de base.

[0056] A forma plana do material de base é, por exemplo, um círculo, um polígono, tal como um quadrilátero, ou uma forma próxima a essas. Entre esses, um retângulo, isto é, uma forma que é estreita e longa, na direção longa, é a preferida. O tamanho é, de preferência, maior do que o do elemento emissor de luz descrito abaixo, em termos de área plana. Quando um elemento emissor de luz é conduzido em um dispositivo emissor de luz, o comprimento do dispositivo emissor de luz, na direção longa, é, de preferência, cerca de 1,5 a 5 vezes, particularmente, em torno de 1,5 a 3 vezes o comprimento de um lado do elemento emissor de luz. O comprimento do dispositivo emissor de luz, na direção curta, é, de preferência, cerca de 1,0 a 2,0 vezes, particularmente, cerca de 1,1 a 1,5 vez o comprimento de um lado do elemento emissor de luz. Quando vários elementos emissores de luz são conduzidos em um dispositivo emissor de luz, o comprimento do dispositivo emissor de luz pode ser ajustado de acordo com o número dos elementos emissores de luz. Por exemplo, 2 ou 3 elementos emissores de luz são conduzidos na direção longa, o comprimento do dispositivo emissor de luz, na direção longa, é, de preferência, cerca de 2,4 a 6,0 vezes ou cerca de 3,5 a 7,0 vezes o comprimento de um lado do elemento emissor de luz.

[0057] Na segunda superfície principal do material de base, uma ou mais camadas, tendo funções de reforço, liberação de calor, uma marca para alinhamento e assim por diante podem ser proporcionadas por uso de um isolante, um metal e semelhantes.

Terminal de conexão [0058] Um par de terminais de conexão deve ser formado pelo menos na primeira superfície principal do corpo de base. Nesse caso, prefere-se que pelo menos uma parte do terminal de conexão coincida com uma parte da borda da primeira superfície principal do corpo de base. Em outras palavras, prefere-se que uma parte da extremidade de extremidade do terminal de conexão e uma parte da superfície de montagem do corpo de base fiquem no mesmo plano. Consequentemente, um corpo de base de montagem e a superfície de extremidade do terminal de conexão podem ser postos em contato entre si (ou feitos ficarem o mais próximo possível entre si) na montagem do dispositivo emissor de luz no corpo de base de montagem. Por conseguinte, a capacidade de montagem do dispositivo emissor de luz pode ser aper- feiçoada. Nesse caso, o mesmo plano significa que não há ou quase não há uma diferença de nível, e significa que irregularidades de vários μιτι ou dezenas de μιτι são toleradas. Na descrição do presente pedido de patente, o mesmo plano tem o mesmo significado a seguir.

[0059] O terminal de conexão tem, na primeira superfície principal, uma seção de conexão de elemento conectada ao eletrodo do elemento emissor de luz e uma seção de conexão externa conectada à parte externa do dispositivo emissor de luz. Prefere-se que a seção de conexão externa seja proporcionada na segunda superfície principal do corpo de base, além de na primeira superfície principal do corpo de base. Por exemplo, prefere-se que o terminal de conexão seja: (i) proporcionado de modo a estender-se da primeira superfície principal a uma superfície, presente entre a primeira superfície principal e a segunda superfície principal; ou (ii) proporcionado de modo a estender-se da primeira superfície principal na segunda superfície principal, por meio de uma via ou furo de passagem, etc., proporcionado de modo a estender-se pelo material de base; ou (iii) proporcionado (por exemplo, em uma forma em U em uma vista em seção transversal), de modo a estender-se da primeira superfície principal na segunda superfície principal por passagem por uma superfície, presente entre a primeira superfície principal e a segunda superfície principal. Nesse caso, a superfície, presente entre a primeira superfície principal e a segunda superfície principal, pode se referir a uma parte ou toda de uma superfície de extremidade, presente entre a primeira superfície principal e a segunda superfície principal, ou pode se referir a uma parte ou todas de duas ou mais superfícies de extremidade, presentes entre a primeira superfície principal e a segunda superfície principal. Usualmente, a seção de conexão de elemento é disposta na primeira superfície principal, e a seção de conexão externa é disposta: (i) na primeira superfície principal; (ii) na primeira superfície principal e na superfície de ex- tremidade; (iii) na primeira superfície principal, na superfície de extremidade e na segunda superfície principal; ou (iv) nas primeira superfície principal e segunda superfície principal.

[0060] O terminal de conexão não é necessariamente requerido para ter a mesma largura (por exemplo, o comprimento do corpo de base na direção curta) pela(s) primeira superfície principal, superfície de extremidade e/ou segunda superfície principal, e pode ser formado de modo a ter apenas sua largura parcialmente reduzida ou aumentada. Alternativamente, o terminal de conexão pode ser parcialmente coberto com um material isolante (por exemplo, material de base), de modo que ter sua largura reduzida na primeira superfície principal e/ou na segunda superfície principal do corpo de base. Essa região de largura reduzida é, de preferência, disposta pelo menos na primeira superfície principal do corpo de base, e pode ser disposta em ambas a primeira superfície principal e primeira superfície principal. Particularmente, prefere-se, particularmente, que a região de largura reduzida seja disposta nas vizinhanças do elemento selante descrito abaixo, quando é disposta na primeira superfície principal do corpo de base.

[0061] Por disposição dessa região de largura reduzida, uma situação pode ser eliminada, na qual um elemento aglutinante, tal como o que vai ser descrito abaixo, etc., que é conectado ao terminal de conexão, ou fundente, ou semelhantes, contido nela penetre abaixo do e-lemento selante descrito abaixo, e mais abaixo no elemento emissor de luz, ao longo da superfície do terminal. Por separação da seção do elemento de conexão da superfície de extremidade do corpo de base estendendo-se ao longo da direção longa, a penetração do fundente pode ser eliminada da mesma maneira como descrito acima, quando o elemento emissor de luz é montado.

[0062] A região de largura reduzida é menor do que a seção de conexão de elemento. A região de largura reduzida é, de preferência, de uma largura reduzida gradativamente.

[0063] O corpo de base pode ter um terminal de liberação de calor, um escoadouro térmico, um elemento de reforço e assim por diante, ou além do terminal de conexão ligado eletricamente ao elemento e-missor de luz. Podem ser dispostos em quaisquer da primeira superfície principal, segunda superfície principal e superfície de extremidade, e, em particular, dispostos, de preferência, abaixo do elemento emissor de luz e/ou do elemento selante. A resistência e a confiabilidade do dispositivo emissor de luz podem ser consequentemente otimizadas. Por otimização da resistência do corpo de base, a distorção do corpo de base é reduzida, de modo que a moldabilidade do elemento selante pode ser aperfeiçoada, quando o elemento selante é moldado por uso de um molde. Quando a terminação de liberação de calor ou o terminal de reforço é condutor, e é proporcionado entre um par de terminais de conexão, prefere-se que a terminação de liberação de calor ou o terminal de reforço seja coberto com um filme isolante. A ligação do elemento aglutinante com o terminal de conexão e a terminação de liberação de calor ou terminal de reforço pode ser, consequentemente, impedida.

[0064] Ainda mais, quando vários elementos emissores de luz são dispostos em um dispositivo emissor de luz, o dispositivo emissor de luz pode incluir um ou mais terminais de conexão adicionais, para ligação elétrica dos vários elementos emissores de luz. A forma, posição e semelhantes do terminal de conexão podem ser ajustadas adequadamente, de acordo com o número de elementos emissores de luz montados em um corpo de base, e da forma de disposição e conexão (em paralelo ou em série) deles, etc.

[0065] O terminal de conexão pode ser formado de, por exemplo, um filme de camada única ou um filme laminado de Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti, Fe, Cu, Al, Ag ou uma liga deles. Entre esses, um exce- lente em condutividade e capacidade de montagem é o preferido, e um material tendo uma boa capacidade aglutinante e molhabilidade com o elemento aglutinante, no lado de montagem, é particularmente preferido. Especialmente, cobre ou uma liga dele é a forma preferida, do ponto de vista de capacidade de liberação de calor. Um filme tendo uma alta capacidade de reflexão de luz, tal como um filme de camada única ou um filme laminado de prata, platina, estanho, ouro, cobre, ródio ou uma liga deles pode ser formado na superfície do terminal de conexão. Os exemplos específicos da estrutura do terminal de conexão incluem estruturas laminadas, tais como W/Ni/Au, W/Ni/Pd/Au, W/NiCo/Pd;Au, Cu/Ni/Cu/Ni/Pd/Au, Cu/Ni/Pd/Au, Cu/Ni/Au, Cu/Ni/Ag e Cu/Ni/Au/Ag. As espessuras das várias podem variar parcialmente.

[0066] Os terminais de conexão podem ser todos substancialmente planos ou terem irregularidades em uma superfície conectada ao elemento emissor de luz, isto é, a primeira superfície principal. Os terminais de conexão podem ter todos um modelo de projeção em uma posição oposta a todos os eletrodos do elemento emissor de luz, que vai ser descrito abaixo. De preferência, o modelo de projeção pode ter um tamanho comparável àquele do eletrodo do elemento emissor de luz. De preferência, o terminal de conexão e o modelo de projeção são horizontais a uma superfície do corpo de base (superfície conectada ao elemento emissor de luz), de modo que a superfície emissora de luz possa ser feita horizontal, quando o elemento emissor de luz é conduzido no corpo de base. O modelo de projeção pode ser formado, por exemplo, por um processo aditivo, um processo semiaditivo ou um processo de ataque químico por uso de fotolitografia, tal como um processo subtrativo.

[0067] Para o terminal de conexão, um fio, um quadro de fios ou semelhantes pode ser usado, mas, prefere-se formar um filme do material descrito acima por eletrodeposição, de modo que o terminal de conexão seja substancialmente plano na superfície do corpo de base ou se forme no mesmo plano com o corpo de base. A espessura do terminal de conexão é de vários μιτι a dezenas de μιτι. Particularmente, prefere-se formar o modelo de projeção por eletrodeposição de la-minação. A espessura do modelo de projeção é de vários μιτι a dezenas de μιτι, a partir da outra região na superfície do terminal de conexão. O terminal de conexão pode ter uma saliência, disposta na sua superfície, para conexão com o elemento emissor de luz a ser descrito abaixo. A saliência funciona como um elemento auxiliar de aglutinação e/ou suprimento de corrente elétrica, e pode ser feito de uma única camada ou uma camada em pilhas de ouro, uma liga de ouro ou semelhantes.

[0068] Na medida em que o coeficiente de expansão linear do material de base, descrito acima, não é deteriorado consideravelmente, o próprio corpo de base forma um elemento protetor, tal como um capa-citor, um varistor, um diodo Zener ou um diodo em ponte, ou pode incluir uma estrutura, que executa a função desses elementos, como uma parte deles na forma de, por exemplo, uma estrutura multicamada ou uma estrutura laminada. Por uso de uma que executa a função de elemento mencionada acima, o corpo de base pode ser feito para funcionar como um dispositivo emissor de luz, sem conduzir, adicionalmente, componentes. Por conseguinte, um dispositivo emissor de luz de alto desempenho, tendo uma tensão de resistência eletrostática aperfeiçoada, pode ser feito menor.

Elemento emissor de luz [0069] O elemento emissor de luz é conduzido no corpo de base, e é conectado ao terminal de conexão na primeira superfície principal da primeira superfície principal do corpo de base. Um elemento emissor de luz ou vários elementos emissores de luz podem ser conduzidos em um dispositivo emissor de luz. O tamanho, forma e comprimento de onda de emissão de luz do elemento emissor de luz podem ser selecionados adequadamente. Quando vários elementos emissores de luz são conduzidos, podem ser dispostos irregularmente, ou podem ser dispostos regularmente na forma de uma matriz ou semelhantes, ou periodicamente. Vários elementos emissores de luz podem ser conectados em qualquer forma de conexão em série, conexão em paralelo, conexão em série e em paralelo, ou uma conexão em paralelo e em série.

[0070] De preferência, o elemento emissor de luz inclui pelo menos um laminado semicondutor de nitreto. O laminado semicondutor de nitreto é formado por laminação de uma primeira camada semicon-dutora (por exemplo, uma camada semicondutora do tipo n), uma camada emissora de luz e uma segunda camada semicondutora (por e-xemplo, uma camada semicondutora do tipo p) nessa ordem, e contribui para a emissão de luz. A espessura do laminado semicondutor de nitreto é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 30 pm, igual ou inferior a cerca de 15 pm ou igual ou inferior a cerca de 10 pm. De preferência, o igual ou inferior a cerca de tem, na mesma superfície (por exemplo, a superfície no lado da segunda camada semicondutora), tanto um primeiro eletrodo (positivo ou negativo) ligado eletricamente à primeira camada semicondutora, quanto um segundo eletrodo (negativo ou positivo), ligado eletricamente à segunda camada semicondutora. Um eletrodo ôhmico, um filme metálico, um eletrodo para conexão externa e assim por diante são incluídos como componentes que formam o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo.

[0071] O tipo e o material da primeira camada semicondutora, da camada emissora de luz e da segunda camada semicondutora não são particularmente limitados, e os exemplos incluem vários semicondutores, tais como os semicondutores dos compostos dos grupos III -IV e os semicondutores dos compostos dos grupos II - VI. Os exem- pios específicos incluem os materiais semicondutores à base de nitre-to, tais como ΙηχΑΙγΘθ^χ^Ν (0 < X, 0 < Y, X + Y < 1) e InN, AIN, GaN (coeficiente de expansão linear: 3,17 ppm/K (paralelo ao eixo c), 5,59 ppm/K (paralelo ao eixo a)), InGaN, AlGaN, InGaAIN e semelhantes podem ser usados. Para a espessura de filme e a estrutura de camada de cada camada, aqueles conhecidos na técnica podem ser usados.

[0072] O laminado semicondutor de nitreto é usualmente laminado em um substrato de crescimento de uma camada semicondutora. Os exemplos do substrato de crescimento de uma camada semicondutora incluem aqueles capazes de crescimento epitaxial de uma camada semicondutora. Os exemplos do material do quadro mencionado acima incluem os quadros isolantes, tais como aqueles de safira (Al203: coeficiente de expansão linear 7,7 ppm/°C) e espinélio (MgAI204) e os quadros semicondutores à base de nitretos descritos acima. A espessura do quadro é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 190 pm, particularmente, igual ou inferior a cerca de 180 pm ou igual ou inferior a cerca de 150.

[0073] O quadro pode ter várias partes ou irregularidades de projeção em uma de suas superfícies. Uma superfície do laminado semicondutor de nitreto no lado do quadro (superfície oposta a uma superfície do laminado semicondutor de nitreto, na qual são dispostos os eletrodos) pode ter, consequentemente, várias partes ou irregularidades de projeção. As irregularidades se original da forma do quadro, e podem ter uma rugosidade superficial na qual, por exemplo, a altura é cerca de 0,5 a 2,0 pm, e o passo é cerca de 10 a 25 pm. O quadro pode ter um ângulo de repouso de cerca de 0 a 10° com relação a um plano cristalino predeterminado, tal como o plano C ou o plano A. O quadro pode ter uma camada semicondutora, uma camada isolante ou semelhantes, como uma camada intermediária, uma camada separa-dora, uma subcamada ou semelhantes, entre o quadro e a primeira camada semicondutora.

[0074] O substrato de crescimento de uma camada semicondutora pode ser usado para o dispositivo emissor de luz, sem ser removida do laminado semicondutor, quando um corpo de base, tendo transmissi-vidade à luz, tal como um corpo de base de safira, é usado. Alternativamente, esse corpo de base pode ser removido do laminado semicondutor. O substrato de crescimento pode ser removido por uso de um processo de desprendimento por laser, etc. Especificamente, do lado do corpo de base, a camada semicondutora é irradiada com luz de laser (por exemplo, laser de excímero de KrF), que passa pelo corpo de base, de modo que uma reação de decomposição seja forçada a ocorrer em uma interface entre a camada semicondutora e o corpo de base, para remover o corpo de base da camada semicondutora. Deve-se notar que o substrato de crescimento pode se manter ligeiramente na extremidade ou no canto da camada semicondutora, além do substrato completamente removido da camada semicondutora. O substrato de crescimento pode ser removido antes ou depois do elemento emissor de luz ser montado no corpo de base.

[0075] Quando o laminado semicondutor de nitreto é libertado do substrato de crescimento de uma camada semicondutora, um dispositivo emissor de luz, que é mais fino e menor, pode ser obtido. Por remoção de uma camada, que não contribui diretamente para emissão de luz, a absorção de luz emitida da camada emissora de luz, que é provocada pela camada mencionada acima, pode ser inibida. Ainda mais, a dispersão de luz, provocada pelo corpo de base, pode ser inibida. Consequentemente, a eficiência de iluminação pode ser aperfeiçoada ainda mais. Por conseguinte, a luminância pode ser otimizada.

[0076] O elemento emissor de luz pode ter uma estrutura laminada, conhecida como um denominado cubo vertical ou um cubo laminado, por exemplo, uma estrutura laminada como a descrita no pedido de patente JP 2008-300719 A ou JP 2009-10280.

[0077] O coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz pode variar dependendo da espessura e tipo do material semicondutor e substrato, mas pode ser aproximado pelo coeficiente de expansão linear do material que domina o o volume do elemento emissor de luz. Por conseguinte, no caso onde o elemento emissor de luz tem um substrato de safira, geralmente o volume do substrato de safira é dominante, tal que o coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz pode ser aproximado para o coeficiente de expansão linear do substrato de safira que pode ser, por exemplo, de cerca de 7,7 ppm/°C. No caso onde o elemento emissor de luz não tem um substrato de safira e é constituído simplesmente com uma camada de semicondutor, o coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz se aproxima do coeficiente de expansão linear da camada de semicondutor. Por exemplo, um elemento emissor de luz feito de uma camada de semicondutor com base em GaN pode ser 5,5 ppm/°C.

[0078] A forma do elemento emissor de luz, em uma vista em planta, não é particularmente limitada, e é, de preferência, um quadrilátero ou uma forma muito próxima dele. Entre essas, uma forma retangular (particularmente, uma forma retangular alongada) é particularmente preferida. O limite superior do tamanho dos elementos emissores de luz pode ser ajustado adequadamente de acordo com um tamanho do dispositivo emissor de luz. O comprimento de um lado do elemento emissor de luz é, por exemplo, cerca de centenas de pm a 2 mm, e o tamanho é, de preferência, cerca de 1.400 x 200 pm, cerca de 1.100 x 200 pm ou cerca de 900 x 200 pm. Particularmente, com o comprimento dos lados longos senso 1,5 vez ou mais ou duas vezes ou mais dos que os lados curtos, um efeito desejado da presente concretização pode ser obtido eficientemente. No caso no qual o elemento emissor de luz tem uma forma retangular, geralmente, os eletrodos são dispôs- tos ao longo da direção longitudinal doa forma retangular. Consequentemente, no caso no qual o elemento emissor de luz é montado no corpo de base em uma maneira de circuito integrado com deformação controlada, quanto maior o comprimento do elemento emissor de luz, maior a tensão, devido à diferença no coeficiente de expansão linear entre o elemento emissor de luz e o corpo de base e/ou o material de base, que pode desenvolver, provavelmente uma falha de conexão, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base. Portanto, a amplitude do coeficiente de expansão linear do corpo de base e/ou do material de base, como descrito acima, pode contribuir ainda mais para reduzir o desenvolvimento da falha de conexão, e, desse modo, um dispositivo emissor de luz altamente confiável pode ser obtido.

[0079] O elemento emissor de luz é, de preferência, um tendo uma boa linearidade, sem ondas e rebarbas presentes na sua superfície lateral e superfície superior. Consequentemente, fissuras do elemento emissor de luz por forças externas mínimas, provocadas por essas ondas e rebarbas, podem ser reduzidas. Por exemplo, a rugosidade superficial Ra da superfície superior do elemento emissor de luz é, de preferência, igual ou inferior a 15 nm, por exemplo, cerca de 10 a 15 nm. A rugosidade superficial Ra da superfície lateral do elemento e-missor de luz é, de preferência, igual ou inferior a 2 pm, particularmente, igual ou inferior a 1,0 pm ou igual ou inferior a 0,5 pm. Particularmente, a rugosidade superficial Ra da superfície lateral do elemento emissor de luz é, de preferência, igual ou inferior a 0,3 pm, particularmente, igual ou inferior a 0,2 pm. A rugosidade superficial Ra se refere a um valor obtido por um método de medida, que segue, por exemplo, JIS B060, O1/ISSO 4287 ou semelhantes.

Primeiro eletrodo e segundo eletrodo [0080] De preferência, o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo são formados na mesma superfície (superfície oposta ao substrato, quando o substrato existe) do laminado semicondutor. Consequentemente, a montagem de circuito integrado com deformação controlada pode ser conduzida com os terminais de conexão positivo e negativo do corpo de base opostos aos primeiro eletrodo e segundo eletrodo do elemento emissor de luz.

[0081] O primeiro eletrodo e o segundo eletrodo podem ser formados de, por exemplo, um filme de camada única ou um filme laminado de Au, Pt, Pd, Rh, Ni, W, Mo, Cr, Ti e semelhantes ou de uma liga deles. Os exemplos específicos incluem filmes laminados como Ti/Rh/Au, W/Pt/Au, Rh/Pt/Au, W/Pt/Au, Ni/Pt/Au e Ti/Rh do lado da camada se-micondutora. A espessura do filme pode ser qualquer espessura de filme de filmes que são usados na técnica.

[0082] Nos primeiro e segundo eletrodos, nos lados próximos à primeira camada semicondutora e à segunda camada semicondutora, respectivamente, prefere-se que cada eletrodo seja dotado com, como uma parte do eletrodo, um material tendo uma maior refletividade à luz emitida da camada emissora de luz, em comparação com outros materiais do eletrodo. Os exemplos do material de alta refletividade incluem prata, ou suas ligas, e alumínio. Como a liga de prata, quaisquer dos materiais conhecidos na técnica podem ser usados. A espessura da camada de material não é particularmente limitada, e os exemplos incluem uma espessura tal que a luz emitida do elemento emissor de luz pode ser efetivamente refletida, por exemplo, cerca de 20 nm a 1 μιτι. A área de contato da camada de material de alta refletividade, com a primeira camada semicondutora ou a segunda camada semicondutora, é, de preferência, a maior possível.

[0083] Quando prata ou uma liga de prata é usada, prefere-se formar uma camada de cobertura, que cobre uma superfície (de preferência, a superfície superior e a superfície de extremidade) da camada de material para impedir migração da prata. A camada de cobertura mencionada acima deve ser uma formada de um metal ou uma liga, que é utilizado usualmente como um material condutor, e a camada de cobertura é, por exemplo, uma camada única ou uma camada laminada contendo alumínio, cobre, níquel e semelhantes. Entre esses, é preferido o uso de AlCu. A espessura da camada de cobertura é de vários nm a vários pm, para impedir efetivamente a migração de prata. Para a conexão com o terminal de conexão correspondente, o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo podem ter um ressalto disposto neles.

[0084] Desde que o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo sejam ligados eletricamente à primeira camada semicondutora e à segunda camada semicondutora, respectivamente, toda a superfície do eletrodo não precisa ficar em contato com a camada semicondutora, ou o primeiro eletrodo não precisa ficar situado inteiramente nas palhetas-guia, e/ou o segundo eletrodo não precisa ficar situado inteiramente na segunda camada semicondutora. Isto é, por exemplo, o primeiro eletrodo pode ser disposto na segunda camada semicondutora, ou o segundo eletrodo pode ser disposto na primeira camada semicondutora, com um filme isolante interposto entre eles. Consequentemente, a forma do primeiro eletrodo ou do segundo eletrodo, em uma parte de conexão com a seção de conexão de elemento, pode ser facilmente alterada, e os eletrodos podem ser facilmente montados em um par de terminais de conexão.

[0085] O filme isolante da presente invenção não é particularmente limitada, e pode ser quaisquer dos filmes de camada única e filmes laminados, que são usados na técnica. Por uso de um filme isolante, etc., o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo podem ser ajustados a quaisquer tamanhos e posições independentes de uma área plana da primeira camada semicondutora e/ou da segunda camada semicondutora.

[0086] A forma de cada um do primeiro eletrodo e do segundo ele- trodo pode ser ajustada de acordo com uma forma do laminado semicondutor, uma forma do terminal de conexão (mais especificamente, a seção de conexão de elemento) do corpo de base, ou semelhantes. De preferência, o primeiro eletrodo, o segundo eletrodo e a seção de conexão de elemento têm todos uma forma quadrangular em uma vista em planta ou uma forma próxima dessa. Quando a forma de cada um dos primeiro eletrodo e segundo eletrodo é substancialmente igual à forma da seção de conexão de elemento correspondente, a aglutinação e registro do laminado semicondutor com o corpo de base podem ser facilmente conduzidos por uso de um efeito de autoalinhamento. Nesse caso, prefere-se que as formas planas do primeiro eletrodo e do segundo eletrodo sejam substancialmente iguais da pelo menos superfície mais externa do laminado semicondutor, conectado ao corpo de base. De preferência, o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo são dispostos com a parte central do laminado semicondutor retida entre eles.

[0087] A primeira superfície principal (superfície oposta à camada semicondutora) de cada um dos primeiro eletrodo e segundo eletrodo pode ter uma diferença de nível, mas é, de preferência, substancialmente plana. O termo "plana" no presente relatório descritivo significa que a altura a partir da segunda superfície principal (superfície oposta à primeira superfície principal) do laminado semicondutor para a primeira superfície principal do primeiro eletrodo é substancialmente igual à altura a partir da segunda superfície principal do laminado semicondutor para a primeira superfície principal do segundo eletrodo. O termo "substancialmente igual" significa no presente relatório descritivo que uma variação de cerca de ± 10% na altura do laminado semicondutor é tolerada.

[0088] Quando a primeira superfície principal de cada um do primeiro eletrodo e do segundo eletrodo é feita substancialmente plana, isto é, ambos os eletrodos são dispostos substancialmente no mesmo plano, como descrito acima, o elemento emissor de luz é facilmente montado horizontalmente no corpo de base. A formação do primeiro eletrodo e segundo eletrodo mencionado acima pode ser feita, por e-xemplo, proporcionando-se um filme metálico por eletrodeposição, etc., e depois polimento ou corte do filme metálico, para que seja a-plainado.

[0089] Uma camada DBR (refletora Bragg de distribuição), etc. pode ser disposta entre o primeiro eletrodo e a primeira camada semi-condutora e entre o segundo eletrodo e a segunda camada semicon-dutora, dentro dos limites de não impedir a conexão elétrica entre o eletrodo e a camada semicondutora. Por exemplo, a DBR tem uma estrutura de multicamada, na qual uma camada de baixo índice de re-fração e uma camada de alto índice de refração são laminadas em uma subcamada, incluindo, opcionalmente, um filme de óxido, etc, e a DBR reflete seletivamente luz tendo um comprimento de onda predeterminado. Especificamente, filmes tendo diferentes índices de refração são laminados alternadamente em uma espessura de 1/4 comprimento de onda, consequentemente, luz tendo um comprimento de onda predeterminado pode ser refletida com alta eficiência. A DBR pode ser formada por uso, como um material, de um óxido ou um nitreto de pelo menos um selecionado do grupo consistindo de Si, Ti, Zr, Nb, Ta e Al.

[0090] A espessura do elemento emissor de luz é, de preferência, igual ou inferior a 200 μιτι, particularmente, igual ou inferior a 180 μιτι ou igual ou inferior a 150 μιτι, como uma espessura incluindo o eletrodo independentemente da presença / ausência do substrato de crescimento de um semicondutor. A espessura apenas do laminado semicondutor de nitreto, livre do quadro, é, de preferência, igual ou inferior a 20 μιτι, particularmente, igual ou inferior a 15 μιτι ou igual ou inferior a 10 μιη.

[0091] O elemento emissor de luz pode ter uma camada de reforço, disposta em uma superfície do laminado semicondutor de nitreto, na qual são dispostos os eletrodos positivo e negativo. A camada de reforço da presente invenção pode ser formada de qualquer material selecionado de um isolante, um semicondutor e um condutor, desde que seja uma camada capaz de reforçar a resistência do laminado semicondutor de nitreto. A camada de reforço pode ser uma camada única ou uma camada laminada como um todo, ou camadas únicas ou camadas laminadas dispostas em vários locais. A camada de reforço pode ser uma camada, uma parte da qual garante qualidade de isolamento, condutividade e semelhantes, que são essenciais às funções do elemento emissor de luz. Particularmente, alguns dos filmes, que são usados para formação do elemento emissor de luz, podem ser espessados. Especificamente, as camadas condutoras, que funcionam como eletrodos, etc., podem ser espessadas por um processo conhecido, tal como eletrodeposição ou deposição catódica. Um filme isolante de camada intermediária, um filme protetor de superfície e semelhantes, dispostos nessas camadas, podem ser espessados. Consequentemente, um aumento no tamanho do dispositivo emissor de luz pode ser impedido, sem quaisquer camadas adicionais dispostas, enquanto que uma resistência moderada é garantida.

[0092] Por exemplo, de um ponto de vista, uma camada diferente do laminado semicondutor de nitreto e dos eletrodos positivo e negativo, que formam o elemento emissor de luz, e camadas isolantes, que são opcionalmente formadas entre esses componentes, com a finalidade de isolamento elétrico, proteção e semelhantes, a camada sendo no lado do corpo de base a partir dos eletros positivo e negativo, pode ser feita para funcionar como uma camada de reforço. De outro ponto de vista, as camadas mínimas, necessárias para funcionar como o e- lemento emissor de luz, podem ser espessadas, e, consequentemente, feitas para funcionar como camadas de reforço. Ainda mais, camadas proporcionadas adicionalmente nessas camadas podem ser feitas para funcionar como camadas de reforço. Para essas camadas funcionarem como camadas de reforço, o volume total de camadas, compostas de materiais metálicos, é ajustado para ser, de preferência, cerca de 5 a 95%, particularmente, cerca de 10 a 70%, ou cerca de 15 a 50%, com base no volume total de componentes diferentes do substrato de crescimento de uma camada semicondutora, tais como um laminado semicondutor de nitreto, eletrodos, um filme protetor isolante e uma camada de resina, enchendo um vão livre entre os eletrodos. Ainda mais, de outro ponto de vista, uma camada condutora, que não é conectada aos eletrodos do elemento emissor de luz, uma camada isolante para isolar a camada condutora dos eletrodos, uma camada protetora para proteger a camada semicondutora, e uma camada semicondutora, uma camada isolante e uma camada protetora, etc., para as camadas mencionadas acima, podem ser feitas para funcionar como camadas de reforço. A espessura total dessas camadas de reforço, na região mais fina, é, de preferência, igual ou superior a cerca de 1 μιτι, particularmente, igual ou superior a cerca de 3 μιτι, igual ou superior a 5 μιτι, ou igual ou superior a 10 μιτι. Proporcionando-se camadas de reforço tendo uma espessura moderada, um aumento em tamanho / espessura do elemento pode ser minimizado, enquanto que a resistência do dispositivo emissor de luz é garantida.

[0093] De preferência, o elemento emissor de luz é montado em um circuito integrado com deformação controlada no corpo de base. Nesse caso, o primeiro eletrodo e o segundo eletrodo são usualmente aglutinados aos terminais de conexão do corpo de base descrito acima por um elemento aglutinante, ou um ressalto ou semelhantes, descritos acima. Para o elemento aglutinante, quaisquer dos materiais co- nhecidos na técnica podem ser usados, e os exemplos incluem elementos aglutinantes condutores. Os exemplos específicos incluem solda à base de estanho e bismuto, solda à base de estanho e cobre, solda à base de estanho e prata, solda à base de ouro e prata e semelhantes (especificamente, ligas tendo Ag, Cu e Sn como os componentes principais, as ligas tendo Cu e Sn como os componentes principais, as ligas tendo Bi e Sn como os componentes principais e semelhantes), as ligas eutéticas (ligas tendo Au e Sn como os componentes principais, ligas tendo Au e Si como os componentes principais, ligas tendo Au e Ge como os componentes principais e semelhantes), pastas condutoras de prata, ouro, paládio e semelhantes, ressaltos, materiais condutores anisotrópicos, e materiais de brasagem, tais como metais de baixo ponto de fusão. Particularmente, como descrito acima, o material de base e/ou o corpo de base tem ou têm um coeficiente de expansão linear, que é próximo do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz, de modo que mesmo quando uma alta temperatura é aplicada para aglutinação, o desprendimento ou semelhantes do elemento emissor de luz do material de base e/ou do corpo de base e do elemento emissor de luz, provocado por uma expansão térmica, pode ser reduzido eficientemente. Consequentemente, uma necessidade de limitação no elemento aglutinante ou semelhantes pode ser eliminada. Desse modo, por exemplo, com o uso de uma solda, conjuntamente com a forma do terminal de conexão descrito acima, e a posição e o tamanho do modelo de projeção, uma operação de aplicação de uma alta temperatura (por exemplo, uma operação de refluxo a cerca de 300°C) pode ser conduzida, e um efeito de autoalinhamento de alta precisão pode ser apresentado. Consequentemente, o elemento emissor de luz é facilmente montado no lugar correto, de modo que a produtividade em massa pode ser aperfeiçoada, e menos dispositivos emissores de luz podem ser produzidos. É preferível antes do tra- tamento de refluxo, aplicar um tratamento térmico ao corpo de base a uma temperatura mais alta do que a temperatura de refluxo, o que pode reduzir a influência do calor durante a operação de refluxo. Quando o substrato de crescimento é removido, prefere-se usar uma pasta condutora anisotrópica ou um filme condutor anisotrópico. Quando o elemento emissor de luz é fixado no terminal de conexão, o elemento aglutinante é ajustado para que tenha uma espessura que seja preferivelmente de cerca de 1/4 a 3 vezes, particularmente, cerca de 1 a 3 vezes da espessura do laminado semicondutor de nitreto. Consequentemente, um outro efeito de autoalinhamento de alta precisão pode ser apresentado, de modo que o dispositivo emissor de luz possa ser feito menor e mais fino. Por exemplo, a espessura do elemento aglutinante é, de preferência, cerca de 2 a 50 pm, particularmente, cerca de 5 a 30 pm.

Elemento selante [0094] O elemento selante é um elemento tendo uma função de seiagem (cobertura) de pelo menos uma parte do elemento emissor de luz, ou de fixação do elemento emissor de luz no corpo de base. O material do elemento selante não é particularmente limitado, e os e-xemplos incluem cerâmicas, resinas, materiais dielétricos, polpa, vidro e seus materiais compostos. Entre esses, as resinas são as preferidas, porque podem ser facilmente moldadas em qualquer forma.

[0095] Os exemplos da resina incluem resinas termorrígidas, resinas termoplásticas, suas resinas modificadas e resinas híbridas de pelo menos uma dessas resinas. Os exemplos específicos incluem as resinas, tais como composições de resinas epóxi, composições de resinas epóxi modificadas (resinas epóxi modificadas com silicone, etc.), composições de resinas de silicone, etc.), resinas de silicone híbridas, composições de resinas de poli-imidas, composições de resinas de poliimidas modificadas, resinas de poliamidas, resinas de poli (terefta- lato de etileno), poliftalamida (PPA), resinas de policarbonatos, poli (sulfeto de fenileno) (PPS), polímeros de cristais líquidos (LCP), resinas ABS, resinas fenólicas, resinas acrílicas, resinas PBT, resinas de ureia, resinas BT e tensoativos de poliuretanos.

[0096] O coeficiente de expansão linear e a temperatura de transição vítrea etc. da resina, usada no elemento selante, não são particularmente limitados, e, por exemplo, o coeficiente de expansão linear é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 100 ppm/°C, particularmente, igual ou inferior a cerca de 80 ppm/°C, ou igual ou inferior a cerca de 60 ppm/°C, e a temperatura de transição vítrea é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 100°C, particularmente, igual ou inferior a cerca de 75°C ou igual ou inferior a cerca de 50°C.

[0097] O elemento selante pode ser transmissor de luz, mas é, particularmente, um material de blindagem de luz, tendo uma refletivi-dade igual ou superior a 60%, igual ou superior a 70%, igual ou superior a 80% ou igual ou superior a 90%, para iluminar do elemento e-missor de luz. Desse modo, prefere-se que o material descrito acima, por exemplo, uma resina, contenha, por exemplo, um material refletor de luz, um material de difusão de luz, um colorante e semelhantes, tais como dióxido de titânio, dióxido de silício, dióxido de zircônio, titanato de potássio, alumina, nitreto de alumínio, nitreto de boro, mulita, óxido de nióbio, óxido de zinco, sulfato de bário, negro de fumo e vários tipos de óxidos de terras-raras (por exemplo, óxido de ítrio e óxido de gado-línio). O elemento selante pode conter uma carga fibrosa, tais como fibras de vidro ou wollastonita, ou uma carga inorgânica, tal como carbono. O elemento selante pode conter um material tendo uma alta capacidade de liberação de calor (por exemplo, nitreto de alumínio, etc.). Ainda mais, o elemento selante pode conter o elemento luminescente descrito abaixo. De preferência, o elemento selante contém esses aditivos em uma proporção de, por exemplo, cerca de 10 a 95% em peso, cerca de 20 a 80% em peso ou cerca de 30 a 60% em peso, com base no peso total do elemento selante.

[0098] Quando o elemento selante contém um material refletor de luz, a luz do elemento emissor de luz pode ser refletida eficientemente. Particularmente, por uso de um material tendo uma maior refletividade de luz do que o corpo de base (por exemplo, por uso de uma resina de silicone contendo dióxido de titânio como um elemento selante, quando nitreto de alumínio é usado para o corpo de base), a eficiência de extração de luz do dispositivo emissor de luz pode ser otimizada por redução do tamanho do corpo de base, enquanto mantendo as características de manuseio. Quando o elemento selante contém apenas dióxido de titânio, como um material refletor de luz, contém o material refletor de luz em uma proporção de, preferivelmente, de cerca de 20 a 60% em peso, particularmente, de cerca de 30 a 50% em peso, com base no peso total do elemento selante.

[0099] Quando o dispositivo emissor de luz tem um elemento selante, a resistência do elemento selante, durante um processo, tal como a remoção ou o desprendimento de um substrato de crescimento ou de um suporte da camada semicondutora, pode ser aperfeiçoada. Ainda mais, a resistência de todo o dispositivo emissor de luz pode ser mantida. Por formação do elemento selante de um material tendo alta capacidade de liberação de calor, a capacidade de liberação de calor pode ser aperfeiçoada, enquanto o dispositivo emissor de luz é mantido pequeno.

[00100] A forma externa do elemento selante não é particularmente limitada, e pode ser, por exemplo, uma forma cilíndrica, uma forma de prisma poligonal, tal como uma forma de prisma quadrangular ou uma forma próxima dessa, uma forma troncônica circular, uma forma tron-cônica poligonal, tal como uma forma troncônica quadrangular, ou uma forma parcial como uma lente. Entre essas, o elemento selante tem, de preferência, uma forma que é estreita e longa na direção longa do corpo de base. O elemento selante tem, de preferência, uma superfície estendendo-se ao longo da direção curta do corpo de base.

[00101] O elemento selante é, de preferência, disposto em contato com uma parte ou o todo da pelo menos uma superfície lateral do e-lemento emissor de luz, de modo a cobrir a superfície lateral do elemento emissor de luz, ou, de preferência, disposto em contato com o elemento emissor de luz, de modo a circundar toda a periferia do elemento emissor de luz. Nesse caso, prefere-se que o elemento selante seja proporcionado de modo a ser fino na superfície lateral (7a na Figura 3), estendendo-se na direção longa do dispositivo emissor de luz, e espesso na superfície lateral (7b na Figura 3), estendendo-se na direção curta do dispositivo emissor de luz. O dispositivo emissor de luz pode ser, consequentemente, feito mais fino.

[00102] De preferência, o elemento selante é proporcionado de modo a encher um vão livre entre o elemento emissor de luz e o corpo de base montados. A resistência do dispositivo emissor de luz pode ser consequentemente otimizada. O elemento selante, disposto entre o elemento emissor de luz e o corpo de base, pode ser um material diferente do material cobrindo a superfície lateral do elemento emissor de luz. Consequentemente, funções adequadas podem ser conferidas ao elemento selante, disposto na superfície lateral do elemento emissor de luz, e no elemento, disposto entre o elemento emissor de luz e o corpo de base. Por exemplo, um material tendo uma alta refletividade pode ser usado no elemento emissor de luz, disposto na superfície lateral do elemento emissor de luz, e um material para reforçar a adesão, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base, pode ser usado no elemento disposto entre o elemento emissor de luz e o corpo de base.

[00103] Particularmente, o elemento selante, disposto entre o ele- mento emissor de luz e o corpo de base, é formado, de preferência, de uma resina tendo um coeficiente de expansão linear dentro de ± 20% do coeficiente de expansão linear do terminal de conexão. De outro ponto de vista, o elemento selante é formado de uma resina tendo um coeficiente de expansão linear preferivelmente igual ou inferior a cerca de 30 ppm/°C, particularmente, igual ou inferior a cerca de 25 ppm/°C. De outro ponto de vista, a temperatura de transição vítrea é, de preferência, igual ou inferior a 50°C, particularmente, igual ou inferior a 0°C. O elemento selante e o corpo de base podem ser consequentemente impedidos de serem desprendidos entre si.

[00104] Uma borda do elemento selante, em uma vista em planta (vista em planta como vista do lado da superfície de extração de luz) pode ser disposta no lado interno ou lado externo de uma borda do corpo de base. Quando o elemento emissor de luz tem uma forma que é estreita e longa na direção longa, uma borda do elemento emissor de luz, estendendo-se ao longo da direção longa coincide, de preferência, com uma borda do corpo de base estendendo-se ao longo da direção longa. Isto é, prefere-se que pelo menos uma das bordas do elemento selante, estendendo-se ao longo da direção longa, forme o mesmo plano com uma das bordas do corpo de base, estendendo-se ao longo da direção longa, e prefere-se, particularmente, que ambas as bordas do elemento selante formem o mesmo plano com ambas as bordas do corpo de base. Consequentemente, a área da superfície de extração de luz pode ser aumentada, de modo que a eficiência de extração de luz possa ser otimizada, sem aumentar a espessura do dispositivo emissor de luz. Uma borda do elemento emissor de luz, es-tendendo-se ao longo da direção curta, é usualmente disposta no lado interno de uma borda do corpo de base, estendendo-se ao longo da direção curta. O mesmo plano no presente relatório descritivo não a-penas significa exatamente o mesmo, mas também significa que, quando o elemento selante é uma forma ligeiramente em R, uma parte da forma em R coincide com a superfície de extremidade do corpo de base.

[00105] O tamanho do elemento selante é, de preferência, maior do que aquele do elemento emissor de luz, em termos de uma área plana, como visto do lado da superfície de extração de luz. Particularmente, o comprimento da forma mais externa do elemento selante, na direção longa, é, de preferência, cerca de 1,01 a 4,0 vezes o comprimento de um lado do elemento emissor de luz. Especificamente, um comprimento de cerca de 300 a 2.000 pm é preferido, e um comprimento de cerca de 1.000 a 1.500 pm é particularmente preferido. A espessura do elemento selante (também referido como uma largura da superfície de extremidade do elemento emissor de luz para a forma mais externa do elemento selante, como visto do lado da superfície de extração de luz, ou uma largura mínima do elemento selante na superfície lateral do elemento emissor de luz) é, por exemplo, de cerca de 1 a 1.000 pm, de preferência, de cerca de 50 a 500 pm ou de cerca de 100 a 200 pm. De preferência, o elemento selante tem essa altura, quando o elemento emissor de luz é conduzido no corpo de base, a superfície superior do elemento selante forma o mesmo plano com a superfície superior do elemento emissor de luz. O elemento selante pode ser formado por impressão em tela, recheadura, moldagem por transferência, moldagem por compressão ou semelhantes. Quando uma máquina de moldagem é usada, um filme desmoldante pode ser usado.

[00106] Para selagem (cobertura) de toda a superfície lateral do e-lemento emissor de luz, de uma superfície do elemento emissor de luz oposta ao corpo de base, e assim por diante, o elemento selante é u-sualmente formado após o elemento emissor de luz ser montado no corpo de base. Ainda mais, o elemento emissor de luz pode ser pro- porcionado de modo a cobrir a superfície superior da superfície lateral do elemento emissor de luz, antes que o elemento emissor de luz seja montado no corpo de base.

Elemento transmissor de luz [00107] De preferência, a superfície superior do elemento emissor de luz, isto é, a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz é dotada com um elemento transmissor de luz. De preferência, o elemento transmissor de luz cobre a superfície superior do elemento emissor de luz, quando a superfície lateral do elemento emissor de luz é coberta com o elemento selante de blindagem de luz, e a superfície superior do elemento emissor de luz não é coberta com o elemento selante. A superfície de extremidade do elemento transmissor de luz pode ser coberta ou não com o elemento selante.

[00108] O elemento transmissor de luz é, de preferência, um permeável a 60% ou mais, particularmente, a 70%, 80% ou 90% ou mais da luz emitida da camada emissora de luz. O elemento transmissor de luz pode ser um elemento similar ao elemento selante, ou pode ser um elemento diferente do elemento selante. Os exemplos incluem resinas, tais como resinas de silicone, resinas de silicone modificadas, resinas epóxi, resinas epóxi modificadas, resinas fenólicas, resinas de policar-bonato, resinas acrílicas, resinas TPX, resinas de polinorborneno, e resinas híbridas contendo pelo menos uma dessas resinas, e vidro. Entre essas, as resinas de silicone e as resinas epóxi são as preferidas, e as resinas de silicone, tendo excelentes resistência à luz e resistência térmica, são particularmente preferidas.

[00109] O elemento transmissor de luz é, de preferência, um contendo um elemento luminescente, que é excitado por luz do elemento emissor de luz. Como o elemento luminescente, um conhecido na técnica pode ser usado. Os exemplos incluem elementos luminescentes à base de ítrio - alumínio - granada (YAG) ativados por cério, elementos luminescentes à base de lutécio - alumínio - granada (LAG) ativados por cério, elementos luminescentes à base de aluminossilicato de cálcio contendo nitrogênio (Ca0.AI203.Si02) ativados por európio e/ou cromo, elementos luminescentes à base de silicato ((Sr,Ba)2Si04) de európio e/ou cromo ativados por európio, elementos luminescentes de β-SiAION, elementos luminescentes à base de nitretos tais como elementos luminescentes à base de CASN ou à base de SCASN, elementos luminescentes à base de KSF (K2SiF6:Mn) e elementos luminescentes à base de sulfetos. Consequentemente, pode-se proporcionar um dispositivo emissor de luz, que emite luz colorida mista (por exemplo, luz branca) de luz primária e luz secundária tendo um comprimento de onda visível, e um dispositivo emissor de luz que é excitado pela luz primária de luz ultravioleta, para emitir luz tendo um comprimento de onda visível. Quando o dispositivo emissor de luz é usado para uma luz traseira de um visor de cristal líquido ou semelhantes, prefere-se usar um elemento luminescente, que é excitado por luz a-zul, para emitir luz vermelha (por exemplo, elemento luminescente à base de KSF), e um elemento luminescente que emite luz verde (por exemplo, elemento luminescente de β-SiAION). A faixa de reprodução de cor de um visor, incluindo um dispositivo emissor de luz, pode ser consequentemente ampliada. Quando o dispositivo emissor de luz é usado para iluminação ou semelhantes, um elemento, que emite luz verde azulada pode ser usado em combinação com um elemento luminescente vermelho.

[00110] Por exemplo, o elemento luminescente é, de preferência, um tendo um tamanho de partícula central igual ou inferior a 50 pm, igual ou inferior a 30 pm ou igual ou inferior a 10 pm. O tamanho de partícula central pode ser medido e calculado por uso de um dispositivo de medida de tamanho de partícula comercialmente disponível, um dispositivo de medida de distribuição de tamanhos de partículas ou semelhantes. O tamanho de partícula mencionado acima se refere a um tamanho de partícula obtido por um método de permeabilidade ao ar em F.S.S.S.No (n° de medidor de subpeneiras Fisher). Particularmente, quando YAG, ou semelhantes, é usado como um elemento lu-minescente, o elemento luminescente é, de preferência, um corpo volumoso (por exemplo, um corpo em forma de placa), obtido por dispersão e sinterização uniformes de suas partículas ultrafinas. De acordo com a forma mencionada acima, uma alta transparência pode ser garantida por redução dos vazios e das camadas de impurezas, como uma estrutura cristalina única e/ou uma estrutura policristalina.

[00111] O elemento luminescente pode ser um material luminescente referido como um denominado nanocristal ou um ponto quântico. Os exemplos dos seus materiais incluem partículas altamente dispersivas de materiais semicondutores, por exemplo, semicondutores dos grupos ll-VI, lll-V e IV-VI, mais especificamente, CdSe, CdSxSei.x/ZnS do tipo núcleo - casca, GaP, InP e GaAs. Por exemplo, esse elemento luminescente tem um tamanho de partícula de cerca de 1 a 20 nm (o número de átomos: cerca de 10 a 50). Por uso desse elemento luminescente, a difusão interna pode ser eliminada, de modo que a trans-mitância de luz pode ser aperfeiçoada ainda mais. Por eliminação da difusão interna, os componentes da luz, distribuídos em uma direção perpendicular à superfície superior, podem ser aumentados, e, simultaneamente, a luz dirigida no sentido da superfície lateral ou da superfície inferior do dispositivo emissor de luz pode ser eliminada, de modo que a eficiência de extração de luz pode ser aperfeiçoada ainda mais. Por exemplo, quando o dispositivo emissor de luz é aplicado a uma luz traseira, a eficiência de entrada de luz na luz traseira pode ser aperfeiçoada ainda mais. O elemento luminescente de ponto quântico é instável, e, portanto, pode ser modificado ou estabilizado superficialmente com uma resina, tal como PMMA (poli (metacrilato de metila)). Esse pode ser um corpo volumoso (por exemplo, um corpo em forma de placa) com o elemento luminescente misturado com uma resina transparente (por exemplo, uma resina epóxi, uma resina de silicone ou semelhantes) e moldado, ou pode ser um corpo em forma de placa, com o elemento luminescente selado entre as placas de vidro conjuntamente uma resina transparente.

[00112] O elemento transmissor de luz é, de preferência, um elemento em camadas, no qual várias camadas de partículas contendo um elemento luminescente particular são laminadas, um elemento de placa de elemento luminescente policristalino transparente, ou um e-lemento de placa de elemento luminescente de cristal único transparente. Consequentemente, no elemento transmissor de luz, a difusão pode ser reduzida ainda mais, de modo que a eficiência de extração de luz, etc. podem ser aperfeiçoadas ainda mais.

[00113] O elemento luminescente não fica necessariamente contido no elemento mencionado acima, mas pode ser proporcionado em várias posições ou em vários elementos no dispositivo emissor de luz. Por exemplo, o elemento luminescente pode ser proporcionado como uma camada de elemento luminescente, aplicada ou aglutinada em um elemento transmissor de luz, que não contém um elemento luminescente.

[00114] O elemento transmissor de luz pode conter uma carga (por exemplo, um agente de difusão, um colorante ou semelhantes). Os exemplos incluem sílica, óxido de titânio, óxido de zircônio, óxido de magnésio, vidro, um cristal ou um corpo sinterizado de um elemento luminescente, e um corpo sinterizado de um elemento luminescente e um material aglutinante inorgânico. Opcionalmente, o índice de retração da carga pode ser ajustado. O índice de retração é, por exemplo, igual ou superior a 1,8.

[00115] A forma das partículas da carga pode ser quaisquer de uma forma granular, uma forma esférica, uma forma oca e uma forma porosa. O tamanho de partícula médio (tamanho médio) das partículas é, de preferência, cerca de 0,08 a 10 μιτι, em que um efeito de difusão de luz é obtido com alta eficiência. A proporção do elemento luminescente e/ou da carga é, por exemplo, de preferência, cerca de 10 a 80% em peso, com base no peso total do elemento transmissor de luz.

[00116] Os exemplos do processo para formação de um elemento transmissor de luz incluem um processo no qual um elemento transmissor de luz é moldado na forma de uma folha, e aglutinado por um processo de fusão ou por um adesivo, um processo no qual um elemento luminescente é depositado por um processo de deposição ele-troforética, e depois impregnado com uma resina transmissora de luz, recheadura, moldagem por compressão, um processo de aspersão, um processo de revestimento eletroforético e um processo de impressão. Nesse momento, sílica (Aerosil) ou semelhantes podem ser adicionados para ajustar a viscosidade ou a fluidez. Entre esses, um processo de aspersão, particularmente, um processo de aspersão pulsan-te de injeção de aspersão em forma de pulsos, isto é, intermitentemente, é preferido, quando um elemento luminescente é incluído no elemento transmissor de luz. Por injeção intermitente de aspersão, o grau de injeção do elemento transmissor de luz por unidade de tempo pode ser diminuído. Desse modo, por movimentação de um bocal de injeção de aspersão, a uma baixa velocidade durante aspersão de injeção em um pequeno grau de injeção, um elemento luminescente pode ser a-plicado uniformemente a uma superfície de revestimento tendo uma forma irregular. No processo de aspersão pulsante, a velocidade de ar do vento pode ser reduzida, sem reduzir a velocidade de jateamento de pasta do bocal, em comparação com um processo de aspersão contínuo. Desse modo, a pasta pode ser alimentada adequadamente à superfície de revestimento, e a pasta aplicada não é desordenada por uma corrente de ar. Por conseguinte, um filme de revestimento, tendo uma alta adesão entre as partículas de elemento luminescente e a superfície emissora de luz, pode ser formado. Várias camadas de partículas finas laminadas, contendo um elemento luminescente particula-do, podem ser formadas. Por controle do número de camadas laminadas desse modo, a sua precisão de espessura pode ser aperfeiçoada. O desvio da distribuição do elemento luminescente pode ser eliminado, a luz submetida a uma conversão de comprimento de onda uniforme pode ser submetida, e a ocorrência de irregularidade de cor, etc. do elemento emissor de luz pode ser evitada.

[00117] O processo de aspersão pulsante é um processo conhecido, descrito, por exemplo, nos pedidos de patentes JP 61-161175A, JP 2003-300000 e WO 2013/038953, e o uso de materiais e condições, etc. deles podem ser ajustados adequadamente. Por exemplo, a pasta a ser aplicada contém um solvente, uma resina termorrígida e um elemento luminescente particulado. Os exemplos da resina termorrígida incluem resinas de silicone, resinas epóxi e resinas de ureia. Como um solvente, um solvente orgânico, tal como n-hexano, n-heptano, tolue-no, acetona ou álcool isopropílico, pode ser usado. Por exemplo, o e-lemento luminescente é usado em uma proporção de, preferivelmente, 10 a 80% em peso. A pasta é ajustada para que tenha uma viscosidade de, preferivelmente, cerca de 0,01 a 1.000 mPa.s, particularmente, cerca de 0,1 a 100 mPa.s.

[00118] A espessura do elemento transmissor de luz não é particularmente limitada, e é, por exemplo, cerca de 1 a 300 pm, de preferência, cerca de 1 a 100 pm, particularmente, cerca de 2 a 60 pm, ou cerca de 5 a 40 pm. Particularmente, quando o elemento transmissor de luz é laminado pelo processo de aspersão, a espessura do elemento transmissor de luz é, de preferência, 20 vezes ou menos, particularmente, 10 vezes ou menos, 6 vezes ou menos, 4 vezes ou menos ou 3 vezes ou menos da espessura total do laminado semicondutor de ni-treto. Quando o elemento transmissor de luz tem a espessura mencionada acima, pode ser proporcionado um dispositivo emissor de luz, que é menor e mais fino, enquanto que a conversão de luz de comprimento de onda é suficientemente conduzida. De outro ponto de vista, a espessura do elemento transmissor de luz é, de preferência, 2 vezes ou menos a espessura do elemento selante, na superfície lateral do elemento emissor de luz, particularmente, 2 vezes ou menos a largura mínima, especialmente, igual ou inferior à largura mínima. Quando o elemento transmissor de luz tem uma espessura relativamente pequena, como descrito acima, a luz emitida do elemento emissor de luz pode ser extraída apenas em uma direção da superfície de extração de luz, sem ser emitida da superfície de extremidade (superfície lateral) do elemento transmissor de luz, independentemente se ou não o elemento transmissor de luz é coberto com o elemento selante, com vai ser descrito abaixo. Consequentemente, a eficiência de extração de luz pode ser aperfeiçoada.

[00119] Particularmente, em aplicações de luz traseira, um elemento transmissor de luz tendo uma espessura relativamente pequena, como descrito acima, pode otimizar ainda mais a eficiência de iluminação do elemento emissor de luz e a eficiência de iluminação da luz traseira. Por exemplo, como descrito acima, a razão da luz da superfície lateral para a luz da superfície frontal pode ser reduzida, de modo que a eficiência de entrada de luz em uma placa-guia de luz da luz traseira pode ser otimizada. Ainda mais, a proporção de resina pode ser diminuída, e, portanto, a relação de uma resina transparente, tendo uma emissividade de calor relativamente baixa, pode ser reduzida, de modo que o acúmulo de calor pode ser reduzido. Ao mesmo tempo, a área de contato, entre o elemento emissor de luz e o elemento luminescen-te, ou entre os elementos luminescentes, pode ser aumentada, e um caminho de transferência térmica pode ser garantido. Consequentemente, a capacidade de desprendimento de calor pode ser aperfeiçoada para aperfeiçoar a eficiência de iluminação. Ainda mais, a distância entre a superfície do elemento emissor de luz e a entrada de luz da placa-guia de luz pode ser diminuída, e, portanto, luz pode ser feita entrar na placa-guia de luz com uma maior luminância, de modo que a eficiência de iluminação na luz traseira pode ser otimizada.

[00120] A superfície superior (superfície de extração de luz) do e-lemento transmissor de luz pode ser uma superfície plana, ou a superfície superior (a superfície de extração de luz) e/ou a superfície em contato com o elemento emissor de luz pode ser uma superfície irregular, tal como uma superfície convexa ou uma superfície côncava, para controlar a distribuição de luz. Quando várias camadas de partículas, contendo um elemento luminescente particulado, são laminadas como descrito acima, as irregularidades correspondentes ao tamanho de partícula do elemento luminescente são passadas para a superfície do elemento transmissor de luz. Desse modo, por laminação de um elemento transmissor de luz fino contendo um elemento luminescente, a proporção de resina pode ser reduzida para obter uma forma irregular moderada, enquanto que a agregação do elemento luminescente é impedida e o desprendimento do elemento luminescente é impedido. Por conseguinte, a extração de luz é efetivamente conduzida. Isto é, quando da consideração de descoloração ou de vida útil e da capacidade de liberação de calor do elemento transmissor de luz, um elemento contendo resina, tal como o elemento transmissor de luz, é, de preferência, a mais fina possível, desde que a resistência de adesão, etc. possam ser mantidos. Por outro lado, há uma preocupação com o desprendimento do elemento transmissor de luz. No entanto, esses problemas podem ser solucionados por redução da proporção de resina, para obter uma forma irregular moderada.

[00121] O elemento transmissor de luz pode ser proporcionado no dispositivo emissor de luz por aglutinação do elemento transmissor de luz com a superfície superior do elemento emissor de luz, antes do e-lemento emissor de luz ser montado no corpo de base. Particularmente, quando o elemento emissor de luz é formado de um laminado semicondutor, liberado de um substrato de crescimento de uma camada semicondutora, por exemplo, o elemento emissor de luz é aglutinado ou fixado em um elemento transmissor de luz duro de vidro, cerâmica ou semelhantes, para otimizar a resistência do elemento emissor de luz, de modo que as características de manuseio, a confiabilidade de montagem do elemento emissor de luz, e assim por diante possam ser aperfeiçoadas.

Elemento isolante [00122] De preferência, o dispositivo emissor de luz da presente invenção tem um elemento isolante, disposto de modo a cobrir, pelo menos uma parte, do terminal de conexão do corpo de base. Particularmente, o elemento isolante fica em contato com o elemento selante. Ainda mais, o elemento isolante é, de preferência, disposto entre a seção de conexão de elemento e a seção de conexão externa do terminal de conexão, e, particularmente, disposto de modo a separar completamente uma região superficial, entre a seção de conexão de elemento e a seção de conexão externa. Consequentemente, uma situação pode ser evitada na qual a solda penetra ao longo da superfície do terminal de conexão, para deteriorar a confiabilidade do dispositivo e-missor de luz, quando o dispositivo emissor de luz é montado no substrato de montagem, como vai ser descrito abaixo.

[00123] De preferência, o elemento isolante é disposto no terminal de conexão, de modo que a borda do elemento selante seja disposta no elemento isolante. Consequentemente, a adesão entre o elemento selante e o corpo de base pode ser otimizada, para reduzir a possibili- dade de que o elemento selante seja solto. Particularmente, quando o elemento selante tem uma forma que é longa, na direção longa, como descrito acima, é particularmente preferido que o elemento isolante seja disposto no terminal de conexão, de modo que a borda do elemento selante, na direção longa, seja disposta no elemento isolante. Consequentemente, a possibilidade de que o elemento selante seja solto pode ser reduzida, quando o corpo de base é arqueado ou distorcido. Um par de elementos isolantes pode ser proporcionado de modo a cobrir cada um de um par de terminais de conexão, ou o elemento isolante pode cobrir continuamente um par de terminais de conexão.

[00124] O elemento isolante pode ser formado de qualquer material, desde que tenha qualidade de isolamento. Por exemplo, o material, mostrado como um exemplo para o elemento selante e o elemento transmissor de luz descritos acima, pode ser usado. Entre esses, prefere-se usar uma resina de silicone, que contém um material branco e tenha uma alta resistência térmica.

[00125] A forma do elemento isolante não é particularmente limitada, e é, de preferência, uma forma de boca de sino, que se estende continuamente da região adjacente da seção de conexão de elemento para a parte externa do elemento selante, isto é, a seção de conexão externa. Especificamente, o comprimento do elemento isolante, na direção longa, é cerca de 1/10 a 1/5 vez o comprimento do elemento selante. A largura do elemento isolante é, de preferência, igual ou menor do que a largura do corpo de base e/ou do elemento selante. Quando o elemento isolante tem a largura mencionada acima, o elemento isolante pode formar o mesmo plano com uma superfície de extremidade do corpo de base e/ou do elemento selante, e pode formar o mesmo plano com ambas as superfícies de extremidade opostas do corpo de base e do elemento selante. Particularmente, quando o terminal de conexão tem uma região que é de largura reduzida, prefere-se que a região de largura reduzira seja coberta completamente. Consequentemente, uma situação pode ser evitada na qual a solda penetra ao longo da superfície do terminal de conexão, para deteriorar a confiabilidade do dispositivo emissor de luz, quando o dispositivo emissor de luz é montado no substrato de montagem, que vai ser descrito abaixo.

[00126] O elemento isolante pode ser formado por um processo no qual o material descrito acima é moldado em uma folha e grudado, um processo de impressão, um processo de deposição eletroforética, re-cheadura, moldagem por compressão, aspersão e um processo de revestimento eletrostático. A espessura do elemento isolante não é particularmente limitada, e é, por exemplo, cerca de 10 a 300 pm. Pre-fere-se que o elemento isolante seja formado continuamente de abaixo do elemento selante para o lado da seção de conexão externa, quando o elemento selante é moldado por uso de um molde. Consequentemente, o molde para moldagem do elemento selante e o terminal de conexão pode ser impedido de entrar em contato entre si, para danificar o terminal de conexão.

Relação dimensional do dispositivo emissor de luz [00127] De outro ponto de vista, por exemplo, na qual, por exemplo, em uma seção de elemento emissor de luz (incluindo um elemento e-missor de luz, um elemento selante e um elemento transmissor de luz) N conduzida em um corpo de base M: [00128] a espessura do corpo de base M é E; o comprimento do corpo de base M, na direção curta, é A; a altura total do corpo de base M e do elemento emissor de luz N é B; o comprimento da seção de elemento emissor de luz N (elemento transmissor de luz Q), na direção curta, é C (= F); e [00129] o comprimento da seção de elemento emissor de luz N (e-lemento transmissor de luz Q), na direção longa, é D (= J), como mos- trado nas Figuras 11A e 11B, o dispositivo emissor de luz da presente invenção satisfaz, de preferência, os seguintes requisitos: B > A (1); D > C (2); A > C (3); e E > A (4).

[00130] Consequentemente, quando a superfície lateral do dispositivo emissor de luz da presente invenção, na direção longa, é uma superfície de montagem (montagem de superfície lateral), a estabilidade pode ser garantida. Particularmente, satisfazendo-se o requisito (1), a montagem da superfície lateral é facilitada. Satisfazendo-se o requisito (2), uma estrutura mais estável é obtida quando a montagem da superfície lateral é conduzida. Satisfazendo-se o requisito (3) e separando-se a superfície de montagem da superfície lateral do elemento selante, na direção longa, a solda pode ser impedida de penetrar na direção do elemento emissor de luz, durante a montagem. Também, o dispositivo emissor de luz pode ser retido de forma estável em um substrato de montagem na superfície lateral do corpo de base M, na direção longa. Satisfazendo-se o requisito (4), uma montagem estável pode ser conduzida. Por combinação dos requisitos (1) a (4), uma montagem da superfície lateral ainda mais estável pode ser conduzida. A montagem da superfície lateral pode ser facilitada por, por exemplo, formação de um furo de passagem no corpo de base do dispositivo emissor de luz e embutimento dele em um metal, etc., tendo uma densidade relativa alta, para descentralizar o centro de gravidade. Ainda mais, a montagem da superfície lateral pode ser garantida fazendo-se uso da tensão superficial da solda, por controle da forma de um filete de solda. Um ou mais desses requisitos pode ou podem ser combinados arbitrariamente.

[00131] Quando no elemento transmissor de luz Q, que forma uma parte do elemento emissor de luz N: [00132] a espessura do elemento transmissor de luz Q é G; o comprimento do elemento transmissor de luz Q, na direção curta, é F; o comprimento do elemento transmissor de luz Q, na direção longa, é J; o comprimento da superfície superior do elemento emissor de luz, na direção curta, é Η; o comprimento do elemento emissor de luz, na direção longa, é I; a largura da superfície de extremidade, estendendo-se na direção longa do elemento selante para a superfície de extremidade estendendo-se na direção longa do elemento emissor de luz, é L; e a largura da superfície de extremidade, estendendo-se na direção curta do elemento selante, para a superfície de extremidade, estendendo-se na direção curta do elemento emissor de luz, é K, como descrito na Figura 11B, o dispositivo emissor de luz satisfaz, de preferência, os seguintes requisitos: [00133] área de emissão de luz da superfície lateral: 2 x {G x (F + J)}, área de emissão de luz da superfície superior: F x J;

[00134] G < 100 μιτι, de preferência, G < 50 μιτι (5); e [00135] Fx J >2 x{G X (F + J)} (6).

[00136] O presente dispositivo emissor de luz é, principalmente, um elemento emissor de luz de visão lateral, e a luz pode ser feita incidente a uma placa-guia de luz, usada para luz traseira de cristal líquido, em particular. Desse modo, é importante controlar a distribuição de luz para aumentar a luminância da superfície frontal. Portanto, prefere-se satisfazer o requisito (6). Consequentemente, a emissão de luz da superfície superior do elemento transmissor de luz, do dispositivo emissor de luz, pode ser intensificada, de modo que o coeficiente de emissão de luz para uso em luz traseira possa ser obtida. Proporcionando-se o elemento transmissor de luz apenas pouco acima do elemento emissor de luz, I x H, mostrado por uma linha pontilhada na Figura 11 e selando-se a periferia externa com uma resina selante de blindagem de luz, o fluxo luminoso da superfície frontal é aumentado ainda mais, de modo que a eficiência de incidência para a placa-guia de luz possa ser otimizada.

[00137] Ainda mais, quando o dispositivo emissor de luz é usado em aplicações de luz traseira, prefere-se que a distância R, entre a superfície superior de um elemento emissor de luz 5 e uma placa-guia de luz 75, seja feita mais curto, em uma configuração na qual a superfície superior de um elemento transmissor de luz 10 é aglutinado à placa-guia de luz 75, como mostrado na Figura 11C. A distância R, entre a superfície superior do elemento emissor de luz 5 e a placa-guia de luz 75, é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 100 pm, particularmente, de cerca de 40 a 100 pm. Quando um elemento lumines-cente não está contido, a distância R é, de preferência, igual ou inferior a cerca de 10 pm. Nesse caso, a superfície superior do elemento transmissor de luz 10 pode ser um substrato feito de safira ou semelhantes, ou pode ser uma camada de revestimento, obtida por revestimento de um substrato de safira, ou semelhantes, ou uma camada semicondutora de nitreto. De preferência, a distância R satisfaz a distância descrita acima por toda a parte posterior da superfície emissora de luz. Quando o elemento transmissor de luz extremamente fino 10 é disposto na superfície superior do elemento emissor de luz 5, a difusão de luz, entre a superfície superior do elemento emissor de luz 5 e a placa-guia de luz 75, pode ser minimizada. Quando o elemento transmissor de luz 10 é um elemento luminescente de ponto quântico ou uma placa de elemento luminescente transparente, que tem uma pequena difusão de luz interna, a luminância da superfície superior pode ser aumentada ainda mais. Por redução da distância entre o elemento emissor de luz 5 e a placa-guia de luz 75, como descrito acima, a eficiência de incidência de luz para a placa-guia de luz pode ser aperfeiçoada. A seguir, as concretizações do dispositivo emissor de luz da presente invenção vão ser descritas com referência aos desenhos. Primeira concretização [00138] Um dispositivo emissor de luz 1 desta concretização inclui um corpo de base 4, compreendendo um material de base 2 tendo um par de terminais de conexão 3 em uma primeira superfície principal, um elemento emissor de luz 5 e um elemento selante 7, como mostrado nas Figuras 1 a 3. O corpo de base 4 tem uma configuração na qual um par de terminais de conexão 3, formado por laminação de Cu/Ni/Au (espessura total: 20 pm, coeficiente de expansão linear: cerca de 20 ppm/°C) do lado do material de base 2 é formado em uma superfície do material de base 2, isto é, uma superfície superior 2a como uma primeira superfície principal, uma superfície de extremidade 2b estendendo-se na direção curta, e uma superfície inferior 2c como uma segunda superfície principal. O corpo de base 4 tem um comprimento de 1,8 mm na direção longa, uma largura de 0,3 mm na direção curta, e uma espessura de 0,45 mm, e funciona como um substrato de ligação. A resistência do corpo de base é igual ou superior a 300 MPa, medida por um aparelho de teste de resistência à tração.

[00139] O material de base 2 é composto de uma composição de resina BT, contendo uma resina epóxi à base de naftaleno, contendo um tecido de vidro comercialmente disponível (HL832NSF do tipo LCA, manufaturado pela Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.). O material de base 2 contém fibras de vidro, sílica esférica, silicone esférico e carbono, e tem uma forma de paralelepípedo retangular. O coeficiente de expansão linear do material de base 2 (sem os terminais de conexão) é cerca de 3 ppm/°C, e a temperatura de transição vítrea de uma resina, que forma o material de base 2, é cerca de 280°C.

[00140] Um par de terminais de conexão 3, que ficam próximos entre si na parte central do material de base 2 no lado superior 2a, e tendo cada um deles um modelo de projeção 3a, como uma seção de co- nexão de elemento. O modelo de projeção 3a pode ser formado de uma camada composta de cobre (espessura de projeção: 20 pm) por eletrodeposição por uso de uma máscara. Os modelos de projeção 3a são todos situados em uma posição oposta a um correspondente de um par de eletrodos, formado no elemento emissor de luz 5, a ser descrito abaixo, e têm um tamanho equivalente àquele do eletrodo. Um par de terminais de conexão 3 é formado continuamente, de modo a estender-se na direção longa do modelo de projeção 3a, como uma seção de conexão de elemento, e passar ao longo da superfície superior 2a e da superfície de extremidade 2b para a superfície inferior 2c do material de base 2. No terminal de conexão 3, uma região, estendendo-se continuamente do modelo de projeção 3a, como uma seção de conexão de elemento para a superfície inferior 2c do material de base 2 (região em forma de U em uma vista em seção transversal), é uma seção de conexão externa 3b (consultar a Figura 2A). A borda do terminal de conexão 3, estendendo-se ao longo da direção longa, coincide com a borda do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa, e a superfície de extremidade do terminal de conexão 3, estendendo-se ao longo da direção longa, forma o mesmo plano com a superfície de extremidade do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa.

[00141] O terminal de conexão 3 tem uma região de largura reduzida, entre o modelo de projeção 3a e a seção de conexão externa 3b (consultar a Figura 3). Embora não ilustrado, o terminal de conexão 3 tem uma região na qual uma parte da seção de conexão externa 3b na segunda superfície principal do corpo de base 4 é de largura reduzida.

[00142] Um elemento emissor de luz 5 é montado em circuito integrado com deformação controlada no modelo de projeção 3a do terminal de conexão 3. O elemento emissor de luz 5 tem um laminado semicondutor de nitreto (espessura: cerca de 8 a 12 μιτι), formado em um substrato de safira (espessura: cerca de 150 pm) e inclui um par de eletrodos positivo e negativo em uma superfície oposta ao substrato de safira do laminado. O coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz 5 é 7,7 ppm/°C, o que geralmente se aproxima do coeficiente de expansão linear do substrato de safira quando o substrato de safira é dominante no volume. No elemento emissor de luz 5, cada eletrodo do par de eletrodos positivo e negativo é conectado a um correspondente dos modelos de projeção 3a de um par de terminais de conexão 3 do corpo de base 4 por um elemento aglutinante fusível 6 (espessura: 20 pm), que é uma solda eutética Au- Sn. A superfície do substrato de safira tem irregularidades (altura: 0,5 pm, passo: 10 pm), e, portanto, a superfície correspondente do laminado semicondutor de nitreto tem também irregularidades associadas com ela. Por uso desses modelos de projeção 3a dos terminais de conexão, a penetração do elemento aglutinante em uma região indesejada pode ser impedida por execução de controle quantitativo do elemento aglutinante fusível 6, juntamente com a forma e a posição dos modelos de projeção, durante montagem do elemento emissor de luz. Por conseguinte, o elemento emissor de luz é alinhado com uma região desejada com alta precisão, de modo que o elemento emissor de luz possa ser fixado no lugar certo. No caso no qual esse elemento aglutinante 6 é empregado, no momento da operação de refluxo a cerca de 300°C, uma solda é fundida e depois endurecida para aglutinar os eletrodos do elemento emissor de luz 5 e o modelo de projeção 3a do terminal de conexão 3 do corpo de base 4. Em virtude da diferença no coeficiente de expansão linear, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base e/ou o material de base, estar dentro de 10 ppm/°C, ainda que submetido a esse ciclo térmico, o desprendimento, provocado por expansão e/ou contração de ambos, pode ser reduzido eficientemente. Por conseguinte, sem que se fique limitado pelos tipos do elemento aglutinante, um autoalinhamento bastante preciso pode ser feito simples e facilmente.

[00143] O elemento emissor de luz 5 é um circuito integrado de LED de forma de paralelepípedo retangular, que tem um comprimento de 0,9 mm na direção longa, uma largura de 0,2 mm na direção curta, e uma espessura de 0,15 mm, e emite luz azul (comprimento de onda de pico de emissão de luz: 455 nm). A rugosidade superficial Ra da superfície lateral do elemento emissor de luz 5 é igual ou inferior a 1,0 pm.

[00144] O elemento selante 7 é moldado em uma forma substancialmente de um paralelepípedo retangular, tendo um comprimento (comprimento total) de 1,2 mm na direção longa, uma largura (comprimento total) de 0,3 mm na direção curta, e uma espessura de 0,15 mm. As bordas do elemento selante 7, estendendo-se ao longo da direção longa, coincidem com as bordas do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa. O elemento selante 7 é proporcionado na primeira superfície principal do corpo de base 4, de modo a ficar em contato com o elemento emissor de luz 5, de modo que o elemento selante 7 cubra toda a circunferência da superfície lateral do elemento emissor de luz 5 em contato com ele. O elemento selante 7 é também proporcionado em uma superfície do elemento emissor de luz 5, oposta ao corpo de base 4. Isto é, o elemento selante 7 é disposto entre o elemento emissor de luz 5 e o elemento aglutinante fusível 6, cobrindo substancialmente completamente os modelos de projeção 3a e cobrindo substancialmente completamente a superfície do elemento aglutinante fusível 6. Ainda mais, o elemento selante 7 pode ser proporcionado entre o elemento emissor de luz 5 e o corpo de base 4. Consequentemente, a luz pode ser extraída eficientemente do elemento e-missor de luz 5 para a superfície superior. Uma vez que o elemento selante 7 é também proporcionado em uma superfície do elemento emissor de luz 5, oposta ao corpo de base 4, o elemento emissor de luz 5 pode ser conectado mais firmemente ao corpo de base 4. A superfície superior do elemento selante 7 coincide substancialmente com a superfície superior do elemento emissor de luz 5.

[00145] O elemento selante 7 é formado de uma resina de silicone contendo sílica, tendo um tamanho de partícula médio de 14 μιτι, e ó-xido de it, tendo um tamanho de partícula médio de 0,25 a 0,3 pm, como partículas inorgânicas em proporções de 2 a 2,5% em peso e de 40 a 50% em peso, respectivamente, com base no peso total do elemento selante 7. A resina de silicone tem uma temperatura de transição vítrea de 40°C e um coeficiente de expansão linear de cerca de 50 ppm/°C. A borda do elemento selante 7, estendendo-se ao longo da direção longa, coincide com a borda do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa, e a superfície de extremidade do elemento selante 7, estendendo-se ao longo da direção longa, forma o mesmo plano com a superfície de extremidade do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa.

[00146] O elemento transmissor de luz 10 (espessura: 20 pm) é disposto no elemento emissor de luz 5, isto é, em uma superfície de um lado oposto a um par de eletrodos positivo e negativo. O elemento transmissor de luz 10 é formado por laminação de 3 camadas de resina de silicone, contendo um elemento luminescente de YAG:Ce, tendo um tamanho de partícula central de cerca de 8 pm, usando um processo de aspersão pulsante. O elemento transmissor de luz 10 cobre a superfície superior do elemento selante 7. A superfície de extremidade do elemento transmissor de luz 10 coincide com a superfície de extremidade do elemento selante 7.

[00147] Nesse dispositivo emissor de luz, um corpo de base conduzindo um elemento emissor de luz, tem um coeficiente de expansão linear extremamente baixo, e, portanto, uma diferença em expansão linear, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base, devido ao calor aplicado durante e depois do processo de produção, pode ser mantida extremamente baixa. Consequentemente, o desprendimento entre o elemento emissor de luz e o corpo de base ou a aplicação de tensão indesejada no elemento emissor de luz, que resulta de uma diferença em expansão linear, entre o elemento emissor de luz e o corpo de base, pode ser impedido, de modo que a conexão elétrica pode ser garantida. Por conseguinte, um dispositivo emissor de luz, tendo uma vida útil longa e excelentes características, pode ser obtido.

[00148] Como descrito acima, o material de base, que forma o corpo de base, é formado de uma resina tendo uma temperatura de transição vítrea alta igual ou superior a 250°C, e tendo um pequeno coeficiente de expansão linear. Essa resina contém uma carga inorgânica, tal como Si02.AI203 ou um tecido de vidro, e, opcionalmente, negro de fumo tendo uma capacidade de liberação de calor, uma carga de silicone que confere um módulo elástico, e assim por diante, a uma alta relação. Consequentemente, o calor gerado por acionamento do elemento emissor de luz pode ser liberado eficiente mente. Particularmente, quando a resina é usada para um material de base, manchado de preto com negro de fumo ou semelhantes, o calor pode ser liberado eficientemente, porque a radiação térmica de um raio infravermelho longínquo, etc. é alta. Quando a superfície do corpo de base, que fica em contato com o elemento selante, é revestida com um material tendo uma alta capacidade de absorção de calor, um material, tendo uma baixa capacidade de absorção de calor de uma onda eletromagnética em espectro visível, um material que absorve uma onda eletromagnética tendo um comprimento de onda longo, tal como um raio infravermelho longínquo, ou um material tendo uma alta condutividade térmica, a capacidade de liberação de calor pode ser otimizada ainda mais. Consequentemente, a capacidade de liberação de calor de um peque- no dispositivo emissor de luz pode ser aperfeiçoada, a eficiência de conversão de comprimento de onda de luz por um elemento lumines-cente pode ser aperfeiçoada, e a eficiência de iluminação do elemento emissor de luz pode ser aperfeiçoada.

[00149] No dispositivo emissor de luz 1, cada uma de um par de superfícies de extremidade do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa, é disposta para formar o mesmo plano com uma correspondente de um par de superfícies de extremidade do elemento selante, 7, estendendo-se ao longo da direção longa, como mostrado na Figura 4. O dispositivo emissor de luz é montado como um tipo de visão lateral em um substrato de montagem 51, tendo um modelo de ligação 52 em uma superfície dele com uma das superfícies de extremidade, que formam os mesmos planos que uma superfície de montagem do dispositivo emissor de luz 1. Na montagem, um par de seções de conexão externas 3b do dispositivo emissor de luz 1 é colocado nos modelos de ligação 52 correspondentes a um eletrodo positivo e a um eletrodo negativo do substrato de montagem 51, e conectado a eles pela solda 53. A solda 53 é conectada de modo que a área de contato com o pequeno terminal de conexão 3 seja ampliada por não apenas a primeira superfície principal, mas também pela superfície de extremidade e pela segunda superfície principal do corpo de base 4, na seção de conexão externa 3b curva em uma forma de U. Consequentemente, um fiiete pode ser formado na superfície lateral do dispositivo emissor de luz, de modo que a capacidade de liberação de calor e a estabilidade de montagem do dispositivo emissor de luz possam ser aperfeiçoadas.

[00150] Por disposição de uma região de largura reduzida, entre o modelo de projeção 3a e a seção de conexão externa 3b no terminal de conexão 3, a solda descrita posteriormente conectada à seção de conexão externa 3b ou um fundente contido nela pode ser impedido de penetrar abaixo do elemento selante 7.

[00151] Ainda mais, ambas a superfície de extremidade do elemento selante, estendendo-se ao longo da direção longa, e a superfície de extremidade do corpo de base 4, estendendo-se ao longo da direção longa, ficam em contato com uma superfície do substrato de montagem 51.

[00152] O dispositivo emissor de luz 1 pode ser produzido por uso de uma base composta 14 com um terminal de conexão composto 13, formado em um material de base 12, como mostrado nas Figuras 5A e 5B. A base composta 14 é constituída por várias peças articuladas, cada uma das quais forma um substrato de um dispositivo emissor de luz, após uma etapa de divisão. A base composta 14 tem fendas 15, estendendo-se da superfície superior para a superfície posterior no material de base 12. O terminal de conexão composto 13 é proporcionado de modo a estender-se continuamente da superfície superior para a superfície inferior do material de base 12 da base composta 14, pela parede interna da fenda 15. A Figura 5A mostra a base composta 14 para obter 18 dispositivos emissores de luz, mas a base composta 14, para obter um número maior (várias centenas a vários milhares) de dispositivos emissores de luz, pode ser proporcionada considerando a eficiência de produção.

[00153] Os elementos emissores de luz 5 são conectados à base composta 14, vários elementos selantes 17 são moldados em uma ba-telada por moldagem por transferência, de modo a cobrir as superfícies de extremidade dos elementos emissores de luz 5, e um artigo moldado é removido. Depois, a superfície superior da base composta 14, exposta do elemento selante, é mascarada, e a superfície superior do elemento emissor de luz 5, exposta da superfície superior do elemento selante 17, e a superfície superior do elemento selante 17 são cobertas com o elemento transmissor de luz 10 por um processo de aspersão pulsante. Depois, a base composta 14 e o elemento selante 17 são cortados em uma direção, ao longo de uma linha planejada para divisão L. Consequentemente, em virtude da fenda 15 ser disposta, a base composta 14 é também separada na direção de extensão da fenda, de modo que dispositivos emissores de luz divididos podem ser obtidos com um número relativamente pequeno de homens-hora. Um cortador, um laser ou semelhantes pode ser usado para corte. Nessa concretização, o elemento transmissor de luz 10 é formado do elemento selante 17 por uso de um processo de aspersão pulsante, mas o elemento transmissor de luz 10 pode ser formado apenas na superfície superior do elemento emissor de luz 5. O elemento transmissor de luz em forma de placa 10, tendo substancialmente a mesma forma que aquela do elemento emissor de luz 5, em uma vista em planta, pode ser aglutinado à superfície superior do elemento emissor de luz 5, seguido por formação do elemento selante 17, de modo a cobrir as superfícies de extremidade do elemento emissor de luz 5 e o elemento transmissor de luz 10.

Modificação da primeira concretização [00154] O dispositivo emissor de luz tem, nessa concretização, substanciaimente a mesma configuração que aquela do dispositivo emissor de luz na primeira concretização, exceto que o elemento e-missor de luz 5, que forma o dispositivo emissor de luz na vista seccional do dispositivo emissor de luz, mostrada na Figura 2A, é alterado a um elemento emissor de luz 5b, mostrado em uma vista em planta e na vista seccional da linha B - B' na Figura 2B. O elemento emissor de luz 5b é um circuito integrado LED substancialmente em forma de pa-ralelepípedo retangular, que tem um comprimento de 0,9 mm na direção longa, uma largura de 0,2 mm na direção curta, e uma espessura de 0,15 mm, e emite luz azul (comprimento de onda de pico de emissão de luz: 455 nm). A rugosidade superficial Ra da superfície lateral do elemento emissor de luz 5b é igual ou inferior a 0,5 μιτι.

[00155] O elemento emissor de luz 5b inclui em um substrato de safira 62 um laminado semicondutor de nitreto 66, formado por lami-nação de uma camada semicondutora do tipo n 63, uma camada ativa 64 e uma camada semicondutora do tipo p 65, nessa ordem, e um eletrodo no lado p conectado à camada semicondutora do tipo p 65 na superfície superior do laminado semicondutor de nitreto 66, isto é, a superfície superior da camada semicondutora do tipo p 65. Uma parte da camada semicondutora do tipo p 65 e uma parte da camada ativa 64 são removidas em uma forma circular, na parte interna do laminado semicondutor de nitreto 66, em uma vista em planta, de modo que a camada semicondutora do tipo n 63 seja exposta em 4 locais. O elemento emissor de luz 5b tem um eletrodo no lado n conectado à camada semicondutora do tipo n 63 na superfície superior da camada semicondutora do tipo n exposta 63. O eletrodo no lado n se estende da camada semicondutora do tipo n exposta 63 para a superfície superior da camada semicondutora do tipo p 65. Várias partes de projeção são formadas na superfície superior do substrato de safira 62. O elemento emissor de luz 5b inclui um eletrodo de conexão externa e um eletrodo de conexão externa no lado p como camadas condutoras, que são conectadas ao eletrodo no lado n e ao eletrodo no lado por exemplo, respectivamente.

[00156] O eletrodo no lado n inclui na superfície superior da camada semicondutora do tipo n 63 um eletrodo ôhmico no lado n 67a, e um filme metálico no lado n 69a, conectado eletricamente ao eletrodo ôhmico no lado n 67a, por um filme de estrutura multicamada 68 cobrindo uma parte do eletrodo ôhmico no lado n 67a. O filme metálico no lado n 69a é estendido pela superfície superior da camada semicondutora do tipo n 63 e pela superfície superior da camada semicondutora do tipo p 65, para ligar as 4 partes expostas da camada semi- condutora do tipo n 63. Nessa concretização, o elemento emissor de luz 5b tem o filme metálico no lado n 69a, e, portanto, mesmo quando as partes condutoras do eletrodo no lado n e a camada semicondutora do tipo n 63 são separadas, podem ser ligadas para serem conectadas eletricamente. Desse modo, por disposição dispersiva da camada semicondutora do tipo n 63 (as partes de condução do eletrodo no lado n e da camada semicondutora do tipo n 63), em que uma corrente é facilmente concentrada, uma corrente é difundida pelo laminado semicondutor de nitreto 66, enquanto que a área exposta da camada semicondutora do tipo n 63 é minimizada, de modo que uma voltagem de avanço (Vf) pode ser reduzida. O eletrodo no lado p inclui, na superfície superior da camada semicondutora do tipo p 65, um eletrodo ôhmi-co no lado p 67b, e um filme metálico no lado p 69b, conectado eletricamente ao eletrodo ôhmico no lado p 67b pelo filme de estrutura mul-ticamada isolante 68, cobrindo uma parte do eletrodo ôhmico no lado p 67b. O filme de estrutura multicamada isolante 68 cobre quase que toda a superfície superior do laminado semicondutor de nitreto 66, de modo que a luz da camada ativa possa ser refletida no lado do substrato de safira 62. Como mostrado nessa concretização, o filme de estrutura multicamada isolante 68 pode ter uma camada metálica 61 na sua parte interna, para aumentar ainda mais a refletividade. No filme de estrutura multicamada isolante 68, um furo de passagem é formado em todas as posições nas quais o eletrodo ôhmico no lado n 67a é formado em uma vista em planta, e ainda mais nas regiões nas quais o eletrodo ôhmico no lado p 67b é formado, vários furos de passagem são formados de modo a circundar o eletrodo no lado n (por exemplo, o eletrodo ôhmico no lado n 67a). Por meio desses furos de passagem, o eletrodo ôhmico no lado n 67a e o filme metálico no lado n 69a são conectados eletricamente, e o eletrodo ôhmico no lado p 67b e o filme metálico no lado p 69b são conectados eletricamente.

[00157] Um filme isolante de camada intermediária 60, tendo uma abertura 60a no filme metálico no lado n 69a e no filme metálico no lado p 69b, é formada em ambos os filme metálico no lado n 69a e filme metálico no lado p 69b. No filme isolante de camada intermediária 60, como uma camada condutora, um eletrodo de conexão externa no lado n 71a, conectado ao filme metálico no lado n 69a, é formado pela abertura 60a, disposta no filme metálico no lado n 69a. Um eletrodo de conexão externa no lado p 71b, conectado ao filme metálico no lado p 69b, é formado pela abertura 60a, disposta no filme metálico no lado p 69b. O eletrodo de conexão externa no lado n 71a é disposto sobre o filme metálico no lado n 69a no filme metálico no lado p 69b, disposto na camada semicondutora no lado p 65. O eletrodo de conexão externa no lado p 71b é disposto de modo a estender-se da parte de topo do filme metálico no lado p 69b para a parte de topo do filme metálico no lado n 69a, disposto na camada semicondutora no lado n 63. Segunda concretização [00158] Em um dispositivo emissor de luz 1B dessa concretização, uma parte de uma região de largura reduzida e de uma seção de conexão externa de um terminal de conexão 3 é exposta de um elemento selante 7 em ambos os lados do elemento selante 7 em um corpo de base 4, na primeira superfície principal do material de base 2, como mostrado nas Figuras 6A e 6B. No lado da segunda superfície principal do material de base 2, uma camada metálica 3d é disposta para reforçar e libera calor, etc., em uma região na qual o terminal de conexão 3 não é disposto. Dois filmes isolantes 8 são formados em uma região incluindo a parte de topo da camada metálica 3d. De outro modo, o dispositivo emissor de luz 1B tem uma configuração substancialmente similar àquela na primeira concretização. Os filmes isolantes 8 têm diferentes tamanhos, e podem ser feitos para funcionar como uma marca, para distinguir facilmente o anodo e o catodo do dispositivo e- missor de luz. O dispositivo emissor de luz 1B tem um efeito similar àquele na primeira concretização.

Modificação da segunda concretização [00159] Em um dispositivo emissor de luz 1C dessa concretização, a forma de um elemento selante 7p, em um corpo de base 4, é inclinado na primeira superfície principal do material de base 2, e em ambos dos seus lados, um terminal de conexão 3q tem uma região de largura reduzida em 2 locais, como mostrado nas Figuras 6C e 6D. A superfície lateral do material de base 2 não é coberta com o terminal de conexão 3q, um material condutor é embutido em um furo de passagem 2m, formado no material de base 2, e o terminal de conexão 3q é disposto na superfície posterior do material de base 2. De outro modo, o dispositivo emissor de luz 1C é substancialmente similar ao dispositivo emissor de luz 1B da segunda concretização. O dispositivo emissor de luz 1C tem um efeito similar àquele na primeira concretização e na segunda concretização.

Terceira concretização [00160] Um dispositivo emissor de luz 20 dessa concretização inclui um corpo de base 24 tendo um terminal de conexão 23, vários elementos emissores de luz 5 e um elemento selante 27, como mostrado na Figura 7. O terminal de conexão 23 é disposto de modo a estender-se para a superfície superior, à superfície de extremidade e à superfície inferior, em ambos os lados do material de base 22, na direção longa. Na superfície superior do material de base 22, um terminal 25, capaz de conectar vários elementos emissores de luz 5, por exemplo em série, é disposto adicionalmente. Em uma superfície do corpo de base 24, os terminais de conexão 23 e 25 têm ambos um modelo de projeção 23a, como uma seção de conexão de elemento, e, no modelo de projeção 23a, o elemento emissor de luz 5 é montado em um circuito integrado com deformação controlada por um elemento aglutinante fusível 6.

[00161] Vários elementos emissores de luz podem ser dispostos de modo a ficarem alinhados em uma linha. Os elementos emissores de luz podem ser dispostos não apenas em uma linha, mas também em direções de linhas e colunas.

[00162] O elemento selante 27 sela integralmente os vários elementos emissores de luz 5. A superfície de extremidade do elemento selante 27, estendendo-se ao longo da direção longa, forma o mesmo plano com a superfície de extremidade do corpo de base 24, estendendo-se ao longo da direção longa. A borda do elemento selante 27, oposta à direção curta, é disposta na parte interna do corpo de base 24.

[00163] Embora não ilustrada, uma parte rebaixada ou um furo de passagem é formado no corpo de base 24, entre os elementos emissores de luz 5, e a parte rebaixada ou o furo de passagem é enchido com uma parte do elemento selante 27, de modo que o elemento selante 27 seja pego pelo corpo de base 24. Consequentemente, a adesão entre o elemento emissor de luz 27 e o corpo de base 24 pode ser otimizada para impedir o desprendimento do elemento selante 27 do corpo de base 24.

[00164] O dispositivo emissor de luz 20 tem uma configuração substancialmente similar àquela na primeira concretização, exceto para a configuração descrita acima.

[00165] Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 20 apresenta um efeito similar àquele na primeira concretização. Ainda mais, o dispositivo emissor de luz pode ser usado como um dispositivo e-missor de luz do tipo de visão lateral, em uma forma linear ou em uma forma de matriz. Portanto, o elemento emissor de luz pode ter uma precisão de montagem aperfeiçoada, comparado com um caso no qual os dispositivos emissores de luz dos tipos de visão lateral individuais são todos montados em um substrato de montagem. Por exemplo, como uma fonte de luz de iluminação traseira, a propriedade de alinhamento com uma placa-guia de luz pode ser aperfeiçoada.

Quarta concretização [00166] Em um dispositivo emissor de luz 30 dessa concretização, como mostrado na Figura 8, vários dispositivos emissores de luz são dispostos atrás em uma direção de linha ou em uma direção de linha e coluna, como em um caso no qual os dispositivos emissores de luz da primeira concretização são combinados, de modo a compartilhar os terminais de conexão vizinhos 33, particularmente, as seções de conexões externas 33b. Especificamente, um furo de passagem é proporcionado em um material de base 32, entre os elementos emissores de luz vizinhos 5, e o terminal de conexão 33 de um corpo de base 34 é colocado no lado da superfície inferior do corpo de base 34 por esse furo de passagem. O dispositivo emissor de luz 30 tem uma configuração substancialmente similar àquela do dispositivo emissor de luz na primeira concretização, exceto para a configuração mencionada acima. Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 30 tem um efeito similar àquele na primeira concretização. Ainda mais, o dispositivo e-missor de luz 30 tem um efeito similar àquele na segunda concretização.

Quinta concretização [00167] Em um dispositivo emissor de luz 40 dessa concretização, um substrato de crescimento de um elemento emissor de luz é solto, e uma placa de elemento luminescente é usada como um elemento transmissor de luz, como mostrado nas Figuras 9A a 9F. O coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz é de cerca de 5,5 ppm/°C. isto é, o coeficientede expansão linear do elemento emissor de luz se aproxima do coeficiente de expansão linear da camada se-micondutora do elemento emissor de luz, por exemplo aquele de uma camada GaN, desde que o volume da camada de GaN seja dominante. O elemento emissor de luz é montado em um corpo de base por aglutinação de metal, e depois selado com um elemento selante 7, tendo uma função de relaxamento de tensão para absorver os impactos, durante desprendimento de safira, uma função de retenção e uma função de reflexão de elemento emissor de luz. Para facilitar a soltura da safira, o elemento selante 7 é ajustado em forma por vários tipos de processos (por exemplo, ataque químico, jateamento ou semelhantes), até que o elemento selante 7 não fique mais em contato com a superfície lateral de safira, como um substrato de crescimento. Nesse momento, o elemento selante, em uma área na qual o elemento emissor de luz não é conduzido, é solto por um uso de um processo de levantamento por laser (LLO), no qual, do lado do substrato de safira, uma camada semicondutora é irradiada com luz de laser (por exemplo, laser de excímero de KrF), de modo que uma reação de decomposição é forçada a ocorrer em uma interface, entre a camada semicondutora e o substrato, para remover o substrato da camada semicondutora. Depois, lavagem e processamento superficial são conduzidos. A superfície do elemento emissor de luz após LLO pode ter partes rebaixadas, e, por exemplo, a profundidade média das partes rebaixadas é de 0,5 pm. Depois, a placa de elemento luminescente e o elemento emissor de luz são aglutinados entre si. A placa de elemento luminescente pode ser aglutinada por uso de um material adesivo de resina, ou pode ser aglutinado por uso de uma técnica aglutinante direta, após a superfície ser limpa e alisada. A placa de elemento luminescente pode ter um tamanho menor do que aquele do elemento emissor de luz, em uma vista em planta, mas tem, de preferência, um tamanho igual ou superior àquele do elemento emissor de luz e tem o mesmo centro que aquele do elemento emissor de luz. Quando o dispositivo emissor de luz tem a configuração mencionada acima, a difusão interna na placa de elemento luminescente pode ser minimizada por redução da distância entre a superfície superior do elemento emissor de luz e a pla-ca-guia de luz. Por conseguinte, um dispositivo emissor de luz tendo uma alta eficiência pode ser obtido. Como mostrado nas Figuras 9A a 9F, um terminal de conexão 43, formado continuamente de modo a estender-se da primeira superfície principal pela superfície de extremidade para a segunda superfície principal de um material de base 42, é formado de Cu/Ni/Au (espessura: 20 μιτι). A primeira superfície principal tem um modelo de projeção 43a, composto de cobre em uma parte do terminal de conexão 43, e a segunda superfície principal tem uma camada metálica 43d (espessura: 20 μιτι) composta de cobre. A camada metálica 43d, que é uma região correspondente a uma região conduzindo um elemento emissor de luz 5a, é disposta na segunda superfície principal, e desempenha um papel de reforço, liberação de calor e assim por diante. A segunda superfície principal do corpo de base é coberta com um filme isolante 8, de uma parte de um par de terminais de conexão 43, que fica próximo da parte central do corpo de base, à parte de topo do material de base 42 e da camada metálica 43d.

[00168] O terminal de conexão 43 é parcialmente reduzido em largura na primeira superfície principal do corpo de base, como mostrado na Figura 9E. O terminal de conexão 43 é também parcialmente reduzido em largura na segunda superfície principal, como mostrado na Figura 9E. A espessura total do corpo de base é de 300 μιτι na região mais espessa.

[00169] Como mostrado na Figura 9C, o elemento emissor de luz 5a é formado de um laminado semicondutor de nitreto e um par de eletrodos, e um substrato de crescimento de uma camada semicondutora é removido. Nesse caso, a espessura do elemento emissor de luz 5a (espessura total da camada semicondutora de nitreto e do eletrodo) é de 12 μιη. A rugosidade superficial Ra de uma superfície (uma superfície oposta à superfície formada no eletrodo do laminado semicondutor de nitreto) do elemento emissor de luz 5a é cerca de 0,5 a 2,0 pm. A remoção do substrato de crescimento é feita por, por exemplo, uso do processo de levantamento por laser mencionado acima, após um elemento emissor de luz 5, tendo um substrato de crescimento, ser montado em um par de terminais de conexão, e o elemento selante 7 ser disposto. Nesse momento, por cobertura da camada semicondutora do elemento emissor de luz e ainda por cobertura de ambos o modelo de projeção 43a do terminal de conexão 43 e de um elemento aglutinante fusível 6 com o elemento selante 7, o elemento emissor de luz pode ser fixado firmemente. Consequentemente, a tensão, durante o desprendimento do substrato de safira, pode ser absorvida para remover eficientemente o substrato de safira da camada semicondutora.

[00170] Um par de eletrodos do elemento emissor de luz 5a é aglutinado ao modelo de projeção 43a do terminal de conexão 43 pelo e-lemento aglutinante fusível 43a do terminal de conexão 43 pelo elemento aglutinante fusível 6, composto de solda eutética de Au-Sn. Como um elemento transmissor de luz 10a, um vidro YAG transmissor de luz (espessura: 40 μιτι) com YAG nanocristalino, disperso uniformemente como um elemento luminescente, é fixado na primeira superfície principal do elemento emissor de luz 5a por um material adesivo de uma resina de silicone transmissora de luz. O elemento transmissor de luz 10a é também disposto no elemento selante 7, e a superfície de extremidade do elemento transmissor de luz 10a coincide substancialmente com a superfície de extremidade do elemento selante 7.

[00171] Um elemento isolante 9, composto de uma resina de silicone branca contendo dióxido de titânio, é disposto no terminal de conexão 43 e entre o modelo de projeção 43a e a seção de conexão externa. O elemento isolante 9 é moldado em uma forma de paralelepípedo substancialmente retangular, tendo um comprimento de 0,4 mm na direção longa, uma largura de 0,3 mm na direção curta, e uma espessura de 0,02 mm. O elemento isolante 9 é exposta por 0,2 mm na direção longa, a partir da superfície de extremidade do elemento selante 7. O elemento isolante 9 cobre a região de largura reduzida do terminal de conexão 3 e sua periferia. A borda do elemento selante 7, oposta à direção longa, é disposto no elemento isolante 9, e a borda do elemento selante 7, estendendo-se ao longo da direção longa, coincide com a borda do elemento isolante 9, estendendo-se ao longo da direção longa. A borda do elemento isolante 9, estendendo-se ao longo da direção longa, coincide com a borda do corpo de base, estendendo-se ao longo da direção longa, e a superfície de extremidade do elemento isolante 9, estendendo-se ao longo da direção longa, forma o mesmo plano com a superfície de extremidade do corpo de base, estendendo ao longo da direção longa. Por disposição do elemento isolante como descrito acima, uma situação pode ser evitada na qual a solda penetra ao longo da superfície do terminal de conexão, para deteriorar a confiabilidade do dispositivo emissor de luz, quando o dispositivo emissor de luz é montado no substrato de montagem como um tipo de visão lateral, como descrito acima. Quando da conexão do elemento emissor de luz ao terminal de conexão pelo elemento aglutinante fusível, o vazamento do elemento aglutinante fusível para a seção de conexão externa, a partir do modelo de projeção e de suas vizinhanças, pode ser evitado.

[00172] O dispositivo emissor de luz 40 tem uma configuração substancialmente similar àquela do dispositivo emissor de luz na primeira concretização, exceto para a configuração mencionada acima. Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 40 tem um efeito similar àquele na primeira concretização.

Sexta concretização [00173] Em um dispositivo emissor de luz 40B dessa concretização, um material de base 42 é branco leitoso e tem um coeficiente de expansão linear de 3 ppm/°C. Como mostrado na Figura 10, um corpo de base tem, na segunda superfície principal, um terminal de conexão 43 e dois filmes isolantes 8 tendo diferentes tamanhos, que são situados a uma distância da extremidade do terminal de conexão 43. O elemento transmissor de luz 10a é formado por um processo de aspersão, usando uma resina contendo elemento luminescente. O dispositivo emissor de luz 40B tem uma configuração substancialmente similar àquela do dispositivo emissor de luz 40 na quarta concretização, exceto para a configuração mencionada acima. Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 40B tem um efeito similar àquele nas primeira à quarta concretizações. Sétima concretização [00174] Um dispositivo emissor de luz nessa concretização tem uma configuração similar àquela do dispositivo emissor de luz na primeira concretização, com um elemento emissor de luz tendo uma configuração substancialmente similar àquela do elemento emissor de luz mostrado na Figura 2B, exceto que, por exemplo, no elemento emissor de luz 5b, mostrado na Figura 2B, particularmente, o filme isolante de camada intermediária 60, o filme de estrutura multicamada isolante 68, o filme metálico no lado n 69a, o filme metálico no lado p 69b, o eletrodo de conexão externa no lado n 71a e o eletrodo de conexão externa no lado p 71b são aumentados em espessura por um fator de 2, e produzidos para também servir como uma camada de reforço. Portanto, a resistência pode ser aperfeiçoada se comparada com o dispositivo e-missor de luz na primeira concretização. O dispositivo emissor de luz tem, nessa concretização, um efeito similar àquele do dispositivo e-missor de luz na primeira concretização. Essa configuração, na qual uma camada de reforço na superfície posterior é espessada, é especi- almente importante quando um elemento emissor de luz é usado, que tem uma configuração na qual um substrato de crescimento é removido.

Oitava Concretização [00175] Em um dispositivo emissor de luz 50 desta modalidade, o elememto transmissor de luz 10 tem uma estrutura de camadas empli-Ihadas como mostrado nas Fig. 12 A a 12C. O elemento transmissor de luz 10 inclui um primeiro elemento transmissor de luz 10b que está em contato com o elemento emissor de luz 5 e contem um elemento luminescente 77, e um segundo elemento transmissor de luz 10c disposto no primeiro elemento transmissivo de luz 10b e não contem um elemento luminescente ou contem um elemento luminescente com um menor teor do que aquele no primeiro elemento transmissor de luz. Consequentemente, o primeiro elemento transmissor de luz 10b pode ser protegido do ambiente externo. Por exemplo, quando a luz do elemento transmissor de luz 10 é usada topando com a placa guia de luz, o elemento luminescente e o primeiro elemento transmissor de luz 10b podem ser protegidos.

[00176] Como mostrado na Figura 12B, uma superfície superior do segundo elemento transmissor de luz 10c que não contem um elemento luminescente é formada mais plana do que uma superfície superior do primeiro elemento transmissor de luz 10b. Assim, o ângulo direcional pode ser estreitado e distribuição de luz não uniforme pode ser reduzida. Isto pode ser pensado formando a superfície de extração de luz como um superfície plana, entre luz emitida a partir do primeiro e-lemento de transmissor de luz 10b, luz tendo um largo ângulo direcional pode ser totalmente refletida na superfície superior do segundo e-lemento transmissor de luz 10c para retornar para o lado do primeiro elemento transmissor de luz 10b, e ainda para ser refletida para cima na superfície do primeiro elemento transmissor de luz 10b e na super- fície do elemento luminescente 77, de modo que a luz possa ser extraída com um ângulo direcional estreito. Como resultado, por exemplo, quando usada como uma luz de fundo (traseira), irregularidade de cor do painel pode ser reduzida.

[00177] A espessura do primeiro elemento transmissor de luz 10b é, por exemplo, de preferência de 1 a 100 pm, e de 2 a 60 pm e ainda preferencialmente de 5 a 40 pm. A espessura do segundo elemento transmissor de luz 10c é por exemplo, de preferência de 1 a 10 pm, e de 2 a 8 pm e ainda preferencialmente de 3 a 6 pm.

[00178] Ainda, nesta concretização, como mostrado na figura 12C, um eletrodo auxiliar 76 cujo terminal de conexão 3 é exposto a partir do filme isolante 8. Conectando-se o eletrodo auxiliar 76com um soldador ou similar, a resistência de fixação no instante da montagem em um substrato secundário pode ser aumentada. O eletrodo auxiliar 76 é proporcionado entre um par de terminais de conexão 3 e na parte central da direção longa da segunda superfície principal. O eletrodo auxiliar 76 é provido com uma altura inferior á alturado dispositivo emissor de luz, isto é, situado a uma distância a partir da superfície oposta à superfície de montagem do material de base. Uma parte estreita 76a do eletrodo auxiliar 76 é proporcionada de modo que a extremidade da parte estreita 76a coincida com a região vizinha da superfície de montagem do dispositivo emissor de luz 50, em mais detalhe, coincida com a superfície de montagem. A parte estreita 76a do eletrodo auxiliar 76 é conectada a uma parte larga 76b em sua parte superior. A parte larga 76b tem aproximadamente formato semicircular que se estreita para cima. A parte estreita 76a e a parte larga 76b são conectadas via uma porção que se alarga gradualmente a partir da parte estreita 76a em direção a parte larga 76b. O dispositivo emissor de luz 50 tem uma configuração substancialmente similar àquela do dispositivo emissor de luz da primeira concretização. Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 50 tem um efeito similar àquele na primeira concretização.

Nona Concretização [00179] Um dispositivo emissor de luz 70 desta concretização tem uma configuração substancialmente similar àquela do dispositivo e-missor de luz mostrado na figura 2A, como mostrado na figura 13, exceto que por exemplo, no dispositivo emissor de luz 1 mostrado na figura 2A, dois elementos emissores de luz 5 são usados. O dispositivo emissor de luz 70 tem uma configuração substancialmente similar à-quela do dispositivo emissor de luz 1 na primeira concretização. Consequentemente, o dispositivo emissor de luz 70 tem um efeito similar àquele na primeira concretização.

APLICABILIDADE INDUSTRIAL

[00180] O dispositivo emissor de luz da presente invenção pode ser usado para fontes de luz de iluminação traseira de visores de cristal líquido, vários tipos de instalações de iluminação e vários tipos de dispositivos de exibição, tais como grandes visores, painéis de propaganda e guias de destino, e dispositivos de leitura de imagens em câmeras de vídeo digitais, faxes, copiadoras, escâneres e semelhantes, e dispositivos projetores.

[00181] Deve-se entender que embora a presente invenção tenha sido descrita com relação às suas concretizações preferidas, várias outras concretizações e variantes podem ocorrer àqueles versados na técnica, que estão dentro do âmbito e espírito da invenção, e essas outras concretizações e variantes são tencionadas para serem coberturas pelas reivindicações apresentadas a seguir.

REIVINDICAÇÕES

Claims

1. Dispositivo emissor de luz (1) do tipo de visão lateral, caracterizado pelo fato de que compreende: um corpo de base (4) incluindo um material de base (2) e um par de terminais de conexão (3) em pelo menos uma primeira superfície do material de base (2); um elemento emissor de luz (5) conectado aos terminais de conexão (3); e um elemento selante (7) que sela o elemento emissor de luz (5), em que o material de base (2) tem um coeficiente de expansão linear dentro de ± 10 ppm/°C do coeficiente de expansão linear do elemento emissor de luz (5).

2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que o material de base (2) contém uma resina.

3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo fato de que a temperatura de transição vítrea da resina é no mínimo de 250°C.

4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 3, caracterizado pelo fato de que a espessura do corpo de base (4) é no máximo de 500 μιτι, e a resistência à fle-xão é no mínimo de 300 MPa.

5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 4, caracterizado pelo fato de que compreende ainda um elemento transmissor de luz disposto em uma superfície superior do elemento emissor de luz, o elemento transmissor de luz (5) contendo um elemento luminescente, que é excitado por luz a partir do elemento emissor de luz (5).

6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindica- ção 5, caracterizado pelo fato de que o elemento transmissor de luz (10) cobre uma superfície superior do elemento selante (7).

7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 5 ou 6, caracterizado pelo fato de que o elemento transmissor de luz é um dentre um elemento em camadas no qual uma pluralidade de camadas de,partículas contendo o elemento luminescente em forma particulada são laminadas, um elemento em forma de placa de elemento luminescente policristalino transparente e um elemento em forma de placa de elemento luminescente de cristal único transparente.

8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 5 a 7, caracterizado pelo fato de que o elemento luminescente tem um tamanho de partícula central de no máximo 30 μΐΎΊ.

9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 5 a 8, caracterizado pelo fato de que o elemento transmissor de luz (10) é formado por um método de aspersão.

10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 5 a 9, caracterizado pelo fato de que o e-lemento transmissor de luz contém um ponto quântico.

11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 5 a 10, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) inclui pelo menos um laminado semicondutor de nitreto, e o elemento transmissor de luz tem uma espessura que é de no máximo 10 vezes a espessura total do laminado semicondutor de nitreto.

12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 11, caracterizado pelo fato de que o elemento selante (7) é formado de um material de blindagem de luz.

13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 12, caracterizado pelo fato de que o elemento selante (7) está em contato com e cobre uma superfície lateral do elemento emissor de luz (5).

14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 5 a 13, caracterizado pelo fato de que o elemento transmissor de luz (10) tem uma espessura que é de no máximo 2 vezes a espessura do elemento selante (7) na superfície lateral do elemento emissor de luz (5).

15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 14, caracterizado pelo fato de que o corpo de base (4) e o elemento selante (7) têm ambos uma forma a-longada que se estende em uma direção longitudinal, e uma superfície de extremidade do corpo de base (4) e uma superfície de extremidade do elemento selante (7) estão substancialmente em um mesmo plano ao longo da direção longitudinal.

16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 15, caracterizado pelo fato de que uma superfície superior do elemento selante (7) forma o mesmo plano com uma superfície superior do elemento emissor de luz (5).

17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 16, caracterizado pelo fato de que o elemento selante (7) inclui um elemento disposto entre o elemento e-missor de luz (5) e o corpo de base (4), o elemento sendo formado de uma resina tendo um coeficiente de expansão linear dentro de ± 20% do coeficiente de expansão linear dos terminais de conexão (3).

18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 17, caracterizado pelo fato de que os terminais de conexão (3) são proporcionados de modo a se estenderem da parte de topo da primeira superfície principal do material de base (2) para a parte de topo de uma segunda superfície principal do material de base (2) oposta à primeira superfície principal.

19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 18, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) inclui pelo menos um laminado semicondutor de nitreto, e eletrodos positivo e negativo dispostos em um mesmo lado de superfície do laminado semicondutor de nitreto, em que os terminais de conexão (3) incluem modelos de projeção (3a) na primeira superfície principal do material de base (2), os modelos de projeção sendo dispostos em posições opostas aos eletrodos positivo e negativo e tendo um tamanho igual ao tamanho dos eletrodos positivo e negativo.

20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 19, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) é montado em um circuito integrado com deformação controlada no corpo de base (4).

21. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 19 ou 20, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) inclui pelo menos uma camada de reforço formada de um den-ter uma camada de metal e uma camada isolante disposta em uma superfície do laminado semicondutor de nitreto no qual são dispostos os eletrodos positivo e negativo.

22. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 21, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) tem uma espessura de no máximo 200 pm.

23. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 19 a 22, caracterizado pelo fato de que os eletrodos positivo e negativo do elemento emissor de luz (5) são conectados aos terminais de conexão por um elemento aglutinante condutor, o elemento aglutinante tendo uma espessura que é 1 a 3 vezes a espessura do laminado semicondutor de nitreto.

24. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 23, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) é liberado de um substrato de crescimento de uma camada semicondutora.

25. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 2 a 24, caracterizado pelo fato de que a emissividade térmica da resina contida no material de base (2) é de pelo menos 0,5.

26. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 25, caracterizado pelo fato de que o dispositivo emissor de luz (1) tem, como uma superfície de montagem (R), uma superfície vizinha a uma superfície de extração de luz (Q).

27. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 26, caracterizado pelo fato de que o elemento emissor de luz (5) tem uma forma retangular, em uma vista em planta, com um lado longo sendo pelo menos 1,5 vez um lado curto.

28. Dispositivo emissor de luz, de acordo com qualquer uma das reivindicações de 1 a 27, caracterizado pelo fato de que os terminais de conexão são respectivamente aglutinados com o elemento emissor de luz (5) via um material de solda, e o material de base (2) tem um coeficiente de expansão linear de no máximo 5 ppm/°C.